TW201240057A - Wafer-level electromagnetic interference shielding structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

201240057 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 €磁防遵結構及其製造方法。 【先前技術】 ^ir^frrshie,din8st~e)^^^ 主要由基板單:;:：電：現象發生’構造上 . 龟千电路早兀、金屬防護單元、電性、由 廣泛的二=二t電磁防護結構的電子電路元件能约 機、許奎、：:樣的產品當中’舉凡筆記型電腦、手 相框 i所ϊί度：厚’其與現下電子產品走向輕薄短小二趨勢 纤構，ί二此’致力於研發輕薄化及微型化的電磁防護 、’、° ，為虽刎電磁防護結構研發改良的首要目的。 【發明内容】 本發明實施例在於提供一種具有電磁防護功效的晶圓 級電磁防護結構及其製造方法。 本發明實施例提供一種晶圓級電磁防護結構，其包括 :二晶圓及一電磁防護單元。晶圓的頂面具有一外露線 路單元\並且外露線路單元的表面上具有多個導體。電 ，防善單元具有—圍繞且置於晶圓％周圍表面上的 第一電磁防護層及一覆蓋於晶圓底面的第二防護層。第 電兹防屢層與第一電磁防護層相互連接，並且使得兩 4/11 201240057 者彼此形成電性連接。 綜上所述，本發明實施例 。 構具有電磁防護結構微型化的 ’、、阳圓級電磁防護結 方法，並且利用第-電:防護C第，:晶圓級的製程 置於晶圓的周圍表面卜芬 弟一电磁防護層分別設 使得晶圓及外露線路單开tb Η 以構成電磁防護單元， 為使能更進-步瞭解有防止電磁干擾的效果。 閱以下有關本發明切心2之特徵及技術内容，請參 附圖式僅制來說明本發明/、_ ’但是此等說明與所 任何的限制。 χ ㈣對本發明的權利範圍作 【貫施方式】 請參閱圖1所示，甘& I々 之其中-實施例的本發明的晶圓級電磁防護結構 .偏Μ 6 _。根據本發明晶圓級電磁防 曼、，構的其中-貫施例 ^ 元2及-電磁防護單元/。、 日日01、—外露線路單 0 a 1&#(δίΗ"〇η ^ SUbStrate)## 單元^二 面具有外露線路#2,，且外露線路 其它面上具有多個導體4。另外，導體4可為踢球或 1 ΐ凸塊(例如金屬凸塊）’使其兼具良好的導電性。外 、"單元2可為積體電路(Integrated circuit)的外露總败 但不限定。 崎， 電磁防護單元3是由兩個電磁防護層所構成 為第—p -、刀別 t磁防墁層31及第二電磁防護層32。第一電 層3 1却· 32 α 丨々σ5： 31 置方；阳圓〗的周圍表面上，亦即，第一電磁防護層 圍繞著晶圓1的側表面。第二電磁防護層32覆蓋 ^ 1 ik. jz. ^ BB IB] 、氐面上，且連接第一電磁防護層3〗。也就是說，第二 5/1 ί 201240057 電磁防護層32與第一電磁防護層31不在同一個平面上， 而是互呈九十度角㈣細係。糾，第—電雜護層Μ 與第二電猶護層32彼此相互連接，使得兩者彼此形成電 ，連接。再者，第-電磁防護層31可為一金屬賤鑛層，发 中又以銅質為最佳。而第二電磁防護層3質 所形成’其中切崎胃輕麵擇。 右欲喊良好的電磁屏蔽作用，則整體 性。因此，電磁防護單元3需要與晶圓1的接^ 、電|±連接。上述接地部位設置於晶圓i的側面， m圍表面。換句話說，當第—電磁帽31與晶圓 遠接面接’即形成電性連接_。透過上述的電性 果。^ ’使得電磁防護單元3可發揮最佳的電磁屏蔽效 請參閱圖2A至圖7r & - ^ 實施例的第一、二所不，其分別為本發明之其中， —、四、五、六及七步驟製作方法{ 剖：示意圖。根據本發明晶圓級電磁防護 ’其包括步驟： ,驟(請參閱圖2A)，首先，提供一晶圓基材1， ^…日圓基材1白勺頂面具有多個外露線路單元2。， 基材1，的頂面亦可只設置至少一個外露線路」 ㈣崎㈣編4爾不同的1 第二步驟(請參關2Β)，形成多條凹槽u於晶圓基材 的頁面/、中每一條凹槽u位於兩個外露線路單元2 f間。也就是說’形式料雜 上則凹槽11將呈棋盤狀縱橫交錯設置於晶 6/11 201240057 圓基材Γ上(請參閱圖3所示，其為圖2B的上視圖，有助 於更為了解本步驟的凹槽η配置方式）。當然，形成於晶圓 基材Γ頂面的凹槽11亦可為至少一條。因此，本發明凹 槽11的數量可隨著不同的設計需求來決定。 第三步驟(請參閱圖2C)，成形一第一導電材31’於凹 槽11内。亦即，將第一導電材31’填入所有的凹槽11之 中。 第四步驟(請參閱圖2D)，在每一個外露線路單元2的 表面上形成多個導體4,並且導體分別電性連接於外露線路 單元2。其中，上述提及之導體4可為錫球或或其它導電凸 塊(例如金屬凸塊）。 第五步驟(請參閱圖2Ε)，移除晶圓基材Γ的底面，以 形成多個晶圓1且使得第一導電材31’的底面裸露出，其 中晶圓1彼此分離一預定距離且分別對應於外露線路單元2 。上述晶圓基材Γ的底面的移除方式可為研磨。也可以說 ，透過研磨的方式，使得晶圓基材Γ的厚度變薄，進而使 得第一導電材31’的底面裸露出。因此，晶圓基材Γ被 第一導電材31’區隔出與外露線路單元2相等數量的多個 區域，其中每一區域即為各自獨立的晶圓1。 第六步驟(請參閱圖2F)，將一第二導電材32’同時覆 蓋於每一晶圓1的底面上及第一導電材31’的底面上。其 中第二導電材32’可透過濺鍍或其他的方式成形。 第七步驟(請參閱圖2G)，沿著每一條凹槽11切割第一 導電材31’及第二導電材32’以形成多個晶圓級電磁防護 結構。到此階段，即完成本發明的晶圓級電磁防護結構。 透過上述的切割步驟，第一導電材31’被切割成多個 7/11 201240057 第一電磁防護層31，第二 磁防護層32。其中第一雷 I 破切割成多個第二電 32構成多_以防止外料^4層31與第：電磁防護層 干擾作用的電磁防護單1早兀與外部環境產生電磁 圓1的接地部二直電磁防護單元3與晶 發明中，各個元件的材質選^電性連接。關於本 的純銅或鋼合金，但不限定，濟效應及導體特性 質的金屬材料。因此，第他具有良好傳導性 護層32可為銅質金屬材料所形成°。層3ί及第二電磁防 請參閱圖4所示，其為本發明 … 製造方法之各步驟流程示意圖 W電磁防護結構的 本發明其中-實施例的第一步驟至第七 更為了解本發明之整體製造方法流程。V透過圖4可 〔實施例的可能功效〕 根據本發明實施例，上述 _你方法，使得電心 亚且利用第一電磁防護層及第二電磁防1展、果 圓的周圍表面上及底面上，以構 °建層'刀別设置於 圓及外露線路單元皆個別具有電^ =早几’使得 。 ^吸止寬磁干擾的屏蔽效果 以上所述僅為本發明之實施例，J：並非 明之專利範圍。 /、 用 【圖式簡單說明】 圖1為本發明晶圓級電磁防護結構的其中 示意圖。 圖2A為本發明晶圓級電磁防護結構的其中— S曰

QB

曰B 以偈限本發 實施例之剖面 實施例之第 8/11 201240057 一步驟剖面示意圖。 圖2B為本發明晶圓級電磁防護結構的其中一貫施例之苐 二步驟剖面示意圖。 圖2C為本發明晶圓級電磁防護結構的其中一實施例之第 三步驟剖面示意圖。 圖2D為本發明晶圓級電磁防護結構的其中一實施例之第 四步驟剖面示意圖。 圖2E為本發明晶圓級電磁防護結構的其中一實施例之第 五步驟剖面示意圖。 圖2F為本發明晶圓級電磁防護結構的其中一實施例之第 六步驟剖面示意圖。 圖2G為本發明晶圓級電磁防護結構的其中一實施例之第 七步驟剖面示意圖。 圖3為圖2B的上視平面示意圖。 圖4為本發明晶圓級電磁防護結構的製造方法之各步驟流 程示意圖。 【主要元件符號說明】 1晶圓 Γ晶圓基材 2 外露線路單元 3電磁防護早元 31第一電磁防護層 31’第一導電材 32 第二電磁防護層 32’第二導電材 4導體 9/11

Claims (1)

1. 201240057 申請專利範圍 f晶圓級電磁防護結構，其包括: 七 晶 圓 元的表面= 元’且該外露線路單 一電磁防護單元，1罝 磁防護層，ψ第〜怎 電磁防護層及-第二電 周圍表面上二電;防護層圍繞且設置於該晶圓的 且連接該第一電磁防護層。 曰曰®的底面 2. 如申請專利範圍第】 _該晶圓為矽晶^，兮^之33圓級電磁防護結構，其 3. 如申請專利範圍第/:⑯可為錫球或金屬凸塊。 中該第-電磁防心3之晶圓級電磁防護結構，其 金屬濺鑛層。為金屬材質’該第二電磁防護層為 4. ::晶圓級電磁防護結構的製造方 知供一晶圓基材，其中該曰 、匕括步知. 線路單元； 、χ日日土 、頂面具有多個外露 形成多條凹槽於該晶圓基材的頂面，其 於兩個外露線路單元之間； .條凹心位 成形—第—導電材於該些凹槽内； 二7!=路單元的表面上形成多個導體； 導電材的底面裸露出，並中該此 ·°亥第- 距離且分別對應於該些㈣線彼此》離一預定 卜ΐ二導電材同時覆蓋於該些晶圓的底面上及兮第 -導電材的底面上；以及 ㈤上及。亥第 沿著該些凹㈣割該第-導電材及該第二導電材，以形 10/11 201240057 成多個晶圓級電磁防護結構。 5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中該第二導電材透過濺鍍方式成形。 6. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中該晶圓基材的底面的移除方式為研磨。 7. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中該些導體為錫球或金屬凸塊。 8. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中上述切割步驟中，該第一導電材被切割成多 個弟一電磁防護層，該弟二導電材被切割成多個第二電磁防 護層。 9. 如申請專利範圍第8項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中每一個晶圓級電磁防護結構包括有： 一晶圓，其頂面具有一外露線路單元，且該外露線路單 元的表面上具有多個導體；以及 一電磁防護單元，其具有一第一電磁防護層及一第二電 磁防護層，該第一電磁防護層圍繞且設置於該晶圓的 周圍表面上，該第二電磁防護層覆蓋於該晶圓的底面 且連結該第一電磁防護層。 10. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中該第一電磁防護層及該第二電磁防護層為 金屬材料所形成。 11. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓級電磁防護結構的製 造方法，其中該第一電磁防護層與該第二電磁防護層構 成一用以防止該晶圓與外部環境產生電磁干擾作用的電 磁防護單元。 11/11