JPH11195382A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルInfo
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- JPH11195382A JPH11195382A JP14198A JP14198A JPH11195382A JP H11195382 A JPH11195382 A JP H11195382A JP 14198 A JP14198 A JP 14198A JP 14198 A JP14198 A JP 14198A JP H11195382 A JPH11195382 A JP H11195382A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの高信頼性化を
図る。 【解決手段】 ガラス基板上に形成されてきた表示電極
１２やアドレス電極２２を表面にポリシラザンの熱分解
によるＳｉＯ2 層１３ａでコーティングすることによっ
て、誘電体ガラス層１３を薄く形成しても絶縁耐圧を確
保し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプ
ラズマディスプレイパネルを得ることができる。
図る。 【解決手段】 ガラス基板上に形成されてきた表示電極
１２やアドレス電極２２を表面にポリシラザンの熱分解
によるＳｉＯ2 層１３ａでコーティングすることによっ
て、誘電体ガラス層１３を薄く形成しても絶縁耐圧を確
保し、加えて放電電圧の上昇を抑え、かつ、高輝度のプ
ラズマディスプレイパネルを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示デバイスなど
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特にプラ
ズマディスプレイパネルの誘電体層の改良及び誘電体ガ
ラス層の材料の改良に関するものである。
に用いるプラズマディスプレイパネルに関し、特にプラ
ズマディスプレイパネルの誘電体層の改良及び誘電体ガ
ラス層の材料の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年ハイビジョンをはじめとする高品
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている（例え
ば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏ１．１６，Ｎｏ．２
７ページ）。
位、大画面テレビへの期待が高まっている。ＣＲＴは解
像度・画質の点でプラズマディスプレイや液晶に対して
優れているが、奥行きと重量の点で４０インチ以上の大
画面には向いていない。一方液晶は、消費電力が少な
く、駆動電圧も低いという優れた性能を有しているが、
画面の大きさや視野角に限界がある。これに対して、プ
ラズマディスプレイは、大画面の実現が可能であり、す
でに４０インチクラスの製品が開発されている（例え
ば、機能材料１９９６年２月号Ｖｏ１．１６，Ｎｏ．２
７ページ）。
【０００３】図６は、従来の交流型（ＡＣ型）のプラズ
マディスプレイパネルの要部斜視図を示したものであ
る。図６において５１は、フロート法による硼硅酸ナト
リウム系ガラスよりなる前面ガラス基板（フロントカバ
ープレート）であり、この前面ガラス基板５１上に銀電
極から成る表示電極５２が存在し、この上をコンデンサ
の働きをする誘電体ガラス層５３と酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）誘電体保護層５４が覆っている。
マディスプレイパネルの要部斜視図を示したものであ
る。図６において５１は、フロート法による硼硅酸ナト
リウム系ガラスよりなる前面ガラス基板（フロントカバ
ープレート）であり、この前面ガラス基板５１上に銀電
極から成る表示電極５２が存在し、この上をコンデンサ
の働きをする誘電体ガラス層５３と酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）誘電体保護層５４が覆っている。
【０００４】５５は背面ガラス基板（バックプレート）
であり、この背面ガラス基板５５上にアドレス電極（銀
電極）５６，誘電体ガラス層５７が設けられ、その上に
隔壁５８、蛍光体層５９が設けられており、隔壁５８間
が放電ガスを封入する放電空間６０となっている。
であり、この背面ガラス基板５５上にアドレス電極（銀
電極）５６，誘電体ガラス層５７が設けられ、その上に
隔壁５８、蛍光体層５９が設けられており、隔壁５８間
が放電ガスを封入する放電空間６０となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年期待されているフ
ルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素
数が１９２０×１１２５となり、セルピッチも４２イン
チクラスで、０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの面
積は０．０７２ｍｍ2の細かさになる。同じ４２インチ
の大きさでハイビジョンテレビを作製したとき、１画素
の面積で従来のＮＴＳＣ（画素数６４０×４８０個、セ
ルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ、１セルの面積
０．５５ｍｍ2）と比較すると、１／７〜１／８の細か
さとなる。
ルスペックのハイビジョンテレビの画素レベルは、画素
数が１９２０×１１２５となり、セルピッチも４２イン
チクラスで、０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍで１セルの面
積は０．０７２ｍｍ2の細かさになる。同じ４２インチ
の大きさでハイビジョンテレビを作製したとき、１画素
の面積で従来のＮＴＳＣ（画素数６４０×４８０個、セ
ルピッチ０．４３ｍｍ×１．２９ｍｍ、１セルの面積
０．５５ｍｍ2）と比較すると、１／７〜１／８の細か
さとなる。
【０００６】従って、放電電極（表示電極）間距離が短
くなるばかりでなく、放電空間も狭くなるため、特に誘
電体ガラス層は、セル面積が減少するためにコンデンサ
としての同一容量を確保しようとすれば、膜厚を従来よ
りも薄くすることが必要となる。
くなるばかりでなく、放電空間も狭くなるため、特に誘
電体ガラス層は、セル面積が減少するためにコンデンサ
としての同一容量を確保しようとすれば、膜厚を従来よ
りも薄くすることが必要となる。
【０００７】ところが従来使用されている誘電体ガラス
（酸化鉛系ガラスまたは酸化ビスマス系ガラス）は、本
来電極に使用されている銀，クロム，銅とは濡れ性が悪
く、薄く均一にこれらの誘電体ガラスを形成することは
困難であった。
（酸化鉛系ガラスまたは酸化ビスマス系ガラス）は、本
来電極に使用されている銀，クロム，銅とは濡れ性が悪
く、薄く均一にこれらの誘電体ガラスを形成することは
困難であった。
【０００８】それに加えて表示電極およびアドレス電極
それぞれが前面・背面ガラス基板上に作製されていた
（図６の５２，５６）従来のプラズマディスプレイパネ
ルにおいては、通常、誘電体ガラス層側には電極がその
厚み相当突入しているので、誘電体ガラス層の電極周辺
で電界が局所的に大きくなりやすく、例えば、表示電極
とアドレス電極間に信号を送る時（アドレス放電をおこ
す時）などに、絶縁破壊を惹起されやすいという絶縁耐
圧の点で課題があった。
それぞれが前面・背面ガラス基板上に作製されていた
（図６の５２，５６）従来のプラズマディスプレイパネ
ルにおいては、通常、誘電体ガラス層側には電極がその
厚み相当突入しているので、誘電体ガラス層の電極周辺
で電界が局所的に大きくなりやすく、例えば、表示電極
とアドレス電極間に信号を送る時（アドレス放電をおこ
す時）などに、絶縁破壊を惹起されやすいという絶縁耐
圧の点で課題があった。
【０００９】この問題を解決するために電極と誘電体ガ
ラス層の間に中間膜としてゾルゲル法によるＳｉＯ2や
Ａｌ2Ｏ3をスピンコート法や浸漬法（デッピング法）に
よって５００〜１０００Å形成する方法が開発されてい
るが十分な特性は得られていない（例えば、特開昭６２
−１９４２２５号公報）。
ラス層の間に中間膜としてゾルゲル法によるＳｉＯ2や
Ａｌ2Ｏ3をスピンコート法や浸漬法（デッピング法）に
よって５００〜１０００Å形成する方法が開発されてい
るが十分な特性は得られていない（例えば、特開昭６２
−１９４２２５号公報）。
【００１０】そこで本発明は、このような絶縁耐圧の課
題等を克服することによって、精細なセル構造の場合に
も信頼性の高いプラズマディスプレイパネルを提供する
ことを目的とする。
題等を克服することによって、精細なセル構造の場合に
も信頼性の高いプラズマディスプレイパネルを提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、第１の電極と当該第１の電極を覆う誘電
体ガラス層とを配したフロントカバープレートと、第２
の電極と蛍光体層とを配したバックプレートとが対向し
てなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第１
または第２の電極上にポリシラザンをコーティング後大
気中で熱分解して、ＳｉＯ2膜を形成し、その上に誘電
体ガラス層またはＣＶＤ法でＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3また
は、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物を形成することによ
り、誘電体ガラス層や誘電体層の膜厚を薄く形成しても
絶縁破壊されにくいという効果を有する。
成するために、第１の電極と当該第１の電極を覆う誘電
体ガラス層とを配したフロントカバープレートと、第２
の電極と蛍光体層とを配したバックプレートとが対向し
てなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第１
または第２の電極上にポリシラザンをコーティング後大
気中で熱分解して、ＳｉＯ2膜を形成し、その上に誘電
体ガラス層またはＣＶＤ法でＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3また
は、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物を形成することによ
り、誘電体ガラス層や誘電体層の膜厚を薄く形成しても
絶縁破壊されにくいという効果を有する。
【００１２】すなわち、ポリシラザンの大気中で熱分解
して形成されたＳｉＯ2膜は、ポリシラザン〔（ＳｉＨ2
−ＮＨ）n〕中に炭素（Ｃ）成分を含有していないため
に、下地の電極とは、濡れ性が良く（なじみが良く）緻
密であり、しかも従来例（例えば特開昭６２−１９４２
２５公報）である、アルコキシド系を使用するゾルゲル
膜のような熱分解中に膜の収縮や残留炭素の問題も発生
せずＳｉＯ2膜にクラックが入ったりしない（例えばコ
ンバーテック１９９５年４月号）。
して形成されたＳｉＯ2膜は、ポリシラザン〔（ＳｉＨ2
−ＮＨ）n〕中に炭素（Ｃ）成分を含有していないため
に、下地の電極とは、濡れ性が良く（なじみが良く）緻
密であり、しかも従来例（例えば特開昭６２−１９４２
２５公報）である、アルコキシド系を使用するゾルゲル
膜のような熱分解中に膜の収縮や残留炭素の問題も発生
せずＳｉＯ2膜にクラックが入ったりしない（例えばコ
ンバーテック１９９５年４月号）。
【００１３】したがって、ポリシラザンの熱分解によっ
て得られたＳｉＯ2膜上に、ＣＶＤ法によってＳｉＯ2や
Ａｌ2Ｏ3膜を形成させたり、誘電体ガラス層を形成して
も、絶縁破壊されにくい信頼性の高い誘電体層が薄く形
成できる。したがって放電電圧を低くすると同時に、誘
電体の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
て得られたＳｉＯ2膜上に、ＣＶＤ法によってＳｉＯ2や
Ａｌ2Ｏ3膜を形成させたり、誘電体ガラス層を形成して
も、絶縁破壊されにくい信頼性の高い誘電体層が薄く形
成できる。したがって放電電圧を低くすると同時に、誘
電体の絶縁耐圧の向上を図ることができる。
【００１４】又、誘電体層を薄くすることによってパネ
ルの輝度の向上も図ることが出来る。ただし、ポリシラ
ザンを用いて、ＳｉＯ2膜を厚くすることは可能である
が本方法では３μｍが限界である。
ルの輝度の向上も図ることが出来る。ただし、ポリシラ
ザンを用いて、ＳｉＯ2膜を厚くすることは可能である
が本方法では３μｍが限界である。
【００１５】
【発明の実施の形態】はじめに、本発明について概説す
る。まず図６において、表示電極５２の面積をＳ，表示
電極上の誘電体ガラス層の厚みをｄ，誘電体ガラス層の
誘電率をε，誘電体ガラス層上の電荷をＱとすると表示
電極５２とアドレス電極５６との間の静電容量Ｃは、下
記式１で表示される。
る。まず図６において、表示電極５２の面積をＳ，表示
電極上の誘電体ガラス層の厚みをｄ，誘電体ガラス層の
誘電率をε，誘電体ガラス層上の電荷をＱとすると表示
電極５２とアドレス電極５６との間の静電容量Ｃは、下
記式１で表示される。
【００１６】（式１） Ｃ＝εＳ／ｄ 又、表示電極５２とアドレス電極５６との間に印加され
る電圧をＶ，表示電極５２上の誘電体ガラス層上にたま
る電荷量Ｑとすると、ＶとＱとの間には下記式２の関係
がある。
る電圧をＶ，表示電極５２上の誘電体ガラス層上にたま
る電荷量Ｑとすると、ＶとＱとの間には下記式２の関係
がある。
【００１７】（式２） Ｖ＝ｄＱ／εＳ （ただし放電空間は、放電中はプラズマ状態なので導電
体となる。）上記式１，式２において、ｄを小さくする
とコンデンサーとしての静電容量Ｃが大きくなり、又ア
ドレス時や表示時の放電電圧Ｖが低下することになる。
体となる。）上記式１，式２において、ｄを小さくする
とコンデンサーとしての静電容量Ｃが大きくなり、又ア
ドレス時や表示時の放電電圧Ｖが低下することになる。
【００１８】つまり、誘電体ガラス層の厚さを薄くする
ことにより、同じ電圧を印加しても電荷がたくさん溜ま
るので、高容量化と放電電圧の低減を図ることができ
る。
ことにより、同じ電圧を印加しても電荷がたくさん溜ま
るので、高容量化と放電電圧の低減を図ることができ
る。
【００１９】しかし、単に誘電体ガラス層の膜厚を薄く
すると絶縁耐圧が低減し、アドレスパルスや表示パルス
を印加する時に誘電体層が絶縁破壊されやすくなってし
まう。
すると絶縁耐圧が低減し、アドレスパルスや表示パルス
を印加する時に誘電体層が絶縁破壊されやすくなってし
まう。
【００２０】そこで発明者らは、フロントカバープレー
ト及びバックプレート上の電極上にポリシラザンをコー
トしたのち大気中で焼成して、ＳｉＯ2膜を０．１μｍ
〜３．０μｍコートした後、酸化鉛系ガラスまたは、酸
化ビスマス系ガラス等をコーティングして、誘電体層と
する方法か、または、ポリシラザンから形成されたＳｉ
Ｏ2膜上にＣＶＤ法によってＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3または、
ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物をコートする方法を取るこ
とによって、従来のＮＴＳＣ並以下の放電電圧とセルの
静電容量を確保しつつ、絶縁耐圧の向上を図った。
ト及びバックプレート上の電極上にポリシラザンをコー
トしたのち大気中で焼成して、ＳｉＯ2膜を０．１μｍ
〜３．０μｍコートした後、酸化鉛系ガラスまたは、酸
化ビスマス系ガラス等をコーティングして、誘電体層と
する方法か、または、ポリシラザンから形成されたＳｉ
Ｏ2膜上にＣＶＤ法によってＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3または、
ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物をコートする方法を取るこ
とによって、従来のＮＴＳＣ並以下の放電電圧とセルの
静電容量を確保しつつ、絶縁耐圧の向上を図った。
【００２１】即ち、フロントカバープレートまたはパッ
クプレート上の電極上にポリシラザンをコートした後大
気中焼成して、ＳｉＯ2膜を０．１μｍ〜３．０μｍと
薄くコートすることによって、この上に設ける誘電体ガ
ラス層または、ＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3膜の
電極に対する濡れ不良を解決でき、しかも誘電体ガラス
層やＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3膜中に気泡の発
生や凹凸の発生のない均一で緻密なガラス層やＳｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3層が形成するため絶縁破壊が発生しにく
くなる。
クプレート上の電極上にポリシラザンをコートした後大
気中焼成して、ＳｉＯ2膜を０．１μｍ〜３．０μｍと
薄くコートすることによって、この上に設ける誘電体ガ
ラス層または、ＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3膜の
電極に対する濡れ不良を解決でき、しかも誘電体ガラス
層やＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3膜中に気泡の発
生や凹凸の発生のない均一で緻密なガラス層やＳｉ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3層が形成するため絶縁破壊が発生しにく
くなる。
【００２２】従って、絶縁耐圧の向上を図りながら誘電
体ガラス層や誘電体層を従来の１５μｍ以下の厚みに薄
くすることが可能となる。これによって放電電圧を低く
すると共に、アドレッシングの信頼性を向上させること
が可能となり、又、パネル輝度の向上を図ることもでき
る。
体ガラス層や誘電体層を従来の１５μｍ以下の厚みに薄
くすることが可能となる。これによって放電電圧を低く
すると共に、アドレッシングの信頼性を向上させること
が可能となり、又、パネル輝度の向上を図ることもでき
る。
【００２３】ここで、従来から用いられてきた、誘電率
εが約１０のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系，ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、又は,ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラスはもち論、誘電率εが４以
上のＣＶＤ法によるＳｉＯ2,Ａｌ2Ｏ3等の誘電体を用い
れば、輝度の向上及び放電電圧を低くする効果はより顕
著になる。
εが約１０のＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系，ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ、又は,ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
−Ａｌ2Ｏ3系の誘電体ガラスはもち論、誘電率εが４以
上のＣＶＤ法によるＳｉＯ2,Ａｌ2Ｏ3等の誘電体を用い
れば、輝度の向上及び放電電圧を低くする効果はより顕
著になる。
【００２４】（実施の形態）図１は、本実施の形態に係
る交流面放電型プラズマディスプレイパネル（以下「Ｐ
ＤＰ」という）の要部斜視図、図２は、図１におけるＸ
−Ｘ線矢視断面図、図３は、図１におけるＹ−Ｙ線矢視
断面図である。なお、これらの図では便宜上セルが３つ
だけ示されているが、実際には赤（Ｒ），緑（Ｇ），青
（Ｂ）の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。
る交流面放電型プラズマディスプレイパネル（以下「Ｐ
ＤＰ」という）の要部斜視図、図２は、図１におけるＸ
−Ｘ線矢視断面図、図３は、図１におけるＹ−Ｙ線矢視
断面図である。なお、これらの図では便宜上セルが３つ
だけ示されているが、実際には赤（Ｒ），緑（Ｇ），青
（Ｂ）の各色を発光するセルが多数配列されてＰＤＰが
構成されている。
【００２５】このＰＤＰは、各図に示すように前面ガラ
ス基板（フロントカバープレート）１１に放電電極（表
示電極）１２があり、その上に、ポリシラザンから空気
中で熱分解されたＳｉＯ2層１３ａ、および誘電体ガラ
スまたはＣＶＤ法で作成されたＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3また
はＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物（誘電体ガラス層１３）
が配されてなる前面パネル１０と、背面ガラス基板（バ
ックプレート）２１にアドレス電極２２があり、その上
にポリシラザンの熱分解から成るＳｉＯ2層２３ａ、お
よび誘電体ガラスまたは、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層２３，
隔壁２４，Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の蛍光体層２５が配されてな
る背面パネル２０とを張り合わせ、前面パネル１０と背
面パネル２０の間に形成される放電空間３０内に放電ガ
スが封入された構成となっており、以下に示すように作
製される。
ス基板（フロントカバープレート）１１に放電電極（表
示電極）１２があり、その上に、ポリシラザンから空気
中で熱分解されたＳｉＯ2層１３ａ、および誘電体ガラ
スまたはＣＶＤ法で作成されたＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3また
はＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物（誘電体ガラス層１３）
が配されてなる前面パネル１０と、背面ガラス基板（バ
ックプレート）２１にアドレス電極２２があり、その上
にポリシラザンの熱分解から成るＳｉＯ2層２３ａ、お
よび誘電体ガラスまたは、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層２３，
隔壁２４，Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の蛍光体層２５が配されてな
る背面パネル２０とを張り合わせ、前面パネル１０と背
面パネル２０の間に形成される放電空間３０内に放電ガ
スが封入された構成となっており、以下に示すように作
製される。
【００２６】（前面パネル１０の作成：作製方法（その
１））前面パネル１０は、前面ガラス基板１１に放電電
極（表示電極）１２を作成し、その上を本実施の形態で
は、ポリシラザンをコートした後空気中で焼成して得ら
れたＳｉＯ2層１３ａを形成後、誘電率εが５以上の誘
電体ガラス層１３で覆い、更に、誘電体ガラス層１３の
表面上に保護層１４を形成することによって作製する。
１））前面パネル１０は、前面ガラス基板１１に放電電
極（表示電極）１２を作成し、その上を本実施の形態で
は、ポリシラザンをコートした後空気中で焼成して得ら
れたＳｉＯ2層１３ａを形成後、誘電率εが５以上の誘
電体ガラス層１３で覆い、更に、誘電体ガラス層１３の
表面上に保護層１４を形成することによって作製する。
【００２７】（前面パネル１０の作成：作製方法（その
２））ポリシラザンをコートした後空気中で焼成して得
られたＳｉＯ2層１３ａにＣＶＤ法でＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3
またはこれらの化合物を５μｍ〜１５μｍ付着させた層
１３で放電電極を覆い、更にこの上に保護層１４を形成
することによって作製する２つの方法がある。放電電極
１２は、以下のようにして、前面ガラス基板１１に形成
する。図４を用いながら説明する。
２））ポリシラザンをコートした後空気中で焼成して得
られたＳｉＯ2層１３ａにＣＶＤ法でＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3
またはこれらの化合物を５μｍ〜１５μｍ付着させた層
１３で放電電極を覆い、更にこの上に保護層１４を形成
することによって作製する２つの方法がある。放電電極
１２は、以下のようにして、前面ガラス基板１１に形成
する。図４を用いながら説明する。
【００２８】まず、前面ガラス基板１１上に厚さ５μｍ
のフォトレジストを塗布、放電電極１２が形成されると
ころだけをフォトレジストがなくなるように露光、現像
しフォトレジストを取り除き、次にその部分に銀電極用
ペーストをスクリーン印刷法にて前面ガラス基板１１の
前記レジストを取り除いた所に埋め込み、乾燥後レジス
トのみを剥離液を用いる等して剥離し、その後Ａｇを焼
成することによって、第１の電極としての銀電極（放電
電極１２）を形成する。
のフォトレジストを塗布、放電電極１２が形成されると
ころだけをフォトレジストがなくなるように露光、現像
しフォトレジストを取り除き、次にその部分に銀電極用
ペーストをスクリーン印刷法にて前面ガラス基板１１の
前記レジストを取り除いた所に埋め込み、乾燥後レジス
トのみを剥離液を用いる等して剥離し、その後Ａｇを焼
成することによって、第１の電極としての銀電極（放電
電極１２）を形成する。
【００２９】ＳｉＯ2層をポリシラザンを用いて、Ａｇ
電極が形成されているガラス基板上にコートする方法を
図７を用いながら説明する。
電極が形成されているガラス基板上にコートする方法を
図７を用いながら説明する。
【００３０】（ポリシラザンを用いたＳｉＯ2層の形成
について）図７は、ポリシラザンを用いたＳｉＯ2層１
３ａ，２３ａを形成する際に用いる塗布装置の概略図で
ある。
について）図７は、ポリシラザンを用いたＳｉＯ2層１
３ａ，２３ａを形成する際に用いる塗布装置の概略図で
ある。
【００３１】この塗布装置は、細長いスリット状のノズ
ル７２からポリシラザン（ＳｉＨ2−ＮＨ）nの溶液（キ
シレン８０重量％，ポリシラザン２０重量％）７１を吐
出させて、放電電極またはアドレス電極７４が設けられ
たガラス基板７３上にノズル７２または、基板７３を移
動させてポリシラザンを塗布するものである。
ル７２からポリシラザン（ＳｉＨ2−ＮＨ）nの溶液（キ
シレン８０重量％，ポリシラザン２０重量％）７１を吐
出させて、放電電極またはアドレス電極７４が設けられ
たガラス基板７３上にノズル７２または、基板７３を移
動させてポリシラザンを塗布するものである。
【００３２】ポリシラザンの膜厚のコントロールは、ポ
リシラザンの分子量の増減、溶剤であるキシレンの量、
ヘッドまたはステージの移動速度によって調整する。
リシラザンの分子量の増減、溶剤であるキシレンの量、
ヘッドまたはステージの移動速度によって調整する。
【００３３】そして、ポリシラザン溶液が塗布された
後、乾燥，空気中での焼成をへて、電極付き基板上にＳ
ｉＯ2膜を形成する。なお、ポリシラザンを空気中で焼
成してＳｉＯ2を得る反応は、（式３）のように表され
る。
後、乾燥，空気中での焼成をへて、電極付き基板上にＳ
ｉＯ2膜を形成する。なお、ポリシラザンを空気中で焼
成してＳｉＯ2を得る反応は、（式３）のように表され
る。
【００３４】 （式３） （ＳｉＨ2−ＮＨ）＋Ｏ2 → ＳｉＯ2＋ＮＨ3 尚、ポリシラザンの空気中の熱分解によるＳｉＯ2層の
膜厚は、０．１μｍ〜３μｍに設定する。このようなポ
リシラザンのＳｉＯ2膜への軟化は、水素（Ｈ2）以外の
有機成分の離脱がないため、緻密で残留炭素がないため
に、電極であるＡｇやＣｒ，Ｃｕとは密着力や濡れ性が
良好である。
膜厚は、０．１μｍ〜３μｍに設定する。このようなポ
リシラザンのＳｉＯ2膜への軟化は、水素（Ｈ2）以外の
有機成分の離脱がないため、緻密で残留炭素がないため
に、電極であるＡｇやＣｒ，Ｃｕとは密着力や濡れ性が
良好である。
【００３５】次にポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2
上にＣＶＤ法で誘電体層（ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3または、
ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層）を以下のようにして作
成する。図５を用いながら説明する。
上にＣＶＤ法で誘電体層（ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3または、
ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層）を以下のようにして作
成する。図５を用いながら説明する。
【００３６】（ＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層お
よび保護層の形成について）図５は、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ
3層１３ａ，２３ａおよび保護層（ＭｇＯ）１４を形成
する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
よび保護層の形成について）図５は、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ
3層１３ａ，２３ａおよび保護層（ＭｇＯ）１４を形成
する際に用いるＣＶＤ装置の概略図である。
【００３７】このＣＶＤ装置は、熱ＣＶＤ及びプラズマ
ＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、ＣＶ
Ｄ装置本体４５の中には、ガラス基板４７（図１におけ
る放電電極１２及または誘電体層１３を形成した前面ガ
ラス基板１１）を加熱するヒータ部４６が設けられ、Ｃ
ＶＤ装置本体４５内は排気装置４９で減圧にすることが
できるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体４５の
中にプラズマを発生させるための高周波電源４８が設置
されている。
ＣＶＤのいずれも行うことができるものであって、ＣＶ
Ｄ装置本体４５の中には、ガラス基板４７（図１におけ
る放電電極１２及または誘電体層１３を形成した前面ガ
ラス基板１１）を加熱するヒータ部４６が設けられ、Ｃ
ＶＤ装置本体４５内は排気装置４９で減圧にすることが
できるようになっている。また、ＣＶＤ装置本体４５の
中にプラズマを発生させるための高周波電源４８が設置
されている。
【００３８】Ａｒガスボンベ４１ａ，４１ｂは、キャリ
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
４２，４３を経由してＣＶＤ装置本体４５に供給するも
のである。気化器４２は、金属酸化物層の原料（ソー
ス）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボン
ベ４１ａからＡｒガスを吹き込むことによって、この金
属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置本体４５に送り込む
ことができるようになっている。
アであるアルゴン［Ａｒ］ガスを、気化器（バブラー）
４２，４３を経由してＣＶＤ装置本体４５に供給するも
のである。気化器４２は、金属酸化物層の原料（ソー
ス）となる金属キレートを加熱して貯え、Ａｒガスボン
ベ４１ａからＡｒガスを吹き込むことによって、この金
属キレートを蒸発させてＣＶＤ装置本体４５に送り込む
ことができるようになっている。
【００３９】キレートの具体例としては、誘電体保護層
であるＭｇＯの原料として、アセチルアセトンマグネシ
ウム［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2］，又誘電体層であるＳｉＯ
2，Ａｌ2Ｏ3の原料として、テトラエトキシシラン［Ｓ
ｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］，アセチルアセトンアルミニウム
［Ａｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3］又は、これらの混合物を挙げる
ことが出来る。
であるＭｇＯの原料として、アセチルアセトンマグネシ
ウム［Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）2］，又誘電体層であるＳｉＯ
2，Ａｌ2Ｏ3の原料として、テトラエトキシシラン［Ｓ
ｉ（Ｏ・Ｃ2Ｈ5）4］，アセチルアセトンアルミニウム
［Ａｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3］又は、これらの混合物を挙げる
ことが出来る。
【００４０】酸素ボンベ４４は、反応ガスである酸素
［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体４５に供給するものである。
［Ｏ2］をＣＶＤ装置本体４５に供給するものである。
【００４１】（１）このＣＶＤ装置を用いて熱ＣＶＤを
行う場合、ヒータ部４６の上に、誘電体層を上にしてガ
ラス基板４７を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱す
ると共に、反応容器内を排気装置４９で減圧にする（数
十Ｔｏｒｒ程度）。
行う場合、ヒータ部４６の上に、誘電体層を上にしてガ
ラス基板４７を置き、所定の温度（２５０℃）に加熱す
ると共に、反応容器内を排気装置４９で減圧にする（数
十Ｔｏｒｒ程度）。
【００４２】そして、誘電体層（ＳｉＯ2，Ａｌ
2Ｏ3），１３’，２３’を形成する時は気化器４２を保
護層（ＭｇＯ）１４を形成する時は気化器４３で、ソー
スとなるキレートまたはアルコキシド化合物を、所定の
気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ４１ａ又は４
１ｂからＡｒガスを送り込む。また、これと同時に、酸
素ボンベ４４から酸素を流す。
2Ｏ3），１３’，２３’を形成する時は気化器４２を保
護層（ＭｇＯ）１４を形成する時は気化器４３で、ソー
スとなるキレートまたはアルコキシド化合物を、所定の
気化温度に加熱しながら、Ａｒガスボンベ４１ａ又は４
１ｂからＡｒガスを送り込む。また、これと同時に、酸
素ボンベ４４から酸素を流す。
【００４３】これによって、ＣＶＤ装置本体４５内に送
り込まれるキレートもしくはアルコキシド化合物が、酸
素と反応しポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2上にＳ
ｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層が
誘電体層として形成される。
り込まれるキレートもしくはアルコキシド化合物が、酸
素と反応しポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2上にＳ
ｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3またはＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層が
誘電体層として形成される。
【００４４】上記構成のＣＶＤ装置を用いて、プラズマ
ＣＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行う
が、ヒータ部４６によるガラス基板４７の加熱温度は２
５０℃程度に設定し、排気装置４９を用いて反応容器内
を１０Ｔｏｒｒ程度に減圧し、高周波電源４８を駆動し
て１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することによ
り、ＣＶＤ装置本体４５内にプラズマを発生させなが
ら、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層またはＭｇＯからなる保護層
を形成する。
ＣＶＤを行う場合も、熱ＣＶＤの場合とほぼ同様に行う
が、ヒータ部４６によるガラス基板４７の加熱温度は２
５０℃程度に設定し、排気装置４９を用いて反応容器内
を１０Ｔｏｒｒ程度に減圧し、高周波電源４８を駆動し
て１３．５６ＭＨｚの高周波電界を印加することによ
り、ＣＶＤ装置本体４５内にプラズマを発生させなが
ら、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層またはＭｇＯからなる保護層
を形成する。
【００４５】このように熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶ
Ｄ法によって、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層またはＭｇＯ保護
層を形成すれば、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2または、ＭｇＯの
表面にＯＨ基が形成しやすい酸化物結晶が緩やかに成長
するようコントロールされ、緻密な金属酸化物層や保護
層を形成することができる。
Ｄ法によって、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層またはＭｇＯ保護
層を形成すれば、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2または、ＭｇＯの
表面にＯＨ基が形成しやすい酸化物結晶が緩やかに成長
するようコントロールされ、緻密な金属酸化物層や保護
層を形成することができる。
【００４６】（スクリーン印刷法による誘電体ガラス層
の形成について）ポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2
上に誘電体ガラス層を設ける方法。
の形成について）ポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2
上に誘電体ガラス層を設ける方法。
【００４７】次に、これに本実施の形態で誘電率εが５
以上の誘電体ガラス層１３を形成する場合は、誘電体ガ
ラス層１３の素材としては、例えば、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2）及び
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなるガラス、また
は、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3），酸化亜鉛（ＺｎＯ），
酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2），酸化カル
シウム（ＣａＯ）からなるガラスを用いて焼成されたガ
ラスを用いる。
以上の誘電体ガラス層１３を形成する場合は、誘電体ガ
ラス層１３の素材としては、例えば、酸化鉛（Ｐｂ
Ｏ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2）及び
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなるガラス、また
は、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3），酸化亜鉛（ＺｎＯ），
酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2），酸化カル
シウム（ＣａＯ）からなるガラスを用いて焼成されたガ
ラスを用いる。
【００４８】この誘電体ガラス層１３は、前記各酸化物
を有機バインダと混合した誘電体ガラスペーストをスク
リーン印刷し、例えば５４０℃で焼成して形成される。
を有機バインダと混合した誘電体ガラスペーストをスク
リーン印刷し、例えば５４０℃で焼成して形成される。
【００４９】誘電体ガラス層の厚みは、薄いほどパネル
輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著にな
るので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだ
け薄く設定するのが望ましい。
輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著にな
るので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだ
け薄く設定するのが望ましい。
【００５０】従って、本実施の形態では、誘電体ガラス
層１３の厚みを、従来の厚み略１５μｍよりも薄い所定
厚みに設定する。
層１３の厚みを、従来の厚み略１５μｍよりも薄い所定
厚みに設定する。
【００５１】次に、誘電体ガラス層１３上にＭｇＯから
なる保護層１４を形成する。本実施の形態では、ＣＶＤ
法（熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法）を用いて、
（１００）面または（１１０）面配向の酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）からなる保護層を形成する。ＣＶＤ法によ
る保護層１４の形成については、金属酸化物と同様の方
法で形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で
１．０μｍの厚みに形成している。
なる保護層１４を形成する。本実施の形態では、ＣＶＤ
法（熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法）を用いて、
（１００）面または（１１０）面配向の酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）からなる保護層を形成する。ＣＶＤ法によ
る保護層１４の形成については、金属酸化物と同様の方
法で形成する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法で
１．０μｍの厚みに形成している。
【００５２】背面パネル２０の作製：まず、背面ガラス
基板２１に前述したフォトレジスト法によりレジストの
凹部を形成し、凹部に放電電極１２と同様にして第２の
電極としてのアドレス電極２２を形成し（リフトオフ
法）、その上に前面パネル１０の場合と同様にポリシラ
ザンの熱分解によるＳｉＯ2層２３ａを形成後スクリー
ン印刷法と焼成によって前記ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
−Ａｌ2Ｏ3系または前記Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ 3−Ｓ
ｉＯ2−ＣａＯ系の誘電体ガラス層またはＣＶＤ法によ
って、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層２３を形成する。
基板２１に前述したフォトレジスト法によりレジストの
凹部を形成し、凹部に放電電極１２と同様にして第２の
電極としてのアドレス電極２２を形成し（リフトオフ
法）、その上に前面パネル１０の場合と同様にポリシラ
ザンの熱分解によるＳｉＯ2層２３ａを形成後スクリー
ン印刷法と焼成によって前記ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
−Ａｌ2Ｏ3系または前記Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ 3−Ｓ
ｉＯ2−ＣａＯ系の誘電体ガラス層またはＣＶＤ法によ
って、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層２３を形成する。
【００５３】そして、スクリーン印刷法によって作成さ
れたガラス製の隔壁２４を所定のピッチで固着する。そ
して、隔壁２４に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光
体，緑（Ｇ）蛍光体，青色（Ｂ）蛍光体の中の１つを配
設することによって蛍光体層２５を形成する。各色Ｒ，
Ｇ，Ｂの蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられて
いる蛍光体を用いることができるが、ここでは次の蛍光
体を用いる。
れたガラス製の隔壁２４を所定のピッチで固着する。そ
して、隔壁２４に挟まれた各空間内に、赤色（Ｒ）蛍光
体，緑（Ｇ）蛍光体，青色（Ｂ）蛍光体の中の１つを配
設することによって蛍光体層２５を形成する。各色Ｒ，
Ｇ，Ｂの蛍光体としては、一般的にＰＤＰに用いられて
いる蛍光体を用いることができるが、ここでは次の蛍光
体を用いる。
【００５４】赤色蛍光体 ： Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ3+ 緑色蛍光体 ： Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ2+ 青色蛍光体 ： ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ2+ 前面パネル１０及び背面パネル２０の張り合わせによる
ＰＤＰの作製：次に、前述のようにして作製した前面パ
ネル１０と背面パネル２０とを封着用ガラスを用いて張
り合わせると共に、隔壁２４で仕切られた放電空間３０
内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）に排気した後、所定
の組成の放電ガスを所定の圧力で封入することによって
ＰＤＰを作製する。
ＰＤＰの作製：次に、前述のようにして作製した前面パ
ネル１０と背面パネル２０とを封着用ガラスを用いて張
り合わせると共に、隔壁２４で仕切られた放電空間３０
内を高真空（８×１０-7Ｔｏｒｒ）に排気した後、所定
の組成の放電ガスを所定の圧力で封入することによって
ＰＤＰを作製する。
【００５５】このようにして作製されたＰＤＰは、各電
極（表示電極及びアドレス電極）が誘電体ガラス層と緻
密に結合し、気泡が極めて少ない構造をなしている。
極（表示電極及びアドレス電極）が誘電体ガラス層と緻
密に結合し、気泡が極めて少ない構造をなしている。
【００５６】なお、本実施の形態では、ＰＤＰのセルサ
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２
の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。
イズは、４０インチクラスのハイビジョンテレビに適合
するよう、セルピッチを０．２ｍｍ以下、放電電極１２
の電極間距離ｄを０．１ｍｍ以下に設定する。
【００５７】また、封入する放電ガスの組成は、従来か
ら用いられているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量
を５体積％以上に、封入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒ
に設定することで、セルの発光輝度の向上を図ってい
る。
ら用いられているＮｅ−Ｘｅ系であるが、Ｘｅの含有量
を５体積％以上に、封入圧力は５００〜７６０Ｔｏｒｒ
に設定することで、セルの発光輝度の向上を図ってい
る。
【００５８】以上のように本実施の形態のＰＤＰは、放
電電圧の低減を図れるので、動作時にパネル各構成部位
に掛かる負荷が低減される。しかも絶縁耐圧が向上され
ているので、例えば長期に及ぶ繰り返し使用に対して、
高いパネル輝度や低い放電電圧等の優れた初期性能を維
持することができ、信頼性に優れたものである。
電電圧の低減を図れるので、動作時にパネル各構成部位
に掛かる負荷が低減される。しかも絶縁耐圧が向上され
ているので、例えば長期に及ぶ繰り返し使用に対して、
高いパネル輝度や低い放電電圧等の優れた初期性能を維
持することができ、信頼性に優れたものである。
【００５９】
【実施例】（実施例１〜６，８〜１０，１２〜１４，及
び比較例７，１１，１５，１６）
び比較例７，１１，１５，１６）
【００６０】
【表１】
【００６１】
【表２】
【００６２】
【表３】
【００６３】表１〜３に示した試料Ｎｏ．１〜６，８〜
１０および１２〜１４のＰＤＰは、前記実施の形態に基
づいて放電電極及びアドレス電極双方上をポリシラザン
の空気中の熱分解で作成したＳｉＯ2層でおおい、その
上に試料番号１〜６は、ＣＶＤ法によってＳｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3または、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物から成る誘
電体層を形成した構成である。
１０および１２〜１４のＰＤＰは、前記実施の形態に基
づいて放電電極及びアドレス電極双方上をポリシラザン
の空気中の熱分解で作成したＳｉＯ2層でおおい、その
上に試料番号１〜６は、ＣＶＤ法によってＳｉＯ2，Ａ
ｌ2Ｏ3または、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物から成る誘
電体層を形成した構成である。
【００６４】同じく試料番号８〜１０は、ＰｂＯ−Ｂ2
Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系から成る誘電体ガラス層を形
成した構成であり、同じく試料番号１２〜１４は、Ｂｉ
2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣａＯ系から成る誘
電体層を形成した構成であって、ＰＤＰのセルサイズ
は、４２インチのハイビジョンテレビ用のディスプレイ
に合わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍｍ、隔壁２４
の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、放電電
極１２の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。
Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3系から成る誘電体ガラス層を形
成した構成であり、同じく試料番号１２〜１４は、Ｂｉ
2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＣａＯ系から成る誘
電体層を形成した構成であって、ＰＤＰのセルサイズ
は、４２インチのハイビジョンテレビ用のディスプレイ
に合わせて、隔壁２４の高さは０．１５ｍｍ、隔壁２４
の間隔（セルピッチ）は０．１５ｍｍに設定し、放電電
極１２の電極間距離ｄは０．０５ｍｍに設定した。
【００６５】そして、Ｘｅの含有量が５体積％のＮｅ−
Ｘｅ系の混合ガスを封入圧６００Ｔｏｒｒに封入した。
ＭｇＯ保護層１４の形成方法については、保護層をプラ
ズマＣＶＤ法で作製した。また、プラズマＣＶＤ法にお
いては、Magnesium Acetylacetone〔Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）
2〕をソースとして用いた。
Ｘｅ系の混合ガスを封入圧６００Ｔｏｒｒに封入した。
ＭｇＯ保護層１４の形成方法については、保護層をプラ
ズマＣＶＤ法で作製した。また、プラズマＣＶＤ法にお
いては、Magnesium Acetylacetone〔Ｍｇ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）
2〕をソースとして用いた。
【００６６】その他の条件としては、プラズマＣＶＤ法
では、気化器の温度１２５℃、ガラス基板４７の加熱温
度は２５０℃、Ａｒガスは１Ｌ／分、酸素は２Ｌ／分で
１分間ガラス基板４７上に流し、１０Ｔｏｒｒに減圧
し、高周波電源４８から１３．５６ＭＨｚの高周波電界
３００Ｗで２０秒間印加して膜厚１．０μｍのＭｇＯ保
護層を形成した（膜形成速度１．０μｍ／分）。
では、気化器の温度１２５℃、ガラス基板４７の加熱温
度は２５０℃、Ａｒガスは１Ｌ／分、酸素は２Ｌ／分で
１分間ガラス基板４７上に流し、１０Ｔｏｒｒに減圧
し、高周波電源４８から１３．５６ＭＨｚの高周波電界
３００Ｗで２０秒間印加して膜厚１．０μｍのＭｇＯ保
護層を形成した（膜形成速度１．０μｍ／分）。
【００６７】このようにして形成したＭｇＯ保護層をＸ
線解析で結晶面を調べたところ、全ての試料において
（２００）面に配向した結晶であった。
線解析で結晶面を調べたところ、全ての試料において
（２００）面に配向した結晶であった。
【００６８】試料番号７，１１，１５，１６のＰＤＰは
比較例であって、電極上にＳｉＯ2をコートしていない
以外は、試料番号１〜６，８〜１０，１２〜１４と同様
の設定にしてある。
比較例であって、電極上にＳｉＯ2をコートしていない
以外は、試料番号１〜６，８〜１０，１２〜１４と同様
の設定にしてある。
【００６９】（実験） 実験１；以上のようにして作製した試料Ｎｏ．１〜１６
のＰＤＰについて、パネル輝度を測定した。この輝度
は、各試作ＰＤＰで絶縁破壊しにくい条件である放電維
持電圧１５０Ｖ程度，周波数３０ＫＨｚ程度で放電させ
た時の測定値である。前記表１〜３に結果を併記した。
のＰＤＰについて、パネル輝度を測定した。この輝度
は、各試作ＰＤＰで絶縁破壊しにくい条件である放電維
持電圧１５０Ｖ程度，周波数３０ＫＨｚ程度で放電させ
た時の測定値である。前記表１〜３に結果を併記した。
【００７０】実験２；次に、試料Ｎｏ．１〜１６のＰＤ
Ｐと同様のものを２０枚づつ作製し、これらを加速寿命
テストに供した。
Ｐと同様のものを２０枚づつ作製し、これらを加速寿命
テストに供した。
【００７１】この加速寿命テストは、通常の使用条件よ
りもかなり過酷な条件下で行い、放電維持電圧２００
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間連続で放電した。その
後、パネル内の誘電体ガラス層等の破壊状況（パネルの
絶縁耐圧不良）を調べた。この結果も表１〜３に併記し
た。
りもかなり過酷な条件下で行い、放電維持電圧２００
Ｖ、周波数５０ＫＨｚで４時間連続で放電した。その
後、パネル内の誘電体ガラス層等の破壊状況（パネルの
絶縁耐圧不良）を調べた。この結果も表１〜３に併記し
た。
【００７２】考察；試料Ｎｏ．１〜１６の輝度の測定結
果では、従来のＰＤＰのパネル輝度が４００ｃｄ／ｍ2
程度（日経エレクトロニクス １９９７年 Ｖｏｌ．５
−５ １０６頁参照）であるのに比べ、優れたパネルの
輝度を示している。
果では、従来のＰＤＰのパネル輝度が４００ｃｄ／ｍ2
程度（日経エレクトロニクス １９９７年 Ｖｏｌ．５
−５ １０６頁参照）であるのに比べ、優れたパネルの
輝度を示している。
【００７３】これより誘電体ガラス層を薄く形成するこ
とにより、パネル輝度を向上できることが分かる。
とにより、パネル輝度を向上できることが分かる。
【００７４】加速寿命テストの結果から電極をポリシラ
ザンの熱分解によるＳｉＯ2でコートして作製した試料
Ｎｏ．１〜６，８〜１０および１２〜１４のＰＤＰで
は、電極をポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2でコー
トしていない試料Ｎｏ．７，１１，１５，１６のＰＤＰ
と比べて、絶縁耐圧に優れていることが明らかである。
ザンの熱分解によるＳｉＯ2でコートして作製した試料
Ｎｏ．１〜６，８〜１０および１２〜１４のＰＤＰで
は、電極をポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2でコー
トしていない試料Ｎｏ．７，１１，１５，１６のＰＤＰ
と比べて、絶縁耐圧に優れていることが明らかである。
【００７５】これらの結果から、電極をポリシラザンの
熱分解によるＳｉＯ2でコートすれば誘電体ガラス層や
ＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層を従来よりも薄い
１５μｍ以下に形成して輝度の向上を図る場合でも、絶
縁耐圧の向上を図ることができることが分かる。
熱分解によるＳｉＯ2でコートすれば誘電体ガラス層や
ＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3層を従来よりも薄い
１５μｍ以下に形成して輝度の向上を図る場合でも、絶
縁耐圧の向上を図ることができることが分かる。
【００７６】なお、試料Ｎｏ．７，１１，１６のＰＤＰ
で、ＳｉＯ2のコートしていないサンプルは、電極上の
誘電体ガラス層の厚みが、試料Ｎｏ．１〜６，８〜１０
および１２〜１４と比べて厚いにも関らず絶縁破壊しや
すいことがわかる。
で、ＳｉＯ2のコートしていないサンプルは、電極上の
誘電体ガラス層の厚みが、試料Ｎｏ．１〜６，８〜１０
および１２〜１４と比べて厚いにも関らず絶縁破壊しや
すいことがわかる。
【００７７】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明のプラズ
マディスプレイパネルによると、第１の電極と当該第１
の電極を覆う誘電体層とを配したフロントカバープレー
トと、第２の電極と蛍光体層とを配したバックプレート
とが対向してなるプラズマディスプレイパネルにおい
て、前記第１の電極上にポリシラザンの熱分解によって
作成されたＳｉＯ2を設けること、および、この金属酸
化物上に誘電体ガラス層または、ＣＶＤ法によるＳｉＯ
2，Ａｌ2Ｏ3およびＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層を設け
ることにより、低い放電電圧で高輝度の、又、アドレッ
シングや耐久性における信頼性が高いプラズマディスプ
レイパネルが得られる。
マディスプレイパネルによると、第１の電極と当該第１
の電極を覆う誘電体層とを配したフロントカバープレー
トと、第２の電極と蛍光体層とを配したバックプレート
とが対向してなるプラズマディスプレイパネルにおい
て、前記第１の電極上にポリシラザンの熱分解によって
作成されたＳｉＯ2を設けること、および、この金属酸
化物上に誘電体ガラス層または、ＣＶＤ法によるＳｉＯ
2，Ａｌ2Ｏ3およびＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層を設け
ることにより、低い放電電圧で高輝度の、又、アドレッ
シングや耐久性における信頼性が高いプラズマディスプ
レイパネルが得られる。
【００７８】また、前記バックプレートが、第２の電極
を覆う第２の誘電体ガラス層を配してなるものである場
合に、前記第２の電極上にポリシラザンの熱分解による
ＳｉＯ2膜を設けた後に誘電体ガラス層を配することに
より、更に、信頼性の向上を図ることができる。
を覆う第２の誘電体ガラス層を配してなるものである場
合に、前記第２の電極上にポリシラザンの熱分解による
ＳｉＯ2膜を設けた後に誘電体ガラス層を配することに
より、更に、信頼性の向上を図ることができる。
【００７９】また、前記第１の誘電体ガラス層及び第２
の誘電体ガラス層の少なくとも一方に誘電率が４以上の
ものを用いれば、放電電圧を低減する効果及びパネル輝
度を向上させる効果は顕著になる。
の誘電体ガラス層の少なくとも一方に誘電率が４以上の
ものを用いれば、放電電圧を低減する効果及びパネル輝
度を向上させる効果は顕著になる。
【００８０】この誘電率５以上の誘電体ガラス層として
は、酸化鉛（ＰｂＯ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化硅素
（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる
ものや、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3），酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化珪素（ＳｉＯ2），酸
化カルシウム（ＣａＯ）からなるものを用いることもで
きる。又ＣＶＤ法によって、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3および
ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層を用いることによって、
容易に誘電率を４以上に設定することによっても特性が
向上する。
は、酸化鉛（ＰｂＯ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化硅素
（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）からなる
ものや、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3），酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸化珪素（ＳｉＯ2），酸
化カルシウム（ＣａＯ）からなるものを用いることもで
きる。又ＣＶＤ法によって、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3および
ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化合物層を用いることによって、
容易に誘電率を４以上に設定することによっても特性が
向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態におけるプラズマディス
プレイパネルの要部斜視図
プレイパネルの要部斜視図
【図２】同プラズマディスプレイパネルのＸ−Ｘ線矢視
断面図
断面図
【図３】同プラズマディスプレイパネルのＹ−Ｙ線矢視
断面図
断面図
【図４】同前面ガラス基板への電極の形成方法を示す模
式図
式図
【図５】本実施の形態におけるプラズマディスプレイパ
ネルを製造る際に用いるＣＶＤ装置の概略図
ネルを製造る際に用いるＣＶＤ装置の概略図
【図６】従来の交流型のプラズマディスプレイパネルの
要部斜視図
要部斜視図
【図７】本実施の形態におけるポリシラザンコーティン
グする際に用いるコーティング装置の概略図
グする際に用いるコーティング装置の概略図
１０ 前面パネル １１ 前面ガラス基板 １２ 放電電極（表示電極） １３ 誘電体ガラス層 １３ａ ポリシラザンの熱分解によるＳｉＯ2層 １４ 保護膜 ２０ 背面パネル ２１ 背面ガラス基板 ２２ アドレス電極 ２３ 誘電体ガラス層 ２３ａ ＣＶＤ法によるＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3及びＳｉＯ2
とＡｌ2Ｏ3の化合物層 ２４ 隔壁 ２５ 蛍光体層 ３０ 放電空間 ４０ ＣＶＤ装置 ４１ａ，４１ｂ アルゴンガスボンベ ４２，４３ 気化器 ４４ 酸素ガスボンベ ４５ ＣＶＤ装置本体 ４６ 基板加熱ヒータ ４７ 誘電体ガラス層が形成された前面ガラス基板 ４８ 高周波電源 ４９ 排気装置 ７１ ポリシラザン（ＳｉＨ2−ＮＨ）nの溶液
とＡｌ2Ｏ3の化合物層 ２４ 隔壁 ２５ 蛍光体層 ３０ 放電空間 ４０ ＣＶＤ装置 ４１ａ，４１ｂ アルゴンガスボンベ ４２，４３ 気化器 ４４ 酸素ガスボンベ ４５ ＣＶＤ装置本体 ４６ 基板加熱ヒータ ４７ 誘電体ガラス層が形成された前面ガラス基板 ４８ 高周波電源 ４９ 排気装置 ７１ ポリシラザン（ＳｉＨ2−ＮＨ）nの溶液
Claims (5)
- 【請求項１】第１の電極と当該第１の電極を覆う誘電体
層とを配したフロントカバープレートと、第２の電極と
それを覆う誘電体層および蛍光体層とを配したバックプ
レートとが対向してなるプラズマディスプレイパネルで
あって、 前記第１の電極上または、第２の電極上にポリシラザン
をコーティング後大気中で熱分解して、酸化硅素（Ｓｉ
Ｏ2）膜を形成後、ＣＶＤ法によってＳｉＯ2，酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）または、ＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3の化
合物を誘電体層として設けたことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル。 - 【請求項２】第１の電極と当該第１の電極を覆う誘電体
層とを配したフロントカバープレートと、第２の電極と
それを覆う誘電体層および蛍光体層とを配したバックプ
レートとが対向してなるプラズマディスプレイパネルで
あって、 前記第１の電極上または、第２の電極上にポリシラザン
をコーティング後大気中で熱分解して、ＳｉＯ2膜を形
成後、誘電体ガラス層を設けて誘電体層とすることを特
徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項３】ポリシラザンの大気中での熱分解によるＳ
ｉＯ2膜の厚みが０．１μｍ〜３．０μｍで、誘電体ガ
ラス層の厚みが５μｍ〜１４μｍであることを特徴とす
る請求項２記載のプラズマディスプレイパネル。 - 【請求項４】ポリシラザンの分子式が（ＳｉＨ2−Ｎ
Ｈ）nで、その平均分子量が６００〜１０，０００であ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプ
ラズマディスプレイパネル。 - 【請求項５】前記第１の誘電体ガラス層または第２の誘
電体ガラス層は、酸化鉛（ＰｂＯ），酸化硼素（Ｂ
2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2Ｏ3）から成るガラスまたは、酸化ビスマス（Ｂｉ2
Ｏ3），酸化亜鉛（ＺｎＯ），酸化硼素（Ｂ2Ｏ3），酸
化珪素（ＳｉＯ2），酸化カルシウム（ＣａＯ）から成
るガラスであることを特徴とする請求項２または３記載
のプラズマディスプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14198A JP3414236B2 (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | プラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14198A JP3414236B2 (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | プラズマディスプレイパネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195382A true JPH11195382A (ja) | 1999-07-21 |
| JP3414236B2 JP3414236B2 (ja) | 2003-06-09 |
Family
ID=11465757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14198A Expired - Fee Related JP3414236B2 (ja) | 1998-01-05 | 1998-01-05 | プラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3414236B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000067283A1 (fr) | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran a plasma |
| WO2003087228A1 (fr) * | 2002-04-12 | 2003-10-23 | Clariant International Ltd. | Composition de copolymere contenant du silicium, copolymere contenant du silicium reticule soluble dans un solvant, et articles durcis obtenus a partir de ladite composition |
| JP2006324076A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Japan Pionics Co Ltd | ガラスパネル及びその製造方法、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| US7501762B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and process for producing the same |
| US8004171B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Dielectric layer containing carbon for a plasma display panel |
| JP2013544222A (ja) * | 2010-11-17 | 2013-12-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 銀のエレクトロマイグレーションの低減方法及びそれによって製造される物品 |
-
1998
- 1998-01-05 JP JP14198A patent/JP3414236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000067283A1 (fr) | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran a plasma |
| EP1093147A1 (en) * | 1999-04-28 | 2001-04-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
| EP1093147B1 (en) * | 1999-04-28 | 2011-03-30 | Panasonic Corporation | Plasma display panel |
| WO2003087228A1 (fr) * | 2002-04-12 | 2003-10-23 | Clariant International Ltd. | Composition de copolymere contenant du silicium, copolymere contenant du silicium reticule soluble dans un solvant, et articles durcis obtenus a partir de ladite composition |
| US7371433B2 (en) | 2002-04-12 | 2008-05-13 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition of silicon-containing copolymer, solvent-soluble crosslinked silicon-containing copolymer, and cured articles obtained therefrom |
| JP2006324076A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Japan Pionics Co Ltd | ガラスパネル及びその製造方法、並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
| US7501762B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-03-10 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and process for producing the same |
| US8004171B2 (en) | 2007-05-11 | 2011-08-23 | Panasonic Corporation | Dielectric layer containing carbon for a plasma display panel |
| JP2013544222A (ja) * | 2010-11-17 | 2013-12-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 銀のエレクトロマイグレーションの低減方法及びそれによって製造される物品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3414236B2 (ja) | 2003-06-09 |
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