TW201310570A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW201310570A
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substrates
processing apparatus
unit
coating
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TW101112385A
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Yoshinori Takagi
Fumihiko Ikeda
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Dainippon Screen Mfg
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Abstract

本發明提供一種藉由效率良好地進行基板搬送，而提高基板處理的處理量之技術。本發明之基板處理裝置100係處理基板9者。基板處理裝置100包含：自外部接收基板之基板接收部1、對基板9塗佈處理液之塗佈部2、使經塗佈處理液之基板9乾燥之乾燥部3、及將基板9向外部移出之基板移出部4。又，基板處理裝置100包含：將位於基板接收部1之複數個基板9同時搬送至塗佈部2之搬送機構5、將於塗佈部2中經塗佈處理液之複數個基板9同時向乾燥部3搬送之搬送機構6、及將於乾燥部3經乾燥之複數個基板9同時向基板移出部4搬送之搬送機構7。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。
先前，對於彩色濾光片或半導體晶圓，塗佈處理抗蝕劑等之處理液之基板處理裝置為已知。
在此種基板處理裝置中，為提高基板處理的處理量，而提案有設置複數個塗佈裝置或複數個乾燥裝置者(例如專利文獻1及專利文獻2)。
更具體而言，在專利文獻1中，揭示沿搬送裝置的搬送路徑並設塗佈處理液之複數個旋轉系統單元，且，以使塗佈有處理液之基板乾燥之複數個熱型單元以多階段堆積而配置之基板處理裝置。又，在專利文獻2中揭示有具備複數台具有在一方向上延伸之噴出口之塗佈液噴出裝置之塗佈裝置。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2001-351852號公報
專利文獻2：日本特開平10-216599號公報
然而，在先前之基板處理裝置中，朝向塗佈裝置或乾燥裝置之各處理部之基板的搬送係以每次1片進行。因而，由於無法同時對於各處理部搬送複數個基板，故有使基板 處理的處理量下降之顧慮。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種藉由效率良好地進行基板搬送，而提高基板處理的處理量之技術。
為解決上述問題，第1態様係處理基板之基板處理裝置，其包含：自外部接收基板之基板接收部、對前述基板塗佈處理液之塗佈部、及包含將位於前述基板接收部之複數個前述基板同時搬送至前述塗佈部之搬送機構之搬送系統。
又，第2態様係在第1態様之基板處理裝置中，前述塗佈部係對於前述複數個基板同時塗佈處理液。
又，第3態様係在第1或第2態様之基板處理裝置中，進而包含使於前述塗佈部中經塗佈前述處理液之基板乾燥之乾燥部。
又，第4態様係在第3態様之基板處理裝置中，前述乾燥部包含將複數個前述基板保持於同一空間內之腔室，且在前述腔室內，可同時乾燥經塗佈前述處理液之複數個前述基板。
又，第5態様係在第3或第4態様之基板處理裝置中，前述搬送系統進而包含將複數個前述基板同時向前述乾燥部搬送之搬送機構。
又，第6態様係在第1至第5態様中任一態様之基板處理裝置中，前述塗佈部包含：自在一方向上延伸之狹縫狀的 噴出口噴出處理液之狹縫噴嘴；及以使前述狹縫噴嘴對前述基板相對移動之相對移動機構。
又，第7態様係在第6態様之基板處理裝置中，於前述狹縫噴嘴形成有複數個前述噴出口，於前述狹縫噴嘴之複數個前述噴出口之間形成有凹部。
又，第8態様係在第1至第7態様中任一態様之基板處理裝置中，前述搬送系統包含搬送機構，該搬送機構包含用以使複數個前述基板在上方移動之移動機構，及將複數個前述基板自上方接近而支持之基板支持部。
利用第1態様之基板處理裝置，藉由將複數個基板同時搬入至塗佈部，可有效率地搬送基板。因而，可提高利用基板處理裝置之基板處理的處理量。
又，利用第2態様之基板處理裝置，藉由對複數個基板同時塗佈處理液，可提高基板處理的處理量。
又，利用第3態様之基板處理裝置，可使塗佈有處理液之基板有效率地進行乾燥。
又，利用第4態様之基板處理裝置，藉由以使複數個基板同時乾燥，可提高處理量。
又，利用第5態様之基板處理裝置，由於可將複數個基板向乾燥部搬送，因此可提高基板處理的處理量。
又，利用第6態様之基板處理裝置，藉由一面自狹縫狀的噴出口噴出處理液，一面使狹縫噴嘴相對於基板移動，可有效率地對基板塗佈處理液。
又，利用第7態様之基板處理裝置，藉由使用形成有複數個噴出口之狹縫噴嘴，可一次對複數個基板塗佈處理液。又，藉由於形成有複數個之噴出口之間形成凹部，可抑制處理液於噴出口間連通。因而，可抑制處理液滯留於噴出口周邊，且可將噴出口周邊保持清潔。
又，利用第8態様之基板處理裝置，由於搬送機構可使基板在上方移動，因此可減小搬送機構在裝置內之佔有面積。因而，可減少基板處理裝置之佔有面積。
以下，參照圖式詳細地說明實施形態。惟，在以下之實施形態中記載之構成要素畢竟是例示，其主旨並不是將本發明之範圍僅限定於該等中。
<1.第1實施形態>
圖1係第1實施形態之基板處理裝置100的概略平面圖。基板處理裝置100係在對半導體基板、光罩用基板、彩色濾光片用基板、光碟用基板、太陽電池用基板等之各種基板(以下僅稱為「基板」)9塗佈抗蝕劑液等之各種處理液之後，藉由乾燥該基板9，而作為於基板9的表面上形成薄膜之裝置構成。另，在本實施形態中，基板9雖設為長方形(包含正方形)者，但形狀並不限定於該等，例如亦可是圓形(包含橢圓形)等之其他形狀。
如圖1所示，基板處理裝置100包含：基板接收部1、塗佈部2、乾燥部3、基板移出部4、搬送機構5、6、7及控制部8。另，在圖1及以後之各圖中，為使該等方向關係明 確，而因應需要將Z軸方向作為垂直方向將XY平面作為水平面之左手系統的XYZ正交座標系統。又，在基板處理裝置100中，隨著基板9之處理的階段進展，使基板9向一方向搬送。在本實施形態中，將該基板9搬送之方向作為(+Y)方向。又，塗佈部2所包含之狹縫噴嘴21係對於基板9朝一方向移動而塗佈處理液。在本實施形態中，將該狹縫噴嘴21的移動方向作為(+X)方向。又，在本實施形態中，垂直方向朝向上係作為(+Z)方向。惟，該等之方向關係係為方便說明基板處理裝置100的構成之配置關係而定義者，其主旨並不限定本發明。
{基板接收部1}
基板接收部1係自外部接收搬入至塗佈部2之複數個基板9，而提供暫時性放置場所之裝置。在基板處理裝置100中，欲處理之複數個基板9係由未圖示之搬送機構，自外部搬入至基板接收部1。此時，可每次搬入1片基板9，亦可同時搬入複數個基板9。本實施形態之基板接收部1包含可將2片基板9、9在Y方向上並排同時予以保持之程度的寬度之保持面之平台11。
在自基板接收部1搬出基板9時，藉由使複個頂起銷111自平台11的保持面突出，可使基板9向上方抬起。而後，藉由使搬送機構5向(-X)方向移動，可使搬送機構5所包含之複數個支持構件511進入基板9的下方。而後，藉由使頂起銷111下降(或支持構件511上升)，可使基板9自頂起銷111遞送至複數個支持構件511。以上述方式，搬送機構5 可將塗佈處理前的2片基板9、9同時抬起，且可向(+Y)方向移動而將2片基板9、9同時搬入至塗佈部2。此處，將2片基板9、9同時搬送係意味著使2片基板9、9以至少相同之時序開始朝向塗佈部2等之移動。
{塗佈部2}
圖2係自(+X)側觀看第1實施形態之塗佈部2時的概略前視圖。又，圖3係顯示第1實施形態之狹縫噴嘴21的下端側之一部分之立體圖。狹縫噴嘴21係安裝於橋接構造22上。橋接構造22包含：配置於(+Y)側及(-Y)側之2片支柱部221、221；及架設於該等支柱部221、221上且支持狹縫噴嘴21之支持部222。橋接構造22係以相關Y軸跨於載置2片基板9、9之平台23的上方之方式設置。
於橋接構造22的兩側之支柱部221、221的下端部包含由移動件與固定於支持台24上之固定件(定子)所構成之一對AC無芯式線性馬達(以下，僅稱為「線性馬達」。)25。藉由驅動線性馬達25可使橋接構造22沿X軸移動。藉此，塗佈部2可相對於載置於平台23上之基板9、9，使狹縫噴嘴21沿X軸相對移動。亦即，線性馬達25係構成相對移動機構。
又，支柱部221、221包含用以使支持部222沿Z軸上下升降之升降機構26。升降機構26係由例如以使滾珠螺桿與滾珠螺桿旋轉之馬達、及形成有與滾珠螺桿螺合之螺絲孔之螺母構件構成。升降機構26係藉由利用馬達使滾珠螺桿旋轉，而使螺母構件沿Z軸升降。支持部222的兩端部由於連 結於內置於支柱部221、221之升降機構26的螺母構件，因此因應螺母構件的升降，支持部222亦可上下升降。藉此，塗佈部2可使狹縫噴嘴21沿Z軸上下升降。另，藉由其他構成亦可實現升降機構26。
狹縫噴嘴21係比沿Y軸並排配置於平台23上之2片基板9、9的寬度稍長延伸之長條構件。狹縫噴嘴21係經由導管271而連接於供給處理液之處理液供給泵27。當自處理液供給泵27對狹縫噴嘴21供給處理液時，係使處理液通過狹縫噴嘴21的內部，而自形成於狹縫噴嘴21的下端部之2個噴出口211、211分別噴出處理液。
噴出口211係沿Y軸延伸，而成為與在基板9上塗佈處理液之塗佈區域的大小對應之長度。另，該塗佈區域一般係設為基板9的表面中除去周緣的一部分之區域。藉由升降機構26使狹縫噴嘴21在(-Z)方向下降，可使狹縫噴嘴21的噴出口211、211分別接近於基板9、9。
於狹縫噴嘴21的噴出口211、211之間形成有在(+Z)方向缺損之凹部213。形成有噴出口211之狹縫噴嘴21的下端面形成有唇面214。當自兩側的噴出口211、211噴出處理液時，則於各唇面214、214上會附著處理液。此時，在未形成凹部213之情形下，會存在附著於兩側的唇面214、214上之處理液彼此連結之情形。若以此種狀態進行塗佈處理，則會存在處理液附著於載置於平台23上之基板9、9之間的位置之顧慮。相對於此，在狹縫噴嘴21中，藉由凹部213使狹縫噴嘴21的下端面切斷為2個唇面214、214。因 此，由於可以凹部使處理液切斷，因此可同時對於2片基板9、9良好地塗佈處理液。
於塗佈部2中對基板9、9塗佈處理液之情形時，係如上述般，使自基板接收部1接收2片基板9、9之搬送機構5將基板9、9搬送至平台23上。此時，使複數個頂起銷231自平台23的上面向上方突出。而後，搬送機構5藉由使複數個支持構件511下降(或使複數個頂起銷231上升)而使基板9、9向複數個頂起銷231的上端部遞送。其後，搬送機構5藉由向(+X)方向後退，且使複數個頂起銷231下降，使基板9、9載置於平台23上。如此，可使複數個基板9同時搬入至塗佈部2。
而後，在基板9、9載置於平台23上之時，介以形成於平台23的上面之未圖示之吸附孔而使基板9、9吸附固定於平台23上。以該狀態使狹縫噴嘴21配置於基板9、9的(+X)側(或-X側)的塗佈區域端部之上方。而後，在自處理液供給泵27供給處理液之下，且藉由驅動線性馬達25，而對基板9、9的塗佈區域塗佈處理液。如此，藉由狹縫噴嘴21掃描載置於平台23上之基板9、9上方，可同時對於2片基板9、9塗佈處理液。
當塗佈處理完成時，塗佈部2藉由再次使複數個頂起銷231上升，而將基板9自平台23抬起。而後，搬送機構6的複數個支持構件611進入基板9的下側，使該複數個支持構件611上升(或頂起銷231下降)。藉此，可使基板9、9遞送至搬送機構6。
圖4係自(+X)側觀看第1實施形態的變形例之塗佈部2a時的概略前視圖。塗佈部2a係代替設置於圖1或圖2所示之塗佈部2之狹縫噴嘴21而具備2個狹縫噴嘴21a、21a者。在塗佈部2a中，如圖4所示，於與載置於平台23上之基板9、9之各者對應之位置分別設置有狹縫噴嘴21a、21a。而藉由自處理液供給泵27對狹縫噴嘴21a、2a分別供給處理液，可同時對2片基板9、9塗佈處理液。可將此種塗佈部2a應用於基板處理裝置100中。
{乾燥部3}
再次返回至圖1，於乾燥部3使塗佈於基板9上之處理液乾燥，而於基板9上形成薄膜。乾燥部3包含同時收納2片基板9、9之大致立方體狀的腔室31。腔室31係由以未圖示之框架予以支持之蓋部而覆蓋其上部。藉由使該蓋部在上下方向(Z軸)上升，可開放腔室31，並於其內部收納2片基板9、9。
於腔室31內部設有使腔室31內的溫度上升之加熱器，且，連接有將腔室31內部減壓之真空泵等之減壓機構。當將基板9、9載置於腔室31內的載置台(未圖示)上時，藉由使蓋部下降，可大致密閉腔室31。以該狀態使減壓機構驅動，而使腔室31內減壓，且，藉由驅動加熱器而加熱基板9、9。藉此，可使經塗佈於基板9表面之處理液乾燥。
在乾燥部3時，由腔室31將複數個基板9(此處為2片基板9、9)同時收納於同一空間內而進行減壓乾燥。因此，相較於每次乾燥處理1片基板9之情形可有效率地處理基板。 又，在乾燥部3之情形，藉由分設至少1台腔室31或真空泵等之減壓機構，可同時處理複數個基板9。因而，相較於準備複數台每次乾燥處理1片之腔室之情形，可謀求裝置成本之抑制或裝置尺寸之縮小化。惟，代替乾燥部3而將包含複數台之每次乾燥1片基板9之腔室之乾燥部應用在基板處理裝置100中亦無妨。
朝向乾燥部3搬送基板9、9係藉由搬送機構6進行。接收於塗佈部2完成塗佈處理之基板9、9之搬送機構6向(+Y)方向移動，而將基板9、9搬送至腔室31內。而後，使基板9、9轉移至腔室31內自載置基板之載置面突出之複數個頂起銷311。再者，藉由使搬送機構6向(+X)方向後退，並使複數個頂起銷311下降，而於腔室31內載置基板9、9。
又，乾燥處理完成之基板9、9藉由複數個頂起銷311抬起，而遞送至搬送機構7所具備之複數個支持構件711。而後，藉由搬送機構7向(+Y)方向移動，使基板9、9搬送至基板移出部4。
{基板移出部4}
基板移出部4具備同時載置2片基板9、9之平台41。於乾燥部3結束乾燥處理之基板9、9被暫時載置於基板移出部4，而利用未圖示之搬送機構向外部移出。此時，可每次移出1片基板9、9，亦可同時移出2片基板9、9。
搬送機構7係將自乾燥部3接收之基板9、9搬送至基板移出部4。此時，使複數個頂起銷411自平台41的上面向上方突出。而後，搬送機構7藉由使複數個支持構件711下降 (或藉由使複數個頂起銷411上升)，而使基板9、9自複數個支持構件711向複數個頂起銷411的上端部遞送。而後，藉由搬送機構7在(+X)方向後退，且頂起銷411下降而使基板9、9載置於平台41上。
{搬送機構5、6、7}
搬送機構5、6、7構成在基板處理裝置100中用以搬送基板9之基板搬送系統。搬送機構5、6、7可同時保持2片基板9、9而將該等於各處理部間搬送。搬送機構5、6、7係配置於基板接收部1、塗佈部2、乾燥部3及基板移出部4的(+X)側。搬送機構5、6、7包含用以沿X軸及Y軸移動之移動機構。
搬送機構5、6、7包含複數個保持基板9、9之長條的支持構件511、611、711。在圖1所示之例中，各搬送機構5、6、7各自包含4條支持構件511、611、711，並以2條支持構件511、611、711搬送1片基板9。另，支持構件511、611、711的數量可適宜變更。
如已敘述般，搬送機構5係將載置於基板接收部1之基板9、9搬出，而搬入至塗佈部2。又，搬送機構6係將於塗佈部2完成塗佈處理之基板9、9搬出並搬入至乾燥部3。而後，搬送機構7係將於乾燥部3完成減壓乾燥之基板9、9搬出，並搬入至基板移出部4。
{控制部8}
控制部8係以包含CPU及RAM之一般電腦構成。控制部8係與基板接收部1、塗佈部2、乾燥部3、基板移出部4及搬 送機構5、6、7電性連接。控制部8係控制對該等各部分發送控制信號之動作。基於控制部8的控制，可使基板處理裝置所包含之各要素動作。
在本實施形態中，控制部8係對於例如搬送機構5、6、7輸出控制信號。亦即，藉由將1台的控制信號發送至搬送機構5、6、7之各者上，使各搬送機構5、6、7同時搬送2片基板9、9。
以上係關於基板處理裝置100的構成及功能之説明。而後，就基板處理裝置100之基板處理的流程進行説明。
圖5係顯示第1實施形態之基板處理裝置100之基板處理的時序圖之圖。另，在圖5中，於左側之行顯示基板處理裝置100的各動作項目，橫軸表示時間。又，1塊量相當於1處理單位時間。另，該1處理單位時間之具體的時間長度係考量基板9的處理條件(處理液的種類或形成之薄膜的厚度等)、各處理部的處理能力(橋接構造22的移動速度或狹縫噴嘴21之每單位時間的處理液之噴出量、或腔室31的加熱能力等)、或搬送機構的基板搬送速度等而適宜設定者。
此處，「基板接收(1)」~「基板接收(4)」係表示基板處理裝置100將第1片~第4片基板9分別自外部裝入於基板接收部1之動作。「朝塗佈部搬入」係表示搬送機構5將載置於基板接收部1之2片基板9、9搬入至塗佈部2之動作。「塗佈處理」係表示塗佈部2對2片基板9、9進行塗佈處理之動作。「自塗佈部搬出」係表示搬送機構6將結束塗佈處理之 2片基板9、9自塗佈部2搬出，並搬送至乾燥部3之動作。 「減壓乾燥」係表示於乾燥部3將2片基板9、9同時減壓乾燥之動作。「自乾燥部搬出」係表示搬送機構7將結束乾燥處理之2片基板9、9自乾燥部3搬出，而將基板9、9搬送至基板移出部4之動作。
在基板處理裝置100中，「基板接收(1)」~「基板接收(4)」、「朝塗佈部搬入」、「自塗佈部搬出」、「自乾燥部搬出」之各動作所需之時間係設為1塊量的處理單位時間(亦即1處理單位時間)，關於「塗佈處理」及「減壓乾燥」的動作時間，係設為2塊量的處理單位時間(亦即2處理單位時間)。
又，在基板處理裝置100中，第1片基板9與第2片基板9於塗佈部2進行塗佈處理時(「塗佈處理」)，使第3個基板9及第4個基板9分別搬入至基板接收部1(「基板接收(3)」、「基板接收(4)」)。以此種時序將欲處理之基板9自外部依次搬入至基板處理裝置100。
在圖5所示之例中，在開始第1片及第2片基板9、9的塗佈處理之後(時間T1)、至開始其後之第3個及第4個基板9、9的塗佈處理為止(時間T2)，係成為3塊量的處理單位時間(3處理單位時間)。亦即，在基板處理裝置100中，以每3處理單位時間塗佈處理2片基板9、9。因而，基板處理裝置100可以每1.5處理單位時間處理1片基板9。亦即，在基板處理裝置100中，相較於每次處理1片基板9之情形，可以一半的作業時間處理基板9。
如以上，利用本實施形態之基板處理裝置100時，使搬送機構5、搬送機構6或搬送機構7分別保持複數個基板9。因此，在自基板接收部1朝塗佈部2之基板搬送、自塗佈部2朝乾燥部3之基板搬送、或自乾燥部3朝基板移出部4之基板搬送中，可同時搬送複數個基板9。如此在基板處理裝置100中，由於可效率良好地進行基板搬送，因此可提高基板處理的處理量。
假如將搬送機構5、6、7以每次搬送1片之搬送機構代替之情形下，為實現同時搬送複數個基板9，則需要準備多數個搬送機構。在此種情形下，搬送機構的裝置成本會增加，且會導致控制對象增加。相對於此，藉由以如搬送機構5、6、7之1台搬送機構搬送複數個基板9，可將移動機構等之裝置構成單一化，且可將關於搬送系統之控制簡化。因而，可抑制基板處理裝置的合計成本。
<2.第2實施形態>
圖6係第2實施形態之基板處理裝置100A的概略平面圖。另，在以下説明中，對與第1實施形態之情形具有相同功能之要素標註相同符號而省略其説明。
基板處理裝置100A包含：基板接收部1A、基板移出部4A、搬送機構5A。在基板處理裝置100A中，亦與第1實施形態之基板處理裝置100相同，可使2片基板9、9同時搬送至塗佈部2、乾燥部3等。然而，以1台搬送機構5A實現朝塗佈部2或乾燥部3之基板搬送之方面與基板處理裝置100不同，且，可配合搬送機構5A的搬送態様而設定基板接收 部1A、塗佈部2、乾燥部3及基板移出部4A的配置位置。
基板接收部1A具有自外部接收搬送至塗佈部2之2片基板9、9而暫時性放置之功能。基板接收部1A的(-Y)側成為接受基板9的搬入之區域(接收區域R11)，基板接收部1A的(+Y)側成為將基板9遞送至搬送機構5A之區域(遞送區域R12)。於基板接收部1A之接收區域R11設置有關於X軸隔以所需間隔而配置之複數個搬送輥12。又，於基板接收部1A的接收區域R11及遞送區域R12之兩者上，設置有關於Y軸隔以所需間隔而配置之複數個搬送輥13。
搬送輥12係由沿Y軸延伸之旋轉軸121及分散於旋轉軸121而固定之複數個圓板狀構件123構成。藉由利用未圖示之馬達使旋轉軸121旋轉，可使圓板狀構件123旋轉。藉此，搬送輥12可在沿X軸之方向(此處為+X方向)搬送由圓板狀構件123支持之基板9。
搬送輥13係由沿X軸延伸之旋轉軸131、及分散於旋轉軸131而固定之複數個圓板狀構件133構成。藉由使旋轉軸131利用來自未圖示之馬達的驅動力而繞著X軸旋轉，可使圓板狀構件133在該方向上旋轉。藉此，搬送輥13可在沿Y軸之方向(此處為+Y方向)上搬送由圓板狀構件133支持之基板9。
又，搬送輥12係連接於未圖示之升降機構上，且相對於搬送輥13以沿Z軸上下升降之方式構成。在利用搬送輥12將基板9向(+X)方向搬送之情形下，可使搬送輥12上升至所需之高度位置。藉此，可使基板9不接觸搬送輥13的圓 板狀構件133而向(+X)方向移動。又，在利用搬送輥13將基板9向(+Y)方向搬送之情形下，可使搬送輥12下降至所需位置。藉此，可使基板9不接觸搬送輥12的圓板狀構件123而向(+Y)方向移動。
於基板接收部1A，係於接收區域R11的(-X)側搬入基板9。該基板9係利用搬送輥12向(+X)方向的所需位置搬送。藉此，可於接收區域R11的(-X)側設置接收下一基板9之空間。如此，基板接收部1A係每次接收1片基板9，最終將2片基板9保持於接收區域R11。又，在於接收區域R11的(+X)側搬入基板9之情形時，只要利用搬送輥12將基板9向(-X)方向搬送即可。
基板接收部1A當接收2片基板9、9時，藉由驅動搬送輥13而使該等基板9、9移動至遞送區域R12。遞送區域R12係如圖6所示般，成為將基板9、9轉移至搬送機構5A之區域。
另，亦可代替搬送輥12，而設置將基板9朝具有(+X)方向及(+Y)方向之雙成分之傾斜方向搬送之搬送傳送帶。在該情形下，基板接收部1A係將第1片基板9向上述傾斜方向搬送，而另1片基板9則利用搬送輥13向(+Y)方向搬送。在該情形下，亦可使2片基板9、9以沿X軸並排之狀態配置於遞送區域R12。
又，在自外部將基板9搬入至基板接收部1A時，亦可使第1片與第2片之搬入位置變更。例如亦可使第1片基板9搬入至基板接收部1A的(-X)側之後，使第2片基板9搬入至基 板接收部1A的(+X)側。在該情形下，可省略搬送輥12。
基板移出部4A與基板移出部4相同，係提供用以將在基板處理裝置100A中完成處理之基板9移出至外部之基板9的載置場所。本實施形態之基板移出部4A係配置於乾燥部3(更具體而言為腔室31)的下部。亦即，在本實施形態中，乾燥部3與基板移出部4A係以多階段重疊配置。
基板移出部4A的(-Y)側係成為接收在乾燥部3進行減壓乾燥之複數個基板9、9之接收區域R41，(+Y)側係成為將基板9、9移出至外部之移出區域R42。複數個搬送輥13係沿Y軸隔以所需間隔而設置於接收區域41R及移出區域42R之兩者上，搬送輥12係沿X軸隔以所需間隔而設置於移出區域42R。
設置於基板移出部4A之搬送輥12、13的構成與設置於基板接收部1A之搬送輥12、13大致相同。另，搬送輥13係將沿Y軸並排之2片基板9、9搬送至移出區域R42。搬送輥12係將基板9沿X軸之方向(此處為-X方向)搬送。
於基板移出部4A係使每次1片基板9自移出區域R42的(-X)側移出至外部。亦即，使搬送至移出區域R42之2片基板9、9中之(-X)側的基板9先移出至外部。其後，係利用搬送輥12使(+X)側的基板9搬送至(-X)側空出之空間，而後移出至外部。
另，亦可使基板9自移出區域R42的(+X)側移出至外部。該情形只要搬送輥12將移出區域R42的(-X)側之基板9搬送至(+X)側即可。
又，作為自基板移出部4A移出基板之機構，可採用利用如搬送輥12等之輥之搬送機構、或如搬送機構5等之抬起基板9而搬送之搬送機構等。
圖7係第2實施形態之搬送機構5A的概略側面圖。搬送機構5A包含：保持基板9之上手部51A及下手部52A、使上手部51A及下手部52A繞著Z軸一體地旋轉之旋轉機構53及使上手部51A及下手部52A一體地升降之升降機構54。
上手部51A包含於前端安裝有長條的支持構件511之彎曲臂512。又，於下手部52A，亦包含於前端安裝有複數個長條的支持構件521之彎曲臂522。彎曲臂512、522係由2條臂構件構成。2條臂構件係於彼此之端部以Z軸作為旋轉軸可旋轉地連接。藉由以該連結部分為軸使一方之臂構件相對於另一方之臂構件旋轉，可使2條臂構件於水平方向(與XY平面平行之方向)延伸、彎曲。藉此，搬送機構5A可使安裝於彎曲臂512、522的前端之複數個支持構件511或複數個支持構件521於前後進退。
搬送機構5A係自基板接收部1A的遞送區域R12藉上手部51A(或下手部52A)接收2片基板9、9，並進行90度旋轉而將基板9、9搬入至位於(-X)側之塗佈部2。此時，在結束塗佈處理之基板9位於塗佈部2之情形時，只要由未保持基板9之下手部52A(或上手部51A)將其搬出即可。
又，搬送機構5A當自塗佈部2接收基板9、9時，係將基板9、9進行90度旋轉而搬入至位於(+Y)側之乾燥部3。此時，在已結束乾燥處理之基板9位於乾燥部3之情形時，只 要由未保持基板9之上手部51A(或下手部52A)將其搬出即可。
又，搬送機構5A在將乾燥處理後的2片基板9、9自塗佈部2取出之後，使基板9、9下降而將其遞送至基板移出部4A的接收區域R41。
如以上，由於藉由利用搬送機構5A進行基板搬送，可大幅縮短搬送時間，因此可提高基板處理的處理量。又，由於由1台搬送機構5進行複數片基板9的搬送，因此能夠抑制裝置成本。
另，搬送機構5A亦可僅包含上手部51A及下手部52A中之一者。由於在該情形下，亦可同時搬送2片基板9、9，因此相較於每次搬送1片基板9可改善搬送效率。又，相較於設置2台每次搬送1片基板9之搬送機構之情形亦可將裝置成本控制為較低。
圖8係顯示第2實施形態之基板處理裝置100A的變形例之概略平面圖。在圖6所示之基板處理裝置100A中，係以多階段構成乾燥部3與基板移出部4A，並藉由將搬送輥12、13設置於基板移出部4A而將基板9移出至外部。相對於此，在圖8所示之變形例中，乾燥部3與基板移出部4Aa係沿Y軸配置。因此，於乾燥部3與基板移出部4Aa之間設置有搬送機構5Aa。
基板移出部4Aa包含與第1實施形態之基板移出部4大致相同之構成，且包含載置2片基板9、9之平台41。搬送機構5Aa雖包含與搬送機構5A大致相同之構成，但僅包含上 手部51A及下手部52A中任一者，此點並不同。惟，搬送機構5Aa亦可包含上手部51A及下手部52A之兩者。搬送機構5Aa係將於乾燥部3完成乾燥處理之2片基板9、9自腔室31接收並進行180度旋轉之後，將基板9、9搬送至基板移出部4Aa。
藉由將基板處理裝置100A設為圖8所示之構成，可藉搬送機構5Aa擔負在塗佈部2與基板移出部4Aa之間的基板9之搬送。因而，由於可減少搬送機構5A的負擔，因此可更順利地進行基板搬送。因而，可提高基板處理的處理量。
<3.第3實施形態>
圖9係第3實施形態之基板處理裝置100B的概略平面圖。基板處理裝置100B包含1台同時搬送2片基板9、9之搬送機構5B，且於其周圍配置有基板接收部1B、塗佈部2B及乾燥部3B。在此點中，基板處理裝置100B係與第2實施形態之基板處理裝置100A類似。惟，搬送機構5B包含複數個比支持構件511更長之支持構件511B。搬送機構5B係沿該支持構件511B的延伸方向以使2片基板9、9並排之狀態予以保持並搬送。
又，基板接收部1B、塗佈部2B及乾燥部3B可以配合搬送機構5B搬送之基板9、9的配置而載置基板9、9之方式構成。具體而言，基板接收部1B包含沿Y軸配置2片基板9、9之平台11B。又，塗佈部2B包含沿X軸配置2片基板9、9之平台23B。又，乾燥部3B包含沿Y軸配置2片基板9、9之腔室31B。
又，於塗佈部2B，藉由一面在2片基板9、9上沿Y軸移動一面噴出處理液，可設置同時對基板9、9之各者塗佈處理液之狹縫噴嘴21B。另，亦可代替狹縫噴嘴21B，設置如圖4所示之狹縫噴嘴21a般對基板9、9之各者個別塗佈處理液之狹縫噴嘴。
又，於塗佈部2B，在包夾平台23B而與狹縫噴嘴21B對向之位置設置有狹縫噴嘴21Ba。對該狹縫噴嘴21Ba供給與狹縫噴嘴21B不同之處理液。因此，狹縫噴嘴21Ba會將與狹縫噴嘴21B種類不同之處理液噴出至基板9、9。藉由預先設置此種狹縫噴嘴21Ba，可選擇處理液的類別而對基板9塗佈。藉此，亦可容易地進行對應於例如對於僅對特定的基板9塗佈與其他不同之處理液之要求。又，亦可容易地進行對應於對於對同一基板9塗佈不同之2種處理液之要求。另，亦可將與供給於狹縫噴嘴21B之處理液相同之處理液供給至狹縫噴嘴21Ba。在該情形下，在保養狹縫噴嘴21B及狹縫噴嘴21Ba中任一者期間，可將另一者使用於塗佈處理。
雖省略圖示，但如基板移出部4A般亦可將基板移出部以多階段狀設置於乾燥部3B的下側。又，如基板移出部4Aa般，亦可於乾燥部3B的(+Y)側設置基板移出部，並於乾燥部3B與該基板移出部之間利用未圖示之搬送機構搬送基板9。
<4.第4實施形態>
圖10係第4實施形態之基板處理裝置100C的概略平面 圖。又，圖11係第4實施形態之搬送基板接收部1的2片基板9、9之搬送梭5C的概略平面圖。再者，圖12係圖11所示之XII-XII線剖面圖。
本實施形態之基板處理裝置100C係使基板接收部1、塗佈部2及乾燥部3沿Y軸以該順序排列。又，基板處理裝置100C包含同時搬送2片基板9、9之搬送梭5C、6C。搬送梭5C係將自外部搬入至基板接收部1之基板9、9搬送至塗佈部2。又，搬送梭6C係將於塗佈部2經塗佈處理之基板9、9搬送至乾燥部3。搬送梭5C、6C具備大致相同的構成，此處茲就搬送梭5C的構成進行説明。
搬送梭5C包含：由在沿Y軸配設之軌道51C上移動之線性馬達等構成之移動部52C(移動機構)、及沿X軸延伸並與移動部52C一起沿Y軸移動之支持體53C。於支持體53C的(+Y)側及(-Y)側設置有基板支持部54C、基板支持部54C。
基板支持部54C包含支持基板9的端部之橫截面(沿與長度方向成直角之平面切割之切口)大致L字狀的支持構件541、542、543、544。另，支持構件541、542、543係安裝於連接於支持體53C上之延伸臂551、552、553的前端。延伸臂551、552藉由沿Y軸延伸，可使支持構件541、542各自配置於基板9之彼此對向之沿X軸之2個側邊部中央附近。又，延伸臂553係藉由沿Y軸延伸，而使支持構件543配置於基板9的沿Y軸之側邊部中央附近。
支持構件541、542、543以與延伸臂551、552、553之連結部分為軸而可旋轉地安裝，支持構件544以與支持體53C 之連結部分為軸而可旋轉地安裝。
在利用搬送梭5C搬送2片基板9、9之情形時，首先利用移動部52C使搬送梭5C移動至以基板接收部1所支持之基板9、9的大致中間位置。而後，如圖11所示般，使延伸臂551、552、553延伸。藉此，使支持構件541、542、543配置於特定位置。以該狀態，如圖12所示般，藉由使支持構件541~544的端部向下方倒轉，可使各支持構件541~544的支持基板9之支持面56配置於基板9的下方。
如圖12所示般，基板9係利用複數個頂起銷111而配置於平台11的上方。因而，藉由複數個頂起銷111下降，可使基板9支持於支持構件541~544上。搬送梭5C當接收2片基板9、9時向(+Y)方向移動，而將基板9、9向塗佈部2搬送。而後，當在塗佈部2的平台23上停止時，使複數個頂起銷231上升。當頂起銷231的上端高於支持構件541~544的支持面56時，使基板9、9利用上升之頂起銷231而頂至上方並予以支持。以該狀態，搬送梭5C藉由使支持構件541~544旋轉而可自基板9的下方使支持面56向上側退避。
在本實施形態中，亦可藉搬送梭5C、6C同時將2片基板9、9搬送至塗佈部2或乾燥部3。因而，由於可效率良好地進行基板搬送，因此可提高基板處理的處理量。
又，搬送梭5C、6C可不將2片基板9、9移出至基板接收部1、塗佈部2或乾燥部3的設置區域外，而由上方的空間進行搬送。因而，如基板處理裝置100等般，相較於將基板9移出至外側區域進行搬送之情形，可減少裝置的佔地 空間。
<5.第5實施形態>
圖13係第5實施形態之基板處理裝置100D的概略平面圖。基板處理裝置100D使基板接收部1D、塗佈部2D、乾燥部3D及基板移出部4D沿Y軸排列。
圖14係自(+X)側觀看第5實施形態之基板處理裝置100D之概略側面圖。複數個搬送輥13D係相對於Y軸隔以所需間隔而設置於基板接收部1D、塗佈部2D、乾燥部3D及基板移出部4D之各者上。搬送輥13D與圖6所示之搬送輥13相同，係沿X軸隔以所需間隔包含繞著X軸旋轉之複數片圓板狀構件，且於該等之上端部支持基板9並朝(+Y)方向搬送。在基板處理裝置100D中，基板9的自基板接收部1D至基板移出部4D之移動係藉由複數個搬送輥13D予以實現。
基板接收部1D係自外部將1片基板9由(-X)側之區域接收，而將該基板9向(+X)側之區域搬送。朝向該(+X)方向之基板搬送雖省略了圖示，但藉由應用圖6所示之搬送輥12可予以實現。而後，藉由使另1片基板9自外部搬入，而於基板接收部1D準備2片基板9、9。其後，利用複數個搬送輥13D，使基板9、9同時朝塗佈部2D搬送。另，於基板接收部1D，亦可使基板9以每次1片之方式搬入至(+X)側之區域。又，亦可使基板9同時搬入至(+X)側及(-X)側的區域之各者上。
塗佈部2D包含：同時保持2片基板9、9之平台23D、及 沿Y軸隔以所需間隔而配置之複數個升降輥231D。升降輥231D係以自平台23的上面突出，或自上面埋沒於下側之方式設置。於塗佈部2D，係藉由升降輥231D繞著X軸旋轉而將基板9、9向(+Y)側搬送，而搬送至適於塗佈處理之塗佈位置。而後藉由升降輥231D停止旋轉並下降，而使基板9、9載置於平台23D上。此時，亦可介以設置於平台23D上之吸附孔將基板9、9吸附於平台23D上。
另，在本實施形態中，亦可藉由狹縫噴嘴21D在基板9上掃描，而對基板9塗佈處理液。此處，狹縫噴嘴21D具有與1片基板9的寬度(沿Y軸之側邊部的長度)對應之長度，而對1片基板9塗佈處理液。
圖15係顯示塗佈處理2片基板9、9之第5實施形態之狹縫噴嘴21D的移動軌跡之塗佈部2D的概略側面圖。如圖15所示，為於塗佈部2D中塗佈2片基板9、9，狹縫噴嘴21D自保養位置L10開始移動。保養位置L10係於保養部28中保養(初始化)狹縫噴嘴21D時，狹縫噴嘴21D所配置之位置。在本實施形態中，保養位置L10係設為例如保養部28所包含之預塗佈輥281正上方之位置。
保養部28包含接受自狹縫噴嘴21D噴出之處理液之預塗佈輥281。預塗佈輥281係在狹縫噴嘴21D的長度方向(此處為沿Y軸之方向)上延伸之圓筒狀構件，且包含沿Y軸之旋轉軸心。藉由未圖示之驅動原的動力傳遞至該旋轉軸心，而使預塗佈輥281繞著Y軸旋轉。
輥槽282係設置於預塗佈輥281的下方，且於內部儲存有 特定的洗淨液。再者，預塗佈輥281的下端部分係浸入儲存於輥槽283內之洗淨液中。因而，藉由預塗佈輥281旋轉而洗淨，可除去附著於該表面之處理液。
於輥槽282的內部包含刮液刀283。刮液刀283自(-Y)側觀看，具有面向預塗佈輥281的表面突出之突起形狀，且在沿Y軸之方向上具有其長度方向。又，刮液刀283之突起形狀的前端部係以沿Y軸遍極預塗佈輥281表面的寬度進行接觸。藉由使預塗佈輥281旋轉，可利用刮液刀283刮除附著於預塗佈輥281表面之處理液或洗淨液。
噴嘴清潔機284係洗淨狹縫噴嘴21D的噴出口附近(噴嘴唇部)。噴嘴清潔機284具有上部與狹縫噴嘴21D的下端之形狀(此處，於XZ平面切斷時的剖面成為大致三角形狀之大致三角柱狀)對應之凹部。對噴嘴清潔機284供給洗淨液或氮氣。噴嘴清潔機284係以於其上面的凹部插入狹縫噴嘴21D的噴出口之狀態，在利用未圖示之移動機構沿Y軸移動之下，對狹縫噴嘴21D的噴嘴唇部噴射洗淨液而進行洗淨。又，噴嘴清潔機284係藉由噴射氮氣而使噴嘴唇部乾燥。
在圖15所示之例中，於塗佈部2當基板9、9載置於平台23D上時，則狹縫噴嘴21D在自保養位置L10上升至所需高度，並在(+X)方向上移動至載置於(-X)側之基板9的(-X)側端部之後，下降而移動至位置L11。該位置L11係開始對(-X)側的基板9進行塗佈之塗佈開始位置。狹縫噴嘴21D係一面噴出處理液一面在(+X)方向移動，而移動至結束對 (-X)側的基板9進行塗佈之塗佈結束位置(位置L12)。
當結束(-X)側的基板9之塗佈時，狹縫噴嘴21D會繼續進行位於(+X)側之基板9的塗佈。因此，狹縫噴嘴21D在自位置L12上升至所需之高度之後，移動至(+X)側的基板9之(-X)側端部的位置，且下降至位置L13。該位置L13相當於開始對(+X)側的基板9進行塗佈之塗佈開始位置。狹縫噴嘴21D係一面噴出處理液一面自位置L13在(+X)方向移動，並移動至結束對(+X)側的基板9進行塗佈之塗佈結束位置(位置L14)。
當對(+X)側的基板9之塗佈完成時，狹縫噴嘴21D會自位置L14上升至所需高度，並向(-X)方向移動而移動至預塗佈輥281的上方。而後，狹縫噴嘴21D藉由下降至保養位置L10，而再次進行噴嘴唇部之保養。另，至下一塗佈處理前的基板9、9搬送至平台23D之期間，亦可無須保養狹縫噴嘴21D，而僅於保養位置L10待機。又，狹縫噴嘴21D的待機位置亦可在保養位置L10以外。又，關於狹縫噴嘴21D的上下移動，可因應預塗佈輥281的高度位置或基板9、9的高度位置而適宜變更。
圖16係顯示塗佈處理2片基板9、9之第5實施形態之狹縫噴嘴21D的其他移動軌跡之塗佈部2D的概略側面圖。在圖16所示之例中，狹縫噴嘴21D在處理(-X)側的基板9之後，會自位置L12返回至保養位置L10而進行保養，且為了對(+X)側的基板9塗佈處理液而向位置L13移動。如此，每當處理1片基板9時，亦可進行狹縫噴嘴21D之保養。
另，在圖15及圖16所示之例中，係自(-X)側的基板9進行塗佈處理。然而，亦可自(+X)側的基板9開始塗佈處理。又，在圖15及圖16所示之例中，係藉由狹縫噴嘴21D向(+X)側移動，對基板9進行塗佈處理時，使塗佈方向(掃描方向)成為(+X)方向。然而，該塗佈方向亦可為反方向(亦即，-X方向)。
返回至圖14，乾燥部3D包含同時收納2片基板9、9之腔室31D。另，腔室31D雖於其內部內置有將基板9、9在(+Y)方向搬送之搬送輥13D，此點與腔室31不同，但包含同時將2片基板9、9進行減壓乾燥之與腔室31共通之功能。
於基板移出部4D，係於(-X)側的區域使基板9以每次1片之方式移出至外部。更具體而言，係先使在自乾燥部3D搬送之2片基板9、9中之(-X)側的基板9移出至外部。而後使(+X)側的基板9搬送至空出之(-X)側的區域，其後，使該基板9移出至外部。朝向該(-X)方向之基板搬送雖省略了圖示，但可藉由應用圖6所示之搬送輥12予以實現。另，亦可自(+X)側的區域使基板9移出至外部。當然，亦可同時移出2片基板9、9。又，亦可分別自(+X)側及(-X)側之區域同時移出基板9、9。
在本實施形態中，由於亦可將複數個基板9、9同時搬入至塗佈部2D或是乾燥部3D，因此可提高基板處理的處理量。
又，在基板處理裝置100D中，係利用搬送輥13D或升降 輥231D進行基板9之搬送。利用搬送輥13D或升降輥231D，無須將2片基板9、9移出至基板接收部1D、塗佈部2D、乾燥部3D或基板移出部4D之設置區域外(此處為+X側及-X側的外側區域)即可進行搬送。因而，如基板處理裝置100等般，相較於將基板9移出至外側區域而進行搬送之情形可減少裝置的佔地空間。
<6.第6實施形態>
圖17係第6實施形態之基板處理裝置100E的概略平面圖。又，圖18係自(+X)側觀看第6實施形態之基板處理裝置100E時的概略側面圖。基板處理裝置100E雖包含與圖13或圖14所示之基板處理裝置100D大致相同之構成，但代替塗佈部2D而包含以下説明之塗佈部2E，此點不同。
塗佈部2E包含沿Y軸延伸之狹縫噴嘴21E。狹縫噴嘴21E藉由一面噴出處理液一面沿Y軸移動，而對於沿X軸並排之2片基板9、9同時進行塗佈處理。另，塗佈部2E於基板9之搬送路徑(利用複數個搬送輥13D或複數個升降輥231D進行搬送時，基板9通過之路徑)的上側設置有保養狹縫噴嘴21E的噴嘴唇部之保養部28E。保養部28E雖具有與保養部28D大致相同之構成，但以與狹縫噴嘴21E的長度或延伸方向對應之方式構成之方面與保養部28D不同。
如圖18所示般，於塗佈部2E，對2片基板9、9進行塗佈處理時，狹縫噴嘴21E自保養位置L20向(+Y)方向移動，而移動至載置於平台23E之基板9的(-Y)側端部之位置。而後，狹縫噴嘴21E下降至對基板9、9開始塗佈處理之位置 L21。而後，狹縫噴嘴21E一面噴出處理液，一面自位置L21於(+Y)方向移動，而移動至結束塗佈之位置L22。此處，亦可藉由狹縫噴嘴21E於(-Y)方向移動(亦即，自位置L22向位置L21移動)，而進行塗佈處理。
利用基板處理裝置100E時，由於藉由設置狹縫噴嘴21E，可同時塗佈處理2片基板9、9，因此可提高基板處理的處理量。
<7.第7實施形態>
圖19係第7實施形態之基板處理裝置100F的概略平面圖。又，圖20係自(+X)側觀看第7實施形態之基板處理裝置100F時的概略側面圖。基板處理裝置100F雖包含與圖13或圖14所示之基板處理裝置100D大致相同之構成，但代替塗佈部2D而包含以下説明之塗佈部2F，此點不同。
塗佈部2F係與狹縫噴嘴21E相同，包含沿Y軸延伸之狹縫噴嘴21F。於塗佈部2F中，如圖20所示，藉由自固定於所需位置之狹縫噴嘴21F朝在(+Y)方向搬送之2片基板9、9噴出處理液，而進行塗佈處理。於塗佈部2F中，利用搬送輥13D及後述之塗佈用搬送輥231F使基板9對於狹縫噴嘴21F相對移動。因而，在本實施形態中，搬送輥13D及塗佈用搬送輥231F係構成相對移動機構。
塗佈用搬送輥231F係設於對基板9、9塗佈處理液時的狹縫噴嘴21F所配置位置的正下方。塗佈用搬送輥231F之支持基板9之圓板狀構件相較於其他搬送輥13D，直徑較大，且，關於沿X軸之方向形成為較厚。因而，由於利用塗佈 用搬送輥231F，可穩定地支持基板9，因此可適當進行塗佈處理。另，塗佈用搬送輥231F的圓板狀構件亦可較長地形成為圓筒狀。在該情形下，可安定地支持基板9並搬送。又，藉由使接觸於塗佈用搬送輥231F的基板9之部分由橡膠、聚矽氧或合成樹脂素材等之彈性材料形成，亦可適宜地吸收於基板9所產生之振動。
利用基板處理裝置100F時，藉由一面搬送複數個基板9、9一面進行塗佈處理，可提高基板處理的處理量。又，由於可省略為了塗佈處理而載置基板9之空間，因此可減少裝置的佔地空間。
<8.第8實施形態>
圖21係第8實施形態之基板處理裝置100G的概略平面圖。基板處理裝置100G包含：沿Y軸排列之基板接收部1G、塗佈部2G、乾燥部3G及基板移出部4G。在基板處理裝置100G中，與圖14所示之基板處理裝置100D相同，係藉由利用設置於各部分之複數個搬送輥而使基板9於(+Y)方向移動，而依次搬送至各部分。
在基板處理裝置100G中，如圖21所示般，關於Y軸使基板9成為一行進行搬送。惟，在基板處理裝置100G中，係以2片基板9為1組，搬入至塗佈部2G或乾燥部3G之方式構成。更具體而言，基板處理裝置100G係於基板接收部1G，使基板9每次1片或2片同時自外部接收而沿Y軸並排。而後，於集齊2片基板9、9之階段，利用搬送輥之驅動，而使2片基板9、9一起面向塗佈部2G同時搬送。同様 地，於塗佈部2G結束塗佈處理之2片基板9、9利用搬送輥之驅動，一起向乾燥部3G搬送。
於塗佈部2G，藉由使狹縫噴嘴21G同時向2片基板9、9噴出處理液一面沿X軸移動，而進行塗佈處理。另，亦可代替同時塗佈處理2片之狹縫噴嘴21G，利用以1次1片之方式塗佈處理液之狹縫噴嘴(例如，圖13所示之狹縫噴嘴21D等)，進行塗佈處理。
乾燥部3G包含以使2片基板9、9沿Y軸並排之狀態進行乾燥之腔室31G。利用該腔室31G，可一次將2片基板9、9進行減壓乾燥。於乾燥部3G結束乾燥處理之2片基板9、9係利用搬送輥搬送至基板移出部4G，而移出至外部。
如以上之基板處理裝置100G中，亦可藉由將2片基板9同時搬送至塗佈部2G或乾燥部3G，而提高基板處理的處理量。
<9.變形例>
以上，雖就實施形態進行了説明，但本發明並不限定於如上述者，而可進行各種變形。
例如，在上述實施形態中，雖係同時將2片基板搬送至塗佈部或乾燥部，但亦可搬送3片以上之基板。
又，在上述實施形態中，茲就2片基板同時塗佈處理或乾燥處理之例進行了説明。然而，亦可同時處理3片以上之基板。
又，在上述實施形態中，係自以狹縫狀開口之噴出口以線狀噴出處理液。然而，例如藉由將圓形狀的複數個噴出 口沿一方向排列，亦可將處理液以大致線狀噴出。又，在上述實施形態中，係利用使狹縫噴嘴對於基板相對於一方向移動之所謂的「狹縫塗覆法」進行塗佈處理。然而，亦可利用使基板旋轉而塗佈處理液之旋轉塗佈法進行塗佈處理。
又，在上述實施形態(例如第5實施形態、第6實施形態、第7實施形態或第8實施形態)中，係利用搬送輥13D，自塗佈部直接向乾燥部搬送基板9。然而，於塗佈部與乾燥部之間，亦可設置使基板9暫時待機之待機部。此種待機部可藉由例如利用若干個搬送輥形成可載置基板9之區域而予以實現。可藉由使搬送輥之旋轉停止而使基板9待機，且可藉由使搬送輥旋轉而將基板9向乾燥部搬送。藉由設置此種待機部，在相較於塗佈部之塗佈處理時間，乾燥部之乾燥時間較長之情形下，亦可使塗佈處理結束基板9向待機部搬送而待機。亦即，於前一基板9的乾燥處理結束之前，不使塗佈處理後的基板9於塗佈部待機即可將下一塗佈處理前的基板9迅速地搬入至塗佈部。因而，可提高利用基板處理裝置之基板處理的處理量。
又，以上述各實施形態及各變形例所説明之各構成只要不彼此矛盾即可適宜地組合，或省略。
1、1A、1B、1D、1G‧‧‧基板接收部
2、2a、2B、2D~2G‧‧‧塗佈部
3、3B、3D、3G‧‧‧乾燥部
4、4A、4Aa、4D、4G‧‧‧基板移出部
5、5A、5Aa、5B、6、7‧‧‧搬送機構
5C、6C‧‧‧搬送梭
6C‧‧‧搬送梭
8‧‧‧控制部
9‧‧‧基板
11、11B‧‧‧平台
12、13、13D‧‧‧搬送輥
21、21a、21B、21Ba、 21D~21G‧‧‧狹縫噴嘴
22‧‧‧橋接構造
23、23B、23D‧‧‧平台
23E‧‧‧平台
24‧‧‧支持台
25‧‧‧線性馬達(相對移動機構)
26‧‧‧升降機構
27‧‧‧處理液供給泵
28、28D、28E‧‧‧保養部
31、31B、31D、31G‧‧‧腔室
41‧‧‧平台
51A‧‧‧上手部
51C‧‧‧軌道
53‧‧‧旋轉機構
53C‧‧‧支持體
54‧‧‧升降機構
56‧‧‧支持面
61‧‧‧搬送臂
100、100A~100G‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧頂起銷
121‧‧‧旋轉軸
123‧‧‧圓板狀構件
131‧‧‧旋轉軸
133‧‧‧圓板狀構件
211‧‧‧噴出口
213‧‧‧凹部
214‧‧‧唇面
221‧‧‧支柱部
222‧‧‧支持部
231、231D‧‧‧升降輥
231F‧‧‧塗佈用搬送輥(相對移動機構)
271‧‧‧導管
281‧‧‧預塗佈輥
282‧‧‧輥槽
283‧‧‧輥槽
284‧‧‧噴嘴清潔機
311‧‧‧頂起銷
411‧‧‧頂起銷
511‧‧‧支持構件
511B‧‧‧支持構件
512‧‧‧彎曲臂
521‧‧‧支持構件
522‧‧‧彎曲臂
52A‧‧‧下手部
52C‧‧‧移動部(移動機構)
541~544‧‧‧支持構件
54C‧‧‧基板支持部
551、552、553‧‧‧延伸臂
611‧‧‧支持構件
711‧‧‧支持構件
L10‧‧‧保養位置
L11‧‧‧位置
L12‧‧‧位置
L13‧‧‧位置
L14‧‧‧位置
L20‧‧‧保養位置
L21‧‧‧位置
L22‧‧‧位置
R11‧‧‧接收區域
R12‧‧‧遞送區域
R41‧‧‧接收區域
R42‧‧‧移出區域
T1‧‧‧時間
T2‧‧‧時間
圖1係第1實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖2係自(+X)側觀看第1實施形態之塗佈部時的概略前視圖。
圖3係顯示第1實施形態之狹縫噴嘴的下端側之一部分之立體圖。
圖4係自(+X)側觀看第1實施形態的變形例之塗佈部時的概略前視圖。
圖5係顯示第1實施形態之基板處理裝置之基板處理的時序圖之圖。
圖6係第2實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖7係第2實施形態之搬送機構的概略側面圖。
圖8係顯示第2實施形態之基板處理裝置的變形例之概略平面圖。
圖9係第3實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖10係第4實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖11係第4實施形態之搬送基板接收部的2片基板之搬送梭5C的概略平面圖。
圖12係圖11所示之XII-XII線剖面圖。
圖13係第5實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖14係自(+X)側觀看第5實施形態之基板處理裝置之概略側面圖。
圖15係顯示塗佈處理2片基板之第5實施形態之狹縫噴嘴的移動軌跡之塗佈部的概略側面圖。
圖16係顯示塗佈處理2片基板之第5實施形態之狹縫噴嘴的其他移動軌跡之塗佈部的概略側面圖。
圖17係第6實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖18係自(+X)側觀看第6實施形態之基板處理裝置時的 概略側面圖。
圖19係第7實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
圖20係自(+X)側觀看第7實施形態之基板處理裝置時的概略側面圖。
圖21係第8實施形態之基板處理裝置的概略平面圖。
1‧‧‧基板接收部
2‧‧‧塗佈部
3‧‧‧乾燥部
4‧‧‧基板移出部
5‧‧‧搬送機構
6‧‧‧搬送機構
7‧‧‧搬送機構
8‧‧‧控制部
9‧‧‧基板
11‧‧‧平台
21‧‧‧狹縫噴嘴
23‧‧‧平台
31‧‧‧腔室
41‧‧‧平台
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧頂起銷
231‧‧‧升降輥
311‧‧‧頂起銷
411‧‧‧頂起銷
511‧‧‧支持構件
611‧‧‧支持構件
711‧‧‧支持構件

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，其係處理基板者，且包含：自外部接收基板之基板接收部；對前述基板塗佈處理液之塗佈部；及包含將位於前述基板接收部之複數個前述基板同時搬送至前述塗佈部之搬送機構之搬送系統。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述塗佈部係對前述複數個基板同時塗佈處理液。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中進而包含使於前述塗佈部中經塗佈前述處理液之基板乾燥之乾燥部。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述乾燥部包含將複數個前述基板保持於同一空間內之腔室，且於前述腔室內，可同時乾燥經塗佈前述處理液之複數個前述基板。
  5. 如請求項3之基板處理裝置，其中前述搬送系統進而包含將複數個前述基板同時向前述乾燥部搬送之搬送機構。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述塗佈部包含：自於一方向延伸之噴出口噴出處理液之噴嘴；及以使前述噴嘴對前述基板相對移動之相對移動機構。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中於前述噴嘴形成有複數個前述噴出口；於前述噴嘴之複數個前述噴出口之間形成有凹部。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中前述搬送系統包含搬送機構，該搬送機構包含：用以使複數個前述基板在上 方移動之移動機構，及將複數個前述基板自上方接近而支持之基板支持部。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6241913B2 (ja) * 2013-04-25 2017-12-06 東レエンジニアリング株式会社 基板熱処理装置
CN104772257B (zh) * 2013-07-29 2017-07-28 长兴金润大正机械有限公司 一种自动点胶机定位方法
JP6286239B2 (ja) * 2014-03-11 2018-02-28 東京応化工業株式会社 塗布装置、基板処理装置、塗布方法及び基板処理方法
JP6609998B2 (ja) * 2015-05-26 2019-11-27 ウシオ電機株式会社 光照射装置および光照射方法
WO2017052958A1 (en) * 2015-09-22 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Large area dual substrate processing system
JP6864514B2 (ja) * 2017-03-23 2021-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理システムおよび基板処理方法
KR101970780B1 (ko) * 2017-04-13 2019-04-22 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
KR102222263B1 (ko) * 2018-09-06 2021-03-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102125677B1 (ko) * 2019-06-27 2020-06-24 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR102473692B1 (ko) * 2021-04-15 2022-12-02 (주)에스티아이 기판 식각 시스템
CN113070184B (zh) * 2021-06-07 2021-09-07 成都拓米电子装备制造有限公司 一种狭缝挤出涂布头的清洁装置及清洁方法
KR102458914B1 (ko) * 2022-05-17 2022-10-26 주식회사 아라(Ara) 태그 분산을 수행하는 글라스 기판 이송 시스템

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4030654B2 (ja) * 1998-06-02 2008-01-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬送装置
JP3687666B2 (ja) * 2002-11-18 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 乾燥装置及びこれを備えるワーク処理装置
KR200331986Y1 (ko) 2003-07-04 2003-11-03 스피닉스(주) 복수의 기판을 동시에 처리할 수 있는 원 라인을 갖는기판처리장치
KR100567136B1 (ko) 2003-11-13 2006-04-05 주식회사 디엠에스 멀티형 기판이송장치
JP4688637B2 (ja) * 2005-10-28 2011-05-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
JP2008212804A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の搬送塗布装置
KR101181560B1 (ko) * 2008-09-12 2012-09-10 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 그것에 사용되는 기판반송장치
KR100994287B1 (ko) * 2008-11-18 2010-11-12 주식회사 케이씨텍 서셉터 및 이를 구비하는 원자층 증착장치
JP5182598B2 (ja) * 2009-06-02 2013-04-17 村田機械株式会社 無限駆動媒体を備えた搬送システムと、そこでの物品の受け渡し方法
KR101170778B1 (ko) * 2009-11-27 2012-08-10 세메스 주식회사 처리액 토출 장치 및 방법

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