JP2015034308A - 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2015034308A
JP2015034308A JP2013164389A JP2013164389A JP2015034308A JP 2015034308 A JP2015034308 A JP 2015034308A JP 2013164389 A JP2013164389 A JP 2013164389A JP 2013164389 A JP2013164389 A JP 2013164389A JP 2015034308 A JP2015034308 A JP 2015034308A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
limiting plate
plate
restriction
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013164389A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6363333B2 (ja
Inventor
伸一 川戸
Shinichi Kawato
伸一 川戸
井上 智
Satoshi Inoue
智 井上
越智 貴志
Takashi Ochi
貴志 越智
勇毅 小林
Isatake Kobayashi
勇毅 小林
菊池 克浩
Katsuhiro Kikuchi
克浩 菊池
松本 栄一
Eiichi Matsumoto
栄一 松本
正浩 市原
Masahiro Ichihara
正浩 市原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Canon Tokki Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Canon Tokki Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp, Canon Tokki Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2013164389A priority Critical patent/JP6363333B2/ja
Priority to PCT/JP2014/069657 priority patent/WO2015019866A1/ja
Priority to US14/910,642 priority patent/US9493872B2/en
Priority to CN201480044817.7A priority patent/CN105473757B/zh
Priority to KR1020167005772A priority patent/KR20160041976A/ko
Publication of JP2015034308A publication Critical patent/JP2015034308A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6363333B2 publication Critical patent/JP6363333B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

【課題】 蒸着流の散乱に基づく異常成膜の発生を防ぐことができる蒸着装置、及び、該蒸着装置によって薄膜パターンが形成される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 蒸着粒子を射出するノズルを有する蒸着源と、該ノズルの前方に開口部を有する第一制限板、及び、該第一制限板の開口部内に配置された複数の第二制限板を有する一体化制限板と、複数のスリットを有するマスクとを備える蒸着装置、並びに、該蒸着装置を用いて薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【選択図】 図1

Description

本発明は、蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。より詳しくは、蒸着流の経路を規定する制限板を備える蒸着装置、及び、該蒸着装置によって薄膜パターンが形成される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関するものである。
蒸着装置は、真空中で金属、非金属等の物質を加熱して蒸発又は昇華させ、その蒸気を基板の上に凝縮させて薄膜を形成する装置であり、様々な分野で用いられている。
例えば、フルカラー表示の有機エレクトロルミネッセンス(EL)表示装置は、一般的に、赤(R)、緑(G)及び青(B)の3色の有機EL発光層を備え、これらを選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行うが、有機EL発光層のパターン形成を行う手段の一つとして、蒸着装置が挙げられる。
近年では、基板よりも小型の蒸着マスクを使用し、基板を蒸着マスク及び蒸着源に対して相対的に移動させながら蒸着を行うことで、蒸着マスクより大型の基板上に有機EL発光層を形成する方法が提案されている(例えば、特許文献1、2参照。)。
国際公開第2011/034011号 特開2010−270396号公報
図23は、従来のスキャン蒸着式の蒸着装置を表した断面模式図である。スキャン蒸着とは、基板又はマスクを移動(走査)させながら基板上に蒸着膜を成膜する方法である。図23では、被成膜基板(以下、単に基板ともいう。)115又は蒸着マスク(以下、単にマスクともいう。)114は紙面に対して直交する方向に移動する場合を表している。スキャン蒸着法では、例えば図23に示すように、蒸着源111のノズル112の上方に、制限板113、マスク114及び基板115がこの順に配置される。そして、ノズル112の正面に制限板113の開口が位置するように各部材の位置調整がなされる。制限板113は、互いに隣接するノズル112から射出された蒸着粒子同士が混合することを防ぐためのものである。ノズル112から射出された蒸着粒子は、蒸着流(図23中の点線)として制限板113の開口及びマスク114のスリットを通過し、基板115上の所定の位置に付着する。制限板113の開口の位置及びマスク114のスリットの位置を調整することによって、蒸着膜116を的確な位置に成膜することができる。
蒸着流は、通常、直線的に進行する。しかしながら実際には、図23に示すように蒸着流に散乱が生じることがある。本発明者らが検討を行ったところでは、蒸着流に散乱が生じる原因の一つは、制限板113に囲まれた空間内での蒸着密度の上昇である。特に、プロセス上、高レートにする、又は、ノズル112同士の間隔が狭く配置されるときには、蒸着密度が高くなりやすくなる。蒸着密度が高くなると、蒸着粒子同士が衝突しやすくなり、散乱が起こる。蒸着流に散乱が生じると、その散乱の程度によっては、所望の方向と異なる角度に進行方向をもつ蒸着流成分(以下、これを異常蒸着流成分ともいう。)が現れ、それがマスク114のスリットを通過すると、基板115上の所望以外の場所に微小膜117が成膜されることがある(以下、この現象を異常成膜ともいう。)。
そして、このように異常成膜が起こると、例えば有機EL表示装置の場合は、赤(R)、緑(G)及び青(B)の3色の発光層からそれぞれ発せられた光が混色して異常発光を引き起こし、表示品位を損ねる可能性がある。
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、蒸着流の散乱に基づく異常成膜の発生を防ぐことが可能な蒸着装置、及び、該蒸着装置によって薄膜パターンが形成される有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の一態様は、蒸着粒子を射出するノズルを有する蒸着源と、該ノズルの前方に開口部を有する第一制限板、及び、該第一制限板の開口部内に配置された複数の第二制限板を有する一体化制限板と、複数のスリットを有するマスクとを備える蒸着装置である。
また、本発明の他の一態様は、蒸着粒子を射出するノズルを有する蒸着源と、該ノズルの前方に開口部を有する第一制限板、及び、該第一制限板の開口部内に配置された複数の第二制限板を有する一体化制限板と、複数のスリットを有するマスクとを備える蒸着装置を用いて薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法である。
本発明の蒸着装置によれば、蒸着流の散乱に基づく異常成膜の発生を防ぐことができる。また、本発明の有機EL素子の製造方法によれば、異常成膜の少ない高精細な有機EL素子を作製することができる。
実施形態1の蒸着装置を用いて被成膜基板に対しスキャン蒸着を行う様子を表す斜視模式図である。 実施形態1の蒸着装置における蒸着源、一体化制限板、マスク及び基板の動きを制御する走査ユニットの一例を表した模式図である。 実施形態1の蒸着装置の断面模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態1において、微小制限板をノズルの射出口の向きに平行に配置したときの第一制限板の開口部付近の模式図であり、微小制限板が第一制限板の開口部の出口付近に配置されたときを表している。 実施形態1において、微小制限板をノズルの射出口の向きに平行に配置したときの第一制限板の開口部付近の模式図であり、微小制限板が第一制限板の開口部の中央付近に配置されたときを表している。 微小制限板をノズルの射出口の向きに平行に配置したときの第一制限板の開口部の模式図であり、微小制限板が第一制限板の開口部の出口付近に配置されたときを表している。 微小制限板をノズルの射出口の向きに平行に配置したときの第一制限板の開口部の模式図であり、微小制限板が第一制限板の開口部の中央付近に配置されたときを表している。 図7で示した例と比べ、微小制限板をより長く設計した場合を示す模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の概念図である。 実施形態1の蒸着装置を走査して被成膜基板に成膜がなされる様子を上から見たときを表した模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態2の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の概念図である。 実施形態2の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態2の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態2の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の一例を表す模式図である。 実施形態3の蒸着装置の断面模式図である。 従来のスキャン蒸着式の蒸着装置を表した断面模式図である。
以下に実施形態を掲げ、本発明について図面を参照して更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。
下記実施形態の蒸着装置によって作製される機器の例としては、有機ELディスプレイ、有機EL照明等、有機EL素子を備えるもの、並びに、複数の画素を備える表示装置が挙げられる。中でも、下記実施形態の蒸着装置は、画素の精密さが要求される有機EL素子基板及びカラーフィルタ基板の作製に好適に用いられる。
実施形態1
図1は、実施形態1の蒸着装置を用いて被成膜基板に対しスキャン蒸着を行う様子を表す斜視模式図である。図1に示すように、実施形態1の蒸着装置内では、基板15に向かって蒸着源11、一体化制限板13及びマスク14がこの順に配置される。基板15は、静電チャック(基板ホルダ)18によって固定されており、XYZ軸方向にスライドすることが可能となっている。
蒸着源11と一体化制限板13との間、及び、一体化制限板13とマスク14との間には空間が設けられている。マスク14には複数のスリットが形成されており、一体化制限板13には複数の開口部が形成されている。マスク14のスリットの長手方向と、一体化制限板13の開口部の長手方向とは一致している。
蒸着源11には複数のノズル12が左右に周期的に設けられている。各ノズル12から一体化制限板13の開口部に向かって蒸着粒子が射出され、蒸着流(図1中の片矢印)となって一体化制限板13の開口部及びマスク14のスリットを通り抜けて、基板15に到達する。
有機EL素子を作製するのであれば、有機材料及び無機材料が用途に応じて蒸着粒子として用いられうる。有機材料は、例えば、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層に使用され、無機材料は、例えば、陽極及び陰極に使用される。
図1に示す例では、基板15は、マスク14のスリットの長手方向と同じ方向(図1中の両矢印)、すなわち、Y軸方向に走査されているが、必ずしもこの方向に限定されない。また、図1に示す例では、蒸着源11、一体化制限板13及びマスク14が固定され、基板15が移動しているが、基板15が固定され、蒸着源11、一体化制限板13及びマスク14が相対的に移動してもよい。また、蒸着源11、一体化制限板13及びマスク14は、一体となって動きが制御されてもよいし、個別に動きが制御されてもよい。これらの一部又は全体は、モーター等の発動機とつながっており、別に設けた駆動回路による制御によって、これらのXYZ軸方向の動きが実現される。駆動回路による制御には、例えば、アライメントマークが参照される。アライメントマークは、例えば、基板15の端部(四隅)及びマスク14の端部(四隅)に設けられる。
一体化制限板13は、複数の開口部を有する第一制限板13aと、第一制限板13aの各開口部内に設けられた複数の微小制限板(第二制限板)13bとで構成されている。第一制限板13aによって、隣り合うノズル12から射出されるそれぞれの蒸着流が混合することを防ぐことができる。また、これにより、各ノズル12から射出されてマスク14に到着するまでの蒸着流のおおよその向きが規定される。微小制限板13bは、蒸着流をより精密に制御するために設けられた仕切り部材であり、一つあたりの大きさは第一制限板13aの開口部よりも小さい。
第一制限板13aの開口部の形状は、特に限定されないが、例えば直方体が挙げられる。第一制限板13aの開口部の寸法としては、製造される製品の設計に応じて適宜変更されるが、第一制限板13aの上面又は下面に対して水平な方向から見たとき、すなわち、蒸着装置を断面的に見たときに、例えば、縦が10〜100mm(図1中x方向)、横が5〜30mm(図1中y方向)、奥行が50〜500mm(図1中z方向)のものが挙げられる。
一体化制限板13は、壁面に付着した蒸着物質が再蒸発することを防ぐために、冷却されている(具体的には、20〜80℃に設定される)ことが好ましい。
図2は、実施形態1の蒸着装置における蒸着源、一体化制限板、マスク及び基板の動きを制御する走査ユニットの一例を表した模式図である。図2に示す例では、蒸着源11と、一体化制限板13と、マスク14とは、末端で互いがつながっており、一体的に動けるようになっている。基板15は静電チャック18によって固定されており、蒸着源11、一体化制限板13及びマスク14とは別に動きが制御される。蒸着源11にはノズル12が取り付けられており、基板15及び静電チャック18、又は、蒸着源11、一体化制限板13及びマスク14の走査と同時に、図中の矢印方向に向かってノズル12から蒸着粒子が射出される。基板15及びマスク14の端部には、それぞれアライメントマーク19が設けられており、これによって、基板15とマスク14との位置調整がなされる。以上のような走査ユニットにより調整されたスキャン蒸着によって、所望の蒸着膜16が形成される。
このように、実施形態1の蒸着装置は、(i)被成膜基板を固定する基板ホルダと、該基板ホルダを固定し、蒸着源、一体化制限板及びマスクを相対的に移動させる走査ユニットとを備えていてもよいし、(ii)被成膜基板を固定する基板ホルダと、蒸着源、一体化制限板及びマスクを固定し、該基板ホルダを移動させる走査ユニットとを備えていてもよい。
また、実施形態1の蒸着装置を用いて成膜を行う際には、蒸着工程は、(i)被成膜基板を保持した基板ホルダを固定し、蒸着源、一体化制限板及びマスクを相対的に移動させながら、該被成膜基板上に蒸着膜を形成するものであってもよいし、(ii)蒸着源、一体化制限板及びマスクを固定し、被成膜基板を保持した基板ホルダを移動させながら、該被成膜基板上に蒸着膜を形成するものであってもよい。
図3は、実施形態1の蒸着装置の断面模式図であり、図3中の点線が蒸着流の向きを表している。蒸着流は、全体として見れば、ノズル12の射出口から遠ざかるにつれて等方的に広がりをもつように放射されるが、第一制限板13aによって、放射角度(ノズル12の射出口の向きに対して成す角度)の大きい成分は遮断されるため、放射角度の小さい成分に絞り込み(フィルタリング)がなされることになる。また、実施形態1の蒸着装置では、更に、第一制限板13aの開口部の出口付近に設けられた微小制限板13bによっても蒸着流の絞り込みがなされるため、第一制限板13aによって絞られた成分は、更に放射角度の小さい成分に絞り込まれ、その上で一体化制限板13の外部へと放出されることになる。
このような二段階の絞り込みを行うことで、仮に第一制限板13aの開口部内で蒸着粒子同士が衝突し、散乱が起こったとしても、散乱角度の大きい成分は微小制限板13bによって遮断されるため、異常蒸着流成分がマスク14のスリットを通過する可能性を大幅に減らすことができる。そして、それによって異常成膜の発生が抑制されるため、的確な位置に蒸着膜16を成膜することができる。
微小制限板13bの寸法としては、製造される製品の設計に応じて適宜変更されるが、第一制限板13aの上面又は下面に対して水平な方向から見たとき、すなわち、蒸着装置を断面的に見たときに、例えば、縦が5〜30mm(図1中x方向)、横が0.5〜2mm(図1中y方向)、奥行が10〜50mm(図1中z方向)のものが挙げられる。
蒸着粒子の衝突は、蒸着密度が高い環境下で発生しやすくなる。蒸着密度の上昇は、第一制限板13aの開口部内で起こりやすいため、微小制限板13bは、第一制限板13aの開口部内に設けられている。好ましくは、図3に示すように、第一制限板13aの開口部の出口と外界との境界面Sに沿って複数の微小制限板13bが並んで配置される。これにより、より第一制限板13aの開口部の入口に近い側、すなわち、よりノズル12に近い位置に微小制限板13bを配置した場合と比べ、より均一な膜を成膜することが可能となる。
微小制限板13bは、第一制限板13aの開口部の外側ではなく内側に配置される方が、設計作業の観点からも有利である。これは、成膜パターンの全体設計は、第一制限板の開口部の設計によって実現されるためである。開口部の外側に微小制限板を配置してしまうと、全体設計をやり直す必要性が出てくる。実施形態1によれば、このような基本設計に手を加えることなく、散乱の発生抑制の効果のみを得ることが可能となる。
実施形態1において微小制限板13bは、第一制限板13aと一体化されているが、これにより、各制限板を別々に冷却しなくて済むという利点が得られる。ただし、微小制限板13bは、着脱式のものであることが好ましく、そうすることで、付着物の堆積による精度低下、第一制限板13aの開口部の閉塞による蒸着効率の低下を解消することができる。
図3では、第一制限板の開口部内に設けられた微小制限板の位置を、蒸着装置を断面的に見たときを基準に表したが、第一制限板13aの上面又は下面に対して垂直の方向から見たとき、すなわち、蒸着装置を上から見たときには、図4〜図6のようになる。すなわち、図4〜図6は、実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の模式図である。
図4に示す例では、微小制限板13bの支持部13cが、第一制限板13aの開口部の出口と外界との境界面に接するように、かつ第一制限板13aの開口部の内側に位置するように設けられている。支持部13cからは、ノズル側に向かって複数の突出部13dが延伸されている。
図5に示す例では、微小制限板13bの支持部13cが、第一制限板13aの開口部の出口と外界との境界面に平行に、かつ第一制限板13aの開口部の内側と外側の両方にまたがるように、すなわち、境界面を含むように設けられている。支持部13cからは、ノズル側に向かって複数の突出部13dが延伸されている。
図6に示す例では、微小制限板13bの支持部13cが、第一制限板13aの開口部の出口と外界との境界面とは接してはいないものの、境界面と平行に、かつ第一制限板13aの開口部の内側に位置するように設けられている。支持部13cからは、ノズル側と外界側の双方に向かって複数の突出部13dが延伸されている。
このように、微小制限板の形状及び配置場所については種々の形態が想定されるが、例えば図4〜図6のように、微小制限板13bが、第一制限板13aの支持部13cが開口部の出口と外界との境界面と平行に配置され、突出部13dの向きが支持部13cに対して直交するものは、設計が比較的容易である。ところが一方で、第一制限板13aの突出部13dが支持部13cに対して直交するように、すなわち、ノズルの射出口の向きに平行に配置されるとき、以下の課題が生じ得る。
図7及び図8は、実施形態1において、微小制限板をノズルの射出口の向きに平行に配置したときの第一制限板の開口部付近の模式図である。図7は、微小制限板が第一制限板の開口部の出口付近に配置されたときを表し、図8は、微小制限板が第一制限板の開口部の中央付近に配置されたときを表している。図7及び図8における一点鎖線は、蒸着流が微小制限板によって遮断される成分を表している。
微小制限板13bは、異常蒸着流成分の遮断に非常に効果的であるが、その弊害として、正常な蒸着流成分に対しても一部遮断の影響を及ぼしてしまう。図7及び図8における両矢印で示される範囲は、それぞれ成膜がなされなかった領域(以下、非成膜領域ともいう。)を表している。これは、蒸着装置に制限板を設ける上では避けられない課題である。そして、このような正常な蒸着流成分の遮断が一部で起きたとき、均一に膜が形成されない場合がある。
ただし、微小制限板の位置によって、その影響の程度は異なる。例えば、図7で示した例のように、微小制限板13bが第一制限板13aの開口部の出口付近に配置される場合、すなわち、第一制限板13aの開口部の出口と外界との境界面Sに沿って複数の微小制限板13bが並んで配置されるような場合には、微小制限板13bがノズル12の位置から可能な最も遠い位置に配置されることになり、成膜領域と被成膜領域との間でのムラが生じにくい。
一方、図8で示した例のように、微小制限板13bが第一制限板13aの開口部の中央付近に配置される場合には、微小制限板13bはノズル12の位置により近い位置に配置されることになるため、図7に示す例と比べ、成膜領域と非成膜領域との間でのムラが目立つことになる。
すなわち、図7に示す微小制限板13bの配置構成によれば、図8に示す微小制限板13bの配置構成に比べて均一な膜を形成することができる。
また、図7で示した例と図8で示した例とを比較すると、より基板に近い側に微小制限板13bが配置された図7に示す例の方が、蒸着流の散乱の影響を防ぐ点でも効果的である。
図9及び図10は、図7及び図8と同様、微小制限板をノズルの射出口の向きに平行に配置したときの第一制限板の開口部の模式図である。図9は、微小制限板が第一制限板の開口部の出口付近に配置されたときを表し、図10は、微小制限板が第一制限板の開口部の中央付近に配置されたときを表している。図9及び図10における点線は、蒸着流の向きを表している。
図9と図10とを比較すると分かるように、より基板に近い側に微小制限板が配置された図9の例によれば、第一制限板の開口部の出口付近で散乱した蒸着流に対しても、遮断の効果を得ることができる。
以上のように、実施形態1において微小制限板(第二制限板)は、第一制限板の開口部の中央と出口との間に配置されることが好ましく、より好ましくは、第一制限板の開口部の出口と外界との境界面に沿って複数の微小制限板が並んで配置される形態である。これにより、蒸着パターンの精度が増すため、例えば、高精細のディスプレイを実現する、歩留まりの向上により生産性が高くなる等の利点を得ることができる。
図11は、図7で示した例と比べ、微小制限板をより長く設計した場合を示す模式図である。微小制限板13bは、長い方がより蒸着流の散乱による異常蒸着成分の遮断には好適であるが、長すぎると正常蒸着流成分を遮断する確率が高くなる。微小制限板の最適な長さは、求められる設計に応じて適宜変更されるが、5〜30mmが好適である。
上記非成膜の発生の課題を解決する上では、蒸着装置を上から見たときの微小制限板の配置にも工夫を加えることが望ましい。
図12は、実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の概念図である。図12に示すように、微小制限板13bは、全体として見たときに、第一制限板13aの開口部の長手方向と同じ方向に伸びる複数の突出部13dが、行方向に一定間隔を空けて並んで配置された構成となっている。また、各突出部13bは、基板搬送方向に沿って複数に分かれて配置されている。より具体的には、行方向に一定の間隔で配置された突出部13dで構成される1組の突出部群13eが列状に並べられて微小制限板13bが構成されているが、各列間で突出部群13eは、行方向にややずれて配置されている。
図13は、実施形態1の蒸着装置を走査して被成膜基板に成膜がなされる様子を上から見たときを表した模式図である。図13では、一体化制限板13及びマスクの位置が固定され、基板15が上方向から下方向(図中の矢印方向)に走査されている場合を示している。
図13に示すように、実施形態1における一体化制限板13によれば、全ての行を通過したときには、基板15の全体に均一な蒸着膜が成膜されることになる。
このように、実施形態1の一体化制限板によれば、基板又はマスクを走査してスキャン蒸着したときに、平均的に成膜がなされることになるため、上記非成膜領域の発生の課題を最小限に抑えることができる。
図12で示した例は、実施形態1における微小制限板の位置を概念的に表したものであるが、具体的には、以下のような構造により実現される。図14〜図17は、実施形態1の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の模式図である。
図14に示す例では、微小制限板13bが、全体として棚状になっている。具体的には、微小制限板13bが下段から上段に向かって支持部(梁)13cと突出部(仕切り)13dとが交互に積層された構成となっている。
図15に示す例では、微小制限板13bが、全体として棚状になっている。具体的には、第一制限板13aの開口部中央付近に位置するはしご状の部位、最上段にある支持部13c、及び、最下段にある支持部13cを起点として、上方向又は下方向に突出部13dが伸びた構成となっている。
図16に示す例では、微小制限板13bが、最上段にある支持部13c、及び、最下段にある支持部13cを起点として、上方向又は下方向にジグザグ状の突出部13dが伸びた構成となっている。
図17に示す例では、微小制限板13bが、突出部13dの両面からそれぞれ上方向又は下方向に突出部13dが伸びた構成を一組とする複数の組で構成されている。
なお、図13〜図17では、5組(5行)の突出部群によって、一つの開口部が占められた形態が図示されているが、実施形態1において突出部群の行数は特に限定されず、例えば、5組(5行)の突出部群を1周期(1サイクル)として、それが数サイクル配置された形態であってもよい。
以下に示す実施形態2の蒸着装置もまた、上記非成膜領域の発生の課題を解決するために好適な形態の一つである。
実施形態2
図18は、実施形態2の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の概念図である。図18に示すように、微小制限板13bの向きは、第一制限板13aの開口部の長手方向に対して角度を成すように(具体的には、20〜50°の角度を成すように)配置されている。付言すると、微小制限板13bの向きは、基板の走査方向及びマスクのスリットの長手方向とも角度を成すように配置されている。実施形態2の蒸着装置は、上から見たときの微小制限板の傾きが異なる点以外は、実施形態1の蒸着装置と同様である。
図18に示すように、実施形態2における微小制限板は、全体として見たときに、第一制限板の開口部の長手方向に対して角度を成す方向に複数の突出部が伸びており、かつ該複数の突起部が、行方向にも列方向にも一定間隔を空けてマトリクス状に配置された構成となっている。より具体的には、行方向に一定の間隔で配置された突出部13dで構成される1組の突出部群13eが、2行1組を1セットとして列状に配置されており、各突出部群13eは、列間で半周期分、行方向にずれて配置されている。言い換えると、微小制限板は、突出部群13eが列方向に周期的に(図中の例では、2行3サイクルで)並べられることによって構成されている。実施形態2において突出部群13eの周期単位及びそのサイクル数は限定されないが、図18に示すように、一つの周期単位が2行で構成されることが、効率面からは好ましい。
図18に示す一体化制限板13によれば、基板又はマスクを走査してスキャン蒸着したときに、平均的に成膜がなされることになる。
図18に示す一体化制限板は、具体的には、以下のような構造によって実現される。図19〜図21は、実施形態2の蒸着装置を上から見たときの一体化制限板の模式図である。
図19に示す例では、微小制限板13bが、全体として棚状になっている。具体的には、微小制限板13bが下段から上段に向かって支持部13cと突出部13dとが交互に積層された構成となっている。
図20に示す例では、微小制限板13bが、全体として棚状になっている。具体的には、第一制限板13aの開口部中央付近に位置するはしご状の部位、最上段にある支持部13c、及び、最下段にある支持部13cを起点として、上方向又は下方向に突出部13dが伸びた構成となっている。
図21に示す例では、微小制限板13bが、突出部13dの両面からそれぞれ上方向又は下方向に突出部13dが伸びた構成を一組とする複数の組で構成されている。
以下に示す実施形態3の蒸着装置もまた、上記非成膜領域の発生の課題を解決するために好適な形態の一つである。
実施形態3
図22は、実施形態3の蒸着装置の断面模式図であり、図22中の点線が蒸着流の向きを表している。実施形態3の蒸着装置は、第一制限板の上面又は下面に対して水平な方向から見たとき、すなわち、蒸着装置を断面的に見たときの微小制限板の傾きが異なる点以外は、実施形態1の蒸着装置と同様である。
蒸着流は、全体として見れば、ノズル12の射出口から遠ざかるにつれて等方的に広がりをもつように放射されるので、微小制限板13bの向きが蒸着流の放射角度に沿うようにノズルの射出口の向きに対して角度を成している(具体的には、ノズルの射出口に向かって配置されている)と、正常な蒸着流成分が遮断されにくくなる。したがって、図22に示す例によれば、正常な蒸着流成分の遮断を減らすことができ、均一に蒸着膜を成膜することが可能となる。
11、111:蒸着源
12、112:ノズル
13:一体化制限板
13a:第一制限板
13b:微小制限板(第二制限板)
13c:支持部
13d:突出部
13e:突出部群
14、114:マスク(蒸着マスク)
15、115:基板(被成膜基板)
16、116:蒸着膜
18:静電チャック
19:アライメントマーク
113:制限板
117:微小膜

Claims (10)

  1. 蒸着粒子を射出するノズルを有する蒸着源と、
    該ノズルの前方に開口部を有する第一制限板、及び、該第一制限板の開口部内に配置された複数の第二制限板を有する一体化制限板と、
    複数のスリットを有するマスクとを
    備えることを特徴とする蒸着装置。
  2. 前記第二制限板は、前記第一制限板の上面又は下面に対して水平な方向から見たときに、前記第一制限板の開口部の中央と出口の間に配置されていることを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。
  3. 前記第二制限板は、前記第一制限板の上面又は下面に対して水平な方向から見たときに、第一制限板の開口部の出口と外界との境界面に沿って配置されていることを特徴とする請求項2記載の蒸着装置。
  4. 前記第二制限板は、前記第一制限板の上面又は下面に対して垂直の方向から見たときに、前記第一制限板の開口部の長手方向と角度を成すように配置されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の蒸着装置。
  5. 前記第二制限板は、前記第一制限板の上面又は下面に対して水平な方向から見たときに、前記ノズルの射出口の向きに対して角度を成していることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の蒸着装置。
  6. 更に、被成膜基板を固定する基板ホルダと、
    該基板ホルダを固定し、前記蒸着源、前記一体化制限板及び前記マスクを相対的に移動させる走査ユニットとを
    備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の蒸着装置。
  7. 更に、被成膜基板を固定する基板ホルダと、
    前記蒸着源、前記一体化制限板及び前記マスクを固定し、該基板ホルダを移動させる走査ユニットとを
    備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の蒸着装置。
  8. 蒸着粒子を射出するノズルを有する蒸着源と、該ノズルの前方に開口部を有する第一制限板、及び、該第一制限板の開口部内に配置された複数の第二制限板を有する一体化制限板と、複数のスリットを有するマスクとを備える蒸着装置を用いて薄膜のパターンを形成する蒸着工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  9. 前記蒸着工程は、被成膜基板を保持した基板ホルダを固定し、前記蒸着源、前記一体化制限板及び前記マスクを相対的に移動させながら、該被成膜基板上に蒸着膜を形成する工程であることを特徴とする請求項8記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
  10. 前記蒸着工程は、前記蒸着源、前記一体化制限板及び前記マスクを固定し、被成膜基板を保持した基板ホルダを移動させながら、該被成膜基板上に蒸着膜を形成する工程であることを特徴とする請求項8記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
JP2013164389A 2013-08-07 2013-08-07 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 Expired - Fee Related JP6363333B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013164389A JP6363333B2 (ja) 2013-08-07 2013-08-07 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
PCT/JP2014/069657 WO2015019866A1 (ja) 2013-08-07 2014-07-25 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US14/910,642 US9493872B2 (en) 2013-08-07 2014-07-25 Vapor deposition apparatus and method for producing organic electroluminescent element
CN201480044817.7A CN105473757B (zh) 2013-08-07 2014-07-25 蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法
KR1020167005772A KR20160041976A (ko) 2013-08-07 2014-07-25 증착 장치 및 유기 일렉트로 루미네센스 소자의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013164389A JP6363333B2 (ja) 2013-08-07 2013-08-07 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015034308A true JP2015034308A (ja) 2015-02-19
JP6363333B2 JP6363333B2 (ja) 2018-07-25

Family

ID=52461205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013164389A Expired - Fee Related JP6363333B2 (ja) 2013-08-07 2013-08-07 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9493872B2 (ja)
JP (1) JP6363333B2 (ja)
KR (1) KR20160041976A (ja)
CN (1) CN105473757B (ja)
WO (1) WO2015019866A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017010512A1 (ja) * 2015-07-15 2017-01-19 シャープ株式会社 蒸着方法及び蒸着装置
WO2024070473A1 (ja) * 2022-09-26 2024-04-04 キヤノントッキ株式会社 成膜装置および成膜方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6042988B2 (ja) * 2013-07-08 2016-12-14 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US10644239B2 (en) 2014-11-17 2020-05-05 Emagin Corporation High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display
US10386731B2 (en) 2016-05-24 2019-08-20 Emagin Corporation Shadow-mask-deposition system and method therefor
TWI633197B (zh) * 2016-05-24 2018-08-21 美商伊麥傑公司 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
WO2018153481A1 (en) * 2017-02-24 2018-08-30 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing
CN107190232A (zh) * 2017-07-13 2017-09-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示基板的蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法
US20210135085A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 International Business Machines Corporation Cluster tool for production-worthy fabrication of dolan bridge quantum josephson junction devices

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052318A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置
WO2011129043A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
WO2012090717A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置
WO2012098927A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、有機el素子、及び有機el表示装置
WO2012124512A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
CN102482760B (zh) 2009-09-15 2014-07-02 夏普株式会社 蒸镀方法和蒸镀装置
KR101156441B1 (ko) * 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US9231210B2 (en) * 2010-05-18 2016-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Manufacturing device and manufacturing method for organic EL element
KR102013315B1 (ko) * 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) * 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052318A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置
WO2011129043A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 シャープ株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
WO2012090717A1 (ja) * 2010-12-27 2012-07-05 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置
WO2012098927A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、有機el素子、及び有機el表示装置
WO2012124512A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機el表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017010512A1 (ja) * 2015-07-15 2017-01-19 シャープ株式会社 蒸着方法及び蒸着装置
JP2017025347A (ja) * 2015-07-15 2017-02-02 シャープ株式会社 蒸着方法及び蒸着装置
WO2024070473A1 (ja) * 2022-09-26 2024-04-04 キヤノントッキ株式会社 成膜装置および成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105473757A (zh) 2016-04-06
WO2015019866A1 (ja) 2015-02-12
US9493872B2 (en) 2016-11-15
US20160194747A1 (en) 2016-07-07
CN105473757B (zh) 2017-10-20
KR20160041976A (ko) 2016-04-18
JP6363333B2 (ja) 2018-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6363333B2 (ja) 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR101127575B1 (ko) 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
KR101951029B1 (ko) 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP6068514B2 (ja) 蒸着ユニットおよび蒸着装置
KR101942471B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR101634922B1 (ko) 제한판 유닛 및 증착 유닛과 증착 장치
WO2016171075A1 (ja) 蒸着装置および蒸着方法
JP6585752B2 (ja) 気相流を制御して作製された光電子デバイス
JPWO2012099012A1 (ja) 坩堝および蒸着装置
TWI611033B (zh) 沉積裝置及使用其製造有機發光二極體顯示器之方法
KR20100133677A (ko) 박막 증착 장치
KR102042527B1 (ko) Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
US20150275351A1 (en) Evaporation Tool
US20200087777A1 (en) Vapor deposition source and vapor deposition apparatus, and method for manufacturing vapor deposition film
TW201418507A (zh) 沉積設備及使用其製造有機發光二極體顯示器之方法
WO2017069066A1 (ja) スキャン蒸着用金属マスク、蒸着装置および蒸着方法およびエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2013209696A6 (ja) 真空蒸着装置およびその蒸着源
JP2013209696A (ja) 真空蒸着装置およびその蒸着源
KR101084194B1 (ko) 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
KR102128308B1 (ko) Oled 디스플레이, 그 제조용 증착원과 그 제조 방법
WO2020044521A1 (ja) 蒸着装置及び蒸着装置の蒸着方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160620

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20160620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170829

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180418

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180605

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180628

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6363333

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees