TW201307080A - 薄膜積層體、薄膜卷層體及該薄膜卷層體之製造方法 - Google Patents

薄膜積層體、薄膜卷層體及該薄膜卷層體之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明之目的在於提供一種可用於光學用途構件，表面或端部不會產生破裂，透明性與厚度精度優異之薄膜積層體及薄膜卷層體。本發明係關於一種薄膜積層體與薄膜卷層體，其係將包含源自構造之一部分具有式(1)所表示之部位之二羥基化合物(a)之聚碳酸酯樹脂的聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜(masking film)積層而成，並且聚碳酸酯樹脂薄膜彼此或與遮蔽薄膜之非黏著面之靜摩擦係數為1.8以上或0.01以上且未達1.8。□

Description

薄膜積層體、薄膜卷層體及該薄膜卷層體之製造方法
本發明係關於一種將透明性較高且薄膜面彼此之摩擦阻力較大之聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜(masking film)積層而成之薄膜積層體、將該薄膜積層體捲取為輥狀而獲得之薄膜卷層體、及該薄膜卷層體之製造方法。
聚碳酸酯樹脂薄膜廉價且輕量，並且透明性或成形性、光學特性、耐熱性、尺寸穩定性、機械強度優異，現應用於廣泛之領域中。由於尤其優異之光學特性，而廣泛地應用於光碟或光防護罩(light guard)、液晶顯示器等相位差補償板等光學用途構件。進而，亦有對聚碳酸酯薄膜實施用以賦予耐溶劑性、耐摩耗性、耐擦傷性、抗反射等性能或功能之塗佈、印刷等表面加工、表面處理之情況。
然而，通常聚碳酸酯樹脂薄膜之薄膜面彼此之摩擦阻力較大，若欲不進行任何表面加工等而將鏡面薄膜捲取為輥狀，則由於薄膜面彼此之潤滑性不足而發生捲繞偏移或捲繞褶皺。
為了避免此種捲繞偏移或捲繞褶皺之產生，提出有將薄膜表面粗化之方法。該方法之意圖在於減少薄膜面彼此之接觸面積而改善潤滑性。
作為其方法之一，揭示有於聚碳酸酯樹脂中捏合微粒子而 使表面粗化之方法(專利文獻1、2)。
又，作為其他方法，揭示有如下方法：一部分冷卻輥使用橡膠輥或經粗面化之金屬輥，藉由兩面接觸方式進行製膜，藉由擠壓使輥粗面轉印至薄膜上(專利文獻3~5)。
進而，作為近年來提出之方法，揭示有如下方法：使用規定了粗度之冷卻輥，藉由兩面接觸方式進行製膜，而使薄膜面彼此之靜摩擦阻力降低，抑制薄膜之霧度上升(專利文獻6)。
又，對於藉由在以聚碳酸酯樹脂為主之光學薄膜上積層保護薄膜，而獲得表面凹凸較少之光學薄膜製品，或獲得外觀精美之輥狀捲繞體之情況亦有揭示(專利文獻7、8)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開昭52-105957號公報
專利文獻2：日本專利特開平01-319540號公報
專利文獻3：日本專利特開昭64-72831號公報
專利文獻4：日本專利特開昭64-72832號公報
專利文獻5：日本專利特開昭64-72833號公報
專利文獻6：日本專利特開2008-7626號公報
專利文獻7：國際公開2003/004270號
專利文獻8：日本專利特開2011-112945號公報
專利文獻9：國際公開2006/041190號
然而，於專利文獻1或2所揭示之方法中，捏合至聚碳酸酯樹脂中之微粒子之一部分浮出至薄膜表面而成為薄膜之光學特性上之點缺陷(point defect)，密接於冷卻輥造成污染而使薄膜外觀受損。
又，於專利文獻3~5所揭示之方法中，薄膜之霧度增大而使透明性受損。
進而，於專利文獻6所揭示之方法中，於要求尤高精度之薄膜厚度精度之用途或欲獲得特定之聚碳酸酯樹脂薄膜之卷層體之情形時，無法達成目標厚度精度。
另一方面，專利文獻7或8中雖然記載有積層保護薄膜並捲繞，但是原本以聚碳酸酯樹脂為主之光學薄膜為涉及多方面者，例如如專利文獻9中所記載之包含聚碳酸酯之薄膜之脆性非常大，即便積層保護薄膜，若欲捲繞，或欲對端部進行修整，則亦會發生破裂而無法使用。
即，如茀般具有大體積構造之聚碳酸酯樹脂雖然對光學用途之有用性較高，但因其剛性構造而不易引起分子鏈之交聯，凹痕感度(notch sensitivity)較高，因此尤其難以穩定地製造薄膜等厚度較薄之成形體。
因此，鑒於上述情況，本發明之課題在於獲得一種可用於光學用途構件，於捲繞時或修整時聚碳酸酯樹脂薄膜之表面 或端部不會發生破裂，透明性與厚度精度優異之薄膜積層體及使用該薄膜積層體的無捲繞偏移或捲繞褶皺之均勻之薄膜卷層體。
本發明者等人反覆進行努力研究，結果發現：包含使用具有特定分子構造之聚碳酸酯樹脂所製作之不致脆性破壞之薄膜與特定遮蔽薄膜的薄膜積層體、及將該薄膜積層體捲取為輥狀而獲得之薄膜卷層體可全部解決上述問題，從而完成了本發明。
本發明之第1樣態係一種薄膜積層體，其係將對聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形而成之不致脆性破壞之聚碳酸酯樹脂薄膜、與具有基材層及黏著層之遮蔽薄膜積層而成者，該聚碳酸酯樹脂係含有源自構造之一部分具有下述式(1)所表示之部位之二羥基化合物(a)之構造單位，並且使上述聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態之靜摩擦係數為1.8以上，使上述聚碳酸酯樹脂薄膜之一面與上述遮蔽薄膜之非黏著面面接觸之狀態下之靜摩擦係數為0.01以上且未達1.8。
再者，於本發明中，所謂「非黏著面」，係指位於遮蔽薄膜之與黏著層相反之側的基材層側之面。又，於本發明中， 所謂「靜摩擦係數」，係指基於JIS-K7125(1999年)測定之靜摩擦係數。進而，於本發明中，聚碳酸酯樹脂薄膜「不致脆性破壞」係定義為滿足以下條件者。
首先，對聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形，而製作寬度200 mm以上、厚度100 μm之薄膜。自該薄膜之寬度方向之中央部附近獲取於薄膜之行進方向(MD，Machine direction)上長度為40 mm，於寬度方向(TD，transverse direction)上寬度為10 mm之長方形試片。
將老虎鉗之左右之接合面之間隔空開40 mm，將試片之兩端固定於接合面內。繼而，以2 mm/秒以下之速度使左右之接合面之間隔逐漸變窄，以不使薄膜露出至老虎鉗之接合面以外之方式將彎折之薄膜整體於該接合面內逐漸壓縮。
接著，將直至接合面間完全密接為止試片於彎折部破裂為2片(或3片以上之破片)之情形設為「有破裂」，將即便接合面間完全密接但試片仍然未破裂而彎折之情形設為「無破裂」。
對同一種類之薄膜反覆實施5次試驗，其中，將4次以上成為「有破裂」者設為「×：有脆性破壞」，將3次以下成為「有破裂」者設為「○：無脆性破壞」。
本發明之第2樣態係一種薄膜積層體，其係將對聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形而成的聚碳酸酯樹脂薄膜、與具有基材層及黏著層之遮蔽薄膜積層而成者，該聚碳酸酯樹脂係含 有源自下述式(2)所表示之二羥基化合物(b)之構造單位，並且使上述聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態之靜摩擦係數為1.8以上，使上述聚碳酸酯樹脂薄膜之一面與上述遮蔽薄膜之非黏著面面接觸之狀態下之靜摩擦係數為0.01以上且未達1.8。
(上述式(2)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數6~20之環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~20之芳基，X表示經取代或未經取代之碳數2~10之伸烷基、經取代或未經取代之碳數6~20之伸環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~20之伸芳基，m及n分別獨立為1~5之整數)。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述聚碳酸酯樹脂薄膜之面內相位差之絕對值為10 nm以下。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度為110℃以上、160℃以下。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述二羥基化合物(a)或上述二羥基化合物(b)為9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基) 茀。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述聚碳酸酯樹脂薄膜之厚度為30 μm以上、300 μm以下，全光線穿透率為85%以上，且霧度為2%以下。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為於上述聚碳酸酯樹脂薄膜上積層上述遮蔽薄膜之前的聚碳酸酯樹脂薄膜表面之水滴接觸角θ0、與於上述聚碳酸酯樹脂薄膜上積層上述遮蔽薄膜並進而將上述遮蔽薄膜自上述聚碳酸酯樹脂薄膜剝離之後的聚碳酸酯樹脂薄膜表面之水滴接觸角θ1之差之絕對值| θ0-θ1 |，為20°以下。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述遮蔽薄膜之依據JIS-Z0237(2009年)之對上述聚碳酸酯樹脂薄膜之剝離強度為5 mN/10 mm以上、200 mN/10 mm以下。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述遮蔽薄膜之上述基材層係由聚烯烴樹脂所構成。
於本發明之第1或第2樣態中，較佳為上述遮蔽薄膜之上述黏著層係由改質聚烯烴樹脂所構成。
本發明之第3樣態係一種薄膜卷層體，其係將本發明之第1或第2樣態之薄膜積層體捲取至圓筒形之卷芯上而製成輥狀。
於本發明之第3樣態中，較佳為上述薄膜卷層體之側面端部之捲繞偏移寬度為4 mm以下。
本發明之第4樣態係一種薄膜卷層體之製造方法，其係製造本發明之第3樣態之薄膜卷層體之方法，並且包括：對上述聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出並使用表面之最大高度Rz為0.3 μm以下之金屬製鏡面輥一面冷卻一面拉取而製作聚碳酸酯樹脂薄膜之步驟；藉由將所製作之聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜積層，而製作薄膜積層體之步驟；及將所製作之薄膜積層體於圓筒形之卷芯上捲取為輥狀之步驟。
於本發明之第4樣態中，較佳為於將上述薄膜積層體於圓筒形之卷芯上捲取為輥狀之步驟中，將薄膜寬度每1 m之捲取張力設為80 N/m以上、200 N/m以下。
根據本發明，可獲得一種可用於光學用途構件，於捲繞時或修整時聚碳酸酯樹脂薄膜之表面或端部不會發生破裂，透明性與厚度精度優異之薄膜積層體及使用該薄膜積層體的無捲繞偏移或捲繞褶皺之均勻之薄膜卷層體。
以下，對作為本發明之實施形態之一例的將聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜積層而成之薄膜積層體、及將該薄膜積層體捲取為輥狀而獲得之薄膜卷層體加以說明，但本發明並不限定於以下所說明之實施形態。
<聚碳酸酯樹脂>
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂係含有源自構造之一部 分具有下述式(1)所表示之部位之二羥基化合物(a)之構造單位的聚碳酸酯樹脂，對上述聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形而成之聚碳酸酯樹脂薄膜不致脆性破壞。再者，於本發明中，「聚碳酸酯樹脂」為亦包含所謂「聚酯碳酸酯樹脂」之概念。
對於獲得上述不致脆性破壞之聚碳酸酯樹脂薄膜，重要的是與聚碳酸酯樹脂之分子設計一併適當地設定聚合條件或成形條件等各種製造條件。就聚碳酸酯樹脂之分子設計之觀點而言，藉由使用如下所述之二羥基化合物作為原料或組合使用各種二羥基化合物，可對聚碳酸酯樹脂賦予柔軟性，或將玻璃轉移溫度調節為適當之範圍，藉此可獲得韌性優異之聚碳酸酯樹脂。又，為了使聚碳酸酯樹脂表現原本所具有之機械物性，而必須於聚碳酸酯樹脂之聚合時，使反應進行至充分之分子量。進而，於熔融擠出成形時，根據樹脂物性適當地設定擠出機之條件，抑制加工時之熱分解，藉此可於不降低聚碳酸酯樹脂之機械特性之情況下使薄膜成形。各詳細內容如下所述。
[二羥基化合物(a)]
二羥基化合物(a)係構造之一部分具有上述式(1)所表示之 部位之二羥基化合物，且如下所述，只要為對上述聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形而成之聚碳酸酯樹脂薄膜不致脆性破壞，且使該聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態之靜摩擦係數成為1.8以上者，則無特別限定。
其中，二羥基化合物(a)較佳為下述式(2)所表示之二羥基化合物(b)。其原因在於，所獲得之聚碳酸酯樹脂薄膜成為光學等向性或延伸薄膜之光學異向性等各種光學特性優異，且尤其突出地不致脆性破壞者。
上述式(2)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數6~20之環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~20之芳基，X表示經取代或未經取代之碳數2~10之伸烷基、經取代或未經取代之碳數6~20之伸環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~20之伸芳基，m及n分別獨立為1~5之整數。
具體而言，可例示9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-異丙基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-異丁基苯 基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-第三丁基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-環己基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-苯基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3,5-二甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-第三丁基-6-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(3-羥基-2,2-二甲基丙氧基)苯基)茀等，就所獲得之聚碳酸酯樹脂之耐熱性及柔軟性之觀點而言，較佳為9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-甲基苯基)茀，尤佳為9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀。
含有源自構造之一部分具有上述式(1)所表示之部位之二羥基化合物(a)之構造單位的聚碳酸酯樹脂之中，尤其是使用含有源自上述式(2)所表示之二羥基化合物(b)之構造單位之聚碳酸酯樹脂的薄膜具有由大體積分子構造產生之優異耐熱性，並且主鏈中亦具有可賦予柔軟性之構造，因此亦兼具優異之機械物性。如此，藉由選擇上述式(2)所表示之二羥基化合物(b)作為單體，可獲得不致脆性破壞之聚碳酸酯樹脂。
[其他二羥基化合物]
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂亦可進而含有源自上述二羥基化合物(a)及二羥基化合物(b)以外之二羥基化合物之構造單位。
其中，含有源自構造之一部分具有下述式(3)所表示之部 位之二羥基化合物(c)之構造單位時，聚碳酸酯樹脂之光學特性或成形性變得良好，就此方面而言較佳。其中，該二羥基化合物(c)係設為與上述之二羥基化合物(a)及二羥基化合物(b)不同者，且設為排除僅以-CH2-O-H之一部分之形式含有式(3)所表示之部位之情形者。
作為構造之一部分具有上述式(3)所表示之部位之二羥基化合物(c)，例如可舉出：以下述之式(4)所表示之二羥基化合物為代表之無水糖醇類，及以下述之式(5)所表示之螺二醇為代表之具有環狀醚構造之二羥基化合物類等具有醚構造者。
無水糖醇類通常為藉由使糖類或其衍生物脫水環化而獲得之具有複數個羥基者。又，具有環狀醚構造之二羥基化合物類為含有具有環狀醚構造之構造部分與2個羥基之化合物。
無水糖醇類、及具有環狀醚構造之二羥基化合物類中之任一者之羥基均可直接鍵結於環狀構造上，亦可經由取代基而鍵結於環狀構造上。環狀構造可為單環亦可為多環。
於無水糖醇類、及分子內具有環狀醚構造之二羥基化合物類中，較佳為具有複數個環狀構造者，更佳為具有2個環狀 構造者，進而較佳為該2個環狀構造相同者。又，複數個環狀構造亦可縮環。
更具體而言，作為無水糖醇類，可舉出下述式(4)所表示之二羥基化合物，例如可舉出處於立體異構物關係之異山梨糖醇(Isosorbide)、異甘露糖醇(1,4：3,6-雙脫水甘露糖醇)(Isomannide)及Isoidide(1,4：3,6-雙脫水艾杜糖醇)。
上述式(4)所表示之二羥基化合物為可以生物起源物質作為原料由糖質製造之醚二醇。尤其是異山梨糖醇可藉由使由澱粉獲得之D-葡萄糖氫化後再進行脫水而廉價地製造，且可獲取之資源豐富，並且上述聚碳酸酯樹脂之光學特性或成形性變得良好。根據該等情況，最佳為異山梨糖醇。
又，作為具有環狀醚構造之二羥基化合物類，例如可舉出以下述式(5)為代表之具有環狀醚構造之二羥基化合物。
上述式(5)中，R5~R8分別獨立為碳數1至3之烷基。 作為具有環狀醚構造之二羥基化合物類之具體例，例如可舉出：3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺(5.5)十一烷(慣用名：螺二醇)、3,9-雙(1,1-二乙基-2-羥基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺(5.5)十一烷、3,9-雙(1,1-二丙基-2-羥基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺(5.5)十一烷及下述式(6)所表示之化合物。
該等可單獨使用，亦可組合使用2種以上。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂亦可含有源自上述二羥基化合物(c)以外之其他二羥基化合物之構造單位。
更具體而言，可舉出：下述式(7)所表示之二羥基化合物、或下述式(8)所表示之二羥基化合物、下述式(9)所表示之二羥基化合物、下述式(10)所表示之二羥基化合物、進而雙酚類。
[化9]HO-R9-OH (7)
上述式(7)中，R9表示碳數4至20之經取代或未經取代之單環構造之伸環烷基。
[化10] HO-CH2-R10-CH2-OH (8)
上述式(8)中，R10表示碳數4至20之經取代或未經取代之單環構造之伸環烷基。
[化11]H-(O-R11)p-OH (9)
上述式(9)中，R11表示經取代或未經取代之碳數2至10之伸烷基，p為2至120之整數。
[化12]HO-R12-OH (10)
上述式(10)中，R12表示碳數2至20之伸烷基。
作為上述式(7)所表示之二羥基化合物，可舉出含有單環構造之伸環烷基之化合物。藉由形成單環構造，可改良將所獲得之聚碳酸酯樹脂製成薄膜時之韌性。又，通常可舉出含有5員環構造或6員環構造之化合物。藉由為5員環構造或6員環構造，可提高所獲得之聚碳酸酯樹脂之耐熱性。6員環構造亦可利用共價鍵固定為椅式或船式。
具體而言，可舉出：1,2-環戊烷二醇、1,3-環戊烷二醇、1,2-環己烷二醇、1,3-環己烷二醇、1,4-環己烷二醇、2-甲基-1,4-環己烷二醇等。
作為上述式(8)所表示之二羥基化合物，可舉出含有單環構造之伸環烷基之化合物。藉由形成單環構造，可改良將所獲得之聚碳酸酯樹脂製成薄膜時之韌性。又，通常上述式(8) 中之R10包含下述式(11)所表示之各種異構物。作為此種異構物，具體而言，可舉出：1,2-環己烷二甲醇、1,3-環己烷二甲醇、1,4-環己烷二甲醇等。
式(11)中，R13表示氫原子、或經取代或未經取代之碳數1~12之烷基。
上述脂環式二羥基化合物之具體例之中，尤佳為環己烷二甲醇類，就易獲取性、易操作性、及所獲得之聚碳酸酯樹脂之機械物性之觀點而言，較佳為1,4-環己烷二甲醇、1,3-環己烷二甲醇、1,2-環己烷二甲醇。
再者，上述所例示之化合物為可用於本發明之脂環式二羥基化合物之一例，並不受該等之任何限定。該等脂環式二羥基化合物可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。
作為上述式(9)所表示之二羥基化合物，具體而言，可舉出二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇(數量平均分子量為150~2000)等，其中較佳為二乙二醇、聚乙二醇(數量平均分子量為150~2000)。
作為上述式(10)所表示之二羥基化合物，具體而言，可舉 出乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇等，其中較佳為丙二醇、1,4-丁二醇。
再者，本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂於源自上述式(7)所表示之二羥基化合物之構造單位、源自上述式(8)所表示之二羥基化合物之構造單位、源自上述式(9)所表示之二羥基化合物之構造單位及源自上述式(10)所表示之二羥基化合物之構造單位之中，較佳為含有源自上述式(8)所表示之二羥基化合物之構造單位及源自上述式(9)所表示之二羥基化合物之構造單位中之1個以上，更佳為含有源自上述式(9)所表示之二羥基化合物之構造單位。
作為雙酚類，例如可舉出：2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(即雙酚A)、2,2-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二乙基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-(3,5-二苯基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二溴苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基苯基)戊烷、2,4'-二羥基二苯基甲烷、雙(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基-5-硝基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)乙烷、3,3-雙(4-羥基苯基)戊烷、1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷、雙(4-羥基苯基)碸、2,4'-二羥基二苯基碸、雙(4-羥基苯基)硫醚、4,4'-二羥基二苯基醚、4,4'-二羥基-3,3'-二氯二苯基醚、4,4'-二羥基-2,5-二乙氧基二苯基醚等。
[聚碳酸酯樹脂]
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂中所含之源自二羥基化 合物之構造單位之中，源自上述二羥基化合物(a)之構造單位之含有比率之下限較佳為10莫耳%以上，更佳為18莫耳%以上，進而較佳為20莫耳%以上，尤佳為25莫耳%以上。又，上限較佳為90莫耳%以下，進而較佳為85莫耳%以下，尤佳為80莫耳%以下。
此處，二羥基化合物(a)為亦包含二羥基化合物(b)之概念。
藉由源自上述二羥基化合物(a)之構造單位之含有比率為上述下限值以上，耐熱性變得良好。又，藉由含有比率為上述上限值以下，加工溫度變得不高，成形性變得良好。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂中所含之源自二羥基化合物之構造單位之中包含源自上述二羥基化合物(c)之構造單位之情形時的含有比率之下限較佳為5莫耳%以上，進而較佳為10莫耳%以上，尤佳為15莫耳%以上。又，上限較佳為90莫耳%以下，進而較佳為85莫耳%以下，尤佳為80莫耳%以下。
藉由源自上述二羥基化合物(c)之構造單位之含有比率為上述下限值以上，耐熱性變得良好。又，藉由含有比率為上述上限值以下，吸水率不會變高，薄膜之變形等消失。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂中所含之源自二羥基化合物之構造單位之中包含源自除上述(a)及(c)以外之其他二羥基化合物之構造單位之情形時的含有比率較佳為0.02莫耳%以上，進而較佳為0.05莫耳%以上，尤佳為0.1莫耳% 以上。又，較佳為60莫耳%以下，進而較佳為50莫耳%以下，尤佳為40莫耳%以下。
藉由源自上述(a)及(c)以外之其他二羥基化合物之構造單位之含有比率為上述範圍內，成形時之流動性提高，成形之薄膜之柔軟性良好，且變得不易脆性破壞。又，耐熱性亦變得良好。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為110℃以上，更佳為115℃以上，尤佳為120℃以上。又，較佳為160℃以下，更佳為157℃以下，尤佳為155℃以下。
藉由玻璃轉移溫度為110℃以上，耐熱性優異，變得於薄膜成形後不易產生尺寸變化。又，藉由玻璃轉移溫度為160℃以下，而成為薄膜成形時之成形穩定性或薄膜之透明性、及機械物性優異者。
作為使玻璃轉移溫度成為上述範圍之方法，可較佳地例示將構成聚碳酸酯樹脂之二羥基化合物之組成比於本說明書中所記載之範圍內適當調整之方法等。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂之分子量可以對比黏度表示。對比黏度係使用二氯甲烷作為溶劑，將聚碳酸酯濃度精準地製備為0.6 g/dL，於溫度20.0℃±0.1℃下使用烏式黏度管進行測定。對比黏度之下限較佳為0.25 dL/g，更佳為0.30 dL/g。對比黏度之上限較佳為1.20 dL/g，更佳為1.00 dL/g，進而較佳為0.80 dL/g。
若聚碳酸酯樹脂之對比黏度為上述下限值以上，則成形品之機械強度不會過度變小。另一方面，若對比黏度為上述上限值以下，則對成形時之流動性降低之擔憂較小，生產性或成形性不易降低。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂可藉由通常使用之聚合方法製造，可採用光氣法(phosgene method)或與碳酸二酯反應之酯交換法中之任一者。其中，較佳為於聚合觸媒之存在下，使上述二羥基化合物(a)、上述二羥基化合物(c)、視需要使用之其他二羥基化合物及碳酸二酯反應之酯交換法。
酯交換法係添加鹼性觸媒，進而添加中和該鹼性觸媒之酸性物質，而使上述二羥基化合物(a)、上述二羥基化合物(c)、視需要使用之其他二羥基化合物及碳酸二酯進行酯交換反應之製造方法。
作為碳酸二酯之代表例，可舉出：碳酸二苯酯、碳酸二甲苯酯、碳酸雙(氯苯酯)、碳酸間甲苯酯、碳酸二萘酯、碳酸雙(聯苯酯)、碳酸二乙酯、碳酸二甲酯、碳酸二丁酯及碳酸二環己酯等。該等之中，可尤佳地使用碳酸二苯酯。
再者，如上所述，於本發明中，「聚碳酸酯樹脂」為亦包含所謂「聚酯碳酸酯樹脂」之概念。於設為聚酯碳酸酯樹脂之情形時，上述碳酸二酯之一部分經二羧酸或其酯(以下，稱為二羧酸化合物)取代。作為此種二羧酸化合物，可使用 對苯二甲酸、間苯二甲酸、草酸、琥珀酸、1,4-環己二羧酸等二羧酸，及該等之甲酯體、苯酯體等。
於本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂中，源自二羧酸化合物之構造單位之含有比率於將源自所有二羥基化合物與所有羧酸化合物之構造單位設為100莫耳%之情形時，較佳為45莫耳%以下，進而較佳為40莫耳%以下。若二羧酸化合物之含有比率為45莫耳%以下，則對因聚合性之降低而使聚合變得無法進行至所需分子量之擔憂減小。
<聚碳酸酯樹脂薄膜>
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜係使用上述聚碳酸酯樹脂而製作。此時，亦可於無損本發明之效果之範圍內添加通常使用之各種添加劑。具體而言，可舉出：抗氧化劑、防著色劑、紫外線吸收劑、難燃劑、脫模劑、滑劑、抗靜電劑等。
進而，本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂例如亦可與芳香族聚碳酸酯、芳香族聚酯、脂肪族聚酯、聚醯胺、聚苯乙烯、苯乙烯/甲基丙烯酸酯共聚合體、苯乙烯/甲基丙烯酸共聚合體、苯乙烯/N-苯基順丁烯二醯亞胺共聚合體、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚合體(ABS，acrylonitrile butadiene styrene)、丙烯腈-苯乙烯共聚合體(AS，acrylonitrile styrene)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，Polymethyl Methacrylate)、聚烯烴、非晶質聚烯烴、聚乳酸、聚琥珀酸丁二酯、橡膠、彈性體等熱 塑性樹脂中之1種或2種以上混練，製成聚合物合金而使用。
藉由將如上述之機械物性或熔融加工性優異之熱塑性樹脂作為改質劑適量地混練使用，可於保持必需之光學物性或耐熱性等之狀態下提高機械物性或熔融加工性。
進而，為了對本發明中所使用之碳酸酯樹脂賦予柔軟性或熔融加工性，亦可使用添加可塑劑類而使樹脂之玻璃轉移溫度適度地降低之方法。作為可塑劑，只要為可使本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度降低者即可，可使用通常已知之具有長鏈烷基或芳基之化合物。
具體而言，可舉出：鄰苯二甲酸雙(2-乙基己酯)等鄰苯二甲酸酯，己二酸雙(2-乙基己酯)等己二酸酯，硬脂酸、硬脂酸鈣等脂肪酸，乙二醇二硬脂酸酯等脂肪酸酯，磷酸三甲苯酯、磷酸三(2-乙基己酯)等磷酸酯，脂肪醯胺，硬脂醇等高級醇，液體石蠟等。
又，低分子量聚合物亦可用作改質劑。具體而言，可舉出：苯乙烯寡聚物、聚羥基聚烯烴寡聚物(POLYTAIL，註冊商標)、萜酚樹脂等。
上述所舉出之各種改質劑若使用過量，則樹脂之透明性降低，或熔融加工時之揮發成分之量增加，而可能成為雜質之原因。另一方面，若過少，則變得無法獲得充分之改質效果。因此，相對於本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂，添加量較佳為0.1質量%以上、10質量%以下，進而較佳為0.2質量% 以上、5質量%以下，尤佳為0.3質量%以上、3質量%以下。
上述改質劑可於進行各種成形之前，利用滾筒、高速混合機、懸浮式混合機(Floater)、V型混合機、諾塔混合機(Nauta mixer)、班伯裏混合機(Banbury mixer)、擠出機等進行混合。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜重要的是進行熔融擠出成形而獲得，例如可使用T模成形法、充氣成形法等而製膜，尤佳為T模成形法。
通常，作為聚碳酸酯樹脂薄膜之製造方法，亦採用溶液流延法等。然而，該等使用有機溶劑之方法雖然可獲得均勻之厚度與表面平滑性優異之薄膜，但另一方面良率較低，必須進行已使用之有機溶劑之處理等，而存在關於生產性或環境負荷之課題。因此，較佳為藉由熔融擠出成形而製造。
例如，若為T模成形法，則將對上述聚碳酸酯樹脂與視需要之各種添加劑進行乾摻而成者、於上述聚碳酸酯樹脂中預先添加各種添加劑而製作之顆粒、對於上述聚碳酸酯樹脂中預先高濃度添加各種添加劑而製作之母料顆粒與上述聚碳酸酯樹脂進行乾摻而成者等通過給料器投入擠出機中，進行熔融混練，一面藉由T模成形為薄膜狀一面擠出。此時，擠出機或T模之設定溫度通常較佳為220℃以上、280℃以下，更佳為220℃以上、250℃以下。
又，擠出機之出口處之樹脂溫度較佳為300℃以下，更佳為280℃以下，尤佳為260℃以下。於樹脂溫度超過300℃ 之情形時，有促進聚碳酸酯樹脂之熱分解，分子量降低，或所獲得之薄膜產生由樹脂之發泡引起之缺陷等，而使薄膜之強度降低之虞。擠出機之出口處之樹脂溫度除上述擠出機或T模之設定溫度以外，亦可藉由螺桿之轉速或螺桿元件之構成、樹脂之處理量而控制。
於本發明中，上述擠出機之形態並無限定，可使用單軸擠出機或雙軸擠出機。其中，較佳為使用可藉由設置通風口，使用真空泵等進行減壓，而進行聚碳酸酯樹脂中之水分或殘存低分子成分之脫揮除去的雙軸擠出機。若使含有大量水分或殘存低分子之聚碳酸酯樹脂於高溫下熔融，則有導致分子量大幅度降低之虞，因此可藉由進行真空脫揮而抑制樹脂之分子量降低。
一面成形為薄膜狀一面擠出之樹脂與澆鑄輥接觸而冷卻，進而一面與後段之至少1個冷卻輥接觸而冷卻一面拉取，藉此可獲得本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜。再者，進而亦可使用觸摸輥(touch roll)或觸摸帶(touch belt)等，而使薄膜之表面平滑化。
此時，較佳為澆鑄輥、或觸摸輥之至少一者為金屬製鏡面輥，進而，對於該鏡面輥，較佳為依據JIS-B0601(2001年)測定之表面之最大高度Rz為0.3 μm以下。通常，若輥表面存在微小凹凸，則會使該凹凸轉印至製品薄膜上。於光學用途等要求尤高精度之薄膜厚度精度之用途中，此種轉印凹凸 無法忽視，因此作為輥表面之微小凹凸之大小之上限，較佳為上述範圍。
又，澆鑄輥之設定溫度相對於上述聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度(Tg)，較佳為Tg-50℃以上、Tg-5℃以下。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之厚度較佳為30 μm以上、300 μm以下。例如，於與顯示裝置組合時，只要可表現既定之光學特性，則越薄越可使製品厚度變薄，越可降低光源之強度。另一方面，為了保持易操作性，厚度較佳為30 μm以上。又，為了抑制製成卷層體時之捲繞褶皺，或不使全光線穿透率過度降低，厚度較佳為300 μm以下。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之吸水率較佳為大於1.0質量%且為2.0質量%以下，進而較佳為1.1質量%以上、1.5質量%以下。若吸水率大於1.0質量%，則將該薄膜與其他薄膜等貼合時，易自由地設計接著劑，可容易地確保接著性。另一方面，若吸水率為2.0質量%以下，則可確保高溫高濕環境下之光學特性之耐久性。
再者，吸水率係針對厚度100~400 μm之薄膜，依據JIS-K7209(2000年)中記載之「塑膠吸水率之求算方法」而測定。
為了使本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之吸水率為上述範圍，可較佳地例示將構成聚碳酸酯樹脂之二羥基化合物之組成比於本說明書中所記載之範圍內適當調整之方法 等。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之全光線穿透率較佳為85%以上，更佳為87%以上，尤佳為89%以上。若穿透率為上述範圍，則可獲得著色較少之薄膜，例如於與顯示裝置組合時，可實現較高之顯示品質。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之霧度較佳為2%以下，更佳為1.5%以下，尤佳為1%以下。若霧度為上述範圍，則可獲得透明性較高之薄膜，可較佳地用作光學用途構件。
本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之面內相位差Re之絕對值較佳為10 nm以下，更佳為8 nm以下，尤佳為6 nm以下。若面內相位差之絕對值為上述範圍，則可獲得光學異向性較小之素材薄膜，藉由將其於既定條件下延伸等，可獲得具有變動較少之所需面內相位差之相位差薄膜，可較佳地用作光學用途構件。
作為使本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜之全光線穿透率或霧度、面內相位差Re之絕對值為上述範圍之方法，可較佳地例示如下方法：將構成聚碳酸酯樹脂之二羥基化合物之組成比於本說明書中所記載之範圍內適當調整之方法；或於聚碳酸酯樹脂薄膜之製造步驟中於儘量不發生分子配向之條件下進行拉取之方法；使用鏡面輥之方法；將聚碳酸酯樹脂薄膜之厚度於本說明書中所記載之範圍內適當調整之方法等。
於使本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態下，基於JIS-K7125(1999年)測定之靜摩擦係數成為1.8以上。藉由靜摩擦係數為1.8以上，聚碳酸酯樹脂薄膜表面之平滑性突出，可將聚碳酸酯樹脂薄膜適宜地用作光學用途構件。但是，如下所述，於僅捲取此種聚碳酸酯樹脂薄膜而製造薄膜卷層體之情形時，有產生捲繞偏移或捲繞褶皺之虞。
作為將使聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態之基於JIS-K7125(1999年)測定之靜摩擦係數設為1.8以上之方法，可例示：於聚碳酸酯樹脂薄膜之製造步驟中使用鏡面輥之方法等。或者，由於靜摩擦係數不僅會影響表面之物理形狀，而且亦會影響使聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態下之化學親和性，故而亦可例示將構成本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂之二羥基化合物之組成比設定在本說明書中記載之範圍內之方法等。
<遮蔽薄膜>
本發明中所使用之遮蔽薄膜為於基材層之單面設置有黏著層者。即，遮蔽薄膜之黏著層側之面成為黏著面，位於其相反側之基材側之面成為非黏著面。
對於基材層，並無特別限定，可例示聚酯樹脂、聚烯烴樹脂等之薄膜。就與下述之適宜黏著層之化學親和性或遮蔽薄膜之生產性之觀點而言，其中，較佳為使用聚乙烯或聚丙烯 等聚烯烴樹脂之薄膜。
又，對於黏著層，亦無特別限定，可例示使用丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚合樹脂、改質聚烯烴樹脂等者。其中，使用加成有酸性官能基或鹼性官能基之改質聚烯烴樹脂者時，產生由外部氣體成分引起之製品污染、或將該遮蔽薄膜自本發明之積層薄膜剝離時之糊劑殘餘之擔憂較少，故而適宜。
本發明中所使用之遮蔽薄膜之製造方法並無特別限定，可舉出如下方法：將基材層與黏著層藉由共擠出而積層之共擠出法；於將基材層製膜之後於線內塗佈黏著層之澆鑄塗敷法；於將基材層與黏著層分別製膜之後使之熱融著而積層之熱壓法等。其中，就由殘留溶劑之揮發引起之製品污染之擔憂較少，或提高厚度精度之觀點而言，尤佳為共擠出法。
本發明中所使用之遮蔽薄膜之厚度可考慮易操作性、或本發明之薄膜積層體之剛性或韌性，而任意地選擇。其中，較佳為30 μm以上、70 μm以下。
本發明中所使用之遮蔽薄膜之黏著層之黏著力可以剝離強度之形式進行評價，該剝離強度係於本發明之薄膜積層體中，將上述遮蔽薄膜自上述聚碳酸酯樹脂薄膜剝離時依據JIS-Z0237(2009年)對切取為寬度10 mm之薄膜，於剝離角度180°、剝離速度100 mm/min下測得者。該剝離強度較佳為5 mN/10 mm以上、200 mN/10 mm以下。若剝離強度為 5 mN/10 mm以上，則於本發明之薄膜積層體及薄膜卷層體中，聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜於操作過程中不易剝離。又，若剝離強度為200 mN/10 mm以下，則聚碳酸酯樹脂薄膜不會產生剝離損傷或剝離痕跡而可充分保護。
<薄膜積層體>
本發明之薄膜積層體係將上述聚碳酸酯樹脂薄膜與上述遮蔽薄膜積層而成者。此時，以使上述遮蔽薄膜之黏著面靠近上述聚碳酸酯樹脂薄膜之單面之方式進行積層，藉此下述之本發明之薄膜卷層體成為於不對上述聚碳酸酯樹脂薄膜之表面實施消光加工或利用填料添加之凹凸賦予等之情況下為鏡面且無捲繞偏移或捲繞褶皺之均勻之薄膜卷層體。
本發明之薄膜積層體之製造方法並無特別限定，例如可較佳地例示如下方法：分別製作聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜之後不捲取而直接於線內積層之方法；或預先製作遮蔽薄膜並進行捲取，製成輥，而製作聚碳酸酯樹脂薄膜之後，將遮蔽薄膜自輥捲出並於線內進行積層之方法等。
如上所述，若使本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸，則潤滑性不足，因此於製成薄膜卷層體時，有產生捲繞偏移或捲繞褶皺之虞，於此情形時，基於JIS-K7125(1999年)測定之靜摩擦係數成為1.8以上。相對於此，於本發明之薄膜積層體中，於使上述聚碳酸酯樹脂薄膜與上述遮蔽薄膜之非黏著面面接觸之情形時，基於 JIS-K7125(1999年)測定之靜摩擦係數為0.01以上且未達1.8，較佳為0.02以上、1.4以下，尤佳為0.03以上、1.0以下。藉由靜摩擦係數為上述範圍內，於下述之本發明之薄膜卷層體中可防止捲繞偏移或捲繞褶皺。
於本發明之薄膜積層體中，於上述聚碳酸酯樹脂薄膜上積層上述遮蔽薄膜之前的聚碳酸酯樹脂薄膜表面之水滴接觸角θ0、與於上述聚碳酸酯樹脂薄膜上積層上述遮蔽薄膜並進而將上述遮蔽薄膜自上述聚碳酸酯樹脂薄膜剝離之後的聚碳酸酯樹脂薄膜表面之水滴接觸角θ1之差之絕對值| θ0-θ1 |較佳為20°以下。此處，「水滴接觸角」係依據JIS-K6768(1999年)測定之值。水滴接觸角θ0通常較佳為70°以上、85°以下之範圍，水滴接觸角θ1通常較佳為85°以上、100°以下之範圍。藉由| θ0-θ1 |為20°以下，即便於上述遮蔽薄膜之剝離後，對上述聚碳酸酯樹脂薄膜之表面之糊劑殘餘或損傷等亦非常少，而可維持表面之平滑性，因此可將聚碳酸酯樹脂薄膜適宜地用作光學用途構件。
作為使| θ0-θ1 |為20°以下之方法，可較佳地例示如下方法：將構成本發明中所使用之聚碳酸酯樹脂之二羥基化合物之組成比設為本說明書中所記載之範圍內之方法，或將本發明中所使用之遮蔽薄膜之黏著層之種類、剝離強度設為本說明書中所記載之範圍內之方法等。
<薄膜卷層體>
本發明之薄膜卷層體係將本發明之薄膜積層體捲取至圓筒形之卷芯上而製成輥狀者。更具體而言，可將上述聚碳酸酯樹脂薄膜與上述遮蔽薄膜積層，繼而於圓筒形之卷芯之周圍連續地捲取為輥狀而獲得。此時，於薄膜積層體之中，以使上述遮蔽薄膜時常露出至上述聚碳酸酯樹脂薄膜之外側之方式捲取，藉此可充分地保護上述聚碳酸酯樹脂，故而較佳。
製作本發明之薄膜卷層體時所使用之卷芯並無特別限定，可使用由紙、塑膠、纖維加強塑膠、金屬等製造之各種者，或對該等實施塗裝、橡膠被覆、薄膜捲繞等二次加工而成者等。
本發明之薄膜卷層體較佳為其側面端部之捲繞偏移寬度為4 mm以下。側面端部之捲繞偏移寬度更佳為2 mm以下，尤佳為1 mm以下。再者，所謂側面端部之捲繞偏移寬度，係指產生於輥狀之薄膜卷層體之側面的凹凸之最大寬度。若側面端部之捲繞偏移寬度為4 mm以下，則不易產生薄膜卷層體之輸送中因意外情況導致薄膜側面破損而使良率降低之不良情況，或將薄膜積層體自薄膜卷層體捲出並使用時捲出方向變得不穩定而使薄膜蛇行之不良情況。
製作本發明之薄膜卷層體時之薄膜寬度每1 m之捲取張力係根據聚碳酸酯樹脂薄膜之厚度或遮蔽薄膜之種類而適當設定者。尤其若捲取張力為80 N/m以上、200 N/m以下， 則不會產生捲繞偏移或捲繞鬆弛，故而較佳。又，若捲取張力為200 N/m以下，則亦不會產生捲繞褶皺。
[實施例]
為了更具體且詳細地說明本發明，以下例示實施例。但是，本發明並不受下述實施例之任何限定。
<評價方法>
聚碳酸酯樹脂及薄膜之評價係藉由以下方法而進行。
(1)玻璃轉移溫度(Tg)
依據JIS-K7121(1987年)，使用示差掃描熱量計(SII NanoTechnology公司製造，DSC220)，將聚碳酸酯樹脂約10 mg以20℃/min之升溫速度加熱並進行測定，求出將低溫側之基線向高溫側延長之直線、與於使玻璃轉移之階梯狀變化部分之曲線之斜率成為最大之點畫出之切線的交點之溫度、即外推玻璃轉移起始溫度，將其設為玻璃轉移溫度。
(2)有無脆性破壞
首先，對聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形，製作寬度200 mm以上、厚度100 μm之薄膜。自該薄膜之寬度方向之中央部附近，製作於薄膜之行進方向(MD)上長度為40 mm，於寬度方向(TD)上寬度為10 mm之長方形試片。
將老虎鉗之左右之接合面之間隔空開40 mm，將試片之兩端固定於接合面內。繼而，以2 mm/秒以下之速度使左右之接合面之間隔逐漸變窄，以不使薄膜露出至老虎鉗之接合面 以外之方式將彎折之薄膜整體於該接合面內逐漸壓縮。
接著，將直至接合面間完全密接為止試片於彎折部破裂為2片(或3片以上之破片)之情形設為「有破裂」，將即便接合面間完全密接但試片仍然未破裂而彎折之情形設為「無破裂」。
對同一種類之薄膜反覆實施5次試驗，其中，將4次以上成為「有破裂」者設為「×：有脆性破壞」，將3次以下成為「有破裂」者設為「○：無脆性破壞」。
(3)全光線穿透率、霧度之測定
依據JIS-K7136(2000年)、JIS-K7361-1(1997年)，使用測霧計(村上色彩研究所公司製造，HR-100)，測定聚碳酸酯樹脂薄膜之全光線穿透率與霧度。
對於全光線穿透率，將85%以上之情形設為○(良好)，將未達85%之情形設為×(不良)。對於霧度，將2%以下之情形設為○(良好)，將超過2%之情形設為×(不良)。
(4)面內相位差
使用相位差測定裝置(王子計測機器公司製造，KOBRA-WR)，於低相位差模式、自動選擇次數、平均測定次數5次之條件下測定相位差。測定薄膜係使剝離了遮蔽薄膜之側之面朝向地面側，使未貼合之側之面朝向天花板面側而裝填。將相位差之絕對值為10 nm以下之情形設為○(良好)，將超過10 nm之情形設為×(不良)。
(5)靜摩擦係數之測定
依據JIS-K7125(1999年)，使用摩擦係數測定器(Intesco公司製造)，測定聚碳酸酯樹脂薄膜之靜摩擦係數。於積層遮蔽薄膜之情形時，將聚碳酸酯樹脂薄膜之一面與遮蔽薄膜之非黏著面之靜摩擦係數記載於表1之靜摩擦係數之欄，於未積層遮蔽薄膜之情形時，將聚碳酸酯樹脂薄膜之表面與背面之靜摩擦係數記載於表1之靜摩擦係數之欄。
將藉由上述方法測得之靜摩擦係數未達1.8之情形設為○(良好)，將1.8以上之情形設為×(不良)。
(6)剝離強度之測定
以使遮蔽薄膜之黏著層側靠近聚碳酸酯樹脂薄膜之單面之方式進行積層後，依據JIS-Z0237(2009年)，對切取為寬度10 mm之薄膜，於剝離角度180°、剝離速度100 mm/min下測定剝離強度。
將剝離強度為5 mN/10 mm以上、200 mN/10 mm以下之情形設為○(良好)，將未達5 mN/10 mm或大於200 mN/10 mm之情形設為×(不良)。
(7)水滴接觸角之測定
針對上述(6)之試驗後之聚碳酸酯樹脂薄膜，依據JIS-K6768(1999年)，分別測定未積層遮蔽薄膜之面之水滴接觸角(θ0)、與積層並剝離之面之水滴接觸角(θ1)，算出| θ0-θ1 |。
將| θ0-θ1 |之值為20°以下之情形設為○(良好)，將大於20°之情形設為×(不良)。
<實施例> [實施例1]
分別將異山梨糖醇(以下，有時簡稱為「ISB」)1976.0質量份、9,9-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(以下，有時簡稱為「BHEPF」)4774.0質量份、平均分子量1000之聚乙二醇(以下，有時簡稱為「PEG#1000」)73.4質量份、碳酸二苯酯(以下，有時簡稱為「DPC」)5296.9質量份、及作為觸媒之乙酸鎂四水合物(5.0質量%水溶液)3.0質量份分別投入反應容器中，於氮氣環境下，作為反應之第1階段之步驟，將反應容器之熱媒溫度設為150℃，視需要一面進行攪拌一面使原料溶解(約15分鐘)。
繼而，使反應容器內之壓力自常壓變為13.3 kPa，一面使反應容器之熱媒溫度以1小時上升至190℃，一面將所產生之苯酚排出至反應容器外。使反應容器內溫度於190℃保持15分鐘後，作為第2階段之步驟，將反應容器內之壓力設為6.67 kPa，使反應容器之熱媒溫度以15分鐘上升至230℃，並將所產生之苯酚排出至反應容器外。由於攪拌機之攪拌轉矩逐漸上升，故而為了以8分鐘升溫至250℃，進而將所產生之苯酚除去，而將反應容器內之壓力減少至0.200 kPa以下。到達既定之攪拌轉矩之後，結束反應，將 所生成之反應物擠出至水中後，進行顆粒化，而獲得BHEPF/ISB/PEG#1000=44.5/55.2/0.3莫耳%之聚碳酸酯樹脂A。該聚碳酸酯樹脂A之玻璃轉移溫度為145℃。
將所獲得之聚碳酸酯樹脂A於80℃下真空乾燥5小時後，使用包含具備減壓脫揮口之雙軸擠出機(螺桿徑41 mm，氣缸設定溫度：250℃)、T模(設定溫度：250℃)、冷卻輥(鍍鉻之鏡面輥，表面之最大高度Rz=0.2 μm，設定溫度：70~120℃)、遮蔽薄膜貼合用之夾輥、及捲取機之薄膜製膜裝置，製作厚度100 μm之聚碳酸酯樹脂薄膜，於線內與遮蔽薄膜積層之後，將遮蔽薄膜1000 m以露出至外側之方式連續地於纖維加強塑膠製之卷芯上捲取為輥狀，而獲得薄膜卷層體。遮蔽薄膜係一面將Sun A.Kaken公司製造之「SUNYTECT，PAC-3-50THK」(基材層：低密度聚乙烯，黏著層：特殊聚烯烴，厚度：50 μm)自輥捲出一面使用。
[實施例2]
分別將BHEPF 571.1質量份、ISB 267.4質量份、二乙二醇(以下，有時簡稱為「DEG」)64.3質量份、DPC 808.7質量份、乙酸鎂四水合物8.02×10-3質量份投入反應器中，充分地進行氮氣置換(氧氣濃度：0.0005~0.001體積%)。繼而，利用熱媒進行加溫，於內溫變為100℃之時刻開始攪拌。開始升溫後，以40分鐘使內溫成為220℃，於內溫到達220℃之時刻，以保持該溫度之方式進行控制，同時開始 減壓，到達220℃後以90分鐘變為13.3 kPa(絕對壓力，以下相同)，一面保持該壓力，一面進而保持30分鐘。於聚合反應之同時副生成之苯酚蒸氣係導入100℃之回流冷卻器中，使苯酚蒸氣中所含之少許量之單體成分返回聚合反應器中，未冷凝之苯酚蒸氣繼續導入45℃之冷凝器中而回收。
將如此寡聚物化之內容物暫時恢復至大氣壓後，移至具備攪拌翼及控制為100℃之回流冷卻器之另一聚合反應裝置中，開始升溫及減壓，以50分鐘使內溫成為240℃，使壓力成為200 Pa。其後，歷時20分鐘使壓力成為133 Pa以下，於成為既定攪拌動力之時刻恢復壓力，以股線之形態抽出內容物，利用旋轉式切割器製成顆粒，而獲得BHEPF/ISB/DEG=60.5/31.5/8.0莫耳%之聚碳酸酯樹脂B。該碳酸酯樹脂B之對比黏度為0.425 L/g，玻璃轉移溫度為127℃。
針對所獲得之聚碳酸酯樹脂B，以與實施例1相同之方式獲得薄膜卷層體。
[實施例3]
於實施例2中，使用BHEPF 804.9質量份、雙酚A(以下，有時簡稱為「BPA」)132.3質量份、DPC 532.9質量份、及作為觸媒之乙酸鈣一水合物1.28×10-2質量份，並將最終聚合溫度設為260℃。除此以外，以與實施例2相同之方式進行，而獲得BHEPF/BPA=76.0/24.0莫耳%之聚碳酸酯樹脂C。該聚碳酸酯樹脂C之對比黏度為0.344 dL/g，玻璃轉移 溫度為149℃。
針對所獲得之聚碳酸酯樹脂C，以與實施例1相同之方式獲得薄膜卷層體。
[實施例4]
於實施例2中，使用BHEPF 868.4質量份、對苯二甲酸二甲酯(以下，有時簡稱為「DMT」)149.5質量份、DPC 284.7質量份、及作為觸媒之四丁醇鈦1.35×10-1質量份，並將最終聚合溫度設為250℃。除此以外，以與實施例2相同之方式進行，而獲得BHEPF/DMT=72.0/28.0莫耳%之聚酯碳酸酯樹脂D。該聚酯碳酸酯樹脂D之對比黏度為0.277 dL/g，玻璃轉移溫度為154℃。
針對所獲得之聚酯碳酸酯樹脂D，以與實施例1相同之方式獲得薄膜卷層體。
[實施例5]
於實施例1中，將遮蔽薄膜變更為Mitsui Chemicals Tohcello公司製造之「Puretect，VLH9」(基材層：聚烯烴混合物，黏著層：烯烴系特殊聚合物，厚度：30 μm)，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得薄膜卷層體。
[比較例1]
於實施例2中，使用9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀(雙甲酚茀，以下有時簡稱為「BCF」)322.0質量份、3,9-雙(1,1-二甲基-2-羥基乙基)-2,4,8,10-四氧雜螺-(5.5)-十一烷(螺二 醇，以下有時簡稱為「SPG」)604.3質量份、DPC 619.7質量份、及作為觸媒之乙酸鈣一水合物9.99×10-2質量份，並將最終聚合溫度設為260℃。此外，以與實施例2相同之方式進行，獲得BCF/SPG=30.0/70莫耳%之聚碳酸酯樹脂E。該聚碳酸酯樹脂E之對比黏度為0.499 dL/g，玻璃轉移溫度為135℃。
針對所獲得之聚碳酸酯樹脂E，設法以與實施例1相同之方式獲得薄膜卷層體，但發生脆性破壞，因此製作薄膜卷層體之過程中產生龜裂或損傷，而無法獲得薄膜卷層體。
[比較例2]
於實施例1中，設法於不貼合遮蔽薄膜之情況下僅捲取聚碳酸酯樹脂薄膜，但極難捲取，而無法獲得薄膜卷層體。
如上所述，例示本發明之構成之實施例藉由於不致脆性破 壞之聚碳酸酯樹脂薄膜上積層特定之遮蔽薄膜，可獲得薄膜積層體及薄膜卷層體。
另一方面，比較例1中係使用會脆性破壞之聚碳酸酯樹脂薄膜，因而即便積層特定之遮蔽薄膜，仍然無法獲得薄膜卷層體。比較例2中未積層特定之遮蔽薄膜，因而於設法獲得薄膜卷層體時過度地產生相互面接觸之聚碳酸酯樹脂薄膜彼此之摩擦，而無法獲得薄膜卷層體。
由上述實施例及比較例之結果顯示：根據本發明，可提供一種可用於光學用途構件，於捲繞時或修整時聚碳酸酯樹脂薄膜之表面或端部不會發生破裂，透明性與厚度精度優異之薄膜積層體及使用該薄膜積層體的無捲繞偏移或捲繞褶皺之均勻之薄膜卷層體。又，顯示可提供一種該薄膜卷層體之製造方法。
以上，聯繫被認為是目前最具實踐性且最佳之實施形態對本發明進行了說明，但本發明並不限定於本案說明書中揭示之實施形態，於不違背由申請專利範圍及說明書整體所領會之發明之主旨或思想之範圍內可進行適當變更，且應當理解伴有此種變更之薄膜積層體、薄膜卷層體、及薄膜卷層體之製造方法亦包含於本發明之技術範圍內。
本申請案係基於2011年7月28日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2011-165833)者，其內容作為參照而併入本文中。

Claims (14)

  1. 一種薄膜積層體，其係將對聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形而成之不致脆性破壞之聚碳酸酯樹脂薄膜、與具有基材層及黏著層之遮蔽薄膜(masking film)積層而成者，該聚碳酸酯樹脂係含有源自構造之一部分具有下述式(1)所表示之部位之二羥基化合物(a)之構造單位，其中，使上述聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態之靜摩擦係數為1.8以上，使上述聚碳酸酯樹脂薄膜之一面與上述遮蔽薄膜之非黏著面面接觸之狀態下之靜摩擦係數為0.01以上且未達1.8；
  2. 一種薄膜積層體，其係將對聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出成形而成的聚碳酸酯樹脂薄膜、與具有基材層及黏著層之遮蔽薄膜積層而成者，該聚碳酸酯樹脂係含有源自下述式(2)所表示之二羥基化合物(b)之構造單位，其中，使上述聚碳酸酯樹脂薄膜彼此面接觸之狀態之靜摩擦係數為1.8以上，使上述聚碳酸酯樹脂薄膜之一面與上述遮蔽薄膜之非黏著面面接觸之狀態下之靜摩擦係數為0.01以上且未達1.8； (上述式(2)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~20之烷基、經取代或未經取代之碳數6~20之環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~20之芳基，X表示經取代或未經取代之碳數2~10之伸烷基、經取代或未經取代之碳數6~20之伸環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~20之伸芳基，m及n分別獨立為1~5之整數)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之薄膜積層體，其中，上述聚碳酸酯樹脂薄膜之面內相位差之絕對值為10 nm以下。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之薄膜積層體，其中，上述聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度為110℃以上、160℃以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之薄膜積層體，其中，上述二羥基化合物(a)或上述二羥基化合物(b)為9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之薄膜積層體，其中，上述聚碳酸酯樹脂薄膜之厚度為30 μm以上、300 μm以下，全光線穿透率為85%以上，且霧度為2%以下。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之薄膜積層體，其中，於上述聚碳酸酯樹脂薄膜上積層上述遮蔽薄膜之前的聚碳酸酯樹脂薄膜表面之水滴接觸角θ0、與於上述聚碳酸酯樹脂薄膜上積層上述遮蔽薄膜並進而將上述遮蔽薄膜自上述聚碳酸酯樹脂薄膜剝離之後的聚碳酸酯樹脂薄膜表面之水滴接觸角θ1之差之絕對值| θ0-θ1 |，為20°以下。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之薄膜積層體，其中，上述遮蔽薄膜之依據JIS-Z0237(2009年)之對上述聚碳酸酯樹脂薄膜之剝離強度為5 mN/10 mm以上、200 mN/10 mm以下。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之薄膜積層體，其中，上述遮蔽薄膜之上述基材層係由聚烯烴樹脂所構成。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之薄膜積層體，其中，上述遮蔽薄膜之上述黏著層係由改質聚烯烴樹脂所構成。
  11. 一種薄膜卷層體，其係將申請專利範圍第1至10項中任一項之薄膜積層體捲取至圓筒形之卷芯上而製成輥狀。
  12. 如申請專利範圍第11項之薄膜卷層體，其中，上述薄膜卷層體之側面端部之捲繞偏移寬度為4 mm以下。
  13. 一種薄膜卷層體之製造方法，其係製造申請專利範圍第11或12項之薄膜卷層體之方法，其中包括：對上述聚碳酸酯樹脂進行熔融擠出，並使用表面之最大高 度Rz為0.3 μm以下之金屬製鏡面輥一面冷卻一面拉取而製作聚碳酸酯樹脂薄膜之步驟；藉由將所製作之上述聚碳酸酯樹脂薄膜與遮蔽薄膜積層，而製作薄膜積層體之步驟；及將所製作之上述薄膜積層體於圓筒形之卷芯上捲取為輥狀之步驟。
  14. 如申請專利範圍第13項之製造方法，其中，於將上述薄膜積層體於圓筒形之卷芯上捲取為輥狀之步驟中，將薄膜寬度每1 m之捲取張力設為80 N/m以上、200 N/m以下。
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