JP4828269B2 - 導電パターンの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、導電パターンの製造方法、詳しくは、フラットディスプレイパネルの画素電極基板、駆動回路基板などにおける導電パターンの製造に用いられる、凹版オフセット印刷用導電ペーストを用いた導電パターンの製造方法に関する。
例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などの、いわゆるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）には、導電パターンを備える画素電極基板や駆動回路基板が用いられている。
上記導電パターンは、線幅や間隔が極めて小さく、三次元の形状精度（例えば、線幅、厚み、エッジ形状など）やパターンの位置精度が極めて高いことが求められており、さらに、導電パターンの電気特性を向上させる観点より、厚膜のパターンであることが求められている。
上記導電パターンは、線幅や間隔が極めて小さく、三次元の形状精度（例えば、線幅、厚み、エッジ形状など）やパターンの位置精度が極めて高いことが求められており、さらに、導電パターンの電気特性を向上させる観点より、厚膜のパターンであることが求められている。
また、近年、導電パターンの製造方法には、三次元形状精度や位置精度に優れた導電パターンを形成するだけでなく、製造工程の簡易化と低コスト化とを図り、しかも、ＦＰＤの大画面化にも対応可能にするという観点より、ペースト状に調製された導電パターンの形成材料（以下、「導電ペースト」という。）を、凹版オフセット印刷で基板表面に印刷する方法が採用されつつある。すなわち、導電性粉末と、ガラスフリットと、バインダ樹脂と、溶媒とを混合して、導電ペーストを調製し、この導電ペーストを基板上に印刷して、厚さ５〜２０μｍ程度の厚膜パターンを形成後、焼成により、厚さ２〜１０μｍ程度の導電パターンが形成される。
しかし、導電ペーストからなる厚膜パターンを形成するために、凹版の凹部の深さを大きくすると、凹版からブランケットへの導電ペーストの転写時に、凹部内に残存した導電ペーストと、ブランケットに転写された導電ペーストとの間で、導電ペーストが互いに繋がりながら糸状に延びる現象、いわゆる糸曳き現象が生じ易くなる。この糸曳き現象が生じると、基板上に転写された導電パターンのエッジから、導電パターンの周囲に延びる微小な突起状の欠陥（以下、「ヒゲ状欠陥」という。）が生じてしまい、隣接する導電パターンがヒゲ状欠陥によって互いに接続され、画素電極基板や駆動回路基板に短絡が生じる不具合を招くおそれがある。
一方、導電パターンの糸曳き現象の発生を抑制するために、特許文献１には、導電性粉体と、焼成除去可能な有機成分とを少なくとも含有する導体インキを用いて、ガラス基板上にオフセット印刷法により電極パターンを印刷する方法が記載されており、この印刷方法において、インキ充填ロールから印刷版に導体インキを充填するときに発生したインキの糸引きは、糸引き部分にレーザを照射し、もしくは、エアを吹き付け、または、糸引き部分をブレードで切断することにより、切断されている。
また、特許文献２には、印刷パターンが形成されたフレキソ版が版胴に取り付けられ、上記フレキソ版にペーストが転写された状態で上記版胴を回転させるとともに、被印刷体が搭載された印刷テーブルを上記版胴の回転軸に直交する方向に移動させ、上記フレキソ版を上記被印刷体に圧着することにより、上記印刷パターンの転写ペーストパターンを上記被印刷体に形成して印刷するフレキソ印刷装置において、上記印刷テーブルの移動方向を印刷方向として、上記フレキソ版に形成された印刷パターンのうち、上記印刷方向に平行な部分と上記印刷方向に平行な部分以外の部分とでの上記被印刷体への印刷速度を異ならせることが記載されている。
また、特許文献３には、撥樹脂機能を施した画線部と、親樹脂機能を施した非画線部とを備える画像形成版の全面に樹脂を塗布し、撥樹脂機能を施した画像転写シートを上記画像形成版に押圧し、上記画像形成版の画像部上の樹脂を画像転写シート上に転写し、次いで、画像転写シートの画像部上の樹脂を基板上に転写して画像形成を行う画像形成法が記載されている。
特開２００２−３６１９９７号公報
特開２００４−２７６３８８号公報
特開２００４−２４９６９６号公報
しかるに、特許文献１に記載の電極パターンの印刷方法では、導体インキの糸引きをなくすために、レーザ照射、エア吹付けまたはブレードの当接といった操作を必要としており、これらの操作を実行するために、余分の装置が必要になる不具合がある。
また、特許文献２に記載のフレキソ印刷装置では、印刷パターンの部位によって印刷速度を異ならせる複雑な制御が必要になる不具合がある。
また、特許文献２に記載のフレキソ印刷装置では、印刷パターンの部位によって印刷速度を異ならせる複雑な制御が必要になる不具合がある。
また、特許文献３に記載の画像形成法では、形成するパターンごとに、撥樹脂機能などが施された画像形成版や画像転写シートを作製する必要があり、また、画像形成版の全面に樹脂が塗布されることから、製造コスト上、不利である。
本発明の目的は、凹版オフセット印刷による導電パターンの形成に際して、糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる導電ペーストと、三次元形状精度や位置精度に優れ、糸曳き現象の発生が高度に抑制された導電パターンを、簡易な工程により低コストで形成することができる導電パターンの製造方法と、を提供することにある。
本発明の目的は、凹版オフセット印刷による導電パターンの形成に際して、糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる導電ペーストと、三次元形状精度や位置精度に優れ、糸曳き現象の発生が高度に抑制された導電パターンを、簡易な工程により低コストで形成することができる導電パターンの製造方法と、を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の導電パターンの製造方法は、導電ペーストを、凹版からブランケットの表面に転写し、さらに、前記ブランケットから基板の表面に転写して、前記基板上に前記導電ペーストからなるパターンを形成し、焼成により、３〜１５μｍの厚みを有する導電パターンを製造する方法において、前記ブランケットが、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットであり、前記導電ペーストが、導電性粉末と、ガラスフリットと、バインダ樹脂と、溶媒とを含有し、前記溶媒が、前記バインダ樹脂の良溶媒と貧溶媒との混合溶媒であり、前記貧溶媒の含有割合が、前記混合溶媒の全量に対して、５〜４０重量％であることを特徴としている。
本発明の導電パターンの製造方法によれば、導電ペーストからなる厚膜パターンを形成するために、凹部の深さが大きい凹版を用いた場合であっても、凹版とブランケットとの間で導電ペーストの糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる。また、ブランケットがシリコーンブランケットであることから、ブランケットから基板への導電ペーストの転写時に、導電ペーストの分断や、それに伴う基板上での導電ペーストの糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる。しかも、導電パターンを、凹版オフセット印刷によって形成することから、三次元形状精度や位置精度に優れ、かつ、糸曳き現象の発生が抑制された導電パターンを、簡易な工程により低コストで形成することができる。
また、本発明の導電パターンの製造方法では、前記導電パターンとして、線間隔Ｐ １ のストライプパターン状の主電極ラインと、各前記主電極ラインの一方の端縁から連続し、前記基板の端縁に向かってかつ前記主電極ラインの幅方向の一方側に傾斜して延び、線間隔Ｐ １ よりも小さい線間隔Ｐ ２ で配列された引き込みラインとを備えるパターンを形成することが好ましい。
また、本発明の導電パターンの製造方法では、前記導電パターンとして、線間隔Ｐ １ のストライプパターン状の主電極ラインと、各前記主電極ラインの一方の端縁から連続し、前記基板の端縁に向かってかつ前記主電極ラインの幅方向の一方側に傾斜して延び、線間隔Ｐ １ よりも小さい線間隔Ｐ ２ で配列された引き込みラインとを備えるパターンを形成することが好ましい。
本発明によれば、糸曳き現象の発生を高度に抑制しつつ、導電ペーストからなる厚膜パターンを形成することができ、しかも、三次元形状精度や位置精度に優れた導電パターンを、簡易な工程により低コストで形成することができる。
それゆえ、本発明によれば、画素電極基板や駆動回路基板の導電パターンにおいて、短絡の発生を防止しつつ、その電気特性を向上させることができる。
それゆえ、本発明によれば、画素電極基板や駆動回路基板の導電パターンにおいて、短絡の発生を防止しつつ、その電気特性を向上させることができる。
本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストは、導電性粉末と、ガラスフリットと、バインダ樹脂と、溶媒とを含有している。
導電性粉末は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、凹版オフセット印刷用導電ペーストを基板に印刷し、焼成することにより得られる導電パターンに対して、導電性を付与するものである。
導電性粉末は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、凹版オフセット印刷用導電ペーストを基板に印刷し、焼成することにより得られる導電パターンに対して、導電性を付与するものである。
導電性粉末としては、例えば、銀、銅、金、白金、ニッケル、アルミニウム、鉄、パラジウム、クロム、モリブデン、タングステンなどの金属の粉末、例えば、酸化銀、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ルテニウムなどの金属酸化物の粉末、例えば、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｒ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｕ−Ｍｎ、Ｍｎ−Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｒ−Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｍｎ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅなどの複合合金の粉末、例えば、銀メッキ銅などのメッキ複合体の粉末などが挙げられ、これら導電性粉末は、単独で、または、２種以上を混合して用いられる。なかでも、導電性粉末は、導電性能、コスト、耐酸化性（すなわち、高絶縁性酸化物を生成しにくいこと。）などの観点より、好ましくは、銀粉末が挙げられる。
導電性粉末の粒径は、特に限定されないが、例えば、導電ペーストの印刷適性や導電性ペースト中での導電性粉末の充填性などを良好にするという観点より、５０％平均粒径で、好ましくは、０．０５〜２０μｍであり、より好ましくは、０．１〜１０μｍである。
導電性粉末の形状は、特に限定されないが、導電性粉末同士の接触面積を大きくして、導電ペーストから形成される導電パターンの電気抵抗をより一層低くするには、導電性粉末が球状であるよりも、鱗片状であるのが好ましい。また、導電ペーストや導電パターン中において、導電性粉末の充填を最密化させる観点より、鱗片状の導電性粉末と球状の導電性粉末とを混合して用いることも有効である。
導電性粉末の形状は、特に限定されないが、導電性粉末同士の接触面積を大きくして、導電ペーストから形成される導電パターンの電気抵抗をより一層低くするには、導電性粉末が球状であるよりも、鱗片状であるのが好ましい。また、導電ペーストや導電パターン中において、導電性粉末の充填を最密化させる観点より、鱗片状の導電性粉末と球状の導電性粉末とを混合して用いることも有効である。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中での導電性粉末の含有割合は、導電ペースト中でのバインダ樹脂やガラスフリットの相対的な含有割合が大きくなることに伴う、導電パターンの導電性、電気特性の低下、あるいは、導電ペースト中でのバインダ樹脂やガラスフリットの相対的な含有割合が小さくなることに伴う、導電パターンの機械的強度や基板との接着強度の低下、といった不具合を生じることがない範囲で、適宜設定すればよい。
それゆえ、凹版オフセット印刷用導電ペースト中の導電性粉末の含有割合は、特に限定されないが、好ましくは、バインダ樹脂１００重量部に対して、５００〜２０００重量部、より好ましくは、１０００〜１６００重量部である。
なお、凹版オフセット印刷用導電ペースト中での導電性粉末の充填密度は、導電ペーストを焼成した時の体積変化を極力少なくし、かつ、導電パターン中での導電性粉末の含有割合をできる限り多くする観点より、導電ペーストの印刷特性を損なうことのない範囲において、できるだけ高くすることが望まれる。
なお、凹版オフセット印刷用導電ペースト中での導電性粉末の充填密度は、導電ペーストを焼成した時の体積変化を極力少なくし、かつ、導電パターン中での導電性粉末の含有割合をできる限り多くする観点より、導電ペーストの印刷特性を損なうことのない範囲において、できるだけ高くすることが望まれる。
ガラスフリットは、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、凹版オフセット印刷用導電ペーストを基板に印刷し、焼成することにより得られる導電パターンと、基板との向上させるために配合される成分である。
ガラスフリットとしては、導電ペーストの焼成時に溶融して、導電性粉末と基板との密着に寄与するものであること以外は、特に限定されず、従来公知の種々のガラスフリットを用いることができる。具体的には、例えば、ホウケイ酸ガラスや、例えば、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ビスマスなどの金属酸化物を含有するガラスなどが挙げられ、これらガラスフリットは、単独で、または、２種以上を混合して用いられる。
ガラスフリットとしては、導電ペーストの焼成時に溶融して、導電性粉末と基板との密着に寄与するものであること以外は、特に限定されず、従来公知の種々のガラスフリットを用いることができる。具体的には、例えば、ホウケイ酸ガラスや、例えば、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ビスマスなどの金属酸化物を含有するガラスなどが挙げられ、これらガラスフリットは、単独で、または、２種以上を混合して用いられる。
導電ペーストを焼成して得られる導電パターンと、基板との密着性や、導電パターンの導電性、電気特性を、より一層優れたものとするには、従来公知の種々のガラスフリットのなかでも、特に、後述するバインダ樹脂の軟化温度で軟化・溶融せず、かつ、上記した導電性粉末の融点以下の温度で軟化・溶融するものが好適である。ガラスフリットの軟化・溶融温度が、バインダ樹脂の軟化温度よりも低いときは、導電ペーストの焼成時に、バインダ樹脂が完全に分解、揮散して、除去される前に、ガラスフリットの融着が生じるため、焼成後の導電パターンにおいて、ガラスフリット分に空隙が発生し易くなるからである。一方、ガラスフリットの軟化・溶融温度が、導電性粉末の融点よりも高いときは、導電ペーストの焼成温度を高くする必要が生じて、製造コスト上の不利を被り、また、基板の熱変形などの不具合を招くおそれも生じる。なお、これに限定されないが、通常、ガラスフリットの軟化・溶融温度は、４００〜６００℃程度であることが適当である。
ガラスフリットの粒径は、特に限定されないが、例えば、凹版オフセット印刷用導電ペーストの印刷適性や導電パターンと基板との接着性などを良好にするという観点より、中心粒径（Ｄ50）で、好ましくは、０．１〜５μｍであり、より好ましくは、０．２〜３μｍである。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中でのガラスフリットの含有割合は、導電ペースト中の他の成分の相対的な含有割合の変動に伴う、導電パターンの導電性、電気特性の低下、もしくは、導電パターンの機械的強度や基板との接着強度の低下といった不具合を生じたり、または、導電ペースト中でガラスフリットの相対的な含有割合が小さくなることに伴う、導電パターンと基板との接着強度の低下といった不具合を生じたりすることがない範囲で、適宜設定すればよい。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中でのガラスフリットの含有割合は、導電ペースト中の他の成分の相対的な含有割合の変動に伴う、導電パターンの導電性、電気特性の低下、もしくは、導電パターンの機械的強度や基板との接着強度の低下といった不具合を生じたり、または、導電ペースト中でガラスフリットの相対的な含有割合が小さくなることに伴う、導電パターンと基板との接着強度の低下といった不具合を生じたりすることがない範囲で、適宜設定すればよい。
それゆえ、凹版オフセット印刷用導電ペースト中のガラスフリットの含有割合は、特に限定されないが、好ましくは、バインダ樹脂１００重量部に対して、１０〜５０重量部、より好ましくは、２０〜４０重量部である。
バインダ樹脂は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、導電性粉末を分散させるために配合され、焼成により分解または揮散して、除去される成分である。
バインダ樹脂は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、導電性粉末を分散させるために配合され、焼成により分解または揮散して、除去される成分である。
バインダ樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロース、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、ポリエステル−メラミン系樹脂、メラミン系樹脂、エポキシ−メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられ、これらバインダ樹脂は、単独で、または、２種以上を混合して用いられる。なかでも、バインダ樹脂は、焼成により分解または揮散した場合に、導電パターン中に、樹脂分およびその残渣が残存せずに、完全に除去されることが好ましく、このようなバインダ樹脂として、上記例示のなかでも、特に、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、エチルセルロースが好適であり、とりわけ、ポリエステル系樹脂が好適である。
バインダ樹脂の分子量は、導電性粉末の分散性、導電ペーストの印刷特性などにあわせて、適宜設定すればよい。それゆえ、バインダ樹脂の分子量は、特に限定されないが、好ましくは、重量平均分子量＜Ｍｗ＞で、１０００〜３００００、より好ましくは、２０００〜２００００である。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中でのバインダ樹脂の含有割合は、特に限定されず、導電性粉末の分散性、導電ペーストの印刷特性などにあわせて、適宜設定すればよい。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中でのバインダ樹脂の含有割合は、特に限定されず、導電性粉末の分散性、導電ペーストの印刷特性などにあわせて、適宜設定すればよい。
溶媒は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、バインダ樹脂を溶解または分散させるために配合される。
上記導電ペーストにおいて、溶媒は、バインダ樹脂に対する良溶媒と、バインダ樹脂に対する貧溶媒との混合溶媒であって、上記貧溶媒の含有割合が、上記混合溶媒の全量に対して、５〜４０重量％であることを特徴としている。
上記導電ペーストにおいて、溶媒は、バインダ樹脂に対する良溶媒と、バインダ樹脂に対する貧溶媒との混合溶媒であって、上記貧溶媒の含有割合が、上記混合溶媒の全量に対して、５〜４０重量％であることを特徴としている。
バインダ樹脂に対する良溶媒とは、バインダ樹脂の溶解性が良好な溶媒であって、これに限定されないが、例えば、好ましくは、２０℃における溶媒１００ｇに対するバインダ樹脂の溶解度が、１００ｇ／１００ｇ以上、より好ましくは、２００ｇ／１００ｇ以上の溶媒をいう。
一方、バインダ樹脂に対する貧溶媒とは、バインダ樹脂を全く溶解しないか、または、ほとんど溶解しない溶媒であって、これに限定されないが、例えば、好ましくは、２０℃における溶媒１００ｇに対するバインダ樹脂の溶解度が、５ｇ／１００ｇ以下、より好ましくは、３ｇ／１００ｇ以下の溶媒をいう。
一方、バインダ樹脂に対する貧溶媒とは、バインダ樹脂を全く溶解しないか、または、ほとんど溶解しない溶媒であって、これに限定されないが、例えば、好ましくは、２０℃における溶媒１００ｇに対するバインダ樹脂の溶解度が、５ｇ／１００ｇ以下、より好ましくは、３ｇ／１００ｇ以下の溶媒をいう。
上記導電ペーストに使用可能な溶媒としては、例えば、下記に示す溶媒が挙げられる。
例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、２，２−ジメチル−１−プロパノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類。
例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、３−ペンタノール、２−メチル−１−ブタノール、２−メチル−２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、２，２−ジメチル−１−プロパノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類。
例えば、エチレングリコール（ＥＧ）、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ（Ｒ））、エチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ（Ｒ））、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル（イソプロピルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ（Ｒ））、エチレングリコールモノヘキシルエーテル（ヘキシルセロソルブ）、エチレングリコールモノフェニルエーテル（フェニルセロソルブ）、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル（ジブチルセロソルブ（Ｒ））、エチレングリコールモノアセテート、エチレングリコールジアセテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート（メチルセロソルブアセテート）、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（メチルカルビトール（Ｒ））、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（カルビトール（Ｒ））、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール（Ｒ））、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ジエチルカルビトール（Ｒ））、ジエチレングリコールジブチルエーテル（ジブチルカルビトール）、ジエチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（カルビトールアセテート）、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ブチルカルビトールアセテート，ＢＣＡ）、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリメチレングリコール、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコール、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコール（ＴＥＧ）、１，２−ブチレングリコール、１，３−ブチレングリコール、へキシレングリコール、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリプロピレングリコール（ＰＰＧ）、グリセリンジアルキルエーテルなどの多価アルコール類およびその誘導体。
例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソプロピルケトン（ＤＩＰＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロンなどのケトン類。
例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピランなどのエーテル類。
例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピランなどのエーテル類。
例えば、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ベンジルなどのエステル類。
例えば、ヘキサン、オクタン、デカンなどのアルカン類。
例えば、シクロペンタン、シクロヘキサンなどのシクロアルカン類。
例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、クメン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）キシレン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）ジエチルベンゼン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）シメンなどの芳香族炭化水素。
例えば、ヘキサン、オクタン、デカンなどのアルカン類。
例えば、シクロペンタン、シクロヘキサンなどのシクロアルカン類。
例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、クメン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）キシレン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）ジエチルベンゼン、（ｏ−，ｍ−，ｐ−）シメンなどの芳香族炭化水素。
良溶媒と貧溶媒との組み合わせは、導電ペーストに用いられるバインダ樹脂にあわせて設定される。
それゆえ、特に限定されないが、例えば、バインダ樹脂がポリエステル系樹脂である場合には、良溶媒として、例えば、多価アルコール類およびその誘導体などが挙げられ、なかでも、好ましくは、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ（Ｒ））、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール（Ｒ））、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ブチルカルビトールアセテート，ＢＣＡ）などが挙げられ、より好ましくは、ＢＣＡが挙げられる。
それゆえ、特に限定されないが、例えば、バインダ樹脂がポリエステル系樹脂である場合には、良溶媒として、例えば、多価アルコール類およびその誘導体などが挙げられ、なかでも、好ましくは、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ（Ｒ））、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール（Ｒ））、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート（ブチルカルビトールアセテート，ＢＣＡ）などが挙げられ、より好ましくは、ＢＣＡが挙げられる。
また、例えば、バインダ樹脂がポリエステル樹脂である場合には、貧溶媒として、非極性溶媒または極性の小さい溶媒が挙げられる。具体的には、例えば、アルカン類、シクロアルカン類、芳香族炭化水素などが挙げられ、なかでも、好ましくは、芳香族炭化水素などが挙げられ、より好ましくは、トルエンが挙げられる。
また、例えば、バインダ樹脂がアクリル系樹脂（溶解パラメータ（ＳＰ値）８程度）である場合には、良溶媒として、例えば、酢酸ブチル（ＳＰ値８．６９）、メチルイソブチルケトン（ＳＰ値８．５８）などが挙げられ、貧溶媒として、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＳＰ値１０．４２）、メチルエチルケトン（ＳＰ値９．３）などが挙げられる。
また、例えば、バインダ樹脂がアクリル系樹脂（溶解パラメータ（ＳＰ値）８程度）である場合には、良溶媒として、例えば、酢酸ブチル（ＳＰ値８．６９）、メチルイソブチルケトン（ＳＰ値８．５８）などが挙げられ、貧溶媒として、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＳＰ値１０．４２）、メチルエチルケトン（ＳＰ値９．３）などが挙げられる。
また、例えば、バインダ樹脂がエチルセルロースである場合には、良溶媒として、例えば、水、各種有機溶媒などが挙げられ、貧溶媒として、例えば、一部の多価アルコールなどが挙げられる。
良溶媒と貧溶媒との配合割合は、貧溶媒の含有割合が、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒の全量に対して、５〜４０重量％となるように、設定される。
良溶媒と貧溶媒との配合割合は、貧溶媒の含有割合が、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒の全量に対して、５〜４０重量％となるように、設定される。
貧溶媒の含有割合が、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒の全量に対して、５重量％を下回ると、導電ペーストからなる厚膜パターンを形成するために、凹部の深さが大きい凹版を用いた場合において、凹版とブランケットとの間で導電ペーストの糸曳き現象の発生を高度に抑制できなくなる。一方、貧溶媒の含有割合が、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒の全量に対して、４０重量％を上回ると、導電性ペースト中でのバインダ樹脂の分散性が低下し、凹版オフセット印刷によって導電ペーストからなる厚膜パターンを形成する場合に、厚膜パターンの含有成分にばらつきが生じるおそれがある。
凹版オフセット印刷用導電性ペースト中での上記混合溶媒の配合割合は、混合溶媒の組成や、バインダ樹脂、導電性粉末、ガラスフリットならびにその他の配合成分の種類およびそれらの配合量などにあわせて、かつ、導電ペーストの印刷特性、粘度などが、凹版オフセット印刷による厚膜印刷に適した値となるように、適宜設定すればよい。
また、凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは、５〜３０Ｐａ・ｓであり、より好ましくは、１０〜２０Ｐａ・ｓである。凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度が、上記範囲を下回ると、導電ペーストからなる厚膜パターンの形成時において、凹版からブランケットへ転写された厚膜パターンや、ブランケットから基板へ転写された厚膜パターンが垂れ易くなるなど、その形状を保持することが困難になり、導電パターンの三次元形状精度の低下といった不具合を生じるおそれがある。逆に、凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度が、上記範囲を上回ると、凹版の凹部に導電ペーストが供給されにくくなり（ドクタリング性が低下し）、導電パターンの三次元形状精度の低下、導電パターンの断線やピンホールの発生といった不具合を生じるおそれがある。
また、凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは、５〜３０Ｐａ・ｓであり、より好ましくは、１０〜２０Ｐａ・ｓである。凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度が、上記範囲を下回ると、導電ペーストからなる厚膜パターンの形成時において、凹版からブランケットへ転写された厚膜パターンや、ブランケットから基板へ転写された厚膜パターンが垂れ易くなるなど、その形状を保持することが困難になり、導電パターンの三次元形状精度の低下といった不具合を生じるおそれがある。逆に、凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度が、上記範囲を上回ると、凹版の凹部に導電ペーストが供給されにくくなり（ドクタリング性が低下し）、導電パターンの三次元形状精度の低下、導電パターンの断線やピンホールの発生といった不具合を生じるおそれがある。
上記凹版オフセット印刷用導電ペーストは、上記した導電性粉体と、ガラスフリットと、バインダ樹脂と、混合溶媒と、さらに必要に応じて他の成分とを配合後、３本ロール、ボールミル、アトライター、サンドミルなどで攪拌、混合して調製される。
上記した各成分を攪拌、混合する際の処理条件は、特に限定されず、常法に従って処理すればよい。
上記した各成分を攪拌、混合する際の処理条件は、特に限定されず、常法に従って処理すればよい。
上記他の成分としては、特に限定されないが、例えば、レベリング剤、分散剤、揺変性付与剤（チキソトロピック粘性付与剤）、消泡剤、充填剤、硬化触媒などの、導電ペーストの印刷特性や加工性を改良するための配合剤が挙げられる。
充填剤としては、例えば、乾式シリカ（アエロジル）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、ハードクレー、炭酸マグネシウムなどが挙げられ、これら充填剤は、単独で、または、２種以上を混合して配合される。
充填剤としては、例えば、乾式シリカ（アエロジル）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）、ハードクレー、炭酸マグネシウムなどが挙げられ、これら充填剤は、単独で、または、２種以上を混合して配合される。
硬化触媒は、バインダ樹脂の種類にあわせて適宜選択されるものであって、特に限定されないが、例えば、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、シュウ酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、安息香酸、マロン酸、コハク酸、トリメリト酸などの、酸性官能基を有する触媒が挙げられ、これら硬化触媒は、単独で、または、２種以上を混合して配合される。
上記例示の他の成分は、上記凹版オフセット印刷用導電ペーストにおいて任意の成分であって、その配合量は、特に限定されず、必要に応じて適宜設定できる。
上記した凹版オフセット印刷用導電ペーストによれば、凹部の深さが大きい凹版を用いて、凹版オフセット印刷により、パターンを印刷形成した場合であっても、凹版とブランケットとの間で導電ペーストの糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる。
上記した凹版オフセット印刷用導電ペーストによれば、凹部の深さが大きい凹版を用いて、凹版オフセット印刷により、パターンを印刷形成した場合であっても、凹版とブランケットとの間で導電ペーストの糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる。
それゆえ、上記の凹版オフセット印刷用導電ペーストは、例えば、ＬＣＤ、ＥＬ素子、ＰＤＰ、ＦＥＤなどのフラットディスプレイパネルの画素電極基板、駆動回路基板などの製造、とりわけ、上記画素電極基板や駆動回路基板における導電パターンの凹版オフセット印刷による形成に、好適である。
本発明の導電パターンの製造方法は、導電ペーストを、凹版からブランケットの表面に転写し、さらに、上記ブランケットから基板の表面に転写して、上記基板上に前記導電ペーストからなるパターンを形成する導電パターンの製造方法において、上記ブランケットが、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットであり、上記導電ペーストが、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストであることを特徴としている。
本発明の導電パターンの製造方法は、導電ペーストを、凹版からブランケットの表面に転写し、さらに、上記ブランケットから基板の表面に転写して、上記基板上に前記導電ペーストからなるパターンを形成する導電パターンの製造方法において、上記ブランケットが、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットであり、上記導電ペーストが、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストであることを特徴としている。
凹版は、所望の導電パターンにあわせた凹部が形成されているものであること以外は、特に限定されない。それゆえ、凹版の形成材料は、特に限定されないが、例えば、４２アロイ、ステンレスなどの金属や、例えば、ソーダライムガラス、ノンアルカリガラスなどのガラスが挙げられる。なかでも、凹版に優れた耐久性が要求される場合には、金属製の凹版が好適であり、凹版の凹部について、極めて高度な寸法精度を要求される場合には、凹部の加工性が良好なソーダライムガラス、ノンアルカリガラスなどのガラスが好適である。また、特に優れた耐久性を求められる場合には、凹版の表面に、硬質クロムメッキなどによって、金属被膜を施すことが好ましい。
ブランケットとしては、凹版から受理した厚膜パターンを、正確にかつ完全に、基板表面へと転写するために、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットが用いられる。
ブランケットの表面層を形成するためのシリコーンゴムとしては、これに限定されないが、未硬化時（表面層の形成時）に液状またはペースト状であるシリコーンゴムが好ましい。このようなシリコーンゴムを用いて、表面層を形成することにより、表面層の硬化時に、セルフレベリング硬化による平滑化を図ることができる。それゆえ、未硬化時に液状またはペースト状であるシリコーンゴムは、高精度の導電パターンの形成に好適な、表面粗さが極めて小さいシリコーンブランケットを得る上で、有利である。
ブランケットの表面層を形成するためのシリコーンゴムとしては、これに限定されないが、未硬化時（表面層の形成時）に液状またはペースト状であるシリコーンゴムが好ましい。このようなシリコーンゴムを用いて、表面層を形成することにより、表面層の硬化時に、セルフレベリング硬化による平滑化を図ることができる。それゆえ、未硬化時に液状またはペースト状であるシリコーンゴムは、高精度の導電パターンの形成に好適な、表面粗さが極めて小さいシリコーンブランケットを得る上で、有利である。
基板は、特に限定されず、導電パターンの用途に応じて、適宜選択すればよい。
本発明の導電パターンの製造方法において、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストを用いて、凹版オフセット印刷により、上記導電ペーストからなる厚膜パターンを基板上に印刷形成する際の印刷条件は、特に限定されず、常法に従って、適宜設定することができる。
本発明の導電パターンの製造方法において、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストを用いて、凹版オフセット印刷により、上記導電ペーストからなる厚膜パターンを基板上に印刷形成する際の印刷条件は、特に限定されず、常法に従って、適宜設定することができる。
例えば、凹版の凹部への導電ペーストの充填は、例えば、スキージを用いたドクタリングにより行うなど、常法に従って行えばよい。
また、凹版からブランケットへの転写速度や、ブランケットから基板への転写速度は、特に限定されず、例えば、凹版の凹部の線幅および深さ、ブランケットの表面層形成材料の種類、基板の種類、導電ペーストの物性、導電パターンに要求される線幅や三次元形状精度などの諸条件を考慮しつつ、常法に従って、適宜設定することができる。
また、凹版からブランケットへの転写速度や、ブランケットから基板への転写速度は、特に限定されず、例えば、凹版の凹部の線幅および深さ、ブランケットの表面層形成材料の種類、基板の種類、導電ペーストの物性、導電パターンに要求される線幅や三次元形状精度などの諸条件を考慮しつつ、常法に従って、適宜設定することができる。
なお、本発明の導電パターンの製造方法によれば、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストを用いていることにより、凹版からブランケットへの導電ペーストの転写時における糸曳き現象の発生が高度に抑制されることから、例えば、導電パターンの印刷に際し、導電パターンの形成部位により、転写速度を異ならせるといった、複雑な制御を実行する必要がない。
なお、本発明の導電パターンの製造方法により、基板の表面に転写された、導電ペーストからなる厚膜パターンは、例えば、４５０〜６５０℃で、好ましくは、５００〜６００℃で、加熱することにより、焼成される。この焼成処理により、導電ペースト中の溶剤が蒸発し、また、バインダ樹脂が分解、揮散により、除去される。
焼成により得られる導電パターンの厚みは、導電パターンの用途に応じて設定されることから、特に限定されないが、通常、３〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍの範囲で設定される。焼成後の厚みが上記範囲を下回る導電パターンは、断線が発生し易く、また、導電パターンの導電性も十分でなくなるおそれがある。逆に、焼成後の厚みが上記範囲を上回ると、導電パターン表面の平坦性が低下したりするおそれがある。
焼成により得られる導電パターンの厚みは、導電パターンの用途に応じて設定されることから、特に限定されないが、通常、３〜１５μｍ、好ましくは、５〜１０μｍの範囲で設定される。焼成後の厚みが上記範囲を下回る導電パターンは、断線が発生し易く、また、導電パターンの導電性も十分でなくなるおそれがある。逆に、焼成後の厚みが上記範囲を上回ると、導電パターン表面の平坦性が低下したりするおそれがある。
上記した導電パターンの製造方法によれば、三次元形状精度や位置精度に優れ、かつ、糸曳き現象の発生が抑制された導電パターンを、簡易な工程により低コストで形成することができる。
次に、本発明を実施例および比較例に基づいて説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
下記の実施例および比較例で使用した各種成分は、次のとおりである。
・ポリエステル樹脂：分岐型飽和ポリエステル樹脂、重量平均分子量（ＧＰＣ測定、標準ポリスチレン換算）２４０００、数平均分子量（ＧＰＣ測定、標準ポリスチレン換算）１００００、加熱残分３７．８％、品名「エスペル９９４０Ｃ−３７」、日立化成工業（株）製。
・銀粉末：還元粉（球状銀粉）、５０％平均粒径２〜３μｍ、比表面積０．７〜１．３ｍ2／ｇ、見かけ密度２．５０〜３．５０ｇ／ｃｍ3、品名「シルコートＡｇＣ−１５６Ｉ、福田金属箔粉工業（株）製。
・ガラスフリット：ホウケイ酸系ガラス、主成分（ＳｉＯ2・Ｂ2Ｏ3・Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ））、中心粒径（Ｄ50、レーザ回折法）１．５μｍ、品名「ＡＳＦ１８９５」、旭硝子（株）製。
・良溶媒：ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ，ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート）
・貧溶媒：トルエン
実施例１
ポリエステル樹脂１００重量部に対し、銀粉１５００重量部、ガラスフリット１００重量部、良溶媒１００重量部および貧溶媒１０重量部を配合し、３本ロールで混合、分散して、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、９．０９重量％であった。
下記の実施例および比較例で使用した各種成分は、次のとおりである。
・ポリエステル樹脂：分岐型飽和ポリエステル樹脂、重量平均分子量（ＧＰＣ測定、標準ポリスチレン換算）２４０００、数平均分子量（ＧＰＣ測定、標準ポリスチレン換算）１００００、加熱残分３７．８％、品名「エスペル９９４０Ｃ−３７」、日立化成工業（株）製。
・銀粉末：還元粉（球状銀粉）、５０％平均粒径２〜３μｍ、比表面積０．７〜１．３ｍ2／ｇ、見かけ密度２．５０〜３．５０ｇ／ｃｍ3、品名「シルコートＡｇＣ−１５６Ｉ、福田金属箔粉工業（株）製。
・ガラスフリット：ホウケイ酸系ガラス、主成分（ＳｉＯ2・Ｂ2Ｏ3・Ｒ2Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ））、中心粒径（Ｄ50、レーザ回折法）１．５μｍ、品名「ＡＳＦ１８９５」、旭硝子（株）製。
・良溶媒：ブチルカルビトールアセテート（ＢＣＡ，ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート）
・貧溶媒：トルエン
実施例１
ポリエステル樹脂１００重量部に対し、銀粉１５００重量部、ガラスフリット１００重量部、良溶媒１００重量部および貧溶媒１０重量部を配合し、３本ロールで混合、分散して、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、９．０９重量％であった。
次いで、得られた銀ペーストを用いて、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
導電パターン（厚膜パターン）１０としては、ストライプパターン状の主電極ライン１１（線幅（Ｔ1）１５０μｍ、膜厚６μｍ、線間隔（Ｐ1）１８０μｍ）と、各上記主電極ライン１１の一方の端縁から連続し、基板１２の端縁に向かってかつ上記主電極ライン１１の幅方向１３の一方側に傾斜して延びる引き込みライン１４（線幅（Ｔ2）５０μｍ、膜厚４μｍ、線間隔（Ｐ2）９０μｍ）とを備えるパターンを採用した（図１参照）。
導電パターン（厚膜パターン）１０としては、ストライプパターン状の主電極ライン１１（線幅（Ｔ1）１５０μｍ、膜厚６μｍ、線間隔（Ｐ1）１８０μｍ）と、各上記主電極ライン１１の一方の端縁から連続し、基板１２の端縁に向かってかつ上記主電極ライン１１の幅方向１３の一方側に傾斜して延びる引き込みライン１４（線幅（Ｔ2）５０μｍ、膜厚４μｍ、線間隔（Ｐ2）９０μｍ）とを備えるパターンを採用した（図１参照）。
また、導電パターン（厚膜パターン）１０を形成するための凹版には、ソーダライムガラスの表面に、導電パターン１０の主電極ライン１１に対応した凹部（線幅１５０μｍ、深さ２０μｍ、線間隔１８０μｍ）と、引き込みライン１４に対応した凹部（線幅５０μｍ、深さ２０μｍ、線間隔９０μｍ）とが形成されたものを使用した。ブランケットには、厚さ３００μｍ、硬さ（ＪＩＳ Ａ）４０の常温硬化型シリコーンゴム（付加型）からなる表面層を有するシリコーンブランケットを使用した。このシリコーンブランケットの表面粗さは、十点平均粗さで０．１μｍであった。基板には、厚さ２．８ｍｍ、４２型（対角４２インチ）のガラス基板（品名「ＰＤ２００」、旭ガラス（株）製）を用いた。
また、導電ペーストの印刷は、精密印刷用の凹版オフセット印刷機を用いて、凹版−シリコーンブランケット間の転写速度を５０ｍｍ／ｓとし、シリコーンブランケット−ガラス基板間の転写速度を１００ｍｍ／ｓとした。
基板１２上に印刷された導電パターン（厚膜パターン）１０の光学顕微鏡による拡大写真を、図１に示す。
基板１２上に印刷された導電パターン（厚膜パターン）１０の光学顕微鏡による拡大写真を、図１に示す。
実施例２
貧溶媒の配合量を、５重量部としたこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、４．８重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
貧溶媒の配合量を、５重量部としたこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、４．８重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
実施例３
貧溶媒の配合量を、４０重量部としたこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、２８．６重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
貧溶媒の配合量を、４０重量部としたこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、２８．６重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
比較例１
貧溶媒を配合しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、０重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
貧溶媒を配合しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、０重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
基板１２上に印刷された導電パターン（厚膜パターン）１０の光学顕微鏡による拡大写真を、図２に示す。
比較例２
貧溶媒の配合量を、５０重量部としたこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、３３．３重量％であった。
比較例２
貧溶媒の配合量を、５０重量部としたこと以外は、実施例１と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、３３．３重量％であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例１と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン（厚膜パターン）を印刷した。
印刷結果の評価
上記実施例および比較例で得られた導電パターン（厚膜パターン）１０を、それぞれ、光学顕微鏡による拡大写真で観察して、導電パターン（厚膜パターン）１０の周囲におけるヒゲ状欠陥の有無を確認し、下記の基準で評価した。
◎：ヒゲ状欠陥が全く観察されず、三次元形状精度や位置精度が極めて良好な導電パターン（厚膜パターン）が形成されていた。
○：微細なヒゲ状欠陥がわずかに観察されたものの、三次元形状精度や位置精度が良好な導電パターン（厚膜パターン）が形成されていた。
△：ヒゲ状欠陥が観察され、かつ、導電パターン（厚膜パターン）の三次元形状精度や位置精度が、実用上不十分であった。
×：ヒゲ状欠陥が顕著に観察され、導電パターン（厚膜パターン）同士の短絡のおそれがあった。また、導電パターン（厚膜パターン）の三次元形状精度や位置精度が劣っていた。
印刷結果の評価
上記実施例および比較例で得られた導電パターン（厚膜パターン）１０を、それぞれ、光学顕微鏡による拡大写真で観察して、導電パターン（厚膜パターン）１０の周囲におけるヒゲ状欠陥の有無を確認し、下記の基準で評価した。
◎：ヒゲ状欠陥が全く観察されず、三次元形状精度や位置精度が極めて良好な導電パターン（厚膜パターン）が形成されていた。
○：微細なヒゲ状欠陥がわずかに観察されたものの、三次元形状精度や位置精度が良好な導電パターン（厚膜パターン）が形成されていた。
△：ヒゲ状欠陥が観察され、かつ、導電パターン（厚膜パターン）の三次元形状精度や位置精度が、実用上不十分であった。
×：ヒゲ状欠陥が顕著に観察され、導電パターン（厚膜パターン）同士の短絡のおそれがあった。また、導電パターン（厚膜パターン）の三次元形状精度や位置精度が劣っていた。
以上の結果を表１に示す。
本発明は、以上の記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲において、種々の設計変更を施すことが可能である。
１０ 導電パターン（厚膜パターン）
Claims (2)
- 導電ペーストを、凹版からブランケットの表面に転写し、さらに、前記ブランケットから基板の表面に転写して、前記基板上に前記導電ペーストからなるパターンを形成し、焼成により、３〜１５μｍの厚みを有する導電パターンを製造する方法において、
前記ブランケットが、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットであり、
前記導電ペーストが、導電性粉末と、ガラスフリットと、バインダ樹脂と、溶媒とを含有し、前記溶媒が、前記バインダ樹脂の良溶媒と貧溶媒との混合溶媒であり、前記貧溶媒の含有割合が、前記混合溶媒の全量に対して、５〜４０重量％であることを特徴とする、導電パターンの製造方法。 - 前記導電パターンとして、
線間隔Ｐ １ のストライプパターン状の主電極ラインと、
各前記主電極ラインの一方の端縁から連続し、前記基板の端縁に向かってかつ前記主電極ラインの幅方向の一方側に傾斜して延び、線間隔Ｐ １ よりも小さい線間隔Ｐ ２ で配列された引き込みラインと
を備えるパターンを形成することを特徴とする、請求項１に記載の導電パターンの製造方法。
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