JP2003123219A

JP2003123219A - 磁気テープ及び磁気テープの製造方法

Info

Publication number: JP2003123219A
Application number: JP2001320601A
Authority: JP
Inventors: Kazuyuki Usuki; 一幸臼杵; Shoichi Nishikawa; 正一西川; Makoto Nagao; 信長尾
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 2001-10-18
Filing date: 2001-10-18
Publication date: 2003-04-25

Abstract

(57)【要約】【課題】垂直磁気記録方式により高密度記録が可能な磁
気テープとその製造方法とを提供する。【解決手段】磁気テープ１０を、長尺状に形成すると共
に、可とう性非磁性からなる支持体１４の一方の面に、
耐食性を改善する下地層１５、磁気的に情報を記録する
磁気記録層１６、磁気記録層１６を劣化や摩耗から保護
する保護層１８、及び潤滑剤の付与により走行耐久性お
よび耐食性を改善する潤滑膜２０を、この順に積層して
構成した。磁気記録層１６は、希土類遷移金属合金から
なり且つ膜面に対して垂直方向の保磁力が１５００Ｏｅ
〜４０００Ｏｅの範囲にある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気テープ及び磁
気テープの製造方法に係り、特に、垂直磁気記録が可能
な磁気テープとその磁気テープの製造方法とに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、インターネットの普及により、パ
ーソナル・コンピュータを用いて大容量の動画情報や音
声情報の処理を行う等、コンピュータの利用形態が変化
してきている。これに伴い、ハードディスク等の磁気記
録媒体に要求される記憶容量も増大している。

【０００３】ハードディスクはメディア、ヘッド、シス
テム等の様々な技術革新によって、その面記録密度およ
びその記憶容量が飛躍的に増大しつづけている。特に大
規模サーバーに保存されるデータ量は膨大であり、その
バックアップ方法が深刻な問題となってきている。

【０００４】現在、ハードディスクドライブに記録され
たデータのバックアップはコンピューターバックアップ
テープを用いて行われているが、磁気テープの記録密度
の増加速度よりもハードディスクの記録密度の増加速度
が著しく高いため、システム当たりに必要なテープ巻数
が非常に多く、またそのバックアップに要する時間も長
大となってきている。一方で、光ディスクはランダムア
クセスが可能であるものの、１枚当たりの記憶容量は磁
気テープよりもさらに小さく、バックアップには不向き
である。

【０００５】以上のような背景から磁気テープの高容量
化と高転送レート化は非常に期待されているものの、超
高容量磁気テープの実用化はいくつかの課題のために現
実のものになっていない。

【０００６】その一つの原因として磁気テープに使用さ
れる磁性層の構造があげられる。現在市販されている磁
気テープの磁性層は大きく分けて鉄系の磁性微粒子を高
分子バインダーに分散させて溶液を塗布して作製した塗
布型媒体とコバルト系合金を真空中の斜め蒸着法で成膜
した蒸着型媒体に分けられる。しかし、これらの媒体の
磁性層は、ともに、ハードディスクで使用されているス
パッタリングで成膜したコバルト系合金の強磁性金属薄
膜と比較するとノイズが高く、高記録密度特性には適し
ていない。

【０００７】そこで、ハードディスクと同様にスパッタ
リングによる強磁性金属薄膜テープを作製しようとする
試みはいくつか報告されているものの、実用化には至っ
ていない。これはハードディスクの製造ではスパッタリ
ング時に基板を２００℃程度まで加熱しているが、これ
と同様の製造方法を磁気テープに適用しようとすると、
磁気テープで一般的なポリエチレンテレフタレートやポ
リエチレンナフタレートでは耐熱性が不足し、変形して
しまうためである。また、支持体として、耐熱性に優れ
ている芳香族ポリアミドフィルムを使用しても、製造工
程中でフィルムの熱膨張、熱収縮、湿度膨張などの寸法
変化が生じるため、変形の少ない磁気テープを作製する
ことが困難であった。また、芳香族ポリアミドフィルム
は価格が非常に高いため、製造コストが高くなるという
問題もあった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点に鑑みなされたものであり、本発明の目的は、
高密度記録特性に優れた磁気テープを安価に提供するこ
とにある。本発明の他の目的は、高密度記録特性に優れ
た磁気テープを再現性よく製造する磁気テープの製造方
法を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気テープは、可とう性非磁性支持体の一
方の面に、希土類遷移金属合金からなり且つ膜面に対し
て垂直方向の保磁力が１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範
囲にある磁気記録層を形成したことを特徴とする。

【００１０】本発明の磁気テープは、希土類遷移金属合
金からなり且つ膜面に対して垂直方向の保磁力が１５０
０Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範囲にある磁気記録層を備えて
いるので、垂直磁気記録方式により高密度記録が可能で
ある。垂直方向保磁力が１５００Ｏｅ未満では、十分な
電磁変換特性を得ることができず、垂直方向保磁力が４
０００Ｏｅを超えると、記録部をレーザ光で加熱する熱
アシスト記録を行なわないと磁気記録を行なうことが困
難になる。また、可とう性非磁性支持体を用いているの
で、安価に製造することができる。

【００１１】可とう性非磁性支持体の厚さは、体積記録
密度と機械強度の観点から３μｍ〜１５μｍの範囲が好
ましい。３μｍ未満では機械強度が不足し、１５μｍを
超えると体積記録密度が低下する。

【００１２】希土類遷移金属合金としては、テルビウ
ム、ガドリニウム、ネオジウム、及びジスプロシウムか
ら選択される少なくとも１種の希土類金属と、鉄及びコ
バルトの少なくとも一方の遷移金属とを含有する合金が
好ましい。この中でも、テルビウム−鉄−コバルト合
金、またはジスプロシウム−鉄−コバルトが特に好まし
い。可とう性非磁性支持体はガラス基板等に比べて耐熱
性に劣るため、磁気記録層の成膜温度を上げることがで
きないが、これら合金の磁性膜は室温近傍で成膜した場
合にも十分な磁気特性を得ることができる。

【００１３】希土類金属として少なくともテルビウムを
含有する場合には、テルビウムの含有量が１４〜１８原
子％である合金がより好ましい。テルビウムの含有量を
１４〜１８原子％の範囲とすることにより、磁気記録層
の垂直方向の保磁力を１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範
囲とすることができる。

【００１４】また、希土類遷移金属合金は、クロム及び
ニッケルの少なくとも一方を更に含有していてもよい。
クロムやニッケルを含有することにより耐食性が向上す
る。

【００１５】磁気記録層は、可とう性非磁性支持体の一
方の面に、下地層を介して設けられていてもよく、磁気
記録層上には、磁気記録層を保護する保護層が設けられ
ていてもよい。この保護層は、磁気ヘッド材質と同等ま
たはそれ以上の硬度を有する硬質炭素膜、及び無機窒化
物で構成された窒化物膜の少なくとも一方を備えている
のが好ましい。

【００１６】上記の磁気テープは、可とう性非磁性支持
体の一方の面に、希土類遷移金属合金をターゲットとし
たスパッタリングにより、該ターゲットと略同じ組成の
希土類遷移金属合金からなる磁気記録層を形成して、製
造するのが好ましい。希土類遷移金属合金は、その組成
により保磁力等の磁気特性や成膜性が変化する。スパッ
タリングによれば組成制御が容易であり、ターゲットで
ある希土類遷移金属合金と略同じ組成の合金からなる磁
気記録層を形成することで、同じ特性を備えた磁気テー
プを再現性よく製造することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。（磁気記録媒体）本実施の形態に係る磁気テープ１０
は、図１に示すように、長尺状に形成されると共に可と
う性非磁性材料からなる支持体１４の一方の面に、磁気
記録層の磁気特性を制御するための下地層１５、磁気的
に情報を記録する磁気記録層１６、磁気記録層１６を劣
化や摩耗から保護する保護層１８、及び潤滑剤の付与に
より走行耐久性および耐食性を改善する潤滑膜２０が、
この順に積層されて構成されている。なお、後述する通
り、支持体１４と下地層１５との間に、熱伝導、熱拡散
速度を制御するための誘電体層を設けても良い。

【００１８】磁気テープ１０は、例えば、図２に示すよ
うに、カートリッジ１００内に収納されている。カート
リッジ１００には、供給リール１０２、巻き取りリール
１０４、及びテープ支持部材１０６、１０８が設けられ
ており、磁気テープ１０は、これらのリール及び支持部
材に磁気記録層側を外側にして巻き掛けられている。そ
して、巻き取りリール１０４の矢印Ａ方向への回転に伴
い、磁気テープ１０は矢印Ｂ方向に搬送される。また、
カートリッジ１００には、テープ支持部材１０６と１０
８との間を搬送される磁気テープ１０表面が露出するよ
うに、開閉自在に構成された主リッド１１０が設けられ
ている。この主リッド１１０を開いて磁気テープ１０表
面を露出させた状態で、磁気ヘッド（図示せず）を磁気
テープ１０に接触させて、情報の記録及び再生が行われ
る。

【００１９】磁気テープ１０の幅は、その使用されるシ
ステムによって異なるが、一般的には１／４〜１／２イ
ンチのものが多い。

【００２０】支持体１４は、磁気ヘッドと磁気ディスク
とが接触した時の衝撃を回避するために、可とう性高分
子材料等の可とう性非磁性材料で構成されている。可と
う性高分子材料としては、芳香族ポリイミド、芳香族ポ
リアミド、芳香族ポリアミドイミド、ポリエーテルケト
ン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポ
リサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチ
レンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリ
カーボネート、トリアセテートセルロース、フッ素樹脂
等からなる樹脂フィルムが挙げられる。

【００２１】支持体１４の表面は、磁気ヘッドによる記
録を行うために、可能な限り平滑であることが好まし
い。支持体１４表面の凹凸は、信号の記録再生特性を著
しく低下させる。具体的には、後述する下塗り層を使用
する場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さ
が平均中心線粗さＲａで５ｎｍ以内、好ましくは２ｎｍ
以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが１μｍ以内、
好ましくは０．１μｍ以内である。また、下塗り膜を用
いない場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗
さが平均中心線粗さＲａで３ｎｍ以内、好ましくは１ｎ
ｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが０．１μｍ
以内、好ましくは０．０６μｍ以内である。

【００２２】支持体表面には、平面性の改善を目的とし
て下塗り層を設けることが好ましい。磁気記録層１６を
スパッタリング等で形成するため、下塗り層は耐熱性に
優れることが好ましく、下塗り層の材料としては、例え
ば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン
樹脂、フッ素系樹脂等を使用することができる。熱硬化
型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂は、平滑化効
果が高く、特に好ましい。下塗り層の厚みは、０．１μ
ｍ〜３．０μｍが好ましい。支持体１４に他の樹脂フィ
ルムをラミネートする場合には、ラミネート加工前に下
塗り層を形成してもよく、ラミネート加工後に下塗り層
を形成してもよい。

【００２３】熱硬化性ポリイミド樹脂としては、例え
ば、丸善石油化学社製のビスアリルナジイミド「ＢＡＮ
Ｉ」のように、分子内に末端不飽和基を２つ以上有する
イミドモノマーを、熱重合して得られるポリイミド樹脂
が好適に用いられる。このイミドモノマーは、モノマー
の状態で支持体表面に塗布した後に、比較的低温で熱重
合させることができるので、原料となるモノマーを支持
体上に直接塗布して硬化させることができる。また、こ
のイミドモノマーは汎用溶剤に溶解させて使用すること
ができ、生産性、作業性に優れると共に、分子量が小さ
く、その溶液粘度が低いために、塗布時に凹凸に対する
回り込みが良く、平滑化効果が高い。

【００２４】熱硬化性シリコン樹脂としては、有機基が
導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法で重合
したシリコン樹脂が好適に用いられる。このシリコン樹
脂は、二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換した構
造からなりシリコンゴムよりも大幅に耐熱性に優れると
共に、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れるため、可と
う性フィルムからなる支持体上に樹脂膜を形成しても、
クラックや剥離が生じ難い。また、原料となるモノマー
を支持体上に直接塗布して硬化させることができるた
め、汎用溶剤を使用することができ、凹凸に対する回り
込みも良く、平滑化効果が高い。更に、縮重合反応は、
酸やキレート剤などの触媒の添加により比較的低温から
進行するため、短時間で硬化させることができ、汎用の
塗布装置を用いて樹脂膜を形成することができる。

【００２５】下塗り層の表面には、磁気ヘッドとの真実
接触面積を低減し、摺動特性を改善することを目的とし
て、微小突起（テクスチャ）を設けることが好ましい。
また、微小突起を設けることにより、支持体のハンドリ
ング性も良好になる。微小突起を形成する方法として
は、球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗
布して有機物の突起を形成する方法などが使用できる
が、下塗り層の耐熱性を確保するため、球状シリカ粒子
を塗布して微小突起を形成するのが好ましい。

【００２６】微小突起の高さは５ｎｍ〜６０ｎｍが好ま
しく、ｌ０ｎｍ〜３０ｍｍがより好ましい。微小突起の
高さが高すぎると磁気ヘッドと媒体のスペーシングロス
によって信号の記録再生特性が劣化し、微小突起が低す
ぎると摺動特性の改善効果が少なくなる。微小突起の密
度は０．１〜１００個／μｍ²が好ましく、１〜１０個
／μｍ²がより好ましい。微小突起の密度が少なすぎる
場合は摺動特性の改善効果が少なくなり、多過ぎると凝
集粒子の増加によって高い突起が増加して記録再生特性
が劣化する。

【００２７】また、バインダーを用いて微小突起を支持
体表面に固定することもできる。バインダーには、十分
な耐熱性を備えた樹脂を使用することが好ましく、耐熱
性を備えた樹脂としては、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱
硬化型シリコン樹脂を使用することが特に好ましい。

【００２８】磁気記録層１６の記録特性と耐食性とを改
善する目的で、支持体１４と磁気記録層１６との間に下
地層１５を設けることが好ましい。磁気記録層に使用さ
れる希土類遷移金属合金は一般的にアモルファスの垂直
磁気記録膜であり且つ記録膜内での磁気的な相互作用が
非常に強い。光磁気ディスクではレーザ光で加熱され保
磁力や相互作用が弱まった状態で記録されるが、信号を
磁気ヘッドで記録しようとする場合には、希土類遷移金
属合金からなる磁気記録層単独では磁壁移動モードの記
録となりやすく磁化反転不良や高ノイズ等の問題を引き
起こす。このため、下地層１５に適度の表面粗さや結晶
構造を設けることによって、磁気記録層内の磁気ドメイ
ンを容易に生成することができ、スピン反転モードの磁
気記録とすることができる。

【００２９】下地層１５には、例えば、チタン、アルミ
ニウム、クロム、ニッケルなどの金属、またはこれらの
金属と他の金属との合金、リン化ニッケル等のリン化合
物、グラファイトや無定形カーボンなどの炭素等が挙げ
られる。また、後述する誘電体材料も使用することがで
きる。この中でも、チタン、アルミニウム及びクロムか
ら選択される少なくとも１種の金属、チタン、アルミニ
ウム及びクロムから選択される少なくとも１種の金属を
含む合金、及び炭素が好ましい。下地層１５は、スパッ
タ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等のいわゆる真空成膜法で
作成できるが、この際に成膜条件及び膜厚の調整によっ
て適度な表面粗さ、結晶構造を付与する必要がある。表
面粗さとしてはＲｍａｘで５〜２０ｎｍ、粒子のサイズ
として１〜３０ｎｍ程度が好ましい。膜厚は１０ｎｍ〜
２００ｎｍが好ましい。

【００３０】支持体１４と下地層１５との間に、誘電体
層を設けてもよい。誘電体層は、レーザ照射時及びレー
ザ照射後の磁気記録層１６の温度を制御すると共に、水
分や酸素などの磁気記録層１６の腐食や酸化に関与する
物質が支持体側から移動してくるのを遮蔽する。誘電体
層には光磁気記録で一般的に使用される誘電体材料を使
用することができる。

【００３１】誘電体材料としては、例えば、シリカ、ア
ルミナなどの酸化物（Ｓｉ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ）、窒化ケイ
素、窒化アルミニウムなどの窒化物（Ｓｉ−Ｎ、Ａｌ−
Ｎ）、硫化亜鉛等の硫化物（Ｚｎ−Ｓ）、リン化ニッケ
ル等のリン化物、ケイ素化タンタル（Ｔａ−Ｓｉ）、グ
ラファイト、無定型カーボンなどの炭素等が挙げられる
が、耐腐食性を備え、磁気記録層に含まれる金属材料と
酸素との反応を抑制し、且つ高い熱伝導率を有する材料
が好ましく、チッ化珪素（Ｓｉ−Ｎ）、チッ化アルミニ
ウム（Ａｌ−Ｎ）等の無機窒化物、及び炭素が特に好ま
しい。この誘電体層は、スパッタリング法や化学気相反
応法（ＣＶＤ法）などにより形成することができる。誘
電体層の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。

【００３２】また、単磁極ヘッドと組合わせて使用する
場合には、下地層１５と磁気記録層１６との間に軟磁性
材料からなる裏打ち層を設けてもよい。軟磁性材料とし
てはパーマロイ、センダスト等を使用することができ
る。裏打ち層の膜厚は、５０ｎｍ〜５００ｎｍが好まし
く、５０ｎｍ〜５００ｎｍがより好ましい。

【００３３】磁気記録層１６は、そのディスク面に対し
て垂直な方向の保磁力（垂直方向保磁力）が１５００Ｏ
ｅ〜４０００Ｏｅの範囲である。垂直方向保磁力が１５
００Ｏｅ未満では、十分な電磁変換特性を得ることがで
きず、垂直方向保磁力が４０００Ｏｅを超えると、熱ア
シスト無しで磁気記録を行なうことが困難になる。垂直
方向保磁力は、磁力の安定化と磁気記録の容易さとのバ
ランスから、２０００〜３５００Ｏｅの範囲が好まし
く、２５００〜３０００Ｏｅの範囲がより好ましい。

【００３４】磁気記録層１６には、磁気記録材料として
希土類遷移金属合金を使用する。希土類遷移金属合金は
垂直磁気異方性を有しており、垂直磁気記録が可能であ
ると共に、光磁気特性にも優れている。また、希土類遷
移金属合金は、非晶質（アモルファス）であるため、結
晶粒によるノイズが発生しない。また、その組成により
静磁気特性と光磁気特性とを広範囲にわたって制御する
ことができる。

【００３５】希土類遷移金属合金としては、ＴｂＣｏ、
ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＦｅ、ＴｂＮｄＦｅ、Ｔｂ
ＧｄＦｅＣｏなど、テルビウム（Ｔｂ）、ガドリニウム
（Ｇｄ）、ネオジウム（Ｎｄ）、及びジスプロシウム
（Ｄｙ）から選択される少なくとも１種の希土類金属
と、鉄（Ｆｅ）及びコバルト（Ｃｏ）の少なくとも一方
の遷移金属とを含有する合金が好ましい。また、これら
合金の耐食性を改善するために、クロム（Ｃｒ）やニッ
ケル（Ｎｉ）を適宜添加してもよい。更に、磁気ドメイ
ンの形成を補助する目的でシリコン（Ｓｉ）やボロン
（Ｂ）などを添加してもよい。

【００３６】上記した合金の中でも、ＴｂＦｅＣｏ、Ｄ
ｙＦｅＣｏが特に好ましい。可とう性非磁性支持体はガ
ラス基板等に比べて耐熱性に劣るため、磁気記録層の成
膜温度を上げることができないが、これら合金の磁性膜
は室温近傍で成膜した場合にも十分な磁気特性を得るこ
とができる。

【００３７】また、希土類遷移金属合金がテルビウムを
含有する場合には、図３に示すように、テルビウムの含
有量が多くなるに従い垂直方向保磁力が大きくなり、テ
ルビウムの含有量が１４〜１８原子％である場合に垂直
方向保磁力が１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範囲となっ
て、垂直磁気記録を行う場合に良好な記録特性を得るこ
とができる。

【００３８】磁気記録層１６の作製方法としては、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法及
びイオン注入法等の物理的蒸着法（ＰＶＤ法）、化学的
蒸着法（ＣＶＤ法）等を挙げることができるが、組成制
御が容易である点で、スパッタリング法が特に好まし
い。コーティングする希土類遷移金属合金をターゲット
としたスパッタリングにより、このターゲットと略同じ
組成の合金からなる磁性膜を形成することができる。

【００３９】スパッタリングの方法としては、一般的な
ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリングの他に、ＤＣ
パルススパッタ、ＲＦバイアススパッタ、反応性スパッ
タなどが使用できる。スパッタリングの際には、構成す
る元素を独立したターゲットとして、これらのターゲッ
ト上に基板を回転させて通過させる共スパッタ法や、そ
のうちの一部または全部を合金ターゲットとして構成
し、スパッタする方法のいずれも使用可能である。ま
た、元素分布や再現性の問題はあるが、基本となるター
ゲットの一部に導入したい元素からなるチップやシート
を設置することで合金化するスパッタ法も使用すること
ができる。また、ウエブ状の支持体を搬送しながらスパ
ッタリングを行なう連続スパッタ法では、キャンに沿わ
せてスパッタリングを行なうことができ、支持体の熱ダ
メージを低減することができる。

【００４０】磁気記録層１６の層厚としては、１０ｎｍ
〜１００ｎｍが好ましく、２０〜５０ｎｍが特に好まし
い。このように、希土類遷移金属合金からなる垂直磁気
記録層は、スパッタリング法により作製することがで
き、室温で成膜できるため、可とう性非磁性支持体を使
用しているにもかかわらず、基板変形がなく平面性に優
れている。

【００４１】保護層１８は、磁気記録層１６に含まれる
金属材料の腐蝕を防止し、磁気ヘッドとの接触による摩
耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するために設
けられる。希土類遷移金属は非常に腐食し易いため、保
護層１８を設けることが特に好ましい。

【００４２】保護層１８には、シリカ、アルミナ、テタ
ニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの
酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒
化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化
物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素等の材料
を使用することができる。

【００４３】保護層１８としては、磁気ヘッド材質と同
等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜であり、摺動中
に焼き付きを生じ難くその効果が安定して持続するもの
が、摺動耐久性に優れており好ましい。また、同時にピ
ンホールが少ないものが、耐食性に優れておりより好ま
しい。更に、レーザによるトラッキング信号の読み出し
を高精度で行なうためには、使用するレーザ光に対して
充分な透明性を有することが好ましい。このような保護
膜としては、ＣＶＤ法で作製されるＤＬＣ（ダイヤモン
ドライクカーボン）と呼ばれる硬質炭素膜が挙げられ
る。

【００４４】保護層１８は、性質の異なる２種類以上の
薄膜を積層した構成とすることができる。例えば、表面
側に摺動特性を改善するための硬質炭素保護膜を設け、
磁気記録層側に耐食性を改善するための窒化珪素などの
窒化物保護膜を設けることで、耐食性と耐久性とを高い
次元で両立することが可能となる。

【００４５】保護層１８上には、走行耐久性および耐食
性を改善するために、潤滑膜２０が設けられる。潤滑膜
２０には、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、
極圧添加剤等の潤滑剤が使用される。

【００４６】炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン
酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル
等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン
酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、
ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコ
ール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、
ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。

【００４７】フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系
潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキ
ル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤
滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基として
はパーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオ
ロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピ
レンオキシド重合体（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフル
オロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃）Ｃ
Ｆ₂Ｏ）_n、またはこれらの共重合体等である。具体的に
は、分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン
−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、
商品名「FOMBLIN Z-DOL」）等が挙げられる。

【００４８】極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル
等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リ
ン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチ
オ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジ
ベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。

【００４９】上記の潤滑剤は単独もしくは複数を併用し
て使用することができ、潤滑剤を有機溶剤に溶解した溶
液を、スピンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビ
アコート法、ディップコート法等で保護層１８表面に塗
布するか、真空蒸着法により保護層１８表面に付着させ
ればよい。潤滑剤の塗布量としては、１〜３０ｍｇ／ｍ
²が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。

【００５０】また、耐食性をさらに高めるために、防錆
剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾ
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メル
カプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合
物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環
類およびこの誘導体等が挙げられる。これら防錆剤は、
潤滑剤に混合して保護層１８上に塗布してもよく、潤滑
剤を塗布する前に保護層１８上に塗布し、その上に潤滑
剤を塗布してもよい。防錆剤の塗布量としては、０．１
〜１０ｍｇ／ｍ²が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ²が特
に好ましい。

【００５１】支持体の磁性層とは反対面（バック面）に
はバックコート層を設けることが好ましい。バックコー
ト層はバック面と摺動部剤が摺動する際のバック面の摩
耗を防止する潤滑効果のほか、バックコート層へ上述の
潤滑剤や防錆剤を添加したり、バックコート自体のｐＨ
を制御することで磁性層の耐食性をさらに高める効果を
有する。

【００５２】バックコートはカーボンブラック、炭酸カ
ルシウム、アルミナ等の非磁性粉体と塩化ビニルやポリ
ウレタンなどの樹脂結合剤、さらに潤滑剤や硬化剤を有
機溶剤に分散した溶液をグラビア法やワイヤーバー法な
どで塗布し、乾燥することで作製できる。

【００５３】バックコートに防錆剤や潤滑剤を付与する
方法としては、前記の溶液中に溶解しても良いし、作製
したバックコート上にオーバーコートしても良い。

【００５４】（トラッキング情報の記録）磁気記録層１
６には、トラッキングのために予め磁化された領域（磁
化領域）が形成されていてもよい。例えば、図４（Ａ）
及び（Ｂ）に示すように、磁気記録層１６を、ディスク
面に対して垂直方向に磁化（プリフォーマット磁化）す
ることができる。図４に示す例では、磁化領域は、支持
体１４と反対側の表面を記録面とした場合、支持体側が
Ｓ極で記録面側がＮ極になる方向に磁化された磁化領域
１６Ａと、支持体側がＮ極で記録面側がＳ極になる方向
に磁化された磁化領域１６Ｂと、で構成されている。こ
れら磁化領域１６Ａ及び磁化領域１６Ｂは、磁気テープ
１０の幅方向に交互に配列されて、リニアトラックが形
成されている。磁化領域１６Ａ及び磁化領域１６Ｂは、
その磁化方向の相違によりトラッキング・ガイドとして
使用することができ、磁気カー効果を利用してトラッキ
ング・サーボが行われる。

【００５５】磁気記録層１６をプリフォーマットする方
法は、特に限定されない。例えば、磁気ヘッドにより磁
化領域を書き込んでもよく、磁気転写により磁化領域を
形成してもよい。微細なパターンの磁化領域を短時間で
形成するためには、磁気転写により磁化領域を形成する
のが特に好ましい。

【００５６】（情報の記録・再生）次に、上記の磁気テ
ープへの情報の記録方法及び記録された情報の再生方法
について説明する。

【００５７】磁気ヘッドとしては、垂直磁気記録用に作
製された単磁極ヘッドなどの垂直磁気記録ヘッド、ある
いは長手磁器記録方式に使用されるリングヘッドを用い
て、垂直磁気記録を行なうことができる。単磁性ヘッド
を使用する場合には、既に説明したように裏打ち層を設
けておくことが好ましい。再生には高感度のＭＲヘッ
ド、ＧＭＲヘッドを使用することが好ましい。

【００５８】磁気テープを搬送すると共に、この磁気テ
ープに対して磁気ヘッドを押し当てると、磁気テープと
磁気ヘッドとは非常に弱い力で安定に接触摺動する。情
報記録時には、この安定に接触摺動している状態で、記
録磁界制御回路から磁気ヘッドに制御信号を供給し、情
報に対応する磁界を磁気記録層に印加することにより、
磁気的に情報の記録を行なう。一方、情報再生時には、
同様に、安定に接触摺動している状態で、磁気的に記録
された情報を読み出すことができる。

【００５９】（スパッタリング装置）図５は、本発明の
磁気記録媒体の下地層及び磁性層を好適に製造しうる高
分子フィルムからなる非磁性支持体の片面もしくは両面
にスパッタ成膜可能な連続スパッタリング装置１の一例
を示すものである。本発明では片面にのみスパッタリン
グする。連続スパッタリング装置１は、送り出し軸、巻
き取り軸および連続ウェブを支持し且つスパッタリング
・ターゲットと対向するメインドラムを具備する。該連
続スパッタリング装置１は、図示せぬ真空排気ポンプに
より１．０×１０^-5Ｔｏｒｒ以下まで真空排気可能であ
り且つ図示せぬマスフロー・コントローラを通じてスパ
ッタガスを導入し、６×ｌ０^-4〜１×１０^-2Ｔｏｒｒの
範囲の任意のスパッタ圧力に設定可能であるスパッタ室
１３内に配設されている。

【００６０】図５に示した如く、連続スパッタリング装
置１において、非磁性支持体よりなる連続ウェブＷは、
送り出し軸２より送り出され、複数の送り出し側パスロ
ーラ３と送り出し側ダンサーロール４を介して、一対の
加熱ドラム２１、２２から成膜ドラムである２基のメイ
ンドラム５Ａ及びメインドラム５Ｂへ搬送されている。
さらに連続ウェブＷは、メインドラム５Ａ及び５Ｂに沿
って搬送支持された後、複数の巻き取り側パスローラ６
と、巻き取り側ダンサーロール７を介して、巻き取り軸
８で巻き取られている。また、搬送される際の連続ウェ
ブＷの張力は、送り出し側ダンサーロール４及び巻き取
り側ダンサーロール７により、一定に保持されている。

【００６１】連続ウェブＷの張力範囲は、成膜条件等に
もよるが、１ｋｇｆ／ｍ〜５０ｋｇｆ／ｍの範囲で適宜
選択される。

【００６２】なお、送り出し軸２、メインドラム５Ａ、
５Ｂ及び巻き取り軸８は、それぞれ図示せぬ駆動装置に
より回転駆動されている。

【００６３】前記加熱ドラム２１、２２は、蒸気等を用
いるジャケット式ドラム、或いは誘導加熱方式ドラム等
が適宜選択され、温度制御により加熱ドラム及びメイン
ドラムの表面温度を２５℃から２８０℃までの範囲で任
意の温度に調節可能となっている。一方、メインドラム
は水冷されている。

【００６４】送り出し側でメインドラム５Ｂに対向した
位置（図中下段右側）には、メインドラム５Ｂに沿わせ
た状態の連続ウェブＷの表面にＴｉ等よりなる非磁性下
地層をスパッタ成膜するための第１スパッタリング・タ
ーゲット９Ｂが配設されている。この第１スパッタリン
グ・ターゲット９Ｂには、直流スパッタリング電源１０
Ｂが接続されており、直流スパッタリング電源１０Ｂか
らスパッタパワーを第１スパッタリング・ターゲット９
Ｂに印加することで、連続ウェブＷの裏面上にＣｒ系合
金よりなる非磁性下地層をスパッタ成膜する。

【００６５】巻き取り側でメインドラム５Ａに対向した
位置（図中下段左側）には、メインドラム５Ｂに沿わせ
た状態の連続ウェブＷの裏面に希土類遷移金属よりなる
磁性層をスパッタ成膜するための第２スパッタリング・
ターゲット１３Ｂが配設されている。この第２スパッタ
リング・ターゲット１３Ｂには、直流スパッタリング電
源１４Ａが接続されており、直流スパッタリング電源１
４Ｂからスパッタ・パワーを第２スパッタリング・ター
ゲット１３Ｂに印加することで、連続ウェブＷの裏面上
に形成された非磁性下地層上にさらに希土類遷移金属よ
りなる磁性層をスパッタ成膜する。同等に、スパッタリ
ング・ターゲット１１Ｂは炭素（Ｃ）などの保護層用に
使用できる。

【００６６】なお、スパッタ室内のスパッタ圧力は、図
示せぬマスフローコントローラを通じてスパッタガス
（例えば、Ａｒガス）を導入し、６×１０^-4〜１×１０
^-2Ｔｏｒｒの範囲の任意のスパッタ圧力に設定されてい
る。なぜならば、スパッタ圧力が下限値の６×１０^-4Ｔ
ｏｒｒ以下では、これらスパッタリング・カソードのグ
ロー放電を安定維持することが困難となるためである。
また、スパッタ圧力の上限値である１×１０^-2Ｔｏｒｒ
については、この上限値以上のスパッタ圧力を得ること
がガス導入系／真空排気系の装置の要因により困難とな
るためである。

【００６７】次に、上記実施態様の動作について説明す
る。

【００６８】先ず始めに、連続ウェブＷは、送り出し軸
２より送り出され、複数の送り出し側パスローラ３と送
り出し側ダンサーロール４を介して、一対の加熱ドラム
２１、２２からメインドラム５Ａへ搬送される。そし
て、メインドラム５Ａへ搬送された連続ウェブＷは、次
にメインドラム５Ｂへ搬送され、メインドラム５Ｂで冷
却且つ搬送支持されながら第１スパッタリング・ターゲ
ット９Ｂの前方に搬送され、前記連続ウェブＷの表面に
Ｔｉ等よりなる非磁性下地層がスパッタ成膜される。さ
らに、Ｃｒ系合金よりなる非磁性下地層がスパッタ成膜
された連続ウェブＷは、メインドラム５Ｂで搬送支持さ
れながら第２スパッタリング・ターゲット１３Ｂの前方
に搬送され、前記非磁性下地層上に希土類遷移金属より
なる磁性層がスパッタ成膜される。Ｃｏ系合金よりなる
磁性層がスパッタ成膜された連続ウェブＷは、メインド
ラム５Ｂでさらに搬送支持された後に、複数の巻き取り
側パスローラ６と巻き取り側ダンサーロール７を介し
て、巻き取り軸８により巻き取られる。

【００６９】なお、製造する磁気記録媒体の用途に応じ
て、磁性層のスパッタ成膜後に保護層や潤滑層を順次形
成する工程を追加することも可能である。

【００７０】以上説明した通り、本実施の形態に係る磁
気テープでは、（１）希土類遷移金属合金からなり且つ膜面に対して垂
直方向の保磁力が１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範囲に
ある磁気記録層を備えているので、熱アシストすること
なく、垂直磁気記録方式により高密度記録が可能であ
る。また、記録の磁化方向を膜面に対して垂直としたこ
とにより、半径方向に交互に配列された磁化方向が異な
る磁区が、相互にその磁力を弱め合うことがなくなり、
記録領域の磁力が安定化する。（２）樹脂フィルム等の可とう性非磁性支持体を用いて
いるので、磁気ヘッドと安定に接触摺動し、安定したヘ
ッド走行が可能となる。ハードディスクでは、非接触で
磁気記録を行う必要があり、磁気ヘッドと磁気ディスク
との距離をこれ以上短くするのは困難であるが、磁気テ
ープでは、磁気ヘッドと磁気テープとが接触摺動の状態
で記録を行うので、垂直磁気記録による高密度化に対し
て非常に有効である。また、ハードディスクの場合に
は、磁気ヘッドと磁気ディスクとが接触時の衝撃で破損
し易く信頼性が低いという問題があるが、磁気テープの
場合は、磁気ヘッドと接触しても、テープが撓むことが
できるため接触衝撃を緩和することができる。このため
磁気テープでは信頼性の高い接触記録が可能となる。（３）磁気記録層を構成する希土類遷移金属合金は、そ
の組成により保磁力等の磁気特性や成膜性が変化する
が、スパッタリングにより磁気記録層を形成すれば、組
成制御が容易であり、ターゲットである希土類遷移金属
合金と略同じ組成の合金からなる磁気記録層を形成する
ことができ、同じ特性を備えた磁気テープを再現性よく
製造することができる。

【００７１】

【実施例】（実施例１）厚み６．３μｍ、表面粗さＲａ
＝１．５ｎｍのポリエチレンナフタレートフィルム上に
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニ
ルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチルア
セトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビアコ
ート法で塗布した後、１００℃で乾燥と硬化を行い、厚
み０．２μｍのシリコン樹脂からなる下塗り層を作製し
た。この下塗り層上に粒子径２５ｎｍのシリカゾルと前
記下塗り波を混合した塗布液をグラビアコート法で塗布
して、下塗り層上に高さ１５ｎｍの突起を１０個／μｍ
²の密度で形成した。

【００７２】次に、図５に示したウェブスパッタ装置に
この原反を設置し、水冷したキャン上にフィルムを密着
させながら搬送し、下塗り層上に、ＤＣマグネトロンス
パッタ法でＴｉからなる下地層を６０ｎｍの厚みで形成
し、引き続きＴｂ１６Ｆｅ７５Ｃｏ９からなる磁性層を
３０ｎｍの厚みで形成した。

【００７３】次に、この原反をウェブ式のＣＶＤ装置に
設置し、エチレンガス、窒素ガス、アルゴンガスを反応
ガスとして用いたＲＦプラズマＣＶＤ法でＣ：Ｈ：Ｎ＝
６２：２９：７ｍｏｌ比からなる窒素添加ＤＬＣ保護膜
を１０ｎｍの厚みで形成した。なお、このとき磁性層に
は−４００Ｖのバイアスを印加した。

【００７４】次に、原反のバック面にカーボンブラッ
ク、炭酸カルシウム、ステアリン酸、ニトロセルロー
ス、ポリウレタン、イソシアネート硬化剤をメチルエチ
ルケトンに溶解、分散したバックコート液をワイヤーバ
ー法で塗布し、１００℃で乾燥して、厚み０．５μｍの
バックコート層を作成した。

【００７５】その後、保護層表面に分子末端に水酸基を
有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモン
ト社製「ＦＯＭＢＬＩＮＺ一ＤＯＬ」）をフッ素系潤
滑剤（住友スリーエム社製「ＨＦＥ−７２００」）に溶
解した溶液をグラビアコート法で塗布し、厚みｌｎｍの
潤滑層を形成した。次にこの原反を幅８ｍｍにスリッテ
ィングした後、テープバーニッシュした後、８ｍｍビデ
オカセット用のカートリッジに組み込んで、磁気テープ
を作製した。

【００７６】（比較例１）実施例１において下地層の組
成をＣｒ、磁性層の組成をＣｏ８０Ｃｒ２０とし、下地
層、磁性層のスパッタリング時のベースフィルム温度を
１５０℃とした以外は実施例１と同様に磁気テープを作
製した。

【００７７】（評価方法）磁気特性：保磁力ＨｃをＶＳＭで測定した。カッピング：磁気テープを長さ１００ｍｍに切断し、
これを平滑なガラス板に静置し、そのテープ幅を測定す
ることで、テープ幅方向の変形＝カッビングを評価し
た。つまり変形のないテープは８．０ｍｍであり、変形
が大きい程、値が小さくなる。Ｃ／Ｎ：再生トラック幅２．２μｍ、再生ギャップ
０．２６μｍのＭＲヘッドを用いて、線記録密度１３０
ｋＦＣＩの記録再生を行い、再生信号／ノイズ（Ｃ／
Ｎ）比を測定した。なお、このときテープ／ヘッドの相
対速度は１０ｍ／ｓｅｃ、ヘッド加重は３ｇｆとした。耐久性：市販８ｍｍＶＴＲでスチル再生を行い、出力
が初期値−３ｄＢとなった時点で走行を中止し、耐久時
間とした。なお、環境は２３℃１０％ＲＨとし、試験は
最大２４時間とした。

【００７８】実施例及び比較例の磁気テープについて上
記〜項目の評価を行なった。評価結果を表１に示
す。

【００７９】

【表１】

【００８０】上記表１に示す結果から分かるように、本
発明の磁気テープは記録特性と耐久性とが共に優れてい
る。一方、磁性層に希土類遷移金属合金を使用しなかっ
た比較例では保磁力は高いものの、変形が大きく、記録
特性が若干低下し、耐久性は著しく悪化した。テープ表
面を顕微鏡観察したところ、磁性層に微細なクラックが
発生していた。

【００８１】（実施例２）厚み６．３μｍ、表面粗さＲ
ａ＝１．５ｎｍのポリエチレンナフタレートフィルム上
に３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェ
ニルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチル
アセトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビア
コート法で塗布した後、１００℃で乾燥と硬化を行い、
厚み０．２μｍのシリコン樹脂からなる下塗り層を作成
した。この下塗り層上に粒子径２５ｎｍのシリカゾルと
前記下塗り液を混合した塗布液をグラビアコート法で塗
布して、下塗り層上に高さ１５ｎｍの突起を１０個／μ
ｍ²の密度で形成した。

【００８２】次に、図５に示したウェブスパッタ装置に
この原反を設置し、水冷したキャン上にフィルムを密着
させながら搬送し、下塗り層上に、ＤＣマグネトロンス
パッタ法でＴｉからなる下地層を６０ｎｍの厚みで形成
し、引き続きＦｅ８５Ｃｏ１５合金ターゲット上に５ｍ
ｍ角、厚さ１ｍｍのＴｂチップを乗せ、厚み３０ｎｍの
ＴｂＦｅＣｏ合金磁性層を形成した。この際、ＦｅＣｏ
ターゲット上のＴｂのチップ面積を変化させることでＴ
ｂ：（ＦｅＣｏ）比率を変化させた。

【００８３】次に、この原反をウェブ式のＣＶＤ装置に
設置し、エチレンガス、窒素ガス、アルゴンガスを反応
ガスとして用いたＲＦプラズマＣＶＤ法でＣ：Ｈ：Ｎ＝
６２：２９：７ｍｏｌ比からなる窒素添加ＤＬＣ保護膜
を１０ｎｍの厚みで形成した。なおこのとき磁性層には
−４００Ｖのバイアスを印加した。次に原反のバック面
にカーボンブラック、炭酸カルシウム、ステアリン酸、
ニトロセルロース、ポリウレタン、イソシアネート硬化
剤をメチルエチルケトンに溶解、分散したバックコート
液をワイヤーバー法で塗布し、１００℃で乾燥して、厚
み０．５μｍのバックコート層を作成した。

【００８４】その後、保護層表面に分子末端に水酸基を
有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモン
ト社製「ＦＯＭＢＬＩＮＺ一ＤＯＬ」）をフッ素系潤
滑剤（住友スリーエム社製「ＨＦＥ−７２００」）に溶
解した溶液をグラビアコート法で塗布し、厚み１ｎｍの
潤滑層を形成した。次にこの原反を幅８ｍｍにスリッテ
ィングした後、テープバーニッシュした後、８ｍｍビデ
オカセット用のカートリッジに組み込んで、磁気テープ
を作製した。

【００８５】作製した磁気テープの磁性層組成はあらか
じめＩＣＰ発光分光分析法と蛍光Ｘ線分析を使用した検
量線を作成しておき、蛍光Ｘ線分析を行うことで、Ｔ
ｂ：Ｆｅ：Ｃｏの元素分析を行った。垂直方向の保磁力
はカー効果測定装置を用いて、カーヒステリシス曲線か
ら求めた。作製した磁気テープの電磁変換特性の評価
は、実施例１と同様にＣ／Ｎ比を測定することにより行
った。本実施例ではＣ／Ｎが３３ｄＢ以上無ければ十分
な電磁変換特性が得られたということはできない。結果
を表２に示す。

【００８６】

【表２】

【００８７】上記表２から分かるように、垂直方向保磁
力が１５００Ｏｅ未満では、Ｃ／Ｎが３３ｄＢに届か
ず、垂直方向保磁力が４０００Ｏｅを超えると、Ｃ／Ｎ
が急激に低下する。即ち、垂直方向保磁力が１５００Ｏ
ｅ〜４０００Ｏｅの範囲以外では、熱アシスト無しで磁
気記録を行なうことが困難になる。一方、垂直方向保磁
力が１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範囲では、Ｃ／Ｎが
３３ｄＢ以上と十分な電磁変換特性が得られており、磁
気記録特性は良好である。特に、２０００Ｏｅ〜３００
０Ｏｅの範囲では、Ｃ／Ｎが４２ｄＢ以上と高く、優れ
た磁気記録特性を示している。

【００８８】

【発明の効果】本発明の磁気テープは、垂直磁気記録方
式により高密度記録を行うことができる、という効果を
奏する。また、本発明の磁気テープの製造方法は、組成
制御が容易であり、同じ特性を備えた磁気テープを再現
性よく製造することができる、という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施の形態に係る磁気テープの積層構成を示
す斜視図である。

【図２】磁気テープがカートリッジに収納された形態を
示す概略図である。

【図３】テルビウムの含有量と磁気記録層の垂直方向保
持力との関係を示す線図である。

【図４】（Ａ）は磁化トラックが設けられた磁気記録層
表面の磁化状態を示す図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＡ−
Ａ線断面図である。

【図５】ウェブスパッタ装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１０磁気テープ１４支持体１５下地層１６磁気記録層１８保護層２０潤滑膜１００カートリッジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長尾信神奈川県小田原市扇町２町目12番１号富士写真フイルム株式会社内Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA26 BC06 BD11 CA05 DC04 5D006 BB01 BB07 CB01 DA08 EA03 FA09 5D112 AA02 AA05 AA22 BA01 BB01 FA04 FB02 5E049 AA00 BA06 GC02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可とう性非磁性支持体の一方の面に、希土
類遷移金属合金からなり且つ膜面に対して垂直方向の保
磁力が１５００Ｏｅ〜４０００Ｏｅの範囲にある磁気記
録層を形成した磁気テープ。
【請求項２】請求項１に記載の磁気テープを製造する磁
気テープの製造方法であって、可とう性非磁性支持体の一方の面に、希土類遷移金属合
金をターゲットとしたスパッタリングにより、該ターゲ
ットと略同じ組成の希土類遷移金属合金からなる磁気記
録層を形成して、磁気テープを製造する磁気テープの製造方法。