WO2024070473A1 - 成膜装置および成膜方法 - Google Patents

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WO2024070473A1
WO2024070473A1 PCT/JP2023/031805 JP2023031805W WO2024070473A1 WO 2024070473 A1 WO2024070473 A1 WO 2024070473A1 JP 2023031805 W JP2023031805 W JP 2023031805W WO 2024070473 A1 WO2024070473 A1 WO 2024070473A1
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WO
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limiting plate
film
substrate
film formation
source
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/031805
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English (en)
French (fr)
Inventor
正浩 市原
Original Assignee
キヤノントッキ株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]

Definitions

  • the present invention relates to a film forming device equipped with a limiting plate and a film forming method thereof.
  • Patent Document 1 describes a deposition apparatus in which a limiting plate is placed near an evaporation source to deposit the film material emitted from the evaporation source within a predetermined area.
  • the limiting plate is configured integrally with the film formation source, it is not possible to bring the limiting plate closer to the substrate without changing the distance from the film formation source to the substrate, and it may be difficult to control with high precision the film formation region in which the film formation material is formed on the substrate by the film formation source. Furthermore, in a configuration in which the film formation source and the limiting plate move integrally, vibrations generated by the movement of the film formation source, etc., may be transmitted to the limiting plate, reducing the precision of the control of the film formation region by the limiting plate. Thus, the low degree of freedom in the positioning of the limiting plate may reduce the precision of the control of the film formation region, which has been an issue.
  • the present invention aims to provide technology related to a film formation device that has high accuracy in controlling the film formation area using limiting plates.
  • a film forming apparatus comprising: a deposition source that emits a deposition material onto the substrate through a mask positioned between the deposition source and a surface of the substrate; a limiting plate disposed between the film forming source and the mask and limiting a range in which the film forming material is incident on the substrate; a limiting plate moving means for moving the limiting plate relative to the film formation source in a direction along the film formation surface;
  • a film forming apparatus comprising:
  • the present invention provides technology related to a film formation device that uses limiting plates to provide highly accurate control of the film formation area.
  • FIG. 1 is a layout diagram of a film forming system according to an embodiment.
  • FIG. FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a film formation source moving unit.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a limiting plate moving unit.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a limiting plate moving unit.
  • 11A and 11B are diagrams showing changes in the release range of a film forming material depending on the layout of a limiting unit.
  • 11A and 11B are diagrams showing changes in the release range of a film forming material depending on the layout of a limiting unit.
  • 4A to 4C are diagrams showing an example of the movement of a film formation source and a limiting plate.
  • FIG. 4A to 4C are diagrams showing an example of the movement of a film formation source and a limiting plate.
  • FIG. 4 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate.
  • FIG. 4 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate.
  • 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 1.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 2.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 2.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 3.
  • FIG. 13 is a diagram showing the positional relationship between a substrate and a limiting plate according to Modification 3.
  • FIG. FIG. 1 is an overall view of an organic EL display device.
  • FIG. 2 is a diagram showing a cross-sectional structure of one pixel.
  • FIG. 1 is a layout diagram of a film forming system 1.
  • an arrow Z indicates the up-down direction (gravity direction)
  • arrows X and Y indicate horizontal directions perpendicular to each other.
  • the film forming system 1 includes a film forming apparatus 10 that performs a film forming process on a substrate W.
  • a manufacturing line of an electronic device is configured by arranging a plurality of film forming systems 1 in a line along the X direction.
  • An example of an electronic device is a display panel of an organic EL display device for a VR-HMD (Virtual Reality Head Mount Display).
  • VR-HMD Virtual Reality Head Mount Display
  • the film forming system 1 When the film forming system 1 is used as a manufacturing line of a display panel for a VR-HMD, the film forming system 1 forms a film on a semiconductor wafer as a substrate W for forming an organic EL element.
  • the semiconductor wafer on which the film is formed by the film forming system 1 is cut out along a region (scribe region) between element formation regions in a downstream process, and a plurality of small-sized panels are formed.
  • Examples of the semiconductor wafer include a silicon wafer and a silicon carbide wafer.
  • the film formation system 1 includes a substrate loading device 11, a substrate transport device 12, a substrate unloading device 13, a film formation device 10, a mask transport device 21, a mask stock device 22, and a load lock device 23.
  • the substrate W on which the film is to be formed in the film forming system 1 is carried into the substrate carry-in device 11.
  • the substrate transport device 12 is provided with a transport robot 121 for transporting the substrate W.
  • the transport robot 121 transports the substrate W carried into the substrate carry-in device 11 to the film forming device 10.
  • the substrate W transported to the film forming device 10 is subjected to a film forming process described below.
  • the transport robot 121 of the substrate transport device 12 also carries the substrate W on which the film forming process has been completed in the film forming device 10 into the substrate unloading device 13.
  • the substrate W carried into the substrate unloading device 13 is unloaded outside the film forming system 1.
  • the substrate unloading device 13 of the film forming system 1 on the upstream side in the flow direction (X direction) of the substrate W may also serve as the substrate carry-in device 11 of the film forming system 1 on the downstream side.
  • the mask transport device 21 is provided with a transport robot (not shown) that transports the mask M.
  • the mask stock device 22 stocks the mask M used in the film formation process in the film formation device 10.
  • the load lock device 23 is a device for loading and unloading the mask M without opening each chamber of the film formation system 1 to the atmosphere.
  • the mask M used in the film formation system 1 is loaded from outside the film formation system 1 via the load lock device 23.
  • the transport robot of the mask transport device 21 transports the mask M between the film formation device 10, the mask transport device 21, the mask stock device 22, and the load lock device 23.
  • the film forming system 1 also includes a control unit 30 that controls the operation of each component.
  • the control unit 30 includes one or more control devices having a processor such as a CPU, memories such as RAM and ROM, and various interfaces.
  • each control device of the control unit 30 realizes various processes in the film forming system 1 by reading a program stored in the ROM into the RAM and executing it. It is also possible to adopt an embodiment in which a host computer or the like that comprehensively controls the film forming system 1 directly controls the operation of each component of the film forming system 1.
  • the control unit 30 may also be formed integrally with a specific device such as the film forming apparatus 10 or the substrate transport device 12, or may control the film forming system 1 via a communication network (not shown).
  • each device constituting the film forming system 1 is maintained in a vacuum state by an exhaust mechanism such as a vacuum pump (not shown).
  • vacuum refers to a state filled with gas at a pressure lower than atmospheric pressure, in other words, a reduced pressure state.
  • ⁇ Configuration of Film Forming Apparatus> 2 is a front view showing a schematic configuration of a film forming apparatus 10 according to an embodiment.
  • the film forming apparatus 10 includes a chamber 200, a substrate support 201, a mask support 202, a magnet 203, a film forming source 204, a film forming source moving unit 205, a shielding unit 206, a limiting plate 207, a limiting plate moving unit 208, an alignment camera 209, and a film forming amount monitor 210.
  • the chamber 200 forms a film formation space that maintains a vacuum state inside.
  • the chamber 200 is also provided with an entrance for receiving the substrate W from the substrate transport device 12 and an entrance for receiving the mask M from the mask transport device 21 (neither of which are shown).
  • the substrate support part 201 supports the substrate W.
  • the substrate support part 201 is an electrostatic chuck, which adsorbs and supports the substrate W.
  • the substrate support part 201 may support the edge of the substrate W from below using multiple receiving claws, or may adsorb and support the substrate W using an adhesive chuck or the like.
  • the mask support part 202 supports the mask M.
  • the mask support part 202 has receiving claws and supports the mask frame MF to which the mask M is attached from below.
  • the magnet 203 is intended to improve the adhesion between the substrate W and the mask M by magnetically attracting the mask M supported by the mask support part 202.
  • at least one of the substrate support part 201 or the mask support part 202 may be configured to be movable in the vertical direction by a known mechanism such as a ball screw mechanism. This allows the substrate W and the mask M to be moved closer to and farther apart.
  • the film forming source 204 discharges the film forming material while moving, and forms a film on the substrate W through the mask M.
  • the film forming source 204 is described as a point cell, but may be a line cell.
  • the film forming source 204 includes a crucible that contains the raw material of the deposition material, a heater that heats the crucible, and the like, and heats the raw material and releases the vapor of the deposition material upward from the opening.
  • the film forming source 204 is described as including one set of crucible and heater, but multiple crucibles and heaters may be provided. In addition, when multiple crucibles are provided, each crucible may contain multiple different types of film forming materials.
  • one crucible contains a host material, and another crucible contains a dopant material.
  • the multiple crucibles may each contain the same film forming material.
  • the film formation source 204 is described as a deposition source, but it can be applied to other film formation sources such as sputtering, which releases film formation material to form a thin film.
  • the film-forming source moving unit 205 moves the film-forming source 204 along the film-forming surface (XY surface) of the substrate W.
  • the film-forming source moving unit 205 has a pair of movable rails 301, a pair of fixed rails 302, arm members 303 and 304, and a drive source 305.
  • One end of the arm member 303 is connected to the drive source 305 and rotates by the drive source 305.
  • the other end of the arm member 303 is rotatably connected to one end of the arm member 304, and the other end of the arm member 304 is rotatably connected to the bottom of the film-forming source 204.
  • the pair of movable rails 301 guide the movement of the film-forming source 204 in the Y direction.
  • Each movable rail 301 extends in the Y direction, and the pair of movable rails 301 are spaced apart from each other in the X direction.
  • the pair of fixed rails 302 guide the movement of the pair of movable rails 301 in the X direction.
  • Each fixed rail 302 is fixed so as not to move and extends in the X direction.
  • a pair of fixed rails 302 are spaced apart from each other in the Y direction.
  • Driving source 305 changes the posture of arm member 303 and arm member 304, allowing film formation source 204 to move in the XY direction below substrate W.
  • Arm member 303 and arm member 304 can function as an atmospheric arm that passes wiring (power supply, signal line, thermocouple, etc.) of film formation source 204 and film formation amount monitor, and cooling water from the outside (atmosphere) to inside chamber 200 (vacuum).
  • the shielding portion 206 is an adhesion prevention member that prevents the film formation material discharged from the film formation source 204 from adhering to the chamber 200, the limiting plate moving unit 208, and other parts of the substrate W, i.e., it limits the range of the film formation material discharged from the film formation source 204.
  • the film formation source 204, the shielding portion 206, and the film formation amount monitor 210 may be collectively referred to as the film formation unit 230.
  • the limiting plate 207 is a member arranged to cover at least a portion of the substrate W in order to limit the release range of the film-forming material released from the film-forming source 204.
  • the limiting plate 207 according to this embodiment is arranged in the chamber 200 separately from the film-forming unit. This allows for highly accurate control of the film-forming area in which the film-forming material released from the film-forming source 204 is deposited on the substrate W, as will be described later with reference to FIG. 5.
  • the limiting plate moving unit 208 moves the limiting plate 207 along the film-forming surface (XY plane) independently of the film-forming unit 230. In other words, the limiting plate moving unit 208 can move the limiting plate 207 relative to the film-forming source 204.
  • the limiting plate moving unit 208 includes arm members 401 and 402, a drive unit 403, and a support member 404.
  • One end of the arm member 401 is connected to the drive unit 403, and the other end is rotatably connected to the arm member 402.
  • One end of the arm member 402 is connected to the arm member 401, and the other end is rotatably connected to the limiting plate 207.
  • the drive unit 403 is connected to a support member 404 connected to the chamber 200. The drive unit 403 can move the limiting plate 207 by rotating the arm members 401 and 402.
  • the limiting plate moving unit 208 allows the limiting plate moving unit 208 to reciprocate in the X direction between the first position of the limiting plate 207 shown in Figure 4A and the second position shown in Figure 4B.
  • the limiting plate moving unit 208 according to this embodiment has been described as moving the limiting plate 207 by a movable arm. However, the limiting plate 207 may be moved by a transport roller that transports the placed limiting plate 207.
  • the limiting plate 207 and the limiting plate moving unit 208 may be collectively referred to as the limiting unit 220.
  • the support member 404 is connected to the chamber 200 via a vibration isolating member 211. Since the support member 404 supports the limiting plate 207, the limiting plate 207 is provided to the chamber 200 via the vibration isolating member 211.
  • the vibration isolating member 211 has a structure such as an air spring or vibration isolating rubber to prevent vibrations of the chamber 200 from being transmitted to the limiting plate moving unit 208 or vice
  • the substrate support part 201 and the mask support part 202 are also arranged relative to the chamber 200 via vibration-reducing members. Therefore, even if vibrations occur from a unit other than the limiting unit 220 of the film-forming apparatus 10, the vibrations can be prevented from being transmitted to the substrate W, mask M, and limiting plate 207, and the film-forming area can be controlled with high precision.
  • the alignment camera 209 is a camera used to align the substrate W and the mask M.
  • the film forming apparatus 10 includes an alignment mechanism (not shown) for adjusting the relative positions of the substrate W supported by the substrate support part 201 and the mask M supported by the mask support part 202.
  • the control unit of the film forming apparatus 10 detects alignment marks formed on the substrate W and the mask M from the images captured by the alignment camera 209 and specifies the positional relationship between the substrate W and the mask M.
  • the control unit 30 controls the alignment mechanism to adjust the positional relationship between the substrate W and the mask M so that the positional relationship between these satisfies a predetermined condition.
  • the film formation amount monitor 210 estimates the amount of film formation material released from the film formation source.
  • the film formation amount monitor 210 has a quartz oscillator inside the case as a film thickness sensor.
  • the deposition material released from the film formation source is introduced to the quartz oscillator through an inlet formed in the case and adheres to the quartz oscillator.
  • the oscillation frequency of the quartz oscillator varies depending on the amount of deposition material attached.
  • the film formation amount monitor 210 can calculate the film thickness of the film formation material deposited on the substrate by monitoring the oscillation frequency of the quartz oscillator.
  • the amount of film formation material attached to the quartz oscillator per unit time correlates with the amount of film formation material released from the film formation source 204, and as a result, it is possible to monitor the release state of film formation material from multiple film formation sources.
  • the film formation region is defined so that the incident angle of the particles reaching the substrate W from the film formation source 204 is equal to or greater than a predetermined threshold, for example, equal to or greater than 85°.
  • a predetermined threshold for example, equal to or greater than 85°.
  • Figures 5A and 5B show the correspondence between the layout of the limiting plate and the film formation area.
  • Figure 5A shows the change in the film formation area when the limiting plate 207 is located relatively far from the substrate W
  • Figure 5B shows the change in the film formation area when the limiting plate 207 is located relatively close to the substrate W. Note that components such as the limiting plate moving unit 208 and the film formation source moving unit 205 are not shown in Figures 5A and 5B. Also, the size of the opening of the limiting plate 207 is changed in Figures 5A and 5B so that film formation is performed in film formation areas of approximately the same area.
  • Region 501 indicates the film formation region where the film material is incident in the arrangement of FIG. 5A.
  • Region 511 indicates the film formation region where the film material is incident in the arrangement of FIG. 5B.
  • regions 502 and 512 are regions where the film material may be incident at an angle of incidence equal to or less than the threshold angle defined as the film formation region.
  • the range of the areas 502, 512 into which the film forming material flows can be made smaller when the limiting plate 207 is closer to the substrate W.
  • the limiting plate 207 according to this embodiment is provided separately from the film formation source 204, so the distance from the substrate W can be reduced, and the area of the wraparound region can be reduced. In other words, by bringing the limiting plate 207 closer to the substrate W, the film formation region can be controlled with higher precision.
  • providing the limiting plate 207 and the film formation source 204 separately means that the positions of the limiting plate 207 and the film formation source 204 can be adjusted independently.
  • the position of the film formation source 204 in this embodiment is adjusted by a film formation source moving unit 205
  • the position of the limiting plate 207 is adjusted by a limiting plate moving unit 208.
  • the film formation area on the substrate on which the film is formed by the film formation source 204 can be controlled with high precision.
  • the limiting plate 207 and the film forming source 204 being provided separately includes that the limiting plate 207 and the film forming source 204 are arranged separately so that vibrations are not transmitted.
  • the limiting plate moving unit 208 which holds the limiting plate 207 according to this embodiment is fixed to the chamber 200 via the vibration isolating member 211 as shown in FIG. 2 of the film forming source moving unit 205 which supports the film forming source 204. This can prevent vibrations generated from the film forming unit 230 or the film forming source moving unit 205 from being transmitted to the limiting plate moving unit 208 and the limiting plate 207 via the chamber 200 when the film forming unit 230 performs film formation while moving by the film forming source moving unit 205.
  • the limiting plate 207 and the film forming source 204 being provided separately includes the possibility of disposing other units between the limiting plate 207 and the film forming source 204 in the vertical direction (Z direction).
  • the film forming source 204 may continue to emit film forming material while the film forming source 204 and the limiting plate 207 move from the position shown in FIG. 5A to the position shown in FIG. 5B.
  • the entire substrate W may be covered with a shutter to uniform the amount of film formed in the film forming regions 501 and 511.
  • the limiting plate 207 and the film forming source 204 are configured integrally, it is necessary to dispose a shutter unit between the limiting plate 207 and the substrate W, and there may be cases where the distance between the limiting plate 207 and the substrate W cannot be sufficiently close.
  • the limiting plate 207 and the film forming source 204 may be disposed separately. Therefore, by disposing the shutter unit between the film formation source 204 and the limiting plate 207, the shutter unit can be disposed without changing the distance between the limiting plate 207 and the substrate W.
  • the film forming source 204 forms a film in a first region 601 of the substrate W.
  • the limiting plate 207 according to this embodiment is disposed at a first limiting plate position 602, and the film forming source 204 moves in the Y direction at a position 603 in the X direction to perform scan film forming.
  • the limiting plate 207 does not move during the film forming process of the film forming source 204.
  • the limiting plate 207 is moved to a second limiting plate position 612, the position of the film formation source 204 in the X direction is moved to position 613, and film formation is performed while the film formation source 204 is moved in the Y direction.
  • the limiting plate movement unit 208 does not move the limiting plate 207 during the film formation process of the film formation source 204.
  • vibrations may occur due to the movement of the film formation source moving unit 205, or due to heating of the film formation source 204 or opening and closing of a shutter (not shown).
  • the limiting plate 207 according to this embodiment is provided separately from the film formation unit, so that the film formation area can be controlled with high precision without being affected by vibrations generated by the film formation unit.
  • the limiting unit according to this embodiment is disposed relative to the chamber 200 via a vibration isolation member. This makes it possible to prevent vibrations generated by the film formation unit from being transmitted to the limiting unit 220 via the chamber 200.
  • FIGS. 7A and 7B are plan views in the XY plane showing the positional relationship between the substrate W and the limiting plate 207 in FIGS. 6A and 6B, respectively.
  • FIG. 7A shows the positions of the substrate W and the limiting plate 207 at the first position 602 of the limiting plate in FIG. 6A
  • FIG. 7B shows the positions of the substrate W and the limiting plate 207 at the second position 612 of the limiting plate in FIG. 6B.
  • Arrows 701 and 711 indicate the movement direction of the film formation source 204.
  • a plurality of element formation regions 702 in which elements are formed are arranged on the substrate W. In each of FIGS. 7A and 7B, a portion of the substrate W facing the opening of the limiting plate 207 corresponds to the film formation region.
  • film formation can be performed on the multiple element formation regions 702 of the entire substrate W.
  • the film formation regions are arranged so that each element formation region 702 is completely included. This prevents the amount of deposition material adhering to the element formation region 702 from becoming unevenly distributed, by forming a portion of the element formation region 702 by deposition in the first deposition region and then depositing another portion of the element formation region 702 by deposition processing in the second deposition region.
  • the position of the limiting plate 207 is defined so that the different film formation areas partially overlap.
  • a region 712 that overlaps with the film formation area shown in FIG. 7A is generated.
  • the amount of film formation material incident on the overlapping region 712 is greater than that on non-overlapping regions, and bias in the amount of film formation may occur.
  • the region 712 where multiple film formation regions overlap is placed in a scribe region between element formation regions.
  • a dummy element that is not used as a product is placed in the region 712 where multiple film formation regions defined by the limiting plate 207 overlap. This makes it possible to suppress the effects of bias in the amount of film formation caused by overlapping film formation regions defined by the limiting plate 207.
  • one substrate W is shown as being divided into two deposition regions for deposition.
  • one substrate W may be divided into three or more deposition regions for deposition, and by moving the limiting plate 207 and deposition source 204 to the positions corresponding to each deposition region using the limiting plate moving unit 208 and deposition source moving unit 205, the deposition process can be performed while restricting the deposition region with high precision.
  • the opening of the limiting plate 207 is described as having a rectangular shape so that the film forming unit 230 can form a film while moving.
  • the opening of the limiting plate 207 is not limited to this, and may be an opening having another shape.
  • the limiting plate 207 can be positioned away from the film forming source 204, which reduces the amount of film forming material adhering to the limiting plate 207 and reduces the effect of film peeling, in which the film forming material adhered to the limiting plate 207 peels off.
  • the limiting plate moving unit 208 will be described as moving the limiting plate in the XY directions.
  • FIGS. 8A to 8D are XY plan views of the limiting plate 207 and substrate W according to this modified example. Other members such as the mask and substrate support part 201 are omitted.
  • the opening of the limiting plate 207 is positioned so as to perform film formation at a position shown in a first region 801 of the substrate W.
  • the limiting plate moving unit 208 moves the limiting plate 207 in the +Y direction according to the arrow 802
  • the film formation source moving unit 205 moves the film formation source 204 in the +Y direction according to the arrow 802.
  • a shutter (not shown) of the film formation source 204 may be set to a closed state so that the film formation material is not released from the film formation source 204, thereby preventing the film formation material from being released from the film formation source 204.
  • the film formation unit 230 and the limiting unit 220 may be moved simultaneously, or one of them may be moved after the other is moved.
  • FIG. 8B The arrangement of the film formation source 204 and the limiting plate 207 after movement is shown in FIG. 8B. As a result of the movement, the opening of the limiting plate 207 is positioned so that film formation can be performed at the position shown in the second region 811 of the substrate W.
  • the limiting plate 207 and the film formation source 204 are moved in the -X direction according to arrow 812, and a film is formed in the third region 621.
  • the limiting plate 207 and the film formation source 204 are moved in the -Y direction according to arrow 822, and a film is formed in the fourth region 631 as shown in FIG. 8D.
  • the film formation source moving unit 205 and the limiting plate moving unit 208 in this modified example move the film formation source 204 and the limiting plate 207 in two intersecting directions to perform film formation processing on multiple areas of the substrate W. This makes it possible to perform film formation on the substrate W while controlling the film formation area with high precision, even if the size of the substrate W is large compared to the film formation area.
  • the limiting plate moving unit 208 in this modified example needs to move the limiting plate 207 in the X and Y directions.
  • the limiting plate moving unit 208 may be provided with a structure similar to that of the film forming source moving unit 205 described with reference to FIG. 3 to move the limiting plate 207 in the X and Y directions.
  • the position of the limiting plate on the XY plane can be changed by arranging a movable arm that controls the position of the limiting plate in the Y direction on the X direction edge of the limiting plate 207, and arranging a movable arm that controls the position of the limiting plate in the X direction on the Y direction edge of the limiting plate 207.
  • FIG. 9A and 9B are XY plan views of the limiting plate 207 and the substrate W according to this modified example. Other members such as the mask M and the substrate support part 201 are omitted in the illustration.
  • the limiting plate 207 has a semicircular opening and is positioned to form a film on a first region 901 of the substrate W.
  • the film formation source 204 moves according to arrow 902 to form a film.
  • the limiting plate moving unit 208 rotates the limiting plate 207 according to arrow 903 and moves it to a position for the limiting plate 207 for forming a film on a second region 911 shown in FIG. 9B.
  • the film formation source moving unit 205 may move the film formation source 204 in the X direction as shown by arrow 904 to a position for the film formation source 204 for forming a film on the second region 911.
  • the film formation source 204 moves according to the arrow 912 and forms a film on the second region 911 of the substrate W.
  • the film formation source 204 may perform stationary film formation without moving.
  • the film formation source moving unit 205 may rotate and move the film formation source 204, similar to the limiting plate moving unit 208.
  • 10A and 10B are XY plan views of the limiting plate 207 and substrate W according to this modified example. Other members such as the mask and substrate support part 201 are omitted.
  • the limiting plate moving unit 208 when forming a film in the first region 1001, which is the film formation region of the substrate W, the limiting plate moving unit 208 performs film formation while moving the limiting plate 207 in the +Y direction according to the arrow 1002.
  • the film formation source moving unit 205 also performs film formation while moving the film formation source 204 in the +X direction according to the arrow 1002.
  • the limiting plate moving unit 208 and the film formation source moving unit 205 move the limiting plate 207 and the film formation source 204 according to the arrow 1003 to perform film formation in the second region 1011, which is the film formation region.
  • the limiting plate 207 is moved to the position of the substrate W and limiting plate 207 shown in FIG. 10B.
  • the film formation source moving unit 205 also moves the film formation source 204 to a position corresponding to the second region 1011.
  • the limiting plate moving unit 208 and the film formation source moving unit 205 perform film formation while moving the limiting plate 207 and the film formation source 204 in the -X direction, as shown by the arrow 1012. This allows the film formation process to be performed while controlling the film formation region of the film formation source 204 in the XY plane.
  • Figure 11A is an overall view of the organic EL display device 1100
  • Figure 11B is a diagram showing the cross-sectional structure of one pixel.
  • a plurality of pixels 1102 each of which includes a plurality of light-emitting elements, are arranged in a matrix in a display region 1101 of an organic EL display device 1100.
  • each of the light-emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes.
  • the pixel referred to here refers to the smallest unit that allows a desired color to be displayed in the display region 1101.
  • the pixel 1102 is formed by a combination of multiple sub-pixels of a first light-emitting element 1102R, a second light-emitting element 1102G, and a third light-emitting element 1102B that emit light differently from each other.
  • the pixel 1102 is often formed by a combination of three types of sub-pixels, a red (R) light-emitting element, a green (G) light-emitting element, and a blue (B) light-emitting element, but is not limited to this.
  • the pixel 1102 needs to include at least one type of sub-pixel, and preferably includes two or more types of sub-pixels, and more preferably includes three or more types of sub-pixels.
  • the sub-pixels that make up the pixel 1102 may be, for example, a combination of four types of sub-pixels, a red (R) light-emitting element, a green (G) light-emitting element, a blue (B) light-emitting element, and a yellow (Y) light-emitting element.
  • FIG. 11B is a partial cross-sectional schematic diagram taken along line A-B in FIG. 11A.
  • Pixel 1102 has a plurality of sub-pixels on substrate 1103, each of which is composed of an organic EL element having a first electrode (anode) 1104, a hole transport layer 1105, a red layer 1106R, a green layer 1106G, or a blue layer 1106B, an electron transport layer 1107, and a second electrode (cathode) 1108.
  • hole transport layer 1105, red layer 1106R, green layer 1106G, blue layer 1106B, and electron transport layer 1107 correspond to organic layers.
  • Red layer 1106R, green layer 1106G, and blue layer 1106B are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (sometimes referred to as organic EL elements) that emit red, green, and blue light, respectively.
  • light-emitting elements sometimes referred to as organic EL elements
  • the first electrode 1104 is formed separately for each light-emitting element.
  • the hole transport layer 1105, the electron transport layer 1107, and the second electrode 1108 may be formed in common across multiple light-emitting elements 1102R, 1102G, and 1102B, or may be formed for each light-emitting element. That is, as shown in FIG. 11B, the hole transport layer 1105 may be formed as a common layer across multiple sub-pixel regions, on which the red layer 1106R, the green layer 1106G, and the blue layer 1106B may be formed separately for each sub-pixel region, and on top of that the electron transport layer 1107 and the second electrode 1108 may be formed as a common layer across multiple sub-pixel regions.
  • an insulating layer 1109 is provided between the first electrodes 1104. Furthermore, since the organic EL layer deteriorates due to moisture and oxygen, a protective layer 1110 is provided to protect the organic EL element from moisture and oxygen.
  • the hole transport layer 1105 and the electron transport layer 1107 are shown as a single layer, but depending on the structure of the organic EL display element, they may be formed of multiple layers including a hole blocking layer and an electron blocking layer.
  • a hole injection layer having an energy band structure that can smoothly inject holes from the first electrode 1104 to the hole transport layer 1105 may be formed between the first electrode 1104 and the hole transport layer 1105.
  • an electron injection layer may be formed between the second electrode 1108 and the electron transport layer 1107.
  • the red layer 1106R, the green layer 1106G, and the blue layer 1106B may each be formed of a single light-emitting layer, or may be formed by laminating multiple layers.
  • the red layer 1106R may be configured with two layers, with the upper layer being a red light-emitting layer and the lower layer being a hole transport layer or an electron blocking layer.
  • the lower layer may be formed of a red light-emitting layer and the upper layer being an electron transport layer or a hole blocking layer. In this way, by providing a layer below or above the light-emitting layer, the light-emitting position in the light-emitting layer can be adjusted, and the optical path length can be adjusted, thereby improving the color purity of the light-emitting element.
  • red layer 1106R a similar structure may also be adopted for the green layer 1106G and the blue layer 1106B.
  • the number of layers may be two or more.
  • layers of different materials may be laminated, such as a light-emitting layer and an electron blocking layer, or layers of the same material may be laminated, for example, two or more light-emitting layers may be laminated.
  • the red layer 1106R is made up of two layers, a lower layer 1106R1 and an upper layer 1106R2, and the green layer 1106G and the blue layer 1106B are made up of a single light-emitting layer.
  • a substrate 1103 is prepared on which a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a first electrode 1104 are formed.
  • the material of the substrate 1103 is not particularly limited, and it can be made of glass, plastic, metal, or the like.
  • a substrate in which a polyimide film is laminated on a glass substrate is used as the substrate 1103.
  • a resin layer such as acrylic or polyimide is coated by bar coating or spin coating on the substrate 1103 on which the first electrode 1104 is formed, and the resin layer is patterned by lithography so that an opening is formed in the area where the first electrode 1104 is formed, forming the insulating layer 1109. This opening corresponds to the light-emitting area where the light-emitting element actually emits light.
  • the substrate 1103 with the patterned insulating layer 1109 is carried into a first film forming apparatus, and a hole transport layer 1105 is formed as a common layer on the first electrode 1104 in the display area.
  • the hole transport layer 1105 is formed using a mask with an opening for each display area 1101 that will ultimately become the panel portion of each organic EL display device.
  • the substrate 1103 on which the hole transport layer 1105 has been formed is carried into a second film forming apparatus.
  • the substrate 1103 and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and the red layer 1106R is formed on the hole transport layer 1105 in the portion of the substrate 1103 where the red emitting element is arranged (the region where the red subpixel is formed).
  • the mask used in the second film forming apparatus is a high-definition mask in which openings are formed only in the multiple regions that will become the red subpixels among the multiple regions on the substrate 1103 that will become the subpixels of the organic EL display device.
  • the red layer 1106R including the red light emitting layer is formed only in the region that will become the red subpixel among the multiple regions on the substrate 1103 that will become the subpixels.
  • the red layer 1106R is selectively formed in the region that will become the red subpixel, without being formed in the region that will become the blue subpixel or the green subpixel among the multiple regions on the substrate 1103 that will become the subpixels.
  • the green layer 1106G is deposited in a third deposition apparatus, and then the blue layer 1106B is deposited in a fourth deposition apparatus.
  • the electron transport layer 1107 is deposited over the entire display area 1101 in a fifth deposition apparatus.
  • the electron transport layer 1107 is formed as a layer common to the three color layers 1106R, 1106G, and 1106B.
  • the substrate on which the electron transport layer 1107 has been formed is moved to a sixth deposition apparatus, where the second electrode 1108 is deposited.
  • the first to sixth deposition apparatuses form each layer by vacuum deposition.
  • the present invention is not limited to this, and for example, the second electrode 1108 in the sixth deposition apparatus may be deposited by sputtering.
  • the substrate on which the second electrode 1108 has been formed is moved to a sealing apparatus, and the protective layer 1110 is deposited by plasma CVD (sealing process), completing the organic EL display device 1100.
  • the protective layer 1110 is formed by the CVD method here, the method is not limited to this, and it may also be formed by the ALD method or the inkjet method.
  • the films are formed in the first to sixth film forming devices using masks in which openings corresponding to the patterns of the layers to be formed are formed.
  • the relative positions of the substrate 1103 and the mask are adjusted (aligned), and then the substrate 1103 is placed on the mask and film formation is performed.
  • the multiple film formation regions defined by the limiting plate 207 have been described as covering the entire substrate W when overlapped. However, the multiple film formation regions do not have to cover the entire substrate W when overlapped. In other words, there may be an area on the substrate W where film formation is not performed. In such a case, the area where film formation is not performed is disposed in the scribe area so as not to include the element formation area.
  • a shutter may be provided between the shielding portion 206 and the limiting plate 207.
  • the shutter can be switched between a closed state that covers the entire substrate W, and an open state that opens the entire substrate W to allow film formation.
  • the limiting plate 207 can be arranged separately from the film-forming unit 230, so that the limiting plate 207 can be arranged closer to the substrate W than the shutter, and the film-forming area can be controlled with high precision.
  • the present invention can also be realized by supplying a program that realizes one or more of the functions of the above-mentioned embodiments to a system or device via a network or storage medium, and having one or more processors in the computer of the system or device read and execute the program. It can also be realized by a circuit (e.g., an ASIC) that realizes one or more functions.
  • a circuit e.g., an ASIC

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Abstract

本発明の成膜装置は、基板の被成膜面との間に位置するマスクを介して基板に成膜材料を放出する成膜源と、成膜源とマスクとの間に配置され、成膜材料が基板に入射する領域を制限する制限板と、制限板を成膜源に対して被成膜面に沿った方向に相対的に移動させる制限板移動手段と、を備える。

Description

成膜装置および成膜方法
　本発明は、制限板を備える成膜装置およびその成膜方法に関する。
　有機ＥＬ（Organic Electro-Luminescence: OEL）ディスプレイ等の製造設備として、成膜室に基板を搬送して基板に対する成膜を行う装置が知られている。特許文献１には、蒸着源から放出された成膜材料を、所定の範囲に着膜させるために蒸発源の近傍に制限板を配置する成膜装置が記載されている。
特開２０１７－１４６１６号公報
　ここで、制限板が成膜源と一体となって構成される場合、成膜源から基板までの距離を変えずに制限板を基板に近づけることができず、成膜源によって基板上に成膜材料が成膜される成膜領域を高い精度で制御することが難しい場合がある。また、成膜源と制限板とが一体となって移動するような構成では、成膜源の移動などによって生じる振動が制限板に伝達し、制限板による成膜領域の制御の精度が低下してしまう場合があった。このように、制限板の配置の自由度が低いことによって、成膜領域の制御の精度が低下する場合があることが課題であった。
　本発明は、上記課題に鑑み、制限板による成膜領域の制御の精度が高い成膜装置に関する技術を提供することを目的とする。
　本発明によれば、成膜装置であって、
　基板の被成膜面との間に位置するマスクを介して前記基板に成膜材料を放出する成膜源と、
　前記成膜源と前記マスクとの間に配置され、前記成膜材料が前記基板に入射する範囲を制限する制限板と、
　前記制限板を前記成膜源に対して前記被成膜面に沿った方向に相対的に移動させる制限板移動手段と、
　を備える成膜装置が提供される。
　本発明によれば、制限板による成膜領域の制御の精度が高い成膜装置に関する技術を提供することができる。
一実施形態に係る成膜システムのレイアウト図。 成膜装置の断面図。 成膜源移動ユニットの構成例を示す図。 制限板移動ユニットの構成例を示す図。 制限板移動ユニットの構成例を示す図。 制限ユニットのレイアウトに応じた成膜材料の放出範囲の変化を示す図。 制限ユニットのレイアウトに応じた成膜材料の放出範囲の変化を示す図。 成膜源と制限板の移動例を示す図。 成膜源と制限板の移動例を示す図。 基板と制限板の位置関係を示す図。 基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例１に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例１に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例１に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例１に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例２に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例２に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例３に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 変形例３に係る基板と制限板の位置関係を示す図。 有機ＥＬ表示装置の全体図。 １画素の断面構造を示す図。
　以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
　＜成膜システムの概要＞
　図１は成膜システム１のレイアウト図である。なお、各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。成膜システム１は、基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置１０を備える。例えば複数の成膜システム１がＸ方向に沿って並んで設けられることで、電子デバイスの製造ラインが構成される。電子デバイスとしては、例えば、ＶＲ－ＨＭＤ(Virtual Reality Head Mount Display)用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルが挙げられる。ＶＲ－ＨＭＤ用の表示パネルの製造ラインとして成膜システム１が用いられる場合、成膜システム１は基板Ｗとしての半導体ウエハに有機ＥＬ素子の形成のための成膜を行う。成膜システム１によって成膜が行われた半導体ウエハは、下流の工程で素子形成領域の間の領域（スクライブ領域）に沿って切り出され、複数の小さなサイズのパネルが形成される。半導体ウエハとしては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ等が挙げられる。
　成膜システム１は、基板搬入装置１１、基板搬送装置１２、基板搬出装置１３、成膜装置１０、マスク搬送装置２１、マスクストック装置２２、ロードロック装置２３を含む。
　基板搬入装置１１には、成膜システム１において成膜が行われる基板Ｗが搬入される。基板搬送装置１２には、基板Ｗを搬送する搬送ロボット１２１が設けられる。搬送ロボット１２１は、基板搬入装置１１に搬入された基板Ｗを成膜装置１０に搬送する。成膜装置１０に搬送された基板Ｗには、後述する成膜処理が施される。また、基板搬送装置１２の搬送ロボット１２１は、成膜装置１０において成膜処理が終了した基板Ｗを基板搬出装置１３に搬入する。基板搬出装置１３に搬入された基板Ｗは、成膜システム１の外部に搬出される。なお、成膜システム１が複数並んで設けられる場合には、基板Ｗの流れ方向（Ｘ方向）で上流側の成膜システム１の基板搬出装置１３が下流側の成膜システム１の基板搬入装置１１を兼ねていてもよい。
　マスク搬送装置２１には、マスクＭを搬送する不図示の搬送ロボットが設けられている。マスクストック装置２２には、成膜装置１０での成膜処理に用いられるマスクＭがストックされる。ロードロック装置２３は、成膜システム１の各室内を大気開放することなくマスクＭの出し入れを行うための装置である。成膜システム１で用いられるマスクＭは、ロードロック装置２３を介して成膜システム１の外部から搬入される。マスク搬送装置２１の搬送ロボットは、成膜装置１０、マスク搬送装置２１、マスクストック装置２２及びロードロック装置２３の間でマスクＭの搬送を行う。
　また、成膜システム１は、各構成要素の動作を制御する制御部３０を含む。例えば、制御部３０は、ＣＰＵに代表されるプロセッサ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリ及び各種インタフェースを有する１つ以上の制御装置を含む。例えば、制御部３０の各制御装置は、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭに読み出して実行することで、成膜システム１における各種の処理を実現する。なお、例えば成膜システム１を統括的に制御するホストコンピュータ等が、成膜システム１の各構成要素の動作を直接制御する態様も採用可能である。また、制御部３０は、成膜装置１０や基板搬送装置１２など、所定の装置と一体に形成されてもよいし、不図示の通信ネットワークを介して成膜システム１を制御してもよい。
　また、成膜システム１を構成する各装置の内部は、不図示の真空ポンプ等の排気機構により真空状態に維持される。なお、本実施形態において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。
　＜成膜装置の構成＞
　図２は、一実施形態に係る成膜装置１０の構成を模式的に示す正面図である。成膜装置１０は、チャンバ２００と、基板支持部２０１と、マスク支持部２０２と、マグネット２０３と、成膜源２０４と、成膜源移動ユニット２０５と、遮蔽部２０６と、制限板２０７と、制限板移動ユニット２０８と、アライメントカメラ２０９と、成膜量モニタ２１０と、を含む。
　チャンバ２００は、内部を真空状態に維持する成膜空間を形成する。また、チャンバ２００には、基板搬送装置１２から基板Ｗを受け取るための搬入口およびマスク搬送装置２１からマスクＭを受け取るための搬入口（いずれも不図示）が設けられる。
　基板支持部２０１は、基板Ｗを支持する。本実施形態では基板支持部２０１は静電チャックであり、基板Ｗを吸着して支持する。しかしながら、基板支持部２０１としては公知の技術を適宜採用可能である。例えば、基板支持部２０１は、複数の受け爪によって基板Ｗの縁を下側から支持してもよいし、粘着チャック等によって基板Ｗを吸着して支持してもよい。
　マスク支持部２０２は、マスクＭを支持する。本実施形態では、マスク支持部２０２は、受け爪を有し、マスクＭが張り付けられたマスクフレームＭＦを下側から支持する。マグネット２０３は、マスク支持部２０２に支持されたマスクＭを磁力で引きつけることによって、基板ＷとマスクＭとの密着性を向上させるためのものである。また、基板支持部２０１又はマスク支持部２０２の少なくとも一方は、ボールねじ機構等の公知の機構により上下方向に移動可能に構成されてもよい。これにより、基板ＷとマスクＭとの接近及び離間を行うことができる。
　成膜源２０４は、移動しながら成膜材料を放出してマスクＭを介して基板Ｗに成膜を行う。本実施形態では、成膜源２０４はポイントセルであるものとして説明を行うが、ラインセルであってもよい。成膜源２０４は、蒸着物質の原材料を収容する坩堝や、坩堝を加熱するヒータ等を備え、原材料を加熱してその蒸気である蒸着物質を開口部から上方へ放出する。本実施形態では、成膜源２０４は１組の坩堝とヒータを備えるものとして説明しているが、坩堝とヒータとは複数設けられてもよい。また、坩堝が複数設けられる場合、坩堝ごとに種類の異なる複数の成膜材料を収容してもよい。具体的には、複数の成膜源２０４のうち、１つの坩堝にはホスト材料、別の坩堝にはドーパント材料を夫々収容している。なお、複数の坩堝に夫々同一の成膜材料を収容しても良い。また、本実施形態では成膜源２０４は蒸着源であるものとして説明を行うが、成膜材料を放出して薄膜の形成を行うスパッタなどの他の成膜源に適用することができる。
　成膜源移動ユニット２０５は、成膜源２０４を基板Ｗの被成膜面（ＸＹ面）に沿って移動させる。図３に示すように、成膜源移動ユニット２０５は、一対の可動レール３０１と、一対の固定レール３０２と、アーム部材３０３、３０４と、駆動源３０５とを有する。アーム部材３０３の一端は駆動源３０５に連結されており、駆動源３０５によって旋回する。アーム部材３０３の他端はアーム部材３０４の一端と回動自在に連結されており、アーム部材３０４の他端は成膜源２０４の底部に回動自在に連結されている。一対の可動レール３０１は、成膜源２０４のＹ方向の移動を案内する。各可動レール３０１はＹ方向に延設されており、一対の可動レール３０１は互いにＸ方向に離間している。一対の固定レール３０２は、一対の可動レール３０１のＸ方向の移動を案内する。各固定レール３０２は、移動不能に固定されており、Ｘ方向に延設されている。一対の固定レール３０２は互いにＹ方向に離間している。駆動源３０５の駆動により、アーム部材３０３及びアーム部材３０４の姿勢が変化することによって、成膜源２０４は基板Ｗの下方においてＸＹ方向に移動することができる。なお、アーム部材３０３及びアーム部材３０４は、成膜源２０４や成膜量モニタの配線(電源・信号線・熱電対等)や冷却水を外部（大気）からチャンバ２００内（真空）に通す大気アームとして機能し得る。
　遮蔽部２０６は、成膜源２０４から放出された成膜材料が基板Ｗ以外のチャンバ２００や制限板移動ユニット２０８などへの付着を抑制する、すなわち成膜源２０４から放出される成膜材料の放出範囲を制限する防着部材である。成膜源２０４と遮蔽部２０６、および成膜量モニタ２１０とをまとめて成膜ユニット２３０と称する場合がある。
　制限板２０７は、成膜源２０４から放出される成膜材料の放出範囲を制限するために、基板Ｗの少なくとも一部を覆うように配置される部材である。制限板２０７は本実施形態に係る制限板２０７は、成膜ユニットとは分離してチャンバ２００内に配置される。これによって、図５を参照して後述するように、成膜源２０４から放出された成膜材料が基板Ｗに成膜される成膜領域の制御を高い精度で行うことができる。また、制限板移動ユニット２０８は、制限板２０７を成膜ユニット２３０と独立して被成膜面（ＸＹ面）に沿って移動させる。すなわち、制限板移動ユニット２０８は制限板２０７を成膜源２０４に対して相対的に移動させることができる。
　ここで、図４Ａ、図４Ｂを参照して制限板移動ユニット２０８の構成について説明する。制限板移動ユニット２０８は、アーム部材４０１、４０２、駆動部４０３、支持部材４０４を備える。アーム部材４０１の一端は駆動部４０３に接続され、他端はアーム部材４０２と回動可能に連結されている。アーム部材４０２は、一端がアーム部材４０１に連結され、他端が制限板２０７に対して回動可能に接続される。駆動部４０３はチャンバ２００に対して接続される支持部材４０４に連結される。駆動部４０３がアーム部材４０１、４０２を旋回されることで制限板２０７を移動させることができる。これによって、制限板移動ユニット２０８は、図４Ａに示す制限板２０７の第一位置と、図４Ｂに示す第二位置との間でＸ方向に往復移動を行うことができる。なお、本実施形態に係る制限板移動ユニット２０８は、可動アームによって制限板２０７を移動させるものとして説明した。しかしながら、載置された制限板２０７を搬送する搬送ローラによって制限板２０７を移動させてもよい。なお、制限板２０７および制限板移動ユニット２０８をまとめて制限ユニット２２０と称する場合がある。支持部材４０４は、除震部材２１１を介してチャンバ２００に対して接続される。また、支持部材４０４は、制限板２０７を支持しているため、制限板２０７は除震部材２１１を介してチャンバ２００に対して設けられる。除震部材２１１は、チャンバ２００の振動が制限板移動ユニット２０８に伝達する、またはその逆を防ぐための空気ばねや防振ゴムなどの構造を有する。
　なお、基板支持部２０１およびマスク支持部２０２も除震部材を介してチャンバ２００に対して配置される。このため、成膜装置１０の制限ユニット２２０とは異なるユニットから振動が発生した場合にも、基板Ｗ、マスクＭ、制限板２０７に振動が伝わることを防ぐことができ、成膜領域を高精度に制御することができる。
　アライメントカメラ２０９は、基板ＷとマスクＭとのアライメントに用いられるカメラである。本実施形態では、成膜装置１０は、基板支持部２０１に支持された基板Ｗとマスク支持部２０２に支持されたマスクＭの相対位置を調整するための不図示のアライメント機構を含む。例えば、成膜装置１０の制御部は、アライメントカメラ２０９の撮影画像から基板Ｗ及びマスクＭに形成されたアライメントマークを検出して基板Ｗ及びマスクＭの位置関係を特定する。そして、制御部３０は、基板Ｗ及びマスクＭの位置関係が所定の条件を満たすように、アライメント機構を制御してこれらの位置関係を調整する。
　成膜量モニタ２１０は、成膜源から放出された成膜材料の量を推定する。一例では、成膜量モニタ２１０は、ケースの内部に膜厚センサとして水晶振動子を備えている。水晶振動子には、ケースに形成された導入部を介して成膜源から放出された蒸着物質が導入されて付着する。水晶振動子の振動数は成膜材料の付着量により変動する。これによって、成膜量モニタ２１０は、水晶振動子の振動数を監視することで、基板に蒸着した成膜材料の膜厚を算出することができる。単位時間に水晶振動子に付着する成膜材料の量は、成膜源２０４から放出される成膜材料の放出量と相関を有するため、結果的に複数の成膜源からの成膜材料の放出状態を監視することができる。
　＜制限板のレイアウト例＞
　ウェハへの成膜において、成膜源２０４から基板Ｗに到達する粒子の入射角度は所定の閾値以上、一例では８５°以上となるように成膜領域が規定される。このように、粒子の入射角度が９０°に近くなればなるほど、一度に成膜できる範囲が狭くなるため、基板Ｗ全体に成膜するためには、成膜領域の下方（Ｚ方向）に成膜源２０４を移動させて複数回成膜する必要がある。
　ここで、図５Ａ、図５Ｂに制限板のレイアウトと成膜領域の対応関係を示す。
　図５Ａは、制限板２０７が基板Ｗから比較的離れた位置にある場合の成膜領域の変化を示し、図５Ｂは制限板２０７が基板Ｗから比較的近い位置にある場合の成膜領域の変化を示す。なお、図５Ａおよび図５Ｂにおいて制限板移動ユニット２０８や成膜源移動ユニット２０５などの構成は表示を省略している。また、図５Ａと図５Ｂとで、同程度の面積の成膜領域に成膜を行うよう制限板２０７の開口の大きさは変更している。
　成膜源２０４から放出される成膜材料の放出方向によって、基板Ｗに付着する際の成膜材料の入射角は変化しうる。領域５０１は、図５Ａの配置において成膜材料が入射する成膜領域を示す。領域５１１は、図５Ｂの配置で成膜材料が入射する成膜領域を示す。領域５０２、５１２には、成膜源２０４の開口の一部分から特定の角度で放出された成膜材料のみが付着するため、成膜量の制御が難しい。また、領域５０２および５１２には、成膜領域として規定された角度の閾値以下の入射角度で成膜材料が入射しうる領域である。これらの領域５０２、５１２は、成膜材料が回り込む回り込み領域として扱われ、成膜領域としては扱われない。
　ここで、図５Ａ、図５Ｂに示すように、成膜材料が回り込む領域５０２、５１２の範囲は、制限板２０７が基板Ｗとの距離が近い方が小さくすることができる。
　本実施形態に係る制限板２０７は、成膜源２０４と分離して設けられるため、基板Ｗとの距離を小さくすることができ、回り込み領域の面積を小さくすることができる。すなわち、制限板２０７を基板Ｗに対して近づけることで、より高精度に成膜領域を制御することができる。
　ここで、制限板２０７と成膜源２０４とが分離して設けられるということは、制限板２０７と成膜源２０４との位置を独立して調整可能であることを含む。図２に示すように、本実施形態に係る成膜源２０４は成膜源移動ユニット２０５によって位置が調整され、制限板２０７は制限板移動ユニット２０８によって位置が調整される。このような場合、成膜源２０４に対する制限板２０７の相対位置を調整することによって、成膜源２０４によって成膜される基板上の成膜領域を高精度に制御することができる。
　また、制限板２０７と成膜源２０４とが分離して設けられるということは、制限板２０７と成膜源２０４とが、分離して配置されることによって、振動が伝わらないことを含む。図２に示すように、本実施形態に係る制限板２０７が保持される制限板移動ユニット２０８は、成膜源２０４が支持される成膜源移動ユニット２０５の図２に示すように、本実施形態に係る制限板２０７は、除震部材２１１を介してチャンバ２００に対して固定される。これによって、成膜ユニット２３０が成膜源移動ユニット２０５によって移動しながら成膜を行う場合に、成膜ユニット２３０または成膜源移動ユニット２０５から生じた振動がチャンバ２００を介して制限板移動ユニット２０８および制限板２０７に伝達することを防ぐことができる。このため、制限板２０７に付着した成膜材料が振動によって落下し、成膜源２０４による成膜材料の放出に影響したり、制限板２０７が振動することによって制限板２０７によって規定される成膜領域の変動を防ぐことができる。
　また、制限板２０７と成膜源２０４とが分離して設けられるということは、上下方向（Ｚ方向）において制限板２０７と成膜源２０４との間に、他のユニットを配置可能であることを含む。例えば、成膜源２０４および制限板２０７が図５Ａに示す位置から図５Ｂに示す位置に移動する間、成膜源２０４は成膜材料を放出し続ける場合がある。このような場合、成膜処理を一時停止するために、シャッタによって基板Ｗの全体を覆うことで、成膜領域５０１と５１１とに成膜する成膜量を均一化することができる。しかしながら、制限板２０７と成膜源２０４とが一体となって構成される場合、制限板２０７と基板Ｗとの間にシャッタユニットを配置する必要があり、制限板２０７と基板Ｗとの距離を十分に近づけることができない場合が生じうる。一方、本実施形態によれば、制限板２０７と成膜源２０４とが分離して配置することができる。このため、成膜源２０４と制限板２０７との間にシャッタユニットを配置することで、制限板２０７と基板Ｗとの間の距離を変動させることなくシャッタユニットの配置を行うことができる。
　＜成膜処理の流れ＞
　続いて、図６Ａ、図６Ｂを参照して成膜処理について説明する。
　図６Ａに示すように、成膜源２０４は基板Ｗの第一領域６０１に成膜を行う。ここで、本実施形態に係る制限板２０７は制限板の第一位置６０２に配置され、成膜源２０４は、Ｘ方向の位置６０３においてＹ方向に移動してスキャン成膜を行う。ここで、制限板２０７は成膜源２０４の成膜処理中は移動しないものとする。
　続いて、図６Ｂに示すように、基板Ｗの第二領域６１１に成膜するために、制限板２０７を制限板の第二位置６１２に移動させ、成膜源２０４のＸ方向における位置を位置６１３に移動させ、成膜源２０４をＹ方向に移動させながら成膜を行う。制限板移動ユニット２０８は成膜源２０４の成膜処理中は制限板２０７を移動させない。
　ここで、成膜源移動ユニット２０５の移動によって振動が生じたり、成膜源２０４の加熱やシャッタ（不図示）の開閉などに伴い、振動が生じる場合がある。このような場合でも、本実施形態に係る制限板２０７は成膜ユニットとは分離して設けられているため、成膜ユニットによって生じる振動の影響を受けずに成膜領域を高精度に制御することができる。また、本実施形態に係る制限ユニットは、除震部材を介してチャンバ２００に対して配置される。これによって、成膜ユニットによって生じた振動がチャンバ２００を介して制限ユニット２２０に伝わることを防ぐことができる。
　図７Ａ、図７Ｂは、それぞれ図６Ａ、図６Ｂにおける基板Ｗと制限板２０７との位置関係を示すＸＹ平面の平面図である。図７Ａは図６Ａの制限板の第一位置６０２における基板Ｗと制限板２０７の位置を示し、図７Ｂは図６Ｂの制限板の第二位置６１２における基板Ｗと制限板２０７の位置を示す。矢印７０１、７１１は、成膜源２０４の移動方向を示す。基板Ｗには、素子が形成される複数の素子形成領域７０２が配置される。図７Ａ、図７Ｂのそれぞれにおいて、制限板２０７の開口が対向する基板Ｗの一部の領域が成膜領域に対応する。この成膜範囲を複数の成膜位置ごとに変化させることで、基板Ｗの全体の複数の素子形成領域７０２に対して成膜を行うことができる。なお、成膜領域は、各素子形成領域７０２が完全に含まれるように配置される。これによって、第一の成膜領域における成膜によって１つの素子形成領域７０２の一部が成膜され、第二の成膜領域における成膜処理によって当該１つの素子形成領域７０２の他の部分の成膜がされることで付着する成膜材料の量が素子形成領域７０２内で偏ることを防ぐことができる。
　ここで、基板Ｗの成膜すべき領域の全体に対して成膜を行うために、異なる成膜領域はその一部が重複するように制限板２０７の位置が規定される。これによって、図７Ｂに示すように、図７Ａに示す成膜領域と重複する領域７１２が生じる。この場合、重複する領域７１２は、重複しない領域と比較して入射される成膜材料の量が多くなり、成膜量の偏りが生じうる。このため、複数の成膜領域が重複する領域７１２は、素子形成領域間のスクライブ領域に配置される。別の例では、制限板２０７によって規定される複数の成膜領域が重複する領域７１２には製品として使用されないダミー素子が配置される。これによって、制限板２０７によって規定される成膜領域の重なりによる成膜量の偏りによる影響を抑えることができる。
　なお、図７Ａおよび図７Ｂの例では、１つの基板Ｗを２つの成膜領域に分けて成膜を行うものとして図示している。しかしながら、１つの基板Ｗを３つ以上の成膜領域に分けて成膜してもよく、制限板移動ユニット２０８および成膜源移動ユニット２０５によって各成膜領域に対応する制限板２０７および成膜源２０４の位置に移動させることで、成膜領域を高精度に制限しながら成膜処理を行うことができる。
　また、図７Ａおよび図７Ｂの例では、制限板２０７が有する開口は、成膜ユニット２３０が移動しながら成膜を行うために長方形上の形状を有するものとして説明を行った。しかしながら、制限板２０７が有する開口はこれに制限されず、その他の形状を有する開口であってもよい。
　以上説明したように、本実施形態によれば、制限板２０７を成膜源２０４から離して配置することができるため、制限板２０７に付着する成膜材料の量を減らすことができ、制限板２０７に固着した成膜材料が剥がれ落ちる膜剥がれの影響を低減することができる。
　（変形例１）
　上述の説明では、制限板移動ユニット２０８は、制限板をＸ方向に移動させて制限板の第一位置および第二位置の間を移動させるものとして説明した。
　本変形例では、制限板移動ユニット２０８は、制限板をＸＹ方向に移動させる場合について説明する。
　図８Ａ～図８Ｄは、本変形例にかかる制限板２０７と基板ＷとのＸＹ平面図である。マスクや基板支持部２０１などのその他の部材は省略して示している。
　図８Ａに示すように、制限板２０７の開口は基板Ｗの第一領域８０１に示す位置に成膜を行うように配置される。第一領域８０１の成膜が終了すると、制限板移動ユニット２０８は制限板２０７を矢印８０２に従って＋Ｙ方向に移動させ、成膜源移動ユニット２０５は成膜源２０４を矢印８０２に従って＋Ｙ方向に移動させる。なお、成膜源２０４を移動させる際は、成膜源２０４からの成膜材料の放出が行われないように成膜源２０４のシャッタ（不図示）を閉状態に設定し、成膜源２０４から成膜材料の放出が行われないようにしてもよい。また、成膜ユニット２３０と制限ユニット２２０とは同時に移動させてもよいし、何れか一方の移動が完了した後に他方の移動を行ってもよい。
　成膜源２０４と制限板２０７の移動後の配置を図８Ｂに示す。移動によって、制限板２０７の開口は基板Ｗの第二領域８１１に示す位置に成膜を行うように配置される。続いて、第二領域８１１に成膜した後、制限板２０７および成膜源２０４を矢印８１２に従って－Ｘ方向に移動させ、第三領域６２１に成膜する。続いて、図８Ｃに示すように第三領域８２１に成膜した後、制限板２０７および成膜源２０４を矢印８２２に従って－Ｙ方向に移動させ、図８Ｄに示すように第四領域６３１に成膜する。
　以上説明したように、本変形例に係る成膜源移動ユニット２０５および制限板移動ユニット２０８は、交差する２つの方向に成膜源２０４および制限板２０７を移動させ、基板Ｗの複数の領域に成膜処理を行う。これによって、成膜領域に対して基板Ｗのサイズが大きい場合であっても成膜領域を高精度に制御しながら基板Ｗに成膜を行うことができる。
　なお、本変形例に係る制限板移動ユニット２０８は、制限板２０７をＸ方向およびＹ方向に移動させる必要がある。このため、例えば制限板移動ユニット２０８は、図３を参照して説明した成膜源移動ユニット２０５と同様の構造を備えることで制限板２０７をＸ方向およびＹ方向に移動させてもよい。あるいは、制限板２０７のＸ方向の辺に制限板のＹ方向の位置を制御する可動アームを配置し、制限板２０７のＹ方向の辺に制限板のＸ方向の位置を制御する可動アームを配置することで制限板のＸＹ平面上の位置を変更することができる。
　（変形例２）
　本変形例では、制限板移動ユニット２０８が、制限板２０７を回転移動させる場合について説明する。図９Ａ、図９Ｂは本変形例にかかる制限板２０７と基板ＷとのＸＹ平面図である。マスクＭや基板支持部２０１などのその他の部材は省略して示している。
　図９Ａに示すように、制限板２０７は半円状の開口を有し、基板Ｗの第一領域９０１を成膜するように配置される。ここで、成膜源２０４は矢印９０２に従って移動して成膜を行う。続いて、制限板移動ユニット２０８は制限板２０７を矢印９０３に従って回転させ、図９Ｂに示す第二領域９１１を成膜するための制限板２０７の位置に移動させる。ここで、成膜源移動ユニット２０５は矢印９０４に示すように、成膜源２０４をＸ方向に移動させて第二領域９１１を成膜するための成膜源２０４の位置に移動させてもよい。
　続いて、図９Ｂに示す位置で、成膜源２０４は矢印９１２に従って移動し、基板Ｗの第二領域９１１に対して成膜を行う。
　なお、図９Ａ、図９Ｂでは成膜源２０４は移動成膜を行うものとして説明したが、成膜源２０４は移動せずに静止成膜を行ってもよい。この場合、成膜源移動ユニット２０５は、制限板移動ユニット２０８と同様、成膜源２０４を回転移動させてもよい。
　（変形例３）
　本変形例では、制限板移動ユニット２０８が、成膜源２０４による成膜処理中に制限板２０７を移動させる場合について説明する。
　図１０Ａ、図１０Ｂは、本変形例に係る制限板２０７と基板ＷとのＸＹ平面図である。マスクや基板支持部２０１などのその他の部材は省略して示している。
　図１０Ａに示すように、基板Ｗの成膜領域である第一領域１００１を成膜する際に、制限板移動ユニット２０８は矢印１００２に従い＋Ｙ方向に制限板２０７を移動させながら成膜を行う。また、成膜源移動ユニット２０５も矢印１００２に従い＋Ｘ方向に成膜源２０４を移動させながら成膜を行う。
　第一領域１００１への成膜が終了すると、制限板移動ユニット２０８および成膜源移動ユニット２０５は制限板２０７を矢印１００３に従って成膜領域である第二領域１０１１への成膜を行うために制限板２０７および成膜源２０４を移動させる。その結果、図１０Ｂに示す基板Ｗと制限板２０７の位置に制限板２０７を移動させる。また、成膜源移動ユニット２０５は成膜源２０４を第二領域１０１１に対応する位置に移動させる。そして、制限板移動ユニット２０８および成膜源移動ユニット２０５は、矢印１０１２に示すように、制限板２０７および成膜源２０４を－Ｘ方向に移動させながら成膜を行う。これによって、ＸＹ面における成膜源２０４の成膜領域を制御しながら成膜処理を行うことができる。
　＜電子デバイスの製造方法＞
　電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。
　まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図１１Ａは有機ＥＬ表示装置１１００の全体図、図１１Ｂは１画素の断面構造を示す図である。
　図１１Ａに示すように、有機ＥＬ表示装置１１００の表示領域１１０１には、発光素子を複数備える画素１１０２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。
　なお、ここでいう画素とは、表示領域１１０１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第一発光素子１１０２Ｒ、第二発光素子１１０２Ｇ、第三発光素子１１０２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素１１０２が構成されている。画素１１０２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素１１０２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素１１０２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。
　図１１Ｂは、図１１ＡのＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素１１０２は、基板１１０３上に、第一電極（陽極）１１０４と、正孔輸送層１１０５と、赤色層１１０６Ｒ・緑色層１１０６Ｇ・青色層１１０６Ｂのいずれかと、電子輸送層１１０７と、第二電極（陰極）１１０８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層１１０５、赤色層１１０６Ｒ、緑色層１１０６Ｇ、青色層１１０６Ｂ、電子輸送層１１０７が有機層に当たる。赤色層１１０６Ｒ、緑色層１１０６Ｇ、青色層１１０６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。
　また、第一電極１１０４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層１１０５と電子輸送層１１０７と第二電極１１０８は、複数の発光素子１１０２Ｒ、１１０２Ｇ、１１０２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図１１Ｂに示すように正孔輸送層１１０５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層１１０６Ｒ、緑色層１１０６Ｇ、青色層１１０６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層１１０７と第二電極１１０８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。
　なお、近接した第一電極１１０４の間でのショートを防ぐために、第一電極１１０４間に絶縁層１１０９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層１１１０が設けられている。
　図１１Ｂでは正孔輸送層１１０５や電子輸送層１１０７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第一電極１１０４と正孔輸送層１１０５との間には第一電極１１０４から正孔輸送層１１０５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第二電極１１０８と電子輸送層１１０７の間にも電子注入層を形成してもよい。
　赤色層１１０６Ｒ、緑色層１１０６Ｇ、青色層１１０６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層１１０６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。
　なお、ここでは赤色層１１０６Ｒの例を示したが、緑色層１１０６Ｇや青色層１１０６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。
　次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層１１０６Ｒが下側層１１０６Ｒ１と上側層１１０６Ｒ２の２層からなり、緑色層１１０６Ｇと青色層１１０６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。
　まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第一電極１１０４が形成された基板１１０３を準備する。なお、基板１１０３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板１１０３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。
　第一電極１１０４が形成された基板１１０３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第一電極１１０４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層１１０９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
　絶縁層１１０９がパターニングされた基板１１０３を第一の成膜装置に搬入し、正孔輸送層１１０５を、表示領域の第一電極１１０４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層１１０５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域１１０１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。
　次に、正孔輸送層１１０５までが形成された基板１１０３を第二の成膜装置に搬入する。基板１１０３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層１１０５の上の、基板１１０３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層１１０６Ｒを成膜する。ここで、第二の成膜装置で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板１１０３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層１１０６Ｒは、基板１１０３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層１１０６Ｒは、基板１１０３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。
　赤色層１１０６Ｒの成膜と同様に、第三の成膜装置において緑色層１１０６Ｇを成膜し、さらに第四の成膜装置において青色層１１０６Ｂを成膜する。赤色層１１０６Ｒ、緑色層１１０６Ｇ、青色層１１０６Ｂの成膜が完了した後、第五の成膜装置において表示領域１１０１の全体に電子輸送層１１０７を成膜する。電子輸送層１１０７は、３色の層１１０６Ｒ、１１０６Ｇ、１１０６Ｂに共通の層として形成される。
　電子輸送層１１０７までが形成された基板を第六の成膜装置に移動し、第二電極１１０８を成膜する。本実施形態では、第一の成膜装置～第六の成膜装置では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第六の成膜装置における第二電極１１０８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第二電極１１０８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層１１１０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置１１００が完成する。なお、ここでは保護層１１１０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。
　ここで、第一の成膜装置～第六の成膜装置での成膜は、形成されるそれぞれの層のパターンに対応した開口が形成されたマスクを用いて成膜される。成膜の際には、基板１１０３とマスクとの相対的な位置調整（アライメント）を行った後に、マスクの上に基板１１０３を載置して成膜が行われる。
　＜他の実施形態＞
　本実施形態では、制限板２０７によって規定される複数の成膜領域は、重ね合わせた場合に基板Ｗの全体を覆うものとして説明された。しかしながら、複数の成膜領域を重ね合わせた場合に、基板Ｗの全体を覆わなくてもよい。言い換えると、基板Ｗ上には成膜が行われない領域が存在してもよい。このような場合、成膜が行われない領域は、素子形成領域を含まないよう、スクライブ領域に配置される。
　成膜源２０４がショット蒸着を行う蒸着源である場合には、遮蔽部２０６と制限板２０７との間にシャッタが設けられてもよい。この場合、シャッタは、基板Ｗの全体を覆う閉状態と、基板Ｗの全体を成膜可能に開放する開状態とを切り替えられることができる。このような場合であっても、制限板２０７を成膜ユニット２３０と分離して配置することができるため、シャッタより基板Ｗ側に制限板２０７を配置することができ、成膜領域を高精度に制御することができる。
　本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
　発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
１０　成膜装置、２０４　成膜源、２０５　成膜源移動ユニット、２０７　制限板、２０８　制限板移動ユニット

Claims (12)

  1. 　基板の被成膜面との間に位置するマスクを介して前記基板に成膜材料を放出する成膜源と、
    　前記成膜源と前記マスクとの間に配置され、前記成膜材料が前記基板に入射する領域を制限する制限板と、
    　前記制限板を前記成膜源に対して前記被成膜面に沿った方向に相対的に移動させる制限板移動手段と、
    　を備える成膜装置。
  2. 　前記成膜源を前記被成膜面に沿った方向に移動させる成膜源移動手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  3. 　前記制限板移動手段は、前記制限板によって前記基板の一部の第一領域に成膜を行う第一位置から、前記第一領域に含まれない前記基板の一部の領域を含む前記基板の一部の第二領域に成膜を行う第二位置へ、前記制限板を移動させることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  4. 　前記制限板移動手段は、前記成膜源による成膜時に、前記基板に対して前記制限板を移動させないことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  5. 　前記成膜源移動手段は、前記成膜源による成膜時に、前記成膜源を前記基板に対して相対的に移動させることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
  6. 　前記制限板移動手段は、前記基板の前記被成膜面に沿った第一方向に前記制限板を移動させ、
    　前記成膜源移動手段は、前記成膜源による成膜時に、前記第一方向と交差する第二方向に前記成膜源を移動させることを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
  7. 　前記制限板移動手段は、非成膜時に、前記基板の前記被成膜面に沿った第一方向に前記制限板を移動させ、
    　前記成膜源移動手段は、前記制限板移動手段による前記制限板が前記第一方向に移動させたことに応じて、前記成膜源を前記第一方向に移動させることを特徴とする請求項６に記載の成膜装置。
  8. 　前記成膜源によって前記基板の前記基板の一部の第一領域に成膜し、
    　前記成膜源によって前記基板の前記第一領域に成膜した後、前記成膜源移動手段および前記制限板移動手段は、それぞれ前記成膜源および前記制限板を前記第一方向に移動させ、
    　前記成膜源および前記制限板を前記第一方向に移動させた後、前記成膜源は前記第一領域に含まれない前記基板の一部の領域を含む前記基板の一部の第二領域に成膜することを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。
  9. 　前記成膜源は、前記成膜源の前記成膜材料の放出範囲を制限する防着部材をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  10. 　前記制限板移動手段は、前記制限板を回転移動させることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  11. 　内部を真空に維持可能なチャンバを備え、
    　前記制限板移動手段は、前記制限板を支持し、
    　前記制限板移動手段は、振動を軽減する除震部材を介して前記チャンバに配置されることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
  12. 　成膜装置の成膜方法であって、
    　前記成膜装置は、
    　　基板の被成膜面との間に位置するマスクを介して前記基板に成膜材料を放出する成膜源と、
    　　前記成膜源と前記マスクとの間に配置され、前記成膜材料が前記基板に入射する領域を制限する制限板と、
    　　前記制限板を前記成膜源に対して前記被成膜面に沿った方向に相対的に移動させる制限板移動手段と、
    　を備え、
    　前記成膜源によって前記基板の一部の第一領域に成膜を行うことと、
    　前記制限板移動手段によって、前記第一領域に対応する位置から、少なくとも前記第一領域に含まれない前記基板の一部の領域を含む第二領域に対応する位置へ、前記制限板を移動させることと、
    　前記成膜源によって前記基板の前記第二領域に成膜を行うことと、
    　を含むことを特徴とする成膜方法。
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