TW201339337A - 真空蒸鍍方法及其裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題係在提供以提高真空蒸鍍之蒸鍍材料利用效率之有機EL元件之真空蒸鍍裝置及其方法。於有機EL元件之真空蒸鍍裝置，為了防止來自蒸發源之加熱器的輻射熱直接使蔭蔽罩過熱，藉由在加熱器與蔭蔽罩之間設置水冷式冷卻板，可以使蒸鍍源與蔭蔽罩之間隔比傳統更為狹窄，提高蒸發之有機EL材料中之對基板上之成膜使用比例，來提高蒸鍍材料之利用效率。

Description

真空蒸鍍方法及其裝置
本發明係關於形成真空蒸鍍膜之方法及其裝置，尤其是，與適合在大型基板上利用蒸鍍材料以良好使用效率來形成均一薄膜之真空蒸鍍方法及其裝置相關。
使用於有機EL顯示裝置及照明裝置之有機EL元件，係從上下以陽極及陰極之一對電極挾持由有機材料所構成之有機層的構造，再藉由對電極施加電壓，電洞及電子分別被從陽極側及陰極側注入有機層，並利用該等之再結合而發光的機制。
該有機層，係層合著含有電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電化注入層之多層膜的構造。使用高分子材料及低分子材料來做為形成該有機層之材料。其中，使用低分子材料時，利用真空蒸鍍裝置來形成有機薄膜。
有機層之膜厚，對有機EL元件之發光特性會產生很大的影響。另一方面，形成有機薄膜之基板，年年大型化。所以，使用真空蒸鍍裝置時，必須高精度地控制在大型基板上透過遮罩所形成之有機薄膜圖案的膜厚。以真空蒸鍍在大型基板形成薄膜的構成上，如專利文獻1(日本 特開2004-158337號公報)之記載所示，係具備線型蒸發源之真空蒸鍍裝置，對蒸發源之坩堝之蒸鍍遮罩的相對面，以熱輻射效率低於坩堝材料之材料實施金屬敷鍍，來減輕坩堝對蒸鍍遮罩之輻射熱的影響。此外，如專利文獻2(日本特開2008-169456號公報)之記載所示，係利用具備具有發熱體及冷卻體之溫度控制機構的坩堝，在基板上形成薄膜之真空蒸鍍裝置。
並且，蒸鍍時，來自坩堝之高溫輻射熱使蒸鍍遮罩被加熱而膨脹，使得形成於基板上之圖案位置發生偏離，防止上述情形的方法，如專利文獻3(日本特開2007-186787號公報)及專利文獻4(日本特開2007-177319號公報)所示，於坩堝與蒸鍍遮罩之間，設置斷熱機構。
此外，如專利文獻5(日本特開平11-274081號公報)所示，係電子束蒸鍍法時，以水冷式護板來冷卻蒸發源上部之二次電子吸附板的開口部及上面的一部分之構成。
[專利文獻1]日本特開2004-158337號公報
[專利文獻2]日本特開2008-169456號公報
[專利文獻3]日本特開2007-186787號公報
[專利文獻4]日本特開2007-177319號公報
[專利文獻5]日本特開平11-274081號公報
降低有機EL元件之製造成本的手段之一，例如，提 高以真空蒸鍍形成有機層膜時之昂貴材料的材料使用效率(供應給真空蒸鍍裝置之材料當中，使用於有機EL元件之有機層的比例)。
為了提高以真空蒸鍍形成有機層時之材料使用效率，進一步縮小蒸發源與基板之間隔，來減少蒸發源所發生之蒸鍍物質在真空蒸鍍裝置周邊之附著量是有效的方法。
然而，以真空蒸鍍形成有機EL元件時，因為係對形成有機層之含電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電化注入層之多層膜整體實施在基板表面設置蒸鍍遮罩並將形成於蒸鍍遮罩之圖案轉錄至基板上，必須在形成各層時不會使蒸鍍遮罩發生圖案位置偏離的情形。
另一方面，為了使蒸鍍材料汽化，蒸發源被加熱至數百度之高溫。所以，為了使來自該被加熱之蒸發源的輻射熱不會導致蒸鍍遮罩發生熱變形，必須將蒸發源與蒸鍍遮罩之間隔設定成較大，或者，必須設置使來自蒸發源之輻射熱不會直接到達蒸鍍遮罩之遮蔽構成。
專利文獻1所記載者，係使玻璃基板，在設有並列成線狀之複數噴嘴的蒸發源之上，於垂直於噴嘴並列方向之方向移動，而在玻璃基板上形成有機薄膜之構成，對蒸發源之坩堝之蒸鍍遮罩的相對面，以熱輻射效率低於坩堝材料之材料實施金屬敷鍍，來減輕坩堝對蒸鍍遮罩之輻射熱的影響。
然而，專利文獻1所記載之構成時，因為未積極地重複對坩堝蒸鍍遮罩之相對面進行冷卻，而使重複蒸鍍之蒸 鍍遮罩的溫度緩慢上昇，而不得不使坩堝與蒸鍍遮罩維持某種程度以上之間隔，在提高蒸鍍材料之利用效率上，沒有很好的效果。
此外，專利文獻2係記載著，在坩堝周圍配設發熱體及冷卻體來控制蒸發源之溫度，然而，並未針對如何積極防止來自坩堝之輻射熱對蒸鍍遮罩之加熱進行記載。
並且，專利文獻3及4則記載著，為了抑制輻射熱從坩堝及電熱箱傳導至蒸鍍遮罩，在坩堝上部，設置具備斷熱機能之放射阻隔體。其次，構成該放射阻隔體之冷卻板，係連結於具備水冷機構的冷卻裝置。然而，在引用文獻3，如第13及14圖所示，只記載著在裝設於坩堝之放射阻隔體與蒸鍍遮罩之間設置測定蒸鍍材料之單位時間的供應量之感測器(膜厚監視器)的構成，並未針對藉由在坩堝配設放射阻隔體來阻隔來自坩堝之輻射熱，儘量縮小坩堝與蒸鍍遮罩之間隔，來提高昂貴之蒸鍍材料之材料使用效率進行記載。此外，專利文獻4，揭示著以防熱板來防止來自坩堝之熱導致基板被複寫之構成，然而，並未考慮到重複蒸鍍將導致蒸鍍遮罩之溫度緩慢上昇的問題，而使坩堝與蒸鍍遮罩之間隔不得不維持某種程度以上。
此外，專利文獻5所示之發明時，係利用電子束以過熱方式從配設於加熱源之坩堝之上部的較大開口部來蒸發蒸鍍物質，並未考慮到，在蒸鍍時，打開2層光閘時，由蒸發源本身所發生之輻射熱直接射至基板，蒸鍍時，藉由防止蒸發源所發生之輻射熱直接射至基板，縮小蒸發源與 基板之間隔來提高成膜效率。
本發明之目的，係在提供：可解決上述習知技術之課題，並可提升構成有機層膜之昂貴材料之材料使用效率的真空蒸鍍方法及其裝置。
為了達成上述目的，本發明係在經過真空排氣之腔室內，將加熱汽化之蒸鍍材料蒸鍍於板狀之基板的真空蒸鍍裝置，其特徵為具備：保持手段，其係用以保持基板；蒸發源，其係使蒸鍍材料汽化並使其從配置於線上之複數噴嘴放出而具有一方較長之形狀；移動手段，其係用以使蒸發源或保持基板之保持手段的至少其中一方朝垂直於蒸發源之較長方向的方向移動；以及檢測手段，其係用以檢測來自蒸發源之蒸鍍材料的放出率；而且，於蒸發源，具有：用以收容蒸發材之蒸發材收容部；對被收容於收容部之蒸發材料進行加熱之加熱部；以及位於加熱部與保持手段之間，用以阻隔由加熱部所發生之朝向基板之輻射熱而內部具備冷卻水通路之冷卻部。
此外，本發明係具備複數之在內部排氣而維持於真空狀態之處理室內以蒸鍍對表面覆蓋著蔭蔽罩之被處理基板的表面形成薄膜之真空蒸鍍部，並具有在維持真空之環境中於複數之真空蒸鍍部間受取被處理基板之被處理基板受取部的真空蒸鍍裝置，其特徵為，複數之真空蒸鍍部中之至少其中一個真空蒸鍍部，具備：透過配置於線上之複數噴嘴對處理室內放出蒸發之材料的蒸發源；以覆蓋蔭蔽罩之狀態保持被處理基板之基板保持手段；以及使蒸發源， 相對於配置在線上之複數噴嘴之配列方向的直角方向，沿著保持覆蓋著蔭蔽罩之狀態而由基板保持手段所保持之被處理基板進行掃描的蒸發源驅動手段；且，蒸發源具備：用以收容蒸發材之蒸發材收容部；對被收容於收容部之蒸發材料進行加熱之加熱部；以及位於加熱部與保持手段之間，用以阻隔由加熱部所發生之朝向基板之輻射熱而內部具備冷卻水之通路的冷卻部。
並且，本發明之特徵為，具備：具備真空排氣手段之真空槽；使蒸發之材料透過配置於線上之複數噴嘴朝真空槽之內部放出的蒸發源；以覆蓋著蔭蔽罩之狀態保持被處理基板之基板保持手段；沿著基板保持手段所保持之被處理基板，使蒸發源在相對於配置在線上之複數噴嘴之配列方向的直角方向進行掃描的蒸發源驅動手段；以及利用蒸發源驅動手段與蒸發源一起移動並監視蒸發源放出之材料的放出狀態之監視手段；且，蒸發源具有：收容蒸發材之蒸發材收容部；對收容於收容部之蒸發材料進行加熱之加熱部；以及於加熱部與保持手段之間，用以阻隔由加熱部所發生之朝向基板之輻射熱而內部具備冷卻水通路的冷卻部。
此外，本發明係在內部排氣而維持於真空狀態之第1處理室內以蒸鍍於被處理基板之表面形成第1薄膜，在維持真空之環境中將在第1處理室內被以蒸鍍形成薄膜之被處理基板移至第2處理室，並在第2處理室內對被處理基板之表面進行蒸鍍來形成第2薄膜的真空蒸鍍方法，在第 1處理室或第2處理室中之至少其中一個處理室內，在表面為蔭蔽罩所覆蓋之狀態下，以保持手段保持被處理基板，將蒸發源所汽化之蒸鍍材料透過配置於線上之複數噴嘴對處理室內放出，一邊以配置於蒸發源之複數噴嘴與蔭蔽罩之間的水冷式冷卻部阻隔蒸發源朝向蔭蔽罩發射之輻射熱，一邊沿著被處理基板之表面進行蒸發源掃描，而在蔭蔽罩所覆蓋之被處理基板的表面形成薄膜。
依據本發明，真空蒸鍍時，可以提高構成有機層膜之昂貴材料的材料使用效率，而可降低有機EL元件之製造成本。
1A、1B、1C、7A、7B、7C‧‧‧處理單元
1a-1~4、1b-1~4、1c-1~4、701a-1~4、701b-1~4、701c-1~4‧‧‧處理室
2a~c、702a~c‧‧‧搬送室
4a、704a‧‧‧基板搬入部
4b~d、704b~d‧‧‧基板受取室
5a~c、705a~c‧‧‧搬送臂
6‧‧‧基板
10a-1~6、10b-1~6、10c-1~6、710a-1~6、710b-1~6、710c-1~6‧‧‧閘閥
20、820‧‧‧膜厚監視器
21‧‧‧水平方向導引部
24‧‧‧驅動部
41‧‧‧監視頭
42‧‧‧支撐構件
71‧‧‧蒸發源部
71a‧‧‧蒸發源
71a-1、71a-2‧‧‧空間
71a-3、73i、873a~n‧‧‧開口部
71b‧‧‧區隔板
71c‧‧‧罩蓋
71H‧‧‧加熱器
71r‧‧‧反射器
71q‧‧‧流路
71s‧‧‧溫度感測器
71w‧‧‧水冷式之冷卻板
72‧‧‧上下驅動手段
73a~n‧‧‧蒸發源之噴嘴
74、75、974R、974L、975R、975L‧‧‧光閘
76‧‧‧導引軸
81‧‧‧蔭蔽罩
82‧‧‧基板保持手段
875‧‧‧導軌
876‧‧‧左右驅動手段
第1圖係本發明之第1實施例之有機EL元件製造裝置的概略構成方塊圖。
第2圖係本發明之第1實施例之有機EL元件製造裝置的搬送腔室與處理腔室之立體圖。
第3圖係蔭蔽罩之立體圖。
第4A圖係本發明之第1實施例之處理腔室的側面圖。
第4B圖係本發明之第1實施例之處理腔室之A-A方向的正面圖。
第4C圖係本發明之第1實施例之監視來自蒸發源之各噴嘴之蒸發量的監視手段、蒸發源、及光閘的概略位置關係正面圖。
第5A圖係本發明之第1實施例之蒸發源與膜厚監視器、蔭蔽罩、及基板之位置關係的側面剖面圖。
第5B圖係習知技術之蒸發源與膜厚監視器、蔭蔽罩、及基板之位置關係的側面剖面圖。
第6圖係說明本發明之第2實施例之基板蒸鍍處理動作的流程圖。
第7圖係本發明之第2實施例之有機EL元件製造裝置的概略構成方塊圖。
第8圖係本發明之第2實施例之有機EL元件製造裝置的搬送腔室與處理腔室之立體圖。
第9圖係本發明之第2實施例之監視蒸發源、基板、及來自蒸發源之各噴嘴之蒸發量的監視手段、蒸發源、及光閘的概略位置關係正面圖。
第10圖係說明本發明之第2實施例之基板蒸鍍處理動作的流程圖。
針對本發明之有機EL元件之製造裝置進行說明。有機EL元件之製造裝置，係以真空蒸鍍進行多層層合而分別在陽極上形成電洞注入層、電洞輸送層、及發光層(有機膜層)、在陰極上形成電子注入層及輸送層等之各種材料之薄膜層的裝置。本發明之有機EL元件製造裝置的主要特徵，係在真空蒸鍍部，藉由透過配置於線上之複數噴嘴來蒸發材料之蒸發源、及阻隔來自該蒸發源之輻射熱而 縮小蒸發源與基板之間隔，來提高對基板之蒸鍍效率的蒸鍍材料利用率，而且，可提高蒸鍍製程之產率。以下，利用圖式來說明本發明之實施例。
[實施例1]
第1圖係實施例1之有機EL元件製造裝置構成的一例。本實施形態之有機EL元件製造裝置100，係具備：用以搬入處理對象之基板6的基板搬入部4a；用以對搬入之基板6進行處理之3個處理單元1A~1C；設置於各處理單元內部之搬送臂5a~5c；以及設置於鄰接之各處理單元間(1A與1B、1B與1C)及處理單元1C與次製程(封裝製程)之間的基板受取室部4b~d來構成。各處理單元1A~1C，分別具備：4個處理室1a-1~1a-4、1b-1~1b-4、1c-1~1c-4；及設置著搬送臂5a~5c之搬送室2a~2c。處理室1a-1~1a-4、1b-1~1b-4、1c-1~1c-4，在各處理單元1A~1C，分別執行相同之處理。此外，各搬送室2a~2c與各處理室1a-1~1a-4、1b-1~1b-4、1c-1~1c-4、基板搬入部4a、及基板受取室部4b~d之間，由閘閥10a-1~10a-6、10b-1~10b-6及10c-1~10c-6所區隔，並以未圖示之真空排氣手段使各空間個別地維持真空狀態，被從基板搬入部4a之搬入口4a-1搬入的基板6，至被從基板受取部4d之排出口4d-1排出之前為止，在未曝露於大氣之真空環境中被進行搬送。
其次，在第1圖所示之構成下，針對從由基板搬入部 4a被搬入之基板6進行處理並從基板受取部4d被排出為止之處理流程進行說明。
首先，基板搬入部4a，透過搬入口4a-1從未圖示之基板供應單元受取基板6。其次，關閉搬入口4a-1，以未圖示之真空排氣手段對基板搬入部4a之內部進行真空排氣後，開啟閘閥10a-1，再利用設置於內部由未圖示之真空排氣手段進行真空排氣之處理單元1A之搬送室2a的搬送臂5a，將基板6搬入處理單元1A之內部。其次，關閉閘閥10a-1後，在處理單元1A之內部，搬送臂5a開啟閘閥10a-2，將基板6供應給處理室1a-1~1a-4中之沒有基板6的任一處理室，例如，處理室1a-1。
在被供應基板6之處理室1a-1，搬送臂5a退避後，關閉閘閥10a-2，以未圖示之真空排氣手段對內部進行至特定壓力為止之高真空排氣後，利用真空蒸鍍在基板6上形成薄膜。
其後，藉由執行特定時間之真空蒸鍍於基板6上形成薄膜後，停止對基板之真空蒸鍍，開啟閘閥10a-2並以搬送臂5a將基板6從處理室1a-1取出至搬送室2a，關閉閘閥10a-2並開啟閘閥10a-4，將基板6受取至基板受取部4b。基板受取部4b受取基板6，搬送臂5a退避至搬送室2a後，關閉閘閥10a-4，其次，開啟閘閥10b-1，以設置於搬送室2b之搬送臂5b將基板受取部4b所受取之基板6搬入搬送室2b內部。以下，執行與在處理單元1A內部之處理相同的處理後，將基板6搬入處理單元1C並執行 相同的處理。在處理單元1C經過處理之基板6，從基板受取部4d被受取至未圖示之次製程的處理裝置。
其次，利用第2圖，以處理單元1A之搬送臂5a與處理室1a-1為例，來說明搬送臂與處理室之間的基板6受取。
處理室之構成，雖然會因為處理內容而有所不同，然而，在處理室1a-1，係針對蒸鍍發光材料來形成EL層時進行說明。搬送臂5a，具有可左右旋轉之構造的臂51，其前端裝設著用以載置並搬送基板6之梳齒狀手52。此外，搬送臂5a的基部53固定於搬送室2a之內部。
另一方面，於處理室1a-1側，具備有：以使受取載置於搬送臂5a之梳齒狀手52之基板6的梳齒狀手94、及使梳齒狀手94受取之基板6旋轉並直立地移動至基板保持手段82且密貼蔭蔽罩81之馬達93所驅動之基板旋轉手段91。接著，實施真空蒸鍍時，藉由未圖示之真空排氣手段使處理室1a-1之內部維持10-3~10-4Pa程度之高真空狀態。
而且，雖然在第2圖被省略了，然而，設置著搬送臂5a之搬送室2a與處理室1a-1之間，以可開關之閘閥10a-2進行區隔，利用搬送臂5a於搬送室2a與處理室1a-1之間的基板6受取，係在真空排氣中進行。
第3圖係蔭蔽罩81之構成。蔭蔽罩81，係具備遮罩81M、框架81F而構成。以未圖示之對準標記檢測手段來檢測形成於基板6上之對準標記84之位置、及蔭蔽罩81 之窗85(參照第2圖)之位置，以固定於基板保持手段82之對準驅動部83，使形成於遮罩81M之窗85校位於形成於基板6上之對準標記84。
第4A圖，係處理室1a-1之內部構成的說明圖。於處理室1a-1之內部，具備：蒸發源部71、使蒸發源71沿著基板6移動之驅動部72、監視來自蒸發源71之蒸鍍材料之蒸發量的膜厚監視器20、以及在蔭蔽罩81密貼之狀態下保持基板6之基板保持部82。第4A圖中，省略了保持蔭蔽罩81之手段。第4B圖係第4(a)圖從箭頭B之方向觀察時之圖。
驅動部72，係使蒸發源部71沿著一對導引軸76上下方向移動者，具備：配設於大氣側之驅動馬達72M；由該馬達72M進行旋轉驅動而旋轉之滾珠螺桿72P；固定於蒸發源部71，藉由滾珠螺桿72P之旋轉而於蒸發源部71上下移動之螺帽72K；以及前述上下移動時，用以引導蒸發源部71之一對導引軸76上之移動的導軌72G。一對之導引軸76，兩端支撐於一對支撐板78。此外，一對導引軸76之上端部及下端部的附近，設有用於防止蒸發源部71放出之蒸鍍物質擴散至處理室1a-1內部之閘板74及75。並且，在蒸發源部71，以支撐構件42固定著用於監視蒸發源部71放出之蒸鍍物質在基板上之蒸鍍速度之監視頭41。
利用第5A圖並參照習知技術之第5B圖，來針對蒸發源部71之詳細構成進行說明。首先，如第5A圖所示之 構成時，蒸發源部71係具備：蒸發源(坩堝)71a；加熱器71H；覆蓋使蒸發源71a所汽化之蒸鍍材料放出至處理室1a-1內部之開口部71a-3的周圍，以防止蒸鍍材料附著於處理室1a-1內部為目的之罩蓋71c；阻隔透過罩蓋71c來自蒸發源71a之輻射熱的反射器71r；以內部形成有冷卻水之流路71q之用以阻隔反射器71r所漫射之輻射熱的水冷式冷卻板71w，來監視蒸發源71a之內部溫度的溫度感測器71s；以及連結用以保持蒸發源71a之螺帽72K與導軌72G的管71g而構成。
蒸發源71a，蒸鍍材料71Z收容於空間71a-1，從外部以加熱器71H對該收容之蒸鍍材料71Z進行加熱使其汽化。該汽化之蒸鍍材料，通過開口部71a-3被放出至處理室1a-1之內部。該開口部71a-3之前方，為經過加熱器71H加熱之罩蓋71c所覆蓋，防止開口部71a-3放出之蒸鍍材料附著並固化於開口部71a-3周圍。
此外，因為蒸發源71a被加熱器71H加熱至數百度，來自蒸發源71a之輻射熱，可能導致覆蓋於玻璃基板6表面之蔭蔽罩81的金屬製遮罩81M產生熱膨脹，進而因為熱膨脹率的不同，導致形成於金屬製遮罩81M之圖案與形成於玻璃基板6上之圖案之間產生位置偏離。因為在玻璃基板6上形成多層圖案，層間發生位置偏離的話，會成為不良的原因。
所以，為了防止該層間之位置偏離，必須使蒸鍍前經過校位之蔭蔽罩81的圖案與形成於基板6上之圖案之位 置關係在蒸鍍中不會發生偏離。
為了防止發生該位置偏離之原因之蔭蔽罩81之金屬製遮罩81M與基板6的熱膨脹差，只要防止來自蒸發源71a之輻射熱對遮罩81M進行加熱即可，然而，如專利文獻3及4之記載所示，傳統上，如第5B圖所示，只以裝設於罩蓋71c’之前的反射器71r’來實施。然而，因為反射器71r’並無積極防止溫度上昇之手段，長時間實施蒸鍍的話，來自蒸發源71a之輻射熱將逐漸使反射器71r’本身之溫度上昇。其對策上，為了防止來自反射器71r’之輻射熱對遮罩81M進行加熱，必使反射器71r’與遮罩81M有足夠的間隔，亦即，必須使蒸發源71a與遮罩81M有足夠的間隔(例如，100mm以上)。
相對於此，在本發明，如第5A圖所示，在反射器71r與遮罩81之間，進一步設置水冷式冷卻板71w，使由設置於未圖示之處理室1a-1外部的冷卻單元進行冷卻之冷卻水或低溫之自來水循環於冷卻板71W中之管71p之內部，來防止來自反射器71r之輻射熱所導致之遮罩81加熱。亦即，藉由將水冷式之冷卻板71w設置於反射器71r與遮罩81之間，以水冷式之冷卻板71w來阻隔反射器71r之輻射熱，射至水冷式之冷卻板71w之反射器71r輻射熱的熱能，被冷卻水排出至處理室1a-1外部，水冷式冷卻板71w之遮罩81側的表面溫度，雖然因為冷卻水之流量而改變，然而，可以維持於相對較低的溫度。
藉此，水冷式冷卻板71w之表面溫度，相較於反射器 71r之表面溫度，可以控制於較低，而可防止水冷式冷卻板71w所發射之輻射熱所導致之形成於金屬製遮罩81之圖案與形成於玻璃基板6上之圖案之位置偏離的發生。結果，蒸發源71a與基板6之間隔，可以縮小至蔭蔽罩81之框架81F厚度、蒸發源71a、以及沿著基板6移動之監視頭41之支撐構件42的尺寸所限制的尺寸(例如，50mm)。此外，藉由預先求取膜厚監視器20之檢測值與基板6上之成膜量的關係，在如第5A圖所示之構成，即使將膜厚監視器20之一部分隱蔽配置於水冷式冷卻板71w下來監視蒸發源71a之蒸發量，也可推算基板6上之成膜量，故可更為縮小蒸發源71a與基板6之間隔。
結果，可以提高蒸發源71a對處理室1a-1內部放出之蒸鍍材料被實際使用於成膜之比例，亦即，材料利用效率，而可有效地利用昂貴的蒸鍍材料。此外，由於材料利用效率的上昇，附著於處理室1a-1內部之蒸鍍材料量減少，處理室1a-1之內部污染較為緩慢，故可延長處理室1a-1內部之掃除間隔，而提高裝置之運轉率。並且，藉由縮小蒸發源71a與基板6之間隔，可提高成膜速度並提升產率。
而且，在本實施例，係針對在蒸發源71a與水冷式冷卻板71w之間設置反射器71r的構造進行說明，然而，只要水冷式冷卻板71w之冷卻性能夠強的話，也可刪除反射器71r。
在如上所示之構成，如第4C圖所示，蒸發源部71， 在開始真空蒸鍍前，噴嘴73從上昇端之待機位置WSu1下降，並在與固定於處理室1a-1之光閘75有段距離的部分WSu2暫停。在此狀態下，藉由以驅動部24驅動為支撐塊22及23所支撐而可被水平方向之導引部21所引導而移動之支撐體25，使固定於支撐體25之膜厚監視器20，沿著並列成線狀之蒸發源部71之複數蒸發源71a的噴嘴73a~n以一定速度移動(掃描)來監視蒸發量，並將該監視所得之信號傳送給未圖示之控制部。
膜厚監視器20，係依據對應於附著在石英振盪器之成膜材料堆積量的頻率變化來檢測成膜率者。膜厚監視器20之檢測面28，係以與對應於由基板保持手段82針對蒸發源部71保持垂直之基板6表面的位置為相同平面內(蒸發源部71與基板6之間隔為相同間隔)的方式來設置，可以檢測對應於基板6之表面位置之蒸鍍率(單位時間之蒸鍍膜厚度)的蒸發源部71之長度方向(噴嘴73a~n之並列方向)的分佈。
在未圖示之控制部，分析膜厚監視器20所檢測之對應來自各噴嘴73i(i=a~n)之蒸發量之基板表面位置的成膜率，檢查各噴嘴73i(i=a~n)之蒸發狀態，特定相較於其他之檢測信號較小的噴嘴，或者，將全部噴嘴之檢測信號電平與預設之基準電平進行比較，檢查蒸發量是否過多。
如此，因為可以檢查蒸發之蒸鍍材料被由各噴嘴73i(i=a~n)放出至處理室內部的狀態，可以更細緻地控制 蒸鍍率，亦即，可以提高成膜於基板上之薄膜膜厚的分佈均一性。
掃描膜厚監視器20來檢查來自蒸發源71a所蒸發之蒸鍍材料從噴嘴73a~n放出至處理室內部的狀態，確認無異常後，以上下驅動手段72使蒸發源部71以一定速度下降，透過蔭蔽罩81將發光材料蒸鍍於設置於相對面之基板6上。蒸發源部71，超過相對基板6而到達下降端之待機位置WSu，在前面為光閘75所覆蓋之狀態下，等待對下一基板之蒸鍍的開始。
在本實施例，因為係只將膜厚監視器20設置於接近蒸發源部71之上昇端之待機位置WSu1的一側，蒸發源部71從下降端側之待機位置WS1開始上昇時，不執行蒸發量之監視。
第6圖，係以上構成之處理腔室1的處理流程圖。本實施形態之處理的基本概念，係以基板之蒸鍍面做為上面來進行搬送，使以上面進行搬送之基板6垂直立起並搬送至對準部8來進行蒸鍍。搬送時，若基板6之下面為蒸鍍面的話，必須反轉，然而，因為上面為蒸鍍面，只要垂直立起即可。
首先，搬入基板6(S601)，使基板6垂直立起並移動至對準部8(S602)，進行基板6與蔭蔽罩81之校位(S603)。此時，因為基板6係以蒸鍍面為上來進行搬送，可以垂直立起並進行直立校位。校位，如第3圖之放大圖所示，係以CCD攝影機(未圖示)進行拍攝，使配 設於基板6之對準標記84位於設在遮罩81M之窗85的中心，利用前述對準驅動部83控制蔭蔽罩81來實施。窗85之大小因為顏色而不同，然而，平均寬度為100μm程度。遮罩81M之厚度為數10~數100μm，今後應呈現更薄之傾向。
搬入基板6之期間，蒸發源部71退避至上昇端之待機位置WSu1，各噴嘴73a~n之前為光閘74所覆蓋。其次，完成基板6之校位的話，蒸發源部71從上昇端之待機位置WSu1下降而移動至光閘74外之位置WSu2並停止(S604)，來自各蒸發源71a~n之蒸發的成膜材料從各噴嘴73a~n被放出至處理腔室1內部。
在此狀態，膜厚監視器20開始沿著各噴嘴73a~n進行掃描(S605)，監視對應於基板6表面之各位置之蒸鍍率，來檢測各噴嘴73a~n對處理室內部放出蒸發之成膜材料的狀態(S606)。完成膜厚監視器20之掃描的話(S607)，控制部50檢查各噴嘴73a~n及全體之蒸鍍率(S608)，有異常時，判斷原因是噴嘴73a~n阻塞、或是加熱器71H之施加電壓異常(S609)，加熱器71H之施加電壓異常時，回授加熱器71H之施加電壓(S610)。另一方面，噴嘴73a~n阻塞時，發出警報來通知異常(S611)。
利用膜厚監視器20完成各噴嘴73a~n之蒸發量檢查、及蔭蔽罩81與基板6之校位的話，以上下驅動手段72驅動使蒸發源部71開始朝下方移動(S612)，將一邊 使蒸發源部71以一定速度移動一邊進行蒸發之蒸發材料71Z從各噴嘴73a~n放出至處理腔室1內部，並透過蔭蔽罩81對基板上進行蒸鍍來形成薄膜(S613)。蒸發源部71到達下端的話，停止蒸發源部71之下降(S614)，基板6之蒸鍍結束的話，蒸發源部71之各噴嘴73a~n於下降端之待機位置WS1，在被光閘75覆蓋之狀態下，進行對下一基板之蒸鍍開始的待機。其次，從處理腔室1搬出基板6(S615)，等待下一新基板6’的搬入。
其次，新基板6’被搬入(S616)，新基板6’被保持垂直(S617)，蔭蔽罩之校位結束的話(S618)，以上下驅動手段72開始驅動使蒸發源部71朝上方移動(S619)，一邊使蒸發源部71以一定速度移動一邊透過蔭蔽罩81從各噴嘴73a~n對處理腔室1內部放出蒸發之蒸發材料71Z，對基板上進行蒸鍍來形成薄膜(S620)。蒸發源部71到達上端的話，停止蒸發源部71之上昇(S621)，結束新基板6’之蒸鍍，搬出完成蒸鍍之基板6’。此處，在開始新基板6’之蒸鍍的時點，蒸發源部71位於下降端側，因為加工端側未設置膜厚監視器20，不執行蒸發源部71開始上昇前之各噴嘴73a~n之蒸發量的監視。亦即，不執行對應於(S704)~(S711)之流程的處理。
其後，重複執行上述流程。
依據以上所說明之實施形態，藉由監視基板6表面之蒸發源部71之各噴嘴73a~n之並列方向的蒸鍍率分佈， 來調整各噴嘴73a~n之蒸鍍物質的放出量，可以提供膜厚分佈均一之高信賴性的有機EL元件製造裝置。
上述之實施形態，係全部以基板6之蒸鍍面為上來執行搬送時進行說明。其他之基板搬送方法，例如，以蒸鍍面為下之搬送方法，或者，將基板裝入並立於盒體等之搬送方法。
然而，因為檢測對應上述基板表面之位置的蒸鍍率分佈來調整蒸發源之由各噴嘴之蒸鍍物質的放出量之基本概念，與搬送方法無關，不論搬送方法為何，皆可適用本發明。
此外，上述說明中，係以有機EL元件為例來進行說明，然而，也可適用於與有機EL元件相同背景之執行蒸鍍處理的成膜裝置及成膜方法。
[實施例2]
在實施例1，係針對在真空蒸鍍腔室1bu內逐片處理基板6之例進行說明，然而，在實施例2，係在真空蒸鍍腔室1bu內設置2組基板保持手段82，並使蒸發源在其間移動，依序實施成膜之構成，並針對藉由對以其中一方之基板保持手段82R保持之基板進行處理之期間，將另一基板裝設於另一基板保持手段82L，並完成蔭蔽罩81與基板6之校位來提高裝置之產率的構成進行說明。
實施例2與實施例1不同之處，係在真空蒸鍍腔室1bu之內部，分別具有蔭蔽罩81、基板保持手段82、梳 齒狀手94、以及基板旋轉手段93之右側R線及左側L線之2系統的構成。
對於與實施例1重複之部分，省略其說明，而針對與實施例1不同之點進行說明。
第7圖，係實施例2之有機EL元件製造裝置構成的一例。本實施形態之有機EL元件製造裝置100，係具備：搬入處理對象之基板6的基板搬入部4a：對搬入之基板6進行處理之3個處理單元7A~7C；設置於各處理單元之內部的搬送臂705a~705c；以及設置鄰接之各處理單元之間(7A與7B、及7B與7C)、及處理單元7C與次製程(封裝製程)之間的基板受取室部704b~d而構成。於各處理單元7A~7C，分別具備：2個處理室71a及71b、72a及72b、73a及73b；及設有搬送臂705a~705c之搬送室702a~702c。處理室71a及71b、72a及72b、73a及73b，分別具備2組之基板保持手段，各處理單元7A~7C分別執行相同處理。
此外，各搬送室702a~702c、與各處理室71a、71b、72a、72b、73a、73b、基板搬入部704a、及基板受取室部704b~d之間，由閘閥710a-1~710a-4、710b-1~710b-4、及710c-1~710c-4所區隔，各空間利用未圖示之真空排氣手段個別地維持於真空狀態，從基板搬入部704a之搬入口704a-1被搬入之基板6，至被從基板受取部704d之搬出口704d-1排出為止前，不會曝露於大氣下而在真空環境中被進行搬送。
其次，在如第7圖所示之構成，針對從基板搬入部704a被搬入之基板6進行處理至從基板受取部704d被排出為止之處理流程進行說明。
首先，基板搬入部704a，由搬入口704a-1從未圖示之基板供應單元受取基板。其次，由未圖示內部之真空排氣手段對基板搬入部704a之內部進行真空排氣後，開啟閘閥710a-1，以設置於由未圖示內部之真空排氣手段進行真空排氣之處理單元7A之搬送室702a的搬送臂705a，將基板6搬入處理單元7A內部。其次，關閉閘閥710a-1，在處理單元7A之內部，開啟閘閥710a-2，搬送臂705a將基板6供應給處理室71a或71b中之未保持基板6之任一基板處理部之保持手段，例如，處理室71a之基板處理部701a-1之保持手段。
於被供應基板6之處理室71a的基板處理部701a-1，在搬送臂705a退避後，關閉閘閥710a-2，以未圖示內部之真空排氣手段進行至特定壓力之高真空排氣後，以真空蒸鍍在基板6上形成薄膜。
其後，實施特定時間之真空蒸鍍而於基板6上形成薄膜後，停止對基板之真空蒸鍍，開啟閘閥710a-2，以搬送臂705a將基板6從基板處理部701a-1取出至搬送室702a，關閉閘閥710a-2後，開啟閘閥710a-3，將基板6受取至基板受取部704b。將基板6受取至基板受取部704b，搬送臂705a退避至搬送室702a後，關閉閘閥710a-3，其次，開啟閘閥710b-1，以設置於搬送室702b 之搬送臂705b將被受取至基板受取部7044b之基板6，搬入搬送室702b之內部。以下，執行與在處理單元7A內部之處理相同的處理後，將基板6搬入處理單元7C並同樣進行處理。在處理單元7C被處理之基板6，從基板受取部704d被受取至未圖示之次製程的處理裝置。
第8圖，係以第2實施例為基礎之搬送腔室與處理腔室之構成概要。處理腔室之構成因為處理內容而不同，然而，係以在真空蒸鍍發光材料來形成EL層之真空蒸鍍腔室7A為例來進行說明。設置於搬送腔室702a內部之搬送機械人705a，具有可左右旋轉構造之臂851，其前端，裝設著基板搬送用之梳齒狀手852，基部805被固定於搬送腔室702a之內部。
另一方面，於處理腔室71a之內部，大致具備：蒸發發光材料並蒸鍍於基板6之蒸發源部871；驅動該蒸發源部871使其沿著由基板保持手段882R或882L保持垂直之基板6而與基板6平行之上下方向移動的上下驅動部876；將發光材料蒸鍍於基板6之必要部分的蔭蔽罩81；用以執行與搬送機械人705a之間之基板6之受取的梳齒狀手894；由使以梳齒狀手894受取之基板6旋轉並直立並移動至基板保持手段882之馬達893所驅動的基板旋轉手段891；以及使蒸發源部871在L線與R線之間沿著導軌875移動之驅動部876。其次，實施真空蒸鍍時，以未圖示之真空排氣泵使內部維持於10-3~10-4Pa程度之高真空狀態。
而且，第8圖中省略圖示，然而，搬送腔室702a與處理腔室71a由可開關之閘閥710a-2所區隔。
此外，如第9圖所示，蒸發源部871，利用左右驅動手段856沿著導軌857在左右之對準部L與R之間移動。在蒸發部871之左右對準部L與R之間之移動路徑的中途，設置有膜厚監視器820，膜厚監視器820之檢測面821，係以與由基板保持手段82R或82L保持垂直之基板6表面為同一平面內之方式來設定。被左右驅動手段856驅動，蒸發源部871沿著導軌857在左右對準部L與R之間以一定速度進行移動時，蒸發源部871之各噴嘴873a~n通過膜厚監視器820之正前方，以膜厚監視器820檢測各噴嘴873a~n之蒸發量做為膜厚之變化，將該被檢測到之信號傳送至未圖示之控制部，與預設之基準電平進行比較來檢查蒸鍍量是否過多及分佈。
蒸發源部871之詳細構成，基本上，與在第1實施例利用第5圖所進行之說明者相同。
第10圖，係第2實施例之處理腔室71a的處理流程圖。本實施形態之處理的基本概念，係與第1實施例所說明者相同，以基板6之蒸鍍面做為上面並以搬送臂705a進行搬送，以基板旋轉手段891使以上面被搬送之基板6垂直豎立並以基板保持手段882保持，來搬送至對準部L或R，進行蒸鍍。搬送時，若以基板6之下面做為蒸鍍面，則必須反轉，因為上面為蒸鍍面，只要垂直豎立即可。
此外，在本實施例，蒸鍍製程所需要的時間、與至將基板6搬入處理腔室71a並完成對準為止的時間大致相同，在本實施形態，分別大約為1分鐘。所以，本實施形態之處理的其他基本概念，係在其中一方之線L或R進行蒸鍍之期間，在另一方之線R或L，則搬出完成處理之基板並搬入新基板，進行校位，完成蒸鍍準備。藉由交互執行該處理，可以縮短蒸發源之待機時間，故可減少材料蒸發而浪費於大氣中之時間。
利用第10圖，針對該處理流程來進行詳細說明。首先，在R線，搬入基板6R(S1001R)，使基板6R垂直豎立並移動至對準部8R(S1002R)，執行基板6與蔭蔽罩81之校位(S1003R)。此時，為了垂直豎立來進行校位，以蒸鍍面為上來搬送基板6。校位，與實施例1之說明相同，如第8圖之放大圖所示，係以CCD攝影機等之拍攝手段(未圖示)進行拍攝，使設置於基板6之對準標記84位於設在蔭蔽罩81R之窗85的中心，並以前述對準驅動部83R來控制蔭蔽罩81R之方式實施。若本蒸鍍為發紅(R)光之材料的話，如第3圖所示，對應於蔭蔽罩81R之遮罩81M的R之部分形成有窗，基板6之窗的下方部分被蒸鍍。
完成校位的話，以左右驅動手段856驅動在L線側待機而前面為光閘974L所覆蓋之蒸發源部871，沿著導軌857於R線側移動(S1001E)。此時，蒸發源部871係以一定速度在L線側與R線側之間移動，在離開光閘974L 之位置，蒸發源871a之各噴嘴873a~n通過膜厚監視器820之正前方，膜厚監視器820檢測各噴嘴873a~n之蒸發量做為膜厚之變化，亦即，做為蒸鍍率(S1002E)，並將該檢測信號傳送至未圖示之控制部。
完成使蒸發源部871朝R線側移動(S1003E)後，以未圖示之控制部來檢查各噴嘴873a~n及全體之蒸發量是否有異常(S1004E)，有異常時，判斷其原因係噴嘴873a~n阻塞、或是加熱器71H之施加電壓異常(是否可以加熱器71H之控制來對應)(S1005E)，加熱器71H之施加電壓異常時，回授加熱器71H之施加電壓(S1006E)。另一方面，噴嘴873a~n阻塞時，發出警報來通知異常(S1007E)。
利用膜厚監視器820之各噴嘴873a~n之蒸發量的檢查結束，在R線側之待機位置，蒸發源部871之各噴嘴73a~n為光閘974R所覆蓋之狀態，蔭蔽罩81與基板6R之校位結束的話，以上下驅動手段872驅動蒸發源部871使其開始朝上方連續移動(S1004R)，使在離開光閘874R之位置蒸發的蒸發材料71Z由各噴嘴873a~n放出至處理腔室71a內部，並透過蔭蔽罩81蒸鍍於基板6R上，來形成薄膜(S1005R)。蒸發源部871到達一對導軌876之上端附近為止，完成基板6R之蒸鍍的話，蒸發源部871停止朝上方移動(S1006R)，在一對之導引軸876R之上端部，蒸發源部871之各噴嘴73a~n在為光閘975R覆蓋之狀態進行待機。
另一方面，對R線基板6R之蒸鍍中，在L線，執行與R線之從(S1001R)至(S0103R)為止之相同處理。亦即，搬入另一基板6L(S1001L)，使該基板6L垂直豎立並移動至對準部8L(S1002L)，執行蔭蔽罩81L之校位(S1003L)。
完成R線之基板6R蒸鍍並在一對導引軸876之上端部待機的蒸發源部871，確認基板6L與蔭蔽罩81L完成校位後，為驅動部856所驅動而沿著導軌875移動至L線側(S1008E)，前面(設置各噴嘴73a~n之面)為光閘975L所覆蓋之狀態。此處，從R線側移至L線側時，因為蒸發源部871係在一對導引軸876之上端部進行待機，膜厚監視器820不對各噴嘴73a~n執行蒸發量檢查。此外，光閘875R與875L也可以為連續一體形成而不分離。此時，蒸發源部871，在設有各噴嘴73a~n之面(前面)為光閘所覆蓋之狀態下，從R線側朝L線側移動。
其次，到達L線側之蒸發源部871，在上下驅動手段883之驅動下開始朝下方移動(S1004L)，從脫離光閘975L之覆蓋時，從各噴嘴73a~n對處理腔室71a內部放出蒸發之蒸發材料71Z，並透過蔭蔽罩81對基板6L上進行蒸鍍，來形成薄膜(S1005L)，蒸發源部871到達一對導軌876之下端附近，基板6L之蒸鍍完成的話，停止蒸發源部871朝下方之移動(S1006L)，在一對導引軸876之下端部，蒸發源部871之各噴嘴73a~n在為光閘974L 所覆蓋之狀態下進行待機。
另一方面，在R線，確認蒸發源部871完成在L線側之移動後，開始從處理腔室71a搬出基板6R之動作(S1007R)。其後，搬入新基板6R’(S1008R)，使基盤6R’垂直豎立並移至對準部8R(S1009R)，執行基板6R’與蔭蔽罩81R之校位(S1010R)。其後，重複執行上述流程。
依據本實施例，也與第1實施例之說明相同，因為以水冷式冷卻板71w來防止遮罩81被蒸發源71a之輻射熱加熱，相較於只以反射器71r來阻隔蒸發源71a之輻射熱時，可以使蒸發源71a與基板6之間隔更為縮小，而且，除了蒸發源部871之移動時間以外，不會浪費蒸鍍材料，而可在基板上形成蒸鍍膜，故可提高蒸鍍材料應用於實際成膜之比例，亦即，可以提高材料利用效率而有效地應用昂貴之蒸鍍材料。
此外，因為可以1個蒸發源來依序處理2片基板，相較於傳統，可以較少數之蒸發源來處理基板，不但可以實現設備之小型化，而且，可減少消耗電力。
此外，因為藉由提高材料利用效率來減少附著於處理室71a內部之蒸鍍材料量，處理室71a內部之污染較為緩慢，可以延長處理室71a內部之掃除間隔，而提高裝置之運轉率。並且，藉由縮小蒸發源871a與基板6之間隔，可提高成膜速度並提升產率。
而且，在本實施例，只要水冷式冷卻板71w之冷卻性 能夠強的話，也可刪除反射器71r。
上述實施例，係針對以真空蒸鍍在基板上形成有機EL膜之裝置例來進行說明，然而，本專利發明並未受限於此，也可適用於有機EL以外之蒸鍍薄膜，例如，金屬薄膜、無機材料系之薄膜形成。
71H‧‧‧加熱器
71a‧‧‧蒸發源
71s‧‧‧溫度感測器
71c‧‧‧罩蓋
71r‧‧‧反射器
71p‧‧‧管
72K‧‧‧螺帽
72P‧‧‧滾珠螺桿
71z‧‧‧蒸鍍材料
71a-3‧‧‧開口部
71‧‧‧蒸發源部
42‧‧‧支撐構件
41‧‧‧監視頭
6‧‧‧基板
82‧‧‧基板保持手段
71w‧‧‧水冷式之冷卻板
81‧‧‧蔭蔽罩
81F‧‧‧框架
81M‧‧‧遮罩

Claims (12)

  1. 一種真空蒸鍍裝置，係在被真空排氣之腔室內，對板狀之基板蒸鍍經過加熱而汽化後之蒸鍍材料的真空蒸鍍裝置，其特徵為具有：保持手段，其係用以保持基板；蒸發源，其係使蒸鍍材料汽化並使其從配置於線上之複數噴嘴放出而具有一方較長之形狀；移動手段，其係用以使前述蒸發源或保持前述基板之保持手段的至少其中一方朝垂直於前述蒸發源之較長方向的方向移動；以及檢測手段，其係用以檢測來自前述蒸發源之前述蒸鍍材料的放出率；且前述蒸發源，具有：用以收容蒸發材之蒸發材收容部；對被收容於該收容部之蒸發材料進行加熱之加熱部；以及位於該加熱部與前述保持手段之間，用以阻隔由前述加熱部所發生之朝向前述基板之輻射熱而內部具備冷卻水通路之冷卻部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之真空蒸鍍裝置，其中前述真空蒸鍍裝置，係具備2組用以保持前述基板之保持手段，更具備在平行於該蒸發源之較長方向的方向驅動前述蒸發源並使其在前述2組保持手段之間往返移動之第2移動手段。
  3. 一種真空蒸鍍裝置，係具備複數之在內部排氣而 維持於真空狀態之處理室內以蒸鍍對表面覆蓋著蔭蔽罩之被處理基板的表面形成薄膜之真空蒸鍍部，並具有在維持真空之環境於前述複數之真空蒸鍍部間接受前述被處理基板之被處理基板受取部的真空蒸鍍裝置，其特徵為，前述複數之真空蒸鍍部中之至少其中一個真空蒸鍍部，具備：蒸發源，其係透過配置於線上之複數噴嘴對前述處理室內放出蒸發之材料；基板保持手段，其係於前述蔭蔽罩覆蓋之狀態保持前述被處理基板；以及蒸發源驅動手段，其係使前述蒸發源，在相對於配置在前述線上之複數噴嘴之配列方向的直角方向，沿著於保持蔭蔽罩覆蓋之狀態而由前述基板保持手段所保持之被處理基板進行掃描；且前述蒸發源具備：用以收容蒸發材之蒸發材收容部；對被收容於該收容部之蒸發材料進行加熱之加熱部；以及位於該加熱部與前述保持手段之間，用以阻隔由前述加熱部所產生之朝向前述基板之輻射熱而內部具備冷卻水通路之冷卻部。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之真空蒸鍍裝置，其中前述至少其中一個真空蒸鍍部，係具有2組前述基板保持手段，更具備使前述蒸發源在前述2組基板保持手段之間移動的移動手段。
  5. 一種真空蒸鍍裝置，其特徵為具備：真空槽，其係具備真空排氣手段；蒸發源，其係透過配置於線上之複數噴嘴將蒸發之材料放出至前述真空槽內部；基板保持手段，其係在覆蓋蔭蔽罩之狀態下保持被處理基板；蒸發源驅動手段，其係使前述蒸發源沿著由前述基板保持手段所保持之被處理基板，在相對於配置在前述線上之複數噴嘴之配列方向的直角方向進行掃描；以及監視手段，利用該蒸發源驅動手段而與前述蒸發源一起移動並監視該蒸發源放出之前述材料的放出狀態；且前述蒸發源具有：收容蒸發材之蒸發材收容部；對收容於該收容部之蒸發材料進行加熱之加熱部；以及位於該加熱部與前述保持手段之間，用以阻隔由前述加熱部所產生之朝向前述基板之輻射熱而內部具備冷卻水通路的冷卻部。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之真空蒸鍍裝置，其中具備2組前述基板保持手段，更具備使前述蒸發源在前述2組保持手段之間往返移動之移動手段。
  7. 如申請專利範圍第1、3或5項所記載之真空蒸鍍裝置，其中在前述加熱部與前述冷卻部之間，更具備用以反射前述加熱部所發射之輻射熱的反射板。
  8. 如申請專利範圍第1、3或5項所記載之真空蒸鍍裝置，其中更具備沿著前述蒸發源之長度方向針對該蒸發源進行相對移動，並監視從該蒸發源之配置於線上之複數噴嘴放出前述材料之狀態的第2監視手段。
  9. 一種真空蒸鍍方法，係在內部排氣而維持於真空狀態之第1處理室內藉由以蒸鍍被處理基板之表面形成第1薄膜，在維持真空之環境中將在該第1處理室內被以蒸鍍形成薄膜之被處理基板移至第2處理室，並在該第2處理室內對前述被處理基板之表面進行蒸鍍來形成第2薄膜的真空蒸鍍方法，其特徵為：在前述第1處理室或前述第2處理室中之至少其中一個處理室內，在表面為蔭蔽罩所覆蓋之狀態下以保持手段保持被處理基板，在蒸發源被汽化之蒸鍍材料透過配置於線上之複數噴嘴被放出至前述處理室內，一邊以配置於前述蒸發源之複數噴嘴與前述蔭蔽罩之間的水冷式冷卻部阻隔前述蒸發源對前述蔭蔽罩所發射之輻射熱，一邊沿著前述被處理基板之表面進行前述蒸發源掃描，而在為前述蔭蔽罩所覆蓋之被處理基板之表面形成薄膜。
  10. 一種真空蒸鍍方法，係在表面為蔭蔽罩所覆蓋之狀態下以保持手段保持被處理基板，使蒸發源透過配置於線上之複數噴嘴蒸發材料，一邊以配置於前述蒸發源之複數噴嘴與前述蔭蔽罩之間的水冷式冷卻部，阻隔前述蒸 發源對前述蔭蔽罩所發射之輻射熱，一邊沿著前述被處理基板之表面使前述蒸發源進行掃描，來對為前述蔭蔽罩所覆蓋之被處理基板表面形成薄膜。
  11. 如申請專利範圍第9或10項所記載之真空蒸鍍方法，其中在前述蒸發源之複數噴嘴與前述水冷式冷卻部之間，設置反射板，以前述反射板反射由前述蒸發源所發射之輻射熱，而且，以前述水冷式冷卻部阻隔來自藉由前述蒸發源所發射之輻射熱而被加熱之前述反射板的輻射熱。
  12. 如申請專利範圍第9或10項所記載之真空蒸鍍方法，其中藉由使監視前述材料之放出狀態的監視手段沿著配置於前述蒸發源之複數噴嘴之線上方向而對該蒸發源進行相對移動，來監視前述複數噴嘴之前述材料的放出狀態。
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