TW201334255A - 有機ｅｌ元件之製造方法及製造裝置（一） - Google Patents
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Abstract
本發明之目的係提供一種不需如習知般之帶狀陰影遮罩並且可以所期之圖形將來自氣相沉積源之氣化材料氣相沉積於基材之有機EL元件之製造方法及製造裝置。遮蔽部構造成可切換至配置於氣相沉積源及基材間而遮蔽基材之遮蔽位置、及從氣相沉積源及基材間退避而解除遮蔽基材之遮蔽解除位置。又，遮蔽部一面與輥一同旋轉，一面切換至遮蔽位置與遮蔽解除位置。
Description
本發明係有關於一種使從氣相沉積源氣化之氣化材料氣相沉積於帶狀基材之有機EL(電發光)元件之製造方法，又，本發明係有關於一種該有機EL元件之製造裝置。
習知有機EL元件之製造方法已知有包含有使基材行走而使帶狀基材沿著預定行走方向行走之步驟、從氣相沉積源使氣化材料吐出而使其氣相沉積於基材之步驟的製造方法(例如專利文獻1)。又，根據此種製造方法，使帶狀陰影遮罩以表面對表面密接於帶狀基材，並且，使陰影遮罩與基材一體地行走，藉此，可以所期之圖形使氣化材料氣相沉積於基材。
專利文獻1：日本專利公開公報2000-183500號
而在專利文獻1之製造方法中，設有送出陰影遮罩之送出輥、捲繞陰影遮罩之捲繞輥、支撐陰影遮罩之複數支撐輥，一般產生裝置大型之問題。又，要以不同之圖形使氣化材料氣相沉積於基材時，為更換(模具替換)成預定之陰影遮罩，產生需要複雜之作業之問題。
是故，本發明鑑於此種情況，其課題係提供一種不需如習知般之帶狀陰影遮罩並且可以所期之圖形將來自氣相沉積源之氣化材料氣相沉積於基材之有機EL元件之製造方法及製造裝置。
本發明之有機EL元件之製造方法特徵在於包含有下述步驟：(1)使帶狀基材接觸輥而搬送；(2)藉從氣相沉積源吐出氣化材料，而於前述基材之預定部位氣相沉積前述氣化材料；(3)使用以遮蔽前述基材之遮蔽部配置於前述氣相沉積源及前述基材間，俾於將前述氣化材料氣相沉積之際，防止前述氣化材料氣相沉積於前述預定部位之外之部位；又，前述遮蔽部構造成可切換至配置於前述氣相沉積源及前述基材間而遮蔽前述基材之遮蔽位置、及從前述氣相沉積源及前述基材間退避而解除遮蔽前述基材之遮蔽解除位置，前述遮蔽部一面與前述輥一同旋轉，一面切換至前述遮蔽位置與前述遮蔽解除位置。
根據本發明之有機EL元件之製造方法，藉將遮蔽部配置於氣相沉積源及基材間，可使氣化材料氣相沉積
於預定部位，另一方面，可防止氣化材料氣相沉積於預定部位之外之部位。
之後，藉將遮蔽部從氣相沉積源及基材間退避，可切換至解除遮蔽部遮蔽基材之遮蔽解除位置。藉此，可在不阻礙從氣相沉積源吐出之氣化材料氣相沉積於行走之基材下，使遮蔽部返回原本之位置。因而，藉反覆此動作，可連續製造有機EL元件。
又，在本發明之有機EL元件之製造方法中，前述遮蔽部亦可形成為大於前述基材之寬度尺寸，俾在位於前述遮蔽位置之狀態下，橫亙前述基材之寬度方向配置。
根據此有機EL元件之製造方法，由於可將未氣相沉積有氣化材料之部份橫亙基材之寬度方向形成，故之後在此部位可切斷有機EL元件。
又，在本發明之有機EL元件之製造方法，前述遮蔽部宜為倒裝(flip)式遮蔽板。
根據此有機EL元件之製造方法，藉於遮蔽部採用倒裝式遮蔽板，可更確實地進行遮蔽位置與遮蔽解除位置之位置變更。
又，本發明之有機EL元件之製造裝置特徵在於包含有輥、氣相沉積源及遮蔽裝置，該輥係接觸帶狀基材者；該氣相沉積源係朝前述基材之預定部位吐出前述氣化材料，俾將氣化材料氣相沉積於前述基材者；該遮蔽裝置係遮蔽前述基材，以防止前述氣化材料氣相沉積於前述預定部位之外之部位；前述遮蔽裝置具有遮蔽部及切換機
構，該遮蔽部係用以遮蔽前述基材者；該切換機構係可將該遮蔽部切換至使其配置於前述氣相沉積源及前述基材間而遮蔽前述基材之遮蔽位置及使其從前述氣相沉積源及前述基材間退避而解除遮蔽前述基材之遮蔽解除位置，又，前述遮蔽部一面與前述輥一同旋轉，一面以前述切換機構切換至前述遮蔽位置與前述遮蔽解除位置。
根據此有機EL元件之製造裝置，藉將遮蔽部配置於氣相沉積源及基材間，遮蔽部位於遮蔽基材之遮蔽位置。藉此，可使氣化材料氣相沉積於基材之預定部位，另一方面，可防止氣化材料氣相沉積於預定部位之外之部位。
之後，藉將遮蔽部從氣相沉積源及基材間退避，可切換成解除遮蔽部遮蔽基材之遮蔽解除位置。藉此，可使遮蔽部返回原本之位置。因而，藉反覆此動作，可連續製造有機EL元件。
如以上，根據本發明，可發揮不需如習知之帶狀陰影遮罩並且可將來自氣相沉積源之氣化材料以所期之圖形氣相沉積於基材之優異效果。
1‧‧‧真空室
2‧‧‧行走裝置
3‧‧‧罐輥
4‧‧‧氣相沉積源
5‧‧‧遮蔽裝置
5A‧‧‧第1遮蔽裝置
5B‧‧‧第2遮蔽裝置
6‧‧‧驅動軸
7‧‧‧凸部
8‧‧‧有機EL元件
9‧‧‧軸承
10‧‧‧固定構件
21‧‧‧送出輥
22‧‧‧捲繞輥
23‧‧‧支撐輥
51‧‧‧遮蔽部
51a‧‧‧第1遮蔽部
51b‧‧‧第2遮蔽部
52‧‧‧切換機構
52a‧‧‧本體部
52b‧‧‧第1旋轉體
52c‧‧‧第2旋轉體
52d‧‧‧第1連桿體
52e‧‧‧第2連桿體
52f‧‧‧凸輪從動件
52g‧‧‧凸輪
52h‧‧‧第1區域
52i‧‧‧第2區域
52j‧‧‧第3區域
52k‧‧‧第4區域
81‧‧‧基材
81a‧‧‧導電層
81b‧‧‧絕緣層
82‧‧‧下部電極層
82A‧‧‧第1下部電極層
82B‧‧‧第2下部電極層
83‧‧‧有機層
83a‧‧‧電洞注入層
83b‧‧‧有機EL層
83c‧‧‧電子注入層
84‧‧‧上部電極層
X‧‧‧預定方向
圖1係顯示本發明一實施形態之有機EL元件製造裝置之概要正面圖。
圖2係該實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份之側視圖。
圖3係該實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份
之側視圖。
圖4係該實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份之側部截面圖。
圖5係該實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份之側部截面圖。
圖6係以該實施形態之製造方法製造之有機EL元件之主要部份平面圖。
圖7係圖6之VII-VII線之放大截面圖。
圖8係圖6之VIII-VIII線之放大截面圖。
圖9係顯示本發明另一實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份的側部截面圖。
圖10係顯示本發明另一實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份平面圖。
圖11係顯示本發明另一實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份平面圖。
圖12係顯示本發明另一實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份平面圖。
圖13係顯示本發明另一實施形態之有機EL元件製造裝置之主要部份平面圖。
圖14係顯示本發明另一實施形態之有機EL元件製造裝置之側面截面圖。
圖15係以圖14之實施形態之製造裝置形成了下部電極層之基材的平面圖。
圖16係以本發明之製造裝置形成了下部電極層及有機
層之基材的平面圖。
圖17係確認有機EL元件之實施例與比較例之效果的圖表。
圖18係本發明之有機EL元件之實施例之部份平面圖像。
圖19係有機EL元件之比較例之部份平面圖像。
圖20係顯示有機EL元件之截面輪廓之圖表。
以下，就本發明有機EL元件之製造裝置(以下亦僅稱為「製造裝置」)之一實施形態，參酌圖1~圖5來說明。
本發明之製造裝置包含有內部為真空之複數真空室1、使基材81沿著預定方向(以下亦稱為「行走方向」)X行走以使帶狀基材81通過真空室1之內部的行走裝置2、設於基材81之搬送路徑之中途部並且接觸此基材81之複數罐輥(can roller)3、朝基材81吐出氣化材料之複數氣相沉積源4、一體地設於罐輥3並且將接觸罐輥3之基材81在預定位置遮蔽以避開氣相沉積源4之遮蔽裝置5。
真空室1設有3個。又，複數真空室1沿著行走方向X連設。又，於各真空室1連接有真空泵等之真空產生裝置(未圖示及標號)，俾使各真空室1之內部形成真空。
行走裝置2具有輸送基材81之送出輥21、捲繞基材81(詳而言之，係將氣化材料氣相沉積於基材81而形成之有機EL元件8)之捲繞輥22、配置於送出輥21及捲繞輥22間
而支撐基材81之複數支撐輥23。又，行走裝置2具有基材81形成為沿著行走方向X之直線狀之部份，而使基材81行走。
送出輥21配置於真空室1之內部且為上游側，並且捲繞輥22配置於真空室1之內部且為下游側。又，複數支撐輥23配置於真空室1之內部，並且，於行走方向X排列設置。又，複數支撐輥23架於基材81，並且支撐基材81。
各氣相沉積源4配置於真空室1之內部，並且配置成在罐輥3之半徑方向中，與基材81面對面。又，於上游側及下游側之真空室1分別設有1個氣相沉積源4，並且，3個氣相沉積源4沿著行走方向X排列設置於中間之真空室1。又，各氣相沉積源4使業經以加熱氣化之氣化材料朝基材81吐出。
遮蔽裝置5具有遮蔽基材81之遮蔽部51、藉使遮蔽部51旋轉移動而切換遮蔽部51之位置之切換機構52。切換機構52構造成可切換至遮蔽部51配置於氣相沉積源4及基材81間而遮蔽基材81之遮蔽位置、及遮蔽部51從氣相沉積源4及基材81間退避而解除遮蔽基材81之遮蔽解除位置。
各遮蔽部51係用以遮蔽以容許從預定氣相沉積源4吐出之預定氣化材料氣相沉積至應形成有機EL元件之預定部位並且氣化材料不致附著於此預定部位之外之部位者。在此，「預定部位之外的部位」係指遮蔽部51為遮蔽而重疊於基材81時，如此重疊之基材81之部位。此各遮蔽部51形成帶狀或矩形且為板狀。更具體言之，在本實施形態中，於遮蔽部51採用所謂之倒裝式遮蔽板。倒裝式遮蔽板
係指旋轉驅動成特別在基材81之附近位置，在罐輥3之約略法線方向靠近、背離之類型者。遮蔽部51除了此倒裝式遮蔽板外，可採用藉在罐輥3之約略切線方向移動而旋轉驅動成對基材81靠近、背離之所謂滑動式遮蔽板。又，各遮蔽板51長向之尺寸形成為大於基材81之寬度尺寸，俾在位於遮蔽位置之狀態下，橫亙基材81之寬度方向而配置。
又，各遮蔽部51在位於遮蔽位置之狀態下，從基材81拉開間隔而配置。遮蔽部51與基材81之拉開間隔之間隔宜為例如1mm以下。此外，各遮蔽部51亦可配置成在位於遮蔽位置之狀態下，與基材81抵接。
各切換機構52具有固定於罐輥3之本體部52a。又，各切換機構52具有以平行於罐輥3之驅動軸6之軸於本體部52a固定成旋轉的第1旋轉體52b、以沿著與第1旋轉體52b之軸垂直相交之方向配置之軸於本體部52a固定成旋轉且承受第1旋轉體52b之驅動之第2旋轉體52c。
又，各切換機構52具有一端部連結於第1旋轉體52b之軸之第1連桿體52d、一端部連結於第2旋轉體52c之軸且另一端部連結於遮蔽部51之端部之第2連桿體52e。再者，各切換機構52具有可旋轉地安裝於第1連桿體52d之另一端部之凸輪從動件52f、滑動接觸凸輪從動件52f之凸輪52g。
於各第1旋轉體52b及各第2旋轉體52c之內部分別設有磁性體。藉此，由於隨著各第1旋轉體52b旋轉，各第2旋轉體52c之磁性體從各第1旋轉體52b之磁性體承受磁力，故各第2旋轉體52c旋轉。此外，各第1旋轉體52b與各
第2旋轉體52c拉開間隔配置。
凸輪52g構成圓板狀。凸輪52g係與用以驅動罐輥3之驅動軸6配置成同心狀。然而，凸輪52g不與驅動軸6及罐輥3一同旋轉，而保持在真空室1。
凸輪52g具有用以將遮蔽部51維持在遮蔽解除位置之第1區域52h、用以使遮蔽部51從遮蔽解除位置移動至遮蔽位置之第2區域52i、用以將遮蔽部51維持在遮蔽位置之第3區域52j、用以使遮蔽部51從遮蔽位置移動至遮蔽解除位置之第4區域52k。
第1區域52h於圓板狀凸輪之外周面以預定曲率半徑具有側面觀看圓弧狀之凸輪面。第2區域52i具有以預定傾斜角度傾斜之側面觀看直線狀之凸輪面。
此第2區域52i其一端部連結於圓弧狀第1區域52h之一端部。
第3區域52j具有預定曲率半徑之側面觀看圓弧狀之凸輪面。第3區域52j之曲率半徑設定成小於第1區域52h之曲徑半徑。第3區域52j其一端部連結於第2區域52i之另一端部。
第4區域52k具有以預定傾斜角度傾斜之側面觀看直線狀之凸輪面。此第4區域52k之傾斜之方向設定成與第2區域52i之傾斜之方向相反。此第4區域52k一端部連結於第3區域52j之另一端部。又，此第4區域52k其另一端部連結於第1區域52h之另一端部。
凸輪從動件52f構造成從凸輪52g之第1區域52h
依序往第4區域52k移動
此外，在各切換機構52中，藉賦與勢能裝置(未圖示及標號)，賦與勢能而維持凸輪從動件52f接觸凸輪52g之各區域(第1區域52h~第4區域52k)之狀態。
關於本實施形態之有機EL元件之製造裝置之結構如以上，接著，就本實施形態之有機EL元件之製造方法作說明。
首先，將基材81從送出輥21朝捲繞輥22搬送。此時，基材81接觸設於各真空室1內之各罐輥3來搬送。設於各罐輥3之遮蔽裝置5使遮蔽部51從遮蔽解除位置往遮蔽位置移動，而遮蔽基材81之預定部位以避開氣相沉積源4。
遮蔽部51與罐輥3一同繞該驅動軸6旋轉。此遮蔽部51於凸輪從動件52f從凸輪52g之第1區域52h往第2區域52i移動時，開始從遮蔽解除位置(參照圖5)往遮蔽位置(參照圖4)之移動。遮蔽裝置5藉將凸輪從動件52g沿著第2區域52i往第3區域52j移動，第1連桿體52d繞第1旋轉體52b之旋轉軸旋動，連動於此，第1旋轉體52b旋轉。進而，連動於第1旋轉體52b之旋轉，第2旋轉體52c旋轉。此時，連動於第2旋轉體52c之動作，第2連桿體52e繞第2旋轉體52c之旋轉軸旋動。藉此，遮蔽部51從遮蔽解除位置往遮蔽位置移動。
凸輪從動件52f從第2區域52i移動至第3區域52j，在沿著此第3區域52j移動之期間，第1連桿體52d不旋動，因而，遮蔽部51維持位於遮蔽位置之狀態。藉此，可
防止在為遮蔽部51所遮蔽之基材81中，氣化材料氣相沉積於氣化材料可氣相沉積之預定部位之外的部位。
又，凸輪從動件52f從第3區域52j往第4區域52k移動時，開始此遮蔽部51從遮蔽位置往遮蔽解除位置之退避。凸輪從動件52f藉沿著第4區域52k移動，而使第1連桿體52d繞第1旋轉體52c之旋轉軸旋動。此時，第1連桿體52d往與凸輪從動件52f在第2區域52i移動時之旋動之方向相反的方向旋動。連動於此第1連桿體52d之旋動，第1旋轉體52b、第2旋轉體52c旋轉，進一步，第2連桿體52e旋動。藉此，遮蔽部51從遮蔽位置往遮蔽解除位置移動。
之後，凸輪從動件52f從第4區域52k往第1區域52h移動。凸輪從動件52f沿著第4區域52k移動之期間，第1連桿體52d不旋動，因而，遮蔽部51維持位於遮蔽解除位置之狀態。
如圖6~圖8所示，有機EL元件8具有來自氣相沉積源4之氣化材料氣相沉積而形成於基材81之其中一側之面的下部電極層82、從下部電極層82上氣相沉積氣化材料而形成之有機層83、從有機層83上氣相沉積氣化材料而形成之上部電極層84。又，有機EL元件8具有橫亙基材81之寬度方向未氣相沉積氣化材料之部位、即未設有各層82、83、84之部位。
基材81具有具導電性之導電層81a、具絕緣性之絕緣層81b。又，導電層81a以金屬基板構成，舉例言之，以不鏽鋼、銅、鎳等金屬形成。又，絕緣層81b配置成覆蓋導
電層81a之其中一側之面全體，舉例言之，以聚醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、環氧樹脂等光硬化性樹脂、或薄玻璃等形成。
下部電極層82配置成至少一部份不為有機層83及上部電極層84覆蓋而露出。又，下部電極層82在本實施形態中係作為陽極層，舉例言之，以銦-鋅氧化物(IZO)、銦-錫氧化物(ITO)等透明導電材、金、銀、鋁等金屬形成。
有機層83具有配置於下部電極層82上之電洞注入層83a、配置於電洞注入層83a上之有機EL層83b、配置於有機EL層83b上之電子注入層83c。又，有機層83配置於下部電極層82及上部電極層84間，而防止下部電極層82與上部電極層84接觸。
電洞注入層83a以銅酞青(CuPc)、4,4’-雙[N-4-(N,N-二-m-甲苯氨基)苯基]-N-苯胺]聯苯(DNTPD)等形成。又，有機EL層83b以例如三(8-羥喹啉)鋁(Alq3)、摻雜有銥錯合物(Ir(ppy)3)之4,4’-N,N’-雙咔唑聯苯(CBP)等形成。再者，電子注入層83c以例如氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氧化鋰(Li2O)等形成。
上部電極層84在本實施形態中，係作為陰極層。又，上部電極層84以例如鋁、銀、鎂銀合金、包含鹼金屬、鹼土類金屬之合金等形成。
因而，配置於上游側之真空室1之氣相沉積源4吐出用以形成下部電極層82之氣化材料，配置於中間之真空室1之氣相沉積源4、4、4從上游側分別吐出用以形成電洞注入層83a之氣化材料、用以形成有機EL層83b之氣化材
料、用以形成電子注入層83c之氣化材料，進一步，配置於下游側之真空室1之氣相沉積源4吐出用以形成上部電極層84之氣化材料。
從以上，根據本實施形態之有機EL元件之製造方法及製造裝置，藉遮蔽部51配置於氣相沉積源4及基材81間，遮蔽部51位於遮蔽基材81之遮蔽位置。藉此，在為遮蔽部51遮蔽之基材81中，可防止氣化材料氣相沉積於氣化材料可氣相沉積之預定部位之外的部位。
又，藉以切換機構52，遮蔽部51從氣相沉積源4及基材81間退避，可切換至解除遮蔽部51遮蔽基材81之遮蔽解除位置。
藉此，可在不阻礙從氣相沉積源4吐出之氣化材料氣相沉積於行走之基材81上之預定部位下，搬送基材81。因而，不需如習知之帶狀陰影遮罩，並且可以所期之圖形將氣化材料氣相沉積於基材81。
又，根據本實施形態之有機EL元件之製造方法及製造裝置，由於遮蔽部51形成為大於基材81之寬度尺寸，故在遮蔽部51位於遮蔽位置之狀態下，遮蔽部51橫亙基材81之寬度方向配置。藉此，由於可橫亙基材81之寬度方向形成未氣相沉積有氣化材料之部位，故之後，可在此部位，切斷有機EL元件8。
又，根據本實施形態之有機EL元件之製造方法及製造裝置，因遮蔽部為倒裝式遮蔽板，故可確實地進行遮蔽位置與遮蔽解除位置之位置變更。
此外，本發明之有機EL元件之製造方法及製造裝置當然非限於上述實施形態者，可在不脫離本發明之要旨之範圍內，添加各種變更。
舉例言之，如圖9所示，亦可於凸輪52g之外周面設複數凹凸，每當凸輪從動件42f通過凸輪52g之凸部7時，遮蔽部51可切換至遮蔽位置及遮蔽解除位置，罐輥3繞1圈，藉此，進行以複數次氣相沉積所作之成膜。
又，在上述實施形態之有機EL元件之製造方法及製造裝置中，說明遮蔽部51形成帶狀或矩形之結構，但不限於此結構。
具體言之，如圖10所示，遮蔽部51亦可為具有設成約略垂直相交於基材81之第1遮蔽部51a、設成約略垂直相交於此第1遮蔽部51a之1個第2遮蔽部51b之結構。
如圖10所示，第1遮蔽部51a構成帶狀或矩形。第1遮蔽部51a其一端部連結於切換機構52之第2連桿體52e，其另一端部與第2遮蔽部51b形成一體。第2遮蔽部51b構成帶狀或矩形。第2遮蔽部51b與基材81之寬度方向之一端部重疊，沿著基材81之長向而設。
又，如圖11所示，遮蔽部51亦可為除了具有圖10之第1遮蔽部51a及第2遮蔽部51b、還具有第3遮蔽部51c之結構。第3遮蔽部51c構成帶狀或矩形。第3遮蔽部51c從第1遮蔽部51a之中途部突出形成成與此第1遮蔽部51a約略垂直相交。第2遮蔽部51b設成與基材81之寬度方向之一端部重疊，另一方面，第3遮蔽部51c設成與基材81之寬度方向
之反側的另一端部重疊。第3遮蔽部51c與第2遮蔽部51b約略平行。第3遮蔽部51c沿著基材81之長向而設。
又，如圖12所示，遮蔽部51亦可為除了圖11之第1遮蔽部51a、第2遮蔽部51b及第3遮蔽部51c外、還具有第4遮蔽部51d之結構。第4遮蔽部51d構成帶狀或矩形。第4遮蔽部51d連結第2遮蔽部51b之端部及第3遮蔽部51c之端部。第4遮蔽部51d與第1遮蔽部51a約略平行。又，第4遮蔽部51d設成沿著基材81之寬度方向。藉上述結構，圖12所示之遮蔽部51以第1遮蔽部51a、第2遮蔽部51b、第3遮蔽部51c及第4遮蔽部51d構成四角形。又，此遮蔽部51具有以第1遮蔽部51a~第4遮蔽部51d包圍之1個開口部。
又，如圖13所示，遮蔽部51亦可為除了圖12之第1遮蔽部51a~第4遮蔽部51d外、還具有第5遮蔽部51e之結構。此第5遮蔽部51e構成帶狀，其中途部彎曲而構成。第5遮蔽部51e設於第2遮蔽部51b與第3遮蔽部51c之間。此第5遮蔽部51e連結第1遮蔽部51a之中途部與第4遮蔽部51d之中途部。第5遮蔽部51e設成與第1遮蔽部51a及第4遮蔽部51d約略垂直相交。又，第5遮蔽部51e設成沿著基材81之長向。藉上述之結構，遮蔽部51具有以第1遮蔽部51a~第5遮蔽部51e分隔之2個開口部。
又，在本發明之有機EL元件之製造方法及製造裝置中，切換機構5不限於上述實施形態之結構，只要為可將遮蔽部51切換至遮蔽位置及遮蔽解除位置之結構即可。
又，在本發明之有機EL元件之製造裝置中，舉
例言之，亦可於罐輥3之其中一面側(表面側)及另一面側(背面側)之兩側設有遮蔽裝置5A、5B。舉例言之，如圖14所示，製造裝置具有設於罐輥3之其中一側之第1遮蔽裝置5A、及設於另一側之第2遮蔽裝置5B。第1遮蔽裝置5A及第2遮蔽裝置5B構造成同形。
第1遮蔽裝置5A及第2遮蔽裝置5B在相同之時間點，移動至遮蔽位置、遮蔽解除位置。此外，設於第1遮蔽裝置5A及第2遮蔽裝置5B之凸輪52g藉由軸承9支撐成可對驅動軸6相對旋轉。該等凸輪52g藉由固定構件10，固定於真空室1內。即，凸輪52g以可對驅動軸6相對旋轉但不自轉之狀態固定於真空室1內。第1遮蔽裝置5A之遮蔽部51構造成在遮蔽位置(在圖14以實線描繪之位置)，遮蔽基材81之寬度方向之約一半的區域。又，第2遮蔽裝置5B之遮蔽部51構造成遮蔽第1遮蔽裝置5A之遮蔽部51未遮蔽之基材之剩餘約一半的區域。
圖15顯示以上述結構之製造裝置於基材81形成下部電極層82之例。如圖15所示，於基材81形成有使用第1遮蔽裝置5A而形成之第1下部電極層82A之列、使用第2遮蔽裝置5B而形成之第2下部電極層82B之列。
在圖14之例之製造裝置中，以第1遮蔽裝置5A及第2遮蔽裝置5B，在同一時間點形成下部電極層82A、82B，亦可使第1遮蔽裝置5A及第2遮蔽裝置5B之遮蔽之時間點不同。再者，第1遮蔽裝置5A及第2遮蔽裝置5B亦可在罐輥3之旋轉方向，配置於不同之位置。藉此，可使第1遮蔽裝
置5A遮蔽基材81之時間點及第2遮蔽裝置5B遮蔽基材81之時間點不同。因而，舉例言之，如圖16所示，以第1遮蔽裝置5A於基材81形成下部電極層82後，以第2遮蔽裝置5B於此下部電極層82上形成有機層83。
接著，舉實施例為例，更詳細地說明本發明，本發明非限於該等者。
以以下之條件之製造裝置，於基材上形成陽極層、有機EL層、及陰極層，製造了有機EL元件。於遮蔽部採用了厚度0.1mm、材質為SUS304者。罐輥之直徑為600mm。真空室之真空度設定為5.0×10-5Pa。基材之寬度尺寸為50mm。又，基材之搬送速度為1m/min。基材其厚度為50μm，其材質為SUS304。於基材之元件側形成厚度4μm之絕緣層。
使用剪刀，將以上述條件製造之有機EL元件在基材之長向相鄰之有機EL元件間的中央部沿著基材寬度方向切斷，藉此，切開各有機EL元件，對陽極層及陰極層施加電壓，結果，不論哪個有機EL元件，皆看出具有基材搬送方向長度314mm、基材寬度方向長度38mm之區域之綠色發光。又，該區域內之發光為均一。又，未於有機EL元件看出短路等弊端之產生。在第1實施例中，製造了10單元之有機EL元件，關於其全部，可進行所期之發光。
以使用帶狀之陰影遮罩取代使用第1實施例之遮蔽裝置之製造裝置，製造了有機EL元件之比較例。帶狀陰影遮罩分別纏繞於陰影遮罩繞出輥，從該陰影遮罩繞出輥繞出之帶狀陰影遮罩分別供至罐輥與氣相沉積源之間後，可分別以捲繞輥捲繞。於陰影遮罩以預定間距形成有開口部。進一步，繞出之陰影遮罩以按壓輥密合於基材。
又，使用具有此種帶狀陰影遮罩之製造裝置，與第1實施例同樣地，於形成於基材上之陽極層形成有機EL層及陰極層，結果，陰影遮罩與形成於基材上之陽極層摩擦，陽極層受到損傷。更具體言之，所製造之10單元之有機EL元件中，在1個單元，陽極層受到損傷。又，由於從連續之成膜之途中，於帶狀之陰影遮罩之開口部與陽極層間產生位置偏離，故之後無法製造滿足所期品質之有機EL元件。
本案發明人就上述之第1實施例及陽極層受到損傷之比較例之有機EL元件，進行了性能測試。測試結果係參照圖17時，確認了第1實施例之有機EL元件施加電壓超過約7V後，發光亮度逐漸增加，施加電壓為12V時，發光亮度超過40000cd/m2，到達所期之發光亮度。對此，清楚了解在產生動作不良之比較例之有機EL元件中，從施加電壓超過約7V之時間點，發光亮度逐漸增加，即使施加電壓達12V，亦不致到達所期之發光亮度。從此結果，認為比較例由於陽極層受到損傷，故無法發揮所期之性能。
又，如圖18、圖19所示，就第1實施例及比較例，
使用雷射顯微鏡(KEYENCE股份有限公司製：VK-9700)，取得在於基材形成陽極層之狀態之該交界部之平面的圖像，進行該等圖像之對比。又，如圖20所示，將第1實施例及比較例之陽極層之圖形邊緣部份之截面輪廓作為曲線，進行對比。
在此第1實施例中，將遮蔽裝置之遮蔽部配置於遠離基材之遮蔽位置，將來自氣相沉積源之氣化材料氣相沉積於基材，藉此，形成有陽極層。另一方面，在比較例中，在使陰影遮罩接觸基材之狀態下遮蔽，將來自氣相沉積源之氣化材料氣相沉積於基材，藉此，形成陽極層。
如圖20所示，可知比較例之陽極層之邊緣部份以其側面沿著約略鉛直方向之狀態直線形成。相對於此，可知第1實施例之陽極層之邊緣部份其側面相對於鉛直方向傾斜而形成曲線狀。
關於上述之點，進一步參照圖19，在比較例之平面圖像中，如上述，因陽極層之側面形成約略鉛直，故基材與陽極層之交界清楚地映照於色線上。相對於此，在第1實施例之平面圖像(圖18)中，因陽極層之側面傾斜而形成，故基材與陽極層間之交界不清楚，映照成稍微模糊不清。
如上述，可知在比較例中，在陰影遮罩接觸基材之狀態下，進行陽極層之氣化材料之氣相沉積，結果，形成為陽極層之邊緣非常尖銳之狀態(圖19、圖20所示之狀態)。在此種比較例中，易產生所謂之邊緣漏損，非較佳者。從此可知第1實施例之有機EL元件之製造方法及製造裝置於基
材形成陽極層時，使遮蔽部從基材拉開間隔而進行氣相沉積，藉此，在防止邊緣漏損之產生之點，可發揮顯著之效果。
3‧‧‧罐輥
4‧‧‧氣相沉積源
5‧‧‧遮蔽裝置
6‧‧‧驅動軸
51‧‧‧遮蔽部
52‧‧‧切換機構
52a‧‧‧本體部
52b‧‧‧第1旋轉體
52c‧‧‧第2旋轉體
52d‧‧‧第1連桿體
52e‧‧‧第2連桿體
52f‧‧‧凸輪從動件
52g‧‧‧凸輪
52h‧‧‧第1區域
52i‧‧‧第2區域
52j‧‧‧第3區域
52k‧‧‧第4區域
81‧‧‧基材
Claims (4)
- 一種有機EL元件之製造方法，其特徵在於包含有下述步驟：使帶狀基材接觸輥而搬送；藉從氣相沉積源吐出氣化材料，而於前述基材之預定部位氣相沉積前述氣化材料；及使用以遮蔽前述基材之遮蔽部配置於前述氣相沉積源及前述基材間，俾於氣相沉積前述氣化材料之際，防止前述氣化材料氣相沉積於前述預定部位之外之部位；又，前述遮蔽部構造成可切換至配置於前述氣相沉積源及前述基材間而遮蔽前述基材之遮蔽位置、及從前述氣相沉積源及前述基材間退避而解除遮蔽前述基材之遮蔽解除位置，前述遮蔽部一面與前述輥一同旋轉，一面切換至前述遮蔽位置與前述遮蔽解除位置。
- 如申請專利範圍第1項之有機EL元件之製造方法，其中前述遮蔽部形成為大於前述基材之寬度尺寸，俾在位於前述遮蔽位置之狀態下，橫亙前述基材之寬度方向配置。
- 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件之製造方法，其中前述遮蔽部係倒裝(flip)式遮蔽板。
- 一種有機EL元件之製造裝置，其特徵在於包含有： 輥，係接觸帶狀基材者；氣相沉積源，係朝前述基材之預定部位吐出氣化材料，俾將氣化材料氣相沉積於前述基材者；及遮蔽裝置，係遮蔽前述基材，以防止前述氣化材料氣相沉積於前述預定部位之外之部位；前述遮蔽裝置具有：遮蔽部，係用以遮蔽前述基材者；切換機構，係可將該遮蔽部切換至使其配置於前述氣相沉積源及前述基材間而遮蔽前述基材之遮蔽位置、及使其從前述氣相沉積源及前述基材間退避而解除遮蔽前述基材之遮蔽解除位置，又，前述遮蔽部一面與前述輥一同旋轉，一面受前述切換機構切換至前述遮蔽位置與前述遮蔽解除位置。
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