TW201327706A - 基板處理裝置及基板處理系統 - Google Patents
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Abstract
本發明是涉及一種基板處理裝置及基板處理系統，更詳細地說是將離子束照射到基板上來執行基板處理的基板處理裝置及具有該裝置的基板處理系統。本發明揭露的基板處理裝置，包括：處理室，設置有移送安置有一個以上的基板的托盤的移送路徑；離子束照射部，設置於該移送路徑的上側，向設定於該移送路徑的離子束照射區域照射從離子束源中發射的離子束，從而使該托盤在位於該離子束照射區域時，對基板表面照射該離子束；以及束阻斷部，設置於該移送路徑的下側，從而使該托盤在不位於該離子束照射區域時，防止該離子束直接照射到該處理室上。
Description
本發明涉及一種基板處理裝置，更詳細地說是將離子束照射到基板上來執行基板處理的基板處理裝置及具有該基板處理裝置的基板處理系統。
在半導體、液晶顯示面板用玻璃基板、太陽能電池基板中形成半導體區域，即，形成pn接合構造的方法有熱擴散法及離子注入法。
但是，通過熱擴散法注入不純物的情況下，蒸鍍為了注入不純物的POCl3時，由於不能形成均勻地摻雜，因此製程均勻度會低下，且在使用POCl3的情況下，由於去除蒸鍍後在基板表面上作為副產物形成的PSG膜及去除側面半導體構造(Edge isolation)等製程複雜，且整個處理時間變長，因此存在生產性低的問題。
與其相比，離子注入法是將離子束直接照射到基板上並注入，因此與熱擴散法相比，其控制變得容易並且可以精密地注入不純物。因此，近期被廣泛使用。
另一方面，如上所述之為了對基板表面照射離子的基板處理裝置一般為：離子束源和向密閉的處理空間內設置的工作臺上安置的基板照射從離子束源發射的離子束，從而使基板上照射離子的構成。
但是，如上所述習知的基板處理裝置，因為僅通過單一的離子束源執行離子照射程序，因此會存在離子照射圖案上受到限制，且很難大量處理離子照射的問題。
此外，為了執行多種圖案的離子照射程序，需要通過多個基板處理裝置來執行，因此會存在其處理複雜、裝置昂貴且裝置佔有的空間變大的問題。
此外，習知的基板處理裝置是在固定住基板的狀態下，移動離子束來形成離子注入，從而導致離子注入後的更換基板、為移動離子束的裝置等的裝置變得複雜、且消耗大量的處理時間，因此存在生產性低的問題。
為了解決如上所述的問題，本發明的目的在於提供一種基板處理裝置及具有其的基板處理系統，通過移送安置有基板的托盤來對基板照射離子束，以執行離子照射程序，由此提高生產性的同時，可以防止處理室因離子束的照射出現蒸發現象所引起的基板的污染。
本發明是為了達成如上所述的目的而創作，本發明揭露一種基板處理裝置，包括：一處理室，設置有移送一安置有一個以上的基板的托盤的一移送路徑；一離子束照射部，設置於該移送路徑的上側，向設定於該移送路徑的一離子束照射區域照射從一離子束源中發射的一離子束，從而使該托盤在位於該離子束照射區域時，對一基板表面照射該離子束；以及一束阻斷部，設置於該移送路徑的下側，從而使該托盤在不位於該離子束照射區域時，防止該離子束直接照射到該處理室上。
其中該束阻斷部是由一單一的阻斷部件所構成。
其中，該束阻斷部設置有複數個阻斷部件，以覆蓋該處理室的內側底表面，該等阻斷部件在與接合的阻斷部件連接的部分上形成有臺階，進而防止該處理室本體由該等阻斷部件連接的部分暴露於該離子束中。
其中，該束阻斷部包括：照射到該離子束之一個以上的上板部；以及結合於該上板部的一底表面而冷卻該上板部之一個以上的冷卻部。
其中，該上板部包括：一金屬材質的基體；於該基體上形成的一非金屬層；以及塗在該非金屬層上的一電傳導性材質的塗層。
其中該上板部的材質為鋁、鋁合金、石墨、碳素強化纖維、碳纖維複合材料及碳化矽中的任意一個材質。
其中該上板部由一包含矽的塗層物質進行塗層。
其中，該上板部，設置為多個，以覆蓋該冷卻部的上表面，該等上板部在與接合的上板部連接的部分上形成有臺階，從而防止該冷卻部由該等上板部連接的部分而暴露於該離子束中。
其中該上板部藉由其所形成的一貫通孔，並通過一螺栓與該冷卻部結合，並由與該上板部同一材質的一帽部來覆蓋該貫通孔，從而防止該螺栓
暴露到上側。
其中該離子束照射部與該移送路徑之間進一步設置有一具有一個以上孔洞的遮罩，從而使部分的該離子束照射到該基板表面上。
其中該束阻斷部係設置於該移送路徑與該處理室的該內側底表面之間或者係設置於該處理室的該內側底表面之上。
其中該束阻斷部具有比該離子束照射區域更大的上表面。
其中該束阻斷部的該上表面形成有複數個凹凸，從而對照射到該束阻斷部的上表面的該離子束進行散射。
其中該束阻斷部至少形成該處理室的底表面的一部分，或者至少形成構成該處理室的該底表面的一牆體的一部分。
此外，本發明揭露一種基板處理系統，包括：一處理模組，包含依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置；一裝載鎖定模組，結合於該處理模組的一側，由內部壓力以大氣壓及真空壓交替轉換來從外部接收一安置有一個以上基板的托盤，並將該托盤傳達到該處理模組中；以及一卸載鎖定模組，結合於該處理模組的另一側，由內部壓力以大氣壓及真空壓交替轉換來從該處理模組接收該托盤並向外部排出。
根據本發明的基板處理裝置及基板處理系統，於移送安置有一個以上的基板的所述托盤的同時，執行對基板的離子照射程序，由此提高生產性的同時，在處理室的內壁，特別是底表面上進一步設置束阻斷部，來防止離子束的直接照射，因此具有可以防止，在不存在托盤時，處理室在真空壓下，因離子束的照射出現蒸發引起的基板的污染的優點。
此外，根據本發明的基板處理裝置及具有其的基板處理系統，由於從離子束中保護了處理室，因此具有延長了處理室的壽命，且具有由顯著降低維護費用而降低裝備總成本的優點。
下面參照附圖對根據本發明的基板處理裝置及具有該裝置的基板處理系統，進行詳細地說明。
根據本發明的基板處理系統，如第1圖所示，包括：處理模組1；裝
載鎖定模組2，結合於處理模組1的一側；卸載鎖定模組3，結合於處理模組1的另一側。
處理模組1包括後述的基板處理裝置的構成，作為對基板執行離子照射處理的構成，可以為多種的構成。
裝載鎖定模組2係結合於處理模組1的一側，由內部壓力以大氣壓及真空壓交替轉換來從外部接收安置有一個以上基板10的托盤20，並將托盤20傳達到處理模組1中的構成，且作為上述構成可以為多種。
卸載鎖定模組3係結合於處理模組1的另一側，由內部壓力以大氣壓及真空壓交替轉換來從處理模組1接收托盤20並向外部排出的構成，且作為上述的構成可以為多種。
卸載鎖定模組3除了將結束處理的托盤20排出到外部而轉換壓力以外，還可以進一步設置冷卻裝置，其在處理模組1中冷卻從處理模組1傳達過來之安置在托盤20上的基板10。
另一方面，在處理模組1中注入離子的基板，為了完成不純物注入程序而需要進行熱處理，因此可以進一步設置熱處理模組(未圖示)，該熱處理模組結合於卸載鎖定模組3，且對從卸載鎖定模組3傳達過來之托盤20上的基板10進行熱處理。
該熱處理模組構成為對從卸載模組3傳達過來之層疊有於處理模組1中完成離子注入的基板10的托盤20執行熱處理，可以為多種的構成。
由該熱處理模組執行的熱處理是根據對注入離子後的基板10所要求的條件來決定溫度、壓力、熱處理時間等。
另一方面，可以進一步設置緩衝模組(第一緩衝模組及第二緩衝模組)，分別在裝載鎖定模組2與處理模組1間、處理模組1與卸載鎖定模組3間，臨時儲存移送過來的托盤20並使內部壓力維持在大氣壓與處理模組1的處理壓之間的壓力。
第一緩衝模組為：將內部壓力維持在大氣壓與處理模組1的處理壓之間，例如，以維持處理模組1的處理壓的狀態，接收從裝載鎖定模組2傳導過來的托盤20並臨時儲存的構成；第二緩衝模組為：將內部壓力維持在大氣壓與處理模組1的處理壓之間，例如，以維持處理模組1的處理壓的狀態，向卸載鎖定模組3傳達托盤的構成，可以為多種的構成。
尤其是，該第一緩衝模組及第二緩衝模組可以防止在裝載鎖定模組2及卸載鎖定模組3中的壓力轉換及托盤交換變慢時所導致之處理模組不執行程序並待機等延緩整體處理的問題。
另一方面，裝載鎖定模組2及卸載鎖定模組3在設置第一緩衝模組及第二緩衝模組時，裝載鎖定模組2、卸載鎖定模組3、第一緩衝模組及第二緩衝模組(熱處理模組同樣)上可以設置支援托盤20底表面的一部分並藉由旋轉來移動托盤的多個移送滾輪31、以及對各移送滾輪31中的至少一部分進行旋轉驅動的旋轉驅動部(未圖示)。
另一方面，未在第1圖中說明的元件符號510、520、530及540分別是指開關各個閘門的閥門。
以下，對根據本發明的基板處理裝置進行詳細地說明。
如第1圖至第4b圖所示，根據本發明的基板處理裝置，包括：處理室100，設置有移送安置有一個以上基板10的托盤20的移送路徑30；離子束照射部300，設置於移送路徑30的上側，向設定於移送路徑30的離子束照射區域照射從離子束源(未圖示)中發射的離子束，在托盤20位於離子束照射區域時，對基板表面照射離子束；束阻斷部400，設置於移送路徑30的下側，防止離子束直接照射到處理室100上。
此處，作為處理物件的基板10可以為半導體基板、液晶顯示面板用玻璃基板甚至可以為太陽能電池用基板。
特別是，根據本發明的基板處理裝置中作為基板處理對象的基板10優較佳太陽能電池用矽基板，此時，通過離子束照射部300照射的離子束可成為在基板10的表面形成一個以上的半導體區域的離子。
此外，該基板處理物件為太陽能電池用矽基板時，在基板10表面形成的半導體區域可以為選擇性發射極(Selective Emitter)或形成指叉狀背面電極(Interdigitated Back Contact)的n型半導體區域及p型半導體區域。
托盤20作為裝載一個以上的基板10並移送的構成，可以為多種的構成。
作為一例，托盤20只要是可以穩定地支持基板10的材質，可以為任何的構成。
作為一例，托盤20只要是可以穩定地支持基板10的材質，可以為任
何的構成，平面形狀可以為直四角形形狀，此時基板10可以由直四角形的n×m排列安置。
處理室100作為為了形成可以通過離子束照射部300向基板10注入離子的環境及形成托盤20的移送路徑30的構成，可以為多種的構成。
處理室100作為一例，其構成可以包括：相互可拆卸地結合並形成密閉的處理空間S的處理室本體110及上部蓋120。
在處理室本體110上可以形成有為了使托盤20出入一個以上的閘門(第一閘門111、第二閘門112)，且為了控制處理空間S內的排氣及壓力控制，可以與排氣系統相連接。在此，第一閘門111在移送路徑30的一端，可以形成導入托盤20；第二閘門112在移送路徑30的另一端，可以形成排出托盤20。
另一方面，在處理室本體110中設置的移送路徑30構成為在處理室100內移送托盤20，只要是在處理室100內能夠移送托盤20的構成，可以為任何的構成。
如第1圖所示，移送路徑30可以構成為沿著形成在處理室本體110中的第一閘門111及第二閘門112來移送托盤20，作為其一例的構成可以包括：多個移送滾輪31，配置在第一閘門111及第二閘門112之間，支援托盤20的部分底表面並通過旋轉來移送托盤20；旋轉驅動部(未圖示)，對移送滾輪31中的至少一部分進行旋轉驅動。
此處，移送路徑30是指在處理室100內的托盤20的移送路徑，其中不需要所有都為物理構成，滾筒等部分構成為物理構成即可。
此外，移送路徑30中設置離子束照射區域，在托盤20移送到特定位置時，對安置的基板10照射離子束。
該離子束源構成為將可離子化的氣體進行離子化以形成離子束，可以為多種的構成。此處，該離子束源可以與氣體供給裝置連接，由此來持續性地提供可離子化的氣體。
離子束照射部300與離子束源連接並設置於處理空間S內的移送路徑30的上側，將離子束源中發射的離子束照射到沿著移送路徑30移送到的基板10表面。
尤其是，離子束照射部300在引導離子束源中發射的離子束的同時，
控制離子束的強度及濃度，從而在移送到的基板10表面形成適合基板10表面離子注入的照射區域。
此處，離子束照射部300構成為比起對移送路徑30整體照射離子束，僅對部分區域，即，在離子束照射區域內照射離子束。
另一方面，處理室100可以在離子束的照射路徑，即，離子束照射部300及托盤20的移送路徑30之間，進一步設置具有一個以上孔洞的遮罩310，從而使離子束的一部分照射到基板的表面。
遮罩310構成為設置在可以照射離子束的照射路徑上，在部分區域中阻斷離子束的照射，使基板10表面上至少只在部分區域中注入離子，可以為多種的構成。
作為一例，遮罩310可以包括一個以上的開放部311，只開放與基板10表面上會照射離子的部分區域相應的部分。
此外，遮罩310的材質，考慮到離子束的持續性照射，較佳使用穩定且具有耐熱性例如石墨的材質。
此外，遮罩310可以由設置於處理室100中的支援框架340而支持並設置。
另一方面，根據本發明的基板處理裝置中，與移送路徑30中的離子束照射區域中有無托盤20無關，離子束是持續性照射的。
此時，在離子束照射區域中存在托盤20時，因為形成對基板10的離子束照射程序，從而不存在什麼問題，但是托盤20不存在時，會通過移送路徑30照射到處理室100的內壁上。
此外，處理室100在有高溫的離子束直接照射到內壁時，隨著處理室100過熱所引起的對程序的影響、處理室100的變形、真空壓下的處理室100的蒸發現象，會導致使發射基板表面污染等程序不穩定或者損傷處理室100而縮短處理室100的壽命或者需要維護等問題。
因此，根據本發明的基板處理裝置，進一步包括束阻斷部400，用於防止離子束直接照射到處理室100上。
此外，束阻斷部400構成為設置於移送路徑30的下側來防止離子束直接照射到處理室100，可以設置於移送路徑30與處理室100的內側底表面之間，或如第1圖所示，設置於處理室100的內側底表面。
此時，束阻斷部400只要是設置於移送路徑30的下側，來防止離子束直接照射處理室100的構成，可以為任何的構成。
此外，束阻斷部400為了充分防止離子束照射到處理室100上，較佳具有比離子束的照射區域更大的上表面。
此外，束阻斷部400的上表面，如第1圖、第3圖及第4b圖所示，可以形成多個凹凸413，從而對照射到的離子束進行散射。
多個凹凸413可以將照射到束阻斷部400的離子束進行散射，從而能夠最小化離子束照射所引起的束阻斷部400的溫度上升並可以遏制蒸發效果。
多個凹凸413只要是可以散射離子束的構成，可以為任何的構成，其上端為直線形狀並與平面形狀為直四角形的束阻斷部400的一邊平行，或可以具有圓錐、角錐、大圓錐、大角錐、半球形等多種的形狀。
例如，如第4b圖所示，多個凹凸413可以具有金字塔形狀。
與此同時，多個凹凸413的上端為直線形狀並與平面形狀為直四角形的束阻斷部400的一邊平行時，可為與托盤20前進的方向平行或者垂直或者斜線等多種形狀。
此外，束阻斷部400可以在處理室100的內側底表面上的離子束照射到的區域由其他的部件設置，或部分改質為耐離子束或耐高溫的物性，或由具有耐離子束或耐高溫的物性物質塗層等，可構成為多種。
作為更加具體的例子，束阻斷部400可以由單一的部件構成，或如第2圖至第4b圖所示，可以包括照射到離子束的一個以上的上板部410、以及結合於上板部410的底表面，來冷卻上板部410的一個以上的冷卻部420。
上板部410較佳使用可以為鋁、鋁合金、石墨、碳素強化纖維(carbon reinforced fiber)、碳纖維複合材料(carbon composite)及碳化矽(SiC)等耐離子束的材質。此處，上板部410相比於金屬材質更佳為使用非金屬材質。
例如，上板部410可以包括鋁、鋁合金等的金屬材質的基體(未圖示)、形成在基體上的非金屬層以及塗層於非金屬層上具有電傳導性的塗層。此處，基體也可以使用非金屬材質，電傳導性材質的塗層較佳為包含矽(Si)的物質。
此外，上板部410可以具有石墨及SiC中的任意一種材質。此時，上板部410較佳由包含Si的塗層物質進行塗層。
另一方面，上板部410與後述的冷卻部是另外的部件構成，從而在冷卻部420上與其無任何結合地放置或與其通過螺栓、焊接等機械結合等，可以與冷卻部420以多種的形態結合。
此處，上板部410與冷卻部420結合時，上板部410在其底表面邊緣位置向下側延長，形成延長部來包裹冷卻部420的側面，並由螺栓在側面貫通延長部來使上板部410與冷卻部420相結合。
如上所述，通過上板部410的延長部的側面使上板部410與冷卻部420結合時，為了結合上板部410與冷卻部420的螺栓不會暴露於離子束中。在此，螺栓暴露於離子束時，金屬材質的螺栓上發生蒸發(evaporation)現象，從而導致出現污染基板10的問題。
另一方面，上板部410及冷卻部420可以以多樣的形態結合，通過螺栓結合上板部410及冷卻部420來使其形成堅固的結合的同時，可以通過覆蓋帽部，來使螺栓不暴露到上側。
即，如第3圖、第4a圖及第4b圖所示，上板部410可以形成貫通孔414，並通過螺栓430與冷卻部420相結合，並可以由與上板部410同一材質的帽部415來覆蓋貫通孔414以防止螺栓430暴露到上側。
由如上所述構成，可以不暴露螺栓430的同時，使上板部410及冷卻部420堅固地結合，由此可以更有效地冷卻被離子束照射的上板部410。
另一方面，上板部410如第4b圖所示，可以為覆蓋冷卻部420上表面的設置而設置多個。
如上所述，上板部410由多個構成時，出現部分損傷時，只需要替換損傷部分的上板部410，由此可以減少維護費用。
此時，離子束通過多個上板部410連接的部分，向冷卻部420洩漏，從而在金屬材質的冷卻部420上發生蒸發現象，進而會污染基板10，因此為了防止冷卻部420暴露於離子束，較佳在與接合的上板部410連接的部分形成臺階411、臺階412。
如上所述，由於多個上板部410在連接的部分上形成臺階411、臺階412來接合，因此可以防止冷卻部420暴露於離子束中，進而防止冷卻部
420的損傷。
此處，如上所述，多個上板部410接合的部分上形成臺階的構成，在束阻斷部400不是由上板部和冷卻部，而是由單一的阻斷部件(未圖示)覆蓋處理室100的內側底表面構成時，由多個阻斷部件來設置的情況下，也同樣可以適用。
即，束阻斷部400設置多個阻斷部件來覆蓋處理室100的內側底表面，多個阻斷部件與接合的阻斷部件的連接部分可以形成臺階，以防止處理室100通過多個阻斷部件的連接部分暴露於離子束中。
此外，阻斷部件的上表面可以由包含Si的物質塗層。
另一方面，如上所述，上板部410可以形成多個凹凸413，從而對照射到的離子束進行散射來最小化因離子束照射所引起的溫度上升並遏制蒸發效果。
與此同時，上板部410除了如上所述的構造外，冷卻部420的上表面可以由包含Si的物質塗層來形成。
冷卻部420構成為結合於照射到高溫的離子束的上板部410的底表面，冷卻通過離子束照射而被加熱的上板部410，只要是可以冷卻上板部410的構成，可以為任何的構成。
此時，為了準確地控制冷卻部420，較佳在上板部410設置測量其溫度的溫度感測器(未圖示)。但是，由於通過實驗可以實現適當地溫度控制，且可以實現對內部溫度測量的間接溫度測量，因此溫度感測器不是必須的構成。
冷卻部420作為一例，如第4a圖及第4b圖所示，可構成為其內部形成有流動製冷劑的製冷劑流路421，製冷劑流路421與設置於外部的製冷劑循環裝置相連接，通過循環來冷卻上板部410。
如上所述，通過束阻斷部400的構成，在離子束照射的照射區域中不存在托盤20時，防止對處理室100的直接照射來防止處理室100的過熱以防止蒸發所導致之對基板的污染，由此可以實現更加良好的基板處理。
另一方面，束阻斷部400雖然以與處理室100獨立的構成來進行說明，但束阻斷部400可以至少形成處理室100的底表面的一部分，或至少形成構成處理室100的底表面的牆體的一部分。
即，構成處理室100底表面的牆體，即，形成底表壁與具有如上所述構成的束阻斷部400的一部分結合的狀態來構成等，可以為各式的構成。
以上僅為根據本發明可實現的較佳實施例的一部分進行的說明，眾所周知，本發明的範圍應當解釋為不限於上述實施例，本發明的範圍應當解釋為包括上述說明的本發明的技術性思想及其要旨相關的技術性思想。
1‧‧‧處理模組
2‧‧‧裝載鎖定模組
3‧‧‧卸載鎖定模組
10‧‧‧基板
20‧‧‧托盤
30‧‧‧移送路徑
31‧‧‧移送滾輪
100‧‧‧處理室
110‧‧‧處理室本體
111‧‧‧第一閘門
112‧‧‧第二閘門
120‧‧‧上部蓋
300‧‧‧離子束照射部
310‧‧‧遮罩
311‧‧‧開放部
340‧‧‧支援框架
400‧‧‧束阻斷部
410‧‧‧上板部
411‧‧‧臺階
412‧‧‧臺階
413‧‧‧凹凸
414‧‧‧貫通孔
415‧‧‧帽部
420‧‧‧冷卻部
421‧‧‧製冷劑流路
430‧‧‧螺栓
510‧‧‧閥門
520‧‧‧閥門
530‧‧‧閥門
540‧‧‧閥門
S‧‧‧處理空間
第1圖是表示根據本發明之基板處理系統的概念圖；第2圖是表示第1圖基板處理裝置的處理室內，托盤移動的部分平面圖；第3圖是表示第1圖基板處理裝置的處理室內設置的束阻斷部的一例的平面圖；以及第4a圖及第4b圖分別是表示第3圖中IV-IV方向及B-B方向的截面的截面圖。
1‧‧‧處理模組
2‧‧‧裝載鎖定模組
3‧‧‧卸載鎖定模組
10‧‧‧基板
20‧‧‧托盤
30‧‧‧移送路徑
31‧‧‧移送滾輪
100‧‧‧處理室
110‧‧‧處理室本體
111‧‧‧第一閘門
112‧‧‧第二閘門
120‧‧‧上部蓋
300‧‧‧離子束照射部
310‧‧‧遮罩
340‧‧‧支援框架
400‧‧‧束阻斷部
510‧‧‧閥門
520‧‧‧閥門
530‧‧‧閥門
540‧‧‧閥門
S‧‧‧處理空間
Claims (22)
- 一種基板處理裝置，包括：一處理室，設置有移送一安置有一個以上的基板的托盤的一移送路徑；一離子束照射部，設置於該移送路徑的上側，向設定於該移送路徑的一離子束照射區域照射從一離子束源中發射的一離子束，從而使該托盤在位於該離子束照射區域時，對一基板表面照射該離子束；以及一束阻斷部，設置於該移送路徑的下側，從而使該托盤在不位於該離子束照射區域時，防止該離子束直接照射到該處理室上。
- 依據申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中該束阻斷部是由一單一的阻斷部件所構成。
- 依據申請專利範圍第2項所述的基板處理裝置，其中，該束阻斷部設置有複數個阻斷部件，來覆蓋該處理室的內側底表面，該等阻斷部件在與接合的阻斷部件連接的部分上形成有臺階，進而防止該處理室本體由該等阻斷部件連接的部分暴露於該離子束中。
- 依據申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中，該束阻斷部包括：照射到該離子束的一個以上的上板部；以及結合於該上板部的一底表面而冷卻該上板部的一個以上的冷卻部。
- 依據申請專利範圍第1項所述的基板處理裝置，其中，該上板部包括：一金屬材質的基體；於該基體上形成的一非金屬層；以及塗在該非金屬層上的一電傳導性材質的塗層。
- 依據申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中該上板部的材質為鋁、鋁合金、石墨、碳素強化纖維、碳纖維複合材料及碳化矽中的任意一個材質。
- 依據申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置，其中該上板部由一包含矽的塗層物質進行塗層。
- 依據申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中，該上板部，設置為多個，以覆蓋該冷卻部的上表面，該等上板部在與接合的上板部連接的部分上形成有臺階，從而防止該冷卻部由該等上板部連接的部分而暴露於該離子束中。
- 依據申請專利範圍第4項所述的基板處理裝置，其中該上板部藉由其所形成的一貫通孔，並通過一螺栓與該冷卻部結合，並由與該上板部同一材質的一帽部來覆蓋該貫通孔，從而防止該螺栓暴露到上側。
- 依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置，其中該離子束照射部與該移送路徑之間進一步設置有一具有一個以上孔洞的遮罩，從而使部分的該離子束照射到該基板表面上。
- 依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置，其中該束阻斷部設置於該移送路徑與該處理室的該內側底表面之間或者設置於該處理室的該內側底表面之上。
- 依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置，其中該束阻斷部具有比該離子束照射區域更大的上表面。
- 依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置，其中該束阻斷部的該上表面形成有複數個凹凸，從而對照射到該束阻斷部的上表面的該離子束進行散射。
- 依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置，其中該束阻斷部至少形成該處理室的底表面的一部分，或者至少形成構成該處理室的該底表面的一牆體的一部分。
- 依據申請專利範圍第14項所述的基板處理裝置，其中該束阻斷部的上表面形成有複數個凹凸，從而對照射到該束阻斷部的該上表面的該離 子束進行散射。
- 一種基板處理系統，包括：一處理模組，包括依據申請專利範圍第1項至第9項中任意一項所述的基板處理裝置；一裝載鎖定模組，結合於該處理模組的一側，由內部壓力以大氣壓及真空壓交替轉換來從外部接收一安置有一個以上基板的托盤，並將該托盤傳達到該處理模組中；以及一卸載鎖定模組，結合於該處理模組的另一側，由內部壓力以大氣壓及真空壓交替轉換來從該處理模組接收該托盤並向外部排出。
- 依據申請專利範圍第16項所述的基板處理系統，其中該離子束照射部與該移送路徑之間進一步設置有一具有一個以上孔洞的遮罩，從而使部分的該離子束照射到該基板表面上。
- 依據申請專利範圍第16項所述的基板處理系統，其中該束阻斷部設置於該移送路徑與該處理室的該內側底表面之間或者設置於該處理室的該內側底表面之上。
- 依據申請專利範圍第16項所述的基板處理系統，其中該束阻斷部具有比該離子束照射區域更大的上表面。
- 依據申請專利範圍第16項所述的基板處理系統，其中該束阻斷部的該上表面形成有複數個凹凸，從而對照射到該束阻斷部的上表面的該離子束進行散射。
- 依據申請專利範圍第16項所述的基板處理系統，其中該束阻斷部至少形成該處理室的底表面的一部分，或者至少形成構成該處理室的該底表面的一牆體的一部分。
- 依據申請專利範圍第21項所述的基板處理系統，其中該束阻斷部 的上表面形成有複數個凹凸，從而對照射到該束阻斷部的該上表面的該離子束進行散射。
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