TW201243866A - Conductive paste and solar cell - Google Patents
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201243866 . 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種導電性糊及太陽能電池，更詳細而古 係關於一種適合於太陽能電池之電極形成之導電性糊、二 使用該導電性糊而製造之太陽能電池。 【先前技術】 ' 太陽能電池通常係於半導體基板之-主面形成㈣定圖 案之受光面電極。X’於除上述受光面電極以外之半導體 基板上形成有抗反射冑，利用上述抗反射臈抑制所入射之 太陽光之反射損失’藉此提昇太陽光向電能之轉換效率。 上述受光面電極通常係使用導電性糊以如下方式形成。 即，導電性糊含有導電性粉末、玻璃料、及至少包含黏合 劑樹脂與溶劑之有機媒劑。繼而，於半導體基板上所形^ 之抗反射膜之表面塗佈導電性糊，而形成特定圖案之導電 膜。其次，於煅燒過程中使玻璃料熔融而將導電膜下層之 抗反射膜分解、去除，藉此導電膜燒結而形成受光面電 極’同時使該受光面電極與半導體基板接著並使兩者導 通。 . 如上述般於鍛燒過程中分解、去除抗反射膜，並將半導 ‘ 體基板與受光面電極接著之方法被稱為燒透（Fire
Through)，太陽能電池之轉換效率較大地依存於燒透性。 即，已知若燒透性不充分，則轉換效率下降，作為太陽能
電池之基本性能較差。因此’自先前以來大量地研究、開 發有提昇燒透性之技術Q 161503.doc 201243866 例如，於專利文獻丨中，提出有含有以氧化物換算之質 量％表示為73.1〜90%之Bi2〇3、2〜14.5%之b2〇3、〇〜25%之 Zn〇、0.2〜20% 之 MgO+CaO+SrO+BaO、〇〜8 5% 之 Si〇2+A12〇3作為玻璃組成的電極形成用玻璃組合物。 於該專利文獻1中，電極形成用導電性糊含有Ag等金屬 粉末、包含上述電極形成用玻璃組合物之玻璃粉末、及包 含乙基纖維素樹脂等黏合劑樹脂與α_松脂醇或碳酸伸丙酯 等任意之有機溶劑之有機媒劑，且將由無機材料所形成之 玻璃成分設為上述組成範圍，藉此獲得燒透性良好且熱穩 定性亦優異之電極形成用玻璃組合物。 又，於專利文獻2中，提出有1種以上之導電性粉末與工 種以上之玻璃料分散於有機溶劑中，且上述有機溶劑包含 選自己二酸二（2-(2-丁氧基乙氧基）乙基）醋、二元酸酿 '環 氧樹脂酸辛酯、異十四醇、及氫化松香季戊四醇之群中之 1種以上的厚膜導電體。 於專利文獻2之實施例中，記載有於導電性糊中作為有 機溶劑除含有TEXANOL以外亦含有二元酸酯，藉此與僅 使用TEXANOL之情形相比，作為太陽能電池之特性指標 之填充因數FF(Fill Factor)升高’藉此可提昇轉換效率。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-83748號公報（技術方案 1，段落編號[〇〇44]、[0053]等） [專利文獻2]國際公開2009/146398號（技術方案i，表格9 161503.doc 201243866 . 及ίο) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 太陽能電池之電極形成用導電性糊係如上所述般通常含 有導電性粉末、玻璃料、及至少包含黏合劑樹脂與溶劑之 有機媒劑。並且，溶劑必需溶解黏合劑樹脂’因此考慮該 黏合劑樹脂之溶解性，通常使用具有羧酸酯基或羥基等極 性基之有機材料。 即’於專利文獻1中，雖暗示有碳酸伸丙酯等具有非極 性基之有機溶劑之使用可能性，但由於具有非極性基之有 機溶劑對黏合劑樹脂之溶解性較差，故而不易糊化，因此 難以製作所需之導電性糊。因此，於專利文獻i中，記載 有實際上必需使用具有極性基之有機材料且使用有α_松脂 醇之例。 又，於專利文獻2中使用含有作為極性基之羥基之特定 有機溶劑進行糊化。又，記載有如二元酸酯等特定有機溶 劑與TEXANOL般使2種以上之具有極性基之有機溶劑彼此 成合而進行糊化之例。 - 然而，於如專利文獻1或專利文獻2般僅使用具有極性基 • 之有機溶劑之情形時’存在如下問題點。 於使用具有極性基之有機溶劑之情形時，料電性糊中 之無機成分（導電性粉末、玻璃料等）於有機溶劑中潤濕， 則由於經由該有機溶劑之庫命力或氫鍵，上述無機成分附 著於圖案之乳膠遮罩(以下’僅稱為「遮罩」）或絲網上， 161503.doc 201243866 或者經由薄膜之抗反射膜而附著於半導體基板上。若如上 述般無機成分附著於遮罩或半導體基板上，則無機成分對 於圖案或半導體基板之流動性下降。其結果，有導電性糊 與上述遮罩密接而引起網版堵塞，導致所謂之脫版性劣化 之虞。進而，由於無機成分對於半導體基板之流動性下 降故而有無機成分沿半導體基板表面之微小凹凸構造之 填充性（packing)下降之虞。 即，於如專利文獻1或專利文獻2般僅使用具有極性基之 有機溶劑之情形時，易於發生網版堵塞，易於引起脫版性 之劣化，因此若以高速進行連續印刷，則有於受光面電極 發生斷線等，或受光面電極之膜厚產生不均之虞。又，由 於如上所述般無機成分之填充性較差，故而燒透性亦下 降，因此難以效率良好且穩定地量產所需之具有良好之電 池特性的太陽能電池。 本發明係鑒於上述情況而完成者，其目的在於提供一種 印刷性良好且電池特性良好之太陽能電池之電極形成用導 電性糊、及使用該導電性糊而製造之太陽能電池。 [解決問題之技術手段] 本發明者將具有作為極性基之羧酸酯基或羥基之溶劑 (以下，亦稱為「極性溶劑」）與不具有該等極性基之溶劑 (以下，亦稱為「非極性溶劑」）混合，使混合溶劑之極性 降低為不會引起黏合劑樹脂之溶解不良之程度。結果獲得 如下見解：藉由使用將漢森溶解度參數之氫鍵項為 (J/cm )以下之非極性溶劑混合於極性溶劑中而成之混 I61503.doc 201243866 合溶劑，可抑制網版堵塞之發生，藉此脫版性得以改善， 印刷性提昇。並且，一併獲得如下見解：無機成分於半導 體基板上之流動性提昇，而填充性提昇，太陽能電池之電 池特性亦提昇。 本發明係基於此種見解而完成者，本發明之導電性糊之 特徵在於：其係用以印刷形成太陽能電池之電極者；其含 有導電性粉末、玻璃料、黏合劑樹脂及溶劑；上述溶劑含 有包含羧酸酯基及羥基中之至少一者之第丨溶劑、及不含 上述羧酸酯基及上述羥基且漢森溶解度參數之氫鍵項為 7(J/cm3)1/2以下之第2溶劑。 又，本發明之導電性糊較佳為上述第2溶劑包含選自二 乙二醇丁基甲醚（以下，稱為「DEGBME」）、三乙二醇丁 基甲騎（以下’稱為「TEGBME」）' :乙二醇二乙縫（以 下’稱為「DEGDEE」）、碳酸伸丙酯、及正十四烷中之至 少1種。 人不赞明者進一步進行努力研究，結果可知藉由们 分子結構内之氧成分相對於碳成分之莫耳比率為0.3以」 者作為第2溶劑，亦不會損及印刷性且可實現進一步之薄 ^性提昇。於該情形時，作為第2溶劑，較適合為上述歹, 舉之第2溶劑中除正十四烷以外之溶劑。 即’本發明之導電性糊較佳為上述第2溶劑於分子結損 耳分’且氧成分相對於碳成分之莫 本發月之導電性糊較佳為上述第2溶劑包含選自 161503.doc 201243866 deGBME、TEGBME、DEGDEE及碳酸伸丙醋中之至少】 種。 又，本發明之導電性糊較佳為上述第丨溶劑包含選自 TEXANOL、己二酸二甲酯'丁基卡必醇乙酸酯（以下，稱 為BCA」）及丁基卡必醇（以下，稱為「bc」）中之至少1 種。 本發明於為具有親水性之導電性粉末之情形時尤其有 效0 即，本發明之導電性糊較佳為上述導電性粉末係以成為 親水性之方式進行有表面處理。 又，本發明之導電性糊較佳為上述導電性粉末為Ag粉 末。 又，本發明之導電性糊較佳為上述玻璃料不含鉛。 又，本發明之太陽能電池之特徵在於：於半導體基板之 一主面形成有抗反射膜及貫通該抗反射膜之電極；上述電 極係將上述任一項之導電性糊燒結而成。 [發明之效果] 根據本發明之導電性糊，由於含有八§粉末等導電性粉 末、較佳不含鉛之非鉛系之玻璃料、黏合劑樹脂及溶劑， 且該溶劑含有包含羧酸酯基及羥基中之至少一者之丨種以 上的第1溶劑（例如TEXANOL、己二酸二曱輯' bca ' BC)、及不含上述羧酸酯基及上述羥基且漢森溶解度參數 之氫鍵項為7(J/cm3)i/2以下之i種以上的第2溶劑（例如 DEGBME、TEGBME ' DEGDEE、碳酸伸丙醋、正十四烷 161503.doc 201243866 等），故而導電性糊於印刷時對於圓案之遮罩或絲網之密 接性適當地變低。並且，不會損及對於黏合劑樹脂之溶解 性，且對於圖案之流動性提高，因此向圖案之喷出量亦增 加，亦難以發生網版堵塞，從而脫版性得以改善。其= 果’即便進行連續印刷亦可抑制導電膜斷線，亦抑制膜厚 之不均’從而印刷性提昇。又，由於無機成分於半導體基 板上之流動性亦提高，故而無機成分對半導體基板表面之 填充性提昇，結果燒透性提昇，且可提昇轉換效率。 又’由於上述第2溶劑於分子結構内至少具有氧成分盥 碳成分，且氧成分相對於碳成分之莫耳比率為〇3以上(例 如職顧、TEG贿、DEG刪、碳酸伸丙酿），故而亦 不會損及印刷性’且可實現進一步之燒透性提昇。 又’於上料電性粉細成為親水性之方式進行有表面 處理之情形時，可更有效地提昇印刷性及燒透性。 如上所述’根據本發明之導電性糊，可同時實現對於黏 合劑樹脂之溶解性及對於圖案或半導體基板之流動性。 又，根據本發明之太陽能電池，由於在半導體基板之一 主面形成有抗反射膜及貫通該抗反射膜之電極，且上述電 極係將上述任-項之導電性糊燒結而成，故而具有良好之 印刷性及燒透性，即便進行連續㈣i亦不會發生斷線等， 而可穩定地量產所需膜厚之太陽能電池，且可效率良好地 獲得轉換效率良好且電池特性優異之太陽能電池。 【實施方式】 其次，詳細地說明本發明之實施形態。 161503.doc 201243866 圖1係表示使用本發明之導電性糊而製造之太陽能電池 之一實施形態的主要部分剖面圖。 該太陽能電池中，於以Si為主成分之半導體基板丨之一 主面形成有抗反射膜2及受光面電極3,且於該半導體基板 1之另一主面形成有背面電極4。 半導體基板1具有p型半導體層11?與11型半導體層u，且 於P型半導體層lb之上表面形成有11型半導體層u。該半導 體基板1例如可藉由使雜質擴散至單晶或多晶之口型半導體 層lb之一主面中，形成較薄之n型半導體層ia而獲得，但 八要為於P型半導體層lb之上表面形成有〇型半導體層la 者，則其構造及製造方法並無特別限定。又，半導體基板 1亦可使用於n型半導體層la之一主面形成有較薄之p型半 導體層lb之構造者、或於半導體基板〖之一主面之一部分 形成有P型半導體層lb與n型半導體層la之兩者之構造者。 總之，只要為形成有抗反射膜2之半導體基板丨之主面，則 可有效地使用本發明之導電性糊。再者，於圖丨中，半導 體基板1之表面被記載為平面狀，但為有效地將太陽光封 閉於半導體基板1中’纟面以具有微小凹凸構造之方式形 成。 抗反射膜2係由氮化矽（SiNx)等絕緣性材料形成，抑制箭 頭A所示之向太陽光之受光面之光的反射，迅速且效率良 好地將太陽光導入至半導體基板4。作為構成該抗反射 膜2之材料，並不限定於上述氮化矽，可使用其他絕緣性 材料，例如氧化矽或氧化鈦，亦可併用2種以上之絕緣性 16I503.doc •10· 201243866 材料。又，只要為結晶si系，則可使用單晶Si及多晶8丨之 任一者。 受光面電極3係於半導體基板1上貫通抗反射膜2而形 成。該受光面電極3係藉由使用絲網印刷等將後述之本發 明之導電性糊塗佈於半導體基板丨上，製作導電膜並進行 煅燒而形成。即，於形成受光面電極3之煅燒過程中，導 電膜下層之抗反射膜2被分解、去除而燒透，藉此以貫通 抗反射膜2之形態於半導體基板〗上形成受光面電極3。 爻光面電極3具體而言係如圖2所示般呈梳齒狀地並排設 置有多個指狀電極5a、5b、〜5n，與指狀電極5a、 5b、…5n呈交又狀地設置有母線電極6，且指狀電極、 5b…5n與母線電極6電性連接。並且，於除設置有受光 面電極3之部分以外之剩餘區域中形成有抗反射膜2。如 此，藉由指狀電極4對半導體基板i中產生之電力進行集 電，同時藉由母線電極6提取至外部。 者面電極4具體而言係如圖3所示般包括形成於p型半導 體層lb之背面 < 包含Α1^集電電極了、&形成於該集電 電木7之#面且與該集電電極7電性連接之包含等之提取 電極8。並且，半導體基板1中產生之電力由集電電極7進 行集電’並藉由提取電極8提取電力。 其人對用以形成受光面電極3之本發明之導電性糊進 行詳細闌述。 t 月之導電性糊含有導電性粉末、玻璃料、黏合劑樹 161503.doc 201243866 並且’上述溶劑係由混合溶劑所構成，該混合溶劑含有 包含羧酸酯基及羥基中之至少一者之1種以上的第1溶劑 A、及不含上述羧酸酯基及上述羥基且漢森溶解度參數之 氫鍵項為7(J/cm3)1/2以下之1種以上的第2溶劑B。 即’導電性糊中考慮對於黏合劑樹脂之溶解性，通常使 用含有作為極性基之缓酸S旨基或經基之極性溶劑。 然而，亦如[發明所欲解決之問題]一項中所述，於有機 溶劑中潤濕之無機成分因庫侖力或氫鍵而附著於圖案之遮 罩或絲網上’進而經由抗反射膜2而附著於半導體基板i 上。其結果，無機成分對於圖案或半導體基板1之流動性 下降，發生網版堵塞，而脫版性劣化，導致印刷性下降。 又’有無機成分沿半導體基板1之微小凹凸構造之填充性 下降’而無法獲得所需之燒透性之虞。 因此，於本實施形態中，除具有極性基之第丨溶劑A以 外’亦以黏合劑樹脂不發生溶解不良之程度混合具有非極 性基之第2溶劑B ’使黏合劑樹脂溶解於兩者混合而成之混 合溶劑中。 具體而言，使用漢森溶解度參數之氫鍵項此為 7(J/cm3)丨/2以下之溶劑作為第2溶劑b。 漢森溶解度參數係將希耳德布蘭特⑽debrand)於規則 溶液理論中導人之溶解度參數5分割為分散項&、極性項 δΡ及氫鍵項沾之3種成分，並以三維空間表示者。 由希耳德布蘭特導入之溶組许会 合解度參數δ被定義為内聚能量 密度之平方根。然而，希耳括右益 布斗k布蘭特之溶解度參數δ僅可 161503.doc 12· 201243866 應用於非極性溶劑。因此，漢森（Hansen)對溶解度參數3之 概念進行擴充，如算式（1)所示，將溶解度參數^分割為分 散項δοί、極性項δρ及氫鍵項孙之3種成分，並以三維空間 之向量表示，藉此發現關於溶劑與溶質之溶解性可更明確 地說明極性溶液及氫鍵之作用。 82=6d2+5p2+6h2 …（1) 此處，分散項δ<!表示藉由非極性相互作用之貢獻項，極 性項δρ表示藉由偶極距之貢獻項，氫鍵項孙表示藉由氫鍵 力之貢獻項，均為物質固有之值，例如記載於非專利文獻 1中。 [非專利文獻 1]「Hansen Solubility Parameters : A User's Handbook」、HSPiP 3rd Edition ver. 3.0.20 再者，漢森溶解度參數之氫鍵項可使用上述資料庫之 值，又，於資料庫中無記載之情形時，可使用作為推算漢 森溶解度參數之氫鍵項之公式的方法之y_mb法算出。 於本實施形態之情形時，由於氫鍵較大地影響溶劑對於 黏合劑樹脂之溶解性、糊流變及圖案與遮罩之密接性，故 而著眼於漢森溶解度參數之氫鍵項Sh而選擇第1溶劑A及第 2溶劑B » 氫鍵項δΐι接近於黏合劑樹脂之氫鍵項之溶劑容易溶解 黏合劑樹脂’氫鍵項5h之值較大地不同於黏合劑樹脂之氫 鍵項δΐι之值的溶劑難以溶解黏合劑樹脂。於本實施形態 中’將氫鍵項δίι為8(J/cm3)1/2以上且含有對於黏合劑樹脂 之溶解性良好之羧酸酯基（-COO-)及羥基（-OH)中之至少一 161503.doc 201243866 者的溶劑設為第！溶劑A，將不含羧酸酿基及羥基之兩者、 氫鍵項产以下且難以對黏合劑樹脂溶解者設 為第2溶劑B，對黏合劑樹脂使用第丨溶劑A與第2溶 合而成之混合溶齊卜藉此，同時實現溶劑之對於黏合劑樹 脂之溶解性及料半導體基板之㈣性，而提昇印刷性， 且提昇燒透性。 即，如上所述般第丨溶劑A與第2溶劑3混合而成之混合 溶劑之極性降低為不會引起黏合劑樹脂之溶解不良之^ 度，藉此對於圖案之遮罩之密接性適度地降低。又，不會 損及溶劑對於黏合劑樹脂之溶解性，且對於圖案之流動性 提高，因此向抗反射膜2之喷出量亦增加，而難以發生網 版堵塞，從而脫版性提昇，藉此即便進行連續印刷亦可抑 制電極圖案斷線，且連續印刷性提昇。 進而，由於無機成分於半導體基板丨上之流動性亦提 高，故而無機成分對半導體基板表面之填充性提昇，結果 燒透性提昇’且可實現轉換效率之提昇。 並且，作為此種第1溶劑A，只要含有羧酸酯基及舉基中 之至少一者，則並無特別限定，例如可使用選自 TEXANOL((CH3)2CHCHOHC(CH3)2CH2COOCH(CH3)2，氫 鍵項 δ1ι=9.8)、己二酸二甲酯（H3C〇〇c(CH2)4C〇〇CH3，氫 鍵項 δ1ι=9·2)、BCA(H9C40(CH2CH20)2C00CH3 ,氫鍵項 δ!ι=8.2)及 BC(H9C40(CH2)20CH2CH20H，氫鍵項 δίι=10.6) 中之1種以上。 又’作為第2溶劑Β，只要不含羧酸酯基及羥基之兩者且 16i503.doc •14· 201243866 漢森溶解度參數之氫鍵項δΐι為7(J/cm3)1/2以下，則並無特 別限定，例如可使用DEGBME(H9C4〇(CH2CH2〇)2CH3，氫 鍵項 δ1ι=6.1)、tegbme(h9c4o(ch2ch2o)3ch3，氫鍵項 δ!ι=6·6)、DEGDEE(H5C20(CH2CH20)2C2H5，氫鍵項 Sh=6.4)、 碳酸伸丙酯（(：4Ηό〇3 ’氫鍵項5h=4.2)及正十四烷（c14h3。， 氫鍵項δ1ι=0)。 於該等第2溶劑Β中，尤佳為使用分子結構内之氧成分相 對於碳成分之莫耳比率為0.3以上之溶劑。其理由如下。 由於锻燒處理係以極短時間（例如1〜3分鐘）進行，故而 有存在未完全乾燥而殘留之溶劑之虞。因此，於使用分子 結構内之氧成分相對於碳成分之莫耳比未達〇3之溶劑之 情形時，有於溶劑燃燒時受光面電極周邊之氧濃度下降， 因藉由燃燒所產生之煙灰而使燒透性下降，從而導致轉換 效率下降之虞》 並且’作為此種第2溶劑Β，於上述第2溶劑Β中，較適 合為除正十四烷（〇/c=〇)以外之其他3種溶劑，即
DEGBME(〇/C=〇.33) ^ TEGBME(O/C=0.36) > DEGDEE (〇/C = 〇.3 75)及碳酸伸丙酯（〇/c=〇 75)。 再者，第1溶劑A與第2溶劑B之混合比率並無特別限 根據第1 /谷劑A及第2溶劑B之氫鍵項处之數值而適 田地决疋。例如，於為上述列舉之溶劑之情形時，藉由在 將第1/合劑A與第2溶劑B之比率a/b設為"1〜Η]之範圍内加 、5亦不會妨礙黏合劑樹脂之溶解性，且可確保對於 圖案或半導體基板i之流動性，可實現具有良好之印刷性 161503.doc -15· 201243866 且可獲得電池特性良好之太陽能電池之導電性糊。 又’作為黏合劑樹脂，只要可抑制藉由印刷時之擠壓 (squeezing)所進行之糊填充時的流動性賦予或脫版後之糊 之擴展（垂落）等，則並無特別限定，可使用乙基纖維素樹 脂、乙酸丁酸纖維素樹脂、硝酸纖維素樹脂、胺基甲酸酯 樹脂、脂肪酸醯胺、氫化蓖麻油、松香樹脂、酮樹脂或該 專之組合。 玻璃料亦並無特別限定，例如可使用Si_B_Bi_M系玻璃 料（M為鹼土金屬）。其申，以系之玻璃料與非抑系之玻璃 料相比，雖燒透性良好，但環境負荷較大，而不宜使用。 於本實施形態中，由於即便不使用pb系之玻璃料，亦可提 昇印刷性，且亦可提昇燒透性，故而較佳為使用非pb系之 玻璃料。 又，本發明於導電性粉末具有親水性之情形時尤其 效即於導電性粉末具有親水性之情形時，若僅使用 有極性基之溶#i，則有因氫鍵或庫命力而附著於圖案之 罩或絲網上，進而附著於半導體基板1上，尤其是無機 分對半導體基板！之填充性下降而導致燒透性下降之虞。 與此相對，於使用第i溶劑A與第2溶劑β混合而成之 t溶!1之情料，對於料之密接性下降，以導體知 之机動性提高，從而填紐提昇且可提昇燒透性。 此處，作為導電性粉末，只要為具有良好之導電性^ 屬粉末，則並無特別限定，可較佳地 产 行煅燒處理之产形蚌亦尤各 ；大氣中$ 清形時亦不會被氧化且可維持良好之導電相 I6I503.doc .16· 201243866 之Ag粉末。再者，該導電性 如可為球形狀、扁平狀、不::狀亦無特別限定，例 末。 不疋形形狀、或者該等之混合粉 二：Γ生粉末之平均粒徑亦並無特別限定，就於導電 Μ末與半導體基板1之間確保所需之接觸點之觀點而 S ’以球形粉末換算計較佳為1.0〜5.〇帥。 進而，亦較佳為於導電性糊中含有Zn〇。即，於導電性 糊之锻燒時，Zn〇促進預先形成於半導體基板丨之表面之 抗反射膜之分解、去除’而可順利地進行燒透，降低受光 面電極3與半導體基板！之接觸電阻。再者，認為於該情形 時’抗反射膜之分解作料於導電性粉末與ZnG所接觸之 部位產生。 該導電性糊可藉由如下方式容易地製造：以成為特定之 混合比率之方式秤量導電性粉末、玻璃料、黏合劑樹脂、 第1及第2溶劑並進行混合、攪拌，且使用三輥研磨機等加 以分散、混練。 如上所述，於本實施形態中，由於含有Ag等導電性粉 末 '較佳實質上不含Pb之玻璃料、黏合劑樹脂及溶劑，且 上述溶劑含有包含羧酸酯基及羥基中之至少一者之1種以 上的第1溶劑A、及不含上述羧酸酯基及上述羥基且漢森溶 解度參數之氫鍵項為7(J/cm3)丨/2以下之1種以上的第2溶劑 B ’故而導電性糊於印刷時對於圖案之遮罩或絲網之密接 性適當地變低。並且，不會損及對於黏合劑樹脂之溶解 性’且對於圖案之流動性提高，喷出量亦增加，難以發生 161503.doc •17· 201243866 網版堵塞’從而脫版性得以改善 mm ^ R , 便進仃連續印刷亦可 仰剌導電膜斷線，且印刷性提昇。 邀鎪— 由於無機成分於半 導體基板上之〜動性亦提高，故 ，、機成分對半導體基板 表面之填充性提昇，結果燒透 扠丹且可提昇轉換效 dpi 〇 、又，上述第2溶劑B於分子結構内至少具有氧成分與碳成 …將氧成分相對於碳成分之莫耳比率設為〇3以上， 藉此亦不會損及印刷性，且可實現進—步之燒透性提昇。 又，於上述導電性粉末為親水性之情形時，可尤其有效 地提昇印刷性及燒透性。 ' 如上所述，根據上述導電性糊，可同時實現對於黏合劑 樹脂之溶解性及對於圖案或半導體基板之流動性。 並且，由於本發明之太陽能電池係於受光面電極使用上 述導電性糊，故而可獲得具有良好之印刷性及燒透性 '量 產性優異且轉換效率良好之電池特性優異之太陽能電池。 再者，本發明並不限定於上述實施形態，亦較佳為例如 於導電性糊中視需要添加鄰苯二甲酸二（2_乙基己基）酯、 鄰笨二曱酸二丁酯等塑化劑之丨種或該等之組合。又，可 添加觸變劑、增黏劑、分散劑等，亦可視需要添加脂肪酸 醯胺或脂肪酸等流變調整劑。 又，本發明只要含有第1溶劑A與第2溶劑各i種以上即 可’因此亦可分別含有2種以上。 其次’具體地說明本發明之實施例。 [實施例1] 161503.doc •18· 201243866 [試樣之製作] 準備平均粒徑為以μηι之球形Ag粉末作為導電 繼而，將該Ag粉末與含㈣胺基之表面處理劑混合1進 行清洗且使其乾燥，藉此對Ag粉末實施親水性處理 R乙基纖維素樹脂、B_Si_Bi_Ba系玻璃料、作為第（溶劑 A之TEXANOL、己二酸二甲酯、BCA及％，進而準備作 為第2溶劑3之碳酸伸丙醋、㈣聰、deg麵、 TEGBME及正十四烧。 並且’以成為如表!所示之重量組成之方式秤量該等物 質’利用行星式混合機加以混合後，利用三輥研磨機進行 混練，藉此製作試樣編號之導電性糊。 161503.doc 19- 201243866 【I<】 ^ *ΰ m X rn o r-m 5 o I o 5 o o o 糊组成(重量％) 第2溶劑B 十四烷 5h=0 o/c=o 1 1 1 1 o <N 1 1 1 1 1 1 S ^ S in S ^ δ « 1 1 o (N 1 1 1 1 1 1 1 U m s -： 2 SIS §10 δ 1 1 〇 cs t • 1 1 1 1 1 t S ^ §立？ g芸y Q 〇 1 s t 1 < 1 1 1 1 1 1 溫 VI vg： ^ ^ I II ^ S ^ 镩 ° 〇 fS • 1 1 1 1 1 1 1 1 〇 00 第1溶劑A BC 5h=10.6 1 1 1 1 1 1 1 1 1 〇 (S t 1 丨BCA 5h=8.2 1 1 1 1 1 1 1 1 o i • 绍a ^ '1 B- τ tO i| i§ 1 • i 1 1 1 o 00 〇 <N 1 1 t TEXANOL 6h=9.8 〇 o v〇 〇 v〇 〇 v〇 〇 s 1 5 〇 〇 v〇 1 乙基埴 維素樹 脂 o <N o <N o (N 〇 cs o (N o r4 o (N O ri o <N 〇 ri o (N 〇 N 〇 wS 〇 *ri o wS s 〇 ui o »n 〇 *ri 〇 »n o wS 〇 »n 玻璃料 1_ o <s 〇 (N o (N o cs o H 〇 〇 <N S 〇 <N o <N o (N ω) o rn 00 〇 rn 00 o rn 00 o rn 00 o 00 o rn 00 〇 00 o rn 〇〇 〇 cn 00 o rn 00 〇 f^> 00 試樣 No. — (N fO * 备 »〇 v£ 占 番 -20- 161503.doc 201243866 自該表1顯而易見，試樣編號1〜5係以混合比率A/B成為 3/1之方式調配第1溶劑A與第2溶劑B。又，試樣編號6〜1〇 為僅使用有第1溶劑A作為溶劑之比較例試樣，試樣編號i i 為僅使用有第2溶劑B作為溶劑之比較例試樣。 [試樣之評價] 製作太陽能電池單元’評價導電性糊之印刷性及太陽能 電池之電池特性。 即’藉由電漿輔助化學氣相沈積法（pECVD，piasma Enhanced Chemical Vapor Dep〇shi〇n)，於長5〇 _、寬5〇 mm、厚0.2 mm之單晶之Si系半導體基板之整個表面形成 膜厚0.1 μιη之抗反射膜。再者，該Si系半導體基板係藉由 使P擴散至P型Si系半導體層之一部分中，而於pss丨系半 導體層之上表面形成η型Si系半導體層。 繼而’於上述Si系半導體基板之背面適當地塗佈含有… 之A1糊及含有Ag之Ag糊，並使其乾燥，而製作背面電極 用導電膜。 繼而’使用上述導電性糊以擠壓速度2〇〇 mm/s之速度進 行絲網印刷，以指狀電極之電極寬度成為8〇 μιη之方式製 作特定圖案之受光面電極用導電膜。 繼而’確認連續印刷性及導電性糊之喷出性。 此處’連續印刷性係以如下方式進行評價：於絲網印刷 時’將導電膜連續10塊以下發生斷線之情形設為不合格 Ο) ’將即便超過連續10塊，導電膜亦不發生斷線之情形 設為合格（〇)。再者，導電膜有無發生斷線係以目測判 161503.doc •21· 201243866 斷。 又，喷出性係以如下方式進行評價：以導電膜之膜厚成 為30 μιη之方式調整網版而進行絲網印刷，將導電臈之膜 厚為設计值之70%以下，即為2丨μιη以下之情形設為不合 格（X)，將導電膜之膜厚超過21 μπΐ2情形設為合格（〇)。 繼而，將各試樣放入溫度設定成15〇艺之烘箱中，使導 電膜乾燥。 其後’使用輸送帶式近紅外爐（Despatch公司製造， CDF7210)，以花費約i分鐘於入口〜出口間搬送試樣之方 式調整搬送速度’於大氣環境下以峰值溫度79〇它進行煅 燒’而製作導電性糊燒結而形成電極之試樣編號丨〜丨丨之太 陽能電池單元。 對於試樣編號1〜11之各試樣，使用太陽模擬器（英弘精 機公司製造，SS-50XIL)，於溫度25。〇、AM(Air Mass，空 氣團）-1_5之條件下測定電流_電壓特性曲線，根據該電流_ 電壓特性曲線求出算式（2)所示之填充因數FF。 FF=Pmax/(V〇cxIsc) …（2) 此處，Pmax為試樣之最大輸出，v〇c為開路電壓，Isc為 短路電流。 又’由最大輸出Pmax、受光面電極之面積A及放射照度 E，基於算式（3)求出轉換效率 n=Pmax/(AxE) …（3) 表2係表示試樣編號丨〜丨丨之印刷性（連續印刷性、喷出 性）及電池特性（填充因數FF、轉換效率η)。 161503.doc 22· 201243866 [表2] 試樣 No. 印刷个 ί 電池特 ~~~~~~ 連續印刷性 喷出性 填充因數FF (-) ~I----—— 轉換效率η (%) 1 0 0 0.769 16 49 2 〇 〇 0.765 --—---- 16 27 3 0 0 0.766 ------—- 16.49 4 〇 〇 0.766 Ιμϊ 5** 〇 〇 0.749 — 16.08 6* X X 0.745 15.78 7* X 〇 0.701 匕------- 14.53 8* X 〇 0.657 14.00 9* X 〇 0.721 15.50 10* X X 0.715 15.20 11* - - — *為本發明(技術方案1)範圍外 **為本發明(技術方案3)範圍外 試樣編號6僅使用有包含羧酸酯基與羥基之 為溶劑’因此於連續印刷時發生斷線，又，導電膜之膜厚 亦較薄，喷出性下降。因此，可知填充因數吓亦降低為 0.745，且轉換效率η亦降低為15 78%。 試樣編號7僅使用有含有羧酸酯基之己二酸二甲酯，因 此雖噴出性良好，但於連續印刷時發生斷線，因此填充因 數叩降低為0·701，且轉換效率亦降低為14.53%。 試樣編號8及9雖混合有2種溶劑，但僅使用有含有羧酸 酯基及羥基之第1溶劑A，因此與試樣編號7同樣地雖噴出 l61S03.doc •23· 201243866 性良好，但於連續印刷時發生斷線，填充因數卯亦分別降 低為0.657、0.721，且轉換效率η亦分別降低為14 〇〇%、 15.50% 〇 試樣編號10由於僅使用有含有羧酸酯基及羥基之第i溶 劑A，故而喷出性下降，因此於連續印刷時發生斷線，導 電膜之膜厚亦較薄。又，填充因數FF亦較低為〇715，且 轉換效率η亦較低為15.20%。 试樣編號11由於僅使用有作為第2溶劑Β之碳酸伸丙酿， 故而黏合劑樹脂未溶解於溶劑中，而無法進行糊化。 與此相對，可知試樣編號1〜5由於混合有第i溶劑Α與第2 溶劑B，故而連續印刷性及喷出性良好，因此填充因數 提昇為0.749〜0.769，且轉換效率η亦提昇至16〇8〜 16.49% 〇 可知尤其是分子結構内之氧成分相對於碳成分之莫耳比 為0.3以上之試樣編號卜4與上述莫耳比未達〇·3之試樣編號 5相比，填充因數FF及轉換效率η均提昇，且電池特性提 昇。 [實施例2] 使用TEXANOL作為第1溶劑a，使用碳酸伸丙酯作為第2 溶劑B，並藉由與[實施例！]相同之方&、步驟製作混合比 率A/B不同之試樣編號21〜24之導電性糊，進而使用該導電 性糊製作試樣編號21〜24之太陽能電池單元。 $繼而’對於試樣編號…24之各試樣，藉由與實施例1相 同之方法、步驟評價印刷性（連續印刷性、喷出性）及電池 161503.doc •24· 201243866 特性（填充因數FF、轉換效率η)。 表3係表示試樣編號21〜24之各試樣之印刷性（連續印刷 性、喷出性）及電池特性（填充因數FF、轉換效率η)。 161503.doc -25· 201243866 電池特性 轉換效率 η (%) 16.35 16.49 16.40 16.28 填充因 數FF ㈠ 0.768 0.769 0.760 0.745 印刷性 喷出性 〇 〇 〇 〇 連續 印刷性 〇 〇 o o 溶劑之 混合比率A/B (-) KTi rn 糊组成(重量°/〇) 碳酸伸丙酯 (第2溶劑Β) 6h=4.2 p o CN p — O Ν! ο 〇 vd p — o <N 乙基纖維 素樹脂 ο (N o <N o 〇 r4 ZnO Ο o … o o vn 玻璃料 ο (N o <N 〇 <N o cs ωϊ 83.0 83.0 83.0 83.0 試樣 No. 3 -26 161503.doc 201243866 自試樣編號21〜24顯然可確認’即便使TEXANOL與碳酸 伸丙酯之混合比率A/B於7/1〜1/3之範圍内變化，亦可與實 施例1同樣地獲得印刷性及喷出性良好、且填充因數f ρ及 轉換效率η亦良好之太陽能電池。 [實施例3] 準備平均粒徑為1.6 μπι之球形Ag粉末作為導電性粉末。 繼而，將該Ag粉末與硬脂酸混合，並進行清洗且使其p 燥’藉此對Ag粉末實施疏水性處理。 繼而’將溶劑種類及溶劑之混合比率設為與試樣編號 1〜3、5及8相同，且藉由與實施例丨相同之方法、步驟製作 試樣編號31〜35之各試樣。 繼而，對於試樣編號31〜35之各試樣，藉由與實施例！相 同之方法、步驟評價印刷性（連續印刷性、喷出性）及電池 特性（填充因數FF、轉換效率…。 表4係表示試樣編號31〜35之各試樣之印刷性（連續印刷 性、噴出性）及電池特性（填充因數FF、轉換效率…。再 者，於該表4中再次表示有試樣編號卜3、5及8之印刷性及 電池特性以進行比較。 161503.doc 27- 201243866 [表4] 試樣 No. 印刷性 電池特性 ---1 Ag 連續印 刷性 噴出 性 填充因數 FF (·) 轉換效率 η (%) 備考 1 〇 0 0.769 16.49 -7 2 0 〇 0.765 16.27 3 親水性 〇 〇 0.766 16.49 5 0 0 0.749 16.08 8木 X 〇 0.657 14.00 31 〇 〇 0.755 16J1 —------ 溶劑與試樣No. 1相同 32 0 〇 0.753 16.40 溶劑與試樣No.2相同 33 疏水性 〇 〇 0.750 16.25 溶劑與試樣No.3相同 34 〇 0 0.737 15.95 溶劑與試樣No.5相同 35* *為本· 發明(技術 X 方案1)範β 〇 3外 0.732 15.91 溶劑與試樣No.8相同 自試樣編號31〜34與試樣編號35之比較顯而易見，於A 粉末為疏水性之情形時，電池特性僅稍有改善。 與此相對，自試樣編號卜3及5與試樣編號8之比較㈣ 可知’於Ag粉末為親水性之情形時，電池特性之改善較^ 明顯’本發明於Ag粉末為親水性之情形時更為有效。 [產業上之可利用性] 藉由實現印刷性及喷出性 系導電性糊，可穩定且效率 陽能電池。 良好且電池特性亦良好之非鉛 良好地獲得轉換效率較高之太 【圖式簡單說明】
1係表示使用本發明之導電性糊 而製造之太陽能電池 I61503.doc 28- 201243866 之一實施形態的主要部分剖面圖。 圖2係模式性地表示受光面電極側之放大平面圖。 圖3係模式性地表示背面電極側之放大仰視圖。 【主要元件符號說明】 1 半導體基板 la n型半導體層 lb Ρ型半導體層 2 抗反射膜 3 受光面電極（電極） 4 背面電極 5a 指狀電極 5b 指狀電極 5n 指狀電極 6 母線電極 7 集電電極 8 提取電極 161503.doc -29-
Claims (1)
- 201243866 七 1. *申請專利範圍： -種導電性糊’其特徵在於：其係用以印刷形成太陽能 電池之電極者； 其含有導電性粉末、玻璃料、黏合劑樹脂、包含缓酸 醋基及經基中之至少一者之^溶劑、及不含上述艘酸 醋基及上述羥基且漢森溶解度參數之氫鍵項為 7(J/cm3)丨/2以下之第2溶劑。 ’ 2.如請求項！之導電性糊，其中上述第2溶劑包含選自二乙 二醇丁基甲越、：r乙-臨丁其田 —乙一知丁基甲醚、二乙二醇二乙醚、 碳酸伸丙酯及正十四烷中之至少1種。 3·如請求項1之導電性糊，其中上述第2溶劑於分子結構内 至少具有氧成分與碳成分，且 上述氧成分相對於上述碳成分之莫耳比率為0.3以上。 4·如請求項1或3之導電性糊，其中上述第2溶劑包含選自 -乙一醇丁基F醚、三乙二醇丁基甲醚、二 醚及碳酸伸丙酯中之至少1種。 5. 如請求項1至3中任一項之導雷 .„ 等電性糊，其中上述導電性扒 末係以成為親水性之方式進行表面處理。 " 6. 如請求項1至3中任一項之導雷 末為Ag粉末。 ㈣_ ’其中上述導電性粉 7. 如請求項1至3中任一項之導 含錯。 $之導電性糊’其中上述破填料不 8. -種太陽能電池，其特徵在於 形成有抗反射膜及貫通該抗反射膜之電極^之一主面 I6I503.doc 201243866 上述電極係將如請求項1至7中任一項之導電性糊燒結 而成。 161503.doc
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