JPS6283467A - パレツト移動型スパツタリング装置 - Google Patents
パレツト移動型スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS6283467A JPS6283467A JP22538485A JP22538485A JPS6283467A JP S6283467 A JPS6283467 A JP S6283467A JP 22538485 A JP22538485 A JP 22538485A JP 22538485 A JP22538485 A JP 22538485A JP S6283467 A JPS6283467 A JP S6283467A
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- JP
- Japan
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- vacuum chamber
- sputtering
- substrate
- film formation
- pallet moving
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタリング現象を用いて薄膜形成を行う
パレット移動型のスパッタリング装置に関する。
パレット移動型のスパッタリング装置に関する。
（従来の技術）
近年、スパッタリング現象を用いた薄膜形成技術は、半
導体産業分野において、例えば半導体の保護膜、ＩＣ回
路部品等、あるいは近年急速に産業規模が拡大してきた
コンパクトディスク、光ディスク、光磁気ディスク等光
メモリ素子のメディア製造分野等、多種多様な用途に広
く用いられている。
導体産業分野において、例えば半導体の保護膜、ＩＣ回
路部品等、あるいは近年急速に産業規模が拡大してきた
コンパクトディスク、光ディスク、光磁気ディスク等光
メモリ素子のメディア製造分野等、多種多様な用途に広
く用いられている。
一般にスパッタリングによる薄膜形成は、これまで主流
であった真空蒸着による薄膜形成に比べ、大面積にかつ
均一な特性を持つ薄膜が形成できること、また抵抗加熱
による蒸着法では薄膜形成が不可能な高融点材料であっ
ても容易に薄膜形成が可能である等の利点を有している
。
であった真空蒸着による薄膜形成に比べ、大面積にかつ
均一な特性を持つ薄膜が形成できること、また抵抗加熱
による蒸着法では薄膜形成が不可能な高融点材料であっ
ても容易に薄膜形成が可能である等の利点を有している
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、スパッタリングによる薄膜形成は、上記
のような利点を有している反面、薄膜形成速度が蒸着法
に比べてかなり遅く、また基板がプラズマにさらされる
ということ等も相俟って基板温度がＬ昇するという欠点
を有しており、このことは薄膜を形成しようとする基板
に制限を加えている。近年では、光メモリ素子の例を挙
げると、Ｍ［が従来のガラスから安価なプラスチックへ
と移行しつつあり、プラスチック基板上にスパッタリン
グで膜を形成する必要性が増してきた。周知の如く、光
ディスク等の光メモリ素子の基板として用いられる、い
わゆるエンジニアリング・プラスチックはアクリル（Ｐ
ＭＭＡ）、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等が用いら
れているが、いずれもその熱変形温度は〜１５０℃程度
である。したがって、スパッタリングにて前記プラスチ
ック基板に薄膜を形成する場合には、この熱変形温度以
下に温度−［−胃を抑えなければならない。
のような利点を有している反面、薄膜形成速度が蒸着法
に比べてかなり遅く、また基板がプラズマにさらされる
ということ等も相俟って基板温度がＬ昇するという欠点
を有しており、このことは薄膜を形成しようとする基板
に制限を加えている。近年では、光メモリ素子の例を挙
げると、Ｍ［が従来のガラスから安価なプラスチックへ
と移行しつつあり、プラスチック基板上にスパッタリン
グで膜を形成する必要性が増してきた。周知の如く、光
ディスク等の光メモリ素子の基板として用いられる、い
わゆるエンジニアリング・プラスチックはアクリル（Ｐ
ＭＭＡ）、ポリカーボネート、エポキシ樹脂等が用いら
れているが、いずれもその熱変形温度は〜１５０℃程度
である。したがって、スパッタリングにて前記プラスチ
ック基板に薄膜を形成する場合には、この熱変形温度以
下に温度−［−胃を抑えなければならない。
−・般にスパッタリング装置において４；ｊ：、４人板
温度の上Ｍを低減する「１的で、基板は水冷あるいＬ；
ｌ：空冷等により冷却の行われた装置内ホルダに密着保
持する形がとられているが、生産性を向−１−させるべ
く開発されたバレン１移動型スパッタリング装置、すな
わ′ら、基）反をパレソト−トに載置し、パレットがチ
ェーン駆動等により放電ターゲットＬを移動し成膜が行
われるものにおいては、装置内を随時水平、上下方向等
に移動する複数のパレ・７トー１−の基板に対し有効に
冷却を行うのは機構的に甚だ困難である。
温度の上Ｍを低減する「１的で、基板は水冷あるいＬ；
ｌ：空冷等により冷却の行われた装置内ホルダに密着保
持する形がとられているが、生産性を向−１−させるべ
く開発されたバレン１移動型スパッタリング装置、すな
わ′ら、基）反をパレソト−トに載置し、パレットがチ
ェーン駆動等により放電ターゲットＬを移動し成膜が行
われるものにおいては、装置内を随時水平、上下方向等
に移動する複数のパレ・７トー１−の基板に対し有効に
冷却を行うのは機構的に甚だ困難である。
また、籟数枚のパレットを連続的に成膜処理していく上
記パレット移動型スパッタリング装置においては、時間
経過とともに真空室内の雰囲気の温度が−に屏し、基板
ｌ晶度を−１−昇−ｌしめることが懸念される。
記パレット移動型スパッタリング装置においては、時間
経過とともに真空室内の雰囲気の温度が−に屏し、基板
ｌ晶度を−１−昇−ｌしめることが懸念される。
以下に、本発明者等が行った装置内温度および基板温度
の検討結果につい°（述べる。
の検討結果につい°（述べる。
第３図に検討を行ったパレット移動型スパッタリング装
置の部分概略断面図を示す。
置の部分概略断面図を示す。
符号ａはスパッタリング装置の真空室壁であり、周囲は
水冷がなされている。符号すはターゲット機構部であり
、本装置はプレーナ型マグネトロンカソードタイプで、
矩形ターゲット（ポンディングプレートを含む）および
ターゲット水冷機構、およびターゲソ［・電極等からな
る。このターゲット機構部すは隣接して複数個設けられ
ている。符号Ｃは、基板ｄ・・・をチャッキングしたパ
レットであり、チェーン駆動によりターゲット機構部ｂ
」二を水平方向に移動するものである。符号ｅ、ｆは、
一般に防着板と呼ばれるものであり、スパッタリング粒
子による装置の真空室内汚染を防くために設けられたも
ので、随時交換を必要とする。
水冷がなされている。符号すはターゲット機構部であり
、本装置はプレーナ型マグネトロンカソードタイプで、
矩形ターゲット（ポンディングプレートを含む）および
ターゲット水冷機構、およびターゲソ［・電極等からな
る。このターゲット機構部すは隣接して複数個設けられ
ている。符号Ｃは、基板ｄ・・・をチャッキングしたパ
レットであり、チェーン駆動によりターゲット機構部ｂ
」二を水平方向に移動するものである。符号ｅ、ｆは、
一般に防着板と呼ばれるものであり、スパッタリング粒
子による装置の真空室内汚染を防くために設けられたも
ので、随時交換を必要とする。
したがって本装置において、防着板ｅ、 ｆは交換の
容易さを考慮し、防着効果を満足し得るという目的で約
ＩＮ厚のＳ ＬＪ Ｓ板を、装置真空室壁ａに設けられ
たスペーサボルトｇに取り付けた構造となっている。
容易さを考慮し、防着効果を満足し得るという目的で約
ＩＮ厚のＳ ＬＪ Ｓ板を、装置真空室壁ａに設けられ
たスペーサボルトｇに取り付けた構造となっている。
上記装置において種々の検討を行った結果、スパッタリ
ングによる成膜が行われている際にターゲノｌ−表面か
らの輻射熱あるいはスパッタリング粒子の衝突、膜形成
時の飛来粒子の凝縮熱、電子衝突等により防着板ｅ、
ｆ表面近傍においで熱が発生するが、該防着板ｅ、
ｒは、水冷された真空室壁ａと上記スペーサポルｔ−
ｇでのみ介されているだけであり、発生した熱が熱伝導
により真空室壁ａに逃げる量は極めて少ない。このため
防着板ｅ、ｆの温度はｈ（電時間とともに急激に−１−
昇し、防着板ｅ、 ｆ表面からの輻射熱が近傍を）ｍ
過移動するパレソｌ−Ｃ−１−の基板ｄ・・・の温度を
著しく１−昇させてしまうことがわかった。
ングによる成膜が行われている際にターゲノｌ−表面か
らの輻射熱あるいはスパッタリング粒子の衝突、膜形成
時の飛来粒子の凝縮熱、電子衝突等により防着板ｅ、
ｆ表面近傍においで熱が発生するが、該防着板ｅ、
ｒは、水冷された真空室壁ａと上記スペーサポルｔ−
ｇでのみ介されているだけであり、発生した熱が熱伝導
により真空室壁ａに逃げる量は極めて少ない。このため
防着板ｅ、ｆの温度はｈ（電時間とともに急激に−１−
昇し、防着板ｅ、 ｆ表面からの輻射熱が近傍を）ｍ
過移動するパレソｌ−Ｃ−１−の基板ｄ・・・の温度を
著しく１−昇させてしまうことがわかった。
本発明は以上の問題点を解消するためになされたもので
あり、スパッタリング時の基板温度のト昇を低減する新
規なパレット移動型スパッタリング装置を提供するごと
を目的とするものである。
あり、スパッタリング時の基板温度のト昇を低減する新
規なパレット移動型スパッタリング装置を提供するごと
を目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明のパレット移動型スパッタリング装置は、放電タ
ーゲットが設けられた真空室内をスパソタリング粒子に
よるＩη染から護る防着板と、冷却がなされている真空
室壁との間の熱伝導率を大きくなし、防着板に冷却効果
をもたせたものである。
ーゲットが設けられた真空室内をスパソタリング粒子に
よるＩη染から護る防着板と、冷却がなされている真空
室壁との間の熱伝導率を大きくなし、防着板に冷却効果
をもたせたものである。
（作用）
防着板と、冷却がなされている真空室壁との間の熱伝導
率を大きくなしたことにより、防着板のスパッタリング
による温度上昇が低減され、防着板の表面からの輻射熱
が抑えられる。これによって、防着板の近傍を１ｌｉｌ
過移動するバレソトトの基板の温度を上昇さセるおそれ
がなくなる。
率を大きくなしたことにより、防着板のスパッタリング
による温度上昇が低減され、防着板の表面からの輻射熱
が抑えられる。これによって、防着板の近傍を１ｌｉｌ
過移動するバレソトトの基板の温度を上昇さセるおそれ
がなくなる。
（実施例）
以下、本発明の−・実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明に係るパレット移動型スパッタリング装
置の一実施例を示す部分概略断面図である。
置の一実施例を示す部分概略断面図である。
このスパッタリング装置の真空室壁１ば、その周囲が水
により冷却されており、一方の真空室壁１にはターゲソ
］・機構部２が連設して複数個設けられている。これら
ターゲット機構部２・・・は、矩形ターゲット、ターゲ
ット水冷機構およびターゲラ１〜電極等からなるもので
ある。また、基板４・・・をチャッキングしたパレット
３がターゲラ１機構部２・・・上を水平方向（図中矢符
釜＋１＜１ ＞に移動可能に設けられており、このパレ
ット３はチェーン駆動（図示省略）により移動される。
により冷却されており、一方の真空室壁１にはターゲソ
］・機構部２が連設して複数個設けられている。これら
ターゲット機構部２・・・は、矩形ターゲット、ターゲ
ット水冷機構およびターゲラ１〜電極等からなるもので
ある。また、基板４・・・をチャッキングしたパレット
３がターゲラ１機構部２・・・上を水平方向（図中矢符
釜＋１＜１ ＞に移動可能に設けられており、このパレ
ット３はチェーン駆動（図示省略）により移動される。
さらに、真空室壁１のターゲット機構部２・・・と対向
する箇所、および隣接するターゲット機構部２・・・間
には、スパッタリング粒子による真空室９内の汚染を防
くための防着板７・・・、８・・・がそれぞれ装着され
ている。
する箇所、および隣接するターゲット機構部２・・・間
には、スパッタリング粒子による真空室９内の汚染を防
くための防着板７・・・、８・・・がそれぞれ装着され
ている。
これら防着板７・・・、８・・・は、ともにスパッタリ
ング粒子の付着量が多くなった時には随時交換が可能な
よう真空室壁１にネジ１１めされており、また真空室９
内のτを法、形状が許す範囲内で最大限に真空室壁Ｉと
接触する３）ンう接触面形状を考慮し、また、熱伝導効
率を−１−ぼるため、板状ではなく熱容量の大きいブロ
ック（塊）状としている。なお、防着板７・・・、８・
・・の材質としては、比較的熱伝導率が良（、重量を軽
減する［１的でアルミニラｌ、が好適に用いられる。
ング粒子の付着量が多くなった時には随時交換が可能な
よう真空室壁１にネジ１１めされており、また真空室９
内のτを法、形状が許す範囲内で最大限に真空室壁Ｉと
接触する３）ンう接触面形状を考慮し、また、熱伝導効
率を−１−ぼるため、板状ではなく熱容量の大きいブロ
ック（塊）状としている。なお、防着板７・・・、８・
・・の材質としては、比較的熱伝導率が良（、重量を軽
減する［１的でアルミニラｌ、が好適に用いられる。
次に本発明の効果を従来例のものと比較して第２図を参
照して説明する。
照して説明する。
第２図中、点線で結んだ黒丸プロットは、第３図に示す
従来のスパッタリング装置での基板温度測定結果である
。基板温度は市販のサーモラヘルを基板に貼りつけるこ
とで測定した。横軸は成膜処理したパレットの数であり
、縦軸の基板温度は第１番目のバレソトトの基板温度（
第２図中′Ｐ１点）で規格化した値を示す。この図から
も明らかなように、従来のスパッタリング装置にあって
は処理パレット数が増すにつれ基板温度が上昇している
ことがわかる。
従来のスパッタリング装置での基板温度測定結果である
。基板温度は市販のサーモラヘルを基板に貼りつけるこ
とで測定した。横軸は成膜処理したパレットの数であり
、縦軸の基板温度は第１番目のバレソトトの基板温度（
第２図中′Ｐ１点）で規格化した値を示す。この図から
も明らかなように、従来のスパッタリング装置にあって
は処理パレット数が増すにつれ基板温度が上昇している
ことがわかる。
一方、第２図中、実線で結んだ白丸プロットは、本発明
に係る装置での基板温度測定結果である。
に係る装置での基板温度測定結果である。
この図からも明らかなように、処理パレット数によらず
基板温度はほぼ一定であることがわかる。
基板温度はほぼ一定であることがわかる。
また、基板温度測定と同時に上記各々の防着板の表面温
度も測定したが、本発明による装置の防着板の表面温度
は、５つのパレットを成膜処理した時点においても、従
来の装置で２つのハｌノットを成膜処理した後の防着板
の表面温度の’Ａ １’Ｊ、−Ｆであった。
度も測定したが、本発明による装置の防着板の表面温度
は、５つのパレットを成膜処理した時点においても、従
来の装置で２つのハｌノットを成膜処理した後の防着板
の表面温度の’Ａ １’Ｊ、−Ｆであった。
以上のことから本発明によれば、防着板の温度上昇を著
しく低減し、したがって基板の温度り冒を低減せしめ、
かつ、多数枚のパレソ１−の連続成膜処理を行っても時
間経過とともに基板温度がＬ昇することなく安定した成
膜が可能となっていることがわかる。
しく低減し、したがって基板の温度り冒を低減せしめ、
かつ、多数枚のパレソ１−の連続成膜処理を行っても時
間経過とともに基板温度がＬ昇することなく安定した成
膜が可能となっていることがわかる。
本実施例では防着板７・・・、８・・・の材質としてア
ルミニウムを用い、またその形状として真空室壁１との
接触面積を可能な限り人きくとるとともにブロック状と
したが、本発明はごれに限定されるものではない。ずな
わち、防着板７・・・、８・・・の表面で発生した熱、
あるいは表面に供給された熱を有効に真空室壁１へ熱伝
導により逃がすことができるものであれば材質、形状は
問わない。換言すれば、冷却のなされた真空室壁】との
間の熱伝導による冷却効果を持ち、その冷却効果がスパ
ッタリング成膜中に基板に熱的悪影響を！ｉ、えない程
度であれば材質、形状ともこれに限定されるものではな
い。
ルミニウムを用い、またその形状として真空室壁１との
接触面積を可能な限り人きくとるとともにブロック状と
したが、本発明はごれに限定されるものではない。ずな
わち、防着板７・・・、８・・・の表面で発生した熱、
あるいは表面に供給された熱を有効に真空室壁１へ熱伝
導により逃がすことができるものであれば材質、形状は
問わない。換言すれば、冷却のなされた真空室壁】との
間の熱伝導による冷却効果を持ち、その冷却効果がスパ
ッタリング成膜中に基板に熱的悪影響を！ｉ、えない程
度であれば材質、形状ともこれに限定されるものではな
い。
（発明の効果）
以−１−述べたように本発明によれば、防着板のスパッ
タリングによる温度上昇を低減することができ、スパッ
タリング成膜中の基板温度上贋を低減せしめることがで
きる。したがって、プラスチック基＋Ｊｉ等、耐熱性の
低い基板に対しても安定した成膜を行うことができるも
のである。
タリングによる温度上昇を低減することができ、スパッ
タリング成膜中の基板温度上贋を低減せしめることがで
きる。したがって、プラスチック基＋Ｊｉ等、耐熱性の
低い基板に対しても安定した成膜を行うことができるも
のである。
第１図は本発明に係るパレット型スパッタリング装置の
一実施例を示す部分概略断面図、第２図は従来の装置お
よび本発明に係る装置のスパッタリング成膜による基板
温度と成膜処理パレット数の関係を示す特性図、第３図
は従来のバレット型スパッタリング装置の部分概略断面
図である。 １・・・真空室壁 ２・・・ターゲット機構部３・
・・バレット ４・・・基板 ７．８・・・防着板 墳￥η鰻靭（に←軛呻４）
一実施例を示す部分概略断面図、第２図は従来の装置お
よび本発明に係る装置のスパッタリング成膜による基板
温度と成膜処理パレット数の関係を示す特性図、第３図
は従来のバレット型スパッタリング装置の部分概略断面
図である。 １・・・真空室壁 ２・・・ターゲット機構部３・
・・バレット ４・・・基板 ７．８・・・防着板 墳￥η鰻靭（に←軛呻４）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板をパレット上に載置して放電ターゲット上を移
動させ、前記基板上に薄膜を形成するパレット移動型ス
パッタリング装置において、 前記放電ターゲットが設けられた真空室内をスパッタリ
ング粒子による汚染から護る防着板と、冷却がなされて
いる真空室壁との間の熱伝導率を大きくなし、防着板に
冷却効果をもたせたことを特徴とするパレット移動型ス
パッタリング装置。 ２）防着板は、冷却がなされている真空室壁との接触面
積が真空室の大きさおよび形状の許す範囲で最大となる
ような形状になしたものであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載のパレット移動型スパッタリング
装置。 ３）防着板は、ブロック（塊）状に形成したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項に
記載のパレット移動型スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22538485A JPS6283467A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | パレツト移動型スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22538485A JPS6283467A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | パレツト移動型スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6283467A true JPS6283467A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0576542B2 JPH0576542B2 (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=16828509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22538485A Granted JPS6283467A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | パレツト移動型スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6283467A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147061A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Sharp Corp | パレット移動型スパッタリング装置 |
| JPH02115366A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-27 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | スパッタリング装置 |
| JP2007113112A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びそれを用いた薄膜蒸着方法 |
| JP2013134986A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-07-08 | Wonik Ips Co Ltd | 基板処理装置及びそれを有する基板処理システム |
| JP2015518521A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-07-02 | カーベーアー−ノタシ ソシエテ アノニム | 凹版印刷版コーティング装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180756U (ja) * | 1981-05-08 | 1982-11-16 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22538485A patent/JPS6283467A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180756U (ja) * | 1981-05-08 | 1982-11-16 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01147061A (ja) * | 1987-12-02 | 1989-06-08 | Sharp Corp | パレット移動型スパッタリング装置 |
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| JP2007113112A (ja) * | 2005-10-21 | 2007-05-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 薄膜蒸着装置及びそれを用いた薄膜蒸着方法 |
| JP2013134986A (ja) * | 2011-12-23 | 2013-07-08 | Wonik Ips Co Ltd | 基板処理装置及びそれを有する基板処理システム |
| JP2015518521A (ja) * | 2012-04-12 | 2015-07-02 | カーベーアー−ノタシ ソシエテ アノニム | 凹版印刷版コーティング装置 |
| JP2018058374A (ja) * | 2012-04-12 | 2018-04-12 | カーベーアー−ノタシ ソシエテ アノニム | 凹版印刷版コーティング装置 |
| US9970096B2 (en) | 2012-04-12 | 2018-05-15 | Kba-Notasys Sa | Intaglio printing plate coating apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0576542B2 (ja) | 1993-10-22 |
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