TW201251110A - Reflective plate for electroluminescence device and manufacturing method thereof - Google Patents

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201251Π0, 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種用於發光元件的光反射基板，更 具體而言’本發明是有關於一種用於發光二極體（以下， 稱為LED ( Light Emitting Diode ))等發光元件的發光元件 用反射基板及其製造方法。 【先前技術】 一般而言，LED與螢光燈相比，電力使用量為螢光燈 的1/100，壽命為螢光燈的40倍（40000小時）。此種省電 力且長哥命的特徵成為在重視環境的潮流中採用led的 重要因素。 尤其，白色LED因亦具有演色性優異、電源電路比螢 光燈簡單等優點，故作為照明用光源而備受期待。 近年來，作為照明用光源所要求的發光效率高的白色 LED(30 1m/W〜1501m/W)亦陸續出現，就實際使用時的 光的利用效率的觀點而言，已反超螢光燈（2〇lm/w〜11〇 lm/W ) 〇 因此’代替螢光燈的白色LED的實用化—下子成為執 潮’將白色LED用作液晶顯示裝置的背光源或照明用光源: 的例子亦在增加。 -藉由對使氧化紹粒子成形而成的生片（green sheet) 進打燒結而獲得的陶竟基板因絕緣性、散熱性優於有機材 料’故用作LED等的發光元件用基板。但是，經燒結的陶 究因具有透紐等，故表面的光反射率低，#用作安裝 4 2〇12511i〇 封t件的基板時，為使發光元件的光反射而使光放射至 U體的上方’必須設置「銀」等的反射層。 用14彳如於專利文獻1巾記载有如下的表面安裝型LED =:於用以對LED元件進行打線接合的面方向上，自 二反面起連續地設置劃分成3個以上的電極，該電極包 二利用轉的電路，位於凹部_上述各電極經鍍銀或鍵 金^該凹部具有光反射性。銀雖絲現出高反射率，但價 格同伴氧化或硫化的反射率的經年變化大被視作問題。 作為解決此種問題的方法，發現導致反射率下降的透 光性的起因如下，即伴隨燒結，粒子，得緻密，藉此陶 究内部的散射得到抑制’從而揭示有—種規定燒結體的空 隙率的技術（專利文獻2 )。於該技術中，未規定需要燒結 本身，但於用作光反射板的情況下亦需要反射層自身的強 度，如專利文獻2的實例中所記載般，一般認為藉由利用 燒結使各個氧化物粒子彼此黏結來達成機械強度。 另外，已知有藉由吹附來將使工7口矽膠等粒子分散 於透明樹脂母材中而成的反射塗膜形成於基板上的方法 (專利文獻3)。 I；先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2006-302979號公報 [專利文獻2]國際公開W02006/104061號 [專利文獻3]日本專利特開平n—29745號公報 於專利文獻2中的燒結中，如實例的表1及表2所記 5 201251110 / jJif 載過刚(TC的高溫，而需要_ 。 膜二文獻3中所揭示的吹附等來形成反射塗 ί、兄;Τ!Γ聯與基板的密接性，而且於伴隨燒結的 清况下暴路在尚溫下，因此基板材質受限。 i卜，專利文獻3的方法亦有主旨為使樹脂變成黏合 :劣m此情況下’存在不僅光反射層自身的耐熱 I·生娑化，而且無法忍受經年變化的問題。 【發明内容】 杜田目的在於研究上獅題，並提供—種發光元 = 其具有科行高溫燒結，關用更低溫的 紅維射·可獲得㈣度與騎基板的雜性的高光 反射層。 本發明為了達成上述目的而努力研究的結果，發現若 將秘酸鋁、氣化鋁及/或矽酸鈉作為無機黏結劑（黏合劑） 而有效地用於特定的無餘子，則可使具有適度的折射 率、粒徑的粒子黏結，並可達絲献射率，從而完成本 發明。 即’本發明提供以下者。 (1) 種發光元件用反射基板，其特徵在於：於閥金 屬基板上的至少一部分上具有無機反射層，無機反射層含 有選自由磷酸鋁、氣化鋁及矽酸鈉所組成的組群中的至少 種無機黏結劑，及折射率為1.5以上、1.8以下，平均粒 杈為0.1 μιη以上、5 μπι以下的無機粒子。 (2) 如（1)所述之發光元件用反射基板，其中在閥 6 201251110 -/✓.〆〆/裊 金屬基板與無機反射層之間進而具有陽極氧化皮膜層。 (3) 如（1)或（2)所述之發光元件用反射基板，其 中無機粒子是選自由金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬碳 酸鹽及金屬硫酸鹽所組成的組群中的至少一種。 (4) 如（1)至（3)中任一項所述之發光元件用反射 基板，其中無機反射層是於l〇(TC〜溫度下進行低 溫煅燒而獲得。 (5) 如（1)至（4)中任一項所述之發光元件用反射 基板，其中無機粒子是選自由硫酸鋇及氧化鋁所組成的組 群中的至少一種。 (6) 如（1)至（5)中任一項所述之發光元件用反射 基板’其中閥金屬是選自由紹、组、鈮、鈦、給、錯、辞、 鎢、鉍及銻所組成的組群中的至少1種金屬。 (7) 如（1)至（6)中任一項所述之發光元件用反射 基板，其中閥金屬基板的厚度為0.1 mm〜2 mm。 (8) 如（1)至（7)中任一項所述之發光元件用反射 基板，其中閥金屬為鋁。 (9) 如（1)至（8)中任一項所述之發光元件用反射 基板’其中發光元件用反射基板的拉伸強度為100 MPa以 下。 (10) 如（1)至（9)中任一項所述之發光元件用反 射基板，其中無機粒子為2種以上。 (11) 如（1)至（10)中任一項所述之發光元件用反 射基板，其中於反射基板的表面進而具有包含矽的表面被 7 201251110f /yii 覆層。 (12) 如（11)所述之發光元件用反射基板，其中表 面被覆層的表面上的由空中水滴所形成的接觸角為3〇度 以上。 (13) 如（1)至（12)項中任一項所述之發光元件用 反射基板’其中於反射基板的表面進而設置有金屬配線層。 (14) 如（1)至（13)中任一項所述之發光元件用反 射基板’其中閥金屬層為具有凹部的形狀，陽極氧化皮膜 層及無機反射層設置於具有凹部的形狀的表面。 (15) —種白色系發光二極體裝置，其於如上述 至（14)中任一項所述之發光元件用反射基板上具有藍色 發光元件，且於其周圍及/或上部具有螢光發光體。 (16) —種發光元件用反射基板的製造方法，其將水 分散體塗佈於閥金屬基板上，並進行低溫煅燒來形成無機 反射層，上述水分散體含有無機黏結劑前驅物質，及折射 率為1.5以上、1.8以下’平均粒徑為以上、$ 以下的無機粒子，所述無機黏結劑前驅物質藉由低溫緞燒 進行反應而生成選自由磷酸鋁、氣化鋁及矽酸鈉所組成的 組群中的至少一種無機黏結劑。 (17) 如（16)所述之發光元件用反射基板的製造方 ^，其中對上述八7、小金屬基板的至少一部分的表面進行 陽極氧化來製成陽極氧化皮膜層，並於陽極氧化皮膜層上 形成上述無機反射層。 曰 (18) 如（16)或（17)所述之發光元件用反射基板 8 201251110 的製造方法，其中低溫煅燒溫度為1〇(rc〜3〇〇^。 (19) 如⑽至⑽中任—項所述之發光元件用 反^基板的製造方法，其中進而切的處理液進行表 面處理並加以乾燥。 (20) 如（16)至（19)中任一項所述之發光元件用 反射基板的製造方法，其中於經過如上述（16)至（ι9) 中任-項所述之步驟後，以任意的順序進行以下的（c)步 驟及（d)步驟： 、，（c)形成用以朝發光元件傳送電信號的金屬配線層， 並將金屬配線層圖案化的步驟； ⑷實施將金屬層設置在相當於絲發光元件的部分 的電極部的加工的步驟。 [發明的效果] 根據本發明，提供一種發光元件用反射基板，其具有 不進行间’皿燒結而維持空隙的高光反射層，且光反射層的 強度與對於基板的密接性高。 於在基板與無機反射層之間進而具有陽極氧化皮膜層 的形態中，無機反射層與基板的密接性高。 【實施方式】 [發光元件用反射基板] 本發明的發光元件用反射基板是如下的發光元件用反 射基板：於閥金屬基板上具有無機反射層，無機反射層含 有選自由磷酸鋁、氣化鋁及矽酸鈉所組成的組群中的至少 一種無機黏結劑，及折射率為i.5以上、18以下，平均粒 201251110, 徑為0.1 μιη以上、5 μιη以下的無機粒子。 以下’利用圖1所示的較佳例對本發明的反射基板進 行說明。 圖1表示於閥金屬基板丨上積層有陽極氧化皮膜層2 與無機反射層3的形態。無機反射層3是含有選自由磷酸 鋁、氯化鋁及矽酸鈉所組成的組群中的至少一種無機黏結 劑’及折射率為1.5以上、18以下，平均粒徑為〇」μιη 以上、5 μιη以下的無機粒子的層，為了易於進行說明，而 將其記載為與陽極氧化皮闕2不_層，雖然無機反射 層3是作為層而形成於陽極氧化皮膜層2上，但其一部分 亦可進入至多孔質的陽極氧化皮膜層中。 本說明書中所使用的粒徑只要事先無特別說明，則將 累計值观的粒度設為「平均粒經」，稱為屯。的值。當測 定粒徑時，例如使粒子分散於㈣巾，求丨透過度分布來 進行測疋。使帛雷射繞射絲度分布測絲置進行測定。 圖2是表示本發_發光元件用反射基板的其他形態 _面圖。圖2的形態中’上述閥金屬基板為具有凹部的 形狀’上述陽極氧化皮膜層2及無機反射層3設置於 凹部的形狀的閥金屬基板u的表面。發光元件11〇安裝於 無機反射層3上的凹部的部分，在閥金屬基板u的盘介隔 化皮膜層2而安裝發光树⑽的面相反側的面 上’ δ又置有用以散熱的散熱片7。 陽

201251JB 發明的發光元制反射基板包括不具有陽極氧化皮膜層2 的情況。衬於屬基板丨上的―部分上具有陽極氧化 皮膜層2與無機反射層3,亦可存在只有陽極氧化皮膜層2 的Μ。無機反射層3設置於陽極氧化皮闕a巾或陽極 氧化皮膜層2上。無機反射層3可存在於陽極氧化皮膜層 的。卩为上，亦可存在於整個陽極氧化皮膜層2上。其 原口在於.$要作為㈣極氧化皮臈層的絕緣層、或盔機反 射層的位置根據所安裝的元件的形狀或配線的位置而不 同，必須以各種設計進行配置。 (無機黏結劑） ，無機黏結劑是藉由低溫烺燒來使隨後將說明的無機粒 子彼此結合，而構成無機反射層的物質。於本發明中，作 為無機黏結劑，使用磷酸鋁、氣化鋁、或矽酸鈉。亦可使 用該些的2種以上的混合物。 詳細而言，可例示以下無機黏結劑。 (碟酸鋁） 上述磷酸鋁可例示偏磷酸鋁、正磷酸鋁、聚磷酸鋁。 (氣化鋁） 人上述氣化鋁可例示氯化鋁、無水氣化鋁、氯化鋁六水 口物、聚氣化鋁（使氫氧化鋁溶解於鹽酸而生成的鹼性氯 化銘的聚合物）。 (碎酸納） 上述矽酸鈉（sodium silicate)亦稱為矽酸鈉（silicate 〇f soda)或水玻璃，且通常為作為偏矽酸的鈉鹽的 201251110 tpll 5、Na2Si4〇9 氧化鈉進行 ，s:〇3,此外’亦可使用Na4Si〇4、Na_ 專。偏砂酸的納鹽可使二氧切與碳酸納 溶解而獲得。 乳 (無機黏結劑前驅物質） =而獲得。無機黏結劑前驅物質可列舉磷酸、：:進 硫酉文痒無機酸，鋁，及氧化鋁，硫酸鋁，氫氧化鋁 =的混合物。無機黏結劑前驅物質是藉由低溫锻燒= 反應而生成無機黏結劑的物質。當需要中: =r液，化合物可使各自的原料作：二 =驅物魏行反應來製造。可自開始階段㈣氣化紹、 磷酉欠鋁、矽酸鈉的無機黏結劑與無機粒子一同用作水分 體，亦可與無機黏結劑前驅物質混合使用。刀月 一較佳為向低溫煅燒前的水分散體中添加上述鋁鹽中的 氫氧化鋁與氣化鋁兩者，較佳為氣化鋁的量相對於氫氧化 紹的量為5質量％〜1〇質量％。一般認為氣化鋁具有作為 觸媒來使氫氧化紹與峨酸的反應進行的作用，氣化紹的& 較佳為上述範圍的量。另外，當使用氣化鋁與鹽酸，而不 使用磷酸鋁前驅物質時，因作為無機黏結劑的氣化鋁不會 著色，故光反射率高。 θ 除磷酸鋁以外，亦可使用磷酸鹽化合物，或者亦可將 磷酸鋁與磷酸鋁磷酸鹽化合物一同使用，作為磷酸鹽化合 物，只要不溶於水，則無需特別限定。作為具體例，可列 舉：磷酸鎂、磷酸鈣、磷酸鋅、磷酸鋇、磷酸鋁、磷酸鎵、 12 201251110 ^ 佳為50質量％以上為罐酸I呂。 …ΐ使Γ^_時，使其溶解於水中並進行加熱來製成 I ;，、、相整成適當的騎來㈣錢麟劑前驅物 用 可將該些無機黏結劑前驅物質以任意的組合混合使 以生成作為目標的無機黏結劑。 (無機粒子） 以上無，=的折射率為15以上、18以下’較佳為155 射芦的反射=。錢料為職圍’朗獲得的無機反 的差異所造成…—般認為其理由是由於與空氣的反射率 無機粒子的平均粒徑為〇」μιη以上、5 _以 =0.5师〜2_。—般認為若使用平均粒徑為上述範= =”，、機粒子，則可於粒子間確保適當的空隙，亦可鱼 ^極氧化皮膜層的密接性。若平均粒徑未滿U帅二二 層則存在與陽極氧化皮膜 ^利用燒結來使無機粒子黏結的步驟中， 疋的空隙，必須控制燒結的進程，但於本發明中，2特 ，無機黏結劑所製造的無機反射層可於低溫下上 :起且不進行利用燒結的無機粒子的黏結，因此‘為ϋ 、…、機粒子的平均粒徑是重要的因素。 二，、； 上述無機粒子並無限定，例如可例示以下的無機粒子 13 201251110 氧化鋁（aluminium oxide)(鋁土（alumina))(折射 率n=l.65〜1.76，以下，括號内的數字為折射率）、氫氧化 鋁（1.58〜1.65〜1.76)、氫氧化鈣（1.57〜1.6)、碳酸鈣 (1.58 )、方解石（1.61 )、碳酸J弓（caiciuin carbonate ) (1.61)、輕質碳酸鈣（ι·59)、重質碳酸鈣（1.56)、極微 細碳酸鈣（1.57)、石膏（1.55)、硫酸鈣（1.59)、大理石 (1.57)、硫酸鋇（1.64) '碳酸鋇（16)、氧化鎂（1.72)、 碳酸鎂（I.52)、氫氧化鎂（1.58)、碳酸锶（1.52)、高嶺 土（ 1.56)、煅燒黏土（ 1.62)、滑石（1.57)、絹雲母（1.57)、 光學玻璃（1.51〜1.64)、玻璃珠（151)。使用的粒子的素 材只要滿足上述範圍的折射率即可，可使用金屬氧化物、 金屬氫氧化物、碳酸鹽、硫酸化物等無機鹽，其中，較佳 為使用金屬氧化物。於本發明中，因不存在於高溫下進行 燒結這一步驟，故不侷限於氧化物，可使用各種無機鹽。 另外，只要是滿足上述特性者，則亦可將2種以上的 粒子或具有2種以上的平均粒徑的粒子混合使用。藉由將 粒徑不同的粒子或素料同的粒子加雜合，可謀求膜強 度的提昇、或與基板的密接強度的提昇。 進而亦可期待藉由塗佈面的性質的改良*使表 得平滑的效果。 進而於本發明巾’上述無機粒子的形狀並無特別限 定’例如可為球狀、多面體狀（例如20面體狀、12面體 狀等）、立謂狀、4面體狀、表面具有凹凸狀的突起的球 形形狀、板狀、針狀等的任一種。 201251l10 夕之中’就隔熱性優異的理由而言’較佳為球狀、 2體狀、立，狀、4 — 杜球⑽狀’就谷易獲得且隔熱性更優異的理 佳為球狀。 、 < 1.無機反射層> 2'、’、认反射，以力σ熱乾燥後的重量計’較佳為設為如 gm〜500 g/m。若為該範圍，則於其内部殘留有空隙， 光的5過侍到抑制，反射率高。藉由將磷酸鋁用作黏 = 燒結’能夠以更低的成本形成反射層。無機 料，亦經得起經年變化。進而，形成反射 %極氧化歧進行反應，而亦可確保與基板 :、機反射層中的無機粒子的量與選自㈣酸紹、氣化 二盔:夕:t鈉所組成的組群中的至少一種無機黏結劑的量 ：；佳f相對於錢粒子⑽質量份，域黏結劑為5質量 伤〜100質量份，更佳為1〇質量份〜5〇質量份。 =無;&反射層巾’除±述無機粒子與無機黏結劑以 八2可含有其他化合物。作為其他化合物，例如可列舉 丨等，另外，可列舉無機黏結劑前驅物 舰㈣無餘子與無她結劑前輸質及/或無 機黏結劑的反應產物等。 (無機反射層的製造方法） 無機反射層的製造綠並轉觀^，純佳為如下 方法：將無额子齡於町將朗的含有錢黏結劑前 15 201251110 ，物質的黏合液巾，使料塗佈财驗佈機將該混 5液以狀量塗佈於陽極氧化皮膜層上，其後進行加熱處 理（低溫煅燒）。 塗佈方法並無特別限定，可使用各種方法，例如可列 舉棒式塗佈機塗佈、旋轉塗佈、喷塗、簾塗、浸塗、氣 刀塗佈、刀塗、輥塗等。 土 右以根據反應式的化學計量組成比調整無機點結劑前 驅物質與無機好的水分散體，肢應進行關時液體的 ，度急遽上昇。為了避免此種現“穩定地形成無機反射 4 ’理想的是事先添加少量的水。另外，磷酸根、鹽酸根 殘存於無機反射層顿極氧化皮闕巾有時會引起基板的 腐姓、或LED的密封材的劣化等，而不理想。因此理想 的疋相對於化學計量比，略微過剩地調配磷酸、鹽酸以外 的成分的量。 —只要利用紅外分光光度計對皮膜表面進行分析，便可 容易地確認於加熱乾燥後的皮膜中生成有磷酸鋁、氣化 铭、或石夕酸鈉。 、 另外，亦可藉由調整2種以上的組成不同的黏合液並 依次進行塗佈，而使無機反射層變成2層以上。藉由將2 =以上的無機反射層加以組合，可謀求無機反射層9強度的 ^昇或與基板的也、接強度的提昇。進而，亦可期待料由 塗佈面的性質的改良而使表面變得平滑的效果。 曰 (低溫煅燒） 為了在將含有無機黏結劑前驅物物質與無機粒子的水 201251110 分散體塗佈於基板上後，使反應進行並利用由反應所生成 的無機黏結劑來黏結無機粒子，而進行低溫煅燒。 低溫煅燒溫度為100。(：〜30(TC，較佳為150°c〜 300°C，更佳為 200¾ 〜250。(：。 若未滿100°C，則無法去除水分，若超過3〇〇。〇，則產 生鋁基材的強度變化，故不理想。另外，為了使無機黏結 劑前驅物質間的反應進行來黏結無機粒子，理想的是 150°C以上的溫度，進而，為了完全地去除殘存於所獲得的 無機黏結劑中的吸附水，理想的是18(rc以上。若於超過 250 C的溫度下進行長時間處理，則閥金屬基板的強 生變化，因此理想的是以250°C以下進行處理。 曰又 煅燒時間為10分鐘〜60分鐘，更佳為2〇分鐘〜4〇 分鐘。若時間短，則反應的進展不充分，若時間變長，則 因與煅燒溫度的關係而引起閥金屬基板，特別是鋁金屬美 板的強度變化。若為60分鐘以上’則就製造成本而'亦二 理想。根據該理由，煅燒時間最佳為2〇分鐘〜4〇 乂铲 由於黏合液是含有水分的液體，因此亦可於刀二 後、上述低溫锻燒處理之則加入乾燥步驟。可於 * 酸鋁生成反應或黏結反應的l〇(TCunr沾」產生^ 燥。 下的溫度下進行乾 <2.閥金屬基板> 、钽、銳'鈇 作為閥金屬，具體而言，例如可列舉在呂 給、結、辞、鶴、絲、錄等。 該些之中，就尺寸穩定性良好、 且比較廉價而言 較 201251110, 佳為鋁 閥金屬基板亦可為單一的板。 視需要’將閥金屬基板積層於鋼板等其他金 璃板、、陶瓷板、樹脂製板等上来設置。 金屬基板的陽極氧化皮膜層是具有電阻率（1GH ^ 右）的耐熱性高的絕緣被膜。 工 為了形成陽極氧化皮職魏絕雜，A 金屬義 板只要厚度為10 μιη以±即可。當將其他板材與閥金& 板積層來使㈣’較佳為與具有可祕、料熱性高的ς 板或金屬板的積層板。 (鋁板） 於製造本發明的反射基板時，可使用公知的鋁板。本 發明中所使用的鋁板是將尺寸穩定的鋁作為主成分的金 屬，且包含鋁或鋁合金。除純鋁板以外，亦可使用將鋁作 為主成分且包含微量的不同元素的合金板。 於本說明書中，將包含上述銘或紹合金的各種基板總 稱為鋁板來使用。可包含於上述鋁合金中的不同元素有 矽、鐵、銅、錳、鎂、鉻、鋅、鉍、鎳、鈦等，合金中的 不同元素的含量為10質量％以下。 如此’本發明中所使用的鋁板的組成並無特別規定， 紹的純度並無特別限制，可使用通常用作板材的1000系、 3000系、5000系的合金。但是’當用作發光元件用反射基 201251110 h 板時，要求财電壓優異，理想的是儘可能減少素材中的金 屬間化合物等的粒子。當於熱處理條件下無法避免時，使 用99.9%以上的高純度的鋁亦有用。 具體而&’可適當利用|呂手冊（Handbook of Alumimim)第4版（ 1990年，輕金屬協會發行）中所記 載的先前公知的素材’例如JIS A1050、JIS A1100、JIS A1070、含有Μη的JIS A3004，國際註冊合金3103A等

Al-Mn系I呂板。另外，為了增加拉伸強度，亦可使用向該 些鋁合金中添加0.1質量0/〇以上的鎂而成的Al-Mg系合 金、Al-Mn-Mg系合金（JIS A3005 )。進而，亦可使用含有 Zr或Si的Al-Zr系合金或Al-Si系合金。進而，亦可使用 Al-Mg-Si系合金。 關於JIS1050材料、JIS1070材料，於國際公開 W02010/150810號的段落[〇〇32]〜段落[〇〇33]中所記載的 公報中有記載。 關於Al-Mg系合金、Al-Mn系合金、Al-Mn-Mg系合 金、Al-Zr系合金、Al-Mg-Si系合金，於國際公開 WO2010/150810號的段落[〇〇34]〜段落[〇〇38]中所記載的 公報中有記載。 關於將銘合金製造成板材的方法、半連續鑄造（direct chill casting)法、連續鑄造法、鋁板的表面的結晶組織、 鋁板的金屬間化合物，於國際公開W02010/150810號的段 落[0039]〜段落[0050]中有記載。 於本發明中，亦可於如上述所示的鋁板的最終壓延步 201251110 /pif ，專中’藉由積層壓延、轉印等來形成凹凸並進行粗面化 處理後使用脑板。若事先聽板表面進行粗面化處理， 則於形成陽極氧化皮膜層後，可提昇形成於其上的益機反 射層與基板的密接性。其姉面化纽方法_將說明。 本發明中所使用的鋁板可為鋁網，亦可為單片狀片材。 本發明中所使用的閥金屬板的厚度較佳為01 mm〜 2 〇 mm。尤其，鋁板的厚度為0.1 mm〜2.0 mm左右，較 佳為〇·15 mm〜1.5 mm，更佳為〇.2 mm〜l.〇mm。該厚度 可根據使用者的希望等而適當變更。 < 3.粗面化處理> 當製造本發明的反射基板時，亦可對經鹼脫脂的鋁板 直接進行陽極氧化處理來形成陽極氧化皮膜層。另外，若 事先對IS表面進行粗面化處理，然後進行陽極氧化處理， 則可提昇陽極氧化皮膜層與鋁板的密接性。粗面化處理可 列舉如下方法’即對鋁板依次實施機械式粗面化處理、鹼 钱刻處理、利用酸的去污處理（desmutting treatment)及 利用電解液的電化學式粗面化處理的方法，對鋁板多次實 施機械式粗面化處理、鹼蝕刻處理、利用酸的去污處理及 利用不同的電解液的電化學式粗面化處理的方法，對鋁板 依次實施鹼蝕刻處理、利用酸的去污處理及利用電解液的 電化學式粗面化處理的方法，對鋁板多次實施驗钮刻處 理、利用酸的去污處理及利用不同的電解液的電化學式粗 面化處理的方法，但本發明並不限定於該些方法。該些方 法中，於上述電化學式粗面化處理之後，亦可進一步實施 20 201251110 -----卜 鹼蝕刻處理及利用酸的去污處理。 其中，雖然亦取決於其他處理（驗姓刻處理等）的條 件，但當要形成大波結構、中波結構及小波結構重疊的表 面形狀時’可較佳地列舉依次實施機械式粗面化處理、利 用將確酉文作為主體的電解液的電化學式粗面化處理、及利 用將鹽酸作為主體的電解液的電化學式才且面化處理的方 法。另外，當要形成大波結構及小波結構重疊的表面形狀 時，可較佳地列舉僅實施如下的電化學式粗面化處理的方 法··利用將鹽酸作為主體的電解液，使參與陽極反應的電 量的總和變大。 關於各粗面化處理的詳細情況，於國際公開 W〇2010/15081〇號的段落[0055]〜段落[0083]中有記載。 <通孔加工> 士於本發明的發光元件用反射基板中，當安裝發光元件 時，亦可適當地進行用以設置配線部的通孔加工、及用以 進行〇又想隶終製品的晶片化的佈線（r〇uting)加工（用以 個別化成最終製品的加工）。通孔加工是對於所需部位的開 孔加工，關於加工而成的通孔的形狀，只要長度為配線需 要的多個層之間的長度’且其剖面為可確保使所需的配線 進入其中的大小/形狀，則並無特別限制，但若考慮最終的 晶片的大小、及配線的準確的形成，則較佳為圓形，大小 較佳為0·01 mmcp〜2mm(p，更佳為o osm—y麵…特 佳為 0.1 πιπΐφ^〇.8 xumcp。 (佈線加工） 21 201251110 佈線加工是切分為已個別化成最終製品的發光元件用 反射基板（以下稱為晶片）的大小的個別切分加工、或者 事先形成容易切分為晶片的形狀的加工，亦稱為圖案加 工、晶片化。佈線加工包括如下的加工：利用被稱為起槽 機（router)的裝置形成貫穿基板的厚度方向的切口 '或者 利用切塊機以不切斷的程度於厚度方向上形成切口（缺 口）。 <4.般燒處理> 上述佈線加工、通孔加工中的鋁板的根據JIS Z2241 的拉伸試驗（拉伸速度：2mm/min)的拉伸強度（以下稱 為拉伸強度）^ 100 MPa以下，這樣的軟質的基板會降低 加工性，因而不佳，當製造本發明的發光元件用反射基板 時，理想的是於佈線加工、通孔加工等機械加工後，為了 ，=鮮化而進行般燒。另外，若於實施了陽極氧化處 ==二有可能會產生由紹與皮膜之間的熱膨服 m工”痕等’衫理想。因此，理想的是於機 燒處理。機械加I之後、陽=^調整純的強度的锻 佳為於25。。(：〜_。(：下進Γ〗，，理之前的般燒處理較 理。當進行陽極氧化處理後二^鐘〜，分鐘的加熱處 〜戰的域溫度下進理時’健為於贿 <5·陽極氧化處理/ 分鐘的加熱處理。 對如上述般進行了表面 極氧化處理。藉由陽極轰 加工的鋁板進而實施陽 錢處理，而於銘板的表面形成包 22 201251110 陽極氧化皮膜層，從而獲得多孔質或非孔質的 =極氧化處理可_先前所實行的方法來進行。於此 5 ΐ:。;例如可於硫酸濃度為50叭〜3〇〇叭，I呂濃度為 陽下的水溶液中，將銘板作為陽極並通電來形成 輩船t田Ϊ膜層。作為陽極氧化處理中所使用的溶液，可 酸、路酸、草酸、續胺酸' 苯續酸、醢 以二合^酸、择樣酸、酒石酸、爛酸等，或者將2種 陽極氧化處理的條件根據所使用的電解液而進行各種 ^ ^無法—概而定，但通f適當的條件技解液濃 〜8〇 #量％，液溫為5°C〜7〇°C，電流密度 1;秒5Γ、:6〇Α—2,電廢為1 v〜100v，電解時間為 式進㈣整且以成為所期望的陽極氧化皮膜層量的方 當於含有硫_電驗tit行陽極處理時，可 ，板與相對電極之職加直流，亦可施加交流。 柄

^加”時，電流密度較佳為丨A/dm2〜6()A/dm2\ J A/dm〜40 A/dm2。當連續地進行陽極氧化處理時，為； =電流集中越㈣—部分上而產生所謂的「過燒 佳為於陽極氧化處理的最初階段以5 A/dm2〜⑺ 低電流密度使電流流通，伴隨陽極氧化處理的 二觉 流密度增加至30A/dm2〜50A/dm2或其以上。當連綠2 仃陽極氧化處理時，針對紹板的供電方式較佳^藉由貝液體 23 201251110 供電方式來進行。液體供電方式是不使用導電輥的間接供 電方式，而是經由電解液進行供電。 陽極氧化皮膜層可為多孔質，亦可為無孔質。於多孔 質的清’兄下’其平均孔徑為5 nm〜1〇〇〇 nm左右，平均孔 岔度為 lxl〇6/mm2〜lxl〇1()/mm2左右。 關於陽極氧化處理的其他詳細情況，於國際公開 W〇2〇10/150810號的段落[0091]〜段落[0094]中有記載。 鋁因導熱率非常高，故散熱性優異，這一點勝過其他 金屬’不僅如此，藉由使陽極氧化皮膜層形成於表層而亦 可賦予絕緣性。 了對事先加工成女裝led的基板形狀者，例如六角形 ,^"角幵/者或形成有通孔者進行陽極氧化處理來用作基 亦可進行陽純化處理，並於形成上述無機反射層之 傻進行加工。 陽極氧化皮膜層的厚度較佳為i叫〜綱μιη。若未滿 μ1Ώ ’則缺乏絕緣性且耐糖生下降，另—方S，若超過 極氧^皮:極大_，經濟上㈣不利。陽 上。膜層的厚度較佳為20卿以上，更佳為40卿以 <6·封孔處理> ^本發财，村朗商㈣極 孔處理，可根獅水處理 =層進灯封 如可利_處理等公知的方法進行。例 J用以下文獻中所記載的裝置及方法進行封孔處理： 24 201251110 日本專利特公昭56·12518號公報、日本專利特開平4_4194 號公報、日本專利制平5·2幅％號公報 開 平5-179482號公報等。 另外’作為其他封孔處理，例如亦可較佳地列舉如日 本專利制平6·35174號公報的段落_6]〜段落[〇〇35] 中所記載的利用溶膠凝膠法的封孔處理等。 本毛明的發光元件用反射基板藉由對 X而表現出可改善配線形雜的可紐。陽極氧化皮膜 層與無機反㈣帽存在的线杨非⑸、，但當實施伴 隨，線形成的濕式處理等時，存在如下的危險性，即液體 殘存於内部，而導致反料下降或絕緣性下降。 作為無損基板本身的反射率，而於氧化紹表面形成緻 您的皮膜的綠，簡的是包含Si的表錢理。可使所獲 得的反射基板浸潰於丨質量％〜5 f量％_酸鈉水溶液 中’進行加熱、乾燥後實施發酸玻璃的塗佈。即，藉由形 成利用㈣鈉等的薄玻璃層，可抑制溶液的侵人，且無損 反射特性。 ' <7.無機反射層的形成> 進而，亦可於事先實施了如可分解成晶片或包含多片 Ba片的零件的加jl的基板上，藉由各種印刷方法，例如網 版印刷等喊於需要敍射的科職上述錢反射層。 若利用該綠形絲機反射層，财_無歧射層中所 使用的原料。 <8.發光元件用反射基板> 25 201251110- ^有以上所說明的本發_無機反射層的發光元件用 反射基板於單較㈣金屬板㈣況下，#不將其他金屬 板用於怎材等的強化時，強度較佳為於根據瓜z224i的 拉伸試驗（拉伸速度：2mm/min)中的拉伸強度（以下稱 為拉伸強度）為100 MPa以下，更佳為3〇廳〜8〇他。 <9·表面被覆層> 如圖4所示，本發明的發光元件用反射基板亦可於無 機反射層3上進而具有包切的表面被覆層。若於形成益 機反射層3之後’在其表層設置如遮掩無機反射層的空隙 的表面被覆層4，則表面的平滑性上升，一 射層的高反射率，一面於安裝LED晶片時防止黏著早二 入而不耗費無用的黏著材，黏著力亦高且黏晶性優異。 本發明的表面被覆層4是利用含石夕的處理液進行表面 處，而形成。含料處理液可例示㈣鈉水溶液、石夕綱樹 脂等。矽酮樹脂亦可藉由有機溶劑進行稀釋後使用。利用 ^種處理液對表面進行處理的方法可列舉於處理液中的浸 ，、處理液的塗佈、處理液的噴塗等。塗佈可列舉輥塗、 簾幕式塗佈機塗佈、旋轉塗佈機塗佈、刷塗等。所獲得的 表面被覆層為石夕酸玻璃質塗層、石夕酮樹脂塗層。 表面被覆層可使無機反射層的表面的凹凸變得平滑， 使表面缺陷消失，抑制用於LED晶片的安裝的黏著劑的滲 透，減少黏著劑量。另一方面，可確保無機反射層内的内 部空隙’因此不會使光反射率下降。 上述表面被覆層較佳為表面上的空中水滴的接觸角為 26 201251110 30以上。本說明書中的接觸角是利用θ/2 θ/2法是根據連結液滴的左右端點與頂 ^ :體表面的角度來求出接觸角，並使其變成 接觸角取決於所獲得的表面被覆層的材料 狀·。當使用石夕酮樹脂系的材㈣，因存在於表 ^ 而導致分子間的凝聚力弱（約20 dyne/cm),斑 = dyne/cm)之間表現出強撥水性，大概表示4〇。二卯。接 角。本發明的表面被覆層通常含有分子間的凝聚力強的= 為材料整體，接觸角小於僅為矽_樹脂系的材 2接觸角。^顯示親水的傾向。作為無機粒子與石烟 树月曰糸的接觸角’大概表示3〇。〜7〇。的值。 另-方面，關於表面形狀的影響，—般認為凹凸越大， 越有增強撥水性的效果。因此，若將撥水㈣材料塗佈於 凹凸表面，則表現出更高的撥水性。表面被覆層存在較佳 的塗佈量。為了被㈣痕 '針孔等表面缺陷，厚度只要為 :μηι以上便;i夠。根據與基材的凹凸（Ra)的關係，若以 该程度的厚度進行被覆，則被覆層的表面的^變小，表 現出未利肋凸来增強的大致原始材料的撥水性，接觸角 顯示30°〜50。。 ，當使用更厚的表面減層時’變絲面被覆層自身反 射光，而紐獲得錢反射層的效果。若厚度超過1〇哗， 則反射率大致取決於表面被覆層自身的特性，相對於無機 反射層的歧射率朗90%，_得未滿鄕的值，作為 27 201251110 光反射板的功能劣化。表面被覆層的厚度更佳為2 μιη。 < 10.金屬配線層> 本發明的發光元件用反射基板亦可進一步形成金屬酋己 線層。金屬配線層可設置於安裝發光元件的陽極氧化皮港 層與無機反射層之上、或者視需要可設置於表面被覆1 亡二如圖3所示，亦可實施將金屬層設置在相當於安裝香 件的部分的電極部22上的加卫，而於金屬配線層的坤 部形成電極部22。另夕卜，亦可設置在與安裝發光元件的阳 ，氧化皮膜層相反側的背面側，並經由通孔而與發光元喲 安裝面電性連接。若設置於無表面被覆層的無機反射旧 上，則金屬油墨的液體成分滲入至無機反射層中， 線形成性優異。 — 上述金屬配線層的材料只要是使電通過的素材（以 下’亦稱為「金屬素材」）’則並無特別限定，作為其呈 例’可列舉金（Au)、銀（Ag)、銅（Cu)、鋁（Α1)、鎂 (Mg)、_ (Ni)等，可單獨使用該些素材的1種，亦可 并用2種以上。該些之中，根據電阻低的理由，較佳為使 用Cu。再者，就提高打線接合的容易性的觀點而言，亦可 ;利用Cu的金屬配線層的表層設置Au層或顺如層。 &另外，上述金屬配線層亦可為使用該些材料的多層 例如，可較佳地列舉自最下層起依次設置Ag層、Ni 層及Au層的形態。 另外，上述金屬配線層的厚度只要根據目的或用途而 28

201251110 y y ^ I 為斤功望的厗度即可，但就導通可靠性及封 性的觀點而古，敕佳AOS__m〜lnnn 4衣版的緊凑 σ早乂住马υ·5叫1 1000 pm，更佳為1 μιη〜 500 μιη，特佳為 5 μηι〜250 μιη。 <金屬配線層的形成> 作為上述金屬配線層的形成方法，例如可列舉利用喷 墨印刷法、網版印刷法等將含有上述金屬素材及液體成分 一(例如溶劑、樹脂成分等）的金屬油墨圖案印刷於上 受層上的方法等。 藉由此種形成方法，無需許多步驟而可簡便地將具有 圖案的金屬配線層形成於存在凹凸的無機反射層的表面。 另外，作為上述金屬配線層的其他形成方法，例如可 列舉電解織處理、無電解鎌處理、置換職處理等各 種鍍敷處理，此外，可列舉濺鍍處理、蒸鍍處理、金屬箔 的真空貼付處理、設置黏著層的黏著處理等。 以上述方式形成的金屬配線層根據安裝發光元件的設 計，利用公知的方法來形成圖案。另外，可於實際安裝發 光元件的部位再次設置金屬層（亦包含焊錫），並以容易~^ 接的方式藉由熱壓接或覆晶、打線接合等適當地進行加工。 作為合適的金屬層，較佳為焊錫、或金（Au)、銀（Ag)、 ，（Cu)、铭（A1)、鎂（Mg)、鎳（Ni)等金屬素材，當 藉由加熱來絲發光元件時，就連接可雜峨點而言田 較佳為設置焊錫、或介隔Ni的Au、Ag的方法。 ° 作為金屬配線層的形成方法’只要使用金屬油墨並藉 由喷墨印刷法或網版印刷法於無機反射層上形成圖案，則 29 201251110 無需許多步驟而可簡便地將具有圖案的金屬配線層形成於 存在凹凸的表面，因由無機反射層的凹凸所產生的定錨效 應局’故金屬配線層與無機反射層的密接性亦優異。若將 無電解鍍敷等加以組合，則可於上述金屬配線層上再次設 置金屬層（亦包含焊錫），並以容易進行配線間、或與電極 的連接的方式藉由熱壓接或覆晶、打線接合等適當地對金 屬配線層進行加工。 <u·白色系發光裝置〉 圖2是表示本發明的白色系發光裝置的一構成例的概 略圖。 圖2的例中’上述閥金屬基板為具有凹部的形狀，上 述陽極氧化皮膜層2及無機反射層3設置於具有凹部的形 狀的閥金屬基板11的表面。發光元件11〇安裝於無機反射 層3上的凹部的部分，在閥金屬基板11的與經由陽極氧化 皮膜層2而安裝發光元件110的面相反側的面上，設置有 用以散熱的散熱片7。 於圖2所示的白色系發光裝置100中，在具有外部連 接用的電極的發光元件用反射基板3〇上安裝有作為發光 元件110的LED元件，其藉由打線接合9而與電極電性連 接。發光元件110由包含螢光體（螢光粒子）15〇的樹脂 材料16〇密封。於白色系發光裝置100中，可藉由來自LED 元件的發光與來自螢光體15〇的激發光的混色而獲得所期 望的波長光。當用作白色系發光裝置時，使用藍色發光的 LED元件作為LED元件，並利用包含釔鋁石榴石（Yttrium 201251110

Aluminium Garnet，YAG)等螢光體（螢光粒子）150的樹 脂進行密封，藉由來自LED元件的藍色發光與來自螢光體 (螢光粒子）150的黃色區域的激發光的混色，而朝發光 面側發出疑似白色光。 LED 元件可將使用 GaAIN、ZnS、ZnSe、SiC、GaP、

GaAlAs、AIN、InN、AlInGaP、InGaN、GaN、AlInGaN 等的半導體者用作發光層。作為半導體的構造，可列舉具 有MIS接合、PIN接合或PN接合的同質結構、異質結構 或雙異質結構。可根據半導體的材料或其混晶度而自紫外 光至紅外光為止選擇各種發光波長。 本發明的白色系發光裝置100中，於閥金屬基板U 上設置膜強度與對於基板的密接性優異的陽極氧化皮膜層 2、及無機反射層3來作為反射基板,反射層的光反射 率亦高。 因LED元件的使用範圍擴大至室内外的照明、汽車前 燈、顯示器裝置的背光單元等各種領域，故不進行高溫燒 結且具有高光反射特性的本發明的發光元件用反射基板 有用的。 [實例] 以下表示實例來具體地說明本發明。但是，本 不限定於該些實例。 X 、 <1.反射層用塗佈液的製備> 將下述的粒子粉末分別以100 g的比率添加至混人 磷酸、氫氧化銘及水的黏合液100 g中，並進行攪拌:將 31 201251110 所獲得者塗佈於所準備的7種基板上，然後以180°C><30 分鐘的條件進行加熱來實施低溫煅燒。 黏合液的配方如下所述。 <黏合液（1) > 磷酸85% (和光純藥工業股份有限公司）48 g 氫氧化鋁（和光純藥工業股份有限公司）11 g 水 41 g 合計 100 g <黏合液（2) > 磷酸85% (和光純藥工業股份有限公司）48 g 氫氧化鋁（和光純藥工業股份有限公司）11 g 氯化鋁（和光純藥工業股份有限公司） 0.8 g 水 40.2 g 合計 100 g <黏合液（3) > 鹽酸35% (和光純藥工業股份有限公司）31.7 g 氫氧化鋁 7.4 g 水 60.9 g 合計 100 g <黏合液（4) > 矽酸鈉（3號矽酸鈉：富士化學股份有限公司製造） 80 g 水 20 g 合計 100 g 32 201251110 <黏合液（5)、黏合液（6)〉 黏合液⑴使用聚乙稀 a 股份有限公司製造）液，黏合液⑷ 學工業 鐵化學股份有限公司）。 用衣乳树鈿（新曰 加下述所示的無機粒子來 準備無機 向上述黏合液中添 反射層用黏合液。 1)氧化鋁 以下記載所使用的氧化銘教子。 AL-160SG-3 (粒彳和電讀份有限公司製造的 、祖^马 0.52 μιη’ 純度為 99 9%)， =小=子’使用球磨機，將其與二氧化錯珠; 二 = 麦使用粒徑測定裝置取出成為所期 : 的乳化鋁粒子來使用。 桠仏

<3>未進行粉碎，而直接使用AL -160SG-3。 〈4>使用昭和電工股份有限公司製造的A42-2 (師 為 4.7 μιη，純度為 99.57%)。 二 <5>使細和電工股份有限公司製造的Α·ΐ2 (粒徑 為 30 μιη，純度為 99.64%)。 二 2) 二氧化矽粒子’使用東亞合成股份有限公司製造的 HPSTM-1000 (純度^99.9%，平均粒徑為！ μιη)。 3) 氫氧化鈣’使用宇部材料（ube Material)股份有 限公司製造的CSH (純度為99.99%，平均粒徑為1 μιη)。 4) 氧化鎂’使用Tateho化學工業股份有限公司製造 的 PuremagTMFNM-G (純度 ^99.99%，平均粒徑為 〇.5 33 201251110

Jyyy/pif μιη)。 5) 氧化釔，使用信越化學工業股份有限公司製造的微 粒子型（純度為99.99%，平均粒徑為！ μιη)。 ) 6) 氧化鋅，使用堺化學工業股份有限公司製造的 LPZINC-2 (純度為99.9%，平均粒徑為2 μηι)。 7) 氧化鈦’使用Fuji Titanium Industry股份有限公司 製造的TA-100 (純度為98.4%，平均粒徑為〇.6 μηι)。 8 )氧化錯’使用KCM Corporation股份有限公司製造 的KZ-0Y-LSF (純度為99.9%，平均粒徑為0.2 μιη)。 9)硫酸鋇 以下記載所使用的硫酸鋇粒子。 <1>使用東新化成股份有限公司製造的BF-1 (純度 為97% ’平均粒徑為0.05 μιη)。 <2>使用東新化成股份有限公司製造的β-30 (純度 為94%，平均粒徑為0.3 μιη)。 <3>使用竹原化學工業股份有限公司製造的wm (平均粒徑為1 _5 μιη)。 <4>使用竹原化學工業股份有限公司製造的w_6 (平均粒徑為5 μιη )。 <5>使用竹原化學工業股份有限公司製造的w_i〇 (+均粒經為10 μιη )。 比較例3及比較例13不使用磷酸鋁，而僅設為粒子， 比較例丨4、比較例15分別使用聚乙埽醇、環氧樹脂作為 黏合劑。 34 201251110 <2.基板的準備> 基板使用紹板（厚度為0.8 mm，1050材料，日本輕 金屬股份有限公司製造）’進行以下的處理來分別準備基板 A〜基板C。 基板A…對上述鋁板僅實施了鹼脫脂處理。 基板B…對上述鋁板進行了鹼脫脂處理與陽極氧化處 基板C…對上述鋁板進行了鹼脫脂處理、粗面化 及陽極氧化處理。 另外，使用鋁板（厚度為〇.4 mm及i 6 mm，1〇5〇 枓，日本輕金屬股份有限公司製造），同様 理來準備基板Ό〜基板丁下的處 同 基板D...對厚度為〇.4 的紹板進行了與基板b相 的處理。 的處=E對厚度為G.4匪_板進行了與基板C相同 mm 基板卩…對厚度為1.6 的處理 的紹板進行了與基板B相同 同 的處=G..對厚度為U随的铭板進行了與基板C相 限公〇·8—、的鈦板(添川理化學股份有 作為基板Η。、製作厚度為2()μηι的陽極氧化皮膜來 ;厚度為0.8 mm的銳板（添川理化學股份有 35 201251110 ^yyy/ρι[ 限公司製造）的表面製作厚度為20 μηι的陽極氧化皮膜來 作為基板I。 (1)基板Α的處理條件 a.於鹼性水溶液中的脫脂處理 自噴霧管對鋁板吹附氫氧化鈉濃度為27質量％、鋁離 子濃度為6.5質量％、溫度為70°C的水溶液20秒。其後， 利用軋報進行脫液，進而，進行後述的水洗處理後，利用 軋輥進行脫液。 水洗處理是使用藉由自由落下簾狀的液膜來進行水洗 處理的裝置進行水洗’進而，使用具有如下構造的喷霧管 進行5秒水洗處理，該構造以80 mm的間隔具有使喷射水 擴展成扇狀的噴霧片。 b.於酸性水溶液中的去污處理 於上述脫脂處理之後，進行去污處理。用於去污處理 的酉文性水溶液使用硫酸1質量％水溶液，於液溫35。〇下自 喷霧管切5秒來進行去污處理。其後，她進行脫 液。進而，使用與上述水洗處理中所使用的喷霧管相同構 造的噴霧管進行水洗處理後，利用軋輥進行脫液。 (2)基板B的處理條件 將以與基板A相同的方式製作的基板作為陽極， ，極氧化處理裝置進行陽極氧化處理。作為電解液， 使碎 溶解於7〇 g/L硫酸水溶液來使娜子濃度變 (溫度為贼）。陽極氧化處奴以使紹: 曲極反___電壓成為25v的方式於 36 201251110 二=:使最終的陽極氧化皮膜層厚度成為〜 其後，利用軋輥進行脫液，進而 ==r相同構造的喷霧—理;ί (3)基板C的處理條件 於下=條件下取與基板⑲同的方·作的基 „化處，後，使用陽極氧化處理裝置以與基板Β相同 的條件進行陽極氧化處理。 a.粗面化處理方法 使用石肖酸濃度為1質量％、銘離子濃度為5 g/L、及液 溫為60°C的電解液進行電化學式粗面化處。添加硝酸铭 來調整is離子濃度。另外，銨離子濃度為7Gmg/L。 使用如下的電源，並利用碳製的相對電極對樣品與相 對電極施加交流電流來進行電化學式粗面化處理，上述電 源藉由利用絕緣閘雙極電晶體（Insulated Gate Bipoh Transistor，IGBT )元件的脈衝寬度調變（puise width

Modulation，PWM)控制來進行電流控制、且產生任意波 形的交流電流。 交流電流使用梯形波，頻率為6〇 Hz，電流值自零達 到峰值為止的時間TP為0.1 see，正負的電流比是以^為 0.5的方式設定。錢流人樣品的正電流電量成為2〇〇 C/dm2的方式進行調整。 其後’利用軋觀進行脫液，進而，使用與上述水洗處 37 20125111ο /pif 理中所使用的噴霧管相同構造的喷霧管進行水洗處理後， 利用軋輥進行脫液。 於上述電解處理之後，自喷霧管對鋁板吹附氩氧化鈉 濃度為27質量％、鋁離子濃度為6 5質量％、溫度為7〇。〇 的水溶液20秒。 其後，利用軋輥進行脫液，進而，使用與上述水洗處 理中所使用的噴霧管相同構造的喷霧管進行水洗處理後， 利用軋輥進行脫液。進而，於上述脫脂處理之後，進行去 污處理。用於去污處理的酸性水溶液使用硫酸丨質量％水 溶液，於液溫35°C下自噴霧管吹附5秒來進行去污處理。 其後，利用軋輥進行脫液。於該處理之後，以與基板3相 同的條件實施陽極氧化處理。 <3.於基板上的反射層的形成> 藉由可調整塗佈膜厚的塗佈機，將利用表1所示的種 類的黏合液及無機粒子素材所調整的塗佈液塗佈於基板 上。其後，放入昇溫至表1中所記載的煅燒溫度（8〇。匚、 180°C或320°C )的烘箱内，進行5分鐘煅燒。乾燥後的無 機反射層的量於實例、比較例中均為20 g/m2〜500 g/m2的 範圍。 比較例13、比較例14、比較例15未使用上述所調整 的黏合液。於表1中記載為無’分別使用聚乙烯醇、環氧 樹脂黏合劑將表1中所記載的無機粒子塗佈於陽極氧化皮 膜層上，並進行乾燥。 表1所示的實例卜實例3、實例5、實例8的具有無 38 201251110 機反射層的發光元件用反射基板於依據JG Z2241的拉伸 試驗（拉伸速度：2 mm/min)中的拉伸強度（以下稱為拉 伸強度）為30 MPa〜80 MPa的範圍。 <4.評價方法> 針對實例、比較例的基板，測定加工性、光反射率、 無機反射層的強度、密接力。將結果示於表2。 (1)加工性：對閥金屬基板進行佈線加工成3〇 mmx3〇 mm (平面四邊形），利用光學顯微鏡觀察第1〇〇個晶片的 加工面的毛刺。將下述評價的中間的情況評價為A、c。 A A ·完全看不到1 〇 以上的毛刺。 Β :平均地觀察到20 μιη〜50 μιη的毛刺。 D :觀察到1〇〇 μπι以上的毛刺。 (2 )光反射率：使用Konica Minolta股份有限公司势 造的反射濃度計CM2600D，測定光反射率。光反射^是^ 含正反射光的反射色濃度對於入射光的百分比。對 〜700 nm的全反射率（SPIN模式的全平均值）進行測 (3 )無機反射層的強度：以目視對利用劃痕試驗^施 加100 g的負荷時的傷痕的程度進行評價，並作 射層的強度。以如下方式進行評價。 …、 AA :未看到傷痕。 A:雖然看到傷痕，但膜自身未被削耗。 B :看到傷痕且膜自身被削耗。 C:劃痕時膜破損。 (4)無機反射層與基板的密接力是以如下方式進行▲平 39 201251110 / t 價。 C :利用鰂刀切斷成30 mm><30 mm (平面四邊形）， 此時發生剝離的基板。 使未剝離的基板自3m的高度落下至混凝土的地面， 進行以下的評價。 A A :不剝離。 A : —部分剝離。 B :剝離。 (5)進而，作為熱循環試驗，將0°C〜400°C之間的 昇溫與降溫設為1個循環（4小時/循環），對經過100個 循環後的樣品進行與上述相同的無機反射層的強度與密接 力的評價，並對熱循環前的評價與熱循環後的評價加以比 較。 將所製造的基板的特性示於表1，將評價結果示於表 2。將確認到磷酸鋁的存在的情況設為「有」，將不存在磷 酸鋁的情況記載為「無」。無法測定的情況是以-來表示。 201251110 [表l] 基板 黏合液 無機黏結劑的 有無 無機粒子素材 煅燒溫 度 折射率 平均粒徑 基板厚 度 種類 種類 (IR) 種類 °C μηι mm 比較例1 B (1) 有 氧化鋁<1> 氧化物 180 1.65 0.05 0.8 實例1 B (1) 有 氧化鋁<2> 同上 同上 1.65 0.1 0.8 實例2 B (1) 有 氧化鋁<3> 同上 同上 1.65 0.52 0.8 實例3 C (1) 有 氧化鋁<3> 同上 同上 1.65 0.52 0.8 實例4 A ⑴ 有 氧化鋁<3> 同上 同上 1.65 0.52 0.8 比較例2 B 無 無 氧化鋁<3> 同上 同上 1.65 0.52 0.8 實例5 B ⑴ 有 氧化鋁<4> 同上 同上 1.65 4.7 0.8 比較例3 B (1) 有 氧化鋁<5> 同上 同上 1.65 30 0.8 比較例4 B (1) 有 二氧化矽 同上 同上 • 1.45 1 0.8 實例6 B (1) 有 氫氧化好 氫氧化物 同上 1.57 1 0.8 實例7 B (1) 有 氧化鎂 氧化物 同上 1.72 0.5 0.8 比較例5 B (1) 有 氧化釔 同上 同上 1.82 1 0.8 比較例6 B ⑴ 有 氧化鋅 同上 同上 1.95 2 0.8 比較例7 B (1) 有 二氧化鈦（氧化鈦） 同上 同上 2.7 0.6 0.8 比較例8 B (1) 有 二氧化錯（氧化锆） 同上 同上 2.4 0.2 0.8 比較例9 B (1) 有 硫酸鋇<1> 同上 同上 1.64 0.05 08 實例8 B (1) 有 硫酸鋇<2> 同上 同上 1.64 0.3 0.8 實例9 B (1) 有 硫酸鋇<3> 同上 同上 1.64 1.5 0,8 實例10 B (1) 有 疏Sit鋇<4> 同上 同上 1.64 5 0.8 比較例10 B ⑴ 有 硫酸鋇<5> 同上 同上 1.64 10 0.8 實例11 C (0 有 硫酸鋇<3> 同上 同上 1.64 1.5 0.8 實例12 C ⑴ 有 硫酸鋇<3>/氧化鋁<3> 無機鹽/氧化 物 同上 1.64/1.65 1.5/0.52 0.8 實例13 C (1) 有 氫氧化鈣/氧化鋁<3> 氫氧化物/氧 化物 同上 1.57/1.65 1/0.52 0.8 實例14 C (1) 有 氧化鋁<2>/氧化鋁<3> 氧化物 同上 1.65/1.65 0.1/0.52 0.8 實例15 A (1) 有 疏酸鋇<3> 無機鹽 同上 1.64 1.5 0.8 比較例11 B 無 無 硫酸鋇<3> 同上 同上 1.64 1.5 0.8 比較例12 B (5) 無 (PVA) 氧化鋁<3> 氡化物 同上 1.65 0.52 0.8 比較例13 B (6) 無 (Epoxy) 氧化鋁<3> 同上 同上 1.65 0.52 0.8 實例16 B ⑺ 有 硫酸鋇<3> 無機鹽 同上 1.64 1.5 0.8 實例17 D (1) 有 氧化鋁<3> 氧化物 同上 1.65 0.52 0.4 實例18 E ⑴ 有 硫酸鋇<3>/氧化鋁<3> 無機盟/氧化 物 同上 1.64/1.65 1.5/0.52 0.4 實例19 F (1) 有 硫酸鋇<3> 無機鹽 同上 1.64 1.5 1.6 實例20 G (1) 有 氧化鋁<2> 氧化物 同上 1.65 0.1 1.6 實例21 B (3) 有 氧化鋁<3> 同上 80 1.65 0.52 0.8 實例22 B (3) 有 氧化鋁<3> 同上 320 1.65 0.52 0.8 實例23 B (3) 有 氧化鋁<3> 同上 180 1.65 0.52 0.8 實例24 B (4) 有 氧化鋁<3> 同上 180 1.65 0.52 0.8 實例25 H (1) 有 氧化鋁<3> 同上 180 1.65 0.52 0.8 實例26 I (1) 有 氡化鋁<3> 同上 180 1.65 0.52 0.8 41 201251110 [表2]

加工性 反射率 無機反射層強度 密接力 % 熱循環前 熱循環後 熱循環前 熱循環後 比較例1 AA 84 B B A A 實例1 AA 90 A A A A 實例2 AA 92 A A A A 實例3 AA 92 A A AA AA 實例4 AA 93 A A B B 比較例2 無法評価 無法評価 C C C C 實例5 AA 94 A A A A 比較例3 AA 91 C C A A 比較例4 AA 78 A A A A 實例6 AA 94 A A A A 實例7 AA 91 A A A A 比較例5 AA 88 A A A A 比較例6 AA 72 A A A A 比較例7 AA 87 A A A A 比較例8 AA 82 A A A A 比較例9 AA 88 AA AA AA AA 實例8 AA 95 AA AA AA AA 實例9 AA 96 AA AA A A 實例10 AA 94 A A A A 比較例10 AA 91 B B B C 實例11 AA 95 AA AA AA AA 實例12 AA 94 AA AA AA AA 實例13 AA 94 AA AA AA AA 實例14 AA 93 AA A AA A 實例15 AA 94 A A B B 比較例11 無法評価 無法評価 C C C C 比較例12 AA 90 A c A C 比較例13 AA 91 A B A C 實例16 AA 95 AA AA AA AA 實例17 AA 92 A A AA AA 實例18 AA 94 AA AA AA AA 實例19 B 95 AA AA AA AA 實例20 B 90 A A A A 實例21 B 93 B B B B 實例22 AA 90 A A A A 實例23 AA 95 A A A A 實例24 AA 91 A A A A 實例25 AA 92 A A A A 實例26 AA 92 A A A A 42 201251110 < 5.石夕酸玻璃質塗層A的有無> 針對上述實例中的實例2、實例3、實例8、實例1〇， 使所獲得的反射基板浸潰於2.5質量％矽酸鈉液中，於 180°C下乾燥5分鐘後進行矽酸玻璃質的塗佈。將未進行塗 佈的實例2、實例3、實例8、實例10與進行了塗佈的實 例2-2、實例3_2、實例8-2、實例10-2加以比較，若以目 視觀察使水滴滴下時的滲透’則可確認塗佈後更難以渗 入，空隙部分得到填充。進而，亦可確認藉由塗佈而無反 射率的變化。將無塗層時的結果示於表3，且將有塗層a 時的結果示於表4。 <6.矽酮樹脂塗層B> 針對上述實例中的實例2、實例3、實例9、實例11， 將如下而成者作為實例2-3、實例3-3、實例9-3、實例11-3 進行評價：於所獲得的反射基板上塗佈下述配方的液體， 然後於120°C下硬化5分鐘，並於下進行90分鐘的 退火處理。 矽酮系樹脂塗佈劑配方...相對於矽酮橡膠（商品名 KE-1935 A/B :信越化學工業股份有限公司）ι〇〇質量份， 添加氧化鈦（商品名CR-58:石原產業股份有限公司）100 質量份並進行混合。 將利用稀釋溶劑（乙酸D以成為6〇質量％的方式 對或塗佈劑進行稀釋而成者作為塗佈液。使用網版印刷機 進行塗佈，退火處理後的膜厚為35μπ1。 圖4表示實例2·3中所製造的光反射基板的剖面的 43 201251110

•J ^ ^ ^ I 5000倍的電子顯微鏡照片。根據圖4可知，於具有空隙的 無機反射層上形成有幾乎不存在空隙的表面處理層。 若以目視觀察使水滴滴下時的滲透，則可確認塗佈後 更難以滲入，且空隙部分得到填充。進而，亦可確認藉由 塗佈而無反射率的變化。將有塗層B時的結果示於表4。 評價方法如下。 (6) 接觸角的測定 關於接觸角，使用協和界面科學股份有限公司製造的 測定器CAOC ’使1 μΐ的水滴滴下至反射基板表面，對其 滴下圖像進行分析來測定接觸角。將結果示於表4。 (7) 配線形成性 使用喷墨裴置（DMP-2831，富士軟片股份有限公司製 造）’將銀奈米粒子油墨（ΧΑ-436，藤倉化學股份有限公 司製造）的稀釋液以圖3所示的配線20的圖案的方式滴加 至無塗層、有塗層A、及有塗層Β的反射基板的表面，藉 此形成配線（配線寬度為100 μιη)，並對配線的形狀的直 線性進行觀察。若朝基板的滲入大，則配線不再形成直線。 按以下的基準進行評價。將結果示於表3、表4。 ΑΑ :利用光學顯微鏡進行觀察，配線大致筆直，當貼 附膠帶後剝離時，金屬配線層不剝落。 Α:當貼附膠帶後剝離時，配線形狀錯亂。 B :當貼附膠帶後剝離時，配線剝落。 可確認藉由具有塗層而提再配線品質，且可維持金屬 配線層的密接性。 201251110 厂― (8)黏晶性 使用矽酮黏晶材（商品名：KER_3000信越化學工業 股份有限公司製造）將LED元件固著於反射基板的LED 兀件搭載部位。利用同一黏著劑量將同一 LED元件固著於 各反射基板的表面後，利用超音波探傷裝置觀察LED元件 與反射基板的積層界面’並評價其黏著面積。將自黏著部 剝離元件後材料破損（剝離面並非黏著界面而在黏著劑中 的情況）的情況下的黏著面積設為1〇〇〇/0。 A :黏著面積為1〇〇%以上。 B :黏著面積為90%以上、未滿i〇〇〇/0。 使用實例3、實例9、實例11、實例3-2、實例9-2、 實例11-2及實例3-3、實例9-3、實例11-3的反射基板， 安裝LED元件並確認可點亮。 [表3]

反射板 無塗層 水滲透性 反射率 配線形成性 黏晶性 實例2 快 92% A B 實例3 快 92% A B 實例9 非常快 96% A B 實例11 非常快 95% A B 45 201251110 /pif [表4]

(實例、比較例的考察） 實例的反射基板的反射率高，無機反射層的強度優 異，無機反射層與陽極氧化層的密接力亦優異。尤其，若 無機反射層中所使用的無機粒子的折射率與平均叙 當範圍’則該些的評價更高。於加工性、無機反射層^度、 密接力的評價中，Β以上為於實用方面容許的評價。 貫例4、貫例15是不設置陽極氧化皮膜的例子。 於比較例2、比較例11中，因不使用點合液且沒有無 機反射層的無機黏結劑，故無法進行加工性、反射 砰 價。 ' 於實例12、實例13、實例14、實例18中，因無機成 分使用2種以上的無機粒子或平均粒徑為2種以上的無機 粒子’故無機反射層強度、密接力均優異。 …、 於實例16中，使用於反射層用黏合液中添加相對於氫 氧化鋁的量7質量％的氣化鋁而成的黏合液。因此，實例 46 201251110 -----1— ’形成步驟的時間 16的反射層形成與實例η的情況相比 縮短。 若將實例2、實例2卜實例22相比 度適當：，加工性、無機反射層強度、密接力更；異 、/二例Μ中，將氫乳化紹與鹽酸用於反射層用黏合 =二並，域溫輯而軸統|§來作為無_結劑。包 =藉由氯化ig而黏結的無機粒子的無機反射層的光反射率 鬲於藉由磷酸鋁而黏結的反射層。 於實=3、實例U〜實例14巾，因金屬板得到粗面化 处 且付到知極氧化處理，故無機反射層與金屬板之間 的密接性高。 【圖式簡單說明】 圖1疋說明本發明的發光元件用反射基板的構成的 略圖。 圖2是說明本發明的發光元件用反射基板的其他形離 的概略圖。 〜 圖3是說明評價中所使用的配線圖案的概略圖。 圖4是實例2-3中所製造的光反射基板的剖面的5000 倍的電子顯微鏡照片。 【主要元件符號說明】 1、 11 :閥金屬基板 2. 陽極氧化皮膜層 3:無機反射層 7 :散熱片 201251110 jyyy /pif 9 :打線接合 20 :配線 22 :電極部 30 :發光元件用反射基板 100 :白色系發光二極體裝置 110 :發光元件 150 :螢光體 160 :樹脂材料 48

Claims (1)

1. 201251110 七、申請專利範圍： 1· 一種發光元件用反射基板，其特徵在於：於閥金屬 基板上的至少一部分上具有無機反射層，上述無機反射層 含有選自由填酸鋁、氣化鋁及矽酸鈉所組成的組群中的至 少一種無機黏結劑，及折射率為1.5以上、1,8以下且平均 粒徑為0.1 μιη以上、5 μιη以下的無機粒子。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件用反射基 板，其中在上述閥金屬基板與無機反射層之間更具有陽極 氧化皮膜層。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之發光元件用 反射基板，其中上述無機粒子是選自由金屬氧化物、金屬 氫氧化物、金屬碳酸鹽及金屬硫酸鹽所組成的組群中的至 少一種。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之發 光元件用反射基板，其中上述無機粒子是選自由硫酸鋇及 氧化銘所組成的組群中的至少一種。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之發 光元件用反射基板，其中上述閥金屬是選自由紹、组、祝、 鈦、铪、鍅、鋅、鎢、鉍及銻所組成的組群中的至少i種 金屬。 6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之發 光元件用反射基板，其中上述閥金屬基板的厚度為al mm 〜2 mm ° 7. 如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述之發 49 201251110 jyyy / P*f 光元件用反射基板，其中上述閥金屬為銘。 ^如中4專利範圍第i項至第7項中任一項所述之發 強声主用反射基板’其中上述發光元件用反射基板的拉伸 強度為100 MPa以下。 光元範fΓ項至第8項中任-項所述之發 射土板八中上述無機粒子為2種以上。 於央〇.如申δ月專利範圍第1項至第9項中任-項所述之 件用反射基板，其中於上述反射基板的表面進而具 巧3矽的表面被覆層。 板U.如申請專利範圍第1〇項所述之發光元件用反射基 細其中上述表面被覆層的表面上的由空中水賴形成的 钱觸角為30度以上。 12.如申請專利範圍第丨項至第η項中任一項所述之 =先元件用反射基板’其中於上述反射基板的表面更設置 胥金屬配線層。 ^ I3.如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之 發光元件用反射基板，其中上述閥金屬層為具有凹部的形 狀，上述陽極氧化皮膜層及上述無機反射層設置於上述具 有凹部的形狀的表面。 14. 一種白色系發光二極體裝置，其於如申請專利範 圍第1項至第13項中任一項所述之發光元件用反射基板上 具有藍色發光元件，且於其周圍及/或上部具有螢光發光 體。 15. —種發光元件用反射基板的製造方法，其將水分 50 201251110 散體塗佈於閥金屬基板上，並進行低溫煅燒來形成無機反 射層’上述水分散體含有無機黏結劑前驅物質，及折射率 為1.5以上、u以下且平均粒徑為〇丨μιη以上、$ μιη以 下的無機粒子’所述無機黏結劑前驅物質藉由低溫煅燒進 行反應而生成選自由磷酸鋁、氯化鋁及矽酸鈉所組成的組 群中的至少一種無機黏結劑。 '' 16·如申凊專利範圍第15項所述之發光元件用反射基 板的製造方法，其中對上述八7小金屬基板的至少一部分 的，面進行陽極氧化來製成陽極氧化皮膜層，並於上述陽 極氧化皮膜層上形成上述無機反射層。 η.如申請專利範圍第15項或第16項所述之發光元 =用反射基板的製造方法，其中上述低溫般燒 ⑽ C 〜300。。。 18.一如申請專利範，15項至第17項中任一項所述 =發光7L件収射基板的製造方法，其巾進而湘含石夕的 处理液對上述表面進行表面處理並加以乾燥。 19.如申請專利範㈣15項至第18項中任一項所述 之發光70件肢縣板的製造紐，其巾於_如申請專 利範圍第15項至第18項中任一項所述 的順序進行以下的（〇步驟及⑷步驟： 心 (Ο形成用以朝發光元件傳送電信號的金屬配線層， 。將上述金屬配線層圖案化的步驟； 的將金屬層設置在相#於安裝有上述發光元件 的部分的電極部的加工的步驟。