JP2006249471A - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006249471A JP2006249471A JP2005065059A JP2005065059A JP2006249471A JP 2006249471 A JP2006249471 A JP 2006249471A JP 2005065059 A JP2005065059 A JP 2005065059A JP 2005065059 A JP2005065059 A JP 2005065059A JP 2006249471 A JP2006249471 A JP 2006249471A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cathode
- film
- substrate
- chamber
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】長尺物にスパッタリングで成膜を行うに際し、目的物性を有し、かつ、密着性に優れ、表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜できる成膜方法を提供する。
【解決手段】電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によってターゲットに電圧を印可するカソードを用い、ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で基板を保持して長手方向に搬送しつつ、カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことにより、前記課題を解決する。
【選択図】図２
【解決手段】電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によってターゲットに電圧を印可するカソードを用い、ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で基板を保持して長手方向に搬送しつつ、カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことにより、前記課題を解決する。
【選択図】図２
Description
本発明は、電子ディスプレイ材料、磁気記録材料、包装材料に用いられる光学薄膜、ガスバリア薄膜、透明導電薄膜、保護膜の形成方法に関する。詳しくは、スパッタリングによる成膜の技術分野に属し、真空中で長尺の高分子フィルム基板を搬送し、スパッタリングによって、基板との密着性が良好で、かつ、目的とする固さを有する薄膜を、高い生産性できる成膜方法に関する。
従来よりプラスチック表面基板に光学薄膜、ガスバリア薄膜、透明導電膜などの各種薄膜を形成する方法として、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、プラズマＣＶＤなどの真空薄膜形成技術が広く用いられている。
その中でも、スパッタリングによる薄膜形成は、液晶ディスプレイ等に利用されるＩＴＯ(Indium-Tin oxide)等の透明電極の成膜、各種の光学部品における反射防止膜や保護膜の成膜等に、好適に利用されている。
その中でも、スパッタリングによる薄膜形成は、液晶ディスプレイ等に利用されるＩＴＯ(Indium-Tin oxide)等の透明電極の成膜、各種の光学部品における反射防止膜や保護膜の成膜等に、好適に利用されている。
スパッタリングによる成膜は、成膜対象となる基板を（真空）チャンバ内の所定の位置に装着した後、チャンバを閉塞、減圧して、スパッタリングによって成膜を行い、成膜終了後にチャンバを開放して、製品を取り出す、いわゆるバッチ式によって行われていた。
これに対し、より生産性の高いスパッタリングによる成膜方法として、長尺なプラスチックフィルム等の長尺な可撓性の基板を、長手方向に搬送しつつ、連続的にスパッタリングを行う方法も知られている。例えば、特許文献１や特許文献２には、円筒状のドラムと、このドラムに対向して回転方向に複数配置されるターゲットを保持するカソードとを用い、基板をドラムの一部に巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、１以上のカソードを駆動することにより、スパッタリングによって、長尺な基板に連続的に成膜を行う成膜装置が開示されている。
これに対し、より生産性の高いスパッタリングによる成膜方法として、長尺なプラスチックフィルム等の長尺な可撓性の基板を、長手方向に搬送しつつ、連続的にスパッタリングを行う方法も知られている。例えば、特許文献１や特許文献２には、円筒状のドラムと、このドラムに対向して回転方向に複数配置されるターゲットを保持するカソードとを用い、基板をドラムの一部に巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、１以上のカソードを駆動することにより、スパッタリングによって、長尺な基板に連続的に成膜を行う成膜装置が開示されている。
しかしながら、このような長尺な基板に連続的に成膜を行うスパッタリングでは、以下の各種の問題点がある。
まず、スパッタリングでは、薄膜の密着性や強度を良好にするために、成膜に先立ち基板を加熱することが多いが、基板を搬送しつつ成膜を行う際には、加熱も基板を搬送しつつ行うために、十分に加熱することができず、十分な密着性を得られないが不十分となってしまう場合がある。さらに、前処理での加熱が不十分であると、成膜系内で、基板に付着した水分、基板の汚れに起因するガス等が放出してしまい、この悪影響によっても、薄膜の密着性や強度が低下する。
逆に、十分に加熱するためには、基板の搬送速度を低下する必要があり、当然、生産性が低下する。
まず、スパッタリングでは、薄膜の密着性や強度を良好にするために、成膜に先立ち基板を加熱することが多いが、基板を搬送しつつ成膜を行う際には、加熱も基板を搬送しつつ行うために、十分に加熱することができず、十分な密着性を得られないが不十分となってしまう場合がある。さらに、前処理での加熱が不十分であると、成膜系内で、基板に付着した水分、基板の汚れに起因するガス等が放出してしまい、この悪影響によっても、薄膜の密着性や強度が低下する。
逆に、十分に加熱するためには、基板の搬送速度を低下する必要があり、当然、生産性が低下する。
また、連続的に長時間の成膜を行うと、ターゲットの表面に酸化物等の異物の塊が局所的に発生してしまい、ここに、電荷が集中してしまう。この電荷が、ある程度溜まると、此処から異常放電が発生して、薄膜や基板がダメージを受け、ピンホールの発生や膜厚の変動等が起こり、また、導電膜であれば導電性の劣化、バリア膜であればバリア性の劣化など、膜質等に悪影響を与える。
このような不都合を防止するために、高い成膜エネルギを投入することができず、所望の生産性を得ることができない。
このような不都合を防止するために、高い成膜エネルギを投入することができず、所望の生産性を得ることができない。
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、スパッタリングで成膜を行うに際し、目的とする物性を有し、かつ、密着性に優れ、ピンホール等のない表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜することができる成膜方法を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明の成膜方法は、長尺な可撓性の基板にスパッタリングで成膜するに際し、電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によって前記ターゲットに電圧を印可するカソードを用い、前記ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で前記基板を保持して長手方向に搬送しつつ、前記カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことを特徴とする成膜方法を提供する。
このような本発明の成膜方法において、前記電圧印加のｏｎおよびｏｆｆを１サイクルとして、このサイクルを１ｋＨｚ〜２００ｋＨｚで繰り返すのが好ましく、この際に、前記１サイクルの中において、電源ｏｎの時間が１０％〜９０％であるのが好ましく、さらに、前記ターゲットを保持するカソードがアノードとして作用する電極を有し、ターゲットと、この電極との間で放電してスパッタリングを行うのが好ましい。
以上、詳細に説明したように、本発明の成膜方法によれば、スパッタリングで成膜を行うに際し、目的とする物性を有し、かつ、密着性に優れ、かつ、ピンホール等のない表面性状が良好な薄膜を、高い生産性で成膜することができる。
以下、本発明の成膜方法について、添付の図面に示される好適な実施形態を基に、詳細に説明する。
なお、本発明の成膜方法において、スパッタリングによって薄膜を形成される基板（成膜基板）には特に限定はなく、可撓性を有する長尺物に成形可能であれば、各種のものが利用可能である。
一例として、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルやポリスチレン、ポリメチルメタアクリレートなどの（メタ）アクリル系樹脂、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料からなる基板が例示される。なお、基板は、単一材料で形成しても、２種以上の材料からなるものでもよい。
このような高分子材料は、可撓性や柔軟性等の点で好適であり、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性等に優れ、かつ、低通気性および低吸湿性である点から、ポリエステル、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリレート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン等は好適に例示される。
一例として、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステルやポリスチレン、ポリメチルメタアクリレートなどの（メタ）アクリル系樹脂、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料からなる基板が例示される。なお、基板は、単一材料で形成しても、２種以上の材料からなるものでもよい。
このような高分子材料は、可撓性や柔軟性等の点で好適であり、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性等に優れ、かつ、低通気性および低吸湿性である点から、ポリエステル、トリアセチルセルロース、ポリカーボネート、ポリメチルメタアクリレート、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリテトラフルオロエチレン等は好適に例示される。
また、本発明の成膜方法でおいて成膜する薄膜にも、限定はなく、スパッタリングによって成膜可能なものであれば、透明導電膜、ガスバリア膜等の保護膜、密着性向上等に利用される各種の機能膜など、全てのものが利用可能である。
透明導電膜としては、アンチモンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素をドープした酸化スズ（ＦＴＯ）、半導性金属酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺｎＯ）など）、金属（金、銀、クロム、ニッケルなど）、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、無機導電性材料（ヨウ化銅、硫化銅など）、有機導電性材料（ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど）、および、有機導電性材料とＩＴＯとの積層物等が例示される。これ以外にも、酸化チタン（ＴｉＯ2）、窒化チタン、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が好適に例示される。
透明導電膜としては、アンチモンをドープした酸化スズ（ＡＴＯ）、フッ素をドープした酸化スズ（ＦＴＯ）、半導性金属酸化物（酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺｎＯ）など）、金属（金、銀、クロム、ニッケルなど）、これらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、無機導電性材料（ヨウ化銅、硫化銅など）、有機導電性材料（ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなど）、および、有機導電性材料とＩＴＯとの積層物等が例示される。これ以外にも、酸化チタン（ＴｉＯ2）、窒化チタン、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等が好適に例示される。
また、ターゲットに用いる材料も、成膜する薄膜に応じて、適宜、選択すれば良く、一例として、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ｚｒ、Ｃ、およびＭｇの内の１種以上を含む、金属または合金またはこれらの酸化物、窒化物、炭化物、ハロゲン化物等が例示される。
図１に、本発明の成膜方法の実施に好適な成膜室（成膜装置）を有する成膜ラインの概念図を示す。
図１に示される成膜ライン１０は、プラスチックフィルム等の長尺な帯状の基板Ｓの表面に、スパッタリングによって薄膜を成膜するもので、基本的に、供給室１２、プラズマ処理室１４、第１成膜室１６、第１透過率測定室１８、第２成膜室２０、第２透過率測定室２２、および、巻取室２４を有して構成される。これらの各室は、シールロール等の公知の手段によって互いに略気密に分離されており、隣り合わせる室内の圧力が互いに影響しないようになっている。
このような成膜ライン１０において、第１成膜室１６および第２成膜室２０は、本発明の成膜装置にかかるものである。
図１に示される成膜ライン１０は、プラスチックフィルム等の長尺な帯状の基板Ｓの表面に、スパッタリングによって薄膜を成膜するもので、基本的に、供給室１２、プラズマ処理室１４、第１成膜室１６、第１透過率測定室１８、第２成膜室２０、第２透過率測定室２２、および、巻取室２４を有して構成される。これらの各室は、シールロール等の公知の手段によって互いに略気密に分離されており、隣り合わせる室内の圧力が互いに影響しないようになっている。
このような成膜ライン１０において、第１成膜室１６および第２成膜室２０は、本発明の成膜装置にかかるものである。
供給室１２は、供給ローラ２６と、加熱ソーン２８と、ガイドローラ３０および３２と、真空ポンプ３４を有して構成される。
成膜ライン１０においては、長尺な基板Ｓは、巻回されたロール状で供給ローラ２６に装填され、プラズマ処理室１４→第１成膜室１６→第１透過率測定室１８→第２成膜室２０→第２透過率測定室２２→巻取室２４（巻取ローラ１００）まで掛け渡される。基板Ｓは、この状態で、駆動ローラである供給ローラ２６の回転によってロールから送り出され、ガイドローラ３０および３２に案内されつつ供給室１２から供給され、長手方向（以下、長手方向と直交する方向は「幅方向」とする）に搬送されつつ、各部屋に、順次、供給されて処理され、表面（ロール外面）に薄膜を成膜されて、巻取室２４において、再度、ロール状に巻回される。
成膜ライン１０においては、長尺な基板Ｓは、巻回されたロール状で供給ローラ２６に装填され、プラズマ処理室１４→第１成膜室１６→第１透過率測定室１８→第２成膜室２０→第２透過率測定室２２→巻取室２４（巻取ローラ１００）まで掛け渡される。基板Ｓは、この状態で、駆動ローラである供給ローラ２６の回転によってロールから送り出され、ガイドローラ３０および３２に案内されつつ供給室１２から供給され、長手方向（以下、長手方向と直交する方向は「幅方向」とする）に搬送されつつ、各部屋に、順次、供給されて処理され、表面（ロール外面）に薄膜を成膜されて、巻取室２４において、再度、ロール状に巻回される。
加熱ゾーン２８は、ガイドローラ３０とガイドローラ３２との間において、基板Ｓの搬送経路を基板面に対面して挟んで配置される赤外線ヒータ、熱電対等の温度検出手段、赤外線ヒータのコントローラ等を有し、搬送される基板Ｓを加熱する。また、供給室１２内は、真空ポンプ３４によって、例えば、１×１０-3Ｐａ程度に減圧される。
供給室１２においては、この加熱および減圧により、基板Ｓに付着した水分や異物等を除去する。
供給室１２においては、この加熱および減圧により、基板Ｓに付着した水分や異物等を除去する。
真空ポンプ３４には、特に限定はなく、必要な真空度を確保できるものであれば、ターボポンプ等の公知のものを使用すればよい。この点に関しては、他の室（成膜系）の真空ポンプ３４も同様であるが、各真空ポンプは同一であっても異なるものであってもよい。また、各室（成膜系）には、水分を吸着して真空ポンプ３４による排気を補助するためのクライオコイル等を有してもよい。
なお、図示例の成膜ライン１０においては、好ましい態様として、全室に真空ポンプ３４が配置されるが、各室間のシール能力、真空ポンプ３４の能力など応じて、処理に減圧が不要な空間、例えば、第１透過率測定室１８、第２透過率測定室２２、巻取室２４などは、真空ポンプ３４を設置しなくてもよい。
なお、図示例の成膜ライン１０においては、好ましい態様として、全室に真空ポンプ３４が配置されるが、各室間のシール能力、真空ポンプ３４の能力など応じて、処理に減圧が不要な空間、例えば、第１透過率測定室１８、第２透過率測定室２２、巻取室２４などは、真空ポンプ３４を設置しなくてもよい。
プラズマ処理室１４は、薄膜の密着性を向上するために、基板Ｓの表面をプラズマ処理する部位であり、Ｒｆ（高周波）電源や基板面に対面して搬送経路を挟んで配置されるＴｉ（チタン）電極等から構成されるプラズマ処理ゾーン３６、および、真空ポンプ３４を有する。
プラズマ処理室１４では、真空ポンプ３４によって、プラズマ処理室１４内を、例えば０．００１Ｐａ程度に減圧し、その後、プラズマ処理室１４内にガスを導入して、１Ｐａ程度に減圧する。基板Ｓは、この状態において、長手方向に搬送されつつ、プラズマ処理ゾーン３６のＴｉ電極間おいてプラズマ処理（グロー放電処理）される。
プラズマ処理室１４では、真空ポンプ３４によって、プラズマ処理室１４内を、例えば０．００１Ｐａ程度に減圧し、その後、プラズマ処理室１４内にガスを導入して、１Ｐａ程度に減圧する。基板Ｓは、この状態において、長手方向に搬送されつつ、プラズマ処理ゾーン３６のＴｉ電極間おいてプラズマ処理（グロー放電処理）される。
プラズマ処理された基板Ｓは、次いで、第１成膜室１６でスパッタリングによる成膜を行われる。なお、図示例においては、第１成膜室１６と第２成膜室２０とは、同じ構成を有するので、同じ部材には同じ符号を付し、以下の説明は、第１成膜室１６を代表例として行う。
図２に、第１成膜室１６（第２成膜室２０）の概念図を示す。
図２に、第１成膜室１６（第２成膜室２０）の概念図を示す。
第１成膜室１６（第２成膜室２０）は、入排出部４０と、基板Ｓに成膜を行うための、第１カソード４２ａ、第２カソード４２ｂ、第３カソード４２ｃ、第４カソード４２ｄ、第５カソード４２ｅおよび第６カソード４２ｆの６つのカソード（カソード装置）、ならびに、基板Ｓを所定の成膜位置に保持しつつ長手方向に搬送する円筒状のドラム５０を有する成膜部４４と、（真空）チャンバ５２とを有して構成される。
入排出部４０は、上流（基板Ｓ搬送方向の上流）のプラズマ処理室１４から搬送された基板Ｓをドラム５０に搬送し、ドラム５０から搬送された成膜済みの基板Ｓを下流の第１透過率測定室１８に搬送するものであり、ガイドローラ５４、５６、５８、６０、６２、および６４と、真空ポンプ３４とを有する。
入排出部４０と、第１カソード４２ａおよび第６カソード４２ｆとの間には、チャンバ５２の内壁からドラム５０の側面に在するように、隔壁６６および６８が配置される。この隔壁６６および６８により、入排出部４０と、成膜部４４（第１カソード４２ａおよび第６ソード４２ｆによる成膜系）とを略気密に分離して、圧力が互いに影響を及ぼさないようになっている。
なお、入排出部４０の真空度は、第１カソード４２ａおよび第６カソード４２ｆによる成膜系の成膜条件に応じて、適宜、決定すればよい。
なお、入排出部４０の真空度は、第１カソード４２ａおよび第６カソード４２ｆによる成膜系の成膜条件に応じて、適宜、決定すればよい。
入排出部４０において、ドラム５０と隣接するガイドローラ５８および６０は、駆動ローラであり、それ以外は従動ローラである。
また、ガイドローラ５６は、基板Ｓにかかる張力（テンション）を調節する調節手段となっており、同出口に配置されるガイドローラ６２は、基板Ｓにかかる張力を検出する検出手段（テンションピックアップ）となっている。
また、ガイドローラ５６は、基板Ｓにかかる張力（テンション）を調節する調節手段となっており、同出口に配置されるガイドローラ６２は、基板Ｓにかかる張力を検出する検出手段（テンションピックアップ）となっている。
ここで、図示例においては、第１成膜質１６における基板Ｓの張力は、２種のコントロール方法が選択可能となっている。
１つは、張力の検出手段であるガイドローラ６２にかかる力で基板Ｓの張力を検出し、この検出結果に応じて、調整手段であるガイドローラ５６の位置を調節して張力を調節する方法である。
もう１つの方法は、ドラム５０による搬送速度と、ドラム５０の下流に位置する駆動ローラであるガイドローラ６０の搬送速度との速度差によって、張力を調整する方法である。ドラム５０の回転速度は、成膜条件に応じて決定され一定速度で回転するので、それに対して、ガイドローラ６０の回転速度を調節して、基板の張力を調整する。
１つは、張力の検出手段であるガイドローラ６２にかかる力で基板Ｓの張力を検出し、この検出結果に応じて、調整手段であるガイドローラ５６の位置を調節して張力を調節する方法である。
もう１つの方法は、ドラム５０による搬送速度と、ドラム５０の下流に位置する駆動ローラであるガイドローラ６０の搬送速度との速度差によって、張力を調整する方法である。ドラム５０の回転速度は、成膜条件に応じて決定され一定速度で回転するので、それに対して、ガイドローラ６０の回転速度を調節して、基板の張力を調整する。
基板Ｓを搬送しつつ連続的に薄膜を成膜する装置、特に、本発明のようにドラムに基板Ｓを巻き掛けて搬送しつつ成膜を行う装置では、基板Ｓの搬送性（走行性）は、表面滑性や厚さ、剛性などに応じて異なる。
従って、図示例の成膜装置１０のように、直接張力を検出して張力を調整する方法と、ドラムと、ドラムの下流で最も隣接する駆動ローラとの速度差で張力を調整する方法とを選択可能とし、基板Ｓの表面滑性等に応じて調整方法を選択することにより、基板Ｓに応じた適正な張力の調整を行って、基板Ｓを安定して搬送することができ、搬送に起因する膜厚のムラ等を大幅に低減できる。
従って、図示例の成膜装置１０のように、直接張力を検出して張力を調整する方法と、ドラムと、ドラムの下流で最も隣接する駆動ローラとの速度差で張力を調整する方法とを選択可能とし、基板Ｓの表面滑性等に応じて調整方法を選択することにより、基板Ｓに応じた適正な張力の調整を行って、基板Ｓを安定して搬送することができ、搬送に起因する膜厚のムラ等を大幅に低減できる。
なお、第１成膜室１６（本発明の成膜方法）において、基板Ｓの搬送速度には、特に限定はなく、対象とする基板Ｓ、要求される成膜速度、カソードの出力等に応じて、適宜、決定すればよいが、例えば、０．０１ｍ／ｍｉｍ〜１００ｍ／ｍｉｍの範囲で調整可能とするのが好ましい。
第１成膜室１６において、入出力部４０の下方には、第１カソード４２ａ〜第６カソード４２ｆおよびドラム５０を有する成膜部４４が位置する。
ドラム５０は、側面に基板Ｓを巻き掛けて回転することにより、基板Ｓを所定の成膜位置に保持しつつ、長手方向に搬送するものである。
図示例において、ドラム５０は成膜中における基板Ｓの加熱／冷却手段を兼ねており、成膜中の基板Ｓの温度を例えば、−５０℃〜４００℃の範囲でコントロールする。ドラム５０による基板Ｓの加熱／冷却方法には、特に限定はなく、ドラム５０内部を含む液体の冷媒や熱媒の循環経路を形成して、温度調整した冷媒や熱媒を循環させる方法等、公知の方法が、各種利用可能である。
ドラム５０は、側面に基板Ｓを巻き掛けて回転することにより、基板Ｓを所定の成膜位置に保持しつつ、長手方向に搬送するものである。
図示例において、ドラム５０は成膜中における基板Ｓの加熱／冷却手段を兼ねており、成膜中の基板Ｓの温度を例えば、−５０℃〜４００℃の範囲でコントロールする。ドラム５０による基板Ｓの加熱／冷却方法には、特に限定はなく、ドラム５０内部を含む液体の冷媒や熱媒の循環経路を形成して、温度調整した冷媒や熱媒を循環させる方法等、公知の方法が、各種利用可能である。
また、図示例においては、ドラム５０は、グラウンド電位状態（groundに落とした状態＝アースした状態）と、電気的にフローティングな状態（他の部材と電気的に切り離された状態）とを、選択して切り換え可能になっている。
なお、フローティング状態とグラウンド電位状態との切り換え手段には、特に限定はなく、各種の手段が利用可能である。例えば、ドラム５０が基本的にフローティングな状態となるように第１成膜室１６を作製し、かつ、付加的にドラム５０をgroundに落とす手段を設けて、フローティング状態とグラウンド電位状態とを切り換え可能にすればよい。
なお、フローティング状態とグラウンド電位状態との切り換え手段には、特に限定はなく、各種の手段が利用可能である。例えば、ドラム５０が基本的にフローティングな状態となるように第１成膜室１６を作製し、かつ、付加的にドラム５０をgroundに落とす手段を設けて、フローティング状態とグラウンド電位状態とを切り換え可能にすればよい。
成膜部４４には、ドラム５０の回転方向に対応して６つのカソードが配置されており、ドラム５０の側面（周面）に対面して、図中右側面のチャンバ壁７０に第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂが、同下面のチャンバ壁７０に第３カソード４２ｃおよび第４カソード４２ｄが、同左側面のチャンバ壁７０に第５カソード４２ｅおよび第６カソード４２ｆが、それぞれ取り付けられている。第１カソード４２ａ〜第６カソード４２ｆは、取り付け位置が異なるのみで、同じものである（以下、各カソードを判別する必要が無い場合には、カソード４２とする）。
カソード４２は、成膜材料となるターゲットの保持手段、電極、電源、冷却手段、磁石等を有する、マグネトロンスパッタリングのカソードである。また、図示例において、カソード４２は、成膜対象となる基板Ｓの幅に対応する、ドラム５０の中心線方向（以下、この方向を「幅方向」、ドラム５０の回転対応する方向を「搬送方向」とする）の長さを有するターゲットを保持する。
カソード４２は、成膜材料となるターゲットの保持手段、電極、電源、冷却手段、磁石等を有する、マグネトロンスパッタリングのカソードである。また、図示例において、カソード４２は、成膜対象となる基板Ｓの幅に対応する、ドラム５０の中心線方向（以下、この方向を「幅方向」、ドラム５０の回転対応する方向を「搬送方向」とする）の長さを有するターゲットを保持する。
このような第１成膜室１６においては、ドラム５０によって基板Ｓを所定の成膜位置に保持して長手方向に搬送しつつ、ターゲットを保持した各カソード４２を駆動することによって、スパッタリングによる成膜を行う。
ここで、各カソード４２で成膜する薄膜は、同じであってもよく、異なるものであってもよく、同じ膜を形成するカソードと異なる膜を形成するカソードが混在してもよい。従って、カソード４２に装着するターゲットは、互いに、同じものでも、異なるものでもよい。さらに、全てのカソードを作動する必要はなく、適宜、選択したカソード４２のみを駆動して、成膜を行ってもよい。
すなわち、図示例の成膜ライン１０においては、最大で、組成の異なる８層の薄膜を成膜できる。
ここで、各カソード４２で成膜する薄膜は、同じであってもよく、異なるものであってもよく、同じ膜を形成するカソードと異なる膜を形成するカソードが混在してもよい。従って、カソード４２に装着するターゲットは、互いに、同じものでも、異なるものでもよい。さらに、全てのカソードを作動する必要はなく、適宜、選択したカソード４２のみを駆動して、成膜を行ってもよい。
すなわち、図示例の成膜ライン１０においては、最大で、組成の異なる８層の薄膜を成膜できる。
ここで、第１成膜室１６（本発明の成膜装置）においては、図３にカソード４２ａを例示して示すように、チャンバ５２は、チャンバ壁７０に、内側に向かって凸（外からは凹）で、かつ、内壁面に対して傾斜することにより、ドラム５０の中心線（回転軸）に向かう凹部７２を有し、各凹部７２に各カソード４２が取り付けられる。
凹部７２は、チャンバ５０内部側の先端面７２ａに開口７４を有する筒状である。また、カソード４２は、ターゲットＴの装着部近傍に、この凹部７２に先端面７２ａに当接するフランジ７６を有する。
凹部７２は、チャンバ５０内部側の先端面７２ａに開口７４を有する筒状である。また、カソード４２は、ターゲットＴの装着部近傍に、この凹部７２に先端面７２ａに当接するフランジ７６を有する。
カソード４２は、チャンバ５２の外側から凹部７２に挿入され、開口７４からターゲットＴをチャンバ５２内部（成膜系）に挿入し、例えば、ボルトとナットや固定治具等の公知の手段で、フランジ７４が先端面７２ａに固定される。これにより、ターゲットＴとドラム５０（基板Ｓ）とを対面させて、カソード４２が第１成膜室１６の所定位置に装着され、かつ、開口７４が気密に閉塞される。
また、このようなカソード４２は、チャンバ５２の所定位置に装着された状態では、ターゲットＴや反応ガス等の導入部などのターゲットＴの周りに配置される部材のみが、チャンバ５２内に位置する。従って、例えば、電源、駆動のコントロール手段、冷却水の循環手段、マグネトロンスパッタリングを行うための磁石、後述する反応ガスのコントロール手段等は、チャンバ５２の外部すなわち成膜系の外部に位置する。
以下、全てがチャンバ内に挿入される通常のカソードと区別するために、このようなチャンバの外部から装着され、ターゲット周り以外が真空系の外部に存在するタイプのカソードをフランジ（マウント）タイプのカソードと称する。
また、このようなカソード４２は、チャンバ５２の所定位置に装着された状態では、ターゲットＴや反応ガス等の導入部などのターゲットＴの周りに配置される部材のみが、チャンバ５２内に位置する。従って、例えば、電源、駆動のコントロール手段、冷却水の循環手段、マグネトロンスパッタリングを行うための磁石、後述する反応ガスのコントロール手段等は、チャンバ５２の外部すなわち成膜系の外部に位置する。
以下、全てがチャンバ内に挿入される通常のカソードと区別するために、このようなチャンバの外部から装着され、ターゲット周り以外が真空系の外部に存在するタイプのカソードをフランジ（マウント）タイプのカソードと称する。
図示例においては、凹部７２は、カソード４２を取り付けた際に、ドラム５０の回転方向（＝基板Ｓの搬送方向）に対して、ターゲットＴの表面とドラム５０側面（＝基板Ｓ）の接線とが略平行となるように形成される。すなわち、凹部７２は、これを満たすように、チャンバ５２の内壁面に対して傾斜する。このように、ターゲットＴの表面とドラム５０側面の接線とを略平行とすることにより、基板Ｓに斜めに入射するスパッタ粒子成分を減少し、成膜の過程から膜質の良好な薄膜を形成することができる。
図示例のカソード４２において、ターゲットＴは、基本的に、表面がフランジ７６面（＝先端面７２ａ）と平行となるように、カソード４２に固定される。また、図示例のチャンバ５２においては、カソード４２のフランジ７６を固定する先端面７２ａは、凹部７２のチャンバ５２内への突出方向と直交するように形成される。従って、上記条件を満たすためには、図３（Ｂ）中に概念的に示すように、一点鎖線で示す凹部７２の延在方向の中心線（搬送方向の中心線）が、ドラム５０の中心線に向かうように、凹部７２を形成すればよい。
図示例のカソード４２において、ターゲットＴは、基本的に、表面がフランジ７６面（＝先端面７２ａ）と平行となるように、カソード４２に固定される。また、図示例のチャンバ５２においては、カソード４２のフランジ７６を固定する先端面７２ａは、凹部７２のチャンバ５２内への突出方向と直交するように形成される。従って、上記条件を満たすためには、図３（Ｂ）中に概念的に示すように、一点鎖線で示す凹部７２の延在方向の中心線（搬送方向の中心線）が、ドラム５０の中心線に向かうように、凹部７２を形成すればよい。
このように、チャンバ壁７０に、カソード４２を固定するための凹部７２を形成することにより、図示例のように、ドラム５０の回転方向の１つのチャンバ壁（ドラム５０の側面に対向する１つのチャンバ壁 以下、単に「１つのチャンバ壁」とする）に複数のカソード４２を装着しても、各カソード４２が保持するターゲットを基板Ｓに適正に対面することができ、かつ、基板ＳとターゲットＴとの距離を、最適に設定することができる。また、後述するような隔壁を設けることにより、各カソード４２に対応する成膜系の容積を小さくすることができ、排気効率を良好にして、効率のよい成膜を行うことができる。
特に、チャンバ壁７０を、このような凹部７２を有する形状とすることにより、フランジタイプのカソード４２を有効に利用することができ、フランジタイプのカソード４２の特性、および凹部７２を有することによる利点を十分に生かして、カソード４２の装着や取り外しを容易に行うことが可能で、成膜効率、操作性やメンテナンス性に優れた成膜装置を実現できる。
特に、チャンバ壁７０を、このような凹部７２を有する形状とすることにより、フランジタイプのカソード４２を有効に利用することができ、フランジタイプのカソード４２の特性、および凹部７２を有することによる利点を十分に生かして、カソード４２の装着や取り外しを容易に行うことが可能で、成膜効率、操作性やメンテナンス性に優れた成膜装置を実現できる。
さらに、フランジタイプのカソード４２を用いる態様によれば、容易に、１つのチャンバ壁に複数のカソードを装着し、かつ、基板ＳとターゲットＴとの関係を適正にできるので、例えば、後述するように、複数のターゲットを組み合わせて、アノードとカソードとして放電させるようなスパッタリングも、好適に実施できる。
なお、本発明の成膜装置において、カソードの数は図示例の６つに限定はされず、５以下であってもよく、あるいは、７以上のカソードを有するものであってもよい。
さらに、本発明の成膜装置の特性をより良好に発現するためには、全てのカソードがフランジタイプであるのが好ましいが、本発明は、これに限定はされず、全ての構成要素がチャンバ内に挿入される、通常のカソードも利用可能であり、通常のカソードとフランジタイプのカソードとを併用してもよい。
さらに、本発明の成膜装置の特性をより良好に発現するためには、全てのカソードがフランジタイプであるのが好ましいが、本発明は、これに限定はされず、全ての構成要素がチャンバ内に挿入される、通常のカソードも利用可能であり、通常のカソードとフランジタイプのカソードとを併用してもよい。
ここで、図示例においては、第１成膜室１６には、１つのチャンバ壁７０に複数の凹部７２が形成され、すなわち、複数のカソード４２が装着される。
この際においては、各カソード４２にターゲットＴが適正に固定され、かつ、カソード４２が適正に凹部７２に装着された場合には、１つの壁面で隣り合わせるカソード４２は、互いのターゲット表面からの垂線が交差するように配置されるのが好ましい。すなわち、図示例においては、図３（Ｂ）に模式的に示すように、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂの中心線が平行ではなく、かつ、広がることがなく、交差して角度αを成すように配置されるのが好ましい。また、この角度αは、好ましくは１０°〜１８０°、より好ましくは１５°〜８０°、特に好ましくは２０°〜６０°である。
このような構成とすることにより、前述のように、複数のカソードを組み合わせて放電する際にも、好適な成膜を行うことができる。
この際においては、各カソード４２にターゲットＴが適正に固定され、かつ、カソード４２が適正に凹部７２に装着された場合には、１つの壁面で隣り合わせるカソード４２は、互いのターゲット表面からの垂線が交差するように配置されるのが好ましい。すなわち、図示例においては、図３（Ｂ）に模式的に示すように、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂの中心線が平行ではなく、かつ、広がることがなく、交差して角度αを成すように配置されるのが好ましい。また、この角度αは、好ましくは１０°〜１８０°、より好ましくは１５°〜８０°、特に好ましくは２０°〜６０°である。
このような構成とすることにより、前述のように、複数のカソードを組み合わせて放電する際にも、好適な成膜を行うことができる。
また、ドラム５０および各カソード４２の位置は、ターゲットのＴの表面の任意の位置からの鉛直線が、ドラム５０に交差および接触しないように、各部位の位置設定するのが好ましい。これにより、成膜中にターゲットＴの表面に生じる酸化物等が落下しても、基板Ｓに付着するのを防止でき、これに起因する得率の低下等を防止できる。
前述のように、図示例において、第１成膜室１６には６つのカソード４２が配置される。ここで、各カソード４２による成膜系（成膜空間）は、チャンバ５２の内壁面からドラム５０に向かって延在する隔壁６６、６８、８０、８２、８４、８５および８６で略気密に隔離され、隣接する成膜系や空間（入排出部４０等）において、互いの圧力が影響を及ぼさないようにされる。また、それぞれの成膜系に真空ポンプ３４が配置され、好ましい態様として、隣接する成膜系において、真空ポンプ３４の位置をターゲットに対して対称の位置としている。
これにより、各カソード４２に異なる材料のターゲットを固定して、基板Ｓに多層の成膜等を行う場合にも、それぞれの材料に応じた適正な成膜条件を設定することができ、また、各材料や反応ガスの不要な混合を防止できる。また、真空ポンプ３４の位置を、上記位置にすることにより、各成膜系におけるガスの流れを対称にして、反応ガスやプラズマの流れのバランスを保つことができ、より好適な成膜を行うことができる。
さらに、各ターゲットの近傍に真空計を配置して、より好適な成膜圧力の制御を可能にしている。なお、真空計には、特に限定はなく、十分な応答性が得られるものであれば、各種の真空計が利用可能であり、一例として、キャパシタンスマノメータが好適に例示される。
ここで、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂとの間の隔壁８４、および、第３カソード４２ｃと第４カソード４２ｄとの間の隔壁８５は、第５カソード４２ｅと第６カソード４２ｆとの間の隔壁８６は、公知の手段で移動可能（もしくは開閉可能）になっており、対応するカソード４２の空間を、連通状態と略気密に分離した状態とにできる。
これにより、各室の気密性の確保に加え、機密性を保ちつつ、後述するような、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂとを組み合わせた放電などを、好適に実施することができる。また、第１成膜室１６においては、必要に応じて、隔壁８０および隔壁８２も移動可能にしてもよい。
これにより、各室の気密性の確保に加え、機密性を保ちつつ、後述するような、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂとを組み合わせた放電などを、好適に実施することができる。また、第１成膜室１６においては、必要に応じて、隔壁８０および隔壁８２も移動可能にしてもよい。
第１成膜室１６において、カソード４２の電源は、好ましい態様として、直流のパルス電源を用いる。すなわち、カソード４２では、スパッタリングの成膜パワー（成膜電力）を所定タイミングでパルス供給して、ターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆすることができる。
従って、前述のドラム５０と、このようなカソード４２とを有する第１成膜室１６は、本発明の成膜方法の実施に好適である。
従って、前述のドラム５０と、このようなカソード４２とを有する第１成膜室１６は、本発明の成膜方法の実施に好適である。
なお、カソード４２における投入パワーのコントロールは、電力コントロール、電流コントロール、および電圧コントロールの内から、任意の方法を選択可能となっている。これらは、使用する成膜材料（カソード）や基板Ｓ、成膜条件等に応じて、適宜、選択すればよい。
また、カソード４２の出力（最大成膜パワー）にも特に限定はなく、成膜対象等に応じた十分な出力を、適宜、設定すればよい。
また、カソード４２の出力（最大成膜パワー）にも特に限定はなく、成膜対象等に応じた十分な出力を、適宜、設定すればよい。
図示例において、カソード４２は、アノードとして作用する電極も有しており、カソードのみとしての作用、アノードのみとしての作用、カソードとアノードとの両者としての作用が、選択／切り換え自在になっている。
図３（Ｃ）に概念的に示すように、図示例のカソード４２においては、幅方向に延在する直方体状で、かつ、搬送方向の中央に、幅方向に長尺でドラム５０側表面から逆面まで貫通する貫通穴Ｔｈを有するターゲットＴが用いられる。
また、ドラム５０の回転方向の上流（もしくは下流）には、アノードとして作用する、幅方向に延在する長尺な矩形状の電極４３ａを有する（以下、電極４３ａはアノード４３ａと称する）。さらに、図示例のカソード４２は、好ましい態様として、スパッタリングで生じる酸化物等による汚染を防ぐために、アノード４３ａと若干離間した上部に、アノード４３ａを覆うカバー４３ｂを有している。
図３（Ｃ）に概念的に示すように、図示例のカソード４２においては、幅方向に延在する直方体状で、かつ、搬送方向の中央に、幅方向に長尺でドラム５０側表面から逆面まで貫通する貫通穴Ｔｈを有するターゲットＴが用いられる。
また、ドラム５０の回転方向の上流（もしくは下流）には、アノードとして作用する、幅方向に延在する長尺な矩形状の電極４３ａを有する（以下、電極４３ａはアノード４３ａと称する）。さらに、図示例のカソード４２は、好ましい態様として、スパッタリングで生じる酸化物等による汚染を防ぐために、アノード４３ａと若干離間した上部に、アノード４３ａを覆うカバー４３ｂを有している。
通常のスパッタリング装置では、チャンバ等がカソードに対してプラス電位となり、いわばアノードとなって放電して、スパッタリングによる成膜を行う。
これに対し、図示例の第１成膜室１６においては、カソード４２は、ターゲットＴあるいはさらにアノード４３ａには、正および負の両電位を印加可能となっており、前記通常のスパッタリングはもちろん、これとは異なる各種の成膜方法が実施可能である。
これに対し、図示例の第１成膜室１６においては、カソード４２は、ターゲットＴあるいはさらにアノード４３ａには、正および負の両電位を印加可能となっており、前記通常のスパッタリングはもちろん、これとは異なる各種の成膜方法が実施可能である。
１つは、カソード４２おいて、自身が保持するターゲットＴをカソード電位としてカソードとして作用させ、自身が有するアノード４３ａをアノードとして作用させる方法である。好適な一例として、カソード４２が保持するターゲットＴに零および負のパルス電位を印加して放電させてスパッタリングによる成膜を行う方法（以下、負／零パルス電圧印加方式とする）が例示される。すなわち、この方法では、カソード４２（ターゲットＴ）に対してアノード４３ａがプラスになって放電する。
別の好適な例として、カソード４２が有するアノード４３ａは使用せず、複数のカソード４２を組み合わせて、組み合わせた各カソード４２のターゲットＴに、交互かつ互い違いに正負のパルス電位を印加することにより、対応するターゲットＴ同士を、交互にアノードおよびカソードとして作用させて放電させ、スパッタリングによる成膜を行う方法（以下、正負交互（パルス）電圧印加方式とする）である。好適な一例として、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂとを組み合わせて、両者のターゲットＴに交互かつ互い違いに正負のパルス電位を印加して放電させる方法が例示される。
別の好適な例として、カソード４２が有するアノード４３ａは使用せず、複数のカソード４２を組み合わせて、組み合わせた各カソード４２のターゲットＴに、交互かつ互い違いに正負のパルス電位を印加することにより、対応するターゲットＴ同士を、交互にアノードおよびカソードとして作用させて放電させ、スパッタリングによる成膜を行う方法（以下、正負交互（パルス）電圧印加方式とする）である。好適な一例として、第１カソード４２ａと第２カソード４２ｂとを組み合わせて、両者のターゲットＴに交互かつ互い違いに正負のパルス電位を印加して放電させる方法が例示される。
さらに、第１成膜室１６においては、負／零パルス電圧印加方式と正負交互電圧印加方式など、異なる複数の方法を併用して成膜を行ってもよい。
なお、このような第１成膜室１６においては、成膜する際には、カソード４２が有する部位をアノードとして作用させ、これ以外の部材は、アノードとして作用させないで成膜を行うのが好ましい。これにより、チャンバ内壁の汚染等を好適に防止して、メンテナンスを容易にできる等の利点を得ることができる。
図示例において、カソード４２は、好ましい態様として、ターゲットＴを移動することにより、ターゲットＴの表面と、ドラム５０に保持された基板Ｓの表面との距離を、ターゲット表面と基板表面との平行を保持したまま調整する調整手段を有する。
このような機能を有することにより、膜質や分布、材料利用効率のコントロール性等の点で、好適な結果を得られる。
このような機能を有することにより、膜質や分布、材料利用効率のコントロール性等の点で、好適な結果を得られる。
この調整距離には、特に限定はないが、本発明者の検討によれば、４０ｍｍ〜２５０ｍｍであるのが、好ましい。
また、ターゲットＴの移動手段にも、特に限定はなく、機械的な方法やシリンダを用いる方法等の公知の方法によればよい。
また、ターゲットＴの移動手段にも、特に限定はなく、機械的な方法やシリンダを用いる方法等の公知の方法によればよい。
図示例において、カソード４２は、酸素などの反応ガス、および、アルゴンなどのスパッタリングガスの導入手段を有している。
前述のように、カソード４２においては、中央に貫通穴Ｔｈを有する直方体状のターゲットＴが用いられる。反応ガスやスパッタリングガスは、この貫通穴Ｔｈから導入され、すなわち、反応ガス等をターゲットＴの極近傍に導入することができる。
前述のように、カソード４２においては、中央に貫通穴Ｔｈを有する直方体状のターゲットＴが用いられる。反応ガスやスパッタリングガスは、この貫通穴Ｔｈから導入され、すなわち、反応ガス等をターゲットＴの極近傍に導入することができる。
ここで、カソード４２は、例えば、幅方向に３分割など、幅方向に均等に分割した領域毎に、独立して反応ガスの導入量をコントロールできるようになっている。図示例においては、各領域毎に、マスフローコントローラとピエゾバルブとを設け、マスフローコントローラで大まかな導入量の調整を行い、ピエゾバルブで精密な調整を行う。
なお、分割した各領域毎の反応ガスの流出口は、例えば各領域の中心など、各領域に１つであってもよいが、流量を調整した後の導入経路を分割して、各領域毎に幅方向に均等に反応ガスを導入するように、各領域毎に均等に分割された複数箇所から反応ガスを導入するのが好ましい。
なお、分割した各領域毎の反応ガスの流出口は、例えば各領域の中心など、各領域に１つであってもよいが、流量を調整した後の導入経路を分割して、各領域毎に幅方向に均等に反応ガスを導入するように、各領域毎に均等に分割された複数箇所から反応ガスを導入するのが好ましい。
金属酸化物等の成膜において、反応ガスを導入して成膜を行う場合には、反応ガス量が膜質に大きく影響するが、反応ガス量を全域にわたって均一に制御しても、基板の表面から放出される水分やガスがあり、両者のバランスによって、反応に寄与するガス量が変動して、膜の反応状態が変化し、目的とする品質が得られず、また、品質の安定性も悪い。
これに対し、図示例のように、幅方向に分割した領域で、独立に反応ガスの導入量をコントロールすることにより、各領域毎に、反応状態や成膜状態等に応じて反応ガス量をコントロールすることができるので、適正な品質で、均一かつ均質な薄膜を安定して成膜することができる。
これに対し、図示例のように、幅方向に分割した領域で、独立に反応ガスの導入量をコントロールすることにより、各領域毎に、反応状態や成膜状態等に応じて反応ガス量をコントロールすることができるので、適正な品質で、均一かつ均質な薄膜を安定して成膜することができる。
なお、幅方向において、反応ガスの導入量をコントロールする間隔には、特に限定はないが、１０００ｍｍに１箇所以上の間隔で反応ガスをコントロールするのが好ましく、５００ｍｍに１箇所以上がより好ましく、特に、２５０ｍｍに１箇所以上の間隔で反応ガスをコントロールするのが好ましい。
図示例において、各領域毎の反応ガスのコントロールは、光学的な測定を利用してコントロールする手段（Optical emission control）と、ターゲット表面の電圧測定を利用してコントロールする手段(Impedance control)とが選択可能になっている。
前述のように、スパッタリングによる膜質は反応ガスの量によって変動するが、反応に寄与している反応ガスの量は、スパッタリングによる放電の発光量で知見できる。カソード４２は、この放電による発光の測定手段を、反応ガスをコントロールする各領域毎に有しており、例えば、酸化チタン、ＩＴＯ、窒化チタン等を成膜する際には、各領域毎の放電発光の測定結果に応じて、各領域の反応ガス導入量をコントロールする。
また、同様に、反応に寄与している反応ガスの量に応じて、ターゲットの放電電圧も変動する。カソード４２は、この放電電圧の測定手段を、反応ガスをコントロールする各領域毎に有しており、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の絶縁物を成膜する際には、この電圧測定結果に応じて、各領域の反応ガス導入量をコントロールする。
反応ガス導入量の調整は、例えば、closed-loopのＰＩＤ制御等を利用して行えばよい。
また、同様に、反応に寄与している反応ガスの量に応じて、ターゲットの放電電圧も変動する。カソード４２は、この放電電圧の測定手段を、反応ガスをコントロールする各領域毎に有しており、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等の絶縁物を成膜する際には、この電圧測定結果に応じて、各領域の反応ガス導入量をコントロールする。
反応ガス導入量の調整は、例えば、closed-loopのＰＩＤ制御等を利用して行えばよい。
なお、放電発光量の測定方法、および、表面電圧の測定方法は、共に、公知の方法を用いればよい。
また、成膜装置１０においては、このようにして反応ガスの導入量をコントロールするモードと、放電発光や電圧の測定を行わずに、反応ガス導入量をある値に設定にして、コントロールを行わないモードとが選択可能になっている。
また、成膜装置１０においては、このようにして反応ガスの導入量をコントロールするモードと、放電発光や電圧の測定を行わずに、反応ガス導入量をある値に設定にして、コントロールを行わないモードとが選択可能になっている。
また、カソード４２は、異常放電の検出手段を有しており、異常放電が発生した際には、一瞬、電力供給を停止して、異常放電が薄膜や基板Ｓに悪影響を与えることを防止する。
この電力供給の停止時間(Arc interrupt time)には、特に限定はないが、１０μｓ（μ秒）〜１００００μｓが好ましく、３０μｓ〜７０００μｓがより好ましく、特に、５０μｓ〜５０００μｓが好ましい。
なお、異常放電の検出は、電圧異常の検知等の公知の方法で行えばよい。
この電力供給の停止時間(Arc interrupt time)には、特に限定はないが、１０μｓ（μ秒）〜１００００μｓが好ましく、３０μｓ〜７０００μｓがより好ましく、特に、５０μｓ〜５０００μｓが好ましい。
なお、異常放電の検出は、電圧異常の検知等の公知の方法で行えばよい。
長尺物に連続的にスパッタリングを行う場合には、消費状態（減り方）などターゲットの表面が部分的に局所的に変わってしまうエロージョンが早く進行し、その結果、膜厚や膜質が均一にならず、さらに、ターゲットの寿命が短く、かつ使用効率も悪い。
ここで、前述のように、カソード４２はマグネトロンスパッタリングを行うカソードであり、磁石を内蔵している。また、カソード４２は、この磁石をターゲットに対して接離する移動手段を有しており、この磁石の移動により、ターゲット表面の磁場強度を調整することができる。これにより、局所的なエロージョンの進行を抑え、エロージョンの進行に起因する膜厚や膜質のムラ、ターゲット寿命の低減、ターゲット利用効率の低下等を防ぐことができる。
なお、磁石の移動範囲には、特に限定はなく、磁石の強度等に応じて、適宜、決定すればよいが、最大で３０ｍｍ程度の移動量が確保できれば、十分に、局所的なエロージョンの進行防止効果が得られる。
ここで、前述のように、カソード４２はマグネトロンスパッタリングを行うカソードであり、磁石を内蔵している。また、カソード４２は、この磁石をターゲットに対して接離する移動手段を有しており、この磁石の移動により、ターゲット表面の磁場強度を調整することができる。これにより、局所的なエロージョンの進行を抑え、エロージョンの進行に起因する膜厚や膜質のムラ、ターゲット寿命の低減、ターゲット利用効率の低下等を防ぐことができる。
なお、磁石の移動範囲には、特に限定はなく、磁石の強度等に応じて、適宜、決定すればよいが、最大で３０ｍｍ程度の移動量が確保できれば、十分に、局所的なエロージョンの進行防止効果が得られる。
以下、第１成膜室１６を参照して、本発明の成膜方法について説明する。
本発明の成膜方法は、フローティング状態とグラウンド電位状態とを選択して切り換え可能なドラム５０を用いて、いずれかの状態としたドラム５０の側面で基板Ｓを保持して長手方向に搬送しつつ成膜を行うと共に、成膜中におけるターゲットへの電圧印加（成膜パワーの供給）を連続的に行うのではなく、直流のパルス電源を用い、電源を所定のタイミングでパルス駆動して、ターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆする（矩形波電圧印加方式）。
本発明の成膜方法は、フローティング状態とグラウンド電位状態とを選択して切り換え可能なドラム５０を用いて、いずれかの状態としたドラム５０の側面で基板Ｓを保持して長手方向に搬送しつつ成膜を行うと共に、成膜中におけるターゲットへの電圧印加（成膜パワーの供給）を連続的に行うのではなく、直流のパルス電源を用い、電源を所定のタイミングでパルス駆動して、ターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆする（矩形波電圧印加方式）。
前述のように、長尺な基板Ｓに連続的に成膜を行うと、ターゲットの表面に酸化物等の異物が付着してしまい、此処に電荷が蓄積されて、異常放電を発生する可能性が高い。
これに対し、このような矩形波電圧印加方式を用いることにより、異常放電に発展する可能性のあるプラスの電荷が、印加電圧ｏｆｆに応じて周期的に除去され、その結果、異常放電を好適に防止して、これに起因する基板や透明導電膜の劣化、ピンホールや異物等のない、適正品質の透明導電膜を安定して得ることができる。
これに対し、このような矩形波電圧印加方式を用いることにより、異常放電に発展する可能性のあるプラスの電荷が、印加電圧ｏｆｆに応じて周期的に除去され、その結果、異常放電を好適に防止して、これに起因する基板や透明導電膜の劣化、ピンホールや異物等のない、適正品質の透明導電膜を安定して得ることができる。
ここで、ドラム５０で基板Ｓを保持するスパッタリングでは、ターゲットへの電圧印加によって、ドラム５０とターゲットとの間にプラズマが発生する。この際に、ドラム５０をグラウンド電位にしておくと、プラズマとドラム５０との電位差が、通常に比して大きくなる。
基板Ｓとしては、一般的に絶縁性を有する樹脂フィルムが用いられることが多いが、基板Ｓは厚さが２００μｍ以下の場合が多く、そのため、プラズマの動きは、プラズマとドラム５０との電位差に大きく影響を受ける。
基板Ｓとしては、一般的に絶縁性を有する樹脂フィルムが用いられることが多いが、基板Ｓは厚さが２００μｍ以下の場合が多く、そのため、プラズマの動きは、プラズマとドラム５０との電位差に大きく影響を受ける。
従って、ドラム５０をグラウンド電位としておくことにより、プラズマとドラム５０との電位差によって、基板Ｓにバイアスを与えたような効果を得ることができ、プラズマによる基板Ｓのトリートメント効果（ボンバードメント効果）をより向上できる。その結果、基板Ｓの表面状態や、基板Ｓから放出されるガスによる悪影響を排除して、矩形波電圧印加方式による異常放電防止効果と相俟って、密着性や表面性状が非常に良好な薄膜を成膜することができる。
また、矩形波電圧印加方式では、ドラム５０をグラウンド電位とすることによるボンバードメント効果の向上により、機械的な強度が高い薄膜を成膜できる。
また、矩形波電圧印加方式では、ドラム５０をグラウンド電位とすることによるボンバードメント効果の向上により、機械的な強度が高い薄膜を成膜できる。
逆に、ドラム５０をフローティング状態とすると、前述のようなボンバードメント効果の向上は無い。
従って、矩形波電圧印加方式の特性を最大限に発揮して、ピンホール等の無い表面性状に優れ、しかも、良好な柔軟性を有する薄膜を成膜できる。
従って、矩形波電圧印加方式の特性を最大限に発揮して、ピンホール等の無い表面性状に優れ、しかも、良好な柔軟性を有する薄膜を成膜できる。
本発明の成膜方法において、電圧印加のｏｎ／ｏｆｆのタイミングには、特に限定はないが、本発明者らの検討によれば、矩形波電圧印加方式の効果が好適に得られる、膜質や成膜速度等の点で、電圧印加のｏｎとｏｆｆとの組み合わせを１つのサイクルとして、このサイクルを１ｋＨｚ〜２００ｋＨｚで繰り返して、成膜を行うのが好ましい。また、このサイクルを、１ｋＨｚ〜１００ｋＨｚで繰り返すのがより好ましく、特に１ｋＨｚ〜５０ｋＨｚで繰り返すのが好ましい。
また、この１サイクルにおける電源ｏｎの割合（デューティー）にも特に限定はないが、デューティーは１％〜９９％が好ましく、特に、１０％〜９０％が好ましい。
また、この１サイクルにおける電源ｏｎの割合（デューティー）にも特に限定はないが、デューティーは１％〜９９％が好ましく、特に、１０％〜９０％が好ましい。
また、ドラム５０をグラウンド電位状態とするか、フローティング状態とするかは、成膜する薄膜の用途、薄膜に要求される特性の用途等に応じて、適宜、選択すればよい。
なお、本発明の効果を好適に得ることができる等の点で、基板Ｓは２００μｍ以下、特に、１００μｍ以下の厚さが好ましい。
なお、本発明の効果を好適に得ることができる等の点で、基板Ｓは２００μｍ以下、特に、１００μｍ以下の厚さが好ましい。
また、このような本発明の成膜方法において、成膜圧力や搬送速度には特に限定はなく、成膜する薄膜の種類等に応じて、適宜、決定すればよい。
第１成膜部１６の成膜部４４において、カソード４２による成膜を行われた基板Ｓは、入排出部４０から、第１透過率測定室１８に送られる。
なお、第１透過率測定室１８と、第２透過率測定室２２とは、まったく同様のものであるので、同じ部材には同じ符号を付し、説明は、第１透過率測定室１８を代表として行う。
なお、第１透過率測定室１８と、第２透過率測定室２２とは、まったく同様のものであるので、同じ部材には同じ符号を付し、説明は、第１透過率測定室１８を代表として行う。
第１透過率測定室１８（第２透過率測定室２２）は、真空ポンプ３４と、透過率計９０とを有して構成される。
透過率計９０は、公知の透過率計であり、第１成膜室１６で薄膜を成膜された基板Ｓの透過率を測定する。成膜ライン１０においては、この透過率の測定結果から、膜質や膜厚の分布、プロセスの安定性等を知見して、生産管理を行う。
透過率計９０は、公知の透過率計であり、第１成膜室１６で薄膜を成膜された基板Ｓの透過率を測定する。成膜ライン１０においては、この透過率の測定結果から、膜質や膜厚の分布、プロセスの安定性等を知見して、生産管理を行う。
前述のように、第２成膜室２０は第１成膜室１６と、第２透過率測定室２２は第１透過率測定室１８と、共に、全く同様のものである。
基板Ｓは、第１透過率測定室１８から第２成膜室２０に搬送され、必要に応じて１以上のカソード４２でスパッタリングによる成膜を行われ、次いで、第２透過率測定室２２で必要に応じて透過率を測定され、巻取室２４に搬送される。
基板Ｓは、第１透過率測定室１８から第２成膜室２０に搬送され、必要に応じて１以上のカソード４２でスパッタリングによる成膜を行われ、次いで、第２透過率測定室２２で必要に応じて透過率を測定され、巻取室２４に搬送される。
なお、成膜ライン１０においては、成膜は、第１成膜室１６および第２成膜室２０の両方で行うのに、限定はされず、いずれか一方の成膜室のみで成膜を行ってもよいのは、もちろんである。また、成膜を行わない成膜室は、基板Ｓを所定経路で掛け回さずに、例えば、上流の室から下流の室に、最短距離で基板Ｓが抜けるようにしてもよい。
また、第１透過率測定室１８および第２透過率測定室２２における基板Ｓの透過率測定も、成膜を行った成膜室等に対応して、必要に応じて行えばよい。
また、第１透過率測定室１８および第２透過率測定室２２における基板Ｓの透過率測定も、成膜を行った成膜室等に対応して、必要に応じて行えばよい。
巻取室２４は、スパッタリングによって薄膜を成膜された基板Ｓを、再度、ロール状に巻き取る部屋であり、真空ポンプ３４と、４つのガイドローラ９２、９４、９６および９８と、巻取ローラ１００とを有して構成される。
成膜された基板Ｓは、ガイドローラ９２、９４、９６および９８に案内されて、巻取ローラ１００に至り、ここで、再度、ロール状に巻回される。なお、ガイドローラ９６は、テンションコントローラとなっており、基板Ｓのテンションを調整して、巻取ローラ１００による巻回状態を調整する。
成膜された基板Ｓは、ガイドローラ９２、９４、９６および９８に案内されて、巻取ローラ１００に至り、ここで、再度、ロール状に巻回される。なお、ガイドローラ９６は、テンションコントローラとなっており、基板Ｓのテンションを調整して、巻取ローラ１００による巻回状態を調整する。
以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。
［実施例１］
図１に示される成膜ライン１０を用いて、基板Ｓに成膜を行った。
図１に示される成膜ライン１０を用いて、基板Ｓに成膜を行った。
基板Ｓとして、幅７５０ｍｍ、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、図１に示されるように、供給室１４（供給ローラ２６）から巻取室２４（巻取ローラ１００）まで、基板Ｓを掛け渡した。但し、第２成膜室２０は、各ガイドローラやドラム５０に基板Ｓを掛け回さずに、第１透過率測定室１８から第２透過率測定室２２まで、直線的に抜けるようにした。
また、第１カソード４２ａに、ターゲットとしてＩＴＯ（Ｓｎ；１０ｗｔ％）を取り付けた。
さらに、第１成膜室１６のドラム５０は、グラウンド電位状態とした。
また、第１カソード４２ａに、ターゲットとしてＩＴＯ（Ｓｎ；１０ｗｔ％）を取り付けた。
さらに、第１成膜室１６のドラム５０は、グラウンド電位状態とした。
基板Ｓを１ｍ／ｍｉｎで搬送しつつ、各室の真空ポンプ３４を駆動して減圧を開始し、かつ、供給室１２の加熱ゾーン２８、および、プラズマ処理室１４のプラズマ処理ゾーン３６の駆動を開始した。
供給室１２における加熱処理は８０℃で行った。また、プラズマ処理室１４における処理は、０．００１Ｐａまで減圧した後、Ａｒを導入して２Ｐａとし、Ｔｉ電極間に１ｋＷのエネルギを投入して行った。
両者とも、基板Ｓの搬送速度は、成膜における搬送速度と、基本的に、同一である。
供給室１２における加熱処理は８０℃で行った。また、プラズマ処理室１４における処理は、０．００１Ｐａまで減圧した後、Ａｒを導入して２Ｐａとし、Ｔｉ電極間に１ｋＷのエネルギを投入して行った。
両者とも、基板Ｓの搬送速度は、成膜における搬送速度と、基本的に、同一である。
成膜系の真空度が０．００１Ｐａ（到達真空度０．００１Ｐａ）となった時点で、第１カソード４２ａからアルゴンガス（Ａｒ１００％）を１５０ｓｃｃｍ導入し、対応する成膜系の圧力を０．５Ｐａ（成膜圧力０．５Ｐａ）とした。
次いで、第１カソード４２ａにおいて、電源から８ｋＷの成膜パワーをパルス供給して、ターゲットに矩形波の電圧を印加し、矩形波電圧印加によるメタルモードの成膜を開始した。なお、矩形波電圧印加は、電圧印加ｏｎ８０％−ｏｆｆ２０％を１サイクル（デューティー８０％）として、このサイクルを５０ｋＨｚで繰り返して行った。
次いで、第１カソード４２ａにおいて、電源から８ｋＷの成膜パワーをパルス供給して、ターゲットに矩形波の電圧を印加し、矩形波電圧印加によるメタルモードの成膜を開始した。なお、矩形波電圧印加は、電圧印加ｏｎ８０％−ｏｆｆ２０％を１サイクル（デューティー８０％）として、このサイクルを５０ｋＨｚで繰り返して行った。
このようなメタルモードの成膜を行いつつ、成膜開始から５分経過した時点で第１カソード４２ａから酸素を導入して、基板ＳにＩＴＯ膜を成膜した。なお、ＩＴＯ膜の膜厚は約３０ｎｍであった。
なお、第１カソード４２ａからの酸素導入は、基板Ｓに対応する７５０ｍｍを三等分した各領域の中心点で４５１ｎｍの発光量を測定し、成膜開始から５分経過した時点の発光量を９５％と見なして、全ての発光量測定点における発光量が８５％となるように、各領域の酸素導入量をコントロールして行った（Optical emission controlによる酸素ガス導入量制御）。また、酸素導入量の調整は、closed-loop のＰＩＤ制御を利用した。
なお、第１カソード４２ａからの酸素導入は、基板Ｓに対応する７５０ｍｍを三等分した各領域の中心点で４５１ｎｍの発光量を測定し、成膜開始から５分経過した時点の発光量を９５％と見なして、全ての発光量測定点における発光量が８５％となるように、各領域の酸素導入量をコントロールして行った（Optical emission controlによる酸素ガス導入量制御）。また、酸素導入量の調整は、closed-loop のＰＩＤ制御を利用した。
［実施例２］
ターゲットとして金属チタンを用い、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂを使用し、かつ隔壁８４によって両成膜系を気密に分離し、さらに成膜条件を下記とした以外は、前記実施例１と全く同様にして、酸化チタン（ＴｉＯ2）膜を成膜した。なお、酸化チタン膜の膜厚は、約１５０ｎｍであった。また、以下の条件は、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂによる成膜系に共通である。
基板Ｓの搬送速度； ０．５ｍ／ｍｉｎ
到達真空度； ０．００１Ｐａ
成膜圧力； ０．５Ｐａ（１００％Ａｒガス導入）
成膜パワー； １２ｋＷ
矩形波印加電圧の周波数； ５０ｋＨｚ
デューティー； ８０％
また、Optical emission controlによる酸素ガス導入量制御は、７７７ｎｍの発光量を測定し、同様に、メタルモードによる成膜開始後、５分経過時を９５％として、全ての点の発光量が１８％となるように、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂにおける酸素導入量を制御した。
ターゲットとして金属チタンを用い、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂを使用し、かつ隔壁８４によって両成膜系を気密に分離し、さらに成膜条件を下記とした以外は、前記実施例１と全く同様にして、酸化チタン（ＴｉＯ2）膜を成膜した。なお、酸化チタン膜の膜厚は、約１５０ｎｍであった。また、以下の条件は、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂによる成膜系に共通である。
基板Ｓの搬送速度； ０．５ｍ／ｍｉｎ
到達真空度； ０．００１Ｐａ
成膜圧力； ０．５Ｐａ（１００％Ａｒガス導入）
成膜パワー； １２ｋＷ
矩形波印加電圧の周波数； ５０ｋＨｚ
デューティー； ８０％
また、Optical emission controlによる酸素ガス導入量制御は、７７７ｎｍの発光量を測定し、同様に、メタルモードによる成膜開始後、５分経過時を９５％として、全ての点の発光量が１８％となるように、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂにおける酸素導入量を制御した。
［比較例１］
矩形波電圧印加を行わずに通常の電圧印加とし、かつ、第１成膜室１６のドラム５０をフローティング状態とした以外は、実施例１と全く同様にして成膜を行った。
矩形波電圧印加を行わずに通常の電圧印加とし、かつ、第１成膜室１６のドラム５０をフローティング状態とした以外は、実施例１と全く同様にして成膜を行った。
各実施例および比較例において、酸素導入後に成膜された基板Ｓの任意な領域５０ｍを用い、密着力および耐磨耗性を評価した。
密着力は、幅方向の中央の６５０ｍｍにおいて、幅方向５点×長手方向５点の合計２５点から任意にサンプルを切り出し、セロハンテープ（ニチバン社製）を用いたクロスカッターテストで行った。また、耐磨耗性は、同様の２５点に対し、表面にシルボン紙を当てて３００ｇの荷重で往復５０回擦り、膜表面を観察することで行った。
結果を下記に示す。
密着力は、幅方向の中央の６５０ｍｍにおいて、幅方向５点×長手方向５点の合計２５点から任意にサンプルを切り出し、セロハンテープ（ニチバン社製）を用いたクロスカッターテストで行った。また、耐磨耗性は、同様の２５点に対し、表面にシルボン紙を当てて３００ｇの荷重で往復５０回擦り、膜表面を観察することで行った。
結果を下記に示す。
密着力 耐磨耗性
実施例１； ◎ ◎
実施例２； ◎ ◎
比較例１； △ △
なお、上記結果において、密着力の「◎」は、顕微鏡検査により、全てのサンプルで剥離が一切認められないものであり、「△」は、１以上のサンプルにおいて、カッターによる切り口周辺に若干の剥離が認められたものである。また、耐磨耗性の「◎」は、顕微鏡観察により、全てのサンプルで傷も剥離も一切認められないものであり、「△」は、１以上のサンプルにおいて、若干の傷や剥離が認められるものである。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
実施例１； ◎ ◎
実施例２； ◎ ◎
比較例１； △ △
なお、上記結果において、密着力の「◎」は、顕微鏡検査により、全てのサンプルで剥離が一切認められないものであり、「△」は、１以上のサンプルにおいて、カッターによる切り口周辺に若干の剥離が認められたものである。また、耐磨耗性の「◎」は、顕微鏡観察により、全てのサンプルで傷も剥離も一切認められないものであり、「△」は、１以上のサンプルにおいて、若干の傷や剥離が認められるものである。
以上の結果より、本発明の効果は明らかである。
以上、本発明の成膜方法について詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいのは、もちろんである。
例えば、本発明の成膜方法は、必ずしも図１に示される成膜ライン（成膜室）で実施するのに限定はされず、本発明の構成要件を満たす物であれば、各種の方法や成膜装置での実施が可能である。
例えば、本発明の成膜方法は、必ずしも図１に示される成膜ライン（成膜室）で実施するのに限定はされず、本発明の構成要件を満たす物であれば、各種の方法や成膜装置での実施が可能である。
１０ 成膜ライン
１２ 供給室
１４ プラズマ処理室
１６ 第１成膜室
１８ 第１透過率測定室
２０ 第２成膜室
２２ 第２透過率測定室
２４ 巻取室
２６ 供給ローラ
２８ 加熱ゾーン
３０，３２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，９２，９４，９６，９８ ガイドローラ
３４ 真空ポンプ
３６ プラズマ処理ゾーン
４０ 入排出部
４２ａ 第１カソード
４２ｂ 第２カソード
４２ｃ 第３カソード
４２ｄ 第４カソード
４２ｅ 第５カソード
４２ｆ 第６カソード
４４ 成膜部
５０ ドラム
５２ チャンバ
６６，６８，８０，８２，８４，８５，８６ 隔壁
９０ 透過率計
１２ 供給室
１４ プラズマ処理室
１６ 第１成膜室
１８ 第１透過率測定室
２０ 第２成膜室
２２ 第２透過率測定室
２４ 巻取室
２６ 供給ローラ
２８ 加熱ゾーン
３０，３２，５４，５６，５８，６０，６２，６４，９２，９４，９６，９８ ガイドローラ
３４ 真空ポンプ
３６ プラズマ処理ゾーン
４０ 入排出部
４２ａ 第１カソード
４２ｂ 第２カソード
４２ｃ 第３カソード
４２ｄ 第４カソード
４２ｅ 第５カソード
４２ｆ 第６カソード
４４ 成膜部
５０ ドラム
５２ チャンバ
６６，６８，８０，８２，８４，８５，８６ 隔壁
９０ 透過率計
Claims (4)
- 長尺な可撓性の基板にスパッタリングで成膜するに際し、
電気的にフローティングな状態とグラウンド電位になっている状態とを選択して切り換え可能な円筒状のドラム、および、ターゲットを保持し直流のパルス電源によって前記ターゲットに電圧を印可するカソードを用い、
前記ドラムをフローティング状態もしくはグラウンド電位状態として、ドラムの側面で前記基板を保持して長手方向に搬送しつつ、前記カソードにおけるターゲットへの電圧印加を所定のタイミングでｏｎ／ｏｆｆして、前記基板の表面にスパッタリングで成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 - 前記電圧印加のｏｎおよびｏｆｆを１サイクルとして、このサイクルを１ｋＨｚ〜２００ｋＨｚで繰り返す請求項１に記載の成膜方法。
- 前記１サイクルの中において、電源ｏｎの時間が１０％〜９０％である請求項２に記載の成膜方法。
- 前記ターゲットを保持するカソードがアノードとして作用する電極を有し、ターゲットと、この電極との間で放電してスパッタリングを行う請求項１〜３のいずれかに記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005065059A JP2006249471A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005065059A JP2006249471A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006249471A true JP2006249471A (ja) | 2006-09-21 |
| JP2006249471A5 JP2006249471A5 (ja) | 2007-08-02 |
Family
ID=37090267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005065059A Pending JP2006249471A (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006249471A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009013473A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| WO2013061845A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 |
| JP2013109829A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-06-06 | Nitto Denko Corp | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 |
| CN104611680A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-13 | 常州工学院 | 一种快速换靶双面往复连续高效镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104611682A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-13 | 常州工学院 | 一种双面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104674176A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-06-03 | 常州工学院 | 一种高效率双面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104674182A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-06-03 | 常州工学院 | 一种单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| JP2016000860A (ja) * | 2015-07-21 | 2016-01-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 蒸着ユニット及び真空コーティング装置 |
| JP2017043823A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺基板処理装置およびその制御方法ならびにその制御方法を用いた金属膜付長尺基板の製造方法 |
| EP3495534A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Long substrate treatment apparatus and treatment method |
| CN110100040A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-08-06 | 应用材料公司 | 用以涂布柔性基板的沉积设备、涂布柔性基板的方法及具有涂布的柔性基板 |
| CN110100041A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-08-06 | 应用材料公司 | 沉积设备、涂布柔性基板的方法、及具有涂层的柔性基板 |
| CN110791737A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 股份有限会社太特思 | 基板侧沉积装置 |
| CN115433917A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-12-06 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 一种主鼓组件及其应用的真空镀膜设备 |
| WO2024004226A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499176A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-31 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
| JPH05114117A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよび磁性薄膜の形成方法 |
| JPH0892740A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Aneruba Kk | マグネトロンスパッタ装置 |
| JPH08311645A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-26 | Teijin Ltd | Ｉｔｏ成膜装置 |
| JPH10280142A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-20 | Nec Kagoshima Ltd | インライン式成膜装置 |
| JP2003013216A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Bridgestone Corp | 透明薄膜の成膜方法 |
| JP2003096561A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Sharp Corp | スパッタ装置 |
| JP2003123219A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気テープ及び磁気テープの製造方法 |
| JP2003342724A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Kobe Steel Ltd | 反応性成膜装置及び反応性成膜方法 |
| JP2004169092A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2004197178A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム及び透明導電性シートの製造方法、及びタッチパネル |
-
2005
- 2005-03-09 JP JP2005065059A patent/JP2006249471A/ja active Pending
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0499176A (ja) * | 1990-08-07 | 1992-03-31 | Canon Inc | プラズマ処理装置 |
| JPH05114117A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよび磁性薄膜の形成方法 |
| JPH0892740A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Aneruba Kk | マグネトロンスパッタ装置 |
| JPH08311645A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-26 | Teijin Ltd | Ｉｔｏ成膜装置 |
| JPH10280142A (ja) * | 1997-04-07 | 1998-10-20 | Nec Kagoshima Ltd | インライン式成膜装置 |
| JP2003013216A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-15 | Bridgestone Corp | 透明薄膜の成膜方法 |
| JP2003096561A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Sharp Corp | スパッタ装置 |
| JP2003123219A (ja) * | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気テープ及び磁気テープの製造方法 |
| JP2003342724A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-03 | Kobe Steel Ltd | 反応性成膜装置及び反応性成膜方法 |
| JP2004169092A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2004197178A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-07-15 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルム及び透明導電性シートの製造方法、及びタッチパネル |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009013473A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
| WO2013061845A1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-05-02 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 |
| JP2013109829A (ja) * | 2011-10-24 | 2013-06-06 | Nitto Denko Corp | 有機ｅｌデバイスの製造方法及び製造装置 |
| CN103503567A (zh) * | 2011-10-24 | 2014-01-08 | 日东电工株式会社 | 有机el器件的制造方法及制造装置 |
| US8921142B2 (en) | 2011-10-24 | 2014-12-30 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for manufacturing organic EL device |
| CN104674182B (zh) * | 2015-02-09 | 2017-03-08 | 常州工学院 | 一种单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104611680A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-13 | 常州工学院 | 一种快速换靶双面往复连续高效镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104611682A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-05-13 | 常州工学院 | 一种双面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104674176A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-06-03 | 常州工学院 | 一种高效率双面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| CN104674182A (zh) * | 2015-02-09 | 2015-06-03 | 常州工学院 | 一种单面往复连续镀膜磁控溅射卷绕镀膜机 |
| JP2016000860A (ja) * | 2015-07-21 | 2016-01-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 蒸着ユニット及び真空コーティング装置 |
| JP2017043823A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 長尺基板処理装置およびその制御方法ならびにその制御方法を用いた金属膜付長尺基板の製造方法 |
| CN110100040A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-08-06 | 应用材料公司 | 用以涂布柔性基板的沉积设备、涂布柔性基板的方法及具有涂布的柔性基板 |
| CN110100041A (zh) * | 2017-11-28 | 2019-08-06 | 应用材料公司 | 沉积设备、涂布柔性基板的方法、及具有涂层的柔性基板 |
| JP2020502359A (ja) * | 2017-11-28 | 2020-01-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 堆積装置、フレキシブル基板を被覆する方法、及び被覆を有するフレキシブル基板 |
| EP3495534A1 (en) * | 2017-12-11 | 2019-06-12 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Long substrate treatment apparatus and treatment method |
| CN110791737A (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-14 | 股份有限会社太特思 | 基板侧沉积装置 |
| CN110791737B (zh) * | 2018-08-03 | 2021-10-01 | 股份有限会社太特思 | 基板侧沉积装置 |
| WO2024004226A1 (ja) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルムの製造方法 |
| CN115433917A (zh) * | 2022-10-18 | 2022-12-06 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 一种主鼓组件及其应用的真空镀膜设备 |
| CN115433917B (zh) * | 2022-10-18 | 2023-07-18 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 一种主鼓组件及其应用的真空镀膜设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006249471A (ja) | 成膜方法 | |
| JP4524209B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP6360882B2 (ja) | フレキシブル基板のための堆積プラットフォーム及びその操作方法 | |
| JP7117332B2 (ja) | フレキシブル基板をコーティングするための堆積装置、及びフレキシブル基板をコーティングする方法 | |
| JP2019049059A (ja) | プラズマを使った前処理装置を有した蒸着装置 | |
| JP5240782B2 (ja) | 連続成膜装置 | |
| US20150136585A1 (en) | Method for sputtering for processes with a pre-stabilized plasma | |
| JP2006249471A5 (ja) | ||
| US9758855B2 (en) | Closed loop control | |
| JP6385960B2 (ja) | 共通の堆積プラットフォーム、処理ステーション、およびその動作方法 | |
| KR20140027202A (ko) | 개선된 리튬 균일성 제어 방법 | |
| JP2014189890A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2006249473A5 (ja) | ||
| JP2006249472A (ja) | 成膜方法 | |
| JP2008226689A (ja) | 可撓性基板への透明導電膜の形成装置、マスク部材、及び有機エレクトロルミネッセンス素子用透明導電膜樹脂基板 | |
| US8808514B2 (en) | Magnetron sputtering apparatus | |
| TW201615872A (zh) | 用於沉積材料於基板上的沉積裝置、組件及方法 | |
| JP2008007790A (ja) | 巻取式複合真空表面処理装置及びフィルムの表面処理方法 | |
| JP5646397B2 (ja) | ロータリースパッタリングカソード、及びロータリースパッタリングカソードを備えた成膜装置 | |
| JP4858492B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| JP2007182601A (ja) | 巻取式複合真空表面処理装置及びフィルムの表面処理方法 | |
| JP2010095735A (ja) | 成膜装置、成膜方法およびガスバリアフィルム | |
| JP2006111931A (ja) | 圧力勾配型イオンプレーティング式成膜装置 | |
| KR20100071658A (ko) | 박막 증착 장치 | |
| KR20220121854A (ko) | 마그네트론 스퍼터링 장치 및 이 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 성막 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20070618 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080710 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20091028 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20091104 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20091224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20101221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |