TW201339289A - 具有導電性添加物之反應性液晶原調配物 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於包含導電性添加物之反應性液晶原(RM)調配物、由其獲得之聚合物膜，及該RM調配物及聚合物膜在光學或電光組件或裝置(如用於液晶顯示器(LCD)之光學延遲膜)中之用途。

Description

具有導電性添加物之反應性液晶原調配物
本發明係關於包含導電性添加物之反應性液晶原(RM)調配物、由其獲得之聚合物膜，及該RM調配物及聚合物膜在光學或電光組件或裝置(如用於液晶顯示器(LCD)之光學延遲膜)中之用途。
RM及RM之混合物可藉助原位聚合之製程用於製造光學膜(例如補償、延遲或偏振膜)以用作(例如)光學或電光裝置(例如LC顯示器)之組件。該等膜之光學性質可由許多不同因素控制，例如混合物調配物或基板性質。
該等膜通常藉由以下製備：將RM或RM混合物之溶液塗覆於基板上，移除溶劑，使RM配向成期望定向，並藉由暴露於熱或光化輻射(例如UV輻射)使經塗覆及配向之RM原位聚合，並視情況自基板移除聚合膜。
然而，若含RM之溶液不導電，則用該溶液塗覆基板可導致靜電荷累積。此可因電弧導致靜電放電，且若溶劑易燃，則導致燃燒或爆炸。此危害可藉由工程解決方案來降低，例如使用箔片及靜電中和棒。然而，非導電性易燃流體至塗層之快速泵送亦可導致靜電放電。
舉例而言，該等聚合RM膜產品之典型製造方法係塑膠基板之捲到捲處理，其中反應性液晶原溶液之塗覆係整體步驟。在生產步驟期 間存在累積靜電之可能，必須進行放電以防止不受控放電，或存在最終產品缺陷或損壞之可能。
而且，靜電荷之累積可導致聚合光學膜之不想要效應，例如不均勻塗覆，此視覺上可觀察到且通常稱為「雲紋(mura)」。
通常已知若使用導電溶劑，則可減輕該靜電電荷累積(參見例如Matthew R.Giles，於Organic Process Research & Development 2003,7,1048-1050中)，然而此使得調配者可利用之溶劑選擇明顯減少。由於RM通常不溶於極性溶劑中，此尤其不利。此外，亦可能該等溶劑與溶液將塗覆於其上之基板不相容。
本發明之目的係提供經改良RM調配物及能夠製備具有減少或甚至沒有靜電荷累積之聚合物膜之方法，以避免多種缺點及風險(例如因電弧之靜電放電)、不均勻塗層及光學缺陷(例如雲紋)，同時保持有利的RM及膜性質，例如良好的塗覆性能、良好的配向及高耐久性。專業人員自以下詳細說明能立即看出本發明之其他目的。
本發明之發明者發現該等目的可藉由添加某些導電性添加物至RM調配物來達成。藉此減少將混合物塗覆於基板上之靜電累積，同時保持其他性質，例如良好塗覆性能、配向及耐久性。
WO 2003/083523揭示可將極性添加物添加至液晶(LC)混合物中，然而其作用係在雙穩態LC模式中誘導電-液體力學不穩定性。因此，該等添加物不可聚合。WO 2008/110342亦揭示高極性添加物對增強RM調配物之性質的用途，但在此情形中，添加物係磁性或順磁性粒子。而且，WO 2008/110342中所闡述之調配物經設計用於噴墨印刷而非溶液塗覆。WO 2008/110316揭示類似的極性顏料在RM調配物中之用途，該等RM調配物可經處理以製備用於保全裝置之偏振選擇性散射裝置。WO 2008/110317闡述可噴墨RM調配物之製備，但其中極性添加物係顏料或聚合物添加物。US 2011/0240927闡述一種調 配物，其含有雙反應性RM及極性添加物，且可經處理以製作透明導電層作為通常用作電極之ITO電極的替代物用於LC顯示器(LCD)製造。然而，在此情形中，RM之量限於20%且調配物不能獲得作為雙折射延遲膜之膜。在此情形中添加物係PEDOT/PSS(聚-3,4-伸乙基二氧基-噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽)，其不溶於通常用於RM調配物之溶劑中。然而，上述文獻未揭示亦未提出本發明中所主張之RM調配物、方法及用途。
本發明係關於一種調配物，其包含>50%之一或多種可聚合液晶原化合物，且進一步包含一或多種較佳選自反應性有機化合物及/或離子性有機化合物之導電性添加物。
本發明進一步係關於包含如上下文所闡述之聚合RM調配物或選自由其組成之聚合物膜。
本發明進一步係關於藉由聚合如上下文所闡述之RM調配物之層所獲得之聚合物膜，較佳其中該等RM經配向，且較佳在RM調配物展現液晶相之溫度下。
本發明進一步係關於如上下文所闡述之RM調配物或聚合物膜在聚合物膜中之用途，其較佳用作光學膜、抗靜電保護薄片或電磁干擾保護薄片。
本發明進一步係關於如上下文所闡述之RM調配物或聚合物層在光學、電光或電子組件或裝置中之用途。
本發明進一步係關於包含如上下文所闡述之RM調配物或聚合物層之光學、電光或電子裝置或其組件。
該等組件包括(但不限於)光學延遲膜、偏振器、補償器、分束器、反射膜、配向層、濾色片、抗靜電保護薄片或電磁干擾保護薄片、用於自動立體3D顯示器之偏振控制透鏡，及用於窗應用之IR反 射膜。
該等裝置包括(但不限於)電光顯示器(尤其液晶顯示器、自動立體3D顯示器)、有機發光二極體(OLED)、光學資料儲存裝置及窗應用。
術語之定義
術語「液晶」、「介晶態化合物(mesomorphic compound)」或「液晶原化合物」(亦簡稱為「液晶原」)意指在適宜溫度、壓力及濃度條件下可作為中間相或尤其作為LC相存在之化合物。非兩親性液晶原化合物包含(例如)一或多個桿狀、香蕉狀或盤狀液晶原基團。
術語「桿狀」意指棒狀或板形/板條狀化合物或基團。術語「香蕉形」意指兩個通常為桿狀之液晶原基團經由半剛性基團以不會共線之方式連接的彎曲基團。
術語「盤狀」意指盤形或薄片形化合物或基團。
術語「液晶原基團」意指具有誘導液晶(LC)相行為之能力的基團。液晶原基團、尤其彼等非兩親性型液晶原基團通常為桿狀或盤狀。包含液晶原基團之化合物自身並不一定必須展現LC相。該等液晶原化合物亦可能僅在與其他化合物之混合物中或當該等液晶原化合物或其混合物聚合時才展示LC相行為。為簡單起見，術語「液晶」在下文中用於液晶原材料及LC材料二者。
桿狀液晶原化合物通常包含由一或多個彼此直接連接或經由鏈接基團連接之芳香族或非環狀基團構成的桿狀(即，棒狀或板條狀)液 晶原基團，視情況包含附接至該棒之短端之末端基且視情況包含一或多個附接至該棒之長邊的側基，其中該等末端基及側基通常選自(例如)二價碳基或烴基、極性基團(如鹵素、硝基、羥基等)或可聚合基團。
盤狀液晶原化合物通常包含由(例如)一或多個稠合芳香族或非環狀基團(例如，聯伸三苯)組成之盤狀(即，相對較平坦之盤形或薄片形)液晶原基團且視情況包含一或多個附接至液晶原基團且選自由上文所提及之末端基及側基之末端基。
關於與液晶及液晶原有關之術語及定義的綜述，參見Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)及C.Tschierske、G.Pelzl及S.Diele，Angew.Chem.2004,116,6340-6368。
術語「反應性液晶原」(RM)意指可聚合液晶原或液晶化合物，其較佳為單體化合物。
具有一個可聚合基團之可聚合化合物亦稱作「單反應性」化合物，具有兩個可聚合基團之化合物稱作「雙反應性」化合物，且具有兩個以上可聚合基團之化合物稱作「多反應性」化合物。無可聚合基團之化合物亦稱作「非反應性」化合物。
術語「離子液體(IL)」係指通常熔點低於373 K之有機鹽。關於離子液體之評論文章係(例如)R.Sheldon「Catalytic reactions in ionic liquids」，Chem.Commun.,2001,2399-2407；M.J.Earle、K.R.Seddon「Ionic liquids.Green solvent for the future」,Pure Appl.Chem.,72 (2000),1391-1398；P.Wasserscheid、W.Keim「Ionische Flüssigkeiten-neue Lösungen für die Übergangsmetallkatalyse」[Ionic Liquids-Novel Solutions for Transition-Metal Catalysis],Angew.Chem.,112 (2000),3926-3945；T.Welton「Room temperature ionic liquids.Solvents for synthesis and catalysis」，Chem.Rev.,92(1999),2071- 2083，或R.Hagiwara、Ya.Ito「Room temperature ionic liquids of alkylimidazolium cations and fluoroanions」，J.Fluorine Chem.,105(2000),221-227。
術語「可聚合離子液體(PIL)」意指具有經由間隔基團附接至陽離子之可聚合基團的離子液體。
術語「間隔基」或「間隔基團」(下文亦稱為「Sp」)已為熟悉此項技術者所習知且闡述於文獻中，參見(例如)Pure Appl.Chem.73(5),888(2001)及C.Tschierske、G.Pelzl、S.Diele，Angew.Chem.2004,116,6340-6368。除非另外指明，否則上下文之術語「間隔基」或「間隔基團」表示在可聚合液晶原化合物(「RM」)中連接液晶原基團與可聚合基團之撓性有機基團。
術語「膜」包括具有機械穩定性之剛性或撓性、自支撐式或獨立式膜以及位於支撐基板上或兩個基板間之塗層或層。「薄膜」意指厚度在奈米或微米範圍內之膜，較佳至少10 nm、極佳至少100 nm且較佳不超過100 μm、極佳不超過10 μm。
術語「二價碳基」意指包含至少一個碳原子之任一單價或多價有機基團部分，其不含任何非碳原子(例如，-C≡C-)或視情況與至少一個非碳原子(例如，N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge)組合(例如，羰基等)。術語「烴基」表示另外含有一或多個H原子且視情況含有一或多個雜原子(例如，N、O、S、P、Si、Se、As、Te或Ge)之碳基。包含3個或更多個C原子之鏈的碳基或烴基亦可為直鏈、具支鏈及/或環狀(包含螺環及/或稠合環)。
圖1展示根據實例2製備之聚合物膜之延遲對視角。
圖2展示根據實例3製備之聚合物膜之延遲對視角。
圖3、4及5展示根據實例4製備之聚合物膜之延遲耐久性(延遲下降對溫度)。
在本發明之RM調配物中，導電性添加物使得導電性增加。增加RM調配物之導電性能夠製備在膜形成製程期間具有減少或甚至沒有靜電荷累積之聚合物膜，且由此避免諸如因電弧導致之自發及不期望 之靜電放電等危害。此外，其減少或避免諸如雲紋等不均勻塗層或光學缺陷，同時保持有利的RM及膜性質，例如良好的塗覆性能、良好的配向及高耐久性。
在本發明之第一較佳實施例中，導電性添加物係具有式C+A-之離子性有機化合物或有機鹽，其中C+係有機陽離子且A-係(例如)選自四級銨鹽、鏻鹽、咪唑鎓鹽或其他N-雜環鹽之陰離子。
大多數該等有機鹽亦稱為離子液體(IL)。離子液體分子提供能夠溶於低介電常數液體中之柔性、巨大離子。較佳地，陰離子具有至少80 A3之凡得瓦爾(van der Waals)體積。
在第二較佳實施例中，導電性添加物係選自具有離子性及反應性之有機化合物(即包含一或多個可聚合官能基之離子性有機化合物)或可聚合離子液體(PIL)。較佳使用可聚合離子化合物或PIL，其中陽離子經可聚合基團修飾以將柔性、巨大離子納入由RM調配物所形成之聚合物中。然後與RM調配物中所含之RM共聚以形成聚合物膜。
在本發明之第三較佳實施例中，導電性添加物係選自反應性有機化合物，其包含一或多個增加RM調配物之導電性的極性基團，且進一步包含一或多個可與RM共聚形成聚合物網絡之可聚合官能基。
藉由認真選擇添加物(例如藉由選擇離子性組份或可聚合官能基之類型)，可使得與沒有導電性添加物之RM調配物相比，RM調配物及最終聚合膜之處理及性質無變化或僅稍微變化。
離子性有機化合物較佳含有極佳選自由以下組成之群之有機陽離子：銨、鏻、鋶、脲鎓、硫脲鎓、胍鎓及雜環陽離子，例如咪唑鎓、吡啶鎓、吡咯啶鎓、三唑鎓、嗎啉鎓或六氫吡啶鎓陽離子。
較佳之雜環陽離子係選自由下列組成之群：
其中取代基R1'至R4'彼此獨立地表示-具有1至20個C原子之直鏈或具支鏈烷基，其視情況可經部分氟代(但不在雜原子之α位)，且其在碳原子之間之任何位置亦可包括氧或/及硫原子，或-具有5至7個C原子之飽和、部分或完全不飽和環烷基，其可經具有1至6個C原子之烷基取代，且其中取代基R1'、R2'、R3'及/或R4'一起亦可形成環系統，且在反應性化合物之情形中，取代基R1'至R4'中之一者亦可表示鏈接至可聚合官能基之間隔基團Sp。
較佳地，陽離子C+係烷基取代之銨、吡啶鎓、吡咯啶鎓或咪唑鎓基團，極佳係四烷基銨、四烷基鏻、N-烷基吡啶鎓、N,N-二烷基吡咯啶鎓、1,3-二烷基咪唑鎓或三烷基鋶陽離子。
極佳地，陽離子C+係選自由以下組成之群：四烷基銨、四芳基銨或混合四烷基-芳基銨(其中烷基或芳基可彼此相同或不同)、其他雜環銨、質子化烷基或芳基銨或其他基於氮之離子(例如二月桂基銨)。較佳實例包括(但不限於)四烷基銨、1-烷基-3-甲基咪唑鎓、1-烷基-2,3-二甲基咪唑鎓、N-烷基-3-甲基-吡啶鎓、N-烷基-3-羥基丙基-吡啶 鎓、N-烷基-3-羥基甲基-吡啶鎓、N-烷基-4-二甲基胺基-吡啶鎓、N-甲基-N-烷基-吡咯啶鎓，其中「烷基」表示具有1、2、3、4、5或6個C原子之烷基。
陰離子較佳係無機陰離子，極佳係鹵離子、硼酸根、醯亞胺、磷酸根、磺酸根、硫酸根、琥珀酸根、環烷酸根或羧酸根陰離子。
極佳地，陰離子係選自由以下組成之群：鹵離子、硫酸氫根、烷基硫酸根、氟烷基-磷酸根、六氟磷酸根、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺、甲酸根、三氟乙酸根、四氟硼酸根、草酸硼酸根、四氰基硼酸根、二氰胺、三氰基甲基化物、硫氰酸根、甲烷磺酸根、三氟甲烷-磺酸根(triflate、trifluoromethane-sulfonate)、九氟丁烷-磺酸根(nonaflate、nonafluorobutane-sulfonate)、甲苯-磺酸根(tosylate、toluene-sulfonate)及硫酸氫根。
最佳地，陰離子係選自由以下組成之群：Cl-、Br-、I-、[HSO4]-、[CH3SO4]-、[C2H5SO4]-、[C4H9SO4]-、[C6H13SO4]-、[C8H17SO4]-、[C5H11O2SO4]-、[(C2F5)3PF3]-、[PF6]-、[N(SO2CF3)2]-、[HCOO]-、[CF3COO]-、[BF4]-、[B(C2O4)2]-、[B(CN)4]-、[N(CN)2]-、[C(CN)3]-、[SCN]-、[CH3SO3]-、[CF3SO3]-、[C4F9SO3]-、[CH3C6H4SO3]-。
其他較佳之陰離子係選自由下列組成之群： 氯離子
溴離子
碘離子
四氟硼酸根
四氰基硼酸根(TCB)
二氟-二氰基硼酸根
氟-三氰基硼酸根
全氟烷基-氟-二氰基硼酸根
五氟乙基-氟-二氰基硼酸根
全氟烷基-二氟-氰基硼酸根
五氟乙基-二氟-氰基硼酸根
全氟烷基-氟硼酸根(FAB)
全氟烷基-烷氧基-二氰基硼酸根
烷氧基-三氰基硼酸根
甲氧基-三氰基硼酸根
乙氧基-三氰基硼酸根
2,2,2-三氟乙氧基-三氰基硼酸根
雙(2,2,2-三氟乙氧基)-二氰基硼酸根
四苯基硼酸根(TPB)
四(3,5-雙(三氟甲基)苯基)硼酸根(TFPB)
四(4-氯苯基)硼酸根
四(4-氟苯基)硼酸根
四(五氟苯基)硼酸根
四(2,2,2-三氟乙氧基)硼酸根
雙(草酸)硼酸根
雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺(NTF)
雙(氟磺醯基)醯亞胺
雙[雙(五氟乙基)氧膦基]醯亞胺(FPI)
三(三氟甲基磺醯基)甲基化物
(氟烷基)氟磷酸根
三(五氟乙基)三氟磷酸根(FAP)
雙(五氟乙基)四氟磷酸根
(五氟乙基)五氟磷酸根
三(九氟丁基)三氟磷酸根
雙(九氟丁基)四氟磷酸根
(九氟丁基)五氟磷酸根
六氟磷酸根
雙(氟烷基)亞膦酸根
雙(五氟乙基)亞膦酸根
雙(九氟丁基)亞膦酸根
(氟烷基)膦酸根
(五氟乙基)膦酸根
(九氟丁基)膦酸根
九氟丁烷磺酸根(nonaflate)(NFS)
三氟甲烷磺酸根
三氟乙酸根
甲烷磺酸根
丁烷磺酸根
丁基硫酸根
己基硫酸根
辛基硫酸根
二氰胺
三氰基甲基化物
硫氰酸根
硫酸氫根
三氟乙酸根
甲苯磺酸根
多庫鹽(docusate)：(雙(2-2-乙基己基)磺基琥珀酸根(AOT)
環烷酸根
月桂基硫酸根
烷基苯磺酸根(十二烷基苯磺酸根，直鏈及具支鏈)
烷基萘磺酸根
烷基芳基醚磷酸根
烷基醚磷酸根
烷基羧酸根：硬脂酸根、辛酸根、庚酸根，其中較佳「烷基」係C1-C20烷基，「氟烷基」係氟代C1-C20烷基，「全氟烷基」係C1-C20全氟烷基，且「芳基」係視情況經取代之C5-C8-芳基、較佳苯。
此群組之適宜且較佳陰離子之實例包括(但不限於)四氰基硼酸根(TCB)、四苯基硼酸根(TPB)、四(3,5-雙(三氟甲基)苯基)硼酸根(TFPB)、雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺(NTF)、三(五氟乙基)三氟磷酸根(FAP)、雙[雙(五氟乙基)氧膦基]醯亞胺(FPI)、九氟丁烷磺酸根(nonaflate)(NFS)、(雙(2-2-乙基己基)磺基琥珀酸根(AOT)、五氟乙基-二氰基-氟硼酸根、甲氧基-三氰基硼酸根、乙氧基-三氰基硼酸根及2,2,2-三氟乙氧基-三氰基硼酸根。
較佳之氟烷基磷酸根陰離子(FAP陰離子)包括[PF3(C2F5)3]-、[PF3(C4F9)3]-、[PF3(C3F7)3]-、[PF4(C2F5)2]-、[PF5(C2F5)]-。
較佳之氟烷基-氟硼酸根陰離子(FAB陰離子)包括[B(CF3)4]-、B(C2F5)4]-、[BF3(CF3)]-、[BF3(C2F5)]-、[BF3(i-C3F7)]-、[BF2(CF3)2]-、[BF2(C2F5)2]-、[BF2(CF3)2]-、[BF(C2F5)3]-、[BF(CF3)3]-或[BF(CF3)(C2F5)2]-。
離子性有機化合物之較佳實例係(例如)氯化四-正丁基銨、溴化四辛基銨、苯硫酸苄基三癸基銨、六氟磷酸二苯基二(十二烷基)銨、N-甲基-N-三辛基-銨雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺或其混合物。
第二較佳實施例之反應性離子性有機化合物或可聚合離子液體(在下文中亦稱為「可聚合離子化合物」)較佳選自式1： P1-Sp-C+A- 1
其中P1係可聚合基團，Sp係間隔基團或單鍵，C+係陽離子，且A-係陰離子。
較佳之式1化合物係選自式1a-c：P1-Sp-[NRaRbRc]+ A- 1a
P1-Sp-[PRaRbRc]+ A- 1b
P1-Sp-[SRaRbRc]+ A- 1c
其中P1、Sp及A-係如式1中所定義，Ra、Rb、Rc彼此獨立地表示具有1至25個、較佳1至10個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH2基團在每一情形中彼此獨立地以O及/或S原子不會彼此直接鏈接之方式視情況經-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-CO-、-CH=CH-或-C≡C-取代，且其中一或多個H原子亦可由F、Cl、Br、I或CN替代，或Ra、Rb及Rc中之兩者連同陽離子中之N-、P-或S-原子一起形成具有4至8個C原子之脂肪族或芳香族環，其視情況經一或多個基團L取代，L 係P1-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR00R000、-C(=O)X、-C(=O)OR00、-C(=O)R0、-NR00R000、-OH、-SF5、視情況經取代之矽基、具有1至12個、較佳1至6個C原子之芳基或雜芳基，及具有1至12個、較佳1至6個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子視情況經F或Cl替代，R00及R000 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，且X 係鹵素，較佳F或Cl。
較佳之式1a-c化合物係選自式1a1-1c1：P1-(CH2)t-[NRaRbRc]+ A- 1a1
P1-(CH2)t-[PRaRbRc]+ A- 1b1
P1-(CH2)t-[SRaRbRc]+ A- 1c1
其中P1、Ra、Rb、Rc及A-係如式1及1a-1c中所定義，且t係1至12之整數。
P1較佳係丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團。Ra、Rb及Rc較佳表示具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基，極佳甲基或乙基。
A-較佳係選自上文所定義之較佳或極佳之陰離子之群的陰離子。
Ra、Rb及Rc較佳選自由以下組成之群：-具有1至20個C原子之直鏈或具支鏈烷基，其視情況可經部分氟代(但不在雜原子之α位)，且其亦可在碳原子之間之任何位置包括氧或/及硫原子，-具有5至7個C原子之飽和、部分或完全不飽和環烷基，其可經具有1至6個C原子之烷基取代。
極佳Ra、Rb及Rc表示具有4至20個C原子、較佳4至10個C原子之直鏈或具支鏈烷基。
較佳之可聚合陽離子P1-Sp-C+係選自由以下組成之群： N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三烷基銨
N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三甲基銨(MOTMA)
N-[2-(甲基丙烯醯氧基)丙基]-N,N,N-三甲基銨
N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三己基銨(MOTHA)
N-[2-(甲基丙烯醯氧基)丙基]-N,N,N-三己基銨
N-[(2-甲基丙烯醯氧基)-(AO)x-A]-N,N,N-三烷基銨
1-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-3-丁基咪唑鎓
1-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-3-甲基咪唑鎓
1-[(2-甲基丙烯醯氧基)-(AO)x-A]-3-甲基咪唑鎓
1-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-1-丁基吡咯啶鎓
1-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-1-甲基吡咯啶鎓
1-[(2-甲基丙烯醯氧基)-(AO)x-A]-1-甲基吡咯啶鎓
其中(AO)x係聚烷基醚，較佳x=1-10、尤其x=2-4，且A尤其=伸乙基、伸丙基，1-[(2-甲基丙烯醯氧基)-Cy]-3-甲基咪唑鎓，1-[(2-甲基丙烯醯氧基)-Cy]-1-甲基吡咯啶鎓，其中Cy係烷基鏈，較佳y=1至12，尤其y=1至4，N-(丙烯醯氧基-乙基)-N,N,N-三甲基銨(AOTMA)，N-(丙烯醯氧基-乙基)-N,N,N-三己基銨(AOTHA)，N-(丙烯醯氧基-丙基)-N,N,N-三己基銨
N-[3-(甲基丙烯醯基胺基)丙基]-N,N,N-三甲基銨
N-[3-(甲基丙烯醯基胺基)丙基]-N,N,N-三己基銨
N,N,N,N-四烯丙基銨
1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓
1-烯丙基-1-甲基吡咯啶鎓
N-丁基-4-乙烯基-吡啶鎓
N-乙基-4-乙烯基-吡啶鎓
N-甲基-4-乙烯基-吡啶鎓
N-甲基-2-乙烯基-吡啶鎓
N,N-二烯丙基-N,N-二甲基銨
N-(乙烯基苄基)-N,N,N-三甲基銨
極佳之可聚合陽離子包括(但不限於)N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三甲基銨(MOTMA)及N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三己基銨(MOTHA)。
適宜且較佳之可聚合離子化合物包括(但不限於)表1中所列示之化合物。
尤其較佳之可聚合離子化合物包含N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三甲基銨(MOTMA)、N-[2-(甲基丙烯醯氧基)丙基]-N,N,N-三甲 基銨、N-[2-(丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三甲基銨(AOTMA)、N-[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三己基銨(MOTHA)、N-[2-(甲基丙烯醯氧基)丙基]-N,N,N-三己基銨或N-[2-(丙烯醯氧基)乙基]-N,N,N-三己基銨(AOTHA)作為陽離子，且包含四苯基硼酸根、四(3,5-雙(三氟甲基)苯基)硼酸根或(雙(2-2-乙基己基)磺基琥珀酸根作為陰離子。尤其較佳者係甲基丙烯酸鹽化合物。
第三較佳實施例之反應性有機化合物較佳含有一或多個可聚合官能基及一或多個增加RM調配物之導電性的極性基團。其較佳選自式2 P1-Sp3-G 2
其中P1 係可聚合基團，Sp3 係具有2至12個C原子之伸烷基間隔基，其視情況經一或多個基團G取代，且其中一或多個CH2基團視情況由-O-、-S-、-CO-、NR00R000替代，或Sp3表示單鍵，其中R00及R000彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，且G 係極性基團，較佳選自COOH、OH、NH2、NO2、SO3H、SH、PO3H2及苯，該苯經COOH、OH、NH2、NO2、SO3H、SH或PO3H2單取代或多取代。
P1較佳係丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團。Sp較佳係具有1至12個C原子之伸烷基。
較佳之式2化合物係具有式2a及2b者：
P1-(CHB2)a1-Ra 2b
其中P1 係可聚合基團， B1 係H、Ra或
B2 係H或Ra，Ra 在每次出現時相同或不同地係OH、COOH、NH2、NO2、SO3H、SH、PO3H2，Rb-f 彼此獨立地為H或Ra，其中Rb-f中之至少一者表示Ra，a1 係2至12之整數，b1 係0至12之整數。
P1較佳係丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團。
較佳係或
其中Ra及b1係如式2中所定義。
a1較佳係2、3、4、5或6。
較佳之式2a及2b化合物係具有下式者：
其中P1及Ra係如式2a中所定義，P1較佳係丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團，Ra較佳係OH或COOH，且z係2至12之整數，較佳2、3、4、5或6。
適宜且較佳之式2a及2b化合物包括(但不限於)以下化合物：
其中P1係如式2a中所定義，且較佳係丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團。
反應圖1以MOTMA作為實例展示本發明之可聚合離子化合物藉由離子交換之合成，其可在熟悉此項技術者已知之條件下實施。
等莫耳比率之可聚合陽離子與包含期望陰離子之鹽反應；例如Li NTF或K FAP或K NFS或K TCB與MOTMA Cl或MOTHA Cl。可聚合離子液體可如反應圖1中所示聚合。
NTF、FAP、NFS、TCB或MOTMA之鹽係市售品或可藉由已知方法合成，例如根據WO 2004/072089之揭示內容含有四氰基硼酸根陰離子之鹽。
若干可聚合離子液體之合成係自文獻得知。舉例而言，1-烯丙基-3-甲基咪唑鎓雙(五氟乙基)亞膦酸根自三(五氟乙基)膦氧化物、N-甲基-咪唑及烯丙醇之合成闡述於WO 2005/049555中。
氟烷基硼酸根陰離子(FAB)及其製備方法闡述於EP 1205480及EP 1229038中。
本發明其他化合物之製備可使用類似於以上所展示之說明性反應來實施。本發明其他化合物之製備亦可藉由自文獻自身已為熟悉此項技術者得知之其他方法來實施。特別地，可使用其他觸媒。
本發明另外係關於上下文所示之新穎離子性有機化合物或可聚合離子化合物。
較佳地，RM調配物包含一或多種僅具有一個可聚合官能基(單反應性)之可聚合液晶原化合物，及一或多種具有兩個或更多個可聚合官能基(二反應性或多反應性)之可聚合液晶原化合物。
二反應性或多反應性RM較佳選自式I P1-Sp1-MG-Sp2-P2 I
其中P1及P2彼此獨立地表示可聚合基團，Sp1及Sp2彼此獨立地係間隔基團或單鍵，且MG係桿形液晶原基團，其較佳選自式II-(A1-Z1)n-A2- II
其中A1及A2 在多次出現之情形中彼此獨立地表示芳香族或脂環族基團，其視情況含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且視情況經L 單取代或多取代，L 係P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR00R000、-C(=O)X、-C(=O)OR00、-C(=O)R0、-NR00R000、-OH、-SF5、視情況經取代之矽基、具有1至12個、較佳1至6個C原子之芳基或雜芳基，及具有1至12個、較佳1至6個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子視情況由F或Cl替代，R00及R000 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，X 係鹵素，較佳F或Cl，Z1 在多次出現之情形中彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR00-、-NR00-CO-、-NR00-CO-NR000、-NR00-CO-O-、-O-CO-NR00-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、-(CH2)n1、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR00-、-CY1=CY2-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，較佳-COO-、-OCO-或單鍵，Y1及Y2 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN，n 係1、2、3或4，較佳係1或2，最佳係2，n1 為1至10之整數，較佳為1、2、3或4。
較佳之基團A1及A2包括(但不限於)呋喃、吡咯、噻吩、噁唑、噻唑、噻二唑、咪唑、伸苯基、伸環己基、伸二環辛基、伸環己烯基、吡啶、嘧啶、吡、薁、茚烷、茀、萘、四氫萘、蒽、菲及二噻吩并噻吩，所有該等未經取代或經1、2、3或4個上文所定義之基團L取代。
尤其較佳之基團A1及A2係選自1,4-伸苯基、吡啶-2,5-二基、嘧 啶-2,5-二基、噻吩-2,5-二基、萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫-萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基、伸二環辛基或1,4-伸環己基，其中一或兩個非毗鄰CH2基團視情況由O及/或S替代，其中該等基團未經取代或經1、2、3或4個上文所定義之基團L取代。
較佳之式I之RM係選自式Ia
其中P0 在多次出現之情形中彼此獨立地係可聚合基團，較佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基、氧環丁烷基團、環氧基團、乙烯基、乙烯基氧基、丙烯基醚基團或苯乙烯基團，Z0 係-COO-、-OCO-、-CH2CH2-、-CF2O-、-OCF2-、-C≡C-、-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-COO-或單鍵，L 具有式I中所給出之含義且較佳在多次出現之情形中彼此獨立地選自F、Cl、CN或具有1至5個C原子之視情況經鹵代之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，r 係0、1、2、3或4，x及y 彼此獨立地為0或1至12之相同或不同整數，z 係0或1，其中若毗鄰x或y為0，則z為0。
極佳之式I之RM調配物係選自下式：
其中P0、L、r、x、y及z係如式Ia中所定義。
尤其較佳者係式Ia1、Ia2及Ia3、尤其式Ia1之化合物。
二反應性或多反應性RM、較佳具有式I及其子式者在RM調配物中之濃度較佳為30%至99.9%、極佳50%至80%。
單反應性RM較佳係選自式III：P1-Sp1-MG-R III
其中P1、Sp1及MG具有式I及II中所給出之含義，R 表示P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR00R000、-C(=O)X、-C(=O)OR0、-C(=O)R00、-NR00R000、-OH、-SF5、視情況經取代之矽基、具有1至12個、較佳1至6個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子視情況由F或Cl替代，X 係鹵素，較佳F或Cl，且R00及R000 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基。
較佳之式II之RM係選自下式：
其中P0、L、r、x、y及z係如式Ia中所定義，R0 係具有1或多個、較佳1至15個C原子且視情況經氟代之烷基、烷氧基、硫烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，或表示Y0或P-(CH2)y-(O)z-，X0 係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR01-、-NR01-CO-、-NR01-CO-NR01-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR01-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵， Y0 係F、Cl、CN、NO2、OCH3、OCN、SCN、SF5、具有1至4個C原子之視情況經氟代之烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，或具有1至4個C原子之經單、寡或多氟代之烷基或烷氧基，A0 在多次出現之情形中彼此獨立地係未經取代或經1、2、3或4個基團L取代之1,4-伸苯基，或反-1,4-伸環己基，R01,02 彼此獨立地為H、R0或Y0，u及v 彼此獨立地為0、1或2，w 係0或1，且其中苯及萘環可另外經一或多個相同或不同基團L取代。
尤其較佳者係式III1、III2、III3、III4、III5、III6、III7、III8、III9及III10、尤其式III1、III4、III6、III7及III8之化合物。
單反應性RM在RM調配物中之濃度較佳為1%至90%、極佳10%至70%。
本發明之聚合物膜較佳係藉由以下製備：將RM調配物提供於基板上，使調配物中之RM配向成平面配向(即，其中RM及LC分子之長分子軸平行於基板配向)，及在所選用溫度下藉由(例如)暴露於熱或光化輻射、較佳藉由光聚合、極佳藉由UV-光聚合使RM調配物聚合成其LC相，以固定LC分子之配向。
RM調配物之聚合較佳係在光化輻射波長下吸收之起始劑之存在下實施。為此，RM調配物較佳另外含有一或多種聚合起始劑。
舉例而言，當借助UV光聚合時，可使用在UV輻照下分解產生引發聚合反應之自由基或離子之光起始劑。為使丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基團聚合，較佳使用自由基光起始劑。為使乙烯基、環氧化物或氧環丁烷基團聚合，較佳使用陽離子光起始劑。亦可使用加熱時分解產生引發聚合之自由基或離子之熱聚合起始劑。典型之自由基光起始劑 係(例如)市售Irgacure®或Darocure®(Ciba AG)，例如Irgacure 651、Irgacure 907或Irgacure 369。典型之陽離子光起始劑係例如UVI 6974(Union Carbide)。
聚合起始劑在RM調配物中之濃度較佳係0.01%至5%、極佳0.1%至3%。
在本發明之另一較佳實施例中，RM調配物另外含有一或多種表面活性劑。表面活性劑經選擇以便當製備聚合物膜時促進LC分子之平面表面配向。適宜表面活性劑闡述於(例如)J.Cognard,Mol.Cryst.Liq.Cryst.78，增補1,1-77(1981)中。
尤其較佳者係非離子表面活性劑，較佳可聚合或不可聚合氟碳表面活性劑，例如Fluorad ® FC-171(購自3M公司)或Zonyl FSN ®(購自DuPont)或Fluorad ® FX-13或FX-14(購自3M公司)。
表面活性劑在RM調配物中之濃度較佳係0.1%至5%、極佳0.1%至1%。
較佳地，RM調配物包含：- 30%至99.9%之具有兩個或更多個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，- 0%至90%之僅具有一個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，- 0.01%至5%之一或多種導電性添加物，- 0%至5%之一或多種表面活性劑，- 0%至5%之一或多種聚合起始劑。
極佳地，本發明之RM調配物包含：- 50%至80%之具有兩個或更多個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，- 10%至70%之僅具有一個可聚合官能基之可聚合液晶原化合 物，- 0.1%至1%之一或多種導電性添加物，- 0.1%至1%之一或多種表面活性劑，- 0.1%至3%之一或多種聚合起始劑。
RM調配物亦可包含一或多種單反應性可聚合非液晶原化合物，其量較佳為0%至30%、極佳0%至15%。典型實例係丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。
RM調配物亦可包含一或多種二反應性或多反應性可聚合非液晶原化合物，其量較佳為0%至30%，極佳為0%至15%，另一選擇或另外可包含二反應性或多反應性可聚合液晶原化合物。二反應性非液晶原化合物之典型實例係烷基具有1至20個C原子之二丙烯酸烷基酯或二甲基丙烯酸烷基酯。多反應性非液晶原化合物之典型實例係三甲基丙烷三甲基丙烯酸酯或異戊四醇四丙烯酸酯。
RM調配物亦可包含聚合黏合劑或一或多種能夠形成聚合黏合劑之單體，及/或一或多種分散助劑。適宜黏合劑及分散助劑揭示於例如WO 96/02597中。然而，RM調配物較佳不含有黏合劑或分散助劑。
RM調配物可另外包含一或多種添加物，例如，觸媒、敏化劑、穩定劑、抑制劑、鏈轉移劑、共反應單體、表面活性化合物、潤滑劑、潤濕劑、分散劑、疏水劑、黏結劑、流動改良劑、脫氣劑或消泡劑、除氣劑、稀釋劑、反應性稀釋劑、助劑、著色劑、染劑、顏料或奈米粒子。
RM調配物較佳展現向列LC相，極佳於室溫下展現向列相，或層列相及向列相。
較佳地，RM調配物進一步包含一或多種有機溶劑。溶劑較佳選自酮，例如，丙酮、甲基乙基酮、甲基丙基酮、甲基異丁基酮或環己 酮；乙酸酯，例如，乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯，或乙醯乙酸甲酯；醇，例如，甲醇、乙醇或異丙醇；芳香族溶劑，例如，甲苯或二甲苯；脂環族烴，例如環戊烷或環己烷；鹵代烴，例如，二氯甲烷或三氯甲烷；二醇或其酯，例如，PGMEA(丙二醇單甲基醚乙酸酯)、γ-丁內酯。
亦可使用上述溶劑之二元、三元或更多元混合物。
在RM調配物含有一或多種溶劑之情形中，所有固體(包括RM)在溶劑中之濃度較佳係10%至60%。
在式1、2、I、II、III及其較佳子式中，L較佳係選自F、Cl、CN、NO2或具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中烷基視情況經全氟代，或係P-Sp-。
極佳地，L係選自F、Cl、CN、NO2、CH3、C2H5、C(CH3)3、CH(CH3)2、CH2CH(CH3)C2H5、OCH3、OC2H5、COCH3、COC2H5、COOCH3、COOC2H5、CF3、OCF3、OCHF2、OC2F5或P-Sp-，尤其F、Cl、CN、CH3、C2H5、C(CH3)3、CH(CH3)2、OCH3、COCH3或OCF3，最佳地F、Cl、CH3、C(CH3)3、OCH3或COCH3，或為P-Sp-。
式之經取代苯環較佳係或 其中L各自獨立地具有上文所給出含義中之一者。
在式1、2、I、II、III及其較佳子式中，烷基或烷氧基(即末端CH2基團經-O-替代)可為直鏈或具支鏈。其較佳係直鏈，具有2、3、4、5、6、7或8個個碳原子且因此較佳係乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基或辛氧基，此外其亦可係(例如)甲基、壬基、癸基、十一烷基、 十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十三烷氧基或十四烷氧基。
氧雜烷基(即，其中一個CH2基團經-O-替代)較佳係(例如)直鏈2-氧雜丙基(=甲氧基甲基)、2-氧雜丁基(=乙氧基甲基)或3-氧雜丁基(=2-甲氧基乙基)、2-氧雜戊基、3-氧雜戊基或4-氧雜戊基、2-氧雜己基、3-氧雜己基、4-氧雜己基或5-氧雜己基、2-氧雜庚基、3-氧雜庚基、4-氧雜庚基、5-氧雜庚基或6-氧雜庚基、2-氧雜辛基、3-氧雜辛基、4-氧雜辛基、5-氧雜辛基、6-氧雜辛基或7-氧雜辛基、2-氧雜壬基、3-氧雜壬基、4-氧雜壬基、5-氧雜壬基、6-氧雜壬基、7-氧雜壬基或8-氧雜壬基或2-氧雜癸基、3-氧雜癸基、4-氧雜癸基、5-氧雜癸基、6-氧雜癸基、7-氧雜癸基、8-氧雜癸基或9-氧雜癸基。
一或多個CH2基團經-CH=CH-替代之烷基可為直鏈或具支鏈。其較佳係直鏈，具有2至10個C原子且因此較佳係乙烯基、丙-1-烯基或丙-2-烯基、丁-1-烯基、2-烯基或丁-3-烯基、戊-1-烯基、2-烯基、3-烯基或戊-4-烯基、己-1-烯基、2-烯基、3-烯基、4-或己-5-烯基、庚-1-烯基、2-烯基、3-烯基、4-烯基、5-烯基或庚-6-烯基、辛-1-烯基、2-烯基、3-烯基、4-烯基、5-烯基、6-或辛-7-烯基、壬-1-烯基、2-烯基、3-烯基、4-烯基、5-烯基、6-烯基、7-或壬-8-烯基、癸-1-烯基、2-烯基、3-烯基、4-烯基、5-烯基、6-烯基、7-烯基、8-烯基或癸-9-烯基。
尤其較佳之烯基係C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基、C5-C7-4-烯基、C6-C7-5-烯基及C7-6-烯基，尤其C2-C7-1E-烯基、C4-C7-3E-烯基及C5-C7-4-烯基。特別較佳之烯基的實例係乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及諸如此類。具有最多5個C原子之基團通常 較佳。
在其中一個CH2基團由-O-替代且一個CH2基團由-CO-替代之烷基中，該等基團較佳相鄰。因此，該等基團一起形成羰基氧基-CO-O-或氧基羰基-O-CO-。較佳地，此基團係直鏈且具有2至6個C原子。因此，其較佳係乙醯氧基、丙醯氧基、丁醯氧基、戊醯氧基、己醯氧基、乙醯氧基甲基、丙醯氧基甲基、丁醯氧基甲基、戊醯氧基甲基、2-乙醯氧基乙基、2-丙醯氧基乙基、2-丁醯氧基乙基、3-乙醯氧基丙基、3-丙醯氧基丙基、4-乙醯氧基丁基、甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、丁氧基羰基、戊氧基羰基、甲氧基羰基甲基、乙氧基羰基甲基、丙氧基羰基甲基、丁氧基羰基甲基、2-(甲氧基羰基)乙基、2-(乙氧基羰基)乙基、2-(丙氧基-羰基)乙基、3-(甲氧基羰基)丙基、3-(乙氧基羰基)丙基、4-(甲氧基羰基)-丁基。
兩個或更多個CH2基團由-O-及/或-COO-替代之烷基可為直鏈或具支鏈。其較佳為直鏈且具有3至12個C原子。因此，其較佳係雙-羧基-甲基、2,2-雙-羧基-乙基、3,3-雙-羧基-丙基、4,4-雙-羧基-丁基、5,5-雙-羧基-戊基、6,6-雙-羧基-己基、7,7-雙-羧基-庚基、8,8-雙-羧基-辛基、9,9-雙-羧基-壬基、10,10-雙-羧基-癸基、雙-(甲氧基羰基)-甲基、2,2-雙-(甲氧基羰基)-乙基、3,3-雙-(甲氧基羰基)-丙基、4,4-雙-(甲氧基羰基)-丁基、5,5-雙-(甲氧基羰基)-戊基、6,6-雙-(甲氧基羰基)-己基、7,7-雙-(甲氧基羰基)-庚基、8,8-雙-(甲氧基羰基)-辛基、雙-(乙氧基羰基)-甲基、2,2-雙-(乙氧基羰基)-乙基、3,3-雙-(乙氧基羰基)-丙基、4,4-雙-(乙氧基羰基)-丁基、5,5-雙-(乙氧基羰基)-己基。
由CN或CF3單取代之烷基或烯基較佳係直鏈。CN或CF3之取代可位於任一期望位置。
經鹵素至少單取代之烷基或烯基較佳係直鏈。鹵素較佳係F或Cl，在多取代之情形中，較佳為F。所得基團亦包括全氟代基團。在 單取代之情形中，F或Cl取代基可位於任一期望位置，但較佳位於ω-位。具有末端F取代基之尤佳直鏈基團之實例係氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而，不排除其他位置之F。
R00及R000較佳選自H、具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈烷基。
-CY1=CY2-較佳為-CH=CH-、-CF=CF-或-CH=C(CN)-。
鹵素係F、Cl、Br或I，較佳為F或Cl。
R、R0、R1及R2可為非對掌性或對掌性基團。特別較佳之對掌性基團係(例如)2-丁基(=1-甲基丙基)、2-甲基丁基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基己基、2-丙基戊基、尤其2-甲基丁基、2-甲基丁氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、2-乙基己氧基、1-甲基己氧基、2-辛基氧基、2-氧雜-3-甲基丁基、3-氧雜-4-甲基戊基、4-甲基己基、2-己基、2-辛基、2-壬基、2-癸基、2-十二烷基、6-甲氧基辛氧基、6-甲基辛氧基、6-甲基辛醯氧基、5-甲基庚基氧基羰基、2-甲基丁醯氧基、3-甲基戊醯氧基、4-甲基己醯氧基、2-氯丙醯氧基、2-氯-3-甲基丁醯氧基、2-氯-4-甲基戊醯氧基、2-氯-3-甲基戊醯氧基、2-甲基-3-氧雜戊基、2-甲基-3-氧雜己基、1-甲氧基丙基-2-氧基、1-乙氧基丙基-2-氧基、1-丙氧基丙基-2-氧基、1-丁氧基丙基-2-氧基、2-氟辛基氧基、2-氟癸基氧基、1,1,1-三氟-2-辛基氧基、1,1,1-三氟-2-辛基、2-氟甲基辛基氧基。極佳者係2-己基、2-辛基、2-辛基氧基、1,1,1-三氟-2-己基、1,1,1-三氟-2-辛基及1,1,1-三氟-2-辛基氧基。
較佳非對掌性具支鏈基團係異丙基、異丁基(=甲基丙基)、異戊基(=3-甲基丁基)、異丙氧基、2-甲基-丙氧基及3-甲基丁氧基。
在式1、2、I、II、III及其較佳子式中，可聚合基團P1、P2及P0表示在聚合物類似反應中能夠參與聚合反應(例如自由基或離子鏈聚合、加成聚合或縮聚)或能夠藉由(例如)縮合或加成接枝至聚合物主鏈 之基團。尤佳者係用於鏈聚合反應(例如自由基、陽離子或陰離子聚合)之可聚合基團。極佳者係包含C-C雙鍵或三鍵之可聚合基團及能夠藉由開環反應聚合之可聚合基團，例如氧環丁烷或環氧化物。
適宜且較佳之可聚合基團P1、P2及P0包括(但不限於)CH2=CW1- COO-、CH2=CW1-CO-、 、CH2=CW2-(O)k1-、CH3-CH=CH-O-、(CH2=CH)2CH-OCO-、(CH2=CH-CH2)2CH-OCO-、(CH2=CH)2CH-O-、(CH2=CH-CH2)2N-、(CH2=CH-CH2)2N-CO-、HO-CW2W3-、HS-CW2W3-、HW2N-、HO-CW2W3-NH-、CH2=CW1-CO-NH-、CH2=CH-(COO)k1-Phe-(O)k2-、CH2=CH-(CO)k1-Phe-(O)k2-、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W4W5W6Si-，其中W1係H、F、Cl、CN、CF3、苯基或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、Cl或CH3，W2及W3彼此獨立地係H或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、甲基、乙基或正丙基，W4、W5及W6彼此獨立地係Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W7及W8彼此獨立地係H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe係視情況較佳經一或多個上文所定義之基團L(不包括含義P-Sp-)取代之1,4-伸苯基，且k1及k2彼此獨立地係0或1。
極佳之可聚合基團P1、P2及P0係選自CH2=CW1-COO-、 CH2=CW1-CO-、 、(CH2=CH)2CH-OCO-、(CH2=CH-CH2)2CH-OCO-、(CH2=CH)2CH-O-、(CH2=CH-CH2)2N-、(CH2=CH-CH2)2N-CO-、HO- CW2W3-、HS-CW2W3-、HW2N-、HO-CW2W3-NH-、CH2=CW1-CO-NH-、CH2=CH-(COO)k1-Phe-(O)k2-、CH2=CH-(CO)k1-Phe-(O)k2-、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W4W5W6Si-，其中W1係H、F、Cl、CN、CF3、苯基或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、F、Cl或CH3，W2及W3彼此獨立地係H或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、甲基、乙基或正丙基，W4，W5及W6彼此獨立地係Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基，W7及W8彼此獨立地係H、Cl或具有1至5個C原子之烷基，Phe係視情況較佳經一或多個上文所定義之基團L(不包括含義P-Sp-)取代之1,4-伸苯基，且k1及k2彼此獨立地係0或1。
最佳之可聚合基團P1、P2及P0係選自CH2=CH-COO-、CH2=C(CH3)-COO-、CH2=CF-COO-、(CH2=CH)2CH-OCO-、 (CH2=CH)2CH-O-、及
可根據熟悉此項技術者已知及闡述於文獻(例如)D.J.Broer；G.Challa；G.N.Mol,Macromol.Chem,1991,192,59中之方法實施聚合。
在式1、2、I、II、III及其較佳子式中，間隔基團Sp、Sp1及Sp2較佳選自式Sp'-X'，以便(例如)P-Sp-係P-Sp'-X'-，其中Sp' 係具有1至20個C原子、較佳1至12個C原子之伸烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中一或多個非毗鄰CH2基團在每一情形中彼此獨立地視情況以O及/或S原子不彼此直接鏈接之方式由-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-SiR0R00-、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-NR0-CO-O-、-O-CO-NR0-、-NR0-CO-NR0-、-CH=CH-或-C≡C-替代，X' 係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR0-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、- CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR0-、-CY1=CY2-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，R0及R00 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基，且Y1及Y2 彼此獨立地為H、F、Cl或CN。
X'較佳係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR0-或單鍵。
典型基團Sp'係(例如)-(CH2)p1-、-(CH2CH2O)q1-CH2CH2-、-CH2CH2-S-CH2CH2-或-CH2CH2-NH-CH2CH2-或-(SiR0R00-O)p1-，其中p1係2至12之整數，q1係1至3之整數且R0及R00具有以上所給出之含義。
較佳之基團Sp'係(例如)伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基-伸丁基、伸乙基-硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基-亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。
其他較佳者係其中可聚合基團直接附接至液晶原基團而無間隔基團Sp之化合物。
在化合物具有兩個或更多個基團P1-Sp1-等之情形中，該等可聚合基團P1與間隔基團Sp1可相同或不同。
在另一較佳實施例中，反應性化合物包含一或多個末端基R0,1,2或取代基L，其經兩個或更多個可聚合基團P或P-Sp-(多官能基可聚合基團)取代。此類型之適宜多官能基可聚合基團揭示於(例如)US 7,060,200 B1或US 2006/0172090 A1中。極佳者係包含一或多個選自下列式之多官能基可聚合基團之化合物：-X-烷基-CHP1-CH2-CH2P2 P1
-X'-烷基-C(CH2P1)(CH2P2)-CH2P3 P2
-X'-烷基-CHP1CHP2-CH2P3 P3
-X'-烷基-C(CH2P1)(CH2P2)-CaaH2aa+1 P4
-X'-烷基-CHP1-CH2P2 P5
-X'-烷基-CHP1P2 P5
-X'-烷基-CP1P2-CaaH2aa+1 P6
-X'-烷基-C(CH2P1)(CH2P2)-CH2OCH2-C(CH2P3)(CH2P4)CH2P5 P7
-X'-烷基-CH((CH2)aaP1)((CH2)bbP2) P8
-X'-烷基-CHP1CHP2-CaaH2aa+1 P9
其中烷基 係具有1至12個C原子之直鏈或具支鏈伸烷基，其未經取代，經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中一或多個非毗鄰CH2基團在每一情形中彼此獨立地視情況以O及/或S原子不會彼此直接鏈接之方式由-O-、-S-、-NH-、-NR0-、-SiR0R00-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-SO2-、-CO-NR0-、-NR0-CO-、-NR0-CO-NR00-、-CY1=CY2-或-C≡C-替代，其中R0及R00具有上文所給出之含義，或表示單鍵，aa及bb 彼此獨立地為0、1、2、3、4、5或6，X' 係如上文所定義，且P1-5 彼此獨立地具有上文針對P所給出含義中之一者。
本發明之聚合物膜之製備可藉由熟悉此項技術者已知且闡述於文獻中之方法來實施，例如，D.J.Broer；G.Challa；G.N.Mol,Macromol.Chem,1991,192,59。通常，將RM調配物塗覆或以其他方式施加至基板上，其在基板上配向成均勻定向、較佳平面配向(即，其中桿狀RM或LC分子之長分子軸平行於基板配向)，並在所選用溫度下藉由(例如)暴露於熱或光化輻射、較佳藉由光聚合、極佳藉由UV- 光聚合原位聚合成其LC相，以固定LC分子之配向。若需要，可藉由其他方式(如剪切或退火LC材料、對基板實施表面處理或向LC材料中添加表面活性劑)促進均勻配向。
可使用(例如)玻璃或石英薄片或塑膠膜作為基板。亦可在聚合之前及/或期間及/或之後在經塗覆材料之頂部放置第二基板。基板可在聚合之後移除或保留。當在藉由光化輻射固化之情形中使用兩個基板時，至少一個基板必須對聚合所用之光化輻射可透射。可使用各向同性或雙折射基板。在聚合後不自聚合膜移除基板之情形中，較佳使用各向同性基板。
適宜且較佳之塑膠基板係(例如)聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN))、聚乙烯醇(PVA)、聚碳酸酯(PC)或三乙醯纖維素(TAC)之膜，極佳者為PET或TAC膜。可使用(例如)單軸拉伸之塑膠膜作為雙折射基板。PET膜可(例如)以商標名Melinex ®自DuPont Teijin Films購得。
較佳地，將RM及其他固體添加物溶解於溶劑中。然後藉由(例如)旋塗或印刷或其他已知技術將溶液塗覆或印刷於基板上，且在聚合之前蒸發掉溶劑。在許多情形中，適當加熱經塗覆溶液以促進溶劑之蒸發。
RM調配物可藉由習用塗覆技術(例如，旋塗或刮塗)施加於基板上。其亦可藉由熟悉此項技術者已知之習用印刷技術施加於基板上，例如，絲網印刷、膠版印刷、捲到捲印刷、凸版印刷、凹版印刷、旋轉凹板印刷、柔版印刷、凹雕印刷、移印、熱封印刷、噴墨印刷或借助印模或印刷版之印刷。
RM調配物較佳應展現平面配向。此可藉由(例如)以下達成：摩擦處理基板、在塗覆期間或之後剪材料、在聚合之前使材料退火、施加配向層、將磁場或電場施加至經塗覆材料或將表面活性化合物添加 至材料中。關於配向技術之綜述由(例如)I.Sage於「Thermotropic Liquid Crystals」(由G.W.Gray編輯，John Wiley & Sons,1987，第75-77頁)；及T.Uchida及H.Seki於「Lquid Crystals-Applications and Uses第3卷」(由B.Bahadur編輯，World Scientific Publishing,Singapore 1992，第1-63頁)中給出。配向材料及技術之綜述係由J.Cognard,Mol.Cryst.Liq.Cryst.78,Supplement 1(1981)，第1-77頁給出。
亦可將配向層施加於基板上並在該配向層上提供RM調配物。適宜配向層已為此項技術所知，例如，藉由如US 5,602,661、US 5,389,698或US 6,717,644中所述光配向法製備之經摩擦聚醯亞胺或配向層。
亦可藉由在聚合之前使RM調配物在高溫但低於其澄清溫度下退火來誘導或改良配向。
藉由(例如)將可聚合材料暴露於熱或光化輻射來達成聚合。光化輻射意指用諸如UV光、IR光或可見光等光輻照，用X-射線或γ射線輻照或利用高能粒子(例如離子或電子)輻照。較佳地，藉由UV輻照來實施聚合。可使用(例如)單一UV燈或一組UV燈作為用於光化輻射之源。當使用高燈功率時，可減少固化時間。用於光化輻射之另一可能的輻射源係雷射，例如，UV、IR或可見雷射。
固化時間尤其取決於RM調配物之反應性、所塗覆層之厚度、聚合起始劑之類型及UV燈之功率。固化時間較佳係5分鐘，極佳為3分鐘，最佳為1分鐘。對於大量生產而言，30秒之較短固化時間為較佳。
聚合製程並不限於一個固化步驟。亦可藉由兩個或更多個步驟實施聚合，其中將膜依序暴露於兩個或更多個同一類型之燈或兩個或更多個不同的燈。不同固化步驟之固化溫度可相同或不同。燈功率及不同燈之劑量亦可相同或不同。除以上所闡述之條件以外，製程步驟 亦可包括在暴露於不同燈之間之加熱步驟，如闡述於例如JP 2005-345982 A及JP 2005-265896 A中。
聚合較佳係在空氣中實施，但亦可在惰性氣體氛圍(例如氮或氬)中聚合。
本發明之聚合物膜的厚度較佳係0.2微米至10微米，極佳0.3微米至5微米，最佳0.5微米至3微米。
本發明之聚合物膜及材料科用於光學、電光或電子裝置或其組件中。舉例而言，其可用於光學延遲膜、偏振器、補償器、分束器、反射膜、配向層、濾色片、抗靜電保護薄片或電磁干擾保護薄片、用於自動立體3D顯示器之偏振控制透鏡及用於窗應用之IR反射膜。
聚合物膜、材料及組件可用於選自電光顯示器(尤其液晶顯示器(LCD)、自動立體3D顯示器)、有機發光二極體(OLED)、光學資料儲存裝置及窗應用之裝置。
本發明之聚合物膜及材料可在LCD之可切換LC單元外部使用或者在形成可切換LC單元並含有可切換LC介質之基板(通常為玻璃基板)之間使用(單元內應用)。
本發明之聚合物膜及材料可用於習用LC顯示器，例如，具有垂直配向之顯示器，如DAP(配向相位變形)、ECB(電控雙折射)、CSH(色彩超垂直配向)、VA(垂直配向)、VAN或VAC(垂直配向向列型或膽固醇型)、MVA(多域垂直配向)、PVA(圖案化垂直配向)或PSVA(聚合物穩定之垂直配向)模式；具有彎曲或混合配向之顯示器，如OCB(光學補償彎曲單元或光學補償雙折射)、R-OCB(反射OCB)、HAN(混合配向向列型)或π-單元(π-cell)模式；具有扭轉配向之顯示器，如TN(扭轉向列型)、HTN(高度扭轉向列型)、STN(超扭轉向列型)、AMD-TN(主動矩陣驅動TN)模式；IPS(平面內切換)模式之顯示器或可在光學各向同性相中切換之顯示器。
本發明之聚合物膜可用於各種光學膜，例如扭轉光學延遲器、反射偏振器及亮度增強膜。
本發明亦涉及如上下文所闡述之RM調配物，其具有增加之電導率及降低之電阻率，較佳電阻率為1E06 Ω*m，極佳7E05 Ω*m，且電導率為1E-06 S/m、極佳1.2E68 S/m。
本發明亦涉及具有降低之(電)薄片電阻之聚合物膜，其包含如上下文所闡述之聚合RM調配物或由其組成，或係藉由如上下文所闡述之聚合RM調配物之層獲得，較佳其中RM經配向且較佳在RM調配物展現液晶相之溫度下。
一個較佳實施例係涉及薄片電阻<10,000 Ω/平方之聚合物膜。該等膜尤其適於例如用作抗靜電保護薄片。另一較佳實施例係涉及薄片電阻<50 Ω/平方、極佳<5Ω/平方之聚合物膜。該等膜適於例如用作電磁干擾保護薄片。薄片電阻可藉由四點探針法或範得堡法(Van der Pauw method)量測，其闡述於文獻中。
具有降低之薄片電阻的聚合物膜(包括以上所提及之較佳實施例)之厚度較佳係0.2微米至5微米、極佳0.5微米至3微米。
除非另有說明，否則在上下文中百分數均係重量百分數。所有溫度均以攝氏度給出。m.p.表示熔點，cl.p.表示澄清點，Tg表示玻璃轉變溫度。此外，C=晶態，N=向列相，S=碟狀相且I=各向同性相。該等符號間之資料表示轉變溫度。△n表示在589 nm及20℃下量測之光學各向異性或雙折射(△n=ne-no，其中no表示平行於分子縱軸之折射率且ne表示垂直於分子縱軸之折射率)。除非另外明確說明，否則光學及電光學數據係在20℃下量測。「澄清點」及「澄清溫度」意指自LC相轉變為各向同性相之溫度。
除非另有說明，否則上下文所給出之可聚合調配物之組份的百分數係指固體在無任何溶劑之調配物中之總量。
除非另有說明，否則所有光學、電光性質及物理參數(例如雙折射率、電容率、電導率、電阻率及薄片電阻)涉及20℃之溫度。
除非上下文另外明確指示，否則如本文所用，在本文中術語之複數形式應解釋為包括單數形式且反之亦然。
在整個本說明書之說明及申請專利範圍中，詞語「包含(comprise)」及「含有(contain)」及該等詞語之變化形式(例如「包含(comprising及comprises)」)意指「包括但不限於」且並不意欲(且不會)排除其他組份。
應瞭解，可對本發明之前述實施例作出改變，同時仍在本發明之範圍內。除非另有說明，否則本說明書中所揭示之每一特徵皆可由用於相同、等效或類似目的之替代特徵所替代。因此，除非另有說明，否則所揭示之每一特徵僅係一類等效或類似特徵的一個實例。
本說明書中所揭示之所有特徵可以任一組合進行組合，只是其中至少一些該等特徵及/或步驟相互排斥之組合除外。具體而言，本發明之較佳特徵適用於本發明之全部態樣且可以任一組合使用。同樣，非必需組合中所述之特徵可單獨使用(不組合使用)。
以下實例意欲解釋本發明，而非限制本發明。下文所闡述之方法、結構及性質亦可應用於或轉移至在本發明中所主張但在上述說明書或實例中未明確闡述之材料。
實例1
製備如下RM調配物RMS1：
(1)
(2)
(3)：n=3
(4)：n=6
使用以下導電性添加物：
MOTMA-C及MOTMA-MS係自Sigma-Aldrich購得。MOTMA-NTF係如以上反應圖1中所述製備。
將導電性添加物單獨或彼此組合(例如藉由組合添加物CA2與添加物CA4，或組合添加物CA3與添加物CA4)添加至RM調配物。
電導率量測
藉由使用1 V所施加電壓量測電阻率及電導率來研究溶劑類型及添加物濃度之影響。結果展示於下表1中。
可看出，視溶劑類型而定，電阻率及電導率有顯著變化。以上RM調配物RMS1(反應性液晶原混合物於MIBK中，具有30%固體)具有比純基本溶劑MIBK高之電導率。少量水(CA4)或導電性添加物CA1(在此實例中0.3-1% MOTA-NTF)之添加導致電導率之顯著增加。
實例2：對RM處理之影響-添加物CA1
將添加物CA1以0.1%、0.5%及1%之濃度添加至調配物RMS1。藉由旋塗(3000rpm，30秒)將有及沒有添加物CA1之調配物塗覆於經摩擦聚醯亞胺玻璃上。隨後實施退火步驟(於50℃下持續60秒)以移除溶劑。將塗層冷卻至室溫且然後暴露於來自高壓汞燈之UV光 (1200mJ/cm2)，形成聚合膜。
藉由橢圓偏光術(ellipsometry)量測膜之光學性質，其中旋轉試樣台提供-40度至40度之入射角之延遲值。自含有0%、0.1%、0.5%及1%之CA1的RMS1製備之膜的結果展示於圖1中。觀察到添加物對膜之光學性質沒有影響。對於每一濃度之CA1而言，所有膜展示相同延遲值及離軸性能。
實例3：對RM處理之影響-添加物CA2
如以上實例2中所闡述自沒有添加物及有各種濃度之添加物CA2的RMS1製備聚合RM膜，並藉由橢圓偏光術量測其延遲值。結果展示於圖2中。觀察到添加物對膜之處理或光學性質沒有影響。
實例4：對膜耐久性之影響-添加物CA1、CA2、CA3
為研究添加物對膜耐久性之可能影響，藉由以上所闡述之方法自沒有添加物或分別具有濃度為0.1%、0.5%及1%之濃度的添加物CA1、CA2或CA3的RMS 1製備RM膜試樣。然後將膜試樣放置於120℃之恒溫室中並藉由橢圓偏光術定期量測其延遲。對於添加物CA1、CA2及CA3而言，溫度處理對膜延遲之影響分別展示於圖3、4及5中。可看出，對於添加物濃度在0%至1%之間之膜試樣而言，在試驗誤差內，由於暴露於高溫而導致延遲下降係相同的。對於添加物CA1、CA2及CA3中之每一者而言，觀察到相同趨勢。

Claims (25)

  1. 一種調配物，其包含>50%之一或多種可聚合液晶原化合物及一或多種導電性添加物。
  2. 如請求項1之調配物，其中該等導電性添加物係選自離子性有機化合物。
  3. 如請求項2之調配物，其中該等導電性添加物含有選自由以下組成之群之有機陽離子：銨、鏻、鋶、脲鎓、硫脲鎓、胍鎓及雜環陽離子。
  4. 如請求項3之調配物，其中該等導電性添加物含有選自由以下組成之群之有機陽離子：四烷基銨、四烷基鏻、N-烷基吡啶鎓、N,N-二烷基吡咯啶鎓、1,3-二烷基咪唑鎓或三烷基鋶陽離子。
  5. 如請求項2至4中任一項之調配物，其中該等導電性添加物含有選自由以下組成之群之陰離子：鹵離子、硼酸根、醯亞胺、磷酸根、磺酸根、硫酸根、琥珀酸根、環烷酸根及羧酸根。
  6. 如請求項5之調配物，其中該等導電性添加物含有選自由以下組成之群之陰離子：氯離子、溴離子、碘離子、四氟硼酸根、四氰基硼酸根(TCB)、二氟-二氰基硼酸根、氟-三氰基硼酸根、全氟烷基-氟-二氰基硼酸根、五氟乙基-氟-二氰基硼酸根、全氟烷基-二氟-氰基硼酸根、五氟乙基-二氟-氰基硼酸根、全氟烷基-氟硼酸根(FAB)、全氟烷基-烷氧基-二氰基硼酸根、烷氧基-三氰基硼酸根、甲氧基-三氰基硼酸根、乙氧基-三氰基硼酸根、2,2,2-三氟乙氧基-三氰基硼酸根、雙(2,2,2-三氟乙氧基)-二氰基硼酸根、四苯基硼酸根(TPB)、四(3,5-雙(三氟甲基)苯基)硼酸根(TFPB)、四(4-氯苯基)硼酸根、四(4-氟苯基)硼酸根、四(五氟苯基)硼酸根、四(2,2,2-三氟乙氧基)硼酸根、雙(草酸)硼酸根、雙 (三氟甲基磺醯基)醯亞胺(NTF)、雙(氟磺醯基)醯亞胺、雙[雙(五氟乙基)氧膦基]醯亞胺(FPI)、三(三氟甲基磺醯基)甲基化物、(氟烷基)氟磷酸根、三(五氟乙基)三氟磷酸根(FAP)、雙(五氟乙基)四氟磷酸根、(五氟乙基)五氟磷酸根、三(九氟丁基)三氟磷酸根、雙(九氟丁基)四氟磷酸根、(九氟丁基)五氟磷酸根、六氟磷酸根、雙(氟烷基)亞膦酸根、雙(五氟乙基)亞膦酸根、雙(九氟丁基)亞膦酸根、(氟烷基)膦酸根、(五氟乙基)膦酸根、(九氟丁基)膦酸根、九氟丁烷磺酸根(nonafluorobutane sulfonate，nonaflate)(NFS)、三氟甲烷磺酸根、三氟乙酸根、甲烷磺酸根、丁烷磺酸根、丁基硫酸根、己基硫酸根、辛基硫酸根、二氰胺、三氰基甲基化物、硫氰酸根、硫酸氫根、三氟乙酸根、甲苯磺酸根、(雙(2-2-乙基己基)磺基琥珀酸根(AOT)、環烷酸根、月桂基硫酸根、烷基苯磺酸根、烷基萘磺酸根)、烷基芳基醚磷酸根、烷基醚磷酸根、烷基羧酸根，其中「烷基」係C1-C20烷基，「氟烷基」係氟代C1-C20烷基，「全氟烷基」係C1-C20全氟烷基，且「芳基」係視情況經取代之C5-C8-芳基。
  7. 如請求項1至6中任一項之調配物，其中該等導電性添加物係選自包含一或多個可聚合官能基之離子性有機化合物。
  8. 如請求項1至7中任一項之調配物，其中該等導電性添加物係選自式1：P1-Sp-C+A- 1其中P1係可聚合基團，Sp係間隔基團或單鍵，C+係陽離子，且A-係陰離子。
  9. 如請求項8之調配物，其中該等導電性添加物係選自式1a-1c：P1-Sp-[NRaRbRc]+ A- 1a P1-Sp-[PRaRbRc]+ A- 1b P1-Sp-[SRaRbRc]+ A- 1c其中P1、Sp及A-係如請求項8所定義，且Ra、Rb、Rc彼此獨立地表示具有1至25個、較佳1至10個C原子之直鏈、具支鏈或環狀烷基，其中一或多個CH2基團在每一情形中彼此獨立地視情況以O及/或S原子不會彼此直接鏈接之方式由-O-、-S-、-NH-、-NR00-、-CO-、-CH=CH-或-C≡C-替代，且其中一或多個H原子亦可由F、Cl、Br、I或CN替代，或Ra、Rb及Rc中之兩者連同N+原子一起形成具有4至8個C原子之脂肪族或芳香族環，其視情況經一或多個基團L取代，L 係P1-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR00R000、-C(=O)X、-C(=O)OR00、-C(=O)R0、-NR00R000、-OH、-SF5、視情況經取代之矽基、具有1至12個、較佳1至6個C原子之芳基或雜芳基，及具有1至12個、較佳1至6個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子視情況由F或Cl替代，R00、R000 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，且X 係鹵素。
  10. 如請求項1之調配物，其中該等導電性添加物係選自包含一或多個增加該RM調配物之電導率之極性基團及一或多個可聚合官能基之有機化合物。
  11. 如請求項10之調配物，其中該等導電性添加物係選自式2 P1-Sp3-G 2其中P1 係可聚合基團， Sp3 係具有2至12個C原子之伸烷基間隔基，其視情況經一或多個基團G取代，且其中一或多個CH2基團視情況由-O-、-S-、-CO-、NR00R000替代，或Sp3表示單鍵，其中R00及R000彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，且G 係選自COOH、OH、NH2、NO2、SO3H、SH、PO3H2及苯之極性基團，該苯經COOH、OH、NH2、NO2、SO3H、SH或PO3H2單取代或多取代。
  12. 如請求項1至11中任一項之調配物，其中其包含一或多種僅具有一個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物(單反應性)及一或多種具有兩個或更多個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物(二反應性或多反應性)。
  13. 如請求項1至11中任一項之調配物，其中其包含一或多種式I之RM P1-Sp1-MG-Sp2-P2 I其中P1及P2彼此獨立地為可聚合基團，Sp1及Sp2彼此獨立地為間隔基團或單鍵，且MG係式II之桿形液晶原基團-(A1-Z1)n-A2- II其中A1及A2 在多次出現之情形中彼此獨立地表示芳香族或脂環族基團，其視情況含有一或多個選自N、O及S之雜原子，且視情況經L單取代或多取代，L 係P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR00R000、-C(=O)X、-C(=O)OR00、-C(=O)R0、-NR00R000、-OH、-SF5、視情況經取代之矽基、具有1至12個、較佳1至6個C原子之芳基或雜芳基，及具有1至12個、較佳1至6個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧 基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子視情況由F或Cl替代，R00、R000 彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基，X 係鹵素，較佳F或Cl，Z1 在多次出現之情形中彼此獨立地表示-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-S-CO-、-CO-S-、-O-COO-、-CO-NR00-、-NR00-CO-、-NR00-CO-NR000、-NR00-CO-O-、-O-CO-NR00-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2CH2-、-(CH2)n1、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR00-、-CY1=CY2-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，較佳-COO-、-OCO-或單鍵，Y1及Y2 彼此獨立地表示H、F、Cl或CN，n 係1、2、3或4，較佳係1或2，最佳係2，n1 為1至10之整數，較佳為1、2、3或4。
  14. 如請求項13之調配物，其中其包含一或多種式Ia之RM 其中P0 在多次出現之情形中彼此獨立地係可聚合基團，較佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基、氧環丁烷基團、環氧基團、乙烯基、乙烯基氧基、丙烯基醚基團或苯乙烯基團，Z0 係-COO-、-OCO-、-CH2CH2-、-CF2O-、-OCF2-、-C≡C-、-CH=CH-、-OCO-CH=CH-、-CH=CH-COO-或單鍵，L 具有如請求項13中所給出之含義且較佳在多次出現之情形中彼此獨立地選自F、Cl、CN或具有1至5個C原子之視 情況經鹵代之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，r 係0、1、2、3或4，x、y 彼此獨立地為0或1至12之相同或不同整數，z 係0或1，其中若毗鄰x或y為0，則z為0。
  15. 如請求項13之調配物，其中其包含一或多種選自以下式之RM： 其中P0、L、r、x、y及z係如式Ia中所定義。
  16. 如請求項1至15中任一項之調配物，其中其包含一或多種式III之RM P1-Sp1-MG-R III其中P1、Sp1及MG具有如請求項13中所給出之含義，R 表示P-Sp-、F、Cl、Br、I、-CN、-NO2、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR00R000、-C(=O)X、-C(=O)OR0、-C(=O)R00、-NR00R000、-OH、-SF5、視情況經取代之矽基、具有1至12個、較佳1至6個C原子之直鏈或具支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，其中一或多個H原子視情況由F或Cl替代，X 係鹵素，較佳F或Cl，且 R00及R000 彼此獨立地為H或具有1至12個C原子之烷基。
  17. 如請求項1至16中任一項之調配物，其中其包含一或多種選自以下式之RM： 其中P0、L、r、x、y及z係如請求項14中所定義，R0 係具有1或多個、較佳1至15個C原子且視情況經氟代之烷基、烷氧基、硫烷基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，或表示Y0或P-(CH2)y-(O)z-，X0 係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR01-、-NR01-CO-、-NR01-CO-NR01-、-OCH2-、-CH2O-、-SCH2-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CF2CF2-、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR01-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-或單鍵，Y0 係F、Cl、CN、NO2、OCH3、OCN、SCN、SF5、具有1至4個C原子之視情況經氟代之烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰基氧基或烷氧基羰基氧基，或具有1至4個C原子之經單、寡或多氟代之烷基或烷氧基，A0 在多次出現之情形中彼此獨立地係未經取代或經1、2、3或4個基團L取代之1,4-伸苯基，或反-1,4-伸環己基，R01,02 彼此獨立地為H、R0或Y0，u及v 彼此獨立地為0、1或2，w 係0或1，且其中該等苯環及萘環可另外經一或多個相同或不同基團L取代。
  18. 如請求項1至17中任一項之調配物，其中其進一步包含一或多種有機溶劑。
  19. 如請求項1至18中任一項之調配物，其中其包含30%至99.9%之具有兩個或更多個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，0%至90%之僅具有一個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，0.01%至5%之一或多種導電性添加物，0%至5%之一或多種表面活性劑，0%至5%之一或多種聚合起始劑。
  20. 如請求項19之調配物，其中其包含50%至80%之具有兩個或更多個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，10%至70%之僅具有一個可聚合官能基之可聚合液晶原化合物，0.1%至1%之一或多種導電性添加物，0.1%至1%之一或多種表面活性劑，0.1%至2%之一或多種聚合起始劑。
  21. 一種藉由聚合如請求項1至20中任一項之RM調配物所獲得之聚合物膜，其中該等RM經配向且係在該RM調配物展示液晶相之溫度下聚合。
  22. 一種如請求項1至21中任一項之RM調配物或聚合物膜之用途，其用於光學、電光或電子裝置或其組件中。
  23. 一種光學、電光或電子裝置或其組件，其包含如請求項1至21中任一項之RM調配物或聚合物膜。
  24. 如請求項23之組件，其係選自光學延遲膜、偏振器、補償器、分束器、反射膜、配向層、濾色片、抗靜電保護薄片或電磁干擾保護薄片、用於自動立體3D顯示器之偏振控制透鏡及用於窗 應用之IR反射膜。
  25. 如請求項23之裝置，其係選自電光顯示器、尤其液晶顯示器、自動立體3D顯示器；有機發光二極體(OLED)、光學資料儲存裝置及窗應用。
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