CN105473757A - 蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法 - Google Patents

蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105473757A
CN105473757A CN201480044817.7A CN201480044817A CN105473757A CN 105473757 A CN105473757 A CN 105473757A CN 201480044817 A CN201480044817 A CN 201480044817A CN 105473757 A CN105473757 A CN 105473757A
Authority
CN
China
Prior art keywords
confinement plate
coating device
evaporation
opening portion
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201480044817.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105473757B (zh
Inventor
川户伸一
井上智
越智贵志
小林勇毅
菊池克浩
松本荣一
市原正浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN105473757A publication Critical patent/CN105473757A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105473757B publication Critical patent/CN105473757B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供能够防止由蒸镀流的散射引起的异常成膜的发生的蒸镀装置、和利用该蒸镀装置形成薄膜图案的有机电致发光元件的制造方法。本发明为一种蒸镀装置，其包括：具有射出蒸镀颗粒的喷嘴的蒸镀源；一体化限制板，该一体化限制板具有在该喷嘴的前方具有开口部的第一限制板、和配置在该第一限制板的开口部内的多个第二限制板；和具有多个缝隙的掩模。本发明还为一种有机电致发光元件的制造方法，其包括使用该蒸镀装置形成薄膜的图案的蒸镀工序。

Description

蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法
技术领域
本发明涉及蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法。更详细而言，涉及具备规定蒸镀流的路径的限制板的蒸镀装置、和利用该蒸镀装置形成薄膜图案的有机电致发光元件的制造方法。
背景技术
蒸镀装置是在真空中对金属、非金属等物质进行加热使其蒸发或升华，使其蒸气在基板上冷凝而形成薄膜的装置，在各种领域中使用。
例如，全彩色显示的有机电致发光(EL)显示装置通常具备红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的3色的有机EL发光层，通过使这些有机EL发光层有选择地以期望的亮度发光来进行图像显示，作为进行有机EL发光层的图案形成的手段之一，可以列举蒸镀装置。
近年来，提出了如下的方法：使用比基板小型的蒸镀掩模，在使基板相对于蒸镀掩模和蒸镀源相对移动的同时进行蒸镀，由此，在比蒸镀掩模大型的基板上形成有机EL发光层(例如参照专利文献1、2)。现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2011/034011号
专利文献2：日本特开2010-270396号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
图23是表示以往的扫描蒸镀式的蒸镀装置的截面示意图。扫描蒸镀是指在使基板或掩模移动(扫描)的同时在基板上形成蒸镀膜的方法。在图23中，表示了被成膜基板(以下也简称为基板)115或蒸镀掩模(以下也简称为掩模)114在与纸面正交的方向上移动的情况。在扫描蒸镀法中，例如如图23所示，在蒸镀源111的喷嘴112的上方，依次配置有限制板113、掩模114和基板115。进行各部件的位置调整，使得限制板113的开口位于喷嘴112的正面。限制板113用于防止从相互相邻的喷嘴112射出的蒸镀颗粒彼此混合。从喷嘴112射出的蒸镀颗粒，作为蒸镀流(图23中的虚线)通过限制板113的开口和掩模114的缝隙，附着在基板115上的规定的位置。通过调整限制板113的开口的位置和掩模114的缝隙的位置，能够在准确的位置形成蒸镀膜116。
蒸镀流通常直线地行进。然而实际上，如图23所示，蒸镀流有时会发生散射。本发明的发明人进行研究后发现，蒸镀流发生散射的原因之一是被限制板113包围的空间内的蒸镀密度的上升。特别是在工艺上设为高速率或将喷嘴112彼此的间隔配置得较狭时，蒸镀密度容易升高。当蒸镀密度升高时，蒸镀颗粒彼此变得容易碰撞，发生散射。当蒸镀流发生散射时，根据其散射的程度，会出现在与期望的方向不同的角度上具有行进方向的蒸镀流成分(以下，将该蒸镀流成分也称为异常蒸镀流成分)，当该蒸镀流成分通过掩模114的缝隙时，有时会在基板115上的期望以外的地方形成微小膜117(以下，将该现象也称为异常成膜)。
当这样发生异常成膜时，例如在有机EL显示装置的情况下，有可能从红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的3色的发光层分别发出的光混色而引起异常发光，损害显示品质。
本发明是鉴于上述现状而做出的，其目的在于提供能够防止由蒸镀流的散射引起的异常成膜的发生的蒸镀装置、和利用该蒸镀装置形成薄膜图案的有机电致发光元件的制造方法。
用于解决技术问题的手段
本发明的一个方案为一种蒸镀装置，其包括：具有射出蒸镀颗粒的喷嘴的蒸镀源；一体化限制板，该一体化限制板具有在该喷嘴的前方具有开口部的第一限制板、和配置在该第一限制板的开口部内的多个第二限制板；和具有多个缝隙的掩模。
另外，本发明的另一个方案为一种有机电致发光元件的制造方法，其包括使用蒸镀装置形成薄膜的图案的蒸镀工序，其中，该蒸镀装置包括：具有射出蒸镀颗粒的喷嘴的蒸镀源；一体化限制板，该一体化限制板具有在该喷嘴的前方具有开口部的第一限制板、和配置在该第一限制板的开口部内的多个第二限制板；和具有多个缝隙的掩模。
发明效果
根据本发明的蒸镀装置，能够防止由蒸镀流的散射引起的异常成膜的发生。另外，根据本发明的有机EL元件的制造方法，能够制作异常成膜少的高精细的有机EL元件。
附图说明
图1是表示使用实施方式1的蒸镀装置对被成膜基板进行扫描蒸镀的情形的立体示意图。
图2是表示实施方式1的蒸镀装置中的对蒸镀源、一体化限制板、掩模和基板的运动进行控制的扫描单元的一个例子的示意图。
图3是实施方式1的蒸镀装置的截面示意图。
图4是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图5是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图6是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图7是在实施方式1中，将微小限制板与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时的第一限制板的开口部附近的示意图，表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的出口附近的情况。
图8是在实施方式1中，将微小限制板与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时的第一限制板的开口部附近的示意图，表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的中央附近的情况。
图9是将微小限制板与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时的第一限制板的开口部的示意图，表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的出口附近的情况。
图10是将微小限制板与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时的第一限制板的开口部的示意图，表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的中央附近的情况。
图11是表示与图7所示的例子相比，将微小限制板设计得更长的情况的示意图。
图12是从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的概念图。
图13是表示从上方看对实施方式1的蒸镀装置进行扫描在被成膜基板上进行成膜的情形时的示意图。
图14是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图15是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图16是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图17是表示从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图18是从上方看实施方式2的蒸镀装置时的一体化限制板的概念图。
图19是表示从上方看实施方式2的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图20是表示从上方看实施方式2的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图21是表示从上方看实施方式2的蒸镀装置时的一体化限制板的一个例子的示意图。
图22是实施方式3的蒸镀装置的截面示意图。
图23是表示以往的扫描蒸镀式的蒸镀装置的截面示意图。
具体实施方式
以下给出实施方式，参照附图对本发明更加详细地进行说明，但是本发明并不仅限定于这些实施方式。
作为利用下述实施方式的蒸镀装置制作的设备的例子，可以列举有机EL显示器、有机EL照明设备等具备有机EL元件的设备、以及具备多个像素的显示装置。其中，下述实施方式的蒸镀装置适合用于要求像素的精密性的有机EL元件基板和彩色滤光片基板的制作。
实施方式1
图1是表示使用实施方式1的蒸镀装置对被成膜基板进行扫描蒸镀的情形的立体示意图。如图1所示，在实施方式1的蒸镀装置内，向着基板15依次配置蒸镀源11、一体化限制板13和掩模14。基板15由静电卡盘(基板保持件)18固定，能够在XYZ轴方向滑动。
在蒸镀源11与一体化限制板13之间以及一体化限制板13与掩模14之间设置有空间。在掩模14形成有多个缝隙，在一体化限制板13形成有多个开口部。掩模14的缝隙的长边方向与一体化限制板13的开口部的长边方向一致。
在蒸镀源11左右周期性地设置有多个喷嘴12。从各喷嘴12向一体化限制板13的开口部射出蒸镀颗粒，成为蒸镀流(图1中的单箭头符号)穿过一体化限制板13的开口部和掩模14的缝隙，到达基板15。
如果要制作有机EL元件，则可以根据用途使用有机材料和无机材料作为蒸镀颗粒。有机材料例如用于发光层、空穴注入层、空穴输送层、电子注入层和电子输送层，无机材料例如用于阳极和阴极。
在图1所示的例子中，基板15在与掩模14的缝隙的长边方向相同的方向(图1中的双箭头符号)、即Y轴方向被扫描，但是也并不一定限定于该方向。另外，在图1所示的例子中，蒸镀源11、一体化限制板13和掩模14被固定，基板15移动，但是也可以基板15被固定，蒸镀源11、一体化限制板13和掩模14相对移动。另外，蒸镀源11、一体化限制板13和掩模14，可以形成为一体而控制它们的运动，也可以分别地控制它们的运动。这些的一部分或全体与电动机等发动机连接，通过由另外设置的驱动电路进行的控制，实现它们在XYZ轴方向的运动。由驱动电路进行的控制例如参照对准标记。对准标记例如设置在基板15的端部(四角)和掩模14的端部(四角)。
一体化限制板13包括：具有多个开口部的第一限制板13a；和设置在第一限制板13a的各开口部内的多个微小限制板(第二限制板)13b。利用第一限制板13a，能够防止从相邻的喷嘴12射出的各自的蒸镀流混合。另外，由此，规定从各喷嘴12射出到达掩模14为止的蒸镀流的大致朝向。微小限制板13b是用于更精密地控制蒸镀流而设置的分隔部件，每一个微小限制板的大小小于第一限制板13a的开口部。
第一限制板13a的开口部的形状没有特别限定，例如可以列举长方体。作为第一限制板13a的开口部的尺寸，可以根据制造的制品的设计适当变更，在从与第一限制板13a的上表面或下表面平行的方向看时，即在以截面看蒸镀装置时，例如可以列举长10～100mm(图1中x方向)、宽5～30mm(图1中y方向)、深50～500mm(图1中z方向)的尺寸。
就一体化限制板13而言，为了防止附着在壁面上的蒸镀物质再蒸发，优选被冷却(具体而言，被设定为20～80℃)。
图2是表示实施方式1的蒸镀装置中的对蒸镀源、一体化限制板、掩模和基板的运动进行控制的扫描单元的一个例子的示意图。在图2所示的例子中，蒸镀源11、一体化限制板13和掩模14在末端相互连接，能够一体地移动。基板15由静电卡盘18固定，与蒸镀源11、一体化限制板13以及掩模14分别被控制运动。在蒸镀源11安装有喷嘴12，与基板15以及静电卡盘18的扫描、或者蒸镀源11、一体化限制板13以及掩模14的扫描同时，向着图中的箭头符号方向从喷嘴12射出蒸镀颗粒。在基板15和掩模14的端部分别设置有对准标记19，由此，进行基板15与掩模14的位置调整。通过利用以上那样的扫描单元调整后的扫描蒸镀，形成期望的蒸镀膜16。
这样，实施方式1的蒸镀装置可以具备(i)将被成膜基板固定的基板保持件；和将该基板保持件固定，使蒸镀源、一体化限制板和掩模相对移动的扫描单元，也可以具备(ii)将被成膜基板固定的基板保持件；和将蒸镀源、一体化限制板和掩模固定，使该基板保持件移动的扫描单元。
另外，在使用实施方式1的蒸镀装置进行成膜时，蒸镀工序可以为(i)在将保持有被成膜基板的基板保持件固定，使蒸镀源、一体化限制板和掩模相对移动的同时，在该被成膜基板上形成蒸镀膜的工序，也可以为(ii)将蒸镀源、一体化限制板和掩模固定，在使保持有被成膜基板的基板保持件移动的同时，在该被成膜基板上形成蒸镀膜的工序。
图3是实施方式1的蒸镀装置的截面示意图，图3中的虚线表示蒸镀流的朝向。蒸镀流作为整体来看，以越远离喷嘴12的射出口，越各向同性地具有扩展的方式放射，但是放射角度(与喷嘴12的射出口的朝向所成的角度)大的成分被第一限制板13a遮断，因此，被集中(滤除)为放射角度小的成分。另外，在实施方式1的蒸镀装置中，还通过在第一限制板13a的开口部的出口附近设置的微小限制板13b进一步进行蒸镀流的集中，因此，由第一限制板13a集中后的成分，进一步被集中为放射角度小的成分，然后被放出到一体化限制板13的外部。
通过进行这样的两阶段的集中，即使假设在第一限制板13a的开口部内蒸镀颗粒彼此碰撞发生了散射，散射角度大的成分也会被微小限制板13b遮断，因此，能够使异常蒸镀流成分通过掩模14的缝隙的可能性大幅降低。由此，异常成膜的发生被抑制，因此，能够在准确的位置形成蒸镀膜16。
作为微小限制板13b的尺寸，可以根据制造的制品的设计适当变更，在从与第一限制板13a的上表面或下表面平行的方向看时、即在以截面看蒸镀装置时，例如可以列举长5～30mm(图1中x方向)、宽0.5～2mm(图1中y方向)、深10～50mm(图1中z方向)的尺寸。
蒸镀颗粒的碰撞在蒸镀密度高的环境下容易发生。蒸镀密度的上升容易在第一限制板13a的开口部内发生，因此，微小限制板13b设置在第一限制板13a的开口部内。优选如图3所示，沿着第一限制板13a的开口部的出口与外界的边界面S排列配置多个微小限制板13b。由此，与在更靠近第一限制板13a的开口部的入口的一侧、即更靠近喷嘴12的位置配置微小限制板13b的情况相比，能够形成更均匀的膜。
微小限制板13b不是配置在第一限制板13a的开口部的外侧而是配置在内侧，从设计作业的观点来看也是有利的。这是因为成膜图案的整体设计通过第一限制板的开口部的设计来实现。当将微小限制板配置在开口部的外侧时，会出现重新进行整体设计的必要性。根据实施方式1，能够不对这样的基本设计进行更改，而仅得到抑制散射的发生的效果。
在实施方式1中，微小限制板13b与第一限制板13a一体化，由此，能得到不将各限制板分别冷却就可以的优点。只是，微小限制板13b优选为装卸式的板，通过这样，能够消除由附着物的沉积造成的精度降低、和由第一限制板13a的开口部的堵塞造成的蒸镀效率的降低。
在图3中，以从截面看蒸镀装置时为基准表示了设置在第一限制板的开口部内的微小限制板的位置，但是在从与第一限制板13a的上表面或下表面垂直的方向看时，即在从上方看蒸镀装置时，成为如图4～图6那样。即，图4～图6是从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的示意图。
在图4所示的例子中，以与第一限制板13a的开口部的出口与外界的边界面接触、并且位于第一限制板13a的开口部的内侧的方式，设置有微小限制板13b的支撑部13c。多个突出部13d从支撑部13c向着喷嘴侧延伸。
在图5所示的例子中，以与第一限制板13a的开口部的出口与外界的边界面平行、并且跨第一限制板13a的开口部的内侧和外侧双方的方式，即以包括边界面的方式，设置有微小限制板13b的支撑部13c。多个突出部13d从支撑部13c向着喷嘴侧延伸。
在图6所示的例子中，以虽然与第一限制板13a的开口部的出口与外界的边界面不接触，但是与边界面平行，并且位于第一限制板13a的开口部的内侧的方式，设置有微小限制板13b的支撑部13c。多个突出部13d从支撑部13c向着喷嘴侧和外界侧双方延伸。
这样，关于微小限制板的形状和配置位置可以设想各种方式，例如如图4～图6那样，微小限制板13b配置成：第一限制板13a的支撑部13c平行于开口部的出口与外界的边界面地配置、且突出部13d的朝向与支撑部13c正交，这样在设计上比较容易。然而另一方面，第一限制板13a的突出部13d以与支撑部13c正交的方式、即与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时，会产生以下的技术问题。
图7和图8是在实施方式1中，将微小限制板与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时的第一限制板的开口部附近的示意图。图7表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的出口附近的情况，图8表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的中央附近的情况。图7和图8中的单点划线表示蒸镀流被微小限制板遮断的成分。
微小限制板13b对于遮断异常蒸镀流成分非常有效，但是作为其弊端，对于正常的蒸镀流成分也会有部分遮断的影响。图7和图8中的双箭头符号表示的范围，分别表示没有成膜的区域(以下，也称为非成膜区域)。这是在蒸镀装置设置限制板时无法避免的技术问题。在这样的正常的蒸镀流成分在一部分发生遮断时，有时会无法均匀地形成膜。
只是，根据微小限制板的位置的不同，其影响的程度也不同。例如，在如图7所示的例子那样，微小限制板13b配置在第一限制板13a的开口部的出口附近的情况、即沿着第一限制板13a的开口部的出口与外界的边界面S排列配置多个微小限制板13b那样的情况下，微小限制板13b被配置在距离喷嘴12的位置可能的最远的位置，难以产生成膜区域与被成膜区域之间的不均匀。
另一方面，在如图8所示的例子那样，微小限制板13b配置在第一限制板13a的开口部的中央附近的情况下，微小限制板13b被配置在更靠近喷嘴12的位置的位置，因此，与图7所示的例子相比，成膜区域与非成膜区域之间的不均匀变得明显。
即，根据图7所示的微小限制板13b的配置结构，与图8所示的微小限制板13b的配置结构相比，能够形成更均匀的膜。
另外，将图7所示的例子与图8所示的例子进行比较，微小限制板13b配置在更靠近基板的一侧的图7所示的例子，在防止蒸镀流的散射的影响的方面也有效。
图9和图10与图7和图8同样，是将微小限制板与喷嘴的射出口的朝向平行地配置时的第一限制板的开口部的示意图。图9表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的出口附近的情况，图10表示微小限制板配置在第一限制板的开口部的中央附近的情况。图9和图10中的虚线表示蒸镀流的朝向。
将图9与图10进行比较可知，根据微小限制板配置在更靠近基板的一侧的图9的例子，对于在第一限制板的开口部的出口附近散射的蒸镀流，也能够得到遮断的效果。
如以上所述，在实施方式1中，微小限制板(第二限制板)优选配置在第一限制板的开口部的中央与出口之间，更优选沿着第一限制板的开口部的出口与外界的边界面排列配置多个微小限制板的方式。由此，蒸镀图案的精度增加，因此，例如能够得到实现高精细的显示器、由于成品率提高而使生产率提高等优点。
图11是表示与图7所示的例子相比，将微小限制板设计得更长的情况的示意图。微小限制板13b越长，越适合于遮断由蒸镀流的散射引起的异常蒸镀成分，但是当微小限制板13b过长时，遮断正常蒸镀流成分的概率变高。微小限制板的最适合的长度可以根据要求的设计适当变更，优选为5～30mm。
希望在解决上述非成膜的发生的技术问题时，对从上方看蒸镀装置时的微小限制板的配置也进行考虑。
图12是从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的概念图。如图12所示，微小限制板13b作为整体看时，在与第一限制板13a的开口部的长边方向相同的方向上延伸的多个突出部13d，在行方向上隔开一定间隔地排列配置。另外，各突出部13b沿着基板搬送方向被分为多个地配置。更具体而言，由在行方向上以一定的间隔配置的突出部13d构成的1组突出部组13e，呈列状排列而构成微小限制板13b，但是在各列间，突出部组13e在行方向上稍微错开地配置。
图13是表示从上方看对实施方式1的蒸镀装置进行扫描在被成膜基板上进行成膜的情形时的示意图。在图13中，表示了一体化限制板13和掩模的位置被固定，从上方向下方(图中的箭头符号方向)扫描基板15的情况。
如图13所示，根据实施方式1的一体化限制板13，在通过全部的行时，在基板15的整体上形成均匀的蒸镀膜。
这样，根据实施方式1的一体化限制板，在对基板或掩模进行扫描而进行扫描蒸镀时，平均地进行成膜，因此，能够将上述非成膜区域的发生的技术问题抑制到最小限度。
图12所示的例子是概念性地表示实施方式1的微小限制板的位置，但是具体而言，可以通过以下那样的构造实现。图14～图17是从上方看实施方式1的蒸镀装置时的一体化限制板的示意图。
在图14所示的例子中，微小限制板13b作为整体呈搁架状。具体而言，微小限制板13b成为从下段向上段，支撑部(梁)13c与突出部(分隔物)13d交替地叠层的结构。
在图15所示的例子中，微小限制板13b作为整体呈搁架状。具体而言，以位于第一限制板13a的开口部中央附近的梯子状的部位、位于最上段的支撑部13c和位于最下段的支撑部13c为起点，突出部13d向上方或下方延伸。
在图16所示的例子中，微小限制板13b以位于最上段的支撑部13c和位于最下段的支撑部13c为起点，曲折状的突出部13d向上方或下方延伸。
在图17所示的例子中，微小限制板13b由以突出部13d从突出部13d的两面分别向上方或下方延伸的结构为一组的多个组构成。
此外，在图13～图17中，图示了由5组(5行)突出部组占据一个开口部的方式，但是在实施方式1中突出部组的行数没有特别限定，例如也可以是以5组(5行)突出部组为1个周期(1个循环)，将其配置几个循环的方式。
以下所示的实施方式2的蒸镀装置也是用于解决上述非成膜区域的发生的技术问题的优选方式之一。
实施方式2
图18是从上方看实施方式2的蒸镀装置时的一体化限制板的概念图。如图18所示，微小限制板13b的朝向配置成与第一限制板13a的开口部的长边方向形成角度(具体而言，形成20～50°的角度)。进行附加说明，微小限制板13b的朝向配置成与基板的扫描方向以及掩模的缝隙的长边方向都形成角度。实施方式2的蒸镀装置，除了从上方看时的微小限制板的倾斜不同这点以外，与实施方式1的蒸镀装置同样。
如图18所示，实施方式2的微小限制板，作为整体看时，多个突出部向与第一限制板的开口部的长边方向形成角度的方向延伸，并且该多个突起部在行方向和列方向上都隔开一定间隔呈矩阵状配置。更具体而言，由在行方向上以一定间隔配置的突出部13d构成的1组突出部组13e，以2行1组作为1个组合呈列状配置，各突出部组13e在列之间在行方向上错开半个周期地配置。换言之，微小限制板通过在列方向上周期性地(在图中的例子中，以2行3循环)排列突出部组13e而构成。在实施方式2中，突出部组13e的周期单位及其循环数没有限定，如图18所示，一个周期单位由2行构成，从效率方面看优选。
根据图18所示的一体化限制板13，在对基板或掩模进行扫描而进行扫描蒸镀时，平均地进行成膜。
图18所示的一体化限制板，具体而言，可以通过以下那样的构造实现。图19～图21是从上方看实施方式2的蒸镀装置时的一体化限制板的示意图。
在图19所示的例子中，微小限制板13b作为整体呈搁架状。具体而言，微小限制板13b成为从下段向上段，支撑部13c与突出部13d交替地叠层的结构。
在图20所示的例子中，微小限制板13b作为整体呈搁架状。具体而言，以位于第一限制板13a的开口部中央附近的梯子状的部位、位于最上段的支撑部13c和位于最下段的支撑部13c为起点，突出部13d向上方或下方延伸。
在图21所示的例子中，微小限制板13b由以突出部13d从突出部13d的两面分别向上方或下方延伸的结构为一组的多个组构成。
以下所示的实施方式3的蒸镀装置也是用于解决上述非成膜区域的发生的技术问题的优选方式之一。
实施方式3
图22是实施方式3的蒸镀装置的截面示意图，图22中的虚线表示蒸镀流的朝向。实施方式3的蒸镀装置，除了从与第一限制板的上表面或下表面平行的方向看时、即以截面看蒸镀装置时的微小限制板的倾斜不同这点以外，与实施方式1的蒸镀装置同样。
蒸镀流，作为整体来看，以越远离喷嘴12的射出口，越各向同性地具有扩展的方式放射，因此，当微小限制板13b的朝向以沿着蒸镀流的放射角度的方式与喷嘴的射出口的朝向形成角度(具体而言，向着喷嘴的射出口配置)时，正常的蒸镀流成分难以被遮断。因此，根据图22所示的例子，能够减少正常的蒸镀流成分的遮断，能够均匀地形成蒸镀膜。
符号说明
11、111：蒸镀源
12、112：喷嘴
13：一体化限制板
13a：第一限制板
13b：微小限制板(第二限制板)
13c：支撑部
13d：突出部
13e：突出部组
14、114：掩模(蒸镀掩模)
15、115：基板(被成膜基板)
16、116：蒸镀膜
18：静电卡盘
19：对准标记
113：限制板
117：微小膜

Claims (10)

1.一种蒸镀装置，其特征在于，包括：
具有射出蒸镀颗粒的喷嘴的蒸镀源；
一体化限制板，该一体化限制板具有在该喷嘴的前方具有开口部的第一限制板、和配置在该第一限制板的开口部内的多个第二限制板；和
具有多个缝隙的掩模。
2.如权利要求1所述的蒸镀装置，其特征在于：
在从与所述第一限制板的上表面或下表面平行的方向看时，所述第二限制板配置在所述第一限制板的开口部的中央与出口之间。
3.如权利要求2所述的蒸镀装置，其特征在于：
在从与所述第一限制板的上表面或下表面平行的方向看时，所述第二限制板沿着第一限制板的开口部的出口与外界的边界面配置。
4.如权利要求1～3中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
在从与所述第一限制板的上表面或下表面垂直的方向看时，所述第二限制板以与所述第一限制板的开口部的长边方向形成角度的方式配置。
5.如权利要求1～4中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于：
在从与所述第一限制板的上表面或下表面平行的方向看时，所述第二限制板与所述喷嘴的射出口的朝向形成角度。
6.如权利要求1～5中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：
将被成膜基板固定的基板保持件；和
扫描单元，该扫描单元将该基板保持件固定，使所述蒸镀源、所述一体化限制板和所述掩模相对移动。
7.如权利要求1～5中任一项所述的蒸镀装置，其特征在于，还包括：
将被成膜基板固定的基板保持件；和
扫描单元，该扫描单元将所述蒸镀源、所述一体化限制板和所述掩模固定，使该基板保持件移动。
8.一种有机电致发光元件的制造方法，其特征在于：
包括使用蒸镀装置形成薄膜的图案的蒸镀工序，其中，所述蒸镀装置包括：具有射出蒸镀颗粒的喷嘴的蒸镀源；一体化限制板，该一体化限制板具有在该喷嘴的前方具有开口部的第一限制板、和配置在该第一限制板的开口部内的多个第二限制板；和具有多个缝隙的掩模。
9.如权利要求8所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于：
所述蒸镀工序为将保持有被成膜基板的基板保持件固定，在使所述蒸镀源、所述一体化限制板和所述掩模相对移动的同时，在该被成膜基板上形成蒸镀膜的工序。
10.如权利要求8所述的有机电致发光元件的制造方法，其特征在于：
所述蒸镀工序为将所述蒸镀源、所述一体化限制板和所述掩模固定，在使保持有被成膜基板的基板保持件移动的同时，在该被成膜基板上形成蒸镀膜的工序。
CN201480044817.7A 2013-08-07 2014-07-25 蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法 Expired - Fee Related CN105473757B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-164389 2013-08-07
JP2013164389A JP6363333B2 (ja) 2013-08-07 2013-08-07 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
PCT/JP2014/069657 WO2015019866A1 (ja) 2013-08-07 2014-07-25 蒸着装置、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105473757A true CN105473757A (zh) 2016-04-06
CN105473757B CN105473757B (zh) 2017-10-20

Family

ID=52461205

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480044817.7A Expired - Fee Related CN105473757B (zh) 2013-08-07 2014-07-25 蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9493872B2 (zh)
JP (1) JP6363333B2 (zh)
KR (1) KR20160041976A (zh)
CN (1) CN105473757B (zh)
WO (1) WO2015019866A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107190232A (zh) * 2017-07-13 2017-09-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示基板的蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105378139B (zh) * 2013-07-08 2017-06-13 夏普株式会社 蒸镀装置、蒸镀方法和有机电致发光元件的制造方法
US10644239B2 (en) 2014-11-17 2020-05-05 Emagin Corporation High precision, high resolution collimating shadow mask and method for fabricating a micro-display
JP6567349B2 (ja) * 2015-07-15 2019-08-28 シャープ株式会社 蒸着方法及び蒸着装置
TWI633197B (zh) * 2016-05-24 2018-08-21 美商伊麥傑公司 高精準度蔽蔭遮罩沉積系統及其方法
US10386731B2 (en) 2016-05-24 2019-08-20 Emagin Corporation Shadow-mask-deposition system and method therefor
US20200083452A1 (en) * 2017-02-24 2020-03-12 Applied Materials, Inc. Apparatus for vacuum processing of a substrate, system for vacuum processing of a substrate, and method for transportation of a substrate carrier and a mask carrier in a vacuum chamber
US20210135085A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 International Business Machines Corporation Cluster tool for production-worthy fabrication of dolan bridge quantum josephson junction devices
JP2024047231A (ja) * 2022-09-26 2024-04-05 キヤノントッキ株式会社 成膜装置および成膜方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052318A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置
WO2012098927A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌ素子、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012124512A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機ｅｌ表示装置
CN102834541A (zh) * 2010-04-12 2012-12-19 夏普株式会社 蒸镀装置和蒸镀方法
CN102860132A (zh) * 2010-05-18 2013-01-02 夏普株式会社 有机el元件的制造方法和制造装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9458532B2 (en) * 2009-09-15 2016-10-04 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition method and vapor deposition apparatus
KR101156441B1 (ko) * 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8658545B2 (en) * 2010-12-27 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Vapor deposition device, vapor deposition method and organic EL display device
US9461277B2 (en) * 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102013315B1 (ko) * 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011052318A (ja) * 2009-09-01 2011-03-17 Samsung Mobile Display Co Ltd 薄膜蒸着装置
CN102834541A (zh) * 2010-04-12 2012-12-19 夏普株式会社 蒸镀装置和蒸镀方法
CN102860132A (zh) * 2010-05-18 2013-01-02 夏普株式会社 有机el元件的制造方法和制造装置
WO2012098927A1 (ja) * 2011-01-18 2012-07-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、有機ｅｌ素子、及び有機ｅｌ表示装置
WO2012124512A1 (ja) * 2011-03-11 2012-09-20 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、及び有機ｅｌ表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107190232A (zh) * 2017-07-13 2017-09-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示基板的蒸镀装置、蒸镀设备及蒸镀方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015019866A1 (ja) 2015-02-12
JP6363333B2 (ja) 2018-07-25
US9493872B2 (en) 2016-11-15
KR20160041976A (ko) 2016-04-18
CN105473757B (zh) 2017-10-20
JP2015034308A (ja) 2015-02-19
US20160194747A1 (en) 2016-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105473757A (zh) 蒸镀装置和有机电致发光元件的制造方法
KR101127575B1 (ko) 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
JP5710734B2 (ja) 蒸着粒子射出装置および蒸着装置
KR101193186B1 (ko) 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9859341B2 (en) OLED display
KR101483354B1 (ko) 유기 el 소자의 제조 방법 및 제조 장치
JP4909152B2 (ja) 蒸着装置及び蒸着方法
US20160010201A1 (en) Vapor deposition unit and vapor deposition device
US10184167B2 (en) Restricting plate unit, vapor deposition unit, and vapor deposition device
EP3343626B1 (en) Electroluminescent display device
US8668956B2 (en) Vapor deposition particle emitting device, vapor deposition apparatus, vapor deposition method
KR101074792B1 (ko) 박막 증착 장치
JP2011052318A (ja) 薄膜蒸着装置
TW201250024A (en) Vapor-deposition device, vapor-deposition method
JP6042988B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2012133201A1 (ja) 蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置
US20160214133A1 (en) Deposition source including plurality of modules
US20180309091A1 (en) Restriction unit, vapor deposition device, production method for vapor deposition film, production method for electroluminescence display device, and electroluminescence display device
US9054342B2 (en) Apparatus and method for etching organic layer
KR101117721B1 (ko) 박막 증착 장치 및 박막 증착 방법
KR20180066427A (ko) 증발원용 도가니
CN113968077A (zh) 喷墨喷涂方法、喷墨喷涂装置和显示面板制造方法
KR20140086345A (ko) 유기발광소자 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20171020

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee