CN112442660A - 挡板装置、成膜装置、成膜方法及电子设备的制造方法 - Google Patents
挡板装置、成膜装置、成膜方法及电子设备的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112442660A CN112442660A CN202010303201.4A CN202010303201A CN112442660A CN 112442660 A CN112442660 A CN 112442660A CN 202010303201 A CN202010303201 A CN 202010303201A CN 112442660 A CN112442660 A CN 112442660A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- shutter
- film forming
- width direction
- end side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 36
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 33
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 29
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 150
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种动作的稳定性、可靠性高的挡板装置作为成膜装置中具备的挡板装置。使挡板滑动移动的驱动机构具备:支承台;驱动力产生部,其产生在滑动移动的方向上对挡板作用的力;以及引导部,其一边允许挡板的宽度方向上的挡板的一端侧与另一端侧各自在宽度方向上的挡板与支承台之间的相对移动,一边在与滑动方向以及宽度方向正交的方向上支承挡板的一端侧和另一端侧,并对挡板的滑动移动进行引导,挡板的宽度方向与挡板相对于支承台的滑动方向正交。
Description
技术领域
本发明涉及通过真空蒸镀方式在成膜对象物上形成薄膜的成膜装置以及在该成膜装置中具备的挡板装置。
背景技术
作为在作为成膜对象物的基板上形成薄膜的成膜装置,有真空蒸镀方式的成膜装置,所述真空蒸镀方式的成膜装置在真空腔室内加热收容有成膜材料的容器(坩埚),使成膜材料蒸发(升华或气化)并向容器外喷射,并且使其附着、堆积在基板的表面。在开始容器的加热并利用成膜速率监测器确认成膜速率稳定后开始成膜。在成膜速率稳定之前的期间需要防止成膜材料向基板的附着,另外,也存在加热初期在蒸发的成膜材料中混入有杂质的情况,因此已知具备利用挡板遮挡容器的喷射口与基板之间的机构的成膜装置(专利文献1、2)。
作为挡板机构的结构,以往提出了各种结构,但挡板机构的不良状况或故障的发生会给制造节拍带来大的影响,因此要求动作的稳定性、可靠性高的结构。若挡板机构发生不能动作等不良状况,则需要将腔室内暂时恢复到大气压,工作人员进入腔室内并确认不良状况,在需要的情况下进行检查、修缮等,然后重新进行室压调整、成膜速率调整。即,工序进程大幅延迟。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2003-115379号公报
专利文献2:日本特开2015-128119号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的目的在于提供动作的稳定性、可靠性高的挡板装置作为成膜装置所具备的挡板装置。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的,本发明的挡板装置为,
在通过真空蒸镀进行成膜的成膜装置中使用的挡板装置,其具备:
挡板;以及
驱动机构,所述驱动机构使所述挡板滑动移动,
其特征在于,
所述驱动机构具备:
支承台;
驱动力产生部,所述驱动力产生部产生在所述滑动移动的方向上对所述挡板作用的力;以及
引导部,所述引导部一边允许所述挡板的宽度方向上的所述挡板的一端侧与另一端侧各自在所述宽度方向上的所述挡板与所述支承台之间的相对移动,一边在与滑动方向以及所述宽度方向正交的方向上支承所述挡板的一端侧和另一端侧,并对所述挡板的所述滑动移动进行引导,所述挡板的宽度方向与所述挡板相对于所述支承台的所述滑动方向正交。
为了实现上述目的,本发明的成膜装置,其特征在于,具备:
腔室,所述腔室收容成膜对象物;
加热部,所述加热部收容成膜材料并对配置在所述腔室内的容器进行加热;以及
本发明的挡板装置,所述挡板装置配置在所述腔室内。
为了实现上述目的,本发明的成膜方法,
使用本发明的成膜装置,使从配置在腔室内的容器蒸发的成膜材料附着在收容于所述腔室内的成膜对象物,并对所述成膜对象物进行成膜,其特征在于,包括:
第一遮蔽工序,在所述第一遮蔽工序中,在所述腔室中未收容所述成膜对象物的状态下,使所述成膜装置中具备的挡板装置所具备的挡板位于能够遮挡从所述容器蒸发的成膜材料向所述成膜对象物的附着的遮蔽位置;
准备加热工序,在所述准备加热工序中,在使所述挡板保持在所述遮蔽位置的状态下进行所述容器的加热;
搬入工序,在所述搬入工序中,在从所述容器蒸发的所述成膜材料的蒸发速率稳定后,向所述腔室内搬入所述成膜对象物;
成膜工序,在所述成膜工序中,在所述成膜对象物配置在所述腔室内的规定位置后,使所述挡板向不遮挡从所述容器蒸发的所述成膜材料向所述成膜对象物的附着的非遮蔽位置移动,并对所述成膜对象物进行成膜;
第二遮蔽工序,在所述第二遮蔽工序中,在对所述成膜对象物的成膜结束后,使所述挡板向所述遮蔽位置移动;以及
搬出工序,在所述搬出工序中,在使所述挡板位于所述遮蔽位置的状态下将所述成膜对象物从所述腔室搬出。
为了实现上述目的,本发明的电子设备的制造方法,
是具有在基板上形成的有机膜或金属膜的电子设备的制造方法,其特征在于,
通过本发明的成膜方法,在作为所述成膜对象物的基板上形成所述有机膜或所述金属膜。
发明效果
根据本发明,能够提供动作的稳定性、可靠性高的挡板装置作为成膜装置中具备的挡板装置。
附图说明
图1是本发明的实施例的成膜装置的示意性剖视图。
图2是表示本发明的实施例的挡板装置的结构(挡板打开时)的示意性俯视图。
图3是表示本发明的实施例的挡板装置的结构(挡板关闭时)的示意性俯视图。
图4是表示本发明的实施例的比较例的挡板装置的结构的示意性俯视图。
图5是本发明的实施例的成膜工艺的流程图。
图6是有机EL显示装置的说明图。
附图标记说明
1…成膜装置,100…基板,20…控制部,200…真空腔室(成膜室),300…蒸发源装置,301…蒸发源容器(坩埚),302…加热器(加热源),303…喷嘴,10…监测器单元,5…挡板机构(挡板装置),50…挡板,51…可动台,52…固定台(支承台),53…马达(动力源),511…第一齿条,521…第一小齿轮,512…第二小齿轮,522…第二齿条,513…第三小齿轮,523…第三齿条,514…轴,524…旋转体(第一旋转构件),525…旋转体(第二旋转构件),515、516、517…车轮(第三旋转构件)。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的优选的实施方式以及实施例进行说明。但是,以下的实施方式及实施例仅例示性地表示本发明的优选结构,本发明的范围并不限定于这些结构。另外,以下的说明中的装置的硬件结构以及软件结构、处理流程、制造条件、尺寸、材质、形状等只要没有特别特定的记载,就不旨在将本发明的范围仅限定于这些条件。
[实施例1]
参照图1~图3,对本发明的实施例的成膜装置以及在该成膜装置中具备的挡板装置(挡板机构)进行说明。本实施例的成膜装置是通过真空蒸镀在基板上使薄膜成膜的成膜装置。
本实施例的成膜装置用于在各种半导体设备、磁设备、电子部件等各种电子设备、光学部件等的制造中通过真空蒸镀在基板(也包括在基板上形成有层叠体的基板)上堆积形成所期望的图案的薄膜(由有机膜、金属膜等形成的材料层)。作为基板的材料,能够选择玻璃、树脂、金属等任意的材料,另外,作为蒸镀材料,也能够选择有机材料、无机材料(金属、金属氧化物等)等任意的材料。更具体而言,本实施例的成膜装置优选用于发光元件或光电转换元件、触摸面板等电子设备的制造。其中,本实施例的成膜装置能够特别优选应用于有机EL(Electro Luminescence,电致发光)元件等有机发光元件、有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造中。此外,本发明中的电子设备还包括具备发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)(的显示面板)、照明装置(例如有机EL照明装置)、具备光电转换元件的传感器(例如有机CMOS图像传感器)。本实施例的成膜装置能够用作包含溅射装置等在内的成膜系统的一部分。
<成膜装置及成膜工艺>
图1是表示本发明的实施例的成膜装置1的结构的示意图。成膜装置1具有利用排气装置24、气体供给装置25而使内部维持为真空环境或氮气等非活性气体环境的真空腔室(成膜室、蒸镀室)200。另外,在本说明书中,“真空”是指由压力比大气压低的气体充满的空间内的状态。
作为成膜对象物的基板100当通过搬运机器人(未图示)搬运到真空腔室200内部时,由设置在真空腔室200内的基板保持单元(未图示)保持,并载置于掩模220上表面。掩模220是具有与在基板100上形成的薄膜图案对应的开口图案221的金属掩模,在真空腔室200内部与水平面平行地设置。基板100通过利用基板保持单元载置于掩模220的上表面,在真空腔室200内部以与水平面平行且作为被处理面的下表面被掩模220覆盖的方式设置。
在真空腔室200内部的基板100的下方设置有蒸发源装置300。蒸发源装置300大致具备收容成膜材料(蒸镀材料)400的蒸发源容器(坩埚)301(以下称为容器301)和作为对收容在容器301中的成膜材料400进行加热的加热部(加热源)的加热器302。容器301内的成膜材料400通过加热器302的加热而在容器301内蒸发,经由设置于容器301上部的形成成膜材料400的喷射口的喷嘴303向容器301外喷出。向容器301外喷射的成膜材料400在设置于装置300上方的基板100的表面,与设置于掩模220的开口图案221对应地进行蒸镀。
加热器302成为如下结构:将通过通电而发热的一根线状(金属丝状)的发热体多次卷绕在容器301的筒状部外周。另外,加热器302也可以是将多根发热体卷绕而成的结构。作为加热器302,可以使用不锈钢等金属发热电阻作为发热体,也可以是碳加热器等。
另外,虽然省略了图示,但蒸发源装置300有时具备用于提高加热器302的加热效率的反射器或传热构件、收容包括它们在内的蒸发源装置300的各结构整体的框体等。另外,为了在整个基板100上均匀地进行成膜,蒸发源装置300有时构成为能够相对于固定载置的基板100相对移动。
本实施例的成膜装置1具备成膜速率监测器装置,作为用于检测从容器301喷出的成膜材料400的蒸气量、或者在基板100上成膜的薄膜的膜厚的装置。成膜速率监测器装置具备监测器单元10和监测器控制部21,所述监测器单元10具备监测头11或遮蔽构件(遮光器(日语:チョッパ))12等。成膜速率监测器装置使从容器301喷出的成膜材料400的一部分附着在石英监测头11所具备的石英振子。通过检测成膜材料400堆积所引起的石英振子的共振频率(固有振动频率)的变化量(减少量),能够取得每单位时间的成膜材料400的附着量(堆积量)作为与规定的控制目标温度对应的成膜速率(蒸镀速率)。通过将该成膜速率反馈到加热器302的加热控制中的控制目标温度的设定,能够任意地控制成膜速率。因此,通过利用成膜速率监测器装置在成膜处理中始终监测成膜材料400的排出量或基板100上的膜厚,能够进行高精度的成膜。
本实施例的成膜装置1的控制部(运算处理装置)20具有:监测器控制部21,监测器控制部21进行监测器单元10的动作的控制、成膜速率的测定、取得;加热控制部22,加热控制部22进行蒸发源装置300的加热控制;以及挡板控制部23,挡板控制部23进行后述的挡板机构(挡板装置)5的挡板50的开闭控制。
图5是表示包含基于本实施例的挡板机构5的挡板50的开闭控制在内的成膜工艺(成膜方法)的流程的流程图。在成膜处理(蒸镀处理)开始之前,在作为成膜对象物的基板100未被搬入真空腔室200内的状态下,使挡板50位于规定的遮蔽位置(关闭位置)(S101)。该遮蔽位置是在基板100配置于真空腔室200内的规定的位置的情况下,能够遮挡从容器301蒸发的成膜材料400附着于该基板100的位置。在该状态下,开始加热器302对容器301的加热,开始利用成膜速率监测器装置监测成膜速率(蒸发速率)的准备加热(S102)。在容器301的温度及成膜速率稳定后,将基板100搬入真空腔室200内并配置在规定的位置(S103),使挡板50从遮蔽位置向非遮蔽位置(打开位置)移动(S104),开始成膜处理(蒸镀处理)(S105)。在成膜处理结束后,使挡板50再次向遮蔽位置移动(S106),将基板100从真空腔室200搬出(S107),完成对该基板100的成膜工艺。
在上述成膜工艺完成后,也维持加热器302对容器301的加热状态,持续地开始对其他基板100的成膜工艺。维持容器301的加热状态的理由例如为:若在基板100的搬出搬入期间停止加热器302的加热,则按每一个基板100的成膜工艺使成膜材料400的蒸发状态复位,每当开始新的成膜工艺时,都必须通过准备加热来实现容器301的温度和成膜速率的稳定化,导致制造节拍的大幅降低,并且也是导致成膜速率按基板产生偏差的原因。因此,在对多个基板100连续地进行成膜处理的情况下,优选持续地维持加热器302对容器301的加热状态,将容器301的温度持续保持为恒定。
另外,根据上述成膜工艺,除了对基板100实施成膜处理的期间以外,使挡板50位于遮蔽位置。其理由例如为:若在成膜处理的实施中以外使挡板50移动到非遮蔽位置,则从维持加热器302的加热状态的容器301蒸发的成膜材料400附着、堆积在真空腔室200内的各处,该堆积物在之后的基板100的搬入时作为颗粒脱离而向基板100落下等,有可能会成为基板100的不良原因。
<加热器的电力供给控制>
通过由包含电源电路的加热控制部22控制向加热器302供给的电量(电流值)而控制加热器302的发热量。通过PID控制来调整电力供给量,以使例如由未图示的温度检测机构检测出的温度维持为适于得到所期望的成膜速率的规定的控制目标温度。通过将能够维持规定的成膜速率的加热器302的发热量(向加热器302供给的供给电力)维持规定的时间,能够在基板100的被成膜面100a形成所期望的膜厚的薄膜
作为加热器302的加热控制中的供给电力的控制方法,本实施例的成膜装置1构成为能够切换执行速率控制和平均功率控制。此外,电力控制方法并不限定于此。
在速率控制中,适时变更控制目标温度,以使由成膜速率监测器装置取得的成膜速率的监测值(实测值)与所期望的目标速率(理论值)一致,根据所设定的控制目标温度来控制向加热器302供给的供给电量。
在本实施例中,作为不依赖于由成膜速率监测器装置取得的成膜速率的监测值(实测值)地决定向加热器302供给的供给电量的电力控制,使用平均功率控制。平均功率控制是如下控制方法:将供给电力的过去数值样本的移动平均设为目标电量,以维持该目标电量的方式控制向加热器302的电力供给。另外,也可以使用以维持预先设定的电量(目标电量)的方式对加热器302进行电力供给的功率控制。在这些电力控制中,使用基于成膜材料的种类、基板与蒸发源的相对速度等成膜条件而设定成膜速率的理论值来控制膜厚。
<本实施例的特征>
参照图1、图2、图3,对本发明的实施例的挡板机构(挡板装置)5进行说明。图2是表示本实施例的挡板机构5的结构的示意性俯视图,示出了挡板50位于非遮蔽位置(打开位置)时的情况。图3是表示本实施例的挡板机构5的结构的示意性俯视图,示出了挡板50位于遮蔽位置(关闭位置)时的情况。
图1所示的挡板机构5用实线表示处于图2所示的非遮蔽位置的状态,用虚线表示处于图3所示的遮蔽位置的状态。图1是在图2、图3中从右侧朝向左侧的方向(X轴方向)观察挡板机构5的图,图2、图3是在图1中从上方朝向下方(Z轴方向)观察挡板机构5的俯视图。
(挡板机构的概略结构)
挡板机构5是使挡板50在遮挡从蒸发源容器301蒸发的成膜材料400向基板100的附着的遮蔽位置(图3)和不遮挡的非遮蔽位置(图2)之间滑动移动的机构。在本实施例中,成为如下结构:使作为板状构件的挡板50的延伸方向与图1~图3中的Y轴方向一致,并向该方向滑动移动。
挡板50构成为:在处于图3所示的遮蔽位置时,以防止从蒸发源容器301蒸发的成膜材料400向基板100的附着,但允许向监控单元10的石英振子的附着的方式,遮挡蒸发源容器301的喷嘴303的喷射口与基板100之间。由此,在通过真空蒸镀进行的成膜中,能够在刚开始蒸发源容器301(成膜材料400)的加热的成膜速率不稳定的状态下,防止蒸发的成膜材料400附着于基板100。另外,也能够防止在加热初期混入到蒸发的成膜材料400中的杂质附着于基板100。若由成膜速率监测器装置监测的成膜速率稳定,成为能够开始成膜的状态,则挡板50退避移动到使蒸发的成膜材料400不妨碍附着于基板100的非遮蔽位置。
如图2和图3所示,本实施例是利用一个挡板50对在规定的方向上配置成一列的三个蒸发源容器301进行遮蔽的结构。挡板50成为如下结构:平行于三个蒸发源容器301的排列方向的方向为长条(长边方向),在与该方向正交的方向上滑动移动。
挡板机构5具备挡板50、固定挡板50的可动台51、支承可动台51的固定台(支承台)52、以及作为用于使挡板50滑动移动的动力源的马达53。可动台51构成为:得到从马达53传递的驱动力,并能够相对于固定台52在一个轴向上往复移动,在本实施例中,能够在图1~图3的Y轴方向上往复移动。固定台52固定于腔室200的底面,并且固定台52相对于蒸发源容器301的相对位置被固定。通过使可动台51相对于固定台52进行上述往复移动,从而挡板50相对于蒸发源容器301在遮蔽位置与非遮蔽位置之间滑动往复移动。
(驱动机构(驱动力产生部))
在马达53,在铅垂向上(Z轴方向)延伸的旋转轴上同轴地固定有第一小齿轮521,马达53对旋转轴进行旋转驱动,由此第一小齿轮521旋转。在可动台51,设置有与第一小齿轮521啮合的第一齿条511。第一齿条511设置成:在挡板50的滑动方向(Y轴方向)上延伸,并且在挡板50的长边宽度方向上与第一小齿轮521相向。即,第一齿条511设置成:在分别与滑动方向、以及蒸发源容器301和基板100的相向方向(在本实施例中为Z轴方向)正交的方向(X轴方向)上,与第一小齿轮521相向。
在固定台52设置有旋转体524、525,作为用于实现第一小齿轮521与第一齿条511的啮合的稳定性、第一齿条511相对于第一小齿轮521的相对移动的稳定性的结构。旋转体524、525均以能够绕平行于第一小齿轮521的旋转轴的轴旋转的方式设置于固定台52。可动台51成为如下结构:在与相对于固定台52的移动方向正交的宽度方向(X轴方向)上的一端侧的第一齿条511中,从第一小齿轮521得到驱动力(旋转力)。旋转体524、525起到对第一齿条511及可动台51赋予限制力的作用,以使从第一小齿轮521受力而移动的第一齿条511的移动轨迹(第一齿条511的延伸方向)不会从沿着挡板50的规定的滑动方向的方向偏离。
作为第一旋转构件的旋转体524在第一齿条511的与第一小齿轮521啮合的一侧的相反侧,配置于在可动台51的宽度方向上与第一齿条511相向的位置。即,第一齿条511成为在可动台51的宽度方向上被第一小齿轮521和旋转体524夹着的配置结构。旋转体524配置成在可动台51相对于固定台52在适当的相对位置滑动移动的期间不与第一齿条511接触。
第一齿条511从第一小齿轮521受到的力的作用方向和大小根据第一小齿轮521的相位(角度)而变化,包括作用于使第一齿条511从第一小齿轮521离开的方向的力。因此,第一齿条511成为相对于第一小齿轮521的姿势(倾斜)容易变化的不稳定的结构。旋转体524以从后面支承第一齿条511的方式抵接、旋转,从而能够将第一齿条511相对于第一小齿轮521的姿势、相对位置维持在适当的状态而不妨碍可动台51的滑动移动。
作为第二旋转构件的旋转体525在与作为第一旋转构件的旋转体524相反的方向上与可动台51相向配置,以便限制第一齿条511(可动台51)相对于第一小齿轮521的相对位置的变动。即,旋转体525配置成在可动台51相对于固定台52在适当的相对位置滑动移动的期间不与可动台51接触。
在从第一小齿轮521作用于第一齿条511的力的状况变化、第一齿条511相对于第一小齿轮521的姿势变化的情况下,与上述相反地,有时第一齿条511以接近第一小齿轮521的方式相对位移。在这样的情况下,旋转体525以限制可动台51的动作的方式抵接、旋转,从而能够将第一齿条511相对于第一小齿轮521的姿势、相对位置维持在适当的状态而不妨碍可动台51的滑动移动。
(驱动机构(引导部))
可动台51成为如下结构:通过所谓的齿轮齿条机构,将相对于固定台52的移动在规定的滑动方向上引导。即,在固定台52的上表面设置有与应使挡板50滑动移动的方向平行地延伸的一对齿条(第二齿条522和第三齿条523)。另一方面,在与作为可动台51的下表面的固定台52上表面相向的面,与一对齿条对应的一对小齿轮(第二小齿轮512和第三小齿轮513)能够绕平行于挡板50的长边宽度方向(X轴方向)的轴旋转地设置,并分别与齿条啮合。由该齿条和小齿轮构成的组分别配置在可动台51(挡板50)的长边宽度方向上的一端侧和另一端侧。
第二小齿轮512和第三小齿轮513,作为一端侧旋转部和另一端侧旋转部,为了使各自的旋转量一致,利用作为连结部的轴514而连结。轴514的两端被轴支承于可动台51的下表面。因此,第二小齿轮512、第三小齿轮513、轴514相对于可动台51绕平行于挡板50的长边宽度方向(X轴方向)的轴一体地旋转。
而且,在可动台51设置有作为第三旋转构件的车轮515、516、517。车轮515、516、517起到将可动台51支承于固定台52的作用,以便在第二齿条523与第二小齿轮512之间、第三齿条与第三小齿轮513之间不施加可动台51(挡板50)的重量。各车轮515、516、517分别能够绕平行于挡板50的长边宽度方向的轴旋转地设置于可动台51。各车轮515、516、517的大小、相对于可动台51的设置位置设计为使可动台51相对于固定台52的高度成为不对上述齿轮齿条机构施加可动台51的重量那样的高度。
根据以上的结构,挡板控制部23控制马达53的驱动的接通断开、正转/反转,而使可动台51相对于固定台52移动,从而能够使挡板50相对于蒸发源容器301滑动移动。即,从图2所示的非遮蔽状态,驱动马达53,使第一小齿轮521向图示箭头方向旋转,从而能够使挡板50向图示箭头方向滑动,转移到图3所示的遮蔽状态。另外,从图3所示的遮蔽状态,驱动马达53,使第一小齿轮521向图示箭头方向旋转(逆旋转),从而能够使挡板50向图示箭头方向滑动,转移到图2所示的非遮蔽状态。
<本实施例的优异的方面>
通过与比较例(假想结构)的比较来说明本实施例的挡板机构的优点。图4的(a)是表示本实施例的比较例的挡板机构的结构的示意性俯视图,图4的(b)是表示比较例的挡板机构中的发生卡住时的情况的示意性俯视图。
如图4的(a)所示,比较例的挡板机构成为如下结构:利用配置在挡板的左右(与滑动方向正交的宽度方向的两端)的两个线性引导件60来引导挡板(可动台)的滑动移动。线性引导件60具有轨道61、以经由滚珠而能够在轨道61上移动的方式组装的可动块62、以及由可动块62支承的可动台63。未图示的挡板由左右的可动台63支承。
左右的线性引导件60调整各自的移动量而被使用,但在大气压下进行调整,在使用时成为真空。因此,由于因初始调整后的实施维护等引起的室压变化所导致的构件变形等的影响等,有时在左右的移动量产生微小的差。该稍微产生的左右的移动量的差、室压或室温等使用环境变化引起的可动部的变形也合在一起,从而如图4的(b)所示,有时在左右的线性引导件60产生可动台63(挡板)相对于轨道61(固定台)倾斜的旋转力矩。在该旋转力矩中,力从第一小齿轮521作用于第一齿条511的部分以及驱动侧线性引导件60(右侧)的可动块62与可动台63的接合部成为作用点/支点,非驱动侧线性引导件60(左侧)的可动块62与可动台63的接合部成为力点,分别产生图示箭头那样的负载。由此,在左右的线性引导件60中产生可动块62不能相对于轨道61顺畅地移动的状态、即所谓的卡住。另外,为了容易理解地表示卡住状态,图4的(b)夸张地示出了线性引导件60的倾斜。为了能够进行精细的直动位置控制,线性引导件成为不被赋予可动方向以外的方向上的移动的自由度的设计。因此,有可能由于上述那样的旋转力矩的产生而陷入无法动作。
与此相对,本实施例成为如下结构:旋转体524、525在成为上述旋转力矩的起点的可动台51的驱动侧(第一齿条511侧),进行可动台51相对于固定台52的左右方向的位置限制、姿势的稳定化,并且,车轮515~517允许可动台51相对于固定台52的左右方向的位移,并且支承可动台51的重量而对滑动移动进行引导。通过该旋转构件的结构,能够高效地释放成为上述旋转力矩的产生原因的负载(不产生负载)。由此,能够顺畅地进行轴514的左右的齿轮齿条机构的移动量的同步,能够实现可动台51(挡板50)相对于固定台52的稳定的滑动移动。即,在可动台51在与挡板50的滑动方向正交的宽度方向上呈长条状且在该宽度方向上的一端侧承受驱动力的结构中,能够以高可靠性实现滑动移动时的宽度方向一端侧的移动量与另一端侧的移动量的一致(同步)。
另外,本实施例的结构为简单的机械结构,成本优势高,维护容易,在不能够有助于蒸镀的成膜材料下落堆积的使用环境下,能够长期维持稳定的动作。
另外,不需要像线性引导件那样设置专用轨道的空间,也有利于节省空间。
<其他>
挡板50的形状、相对于蒸发源容器301的配置等并不限定于本实施例所示的结构,可以根据成膜装置的结构等而采用适宜的最佳结构。
另外,在本实施例中,设为旋转体524、525相对于第一齿条511、可动台51在挡板50的长边宽度方向上相互反向相向的结构,但并不限定于该结构。只要能够将第一齿条511相对于第一小齿轮521的姿势、相对位置维持在适当的状态,则旋转体的数量、配置(发挥限制力的位置、方向)并不限定于特定的结构,可以根据装置结构适宜地设定。
另外,关于第一小齿轮521的旋转轴的方向(第一小齿轮521与第一齿条511相向的方向),只要能够进行对可动台51的顺畅的动力传递,则不限定于本实施例的结构,也可以适宜地采用其他结构。
另外,作为可动台51相对于固定台52的移动量同步机构,在本实施例中为使用了平行配置的一对齿轮齿条机构的结构,但作为能够实现本发明的结构,不限定于该结构。例如,也可以是使用了铁道车辆那样的由轴连结的车轮与轨道的结构、在挡板宽度方向上为长条的旋转辊、履带等那样的结构。
在本实施例中,作为第三旋转构件,关于车轮515~517,设为如下结构:在可动台51,在承受驱动力的第一齿条511侧配置两个车轮515、516。由于可动台51的左右的重量平衡、第一齿条511侧成为上述旋转力矩的产生的起点,因此第一齿条511侧的车轮的数量增多,但并不限定于该结构。车轮的配置、数量可以根据装置结构适宜地变更。
另外,作为第三旋转构件,也可以不是车轮515~517。只要是能够使可动台51(挡板50)支承于固定台52并且使与固定台52的接触区域通过旋转而变化,能够允许可动台51相对于固定台52的宽度方向的相对移动并且引导挡板50的滑动移动的旋转体,则也可以使用其他构件。
另外,在本实施例中规定的XYZ轴方向是以本实施例的装置结构为前提而规定的,如果成为前提的装置结构改变(例如,蒸发源和成膜对象物在水平方向上相向的装置结构),当然各方向的规定方法也改变。
成膜装置的结构也不限于本实施例所示的结构。例如,在能够在真空腔室内收容多个基板、例如两个基板的装置结构中,相对于在搬出搬入两个基板中的一个基板的期间进行另一个基板的成膜那样的装置结构,能够优选应用本实施例的挡板机构。在该情况下,挡板机构构成为能够与蒸发源容器一起在腔室内在进行一个基板的成膜的位置和进行另一个基板的成膜的位置移动。然后,在一个基板的成膜处理位置,与一个基板的成膜处理的进行相应地进行上述的挡板的开闭动作,在此期间,进行另一个基板的搬出搬入(更换)。在一个基板的成膜处理结束后,挡板机构与蒸发源容器一起移动到另一个基板的成膜处理位置,与另一个基板的成膜处理的进行相应地进行挡板的开闭动作。当然,在此期间,进行一个基板的搬出搬入(更换)。通过重复以上的工艺,能够高效地实施对多个基板的连续的成膜处理。
另外,挡板的开闭动作并不限定于打开状态和关闭状态的单纯的两个阶段的状态变化,也能够调整打开状态下的开度。即,作为打开状态,不仅能够设为单纯的全开状态,还能够设为调整了开口面积的打开状态。因此,也可以构成为每次都控制由挡板进行的遮蔽(非遮蔽)的程度而进行成膜。
<电子设备的制造方法的实施例>
接着,说明使用了本实施例的成膜装置的电子设备的制造方法的一例。以下,作为电子设备的例子,例示有机EL显示装置的结构和制造方法。
首先,对要制造的有机EL显示装置进行说明。图6的(a)表示有机EL显示装置60的整体图,图6的(b)表示1个像素的截面构造。
如图6的(a)所示,在有机EL显示装置60的显示区域61呈矩阵状地配置有多个具备多个发光元件的像素62。详细情况将在后面进行说明,发光元件各自具有具备由一对电极夹着的有机层的构造。此外,这里所说的像素是指在显示区域61中能够进行所期望的颜色的显示的最小单位。在本实施例的有机EL显示装置的情况下,通过表示互不相同的发光的第一发光元件62R、第二发光元件62G、第三发光元件62B的组合来构成像素62。像素62大多由红色发光元件、绿色发光元件和蓝色发光元件的组合构成,但也可以是黄色发光元件、青色发光元件和白色发光元件的组合,只要是至少1色以上就没有特别限制。
图6的(b)是图6的(a)的A-B线的局部截面示意图。像素62在基板63上具有有机EL元件,该有机EL元件具备第一电极(阳极)64、空穴输送层65、发光层66R、66G、66B中的任一个、电子输送层67以及第二电极(阴极)68。其中,空穴输送层65、发光层66R、66G、66B、电子输送层67相当于有机层。另外,在本实施方式中,发光层66R是发出红色的有机EL层,发光层66G是发出绿色的有机EL层,发光层66B是发出蓝色的有机EL层。发光层66R、66G、66B分别形成为与发出红色、绿色、蓝色的发光元件(有时也记述为有机EL元件)对应的图案。另外,第一电极64按发光元件分离地形成。空穴输送层65、电子输送层67和第二电极68可以与多个发光元件66R、66G、66B共用地形成,也可以按每个发光元件形成。另外,为了防止第一电极64和第二电极68由于异物而短路,在第一电极64之间设置有绝缘层69。而且,有机EL层由于水分、氧而劣化,因此设置有用于保护有机EL元件免受水分、氧的影响的保护层70。
接着,对有机EL显示装置的制造方法的例子进行具体说明。
首先,准备用于驱动有机EL显示装置的电路(未图示)以及形成有第一电极64的基板63。
在形成有第一电极64的基板63上通过旋涂形成丙烯酸树脂,通过光刻法将丙烯酸树脂以在形成有第一电极64的部分形成开口的方式图案化,并形成绝缘层69。该开口部相当于发光元件实际发光的发光区域。
将绝缘层69被图案化了的基板63搬入第一成膜装置,由基板保持单元保持基板,将空穴输送层65作为共用的层而成膜在显示区域的第一电极64上。空穴输送层65通过真空蒸镀而成膜。
接着,将形成到空穴输送层65的基板63搬入第二成膜装置,由基板保持单元保持。进行基板与掩模的对准,将基板载置于掩模上,在基板63的配置发出红色的元件的部分使发出红色的发光层66R成膜。
与发光层66R的成膜同样地,利用第三成膜装置使发出绿色的发光层66G成膜,进而利用第四成膜装置使发出蓝色的发光层66B成膜。在完成发光层66R、66G、66B的成膜之后,利用第五成膜装置在显示区域61的整体上使电子输送层67成膜。电子输送层67形成为在三种颜色的发光层66R、66G、66B中共用的层。
将形成到电子输送层67的基板移动到溅射装置,使第二电极68成膜,之后移动到等离子体CVD装置而使保护层70成膜,完成有机EL显示装置60。
从将绝缘层69被图案化了的基板63搬入成膜装置到保护层70的成膜完成,若暴露在含有水分、氧的环境中,则有可能使由有机EL材料构成的发光层因水分、氧而劣化。因此,在本例中,成膜装置间的基板的搬入搬出在真空环境或非活性气体环境下进行。
这样得到的有机EL显示装置按每个发光元件高精度地形成发光层。
Claims (16)
1.一种挡板装置,所述挡板装置在通过真空蒸镀进行成膜的成膜装置中使用,其具备:
挡板;以及
驱动机构,所述驱动机构使所述挡板滑动移动,
其特征在于,
所述驱动机构具备:
支承台;
驱动力产生部,所述驱动力产生部产生在所述滑动移动的方向上对所述挡板作用的力;以及
引导部,所述引导部一边允许所述挡板的宽度方向上的所述挡板的一端侧与另一端侧各自在所述宽度方向上的所述挡板与所述支承台之间的相对移动,一边在与滑动方向以及所述宽度方向正交的方向上支承所述挡板的一端侧和另一端侧,并对所述挡板的所述滑动移动进行引导,所述挡板的宽度方向与所述挡板相对于所述支承台的所述滑动方向正交。
2.根据权利要求1所述的挡板装置,其特征在于,
所述驱动力产生部具有:
动力源,所述动力源固定于所述支承台,并产生旋转力;
第一小齿轮,所述第一小齿轮固定于所述支承台,并利用所述旋转力绕平行于与所述滑动方向及所述宽度方向正交的方向的轴旋转;
第一齿条,所述第一齿条与所述挡板一体地设置,与所述滑动方向平行地延伸,并在所述宽度方向上与所述第一小齿轮啮合;以及
第一旋转构件,所述第一旋转构件能够绕所述轴旋转地设置于所述支承台,在所述第一齿条与所述第一小齿轮啮合的一侧的相反侧,与所述第一齿条在所述宽度方向上相向。
3.根据权利要求2所述的挡板装置,其特征在于,
所述驱动力产生部还具有第二旋转构件,
所述第二旋转构件能够绕平行于与所述滑动方向以及所述宽度方向正交的方向的轴旋转地设置于所述支承台,并且在所述第一旋转构件与所述第一齿条相向的方向的反方向上与所述挡板相向。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的挡板装置,其特征在于,
所述引导部具有旋转体,
所述旋转体能够绕平行于所述宽度方向的轴旋转地设置于所述挡板,通过旋转使与所述支承台的接触区域变化,对所述挡板的所述滑动方向的移动进行引导,并构成为:在所述宽度方向上的所述挡板的一端侧与另一端侧之间,所述滑动方向的移动量一致。
5.根据权利要求4所述的挡板装置,其特征在于,
所述旋转体具有:
一端侧旋转部,所述一端侧旋转部在所述宽度方向上的所述挡板的一端侧,对所述挡板的所述滑动方向的移动进行引导;
另一端侧旋转部,所述另一端侧旋转部在所述宽度方向上的所述挡板的另一端侧,对所述挡板的所述滑动方向的移动进行引导;以及
连结部,所述连结部将所述一端侧旋转部和所述另一端侧旋转部连结,以使所述一端侧旋转部和所述另一端侧旋转部的旋转量一致。
6.根据权利要求1~3中任一项所述的挡板装置,其特征在于,
所述引导部具有:
第二小齿轮,所述第二小齿轮能够绕平行于所述宽度方向的轴旋转地设置于所述宽度方向上的所述挡板的一端;
第三小齿轮,所述第三小齿轮能够绕平行于所述宽度方向的轴旋转地设置于所述宽度方向上的所述挡板的另一端;
轴,所述轴连结所述第二小齿轮和所述第三小齿轮,并在所述宽度方向上延伸;
第二齿条,所述第二齿条在所述滑动方向上延伸,在与所述滑动方向以及所述宽度方向正交的方向上与所述第二小齿轮相向并啮合,并设置于所述支承台;以及
第三齿条,所述第三齿条在所述滑动方向上延伸,在与所述滑动方向以及所述宽度方向正交的方向上与所述第三小齿轮相向并啮合,并设置于所述支承台。
7.根据权利要求1~3、5中任一项所述的挡板装置,其特征在于,
所述引导部还具有第三旋转构件,
所述第三旋转构件能够绕平行于所述宽度方向的轴旋转地设置于所述挡板,将所述挡板支承于所述支承台,并且通过旋转使与所述支承台的接触区域变化,一边允许所述相对移动一边对所述挡板的所述滑动方向的移动进行引导。
8.根据权利要求7所述的挡板装置,其特征在于,
在所述引导部设置有多个所述第三旋转构件,所述第三旋转构件至少分别配置在所述宽度方向上的所述挡板的一端侧和另一端侧。
9.根据权利要求1~3、5、8中任一项所述的挡板装置,其特征在于,
所述驱动机构使所述挡板在所述成膜装置中在遮蔽位置和非遮蔽位置之间滑动移动,所述遮蔽位置对从配置在收容成膜对象物的腔室内的容器蒸发的成膜材料向所述成膜对象物的附着进行遮挡,所述非遮蔽位置不进行遮挡。
10.一种成膜装置,其特征在于,具备:
腔室,所述腔室收容成膜对象物;
加热部,所述加热部收容成膜材料并对配置在所述腔室内的容器进行加热;以及
权利要求1~9中任一项所述的挡板装置,所述挡板装置配置在所述腔室内。
11.根据权利要求10所述的成膜装置,其特征在于,
所述容器设置成朝向所述成膜对象物开口的多个喷射口在规定的方向上排列,
将所述多个喷射口排列的方向设为所述宽度方向,所述挡板在所述宽度方向上长条地构成。
12.根据权利要求10所述的成膜装置,其特征在于,
所述成膜装置还具备容器,所述容器收容成膜材料并配置在所述腔室内,并且由所述加热部加热。
13.一种成膜方法,使用权利要求10~12中任一项所述的成膜装置,使从配置在腔室内的容器蒸发的成膜材料附着在收容于所述腔室内的成膜对象物,对所述成膜对象物进行成膜,其特征在于,包括:
第一遮蔽工序,在所述第一遮蔽工序中,当在所述腔室中未收容所述成膜对象物的状态下,使所述成膜装置中具备的挡板装置所具备的挡板位于能够遮挡从所述容器蒸发的成膜材料向所述成膜对象物的附着的遮蔽位置;
准备加热工序,在所述准备加热工序中,在使所述挡板保持在所述遮蔽位置的状态下对所述容器进行加热;
搬入工序,在所述搬入工序中,在从所述容器蒸发的所述成膜材料的蒸发速率稳定后,向所述腔室内搬入所述成膜对象物;
成膜工序,在所述成膜工序中,在所述成膜对象物配置在所述腔室内的规定位置后,使所述挡板向不遮挡从所述容器蒸发的所述成膜材料向所述成膜对象物的附着的非遮蔽位置移动,并对所述成膜对象物进行成膜;
第二遮蔽工序,在所述第二遮蔽工序中,在对所述成膜对象物的成膜结束后,使所述挡板向所述遮蔽位置移动;以及
搬出工序,在所述搬出工序中,在使所述挡板保持在所述遮蔽位置的状态下将所述成膜对象物从所述腔室搬出。
14.一种电子设备的制造方法,所述电子设备具有形成在基板上的有机膜,其特征在于,
通过权利要求13所述的成膜方法,在作为所述成膜对象物的基板上形成所述有机膜。
15.一种电子设备的制造方法,所述电子设备具有形成在基板上的金属膜,其特征在于,
通过权利要求13所述的成膜方法,在作为所述成膜对象物的基板上形成所述金属膜。
16.根据权利要求14或15所述的电子设备的制造方法,其特征在于,
所述电子设备是有机EL显示装置的显示面板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019159759A JP7360851B2 (ja) | 2019-09-02 | 2019-09-02 | シャッタ装置、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP2019-159759 | 2019-09-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112442660A true CN112442660A (zh) | 2021-03-05 |
CN112442660B CN112442660B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=74733474
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010303201.4A Active CN112442660B (zh) | 2019-09-02 | 2020-04-17 | 挡板装置、成膜装置、成膜方法及电子设备的制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7360851B2 (zh) |
KR (1) | KR20210027032A (zh) |
CN (1) | CN112442660B (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113278926B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-06-03 | 布勒莱宝光学设备(北京)有限公司 | 一种镀膜遮挡装置及包含其的镀膜装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007332433A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 真空蒸着装置 |
CN101760720A (zh) * | 2009-12-30 | 2010-06-30 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 真空腔体遮挡装置 |
CN103668046A (zh) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 三星显示有限公司 | 用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法 |
JP2016030839A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社Joled | 蒸着装置および蒸発源 |
CN109722635A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 佳能特机株式会社 | 蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003115379A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-18 | Kiko Kenji Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機el素子製造装置 |
KR102309842B1 (ko) | 2014-05-08 | 2021-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2019
- 2019-09-02 JP JP2019159759A patent/JP7360851B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-16 KR KR1020200031802A patent/KR20210027032A/ko active Search and Examination
- 2020-04-17 CN CN202010303201.4A patent/CN112442660B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007332433A (ja) * | 2006-06-16 | 2007-12-27 | Seiko Epson Corp | 真空蒸着装置 |
CN101760720A (zh) * | 2009-12-30 | 2010-06-30 | 东莞宏威数码机械有限公司 | 真空腔体遮挡装置 |
CN103668046A (zh) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 三星显示有限公司 | 用于测试沉积过程的掩膜组件、沉积装置和测试方法 |
JP2016030839A (ja) * | 2014-07-28 | 2016-03-07 | 株式会社Joled | 蒸着装置および蒸発源 |
CN109722635A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 佳能特机株式会社 | 蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021038425A (ja) | 2021-03-11 |
KR20210027032A (ko) | 2021-03-10 |
JP7360851B2 (ja) | 2023-10-13 |
CN112442660B (zh) | 2024-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9246135B2 (en) | Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method | |
CN109722635B (zh) | 蒸发源装置、成膜装置、成膜方法以及电子设备的制造方法 | |
KR101210035B1 (ko) | 진공 증착 방법 및 그 장치 | |
WO2007078694A1 (en) | Reciprocating aperture mask system and method | |
KR20130113302A (ko) | 진공 증착 방법 및 그 장치 | |
EP1384796A2 (en) | Organic film formation apparatus | |
JP2013211137A6 (ja) | 真空蒸着方法及びその装置 | |
CN110541147B (zh) | 成膜装置 | |
JP7364432B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイス製造方法 | |
KR20190002834U (ko) | 진공에서의 박막 코팅 증착용 인-라인 코터 | |
WO2016200500A1 (en) | Mask for deposition system and method for using the mask | |
CN109306453B (zh) | 显示器制造装置和使用其的显示器制造方法 | |
CN112442660A (zh) | 挡板装置、成膜装置、成膜方法及电子设备的制造方法 | |
KR102550586B1 (ko) | 흡착 및 얼라인먼트 방법, 흡착 시스템, 성막 방법, 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
CN114990490B (zh) | 成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法 | |
KR20230059770A (ko) | 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
CN115011929B (zh) | 成膜装置、成膜装置的控制方法以及电子器件的制造方法 | |
JP7150776B2 (ja) | 成膜装置及び電子デバイスの製造方法 | |
CN111118445A (zh) | 对准及成膜装置、对准及成膜方法、电子器件的制造方法 | |
JP7291098B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
CN111293067A (zh) | 静电吸盘、静电吸盘系统、成膜装置及方法、吸附方法、电子器件的制造方法 | |
JP2022167957A (ja) | 成膜装置及び電子デバイスの製造方法 | |
CN117535627A (zh) | 成膜装置及电子器件的制造方法 | |
CN117535626A (zh) | 成膜装置及电子器件的制造方法 | |
KR20240013442A (ko) | 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |