JPH0487144A - 蛍光表示管用電極 - Google Patents
蛍光表示管用電極Info
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- JPH0487144A JPH0487144A JP20024990A JP20024990A JPH0487144A JP H0487144 A JPH0487144 A JP H0487144A JP 20024990 A JP20024990 A JP 20024990A JP 20024990 A JP20024990 A JP 20024990A JP H0487144 A JPH0487144 A JP H0487144A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は蛍光表示管に関し、特にその陽極基板に用いる
グラファイト電極に間するものである。
グラファイト電極に間するものである。
[従来の技術]
陰極から放出された電子を制御電極により加速制御して
陽極基板の蛍光体層に射突させて発光表示を行う蛍光表
示管はその視認性が優れていることにより、VTR,オ
ーディオをはしめグラフィックデイスプレィ、車載用デ
イスプレィなどに幅広く使われている。
陽極基板の蛍光体層に射突させて発光表示を行う蛍光表
示管はその視認性が優れていることにより、VTR,オ
ーディオをはしめグラフィックデイスプレィ、車載用デ
イスプレィなどに幅広く使われている。
従来この種の蛍光表示管の陽極基板は第5図に示すよう
に積層構造を成している。すなわちソーダガラスの基板
1上にA9L配線(もしくは銀配線)2、絶縁層3.下
地電極層4.蛍光体層5.が順次積層されていた。これ
らの各層は互いに与える影響をできるだけ少なくする材
料及びプロセスからなっており、特に下地電極層4は表
−1に示すようにグラファイト粉末及びアルミナゾルを
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸リチウムか
らなる水ガラスと水、グリセリン等の溶剤をバインダー
としてペースト化し、これを塗布して乾燥焼成すること
により形成していた。
に積層構造を成している。すなわちソーダガラスの基板
1上にA9L配線(もしくは銀配線)2、絶縁層3.下
地電極層4.蛍光体層5.が順次積層されていた。これ
らの各層は互いに与える影響をできるだけ少なくする材
料及びプロセスからなっており、特に下地電極層4は表
−1に示すようにグラファイト粉末及びアルミナゾルを
ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、ケイ酸リチウムか
らなる水ガラスと水、グリセリン等の溶剤をバインダー
としてペースト化し、これを塗布して乾燥焼成すること
により形成していた。
[表−1コ
[重量%コ
[発明が解決しようとする課題]
上述の従来の下地電極層4てはアルカリ成分を含有する
ため、蛍光体5中にアルカリ成分が拡散し、Co2.
021 H20等のガスを吸着すると共に焼成時には
CdS系蛍光体5表面を酸化させCdS系蛍光体の結晶
構造を破壊して発光輝度が低下するという問題があった
。
ため、蛍光体5中にアルカリ成分が拡散し、Co2.
021 H20等のガスを吸着すると共に焼成時には
CdS系蛍光体5表面を酸化させCdS系蛍光体の結晶
構造を破壊して発光輝度が低下するという問題があった
。
また、このアルカリ成分は焼成時に絶縁層3のガラス構
造を破壊して層内発泡痕6を発生させ、絶縁不良の原因
となる問題があった。
造を破壊して層内発泡痕6を発生させ、絶縁不良の原因
となる問題があった。
本発明の目的はこうした発光輝度の低下、絶縁不良が発
生しない優れた蛍光表示管を提供することにある。
生しない優れた蛍光表示管を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
こうした不具合を解決するために本発明の蛍光表示管用
電極は、蛍光表示管の陽極基板における蛍光体と絶縁層
との間に介在する電極であって、構造式(a)で示すテ
トラブトキシシランポリマーと構造式(b)で示すテト
ラブトキシチタンポリマーから成るガラス成分を含有す
ることを特徴とする。
電極は、蛍光表示管の陽極基板における蛍光体と絶縁層
との間に介在する電極であって、構造式(a)で示すテ
トラブトキシシランポリマーと構造式(b)で示すテト
ラブトキシチタンポリマーから成るガラス成分を含有す
ることを特徴とする。
また、上記発明において、前記テトラブトキシシランポ
リマーとテトラブトキシチタンポリマーの固形分比が8
0: 20〜90: 10であることを特徴とする。
リマーとテトラブトキシチタンポリマーの固形分比が8
0: 20〜90: 10であることを特徴とする。
[表−2コ
[重量%]
[実施例]
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明の第1及び第2実施例における蛍光表示
管の陽極基板の要部を示す断面図、第4図は本発明品と
有機チタネート単独または有機シリケート単独の場合の
発熱、吸熱を表す示差熱曲線を示すグラフ、第2図は第
1実施例及び第2実施例と従来品との輝度ライフの推移
を示すグラフ、第3図はフィラメント電圧と陽極電流の
関係を示すグラフである。第1実施例は表−2の組成か
らなる下地電極用グラファイトペーストを用いて絶縁層
3上にスクリーン印刷を行い、150[’C]で5[m
in]間ベルト炉で乾燥した後、520[℃コで10[
min]間焼成した。
管の陽極基板の要部を示す断面図、第4図は本発明品と
有機チタネート単独または有機シリケート単独の場合の
発熱、吸熱を表す示差熱曲線を示すグラフ、第2図は第
1実施例及び第2実施例と従来品との輝度ライフの推移
を示すグラフ、第3図はフィラメント電圧と陽極電流の
関係を示すグラフである。第1実施例は表−2の組成か
らなる下地電極用グラファイトペーストを用いて絶縁層
3上にスクリーン印刷を行い、150[’C]で5[m
in]間ベルト炉で乾燥した後、520[℃コで10[
min]間焼成した。
このようにして、絶縁層3上に構造式(a)のテトラブ
トキシシランポリマーと構造式(b)のテトラブトキシ
チタンポリマーから成るガラス成分を含む下地電極層4
を形成した。
トキシシランポリマーと構造式(b)のテトラブトキシ
チタンポリマーから成るガラス成分を含む下地電極層4
を形成した。
その後、ZnOから成るZn蛍光体を、エチルセルロー
ス系バインダーでペースト化したものを前記下地電極層
4上にスクリーン印刷を行い、150[℃コで5[mi
n]間乾燥した後、500[℃コで10[min]間焼
成して蛍光体層5を形成した。このようにして形成した
陽極基板を所定の方法で組立、封入排気を行うことで、
陽極基板とカバーガラスとの間に陰極電極、制御電極を
気密収容した構造の蛍光表示管が得られた。
ス系バインダーでペースト化したものを前記下地電極層
4上にスクリーン印刷を行い、150[℃コで5[mi
n]間乾燥した後、500[℃コで10[min]間焼
成して蛍光体層5を形成した。このようにして形成した
陽極基板を所定の方法で組立、封入排気を行うことで、
陽極基板とカバーガラスとの間に陰極電極、制御電極を
気密収容した構造の蛍光表示管が得られた。
こうして得られた蛍光表示管の寿命試験(75[℃コで
高温動作)を行い、その結果を第2図に示した。
高温動作)を行い、その結果を第2図に示した。
第2図より従来品のブルーグリーン輝度低下率が180
Hで30[%コであるのに対し、本発明によるものは、
17[%コてあり、寿命劣化は1/2に抑制された。
Hで30[%コであるのに対し、本発明によるものは、
17[%コてあり、寿命劣化は1/2に抑制された。
また、100[Vコバルスドライブでショート検査の結
果、表−3に示すように絶縁層3の眉間ショートは従来
の1710に低減された。
果、表−3に示すように絶縁層3の眉間ショートは従来
の1710に低減された。
[表−3コ
これは第1図に示すように第5図にみられる絶縁層と下
地電極層との界面発泡6が全くないことで裏付けられた
。
地電極層との界面発泡6が全くないことで裏付けられた
。
さらに第3図に示すように陽極電流の安定領域は本発明
品の方が広く、陽極基板とカバーガラスにより画成され
る真空管内のカスは少ないことが解った。こうした結果
より、本発明品は真空管内のガスが少なく蛍光体母材へ
の影響が少ないため寿命劣化が生じにくい。さらには絶
縁層との反応がみられないため、絶縁層間ショートが低
減されるという効果が得られた。
品の方が広く、陽極基板とカバーガラスにより画成され
る真空管内のカスは少ないことが解った。こうした結果
より、本発明品は真空管内のガスが少なく蛍光体母材へ
の影響が少ないため寿命劣化が生じにくい。さらには絶
縁層との反応がみられないため、絶縁層間ショートが低
減されるという効果が得られた。
第2実施例は第1実施例と同様に表−2の組成からなる
グラファイトペーストを同一プロセスで乾燥、焼成して
下地電極N4を形成し、そして(Zn、Cd)S; A
g、CQ蛍光体をエチルセルロース系バインダーでペー
スト化したものを前記下地電極層4上にプリントして蛍
光体5を形成し、第1実施例と同様なプロセスで蛍光表
示管を作成した。
グラファイトペーストを同一プロセスで乾燥、焼成して
下地電極N4を形成し、そして(Zn、Cd)S; A
g、CQ蛍光体をエチルセルロース系バインダーでペー
スト化したものを前記下地電極層4上にプリントして蛍
光体5を形成し、第1実施例と同様なプロセスで蛍光表
示管を作成した。
その結果、第2図に示すようにレッドの輝度は180[
H]まで劣化せず、初期輝度は30[%]内向上た。本
発明者は第1実施例、第2実施例と同様な検討を繰り返
し行った結果、表−2の配合に示したテトラブトキシチ
タンポリマーの原料である有機チタネー) [B−10
(B本ソーダ製)]15[重量%]、テトラブトキシシ
ランポリマーでの原料である有機シリケート[AEOO
2(チッソ製)]85[重量%コの時にグラファイト塗
膜強度が最も硬く蛍光体への影響が少ないことが判明し
た。この現象を定量的に確認するため有機シリケートと
有機チタネートの種々の混合比について示差熱分析を行
)た結果、第4図に示すように有機チタネートと有機シ
リケートが10〜20:80〜90[重量%コの混合比
の時に特に顕著に強い級熱ビークが生じ、グラファイト
膜が緻密で強固な膜質になることでガス吸着が少ないこ
とが解った。
H]まで劣化せず、初期輝度は30[%]内向上た。本
発明者は第1実施例、第2実施例と同様な検討を繰り返
し行った結果、表−2の配合に示したテトラブトキシチ
タンポリマーの原料である有機チタネー) [B−10
(B本ソーダ製)]15[重量%]、テトラブトキシシ
ランポリマーでの原料である有機シリケート[AEOO
2(チッソ製)]85[重量%コの時にグラファイト塗
膜強度が最も硬く蛍光体への影響が少ないことが判明し
た。この現象を定量的に確認するため有機シリケートと
有機チタネートの種々の混合比について示差熱分析を行
)た結果、第4図に示すように有機チタネートと有機シ
リケートが10〜20:80〜90[重量%コの混合比
の時に特に顕著に強い級熱ビークが生じ、グラファイト
膜が緻密で強固な膜質になることでガス吸着が少ないこ
とが解った。
[発明の効果]
以上説明したように本発明は、蛍光表示管用の下地電極
材にテトラブトキシチタンポリマーとテトラブトキシシ
ランポリマーを混合したガラス成分を含有するグラファ
イトペーストを用いることによりグリーン及びカラー蛍
光体の輝度劣化、初期輝度を向上させ、さらに絶縁層間
ショート不良を大幅に低減できるという効果を有する。
材にテトラブトキシチタンポリマーとテトラブトキシシ
ランポリマーを混合したガラス成分を含有するグラファ
イトペーストを用いることによりグリーン及びカラー蛍
光体の輝度劣化、初期輝度を向上させ、さらに絶縁層間
ショート不良を大幅に低減できるという効果を有する。
第1図は本発明の第1実施例及び第2実施例に係る陽極
基板の要部の断面図、第2図は高温動作(75[’C]
)の寿命特性を示すグラフ、第3図は本発明の第1実
施例及び第2実施例と従来品を比較したカッ−ドアクチ
ビイティ曲線を示すグラフ、第4図は本発明品の熱分析
装置による示差熱曲線を示すグラフ、第5図は従来例の
陽極基板の要部の断面図である。 】 − 2・ 3 φ 4争 L1 6壷 ソーダガラス基板、 A交配線層、 !2!縁層、 下地電極層、 蛍光体層、 層内発泡石。
基板の要部の断面図、第2図は高温動作(75[’C]
)の寿命特性を示すグラフ、第3図は本発明の第1実
施例及び第2実施例と従来品を比較したカッ−ドアクチ
ビイティ曲線を示すグラフ、第4図は本発明品の熱分析
装置による示差熱曲線を示すグラフ、第5図は従来例の
陽極基板の要部の断面図である。 】 − 2・ 3 φ 4争 L1 6壷 ソーダガラス基板、 A交配線層、 !2!縁層、 下地電極層、 蛍光体層、 層内発泡石。
Claims (2)
- (1)蛍光表示管の陽極基板における蛍光体と絶縁層と
の間に介在する電極であって、構造式(a)で示すテト
ラブトキシシランポリマーと構造式(b)で示すテトラ
ブトキシチタンポリマーから成るガラス成分を含有する
ことを特徴とする蛍光表示管用電極。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
・・・(a) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・・・・
・・・(b) - (2)前記テトラブトキシシランポリマーとテトラブト
キシチタンポリマーの固形分比が80:20〜90:1
0であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光表示管
用電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20024990A JPH0487144A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 蛍光表示管用電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20024990A JPH0487144A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 蛍光表示管用電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487144A true JPH0487144A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16421256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20024990A Pending JPH0487144A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | 蛍光表示管用電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012133173A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子用反射基板およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP20024990A patent/JPH0487144A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012133173A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 富士フイルム株式会社 | 発光素子用反射基板およびその製造方法 |
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