JPH10242072A - レーザ導入用窓の汚染防止方法および汚染防止装置 - Google Patents
レーザ導入用窓の汚染防止方法および汚染防止装置Info
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- JPH10242072A JPH10242072A JP9062090A JP6209097A JPH10242072A JP H10242072 A JPH10242072 A JP H10242072A JP 9062090 A JP9062090 A JP 9062090A JP 6209097 A JP6209097 A JP 6209097A JP H10242072 A JPH10242072 A JP H10242072A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体から発生した蒸散物質による処
理効率の低下を防止する。 【解決手段】 レーザー導入用窓６の下部にイオン化装
置１２および軌道変更装置１３を設けることで、アニー
ル時に被処理体２から発生する多量の蒸散物質２ａが窓
６に向かって付着するのを阻止して、レーザー導入用窓
６が汚染されるのを防止する。 【効果】 レーザー導入用窓の汚れによる処理効率
の低下を防止でき、品質及びスループットを向上でき
る。
理効率の低下を防止する。 【解決手段】 レーザー導入用窓６の下部にイオン化装
置１２および軌道変更装置１３を設けることで、アニー
ル時に被処理体２から発生する多量の蒸散物質２ａが窓
６に向かって付着するのを阻止して、レーザー導入用窓
６が汚染されるのを防止する。 【効果】 レーザー導入用窓の汚れによる処理効率
の低下を防止でき、品質及びスループットを向上でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ処理装置に
おいて、被処理体から発生した蒸散物質によりレーザ導
入用窓が汚染されて処理効率が低下するのを効果的に防
止できるようにしたレーザ導入用窓の汚染防止方法およ
び汚染防止装置に関するものである。
おいて、被処理体から発生した蒸散物質によりレーザ導
入用窓が汚染されて処理効率が低下するのを効果的に防
止できるようにしたレーザ導入用窓の汚染防止方法およ
び汚染防止装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザアニール処理装置は、多結晶半導
体薄膜の製造等の各種用途に使用されており、例えば上
記製造に際しては、非晶質半導体薄膜にレーザ光を照射
して該薄膜を多結晶化している。このレーザアニール処
理装置の一例を示すと図３のとおりであり、以下にその
概略を説明する。このレーザアニール処理装置には、ア
ルミニウム製の真空チャンバ１０１と、この真空チャン
バ１０１内に設置された、被処理体１０２が載置される
載置台１０５と、前記真空チャンバ１０１の天井部１０
９に設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反射防止
膜（ＡＲコート）を形成したレーザ導入用窓１０６と、
このレーザ導入用窓１０６を通してレーザ光１０７を照
射するエキシマレーザ照射装置１０８とが設けられてい
る。なお、前記被処理体１０２は、絶縁基板１０３上に
非晶質半導体薄膜１０４を形成したものである。
体薄膜の製造等の各種用途に使用されており、例えば上
記製造に際しては、非晶質半導体薄膜にレーザ光を照射
して該薄膜を多結晶化している。このレーザアニール処
理装置の一例を示すと図３のとおりであり、以下にその
概略を説明する。このレーザアニール処理装置には、ア
ルミニウム製の真空チャンバ１０１と、この真空チャン
バ１０１内に設置された、被処理体１０２が載置される
載置台１０５と、前記真空チャンバ１０１の天井部１０
９に設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反射防止
膜（ＡＲコート）を形成したレーザ導入用窓１０６と、
このレーザ導入用窓１０６を通してレーザ光１０７を照
射するエキシマレーザ照射装置１０８とが設けられてい
る。なお、前記被処理体１０２は、絶縁基板１０３上に
非晶質半導体薄膜１０４を形成したものである。
【０００３】上記装置を用いたレーザアニール処理は次
の手順で行う。真空チャンバ１０１内を１０-2〜１０-6
Ｔｏｒｒの高真空とする（あるいはガス導入口１１０よ
り窒素ガスを充填する）。次に、レーザ照射部分１１１
が被処理体１０２の照射スタート点に位置するように設
置し、エキシマレーザ照射装置１０８からレーザ光１０
７を発生させる。レーザ光１０７は、レーザ導入用窓１
０６を通過して真空チャンバ１０１内に導入され、被処
理体１０２の表面に略垂直に照射される。これにより、
非晶質半導体薄膜１０４の多結晶化を行うことが出来
る。
の手順で行う。真空チャンバ１０１内を１０-2〜１０-6
Ｔｏｒｒの高真空とする（あるいはガス導入口１１０よ
り窒素ガスを充填する）。次に、レーザ照射部分１１１
が被処理体１０２の照射スタート点に位置するように設
置し、エキシマレーザ照射装置１０８からレーザ光１０
７を発生させる。レーザ光１０７は、レーザ導入用窓１
０６を通過して真空チャンバ１０１内に導入され、被処
理体１０２の表面に略垂直に照射される。これにより、
非晶質半導体薄膜１０４の多結晶化を行うことが出来
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、レーザ光１
０７を被処理体１０２の表面に照射すると、被処理体１
０２のレーザ照射部分１１１でアブレーション（ａｂｌ
ａｔｉｏｎ）が起こって蒸散物質１０２ａが発生し、図
４に示すように、あるエネルギと飛行軌道を持って蒸散
物質１０２ａが飛散する。このため、上記従来のレーザ
アニール処理装置では、蒸散物質がレーザ導入用窓１０
６のレーザ光通過部分に付着し、レーザ導入用窓１０６
を汚してしまう。そして、アニール処理を繰り返すこと
でレーザ導入用窓１０６の汚れが進むと、レーザ光１０
７の利用できるエネルギが減少してしまい、処理効率が
低下するという問題点がある。また、被処理体１０２で
反射された反射レーザ光がレーザ導入用窓１０６の汚れ
によって再反射されてしまい、被処理体１０２に再び照
射され、良好なアニール処理の妨げになるという問題点
がある。
０７を被処理体１０２の表面に照射すると、被処理体１
０２のレーザ照射部分１１１でアブレーション（ａｂｌ
ａｔｉｏｎ）が起こって蒸散物質１０２ａが発生し、図
４に示すように、あるエネルギと飛行軌道を持って蒸散
物質１０２ａが飛散する。このため、上記従来のレーザ
アニール処理装置では、蒸散物質がレーザ導入用窓１０
６のレーザ光通過部分に付着し、レーザ導入用窓１０６
を汚してしまう。そして、アニール処理を繰り返すこと
でレーザ導入用窓１０６の汚れが進むと、レーザ光１０
７の利用できるエネルギが減少してしまい、処理効率が
低下するという問題点がある。また、被処理体１０２で
反射された反射レーザ光がレーザ導入用窓１０６の汚れ
によって再反射されてしまい、被処理体１０２に再び照
射され、良好なアニール処理の妨げになるという問題点
がある。
【０００５】上記問題点を避けるために、真空チャンバ
１０１を開けてレーザ導入用窓１０６をクリーニングす
ることを頻繁に行えば、スループットが悪くなり、生産
コストが高くなってしまうという問題点がある。そこ
で、電場により蒸散物質の飛行軌道を偏向させ、または
吸着させることによりレーザ導入用窓の汚染を防止する
技術が提案されている（特開平５−２７９８４４号公
報）。しかし、アブレーションによる蒸散物質は、大半
は中性物質でイオンの占める割合は小さく、またイオン
として蒸散してもイオン状態の寿命は短いため、電場を
作用させても充分に飛行軌道を偏向させることができ
ず、よって蒸散物質の除去効果は小さく、レーザ導入用
窓の汚染を有効に防止できないという問題がある。本発
明は、上記事情を背景としてなされたものであり、その
目的は、レーザアニール処理装置において、被処理体か
ら発生した蒸散物質によるアニール処理効率の低下を有
効に防止することができるレーザ導入用窓の汚染防止方
法および防止装置を提供することにある。
１０１を開けてレーザ導入用窓１０６をクリーニングす
ることを頻繁に行えば、スループットが悪くなり、生産
コストが高くなってしまうという問題点がある。そこ
で、電場により蒸散物質の飛行軌道を偏向させ、または
吸着させることによりレーザ導入用窓の汚染を防止する
技術が提案されている（特開平５−２７９８４４号公
報）。しかし、アブレーションによる蒸散物質は、大半
は中性物質でイオンの占める割合は小さく、またイオン
として蒸散してもイオン状態の寿命は短いため、電場を
作用させても充分に飛行軌道を偏向させることができ
ず、よって蒸散物質の除去効果は小さく、レーザ導入用
窓の汚染を有効に防止できないという問題がある。本発
明は、上記事情を背景としてなされたものであり、その
目的は、レーザアニール処理装置において、被処理体か
ら発生した蒸散物質によるアニール処理効率の低下を有
効に防止することができるレーザ導入用窓の汚染防止方
法および防止装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明のうち第１の発明のレーザ導入用窓の汚染防止方
法は、容器内の被処理体に外部からレーザ導入用窓を通
してレーザ光を照射する際に、レーザ照射により被処理
体から発生した蒸散物質をイオン化するとともに、イオ
ン化された当該物質の飛行軌道を変えて蒸散物質による
レーザ導入用窓の汚染を防止することを特徴とする。第
２の発明のレーザ導入用窓の汚染防止方法は、第１の発
明において、蒸散物質のイオン化を、蒸散物質への紫外
光または電子の照射により行うことを特徴とする。第３
の発明は、第１または第２の発明において、飛行軌道の
変更が、偏向、追い返し、または偏向後吸着により行わ
れることを特徴とする。
本発明のうち第１の発明のレーザ導入用窓の汚染防止方
法は、容器内の被処理体に外部からレーザ導入用窓を通
してレーザ光を照射する際に、レーザ照射により被処理
体から発生した蒸散物質をイオン化するとともに、イオ
ン化された当該物質の飛行軌道を変えて蒸散物質による
レーザ導入用窓の汚染を防止することを特徴とする。第
２の発明のレーザ導入用窓の汚染防止方法は、第１の発
明において、蒸散物質のイオン化を、蒸散物質への紫外
光または電子の照射により行うことを特徴とする。第３
の発明は、第１または第２の発明において、飛行軌道の
変更が、偏向、追い返し、または偏向後吸着により行わ
れることを特徴とする。
【０００７】次に、第４の発明のレーザ導入用窓の汚染
防止装置は、密閉容器内に置かれた被処理体に外部から
レーザ導入用窓を通してレーザ光を照射する処理装置に
おいて、前記レーザ導入用窓と被処理体との間に、レー
ザ照射により被処理体から発生した蒸散物質をイオン化
するイオン化装置と、イオン化された当該物質の飛行軌
道を変える軌道変更装置とが配置されていることを特徴
とする。また、第５の発明のレーザ導入用窓の汚染防止
装置は、第４の発明において、処理装置が、エキシマレ
ーザを用いたレーザアニール処理装置であることを特徴
とする。
防止装置は、密閉容器内に置かれた被処理体に外部から
レーザ導入用窓を通してレーザ光を照射する処理装置に
おいて、前記レーザ導入用窓と被処理体との間に、レー
ザ照射により被処理体から発生した蒸散物質をイオン化
するイオン化装置と、イオン化された当該物質の飛行軌
道を変える軌道変更装置とが配置されていることを特徴
とする。また、第５の発明のレーザ導入用窓の汚染防止
装置は、第４の発明において、処理装置が、エキシマレ
ーザを用いたレーザアニール処理装置であることを特徴
とする。
【０００８】なお、本発明は、レーザ処理装置に適用さ
れるが、その中でもレーザアニール処理装置への適用に
向いており、特に多結晶シリコン薄膜の形成に用いるレ
ーザアニール処理装置への適用に向いている。これは、
この分野のレーザアニール処理装置では、広い面積の被
処理体にレーザー光を走査しつつ照射するため、レーザ
ー光の照射エネルギ変化が品質の均一性に大きく影響す
るため本発明の適用が特に有利となるためである。但
し、本発明としては、適用されるレーザ処理装置の種別
や使用分野が限定されるものではなく、レーザ導入用窓
を通してレーザの照射が行われ、その結果、レーザアブ
レーションにより導入用窓の汚染が生ずるものであれば
処理装置の内容に拘わらず適用価値があるものである。
なお、本発明が適用される装置におけるレーザ光の照射
手段の種別やレーザ光の波長、断面形状についても特に
限定されないが、本発明は、エキシマレーザを用いたラ
インビーム形状のレーザ照射を行う場合に好適である。
これは、エキシマレーザ光が高エネルギレーザであり、
照射時に蒸散が生じやすいことと、レーザ光がラインビ
ーム形状であり繰り返し走査されることからレーザ導入
用窓の汚染を効率的に防止する必要があるためである。
れるが、その中でもレーザアニール処理装置への適用に
向いており、特に多結晶シリコン薄膜の形成に用いるレ
ーザアニール処理装置への適用に向いている。これは、
この分野のレーザアニール処理装置では、広い面積の被
処理体にレーザー光を走査しつつ照射するため、レーザ
ー光の照射エネルギ変化が品質の均一性に大きく影響す
るため本発明の適用が特に有利となるためである。但
し、本発明としては、適用されるレーザ処理装置の種別
や使用分野が限定されるものではなく、レーザ導入用窓
を通してレーザの照射が行われ、その結果、レーザアブ
レーションにより導入用窓の汚染が生ずるものであれば
処理装置の内容に拘わらず適用価値があるものである。
なお、本発明が適用される装置におけるレーザ光の照射
手段の種別やレーザ光の波長、断面形状についても特に
限定されないが、本発明は、エキシマレーザを用いたラ
インビーム形状のレーザ照射を行う場合に好適である。
これは、エキシマレーザ光が高エネルギレーザであり、
照射時に蒸散が生じやすいことと、レーザ光がラインビ
ーム形状であり繰り返し走査されることからレーザ導入
用窓の汚染を効率的に防止する必要があるためである。
【０００９】次に、被処理物からレーザアブレーション
により飛散した蒸散物質は、中性状態のものを適当なイ
オン化装置等によりイオン化する。なお、蒸散物質は全
てをイオン化する必要はなく、少なくともレーザ導入用
窓を汚染するおそれのあるものをイオン化するものであ
ればよい。イオン化は、例えば、蒸散物質への紫外光や
電子の照射により行うことができる。紫外光を用いる場
合は、当該紫外光１光子当たりのエネルギが目的とする
蒸散物質の電離エネルギにほぼ同じものか大きいものを
用いるのが望ましく、当該１光子エネルギが前記電離エ
ネルギがよりも小さい場合は多光子イオン化を行う。ま
た電子を用いる場合は前記蒸散物質の電離断面積が最も
大きくなるエネルギを持つのが望ましい。上記イオン化
により中性状態の蒸散物質はイオン化する。
により飛散した蒸散物質は、中性状態のものを適当なイ
オン化装置等によりイオン化する。なお、蒸散物質は全
てをイオン化する必要はなく、少なくともレーザ導入用
窓を汚染するおそれのあるものをイオン化するものであ
ればよい。イオン化は、例えば、蒸散物質への紫外光や
電子の照射により行うことができる。紫外光を用いる場
合は、当該紫外光１光子当たりのエネルギが目的とする
蒸散物質の電離エネルギにほぼ同じものか大きいものを
用いるのが望ましく、当該１光子エネルギが前記電離エ
ネルギがよりも小さい場合は多光子イオン化を行う。ま
た電子を用いる場合は前記蒸散物質の電離断面積が最も
大きくなるエネルギを持つのが望ましい。上記イオン化
により中性状態の蒸散物質はイオン化する。
【００１０】さらに、イオン化させた蒸散物質は、適当
な軌道変更装置等により、レーザ導入用窓に向かう運動
軌道を変える。なお、この運動軌道の変更も、イオン化
させた蒸散物質を対象とすればよく、全ての蒸散物質を
対象とする必要はない。運動軌道の変更は、軌道を偏向
させたり、さらに追い返したり、吸着材等に吸着させる
等により行うことができる。上記軌道変更を行わせる手
段としては電場や磁場を利用したものが例示される。な
お、軌道の変更形態は、当該電場または磁場の強さと蒸
散イオンの運動エネルギとの関係により異なり、大きな
反発力が作用する場合には追い返しが行われ、大きな吸
引力が作用する場合に吸着が行われる。なお、上記した
ような軌道変更は、イオン化した蒸散物質を対象とする
ことにより、飛行軌道を確実かつ効果的に変更すること
ができる。
な軌道変更装置等により、レーザ導入用窓に向かう運動
軌道を変える。なお、この運動軌道の変更も、イオン化
させた蒸散物質を対象とすればよく、全ての蒸散物質を
対象とする必要はない。運動軌道の変更は、軌道を偏向
させたり、さらに追い返したり、吸着材等に吸着させる
等により行うことができる。上記軌道変更を行わせる手
段としては電場や磁場を利用したものが例示される。な
お、軌道の変更形態は、当該電場または磁場の強さと蒸
散イオンの運動エネルギとの関係により異なり、大きな
反発力が作用する場合には追い返しが行われ、大きな吸
引力が作用する場合に吸着が行われる。なお、上記した
ような軌道変更は、イオン化した蒸散物質を対象とする
ことにより、飛行軌道を確実かつ効果的に変更すること
ができる。
【００１１】上記蒸散物質のイオン化および軌道変更に
よって、本来、レーザ導入用窓へ向かい、その結果導入
用窓に付着していた蒸散物質がレーザ導入用窓に向かう
軌道から外され、よって蒸散物質がレーザ導入用窓に付
着してこれを汚染するのを防止する。従って、レーザ導
入用窓から導入されるレーザ光のエネルギがレーザ導入
用窓の汚れによって減少することを防止でき、処理効率
の低下を防止できる。また、被処理体で反射した反射レ
ーザ光がレーザ導入用窓の汚れによって再反射されて被
処理体に再び照射されるということがなくなり、良好に
アニール処理を行えるようになる。さらに、密閉容器を
開けてレーザ導入用窓のクリーニングを頻繁に行う必要
もなくなり、スループットを向上でき、生産コストを低
減できるようになる。
よって、本来、レーザ導入用窓へ向かい、その結果導入
用窓に付着していた蒸散物質がレーザ導入用窓に向かう
軌道から外され、よって蒸散物質がレーザ導入用窓に付
着してこれを汚染するのを防止する。従って、レーザ導
入用窓から導入されるレーザ光のエネルギがレーザ導入
用窓の汚れによって減少することを防止でき、処理効率
の低下を防止できる。また、被処理体で反射した反射レ
ーザ光がレーザ導入用窓の汚れによって再反射されて被
処理体に再び照射されるということがなくなり、良好に
アニール処理を行えるようになる。さらに、密閉容器を
開けてレーザ導入用窓のクリーニングを頻繁に行う必要
もなくなり、スループットを向上でき、生産コストを低
減できるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図１を参照して本発明の実
施の形態について説明する。なお、これによりこの発明
が限定されるものではない。図１は、本発明の実施形態
にかかるレーザアニール処理装置の要部断面図である。
このレーザアニール処理装置は、アルミニウム製の真空
チャンバ１と、この真空チャンバ１内に設置された被処
理体２が載置される載置台５と、前記真空チャンバ１の
天井部９に設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反
射防止膜（ＡＲコート）を形成したレーザ導入用窓６
と、このレーザ導入用窓６を通して略垂直下方にレーザ
光７を照射するエキシマレーザ照射装置８とを有してい
る。さらに前記レーザ導入用窓６の下方には、電位の発
生により蒸散物質の軌道を変化させる軌道変更装置１３
が設けられており、さらにその下方には蒸散物質に紫外
光または電子を照射してイオン化させるイオン化装置１
２が設けられている。前記非処理体２は、絶縁基板３上
に非晶質半導体薄膜４を形成したものである。
施の形態について説明する。なお、これによりこの発明
が限定されるものではない。図１は、本発明の実施形態
にかかるレーザアニール処理装置の要部断面図である。
このレーザアニール処理装置は、アルミニウム製の真空
チャンバ１と、この真空チャンバ１内に設置された被処
理体２が載置される載置台５と、前記真空チャンバ１の
天井部９に設けられ且つ石英ガラス板の両面に紫外線反
射防止膜（ＡＲコート）を形成したレーザ導入用窓６
と、このレーザ導入用窓６を通して略垂直下方にレーザ
光７を照射するエキシマレーザ照射装置８とを有してい
る。さらに前記レーザ導入用窓６の下方には、電位の発
生により蒸散物質の軌道を変化させる軌道変更装置１３
が設けられており、さらにその下方には蒸散物質に紫外
光または電子を照射してイオン化させるイオン化装置１
２が設けられている。前記非処理体２は、絶縁基板３上
に非晶質半導体薄膜４を形成したものである。
【００１３】レーザアニール処理は次の手順で行う。真
空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空とす
る。次に、レーザ照射部分１１が被処理体２の照射スタ
ート点に位置するように設置する。そして、エキシマレ
ーザ照射装置８からレーザ光７を発生させる。レーザ光
７は、レーザ導入用窓６を通って真空チャンバ１内に導
入され、被処理体２の表面に略垂直に照射される。従
来、上記アニール処理を行うと、前述したように非晶質
半導体薄膜４の一部がアブレーション（蒸散）を起こ
し、蒸散物質がレーザ照射部分１１の上方に上昇し、レ
ーザ導入用窓６に付着する。そこで、アニール処理を繰
り返すうちにレーザ導入用窓６が汚れてしまい、導入さ
れるレーザ光７のエネルギが減少する。また、被処理体
２で反射した反射レーザ光がレーザ導入用窓６の汚れに
よって再反射し、被処理体２に再照射されるようにな
り、良好なアニール処理が行えなくなる。
空チャンバ１内を１０-2〜１０-6Ｔｏｒｒの高真空とす
る。次に、レーザ照射部分１１が被処理体２の照射スタ
ート点に位置するように設置する。そして、エキシマレ
ーザ照射装置８からレーザ光７を発生させる。レーザ光
７は、レーザ導入用窓６を通って真空チャンバ１内に導
入され、被処理体２の表面に略垂直に照射される。従
来、上記アニール処理を行うと、前述したように非晶質
半導体薄膜４の一部がアブレーション（蒸散）を起こ
し、蒸散物質がレーザ照射部分１１の上方に上昇し、レ
ーザ導入用窓６に付着する。そこで、アニール処理を繰
り返すうちにレーザ導入用窓６が汚れてしまい、導入さ
れるレーザ光７のエネルギが減少する。また、被処理体
２で反射した反射レーザ光がレーザ導入用窓６の汚れに
よって再反射し、被処理体２に再照射されるようにな
り、良好なアニール処理が行えなくなる。
【００１４】一方、本発明では、上記アニール処理を行
う際に、レーザアブレーションにより被処理体２から発
生した蒸散物質２ａにイオン化装置１２から紫外光また
は電子が照射され、蒸散物質２ａが安定した状態でイオ
ン化される。この時、紫外光を使用する場合、使用する
レーザ光の１光子当たりのエネルギが目的とする蒸散物
質の第１電離エネルギとほぼ等しいか、または当該１光
子当たりのエネルギが小さい場合、多光子照射すること
で、前記第１電離エネルギを得るようにする。また電子
を使用する場合は、前記蒸散物質の電離断面積が最も大
きくなるように電子のエネルギを選択する。この値はほ
ぼ１００ｅＶ（エレクトロンボルト）となる。
う際に、レーザアブレーションにより被処理体２から発
生した蒸散物質２ａにイオン化装置１２から紫外光また
は電子が照射され、蒸散物質２ａが安定した状態でイオ
ン化される。この時、紫外光を使用する場合、使用する
レーザ光の１光子当たりのエネルギが目的とする蒸散物
質の第１電離エネルギとほぼ等しいか、または当該１光
子当たりのエネルギが小さい場合、多光子照射すること
で、前記第１電離エネルギを得るようにする。また電子
を使用する場合は、前記蒸散物質の電離断面積が最も大
きくなるように電子のエネルギを選択する。この値はほ
ぼ１００ｅＶ（エレクトロンボルト）となる。
【００１５】そして、その直後に軌道変更装置１３によ
りイオン化した蒸散物質の軌道を変える。この際に軌道
変更装置１３の電位を正とするか負とするかによって反
発力か吸引力のいずれかを作用させて軌道を偏向させる
ことができる。また、これらの作用を大きくすれば、追
い返し、または吸着することもできる。なお、アブレー
ションによって蒸散する粒子のエネルギは大きくても、
１００ｅＶ程度であるので、必要とする正または負の電
位は、１００ｅＶのエネルギを持った粒子を必要な距離
だけ偏向させる電圧を求めればよい。すると、アニール
処理即ちエキシマレーザが非晶質半導体薄膜４に照射さ
れる事により発生する蒸散物質の飛行軌道が偏向除外さ
れ、レーザ導入用窓６に付着して汚れる事を防止でき
る。以上のレーザアニール処理装置によれば、レーザ導
入用窓６から導入されるレーザ光７のエネルギがレーザ
導入用窓６の汚れによって減少することを防止でき、良
好なアニール処理がくりかえし行える為、処理効率の低
下を防止できる。また、被処理体２で反射した反射レー
ザ光がレーザ導入用窓６の汚れによって再反射されて被
処理体２に再び照射されるということがなくなり、良好
にアニール処理を行えるようになる。さらに、真空チャ
ンバ１を開けてレーザ導入用窓６のクリーニングを頻繁
に行う必要もなくなり、スループットを向上でき、生産
コストを低減できるようになる。
りイオン化した蒸散物質の軌道を変える。この際に軌道
変更装置１３の電位を正とするか負とするかによって反
発力か吸引力のいずれかを作用させて軌道を偏向させる
ことができる。また、これらの作用を大きくすれば、追
い返し、または吸着することもできる。なお、アブレー
ションによって蒸散する粒子のエネルギは大きくても、
１００ｅＶ程度であるので、必要とする正または負の電
位は、１００ｅＶのエネルギを持った粒子を必要な距離
だけ偏向させる電圧を求めればよい。すると、アニール
処理即ちエキシマレーザが非晶質半導体薄膜４に照射さ
れる事により発生する蒸散物質の飛行軌道が偏向除外さ
れ、レーザ導入用窓６に付着して汚れる事を防止でき
る。以上のレーザアニール処理装置によれば、レーザ導
入用窓６から導入されるレーザ光７のエネルギがレーザ
導入用窓６の汚れによって減少することを防止でき、良
好なアニール処理がくりかえし行える為、処理効率の低
下を防止できる。また、被処理体２で反射した反射レー
ザ光がレーザ導入用窓６の汚れによって再反射されて被
処理体２に再び照射されるということがなくなり、良好
にアニール処理を行えるようになる。さらに、真空チャ
ンバ１を開けてレーザ導入用窓６のクリーニングを頻繁
に行う必要もなくなり、スループットを向上でき、生産
コストを低減できるようになる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザアブレーションによって発生する蒸散物質をイオン
化した後偏向させるので確実な偏向が可能になり、レー
ザ導入用窓に蒸散物質が付着してこれを汚染するのを有
効に避けることができる。このため、レーザエネルギの
低下を防止できると共に不良率を低下できる。また、処
理効率の低下を防止できると共にメンテナンスの手間お
よび時間を格段に低減でき、生産性を向上することが出
来る。
ーザアブレーションによって発生する蒸散物質をイオン
化した後偏向させるので確実な偏向が可能になり、レー
ザ導入用窓に蒸散物質が付着してこれを汚染するのを有
効に避けることができる。このため、レーザエネルギの
低下を防止できると共に不良率を低下できる。また、処
理効率の低下を防止できると共にメンテナンスの手間お
よび時間を格段に低減でき、生産性を向上することが出
来る。
【図１】 本発明の一実施形態にかかるレーザアニール
処理装置の要部断面図である。
処理装置の要部断面図である。
【図２】 同じく一実施形態の装置における蒸散物質の
軌道を示す概略図である。
軌道を示す概略図である。
【図３】 従来のレーザアニール装置の一例の要部断面
図である。
図である。
【図４】 従来の装置における蒸散物質の軌道を示す概
略図である。
略図である。
１ 、１０１ 真空チャンバ ２ 、１０２ 被処理体 ２ａ、１０２ａ 蒸散物質 ３ 、１０３ 絶縁基板 ４ 、１０４ 非晶質半導体薄膜 ５ 、１０５ 載置台 ６ 、１０６ レーザ導入用窓 ７ 、１０７ レーザ光 ８ 、１０８ エキシマレーザ照射装置 ９ 、１０９ 真空チャンバ天井部 １０ 、１１０ ガス導入部 １１ 、１１１ レーザ照射部分 １２ イオン化装置 １３ 軌道変更装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/20 Ｈ０１Ｌ 21/20
Claims (5)
- 【請求項１】 容器内の被処理体に外部からレーザ導入
用窓を通してレーザ光を照射する際に、レーザ照射によ
り被処理体から発生した蒸散物質をイオン化するととも
に、イオン化された当該物質の飛行軌道を変えて蒸散物
質によるレーザ導入用窓の汚染を防止することを特徴と
するレーザ導入用窓の汚染防止方法 - 【請求項２】 蒸散物質のイオン化は、蒸散物質への紫
外光または電子の照射により行うことを特徴とする請求
項１記載のレーザ導入用窓の汚染防止方法 - 【請求項３】 飛行軌道の変更は、偏向、追い返し、ま
たは偏向後吸着により行われることを特徴とする請求項
１または２に記載のレーザ導入用窓の汚染防止方法 - 【請求項４】 密閉容器内に置かれた被処理体に外部か
らレーザ導入用窓を通してレーザ光を照射する処理装置
において、前記レーザ導入用窓と被処理体との間に、レ
ーザ照射により被処理体から発生した蒸散物質をイオン
化するイオン化装置と、イオン化された当該物質の飛行
軌道を変える軌道変更装置とが配置されていることを特
徴とするレーザ導入用窓の汚染防止装置 - 【請求項５】 処理装置は、エキシマレーザを用いたレ
ーザアニール処理装置であることを特徴とする請求項４
記載のレーザ導入用窓の汚染防止装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062090A JPH10242072A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | レーザ導入用窓の汚染防止方法および汚染防止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9062090A JPH10242072A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | レーザ導入用窓の汚染防止方法および汚染防止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242072A true JPH10242072A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=13190019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9062090A Pending JPH10242072A (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | レーザ導入用窓の汚染防止方法および汚染防止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242072A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107303628A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 三星显示有限公司 | 激光蚀刻设备及使用激光蚀刻设备进行激光蚀刻的方法 |
| CN113909742A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 北京博清科技有限公司 | 焊接装置 |
| CN115488505A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-12-20 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种解决镁合金负压激光焊接能量屏蔽的电磁装置及方法 |
| GB2612360A (en) * | 2021-11-01 | 2023-05-03 | Aquasium Tech Limited | Laser welding apparatus |
| WO2023239510A1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Laser cutting with electron removal |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP9062090A patent/JPH10242072A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107303628A (zh) * | 2016-04-20 | 2017-10-31 | 三星显示有限公司 | 激光蚀刻设备及使用激光蚀刻设备进行激光蚀刻的方法 |
| US11065723B2 (en) | 2016-04-20 | 2021-07-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
| CN107303628B (zh) * | 2016-04-20 | 2022-01-07 | 三星显示有限公司 | 激光蚀刻设备及使用激光蚀刻设备进行激光蚀刻的方法 |
| US11370065B2 (en) | 2016-04-20 | 2022-06-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser etching apparatus and a method of laser etching using the same |
| CN113909742A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 北京博清科技有限公司 | 焊接装置 |
| CN113909742B (zh) * | 2021-09-30 | 2023-10-31 | 北京博清科技有限公司 | 焊接装置 |
| GB2612360A (en) * | 2021-11-01 | 2023-05-03 | Aquasium Tech Limited | Laser welding apparatus |
| WO2023073347A1 (en) * | 2021-11-01 | 2023-05-04 | Aquasium Technology Limited | Laser welding apparatus |
| WO2023239510A1 (en) * | 2022-06-10 | 2023-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Laser cutting with electron removal |
| CN115488505A (zh) * | 2022-09-27 | 2022-12-20 | 哈尔滨工业大学（威海） | 一种解决镁合金负压激光焊接能量屏蔽的电磁装置及方法 |
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