CN103283307B - 有机el元件的制造方法和制造装置 - Google Patents
有机el元件的制造方法和制造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103283307B CN103283307B CN201280003847.4A CN201280003847A CN103283307B CN 103283307 B CN103283307 B CN 103283307B CN 201280003847 A CN201280003847 A CN 201280003847A CN 103283307 B CN103283307 B CN 103283307B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- base material
- shielding portion
- organic
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 189
- 238000002309 gasification Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 37
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 122
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 8
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 1-n-[4-[4-(n-[4-(3-methyl-n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]anilino)phenyl]phenyl]-4-n,4-n-bis(3-methylphenyl)-1-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 SPDPTFAJSFKAMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种不需要以往那样的带状的阴影掩模、但也能够将来自蒸镀源的气化材料以期望的图案蒸镀到基材上的有机EL元件的制造方法和制造装置。遮蔽部（51）构成为能够被切换到如下位置：配置在蒸镀源（4）和基材（81）之间来遮蔽基材（81）的遮蔽位置和自蒸镀源（4）和基材（81）之间退避来解除对基材（81）的遮蔽的遮蔽解除位置。并且，遮蔽部（51）一边与辊（3）一起旋转，一边被切换到遮蔽位置和遮蔽解除位置。
Description
技术领域
本发明涉及一种自蒸镀源将气化了的气化材料蒸镀到带状的基材上的有机EL（电致发光）元件的制造方法，另外，本发明还涉及该有机EL元件的制造装置。
背景技术
以往，作为有机EL元件的制造方法，公知有一种制造方法，其包括：以使带状的基材沿着规定的行进方向行进的方式使基材行进的工序；以及使气化材料自蒸镀源喷出并蒸镀到基材上的工序（例如，专利文献1）。并且，采用该制造方法，通过使带状的阴影掩模的表面以与带状的基材的表面重叠的方式与带状的基材紧密接触，并使阴影掩模与基材一体地行进，从而能够使气化材料以期望的图案蒸镀到基材上。
专利文献1：日本特开2000－183500号公报
另外，在专利文献1的制造方法中，设有用于送出阴影掩模的送出辊、用于卷取阴影掩模的卷取辊、用于支承阴影掩模的多个支承辊，通常会产生使装置大型化这样的问题。另外，在欲使气化材料以不同的图案蒸镀到基材上的情况下，产生为了更换（模具更换）成规定的阴影掩模而需要进行复杂操作这样的问题。
发明内容
因此，本发明是鉴于这种情况而提出的，其目的在于提供一种不需要以往那样的带状的阴影掩模、但是也能够将来自蒸镀源的气化材料以期望的图案蒸镀到基材上的有机EL元件的制造方法和制造装置。
本发明提供一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下工序：以使带状的基材与辊相接触的方式输送带状的基材的输送工序；通过自蒸镀源喷出气化材料，从而使上述气化材料蒸镀到上述基材的规定部位的工序；以及在蒸镀上述气化材料时，为了防止上述气化材料蒸镀到除了上述规定部位之外的部位，将用于遮蔽上述基材的遮蔽部配置在上述蒸镀源和上述基材之间的工序，上述遮蔽部构成为能够被切换到如下位置：配置在上述蒸镀源和上述基材之间来遮蔽上述基材的遮蔽位置和自上述蒸镀源和上述基材之间退避来解除对上述基材的遮蔽的遮蔽解除位置，上述遮蔽部一边与上述辊一起旋转，一边被切换到上述遮蔽位置和上述遮蔽解除位置。
采用本发明的有机EL元件的制造方法，通过将遮蔽部配置在蒸镀源和基材之间，能够将气化材料蒸镀到规定部位，另一方面，能够防止将气化材料蒸镀到除了规定部位之外的部位。
之后，通过使遮蔽部自蒸镀源和基材之间退避，从而切换到遮蔽部遮蔽基材被解除的遮蔽解除位置。由此，能够不妨碍自蒸镀源喷出的气化材料蒸镀到正在行进中的基材，而使遮蔽部返回到原来的位置。因而，通过重复进行该动作，能够连续地制造有机EL元件。
另外，在本发明的有机EL元件的制造方法中，上述遮蔽部也可以是为了在上述遮蔽部位于上述遮蔽位置的状态下遍及上述基材的整个宽度方向地配置而形成得大于上述基材的宽度尺寸。
采用该有机EL元件的制造方法，由于能够在遍及基材的整个宽度方向上形成未蒸镀有气化材料的部位，因此，之后能够在该部位切断有机EL元件。
另外，在本发明的有机EL元件的制造方法中，优选上述遮蔽部是触发式（flip）遮蔽板。
采用该有机EL元件的制造方法，通过将触发式遮蔽板用于遮蔽部，能够实现可靠地进行遮蔽位置与遮蔽解除位置的位置变换。
另外，本发明的有机EL元件的制造装置，其特征在于，包括：辊，其与带状的基材相接触；蒸镀源，为了将气化材料蒸镀到上述基材上，其朝向上述基材的规定部位喷出上述气化材料；以及遮蔽装置，其以防止上述气化材料蒸镀到除了上述规定部位之外的部位的方式遮蔽上述基材，上述遮蔽装置包括用于遮蔽上述基材的遮蔽部和能够将上述遮蔽部切换到如下位置的切换机构：使该遮蔽部配置在上述蒸镀源和上述基材之间来遮蔽上述基材的遮蔽位置和使上述遮蔽部自上述蒸镀源和上述基材之间退避来解除对上述基材的遮蔽的遮蔽解除位置，上述遮蔽部一边与上述辊一起旋转，一边通过上述切换机构切换到上述遮蔽位置和上述遮蔽解除位置。
采用该有机EL元件的制造装置，通过将遮蔽部配置在蒸镀源和基材之间，从而使遮蔽部位于遮蔽基材的遮蔽位置。由此，能够将气化材料蒸镀到基材的规定部位，另一方面，能够防止将气化材料蒸镀到除了规定部位之外的部位。
之后，通过使遮蔽部自蒸镀源和基材之间退避，从而切换到遮蔽部遮蔽基材被解除的遮蔽解除位置。由此，能够使遮蔽部返回到原来的位置。因而，通过重复进行该动作，能够连续地制造有机EL元件。
如上所述，采用本发明，能够起到以下优异效果：不需要以往那样的带状的阴影掩模，但是也能够将来自蒸镀源的气化材料以期望的图案蒸镀到基材上。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的有机EL元件制造装置的概略主视图。
图2是表示本发明的一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的侧视图。
图3是表示本发明的一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的侧视图。
图4是表示本发明的一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的侧部剖视图。
图5是表示本发明的一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的侧部剖视图。
图6是表示利用本发明的一实施方式的制造方法制造成的有机EL元件的主要部分的俯视图。
图7是图6的VII－VII放大剖视图。
图8是图6的VIII－VIII放大剖视图。
图9是表示本发明的另一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的侧部俯视图。
图10是表示本发明的另一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的俯视图。
图11是表示本发明的另一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的俯视图。
图12是表示本发明的另一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的俯视图。
图13是表示本发明的另一实施方式的有机EL元件制造装置的主要部分的俯视图。
图14是表示本发明的另一实施方式的有机EL元件制造装置的侧面剖视图。
图15是通过图14的实施方式的制造装置而形成有下部电极层的基材的俯视图。
图16是通过本发明的制造装置而形成有下部电极层和有机层的基材的俯视图。
图17是确认有机EL元件的实施例和比较例的效果的图表。
图18是本发明的有机EL元件的实施例的局部的平面图像。
图19是有机EL元件的比较例的局部的平面图像。
图20是表示有机EL元件的截面轮廓的图表。
具体实施方式
以下，参照图1～图5说明本发明的有机EL元件的制造装置（以下，也简称作“制造装置”）的一实施方式。
本发明的制造装置包括：多个真空室1，其内部为真空；行进装置2，其以使带状的基材81通过真空室1的内部的方式使基材81沿着规定方向（以下，也称作“行进方向”）X行进；多个筒辊（canroll）3，其被设于基材81的输送路径的中途部并与该基材81相接触；多个蒸镀源4，其朝向基材81喷出气化材料；以及遮蔽装置5，其一体地设于筒辊3，并在规定的位置将与筒辊3相接触的基材81同蒸镀源4遮蔽开来。
真空室1被设有三个。而且，多个真空室1沿着行进方向X相连设置。另外，为了使各真空室1的内部成为真空，在各真空室1上连接有真空泵等真空产生设备（没有图示和编号）。
行进装置2包括：送出辊21，其用于输送基材81；卷取辊22，其用于卷取基材81（详细而言，将气化材料蒸镀到基材81上而形成的有机EL元件8）；以及多个支承辊23，其配置在送出辊21与卷取辊22之间，用于支承基材81。并且，行进装置2具有使基材81变成沿着行进方向X的直线状的部分来使基材81行进。
送出辊21配置在真空室1的内部且靠上游侧的位置，且卷取辊22配置在真空室1的内部且靠下游侧的位置。另外，多个支承辊23配置在真空室1的内部且沿着行进方向X并列设置。并且，多个支承辊23架设在基材81上并支承基材81。
各蒸镀源4配置在真空室1的内部并且在筒辊3的半径方向上配置成与基材81面对面。而且，在上游侧和下游侧的真空室1中分别设有一个蒸镀源4,且在中间的真空室1中沿着行进方向X并排设有三个蒸镀源4。另外，各蒸镀源4朝向基材81喷出经加热而气化了的气化材料
遮蔽装置5包括:遮蔽部51,其用于遮蔽基材81；以及切换机构52，其通过使遮蔽部51移动并使遮蔽部51旋转来切换遮蔽部51的位置。切换机构52构成为能够切换到使遮蔽部51配置于蒸镀源4和基材81之间来遮蔽基材81的遮蔽位置和使遮蔽部51自蒸镀源4和基材81之间退避而解除对基材81的遮蔽的遮蔽解除位置。
各遮蔽部51是用于容许使自规定的蒸镀源4喷出的规定的气化材料蒸镀到要形成有机EL元件的规定的部位、并以能够不使气化材料附着在除了该规定部位以外的部位的方式进行遮蔽的构件。在此，“除了规定的部位以外的部位”是指在遮蔽部51为了进行遮蔽而与基材81重叠时，基材81中的像这样被遮蔽部51重叠了的部位。该各遮蔽部51形成为带状或矩形形状且板状。更具体而言，在本实施方式中，对于遮蔽部51，采用所谓的触发式遮蔽板。该触发式遮蔽板是指尤其在贴近基材81的位置，在筒辊3的大致法线方向上以与基材81接近和分离的方式被驱动和旋转的类型的遮蔽板。作为遮蔽部51，除了该触发式遮蔽板之外，还能够采用所谓的滑动式遮蔽板，该滑动式遮蔽板是指在筒辊3的大致切线方向上移动从而以相对于基材81接近和分离的方式被驱动和旋转的遮蔽板。并且，各遮蔽部51为了在位于遮蔽位置的状态下遍及基材81的整个宽度方向地配置，各遮蔽部51形成得其长度方向的尺寸大于基材81的宽度尺寸。
另外，各遮蔽部51配置为在位于遮蔽位置的状态中自基材81离开。遮蔽部51与基材81之间离开的间隔最好例如在1mm以下。此外，各遮蔽部51也可配置为在位于遮蔽位置的状态中与基材81相抵接。
各切换机构52包括固定在筒辊3上的主体部52a。另外，各切换机构52包括：第1旋转体52b，其以利用与筒辊3的驱动轴6平行的轴进行旋转的方式固定于主体部52a；以及第2旋转体52c，其以利用沿着与第1旋转体52b的轴正交方向配置的轴进行旋转的方式固定于主体部52a，且该第2旋转体52c受到第1旋转体52b的驱动。
并且，各切换机构52还包括：第1连杆体52d，其一端部与第1旋转体52b的轴相连结；以及第2连杆体52e，其一端部与第2旋转体52c的轴相连结且另一端部与遮蔽部51的端部相连结。并且，各切换机构52还包括：凸轮从动件52f，其以能够旋转的方式安装于第1连杆体52d的另一端部；以及凸轮52g，其滑动接触于凸轮从动件52f。
在各第1旋转体52b和各第2旋转体52c的内部分别设有磁性体。由此，伴随着各第1旋转体52b的旋转，各第2旋转体52c的磁性体自各第1旋转体52b的磁性受到磁力，因此各第2旋转体52c旋转。此外，各第1旋转体52b和各第2旋转体52c以分开的方式配置。
凸轮52g构成为圆板状。凸轮52g配置成与用于驱动筒辊3的驱动轴6呈同心状。然而，凸轮52g并不与驱动轴6和筒辊3一起旋转，而被保持在真空室1内。
凸轮52g包括：第1区域52h，其用于将遮蔽部51维持在遮蔽解除位置；第2区域52i，其用于使遮蔽部51自遮蔽解除位置移动到遮蔽位置；第3区域52j，其用于将遮蔽部51维持在遮蔽位置；以及第4区域52k，其用于使遮蔽部51自遮蔽位置向遮蔽解除位置移动。
第1区域52h在圆板状的凸轮的外周面上以规定的曲率半径具有侧视为圆弧状的凸轮面。第2区域52i具有以规定的倾斜角度倾斜的侧视为直线状的凸轮面。该第2区域52i的一端部与圆弧状的第1区域52h的一端部相连。
第3区域52j具有规定的曲率半径的侧视为圆弧状的凸轮面。第3区域52j的曲率半径设定得小于第1区域52h的曲率半径。第3区域52j的一端部与第2区域52i的另一端部相连。
第4区域52k具有以规定的倾斜角度倾斜的侧视为直线状的凸轮面。该第4区域52k的倾斜方向设定为与第2区域52i的倾斜方向相反。该第4区域52k的一端部与第3区域52j的另一端部相连。另外，该第4区域52k的另一端部与第1区域52h的另一端部相连。
凸轮从动件52f构成为自凸轮52g的第1区域52h起向第4区域52k依次移动。
此外，在各切换机构52中，通过施力装置（没有图示和编号）对凸轮从动件52f施力而维持在使凸轮从动件52f与凸轮52g的各区域（第1区域52h～第4区域52k）相接触的状态。
本实施方式的有机EL元件的制造装置的结构如上所述，接下来，说明本实施方式的有机EL元件的制造方法。
首先，自送出辊21朝向卷取辊22输送基材81。此时，基材81以与设于各真空室1内的各筒辊3相接触的方式被输送。设于各筒辊3的遮蔽装置5使遮蔽部51自遮蔽解除位置向遮蔽位置移动，并将基材81的规定部位与蒸镀源4遮蔽开来。
遮蔽部51与筒辊3一起绕筒辊3的驱动轴6旋转。在凸轮从动件52f自凸轮52g的第1区域52h向第2区域52i移动时，该遮蔽部51开始自遮蔽解除位置（参照图5）向遮蔽位置（参照图4）移动。在遮蔽装置5中，通过使凸轮从动件52g沿着第2区域52i向第3区域52j移动，从而第1连杆体52d绕第1旋转体52b的旋转轴转动，第1旋转体52b与此相连动地旋转。并且，第2旋转体52c与第1旋转体52b的旋转相连动地旋转。此时，第2连杆体52e与第2旋转体52c的动作相连动地绕第2旋转体52c的旋转轴转动。由此，遮蔽部51自遮蔽解除位置向遮蔽位置移动。
凸轮从动件52f自第2区域52i移动到第3区域52j，在沿着该第3区域52j移动的期间，第1连杆体52d不转动，因而，维持在遮蔽部51位于了遮蔽位置的状态。由此，防止气化材料被蒸镀到被遮蔽部51遮蔽了的基材81中的除了要蒸镀气化材料的规定部位以外的部位。
然后，在凸轮从动件52f自第3区域52j向第4区域52k移动时，该遮蔽部51开始自遮蔽位置向遮蔽解除位置退避。通过使凸轮从动件52f沿着第4区域52k移动来使第1连杆体52d绕第1旋转体52c的旋转轴转动。此时，第1连杆体52d向与凸轮从动件52f在第2区域52i内移动时的转动的方向相反的方向转动。第1旋转体52b、第2旋转体52c与该第1连杆体52d的转动相连动地旋转，进而第2连杆体52e转动。由此，遮蔽部51自遮蔽位置向遮蔽解除位置移动。
之后，凸轮从动件52f自第4区域52k向第1区域52h移动。在凸轮从动件52f沿着第4区域52k移动的期间，第1连杆体52d不转动，因而，维持在遮蔽部51位于了遮蔽解除位置的状态。
如图6～图8所示，有机EL元件8包括：下部电极层82，其是通过使来自蒸镀源4的气化材料蒸镀到基材81的一侧的表面而形成的；有机层83，其是通过自下部电极层82之上开始蒸镀气化材料而形成的；以及上部电极层84，其是通过自有机层83之上开始蒸镀气化材料而形成的。并且，有机EL元件8包括基材81的整个宽度方向未蒸镀有气化材料的部位、即没有设置各层82、83、84的部位。
基材81包括具有导电性的导电层81a和具有绝缘性的绝缘层81b。并且，导电层81a由金属基板构成，例如由不锈钢、铜、镍等金属形成。另外，绝缘层81b以覆盖导电层81a的一侧的整个表面的方式配置，绝缘层81b例如由聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、环氧树脂等光固化性树脂、薄玻璃等形成。
下部电极层82以至少一部分没有被有机层83和上部电极层84覆盖而暴露的方式配置。并且，在本实施方式中，下部电极层82成为阳极层，例如由铟锌氧化物（IZO）、铟锡氧化物（ITO）等透明导电材料、金、银、铝等金属形成。
有机层83包括：空穴注入层83a，其配置在下部电极层82之上；有机EL层83b，其配置在空穴注入层83a之上；以及电子注入层83c，其配置在有机EL层83b之上。并且，为了防止下部电极层82与上部电极层84相接触，有机层83配置在下部电极层82和上部电极层84之间。
空穴注入层83a由例如酞菁铜（CuPc）、4,4’-双[N-4-（N,N-二间甲苯氨基）苯基]-N-苯氨基]联苯（DNTPD）等形成。另外，有机EL层83b由例如掺杂有三（8-羟基喹啉）铝（Alq3）、铱络合物（Ir（ppy）3）而成的4,4’-N,N’-二咔唑基联苯（CBP）等形成。并且，电子注入层83c由例如氟化锂（LiF）、氟化铯（CsF）、氧化锂（Li2O）等形成。
在本实施方式中，上部电极层84成为阴极层。并且，上部电极层84例如由铝、银、镁银的合金、含有碱金属、碱土类金属的合金等形成。
因而，配置于上游侧的真空室1的蒸镀源4喷出用于形成下部电极层82的气化材料，配置于中间的真空室1的蒸镀源4、4、4自上游侧分别喷出用于形成空穴注入层83a的气化材料、用于形成有机EL层83b的气化材料、用于形成电子注入层83c的气化材料。并且，配置于下游侧的真空室1的蒸镀源4喷出用于形成上部电极层84的气化材料。
如上所述，采用本实施方式的有机EL元件的制造方法和制造装置，通过将遮蔽部51配置在蒸镀源4和基材81之间，从而使遮蔽部51位于遮蔽基材81的遮蔽位置。由此，能够防止气化材料被蒸镀到在被遮蔽部51遮蔽了的基材81中的除了蒸镀气化材料的规定部位以外的部位。
另外，通过利用切换机构52使遮蔽部51自蒸镀源4和基材81之间退避出来，从而切换到解除遮蔽部51对基材81遮蔽的遮蔽解除位置。
由此，能够以不妨碍自蒸镀源4喷出的气化材料蒸镀到行进中的基材81上的规定部位的方式输送基材81。因而，能够不需要以往那样的带状的阴影掩模，但是也能够将气化材料以期望的图案蒸镀到基材81上。
另外，采用本实施方式的有机EL元件的制造方法和制造装置，由于遮蔽部51形成得大于基材81的宽度尺寸，因此，在遮蔽部51位于遮蔽位置的状态下，遮蔽部51遍及基材81的整个宽度方向地配置。由此，能够在遍及基材81的整个宽度方向上形成未蒸镀有气化材料的部位，因此，之后能够在该部位切断有机EL元件8。
另外，采用本实施方式的有机EL元件的制造方法和制造装置，由于遮蔽部是触发式遮蔽板，因此能够可靠地进行遮蔽位置与遮蔽解除位置的位置变换。
此外，当然，本发明的有机EL元件的制造方法和制造装置并不限定于上述实施方式的结构，而能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更。
例如，如图9所示，也可以是如下结构：在凸轮52g的外周面设置多个凹凸部，当凸轮从动件52f每次通过凸轮52g的凸部7时，使遮蔽部51切换到遮蔽位置和遮蔽解除位置，使筒辊3旋转一圈，而通过多次蒸镀来进行成膜。
另外，在上述实施方式的有机EL元件的制造方法和制造装置中，说明了遮蔽部51形成为带状或矩形形状的结构，但并不限于该结构。
具体而言，如图10所示，也可以是以下结构：遮蔽部51包括：第1遮蔽部51a，其设为与基材81大致正交；以及一个第2遮蔽部51b，其设为与该第1遮蔽部51a大致正交。
如图10所示，第1遮蔽部51a构成为带状或矩形形状。第1遮蔽部51a的一端部与切换机构52的第2连杆体52e相连结，另一端部与第2遮蔽部51b形成为一体。第2遮蔽部51b构成为带状或矩形形状。第2遮蔽部51b以与基材81的宽度方向上的一端部重叠的方式沿着基材81的长度方向设置。
另外，如图11所示，遮蔽部51还可以构成为除了图10的第1遮蔽部51a和第2遮蔽部51b以外还具有第3遮蔽部51c。第3遮蔽部51c构成为带状或矩形形状。第3遮蔽部51c自第1遮蔽部51a的中途部以与该第1遮蔽部51a大致正交的方式突出地形成。第2遮蔽部51b以与基材81的宽度方向的一端部重叠的方式设置，另一方面，第3遮蔽部51c以与基材81的宽度方向上的相反侧的另一端部重叠的方式设置。第3遮蔽部51c与第2遮蔽部51b大致平行。第3遮蔽部51c沿着基材81的长度方向设置。
另外，如图12所示，遮蔽部51也可以构成为除了图11的第1遮蔽部51a、第2遮蔽部51b以及第3遮蔽部51c以外还具有第4遮蔽部51d。第4遮蔽部51d构成为带状或矩形形状。第4遮蔽部51d将第2遮蔽部51b的端部与第3遮蔽部51c的端部连结起来。第4遮蔽部51d与第1遮蔽部51a大致平行。另外，第4遮蔽部51d沿着基材8的宽度方向设置。根据上述结构，图12所示的遮蔽部51由第1遮蔽部51a、第2遮蔽部51b、第3遮蔽部51c以及第4遮蔽部51d构成为四边形状。另外，该遮蔽部51还具有由第1遮蔽部51a～第4遮蔽部51d围成的一个开口部。
另外，如图13所示，遮蔽部51也可以构成为除了图12的第1遮蔽部51a～第4遮蔽部51d以外还具有第5遮蔽部51e。该第5遮蔽部51e构成为带状，且其中途部弯曲地构成。第5遮蔽部51e设于第2遮蔽部51b与第3遮蔽部51c之间。该第5遮蔽部51e将第1遮蔽部51a的中途部与第4遮蔽部51d的中途部连结起来。第5遮蔽部51e设为与第1遮蔽部51a和第4遮蔽部51d大致正交。此外，第5遮蔽部51e沿着基材81的长度方向设置。根据上述结构，遮蔽部51具有由第1遮蔽部51a～第5遮蔽部51e划分成的两个开口部。
另外，在本发明的有机EL元件的制造方法和制造装置中，切换机构52并不限于上述实施方式的结构，该切换机构52只要是能够使遮蔽部51切换到遮蔽位置和遮蔽解除位置的结构即可。
另外，在本发明的有机EL元件的制造装置中，例如，也可以在筒辊3的一个面侧（表面侧）和另一个面侧（背面侧）这两侧设置遮蔽装置5A、5B。例如，如图14所示，制造装置包括设于筒辊3的一侧的第1遮蔽装置5A和设于另一侧的第2遮蔽装置5B。第1遮蔽装置5A和第2遮蔽装置5B构成为相同形状。
第1遮蔽装置5A和第2遮蔽装置5B在相同时刻移动到遮蔽位置、遮蔽解除位置。此外，设于第1遮蔽装置5A和第2遮蔽装置5B的凸轮52g借助轴承9以能够相对于驱动轴6旋转的方式支承于驱动轴6。上述凸轮52g借助固定构件10固定于真空室1内。即，凸轮52g能够相对于驱动轴6旋转而不进行自转地固定于真空室1内。第1遮蔽装置5A的遮蔽部51构成为在遮蔽位置（在图14中为用实线描绘的位置）遮蔽基材81的宽度方向上的大约一半的区域。另外，第2遮蔽装置5B的遮蔽部51构成为遮蔽基材的没有被第1遮蔽装置5A的遮蔽部51遮蔽的余下的大约一半的区域。
图15示出通过上述结构的制造装置而在基材81上形成有下部电极层82的例子。如图15所示，在基材81上形成有使用第1遮蔽装置5A而形成的第1下部电极层82A的列和使用第2遮蔽装置5B而形成的第2下部电极层82B的列。
在图14的例子的制造装置中，通过第1遮蔽装置5A和第2遮蔽装置5B在相同时刻形成了下部电极层82A、82B，但也可以利用第1遮蔽装置5A和第2遮蔽装置5B在不同时刻进行遮蔽。而且，第1遮蔽装置5A和第2遮蔽装置5B也可以在筒辊3的旋转方向上配置在不同位置。由此，能够使第1遮蔽装置5A遮蔽基材81的时刻与第2遮蔽装置5B遮蔽基材81的时刻不同。因而，例如，如图16所示，能够在利用第1遮蔽装置5A在基材81上形成下部电极层82之后，利用第2遮蔽装置5B在该下部电极层82之上形成有机层83。
实施例
下面，列举实施例来进一步详细地说明本发明，但本发明并不限定于此。
实施例1
利用被设为以下条件的制造装置在基材上形成了阳极层、有机EL层以及阴极层，并制造了有机EL元件。对于遮蔽部，其厚度为0.1mm、采用了SUS304作为材质。筒辊的直径为600mm。真空室的真空度设定为5.0×10-5Pa。基材的宽度尺寸是50mm。另外，基材的输送速度是1m/min。基材的厚度是50μm，其材质是SUS304。在基材的元件侧形成有厚度为4μm的绝缘层。
使用剪刀将以上述条件制造而成的有机EL元件在基材的长度方向上的相邻的有机EL元件之间的中央部的位置沿着基材宽度方向切断，从而使各有机EL元件切出，对阳极层和阴极层施加电压，结果发现，任一有机EL元件都具有基材输送长度方向长度为314mm、基材宽度方向长度为38mm的区域的绿色的发光。另外，该区域内的发光是均匀的。另外，没有发现在有机EL元件中发生短路等不良的情况。在实施例1中，制造了10个（日文：ユニット）有机EL元件，但是这些有机EL元件全部能够进行期望的发光。
比较例
代替使用实施例1的遮蔽装置，在比较例中，利用使用带状的阴影掩模的制造装置来制造了有机EL元件。带状的阴影掩模分别被卷绕在阴影掩模放出辊上，自该阴影掩模放出辊放出的带状的阴影掩模在分别被供给到筒辊与蒸镀源之间后，分别被卷绕在阴影掩模卷取辊上。在阴影掩模上以规定的间距形成有开口部。而且，被放出的阴影掩模利用按压辊与基材紧密接触。
并且，使用具有这样的带状的阴影掩模的制造装置，与实施例1同样地在形成于基材上的阳极层上形成有机EL层和阴极层，结果，阴影掩模与形成在基材上的阳极层被摩擦而阳极层被划伤。更具体而言，制造成的10个有机EL元件中的、一个有机EL元件的阳极层被划伤。另外，由于在连续成膜的途中，带状的阴影掩模的开口部与阳极层之间产生了位置偏移，因此，在这之后没有能够制造出符合期望品质那样的有机EL元件。
本申请的发明者对上述那样的实施例1的有机EL元件和阳极层被划伤的比较例的有机EL元件进行了性能试验。作为试验结果，确认到如下情况：参照图17时，对于实施例1的有机EL元件，在施加电压超过大约7V之后发光亮度逐渐增加，在施加电压为12V时，发光亮度超过40000cd/m2，从而达到期望的发光亮度。与此相对，发现了如下情况：在产生了动作不良的比较例的有机EL元件中，从施加电压超过大约7V的时刻起发光亮度逐渐增加，但即使施加电压达到12V，也没有达到期望的发光亮度。根据该结果能够想到，在比较例中，由于阳极层被划伤，因此不能发挥期望的性能。
另外，如图18、图19所示，对于实施例1和比较例，使用激光显微镜（株式会社基恩士制造：VK－9700），并获取了在基材上形成有阳极层的状态下的基材和阳极层的边界部的平面图像，对上述图像进行对比。另外，如图22所示，将实施例1和比较例中的阳极层的图案边缘部分的截面侧影制成图表来进行对比。
在该实施例1中，将遮蔽装置的遮蔽部配置在自基材分开的遮蔽位置，将来自蒸镀源的气化材料蒸镀到基材上，从而形成阳极层。另一方面，在比较例中，在使阴影掩模以接触于基材的状态遮蔽基材，将来自蒸镀源的气化材料蒸镀到基材上，从而形成阳极层。
如图20所示，发现比较例的阳极层的边缘部分以其侧面沿着大致铅垂方向的方式形成为直线状。与此相对，发现实施例1的阳极层的边缘部分以其侧面相对于铅垂方向倾斜的方式形成为曲线状。
对于上述各方面，进一步参照图19，在比较例的平面图像中，由于阳极层的侧面如上那样沿着大致铅垂方向形成，因此，基材与阳极层之间的边界清晰地被拍摄成色线。与此相对，在实施例1的平面图像（图18）中，由于阳极层的侧面倾斜地形成，因此，基材与阳极层之间的边界不清晰，而略微模糊地被拍摄下来。
如上所述，在比较例中，在阴影掩模与基材相接触的状态下，进行阳极层的气化材料的蒸镀，结果发现，阳极层的边缘成为非常锐化的状态（图19、图20所示的状态）。在这样的比较例中，容易发生所谓的边漏，并不理想。由此可知，实施例1的有机EL元件的制造方法和制造装置能够起到如下显著效果：在基材上形成阳极层时，使遮蔽部自基材分开来进行蒸镀，从而防止发生边漏。
附图标记说明
1、真空室；2、行进装置；3、筒辊；4、蒸镀源；5、遮蔽装置；8、有机EL元件；51、遮蔽部；52、切换机构；81、基材；82、下部电极层；83、有机层；84、上部电极层；X、行进方向。
Claims (4)
1.一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，
该制造方法包括如下工序：
以使带状的基材与辊相接触的方式输送带状的基材的输送工序；
通过自蒸镀源喷出气化材料，从而使上述气化材料蒸镀到上述基材的规定部位的工序；以及
在蒸镀上述气化材料时，为了防止上述气化材料蒸镀到除了上述规定部位之外的部位，将用于遮蔽上述基材的遮蔽部配置在上述蒸镀源和上述基材之间的工序，
上述遮蔽部构成为能够被切换到如下位置：配置在上述蒸镀源和上述基材之间来遮蔽上述基材的遮蔽位置和自上述蒸镀源和上述基材之间退避来解除对上述基材的遮蔽的遮蔽解除位置，
上述遮蔽部一边与上述辊一起旋转一边以相对于上述基材接近和分离的方式旋转移动，从而被切换到上述遮蔽位置与上述遮蔽解除位置。
2.根据权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，
为了使上述遮蔽部在位于上述遮蔽位置的状态下遍及上述基材的整个宽度方向地配置，上述遮蔽部的宽度尺寸形成得大于上述基材的宽度尺寸。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，
上述遮蔽部是在上述辊的法线方向上以相对于上述基材接近和分离的方式旋转移动的触发式遮蔽板。
4.一种有机EL元件的制造装置，其特征在于，
该有机EL元件的制造装置包括：
辊，其与带状的基材相接触；
蒸镀源，为了将气化材料蒸镀到上述基材上，其朝向上述基材的规定部位喷出上述气化材料；以及
遮蔽装置，其以防止上述气化材料蒸镀到除了上述规定部位之外的部位的方式遮蔽上述基材，
上述遮蔽装置包括用于遮蔽上述基材的遮蔽部和能够将上述遮蔽部切换到如下位置的切换机构：使该遮蔽部配置在上述蒸镀源和上述基材之间来遮蔽上述基材的遮蔽位置和使上述遮蔽部自上述蒸镀源和上述基材之间退避来解除对上述基材的遮蔽的遮蔽解除位置，
上述遮蔽部一边与上述辊一起旋转一边以相对于上述基材接近和分离的方式旋转移动，从而通过上述切换机构被切换到上述遮蔽位置与上述遮蔽解除位置。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-285561 | 2011-12-27 | ||
| JP2011285561 | 2011-12-27 | ||
| JP2012266748A JP5354821B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-05 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
| JP2012-266748 | 2012-12-05 | ||
| PCT/JP2012/081975 WO2013099578A1 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-10 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103283307A CN103283307A (zh) | 2013-09-04 |
| CN103283307B true CN103283307B (zh) | 2016-05-25 |
Family
ID=48697071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201280003847.4A Expired - Fee Related CN103283307B (zh) | 2011-12-27 | 2012-12-10 | 有机el元件的制造方法和制造装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8999735B2 (zh) |
| EP (1) | EP2701465A4 (zh) |
| JP (1) | JP5354821B2 (zh) |
| KR (1) | KR20140107101A (zh) |
| CN (1) | CN103283307B (zh) |
| TW (1) | TW201334255A (zh) |
| WO (1) | WO2013099578A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5856839B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2016-02-10 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000183500A (ja) | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Sony Corp | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
| JP2003133067A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Sony Corp | パターン形成装置及びパターン形成方法 |
| JP4944341B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2012-05-30 | 日本電気株式会社 | リチウムイオン二次電池用負極の製造方法 |
| KR100992229B1 (ko) * | 2008-08-29 | 2010-11-05 | 삼성전기주식회사 | 롤투롤타입의 박막형성장치 |
| WO2011021622A1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-02-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | パターン薄膜形成方法 |
| JP5300765B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2013-09-25 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリアフィルム |
-
2012
- 2012-12-05 JP JP2012266748A patent/JP5354821B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-10 EP EP12862802.1A patent/EP2701465A4/en not_active Withdrawn
- 2012-12-10 US US14/115,793 patent/US8999735B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-10 WO PCT/JP2012/081975 patent/WO2013099578A1/ja active Application Filing
- 2012-12-10 KR KR1020137015700A patent/KR20140107101A/ko active IP Right Grant
- 2012-12-10 CN CN201280003847.4A patent/CN103283307B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-19 TW TW101148374A patent/TW201334255A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2701465A1 (en) | 2014-02-26 |
| JP5354821B2 (ja) | 2013-11-27 |
| JP2013152924A (ja) | 2013-08-08 |
| WO2013099578A1 (ja) | 2013-07-04 |
| US20140084276A1 (en) | 2014-03-27 |
| TW201334255A (zh) | 2013-08-16 |
| US8999735B2 (en) | 2015-04-07 |
| KR20140107101A (ko) | 2014-09-04 |
| EP2701465A4 (en) | 2015-08-05 |
| CN103283307A (zh) | 2013-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20130017320A1 (en) | Deposition apparatus and deposition method | |
| JP5740244B2 (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 | |
| EP2251389B8 (en) | Nanowire ink | |
| TWI586019B (zh) | 有機發光元件製造用群集型沉積裝置 | |
| CN104278232B (zh) | 真空沉积设备和用于真空沉积的方法 | |
| KR102549358B1 (ko) | 증착 마스크 조립체 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 | |
| US11778890B2 (en) | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same | |
| US11302755B2 (en) | Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
| CN103503567B (zh) | 有机el器件的制造方法及制造装置 | |
| WO2020151057A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN103283307B (zh) | 有机el元件的制造方法和制造装置 | |
| CN1831597A (zh) | 基板搬送方法以及基板搬送装置 | |
| US20090274830A1 (en) | Roll to roll oled production system | |
| CN103329620A (zh) | 有机el元件的制造方法和制造装置 | |
| JP2010053438A (ja) | ロールツーロールタイプの薄膜形成装置 | |
| US9054342B2 (en) | Apparatus and method for etching organic layer | |
| KR20220104800A (ko) | 광 강화 층의 증착을 위한 상이한 습윤성의 표면들을 갖는 oled 디스플레이 디바이스들 | |
| KR20120138264A (ko) | 유기 발광 표시장치의 제조방법 | |
| JP2023502516A (ja) | 光増強層の堆積に適したｏｌｅｄディスプレイ製造の構造及び方法 | |
| JP2004292931A (ja) | 薄膜形成装置および薄膜形成方法、ならびにリチウムイオン電池 | |
| CN106367721B (zh) | 蒸镀方法及有机发光显示器的制造方法 | |
| CN114203773A (zh) | 像素结构及其制备方法和显示面板 | |
| JP2023035655A (ja) | 成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 | |
| JP2014035848A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造装置及び製造方法 | |
| JP2014207191A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造装置及び製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160525 Termination date: 20181210 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |