TW201338650A - 配線基板與其製造方法 - Google Patents

配線基板與其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201338650A
TW201338650A TW101149538A TW101149538A TW201338650A TW 201338650 A TW201338650 A TW 201338650A TW 101149538 A TW101149538 A TW 101149538A TW 101149538 A TW101149538 A TW 101149538A TW 201338650 A TW201338650 A TW 201338650A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
wiring board
metal region
hole
less
Prior art date
Application number
TW101149538A
Other languages
English (en)
Inventor
Akito Iwasaki
Tadashi Nakamura
Tsuyoshi Himori
Kazuhiko Honjo
Original Assignee
Panasonic Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp filed Critical Panasonic Corp
Publication of TW201338650A publication Critical patent/TW201338650A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/036—Multilayers with layers of different types
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0141—Liquid crystal polymer [LCP]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0263—Details about a collection of particles
    • H05K2201/0269—Non-uniform distribution or concentration of particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0263—Details about a collection of particles
    • H05K2201/0272—Mixed conductive particles, i.e. using different conductive particles, e.g. differing in shape
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0305—Solder used for other purposes than connections between PCB or components, e.g. for filling vias or for programmable patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0214—Back-up or entry material, e.g. for mechanical drilling
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02—Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0278—Flat pressure, e.g. for connecting terminals with anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/14—Related to the order of processing steps
    • H05K2203/1461—Applying or finishing the circuit pattern after another process, e.g. after filling of vias with conductive paste, after making printed resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
    • H05K3/0047—Drilling of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49162—Manufacturing circuit on or in base by using wire as conductive path

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

一種配線基板，包含：一電性絕緣性基材，其具有非壓縮性構件及熱硬化性構件；第一配線及第二配線，係隔著電性絕緣性基材形成；及一通孔導體，其貫穿電性絕緣性基材且電性連接第一配線及第二配線。通孔導體具有樹脂部份，及金屬部份。金屬部份具有以Cu為主成分之第一金屬區域，以Sn-Cu合金為主成分之第二金屬區域，及以Bi為主成分之第三金屬區域。第二金屬區域比第一金屬區域大，且比第三金屬區域大。

Description

配線基板與其製造方法 技術領域
本發明係有關於一種藉通孔導體連接形成於電性絕緣性基材兩面之配線之配線基板與其製造方法。
背景技術
藉填充導電性糊在形成於電性絕緣性基材之孔中之通孔導體連接形成於電性絕緣性基材兩端之配線的配線基板是已知的。又，填充含有銅(Cu)之金屬粒子，藉金屬間化合物固定金屬粒子來取代導電性糊之通孔導體是已知的。具體而言，藉在預定溫度加熱含有錫(Sn)-鉍(Bi)系之金屬粒子與銅粒子之導電性糊，在銅粒子之周邊形成錫(Sn)-銅(Cu)合金之通孔導體是已知的。
圖14是習知配線基板之通孔導體之截面模式圖。圖15A、圖16A是顯示習知通孔導體之SEM照片之圖。圖15B是圖15A之模式圖。圖16B是圖16A之模式圖。圖15A之倍率為3000倍，且圖16A之倍率為6000倍。
形成於配線基板表面之配線1與通孔導體2連接。通孔導體2具有金屬部份11，及樹脂部份12。金屬部份11具有具有多數含銅(Cu)粒子3之第一金屬區域8，由錫(Sn)-銅(Cu)合金等構成之第二金屬區域9，及以鉍(Bi)為主成分之第三金屬區域10。又，與該發明有關之先前技術文獻，例如，專利文獻1是已知的。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利第4713682號公報
發明概要
本發明之配線基板包含：一電性絕緣性基材，其具有非壓縮性構件及熱硬化性構件；第一配線及第二配線，係包夾電性絕緣性基材形成；及一通孔導體，其貫穿電性絕緣性基材，且電性連接第一配線及第二配線。通孔導體具有樹脂部份，及金屬部份。金屬部份具有以銅(Cu)為主成分之第一金屬區域，以錫(Sn)-銅(Cu)合金為主成分之第二金屬區域，及以鉍(Bi)為主成分之第三金屬區域。第二金屬區域比第一金屬區域大，且比第三金屬區域大。
1‧‧‧配線
2‧‧‧通孔導體
3‧‧‧含銅(Cu)粒子
5a‧‧‧空洞
5b‧‧‧裂縫
8‧‧‧第一金屬區域
9‧‧‧第二金屬區域
10‧‧‧第三金屬區域
11‧‧‧金屬部份
12‧‧‧樹脂部份
110,111‧‧‧多層配線基板
120‧‧‧配線
120a‧‧‧第一配線
120b‧‧‧第二配線
121a‧‧‧上層配線
121b‧‧‧下層配線
130‧‧‧電性絕緣性基材
140‧‧‧通孔導體
150‧‧‧金屬箔
160‧‧‧第一金屬區域
170‧‧‧第二金屬區域
180‧‧‧第三金屬區域
190‧‧‧金屬部份
200‧‧‧樹脂部份
210‧‧‧熱硬化性接著層
220‧‧‧非壓縮性構件
230‧‧‧未硬化基材
240‧‧‧保護膜
250‧‧‧貫穿孔
260‧‧‧通孔糊
270‧‧‧突出部
280,280a-280d‧‧‧箭號
290‧‧‧銅粒子
300‧‧‧Sn-Bi系焊料粒子
310‧‧‧熱硬化性樹脂成分(有機成分)
320‧‧‧芯材
330‧‧‧半硬化樹脂
340‧‧‧壓縮性構件
500‧‧‧基板
600‧‧‧配線基板
h‧‧‧高度
圖1A是本發明實施形態之配線基板的截面模式圖。
圖1B是本發明實施形態之通孔導體附近的截面模式圖。
圖2A是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖2B是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖2C是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖2D是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖3A是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖3B是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖3C是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖4A是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖4B是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖4C是顯示本發明實施形態之配線基板之製造方法的截面圖。
圖5A是通孔糊壓縮前之通孔導體附近之截面模式圖。
圖5B是通孔糊壓縮後之通孔導體附近之截面模式圖。
圖6是顯示使用具有壓縮性之構件時之通孔糊之狀態的模式圖。
圖7是顯示使用非壓縮性構件時之通孔糊之狀態的模式圖。
圖8是顯示使用非壓縮性構件時之通孔糊之狀態的模式圖。
圖9A是顯示合金化反應前之通孔糊之狀態的模式圖。
圖9B是顯示合金化反應後之通孔糊之狀態的模式圖。
圖10是顯示本發明實施形態之通孔糊中之金屬組成的三角圖。
圖11A是顯示本發明實施形態之通孔導體之SEM照片的圖。
圖11B是圖11A之模式圖。
圖12A是顯示本發明實施形態之通孔導體之SEM照片的圖。
圖12B是圖12A之模式圖。
圖13是顯示本發明實施形態之通孔導體之X光繞射之分析結果的圖。
圖14是習知配線基板之通孔導體之截面模式圖。
圖15A是顯示習知通孔導體之SEM照片之圖。
圖15B是圖15A之模式圖。
圖16A是顯示習知通孔導體之SEM照片之圖。
圖16B是圖16A之模式圖。
用以實施發明之形態
習知通孔導體2係在迴焊處理等中受到熱衝擊時，Cu擴散至Sn-Bi系金屬粒子而生成Cu3Sn、Cu6Sn5等之金屬間化合物。此時，如圖14所示，有時在通孔導體2中產生空洞5a或裂縫5b。又，Cu6Sn5變化成Cu3Sn時，有時產生克根達(Kirkendall)空洞等。此外，由於存在空洞5a，故形成在Cu與Sn之界面之Cu6Sn5在藉加熱變化成Cu3Sn時，有時在通孔導體2中產生內部應力。
又，習知通孔導體2係在通孔導體2中佔有之樹脂部份12的體積分率大，且金屬部份11之體積分率小。因此，有時通孔電阻(通孔導體2全體之電阻值)高。
以下說明本實施形態之多層配線基板的構造。
圖1A係本發明實施形態之多層配線基板之截面模式圖。形成在電性絕緣性基材130之內部的多數配線120係透過通孔導體140電性連接，且構成多層配線基板110。
圖1B是本發明實施形態之通孔導體140附近之截面模式圖。多層配線基板110包含具有非壓縮性構件220及熱硬化性接著層(熱硬化性構件)210之電性絕緣性基材130，第一配線120a及第二配線120b，及通孔導體140。第一配線120a及第二配線120b係包夾電性絕緣性基材130形成。通孔導體140貫穿電性絕緣性基材130，且電性連接第一配線120a及第二配線120b。
電性絕緣性基材130具有非壓縮性構件220，及形成在非壓縮性構件220兩面之熱硬化性接著層(熱硬化性構件)210。使銅箔等之金屬箔150圖案化成預定形狀之第一配線120a及第二配線120b係透過熱硬化性接著層210，與非壓縮性構件220連接。又，熱硬化性接著層210亦可只形成在非壓縮性構件220之一面上。
通孔導體140具有金屬部份190，及樹脂部份200。金屬部份190具有以銅為主體之第一金屬區域160，以錫-銅合金為主體之第二金屬區域170，及以鉍為主成分之第三金屬區域180。第二金屬區域170比第一金屬區域160 大，且比第三金屬區域180大。
樹脂部份200是環氧樹脂等。環氧樹脂具有優異信賴性。又，樹脂部份200主要是添加在通孔糊中之樹脂的硬化物，但是，亦可混入構成熱硬化性接著層210之熱硬化性樹脂之一部份。
第二金屬區域170之大小(或體積分率或者重量分率)比第一金屬區域160之大小(或體積分率或者重量分率)大。又，第二金屬區域170之大小(或體積分率或者重量分率)比第三金屬區域180之大小(或體積分率或者重量分率)大。
藉使第二金屬區域170之大小比第一金屬區域160大，且比第三金屬區域180之大小大，多數配線120之間可以第二金屬區域170為主體地電性連接。又，在第二金屬區域170中，可互相不連接地分散(或以分離小島狀態分散)第一金屬區域160及第三金屬區域180。
又，第二金屬區域170具有金屬間化合物Cu6Sn5及金屬間化合物Cu3Sn。Cu6Sn5/Cu3Sn之比係0.001以上、0.100以下。藉減少Cu6Sn5之量，可防止殘留在多層配線基板110中之Cu6Sn5在焊料迴焊等之加熱處理程序中，變化成Cu3Sn。結果，抑制克根達空洞等之產生。
又，Cu6Sn5/Cu3Sn之比宜為0.100以下。0.001以上，0.100以下更佳。反應時間有限，且該反應時間即使長而為10小時以內亦是實用的。因此在如此有限反應時間中，Cu6Sn5/Cu3Sn之比不可能完全為0，且會極少地殘留之 Cu6Sn5之定量分析亦是困難的。
如上所述地使用一般之測量裝置時，可考慮未檢出Cu6Sn5(例如，因測量裝置之檢測極限，故檢出量為0)之情形。因此，使用一般之測量裝置時，Cu6Sn5/Cu3Sn之比為0以上，0.100以下(又，0包含在測量裝置之檢測極限以下，或藉測量裝置無法檢出之情形)。又，測量裝置之測量精度足夠高時，Cu6Sn5/Cu3Sn之比亦可為0.001以上，0.100以下。
又，Cu6Sn5/Cu3Sn之比最好為0.001以上，0.100以下是使用XRD(X光繞射裝置)評價之結果。但是，只取出構成實際配線基板之微細通孔部份(或通孔糊部份)，且用XRD裝置分析是困難的。因此，亦可使用一般之評價裝置，例如，安裝在SEM裝置上之使用螢光X光的元素分析裝置(例如XMA、EPMA等)作為測量裝置。又，即使使用如此之元素分析裝置(例如XMA、EPMA等)，Cu6Sn5/Cu3Sn之比亦最好是0.001以上，0.100以下。又，XRD為一種質量分析，且EPMA為一種截面分析，但是實質上沒有差別。由以上可知，就微細通孔部份(或通孔糊部份)之Cu6Sn5/Cu3Sn之比之測量而言，亦可選擇XRD、XMA、EPMA或類似於該等裝置之適當裝置中一個以進行評價。
又，電性絕緣性基材130具有例如耐熱薄膜等之非壓縮性構件220，及形成於該非壓縮性構件220之至少一面的熱硬化性接著層210。
又，在本實施形態中，依據芯材之構成進行壓縮性(compressibility)、非壓縮性(incompressibility)之定義是 實用的。即，不論是玻璃纖維或者樹脂纖維，使用多數纖維互相糾結形成之織布或不織布作為芯材之構件具有壓縮性。這是因為在使用織布或不織布之芯材中形成貫穿孔，且填充導電性糊於該貫穿孔中並加壓時，被導電性糊含有之金屬粒子等推壓，貫穿孔變形或擴大。
另一方面，使用薄膜作為芯材之構件因為內部沒有空間，故具有非壓縮性。這是因為在使用薄膜之芯材中形成貫穿孔，且填充導電性糊於該貫穿孔中並加壓時，貫穿孔之直徑實質沒有變化。
又，使用玻璃纖維之織布或不織布作為芯材時，藉雷射等形成貫穿孔時，有時孔周圍之由玻璃纖維構成之織布或不織布之前端會熔化而變硬，但是，即使在該情形下，芯材亦具有壓縮性。這是因為藉雷射等熔解而一體化之玻璃纖維的存在只限於孔之周圍，且除此以外之部份(即由藉雷射形成之貫穿孔稍微偏離之部份)之玻璃纖維只不過互相糾結而已。又，這是因為露出孔周圍之玻璃纖維全部未熔解形成一整體。
又，使用玻璃纖維之不織布時，有時纖維彼此之糾結部份固定，但是即使在該情形下，以不織布為芯材之構件亦具有壓縮性。
非壓縮性構件220在內部沒有用以展現壓縮性之氣泡部份，因此具有優異之非壓縮性。
藉使用非壓縮性構件，可藉高壓力壓縮通孔糊。結果，可製作具有74.0vol%以上、99.5vol%以下之金屬部份 190，及0.5vol%以上、26.0vol%以下之樹脂部份200的通孔導體140。
藉降低通孔導體140中之絕緣成分之樹脂部份200的體積分率(vol%)，增加金屬部份190之體積分率(vol%)，且減少通孔電阻。在此，通孔電阻係意味通孔導體140全體之電阻值。又，為提高通孔部份之機械強度，最好增加通孔導體140中之金屬部份190的體積分率。
此外，藉增加配線120與通孔導體140之接觸面積，配線120與通孔導體140之連接電阻變小。因此，宜降低配線120與通孔導體140之界面部份之樹脂部份200的體積分率。
藉本實施形態之構成，可令通孔導體140之比電阻為1.00×10-7Ω．m以上、5.00×10-7Ω．m以下，因此通孔電阻安定化。
此外，在本實施形態中，銅-錫間之合金化反應大致完全結束。
又，構成通孔導體140之樹脂部份200係由硬化性樹脂之硬化物構成。硬化性樹脂沒有特別限制，但是具體而言，例如，最好使用具有優異耐熱性，且線膨脹率低之環氧樹脂的硬化物。
以下說明配線基板600及多層配線基板111之製造方法的一例。圖2A至圖2D，圖3A至圖3C是顯示配線基板600之製造方法的截面圖。圖4A至4C是顯示多層配線基板111之製造方法的截面圖。未硬化基材230(基材)具有厚度 55μm以下之非壓縮性構件220，及形成在非壓縮性構件220之兩面之未硬化狀態的熱硬化性接著層210。
首先，如圖2A所示，將保護膜240黏貼在未硬化基材230之兩面上。非壓縮性構件220即使是厚度50μm以下、30μm以下、15μm以下、甚至6μm以下之厚度亦可得到充分之絕緣性。
非壓縮性構件220係，例如，使用聚醯亞胺薄膜、液晶聚合物薄膜，聚醚醚酮薄膜等。其中，聚醯亞胺薄膜特佳，但是只要是可耐受焊接溫度之樹脂片即可，沒有特別限制。
熱硬化性接著層210係使用由環氧樹脂等構成之未硬化接著層。又，為使撓性多層配線基板薄化，熱硬化性接著層之各面的厚度宜為1μm以上、30μm以下，且5μm以上、10μm以下更佳。
保護膜係，例如，使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)或PEN(聚2,6萘二甲酸乙二酯)等之樹脂薄膜。樹脂薄膜之厚度宜為0.5μm以上、50μm以下，且1μm以上、30μm以下更佳。藉如此之厚度，如後所述，藉剝離保護膜，可露出由充足高度之通孔糊構成的突出部。
將保護膜240黏貼在未硬化基材230上之方法係，例如，使用利用未硬化基材230或未硬化基材230表面之熱硬化性接著層210的黏性(或接著力)，且直接黏貼之方法。
接著，如圖2B所示，在配置保護膜240之未硬化 基材230中由保護膜240之外側穿孔，藉此形成貫穿孔250。穿孔係使用二氧化碳雷射、YAG雷射等非接觸之加工方法，及使用鑽頭之鑽孔等之各種方法。貫穿孔之直徑為10μm以上、500μm以下，進一步為50μm以上、300μm以下，80μm以上、120μm以下等。
接著，如圖2C所示，於貫穿孔250中填充通孔糊260。通孔糊260具有銅粒子290，含有Sn與Bi之Sn-Bi系焊料粒子300，及環氧樹脂等之熱硬化性樹脂成分(有機成分)310(參照圖5A)。
通孔糊260之填充方法沒有特別限制，但是，例如，可使用網版印刷等之方法。
接著，如圖2D所示，由未硬化基材230之表面剝離保護膜240，藉此使通孔糊260之一部份由貫穿孔250(參照圖2B)突出作為突出部270，且製作基板500。突出部270之高度h係取決於保護膜之厚度，但是，例如，宜為0.5μm以上、50μm以下，且1μm以上、30μm以下更佳。突出部270過高時，有時在後述加壓程序中糊溢至未硬化基材230之表面之貫穿孔250周圍且失去表面平滑性。又，突出部270過低時，有時在後述加壓程序中無法充分地對填充之通孔糊施加壓力。
接著，如圖3A所示，在未硬化基材230上配置金屬箔150，且以箭號280所示之方向加壓。加壓時，為透過金屬箔150施力在突出部270上，藉高壓力壓縮填充於貫穿孔250之通孔糊260。
由於使用非壓縮性構件220作為未硬化基材230之一部份，故以箭號280所示之加壓時(進一步是加熱時)，貫穿孔250之直徑未擴大，且施加強大壓力在通孔糊260上。結果，通孔糊260中含有之銅粒子或Sn-Bi粒子之間隔變窄，且互相密接。因此，通孔糊260中之樹脂部份之比率減少。換言之，通孔糊260中之金屬部份之比率增加。
又，藉在保持壓縮狀態下加熱，產生合金化反應，且形成金屬部份190及樹脂部份200(參照圖1B)。又，熱硬化性樹脂成分310係藉熱硬化成為樹脂部份200，且形成通孔導體140(參照圖1B)。藉上述程序，如圖3B所示，未硬化基材230成為電性絕緣性基材130。在此，金屬部份190具有以銅為主體之第一金屬區域160，以錫-銅合金為主體之第二金屬區域170，及以鉍為主成分之第三金屬區域180(參照圖1B)。
又，在該合金化反應時，使第二金屬區域170之大小(或體積%或者重量%)比第一金屬區域160之大小(或體積%或者重量%)大。又，使第二金屬區域170之大小(或體積%或者重量%)比第三金屬區域180之大小(或體積%或者重量%)大。結果，通孔導體140之信賴性升高，且強度升高。
又，在第二金屬區域170中，使第一金屬區域160與第三金屬區域180不互相接觸地分散，藉此提高通孔導體140之信賴性。
又，第二金屬區域170含有金屬間化合物Cu6Sn5及金屬間化合物Cu3Sn。令Cu6Sn5/Cu3Sn之比為0.001以上、 0.100以下，藉此提高通孔導體140之信賴性。
加壓條件沒有特別限制，但是宜設定模具溫度為由常溫(20℃)至小於Sn-Bi系焊料粒子之熔點。又，在該加壓程序中，為進行熱硬化性接著層210之硬化，亦可使用加熱至進行硬化所需之溫度之加熱壓機。
接著，在金屬箔150上形成光阻膜。又，透過光罩使光阻膜曝光。然後，進行顯影、沖洗，且在金屬箔150之表面上選擇性地形成光阻膜。又，藉蝕刻去除未覆蓋光阻膜之金屬箔150。然後，去除光阻膜。如此，形成配線120a(第一配線)、配線120b(第二配線)，且得到配線基板600。光阻膜之形成可使用液狀之抗蝕劑，亦可使用乾薄膜。
圖4A至圖4C係說明將在圖3C製作之配線基板600進一步多層化之方法的截面圖。
如圖4A所示，將具有突出部270之基板500(參照圖2D)配置在圖3C製作之配線基板600兩側。又，透過金屬箔150，夾入衝壓模具(未圖示)，且加壓及加熱，藉此得到如圖4B所示之積層體。然後，如圖4C所示，使金屬箔150圖案化，且作成上層配線121a及下層配線121b，並且構成多層配線基板111。
藉以上程序，得到透過通孔導體140連接上層配線121a及下層配線121b之多層配線基板111。藉使多層配線基板111進一步多層化，得到如圖1A所示之多數配線連接之多層配線基板110。
接著，一面參照圖5A、圖5B，一面說明將通孔 糊260中含有之有機成分由通孔糊260排出至外部的情形。藉減少通孔糊260中含有之有機成分之比例，增加金屬成分之比例。結果，合金化反應，進一步金屬間化合物之形成反應在短時間結束。
圖5A、圖5B是填充通孔糊260之未硬化基材230之貫穿孔250周邊之壓縮前後的截面模式圖。圖5A顯示壓縮前，且圖5B顯示壓縮後。圖5A相當於圖3A之通孔糊260的放大圖。
銅粒子290之平均粒徑宜為0.1μm以上、20μm以 下，且1μm以上、10μm以下更佳。銅粒子290之平均粒徑過小時，銅粒子290之敲緊密度(JIS X 2512)變小，因此不易在貫穿孔250(參照圖2B)中高度填充具有銅粒子290之通孔糊，且有高價之傾向。另一方面，銅粒子290之平均粒徑過大時，欲形成直徑100μm以下，且進一步80μm以下之小直徑通孔導體140時，有不易填充之傾向。
銅粒子290之粒子形狀係，例如，使用球狀、扁平狀、多角狀、鱗片狀、小片狀、或如在表面上具有突起之形狀等，但是粒子形狀不限於該等形狀。又，可為一次粒子，亦可形成二次粒子。
Sn-Bi系焊料粒子300係意味含有Sn及Bi之焊料粒子300。
又，藉於焊料粒子300中添加銦(In)、銀(Ag)、鋅(Zn)等，亦可改善濕潤性、流動性等。Sn-Bi系焊料粒子300中之Bi含有比例宜為10%以上、58%以下，且20%以上、58% 以下更佳。又，熔點(共晶點)宜為75℃以上、160℃以下，且135℃以上、150℃以下更佳。又，Sn-Bi系焊料粒子300可使用組合2種以上組成不同種類之粒子。其中，由環境面來看，共晶點為低之138℃，且為無鉛焊料之Sn-Bi系焊料粒子300特別好。
Sn-Bi系焊料粒子300之平均粒徑宜為0.1μm以上、20μm以下，且2μm以上、15μm以下更佳。Sn-Bi系焊料粒子300之平均粒徑過小時，比表面積變大且表面之氧化皮膜比例變大，因此不易熔融。另一方面，Sn-Bi系焊料粒子300之平均粒徑過大時，通孔糊260對貫穿孔250之填充性不佳。
熱硬化性樹脂成分310係，例如，使用例如，縮水甘油醚型環氧樹脂，脂環式環氧樹脂，縮水甘油胺型環氧樹脂，縮水甘油酯型環氧樹脂，或其他變性環氧樹脂等。
又，在熱硬化性樹脂成分310中亦可含有硬化劑。硬化劑之種類沒有特別限制，但是宜使用含有在分子中具有至少一個以上之羥基之胺化合物的硬化劑。如此之硬化劑係作為環氧樹脂之硬化觸媒作用並且還原存在銅粒子、及Sn-Bi系焊料粒子300表面之氧化皮膜，藉此減少接合時之接觸電阻。具有比Sn-Bi系焊料粒子之熔點高之沸點的胺化合物使接合時之接觸電阻減少是特別好的。
如此之胺化合物之具體例，可舉例如：2-甲基胺乙醇，N,N-二乙基乙醇胺，N,N-二丁基乙醇胺，N-甲基乙醇胺，N-甲基二乙醇胺，N-乙基乙醇胺，N-丁基乙醇胺， 二異丙醇胺(沸點249℃)，N,N-二乙基異丙醇胺，2,2'-二甲基胺乙醇，三乙醇胺等。
通孔糊260係藉混合銅粒子290，含有Sn與Bi之Sn-Bi系焊料粒子300，及環氧樹脂等之熱硬化性樹脂成分310而得到。具體而言，例如，藉將銅粒子及Sn-Bi系焊料粒子添加至含有環氧樹脂、硬化劑及預定量有機溶劑之樹脂清漆，以行星式混合器等混合而得到。
由得到低電阻值並且確保充分加工性之觀點來看，熱硬化性樹脂成分310之通孔糊260中之比例宜為0.3質量%以上、30質量%以下之範圍，且3質量%以上、20質量%以下之範圍更佳。
又，通孔糊260中之銅粒子290與Sn-Bi系焊料粒子300之摻合比例宜使糊中含有之Cu、Sn及Bi之重量比在後述之如圖10所示之三角圖中，可在以A、B、C、D為頂點之四角形包圍之區域的範圍內。例如，使用Sn-58Bi系焊料粒子300作為Sn-Bi系焊料粒子300時，銅粒子290對銅粒子290及Sn-58Bi系焊料粒子300之合計量的含有比例宜為22質量%以上、80質量%以下，且40質量%以上、80質量%以下更佳。
如圖5A所示，透過金屬箔150如箭號280a地推壓由形成於未硬化基材230中之貫穿孔250突出之突出部270。如此，如圖5B所示，壓縮填充於貫穿孔250(參照圖2B)之通孔糊260。又，此時通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之相當大部份如箭號280b所示地由貫穿孔250壓出至外 部。然後，藉加熱使銅粒子290及Sn-Bi系焊料粒子300合金化，且在通孔導體中，合金化之金屬部份為74vol%以上、80vol%以上，且進一步為90vol%以上。
填充、加壓、加熱通孔糊260時，使用非壓縮性構件220，使貫穿孔250(參照圖2B)不易經不住來自通孔糊260之壓力而擴大，或變形。
接著使用圖6至圖8，說明減少通孔糊260中之有機成分之機構。
圖6是顯示使用具有壓縮性之構件作為電性絕緣性基材時之通孔糊狀態的模式圖。壓縮性構件340係，例如，使用以玻璃纖維或醯胺纖維作為芯材320，且使由環氧樹脂等構成之半硬化樹脂330浸滲於芯材320中的預浸材。預浸材係藉於芯材之纖維間、芯材與半硬化樹脂之間、或半硬化樹脂中含有之空隙等(例如，空氣泡等)之存在，展現壓縮性。即，預浸材之硬化物是非壓縮性的，但是預浸材具有壓縮性。這是因為加熱壓縮預浸材時，半硬化狀態之樹脂軟化，且填補芯材之纖維間、芯材與半硬化樹脂之間、或半硬化樹脂中含有之空隙等(例如，空氣泡等)。
壓縮性構件340在內部具有氣泡(或空洞)，因此加壓時，其厚度壓縮10%至30%左右。
在壓縮性構件340中形成成為通孔之貫穿孔，且填充通孔糊，並且在設置突出部後加壓時，加壓後之貫穿孔直徑(或截面積)比加壓前大10%至20%左右。
這是因為貫穿孔形成時，切斷玻璃纖維之一部 份。即，使用以織布或不織布作為芯材之預浸材時，有時無法進行充分加壓、壓縮。
在圖6中，箭號280c顯示由於如箭號280a地加壓壓縮通孔糊260，故貫穿孔250之直徑增加(或貫穿孔250之直徑擴大或變形)之情形。
使用如圖6所示之壓縮性構件340時，如圖6之箭號280a所示之壓力施加於通孔糊260，且藉箭號280c所示之壓力，貫穿孔250(參照圖2B)之直徑只相當於通孔糊260之突出部270之體積部份地大幅擴大。因此，即使增加箭號280a所示之壓力，亦難以加壓壓縮通孔糊260。結果，難以使通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310在未硬化基材230(參照圖5A)中移動。因此，通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之體積分率之比例在箭號280a之加壓前及加壓後幾乎沒有變化。
又，將球體不規則地裝入容器時之體積分率係『隨意細密填充』最大約64%是已知的(例如，Nature 435,7195(2008年5月)，Song氏等)。如此，將壓縮性構件340用於電性絕緣性基材時，即使欲提高通孔糊260中含有之銅粒子290或焊料粒子300之填充密度(進一步是體積分率)，由隨意細密填充之觀點來看，提高體積分率亦是困難的。因此，即使加壓壓縮突出部270至銅粒子290或焊料粒子300互相變形而面接觸之程度，亦難以將殘存在多數銅粒子290或多數焊料粒子300之間隙之熱硬化性樹脂成分310逐出通孔糊260外。
結果，成為如圖14至圖16所示之狀態，且即使增加壓力，亦難以使通孔導體140中之金屬部份190之體積分率高於70vol%。
如上所述，壓縮性構件340係，藉來自通孔糊260之壓力，貫穿孔250之直徑擴大，或變形。因此，有時即使施加高壓力，亦不會充分壓縮通孔糊260。
另一方面，使用非壓縮性構件(例如薄膜基材)時，即使在熱硬化性接著層非壓縮性構件中形成成為通孔之貫穿孔，且填充通孔糊，並且在設置突出部後加壓，與加壓前比較，加壓後之貫穿孔之直徑(或截面積)亦幾乎沒有變化。或者，該變化量被抑制為小於3%。又，在通孔糊填充前後貫穿孔之直徑或截面積沒有變化之情形下，即使未使用特殊設備，亦可充分加壓壓縮通孔糊。這是因為在非壓縮性構件之情形下，即使貫穿孔切斷非壓縮性構件之一部份，非壓縮性構件亦幾乎不分解，或擴大。
但是，即使使用如聚醯亞胺薄膜之耐熱薄膜時，當其厚度為70μm時，有時利用突出部270施加高壓力，亦無法充分地壓縮通孔糊260。
圖7、圖8是顯示使用非壓縮性構件時之通孔糊狀態的模式圖。
藉將耐熱薄膜等之非壓縮性構件220用於未硬化基材230，可將通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之流動成分(例如，有機成分等之絕緣成分)逐出通孔導體140之外。結果，可減少通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之 體積分率。
如圖7、圖8所示，即使在如箭號280a所示之壓力施加於通孔糊260時，貫穿孔250(參照圖2B)之直徑幾乎沒有擴大。結果，越增加箭號280a所示之壓力，通孔糊260中含有之銅粒子290及焊料粒子300越可一面互相變形一面以更大之面積互相面接觸。因此，通孔導體140中之金屬部份190之體積分率比70vol%高，且進一步可在80vol%以上、90vol%以上。
又，一面使銅粒子290及焊料粒子300互相變形一面以更大之面積互相面接觸，因此銅粒子290及焊料粒子300之硬度宜不同。例如，與銅粒子290比較，藉降低焊料粒子300之硬度，可減少粉體彼此之互相滑動(或滑移)。結果，圖7、圖8所示之加壓壓縮時，焊料粒子300保持夾在多數銅粒子290中之狀態且會變形，並且將通孔糊260中之流動成分(例如，有機成分之絕緣成分)逐出通孔導體140外。結果，可更減少通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之體積分率。
如上述圖7所示，由金屬箔150外，如箭號280a所示地，加壓壓縮通孔糊260時，通孔糊260中之流動成分，即熱硬化性樹脂成分310流出至設於非壓縮性構件220表面之熱硬化性接著層210。結果，如圖8所示，通孔糊260中之銅粒子290或焊料粒子300之填充率變高。又，在圖7、圖8中，銅粒子290或焊料粒子300互相壓縮、變形、面接觸之情形未圖示。又，形成於金屬箔150之通孔糊260之突出部 270亦未圖示。
圖8顯示通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之壓力(箭號280c)超過來自熱硬化性接著層210之壓力(箭號280d)，且熱硬化性樹脂成分310流出至貫穿孔250外的情形。藉使用非壓縮性構件220，可將通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310排出至通孔糊260外，且可大幅減少通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之體積分率。又，通孔糊260中之銅粒子290或焊料粒子300等之金屬成分之體積分率只增加通孔糊260中含有之熱硬化性樹脂成分310變少之部份。結果，將通孔導體140(參照圖1、圖9B)中之金屬部份190之體積分率提高至74vol%以上。
即，藉將非壓縮性構件使用於未硬化基材230，在壓縮前後貫穿孔250之直徑幾乎沒有改變，因此可依據通孔糊260之突出，高度壓縮通孔糊260。
又，加壓前後之貫穿孔之直徑(或截面積)之差宜小於3%，且小於2%更佳。
如此，在本實施形態中，可使由銅粒子290或焊料粒子300構成之合金化後之金屬部份190的體積分率為74vol%以上、99.5vol%以下。又，在電性連接多數配線之通孔導體140中，可將除了金屬部份190以外之部份之樹脂部份200之體積分率減少至0.5vol%以上、26vol%以下。此外，在此，樹脂部份200可為通孔導體140中含有之樹脂部份，亦可為通孔糊260中含有之熱硬化性樹脂成分310。又，通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310及熱硬化性接著層 210亦可互相相熔，或熔合。
如此，可將通孔糊260填充於形成在非壓縮性構件220及熱硬化性接著層210中之貫穿孔250且加壓，藉此進一步減少通孔糊中之熱硬化性樹脂成分310之含有率(或體積分率)。因此，可增加通孔糊260中之銅粒子290或焊料粒子300等之填充率(或體積分率)。結果，可增加銅粒子290與焊料粒子300之接觸面積，促進合金化反應，且增大通孔導體140中之金屬部份的比例。
接著，說明藉減少熱硬化性樹脂成分310之體積分率，促進銅粒子與焊料粒子之合金化反應的情形。
圖9A是顯示合金化反應前之通孔糊狀態之模式圖。圖9B是顯示合金化反應後之通孔糊狀態之模式圖。
在圖9A中，銅粒子290及焊料粒子300係如箭號280所示地互相壓縮且高密度地填滿。此時銅粒子290及焊料粒子300宜互相變形且面接觸。銅粒子290及焊料粒子300接觸之面積越大，銅粒子290及焊料粒子300之合金化反應(進一步是金屬間化合物之形成反應)越可短時間且均一地進行。
又，通孔糊260中含有之熱硬化性樹脂成分310之體積分率為0.5vol%以上、26vol%以下(進一步是20vol%以下，且再進一步是10vol%以下)。
如圖9A所示，將金屬箔150加壓附著在未硬化基材230上，且透過金屬箔150施加預定壓力於通孔糊260之突出部270上，藉此加壓壓縮通孔糊260。藉此，銅粒子290彼 此或銅粒子290及焊料粒子300彼此可互相面接觸，且促進合金化反應。
圖9A之通孔糊260之上下面形成有突出部270。又，圖9B之通孔導體140之上下面不存在突出部，且是平坦的。如此，合金化反應後，通孔糊260之上下面宜為平坦的。以往，使用非壓縮性構件時，有時合金化反應後通孔導體之突出部亦會殘留，且部件會不易安裝。但是，如本實施形態地，藉非常快速地進行合金化反應，可使通孔導體140中之金屬部份190之體積分率為74.0vol%以上，並且可使通孔導體是平坦的。又，可使通孔導體140中之樹脂部份200之體積分率為26.0vol%以下。此外，突出部270之高度(圖2D之h)宜為2μm以上，進一步為5μm以上，或金屬箔150之厚度宜為0.5倍以上。突出部270之大小比2μm小時，或金屬箔150之厚度比0.5倍小時，即使將非壓縮性構件用於電性絕緣性基材130，有時亦無法使銅粒子290或焊料粒子300等之通孔糊260中之體積分率為74vol%以上。
又，可使銅粒子290及焊料粒子300之粒徑互相不同，亦可混合不同粒徑之銅粒子290。但是，在如此情形下，粉之比表面積增加，且通孔糊260之黏度變高。結果，即使可通孔糊260中之銅粒子290及焊料粒子300之總體積分率，有時通孔糊260之黏度上升，且影響對貫穿孔250之填充性。因此銅粒子290及焊料粒子300之粒徑宜為相同程度。
又，為使銅粒子290及焊料粒子300互相變形且面接觸，銅粒子290彼此，或銅粒子290及焊料粒子300宜加壓 壓縮至互相塑性變形為止。
如圖9A、圖9B之箭號280所示，較佳的是在維持加壓附著之狀態下，在預定之溫度加熱，使Sn-Bi系焊料粒子300之一部份熔融。在加壓程序中，藉加熱可縮短加壓程序或加熱程序之總時間，且提高生產性。
圖9B顯示互相變形且面接觸之銅粒子290及焊料粒子300合金化反應(進一步是金屬間化合物之形成反應)後的狀態。通孔導體140具有金屬部份190，及樹脂部份200。金屬部份190具有以銅為主體之第一金屬區域160，以錫-銅合金為主體之第二金屬區域170，及以鉍為主成分之第三金屬區域180。金屬部份190及樹脂部份200構成通孔導體140。
如此，如圖9B所示，形成通孔導體140。樹脂部份200係含有環氧樹脂之已硬化樹脂。又，第二金屬區域170係截面積或其體積分率，或者重量分率比第一金屬區域160大。此外，第二金屬區域170係截面積或其體積分率，或者重量分率比第三金屬區域180大。
又，形成多數配線120之金屬箔150彼此透過第二金屬區域170電性連接。又，在第二金屬區域170中第一金屬區域160及第三金屬區域180互相不接觸地分散，藉此提高通孔導體140之信賴性。此外，第二金屬區域170含有金屬間化合物Cu6Sn5及金屬間化合物Cu3Sn，且Cu6Sn5/Cu3Sn之比為0.001以上、0.0100以下，藉此提高通孔導體140之信賴性。
又，產生合金化反應期間，亦繼續如箭號280所示之加壓壓縮，藉此可降低合金化後之金屬箔150之突出部270的高度。藉在合金化反應後降低合金化反應前之突出部270之高度，可減少在通孔導體140中佔有之樹脂部份200之體積分率，且可減少多層配線基板110之厚度變動。又，由於可提高多層配線基板110之平面性或平滑性，故半導體晶片等之裸晶安裝性提高。
又，在銅粒子290及焊料粒子300反應形成之通孔導體140中，第二金屬區域170含有金屬間化合物Cu6Sn5及金屬間化合物Cu3Sn。在此，Cu6Sn5/Cu3Sn之比抑制為0.001以上、0.100以下，藉此，例如，可抑制克根達空洞等之空洞5a(參照圖14)。
為使Cu6Sn5/Cu3Sn之比為0.001以上、0.100以下，銅粒子290與焊料粒子300之接觸面積宜為大。在進行合金化反應(或金屬間化合物之形成反應)時，通孔糊260中之熱硬化性樹脂成分310之體積分率宜為26vol%以下(進一步為20vol%以下，且更進一步為10vol%以下)。熱硬化性樹脂成分310之體積分率越小，銅粒子290與焊料粒子300之接觸面積越大，且合金化反應越均一。結果，在含有金屬間化合物Cu6Sn5及金屬間化合物Cu3Sn之第二金屬區域中，可將Cu6Sn5/Cu3Sn之比抑制為0.100以下。如以上所述，藉使用具有非壓縮性之構件作為未硬化基材230，填充於貫穿孔250之銅粒子290及Sn-Bi系焊料粒子300之密度變高。
又，在維持壓縮之狀態不變之情形下，加熱經壓 縮之通孔糊260且在Sn-Bi系焊料粒子300之共晶溫度、比共晶溫度高10℃之溫度以下的溫度範圍內使Sn-Bi系焊料粒子300之一部份熔融，接著，在比共晶溫度高20℃之溫度以上、300℃以下的溫度範圍內加熱是有用的。藉如此加壓、加熱，可促進第二金屬區域170之成長。又，較佳地，以連續該等程序之伴隨加壓附著或加熱之1個程序進行。藉以連續之1個程序進行，可更安定各金屬區域之形成反應，且可安定通孔本身之構造。
例如，在圖9A中，在通孔糊260中佔有之銅粒子290或焊料粒子300之體積分率係高度壓縮成74vol%以上。又，在該狀態下，將通孔糊260緩緩加熱至Sn-Bi系焊料粒子300之共晶溫度以上之溫度為止。藉該加熱Sn-Bi系焊料粒子300之一部份以在該溫度熔融之組成比例熔融。又，在銅粒子290之表面或周圍形成以錫、錫-銅合金為主成分之第二金屬區域170。在該情形下，銅粒子290彼此面接觸之面接觸部亦可變化成第二金屬區域170之一部份。銅粒子290及熔融之Sn-Bi系焊料粒子300在互相變形之狀態下面接觸，藉此Sn-Bi系焊料粒子300中之Sn與銅粒子290中之Cu反應，且形成含有Cu6Sn5或Cu3Sn之Sn-Cu之化合物層(金屬間化合物)或以錫-銅合金為主成分之第二金屬區域170。另一方面，Sn-Bi系焊料粒子300一面由內部之Sn相補充Sn一面繼續維持熔融狀態，接著藉析出殘留之Bi，形成以Bi為主成分之第三金屬區域180。結果，得到具有如圖9B所示之構造的通孔導體140。
又，在圖9B中，相對於通孔導體140全體，第一金屬區域160與第二金屬區域170之總重量比例宜在20%以上、90%以下之範圍內。總重量比例小於20%時，有時通孔電阻增加，或無法得到預定之壓縮狀態。又，欲超過90%有時在技術上是困難的。
又，在該狀態下加熱，且達到Sn-Bi系焊料粒子300之共晶溫度以上時，Sn-Bi系焊料粒子300首先部份地熔融。熔融之焊料組成係藉溫度決定，且在加熱時之溫度不易熔融之Sn殘留作為Sn固相體。又，銅粒子290接觸熔融之焊料且其表面藉熔融之Sn-Bi系焊料濕潤時，在該濕潤部份之界面Cu與Sn進行相互擴散且形成Sn-Cu之化合物層等。如此，可使在通孔導體140中佔有之第二金屬區域170之比例比第一金屬區域160大，且可比第三金屬區域180大。
另一方面，藉進一步進行相互擴散，熔融焊料中之Sn減少。為了由Sn之固體層填補熔融焊料中減少之Sn，繼續維持熔融狀態。又，Sn減少，且Sn與Bi之比率係Bi比Sn-58Bi多時，Bi首先偏析，且析出形成第三金屬區域180作為以鉍為主成分之固相體。
又，在習知之比較低溫度範圍熔融之焊料材料包括Sn-Pb系焊料、Sn-In系焊料、Sn-Bi系焊料等。該等材料中，In係高價，且Pb係環境負荷高。另一方面，Sn-Bi系焊料之熔點係比在表面安裝電子部件時之一般焊料迴焊溫度低之140℃以下。因此，只藉單體使用Sn-Bi系焊料作為電路基板之通孔導體時，有時通孔電阻會因焊料迴焊時通孔 導體之焊料再熔融而變動。
圖10是顯示本實施形態之通孔糊中之金屬組成之一例的三角圖。較佳地，本實施形態之通孔糊中之金屬組成係，如圖10所示，令Cu、Sn及Bi之重量組成比(Cu：Sn：Bi)在三角圖中，為藉以A(0.37：0.567：0.063)、B(0.22：0.3276：0.4524)、C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)為頂點之四角形包圍的區域。
更佳地，宜為以C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)、E(0.733：0.240：0.027)、F(0.564：0.183：0.253)為頂點之四角形包圍的區域。由於是藉以C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)、E(0.733：0.240：0.027)、F(0.564：0.183：0.253)為頂點之四角形包圍的區域，故可減少通孔電阻。又，在第二金屬區域中，含有金屬間化合物Cu6Sn5及Cu3Sn，且使Cu6Sn5/Cu3Sn之比為0.100以下是容易的。
又，使用如此之金屬組成之通孔糊時，Sn-Bi系焊料粒子300之組成係Sn組成比共晶之Sn-Bi系焊料組成(Bi58%以下、Sn42%以上)多。藉使用如此之通孔糊，在比Sn-Bi系焊料粒子之共晶溫度高10℃之溫度以下之溫度範圍內焊料組成中之一部份熔融，另一方面，未熔融之Sn殘留。但是，殘留之Sn擴散至銅粒子表面且反應。結果，相對Sn-Bi系焊料粒子300，Sn濃度減少，因此殘留之Sn熔融。另一方面，亦藉繼續加熱使溫度上升而熔融Sn，且使焊料組成中之未熔融之Sn消失，並且藉進一步繼續加熱進行與銅粒子表面之反應，藉此析出形成第三金屬區域180作為以 鉍為主成分之固相體。又，藉如此使第三金屬區域180析出而存在，焊料迴焊時通孔導體之焊料不易再熔融。此外，藉使用Sn組成多之Sn-Bi系焊料粒子300，可減少殘存在通孔中之Bi相，因此可謀求電阻值之安定化，且即使在焊料迴焊後，亦不易產生電阻值之變動。
加熱壓縮後之通孔糊260之溫度係Sn-Bi系焊料粒子300之共晶溫度以上之溫度，且只要是在不使未硬化基材230之構成成分分解之溫度範圍即可，沒有特別限制。具體而言，使用共晶溫度139℃之Sn-58Bi系焊料粒子時，最好先藉加熱至139℃以上、149℃以下之範圍，使Sn-58Bi系焊料粒子300之一部份熔融後，進一步在159℃以上、230℃以下左右之溫度範圍內緩緩加熱。又，藉適當選擇溫度，硬化通孔糊260中含有之熱硬化性樹脂成分。
接著，具體地說明使用本實施形態之實施例。又，本實施形態之範圍不因本實施例之內容而受限。首先，以下說明在本實施例中使用之原料。
．銅粒子(銅粒子290)：平均粒徑5μm之三井金屬(股)公司製1100Y
．Sn-Bi系焊料粒子(焊料粒子300)：使用藉霧化法將摻合成依組成別顯示於(表1)之焊料組成且使其熔融者粉狀化，且分割成平均粒徑5μm者。
．環氧樹脂：Japan Epoxy Resins(股)公司製jeR871
．硬化劑：2-甲胺乙醇，沸點160℃，日本乳化劑(股)公司製
．樹脂片(未硬化基材230)：縱500mm×橫500mm，在厚度10μm至50μm之聚醯亞胺薄膜(非壓縮性構件220)之兩表面上形成厚度10μm之未硬化環氧樹脂層(熱硬化性接著層210)。
．保護薄膜(保護膜240)：厚度25μm之PET製片
．銅箔(金屬箔150)：厚度25μm
(通孔糊之製作)
以記載於(表1)之摻合比例摻合銅粒子及Sn-Bi系焊料粒子之金屬成分與環氧樹脂及硬化劑之樹脂成分，且以行星式混合器混合，藉此製作通孔糊。又，樹脂成分之摻合比例係，相對於銅粒子及Sn-Bi系焊料粒子之合計100重量份，環氧樹脂為10重量份，且硬化劑為2重量份。
(多層配線基板之製造)
將保護薄膜黏貼在樹脂片之兩表面上。然後，由經黏貼保護薄膜之樹脂片外側藉雷射穿出100個直徑150μm之孔。
接著，將經調製之通孔糊填充於貫通孔中。然後，藉剝離兩表面之保護薄膜，形成通孔糊之一部份由貫通孔突出之突出部露出。
接著，在樹脂片之兩表面上，配置銅箔以便覆蓋突出部。然後，在加熱壓機之下模具上設置離型紙，且作成與經配置銅箔之樹脂片的積層體，並且施加3MPa之壓力。又，將積層體以60分鐘由常溫25度昇溫至最高溫度220℃且保持220℃60分鐘後，花費60分鐘冷卻至常溫。如 此，得到多層配線基板。
(評價)
〈電阻值試驗〉
藉4端子法測量在得到之多層配線基板上形成的100個通孔導體之電阻值。然後，求出100個初始電阻值與最大電阻值。又，令初始電阻值2mΩ以下者為A，且超過2mΩ者為B。又，最大電阻值小於3mΩ之情形為A，大於3mΩ之情形為B。
在此，初始電阻值(初始之平均電阻值)係形成含有100個通孔之菊鍊，且測量100個通孔之總電阻值，並且將該總電阻值除以100算出。又，最大電阻值係形成100個含有100個通孔之菊鍊，各個菊鍊之平均電阻值中之最大值。又，在(表1)中，記載電阻值(mΩ)及比電阻值(Ω．m)。
〈連接信賴性〉
對經測定初始電阻值之多層配線基板進行500次循環的熱循環試驗，且令相對初始電阻值之變化率為10%以下者判A，超過10%者為B。
結果顯示於(表1)中。此外，(表1)所示之實施例及比較例之各組成之三角圖顯示於圖10中。實施例1至17係以E1至E17表示，且比較例1至9係以C1至C9表示。又，在圖10之三角圖中，「白圓」表示實施例之組成，且「黑圓」表示Bi量對Sn量比實施例之金屬組成少之比較例1(C1)的組成。又，「白三角」表示Bi量對Sn量比實施例之金屬組成多之比較例7(C7)的組成，且「白四角」表示Sn量對Cu量比 實施例之金屬組成多之比較例2、4、6、9(C2、C4、C6、C9)的組成，並且「黑三角」表示Sn量對Cu量比實施例之金屬組成少之比較例3、5、8(C3、C5、C8)的組成。
由圖10可知，就初始電阻值、最大電阻值及連接信賴性全部之判定而言，得到A評價之實施例之組成係藉以三角圖中之重量比率(Cu：Sn：Bi)為A(0.37：0.567：0.063)、B(0.22：0.3276：0.4524)、C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)作為頂點之四角形包圍之區域的範圍。在此，點A表示實施例2(E2)，點B表示實施例12(E12)，點C表示實施例9(E9)，且點D表示實施例13(E13)。
又，以C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)、E(0.733：0.240：0.027)、F(0.564：0.183：0.253)為頂點之四角形就初始電阻值、最大電阻值及連接信賴性全部之判定而言，得到A評價。在此，點E表示實施例14(E14)，且點F表示實施例17(E17)。如此，令三角圖中之重量比率(Cu：Sn：Bi)為藉以C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)、E(0.733：0.240：0.027)、F(0.564：0.183：0.253)為頂點之四角形包圍之區域，藉此增加更低電阻值之Cu的重量比率，且實現通孔之低電阻化。又，使Cu與Sn全部合金化反應，藉此Sn-Bi不會再熔化，且實現信賴性高之印刷配線基板。
又，在以圖10之「白三角」圖示之Bi量對Sn量多之組成之區域的比較例7(C7)中，通孔中析出之鉍量變多。Bi之體積電阻率(Volume Resistivity)係78μΩ．cm，且與Cu之體積電阻率(1.69μΩ．cm)、Sn之體積電阻率(12.8μΩ．cm)或Cu與Sn之化合物之體積電阻率(Cu3Sn：17.5μΩ．cm、Cu6Sn5：8.9μΩ．cm)比較，明顯偏大。因此，考慮該等金 屬材料之體積電阻率時，可預想到Bi量對Sn量越增加，其體積電阻率越高。又，考慮電阻值因鉍之存在狀態或分散狀態而改變，或連接信賴性降低之可能性。
又，在以圖10之「白四角」圖示之Sn量對Cu量多之組成之區域之較例2、4、6、9(C2、C4、C6、C9)的區域中，藉壓縮形成之銅粒子之面接觸不足。又，相互擴散後在銅粒子彼此之接觸部上形成Sn-Cu之化合物層，因此初始電阻值及最大電阻值變高。
又，在以圖10之「黑圓」圖示之Bi量對Sn量少之組成之區域之比較例1(C1)的組成係因Bi量少，故在Sn-Bi系焊料粒子之共晶溫度之140℃附近熔融的焊料量變少。因此，未充分地形成補強銅粒子彼此之面接觸部之Sn-Cu化合物層，且連接信賴性降低。即，在使用Sn-5Bi焊料粒子之比較例1(C1)時，由於形成銅粒子彼此之面接觸部，故初始電阻值及最大電阻值低，但是考慮由於Bi量不少，故焊料粒子不易熔融，且未充分地進行形成補強面接觸部之Sn-Cu化合物層之Cu與Sn的反應。
又，在以圖10之「黑三角」圖示之Sn量對Cu量少之組成之區域的比較例3、5、8(C3、C5、C8)中，由於Sn量對銅粒子少，故為了補強銅粒子彼此之面接觸部所形成之Sn-Cu化合物層變少，因此連接信賴性降低。
圖11A、圖12A是顯示使用實施例16(E16)之糊(銅粒子：Sn-28Bi焊料之重量比率為70：30)得到之多層配線基板的通孔導體截面之電子顯微鏡(SEM)照片的圖。又，圖 11B、圖12B係圖11A、圖12A之模式圖。又，圖11A、圖11B之倍率為3000倍，且圖12A、圖12B之倍率為6000倍。
由圖11A至圖12B可判斷本實施形態之通孔導體係金屬填充率非常高。通孔導體140含有樹脂部份200及金屬部份190。又，樹脂部份200係含有環氧樹脂之樹脂部份。又，金屬部份190含有以銅為主成分之第一金屬區域160，以錫-銅合金為主成分之第二金屬區域170，及以鉍為主成分之第三金屬區域180。又，第二金屬區域170之大小(進一步是體積，重量或截面積之一者以上)比第一金屬區域160大，且比第三金屬區域180大。藉該構成，多數配線120係透過第二金屬區域170電性連接。又，由於使第一金屬區域160及第三金屬區域180不互相接觸地分散在第二金屬區域170中，故可非任意地且均一地進行合金化反應(進一步是金屬間化合物之生成反應)。
圖13是顯示通孔導體之X光繞射(X-Ray Diffraction：XRD)之分析結果之一例的圖表。峰I是銅(Cu)。峰II是鉍(Bi)。峰III是錫(Sn)。峰IV是金屬間化合物Cu3Sn。峰V是金屬間化合物Cu6Sn5。
圖13是評價加壓時之加熱溫度(硬化溫度)對通孔導體之影響，且加熱溫度為25℃、150℃、175℃、200℃之測量結果。又，在圖13中X軸是2θ(單位為度)，Y軸是強度(單位為任意)。
又，測量用之試料係製作由通孔糊構成之圓粒，且使該圓粒之處理溫度變化。X光繞射係使用Rigaku公司製 之RINT-2000。
由圖13之X光繞射之圖可知，溫度為25℃時，檢出Cu之峰I、Bi之峰II、Sn之峰III，但是未檢出Cu3Sn之峰IV，或Cu6Sn5之峰V。
溫度為150℃時，除了出現Cu之峰I、Bi之峰II、Sn之峰III以外，稍微但亦出現Cu6Sn5之峰V。
溫度為175℃時，除了出現Cu之峰I、Bi之峰II、Cu6Sn5之峰V以外，亦出現Cu3Sn之峰IV。又，幾乎沒有Sn之峰III。由以上可判斷，Cu粒子與Sn-Bi焊料粒子之合金化反應，進一步金屬間化合物之形成反應均一地進行。
在圖13之樣本溫度為200℃之圖中，檢出Cu之峰I、Bi之峰II、Cu3Sn之峰IV，但是Sn之峰III，或Cu6Sn5之峰V消失。由以上可判斷，Cu粒子與Sn-Bi焊料粒子之合金化反應，進一步金屬間化合物之形成反應均一地進行，且Cu與Sn-Bi焊料粒子之合金化反應，進一步金屬間化合物之反應藉Cu3Sn之峰IV之生成而安定化。
如上所述，在本實施形態中，令金屬間化合物不是Cu6Sn5，而是更安定之Cu3Sn，藉此提高通孔導體之信賴性。換言之，在本實施形態中，進行以比Cu6Sn5更安裝之Cu3Sn為金屬間化合物之合金化反應(或金屬間化合物反應)。
又，非壓縮性構件220之耐熱薄膜之厚度宜為3μm以上、55μm以下，且進一步為50μm以下，更進一步為35μm以下。又，耐熱薄膜之厚度小於3μm時，有時薄膜強 度降低，且無法得到通孔糊260之壓縮效果。超過55μm之耐熱薄膜是特別高價的，因此使用55μm以下之厚度之耐熱薄膜比較好。
又，設於220表面之熱硬化性接著層210之厚度宜為單側1μm以上、15μm以下。小於1μm時，有時無法得到預定之密接強度。又，超過15μm時，有時無法得到通孔糊260之壓縮效果。又，非壓縮性構件220之厚度比單側之熱硬化性接著層210厚是有用的。
非壓縮性構件220之厚度為75μm時，有時在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率無法增加到60vol%以上、70vol%以下程度。
例如，非壓縮性構件220之厚度為50μm(在兩面分別形成厚度10μm之熱硬化性接著層210時，電性絕緣性基材130之厚度為70μm)時，在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率為80vol%以上、82vol%以下。
非壓縮性構件220之厚度為40μm(在兩面分別形成厚度10μm之熱硬化性接著層210時，電性絕緣性基材130之厚度為60μm)時，在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率為83vol%以上、85vol%以下。
非壓縮性構件220之厚度為30μm(在兩面分別形成厚度10μm之熱硬化性接著層210時，電性絕緣性基材130之厚度為50μm)時，在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率為89vol%以上、91vol%以下。
非壓縮性構件220之厚度為20μm(在兩面分別形 成厚度10μm之熱硬化性接著層210時，電性絕緣性基材130之厚度為40μm)時，在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率為87vol%以上、95vol%以下。
非壓縮性構件220之厚度為10μm(在兩面分別形成厚度10μm之熱硬化性接著層210時，電性絕緣性基材130之厚度為30μm)時，在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率為98vol%以上、99.5vol%以下。
如上所述，非壓縮性構件220之厚度越薄，越有效果，但是該厚度可依通孔導體140之直徑、密度、或用途等適當選擇。
由以上可知，藉使用非壓縮性構件220，在通孔導體140中佔有之金屬部份190之體積分率增加。
產業上之可利用性
本實施形態之配線基板對低成本化、小型化、高機能化、高信賴性化有效果，因此可用於行動電話等。
120‧‧‧配線
120a‧‧‧第一配線
120b‧‧‧第二配線
130‧‧‧電性絕緣性基材
140‧‧‧通孔導體
150‧‧‧金屬箔
160‧‧‧第一金屬區域
170‧‧‧第二金屬區域
180‧‧‧第三金屬區域
190‧‧‧金屬部份
200‧‧‧樹脂部份
210‧‧‧熱硬化性接著層
220‧‧‧非壓縮性構件
600‧‧‧配線基板

Claims (19)

  1. 一種配線基板，包含：電性絕緣性基材，其具有非壓縮性構件及熱硬化性構件；第一配線及第二配線，係包夾前述電性絕緣性基材形成；及通孔導體，其貫穿前述電性絕緣性基材且電性連接前述第一配線及前述第二配線，又，前述通孔導體具有樹脂部份及金屬部份，前述金屬部份具有：第一金屬區域，係以Cu為主成分；第二金屬區域，係以Sn-Cu合金為主成分；及第三金屬區域，係以Bi為主成分，又，前述第二金屬區域比前述第一金屬區域大，且比前第三金屬區域大。
  2. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述第二金屬區域覆蓋前述第一金屬區域及前述第三金屬區域。
  3. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述第一金屬區域及前述第三金屬區域係不互相接觸地存在。
  4. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述第二金屬區域具有Cu6Sn5及Cu3Sn，且Cu6Sn5/Cu3Sn之比為0.001以上、0.100以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述金屬部份中之Cu、Sn及Bi之重量組成比(Cu：Sn：Bi)係，在三角 圖中，位在藉以A(0.37：0.567：0.063)、B(0.22：0.3276：0.4524)、C(0.79：0.09：0.12)、D(0.89：0.10：0.01)為頂點之四角形包圍的區域內。
  6. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述通孔導體中，前述金屬部份係74.0vol%以上、99.5vol以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述通孔導體中，前述樹脂部份係0.5vol%以上、26.0vol以下。
  8. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其係相對於前述通孔導體全體，前述第一金屬區域及前述第二金屬區域之總重量比例係20%以上、90%以下。
  9. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述樹脂部份具有環氧樹脂之硬化物。
  10. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述通孔導體之比電阻係1.00×10-7Ω．m以上、5.00×10-7Ω．m以下。
  11. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述非壓縮性構件係內部不具有空間之薄膜。
  12. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述非壓縮性構件之厚度係3μm以上、55μm以下。
  13. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述熱硬化性構件係環氧樹脂。
  14. 如申請專利範圍第1項之配線基板，其中前述熱硬化性構件之厚度係1μm以上、15μm以下。
  15. 一種配線基板之製造方法，包含以下步驟：在具有非壓縮性構件及未硬化之熱硬化性構件之 基材的兩側賦予保護薄膜之步驟；在藉前述保護薄膜被覆之前述基材中，自前述保護薄膜之外側穿孔，藉此形成貫穿孔之步驟；在前述貫穿孔中填充具有銅粒子、含有錫與鉍之焊料粒子、及樹脂的通孔糊之步驟；剝離前述保護薄膜，藉此形成前述通孔糊之一部份由前述貫穿孔突出之突出部之步驟；在前述基材之表面配置金屬箔以覆蓋前述突出部之步驟；從前述金屬箔施加壓力至前述通孔糊，藉此使前述樹脂之一部份流動至前述基材之步驟；藉加熱前述通孔糊使前述樹脂硬化來形成通孔導體之同時，藉加熱前述基材使前述熱硬化性構件硬化之步驟，該通孔導體具有：樹脂部份；及金屬部份，該金屬部份具有：第一金屬區域，係以Cu為主成分；第二金屬區域，係以Sn-Cu合金為主成分；及第三金屬區域，係以Bi為主成分，又，前述第二金屬區域比前述第一金屬區域大，且比前第三金屬區域大；及使前述金屬箔圖案化，藉此形成配線之步驟。
  16. 如申請專利範圍第15項之配線基板之製造方法，其中前述非壓縮性構件是內部不具有空間之薄膜。
  17. 如申請專利範圍第15項之配線基板之製造方法，其中前述非壓縮性構件之厚度係3μm以上、55μm以下。
  18. 如申請專利範圍第15項之配線基板之製造方法，其中前述熱硬化性構件係環氧樹脂。
  19. 如申請專利範圍第15項之配線基板之製造方法，其中前述熱硬化性構件之厚度係1μm以上、15μm以下。
TW101149538A 2011-12-26 2012-12-24 配線基板與其製造方法 TW201338650A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011283189 2011-12-26
JP2012128574A JP5099272B1 (ja) 2011-12-26 2012-06-06 多層配線基板とその製造方法
JP2012210809A JP2013153131A (ja) 2011-12-26 2012-09-25 多層配線基板とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201338650A true TW201338650A (zh) 2013-09-16

Family

ID=47528446

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101149538A TW201338650A (zh) 2011-12-26 2012-12-24 配線基板與其製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20140124250A1 (zh)
JP (3) JP5099272B1 (zh)
CN (1) CN103348778A (zh)
TW (1) TW201338650A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797446B (zh) * 2019-05-10 2023-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於異質封裝整合的重構基板結構與製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018100922A1 (ja) * 2016-12-02 2018-06-07 株式会社村田製作所 多層配線基板
CN107257603B (zh) 2017-06-20 2019-11-08 广州兴森快捷电路科技有限公司 孔连接层的制作方法、线路板的制作方法及线路板
JP6357271B1 (ja) * 2017-10-25 2018-07-11 有限会社 ナプラ 柱状導体構造
CN107809842A (zh) * 2017-12-01 2018-03-16 绵阳市奇帆科技有限公司 柔性线路板导电浆料
JP6835051B2 (ja) * 2018-09-26 2021-02-24 日亜化学工業株式会社 回路基板及び部品実装基板、並びに、それらの製造方法
US11581239B2 (en) 2019-01-18 2023-02-14 Indium Corporation Lead-free solder paste as thermal interface material
JP7487471B2 (ja) * 2019-12-13 2024-05-21 株式会社レゾナック 金属ペースト、導電体、並びに、貫通電極を有する基体及びその製造方法
CN113275787B (zh) * 2020-01-31 2023-05-30 铟泰公司 作为热界面材料的无铅焊料膏
CN112616256B (zh) * 2020-12-28 2023-11-17 科惠（佛冈）电路有限公司 一种用于pcb电路板的板面等距打孔设备

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3634984B2 (ja) * 1999-07-30 2005-03-30 京セラ株式会社 配線基板
TW498707B (en) * 1999-11-26 2002-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Wiring substrate and production method thereof
JP2002094200A (ja) * 2000-09-18 2002-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板用電気絶縁材と回路基板およびその製造方法
US6574114B1 (en) * 2002-05-02 2003-06-03 3M Innovative Properties Company Low contact force, dual fraction particulate interconnect
US7427717B2 (en) * 2004-05-19 2008-09-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Flexible printed wiring board and manufacturing method thereof
JP4747707B2 (ja) * 2004-11-09 2011-08-17 ソニー株式会社 多層配線基板及び基板製造方法
JP2006287019A (ja) * 2005-04-01 2006-10-19 Hitachi Metals Ltd 貫通電極付基板およびその製造方法
JP4713682B1 (ja) * 2010-02-25 2011-06-29 パナソニック株式会社 多層配線基板、及び多層配線基板の製造方法
JP4616927B1 (ja) * 2010-02-25 2011-01-19 パナソニック株式会社 配線基板、配線基板の製造方法、及びビアペースト
JP4859999B1 (ja) * 2010-12-21 2012-01-25 パナソニック株式会社 多層配線基板、多層配線基板の製造方法、及びビアペースト
US8723049B2 (en) * 2011-06-09 2014-05-13 Tessera, Inc. Low-stress TSV design using conductive particles

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI797446B (zh) * 2019-05-10 2023-04-01 美商應用材料股份有限公司 用於異質封裝整合的重構基板結構與製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140124250A1 (en) 2014-05-08
JP5099272B1 (ja) 2012-12-19
JP2013153131A (ja) 2013-08-08
JP2013153121A (ja) 2013-08-08
JPWO2013099204A1 (ja) 2015-04-30
CN103348778A (zh) 2013-10-09
JP5333701B1 (ja) 2013-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5333701B1 (ja) 配線基板とその製造方法
JP5333702B1 (ja) フレキシブル配線基板とその製造方法と、これを用いた実装製品と、フレキシブル多層配線基板
JP5382270B1 (ja) 配線基板とその製造方法
TWI393496B (zh) 配線基板、配線基板的製造方法及通孔糊
JP4859999B1 (ja) 多層配線基板、多層配線基板の製造方法、及びビアペースト
JP4713682B1 (ja) 多層配線基板、及び多層配線基板の製造方法
TWI432103B (zh) A wiring substrate, a method for manufacturing a wiring substrate, and a through-hole paste
JP4917668B1 (ja) 多層配線基板、多層配線基板の製造方法
JP5064842B2 (ja) 金属箔、それを用いた金属ベース回路基板、金属ベース多層回路基板の製造方法
JP2015032807A (ja) 合金ビアペーストと合金ビアペーストを用いた配線基板の製造方法
JP4227482B2 (ja) 部品内蔵モジュールの製造方法
JP6835051B2 (ja) 回路基板及び部品実装基板、並びに、それらの製造方法
JP2015032806A (ja) 合金ビアペーストと合金ビアペーストを用いた配線基板の製造方法
WO2013099204A1 (ja) 配線基板とその製造方法
JP2013145815A (ja) 多層配線基板とその製造方法
JP2012138417A (ja) 多層配線基板及びその製造方法
JP6476562B2 (ja) 配線基板および配線基板の製造方法