JP4828269B2 - 導電パターンの製造方法 - Google Patents
導電パターンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4828269B2 JP4828269B2 JP2006073171A JP2006073171A JP4828269B2 JP 4828269 B2 JP4828269 B2 JP 4828269B2 JP 2006073171 A JP2006073171 A JP 2006073171A JP 2006073171 A JP2006073171 A JP 2006073171A JP 4828269 B2 JP4828269 B2 JP 4828269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- pattern
- solvent
- conductive paste
- conductive pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Printing Methods (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
上記導電パターンは、線幅や間隔が極めて小さく、三次元の形状精度(例えば、線幅、厚み、エッジ形状など)やパターンの位置精度が極めて高いことが求められており、さらに、導電パターンの電気特性を向上させる観点より、厚膜のパターンであることが求められている。
また、特許文献2に記載のフレキソ印刷装置では、印刷パターンの部位によって印刷速度を異ならせる複雑な制御が必要になる不具合がある。
本発明の目的は、凹版オフセット印刷による導電パターンの形成に際して、糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる導電ペーストと、三次元形状精度や位置精度に優れ、糸曳き現象の発生が高度に抑制された導電パターンを、簡易な工程により低コストで形成することができる導電パターンの製造方法と、を提供することにある。
また、本発明の導電パターンの製造方法では、前記導電パターンとして、線間隔P 1 のストライプパターン状の主電極ラインと、各前記主電極ラインの一方の端縁から連続し、前記基板の端縁に向かってかつ前記主電極ラインの幅方向の一方側に傾斜して延び、線間隔P 1 よりも小さい線間隔P 2 で配列された引き込みラインとを備えるパターンを形成することが好ましい。
それゆえ、本発明によれば、画素電極基板や駆動回路基板の導電パターンにおいて、短絡の発生を防止しつつ、その電気特性を向上させることができる。
導電性粉末は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、凹版オフセット印刷用導電ペーストを基板に印刷し、焼成することにより得られる導電パターンに対して、導電性を付与するものである。
導電性粉末の形状は、特に限定されないが、導電性粉末同士の接触面積を大きくして、導電ペーストから形成される導電パターンの電気抵抗をより一層低くするには、導電性粉末が球状であるよりも、鱗片状であるのが好ましい。また、導電ペーストや導電パターン中において、導電性粉末の充填を最密化させる観点より、鱗片状の導電性粉末と球状の導電性粉末とを混合して用いることも有効である。
なお、凹版オフセット印刷用導電ペースト中での導電性粉末の充填密度は、導電ペーストを焼成した時の体積変化を極力少なくし、かつ、導電パターン中での導電性粉末の含有割合をできる限り多くする観点より、導電ペーストの印刷特性を損なうことのない範囲において、できるだけ高くすることが望まれる。
ガラスフリットとしては、導電ペーストの焼成時に溶融して、導電性粉末と基板との密着に寄与するものであること以外は、特に限定されず、従来公知の種々のガラスフリットを用いることができる。具体的には、例えば、ホウケイ酸ガラスや、例えば、酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、酸化鉛、酸化ビスマスなどの金属酸化物を含有するガラスなどが挙げられ、これらガラスフリットは、単独で、または、2種以上を混合して用いられる。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中でのガラスフリットの含有割合は、導電ペースト中の他の成分の相対的な含有割合の変動に伴う、導電パターンの導電性、電気特性の低下、もしくは、導電パターンの機械的強度や基板との接着強度の低下といった不具合を生じたり、または、導電ペースト中でガラスフリットの相対的な含有割合が小さくなることに伴う、導電パターンと基板との接着強度の低下といった不具合を生じたりすることがない範囲で、適宜設定すればよい。
バインダ樹脂は、凹版オフセット印刷用導電ペーストの必須成分であって、導電性粉末を分散させるために配合され、焼成により分解または揮散して、除去される成分である。
凹版オフセット印刷用導電ペースト中でのバインダ樹脂の含有割合は、特に限定されず、導電性粉末の分散性、導電ペーストの印刷特性などにあわせて、適宜設定すればよい。
上記導電ペーストにおいて、溶媒は、バインダ樹脂に対する良溶媒と、バインダ樹脂に対する貧溶媒との混合溶媒であって、上記貧溶媒の含有割合が、上記混合溶媒の全量に対して、5〜40重量%であることを特徴としている。
一方、バインダ樹脂に対する貧溶媒とは、バインダ樹脂を全く溶解しないか、または、ほとんど溶解しない溶媒であって、これに限定されないが、例えば、好ましくは、20℃における溶媒100gに対するバインダ樹脂の溶解度が、5g/100g以下、より好ましくは、3g/100g以下の溶媒をいう。
例えば、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール、2−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、2−メチル−2−プロパノール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、2−メチル−1−ブタノール、2−メチル−2−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、2,2−ジメチル−1−プロパノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、ウンデカノール、ドデカノール、トリデカノール、テトラデカノール、ペンタデカノール、ステアリルアルコール、セリルアルコール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類。
例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピランなどのエーテル類。
例えば、ヘキサン、オクタン、デカンなどのアルカン類。
例えば、シクロペンタン、シクロヘキサンなどのシクロアルカン類。
例えば、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、クメン、(o−,m−,p−)キシレン、(o−,m−,p−)ジエチルベンゼン、(o−,m−,p−)シメンなどの芳香族炭化水素。
それゆえ、特に限定されないが、例えば、バインダ樹脂がポリエステル系樹脂である場合には、良溶媒として、例えば、多価アルコール類およびその誘導体などが挙げられ、なかでも、好ましくは、エチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルセロソルブ(R))、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(ブチルカルビトール(R))、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート(ブチルカルビトールアセテート,BCA)などが挙げられ、より好ましくは、BCAが挙げられる。
また、例えば、バインダ樹脂がアクリル系樹脂(溶解パラメータ(SP値)8程度)である場合には、良溶媒として、例えば、酢酸ブチル(SP値8.69)、メチルイソブチルケトン(SP値8.58)などが挙げられ、貧溶媒として、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル(SP値10.42)、メチルエチルケトン(SP値9.3)などが挙げられる。
良溶媒と貧溶媒との配合割合は、貧溶媒の含有割合が、良溶媒と貧溶媒との混合溶媒の全量に対して、5〜40重量%となるように、設定される。
また、凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは、5〜30Pa・sであり、より好ましくは、10〜20Pa・sである。凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度が、上記範囲を下回ると、導電ペーストからなる厚膜パターンの形成時において、凹版からブランケットへ転写された厚膜パターンや、ブランケットから基板へ転写された厚膜パターンが垂れ易くなるなど、その形状を保持することが困難になり、導電パターンの三次元形状精度の低下といった不具合を生じるおそれがある。逆に、凹版オフセット印刷用導電性ペーストの粘度が、上記範囲を上回ると、凹版の凹部に導電ペーストが供給されにくくなり(ドクタリング性が低下し)、導電パターンの三次元形状精度の低下、導電パターンの断線やピンホールの発生といった不具合を生じるおそれがある。
上記した各成分を攪拌、混合する際の処理条件は、特に限定されず、常法に従って処理すればよい。
充填剤としては、例えば、乾式シリカ(アエロジル)、炭酸カルシウム(CaCO3)、ハードクレー、炭酸マグネシウムなどが挙げられ、これら充填剤は、単独で、または、2種以上を混合して配合される。
上記した凹版オフセット印刷用導電ペーストによれば、凹部の深さが大きい凹版を用いて、凹版オフセット印刷により、パターンを印刷形成した場合であっても、凹版とブランケットとの間で導電ペーストの糸曳き現象の発生を高度に抑制することができる。
本発明の導電パターンの製造方法は、導電ペーストを、凹版からブランケットの表面に転写し、さらに、上記ブランケットから基板の表面に転写して、上記基板上に前記導電ペーストからなるパターンを形成する導電パターンの製造方法において、上記ブランケットが、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットであり、上記導電ペーストが、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストであることを特徴としている。
ブランケットの表面層を形成するためのシリコーンゴムとしては、これに限定されないが、未硬化時(表面層の形成時)に液状またはペースト状であるシリコーンゴムが好ましい。このようなシリコーンゴムを用いて、表面層を形成することにより、表面層の硬化時に、セルフレベリング硬化による平滑化を図ることができる。それゆえ、未硬化時に液状またはペースト状であるシリコーンゴムは、高精度の導電パターンの形成に好適な、表面粗さが極めて小さいシリコーンブランケットを得る上で、有利である。
本発明の導電パターンの製造方法において、上記本発明の凹版オフセット印刷用導電ペーストを用いて、凹版オフセット印刷により、上記導電ペーストからなる厚膜パターンを基板上に印刷形成する際の印刷条件は、特に限定されず、常法に従って、適宜設定することができる。
また、凹版からブランケットへの転写速度や、ブランケットから基板への転写速度は、特に限定されず、例えば、凹版の凹部の線幅および深さ、ブランケットの表面層形成材料の種類、基板の種類、導電ペーストの物性、導電パターンに要求される線幅や三次元形状精度などの諸条件を考慮しつつ、常法に従って、適宜設定することができる。
焼成により得られる導電パターンの厚みは、導電パターンの用途に応じて設定されることから、特に限定されないが、通常、3〜15μm、好ましくは、5〜10μmの範囲で設定される。焼成後の厚みが上記範囲を下回る導電パターンは、断線が発生し易く、また、導電パターンの導電性も十分でなくなるおそれがある。逆に、焼成後の厚みが上記範囲を上回ると、導電パターン表面の平坦性が低下したりするおそれがある。
下記の実施例および比較例で使用した各種成分は、次のとおりである。
・ポリエステル樹脂:分岐型飽和ポリエステル樹脂、重量平均分子量(GPC測定、標準ポリスチレン換算)24000、数平均分子量(GPC測定、標準ポリスチレン換算)10000、加熱残分37.8%、品名「エスペル9940C−37」、日立化成工業(株)製。
・銀粉末:還元粉(球状銀粉)、50%平均粒径2〜3μm、比表面積0.7〜1.3m2/g、見かけ密度2.50〜3.50g/cm3、品名「シルコートAgC−156I、福田金属箔粉工業(株)製。
・ガラスフリット:ホウケイ酸系ガラス、主成分(SiO2・B2O3・R2O(R=Li,Na,K))、中心粒径(D50、レーザ回折法)1.5μm、品名「ASF1895」、旭硝子(株)製。
・良溶媒:ブチルカルビトールアセテート(BCA,ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート)
・貧溶媒:トルエン
実施例1
ポリエステル樹脂100重量部に対し、銀粉1500重量部、ガラスフリット100重量部、良溶媒100重量部および貧溶媒10重量部を配合し、3本ロールで混合、分散して、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、9.09重量%であった。
導電パターン(厚膜パターン)10としては、ストライプパターン状の主電極ライン11(線幅(T1)150μm、膜厚6μm、線間隔(P1)180μm)と、各上記主電極ライン11の一方の端縁から連続し、基板12の端縁に向かってかつ上記主電極ライン11の幅方向13の一方側に傾斜して延びる引き込みライン14(線幅(T2)50μm、膜厚4μm、線間隔(P2)90μm)とを備えるパターンを採用した(図1参照)。
基板12上に印刷された導電パターン(厚膜パターン)10の光学顕微鏡による拡大写真を、図1に示す。
貧溶媒の配合量を、5重量部としたこと以外は、実施例1と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、4.8重量%であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン(厚膜パターン)を印刷した。
貧溶媒の配合量を、40重量部としたこと以外は、実施例1と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、28.6重量%であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン(厚膜パターン)を印刷した。
貧溶媒を配合しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、0重量%であった。
次いで、こうして得られた銀ペーストを用いたこと以外は、実施例1と同様にして、凹版オフセット印刷により、基板上に導電パターン(厚膜パターン)を印刷した。
比較例2
貧溶媒の配合量を、50重量部としたこと以外は、実施例1と同様にして、銀ペーストを得た。この銀ペーストにおいて、良溶媒と貧溶媒とからなる混合溶媒中での貧溶媒の含有割合は、33.3重量%であった。
印刷結果の評価
上記実施例および比較例で得られた導電パターン(厚膜パターン)10を、それぞれ、光学顕微鏡による拡大写真で観察して、導電パターン(厚膜パターン)10の周囲におけるヒゲ状欠陥の有無を確認し、下記の基準で評価した。
◎:ヒゲ状欠陥が全く観察されず、三次元形状精度や位置精度が極めて良好な導電パターン(厚膜パターン)が形成されていた。
○:微細なヒゲ状欠陥がわずかに観察されたものの、三次元形状精度や位置精度が良好な導電パターン(厚膜パターン)が形成されていた。
△:ヒゲ状欠陥が観察され、かつ、導電パターン(厚膜パターン)の三次元形状精度や位置精度が、実用上不十分であった。
×:ヒゲ状欠陥が顕著に観察され、導電パターン(厚膜パターン)同士の短絡のおそれがあった。また、導電パターン(厚膜パターン)の三次元形状精度や位置精度が劣っていた。
Claims (2)
- 導電ペーストを、凹版からブランケットの表面に転写し、さらに、前記ブランケットから基板の表面に転写して、前記基板上に前記導電ペーストからなるパターンを形成し、焼成により、3〜15μmの厚みを有する導電パターンを製造する方法において、
前記ブランケットが、表面層がシリコーンゴムからなるシリコーンブランケットであり、
前記導電ペーストが、導電性粉末と、ガラスフリットと、バインダ樹脂と、溶媒とを含有し、前記溶媒が、前記バインダ樹脂の良溶媒と貧溶媒との混合溶媒であり、前記貧溶媒の含有割合が、前記混合溶媒の全量に対して、5〜40重量%であることを特徴とする、導電パターンの製造方法。 - 前記導電パターンとして、
線間隔P 1 のストライプパターン状の主電極ラインと、
各前記主電極ラインの一方の端縁から連続し、前記基板の端縁に向かってかつ前記主電極ラインの幅方向の一方側に傾斜して延び、線間隔P 1 よりも小さい線間隔P 2 で配列された引き込みラインと
を備えるパターンを形成することを特徴とする、請求項1に記載の導電パターンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006073171A JP4828269B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 導電パターンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006073171A JP4828269B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 導電パターンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007250892A JP2007250892A (ja) | 2007-09-27 |
JP4828269B2 true JP4828269B2 (ja) | 2011-11-30 |
Family
ID=38594854
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006073171A Expired - Fee Related JP4828269B2 (ja) | 2006-03-16 | 2006-03-16 | 導電パターンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4828269B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100925111B1 (ko) | 2007-12-28 | 2009-11-05 | 주식회사 두산 | 오프셋 인쇄용 전도성 페이스트 및 이의 이용 |
KR100978099B1 (ko) | 2008-02-18 | 2010-08-27 | 주식회사 에프피 | 그라비어 프린팅용 전도성 페이스트 조성물 |
JP2009245844A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 導電性ペースト |
KR101133466B1 (ko) * | 2008-09-08 | 2012-04-09 | 주식회사 에프피 | 태양전지용 저온 건조형 전극 페이스트 조성물 및 이를 이용한 인쇄방법 |
JP2010159350A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | インキ組成物およびそれを用いた凹版オフセット印刷法 |
WO2010117224A2 (ko) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | 주식회사 엘지화학 | 인쇄 페이스트 조성물 및 이로 형성된 전극 |
JPWO2012111480A1 (ja) * | 2011-02-16 | 2014-07-03 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト及び太陽電池 |
US20140184958A1 (en) * | 2011-09-27 | 2014-07-03 | Lg Chem, Ltd. | Cliche for offset-printing and method for manufacturing same |
WO2014020862A1 (ja) * | 2012-08-01 | 2014-02-06 | 凸版印刷株式会社 | グラビアオフセット印刷用凹版および印刷配線基材 |
TWI563669B (en) * | 2014-08-04 | 2016-12-21 | Innolux Corp | Thin film transistor and display panel using the same |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2943362B2 (ja) * | 1990-04-12 | 1999-08-30 | 松下電器産業株式会社 | 導電性インキならびに導電性厚膜パターンの形成方法 |
JP3345892B2 (ja) * | 1991-03-22 | 2002-11-18 | 大研化学工業株式会社 | 顔料を含むペーストおよび非平面厚膜印刷法 |
JPH10109471A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-04-28 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 凹版オフセット印刷方法 |
JP2001250422A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 凹版印刷用導電性ペースト |
JP4385603B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2009-12-16 | 株式会社村田製作所 | グラビア印刷用導電性インク、及び積層セラミック電子部品 |
-
2006
- 2006-03-16 JP JP2006073171A patent/JP4828269B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007250892A (ja) | 2007-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4828269B2 (ja) | 導電パターンの製造方法 | |
JP2011503240A (ja) | オフセット印刷用電極組成物及びそれによる電極製造方法、並びにそれらを用いたプラズマディスプレイパネル | |
JP2010055807A (ja) | 導電性ペーストとそれを用いた導電機能部材の製造方法 | |
CN104769044A (zh) | 导电性糊剂组合物 | |
KR20020060098A (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널용 전극기판 및 그 제조방법 | |
JP4327975B2 (ja) | 導体インキ | |
JP2005290153A (ja) | プラズマディスプレイパネルの電極形成用インキおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネルの電極基板の製造方法 | |
JP2010113912A (ja) | 高温焼成型銀ペーストとそれを用いた電磁波シールド | |
JP5403717B2 (ja) | 印刷ペースト組成物及びそれにより形成された電極 | |
JP4410513B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用電極パターンの印刷方法 | |
JP2005263859A (ja) | 導電性インキペースト | |
JP2009245844A (ja) | 導電性ペースト | |
JP2005158295A (ja) | プラズマディスプレイパネルの電極形成用インキおよびそれを用いたプラズマディスプレイパネルの電極基板の製造方法 | |
JP4373133B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用前面板の製造方法 | |
JP2010159350A (ja) | インキ組成物およびそれを用いた凹版オフセット印刷法 | |
JP2011034890A (ja) | 導電性ペーストとそれを用いた導電機能部材の製造方法 | |
JP4909179B2 (ja) | 凹版オフセット印刷用導電ペーストとそれを用いた電極基板の製造方法 | |
JP4481635B2 (ja) | プラズマディスプレイパネル用電極基板の製造方法およびそれに用いる印刷用ブランケット | |
JP2005149987A (ja) | プラズマディスプレイパネル用前面電極およびその製造方法 | |
JP5137459B2 (ja) | 黒色導電性ペーストおよびプラズマディスプレイパネル | |
JP2004335226A (ja) | プラズマディスプレイパネル用前面電極およびその製造方法 | |
JP2009245843A (ja) | 導電ペーストとそれを用いた電極基板の製造方法 | |
JP2010198771A (ja) | 導電性ペースト | |
JP5135818B2 (ja) | 印刷用インキ組成物及びその製造方法並びに該組成物を用いたプラズマディスプレイパネル用電極の形成方法及びその電極 | |
JP5290848B2 (ja) | 凹版オフセット印刷用導電性ペースト |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090206 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110914 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |