JP5117250B2 - 露光装置 - Google Patents

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本発明は、感光材料に露光によりパターンを描画する露光処理に用いられる露光装置に関する。
液晶パネルや半導体装置の製造工程では、露光処理により、基板上の感光材料にパターンが描画される。露光処理に用いられる露光装置は、光源と、光源からの光を感光材料上に投影する投影光学系とを備えている。露光処理時には、感光材料上に投影(結像)される光により、感光材料が選択的に露光される。この選択的な露光により、感光材料にパターンが描画される。
露光装置には、光源として、レーザを採用したものがある。レーザービームは、コヒーレンスが非常に高いので、レーザを採用した露光装置では、投影面である感光材料の上面にレーザビームの焦点を合わせることが重要である。そのため、焦点を投影面に合わせるための調整(焦点調整)が行われる。
焦点調整時には、投影光学系の解像限界に近い周期(=線幅+線間幅)のラインアンドスペースパターン(以下、「L/Sパターン」という。)が投影面に投影される。その一方で、投影光学系に含まれるフォーカスレンズが光軸方向に移動されることにより、焦点が投影面に対して光軸方向に変動される。そして、CCDセンサを含む観察用光学系により、投影面上のL/Sパターンが連続的に読み取られ、画像処理により、焦点の変動によるL/Sパターンのコントラストの変化が取得される。焦点が投影面に合うと、コントラストが極大値となるので、そのコントラストが極大値となるときの焦点の位置が合焦位置として検出される。
特開平5−150175号公報
図13Aは、周期PのL/Sパターンおよび投影面上の周期PのL/Sパターンの濃度プロファイルを示す図である。図13Bは、焦点の変動に伴う周期PのL/Sパターンのコントラストの変化を示すグラフである。
図13Aに示すように、焦点がP/λ(λ:レーザビームの波長)だけ移動されるごとに、L/Sパターンが投影面に明瞭に現れ、また、L/Sパターンのラインとスペースとが反転(明暗が反転)する。したがって、図13Bに示すように、L/Sパターンのコントラストは、周期P/λごとに極大値をとる。そのため、焦点の変動範囲がP/λよりも大きいと、その変動範囲で焦点を変動させたときに、コントラストが極大値となる焦点の位置が複数検出され、合焦位置の正確な検出が困難である。
そこで、本発明の目的は、合焦位置を正確かつ容易に検出することができる、露光装置を提供することである。
前記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、波長λの光を出射する光源と、光源からの光が照射され、周期P のラインアンドスペースパターンと周期P のラインアンドスペースパターンとを含む複数種類のL/Sパターンを光源からの光により作成するパターン作成手段と、前記L/Sパターンを所定の投影面に投影する投影光学系と、前記投影光学系から出射される光の焦点の位置を変更する焦点位置変更手段と、焦点位置を一定範囲で変動させながら、周期P と周期P のラインアンドスペースパターンそれぞれのコントラストを計測し、両パターンのコントラストを各焦点位置ごとに合計し、変動させた焦点位置の範囲の中で、コントラストの合計が最も大きな極大値をとる焦点位置を合焦位置として検出する検出手段とを備え前記周期Pは、λ/NA<P<2λ/NA(NA:前記投影光学系の像側開口数)を満たし、前記周期Pは、1.2P<P<1.6Pを満たす、露光装置である。
この構成によれば、パターン作成手段により、波長λの光によるL/Sパターンが作成される。L/Sパターンは、投影光学系により、所定の投影面に投影される。L/Sパターンには、λ/NA<P<2λ/NAを満たす周期PのL/Sパターンと、1.2P<P<1.6Pを満たす周期PのL/Sパターンとが含まれる。
周期Pが投影光学系の解像限界(≒λ/2NA)の2〜4倍に設定され、周期Pが周期Pよりも長く設定されているので、焦点が投影面に合った状態で、周期Pおよび周期Pの各L/Sパターンを投影面に良好に投影することができる。
焦点を一定範囲で変動させつつ、周期PのL/Sパターンを投影面に投影させると、投影面上の周期PのL/Sパターンのコントラストは、焦点の移動に伴い、周期P /λごとに極大値をとるように変化する。一方、焦点を一定範囲で変動させつつ、周期PのL/Sパターンを投影面に投影させると、投影面上の周期PのL/Sパターンのコントラストは、焦点の移動に伴い、周期P /λごとに極大値をとるように変化する。そして、焦点の位置が互いに同じ位置での周期PのL/Sパターンのコントラストと周期PのL/Sパターンのコントラストとの合計値(以下、単に「合計値」という。)は、焦点の移動に伴い、複数の極大値および極小値を有するように変化し、その極大値は、周期PのL/Sパターンのコントラストおよび周期PのL/Sパターンのコントラストがともに極大値であるときの焦点の位置で最も大きな値となる。この最も大きな極大値は、焦点の移動に伴い、少なくとも周期P /λよりも長い周期で現れる。そのため、焦点の変動範囲がP /λよりも大きくても、その変動範囲が合計値の最も大きな極大値が現れる周期よりも小さければ、焦点を変動させたときに、合計値が最も大きな極大値となる焦点の位置は1つとなる。よって、合計値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置を合焦位置として検出することにより、合焦位置を正確かつ容易に検出することができる。
また、周期PがP2=1.2PまたはP2=1.6Pであれば、焦点が合焦位置からP /λだけずれた位置で、周期PのL/Sパターンのコントラストが極大値となり、周期PのL/Sパターンのコントラストが極大値の約1/2となる。したがって、焦点の位置が合焦位置であるときの合計値と、焦点が合焦位置からP /λだけずれた位置であるときの合計値とに差を持たせることができる。そのため、周期Pが1.2P<P<1.6Pを満たすことにより、合焦位置をより正確に検出することが可能となる。
焦点の変動範囲が大きいために、合計値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置が複数検出される場合には、請求項2に記載のように、前記L/Sパターンに、1.2P2<P<1.6P2を満たす周期PのL/Sパターンがさらに含まれるとよい。この場合、投影面上の周期PのL/Sパターンのコントラストを合計値に足し合わせた値は、焦点の移動に伴い、その最も大きな極大値がさらに長い周期(合計値の最も大きな極大値が現れる周期よりも長い周期)で現れる。これにより、合焦位置を正確に検出することができる。
前記パターン作成手段は、請求項3に記載のように、前記光源からの光を変調し、その変調により前記L/Sパターンを作成する空間光変調素子を含んでいてもよい。
また、前記パターン作成手段は、請求項4に記載のように、前記L/Sパターンに対応したマスクパターンを有するレチクルである、請求項1または2に記載の露光装置。
前記露光装置は、請求項5に記載のように、前記投影光学系から出射される光を受光し、その受光した光に応じた画像データを生成する読取手段と、前記読取手段により生成される前記画像データに基づいて、前記焦点が前記投影面に合うときの前記焦点の位置である合焦位置を検出する合焦位置検出手段とを備えていてもよい。この場合、合焦位置を自動的に検出することができる。
さらに、前記露光装置は、請求項6に記載のように、前記読取手段を前記投影光学系から出射される光の光軸方向に移動させる移動機構を備えていてもよい。この場合、焦点を固定とし、読取手段を移動させつつ、周期Pおよび周期Pの各L/Sパターンを読み取ることにより、その読み取った画像データに基づいて、たとえば、読取手段の移動に伴う各L/Sパターンのコントラストを取得することができる。そして、合計値が最も大きな極大値となるときの読取手段の位置に基づいて、合焦位置を検出することができる。
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る露光装置の斜視図である。
露光装置1は、直接描写描画方式の露光装置であり、基板上の感光材料にパターンを描写描画する露光処理に用いられる。基板には、たとえば、TFT(Thin Film Transistor)液晶パネル用ガラス基板などの液晶表示装置用基板、半導体ウエハ、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板が含まれる。
露光装置1は、一方向(以下、この方向を「Y方向」とする。)に長い平面視長方形状の基台2を備えている。基台2上には、ステージ3、ステージ移動機構4、レーザユニット5、フレーム6、照明光学系ユニット7およびヘッド8が設けられている。
ステージ3は、その上面に基板を載置可能な矩形板状に形成されている。
ステージ移動機構4は、ステージ3を移動させるための駆動力を発生するモータ、ステージ3の移動を案内するためのレールなどを備えている。このステージ移動機構4により、基台2上において、ステージ3をY方向、Y方向と直交するX方向および鉛直軸線まわりのθ方向に移動させることができる。
レーザユニット5は、基台2上におけるX方向の一方側(以下、「+X側」という。)に片寄った位置に対してY方向の両側に1つずつ設けられている。各レーザユニット5は、波長λ=0.355μmのレーザビームを発生するレーザを内蔵している。各レーザユニット5(レーザ)から出力されるレーザビームは、次に述べるフレーム6と各レーザユニット5との間に配置される導光ユニット9により、照明光学系ユニット7に導かれる。
フレーム6は、基台2上におけるX方向の他方側(以下、「−X側」という。)に片寄った位置に配置され、ステージ3が移動により通過する領域を跨いで設けられている。
照明光学系ユニット7は、フレーム6の上面に固定されている。照明光学系ユニット7には、各レーザユニット5からの1本のレーザビームを4本に分岐させるためのレンズなどが備えられている。これにより、照明光学系ユニット7において、互いに平行な8本のレーザビームが生成される。
ヘッド8は、8本のレーザビームに対応して、8つ設けられている。8つのヘッド8は、フレーム6のX方向の一方側の面に、Y方向に並べて取り付けられている。各ヘッド8には、1本のレーザビームが入射する。そして、ヘッド8に入射したレーザビームは、光路が下方に曲げられて、ヘッド8の下端から鉛直下方に出射される。これにより、8つのヘッド8からステージ3が移動により通過する領域に向けて、互いに平行な8本のレーザビームが鉛直下方に進行する。
露光処理時には、ステージ3上に、基板が感光材料を上方に向けて載置される。まず、ステージ3が基台2上における+X側に片寄った位置から−X側に一定速度で移動される。その一方で、8つのヘッド8から計8本のレーザビームが出射される。これにより、ステージ3の移動に伴って、基板上の感光材料上を8本のレーザビームがX方向に走査する。ステージ3が所定のX方向移動量だけ移動されると、ステージ3の移動が停止される。つづいて、ステージ3がY方向に所定のY方向移動量(たとえば、互いに隣接するレーザビーム間の間隔の1/24の距離)だけY方向の一方側に移動される。その後、ステージ3が+X側に一定速度で移動されることにより、基板上の感光材料上を8本のレーザビームがX方向に再び走査する。ステージ3が+X側にX方向移動量だけ移動されると、その移動が停止され、ステージ3がY方向の一方側にY方向移動量だけ移動される。そして、ステージ3が−X側に一定速度で再び移動されることにより、基板上の感光材料上を8本のレーザビームがX方向に再び走査する。このようにして、ステージ3のX方向の往復移動が所定回数(たとえば、11回半)行われると、1枚の基板上の感光材料へのパターンの描写描画が達成される。
図2は、露光装置の要部の構成を図解的に示す図である。
ヘッド8には、レーザビームを変調する空間光変調素子11と、照明光学系ユニット7からのレーザビームを反射させて、空間光変調素子11に導くための折返しミラー12と、空間光変調素子11により変調されたレーザビームが通過する投影光学系13とが備えられている。
空間光変調素子11としては、たとえば、回折格子型の空間光変調素子を採用することができる。
投影光学系13には、フォーカスレンズ14などが含まれる。このフォーカスレンズ14には、たとえば、ボールねじ機構を含むフォーカス駆動機構15が結合されている。フォーカス駆動機構15により、フォーカスレンズ14をレーザビームの光軸方向に移動させることができる。フォーカスレンズ14の光軸方向の移動に伴って、レーザビームの焦点が光軸方向に移動する。
ヘッド8の下方には、ヘッド8に対して投影面を挟んで対向する位置に、CCDセンサ16が配置されている。投影面は、ステージ3のX方向の移動により、ステージ3に載置された基板上の感光材料の表面が通過する平面である。CCDセンサ16の上方には、投影光学系13から出射される光をCCDセンサ16に導くための観察用光学系17が配置されている。CCDセンサ16は、投影光学系13から出射される光を受光し、その受光した光に応じた信号(画像データ)を出力する。
そして、露光装置1は、レーザビームの焦点を投影面に合わせるための焦点調整時に、空間光変調素子11を制御し、レーザビームによる複数種類のL/Sパターンを作成する描画制御部18と、焦点調整時に、フォーカス駆動機構15を制御して、レーザビームの焦点を変動させるフォーカス制御部19と、CCDセンサ16からの信号に基づいて、合焦位置(焦点が投影面に合うときの焦点の位置)を検出する画像処理部20とを実質的に備えている。描画制御部18、フォーカス制御部19および画像処理部20は、たとえば、マイクロコンピュータにより構成される。
具体的には、レーザビームの焦点を投影面に合わせるための焦点調整時には、描画制御部18により、空間光変調素子11が制御されて、レーザビームによる周期(=線幅+線間幅)PのL/Sパターンおよび周期PのL/Sパターンが作成される。周期Pは、λ/NA<P<2λ/NA(NA(Numerical Aperture):投影光学系13の像側開口数)を満たす。周期Pは、1.2P<P<1.6Pを満たす。各L/Sパターンは、投影光学系13により、投影面に投影される。周期Pが投影光学系13の解像限界(≒λ/2NA)の2〜4倍に設定され、周期Pが周期Pよりも長く設定されているので、焦点が投影面に合った状態で、周期Pおよび周期Pの各L/Sパターンを投影面に良好に投影することができる。
この描画制御部18によるL/Sパターンの作成と並行して、フォーカス制御部19により、フォーカス駆動機構15が制御されて、レーザビームの焦点が予め定める変動範囲で光軸方向に変動される。
投影面に投影される各L/Sパターンは、CCDセンサ16により連続的に読み取られる。この読み取りにより生成される信号は、画像処理部20に与えられる。画像処理部20により、CCDセンサ16からの信号に基づいて、各L/Sパターンのコントラストが連続して取得される。また、画像処理部20により、合計値(焦点の位置が互いに同じ位置での周期PのL/Sパターンのコントラストと周期PのL/Sパターンのコントラストとを足し合わせた値)が算出され、焦点の移動に伴う合計値の変化が調べられる。そして、画像処理部20により、合計値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置が合焦位置として検出される。
このように、露光装置1では、合焦位置を自動的に検出することができる。そして、フォーカス駆動機構15により、レーザビームの焦点の位置を合焦位置とすることにより、レーザビームの焦点を投影面上に精度よく合わせることができる。
図3Aは、周期P(=1.0)のL/Sパターンの一例を示す図である。図3Bは、焦点の変動に伴う投影面上の周期P(=1.0)のL/Sパターンのコントラストの変化を示す図である。図4Aは、周期P(=1.4)のL/Sパターンの一例を示す図である。図4Bは、焦点の変動に伴う投影面上の周期P(=1.4)のL/Sパターンのコントラストの変化を示す図である。図5は、焦点の変動に伴う合計値の変化を示す図である。
焦点を予め定める変動範囲で変動させつつ、図3Aに示す周期PのL/Sパターンを投影面に投影させると、投影面上の周期PのL/Sパターンのコントラストは、図3Bに示すように、焦点の移動に伴い、周期P /λ=11.26μmごとに極大値をとるように変化する。
一方、焦点を一定範囲で変動させつつ、図4Aに示す周期PのL/Sパターンを投影面に投影させると、投影面上の周期PのL/Sパターンのコントラストは、図4Bに示すように、焦点の移動に伴い、周期P /λ=22.08μmごとに極大値をとるように変化する。
そして、合計値は、図5に示すように、焦点の移動に伴い、複数の極大値および極小値を有するように変化し、その極大値は、周期PのL/Sパターンのコントラストおよび周期PのL/Sパターンのコントラストがともに極大値であるときの焦点の位置で最も大きな値となる。この最も大きな極大値は、焦点の移動に伴い、少なくとも周期P /λよりも長い周期で現れる。そのため、焦点の変動範囲がP /λよりも大きくても、その変動範囲が合計値の最も大きな極大値が現れる周期よりも小さければ、焦点を変動させたときに、合計値が最も大きな極大値となる焦点の位置は1つとなる。よって、合計値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置を合焦位置として検出することにより、合焦位置を正確かつ容易に検出することができる。
図6は、投影面上の周期P(=1.0)のL/Sパターンのコントラストおよび周期P(=1.2)のL/Sパターンのコントラストの変化を示す図である。図7は、図6に示す2本の曲線を足し合わせて得られる曲線を示す図である。
周期PがP2=1.2である場合、図6に示すように、焦点が合焦位置から11.26μmだけずれた位置で、周期PのL/Sパターンのコントラストが極大値となり、周期PのL/Sパターンのコントラストが極大値の約1/2となる。
したがって、図7に示すように、焦点の位置が合焦位置であるときの合計値と、焦点が合焦位置から11.26μmだけずれた位置であるときの合計値とに差を持たせることができる。
また、図示しないが、周期PがP2=1.6である場合にも、焦点が合焦位置から11.26μmだけずれた位置で、周期PのL/Sパターンのコントラストが極大値の約1/2となる。
そのため、周期Pが1.2P<P<1.6Pを満たすことにより、合焦位置をより正確に検出することができることが理解される。
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、複数の空間光変調素子11が1次元配列され、その配列方向に幅を有するラインビームが空間光変調素子11により変調される構成が採用されてもよい。
図8は、焦点の変動に伴う投影面上のラインビームのコントラストの変化を示す図である。図9は、図5に示す曲線と図8に示す曲線を足し合わせて得られる曲線を示す図である。
空間光変調素子11に照射される光がラインビームである場合、そのラインビームの集光位置が空間光変調素子11の反射面からずれていると、これに起因して、焦点が投影面からずれるため、露光装置1における焦点深度が小さくなる。
そこで、空間光変調素子11に照射される光がラインビームである場合、次のようにして合焦位置を検出することが好ましい。
ラインビームを変調せずに投影面に投影させ、その一方で、焦点を投影面に対して光軸方向に変動させる。また、投影面に投影されるラインビームをCCDセンサ16により連続的に読み取り、そのラインビームのコントラストを連続して取得する。そして、焦点の位置が互いに同じ位置での合計値(図5参照)とラインビームのコントラストとを足し合わされ、その加算値の変化を調べ、加算値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置を合焦位置として検出する。
ラインビームの集光位置が空間光変調素子11の反射面からずれていると、図8に示すように、コントラストが極大値をとるときの焦点の位置が合焦位置からずれる。ところが、図9に示すように、加算値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置と合焦位置とのずれ量は、コントラストが極大値をとるときの焦点の位置と合焦位置とのずれ量よりも小さくなる。そのため、このようにして合焦位置を検出することにより、ラインビームを採用した構成においても、合焦位置の良好な検出が可能である。
図10は、L/Sパターンの他の例を示す図である。
空間光変調素子11により作成されるL/Sパターンは、図10に示すように、ラインとスペースとがX方向に交互に配列された周期PのL/Sパターン、ラインとスペースとがX方向に交互に配列された周期PのL/Sパターン、ラインとスペースとがY方向に交互に配列された周期PのL/SパターンおよびラインとスペースとがY方向に交互に配列された周期PのL/Sパターンを含んでいてもよい。この場合、これらのL/Sパターンを投影面に投影して、投影面上における各L/Sパターンのコントラストを取得し、焦点の位置が互いに同じ位置での各コントラストの合計値の変化を調べ、その合計値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置を合焦位置として検出する。これにより、投影光学系13の非点収差が考慮された良好な合焦位置の検出を達成することができる。
図11は、露光装置の要部の他の構成を図解的に示す図である。図11において、図2に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部について説明を省略する。
図11に示す構成では、観察用光学系17に含まれるレンズなどをレーザビームの光軸方向に移動(観察用光学系17の焦点距離を変化)させる観察用光学系移動機構31が設けられている。焦点調整時には、たとえば、焦点を固定とし、観察用光学系17に含まれるレンズなどを移動させつつ、周期Pおよび周期Pの各L/SパターンをCCDセンサ16により読み取る。こうすることによっても、CCDセンサ16により生成される画像データに基づいて、観察用光学系17に含まれるレンズなどの移動に伴う各L/Sパターンのコントラストを取得することができる。そして、合計値が最も大きな極大値となるときのレンズなどの位置に基づいて、合焦位置を検出することができる。
図12は、ヘッドの他の構成を模式的に示す図である。図12において、図2に示す各部に相当する部分には、それら各部と同一の参照符号が付されている。また、以下では、その同一の参照符号を付した各部について説明を省略する。
図12に示すヘッド8には、図2に示す空間光変調素子11および折返しミラー12に代えて、周期Pおよび周期Pの各L/Sパターンに対応したマスクパターンを有するレチクル41と、照明光学系ユニット7からのレーザビームを反射させて、レチクル41に導くための折返しミラー42とが備えられている。この構成によっても、周期Pおよび周期Pの各L/Sパターンを投影面に投影することができ、合焦位置を正確かつ容易に検出することができる。
また、焦点の変動範囲が大きいために、合計値が最も大きな極大値となるときの焦点の位置が複数検出される場合には、1.2P2<P<1.6P2を満たす周期PのL/Sパターンがさらに作成されるとよい。この場合、投影面上の周期PのL/Sパターンのコントラストを合計値に足し合わせた値は、焦点の移動に伴い、その最も大きな極大値がさらに長い周期(合計値の最も大きな極大値が現れる周期よりも長い周期)で現れる。これにより、焦点位置の検出数を減らすことができ、合焦位置をより正確かつ容易に検出することができる。また、1.2P<P4<1.6Pを満たす周期P4のL/Sパターンなど、さらに多くのL/Sパターンが作成されてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
図1は、本発明の一実施形態に係る露光装置の斜視図である。 図2は、露光装置の要部の構成を図解的に示す図である。 図3Aは、周期P(=1.0)のL/Sパターンの一例を示す図である。 図3Bは、焦点の変動に伴う投影面上の周期P(=1.0)のL/Sパターンのコントラストの変化を示す図である。 図4Aは、周期P(=1.4)のL/Sパターンの一例を示す図である。 図4Bは、焦点の変動に伴う投影面上の周期P(=1.4)のL/Sパターンのコントラストの変化を示す図である。 図5は、焦点の変動に伴う合計値の変化を示す図である。 図6は、投影面上の周期P(=1.0)のL/Sパターンのコントラストおよび周期P(=1.2)のL/Sパターンのコントラストの変化を示す図である。 図7は、図6に示す2本の曲線を足し合わせて得られる曲線を示す図である。 図8は、焦点の変動に伴う投影面上のラインビームのコントラストの変化を示す図である。 図9は、図5に示す曲線と図8に示す曲線を足し合わせて得られる曲線を示す図である。 図10は、L/Sパターンの他の例を示す図である。 図11は、露光装置の要部の他の構成を図解的に示す図である。 図12は、ヘッドの他の構成を模式的に示す図である。 図13Aは、周期PのL/Sパターンおよび投影面上の周期PのL/Sパターンの濃度プロファイルを示す図である。 図13Bは、焦点の変動に伴う周期PのL/Sパターンのコントラストの変化を示すグラフである。
符号の説明
1 露光装置
5 レーザユニット(光源)
11 空間光変調素子(パターン作成手段)
13 投影光学系
14 フォーカスレンズ(焦点位置変更手段)
15 フォーカス駆動機構(焦点位置変更手段)
16 CCDセンサ(読取手段)
17 観察用光学系(読取手段)
18 描画制御部(パターン作成手段)
20 画像処理部(検出手段、合焦位置検出手段)
31 観察用光学系移動機構(移動機構)
41 レチクル

Claims (6)

  1. 波長λの光を出射する光源と、
    光源からの光が照射され、周期P のラインアンドスペースパターンと周期P のラインアンドスペースパターンとを含む複数種類のラインアンドスペースパターンを光源からの光により作成するパターン作成手段と、
    前記ラインアンドスペースパターンを所定の投影面に投影する投影光学系と、
    前記投影光学系から出射される光の焦点の位置を変更する焦点位置変更手段と
    焦点位置を一定範囲で変動させながら、周期P と周期P のラインアンドスペースパターンそれぞれのコントラストを計測し、両パターンのコントラストを各焦点位置ごとに合計し、変動させた焦点位置の範囲の中で、コントラストの合計が最も大きな極大値をとる焦点位置を合焦位置として検出する検出手段とを備え
    前記周期Pは、λ/NA<P<2λ/NA(NA:前記投影光学系の像側開口数)を満たし、
    前記周期Pは、1.2P<P<1.6Pを満たす、露光装置。
  2. 前記ラインアンドスペースパターンには、周期Pのラインアンドスペースパターンがさらに含まれ、
    前記周期Pは、1.2P<P<1.6Pを満たす、請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記パターン作成手段は、前記光源からの光を変調し、その変調により前記ラインアンドスペースパターンを作成する空間光変調素子を含む、請求項1または2に記載の露光装置。
  4. 前記パターン作成手段は、前記ラインアンドスペースパターンに対応したマスクパターンを有するレチクルである、請求項1または2に記載の露光装置。
  5. 前記投影光学系から出射される光を受光し、その受光した光に応じた画像データを生成する読取手段と、
    前記読取手段により生成される前記画像データに基づいて、前記焦点が前記投影面に合うときの前記焦点の位置である合焦位置を検出する合焦位置検出手段とを備えている、請求項1〜4のいずれか一項に記載の露光装置。
  6. 前記読取手段を前記投影光学系から出射される光の光軸方向に移動させる移動機構を備えている、請求項5に記載の露光装置。
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