TW201336130A - 有機ｅｌ元件之製造方法及製造裝置 - Google Patents

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Satoru Yamamoto
Kanako Hida
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Abstract

本發明係提供有機EL元件之製造方法及製造裝置，且可抑制製得之有機EL元件之品質降低。有機EL元件之製造方法係使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層；該製造方法具備一構成層形成程序，係使前述基材沿長向移動，同時以沿該基材移動方向配置之向上蒸鍍部及橫向蒸鍍部，由蒸鍍源噴出氣化材料對前述基材之一面依序進行蒸鍍；該構成層形成程序係具備向上蒸鍍程序、橫向蒸鍍程序及方向轉換程序。

Description

有機EL元件之製造方法及製造裝置 發明領域
本發明係關於有機EL元件之製造方法及製造裝置。
發明背景
近年新一代低耗電發光顯示裝置所用之元件，以有機EL(電子場致發光)廣受矚目。有機EL元件基本上由基材、及設於基材上之具有有機EL層與一對電極層之有機EL元件構成。有機EL層係由包含有機發光材料做成之發光層在內之至少1層構成。此類有機EL元件因有機發光材料得以形成多色發光。又，有機EL元件係自發光元件，故於電視(TV)等顯示器用途上備受關注。
更具體言之，有機EL元件係於基材上由相當於有機EL部件構成層之陽極層、有機EL層及陰極層依序積層形成。
如上述有機EL元件之製造方法中，用以於基材上形成有機EL部件之構成層(以下有時僅以構成層稱之。) 之方法(成膜)，一般已知有真空蒸鍍法或塗佈法。其等之中主要使用真空蒸鍍法，因可提高構成層形成材料之純度，並易獲得高壽命。
上述真空蒸鍍法係使用設於真空腔內與基材相對向位置之蒸鍍源進行蒸鍍，形成構成層。具體言之，以各蒸鍍源所配置之加熱部加熱構成層形成材料使其氣化。繼之，由蒸鍍源噴出業經氣化之構成層形成材料(氣化材料)。藉由該構成層形成材料於基材上蒸鍍構成層，形成該構成層。
該真空蒸鍍法中，若由低成本化等觀點考量，則採用滾筒製程。所謂滾筒製程，係將捲繞成滾筒狀之帶狀基材連續紡出，在使紡出之基材移動的同時，於基材上連續蒸鍍構成層，並將蒸鍍有該構成層之基材捲繞成滾筒狀(參照專利文獻1)。
習知技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2008-287996號公報
但上述滾筒製程中，若將蒸鍍源配置於高於基材之上方，並由該蒸鍍源朝下方向基材噴出氣化材料形成構成層，有時有垃圾等異物由蒸鍍源落下附著於基材上，混入有機EL部件中。此般異物混入有機EL部件之情形若發 生，將對其發光帶來不良影響。
因此，為遏止異物混入，可考慮將蒸鍍源配置於低於基材之下方，並由該蒸鍍源朝上方向基材噴出上述氣化材料形成構成層。
但誠如上述，有機EL元件係由複數構成層積層而成，若欲將全部構成層依序由下方蒸鍍而成，則須將蒸鍍源依序排列於基材下方，並移動基材使其通過全部蒸鍍源上方。
此時，因基材通過蒸鍍源之區域加長，故難以賦予基材充分張力，且基材容易撓曲或振動。且因基材撓曲或振動，若基材之蒸鍍面與蒸鍍源接觸，恐損傷基材或形成於基材上之構成層。又，基材與蒸鍍源之距離若改變，則難以適當控制構成層之厚度，恐無法製得具有所需發光特性之構成層。
另一方面，若為防止基材撓曲或振動而以滾子構件等由下方支持基材，則恐有滾子構件與基材蒸鍍面接觸，損傷業已形成之構成層之虞。
如此一來，若因異物混入或厚度難以控制造成發光不良，或因與蒸鍍源或滾子構件等接觸而損傷基材之蒸鍍面，均將導致有機EL元件之品質降低。
有鑑於上述問題點，本發明之課題即在於提供一種有機EL元件之製造方法及製造裝置，可抑制所製得之有機EL元件之品質降低。
本發明之有機EL元件之製造方法，係使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層；該製造方法具備一構成層形成程序，係使前述基材沿長向移動，同時以沿該基材移動方向配置之至少向上蒸鍍部及橫向蒸鍍部，由蒸鍍源噴出氣化材料對前述基材之一面依序進行蒸鍍；前述構成層形成程序具備下列程序：向上蒸鍍程序，係以前述向上蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由配置於該基材下方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；橫向蒸鍍程序，係以前述橫向蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由配置於該基材側方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；及方向轉換程序，係藉由設於前述向上蒸鍍部與前述橫向蒸鍍部間之導引機構，將由前述向上蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由下方轉換為側方後，導向前述橫向蒸鍍部。
又，本發明之有機EL元件之製造方法，係使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層；該製造方法具備一構成層形成程序，係使前述基材沿長向移動，同時以沿該基材移動方向配置之至少橫向蒸鍍 部及向上蒸鍍部，由蒸鍍源噴出氣化材料對前述基材之一面依序進行蒸鍍；前述構成層形成程序具備下列程序：橫向蒸鍍程序，係以前述橫向蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由配置於該基材側方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；向上蒸鍍程序，係以前述向上蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由配置於該基材下方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；及方向轉換程序，係藉由設於前述橫向蒸鍍部與前述向上蒸鍍部間之導引機構，將由前述橫向蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由側方轉換為下方後，導向前述向上蒸鍍部。
又，上述製造方法中，前述導引機構係具有複數用以支持前述非蒸鍍面之滾子構件；該等滾子構件中至少1個宜沿與前述基材之寬度方向相對呈傾斜之方向配置。
又，上述製造方法中，前述滾子構件中至少1個係宜沿相對於前述寬度方向傾斜45°之方向配置。
本發明之有機EL元件之製造裝置，係用以使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層者，該製造裝置具備有：向上蒸鍍部，係於移動之前述基材下方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由前 述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；橫向蒸鍍部，係於移動之前述基材側方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；及方向轉換部，係設於前述向上蒸鍍部與前述橫向蒸鍍部間，並具備有導引機構，用以將由前述向上蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由下方轉換為側方後，導向前述橫向蒸鍍部者。
有機EL元件之製造裝置，係用以使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層者，該製造裝置具備有：橫向蒸鍍部，係於移動之前述基材側方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；向上蒸鍍部，係於移動之前述基材下方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；及方向轉換部，係設於前述橫向蒸鍍部與前述向上蒸鍍部間，並具備有導引機構，用以將由前述橫向蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由側方轉換為下方後，導向前述向上蒸鍍部者。
1‧‧‧有機EL元件之製造裝置
2‧‧‧輸送裝置
3‧‧‧真空腔
3‧‧‧加熱裝置
4‧‧‧蒸鍍裝置
5‧‧‧基材供給部
5‧‧‧真空室
6‧‧‧基材回收部
7‧‧‧桶式滾子
9a~9l、42a~42e、43a~43c‧‧‧蒸鍍源
19、80‧‧‧有機EL部件
20‧‧‧有機EL元件
21、81‧‧‧基材
21‧‧‧基材供給部
21a‧‧‧蒸鍍面
21b‧‧‧非蒸鍍面
22‧‧‧第1螺旋輸送部
23‧‧‧陽極層
23‧‧‧第2螺旋輸送部
24‧‧‧邊緣覆蓋層
24‧‧‧第1方向轉換部
25‧‧‧有機EL層
25‧‧‧第2方向轉換部
25a‧‧‧電洞注入層
25b‧‧‧電洞傳輸層
25c‧‧‧發光層
25d‧‧‧電子傳輸層
25e‧‧‧電子注入層
26‧‧‧桶式滾子(導引構件)
27‧‧‧陰極層
27‧‧‧基材回收部
29‧‧‧密封層
30a、30b‧‧‧方向轉換部
31‧‧‧熱源
31a、31b‧‧‧導引機構
33a~33d‧‧‧滾子構件
36‧‧‧滾子構件本體
37‧‧‧旋轉構件
38、221c、231c‧‧‧支持構件
39、221d、231d‧‧‧軸桿
40、221e、231e‧‧‧固定構件
41‧‧‧軸承部
41‧‧‧第1蒸鍍部
41a‧‧‧陽極層蒸鍍源
41b‧‧‧邊緣覆蓋層蒸鍍源
42‧‧‧第2蒸鍍部
43‧‧‧基材位置檢測部
43‧‧‧第3蒸鍍部
44‧‧‧旋轉機構
44‧‧‧第4蒸鍍部
44a‧‧‧密封層蒸鍍源
45‧‧‧控制部
46‧‧‧旋轉機構本體
47‧‧‧驅動機構
48‧‧‧連結部
49‧‧‧本體固定部
50‧‧‧驅動固定部
81a‧‧‧蒸鍍面
81b‧‧‧非蒸鍍面
221‧‧‧第1螺旋導引構件
231‧‧‧第2螺旋導引構件
221a、231a‧‧‧導引構件本體
221b、231b‧‧‧轉動構件
221f、231f‧‧‧軸承構件
241、252‧‧‧導引構件(水平導引構件)
242、251‧‧‧導引構件(傾斜導引構件)
A~C‧‧‧蒸鍍部
圖1係大略顯示本發明一實施形態之有機EL元件之製造裝置之概略透視圖。
圖2係大略顯示本發明一實施形態之有機EL元件之製造裝置之概略上視圖。
圖3係由圖1右側觀看圖1右側之導引機構上部周邊之概略平面圖。
圖4係大略顯示在圖1左側之導引機構上移動之基材之非蒸鍍面中與滾子構件直接接觸之位置之概略平面圖。
圖5係大略顯示在圖1右側之導引機構上移動之基材之非蒸鍍面中與滾子構件直接接觸之位置之概略平面圖。
圖6A係大略顯示有機EL元件之層結構之概略截面圖。
圖6B係大略顯示有機EL元件之層結構之概略截面圖。
圖6C係大略顯示有機EL元件之層結構之概略截面圖。
圖7係大略顯示比較例所用之製造裝置之概略側視圖。
圖8所示者係實施例及比較例之測試樣本之外施電壓與發光強度之關係。
圖9係由有機EL元件側拍攝實施例及比較例之測試樣本之照片。
圖10係顯示滾子構件之一實施形態之概略側視圖。
圖11係圖10之XI-XI切線截面圖。
圖12係顯示滾子構件之一實施形態之概略側視圖。
圖13係顯示滾子構件之一實施形態之概略側視圖。
圖14係圖13之XIV-XIV切線截面圖。
圖15係顯示導引機構之一實施形態之概略側視圖。
圖16係圖15之導引機構之概略底視圖。
圖17係用以說明圖15之導引機構之動作之概略側視圖。
圖18係本發明一實施形態之有機EL元件之製造裝置之全體透視圖。
圖19係同一實施形態之導引構件之總圖，並為基材業已掛上之狀態下之前視圖。
圖20係同一實施形態之導引構件之全體前視圖。
圖21所示者係同一實施形態之導引構件依圖20中XXI-XXI切線所得之截面圖。
用以實施發明之形態
以下參照圖式說明本發明之有機EL元件之製造方法及製造裝置之實施形態。
首先，說明本發明之有機EL元件之製造裝置之實施形態。
有機EL元件之製造裝置1，係使帶狀之基材21沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材21形成有機EL部件19。如圖1所示，製造裝置1係具備有相當於向上蒸鍍部之蒸鍍部A、C、相當於橫向蒸鍍部之蒸鍍部B、及具有導引機構31a、31b之方向轉換部30a、30b。
上述蒸鍍部A、C於移動之基材21下方具備蒸鍍源9a、9b、9l、9h~9k。蒸鍍部A、C係使基材21以蒸鍍面21a朝向下方之狀態移動，同時由上述蒸鍍源對蒸鍍面21a噴出 氣化材料以進行蒸鍍，構成向上蒸鍍部。
又，上述蒸鍍部B於移動之基材21側方具備蒸鍍源9c~9g。蒸鍍部B係使基材21以蒸鍍面21a朝向側方之狀態移動，同時由上述蒸鍍源對蒸鍍面21a噴出氣化材料以進行蒸鍍，構成橫向蒸鍍部。
蒸鍍部A~C係沿基材21之移動方向(參照反白箭頭)配置。該等蒸鍍部A~C係由基材21之移動方向上游側向下游側、按蒸鍍部A、B、C之順序配置。
又，如圖1及圖2所示，方向轉換部30a係配置於蒸鍍部A(向上蒸鍍部)與蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)間。方向轉換部30b係配置於蒸鍍部B與蒸鍍部C(向上蒸鍍部)間。關於方向轉換部30a、30b之部分容後再述。
又，製造裝置1具備一基材供給部5，配備有用以供給基材21之基材供給裝置。基材供給部5所供給之基材21將依序供給於蒸鍍部A~C，並通過其等進行移動。此外，製造裝置1並具備一基材回收部6，配備有用以回收基材21之基材回收裝置。通過蒸鍍部C之基材21將由基材回收部6回收。
又，如圖2所示，製造裝置1具備複數個真空腔3。各真空腔3內分別配置有基材供給部5、蒸鍍部A、蒸鍍部B、蒸鍍部C、方向轉換部30a、方向轉換部30b及基材回收部6(參照圖1)。另，上述圖1中，係省略真空腔3後呈現之製造裝置1。
各真空腔3係藉由未予圖示之真空產生裝置使其 內部達到減壓狀態，於其內部形成真空區域。此外，毗連之真空腔3之間係於保持真空狀態下經由未予圖示之開口部相連通。進而，藉由該等開口部，基材21可由基材供給部5依序向下游側移動至基材回收部6。具體言之，由基材供給部5紡出之基材21，係移動通過蒸鍍部A、方向轉換部30a、蒸鍍部B、方向轉換部30b、蒸鍍部C後，經由基材回收部6回收。
基材供給部5係將捲繞成滾筒狀之帶狀基材21紡出後供給於蒸鍍部A~C。又，基材回收部6係將由基材供給部5紡出、並移動通過蒸鍍部A~C之基材21，捲繞成滾筒狀加以回收。即，藉由基材供給部5及基材回收部6，可將基材21紡出及捲繞。
基材21之形成材料，係使用於後述經導引機構31a、31b導向時不會受損之具可撓性材料。此類材料可舉金屬材料、非金屬無機材料或樹脂材料為例。
此類金屬材料，可舉不鏽鋼、鐵-鎳合金等合金、銅、鎳、鐵、鋁、鈦等為例。又，上述鐵-鎳合金則可舉36合金或42合金等為例。若就其等中何者易適用於滾筒製程之觀點而言，則上述金屬材料中以不鏽鋼、銅、鋁或鈦為佳。
上述非金屬無機材料可舉玻璃為例。在本案中，由非金屬無機材料形成之基材，可使用具軟性之薄膜玻璃。
上述樹脂材料可舉熱固性樹脂或熱塑性樹脂等合成樹脂為例。前述合成樹脂，舉例言之，有聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、 聚乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)共聚物樹脂、聚碳酸酯樹脂、矽樹脂、含氟樹脂等。又，此類樹脂材料所形成之基材，舉例言之，可使用上述合成樹脂之薄膜。
基材21之寬度、厚度或長度，可依形成於該基材21上之有機EL部件19之大小、導引機構31a、31b之滾子構件構造等彈性設定，並未特別限定。另，後述相對基材21之寬度方向使後述之滾子構件呈傾斜時，就可抑制滾子構件長條化之觀點言之，基材21之寬度宜窄。
蒸鍍部A、C所配備之蒸鍍源9a、9b、9l、9h~9k，係配置於基材21下方。更詳而言之，於蒸鍍部A、C，基材21係呈其蒸鍍面21a朝向下方之狀態沿略水平方向移動。又，配置於蒸鍍部A、C之上述蒸鍍源，係呈各蒸鍍源之開口於真空腔3內與基材21之蒸鍍面21a相對向之狀態配置。
蒸鍍部B所配備之蒸鍍源9c~9g，係配置於基材21側方。更詳而言之，於蒸鍍部B，基材21係繞掛於具有沿垂直方向設置之旋轉軸(未予圖示)之桶式滾子7並受其支持。基材21係隨著桶式滾子7之移動，以蒸鍍面21a朝向側方之狀態移動。配置於蒸鍍部B之上述蒸鍍源，係呈各蒸鍍源之開口於真空腔3內與基材21之蒸鍍面21a相對向之狀態配置。
進而，各蒸鍍源9a~9l係分別具有加熱部(未予圖示)，各加熱部將各蒸鍍源所收容之上述材料加熱使其氣化，由開口朝上噴出各業經氣化之材料(氣化材料)。
各蒸鍍部A~C中蒸鍍源依需形成之層設置1個以上即可。本實施形態係於蒸鍍部A配置有蒸鍍源9a、9b、9l，於蒸鍍部B配置有蒸鍍源9c~9g，於蒸鍍部C配置有蒸鍍源9h~9k。又，蒸鍍源9a~9l係配置於接近基材21之位置。即，配置於蒸鍍源9a~9l之開口端(噴嘴)與基材21間之距離(最短距離)為10mm以下之位置。
配置於蒸鍍部A之蒸鍍源9a，係使陽極層形成材料氣化後噴出，藉以於基材21上之蒸鍍面21a形成陽極層23(參照圖6A至圖6C)。此外，配置於該蒸鍍部A之蒸鍍源9b係使邊緣覆蓋層形成材料氣化後噴出，形成用以覆蓋陽極層23周緣之邊緣覆蓋層24(參照圖6A至圖6C)。藉由該邊緣覆蓋層覆蓋陽極層23周緣，可防止陽極層23與陰極層27接觸。
又，配置於蒸鍍部B之蒸鍍源9c~9g，則形成用以構成有機EL層25之5層有機EL層構成層(參照圖6A至圖6C)。
進而，配置於蒸鍍部C之蒸鍍源9h~9j，係形成用以構成陰極層27之3個陰極層構成層，配置於該蒸鍍部C之蒸鍍源9k則形成密封層29(參照圖6A至圖6C)。藉由該密封層29覆蓋陽極層23、有機EL層25及陰極層27，可防止該等各層與空氣接觸。
另，本實施形態中，配置於蒸鍍部A之蒸鍍源9l係備用配置，但亦可使用該蒸鍍源形成其他構成層。
陽極層23由1個以上之陽極層構成層形成即可，用以形成該陽極層構成層之材料有金、銀、鋁等。圖1所示 之裝置構造中，舉例言之，陽極層23係由1個Al層形成。
有機EL層25由1個以上之有機EL層構成層構成即可。圖1所示之裝置構造中，有機EL層25係做成一由5個有機EL層構成層構成之5層積層體。以圖6A所示者為例，該等有機EL層構成層係由陽極層23側開始按電洞注入層25a、電洞傳輸層25b、發光層25c、電子傳輸層25d及電子注入層25e之順序積層。另，有機EL層25除有機EL層構成層中至少應具有發光層25c外，並無特別限定其層構造。此外，以圖6C所示者為例，有機EL層亦可按電洞注入層25a、發光層25c及電子注入層25e之順序積層形成3層積層體。又，亦可視需要將上述圖6A之5層中去除電洞傳輸層25b或電子傳輸層25d，形成4層積層體。進而，亦可如圖6B所示，僅由發光層25c一層構成有機EL層。
用以形成電洞注入層25a之材料，舉例言之，可使用銅酞青(CuPc)、4,4’-雙[N-4-(N,N-二間甲苯基胺基)苯基]-N-苯胺基]聯苯(DNTPD)、HAT-CN等。
用以形成電洞傳輸層25b之材料，舉例言之，可使用4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯基-胺基]聯苯(α-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-雙(3-甲基苯基)-1,1’聯苯-4,4’二胺(TPD)等。
用以形成發光層25c之材料，舉例言之，可使用參(8-羥喹啉)鋁(Alq3)、摻雜有銥錯合物(Ir(ppy)3)之4,4’-N,N’-二咔唑基聯苯(CBP)等。
用以形成電子注入層25d之材料，舉例言之，可使用氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Ii2O)等。
用以形成電子傳輸層25e之材料，舉例言之，可使用參(8-羥喹啉)鋁(Alq3)、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)-4-苯基苯酚基-鋁(BAlq)、OXD-7(1,3-雙[5-(對三級丁基苯基)-1,3,4-□二唑-2-基])苯、氟化鋰(LiF)等。
陰極層27由1個以上之陰極層構成層形成即可。用以形成陰極層構成層之材料，可使用氟化鋰(LiF)，或使用含鎂(Mg)、銀(Ag)等之合金等。圖1所示之裝置構造中，例如陰極層27係形成於有機EL層上、由LiF層與Mg層、Ag層或Mg-Ag合金層等構成之3層積層體。
用以形成邊緣覆蓋層24之材料，有：氧化矽(SiOx)、三氧化鉬(MoO3)、五氧化釩(V2O5)等。用以形成密封層29之材料，有：三氧化鉬(MoO3)、氧氮化矽(SiNOx)、含氧碳化矽(SiOC)等。所謂SiOx，可舉SiO2等為例，所謂SiNOx，可舉SiNO等為例。
分別構成上述陽極層23、有機EL層25及陰極層27等之各層之厚度，通常設定為數nm~數十nm左右，但此厚度宜依所用之構成層形成材料、或發光特性等彈性設計，並未特別限定。又，上述邊緣覆蓋層24或密封層29之厚度亦無特別限制，但凡可達成其等目的，且無礙上述陽極層23、有機EL層25及陰極層27之形成或有機EL元件之發光之前提下適當設定即可。
方向轉換部30a、30b係具備有導引機構31a、31b。
導引機構31a係用以將由蒸鍍部A送來之基材21，由該基材21之非蒸鍍面21b側施以支持使該非蒸鍍面 21b作為內周面並使蒸鍍面21a之朝向由下方轉換為側方後，導向蒸鍍部B。
又，導引機構31b係用以將由蒸鍍部B送來之基材21，由該基材21之非蒸鍍面21b側施以支持使該非蒸鍍面21b作為內周面並使蒸鍍面21a之朝向由側方轉換為下方後，導向蒸鍍部C。
該等導引機構31a、31b中，首先針對導引機構31a再進一步詳細說明。
如圖1、圖2、圖4所示，導引機構31a具有複數個滾子構件33a、33b。該等滾子構件33a、33b係用以將基材21導向預定方向之導引構件。滾子構件33a係沿略水平方向、且沿基材21之寬度方向(相對長向成垂直之方向)配置。滾子構件33b係相對於基材21之移動方向傾斜角度θ(此處為45°)配置。
其中，滾子構件相對於基材21寬度方向之角度θ，係指基材21非蒸鍍面21b之基材21寬度方向(圖4之左右方向)中朝該基材21上游側(圖4之下方向)傾斜之角度θ。
又，滾子構件33a於導引機構31a中係配置於下方。滾子構件33b係配置於滾子構件33a上方，相對於水平方向向上傾斜45°。
由蒸鍍部A送來之基材21，係呈其非蒸鍍面21b與滾子構件33a及滾子構件33b直接接觸之狀態搭架於該等滾子構件上。基材21之非蒸鍍面21b係於該等滾子構件之支持下導向下游側。
具體言之，首先，基材21係以滾子構件33a為支軸略垂直彎曲向上朝滾子構件33b移動。繼之基材21以滾子構件33b為支軸略垂直彎曲向側方(圖1之後方)朝蒸鍍部B移動。藉由以該等滾子構件33a、33b為支軸形成彎曲，可使基材21之蒸鍍面21a之朝向，從由滾子構件33a支持前之下方轉換為朝向側方。
如此一來，藉由導引機構31a，基材21係由非蒸鍍面21b側施以支持使基材21之非蒸鍍面21b作為內周面，同時彎曲使蒸鍍面21a之朝向由下方轉換為側方。基材21於蒸鍍面21a之朝向業經轉換之狀態下送往蒸鍍部B。
其次，針對導引機構31b再進一步詳細說明。
如圖1~圖3、圖5所示，導引機構31b具有與導引機構31a同樣之滾子構件構造。即，導引機構31b具有滾子構件33c、33d。該等滾子構件33c、33d係分別對應導引機構31a之滾子構件33b、33a。又，導引機構31b同於導引機構31a，基材21係搭架於滾子構件33c、33d上，但通過滾子構件33c、33d之基材21之移動方向，係與導引機構31a為相反方向。其他結構則與導引機構31a相同，故予以省略說明。
該導引機構31b中，由蒸鍍部B送來之基材21，係以滾子構件33c、滾子構件33d由非蒸鍍面21b側施以支持並導向下游側。
具體言之，首先，基材21係以滾子構件33c為支軸略垂直彎曲向下朝滾子構件33d移動。繼之基材21以滾子構件33d為支軸略垂直彎曲向側方(圖1之右方)朝蒸鍍部C 移動。藉由以該等滾子構件33c、33d為支軸形成彎曲，可使基材21之蒸鍍面21a之朝向，從由滾子構件33c支持前之側方轉換為朝向下方。
另，上述導引機構，可將由向上蒸鍍部送來之基材21形成彎曲，由蒸鍍面21a朝向下方之狀態轉換為朝向側方之狀態，則藉由反轉基材21之移動方向，可與上述相反，將由橫向蒸鍍部送來之基材21形成彎曲，由蒸鍍面21a朝向側方之狀態轉換為朝向下方之狀態。即，利用相同構造之導引機構，調轉基材21之移動方向，可使蒸鍍面21a之朝向由側方轉換為下方，亦可由下方轉換為側方。
另，滾子構件33b及33c宜如圖10至圖17所示，具備有一圓柱狀之滾子構件本體36與複數個旋轉構件37，旋轉構件37係突出於該滾子構件本體36外側，由該滾子構件本體36之外表面部支持形成可旋轉之狀態且可以周面支持基材21。即，宜具備具有滾子構件本體36與旋轉構件37之軸承構造。
由於滾子構件33b及33c具備上述軸承構造，故可減少基材21以該滾子構件為支軸移動時，該滾子構件與基材21間產生之摩擦。藉此，可有效防止基材21接觸該滾子構件之區域(接觸區域)於該滾子構件之長向上滑移。進而，因可如上所述防止接觸區域之滑移，故亦可採用充分加長該滾子構件，使基材21以螺旋狀捲繞該滾子構件之狀態移動之構造。如此一來，將增加該滾子構件與基材21之接觸區域，因而具有基材之移動(輸送)更穩定之優點。
圖10及圖11中，旋轉構件37為圓柱狀之滾針，滾子構件33b及33c則具備具有滾子構件本體36與等同滾針之旋轉構件37之滾針軸承構造。
再具體言之，圖10及圖11所示之複數轉動構件37係於導引構件33c(33b)之外周部沿周向並列，供基材21橫跨搭接。因此，若基材21於導引構件33c(33b)外周部沿周向懸掛，則導引構件33c(33b)之旋轉方向與基材21之輸送方向一致。另，如圖16所示，該導引構件33c(33d)係具備有具有與上述實施形態(參照圖10)之導引構件33c(33b)同樣機能之導引構件本體36、支持構件38、軸桿39、固定構件40及軸承部41。
圖12中，與圖10同樣具有相當於滾針之旋轉構件37。旋轉構件37係呈螺旋狀配置於滾子構件本體36。
再具體言之，圖12所示之複數個轉動構件37係於導引構件33c(33b)之外周部沿螺旋方向並列，供基材21橫跨搭接。因此，若基材21於導引構件33c(33b)外周部沿螺旋方向懸掛，則導引構件33c(33b)之旋轉方向與基材21之輸送方向一致。另，該導引構件33c(33d)係具備導引構件本體36，且具有未予以圖示但與上述實施形態(參照圖10)之導引構件33c(33b)同樣機能之支持構件38、軸桿39、固定構件40及軸承部41。
又，圖13至圖17中，旋轉構件37係球狀之球體。滾子構件33b及33c則具備具有滾子構件本體36與等同球體之旋轉構件37之滾珠軸承構造。
再具體言之，如圖13及圖14所示，各轉動構件37係配置呈一部分由導引構件本體36突出於導引構件本體36之徑向外部，一部分由導引構件本體36突出於導引構件本體36之徑向內部之狀態。因此，前述各導引構件33b、33c形成外周面為凹凸狀之狀態。
複數轉動構件37係並列形成，基材21將接觸其由導引構件本體36突出於徑向外部之部位。因此，基材21係橫跨複數轉動構件37與之搭接。換言之，基材21係掛於導引構件33b、33c之外周部，呈直接接觸複數轉動構件37且與導引構件本體36隔離之狀態。又，各轉動構件37係配置成由導引構件本體36突出於徑向內部之部位接觸支持構件38外周部之狀態。本實施形態中，各轉動構件37係三自由度旋轉自如之球狀體。
支持構件38係以外周部支持各轉動構件37。藉此，各轉動構件37即使承受由搭接之基材21向導引構件本體36之徑向內部施加之力，仍可防止其自導引構件本體36脫離，或向導引構件本體36之徑向內部偏位。
又，支持構件38係呈可藉由軸承部41、41以軸線方向(軸桿39)為中心旋轉之構造。因此，各轉動構件37隨基材21之輸送而轉動時，支持構件38因與各轉動構件37產生摩擦力開始旋轉，藉此可使各轉動構件37形成穩定之旋轉速度(使旋轉速度大略相同)。
又，各導引機構31a(31b)係如圖15、圖16所示，具備有一用以檢測沿螺旋方向掛於導引構件33b(33c)外周 部之基材21之位置之基材位置檢測部43、一以與導引構件33b(33c)之軸線方向交叉之方向為中心使導引構件33b(33c)旋轉之旋轉機構44、及一依據基材位置檢測部43所測出之基材21位置控制旋轉機構44之控制部45。
基材位置檢測部43係配置於導引構件33b(33c)下游側。此外基材位置檢測部43係用以檢測基材21之寬度方向位置。本實施形態中，基材位置檢測部43係CCD攝影機。另，基材位置檢測部43亦可為配置於基材21之寬度方向兩側之一對光電感測器。總而言之，基材位置檢測部43係一可檢測基材21位置之構造即可。
旋轉機構44係具備一用以固定導引構件33b(33c)之軸桿39兩端部之旋轉機構本體46、一用以使旋轉機構本體46旋轉變位之驅動機構47、及一用以使驅動機構47與旋轉機構本體46連結形成可旋轉狀態之連結部48。本實施形態中，驅動機構47係藉由驅動使氣缸伸縮。另，驅動機構47係一可使旋轉機構本體46旋轉變位之構造即可。
此外，旋轉機構44並具備一用以固定旋轉機構本體46使其可相對於真空腔3旋轉之本體固定部49、及一用以固定驅動機構47使其可相對於真空腔3旋轉之驅動固定部50。另，對於由導引構件33b(33c)之軸線方向一方(圖15之右側)沿螺旋方向掛於導引構件33b(33c)上之基材21，本體固定部49係將旋轉機構本體46之一方側對真空腔3固定，使導引構件33b(33c)可以軸線方向一方(圖15之右側)為中心旋轉。
控制部45係由基材位置檢測部43所測出之基材21位置資訊，判斷基材21是否偏位。且控制部45判定基材21相對於預期位置產生偏位時，則如圖17所示，藉由驅動機構47之驅動使旋轉機構本體46旋轉，具體言之係使導引構件33b(33c)按預定角度旋轉。
依據本實施形態之製造方法，係由基材位置檢測部43檢測沿螺旋方向掛於導引構件33b(33c)外周部之基材21之寬度方向位置。繼之，控制部45根據基材位置檢測部43所測出之基材21位置控制旋轉機構44，使導引構件33b(33c)以與導引構件33b(33c)軸線方向交叉之方向為中心進行旋轉。
如此一來，基材21之位置偏離預期位置時，控制部45可藉由旋轉機構旋轉導引構件33b(33c)，調整基材21之位置。因此，可防止基材21蛇行。
整理上述說明後，本發明之特徵如下。可支持並導引帶狀之基材、且供該基材掛於外周部之導引構件，係具備複數並列於外周部可與前述基材相接且轉動自如之轉動構件(旋轉構件)。
根據本發明之導引構件，複數轉動構件係並列於外周部，且輸送之基材將接觸複數轉動構件。因此，舉例言之，相較於外周面平滑之圓柱狀體之滾子構件，可縮小與基材接觸之面積，故可抑制與基材間產生之摩擦力。
進而，轉動構件係呈轉動自如之狀態，故轉動構件亦可隨基材之輸送而轉動。因此，可更有效抑制與基材 間產生之摩擦力。
各轉動構件係以三自由度旋轉自如之球狀體。因此，各轉動構件可以任何方向旋轉，故無論基材以任何方向掛於導引構件外周部，轉動構件皆可朝基材之輸送方向旋轉。
前述複數轉動構件係分別以軸線方向為中心旋轉自如之圓柱狀體，並於前述導引構件之外周部沿螺旋方向並列。抑或，前述複數轉動構件係分別以軸線方向為中心旋轉自如之圓柱狀體，並於前述導引構件之外周部沿周向並列。
藉此，可縮小掛於導引構件外周部之基材與導引構件之接觸面積，故可抑制導引構件與基材間產生之摩擦力。
導引機構係具備一導引構件、一用以檢測沿螺旋方向掛於前述導引構件外周部之前述基材之寬度方向位置之基材位置檢測部、一以與前述導引構件之軸線方向交叉之方向為中心使前述導引構件旋轉之旋轉機構、及一依據前述基材位置檢測部所測出之基材位置控制前述旋轉機構之控制部。
依據本發明之導引機構，係由基材位置檢測部檢測沿螺旋方向掛於導引構件外周部之基材之寬度方向位置。繼之，控制部根據基材位置檢測部所測出之基材位置控制旋轉機構，使導引構件以與導引構件之軸線方向交叉之方向為中心進行旋轉。如此一來，基材之位置偏離預期 位置時，控制部可藉由旋轉機構旋轉導引構件，調整基材之位置。因此，可防止基材21蛇行。
對輸送中之帶狀基材蒸鍍氣化材料，於該基材一面之蒸鍍面形成有機EL部件之構成層之有機EL元件製造方法中，係具備一藉由導引構件，轉換前述基材之前述蒸鍍面朝向之方向轉換程序。
其次，針對用有上述製造裝置之有機EL元件之製造方法之實施形態進行說明。
本實施形態之有機EL元件之製造方法，係使帶狀之基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材21形成有機EL部件19之構成層。
該製造方法具備一構成層形成程序，係使基材21沿長向移動，同時以沿該基材21移動方向配置之蒸鍍部A~C(至少向上蒸鍍部及橫向蒸鍍部)，由蒸鍍源9a~9k噴出氣化材料對基材21之一面依序進行蒸鍍。
又，上述構成層形成程序具備下列程序：向上蒸鍍程序，係以蒸鍍部A(向上蒸鍍部)，令基材21呈蒸鍍面21a朝向下方之狀態移動同時由配置於該基材21下方之蒸鍍源9a、9b對蒸鍍面21a噴出前述氣化材料進行蒸鍍；橫向蒸鍍程序，係以蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)，令基材21呈蒸鍍面21a朝向側方之狀態移動同時由配置於該基材21側方之蒸鍍源9c~9g對蒸鍍面21a噴出前述氣化材料進行蒸鍍；及，方向轉換程序，係藉由設於蒸鍍部A與蒸鍍部B間之導引機構30a，將由蒸鍍部A送來之基材21，由該基材21之非蒸鍍面 21b側施以支持使該非蒸鍍面21b作為內周面並使蒸鍍面21a之朝向由下方轉換為側方後，導向蒸鍍部B。
進而，前述構成層形成程序具備下列程序：橫向蒸鍍程序，係以蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)，令基材21呈蒸鍍面21a朝向側方之狀態移動同時由配置於該基材21側方之蒸鍍源9c~9g對蒸鍍面21a噴出前述氣化材料進行蒸鍍；向上蒸鍍程序，係以蒸鍍部C(向上蒸鍍部)，令基材21呈蒸鍍面21a朝向下方之狀態移動同時由配置於該基材21下方之蒸鍍源9h~9k對蒸鍍面21a噴出前述氣化材料進行蒸鍍；及，方向轉換程序，係藉由設於蒸鍍部B與蒸鍍部C間之導引機構30b，將由蒸鍍部B送來之基材21，由該基材21之非蒸鍍面21b側施以支持使該非蒸鍍面21b作為內周面並使蒸鍍面21a之朝向由側方轉換為下方後，導向蒸鍍部C。
就本實施形態具體舉例言之，首先係將捲繞成滾筒狀之基材21由基材供給部5紡出。
繼之，於蒸鍍部A，令紡出之基材21移動，同時由蒸鍍源9a朝上方對該基材21之下面(蒸鍍面)噴出陽極層形成材料形成陽極層23(例如Al層)，並由蒸鍍源9b噴出邊緣覆蓋層形成材料覆蓋陽極層23周緣，藉以形成邊緣覆蓋層24(向上蒸鍍程序)。
繼之，藉由導引機構31a，將由上游側之蒸鍍部A(向上蒸鍍部)送來之蒸鍍面21a朝向下方之基材21，由基材21之非蒸鍍面21b側施以支持使該非蒸鍍面21b作為內周面，並使蒸鍍面21a之朝向轉彎，轉換為朝向側方後，於蒸 鍍面21a朝向側方之狀態下導向下游側之蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)(方向轉換程序)。
於蒸鍍部B，使由導引機構31a送來之基材21移動，同時由配置於該基材21側方之蒸鍍源9c~9g對基材21之蒸鍍面21a噴出有機EL層構成層形成材料，形成5層有機EL層構成層(例如電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層)(橫向蒸鍍程序)。
繼之，藉由導引機構31b，將由上游側之蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)送來之蒸鍍面21a朝向側方之基材21，由基材21之非蒸鍍面21b側施以支持使該非蒸鍍面21b作為內周面，並使蒸鍍面21a之朝向轉彎，轉換為朝向下方後，於蒸鍍面21a朝向下方之狀態下導向下游側之蒸鍍部C(向上蒸鍍部)(方向轉換程序)。
於蒸鍍部C，使由導引機構31b送來之基材21移動，同時由配置於該基材21下方之蒸鍍源9h~9j朝上方對基材21之蒸鍍面21a噴出陰極層形成材料，形成由3層陰極層構成層組成之陰極層27(例如LiF層、Mg層、Ag層)，並由蒸鍍源9k向上方噴出密封層形成材料形成密封層(例如MoO3層)29(向上蒸鍍程序)。
經上述程序，可於基材21上形成有機EL部件19。且，於基材21上形成有機EL部件19時，由基材捲繞部6捲收形成有該有機EL部件19之基材21。
如此一來即可製造有機EL元件20。另，本實施形態中，有機EL元件20具備基材21、有機EL部件19、邊緣 覆蓋層24及密封層29。有機EL部件19具備有陽極層23、有機EL層25及陰極層27。
根據該製造方法，上游側之蒸鍍部為蒸鍍部A(向上蒸鍍部)時，可於基材21之朝向下方之蒸鍍面21a，由蒸鍍源9a、9b朝上方噴出氣化材料形成構成層後，將形成有該構成層之基材21藉由導引機構31a使蒸鍍面21a之朝向由下方轉換為側方，以蒸鍍面21a朝向側方之狀態將基材21導向下游側之蒸鍍部B。接著，於該下游側之蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)，可藉由蒸鍍源9c~9g由側方對基材21之朝向側方之蒸鍍面21a噴出氣化材料繼續形成構成層。
另一方面，上游側之蒸鍍部為蒸鍍部B(橫向蒸鍍部)時，可於基材21之朝向側方之蒸鍍面21a，由蒸鍍源9c~9g朝側方噴出氣化材料形成構成層後，將形成有該構成層之基材21藉由導引機構31b使蒸鍍面21a之朝向由側方轉換為下方，以蒸鍍面21a朝向下方之狀態將基材21導向下游側之蒸鍍部C(向上蒸鍍部)。接著，於蒸鍍部C，可藉由蒸鍍源9h~9k由下方對基材21之朝向下方之蒸鍍面21a噴出氣化材料繼續形成構成層。
由此可知，於各蒸鍍部A~C，藉由蒸鍍源9a~9k(或9a~9l，以下皆同。)朝下方及側方噴出氣化材料，可防止由蒸鍍源9a~9j落下之異物混入，故可防止因此類異物混入造成發光不良。
又，以蒸鍍部A~C間(向上蒸鍍部與橫向蒸鍍部間)支持基材21，可賦予基材21所需之張力，並可抑制基材21之撓 曲或振動。藉此，可抑制基材21之蒸鍍面21a因與蒸鍍源9a~9k接觸而損傷。進而，可抑制基材21與蒸鍍源9a~9k之距離改變並適當控制構成層之厚度。因此可抑制發光特性降低。
且，藉由支持基材21之非蒸鍍面21b，可抑制基材之蒸鍍面21a受損。
因此，可製造出得以抑制品質降低之有機EL元件20。
進而，各蒸鍍部A~C間係配置有導引機構31a、31b，藉由導引機構31a、31b，在經過導引機構31a、31b導向前與導向後，由上方俯視基材21可見移動方向產生改變。藉此，可將各蒸鍍部A~C配置於所需之位置。因此，可提高蒸鍍部A~C之布局自由度。此外，並可有效利用製造場所之空間。
又，本實施形態中，導引機構31a、31b係具有用以支持非蒸鍍面21b之複數個滾子構件33a~33d。各導引機構之滾子構件中至少1個係沿相對於基材寬度方向傾斜之方向配置。如此一來，即可藉由組合滾子構件之簡單構造，使基材21之蒸鍍面21a之朝向如上述一般容易變更，因此效率更佳。
又，本實施形態中，上述滾子構件中至少1個係沿相對於基材21寬度方向傾斜45°之方向配置。藉此，可防止滾子構件之組合複雜化，並可防止裝置大型化。
本發明之有機EL元件之製造方法及製造裝置係如上述，但本發明並非以上述實施形態為限，凡於本發明 技術思想所涉之範圍內均可彈性變更設計。舉例言之，導引機構之構造非以上述實施形態為限，在可將由上游側之蒸鍍部送來之基材，由該基材之非蒸鍍面施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使蒸鍍面之朝向由下方轉換為側方、或由側方轉換為下方後，以蒸鍍面之朝向業經轉換之狀態將基材導向下游側之蒸鍍部之前提下，可採用別種滾子構件之配置、數量及其等之組合。此外，上述實施形態係將完成蒸鍍程序之基材捲起，但亦可不捲起該基材並送往裁切等程序。
其次再舉實施例更進一步詳細說明本發明，但本發明並非以其等為限。
(實施例)
利用與圖1所示之製造裝置1相同之製造裝置，構成1層陽極層、5層有機EL層、1層陰極層。又，將各蒸鍍源與基材之最短距離設為2mm。利用該製造裝置，於基材(SUS)21上依序蒸鍍陽極層(Al)、邊緣覆蓋層(SiO2)、電洞注入層(HAT-CN)、電洞傳輸層(α-NPD)、發光層(Alq3)、電子傳輸層(LiF)、電子注入層(LiF)、陰極層(Mg-Ai合金)、密封層(MoO3)，製成有機EL元件。
將製得之有機EL元件裁成30cm(基材之移動方向)×3.8cm(基材之寬度方向)製成測試樣本，並對製得之測試樣本之陽極層及陰極層施加電壓，調查外施電壓(V)與發光強度(cd/m2)之關係。發光強度係以有機EL發光效率檢測裝置(EL-1003，PRECISE GAUGES公司(日文原文： 社)製)進行測量。又，以數位顯微鏡(VHX-1000，基恩斯KEYENCE公司(日文原文：社)製造)由有機EL部件側觀察施加電壓後之測試樣本並拍攝照片。所得之外施電壓與發光強度之關係顯示於圖8，施加電壓後之測試樣本之照片顯示於圖9。
如圖8所示，可見對製得之有機EL元件之陽極層及陰極層施加電壓時未發生電流洩漏之情形，如圖9所示，施加電壓後，無電流洩漏造成有機EL部件受破壞之情形。
(比較例)
使用與圖7所示之製造裝置100相同之製造裝置。即，所用之製造裝置具備有呈直線狀配置之蒸鍍部A~C，且蒸鍍部A~C間未設有導引機構，除此之外則與圖1相同。另，圖7所示之製造裝置省略呈現真空腔。
繼之，利用該製造裝置，按與實施例同樣之程序製作有機EL元件時，因基材撓曲，基材之蒸鍍面接觸蒸鍍源，以致基材之蒸鍍面形成擦傷。又，同於實施例，由製得之有機EL元件做成測試樣本並進行評價。評價所得之外施電壓與發光強度之關係顯示如圖8，施加電壓後之測試樣本之照片顯示如圖9。如圖8所示，可見比較例因基材之蒸鍍面形成上述擦傷，以致電流洩漏。此外，由於產生該電流洩漏之情形，故施加電壓後，如圖9所示造成有機EL部件之破壞。
由以上結果可知，藉由本發明之有機EL元件之製造方法及製造裝置，可製得得以抑止品質降低之有機EL 元件。
本發明係如上述，但本發明並非以上述實施形態為限，凡於本發明技術思想所涉之範圍內均可彈性變更設計。
又，關於上述實施形態之導引構件33b、33c，係說明一種支持構件38可相對軸桿39旋轉之構造，但並非以此構造為限。舉例言之，可為支持構件38固定於軸桿39，而由轉動構件37旋轉，或相對軸桿39不旋轉之構造。
又，關於上述實施形態之導引構件33b、33c，係說明一種導引構件本體36固定於軸桿39，即使於輸送基材21時亦不會相對軸桿39旋轉之構造，但並非以此構造為限。舉例言之，導引構件本體36可為可相對軸桿39旋轉之構造，並隨基材21之輸送而相對軸桿39旋轉。
又，關於上述實施形態之導引構件33b、33c，係說明一種複數個轉動構件37並列形成於導引構件本體36周向全區及軸線方向(長向)全區之構造，但並非以此構造為限。轉動構件37至少並列形成於導引構件33b、33c之與基材接觸之區域即可。
又，導引機構之構造亦可採用將導引構件之配置、數量及其等之組合加以變更之構造。進而，上述實施形態係將完成蒸鍍程序之基材捲起，但亦可不捲起該基材並送往裁切等程序。
圖18至圖21所示者係本發明之有機EL元件之製造裝置之另一實施形態。
如圖17所示，本實施形態之有機EL元件之製造裝置(以下僅稱「製造裝置」)1，係具有用以將帶狀基材81沿長向輸送之輸送裝置2、用以加熱基材81之加熱裝置3、及用以於所輸送之基材81某一面亦即蒸鍍面81a蒸鍍氣化材料之蒸鍍裝置4。又，製造裝置1並具備一以真空狀態收容各裝置2~4之真空室5。
輸送裝置2係具備用以將捲成滾筒狀之帶狀基材81紡出供給之基材供給部21、及可供基材81於導引構件(以下亦稱「螺旋導引構件」)221、231外周部沿螺旋方向捲繞一圈以上(本實施形態中係兩圈)之一對螺旋輸送部22、23。
且，輸送裝置2並具備用以轉換基材81之蒸鍍面81a之朝向之一對方向轉換部24、25、以垂直方向之旋轉軸旋轉並用以將基材81捲掛於外周部給予支持之桶式滾子(導引構件)26、及用以將基材81捲成滾筒狀回收之基材回收部27。
另，輸送裝置2係由上游側依序配置基材供給部21、第1螺旋輸送部22、第1方向轉換部24、桶式滾子26、第2方向轉換部25、第2螺旋輸送部23、基材回收部27。又，基材81係以蒸鍍面81a朝向下方之狀態由基材供給部21開始輸送，並藉由第1方向轉換部24使蒸鍍面81a轉成朝向側方之狀態後，藉由第2方向轉換部25使蒸鍍面81a再次轉成朝向下方之狀態，並輸送至基材回收部27。
第1螺旋輸送部22係將第1螺旋導引構件221沿水平方向配置。且，第1螺旋導引構件221係由外周部之下方側 與由基材供給部21送來之基材81相接，於外周部捲繞兩次(兩圈)後，由外周部之下方側離開，朝第1方向轉換部24輸送。因此，基材81通過第1螺旋導引構件221之下方側三次。
第2螺旋輸送部23係將第2螺旋導引構件231沿水平方向配置。且，第2螺旋導引構件231係由外周部之下方側與由第2方向轉換部25送來之基材81相接，於外周部捲繞兩次(兩圈)後，由外周部之下方側離開，朝基材回收部27輸送。因此，基材81通過第2螺旋導引構件231之下方側三次。
各螺旋導引構件221(231)係如圖19至圖21所示，具備用以構成外周部之圓筒狀導引構件本體221a(231a)。各螺旋導引構件221(231)具有收容於導引構件本體221a(231a)中且轉動自如之複數轉動構件221b(231b)、及配置於導引構件本體221a(231a)內部並用以由徑向內部支持各轉動構件221b(231b)之筒狀支持構件221c(231c)。
又，各螺旋導引構件221(231)並具有端部固定於基部構件222(232)之軸桿221d(231d)，該基部構件222(232)係固定於真空室5。進而，各螺旋導引構件221(231)具有用以將導引構件本體36固定於軸桿221d(231d)之固定構件221e(231e)，以防止輸送基材81時導引構件本體221a(231a)產生旋轉。各螺旋導引構件221(231)並具有用以支承支持構件221c(231c)呈可旋轉狀態之軸承構件221f(231f)。
各轉動構件221b(231b)係配置成一部分由導引構件本體221a(231a)突出於導引構件本體221a(231a)之徑向 外部之狀態。各轉動構件221b(231b)並配置成一部分由導引構件本體221a(231a)突出於導引構件本體221a(231a)之徑向內部之狀態。因此，各螺旋導引構件221(231)形成外周面為凹凸狀之狀態。
且，複數轉動構件221b(231b)係並列形成，基材81將接觸由導引構件本體221a(231a)突出於徑向外部之部位。因此，基材81係橫跨複數轉動構件221b(231b)與之搭接。換言之，基材81係掛於各螺旋導引構件221(231)之外周部，呈直接接觸複數轉動構件221b(231b)且與導引構件本體221a(231a)隔離之狀態。
又，各轉動構件221b(231b)係配置成由導引構件本體221a(231a)突出於徑向內部之部位接觸支持構件221c(231c)外周部之狀態。本實施形態中，各轉動構件221b(231b)係三自由度旋轉自如之球狀體。
支持構件221c(231c)係以外周部支持各轉動構件221b(231b)。藉此，各轉動構件221b(231b)即使承受由搭接之基材81向導引構件本體221a(231a)之徑向內部施加之力，仍可防止其自導引構件本體221a(231a)脫離，或向導引構件本體221a(231a)之徑向內部偏位。
又，支持構件221c(231c)係呈可藉由軸承構件221f(231f)以軸線方向(軸桿221d(231d))為中心旋轉之構造。因此，各轉動構件221b(231b)隨基材81之輸送而轉動時，支持構件221c(231c)因與各轉動構件221b(231b)產生摩擦力開始旋轉，藉此可使各轉動構件221b(231b)形成穩定之 旋轉速度(使旋轉速度大略相同)。
回到圖1，第1方向轉換部24係具備一沿水平方向配置之導引構件(以下亦稱「水平導引構件」)241。此外，第1方向轉換部24並於水平導引構件下游側具備一沿相對水平方向及垂直方向傾斜之方向配置之導引構件(以下亦稱「傾斜導引構件」)242。
第1方向轉換部24係將基材81搭架於一對導引構件241、242上。另，基材81係於水平導引構件241外周部沿周向搭接(繞掛)約1/4圈，並於傾斜導引部242外周部沿螺旋方向搭接(繞掛)約1/2圈。
第1方向轉換部24對由第1螺旋輸送部22送來之基材81，係由非蒸鍍面81b側施以支持使非蒸鍍面81b作為內周面並使蒸鍍面81a之朝向由下方轉換為側方，再導向桶式滾子26。
具體言之，首先，基材81係以水平導引構件241為支軸彎曲由側方向上方輸送，送往傾斜導引構件242。繼之基材81以傾斜導引構件242為支軸彎曲由上方向側方輸送，送往桶式滾子26。
水平導引構件241係沿水平方向並沿基材81之寬度方向(與長向相對垂直之方向)配置。且，水平導引構件241係一形成圓柱狀並以軸線方向為中心旋轉自如之滾子構件，且隨基材81之輸送而全體旋轉。此外，水平導引構件241係形成外周面光滑之狀態。
傾斜導引構件242係配置於水平導引構件241上 方。且，傾斜導引構件242係相對水平方向朝上方傾斜預定角度(本實施形態中為45°)配置。傾斜導引構件242並相對基材81之寬度方向傾斜預定角度(本實施形態中為45°)配置。
另，傾斜導引構件242具備複數轉動構件(未予圖示及編號)，係並列於外周部可與基材81相接且轉動自如，以防止隨基材81之輸送產生偏位。即，傾斜導引構件242係與螺旋導引構件221(231)構造相同。
第2方向轉換部25係具備一沿相對水平方向及垂直方向傾斜之方向配置之導引構件(以下亦稱「傾斜導引構件」)251。此外，第2方向轉換部25並於傾斜導引構件251下游側具備一沿水平方向配置之導引構件(以下亦稱「水平導引構件」)252。
第2方向轉換部25係將基材81搭架於一對導引構件251、252上。另，基材81係於傾斜導引部251外周部沿螺旋方向搭接(繞掛)約1/2圈。基材81並於水平導引構件252外周部沿周向搭接(繞掛)約1/4圈。
第2方向轉換部25對由桶式滾子26送來之基材81，係由非蒸鍍面81b側施以支持使非蒸鍍面81b作為內周面並使蒸鍍面81a之朝向由側方轉換為下方，再導向第2螺旋輸送部23。
具體言之，首先，基材81係以傾斜導引構件251為支軸彎曲由側方向下方輸送，送往水平導引構件252後，以水平導引構件252為支軸彎曲由下方向側方輸送，送往第2螺旋輸送部23。
傾斜導引構件251係相對水平方向朝上方傾斜預定角度(本實施形態中為45°)配置，並相對基材81之寬度方向傾斜預定角度(本實施形態中為45°)配置。另，傾斜導引構件251具備複數轉動構件(未予圖示及編號)，係並列於外周部可與基材81搭接且轉動自如，以防止隨基材81之輸送產生偏位，亦即，係與螺旋導引構件221(231)構造相同。
水平導引構件252係配置於傾斜導引構件251下方。且，水平導引構件252係沿水平方向並沿基材81之寬度方向(與長向相對垂直之方向)配置。此外，水平導引構件252係一形成圓柱狀並以軸線方向為中心旋轉自如之滾子構件，且隨基材81之輸送而全體旋轉。另，水平導引構件252係形成外周面光滑之狀態。
加熱裝置3具備一用以朝第1螺旋導引構件221外周部進行熱放射可使基材81加熱之熱源31。且熱源31係位於螺旋導引構件221下方且沿螺旋導引構件221之軸線方向配置。具體言之，熱源31係配置於與基材81相距300mm以下之位置。本實施形態中，熱源31係鹵素加熱器。
蒸鍍裝置4係具有配置於第1螺旋輸送部22與第1方向轉換部24間相當於向上蒸鍍部之第1蒸鍍部41、及配置於桶式滾子26側方相當於橫向蒸鍍部之第2蒸鍍部42。又，蒸鍍裝置4並具有配置於第2方向轉換部25與第2螺旋輸送部23間相當於向上蒸鍍部之第3蒸鍍部43、及配置於第2螺旋輸送部23下方相當於向上蒸鍍部之第4蒸鍍部44。
第1蒸鍍部41係具備一藉由使氣化材料氣化噴 出，於基材81之蒸鍍面81a形成陽極層之陽極層蒸鍍源41a。第1蒸鍍部41並具備一配置於陽極層蒸鍍源41a下游、藉由使氣化材料氣化噴出形成覆蓋陽極層周緣之邊緣覆蓋層之邊緣覆蓋層蒸鍍源41b。
又，第1蒸鍍部41係於輸送之基材81下方配置各蒸鍍源41a、41b。且，第1蒸鍍部41係對以蒸鍍面81a朝向下方之狀態輸送之基材81，由各蒸鍍源41a、41b朝蒸鍍面81a噴出氣化材料進行蒸鍍，亦即構成一向上蒸鍍部。
各蒸鍍源41a、41b係配置成開口配置於上部且與基材81之蒸鍍面81a相對向，可向上噴出氣化材料之狀態。又，各蒸鍍源41a、41b係配置於接近基材81之位置。具體言之，係配置於各蒸鍍源41a、41b之開口端(噴嘴)與基材81間之距離(最短距離)為10mm以下之位置。
又，第2蒸鍍部42係於輸送之基材81側方配置有各蒸鍍源42a~42e。且，第2蒸鍍部42係對以蒸鍍面81a朝向側方之狀態輸送之基材81，由各蒸鍍源42a~42e朝蒸鍍面81a噴出氣化材料進行蒸鍍，亦即構成一橫向蒸鍍部。
各蒸鍍源42a~42e係配置成開口配置於側部且與基材81之蒸鍍面81a相對向，可橫向噴出氣化材料之狀態。又，各蒸鍍源42a~42e係配置於接近基材81之位置。具體言之，係配置於各蒸鍍源42a~42e之開口端(噴嘴)與基材81間之距離(最短距離)為10mm以下之位置。
第3蒸鍍部43係具備三個陰極層蒸鍍源43a、43b、43c，可藉由使氣化材料氣化噴出，於基材81之蒸鍍 面81a形成陰極層。又，第3蒸鍍部43係於輸送之基材81下方配置各蒸鍍源43a~43c。且，第3蒸鍍部43係對以蒸鍍面81a朝向下方之狀態輸送之基材81，由各蒸鍍源43a~43c朝蒸鍍面81a噴出氣化材料進行蒸鍍，亦即構成一向上蒸鍍部。
各蒸鍍源43a~43c係配置成開口配置於上部且與基材81之蒸鍍面81a相對向，可向上噴出氣化材料之狀態。又，各蒸鍍源43a~43c係配置於接近基材81之位置。具體言之，係配置於各蒸鍍源43a~43c之開口端(噴嘴)與基材81間之距離(最短距離)為10mm以下之位置。
第4蒸鍍部44係具備一密封層蒸鍍源44a，可藉由使氣化材料氣化噴出，於基材81之蒸鍍面81a形成用以防止各層與空氣接觸之密封層。此外，第4蒸鍍部44係位於第2螺旋導引構件231下方且沿第2螺旋導引構件231之軸線方向配置。
且，第4蒸鍍部44係對基材81通過第2螺旋導引構件231下方側之部位，即，對基材81呈蒸鍍面81a朝向下方之狀態之部位，由蒸鍍源44a向蒸鍍面81a噴出氣化材料進行蒸鍍，亦即構成一向上蒸鍍部。因此，由於基材81通過第2螺旋導引構件231下方三次，藉由蒸鍍源44a向第2螺旋導引構件231下方側之外周部噴出氣化材料，可對基材81進行三次氣化材料之蒸鍍。
蒸鍍源44a係配置成開口配置於上部且與基材81之蒸鍍面81a相對向，可向上噴出氣化材料之狀態。又，蒸鍍源44a係配置於接近基材81之位置。具體言之，係配置於 蒸鍍源44a之開口端(噴嘴)與基材81間之距離(最短距離)為10mm以下之位置。
另，各蒸鍍部41~44之各蒸鍍源41a~41b、42a~42e、43a~43c、44a係做成藉由加熱部(未予圖示及編號)使內部收容之材料加熱氣化，再將業已氣化之材料(氣化材料)由開口噴向基材81之蒸鍍面81a之構造。
真空室5係具備有複數個真空腔(未予圖示及編號)。各真空腔內，分別收容基材供給部21、第1螺旋輸送部22及加熱裝置3、第1蒸鍍部41、第1方向轉換部24、桶式滾子26及第2蒸鍍部42、第2方向轉換部25、第3蒸鍍部43、第2螺旋輸送部23及第4蒸鍍部44、基材回收部27。
又，各真空腔係藉由真空產生裝置(未予圖示及編號)將內部減壓，使內部形成真空狀態。此外，相鄰之真空腔間，係藉由用以供基材81於各真空腔內依序輸送之連通部連通，且保持各內部為真空狀態。
其次，針對用有本實施形態之製造裝置1之有機EL元件8，說明其製造方法。
捲繞成滾筒狀之基材81係由基材供給部21紡出(基材供給程序)。繼之，由基材供給部21紡出之基材81輸送至第1螺旋輸送部22，於第1螺旋導引構件221外周部沿螺旋方向繞行兩圈輸送(第1螺旋輸送程序)。
該第1螺旋輸送程序中，配置於第1螺旋導引構件下方之加熱裝置3之熱源31向螺旋導引構件221外周部進行熱放射。藉此，將基材81加熱達預定溫度(例如200~300 ℃)(基材加熱程序)。
具體言之，基材81三度通過第1螺旋導引構件221下方側時，直接經受熱源31所放射之熱而加熱，同時於搭接第1螺旋導引構件221外周部(旋轉兩次)期間，經由具有導熱性(例如金屬製)之第1螺旋導引構件221間接受熱源31所放射之熱加熱。
業經加熱之基材81，係以蒸鍍面81a向下之狀態送往第1蒸鍍部41。繼之，藉由陽極層蒸鍍源41a朝上方噴出氣化材料，於輸送之基材81下面(蒸鍍面81a)形成陽極層。隨後，邊緣覆蓋層蒸鍍源41b朝上方噴出氣化材料，形成邊緣覆蓋層以覆蓋陽極層之周緣(第1蒸鍍程序)。
經第1蒸鍍部41蒸鍍後之基材81送往第1方向轉換部24。於該第1方向轉換部24，基材81藉由各導引構件241、242使蒸鍍面81a之朝向由朝向下方之狀態轉換為朝向側方之狀態後，導向桶式滾子26(第1方向轉換程序)。此時，基材81係由各導引構件241、242由非蒸鍍面81b側施以支持使非蒸鍍面81b作為內周面。
輸送至桶式滾子26之基材81係捲掛於桶式滾子26外周部，由桶式滾子26支持並導引(桶式滾子輸送程序)。於該桶式滾子輸送程序，藉由配置於基材81側方之各蒸鍍源42a~42e向側方噴出氣化材料，形成由五層有機EL層構成層(電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層)組成之有機EL層(第2蒸鍍程序)。
經第2蒸鍍部42蒸鍍後之基材81送往第2方向轉 換部25。於該第2方向轉換部25，基材81藉由各導引構件251、252使蒸鍍面81a之朝向由朝向側方之狀態轉換為朝向下方之狀態後，導向第3蒸鍍部43(第2方向轉換程序)。此時，基材81係由各導引構件251、252由非蒸鍍面81b側施以支持使非蒸鍍面81b作為內周面。
業經轉換方向之基材81，係以蒸鍍面81a朝向下方之狀態送往第3蒸鍍部43。繼之，於第3蒸鍍部43，藉由各陰極層蒸鍍源43a~43c朝上方噴出氣化材料，於輸送之基材81下面(蒸鍍面81a)形成由三層陰極層構成層(LiF層、Mg層、Ag層)組成之陰極層。
經第3蒸鍍部43蒸鍍後之基材81送往第2螺旋輸送部23。繼之，輸送至第2螺旋輸送部23之基材81，於第2螺旋導引構件231外周部沿螺旋方向繞行兩圈輸送(第2螺旋輸送程序)。
該第2螺旋輸送程序中，配置於第2螺旋導引構件231下方之第4蒸鍍部44之密封層蒸鍍源44a向第2螺旋導引構件231外周部之下方側噴出氣化材料，形成密封層(第4蒸鍍程序)。具體言之，基材81通過第2螺旋導引構件231下方側三次，並藉由密封層蒸鍍部44a噴出氣化材料進行三次蒸鍍。
如此一來，基材81上即形成具有陽極層、有機EL層及陰極層之有機EL部件80。繼之，形成有有機EL部件80之基材81經由基材回收部27捲繞成滾筒狀(基材回收程序)。
另，基材81藉由掛於複數導引構件221、231、 241、242、251、252、26之外周部，在其等之支持及導引下進行輸送(輸送程序)。即，本實施形態中，輸送程序係由第1螺旋輸送程序、第1方向轉換程序、桶式滾子輸送程序、第2方向轉換程序及第2螺旋輸送程序組成。
承上，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置1及製造方法，於輸送程序，基材81係掛於複數導引構件221、231、241、242、251、252、26之外周部，故導引構件221、231、241、242、251、252、26支持並導引基材81。藉此，進行基材81之輸送。
繼之，輸送程序中，於各螺旋輸送程序，係使基材81於螺旋導引構件221、231外周部沿螺旋方向繞行一圈以上(具體為兩圈)，進行基材81之輸送。是以，基材81係通過各螺旋導引構件221、231之下方側數次(具體為三次)進行輸送。因此，可做前所未有之軟性設計。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置1及製造方法，於第2螺旋輸送程序，基材81係通過第2螺旋導引構件231之下方側(具體為三次)進行輸送。因此，於第2螺旋輸送程序，密封層蒸鍍源44a向第2螺旋導引構件231之外周部下方側噴出氣化材料，於基材81蒸鍍氣化材料數次(具體為三次)。
又，由於可加快基材81之輸送速度，故可提昇產能。具體言之，必須於處理速度最慢之程序即第4蒸鍍程序(形成密封層之程序)配合基材81之輸送速度。對此，依據本實施形態之製造裝置1及製造方法，於第2螺旋輸送程序進 行第4蒸鍍程序，可使基材81之輸送速度較往昔加快。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置及製造方法，於第1螺旋輸送程序，基材81係通過第1螺旋導引構件221之下方側數次(具體為三次)進行輸送。因此，於第1螺旋輸送程序，熱源31向第1螺旋導引構件221之外周部下方側放射熱，使基材81加熱數次(具體為三次)。
如此一來，每回基材81通過第1螺旋導引構件221下方側，放射熱將直接傳至基材81，故相較於一般的(與基材之接觸未達1/2圈)滾子構件，可增加直接加熱之次數。因此，可有效率地加熱基材81。
進而，基材81接觸第1螺旋導引構件221其間，放射熱亦經由第1螺旋導引構件221間接傳至基材81。如此一來，相較於一般的(與基材之接觸未達1/2圈)滾子構件，可增加基材81接觸第1螺旋導引構件221之時間，故可增加間接加熱之時間。因此，可更有效率地加熱基材81。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置1及製造方法，複數轉動構件221b、231b係並列於各螺旋導引構件221、231外周部，輸送之基材81係跨複數轉動構件221b、231b與其等搭接。因此，相較於外周面光滑之一般滾子構件，可縮小各螺旋導引構件221、231與基材81接觸之面積，故可抑制各螺旋導引構件221、231與基材81間產生之摩擦力。
進而，由於轉動構件221b、231b轉動自如，故轉動構件221b、231b亦可隨基材81之輸送而轉動。因此，可 更有效抑制各螺旋導引構件221、231與基材81間產生之摩擦力，從而可抑制基材81相對各螺旋導引構件221、231產生偏位(蛇行)之情形。
又，依據本實施形態之有機EL元件之製造裝置1及製造方法，轉動構件221b、231b係三自由度旋轉自如之球狀體，故各轉動構件221b、231b可朝任何方向旋轉。因此，若基材81於各螺旋導引構件221、231外周部沿螺旋方向繞掛，則各轉動構件221b、231b依基材81之輸送方向旋轉。如此一來，可有效抑制基材81相對各螺旋導引構件221、231產生偏位之情形。
上述實施形態之導引構件221(231)中，導引構件本體221a(231a)係固定於軸桿221d(231d)，即使於基材81輸送時，亦不會相對軸桿221d(231d)旋轉，但並非以此構造為限。舉例言之，導引構件本體221a(231a)亦可為可相對軸桿221d(231d)旋轉之構造，並隨基材81之輸送而相對軸桿221d(231d)旋轉。
1‧‧‧有機EL元件之製造裝置
5‧‧‧基材供給部
6‧‧‧基材回收部
7‧‧‧桶式滾子
9a~9l‧‧‧蒸鍍源
21‧‧‧基材
21a‧‧‧蒸鍍面
21b‧‧‧非蒸鍍面
30a、30b‧‧‧方向轉換部
31a、31b‧‧‧導引機構
33a~33d‧‧‧滾子構件
A~C‧‧‧蒸鍍部

Claims (6)

  1. 一種有機EL元件之製造方法，係使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層；該製造方法具備一構成層形成程序，係使前述基材沿長向移動，同時以沿該基材移動方向配置之至少向上蒸鍍部及橫向蒸鍍部，由蒸鍍源噴出氣化材料對前述基材之一面依序進行蒸鍍；前述構成層形成程序具備下列程序：向上蒸鍍程序，係以前述向上蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由配置於該基材下方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；橫向蒸鍍程序，係以前述橫向蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由配置於該基材側方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；及方向轉換程序，係藉由設於前述向上蒸鍍部與前述橫向蒸鍍部間之導引機構，將由前述向上蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由下方轉換為側方後，導向前述橫向蒸鍍部。
  2. 一種有機EL元件之製造方法，係使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層； 該製造方法具備一構成層形成程序，係使前述基材沿長向移動，同時以沿該基材移動方向配置之至少橫向蒸鍍部及向上蒸鍍部，由蒸鍍源噴出氣化材料對前述基材之一面依序進行蒸鍍；前述構成層形成程序具備下列程序：橫向蒸鍍程序，係以前述橫向蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由配置於該基材側方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；向上蒸鍍程序，係以前述向上蒸鍍部，令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由配置於該基材下方之前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍；及方向轉換程序，係藉由設於前述橫向蒸鍍部與前述向上蒸鍍部間之導引機構，將由前述橫向蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由側方轉換為下方後，導向前述向上蒸鍍部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件之製造方法，其中前述導引機構係具有複數用以支持前述非蒸鍍面之滾子構件；該等滾子構件中至少1個係沿與前述基材之寬度方向相對呈傾斜之方向配置。
  4. 如申請專利範圍第3項之有機EL元件之製造方法，其中 前述滾子構件中至少1個係沿相對於前述寬度方向傾斜45°之方向配置。
  5. 一種有機EL元件之製造裝置，係用以使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層者，該製造裝置具備有：向上蒸鍍部，係於移動之前述基材下方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；橫向蒸鍍部，係於移動之前述基材側方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；及方向轉換部，係設於前述向上蒸鍍部與前述橫向蒸鍍部間，並具備有導引機構，用以將由前述向上蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由下方轉換為側方後，導向前述橫向蒸鍍部者。
  6. 一種有機EL元件之製造裝置，係用以使帶狀基材沿長向移動同時藉由蒸鍍於該基材形成有機EL部件之構成層者，該製造裝置具備有：橫向蒸鍍部，係於移動之前述基材側方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向側方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行 蒸鍍者；向上蒸鍍部，係於移動之前述基材下方具備蒸鍍源，並令前述基材以前述蒸鍍面朝向下方之狀態移動同時由前述蒸鍍源對前述蒸鍍面噴出前述氣化材料進行蒸鍍者；及方向轉換部，係設於前述橫向蒸鍍部與前述向上蒸鍍部間，並具備有導引機構，用以將由前述橫向蒸鍍部送來之前述基材，由該基材之非蒸鍍面側施以支持使該非蒸鍍面作為內周面並使前述蒸鍍面之朝向由側方轉換為下方後，導向前述向上蒸鍍部者。
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