TW201300962A

TW201300962A - 描繪裝置及描繪方法

Info

Publication number: TW201300962A
Application number: TW101107323A
Authority: TW
Inventors: Takayuki Nishikawa
Original assignee: Dainippon Screen Mfg
Priority date: 2011-06-21
Filing date: 2012-03-05
Publication date: 2013-01-01
Also published as: JP2013003534A; KR20120140601A

Abstract

本發明係關於一種描繪裝置，其確實排除由空間光調變器予以反射之無助於描繪之光對周邊構件賦予之熱影響而擔保較高的描繪精度。光學單元之拾取頭部具備空間光調變器，其使自雷射振盪器出射之光空間調變，而使有助於圖案的描繪之必要光L1與無助於圖案的描繪之無用光L0於互不相同之方向反射。光學單元進而具備：第2遮斷板232，其使必要光L1通過並遮斷無用光L0；及冷卻部，其冷卻第2遮斷板232。於第2遮斷板232之包含無用光L0的入射區域之對象區域部分，形成使所入射之光漫反射之漫反射面42。

Description

描繪裝置及描繪方法

本發明係關於一種藉由對於半導體基板、平板顯示器用玻璃基板、光碟用基板、太陽電池用面板等之各種基板(以下，僅稱為「基板」)照射以光，而將圖案直接曝光於基板表面之技術。

眾所周知之曝光裝置係於塗佈於基板上之感光材料形成電路等之圖案時，使用光源與光罩將該感光材料以平面狀進行曝光。相對於此，近年來，不使用光罩，而藉由因應CAD資料等進行調變之光束將基板上的感光材料進行掃描，而將圖案直接曝光於該感光材料之描繪裝置尤為引人注目。描繪裝置具備用以將朝向感光材料之光束以像素單位進行開啟/關閉調變之空間光調變器。在反射型空間光調變器中，係藉由表現曝光圖案之控制信號以像素單位切換開啟狀態與關閉狀態，該開啟狀態係將自光源供給之光束反射並賦予至基板上，該關閉狀態係使光束朝向與開啟狀態不同之方向反射。

然而，在描繪裝置中會要求較高的描繪精度。亦即，會要求可將由空間光調變器予以調變之光束高精度地照射於感光材料上的目標位置之功能。

作為使描繪精度下降之要因之一，可舉的是伴隨發熱之構件的變形。例如，存在當驅動空間光調變器時，會導致其發熱，受該熱影響會使支持空間光調變器之構件產生變形，伴隨之使空間光調變器的姿勢產生偏離，而由此對描繪精度帶來不良影響之虞。在該點中，於專利文獻1中揭示有一種於空間光調變器的附近配置放熱構件，而降低空間光調變的發熱對周邊構件所帶來的熱影響之構成。

又，存在例如由空間光調變器反射之對描繪無貢獻之光(亦即，來自關閉狀態的空間光調變器之反射光)若入射至配置於光學拾取頭內之構件上，則會導致該構件因該熱影響而產生變形之可能性。例如，存在若收納支持配置於光學拾取頭內之透鏡等之光學零件之構件產生變形，則會使光學零件的姿勢產生偏離，藉此會使描繪精度惡化之虞。在該點中，於專利文獻2中提案有一種方法，其係藉由將對描繪無貢獻之光經由鏡面而引導至放熱構件，而降低對描繪無貢獻之光對周邊構件所帶來之熱影響。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2005-331717號公報

[專利文獻2]日本特開2004-301914號公報

然而，由描繪裝置使用之光束存在有近年來越高能量化之趨勢。因此，由空間光調變器予以反射之對描繪無貢獻之光對周邊構件賦予之熱影響亦增大。另一方面，描繪裝置所謀求之描繪精度年年升高，而變成周邊構件即使稍微的熱變形亦不被容許之狀況。

如專利文獻2，在將由空間光調變器予以反射之對描繪無貢獻之光經由鏡面而引導至放熱構件並於此處進行放熱之構成中，存在應用高能量的光束之情形下，不會有可充分抑制周邊構件的熱變形之保證，且無法擔保所要求之較高之位準的描繪精度之虞。

本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種可確實排除由空間光調變器予以反射之無助於描繪之光對周邊構件賦予之熱影響而擔保較高的描繪精度之技術。

第1態様係自光學單元對基板照射光，而對前述基板描繪圖案之描繪裝置；其中前述光學單元具備：光源；空間光調變部，其將來自前述光源之光進行空間調變，而使有助於圖案的描繪之必要光、與無助於圖案的描繪之無用光於互不相同之方向反射；遮斷板，其配置於前述空間光調變部與基板之間，使前述必要光通過並遮斷前述無用光；冷卻部，其冷卻前述遮斷板；及漫反射面，其形成於前述遮斷板之包含前述無用光的入射區域之對象區域部分，使所入射之光漫反射。

第2態様係如第1態様之描繪裝置，其中前述漫反射面係藉由將前述遮斷板之前述對象區域部分設為凹凸形狀而形成。

第3態様係如第1態様之描繪裝置，其中前述光學單元具備於上表面形成有凹凸形狀之漫反射構件，前述漫反射面係藉由於前述遮斷板之前述對象區域部分載置前述漫反射構件而形成。

第4態様係如第3態様之描繪裝置，其中前述漫反射構件係藉由熱傳導性高於前述遮斷板之構件而形成。

第5態様係如第2至第4中任一者之態様之描繪裝置，其中前述凹凸形狀係於晶格點上排列有複數個凸部之形狀，前述無用光係光束剖面具有一定的寬度之線狀的線狀光束，入射至前述漫反射面之前述無用光的寬度方向與前述複數個凸部的晶格方向為非平行。

第6態様係如第1至第5中任一者之態様之描繪裝置，其中具備蓋構件，其配置於前述遮斷板與對象構件之間，且以使由前述漫反射面予以漫反射之光不會入射至前述對象構件之方式遮蔽，上述對象構件係配置於前述遮斷板與前述空間光調變部之間。

第7態様係對基板照射光，而對前述基板描繪圖案之描繪方法，且具備以下步驟：(a)將自光源出射之光由空間光調變部進行空間調變，而使有助於圖案的描繪之必要光與無助於圖案的描繪之無用光於互不相同之方向反射；(b)由配置於前述空間光調變部與基板之間之遮斷板使前述必要光通過並遮斷前述無用光；(c)冷卻前述遮斷板；且在前述(b)步驟中，由前述遮斷板吸收前述無用光的一部分，且使剩餘之光由形成於前述遮斷板之包含前述無用光的入射區域之對象區域部分之漫反射面予以漫反射。

第8態様係如第7態様之描繪方法，其中前述漫反射面係藉由將前述遮斷板之前述對象區域部分設為凹凸形狀而形成。

第9態様係如第7態様之描繪方法，其中前述漫反射面係藉由於前述遮斷板之前述對象區域部分載置漫反射構件而形成，該漫反射構件於上表面形成有凹凸形狀。

第10態様係如第9態様之描繪方法，其中前述漫反射構件係藉由熱傳導性高於前述遮斷板之構件而形成。

第11態様係如第8至第10中任一者之態様之描繪方法，其中前述凹凸形狀係於晶格點上排列有複數個凸部之形狀，前述無用光係光束剖面具有一定的寬度之線狀的線狀光束，入射至前述漫反射面之前述無用光的寬度方向與前述複數個凸部的晶格方向為非平行。

第12態様係如第7至第11中任一者之態様之描繪方法，其中具備步驟(d)，其係在前述(b)步驟中，以使由前述漫反射面予以漫反射之無用光不會入射至配置於前述漫反射面與前述空間光調變部之間之對象構件之方式遮蔽。

根據第1、第7態様，由空間光調變部反射之對描繪無貢獻之無用光的一部分係被遮斷板吸收，而藉由冷卻抑制伴隨其之遮斷板的溫度上升。另一方面，未被遮斷板吸收之剩餘的光係藉由以漫反射面予以漫反射而減弱。因而，可將無用光對周邊構件賦予之熱影響確實地排除而擔保較高的描繪精度。

根據第2、第8態様，由於漫反射面係藉由使遮斷板之對象區域部分設為凹凸形狀而形成，因此藉由冷卻遮斷板亦可抑制漫反射面的升溫。

根據第3、第9態様，由於漫反射面係藉由與遮斷板分別形成之漫反射構件形成，因此可將漫反射構件與遮斷板獨立地交換。

根據第4、第10態様，由於漫反射構件係藉由熱傳導性高於遮斷板之構件形成，因此可抑制漫反射構件的升溫。

根據第5、第11態様，在漫反射面上，複數個凸部係沿與無用光的延伸方向非平行之方向進行排列。根據該構成，可於漫反射面使無用光確實地漫反射。

根據第6、第12態様，由漫反射面予以漫反射之光會不易入射至配置於漫反射面與空間光調變部之間之對象構件。因而，可確實地排除無用光對對象構件賦予之微小的熱影響。

以下，一面參照附圖一面就本發明之實施形態進行說明。以下之實施形態係將本發明具體化之一例，其並不限定本發明之技術範圍。

<I、第1實施形態> <1、裝置構成>

一面參照圖1、圖2一面就描繪裝置1的構成進行說明。圖1係顯示描繪裝置1的構成之模式側面圖。圖2係顯示描繪裝置1的構成之模式腑視圖。

描繪裝置1係對形成有光阻膜等之感光材料之層之基板W的上表面照射光，而將圖案進行曝光之裝置。另，基板 W亦可是半導體底板、印刷基板、彩色濾光器用基板、液晶顯示裝置或電漿顯示裝置所具備之平板顯示器用玻璃基板、光碟用基板等之各種基板中之任一者。圖中，係顯示圓形的半導體基板。

描繪裝置1成為於藉由於以本體框架101構成之骨架的天花板面及周圍面安裝蓋板(省略圖示)而形成之本體內部與作為本體框架101的外側之本體外部配置各種構成要素之構成。

描繪裝置1的本體內部區分為處理區域102與交接區域103。於處理區域102主要配置平台11、平台移動機構12、平台位置測量部13、2個光學單元14、14及對準單元15。於交接區域103配置進行相對於處理區域102之基板W的搬入搬出之搬送裝置16。

於描繪裝置1的本體外部配置照明單元17，其對對準單元15供給照明光。又，於本體配置控制部18，其電性連接於描繪裝置1具備之各部分，而控制該等各部分的動作。又，於係為描繪裝置1的本體外部且與交接區域103鄰接之位置配置用以載置晶匣C之晶匣載置部19。配置於交接區域103之搬送裝置16可將收納於載置於晶匣載置部19之晶匣C中之未處理的基板W取出而搬入至處理區域102，且自處理區域102將處理完成之基板W搬出而收納於晶匣C中。相對於晶匣載置部19之晶匣C的交接係藉由外部搬送裝置(省略圖示)而進行。

以下，茲就配置於處理區域102之各部分11~15的構成進行說明。

<平台11>

平台11具有平板狀的外形，且其係於其上表面以水平姿勢載置基板W而予以保持之保持部。於平台11的上表面形成有複數個吸引孔(省略圖示)，藉由於該吸引孔形成負壓(吸引壓力)，以致可將載置於平台11上之基板W固定保持於平台11的上表面。

<平台移動機構12>

平台移動機構12係使平台11在主掃描方向(Y軸方向)、副掃描方向(X軸方向)及旋轉方向(Z軸周圍的旋轉方向(θ軸方向))上進行移動之機構。平台移動機構12具備：使平台11旋轉之旋轉機構121、及介隔旋轉機構121支持平台11之支持板122。再者，平台移動機構12具備：使支持板122在副掃描方向上移動之副掃描機構123、及介隔副掃描機構123支持支持板122之底板124。再者，平台移動機構12具備使底板124在主掃描方向上移動之主掃描機構125。

旋轉機構121係於支持板122上將垂直於基板W的上表面之旋轉軸作為中心而使平台11旋轉。

副掃描機構123具有線性馬達123a，其係由安裝於支持板122的下表面之移動件與敷設於底板124的上表面之固定件構成。又，於支持板122與底板124之間設置有在副掃描方向上延伸之一對導向部123b。因此，當使線性馬達123a進行動作時，則可沿底板124上的導向部123b使支持板122在副掃描方向上移動。

主掃描機構125具有線性馬達125a，其係由安裝於底板124的下表面之移動件與敷設於描繪裝置1的基台106上之固定件構成。又，於底板124與基台106之間設置有在主掃描方向上延伸之一對導向部125b。因此，當使線性馬達125a進行動作時，則可沿基台106上的導向部125b使底板124在主掃描方向上移動。

<平台位置測量部13>

平台位置測量部13係測量平台11的位置之機構。平台位置測量部13可朝向例如固設於平台11上之平面反射鏡130照射以雷射光，並利用該反射光與出射光之干涉，而藉由測量平台11的位置之機構構成。在該情形下，平台位置測量部13例如具備：出射雷射光之出射部131、分光鏡132、彎樑機133、第1干渉計134及第2干渉計135。

自出射部131出射之雷射光首先入射至分光鏡132，並分支為朝向彎樑機133之第1分支光、與朝向第2干渉計135之第2分支光。第1分支光係藉由彎樑機133進行反射，而入射至第1干渉計134，且自第1干渉計134照射至平面反射鏡130的第1部位。而後，由第1部位予以反射之第1分支光會再次朝向第1干渉計134入射。第1干渉計134係基於朝向平面反射鏡130的第1部位之第1分支光與由第1部位予以反射之第1分支光之干渉而測量與第1部位的位置對應之位置參數。第1干渉計134所獲得之位置參數係輸送至控制部18，而控制部18會基於該傳送之各位置參數，特定平台11的Y位置。

另一方面，第2分支光係入射至第2干渉計135，且自第2干渉計135照射至平面反射鏡130的第2部位(惟，第2部位係與第1部位不同之位置)。而後，由第2部位予以反射之第2分支光會再次朝第2干渉計135入射。第2干渉計135係基於朝向平面反射鏡130的第2部位之第2分支光與由第2部位予以反射之第2分支光之干渉而測量與第2部位的位置對應之位置參數。第2干渉計135所獲得之位置參數係輸送至控制部18，而控制部18會基於該傳送之位置參數與自第1干渉計134所獲得之位置參數，特定平台11的θ位置。

<光學單元14>

光學單元14係用以對保持於平台11上之基板W的上表面照射光而進行曝光之機構。如上述，描繪裝置1具備2個光學單元14、14。一方之光學單元14擔負基板W的+X側1/2的曝光，另一方之光學單元14擔負基板W的-X側1/2的曝光。該等2個光學單元14、14係於框架107隔以間隔而固設，上述框架107係以跨平台11及平台移動機構12之方式架設於基台106上。另，2個光學單元14、14的間隔未必需要固定為一定，亦可設置可變更光學單元14、14之一方或是雙方的位置之機構而調整兩者的間隔。

2個光學單元14、14之任一者皆具備相同構成。亦即，各光學單元14皆具備：雷射驅動部141，其配置於形成頂板之盒的內部；雷射振盪器142；照明光學系統143；及拾取頭部144，其收納於安裝於框架107的+Y側之附設盒的內部之。

雷射振盪器142係接受來自雷射驅動部141之驅動，而自輸出鏡(省略圖示)出射雷射光。照明光學系統143會將自雷射振盪器142出射之光(點束)設為強度分佈均勻的線狀之光(光束剖面為線狀之光之線狀光束)。自雷射振盪器142出射，且由照明光學系統143設為線狀光束之光係入射至拾取頭部144，並於此處施以後述之因應圖案資料之空間調變之後照射於基板W。關於拾取頭部144的構成將容後進行說明。

<對準單元15>

對準單元15係攝像形成於基板W的上表面之對準標記。對準單元15具備：鏡筒、物鏡及例如藉由區域影像感測器(二維影像感測器)所構成之CCD影像感測器(任一者皆省略圖示)。

對準單元15係與自照明單元17延伸之光纖170連接。自照明單元17出射之光係藉由光纖170傳導至鏡筒，並經由鏡筒傳導至基板W的上表面。而後，該反射光係經由物鏡而由CCD影像感測器進行受光。藉此，會獲得基板W的上表面之攝像資料。CCD影像感測器係因應來自控制部18之指示而獲得攝像資料，且將所獲得之攝像資料傳送至控制部18。另，對準單元15亦可進而具備可自動調焦之自動調焦單元。

<控制部18>

控制部18係電性連接於描繪裝置1具備之各部分11~17，並在執行各種運算處理之下控制各部分11~17的動作。控制部18係由電腦構成，該電腦具備：例如進行各種運算處理之CPU；記憶引導程式等之ROM；成為運算處理的作業區域之RAM；記憶程式或各種資料檔案等之記憶部(例如硬碟)；由進行各種顯示之顯示器、鍵盤及滑鼠等所構成之輸入部；經過LAN等之具有資料通信功能之資料通信部等；且其係根據安裝於電腦中之程式，藉由使電腦進行動作，而使該電腦作為描繪裝置1的控制部18發揮功能。由控制部18予以實現之各功能部既可藉由利用電腦執行程式而予以實現，亦可利用專用的硬體而予以實現。

於控制部18具備之記憶部存儲有記述用以對基板W進行曝光之圖案之資料(圖案資料)。圖案資料係例如將利用CAD所生成之CAD資料進行光柵處理之資料，且其係表現電路圖案等。控制部18係在相對於基板W之一連串處理之前獲得圖案資料而存儲於記憶部。另，圖案資料之獲得既可是例如藉由自經由網絡等而連接之外部終端裝置進行接收而進行，亦可是藉由自記錄媒體讀取而進行。

<2、拾取頭部144>

茲就光學單元14具備之拾取頭部144的構成，一面參照圖3一面進行說明。圖3係顯示拾取頭部144的構成之模式圖。

拾取頭部144主要具備：空間光調變部21、光路修正部22、投影光學系統23。

<2-1、空間光調變部21>

自雷射振盪器142(圖1)出射，並由照明光學系統143(圖 1)設為線狀光束之光係入射至拾取頭部144，並經由鏡面20而以規定之角度入射至空間光調變部21。空間光調變部21係將該入射光進行空間調變，而使有助於圖案的描繪之必要光與對圖案的描繪無貢獻之無用光反射於彼此不同之方向。惟，所謂「使光進行空間調變」具體而言係意指使光的空間分佈(振幅、相位及偏光等)產生變化。

空間光調變部21具體而言具備藉由電性控制而使入射光進行空間調變之空間光調變器3。空間光調變器3係使其反射面的法線相對於經由鏡面20而入射之入射光的光軸進行傾斜而配置，並使該入射光基於控制部18的控制而進行空間調變。

茲就空間光調變器3的構成一面參照圖4~圖6一面詳細地進行說明。圖4係顯示空間光調變器3的構成例之模式圖。空間光調變器3係利用例如繞射晶格型之空間調變器(例如、GLV(Grating Light Valve：光柵、光、閥)(Silicon Light Machines(San Jose、California)的註冊商標)等而構成。繞射晶格型之空間調變器係可變更晶格的深度之繞射晶格，其係利用例如半導體裝置製造技術而製造者。

空間光調變器3係於基板300上具備複數個可動帶狀物301與複數個固定帶狀物302將其長邊方向設為彼此平行，而各自交替地排列之構成。另，沿各帶狀物301、302的短邊方向之寬度既可設為大致相同，亦可考量對比度或反射率，而設為稍微不同者。

此處，若將彼此鄰接之可動帶狀物301與固定帶狀物302 作為「帶狀物對303」，則包含彼此鄰接之3個以上(在該實施形態中為4個)的帶狀物對303之帶狀物對集合304可對應於所描繪之圖案中之1個像素(像素單位)。亦即，1個帶狀物對集合304係構成對應於1個像素之空間光調變元件31。亦即，空間光調變器3係成為以一維排列複數個空間光調變元件31之構成。另，在藉由空間光調變器3分割，而調變為各者之後，通過後述之投影光學系統23縮小投影於曝光面之描繪光的像素尺寸係例如「約2.5 μm(微米)」。亦即，在該情形下，空間光調變器3會將入射光以「約2.5 μm(微米)」之單位(描繪解析度)進行空間調變。

茲就空間光調變元件31的構成，一面參照圖5、圖6一面更詳細地進行說明。各帶狀物301、302的表面形成帶狀的反射面。固定帶狀物302係介以隔片(省略圖示)而配設於基板300上，並固定於自基板300僅間隔一定的距離之位置。因而，固定帶狀物302的表面係以與基板300的表面(以下，稱為「基準面300f」)平行之姿勢形成對基準面300f固定之固定反射面302f。

另一方面，可動帶狀物301可在與固定帶狀物302相同之位置(亦即，自基板300僅間隔一定的距離之位置)(參照圖5)以及降低至基準面300f之側之位置(參照圖6)之間移動。因而，可動帶狀物301的表面會形成可在維持與基準面300f平行的姿勢之下相對於基準面300f移動之可動反射面301f。

空間光調變元件31的動作係由在可動帶狀物301與基板 300之間施加之電壓的開啟/關閉予以控制。

亦即，在電壓關閉之狀態下，可動帶狀物301係位於其與基準面300f之間隔距離與固定帶狀物302相等之位置，且可動反射面301f與固定反射面302f成為齊平面(圖5所示之狀態)。亦即，在電壓關閉之狀態下，空間光調變元件31的表面成為平面。在該狀態下，若光入射至空間光調變元件31，則該入射光L不會進行繞射而是進行正反射。藉此，可產生正反射光(0次繞射光)L1。

另一方面，在電壓開啟之狀態下，可動帶狀物301係位於降低至基準面300f之側之位置，且會成為可動反射面301f相較於固定反射面302f降低至基準面300f之側之狀態(圖6所示之狀態)。亦即，在電壓開啟之狀態下，於空間光調變元件31的表面形成複數個週期性排列之平行的凹槽。在該狀態下，若光入射至空間光調變元件31，則於由可動反射面301f反射之反射光與由固定反射面302f反射之反射光之間會產生光路差。惟在空間光調變元件31中，如以下說明，該光路差(以下以「d」表示)成為「d=(n+1/2)λ(其中，λ係入射光L的波長，n可取任意之整數值)」。因而，正反射光(0次繞射光)會相互抵消而消失，而產生其他次數之繞射光(±1次繞射光、±2次繞射光及更高次之繞射光)L0。更正確而言，0次繞射光的強度變成最小，其他次數之繞射光的強度變成最大。

另，上述中，雖在電壓關閉之時形成可動帶狀物301與固定帶狀物302成為相等之位置(自基準面300f僅間隔相等之距離之位置，且為產生0次繞射光之位置)之狀態，但電壓與各帶狀物301、302之位置之關係未必限定於此，亦可是以在任意之電壓時成為相等之位置(產生0次繞射光之位置)，而在其他電壓時成為產生0次以外之次數的繞射光之位置之方式構成。

光路差d係利用電壓開啟之狀態之可動反射面301f與固定反射面302f之間隔距離Df、入射光L的波長λ及入射光L的入射角α而由(式1)規定。惟，「入射光L的入射角α」係指入射光L的光軸與反射面301f、302f的法線方向所形成之角度。

d=2Df．cosα………(式1)

亦即，在空間光調變元件31中，間隔距離Df及入射光L的入射角α係調整為滿足(式2)的關係之值。

(n+1/2)λ=2Df．cosα………(式2)

例如，在意欲將光路差d設為「d=(7/2)λ」之情形下，間隔距離Df係設為「(7/4)λ/cosα」。

惟，入射至空間光調變元件31之入射光L的光軸係相對於反射面301f、302f的法線方向僅傾斜角度α，且與帶狀物301、302的排列方向(亦即，與各帶狀物301、302的長邊方向正交之方向)垂直。此處，入射光L係在相對於垂直於光軸及帶狀物301、302的排列方向之方向稍微集光之下，而相對於排列方向成為平行的狀態。亦即，入射光L係成為光束剖面在排列方向上為較長的線狀之光。

再次參照圖4。空間光調變器3具備驅動電路單元32，其可相對於複數個空間光調變元件31之各者獨立地施加電壓。

驅動電路單元32係與控制部18連接，並因應來自控制部18之指示，而對於所指示之空間光調變元件31施加電壓。如上述，各空間光調變元件31的表面狀態係因應自驅動電路單元32施加之電壓(以下稱為「輸入電壓」)，而在出射0次繞射光L1之狀態(圖5所示之狀態)與出射0次以外之次數的繞射光(±1次繞射光、±2次繞射光及更高次之繞射光)L0之狀態(圖6所示之狀態)之間切換。

<2-2、光路修正部22>

再次參照圖3。光路修正部22使由空間光調變部21予以調變之光的路徑沿副掃描方向稍微位移。控制部18係藉由因應需要而使光的路徑位移至光路修正部22，而將照射於基板W之光的位置沿副掃描方向進行微調整。

光路修正部22可由例如2個楔形稜鏡(可藉由具備非平行的光學面而變更入射光的光路之稜鏡)221、222與使一方之楔形稜鏡222相對於另一方之楔形稜鏡221，而沿入射光的光軸方向(Z軸方向)直線性移動之楔形稜鏡移動機構223而予以實現。在該構成中，一方之楔形稜鏡222與另一方之楔形稜鏡221之間隔距離愈大(或愈小)，愈會使入射光的路徑位移愈大。因而，藉由控制楔形稜鏡移動機構223，而調整2個楔形稜鏡221、222間的間隔距離，可使入射光僅位移必要之量。

<2-3、投影光學系統23>

由光路修正部22進行空間調變之光係如上述，包含：0次繞射光L1、及0次以外之次數的繞射光(具體而言，係±1次繞射光、±2次繞射光及比較微量的±3次以上的高次繞射光)L0，該等係沿彼此不同之方向出射。亦即，0次繞射光L1係沿Z軸而於-Z方向上出射(參照圖7)。又，除此以外之繞射光L0係沿自Z軸朝±X方向稍微傾斜之軸而於-Z方向上出射(參照圖7)。惟，繞射光係次數愈高愈會於相對於Z軸而以較大之角度傾斜之方向上出射。此處，0次繞射光L1係有助於圖案的描繪之光(以下亦稱為「必要光L1」)，除此以外之繞射光L0係對圖案的描繪無貢獻之光(以下亦稱為「無用光L0」)。投影光學系統23係將無用光L0遮斷，且僅使必要光L1引導至基板W的表面，而於該表面上進行成像。

投影光學系統23具體而言具備2片遮斷板231、232及複數個光學零件233~238。各遮斷板231、232係可上下移動地以單側支持狀態支持於延伸在Z方向上之支持軸200上。又，各光學零件233~238在收納構件201(例如、透鏡托架)內係以特定姿勢收納之狀態受支持，該收納構件201係以單側支持狀態支持於支持軸200上。惟，於各收納構件201在上表面及下表面形成有例如窗，以不妨礙通過收納於內部之光學零件之光的進行。

各遮斷板231、232係在使所入射之光的一部分通過之下將剩餘之光遮斷之構件，其係藉由不會使光透射之構件形成，且藉由形成有僅使一部分的光通過之貫通孔(例如，圓形的貫通孔)之板狀構件構成。各遮斷板231、232係以使必要光L1通過該貫通孔的中心附近之方式配置。

在2片遮斷板231、232中，配置於+Z側之遮斷板(第1遮斷板)231可將包含於無用光L0中之高次繞射光(其係±2次以上的繞射光，主要是±3次以上的繞射光)遮斷。亦即，第1遮斷板231可使包含於入射光之光中之低次繞射光經由貫通孔通過，且可將高次繞射光遮斷。

另一方面，配置於第1遮斷板231的-Z側之遮斷板(第2遮斷板)232可使通過第1遮斷板231之低次繞射光中之0次繞射光(必要光)L1經由貫通孔2320通過，且可將除此以外之光(亦即，未由第1遮斷板231遮斷之無用光(主要是±1次繞射光及±2次繞射光))L0遮斷。

在投影光學系統23具備之各光學零件233~238中，例如配置於第1遮斷板231與第2遮斷板232之間之透鏡234與透鏡235擔負作為擴大(或縮小)入射光的寬度之縮放部之功能。又，配置於構成縮放部之各透鏡234、235與第2遮斷板232之間之透鏡236擔負作為使0次繞射光以外的繞射光折射之折射透鏡之功能(參照圖7)。又，配置於第2遮斷板232的-Z側之透鏡238擔負使入射光為規定之倍率在基板W上成像之物鏡之功能。另，在投影光學系統23中，既可在上述態様中追加1個以上的光學零件，亦可自上述態様中省略1個以上的光學零件。

<2-4、無用光L0的遮斷之相關構成>

如上述，拾取頭部144具備第2遮斷板232，其在通過第1 遮斷板231之光中，使必要光L1通過之下，將無用光L0(主要是±1次繞射光及±2次繞射光)遮斷。此處，該遮斷之無用光L0具有與必要光L1相同程度之較大的光能量。因而，存在因此處所遮斷之無用光L0的光能量而使配置於周邊之構件受到熱影響之虞。

是以，拾取頭部144作為用以將該熱影響排除之構成，具備冷卻部41及漫反射面42。茲就該等各部分41、42的構成一面參照圖7、圖8一面進行說明。圖7係顯示拾取頭部144的一部分之模式側剖面圖。圖8係將第2遮斷板232自上面側觀看之腑視圖。

<冷卻部41>

冷卻部41係冷卻第2遮斷板232之機構。冷卻部41可由例如以蜿蜒狀態埋設於第2遮斷板232的內部之冷卻管路411、及使冷卻水CL於冷卻管路411內進行循環移動之機構而予以實現。

入射至第2遮斷板232的上表面之無用光L0的一部分係藉由第2遮斷板232吸收。然後，第2遮斷板232在藉由所吸收之無用光L0的光能量進行發熱之時，冷卻部41冷卻第2遮斷板232，藉此抑制第2遮斷板232的升溫。

<漫反射面42>

然而，可判明的是，即便藉由冷卻部41適切地抑制第2遮斷板232的升溫，仍然會對第2遮斷板232的周邊零件(特別是配置於第2遮斷板232的+Z側之零件)帶來熱影響。發明人考察其原因發現：無用光L0的一部分並未被第2遮斷板232吸收而是在其上表面被反射，該反射光會對周邊零件賦予熱影響。例如，即便將第2遮斷板232的上表面形成為塗黑狀，亦會導致無用光L0的一部分仍然未被第2遮斷板232吸收，而是在其上表面被反射，導致對周邊零件帶來熱影響。

是以，發明人確認到於第2遮斷板232之包含無用光L0的入射區域之區域部分(以下稱為「對象區域部分」)形成使入射光進行漫反射(拡散反射)之漫反射面42，則僅利用第2遮斷板232的冷卻即可確實地排除未排除完之熱影響。亦即，在該構成中，無用光L0的一部分係被第2遮斷板232吸收，而伴隨其之第2遮斷板232之溫度上升係藉由冷卻部41抑制，另一方面，未被第2遮斷板232吸收之無用光L0係藉由以漫反射面42進行漫反射而減弱，藉此，可確實地排除無用光L0對周邊零件賦予之熱影響。

漫反射面42係藉由例如第2遮斷板232之對象區域部分施加機械加工等成為凹凸形狀而形成。該凹凸形狀可成為例如在正交晶格的晶格點上排列複數個凸部421之形狀。各凸部421只要是例如以平面視呈一邊的長度為約1 mm的正方形狀，且高度為約5 mm即可。

惟，如上述，無用光L0係光束剖面具有一定的寬度之線狀的線狀光束。此處，排列複數個凸部421之正交晶格的晶格方向AR1、AR2之各者，宜與入射至漫反射面42之無用光L0的寬度方向AR3成為非平行。尤其以晶格方向AR1、AR2與無用光L0的寬度方向AR3形成之角度為約45° 為佳。若將複數個凸部421配置於晶格方向與無用光L0的寬度方向AR3為非平行之正交晶格的晶格點上，則形成於一行凸部群以及與其平行排列之凸部群之間之凹槽的延伸方向與無用光L0的寬度方向AR3不會平行。因而，可確實地迴避因無用光L0沿該凹槽進行入射而導致漫反射效果降低之事態。亦即，可確實地使無用光L0進行漫反射。

<3、光學單元14的動作>

茲就光學單元14的動作，一面主要參照圖3一面進行說明。

在使光學單元14執行描繪動作之情形下，控制部18會驅動雷射驅動部141而使光自雷射振盪器142出射(圖1)。所出射之光係在照明光學系統143(圖1)成為線狀光束，並經由鏡面20而入射至空間光調變部21的空間光調變器3。在空間光調變器3中，複數個空間光調變元件31(圖4)係沿副掃描方向(X軸方向)而並列配置，入射光係以使其線狀的光束剖面沿空間光調變元件31的排列方向之方式，入射至排列為一行之複數個空間光調變元件31。

另一方面，控制部18係基於圖案資料而給與驅動電路單元32(圖4)指示，並對於驅動電路單元32所指示之空間光調變元件31施加電壓。藉此，會形成由各空間光調變元件31各自進行空間調變之光，且其會朝向基板W進行出射。若將空間光調變器3具備之空間光調變元件31的個数設為「N個」，則自空間光調變器3會出射沿副掃描方向之N像素值之經空間調變之光。

由空間光調變器3予以空間調變之光係在因應需要而由光路修正部22修正其光路之後，入射至投影光學系統23。

入射至投影光學系統23之光首先會入射至第1遮斷板231。第1遮斷板231可將包含於入射光之光中之高次繞射光遮斷之下，使低次繞射光通過。

通過第1遮斷板231之光係在通過透鏡233，進而由透鏡234及透鏡235因應需要而擴大(或縮小)其寬度之後，入射至折射透鏡236。在折射透鏡236中，無用光L0係折射於自必要光L1遠離之方向(+X方向或是-X方向)上(圖7)。

通過折射透鏡236之光接著會入射至第2遮斷板232。如圖7、圖8所示，第2遮斷板232在包含於入射光之光中，僅使必要光L1經由貫通孔2320通過，且將無用光L0遮斷。具體而言，無用光L0係入射至第2遮斷板232的上表面，即未形成貫通孔2320之區域部分，且其一部分會被第2遮斷板232吸收。此處，第2遮斷板232係藉由冷卻部41進行冷卻。因此，可抑制伴隨吸收無用光L0的一部分之第2遮斷板232的溫度上升。因而，不會有伴隨第2遮斷板232的升溫而使周邊構件受到熱影響之情況。另一方面，未被第2遮斷板232吸收之無用光L0會以漫反射面42進行漫反射而減弱。因此，不會有因未被第2遮斷板232吸收之無用光L0而使周邊零件受到熱影響之情況。

通過第2遮斷板232之必要光L1會通過透鏡237，進而以由物鏡238所規定之倍率在基板W的表面上成像。

如以下說明，光學單元14係一面間歇性持續照射以沿副掃描方向之N像素值的經空間調變之光(亦即，在重複脈衝光而對基板W的表面持續投影之下)，一面沿主掃描方向(Y軸方向)而相對於基板W相對性地移動。因而，若光學單元14沿主掃描方向橫渡一次基板W，則於基板W的表面會沿副掃描方向描繪出具有N像素值的寬度之一條圖案群。在以下說明中亦可將該具有N像素值的寬度之1條圖案描繪區域稱為「1條紋份額之區域」。

<4、描繪裝置1的動作>

茲就描繪裝置1的動作，一面參照圖9一面進行說明。圖9係顯示描繪裝置1的動作之流程之圖。

當搬送裝置16搬入成為處理對象之基板W而載置於平台11時，則會開始對於該基板W之一連串的處理(步驟S1)。

首先，進行形成於基板W之對準標記的攝像(步驟S2)。具體而言，平台移動機構12係因應來自控制部18之指示而使平台11移動，藉此使基板W對於對準單元15而相對性地移動，並使基板W的特定位置(對準標記的形成位置)位於對準單元15的下方之方式使基板W移動。當使基板W移動抵達目標位置時，則對準單元15會因應來自控制部18之指示，而攝像基板W的表面。藉此，會獲得對準標記的攝像資料。該動作僅重複規定之次數，藉此，可獲得分別形成於基板W上的不同位置之對準標記的各攝像資料。另，對準標記係例如十字狀的標記，其係重疊使用於基板W的前後方向之位置對準之標記部分(沿基板W的前後方向之長條的標記部分)與使用於基板W的左右方向之位置對準之標記部分(沿基板W的查收方向之長條的標記部分)。

接著，進行平台11的位置調整(步驟S3)。在該處理中，控制部18首先係基於在步驟S2中所獲得之複數個攝像資料，而特定相對於平台11之基板W的位置及朝向。當特定有相對於平台11之基板W的位置及朝向時，控制部18會控制平台位置測量部13及平台移動機構12而調整平台11的位置。具體而言，係以使載置於平台11之基板W相對於各光學單元14而成為規定之位置及朝向之方式，調整平台11的位置。另，步驟S3之處理亦可以調整相對於各光學單元14之基板W的位置之方式，以修正圖案資料進行對應。亦即，步驟S3之處理亦可不是調整平台11的位置，而藉由修正處理圖案資料進行。

接著，進行圖案資料的修正處理(步驟S4)。在該處理中，控制部18首先係根據由步驟S2所獲得之複數個攝像資料而檢測對準標記的位置。而後，檢測自該檢測位置的理想位置(在基板W未變形之情形下應該檢測出之對準標記的位置)偏移之寬度作為偏移量。在基板W產生變形(扭曲、收縮、膨脹等之形狀變化)之情形下，會檢測出其作為偏移量。在基板W變形之情形下，可預測的是，形成於該變形之基板W之底層圖案的位置亦是位於僅偏移所檢測之偏移量之位置。是以，控制部18係以與該預測之底層圖案的形成位置一致之方式修正圖案資料。亦即，藉由以使記述於圖案資料之圖案僅位移所檢測之偏移量份額之方式進行修正，可使記述於圖案資料中之圖案與基板W相同地變形。另，該處理亦可與步驟S3的處理並用。

當步驟S3及步驟S4的處理完成時，則可基於由步驟S4所獲得之修正後的圖案資料，而對於基板W進行圖案的描繪處理(步驟S5)。在步驟S5之處理中，一面參照圖10一面進行說明。圖10係用以說明描繪處理之圖。

對於基板W之圖案的描繪處理係控制部18控制平台移動機構12而使載置於平台11上之基板W相對於光學單元14、14相對性地移動，且藉由自光學單元14、14之各者對基板W的上表面照射以經空間調變之光而進行。

具體而言，平台移動機構12係因應來自控制部18之指示，而藉由使平台11沿主掃描方向(+Y軸方向)進行移動，而使基板W相對於光學單元14、14而沿主掃描方向相對性地移動(箭頭AR11)(主掃描)。在使基板W沿主掃描方向相對性地移動期間，各光學單元14係因應來自控制部18之指示，而使因應修正後的圖案資料之空間調變所形成之光(具體而言，係沿副掃描方向之N像素值經空間調變之光)朝向基板W間歇性地持續照射(亦即，重複脈衝光對基板W的表面持續投影)。亦即，各光學單元14係一面間歇性地持續照射以沿副掃描方向之N像素值的經空間調變之光，一面沿主掃描方向(Y軸方向)相對於基板W而相對性地移動。因而，若光學單元14沿主掃描方向而橫渡一次基板W，則於基板W的表面會沿副掃描方向描繪出具有N像素值的寬度之一條圖案群。此處，由於2個光學單元14係同時橫渡基板W，因此會藉由一次主掃描而描繪出2條圖案群。

當1次主掃描結束時，則平台移動機構12會使平台11沿主掃描方向而朝反向(-Y軸方向)移動，並使基板W朝先前之位置(主掃描之開始位置)移動(箭頭AR12)。再者，平台移動機構12係藉由使平台11沿副掃描方向(X軸方向)僅移動與1個條紋的寬度相當之距離，而使基板W相對於光學單元14、14而沿副掃描方向相對性地移動(箭頭AR13)(副掃描)。

當副掃描結束時，則再次進行主掃描(箭頭AR14)。此處亦是各光學單元14因應來自控制部18之指示，而朝向基板W間歇性地持續照射以因應修正後的圖案資料之空間調變所形成之光。藉此，於由先前之主掃描所描繪之1個條紋份額之描繪區域的旁邊進而會進行1個條紋份額之區域的描繪。以下，同様地，重複進行主掃描與副掃描，當圖案描繪於基板W的表面之全域時，則描繪處理結束。

再次參照圖9。當相對於基板W之圖案的描繪處理結束時，則搬送裝置16會將處理完之基板W搬出，而使相對於該基板W之一連串的處理結束(步驟S6)。

<5、效果>

根據上述之實施形態，由空間光調變部21予以反射之對描繪無貢獻之無用光L0的一部分會被第2遮斷板232吸收，而伴隨其之第2遮斷板232的溫度上升係藉由冷卻部41抑制。另一方面，未被第2遮斷板232吸收之剩餘的光係藉由以漫反射面42進行漫反射而減弱。因而，可確實地排除無用光L0對拾取頭部144內的構件賦予之熱影響，且可確實地迴避拾取頭部144內的構件受到熱影響而變形之事態。其結果是，不會產生描繪精度的下降，而可擔保較高的描繪精度。

又，根據上述之實施形態，由於漫反射面42係與第2遮斷板232形成為一體，因此藉由利用冷卻部41冷卻第2遮斷板232亦可抑制漫反射面42的升溫。又，由於第2遮斷板232的一部分係設為凹凸形狀，因此會使第2遮斷板232的放熱性提高，而不易升溫。

又，藉由於漫反射面42將複數個凸部421沿與無用光L0的延伸方向非平行之方向進行排列，可於漫反射面42使無用光L0確實地進行漫反射。

<II、第2實施形態> <1、構成>

茲就第2實施形態之描繪裝置1a進行說明。描繪裝置1a與第1實施形態之描繪裝置1相同，係於拾取頭部144a具備之第2遮斷板232a形成漫反射面42a。此處，描繪裝置1a在漫反射面42a之形成態様中與第1實施形態之描繪裝置1不同。

茲就描繪裝置1a之漫反射面42a的形成態様，一面參照圖11、圖12一面進行說明。圖11係顯示拾取頭部144a的一部分之模式側剖面圖。圖12係顯示自上面側觀看拾取頭部144a具備之第2遮斷板232a之腑視圖。另，以下，針對與第1實施形態之描繪裝置1相同之構成省略其說明，且標注以相同的符號而顯示。

在該實施形態中，漫反射面42a係藉由於第2遮斷板232a之對象區域部分，載置上表面形成有凹凸形狀之漫反射構件5而形成。漫反射構件5具體而言，係具備：以平面視與對象區域部分大致相同尺寸的基材51、及立設於基材51的上表面之複數個凸部52。此處，複數個凸部52只要是例如排列於正交晶格的晶格點上即可。在該情形下，排列複數個凸部52之正交晶格的晶格方向AR1、AR2之各者，宜與入射至漫反射面42a之無用光L0的寬度方向AR3成為非平行。

又，漫反射構件5宜藉由熱傳導性高於第2遮斷板232a之構件形成。若由熱傳導性高於第2遮斷板232a之構件形成漫反射構件5，則可抑制漫反射構件5的升溫。

<2、效果>

根據該實施形態，由於漫反射面42a係藉由與第2遮斷板232a分別形成之漫反射構件5形成，因此可將漫反射構件5與第2遮斷板232a獨立地進行交換。

<III、第3實施形態> <1、構成>

茲就第3實施形態之描繪裝置1b進行說明。描繪裝置1b除與第1實施形態之描繪裝置1相同之構成以外，還具備蓋部43。

茲就描繪裝置1b具備之蓋部43一面參照圖13一面進行說明。圖13係顯示描繪裝置1b具備之拾取頭部144b的一部分之模式側面圖。另，以下，針對與第1實施形態之描繪裝置1相同之構成省略其說明，且標注以相同的符號而顯示。

拾取頭部144b作為用以排除因由第2遮斷板232遮斷之無用光L0的光能量而使配置於周邊之構件受到之熱影響之構成，除冷卻部41、漫反射面42以外，還具備蓋部43。

蓋部43係配置於第2遮斷板232與配置於其上方之構件(此處，為折射透鏡236的收納構件201)之間，其係以使由漫反射面42進行漫反射之光不會入射至收納構件201之方式遮蔽。蓋部43具體而言，係由不透光之構件形成，且將收納構件201以嵌套狀進行收納之上表面係形成為開口之箱狀。惟，於蓋部43的底部形成有貫通孔430，以不妨礙通過折射透鏡236之光的進行。

在由光學單元14執行描繪動作之情形下，如上述，在入射至第2遮斷板232之無用光L0中未被第2遮斷板232吸收之光係由漫反射面42進行漫反射。在該實施形態中，係藉由蓋部43遮蔽而使由漫反射面42進行漫反射之無用光L0不會入射至收納構件201。因而，由漫反射面42減弱之微弱的漫反射光的一部分會不易到達至配置於第2遮斷板232的上方之收納構件201。

<2、效果>

在該實施形態中。藉由設置蓋部43，會使由漫反射面42進行漫反射之微弱的光之一部分不易入射至收納構件201。因而，可確實地排除無用光L0對收納構件201賦予之微小的熱影響。藉此，絲毫不會有收納構件201受到熱影響而產生變形之情形，可確實地擔保較高的描繪精度。

<IV、變形例>

在上述各實施形態中，針對第1遮斷板231，亦可設置冷卻其之機構，且於其上表面之包含高次繞射光的入射區域之區域部分配置漫反射面。作為冷卻第1遮斷板231之機構，可採用與上述之冷卻部41相同之構成。又，作為於第1遮斷板231形成漫反射面之態様，可採用與在第2遮斷板232、232a形成漫反射面42、42a之態様相同者。惟，入射至投影光學系統23之無用光L0中所含之±3以上的高次繞射光比較微量。亦即，應由第1遮斷板231遮斷之光的能量不會像應由第2遮斷板232遮斷之光的能量那麼大。因此，由第1遮斷板231遮斷之光對周邊構件賦予之熱影響會比較小。因而，作為於第1遮斷板231僅設置冷卻部之構成，亦可省略漫反射面的形成。另，若於第1遮斷板231預形成漫反射面，能夠獲得可排除由第1遮斷板231予以反射之光對空間光調變部21賦予之光學影響之優點。

又，在上述之各實施形態中，漫反射面42、42a雖設為於正交晶格的晶格點上排列複數個凸部421、52之凹凸形狀，但排列複數個凸部之態様未必限定於此。例如，亦可將複數個凸部排列於非正交晶格的晶格點上而形成凹凸形狀。惟在該情形下，亦以排列有複數個凸部之非正交晶格的晶格方向之各者與入射至漫反射面之無用光L0的寬度方向成為非平行者為佳。又，亦可非週期性地排列複數個凸部而形成凹凸形狀。又，漫反射面42、42a未必需要藉由排列有複數個凸部之凹凸形狀形成。例如，亦可藉由對第2遮斷板232的對象區域部分(或漫反射構件5的上表面)施以粗面加工或是形成複數個凹槽而設為非平坦形狀，藉此形成漫反射面。

又，在第3實施形態中，蓋部43雖係形成為上表面開口之箱狀，但蓋部43的形狀未必限定於此。例如，亦可省略覆蓋收納構件201的側面之側壁之板形狀。

又，在上述之各實施形態中，作為空間光調變器3雖使用一維配設有作為調變單位之固定帶狀物302與可動帶狀物301之繞射晶格型的空間光調變器之GLV，但並不限定於此種形態。例如亦可不限定於CLV，而是利用一維排列有如反射鏡之調變單位之空間光調變器之形態。又，例如亦可利用二維排列有DMD(Digital Micromirror Device：數位微鏡裝置，Texas Instruments公司的註冊商標)般之調變單位之微反射鏡之空間光調變器。

又，在上述各實施形態中，雖僅是在平台移動機構12使平台11沿Y軸之一方的方向(在上述說明中為+Y軸方向)進行移動期間，照射以自各光學單元14朝向基板W而形成因應圖案資料之空間調變之光之構成，但在平台移動機構12使平台11沿Y軸之其他方向上進行移動期間，亦可設為照射以自各光學單元14朝向基板W而形成因應圖案資料之空間調變之光之構成。在該情形下，對於基板W之圖案的描繪處理係例如以下般進行。首先，平台移動機構12會使平台11沿主掃描軸(Y軸方向)而於+Y方向上移動，在此期間，各光學單元14會將形成有因應圖案資料之空間調變之光朝向基板W進行照射。若光學單元14、14之各者沿主掃描方向橫渡一次基板W，並於基板W的表面描繪出2個沿副掃描方向具有N像素值的寬度之一條圖案群時，則其後平台移動機構12會使平台11沿副掃描方向(X軸方向)僅移動與1個條紋的寬度相當之距離(副掃描)。當副掃描結束時，平台移動機構12會使平台11沿主掃描軸而於-Y方向上移動，在此期間，各光學單元14會將因應圖案資料之空間調變所形成之光朝向基板W進行照射。藉此，於由先前之主掃描進行描繪之1個條紋份額之描繪區域的旁邊會進而進行1個條紋份額之區域的描繪。以下，同様地，重複進行副掃描與主掃描，當圖案描繪於基板W的表面之全域時，則描繪處理結束。

又，在上述之各實施形態中，雖係以基板W藉由平台移動機構12進行移動而使自光學單元14、14出射之光與基板相對性地移動之形態，但相對於光學單元14、14而使基板W相對性地移動之態様並不限定於此。例如，亦可是藉由使光學單元14、14沿主掃描方向及副掃描方向進行移動，而使自光學單元14、14出射之光與基板W相對性地移動之態様。

又，在上述之各實施形態中，雖基板W係設為圓形，但基板W未必需要係圓形，其亦可是例如矩形。

1‧‧‧描繪裝置

1a‧‧‧描繪裝置

1b‧‧‧描繪裝置

3‧‧‧空間光調變器

5‧‧‧漫反射構件

11‧‧‧平台

12‧‧‧平台移動機構

13‧‧‧平台位置測量部

14‧‧‧光學單元

15‧‧‧對準單元

16‧‧‧搬送裝置

17‧‧‧照明單元

18‧‧‧控制部

19‧‧‧晶匣載置部

20‧‧‧鏡面

21‧‧‧空間光調變部

22‧‧‧光路修正部

23‧‧‧投影光學系統

31‧‧‧空間光調變元件

32‧‧‧驅動電路單元

41‧‧‧冷卻部

42‧‧‧漫反射面

42a‧‧‧漫反射面

43‧‧‧蓋部

51‧‧‧基材

52‧‧‧凸部

101‧‧‧本體框架

102‧‧‧處理區域

103‧‧‧交接區域

106‧‧‧基台

107‧‧‧框架

121‧‧‧旋轉機構

122‧‧‧支持板

123‧‧‧副掃描機構

123a‧‧‧線性馬達

123b‧‧‧導向部

124‧‧‧底板

125‧‧‧主掃描機構

125a‧‧‧線性馬達

125b‧‧‧導向部

130‧‧‧平面反射鏡

131‧‧‧出射部

132‧‧‧分光鏡

133‧‧‧彎樑機

134‧‧‧第1干渉計

135‧‧‧第2干渉計

141‧‧‧雷射驅動部

142‧‧‧雷射振盪器

143‧‧‧照明光學系統

144‧‧‧拾取頭部

144a‧‧‧拾取頭部

144b‧‧‧拾取頭部

170‧‧‧光纖

200‧‧‧支持軸

201‧‧‧收納構件

221‧‧‧楔形稜鏡

222‧‧‧楔形稜鏡

223‧‧‧楔形稜鏡移動機構

231‧‧‧第1遮斷板

232‧‧‧第2遮斷板

232a‧‧‧第2遮斷板

233‧‧‧光學零件

234‧‧‧光學零件

235‧‧‧光學零件

236‧‧‧光學零件

237‧‧‧光學零件

238‧‧‧光學零件

300‧‧‧基板

300f‧‧‧基準面

301f‧‧‧可動反射面

302f‧‧‧固定反射面

301‧‧‧可動帶狀物

302‧‧‧固定帶狀物

303‧‧‧帶狀物對

304‧‧‧帶狀物對集合

411‧‧‧冷卻管路

421‧‧‧凸部

430‧‧‧貫通孔

2320‧‧‧貫通孔

AR1‧‧‧晶格方向

AR2‧‧‧晶格方向

AR3‧‧‧寬度方向

AR11‧‧‧箭頭

AR12‧‧‧箭頭

AR13‧‧‧箭頭

AR14‧‧‧箭頭

C‧‧‧晶匣

CL‧‧‧冷卻水

Df‧‧‧間隔距離

L‧‧‧入射光

L0‧‧‧無用光

L1‧‧‧必要光

W‧‧‧基板

圖1係描繪裝置的側面圖。

圖2係描繪裝置的腑視圖。

圖3係拾取頭部的概略圖。

圖4係顯示空間光調變器的構成例之模式圖。

圖5係顯示關閉電壓之狀態的空間光調變元件之圖。

圖6係顯示開啟電壓之狀態的空間光調變元件之圖。

圖7係顯示拾取頭部的一部分之模式側剖面圖。

圖8係自上面側觀看第2遮斷板之腑視圖。

圖9係顯示描繪裝置的動作之流程之流程圖。

圖10係用以說明描繪處理之圖。

圖11係顯示第2實施形態之拾取頭部的一部分之模式側剖面圖。

圖12係自上面側觀看第2實施形態之第2遮斷板之腑視圖。

圖13係顯示第3實施形態之拾取頭部的一部分之模式側剖面圖。