JP2002155358A - イオンシャワー装置 - Google Patents

イオンシャワー装置

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JP2002155358A
JP2002155358A JP2000350067A JP2000350067A JP2002155358A JP 2002155358 A JP2002155358 A JP 2002155358A JP 2000350067 A JP2000350067 A JP 2000350067A JP 2000350067 A JP2000350067 A JP 2000350067A JP 2002155358 A JP2002155358 A JP 2002155358A
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JP
Japan
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chamber
thin film
ion
shower device
ion shower
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JP2000350067A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Horai
寛 宝来
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IHI Corp
Original Assignee
IHI Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の信頼性が高く、メンテナンスが容易な
イオンシャワー装置を提供する。 【解決手段】 イオンビーム3の照射により金属薄膜1
3に発生したパーティクルがチャージアップによりガラ
ス基板5側に舞い上がる前に巻取り軸12を回転させて
金属薄膜を巻取ることにより、チャンバ2の底板が新し
い金属薄膜13で覆われると共にパーティクルが発生し
た古い金属薄膜13が巻き取られる。このため、ロール
状の金属薄膜13を交換する時以外にチャンバ2を大気
開放する必要がなくなり、メンテナンスが容易となり、
装置の信頼性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、イオンシャワー装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、テレビジョン、パソコン、ビデオ
カメラ等に液晶パネルが多用されるようになってきた。
これは液晶パネルは消費電力が少なく、軽量で、しかも
薄いためである。
【0003】液晶パネルは、主にTFT(Thin F
ilm Transistor)が形成されたガラス基
板と、透明全面電極が形成されたガラス基板とで液晶を
挟む構造を有している。
【0004】ここで、ガラス基板上にTFTを形成する
にはイオンシャワー装置が必要である。
【0005】図3は従来のイオンシャワー装置の概念図
である。
【0006】このイオンシャワー装置1は、チャンバ2
と、チャンバ2内の上部に設けられシャワー状のイオン
ビーム3を下方に出射するイオン源4と、チャンバ2内
の下部に設けられガラス基板5を水平(矢印6方向)に
往復移動させるプロセス室7とで構成されている(ビー
ム打ち下ろしタイプ)。尚、ガラス基板5を水平に往復
移動させるのは、ガラス基板5の面積が開発初期に比べ
て大型化(十数型)しており、しかもイオンビーム3の
断面積より大きいためである。
【0007】このようなイオンシャワー装置1に、予め
Si薄膜が形成されたガラス基板5を配置し、イオン源
4からリンP(あるいはボロンB)のイオンを下方に打
ち込むことでSi薄膜がドーピングされトランジスタが
形成されるようになっている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図3に示し
た従来のイオンシャワー装置1はイオンビーム3の照射
範囲が限られており、ガラス基板5を水平に往復移動さ
せていたので、ガラス基板5が破線で示す位置に移動
し、影になっていた部分が露出してイオンビーム3に直
接照射されるとイオンシャワー装置1が傷んでしまう。
このため、チャンバ2の底面に厚さ1mm程度のステン
レス板からなる防着板8をネジ等で取付けてチャンバ1
の内面を保護していた。
【0009】しかしながら、長時間のビーム照射によ
り、防着板8の表面にイオンの膜が付着し、それが剥離
してパーティクルが発生することによりガラス基板5を
用いた液晶パネルの性能を低下させる原因となる。特
に、ビーム打ち下ろしタイプのイオンシャワー装置はビ
ームがチャンバ内面を直撃するため、パーティクルがチ
ャージアップしてガラス基板5の処理面付近に飛散する
ことにより、処理基板(Si薄膜が形成されたガラス基
板)5へのイオン注入処理を妨げるおそれがある。この
ため、防着板8を定期的に交換しなければならず、防着
板8の交換の度にチャンバ2を大気開放しなければなら
ないので、メンテナンスが面倒であるという問題があっ
た。
【0010】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、装置の信頼性が高く、メンテナンスが容易なイオン
シャワー装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のイオンシャワー装置は、チャンバ内で水平に
往復移動する基板に上方からシャワー状のイオンビーム
を照射するイオンシャワー装置において、チャンバの下
部の一方の片隅に水平に配置された供給軸と、チャンバ
の底部の他方の片隅に該供給軸と平行に配置された巻取
り軸と、予め供給軸に巻かれており、チャンバの底面と
基板との間で底面を覆うように引き出された後巻取り軸
に巻き取られる金属薄膜とを備えたものである。
【0012】上記構成に加え本発明のイオンシャワー装
置の巻取り軸はチャンバの側壁に設けられた真空シール
部を貫通して回転手段に接続されているのが好ましい。
【0013】上記構成に加え本発明のイオンシャワー装
置の回転手段はハンドルであってもよい。
【0014】上記構成に加え本発明のイオンシャワー装
置の回転手段はギヤードモータであってもよい。
【0015】本発明によれば、イオンビームの照射によ
り金属薄膜に発生したパーティクルがチャージアップに
より基板側に舞い上がる前に巻取り軸を回転させて金属
薄膜を巻取ることにより、チャンバの底板が新しい金属
薄膜で覆われると共にパーティクルが発生した古い金属
薄膜が巻き取られる。このため、ロール状の金属薄膜を
交換する時以外にチャンバを大気開放する必要がなくな
り、メンテナンスが容易となり、装置の信頼性が向上す
る。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
【0017】図1は本発明のイオンシャワー装置の一実
施の形態を示す概念図であり、図2は図1に用いられる
金属薄膜の外観斜視図である。尚、図3に示した従来例
と同様の部材には共通の符号を用いた。
【0018】このイオンシャワー装置10は、チャンバ
2と、チャンバ2内の上部に設けられシャワー状のイオ
ンビーム3を下方に出射するイオン源4と、チャンバ2
内の下部に設けられガラス基板5を水平(矢印6方向)
に往復移動させるプロセス室7と、プロセス室7の底部
の一方(図1では左側)の片隅に水平に配置された供給
軸11と、プロセス室7の底部の他方(図1では右側)
の片隅に供給軸11と平行に配置された巻取り軸12
と、予め供給軸11に巻かれており、チャンバ2の底面
とガラス基板5との間でチャンバ2の底面を覆うように
引き出された後、巻取り軸12に巻き取られる金属薄膜
13とで構成されている。
【0019】巻取り軸12はチャンバ2の側壁に設けら
れた真空シール部(例えばOリング)14を介して外部
に露出し、図示しない回転手段に接続される。回転手段
としてはハンドルでもギヤードモータでもよい。
【0020】金属薄膜13としては例えば厚さ0.1m
m〜0.5mmのステンレス板が好ましい。
【0021】このように構成したことで、イオンビーム
3の照射により金属薄膜13に発生したパーティクルが
チャージアップによりガラス基板5側に舞い上がる前に
巻取り軸12を矢印15方向に回転させて金属薄膜13
を巻取ることにより、チャンバ2の底面が新しい金属薄
膜13で覆われると共に、パーティクルが発生した古い
金属薄膜13が巻き取られる。このため、ロール状の金
属薄膜13を交換する時以外にチャンバ2を大気開放す
る必要がなくなり、メンテナンスが容易となり、装置の
信頼性が向上する。
【0022】尚、金属薄膜13の交換(巻取り)時期に
ついては、一定時期ごとであってもよく、アーキング
(イオンシャワー照射時の電流の急激な減少)が発生し
てからでもよい。
【0023】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
【0024】装置の信頼性が高く、メンテナンスが容易
なイオンシャワー装置の提供を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のイオンシャワー装置の一実施の形態を
示す概念図である。
【図2】図1に用いられる金属薄膜の外観斜視図であ
る。
【図3】従来のイオンシャワー装置の概念図である。
【符号の説明】
2 チャンバ 3 イオンビーム 4 イオン源 5 基板(ガラス基板) 11 供給軸 12 巻取り軸 13 金属薄膜 14 真空シール部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 チャンバ内で水平に往復移動する基板に
    上方からシャワー状のイオンビームを照射するイオンシ
    ャワー装置において、上記チャンバの下部の一方の片隅
    に水平に配置された供給軸と、上記チャンバの底部の他
    方の片隅に該供給軸と平行に配置された巻取り軸と、予
    め上記供給軸に巻かれており、上記チャンバの底面と上
    記基板との間で上記底面を覆うように引き出された後上
    記巻取り軸に巻き取られる金属薄膜とを備えたことを特
    徴とするイオンシャワー装置。
  2. 【請求項2】 上記巻取り軸は上記チャンバの側壁に設
    けられた真空シール部を貫通して回転手段に接続されて
    いる請求項1に記載のイオンシャワー装置。
  3. 【請求項3】 上記回転手段はハンドルである請求項2
    に記載のイオンシャワー装置。
  4. 【請求項4】 上記回転手段はギヤードモータである請
    求項2に記載のイオンシャワー装置。
JP2000350067A 2000-11-16 2000-11-16 イオンシャワー装置 Pending JP2002155358A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103177924A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及具有其的基板处理系统

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CN103177924A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及具有其的基板处理系统
JP2013134986A (ja) * 2011-12-23 2013-07-08 Wonik Ips Co Ltd 基板処理装置及びそれを有する基板処理システム
CN103177924B (zh) * 2011-12-23 2017-06-09 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及具有其的基板处理系统

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