CN103503567B - 有机el器件的制造方法及制造装置 - Google Patents

有机el器件的制造方法及制造装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103503567B
CN103503567B CN201280021507.4A CN201280021507A CN103503567B CN 103503567 B CN103503567 B CN 103503567B CN 201280021507 A CN201280021507 A CN 201280021507A CN 103503567 B CN103503567 B CN 103503567B
Authority
CN
China
Prior art keywords
base material
mentioned
steaming
surfacing
plating part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201280021507.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103503567A (zh
Inventor
垣内良平
山本悟
肥田加奈子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2011245836A external-priority patent/JP5269970B2/ja
Priority claimed from JP2012020887A external-priority patent/JP2013161570A/ja
Priority claimed from JP2012113290A external-priority patent/JP2013179019A/ja
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Publication of CN103503567A publication Critical patent/CN103503567A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103503567B publication Critical patent/CN103503567B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H23/00—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs
    • B65H23/04—Registering, tensioning, smoothing or guiding webs longitudinally
    • B65H23/32—Arrangements for turning or reversing webs
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65H—HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL, e.g. SHEETS, WEBS, CABLES
    • B65H2301/00—Handling processes for sheets or webs
    • B65H2301/50—Auxiliary process performed during handling process
    • B65H2301/51—Modifying a characteristic of handled material
    • B65H2301/511—Processing surface of handled material upon transport or guiding thereof, e.g. cleaning
    • B65H2301/5114—Processing surface of handled material upon transport or guiding thereof, e.g. cleaning coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Abstract

本发明提供能够制造抑制了质量降低的有机EL器件的有机EL器件的制造方法和制造装置。有机EL器件的制造方法是在使带状的基材沿着长度方向移动的同时、通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层的有机EL器件的制造方法，其中，包括如下结构层形成工序：在使上述基材沿着长度方向移动的同时，利用沿着该基材的移动方向设置的朝上蒸镀部和横向蒸镀部，从蒸镀源向上述基材的一个面喷出气化材料而依次进行蒸镀，该结构层形成工序包括朝上蒸镀工序、横向蒸镀工序、以及方向改变工序。

Description

有机EL器件的制造方法及制造装置
技术领域
本申请主张日本国特愿2011－233066号、特愿2011－245836号、特愿2012－020884号、特愿2012－113290号、特愿2012－020887号的优先权，通过引用其内容而编入到本申请说明书的记载中。
本发明涉及有机EL器件的制造方法及制造装置。
背景技术
近年来，作为下一代的低消耗电力的发光显示装置所采用的器件，有机EL(电致发光)器件受到关注。有机EL器件基本上由基材和具有设置在基材上的有机EL层和一对电极层的有机EL元件构成。有机EL层由包含发光层的至少1层构成，该发光层由有机发光材料构成。该有机EL器件源自有机发光材料，能够得到多彩颜色的发光。此外，由于有机EL器件是自发光器件，因此作为电视机(TV)等显示器用途受到关注。
更具体地讲，有机EL器件通过在基材上按顺序层叠成为有机EL元件的结构层的阳极层、有机EL层以及阴极层而形成。
在该有机EL器件的制造方法中，作为在基材上形成(成膜)有机EL元件的结构层(以下有时仅简称作结构层。)的方法，一般公知有真空蒸镀法、涂布法。由于能够提高这些材料中的、特别是结构层形成材料的纯度，易于获得高寿命，因此，主要采用真空蒸镀法。
在上述的真空蒸镀法中，通过利用在真空室内设置在与基材相对的位置的蒸镀源进行蒸镀来形成结构层。具体地讲，利用配置在各蒸镀源的加热部对结构层形成材料加热而使其气化。然后，自蒸镀源喷出气化了的结构层形成材料(气化材料)。通过使该结构层形成材料在基材上蒸镀成结构层而形成该结构层。
在该真空蒸镀法中，从低成本化等的方面考虑采用卷工艺。卷工艺是指这样的工艺：连续地放出卷成卷状的带状的基材，在使放出来的基材移动的同时、在基材上连续地蒸镀结构层，将蒸镀有该结构层的基材卷成卷状(参照专利文献1)。
专利文献1：日本国特开2008－287996号公报
但是，在上述卷工艺中，在基材的上方配置蒸镀源，自该蒸镀源向下方地朝向基材喷出气化材料而形成结构层时，有时灰尘等异物自蒸镀源落下而附着于基材，从而混入到有机EL元件中。若产生该异物混入到有机EL元件中的状况，则会对其发光产生不良影响。
因此，为了抑制该异物混入，一般考虑在基材的下方配置蒸镀源，自该蒸镀源向上方地朝向基材喷出上述气化材料而形成结构层。
但是，像上述那样，由于有机EL器件是通过将多个结构层层叠起来而形成的，因此，在欲通过从下方蒸镀而依次形成所有结构层时，需要将蒸镀源依次排列在基材的下方，使基材以在所有蒸镀源的上方通过的方式移动。
在这种情况下，由于基材的通过蒸镀源的区域变长，因此，难以对基材付与充分的张力，基材易于产生挠曲或者振动。于是，若因基材的挠曲、振动导致基材的蒸镀面和蒸镀源接触，则有可能损伤基材、形成在基材上的结构层。此外，若基材和蒸镀源之间的距离产生变化，则有可能难以适当地控制结构层的厚度，无法得到具有期望的发光特性的结构层。
另一方面，若为了防止基材的挠曲、振动而利用辊构件等从下方支承基材，则辊构件和基材的蒸镀面接触，有可能损伤形成后的结构层。
这样，若因异物混入或难以控制厚度导致的发光不良、因与蒸镀源或辊构件等的接触导致基材的蒸镀面损伤，则有可能降低有机EL器件的质量。
发明内容
本发明鉴于上述问题点，其课题在于，提供能够制造抑制了质量降低的有机EL器件的有机EL器件的制造方法和制造装置。
本发明的有机EL器件的制造方法，其中，在使带状的基材沿着长度方向移动的同时，通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造方法包括结构层形成工序，在该结构层形成工序中，在使上述基材沿着长度方向移动的同时，利用沿着该基材的移动方向配置的至少朝上蒸镀部和横向蒸镀部，从蒸镀源向上述基材的一个面喷出气化材料而依次进行蒸镀，
上述结构层形成工序包括以下工序：
朝上蒸镀工序，在上述朝上蒸镀部处，在使上述基材以上述蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从配置在该基材的下方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；
横向蒸镀工序，在上述横向蒸镀部处，在使上述基材以上述蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从配置在该基材的侧方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变工序，利用设置在上述朝上蒸镀部和上述横向蒸镀部之间的引导机构，将从上述朝上蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从下方变为侧方，将该基材引导到上述横向蒸镀部。
此外，本发明的有机EL器件的制造方法，其中，在使带状的基材沿着长度方向移动的同时，通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造方法包括结构层形成工序，在该结构层形成工序中，在使上述基材沿着长度方向移动的同时，利用沿着该基材的移动方向配置的至少横向蒸镀部和朝上蒸镀部，从蒸镀源向上述基材的一个面喷出气化材料而依次进行蒸镀，
上述结构层形成工序包括以下工序：
横向蒸镀工序，在上述横向蒸镀部处，在使上述基材以上述蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从配置在该基材的侧方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；
朝上蒸镀工序，在上述朝上蒸镀部处，在使上述基材以上述蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从配置在该基材的下方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变工序，利用设置在上述横向蒸镀部和上述朝上蒸镀部之间的引导机构，将从上述横向蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从侧方变为下方，将该基材引导到上述朝上蒸镀部。
此外，上述制造方法优选的是，上述引导机构具有用于支承上述非蒸镀面的多个辊构件，该辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述基材的宽度方向倾斜的方向配置。
此外，上述制造方法优选的是，上述辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述宽度方向倾斜45°的方向配置。
本发明的有机EL器件的制造装置，其用于在使带状的基材沿着长度方向移动的同时通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造装置包括：
朝上蒸镀部，其在移动的上述基材的下方具有蒸镀源，在使上述基材以上述蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；
横向蒸镀部，其在移动的上述基材的侧方具有蒸镀源，在使上述基材以上述蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变部，其设置在上述朝上蒸镀部和上述横向蒸镀部之间，包括引导机构，该引导机构将从上述朝上蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从下方变为侧方，将该基材引导到上述横向蒸镀部。
此外，本发明的有机EL器件的制造装置，其用于在使带状的基材沿着长度方向移动的同时通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造装置包括：
横向蒸镀部，其在移动的上述基材的侧方具有蒸镀源，在使上述基材以上述蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；
朝上蒸镀部，其在移动的上述基材的下方具有蒸镀源，在使上述基材以上述蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变部，其设置在上述横向蒸镀部和上述朝上蒸镀部之间，包括引导机构，该引导机构将从上述横向蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从侧方变为下方，将该基材引导到上述朝上蒸镀部。
附图说明
图1是示意地表示本发明的一实施方式的有机EL器件的制造装置的概略立体图。
图2是示意地表示本发明的一实施方式的有机EL器件的制造装置的概略俯视图。
图3是从图1中的右侧看图1中的右侧的引导机构的上部周边的概略俯视图。
图4是示意地表示在图1中的左侧的引导机构中移动的基材的非蒸镀面中的与辊构件抵接的抵接位置的概略俯视图。
图5是示意地表示在图1中的右侧的引导机构中移动的基材的非蒸镀面中的与辊构件抵接的抵接位置的概略俯视图。
图6A是示意地表示有机EL元件的层结构的概略剖视图。
图6B是示意地表示有机EL元件的层结构的概略剖视图。
图6C是示意地表示有机EL元件的层结构的概略剖视图。
图7是示意地表示在比较例中采用的制造装置的概略侧视图。
图8是表示实施例和比较例的试验样品的施加电压和发光亮度之间的关系的图表。
图9是从有机EL元件侧看实施例和比较例的试验样品的照片。
图10是表示辊构件的一实施方式的概略侧视图。
图11是图10中的XI－XI线剖视图。
图12是表示辊构件的一实施方式的概略侧视图。
图13是表示辊构件的一实施方式的概略侧视图。
图14是图13中的XIV－XIV线剖视图。
图15是表示引导机构的一实施方式的概略侧视图。
图16是图15中的引导机构的概略仰视图。
图17是说明图15中的引导机构的动作的概略侧视图。
图18是本发明的一实施方式的有机EL器件的制造装置的整体立体图。
图19是本发明的一实施方式的引导构件的整体图，是绕挂有基材的状态的主视图。
图20是本发明的一实施方式的引导构件的整体主视图。
图21表示本发明的一实施方式的引导构件的图20中的XXI－XXI线的剖视图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的有机EL器件的制造方法和制造装置的实施方式。
首先，说明本发明的有机EL器件的制造装置的实施方式。
有机EL器件的制造装置1在使带状的基材21沿着长度方向移动的同时、通过蒸镀在该基材21上形成有机EL元件19。如图1所示，制造装置1包括成为朝上蒸镀部的蒸镀部A、C、成为横向蒸镀部的蒸镀部B、以及具有引导机构31a、31b的方向改变部30a、30b。
上述蒸镀部A、C在移动的基材21的下方具有蒸镀源9a、9b、9l、9h～9k。蒸镀部A、C构成为在使基材21以蒸镀面21a朝向下方的状态移动的同时、自上述蒸镀源向蒸镀面21a喷出气化材料来进行蒸镀的朝上的蒸镀部。
此外，上述蒸镀部B在移动的基材21的侧方具有蒸镀源9c～9g。蒸镀部B构成为使基材21以蒸镀面21a朝向侧方的方式移动，自上述蒸镀源向蒸镀面21a喷出气化材料来进行蒸镀的横向的蒸镀部。
蒸镀部A～C沿着基材21的移动方向(参照空心箭头)配置。该蒸镀部A～C从基材21的移动方向上游侧朝向下游侧依次配置蒸镀部A、B、C。
此外，如图1和图2所示，方向改变部30a配置在蒸镀部A(朝上蒸镀部)和蒸镀部B(横向蒸镀部)之间。方向改变部30b配置在蒸镀部B和蒸镀部C(朝上蒸镀部)之间。方向改变部30a、30b的详细情况之后说明。
此外，制造装置1包括基材供给部5，该基材供给部5包括用于供给基材21的基材供给装置。自基材供给部5供给来的基材21依次被供给到蒸镀部A～C，以通过这些蒸镀部的方式移动。此外，制造装置1包括基材回收部6，该基材回收部6包括用于回收基材21的基材回收装置。通过了蒸镀部C后的基材21能够被基材回收部6回收。
此外，如图2所示，制造装置1包括多个真空室3。在各真空室3内分别配置有基材供给部5、蒸镀部A、蒸镀部B、蒸镀部C、方向改变部30a、方向改变部30b、以及基材回收部6(参照图1)。另外，在上述图1中省略真空室3地表示制造装置1。
各真空室3利用未图示的真空产生装置使其内部成为减压状态，在其内部形成真空区域。此外，相邻的真空室3相互间保持着真空状态并经由未图示的开口部相连通。并且，基材21能够从基材供给部5经由这些开口部依次向下游侧移动到基材回收部6。具体地讲，从基材供给部5放出来的基材21在蒸镀部A、方向改变部30a、蒸镀部B、方向改变部30b、蒸镀部C中移动了之后能够被基材回收部6回收。
基材供给部5放出卷成卷状的带状的基材21并将其供给到蒸镀部A～C。此外，基材回收部6将从基材供给部5放出的、在蒸镀部A～C中移动后的基材21卷成卷状并进行回收。即，利用基材供给部5和基材回收部6能够放出且卷取基材21。
作为基材21的形成材料，可以采用像后述那样被引导机构31a、31b引导时不会损伤那样的具有挠性的材料。作为该材料，例如能够列举出金属材料、非金属无机材料、树脂材料。
作为该金属材料，例如能够列举出不锈钢、铁－镍合金等合金、铜、镍、铁、铝、钛等。此外，作为上述的铁－镍合金，例如能够列举出36合金、42合金等。其中，从易于应用于卷工艺这样的方面考虑，上述金属材料优选为不锈钢、铜、铝或者钛。
作为上述非金属无机材料，例如能够列举出玻璃。在这种情况下，作为由非金属无机材料形成的基材，可以采用具有挠性的薄膜玻璃。
作为上述树脂材料，能够列举出热固性树脂或者热塑性树脂等合成树脂。作为该合成树脂，例如能够列举出聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙烯树脂、聚酰胺树脂、丙烯腈－丁二烯－苯乙烯(ABS)共聚物树脂、聚碳酸酯树脂、硅树脂、氟树脂等。此外，作为由该树脂材料形成的基材，例如可以采用上述合成树脂的薄膜。
基材21的宽度、厚度、长度能够根据形成于该基材21的有机EL元件19的大小、引导机构31a、31b的辊构件结构等适当地设定，并没有特别的限定。另外，像后述那样使后述的辊构件相对于基材21的宽度方向倾斜时，从能够抑制辊构件的纵长化这样的方面考虑，优选基材21的宽度较窄。
蒸镀部A、C所包括的蒸镀源9a、9b、9l、9h～9k配置在基材21的下方。更详细地讲，在蒸镀部A、C中，基材21将其蒸镀面21a朝向下方地沿着大致水平方向移动。此外，配置在蒸镀部A、C的上述蒸镀源以各蒸镀源的开口在真空室3内与基材21的蒸镀面21a相对的方式配置。
蒸镀部B所包括的蒸镀源9c～9g配置在基材21的侧方。更详细地讲，在蒸镀部B中，基材21卷绕于在铅垂方向上具有旋转轴(未图示)的辊筒7而支承在辊筒7上。基材21随着辊筒7的移动以使蒸镀面21a上朝向侧方的方式移动。配置在蒸镀部B的上述蒸镀源以各蒸镀源的开口在真空室3内与基材21的蒸镀面21a相对的方式配置。
并且，各蒸镀源9a～9l各自具有加热部(未图示)，各加热部对收容在各蒸镀源中的上述材料加热而使其气化，将各气化后的材料(气化材料)从开口朝向上方喷出。
在各蒸镀部A～C中，蒸镀源与应形成的层相应地设置1个以上即可。在本实施方式中，在蒸镀部A配置有蒸镀源9a、9b、9l，在蒸镀部B配置有蒸镀源9c～9g，在蒸镀部C配置有蒸镀源9h～9k。此外，蒸镀源9a～9l配置在接近基材21的位置。即，配置在蒸镀源9a～9l的开口端(喷嘴)和基材21之间的距离(最短距离)为10mm以下这样的位置。
配置在蒸镀部A的蒸镀源9a通过使阳极层形成材料气化并将其喷出，在基材21上的蒸镀面21a上形成阳极层23(参照图6A～图6C)。此外，配置在该蒸镀部A的蒸镀源9b通过使端覆盖层形成材料气化并将其喷出，形成用于覆盖阳极层23的周缘的端覆盖层24(参照图6A～图6C)。通过由该端覆盖层覆盖阳极层23的周围，能够防止阳极层23和阴极层27接触。
此外，配置在蒸镀部B的蒸镀源9c～9g形成用于构成有机EL层25的5层有机EL层结构层(参照图6A～图6C)。
并且，配置在蒸镀部C的蒸镀源9h～9j形成构成阴极层27的3个阴极层结构层，配置在该蒸镀部C的蒸镀源9k形成密封层29(参照图6A～图6C)。通过由该密封层29覆盖阳极层23、有机EL层25以及阴极层27，能够防止上述各层与空气接触。
另外，在本实施方式中，配置在蒸镀部A的蒸镀源9l作为预备蒸镀源而配置，但也可以利用该蒸镀源形成其他的结构层。
阳极层23由1个以上阳极层结构层形成即可，作为用于形成该阳极层结构层的材料，能够列举出金、银、铝等。在图1所示的装置结构中，例如阳极层23形成为1个Al层。
有机EL层25由1个以上的有机EL层结构层构成即可。在图1所示的装置结构中，有机EL层25形成为由5个有机EL层结构层构成的5层层叠体。作为这些有机EL层结构层，例如，如图6A所示，能够列举出从阳极层23侧按顺序层叠的空穴注入层25a、正孔输送层25b、发光层25c、电子输送层25d以及电子注入层25e。另外，有机EL层25只要作为有机EL层结构层具有至少发光层25c，其层结构就没有特别的限定。此外，例如图6C所示，有机EL层也可以是空穴注入层25a、发光层25c以及电子注入层25e按照该顺序层叠而成的3层层叠体。此外，也可以是其它的根据需要自上述图6A的5层去除了正孔输送层25b或电子输送层25d而成的4层层叠体。并且，如图6B所示，有机EL层也可以仅由发光层25c这1层构成。
作为用于形成空穴注入层25a的材料，例如，可以使用铜酞菁(CuPc)、4，4’-双[N-4-(N，N-二间甲苯氨基)苯基]-N-苯基氨基]联苯(DNTPD)、HAT-CN等。
作为用于形成空穴传输层25b的材料，例如，可以使用4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、N，N’-二苯基-N，N’―双(3-甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(TPD)等。
作为用于形成发光层25c的材料，例如，可以使用掺杂有三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、铱络合物(Ir(ppy)3)的4，4’-N，N’-二咔唑联苯(CBP)等。
作为用于形成电子注入层25d的材料，例如，可以使用氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氧化锂(Li2O)等。
作为用于形成电子传输层25e的材料，例如，可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-苯基苯酚-铝(BAlq)、OXD-7(1，3-双[5-(对叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑-2-基])苯、氟化锂(LiF)等。
阴极层27由1个以上的阴极层结构层形成即可。作为用于形成阴极层结构层的材料，可以采用氟化锂(LiF)、或者采用含有镁(Mg)、银(Ag)等的合金等。在图1所示的装置结构中，例如阴极层27作为LiF层、Mg层、和Ag层、Mg－Ag合金层等的3层层叠体形成在有机EL层上。
作为形成端覆盖层24的材料，能够列举出氧化硅(SiOx)、三氧化钼(MoO3)、五氧化二钒(V2O5)等。作为形成密封层29的材料，能够列举出三氧化钼(MoO3)、氧氮化硅(SiNOx)、含氧碳化硅(SiOC)等。作为SiOx，例如能够列举出SiO2等，作为SiNOx，例如能够列举出SiNO等。
分别构成上述阳极层23、有机EL层25以及阴极层27等的各层的厚度通常被设计为几nm～几十nm左右，但该厚度根据采用的结构层形成材料、发光特性等适当设计，并没有特别的限定。此外，上述端覆盖层24的厚度、密封层29的厚度也没有特别的限定，只要适当地设定为能够达到这些目的，不会妨碍上述阳极层23、有机EL层25以及阴极层27的形成、有机EL器件的发光即可。
方向改变部30a、30b包括引导机构31a、31b。
引导机构31a构成为，将从蒸镀部A输送来的基材21以该基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从该非蒸镀面21b侧支承并使蒸镀面21a的朝向从下方变为侧方，将该基材21引导到蒸镀部B。
此外，引导机构31b构成为，将从蒸镀部B输送来的基材21以该基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从该非蒸镀面21b侧支承并使蒸镀面21a的朝向从侧方变为下方，将该基材21引导到蒸镀部C。
在这些引导机构31a、31b中，首先更详细地说明引导机构31a。
如图1、图2、图4所示，引导机构31a具有多个辊构件33a、33b。该辊构件33a、33b是用于将基材21向预定的方向引导的引导构件。辊构件33a沿着大致水平方向、且基材21的宽度方向(与长度方向垂直的方向)配置。辊构件33b相对于基材21的移动方向倾斜角度θ(在此是45°)地配置。
在此，辊构件相对于基材21的宽度方向的角度θ是指基材21的非蒸镀面21b朝向基材21的宽度方向(图4中的左右方向)上的该基材21的上游侧(图4中的下方向)倾斜的角度θ。
此外，辊构件33a在引导机构31a中配置在下方。辊构件33b在辊构件33a的上方相对于水平方向向上方倾斜45°地配置。
从蒸镀部A输送来的基材21以其非蒸镀面21b与辊构件33a和辊构件33b抵接的方式架设在这些辊构件上。基材21的非蒸镀面21b支承在这些辊构件上并被向下游侧引导。
具体地讲，首先，基材21将辊构件33a作为支承轴向上方大致垂直地弯曲而向辊构件33b移动。接着，基材21将辊构件33b作为支承轴向侧方(图1中的进深方向)大致垂直地弯曲而向蒸镀部B移动。通过将这些辊构件33a、33b作为支承轴而进行弯曲动作，基材21的蒸镀面21a的朝向会从被辊构件33a支承之前的下方变为侧方。
这样，利用引导机构31a，基材21以基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从非蒸镀面21b侧支承并以蒸镀面21a的朝向从下方变为侧方的方式弯曲。基材21以改变了蒸镀面21a的朝向的状态被输送到蒸镀部B。
接着，更详细地说明引导机构31b。
如图1～图3、图5所示，引导机构31b具有与引导机构31a同样的辊构件结构。即，引导机构31b具有辊构件33c、33d。这些辊构件33c、33d分别与引导机构31a的辊构件33b、33a相对应。此外，在引导机构31b中，与引导机构31a同样，基材21架设在辊构件33c、33d上，但基材21的通过辊构件33c、33d的移动方向是基材21的通过引导机构31a的移动方向的相反方向。其他的结构与引导机构31a同样，因此省略说明。
在该引导机构31b中，从蒸镀部B输送来的基材21的非蒸镀面21b被辊构件33c、辊构件33d从该非蒸镀面21b侧支承并被向下游侧引导。
具体地讲，首先，基材21将辊构件33c作为支承轴向下方大致垂直地弯曲而向辊构件33d移动。接着，基材21将辊构件33d作为支承轴向侧方(图1中的右方)大致垂直地弯曲而向蒸镀部C移动。通过将这些辊构件33c、33d作为支承轴而进行弯曲动作，基材21的蒸镀面21a的朝向会从被辊构件33c支承之前的侧方变为下方。
另外，上述引导机构只要能够将从朝上蒸镀部输送来的基材21以从蒸镀面21a朝向下方的状态变为朝向侧方的状态的方式弯曲，通过使基材21的移动方向变为相反方向，就能够与上述相反地以从横向蒸镀部输送来的基材21的蒸镀面21a朝向侧方的状态变为朝向下方的状态的方式弯曲。即，通过利用相同结构的引导机构使基材21的移动方向成为相反方向，既能够使蒸镀面21a的朝向从侧方变为下方，也能够从下方变为侧方。
另外，如图10～图17所示，辊构件33b和33c优选包括圆柱状的辊构件主体36、和以能够旋转的方式支承在该辊构件主体36的外表面部且能够以用周面支承基材21的方式突出到该辊构件主体36的外侧的多个旋转构件37。即，优选具有包括辊构件主体36和旋转构件37的轴承结构。
通过使辊构件33b和33c具有这样的轴承结构，在基材21将该辊构件作为支承轴弯曲并移动时，能够降低在该辊构件和基材21之间产生的摩擦。由此，能够防止基材21所接触的区域(接触区域)相对于该辊构件在该辊构件的长度方向上错位，因此较为有效。并且，因为能够像这样防止接触区域的错位，也可以采用充分地加长该辊构件、使该基材21以螺旋状卷绕于该辊构件的状态移动的结构。通过这样做，该辊构件中的与基材21的接触区域增加，因此，存在能够更稳定地进行基材的移动(输送)这样的优点。
在图10和图11中，旋转构件37是圆柱状的滚针，辊构件33b和33c具有包括辊构件主体36和成为滚针的旋转构件37的滚针轴承结构。
更具体地讲，图10和图11所示的多个以供基材21跨过和接触的方式在引导构件33c(33b)的外周部沿着周向排列。因而，在基材21沿着周向绕挂在引导构件33c(33b)的外周部时，引导构件33c(33b)的旋转方向和基材21的输送方向一致。另外，如图14所示，该引导构件33c(33d)包括具有与上述实施方式(参照图10)的引导构件33c(33b)同样的功能的引导构件主体36、支承构件38、转轴39、固定构件40以及轴承部41。
在图12中，与图10同样具有成为滚针的旋转构件37。旋转构件37以螺旋状配置于辊构件主体36。
更具体地讲，图12所示的多个滚动构件37以供基材21跨过和接触的方式在引导构件33c(33b)的外周部沿着螺旋方向排列。因而，在基材21沿着螺旋方向绕挂在引导构件33c(33b)的外周部时，引导构件33c(33b)的旋转方向和基材21的输送方向一致。另外，该引导构件33c(33d)包括引导构件主体36，并且，虽未图示，但还包括具有与上述实施方式(参照图10)的引导构件33c(33b)同样的功能的支承构件38、转轴39、固定构件40以及轴承部41。
此外，在图13～图17中，旋转构件37是球状的滚珠。辊构件33b和33c具有包括辊构件主体36和成为滚珠的旋转构件37的滚珠轴承结构。
更具体地讲，如图13和图14所示，各旋转构件37在引导构件主体36的径向外方以其一部分自引导构件主体36突出的方式配置，并且，在引导构件主体36的径向内方以其一部分自引导构件主体36突出的方式配置。因而，该各引导构件33b、33c的外周面形成为凹凸状。
而且，多个滚动构件37以基材21与自引导构件主体36向径向外方突出的部位接触的方式排列。由此，基材21以跨多个滚动构件37的方式接触多个滚动构件37。换言之，基材21以抵接于多个滚动构件37且与引导构件主体36分开的方式绕挂在引导构件33b、33c的外周部。此外，各滚动构件37以其自引导构件主体36向径内方突出的部位与支承构件38的外周部接触的方式配置。在本实施方式中，各滚动构件37是以3个自由度旋转自由的球状体。
支承构件38用其外周部支承各滚动构件37。由此，各滚动构件37虽自接触的基材21朝向引导构件主体36的径向内方受力，但能够防止该滚动构件37自引导构件主体36脱离、或者相对于引导构件主体36向径向内方错位。
此外，支承构件38构成为能够利用轴承部41、41以轴线方向(转轴39)为中心旋转。因而，支承构件38利用与随着输送基材21而滚动的各滚动构件37之间的摩擦力而旋转，能够使各滚动构件37的旋转速度稳定(成为大致相同的旋转速度)。
此外，如图15和图16所示，各引导机构31a(31b)包括用于检测沿着螺旋方向绕挂在引导构件33b(33c)的外周部的基材21的位置的基材位置检测部43、用于使引导构件33b(33c)以与引导构件33b(33c)的轴线方向交叉的方向为中心旋转的旋转机构44、以及用于根据基材位置检测部43检测出的基材21的位置控制旋转机构44的控制部45。
基材位置检测部43配置在引导构件33b(33c)的下游侧。而且，基材位置检测部43用于检测基材21的宽度方向上的位置。在本实施方式中，基材位置检测部43设为CCD照相机。另外，基材位置检测部43也可以是配置在基材21的宽度方向上的两侧的一对光电传感器。总而言之，基材位置检测部43只要是能够检测出基材21位置的结构即可。
旋转机构44包括用于固定引导构件33b(33c)的转轴39的两端部的旋转机构主体46、用于使旋转机构主体46旋转位移的驱动机构47、以及用于将驱动机构47以能够旋转的方式连结于旋转机构主体46的连结部48。在本实施方式中，驱动机构47构成为通过驱动而使缸体伸缩。另外，驱动机构47只要是能够使旋转机构主体46旋转位移的结构即可。
而且，旋转机构44包括用于将旋转机构主体46以能够相对于真空室3旋转的方式固定于该真空室3的主体固定部49、和用于将驱动机构47以能够相对于真空室3旋转的方式固定于该真空室3的驱动固定部50。另外，主体固定部49以引导构件33b(33c)能够以轴线方向上的一侧(图15中的右侧)为中心地相对于后述的基材21旋转的方式，将旋转机构主体46的一侧固定于真空室3；前述的基材21从引导构件33b(33c)的轴线方向上的一侧(图15中的右侧)沿着螺旋方向绕挂在引导构件33b(33c)上。
控制部45根据由基材位置检测部43检测出的基材21的位置信息判定基材21是否错位。于是，控制部45在判定为基材21相对于所期望的位置错位的情况下，如图17所示，通过驱动驱动机构47，来使旋转机构主体46、具体地讲是使引导构件33b(33c)旋转预定角度。
采用本实施方式的制造方法，基材位置检测部43用于检测沿着螺旋方向绕挂在引导构件33b(33c)的外周部的基材21的宽度方向上的位置。于是，控制部45通过根据基材位置检测部43检测出的基材21的位置控制旋转机构44，来使引导构件33b(33c)以与引导构件33b(33c)的轴线方向交叉的方向为中心旋转。
由此，在基材21的位置脱离了所期望的位置之后，控制部45利用旋转机构44使引导构件33b(33c)旋转，而能够调整基材21的位置。因而，能够防止基材21进行蛇行运动。
根据以上的说明，本发明的特征如下。
为了支承并引导带状的基材，在外周部绕挂有该基材的引导构件中包括多个以与上述基材接触的方式排列在外周部且滚动自由的滚动构件(旋转构件)。
采用本发明的引导构件，在外周部排列有多个滚动构件，被输送的基材与多个滚动构件接触。因而，例如与外周面平滑的圆柱体的辊构件相比较，能够减小与基材接触的面积，因此，能够抑制与基材之间产生的摩擦力。
并且，由于滚动构件滚动自由，因此，滚动构件也能够随着输送基材而滚动。因而，能够更有效地抑制与基材之间产生的摩擦力。
各滚动构件是以3个自由度旋转自由的球状体。因而，由于各滚动构件能够在任一个方向上旋转，因此，无论基材在哪一个方向上绕挂在引导构件的外周部，滚动构件都能够在基材的输送方向上旋转。
上述多个滚动构件分别是以轴线方向为中心旋转自由的圆柱状体，它们沿着螺旋方向排列在上述引导构件的外周部。或者，上述多个滚动构件分别是以轴线方向为中心旋转自由的圆柱状体，它们沿着周向排列在上述引导构件的外周部。
由此，由于能够减小绕挂在引导构件的外周部的基材和引导构件之间的接触面积，因此，能够抑制在引导构件和基材之间产生摩擦力。
引导机构包括引导构件、用于检测沿着螺旋方向绕挂在上述引导构件外周部的上述基材的宽度方向上的位置的基材位置检测部、用于使上述引导构件以与上述引导构件的轴线方向交叉的方向为中心旋转的旋转机构、以及用于根据上述基材位置检测部检测出的基材的位置控制上述旋转机构的控制部。
采用本发明的引导机构，基材位置检测部用于检测沿着螺旋方向绕挂在引导构件的外周部的基材的宽度方向上的位置。而且，控制部通过根据基材位置检测部检测出的基材的位置控制旋转机构，来使引导构件以与引导构件的轴线方向交叉的方向为中心地旋转。由此，在基材的位置脱离了所期望的位置之后，控制部利用旋转机构使引导构件旋转，而能够调整基材的位置。因而，能够防止基材进行蛇行运动。
一种有机EL器件的制造方法，其中，通过在被输送的带状的基材上蒸镀气化材料，在作为该基材的一侧的面的蒸镀面上形成有机EL元件的结构层，其中，包括利用引导构件改变上述基材的上述蒸镀面的朝向的方向改变工序。
接着，说明利用上述制造装置进行的有机EL器件的制造方法的实施方式。
本实施方式的有机EL器件的制造方法在使带状的基材沿着长度方向移动的同时通过蒸镀在该基材21上形成有机EL元件19的结构层。
该制造方法包括结构层形成工序，在该结构层形成工序中，在使基材21沿着长度方向移动的同时，利用沿着该基材21的移动方向配置的蒸镀部A～C(至少朝上蒸镀部和横向蒸镀部)从蒸镀源9a～9k向基材21的一个面喷出气化材料而依次进行蒸镀。
此外，上述结构层形成工序包括以下工序：朝上蒸镀工序，利用蒸镀部A(朝上蒸镀部)，在使基材21以蒸镀面21a朝向下方的状态移动的同时从配置在该基材21的下方的蒸镀源9a、9b向蒸镀面21a喷出上述气化材料来进行蒸镀；横向蒸镀工序，利用蒸镀部B(横向蒸镀部)，在使基材21以蒸镀面21a朝向侧方的状态移动的同时从配置在该基材21的侧方的蒸镀源9c～9g向蒸镀面21a喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及方向改变工序，利用设置在蒸镀部A和蒸镀部B之间的方向改变部30a，将从蒸镀部A输送来的基材21以该基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从该非蒸镀面21b侧支承并使蒸镀面21a的朝向从下方变为侧方，将该基材21引导到蒸镀部B。
并且，上述结构层形成工序还包括以下工序：横向蒸镀工序，利用蒸镀部B(横向蒸镀部)，在使基材21以蒸镀面21a朝向侧方的状态移动的同时从配置在该基材21的侧方的蒸镀源9c～9g向蒸镀面21a喷出上述气化材料来进行蒸镀；朝上蒸镀工序，利用蒸镀部C(朝上蒸镀部)，在使基材21以蒸镀面21a朝向下方的状态移动的同时从配置在该基材21的下方的蒸镀源9h～9k向蒸镀面21a喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及方向改变工序，利用设置在蒸镀部B和蒸镀部C之间的方向改变部30b，将从蒸镀部B输送来的基材21以该基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从该非蒸镀面21b侧支承并使蒸镀面21a的朝向从侧方变为下方，将该基材21引导到蒸镀部C。
在本实施方式中，具体地讲，例如首先将卷成卷状的基材21从基材供给部5放出。
接着，在蒸镀部A中，在使放出来的基材21移动的同时，从蒸镀源9a朝向上方地向该基材21的下表面(蒸镀面)喷出阳极层形成材料而形成阳极层23(例如Al层)，从蒸镀源9b喷出端覆盖层形成材料，以覆盖阳极层23的周缘的方式形成端覆盖层24(朝上蒸镀工序)。
接着，利用引导机构31a，将从上游侧的蒸镀部A(朝上蒸镀部)输送来的蒸镀面21a的朝向朝向下方的基材21以基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从该非蒸镀面21b侧支承，并以蒸镀面21a的朝向变为侧方的方式弯曲，将该基材21以蒸镀面21a朝向侧方的状态引导到下游侧的蒸镀部B(横向蒸镀部)(方向改变工序)。
在蒸镀部B中，在使从引导机构31a输送来的基材21移动的同时，从配置在基材21的侧方的蒸镀源9c～9g向该基材21的蒸镀面21a喷出有机EL层结构层形成材料，形成5层有机EL层结构层(例如空穴注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层)(横向蒸镀工序)。
接着，利用引导机构31b，将从上游侧的蒸镀部B(横向蒸镀部)输送来的蒸镀面21a的朝向朝向侧方的基材21以基材21的非蒸镀面21b成为内周面的方式从该非蒸镀面21b侧支承，并以蒸镀面21a的朝向变为下方的方式弯曲，将该基材21以蒸镀面21a朝向下方的状态引导到下游侧的蒸镀部C(朝上蒸镀部)(方向改变工序)。
在蒸镀部C中，在使从引导机构31b输送来的基材21移动的同时，从配置在基材21的下方的蒸镀源9h～9j朝向上方地向该基材21的蒸镀面21a喷出阴极层形成材料，形成由3层阴极层结构层构成的阴极层27(例如LiF层、Mg层、Ag层)，从蒸镀源9k向上方喷出密封层形成材料而形成密封层(例如MoO3层)29(朝上蒸镀工序)。
能够像以上这样地在基材21上形成有机EL元件19。此外，在这样地在基材21上形成有机EL元件19的同时，利用基材回收部6卷取形成有该有机EL元件19的基材21。
能够这样地制造有机EL器件20。另外，在本实施方式中，有机EL器件20包括基材21、有机EL元件19、端覆盖层24以及密封层29。有机EL元件19包括阳极层23、有机EL层25以及阴极层27。
采用该制造方法，在上游侧的蒸镀部是蒸镀部A(朝上蒸镀部)的情况下，在从蒸镀源9a、9b朝向上方地向基材21的朝向下方的蒸镀面21a喷出气化材料而形成了结构层之后，能够利用引导机构31a将形成有该结构层的基材21的蒸镀面21a的朝向从下方变为侧方，以蒸镀面21a朝向侧方的状态将基材21引导到下游侧的蒸镀部B。而且，在该下游侧的蒸镀部B(横向蒸镀部)中，能够利用蒸镀源9c～9g从侧方向基材21的朝向侧方的蒸镀面21a喷出气化材料而继续形成结构层。
另一方面，在上游侧的蒸镀部是蒸镀部B(横向蒸镀部)的情况下，在从蒸镀源9c～9g朝向侧方地向基材21的朝向侧方的蒸镀面21a喷出气化材料而形成了结构层之后，能够利用引导机构31b将形成有该结构层的基材21的蒸镀面21a的朝向从侧方变为下方，以蒸镀面21a朝向下方的状态将基材21引导到下游侧的蒸镀部C(朝上蒸镀部)。而且，在蒸镀部C中，能够利用蒸镀源9h～9k从下方向基材21的朝向下方的蒸镀面21a喷出气化材料而继续形成结构层。
这样，在各蒸镀部A～C中，通过从蒸镀源9a～9k(或者9a～9l，以下同样。)朝向下方和侧方喷出气化材料，能够防止从蒸镀源9a～9j落下来的异物混入，因此，能够防止因该异物的混入导致的发光不良。
此外，通过在蒸镀部A～C之间(朝上蒸镀部和横向蒸镀部之间)支承基材21，能够对基材21施加期望的张力，能够抑制基材21的挠曲、振动。由此，能够抑制因与蒸镀源9a～9k的接触导致基材21的蒸镀面21a损伤。并且，能够抑制基材21和蒸镀源9a～9k之间的距离变化而适当地控制结构层的厚度。由此，能够抑制发光特性降低。
而且，通过支承基材21的非蒸镀面21b，能够抑制基材的蒸镀面21a损伤。
因而，能够制造被抑制了质量降低的有机EL器件20。
并且，在各蒸镀部A～C之间配置有引导机构31a、31b，能够利用引导机构31a、31b改变在被引导机构31a、31b引导之前和引导之后从上方看时的基材21的移动方向。由此，能够将各蒸镀部A～C配置在所期望的位置。因而，能够提高蒸镀部A～C的布局的自由度。此外，也能够有效利用制造场所的空间。
此外，在本实施方式中，引导机构31a、31b具有用于支承非蒸镀面21b的多个辊构件33a～33d。各引导机构的辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于基材的宽度方向倾斜的方向配置。由此，能够利用将辊构件组合起来这样的简单的结构像上述那样地易于改变基材21的蒸镀面21a的朝向，因此更为高效。
此外，在本实施方式中，上述辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于基材21的宽度方向倾斜45°的方向配置。由此，能够防止辊构件组合的复杂化，而且能够防止装置的大型化。
本发明的有机EL器件的制造方法和制造装置如上所述，但本发明并不限定于上述实施方式，能够在本发明所谋求的范围内适当地进行设计变更。例如，引导机构的结构并不特别限定于上述实施方式，只要能够将从上游侧的蒸镀部输送来的基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并使蒸镀面的朝向从下方变为侧方或者从侧方变为下方，以蒸镀面的朝向改变了的状态将基材引导到下游侧的蒸镀部，就也可以采用其他辊构件的配置、数量以及它们的组合。此外，在上述实施方式中，卷取了蒸镀工序结束后的基材，但也可以不卷取该基材而将其供给到裁切等工序。
接着，列举实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些。
实施例
使用与图1所示的制造装置1同样的制造装置做成阳极层由1层构成、有机EL层由5层构成、阴极层由1层构成的有机EL器件。此外，将各蒸镀源和基材之间的最短距离设定为2mm。通过使用该制造装置在基材(SUS)21上按顺序蒸镀阳极层(Al)、端覆盖层(SiO2)、空穴注入层(HAT－CN)、正孔输送层(α－NPD)、发光层(Alq3)、电子输送层(LiF)、电子注入层(LiF)、阴极层(Mg－Ai合金)、密封层(MoO3)，制作了有机EL器件。
将得到的有机EL器件切割成30cm(基材的移动方向)×3.8cm(基材的宽度方向)制作试验样品，对得到的试验样品的阳极层和阴极层施加电压，调查了施加电压(V)和发光亮度(cd/m2)之间的关系。发光亮度是利用有机EL发光效率测定装置(EL－1003，精密压力表公司制)测定的。此外，利用数字显微镜(VHX－1000，基恩士公司制)拍摄了从有机EL元件侧看施加电压后的试验样品的照片。将得到的施加电压和发光亮度之间的关系表示在图8中，将施加电压后的试验样品的照片表示在图9中。
如图8所示，即使对得到的有机EL器件的阳极层和阴极层施加电压，也看不到漏电，如图9所示，在施加电压之后，并未看到由漏电引起的有机EL元件的破坏。
比较例
采用与图7所示的制造装置100同样的制造装置。即，作为制造装置包括以直线状配置的蒸镀部A～C，除了在蒸镀部A～C之间未设置引导机构之外，采用与图1同样的装置。另外，在图7中，以省略真空室的方式表示了制造装置。
而且，在使用该制造装置与实施例同样地制作了有机EL器件之后，发现基材挠曲，基材的蒸镀面和蒸镀源接触而在基材的蒸镀面产生了擦伤。此外，对来自与实施例同样地得到的有机EL器件的试验样品进行了评价。将得到的施加电压和发光亮度之间的关系表示在图8中，将施加电压后的试验样品的照片表示在图9中。如图8所示，在比较例中，因在基材的蒸镀面产生了上述擦伤而确认到了漏电。此外，由于产生了该漏电，因此，在施加电压之后如图9所示那样看到了有机EL元件的破坏。
基于以上的结果，可知利用本发明的有机EL器件的制造方法和制造装置能够制造被抑制了质量降低的有机EL器件。
本发明虽如上所述，但本发明并不限定于上述实施方式，能够在本发明所谋求的范围内适当地进行设计变更。
此外，在上述实施方式的引导构件33b、33c中，说明了支承构件38能够相对于转轴39旋转的结构，但并不限定于该结构。例如，也可以是如下的结构：支承构件38固定于转轴39，即使滚动构件37旋转，该支承构件38也不会相对于转轴39旋转。
此外，在上述实施方式的引导构件33b、33c中，说明了如下的结构：引导构件主体36固定于转轴39，即使输送基材21，该引导构件主体36也不会相对于转轴39旋转，但并不限定于该结构。例如，也可以是引导构件主体36是能够相对于转轴39旋转的结构，是随着输送基材21而该引导构件主体36相对于转轴39旋转的结构。
此外，在上述实施方式的引导构件33b、33c中，说明了多个滚动构件37以遍及引导构件主体36的周向上的整个区域和轴线方向(长度方向)上的整个区域的方式排列的结构，但并不限定于该结构。滚动构件37至少在引导构件33b、33c的与基材21接触的区域中排列即可。
此外，引导机构的结构也可以采用变更了引导构件的配置、数量以及它们的组合而成的结构。并且，在上述实施方式中，卷取了蒸镀工序结束后的基材，但也可以不卷取该基材而将其供给到裁切等工序。
图18～图21表示本发明的有机EL器件的制造装置的另一实施方式。
如图18所示，本实施方式的有机EL器件的制造装置(以下也简称作“制造装置”)1包括用于将带状的基材81在长度方向上输送的输送装置2、用于对基材81进行加热的加热装置103、以及用于在被输送的基材81的一侧的面即蒸镀面81a上蒸镀气化材料的蒸镀装置4。此外，制造装置1还包括用于将各装置2、4和103以真空状态收容的真空室105。
输送装置2包括用于放出并供给卷成卷状的带状的基材81的基材供给部121、和用于使基材81沿着螺旋方向在引导构件(以下也称作“螺旋引导构件”)221、231的外周部卷绕一圈以上(在本实施方式中是两圈)的一对螺旋输送部122、123。
而且，输送装置2还包括用于改变基材81的蒸镀面81a的朝向的一对方向改变部124、125、利用沿着铅垂方向延伸的旋转轴旋转且用于在外周部卷绕并支承基材81的辊筒(引导构件)26、以及用于将基材81卷成卷状并进行回收的基材回收部127。
另外，输送装置2从上游侧开始按顺序配置有基材供给部121、第1螺旋输送部122、第1方向改变部124、辊筒26、第2方向改变部125、第2螺旋输送部123、基材回收部127。此外，基材81以将蒸镀面81a朝向下方的状态自基材供给部121被输送，利用第1方向改变部124变为将蒸镀面81a朝向侧方的状态，之后，利用第2方向改变部125再次变为将蒸镀面81a朝向下方的状态，被输送到基材回收部127。
第1螺旋输送部122将第1螺旋引导构件221沿着水平方向配置。而且，第1螺旋引导构件221从外周部的下方侧接触从基材供给部121输送来的基材81，该基材81在外周部卷绕两圈(两周)并从外周部的下方侧离开，朝向第1方向改变部124输送。因而，基材81在第1螺旋引导构件221的下方侧通过三次。
第2螺旋输送部123将第2螺旋引导构件231沿着水平方向配置。而且，第2螺旋引导构件231从外周部的下方侧接触从第2方向改变部125输送来的基材81，该基材81在外周部卷绕两圈(两周)并从外周部的下方侧离开，朝向基材回收部127输送。因而，基材81在第2螺旋引导构件231的下方侧通过三次。
如图19～图21所示，各螺旋引导构件221(231)包括构成外周部的圆筒状的引导构件主体221a(231a)。而且，各螺旋引导构件221(231)还包括收容在引导构件主体221a(231a)中的滚动自由的多个滚动构件221b(231b)、和配置在引导构件主体221a(231a)的内部且用于从径向内方支承各滚动构件221b(231b)的筒状的支承构件221c(231c)。
此外，各螺旋引导构件221(231)还包括端部固定在基座构件222(232)上的转轴221d(231d)，该基座构件222(232)固定在真空室105中。并且，为了防止在输送基材81时引导构件主体221a(231a)旋转，各螺旋引导构件221(231)还包括用于在转轴221d(231d)上固定引导构件主体36的固定构件221e(231e)。各螺旋引导构件221(231)包括用于将支承构件221c(231c)以能够旋转的方式支承的轴承构件221f(231f)。
各滚动构件221b(231b)在引导构件主体221a(231a)的径向外方以其一部分自引导构件主体221a(231a)突出的方式配置。各滚动构件221b(231b)在引导构件主体221a(231a)的径向内方以其一部分自引导构件主体221a(231a)突出的方式配置。因而，各螺旋引导构件221(231)的外周面形成为凹凸状。
而且，多个滚动构件221b(231b)以基材81与自引导构件主体221a(231a)向径向外方突出的部位接触的方式排列。由此，基材81跨多个滚动构件221b(231b)并与其接触。换言之，基材81以抵接于多个滚动构件221b(231b)且与引导构件主体221a(231a)分开的方式绕挂在各螺旋引导构件221(231)的外周部。
此外，各滚动构件221b(231b)以其自引导构件主体221a(231a)向径向内方突出的部位与支承构件221c(231c)的外周部接触的方式配置。在本实施方式中，各滚动构件221b(231b)是以3个自由度旋转自由的球状体。
支承构件221c(231c)用其外周部支承各滚动构件221b(231b)。由此，各滚动构件221b(231b)虽自接触的基材81朝向引导构件主体221a(231a)的径向内方受力，但能够防止该滚动构件221b(231b)自引导构件主体221a(231a)脱离、或者相对于引导构件主体221a(231a)向径向内方错位。
此外，支承构件221c(231c)构成为利用轴承构件221f(231f)能够以轴线方向(转轴221d(231d))为中心旋转。因而，支承构件221c(231c)利用与随着输送基材81而滚动的各滚动构件221b(231b)之间的摩擦力而旋转，能够使各滚动构件221b(231b)的旋转速度稳定(成为大致相同的旋转速度)。
返回到图18，第1方向改变部124包括沿着水平方向配置的引导构件(以下也称作“水平引导构件”)241。此外，第1方向改变部124在水平引导构件的下游侧包括沿着相对于水平方向和铅垂方向倾斜的方向配置的引导构件(以下也称作“倾斜引导构件”)242。
而且，第1方向改变部124在一对引导构件241、242上架设基材81。另外，基材81沿着周向接触(绕挂)于水平引导构件241的外周部约1/4圈，并且沿着螺旋方向接触(绕挂)于倾斜引导部242的外周部约1/2圈。
于是，第1方向改变部124构成为，将从第1螺旋输送部122输送来的基材81以非蒸镀面81b成为内周面的方式从非蒸镀面81b侧支承并使蒸镀面81a的朝向从下方变为侧方，将该基材81引导到辊筒26。
具体地讲，首先，基材81将水平引导构件241作为支承轴以从侧方向上方输送的方式弯曲，被输送到倾斜引导构件242。之后，基材81将倾斜引导构件242作为支承轴以从上方向侧方输送的方式弯曲，被输送到辊筒26。
水平引导构件241沿着水平方向且基材81的宽度方向(与长度方向垂直的方向)配置。而且，水平引导构件241是形成为圆柱状且以轴线方向为中心旋转自由的辊构件，并随着输送基材81而整体旋转。此外，水平引导构件241的外周面形成为平滑的。
倾斜引导构件242配置在水平引导构件241的上方。而且，倾斜引导构件242以相对于水平方向向上方倾斜预定角度(在本实施方式中是45°)的方式配置。倾斜引导构件242以相对于基材81的宽度方向倾斜预定角度(在本实施方式中是45°)的方式配置。
另外，为了防止随着输送基材81而错位，倾斜引导构件242包括以与基材81接触的方式排列在外周部且滚动自由的多个滚动构件(未图示和编号)。即，倾斜引导构件242是与螺旋引导构件221(231)相同的结构。
第2方向改变部125包括沿着相对于水平方向和铅垂方向倾斜的方向配置的引导构件(以下也称作“倾斜引导构件”)251。此外，第2方向改变部125在倾斜引导构件251的下游侧包括沿着水平方向配置的引导构件(以下也称作“水平引导构件”)252。
而且，第2方向改变部125在一对引导构件251、252上架设基材81。另外，基材81沿着螺旋方向接触(绕挂)于倾斜引导构件251的外周部约1/2圈。基材81沿着周向接触(绕挂)于水平引导构件252的外周部约1/4圈。
于是，第2方向改变部125构成为，将从辊筒26输送来的基材81以非蒸镀面81b成为内周面的方式从非蒸镀面81b侧支承并将蒸镀面81a的朝向从侧方变为下方，将该基材81引导到第2螺旋输送部123。
具体地讲，首先，基材81将倾斜引导构件251作为支承轴以从侧方向下方输送的方式弯曲，被输送到水平引导构件252之后，将水平引导构件252作为支承轴以从下方向侧方输送的方式弯曲，被输送到第2螺旋输送部123。
倾斜引导构件251以相对于水平方向向上方倾斜预定角度(在本实施方式中是45°)的方式配置，并且以相对于基材81的宽度方向倾斜预定角度(在本实施方式中是45°)的方式配置。另外，为了防止随着输送基材81而错位，倾斜引导构件251构成为包括以与基材81接触的方式排列在外周部且滚动自由的多个滚动构件(未图示和编号)、即与螺旋引导构件221(231)相同的结构。
水平引导构件252配置在倾斜引导构件251的下方。而且，水平引导构件252沿着水平方向且基材81的宽度方向(与长度方向垂直的方向)配置。此外，水平引导构件252是形成为圆柱状且以轴线方向为中心旋转自由的辊构件，并随着输送基材81而整体旋转。另外，水平引导构件252的外周面形成为平滑的。
为了对基材81加热，加热装置103包括朝向第1螺旋引导构件221的外周部释放热量的热源31。而且，热源31在螺旋引导构件221的下方且沿着螺旋引导构件221的轴线方向配置。具体地讲，热源31配置在与基材81的距离为300mm以下的位置。在本实施方式中，热源31设为卤素加热器。
蒸镀装置4包括配置在第1螺旋输送部122和第1方向改变部124之间的成为朝上蒸镀部的第1蒸镀部141、和配置在辊筒26的侧方的成为横向蒸镀部的第2蒸镀部142。此外，蒸镀装置4还包括配置在第2方向改变部125和第2螺旋输送部123之间的成为朝上蒸镀部的第3蒸镀部143、和配置在第2螺旋输送部123的下方的成为朝上蒸镀部的第4蒸镀部144。
第1蒸镀部141包括阳极层蒸镀源41a，该阳极层蒸镀源41a通过使气化材料气化并将其喷出而在基材81的蒸镀面81a上形成阳极层。第1蒸镀部141包括端覆盖层蒸镀源41b，该端覆盖层蒸镀源41b配置在阳极层蒸镀源41a的下游，通过使气化材料气化并将其喷出而形成用于覆盖阳极层的周缘的端覆盖层。
此外，第1蒸镀部141在被输送的基材81的下方配置有各蒸镀源41a、41b。于是，第1蒸镀部141构成为从各蒸镀源41a、41b向以蒸镀面81a朝向下方的状态输送的基材81的蒸镀面81a喷出气化材料来进行蒸镀的朝上的蒸镀部。
为了朝向上方喷出气化材料，各蒸镀源41a、41b以其开口配置在上部且与基材81的蒸镀面81a相对的方式配置。此外，各蒸镀源41a、41b配置在接近基材81的位置。具体地讲，配置在各蒸镀源41a、41b的开口端(喷嘴)和基材81之间的距离(最短距离)为10mm以下的位置。
此外，第2蒸镀部142在被输送的基材81的侧方配置有各蒸镀源42a～42e。于是，第2蒸镀部142构成为从各蒸镀源42a～42e向以蒸镀面81a朝向侧方的状态输送的基材81的蒸镀面81a喷出气化材料来进行蒸镀的横向的蒸镀部。
为了朝向横向喷出气化材料，各蒸镀源42a～42e以其开口配置在侧部且与基材81的蒸镀面81a相对的方式配置。此外，各蒸镀源42a～42e配置在接近基材81的位置。具体地讲，配置在各蒸镀源42a～42e的开口端(喷嘴)和基材81之间的距离(最短距离)为10mm以下的位置。
第3蒸镀部143为了使气化材料气化并将其喷出而在基材81的蒸镀面81a上形成阴极层而包括三个阴极层蒸镀源43a、43b、43c。此外，第3蒸镀部143在被输送的基材81的下方配置有各蒸镀源43a～43c。于是，第3蒸镀部143构成为从各蒸镀源43a～43c向以蒸镀面81a朝向下方的状态输送的基材81的蒸镀面81a喷出气化材料来进行蒸镀的朝上的蒸镀部。
为了朝向上方喷出气化材料，各蒸镀源43a～43c以其开口配置在上部且与基材81的蒸镀面81a相对的方式配置。此外，各蒸镀源43a～43c配置在接近基材81的位置。具体地讲，配置在各蒸镀源43a～43c的开口端(喷嘴)和基材81之间的距离(最短距离)为10mm以下的位置。
第4蒸镀部144为了使气化材料气化并将其喷出而在基材81的蒸镀面81a形成防止各层与空气接触的密封层，从而包括密封层蒸镀源44a。此外，第4蒸镀部144在第2螺旋引导构件231的下方且沿着第2螺旋引导构件231的轴线方向配置。
于是，第4蒸镀部144构成为从蒸镀源44a向在第2螺旋引导构件231的下方侧通过的基材81的部位、即处于蒸镀面81a朝向下方的状态的基材81的部位的蒸镀面81a喷出气化材料来进行蒸镀的朝上的蒸镀部。由此，由于基材81在第2螺旋引导构件231的下方通过三次，因此，通过蒸镀源44a朝向第2螺旋引导构件231的下方侧的外周部喷出气化材料，能够在基材81上蒸镀三次气化材料。
为了朝向上方喷出气化材料，蒸镀源44a以其开口配置在上部且与基材81的蒸镀面81a相对的方式配置。此外，蒸镀源44a配置在接近基材81的位置。具体地讲，配置在蒸镀源44a的开口端(喷嘴)和基材81之间的距离(最短距离)为10mm以下的位置。
另外，各蒸镀部141～144的各蒸镀源41a～41b、42a～42e、43a～43c、44a构成为，利用加热部(未图示和编号)对收容在内部的材料加热而使材料气化，然后从开口朝向基材81的蒸镀面81a喷出气化后的材料(气化材料)。
真空室105包括多个真空室(未图示和编号)。而且，在各真空室中分别收容有基材供给部121、第1螺旋输送部122和加热装置103、第1蒸镀部141、第1方向改变部124、辊筒26和第2蒸镀部142、第2方向改变部125、第3蒸镀部143、第2螺旋输送部123和第4蒸镀部144、基材回收部127。
此外，各真空室利用真空产生装置(未图示和编号)对内部减压，内部成为真空状态。此外，相邻的真空室相互间构成为，通过用于在各真空室内依次输送基材81的连通部相连通，并且能够保持各内部的真空状态。
接着，说明采用本实施方式的制造装置1进行的有机EL器件8的制造方法。
从基材供给部121放出卷成卷状的基材81(基材供给工序)。然后，将从基材供给部121放出来的基材81输送到第1螺旋输送部122，以沿着螺旋方向在第1螺旋引导构件221的外周部卷绕两圈的方式进行输送(第1螺旋输送工序)。
在该第1螺旋输送工序中，配置在第1螺旋引导构件的下方的加热装置103的热源31朝向螺旋引导构件221的外周部释放热量。由此，将基材81加热到预定的温度(例如200～300℃)(基材加热工序)。
具体地讲，基材81在第1螺旋引导构件221的下方侧通过三次时，通过直接传导从热源31释放出来的热量而基材81被加热，并且在基材81与第1螺旋引导构件221的外周部接触(转两圈)的期间里，通过从热源31释放出来的热量经由具有导热性(例如为金属制)的第1螺旋引导构件221间接传导到基材80而基材81也被加热。
将加热后的基材81以蒸镀面81a朝向下方的状态输送到第1蒸镀部141。然后，通过阳极层蒸镀源41a朝向上方喷出气化材料，在被输送的基材81的下表面(蒸镀面81a)形成阳极层。之后，通过端覆盖层蒸镀源41b朝向上方喷出气化材料，以覆盖阳极层的周缘的方式形成端覆盖层(第1蒸镀工序)。
将利用第1蒸镀部141蒸镀后的基材81输送到第1方向改变部124。在该第1方向改变部124中，利用各引导构件241、242，将基材81以从蒸镀面81a的朝向朝向下方的状态变为朝向侧方的状态的方式引导到辊筒26(第1方向改变工序)。此时，将基材81以非蒸镀面81b成为内周面的方式从非蒸镀面81b侧支承于各引导构件241、242。
通过将被输送到辊筒26的基材81绕挂在辊筒26的外周部，该基材81被辊筒26支承且引导(辊筒输送工序)。在该辊筒输送工序中，通过配置在基材81的侧方的各蒸镀源42a～42e朝向侧方喷出气化材料，形成由五层的有机EL层结构层(空穴注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层)构成的有机EL层(第2蒸镀工序)。
将利用第2蒸镀部142蒸镀后的基材81输送到第2方向改变部125。在该第2方向改变部125中，利用各引导构件251、252将基材81以从蒸镀面81a的朝向朝向侧方的状态变为朝向下方的状态的方式引导到第3蒸镀部143(第2方向改变工序)。此时，将基材81以非蒸镀面81b成为内周面的方式从非蒸镀面81b侧支承于各引导构件251、252。
将方向改变后的基材81以蒸镀面81a朝向下方的状态输送到第3蒸镀部143。然后，在第3蒸镀部143中，通过各阴极层蒸镀源43a～43c朝向上方喷出气化材料，在被输送的基材81的下表面(蒸镀面81a)形成由三层的阴极层结构层(LiF层、Mg层、Ag层)构成的阴极层。
将利用第3蒸镀部143蒸镀后的基材81输送到第2螺旋输送部123。然后，将被输送到第2螺旋输送部123的基材81以沿着螺旋方向在第2螺旋引导构件231的外周部卷绕两圈的方式进行输送(第2螺旋输送工序)。
在该第2螺旋输送工序中，通过配置在第2螺旋引导构件231的下方的第4蒸镀部144的密封层蒸镀源44a朝向第2螺旋引导构件231的外周部的下方侧喷出气化材料，形成密封层(第4蒸镀工序)。具体地讲，基材81在第2螺旋引导构件231的下方侧通过三次时利用从密封层蒸镀源44a喷出来的气化材料被蒸镀三次。
这样，在基材81上形成具有阳极层、有机EL层以及阴极层的有机EL元件80。然后，利用基材回收部127将形成有有机EL元件80的基材81卷成卷状(基材回收工序)。
另外，通过将基材81绕挂在多个引导构件221、231、241、242、251、252、26的外周部，以支承且引导该基材81的方式进行输送(输送工序)。即，在本实施方式中，输送工序由第1螺旋输送工序、第1方向改变工序、辊筒输送工序、第2方向改变工序、第2螺旋输送工序构成。
像以上这样，采用本实施方式的有机EL器件的制造装置1和制造方法，在输送工序中，由于基材81绕挂在多个引导构件221、231、241、242、251、252、26的外周部，因此，引导构件221、231、241、242、251、252、26支承并引导基材81。由此，能够输送基材81。
而且，在输送工序中的各螺旋输送工序中，通过将基材81沿着螺旋方向在螺旋引导构件221、231的外周部卷绕一圈以上(具体地讲是两圈)，能够输送基材81。由此，能够将基材81以在各螺旋引导构件221、231的下方侧通过多次(具体地讲是三次)的方式进行输送。因而，能够实现以往所没有的灵活的设计。
此外，采用本实施方式的有机EL器件的制造装置1和制造方法，在第2螺旋输送工序中，将基材81以在第2螺旋引导构件231的下方侧通过(具体地讲是三次)的方式进行输送。因而，在第2螺旋输送工序中，通过密封层蒸镀源44a朝向第2螺旋引导构件231的外周部的下方侧喷出气化材料，能够在基材81上多次(具体地讲是三次)蒸镀气化材料。
此外，由于也能够加快基材81的输送速度，因此，能够提高生产率。具体地讲，需要基材81的输送速度适合于作为处理速度最慢的工序的第4蒸镀工序(形成密封层的工序)。相对于此，采用本实施方式的制造装置1和制造方法，通过在第2螺旋输送工序中进行第4蒸镀工序，能够与以往相比加快基材81的输送速度。
此外，采用本实施方式的有机EL器件的制造装置和制造方法，在第1螺旋输送工序中，将基材81以在第1螺旋引导构件221的下方侧通过多次(具体地讲是三次)的方式进行输送。因而，在第1螺旋输送工序中，热源31朝向第1螺旋引导构件221的外周部的下方侧释放热量时，能够对基材81加热多次(具体地讲是三次)。
由此，每当基材81在第1螺旋引导构件221的下方侧通过时，释放出来的热量都直接传导到基材81，因此，与一般的(与基材的接触小于1/2圈的)辊构件相比较，能够增多被直接加热的次数。因而，能够高效地加热基材81。
并且，在基材81与第1螺旋引导构件221接触的期间里，释放出来的热量经由第1螺旋引导构件221也间接地传导到基材81。由此，与一般的(与基材的接触小于1/2圈的)辊构件相比较，能够延长基材81与第1螺旋引导构件221接触的时间，因此，能够延长被间接加热的时间。因而，能够更高效地加热基材81。
此外，采用本实施方式的有机EL器件的制造装置1和制造方法，多个滚动构件221b、231b在各螺旋引导构件221、231的外周部排列，被输送的基材81跨多个滚动构件221b、231b并与其接触。因而，与外周面平滑的一般的辊构件相比较，能够减小各螺旋引导构件221、231与基材81接触的面积，因此，能够抑制在各螺旋引导构件221、231和基材81之间产生的摩擦力。
并且，由于滚动构件221b、231b滚动自由，因此，滚动构件221b、231b也能够随着输送基材81而滚动。因而，由于能够更有效地抑制在各螺旋引导构件221、231和基材81之间产生的摩擦力，因此，能够抑制基材81相对于各螺旋引导构件221、231错位(蛇行运动)。
此外，采用本实施方式的有机EL器件的制造装置1和制造方法，由于滚动构件221b、231b是以3个自由度旋转自由的球状体，因此，各滚动构件221b、231b能够在任一个方向上旋转。因而，在基材81沿着螺旋方向绕挂在各螺旋引导构件221、231的外周部时，各滚动构件221b、231b向基材81的输送方向旋转。由此，能够有效地抑制基材81相对于各螺旋引导构件221、231错位。
在上述实施方式的引导构件221(231)中，说明了如下的结构：引导构件主体221a(231a)固定于转轴221d(231d)，即使输送基材81，该引导构件主体221a(231a)也不会相对于转轴221d(231d)旋转，但并不限定于该结构。例如，也可以是引导构件主体221a(231a)能够相对于转轴221d(231d)旋转的结构，其随着输送基材81而相对于转轴221d(231d)旋转。
附图标记说明
1、有机EL器件的制造装置；3、真空室；9a～9l、蒸镀源；19、有机EL元件；21、基材；21a、蒸镀面；21b、非蒸镀面；23、阳极层；25、有机EL层；27、阴极层；30a、30b、方向改变部；31a、31b、引导机构；33a～33d、辊构件。

Claims (6)

1.一种有机EL器件的制造方法，其中，在使带状的基材沿着长度方向移动的同时，通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造方法包括结构层形成工序，在该结构层形成工序中，在使上述基材沿着长度方向移动的同时，利用沿着该基材的移动方向配置的至少朝上蒸镀部和横向蒸镀部，从蒸镀源向上述基材的一个面喷出气化材料而依次进行蒸镀，
上述结构层形成工序包括以下工序：
朝上蒸镀工序，在上述朝上蒸镀部处，在使上述基材以蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从配置在该基材的下方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；
横向蒸镀工序，在上述横向蒸镀部处，在使上述基材以上述蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从配置在该基材的侧方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变工序，利用设置在上述朝上蒸镀部和上述横向蒸镀部之间的引导机构，将从上述朝上蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从下方变为侧方，将该基材引导到上述横向蒸镀部，
上述引导机构具有用于支承上述非蒸镀面的多个辊构件，
该辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述基材的宽度方向倾斜的方向配置。
2.一种有机EL器件的制造方法，其中，在使带状的基材沿着长度方向移动的同时，通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造方法包括结构层形成工序，在该结构层形成工序中，在使上述基材沿着长度方向移动的同时，利用沿着该基材的移动方向配置的至少横向蒸镀部和朝上蒸镀部，从蒸镀源向上述基材的一个面喷出气化材料，依次进行蒸镀，
上述结构层形成工序包括以下工序：
横向蒸镀工序，在上述横向蒸镀部处，在使上述基材以蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从配置在该基材的侧方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；
朝上蒸镀工序，在上述朝上蒸镀部处，在使上述基材以上述蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从配置在该基材的下方的上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变工序，利用设置在上述横向蒸镀部和上述朝上蒸镀部之间的引导机构，将从上述横向蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从侧方变为下方，将该基材引导到上述朝上蒸镀部，
上述引导机构具有用于支承上述非蒸镀面的多个辊构件，
该辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述基材的宽度方向倾斜的方向配置。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL器件的制造方法，其中，
上述辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述宽度方向倾斜45°的方向配置。
4.一种有机EL器件的制造装置，其用于在使带状的基材沿着长度方向移动的同时通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造装置包括：
朝上蒸镀部，其在移动的上述基材的下方具有蒸镀源，在使上述基材以蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出气化材料来进行蒸镀；
横向蒸镀部，其在移动的上述基材的侧方具有蒸镀源，在使上述基材以上述蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变部，其设置在上述朝上蒸镀部和上述横向蒸镀部之间，包括引导机构，该引导机构将从上述朝上蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从下方变为侧方，将该基材引导到上述横向蒸镀部，
上述引导机构具有用于支承上述非蒸镀面的多个辊构件，
该辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述基材的宽度方向倾斜的方向配置。
5.一种有机EL器件的制造装置，其用于在使带状的基材沿着长度方向移动的同时通过蒸镀在该基材上形成有机EL元件的结构层，其特征在于，
该有机EL器件的制造装置包括：
横向蒸镀部，其在移动的上述基材的侧方具有蒸镀源，在使上述基材以蒸镀面朝向侧方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出气化材料来进行蒸镀；
朝上蒸镀部，其在移动的上述基材的下方具有蒸镀源，在使上述基材以上述蒸镀面朝向下方的状态移动的同时，从上述蒸镀源向上述蒸镀面喷出上述气化材料来进行蒸镀；以及
方向改变部，其设置在上述横向蒸镀部和上述朝上蒸镀部之间，包括引导机构，该引导机构将从上述横向蒸镀部输送来的上述基材以该基材的非蒸镀面成为内周面的方式从该非蒸镀面侧支承并将上述蒸镀面的朝向从侧方变为下方，将该基材引导到上述朝上蒸镀部，
上述引导机构具有用于支承上述非蒸镀面的多个辊构件，
该辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述基材的宽度方向倾斜的方向配置。
6.根据权利要求4或5所述的有机EL器件的制造装置，其中，
上述辊构件中的至少1个辊构件沿着相对于上述宽度方向倾斜45°的方向配置。
CN201280021507.4A 2011-10-24 2012-10-17 有机el器件的制造方法及制造装置 Expired - Fee Related CN103503567B (zh)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-233066 2011-10-24
JP2011233066 2011-10-24
JP2011245836A JP5269970B2 (ja) 2011-10-24 2011-11-09 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置
JP2011-245836 2011-11-09
JP2012-020887 2012-02-02
JP2012020884 2012-02-02
JP2012-020884 2012-02-02
JP2012020887A JP2013161570A (ja) 2012-02-02 2012-02-02 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置
JP2012113290A JP2013179019A (ja) 2012-02-02 2012-05-17 ガイド部材、ガイド機構及び有機ｅｌデバイスの製造方法
JP2012-113290 2012-05-17
PCT/JP2012/076848 WO2013061845A1 (ja) 2011-10-24 2012-10-17 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103503567A CN103503567A (zh) 2014-01-08
CN103503567B true CN103503567B (zh) 2016-06-01

Family

ID=49627498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201280021507.4A Expired - Fee Related CN103503567B (zh) 2011-10-24 2012-10-17 有机el器件的制造方法及制造装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8921142B2 (zh)
EP (1) EP2773165B1 (zh)
KR (1) KR20140076527A (zh)
CN (1) CN103503567B (zh)
TW (1) TW201336130A (zh)
WO (1) WO2013061845A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014105747B4 (de) * 2014-04-23 2024-02-22 Uwe Beier Modulare Vorrichtung zum Bearbeiten von flexiblen Substraten
KR20170000465U (ko) * 2014-05-30 2017-02-02 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 프로세싱 챔버에서 기판을 지지하기 위한 캐리어
DE102015110087A1 (de) * 2015-06-23 2016-12-29 Aixtron Se Fördereinrichtung für ein Substrat
DE102015114187B4 (de) * 2015-08-26 2018-10-11 Solayer Gmbh Durchlauf-Folienbehandlungsanlage vertikal ausgerichteter Substrate
JP6654913B2 (ja) 2016-01-26 2020-02-26 住友化学株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
CN106739594B (zh) * 2016-11-09 2019-02-26 明新弹性织物（中国）有限公司 一种织带数码印花工艺及系统
KR20200040537A (ko) * 2018-10-10 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 측향식 진공증착용 소스, 소스 어셈블리 및 이를 이용한 측향식 진공증착 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1115268A1 (en) * 1999-07-07 2001-07-11 Sony Corporation Method and apparatus for manufacturing flexible organic el display
US6911671B2 (en) * 2002-09-23 2005-06-28 Eastman Kodak Company Device for depositing patterned layers in OLED displays
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP2006249471A (ja) * 2005-03-09 2006-09-21 Fuji Photo Film Co Ltd 成膜方法
JP4881789B2 (ja) * 2007-05-16 2012-02-22 株式会社Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｕｎｉ−Ｂｒａｉｎ 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造装置
US20090081365A1 (en) * 2007-09-20 2009-03-26 Cok Ronald S Deposition apparatus for temperature sensitive materials
LV14196B (lv) * 2009-02-03 2010-11-20 Sidrabe, A/S Augstražīga ierīce pārklājumu uznešanai vakuumā uz rullī satītas pamatnes
EP2279973A1 (en) * 2009-07-27 2011-02-02 Helianthos B.V. Device for processing a foil substrate
JP5513320B2 (ja) * 2010-08-31 2014-06-04 富士フイルム株式会社 成膜装置
JP5319024B2 (ja) * 2011-01-07 2013-10-16 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140076527A (ko) 2014-06-20
US8921142B2 (en) 2014-12-30
EP2773165B1 (en) 2017-07-12
EP2773165A1 (en) 2014-09-03
TW201336130A (zh) 2013-09-01
WO2013061845A1 (ja) 2013-05-02
CN103503567A (zh) 2014-01-08
US20140186985A1 (en) 2014-07-03
EP2773165A4 (en) 2015-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103503567B (zh) 有机el器件的制造方法及制造装置
CN102610763B (zh) 有机el元件的制造方法和制造装置
JP4313026B2 (ja) 毛管現象による塗工ノズルを用いた有機ｅｌパネルの製造装置及び製造方法
CN103583083B (zh) 有机el器件的制造方法及制造装置
JP5740244B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
CN103155705B (zh) 有机el元件的制造方法和制造装置
WO2006109620A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、表示装置及び照明装置
JP5352620B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置
JP5284443B2 (ja) 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置
JP2013161570A (ja) 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置
CN104160784A (zh) 蒸镀数据处理装置、有机el器件的制造装置以及制造方法
JP5269970B2 (ja) 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置
CN103283307B (zh) 有机el元件的制造方法和制造装置
JP2016052929A (ja) 有機ｅｌ素子の製造装置及び製造方法
WO2013125078A1 (ja) 有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法
JP2013179019A (ja) ガイド部材、ガイド機構及び有機ｅｌデバイスの製造方法
JP2017057450A (ja) シートの搬送装置及び搬送方法
JP2012233245A (ja) 有機機能性素子の製造方法及び製造装置
JP2012142140A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160601

Termination date: 20181017

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee