TW201245439A - Ink composition, organic electroluminescence element using same and method for manufacturing same - Google Patents

Ink composition, organic electroluminescence element using same and method for manufacturing same Download PDF

Info

Publication number
TW201245439A
TW201245439A TW101110682A TW101110682A TW201245439A TW 201245439 A TW201245439 A TW 201245439A TW 101110682 A TW101110682 A TW 101110682A TW 101110682 A TW101110682 A TW 101110682A TW 201245439 A TW201245439 A TW 201245439A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
organic
layer
conductive
light
ink
Prior art date
Application number
TW101110682A
Other languages
English (en)
Inventor
Takayuki Morita
Takuma OOUCHI
Tomohiro Kai
Yoshihiro Suzuki
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Publication of TW201245439A publication Critical patent/TW201245439A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/30—Inkjet printing inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/50—Sympathetic, colour changing or similar inks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/22—Luminous paints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H10K71/441—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour in the presence of solvent vapors, e.g. solvent vapour annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

201245439 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係利用有機薄膜 現象者，係關於含有有機EL 之有機EL元件及其製造方法 【先前技術】 有機EL元件，包含導電 有機發光層的厚度方向的兩 透光性的基板上依序疊層並 極而製造。並且，藉由對於 電子及電洞並使其再結合， 發光。在此，為了使源自有 有時會於陽極以及有機發光 在陰極與有機發光層之間設 一般而言，有機發光層 ’係由分子量高、容易溶解 藉此，可利用在大氣壓下的 版印刷法或凸版反轉平版印 2)、噴墨法（例如參照專利文 照專利文獻5)等印刷法形成 本降低或生產性提高。 [先前技術文獻] [專利文獻] 之電致發光（以下省略為EL) 材料之印墨組成物及使用其 性的有機發光層以及配置於 側的陽極及陰極，可藉由在 形成陽極、有機發光層、陰 有機發光層施加電壓，注入 於此結合時會使有機發光層 機發光層的發光效率增大， 層之間設置電洞輸送層，或 置電子輸送層。 、電洞輸送層及電子輸送層 於溶劑的高分子材料形成。 旋塗法等的濕式塗布法或凸 刷法（例如參照專利文獻1、 獻2〜4)、喷嘴印刷法（例如參 各層’可達成製造設備的成 [專利文獻1]日本特開2003-17248號公報 [專利文獻2]日本特開2004-296226號公報 201245439 [專利文獻3]日本專利第3541 625號公報 [專利文獻4]日本特開2009— 267299號公報 [專利文獻5]日本特開2〇〇 1 -1 89 1 92號公報 【發明内容】 [發明欲解決之課題] 有機發光層使用的低分子發光材料，有超越高分子 發光材料的發光效率、壽命，且被要求能替代高分子發 光材料《但是’利用上述濕式塗布法製造有機El元件之 方法’為了分開塗布發光層的RGB，必需以隔壁區分晝 素’於晝素内的低分子發光材料的成膜性會有問題。此 係由於低分子發光材料形成的膜在隔壁内會有成為凸狀 的傾向，所以在晝素的端部與中央會發生發光不均，而 有造成發光效率及壽命降低的問題。 本發明的目的在於提供能夠解決如上問題，且於隔 壁内良好地將低分子發光材料塗布成膜的印墨組成物以 及使用其之有機EL元件及其製造方法。 [解決課題之手段] 本發明之申請專利範圍第丨項之印墨組成物，係用於 形成有機EL元件用的有機層的印墨組成物，其特徵為：' 為前述有機層之一層的有機發光層係混合丨種以上不具 重複結構的低分子發光材料以及1種以上呈 八
高分子材料而形成，且該 非導電性高分子材料相對； 量比為0.01以上0.05以下。 組成物，其特徵 本發明之申請專利範圍第2項之印墨 201245439 為：前述非導電性高分子材料之重量平均分子量為丨萬以 上1 〇 〇萬以下。 本發明之申請專利範圍第3項之印墨組成物，其特徵 為：前述非導電性高分子材料之玻璃轉移點為10(rc以上 本發明之申請專利範圍第4項之印墨組成物，其特徵 為：前述非導電性高分子材料為聚苯乙烯或聚曱基丙 酸甲酯或聚碳酸酯。 極本發明之申請專利範圍第5項之有機EL元件，係在陽 ^與陰極^間具有多數有機層而成的有機£[元件，其特 不為.為前述有機層之一層的有機發光層係混合丨種以上 結具重複結構的低分子發光材料以及丨種以上具有重複 性:的^分子材料而形成’且前述高分子材料為非導電 的曰=非導電性南分子材料相對於該低分子發光持料 处s重量比為0.001以上〇 〇5以下。 ^ 明之申請專利範圍第6項之有機EL元件，其特 =非導電性高分子材料的重量平均分子量為 萬以下。 為：月之申請專利範圍第7項之有機EL元件，其特徵 。^述非^電性咼分子材料之玻璃轉移點為丨00〇c以上 為：範圍第8項之有㈣元件’其特徵 ”…碳子材料係聚苯乙烯或聚曱基， 發月之申請專利範圍第9項之有機EL元件之製造 201245439 專利r:特徵為包含以下步驟：塗布步驟，係將如L 專利I巳圍第1至4 r。月 法塗布在由隔心八 組成物使用噴嘴印刷 ，系 ^/刀晝素的元件基板上；溶劑去除步驟 组点2去除如中S奢專利範圍第1至4項中任一項之印’墨 、，且成物所含之g 墨 層。 墨用洛·劑，以形成有機EL元件用之有機 發明之申請專利範圍第10項之有機EL元件之f m 為.遠洛劑去除步驟具有於氮氣環境中於 上的加熱溫度進行加熱的乾燥步驟。 [發明之效果] :照本發明之印墨組成物以及使用其之有機虹元件 乾焊可利用高分子材料的結合(bind)效果，於 機發光層。 I 了开4為平坦膜的穩定的有 、又’、藉由使用非導電性高分子材料當作添加劑，可
不4成載子平衡朋潰而將低分子發光材料良好 成膜。 T 【實施方式】 [實施發明之形態] 以下參照圖式說明本發明之實施形態。 第1圖示意顯示與本實施形態相關之有機EL元件之 構成。本實施形態之有機E L元件i ’為具有所謂主動矩陣 結構的有機EL元件，具有：形成有薄獏電晶體（TFT)之透 光性基板2、於透光性基板2的其中—㈣彡成有多數個的 畫素電極3、將各畫素電極3區隔為線狀的隔壁4、疊層於 201245439 旦f電極3上的有機發光介質層5、與在有機發光介質層< 上豐層的畫素電極3相對向配置的對向電極6，以下針曰 畫素電極3為陽極、對向電極6為陰極的情形敘述。 又，與本實施形態相關之有機EL元件i，也可為所神 的被動矩陣結構，也可為晝素電極為陰極、對： 陽極。 兩 透光性基板2係支持畫素電極3與有機發光介質層$ 、對向電極6的基板，由金屬、玻璃或塑膠等薄膜或片： 構f。塑膠製的薄膜，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇醋 或聚丙烯、環烯烴聚合物、聚醯胺、聚醚颯、聚甲基丙 烯酸甲酯、聚碳酸酯。 又，在透光性基板2的未形成畫素電極3的另一面， 也可疊層陶瓷蒸鍍薄膜或聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、乙 烯乙酸乙_旨共聚物驗化物等其他氣體阻隔性薄膜。 曰本實施形態的透光性基板2，也可使用形成有薄膜電 曰日體（TFT)的主動驅動方式用基板。當本實施形態之印刷 體製成主動驅動型有機EL元件時，在TFT上形成平坦化 層同時於平坦化層上設置有機ELs件之下部電極，並 且以設置於平坦化層的接觸孔將TFT與下部電極予以電 性連接較佳。 ％ 藉由如此的構成，可於TFT與有機EL元件之間獲得 優異的電絕緣性。TFT、或在其上方構成的有機肛元件 ，係由支持體所支持。支持體宜為機械強度或尺寸安定 性優異者，具體而言可使用先前所述當作基板的材料。 •又置於支持體上的薄膜電晶體，可使用周知的薄膜電晶 201245439 〇 7 σ主要可舉例.形成有源極/汲極區及通道 區=層、由閘絕緣層及閘電極而構成的薄膜電晶艘 /、电曰曰體的構造’不特別限定’可舉例如，堆疊蜇 等：型頂柵型、底栅型、共面型(c°pianar type) ，二。的結構。又，為底部發光型之有㈣元件的情形 ’二用透光性基板’但是為頂部發光型之有機EL元件 之情形’不受限於透光性基板。 ^ /、人在基板上進行包含畫素電極3的材料之層的成 膜，並視需要進行圖案化。包含晝素電極3的材料之層由 隔壁4所區隔，且成為對應於各畫素的畫素電極3。全音 電極3的材料，可將IT〇(銦錫複合氧化物）或銦鋅複:氧 化物、鋅鋁複合氧化物等金屬複合氧化物，或金、鉑等 金屬材料，或該等金屬氧化物或金屬材料的微粒分散於 環氧樹脂或丙烯酸樹脂等而成的微粒分散膜以單層使用 ’或疊層使用均可。 以晝素電極當作陽極時，宜選擇ΙΤ〇等功函數高的材 料。從下方取出光，即所謂的底部發光結構時，需選擇 有透光性的材料。視需要，為了減低畫素電極的配線電 阻’也可併設銅或鋁等金屬材料當作輔助電極。書素電 極3的膜厚，取決於有機el顯示器的元件結構有其不同的 最適值，但不論單層、疊層，為100埃以上1〇〇〇〇埃以 ，更佳為100埃以上3000埃以下。 就晝素電極3之形成方法而言，視材料可以使用電p 加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍法、反應性蒸鍍法、離子錢费 £ 201245439 (ion plating)法、濺鍍法等乾式成膜法、或凹版印刷法、 網版印刷法等濕式成膜法等。 隔壁4’為了防止形成於各晝素電極3上的有機發光 介質層5彼此混合’係以覆蓋各晝素電極3的端部的方式 形成’隔壁4的圖案以區隔畫素電極3的格子狀或線狀為 理想。尤其’當利用噴嘴印刷法形成有機發光層時，隔 壁形成為平行於相同發光色的發光層的線狀，以區隔彼 此不同的顏色為理想’於此情形，係以僅覆蓋晝素電極3 的端部的2邊的方式形成。 形成隔壁4時的形成方法’與以往同樣，例如在基體 上同樣形成無機膜’以抗蝕劑遮蓋後，進行乾式钱刻的 方法’或疋在基體上疊層感光性樹脂，並以光微影法形 成既定圖案的方法。又，也可將該等組合而在無機膜上 疊層感光性樹脂，或在感光性樹脂上疊層無機膜並圖案 化’藉此使隔壁成為多層結構亦可。再者，也可視需要 添加撥水劑，或照射電漿或Uv形成後對於印墨賦予撥液 性。 就隔壁4的材料可以適用的感光性樹脂而言’例如可 列舉聚醯亞胺或丙烯酸樹脂、酚醛樹脂等，但只要是能 以光微影法形成的樹脂即可使用。無機材料例如、 SiN、SiON等。 隔壁4的較佳高度為〇 1μιη以上1〇μχη以下更佳為 〇.5μΠ1以上2μΐΏ以下。其原因在於：隔壁4的高度若超過 1〇μΐΏ，會妨礙對向電極的形成及密封，若矮於〇.1μπι， 會無法完全覆蓋晝素電極3的端部，或是在形成有機發光 -10- 201245439 介質層時與相鄰的晝素發生短路、或混色。 其次，形成本實施形態之當作有機功能性薄膜的有 機發光介質層5。本實施形態中的有機發光介質層5，可 形成包含有機發光材料的單層膜或多層膜，係成為至少 在晝素電極3的頂面形成的電洞輸送層7、及在電洞輸送 層7的頂面形成的有機發光層8疊層成的構成。 以多層膜形成時的構成例，例如電洞輸送層、電子 輸送性發光層或包含雷：问一送k 2& ^ 、 冤洞輸迗性發光層、電子輸送層的2 層構成，或包含電洞私 电輸达層、有機發光層、電子 的3層構成，再者，視需| p 兄而要區刀電洞或電子注入功能以及 電洞或電子輸送功能，―、3 „ 刀此，或疋插入阻擋電洞或電子輸送之 層等，藉此形成更多層的結構更佳。又，本發明中之有 機發光層係指包含有機發光材料之層。 a同輸送層7，具有在從為陽極的畫素電極3注入的 電洞在為陰極的對向 a %往〇的方向刖進而流通電洞的同 時，亦防止電子朝念主# k 朝畫素电極3的方向前進的功能。 使用在電洞輸送層7的電洞輸送材料，例如可由銅酖 花青、四（第三丁基）铜 y主 )銅献化月4金屬酞花青類及盔屬 酞花青類、喹吖酮化人榀1 1 ^ ··，、立屬 合物、雙(4_二-對甲苯基胺基苯 基）¼己烧、N，N’- -贫货入了·^， —本基-Ν，Ν，-雙（3_甲基苯基卜以，聯 Μ、二胺、心_二（1蔡基）_Ν，Ν’_二苯基心，聯苯 -4,4’·二胺等芳香族胺系低分子電洞注入輸送材料，或聚 苯胺、聚噻吩、聚乙怯 穴乙％基咔唑、聚（3,4_伸乙基二氧化 吩）與聚苯乙烯確酸之、θ人&斤一 那《畋之混合物等咼分子電洞輸送材料、 噻吩寡聚物材料、Γιι ^ 0 ^ CU2〇、Cr2〇3、Mn2〇3、Fe〇x(x 〜〇 1} -11- 201245439 、NiO、CoO、Pr20,、A 〇 r» A/f a ^ . 2 3 AS2〇、Mo02、Bi2〇3、ZnO、TiO: ' Sn〇2 ' Th〇2 ' VoO-： ' Mu n 下 ^ 2 5 仙2〇5、Ta2〇5、m〇03、W〇3、 Μ η O 2等無機材料、j： # P5： 士 u办、^ ±人 刊竹兵他既有的電洞輸送材料中選擇。 又，使電洞輸送材料溶解或分散的溶劑，可舉例如 曱苯—曱苯笨甲酸、二甲氧基苯、四氯蔡（tdralin) 、環己醇、丙酮、甲乙_、曱基異丁基酮、環己醐、甲 醇乙醇、異丙g|、乙酸乙醋、乙酸丁醋、水中之任一 者或該等的混合液。 W述電洞輸送材料的溶解液或分散液中，視需要也 可添加界面活性劑或抗氧化齊卜黏度調整劑、紫外線吸 收劑等，#度調整劑例如可使用聚苯乙烯、$乙烯基咔 唑等。 電洞輸送層7之形成方法，因應於電洞輸送層7使用 的材料，可使用旋塗或桿塗、線塗、狹缝塗布法、噴塗 簾塗、μ塗、凸版印刷、凸版反轉平版印刷、嗔墨法 、喷嘴印刷法等濕式法、冑阻加熱蒸鍍法、冑子束蒸鍍 法、反應性蒸鍍法、離子鍍覆法 '濺鍍法等蒸鍍法。 又，也可在電洞輸送層7上形成插入（丨以以比八“層。 插入層使用的材料，可列舉聚乙烯基咔唑或其衍生物、 於側鏈或主鏈具有芳香族胺之聚伸芳基（p〇lyarylene)衍 生物、芳基胺衍生物、三笨基二胺衍生物等含芳香族胺 之聚合物等。該等材料可以溶解或分散於溶劑，並使用 旋塗法等各種塗布方法或使用凸版印刷方法形成。 有機發光層8係藉由施加電壓而發紅光、綠光或藍光 的有機發光層8的功能性材料，藉由將不具重覆結構的低 -12- 201245439 分子發光材料及具有重覆結構的高分子材料溶解或分散 於溶劑而成的有機發光印墨塗布於電洞輸送層7上而形 成。前述低分子發光材料的分子量為1 〇〇以上丨〇〇〇以下較 佳。 有機發光層8係藉由將溶解或分散有低分子發光材 料的有機發光印墨（印墨）使用喷嘴印刷法附著在電洞輸 送層7上，之後使其乾燥而形成。印墨的溶劑宜使用二曱 苯，但也可使用形成電洞輸送層7時使用的上述溶劑。又 ’發光層的膜厚為0_01μιη以上Ο.ίμηι以下的範圍即可，為 0.0 3μηι以上Ο.ίμηι以下更佳。落於前述膜厚的範圍外時， 發光效率有降低的傾向。 使用在有機發光層8的不具重複結構的低分子發光 材料’就使用在有機發光層之有機發光材料而言，可使 用.9，10-一 ^基蒽衍生物、芘、證（cor〇nene)、茈 、紅螢烯（rubrene)、1，1，4,4-四苯基丁二烯、參羥基啥 啉酸（quinolinolato))鋁錯合物、參（4 -曱基-8-羥基啥琳酸 )紹錯合物、雙（8-羥基喹啉酸）辞錯合物、參（4_甲基_5_ 二氟曱基-8 -經基啥淋酸）紹錯合物、參（4_曱基_5_氰基_8_ 羥基喹啉酸）鋁錯合物、雙（2-甲基-5-三氟曱基_8_羥基喹 琳酸）[4-(4 -氰基苯基）紛酸]銘錯合物、雙（2_曱基_5_氰基 -8-羥基喹啉酸）[4-(4-氰基苯基）酚酸]鋁錯合物、參（8_羥 基喹啉酸）釩錯合物 '雙[8-(對曱苯磺醯基（tosyl))胺基喹 啉]鋅錯合物及鎘錯合物、1，2,3，4-四苯基環戊二烯、五 苯基環戊二烯、聚-2,5-二庚氧基-對伸苯基伸乙烯、香豆 素糸螢光體.、范系螢光體、11比喃糸螢光體、葱酮（anthr〇ne) 201245439 系螢光體、聚卟啉系螢光體、喹吖酮系螢光體、n，^， 二烷基取代喹吖鲖系螢光體、萘二甲醯亞胺 (naphthalimide)系螢光體、N，N、二芳基取代吡咯并沘咯 系螢光體等、Ir錯合物等磷光性發光體等。 ° 在此，發紅光的有機發光層8使用的低分子發光材 ，例如將參（8-經基啥啉）紹（AW)以及為„比嗔系化合物之 摻雜材的DCM(4-二氰基亞甲基_6·(對二甲基胺基苯乙烯 基）-2-曱基-4Η-吼喃）、與DCJTB(4_二氰基亞曱基_6弋對 =甲基胺基苯乙烯基）_2_(第三丁基）_化_〇比喃）各以摻雜 濃度2%添加者。然後，將該低分子發光材料溶於溶 形成印墨。 Μ並 又，印墨中的低分子發光材料的濃度為〇丨重量％以 上5‘0重量％以下的範圍即可，為〇 5重量％以上丨$重量％ 以下更佳。如此，藉由使濃度為〇.丨重量％以上5 〇重量^ 以下，能使噴嘴印刷塗布時的膜厚不會過厚，可以維0 噴嘴印刷塗布時的圖案精度。又，上述比率之低分子於 光材料的重量，係代表合併上述主體材與摻雜材的重量 又，發綠光的有機發光層8使用的低分子發光材料 可舉將為主體材的Alq3、2,2，，2，，_(1，3,5_笨三基）灸（1」 基-•苯并味吐）（TPBl)、為摻雜材的參（2 (對甲苯基 啶）銥III(Ir(mPpy)3)各添加成為摻雜濃度4%者。然後，將 該低分子發光材料溶於溶劑並形成印墨。 0.1重量°/0以 上1.5重量％ •g 又’印墨中的低分子發光材料的濃度為 上5_〇重量％以下的範圍即可，為〇 5重量％以 -14- 201245439 以下更佳。又，上述比率之低分子發光材料的重量， 表合併上述主體材及摻雜材的重量。 又，發藍光的有機發光層8使用的低分子發光材料， 可列舉將Alq3、與為摻雜材的DpBVi(4,4，雙（2,2，_二笨芙 乙烯基）-聯苯）、與Ζη(Β〇χ)2(2 (〇_羥基苯基）苯并噻唑鋅 錯合物，添加成使摻雜濃度成為2%者。然後，將該低八 子發光材料溶於溶劑，並形成印墨…印墨中的低： 子發光材料的漠度，為〇.1ί4%以上5 Q重量％以下的二 圍P可，為0.5重量％以上丨5重量％以下更佳。 又，混合於有機發光印墨的非導電性高分子材料， 可使用聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氣乙烯、聚甲基 =烯=甲酯、ABS樹脂、聚醯胺、聚縮醛、聚碳酸酯、 聚：苯醚、聚對笨二曱酸乙二醇酯、聚對苯二曱酸丁二 醇®曰、聚砜、聚醚碾、聚伸苯硫醚、聚芳酯、聚醯亞胺 、聚酿胺醯亞胺、聚峻醯亞胺、聚四氟乙 :聚物’及前述高分子材料的共聚物，較佳為聚= 或聚甲基丙烯酸曱酯或聚碳酸酯。 非導電性高分子材㈣Ό與混合的低 =應者，只要是質量平均分子量為i萬以上1〇〇萬以下 把圍者即可使用。使用導電性高分子材料時，由於載 先注入導電性高分子’故載子不會貢獻於低分子 x材枓，而會移到發光層内，導致發光效率下降。 2又，在此，非導電性係指載子移動度小於】〇χΐ〇_7 Γθχ/二’非導電性高分子材料宜使用載子移動度小於 . Cm2/VS之高分子，但是即使使用比低分子發光材 -15- 201245439 移動度更低的載子移動度的高分子，仍能獲得 所以只要是載子移動度低於低分子發光材料 即可，也可使用i〇-7cm2/Vs以上的高分子。 纟'合解中導電‘後高分子材料相對於低分 子發光材料的混合比例’以重量比計，為〇.〇〇1以上〇.〇5 以下更佳。又，上述比例的低分子發光材料的重量，係 代表：併上述主體材與摻雜材的重量。重量比為前述範 圍内蚪，由於非導電性高分子材料的結合效果，於乾燥 步驟不弓丨起材料凝集，可形成為平坦膜且穩定的有機發 光層。若重量比大於0.05，由於非導電性材料造成導電 !·生下降，會使得用以獲得希望亮度的電壓被高電壓化， 或發光效率下降。又，若重量比小於MW，無法獲得添 加非導笔性咼分子材料的效果，發光材料會凝集，或有 機發光層不平坦’故造成發光效率下降。 非導電性高分子材料，宜為質量平均分子量丨萬以上 100萬以下的範圍者，但也可混合不同分子量的非導電性 高分子材料。混合不同分子量的非導電性高分子材料時 ’也可混合分子量不在上述範圍者，但宜至少含有1種以 上具有上述分子量範圍的非導電性高分子較理想。非導 電性高分子材料的分子量低於1萬時，有時無法形成均勻 的發光層。 另一方面，分子量大於100萬時，印墨的黏度會變得 過高，有時無法以喷嘴印刷法塗布，或膜厚變得過厚， 有時有機發光介質層的導電率下降，而發光亮度下降。 再者’宜使用非導電性高分子材料之玻璃轉移點 -16 - 201245439 (Tg)為100°c以上者較佳，一般而言由於分子量大的高分 子具有高Tg，從此觀點’使用的非導電性高分子材料的 貝1平均分子量為1萬以上1〇〇萬以下較佳。使用Tg低於 1 00°c者時’在塗布有機發光印墨後的乾燥步驟，會由於 加熱造成非導電性高分子材料流動化，且低分子發光材 料的分散性下降’低分子發光材料凝集’且有產生發光 不良之亮點之虞。 具有高Tg的非導電性高分子材料，可列舉聚苯乙烯 或聚甲基丙歸酸甲酯或聚碳酸酯等，該等以為l〇〇(>c以上 的咼分子與Tg低於1 00°c的非導電性高分子材料的共聚 物或混合物均可，只要共聚物或混合物之Tg為loot以上 即可。 含有有機發光材料的印墨使用的溶劑，可使用二曱 苯。二甲苯對於當作低分子發光材料使用的許多芳香族 化合物及有機物金屬錯合物具有良好的溶解性，喷嘴印 刷吐出性亦良好。再者，藉由於有機發光層的低分子發 光材料的印墨組成使用二甲苯，能夠簡化乾燥步驟，所 以能夠抑制殘留溶劑的影響，能抑制發光效率的下降。 —此外，也可添加曱笨、丨，3,5_三甲苯、異丙苯（cumene) :苯甲醚、甲基苯甲醚、對異丙基甲苯（paracymene)、四 j萘、€己基苯、甲基萘、環己鲖、環己苯、二曱氧基 苯、笨甲酸甲醋、苯曱酸乙醋、水、乙醇、丙酮、曱乙 明、甲基異丁酮、甲醇、異丙醇、環己醇、乙酸乙醋、 乙酸丁酯等溶劑當作混合溶劑。又，為了提高塗布性， 視需要適量混合界面活性劑、&氧化劑、黏度調整劑、 -17- 201245439 紫外線吸收劑等添加劑更佳。 為喷f印刷法k ’本貫施形態的有機發光層8的印墨 黏度，於25。(：為iOmPa.s較佳，為impa%以上3土 s以下 更佳。若印墨黏度超過10〇11>"，在印墨吐出時無法形成 適當的液柱’喷嘴會堵塞’所以變得難以塗布。 電子輸送層使用的電子輸送材料，可使用2-(4-聯苯 基)-5-(4-第—丁基苯基)·13,4噚二唑、a，％雙。萘基 )1’3’4-弓—坐、$ —心τ生物或雙苯并⑷經基 喹啉酸)鈹錯合物、三唑化合物等…也可藉由於該等 電子輸送材料中少量摻雜鈉或鋇、鋰此類的低功函數的 鹼金屬、鹼土金屬，製作電子注入層。 电子輸达層之形成方法，因應於使用的材料，可以 使用疑塗法或桿塗法、線塗法、狹縫塗布法、喷塗法、 簾塗法、流塗法、几 凸版印刷、凸版反轉平版印刷、喷墨 :、噴嘴印刷法等濕式法、或電阻加熱蒸鍍&、電子束 瘵鍍法、反應性蒸鍍&、離子鍍覆法、濺鍍法等蒸鍍法 ..^人形成對向電極6。當將第2電極作為陰極時， 係使用對於右她1 Α I先；丨質層5的電子注入效率高、功函數 低的物質。呈释而士 /、 ，使用Mg、A1、Yb等金屬單體，或 於接觸發光介w 人 的界面夾持約Inm的Li或氧化|f、LiF等 二物亚®層高穩定性、導電性的A1或Cu後使用亦可 $ 了兼顧電子注入效率及穩定性，也可 函數的Li、Me、r 0
Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb 荨金屬中1稽win 上及穩定的Ag、Al、CU等金屬元素的合 c* -18 * 201245439 金系。 第2二體，而言，可使用MgAg、A1U、CuLl等合金。當從 二：透光性的材料較佳。於此情形，可於設置薄層 數的Ll、Ca後，疊層IT〇(鋼錫複合氧化物)或銦 ::化物、辞銘複合氧化物等金屬複合氧化物，也 二屬：ί有機發光介質層少量換雜低功函數的Ll、Ca等 孟屬並蘩層玎㊀等金屬氧化物。 形：對向電極6之方法，可因應材料使用電阻加熱蒸 :;二二束蒸鍍法、反應性蒸鑛法、離子鑛覆法、濺 又/ 包極的厚度不特別限制，宜為l〇nm以上l〇〇〇nm 以下為理想。又，合别 田利用第2电極當作透光性電極層時，
Ca或Li等金屬材料的膜厚為〇」⑽以上. 為理想。 ^ 也可於對向電極與密封材之間，例如在對向 电極上形成保護層(pa”— h帅保護層的材料， Π:乳化石夕、氧化铭等金屬氧化物、氟化銘、氟化鎂 ::s氟化物、虱化矽、氮化鋁、氮化碳等金屬氮化物 兩 ' 化矽等金屬氧氮化物、碳化矽等金屬碳化物，視 :要也可使用與丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚矽氧樹脂、 聚酯樹脂等高分子樹脂臈的疊層臈。尤其，從阻隔性與 透明性的觀點’使用氧化石夕（si〇x)、氮化石夕（SiNx)、氧氮 化石夕⑽為）較佳，再者，也可視成膜條件使用膜密度 可變的疊層膜或漸進臈。 保護層的形成方法，因應材料可使用電阻加熱蒸鍍 -19- 201245439 法、電子束蒸鍍法、反應性热錄法、離子鍍覆法、濺鑛 • 法、CVD法，尤其從陴隔性或透光性方面’使用CVD法 較佳。CVD法可使用熱CVD法、電漿CVD法、觸媒cVD 法、VUV-CVD法等。 又，CVD法中的反應氣體’可於單石夕烧或六曱基二 矽氮烷（HMDS)或四乙氧基矽烷等有機聚矽氧化合物中 視需要添加氮氣、氧氣、氨氣、氫氣、N2〇等氣體，也 可例如藉由改變矽烷的流量而改變膜密度，也可利用使 用的反應性氣體使膜中含有氫或碳。保護層的膜厚，取 決於有機EL元件之電極高低差或基板的隔壁高度、要求 的阻隔特性等而異，但一般使用約〇.〇 以上ι〇μηι以下 〇 有機發光材料容易因為大氣中的水分或氧而劣化， 所以設置用以將有機發光介質層與外部阻隔的密封材。 密封材可例如在密鉗材上設置樹脂層而製作。密封彳 要是水分或氧的穿透性低的基材。 又，密封材的一例’可舉例如氧化鋁、氮化妙、氣 化硼等陶瓷、無鹼玻璃、鹼玻璃等玻璃、石英、叙或 銹鋼等金屬箔、耐濕性薄膜等。耐濕性薄獏，例如在塑 膠基材的兩面將si〇xa cvd法形成的薄膜，或塗布穿透 性低的薄膜與有吸水性的薄膜或吸水劑而成的聚合物薄 膜等’耐濕性薄膜的水蒸氣穿透率，宜為丨〇xl〇-6g/m2/ day以下較佳。 樹脂層之材料，例如包含環氧系樹脂、丙晞酸系樹 脂、聚石夕氧樹脂等的光硬化性黏著性樹脂、熱硬化型黏
-20- S 201245439 考性树知、二液硬化型黏著性樹脂，或丙烯酸乙烯乙酯 (EEA)聚合物等丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯乙烯酯（eva)等 乙烯基系樹脂、聚醯胺、合成橡膠等熱塑性樹脂，或聚 乙稀或聚丙烯之酸改性物等熱塑性黏著性樹脂。 在密封材之上形成樹脂層之方法，例如溶劑溶液法 、擠壓層合法、熔融熱融法、輪軋法、噴嘴塗布法、網 版印刷法、真空層合法、熱輥層合法等。視需要也可含 有具吸濕性或吸氧性的材料。形成於密封材上之樹脂層 之厚度’可由密封的有機EL元件的大小或形狀任意決定 ，且為5 μιη以上5 0Ο μηι以下為理想。 在此’係在密封材上形成當作樹脂層，但也可直接 形成於有機EL元件側。 一最後，於密封室進行有機EL·元件與密封材的貼合。 當密封材製成密封材與樹脂層，的兩層構造，並且樹脂層 使用熱塑性树脂的情形，宜僅以經加熱的親進行壓接為 佳。當使用熱硬化型黏著樹脂或光硬化性黏著性樹脂時 ，宜於經輥壓接或平板壓接的狀態，進行光硬化或加熱 硬化為佳。 又，S岔封材使用會覆蓋有機EL元件之形狀的凹型 基板時，可藉由僅在有機EL元件的基板與凹型的密封材 接觸的部分形成樹脂層並貼合而密封有機EL元件。於此 清形，在有機EL元件上也可沒有保護層或樹脂層。 ,其次，概略說明如以上構成的有機EL·元件1的製造方 法。首先，在形成有薄膜電晶體的透光性基板2上，形成 畫素電極3以使得與薄膜電晶體連接。其係在透光性基板 -21 - 201245439 曝光、顯影，:鍵法形成IT〇膜’再利用光微影技術進行 覆，同時:不字殘留作為畫素電極3的需要部分以光阻被 的方式开要部分以酸溶液餘刻並去除ιτο膜。以如此 的方^形成隔著既定間隔配置的多數晝素電極3。 性基板2人或全在/^素電極3之間形成隔壁4。其係在透光 曝光厂二 塗布光阻，利用光微影技術進行 藉由進烤亚：：畫素電極3之間使光阻殘存。之後， 1 &圬，使光阻硬化。 塗布：ί布：用如第2圖所示的噴嘴印刷裝置3。，以喷嘴 電洞輸送層h該喷嘴印刷裝置3。，：素包電二上二= 發光印墨的印墨槽u、吐出印_ = 3 .收納有有機 來自印墨噴嘴3 i的印‘…：墨的液柱的印墨喷嘴3 1。 著於蚩去攻柱朝晝素電極3的表面吐出。附 、旦素黾極3的印墨，由 的區域内平均化μ由於黏度低’故在由隔壁4區隔 十均化。之後乾燥並固著。 31的多重t印刷裝置3〇也可為具有至少1個以上的喷嘴
Li11由成為多重噴嘴，能提高生產性。 輸送声7的:使用弟2圖所示的嘴嘴印刷裝置30形成電洞 翰达層7的步驟的俯視圖。 ^ 送層印墨係沿著隔壁4吐出圖未圖示隔壁4’但電洞輸 方向）成為沿著隔壁的方向並且長度方向（第3圖的水平 其次，形成電洞輪误爲 法，在電洞輸送層7上开/成曰右後，與前述同樣以喷嘴印刷 成有機發光層8的材料=機發光層8。如前所述’形 高分子材料混合使用。低分子發光材料與朴導電性 -22- 201245439 接著，在有機發光層8上利用電阻加熱蒸鍍法 法;電極6。最後，為了保護該等晝素電= I光"貝層5及對向電極6免於受空氣中的 破壞，填充樹脂層9,以密封基板1〇被覆、密 = 機EL元件！。 w有 如上所述構成的有機EL元件1及有機抓元件1 =乂，可利用喷嘴印刷法，使用低分子發光特料，； X、一效率降低，能使發光層穩定化。 目的明不限於上述實施形態，在不脫離本發明 目的之軛圍可以施加各種改 擋層或電洞注入居、Φ工、，成電洞阻 恭、_、 a 電子，主入層、電子阻擂層。在此， 电洞注入層或電子阻於 下作用:在電洞從：佥二電洞輸送層7同樣，具有以 的對向電極6的方⑽進而？的晝素電極3往為對向電極 朝書辛電極二 通電洞的同時，亦防止電子 、電子注…有以下V 洞阻播層或電子輪送層 ,^^ 功能：在電子從為對向雷朽&斟 向電極6往為晝素電極 丁门電極的對 子的同時，亦防止+ '旦 '电極3的方向前進而流通電 Z二 仍朝對向電極6的方向前進。 t. 對向電極6與有機發光介質層置 亂化鋰等薄膜。為了將對 曰5之間设置 '陶兗獏之蒸鑛遮罩等。再：二圖案化，可使用金屬膜 隔壁4,心為不：置二 =雖於各晝素電極3間形成 [實施例] 置_的構成。 以下舉貫施例及比較例詳 不受限於以下記載。 說明本發明。惟本發明 -23- 201245439 [元件製作] 如第1圖所示’在透光性基板2(白板玻璃：縱i〇〇mmx 橫lOOmmx厚0.7mm)上利用濺鍍法以8〇μιη間隔形成寬 80μιη、厚0.15 μιη的條狀晝素電極3。在此，晝素電極3的 表面粗链度Ra ’在由200μιη2構成的任意面内為2〇nm。又 ，隔壁4,與逸光性基板接觸的下端的寬度為90μηι，上 端的免1度為45μπι’南度為2μπι’剖面大致為梯形。 在此，隔壁4係於利用光微影技術顯影後，進行 2 0 0 °C 6 0分鐘的烘烤而形成》又，電洞輸送層7，係使用 聚伸芳基（polyarylene)衍生物當作電洞輸送材料，將其 >谷於一曱苯使》農度為3.0重量％的印墨以噴嘴印刷法塗布 於隔壁内’並將其於200。〇乾燥10分鐘而形成。 有機發光層8 ’就發綠光的畫素使用的低分子發光材 料而言，主體材使用2,2，，2，’-(1，3,5-苯三基）參（1-苯基 -1H-苯并咪唑）（TPBi)’摻雜材使用參（2·(對曱苯基）吼啶） 银in(ir(mppy)3P並且與該低分子發光材料混合的前述 非導電性高分子材料，係使用聚苯乙烯。將前述低分子 發光材料與非導電性高分子材料混合物溶於二甲苯成 為2重量％溶解液者以噴嘴印刷法塗布在電洞輸送層7上 。之後’於13〇t ' 30分鐘、鈍性氣體環境下進行乾燥， 獲得厚度70nm的有機發光層8。針對發光層的印墨組成 ’記述於以下實施例。之後，藉由蒸鍍形成UF/Al = 〇 5nm/ 15 0nm作為陰極6。之後，黏著密封基板，獲得有機£]^元 件1。 [評價方法] -24- 201245439 依照本實施例及比較例製作的有機EL元件的形成步 * 驟以及所形成之有機EL元件的評價，以如下方式進行。 (平坦性） 在電洞輸送層7上形成發光層8後，利用膜厚輪廓測 定，計算從發光層8的膜厚最薄點至膜厚增加1 Onm以内 的寬度（W2)相對於隔壁的開口寬（W1)的比例（（W2/Wl)x 100[%])。 (發光效率） 測定對於上述元件構成施加7 V電壓時的發光效率。 (哥命） 使上述元件構成於亮度1000cci/m2時的電流固定，並 測定亮度的半衰期。 [實施例1 ] 形成發光層8的低分子發光材料（主體/掺雜物）與非 導電性高分子材料（Mw : 25萬）的重量比如下所示。 TPBi/Ir(mPpy)3/聚苯乙烯（PS) = 0.94/0_06/0.05 使用將前述比例的材料溶於二甲苯並使濃度成為 2.0重量％的印墨’依照上述方法製作有機el元件，並實 施上述評價方法。 [實施例2] 將奶合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚苯乙埽（ps) = 〇·94/0‘06/0.01，除此以外，與實施例1同樣進行，製作有 機EL元件，並實施上述評價方法。 [實施例3 ] 將合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚苯乙烯（ps)=； •25- 201245439 0.94/0·06/0·001 ’除此以外，與實施例丨同樣進行， 有機EL元件，並實施上述評價方法。 [實施例4及5] 將聚苯乙烯的Mw如表1所示改變，除此以外病 例1同樣進行，製作有機EL元件，並實施上述評價_ [實施例6] ' ’ 將混合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚曱基丙烯酸 (PMMA，Mw : 25 萬）=〇.94/〇.〇6/〇.〇10，除此以外，岁 例1同樣進行’製作有機EL元件，並實施上述評價^ [實施例7] 將混合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚碳酸g旨（pC .25萬）= 0.94/0.06/0.010，除此以外與實施例1同梢 ’製作有機EL元件，並實施上述評價方法。 [比較例1 ] 將混合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚苯乙婦 0.94/0.06/0.100，除此以外與實施例1同樣進行，靠 機EL元件，並實施上述評價方法。 [比較例2] 將混合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚苯乙稀 0.94/0.06/0.300，除此以外，與實施例1同樣進行， 有機EL元件，並實施上述評價方法。 [比較例3 ] 將混合比改變為TPBi/Ir(mppy)3/聚苯乙稀 0.94/0.06/0.500，除此以外，與實施例1同樣進行， 有機EL元件，並實施上述評價方法。 製作 實施 法〇 曱酯 實施 法〇 ，M w 進行 (PS) = [作有 (PS) = 製作 (PS) = 製作 -26- 201245439 [比較例4 ] 不形成隔壁，並使用不混合 發光材料的印墨，w θ分子材料僅有低分子 述評價方法。 疋塗法形成有機EL元件，並實施上 [比較例5 ] 不6高刀子材料’僅使用低分子發光材料，除此 以外’與實施例1同樣進行，製作有機el元件，並實施上 述評價方法。 [比較例7及8] 將聚苯乙烯之M w改變為如表1所示，除此以外，與 實施例1同樣進行，製作有機EL元件’並實施上述評價方 法。 [比較例6 ] 混合為導電性高分子之聚乙烯基咔唾（PVK ’ Mw : 25萬）當作高分子材料，除此以外與實施例1同樣進行， 製作有機EL元件，並實施上述評價方法。 實施例1〜7及比較例1〜8的評價結果如下表1所示。 -27- 201245439 半衰期 起始亮度 119 〇〇 〇〇 1 < » λ 1—^ On CO <N 1—^ (N l < σ\ r- OO 1 CO <N 於7V之 發光效率 [cd/A] 20.0 20.0 20.0 20.0 20.0 19.9 19.8 18.0 17.2 15.2 20.0 20.0 20.0 1 12.8 平坦性 [%] § (N 〇〇 in σ\ Ο σ\ Ο oo oo VD (N 0 1 ( in 1 in On 喷嘴印刷 吐出性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 (旋塗） 〇 〇 X不吐出 〇 向分子材料 分子量Mw 25萬 25萬 25萬 -tPp. 100萬 25萬 25萬 25萬 25萬 25萬 1 1 0.8萬 120萬 25萬 混合重量比 非導電性 高分子 PC 1 1 1 1 I I 0.010 1 1 1 1 唯 1 1 1 非導電性 高分子 PMMA 1 1 1 1 I 0.010 1 1 1 1 1 1 1 1 1 非導電性 高分子 PS 0.050 0.010 0.001 0.050 0.050 I 1 0.100 0.300 0.500 1 1 0.050 0.050 1 導電性 高分子 PVK 1 1 1 1 I I ! 1 1 1 1 1 1 1 0.050 |實施例1 | 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 201245439 如表1所示，依實施例丨〜7，藉由對 料1添加非導電性高分子材料〇 〇5以下， 塗同等地，膜平坦性提高，且可抑制發 下降。但是，依比較例丨〜3，若相對於仓 添加多於0·05的非導電性高分子材料， 降及導電性下降，可觀察到發光效率及 較例6、7，若非導電性高分子材料的分^ 1〇〇萬以下的範圍外，會發生平坦性下降 的降低。依比較例8，當混合的高分子為 ，雖然膜平坦性提高，但是發光效率下 導電性高分子，能夠維持載子平衡性且 率與壽命下降。 [產業上之可利用性] 依照本發明’利用噴嘴印刷法將使 料與南分子材料的印墨組成物形成為發 發光效率與壽命不下降的有機EL元件。 【圖式簡單說明】 第1圖顯示與本發明之實施形態相丨 之構成的示意剖面圖。 第2圖顯示與本發明之實施形態相 置的示意概略剖面圖。 第3圖顯示與本發明之實施形態相 置之不思概略俯視圖。 第4圖說明與本發明之實施形態相 之晝素之平坦性的剖面圖。 於低分子發光材 與比較例4的旋 光效率以及壽命 L分子發光材料1 則由於平坦性下 壽命下降。依比 ^量落到1萬以上 或是喷嘴吐出性 導電性高分子時 降。藉由混合非 同時抑制發光效 用低分子發光材 光層，可以提供 關之有機EL元件 關之噴嘴印刷裝 關之噴嘴印刷裝 關之有機EL元件 £ -29- 201245439 【主要元件符號說明】 * 1 有機EL元件 2 透光性基板 3 陽極 4 隔壁 5 有機發光介質層 6 陰極 7 電洞輸送層（功能性層） 8 發光層（功能性層） 9 樹脂層 I 0 密封基板 II 印墨槽 3 0 噴嘴印刷裝置 3 1 印墨噴嘴 W 1隔壁的開口寬 W2從發光層8的膜厚最薄點至膜厚增加1 Onm以内 的寬度 -30-

Claims (1)

  1. 201245439 七、申請專利範圍： 種I5墨、且成物’其係用於形成有機EL元件用之有機 層的印墨組成物， 其特徵為： 為^有機層之一層的有機發光層係混合1種以上 不具重複結構的低分子發光材料及丨種以上具有重複 =構的高分子材料而形成’該高分子材料為非導電性 料》玄非導電性南分子材料相對於該低分子發光材 2料的混合重量比為〇_〇〇1以上0.05以下。 2. =請專利範圍D項之印墨組成物，其中該非導電性 3. = t t材料的重量平均分子量為1萬以上100萬以下。 言八月專利範圍第1項之印墨組成物其中該非導電性 门刀子材料的玻璃轉移點為1 〇 〇。〇以上。 言八月專利範圍第1項之印墨組成物，其中該非導電性 问刀子材料係聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸 酉9 « 種有機E L元件，係在陽極與陰極之間具有多數有機 ^而成的有機EL元件， 其特徵為： 為該有機層之一層的有機發光層係混合1種以上 不具重複結構的低分子發光材料及1種以上具有重複 、構的鬲分子材料而形成，該高分子材料為非導電性 材粗 + 、 ’垓非導電性咼分子材料相對於該低分子發光材 料的現合重量比為0.001以上0 05以下。 申》月專利範圍第5項之有機e L元件，其中該非導電性 -31- 201245439 局分子材料之重量平均分子量為1萬以上1 00萬以下。 7. 如申請專利範圍第5項之有機el元件，其中該非導電性 高分子材料之玻璃轉移點為l〇(TC以上。 8. 如申清專利範圍第5項之有機EL元件，其中該非導電性 问分子材料為聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚碳酸 m ° 9_ 一種有機EL元件之製造方法，其特徵為包含以下步驟 塗布步驟’係將如申請專利範圍第1至4項中任一 項之印墨組成物使用噴嘴印刷法塗布於由隔壁查 素的元件基板上； 〇旦 溶劑去除步驟，係藉由去除如申請專利範圍第^至 4項中任一項之印墨組成物所含之印墨用溶劑，形成有 機EL元件用之有機層。 1〇·如申請專利範圍第9項之有機EL元件之製造方法，其中 歧冷劑去除步驟’具有於氮氣環境中於1 〇〇它 V, A 的力口 熱溫度加熱的乾燥步驟。 -32-
TW101110682A 2011-03-29 2012-03-28 Ink composition, organic electroluminescence element using same and method for manufacturing same TW201245439A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011073331 2011-03-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201245439A true TW201245439A (en) 2012-11-16

Family

ID=46930600

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101110682A TW201245439A (en) 2011-03-29 2012-03-28 Ink composition, organic electroluminescence element using same and method for manufacturing same

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140008642A1 (zh)
JP (1) JPWO2012132863A1 (zh)
CN (1) CN103459521A (zh)
TW (1) TW201245439A (zh)
WO (1) WO2012132863A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105793387A (zh) * 2013-12-06 2016-07-20 默克专利有限公司 含有包含丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯单元的聚合物粘结剂的组合物

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9653709B2 (en) * 2012-11-20 2017-05-16 The Regents Of The University Of Michigan Optoelectronic device formed with controlled vapor flow
US20140378083A1 (en) * 2013-06-25 2014-12-25 Plantronics, Inc. Device Sensor Mode to Identify a User State
JP6375600B2 (ja) * 2013-09-03 2018-08-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子、有機ｅｌ装置、電子機器
JP6514005B2 (ja) * 2014-04-08 2019-05-15 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びインク組成物
US9318715B2 (en) * 2014-05-21 2016-04-19 E I Du Point De Nemours And Company Hole transport composition without luminance quenching
US9810578B2 (en) * 2015-03-06 2017-11-07 Massachusetts Institute Of Technology Systems, methods, and apparatus for radiation detection
JP2016184666A (ja) * 2015-03-26 2016-10-20 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、発光素子の製造方法、発光素子、発光装置および電子機器
JP6833388B2 (ja) 2016-08-01 2021-02-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ用インク
CA3055910A1 (en) * 2017-03-09 2018-09-13 Amit Kumar Real-time acoustic processor
CN107057454B (zh) * 2017-04-19 2021-04-13 上海幂方电子科技有限公司 一种用于制作发光层的墨水、制备方法以及应用
US20180337391A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-22 GM Global Technology Operations LLC Pressing process of creating a patterned surface on battery electrodes
CN110611057B (zh) * 2019-10-17 2020-12-25 山西穿越光电科技有限责任公司 一种卷对卷转印oled柔性显示发光层的方法
KR20210154304A (ko) * 2020-06-11 2021-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 물질을 포함하는 잉크, 이를 이용한 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
WO2022163199A1 (ja) * 2021-01-29 2022-08-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、並びにそれを具備した照明装置、表示装置及び印刷造形物
US20220344417A1 (en) * 2021-04-23 2022-10-27 Applied Materials, Inc. Conductive oxide overhang structures for oled devices

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW503255B (en) * 1999-09-27 2002-09-21 Ciba Sc Holding Ag Electroluminescent devices comprising diketopyrrolopyrroles
JP2007063489A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Nippon Light Metal Co Ltd 湿式製膜可能な有機ｅｌ素子製造用材料及び有機ｅｌ素子
JP4692415B2 (ja) * 2005-09-15 2011-06-01 カシオ計算機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2009071176A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
JP5352304B2 (ja) * 2008-04-02 2013-11-27 株式会社半導体エネルギー研究所 アントラセン誘導体、発光材料、発光素子用材料、塗布用組成物、発光素子、及び発光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105793387A (zh) * 2013-12-06 2016-07-20 默克专利有限公司 含有包含丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯单元的聚合物粘结剂的组合物

Also Published As

Publication number Publication date
CN103459521A (zh) 2013-12-18
JPWO2012132863A1 (ja) 2014-07-28
US20140008642A1 (en) 2014-01-09
WO2012132863A1 (ja) 2012-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201245439A (en) Ink composition, organic electroluminescence element using same and method for manufacturing same
TW200948178A (en) Organic electroluminescence device and fabricating method thereof
TWI418074B (zh) 使用具有載體輸送性及磷光發光性化合物的有機發光元件
US20080003455A1 (en) Organic El Device
US9401493B2 (en) Organic electroluminescent element, method for manufacturing same, and organic electroluminescent display device
TW201248963A (en) Organic EL display device and method of manufacturing the same
JP2008091860A (ja) 有機電界発光素子および表示装置
JP5151111B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5314314B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子および照明装置
TW200948191A (en) Polymer luminescence device, fabricating method thereof and polymer luminescence display apparatus
TW201108848A (en) Light guiding structure
TW200915905A (en) Luminescence device and manufacturing method thereof and illuminator
JP2017022299A (ja) 有機ｅｌ素子
JP5038274B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
TW200950580A (en) Organic electroluminescence device and process for production of the same
JP2008041692A (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法
US20120299469A1 (en) Electroluminescent element, method for manufacturing electroluminescent element, display device and illuminating device
TW201248958A (en) Organic light emitting device
JP2006114844A (ja) 有機ｅｌ素子材料の選択方法、有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
TW201031263A (en) Organic electroluminescent device, display device, and lighting device
JP2002015860A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
TW200534744A (en) Electrode substrate and its production method
JP5155085B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子、およびその製造方法
TW201002135A (en) Manufacturing method of organic electroluminescence element, organic electroluminescence element and display device
TW200947784A (en) Organic electroluminescence device and production process for the same