TW201235405A - Infrared-reflecting substrate - Google Patents

Description

201235405 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用以$成顯示紅外線反射性能之透 明膜之塗佈劑、使用其形成之紅外線反射膜、及含有該膜 之紅外線反射基體。 【先前技術】 紅外線係指波長長於紅色光且波長短於毫米波長之電 波的電磁波，其波長大致分佈於0 7/zm〜lmm之範圍◊根 據波長長度，區分為近紅外線、中紅外線、遠紅外線。眾 所周知，藉由使對象物吸收波長較長之中紅外線或遠紅外 線，可使對象物之溫度上升。 先前，利用該紅外線之性質，藉由將使紅外線反射之 薄膜設置於對象物表面而抑制對象物溫度上升或防止通過 對象物的熱擴散》 此種紅外線反射薄膜已知有由金、銀等金屬構成之薄 膜，但由於該等金屬薄膜不透明，故而存在例如無法應用 於έι玻璃專透明基材之表面之缺點。 透明之紅外線反射薄膜可使用由銦錫氧化物（ΙΤ〇 )等 金屬氧化物構成之透明薄膜，但由於薄膜形成時使用濺鍍 法或真空蒸鍍法，故而存在需要價格昂責之設備及高溫設 定之缺點。 因此’代替金屬氧化物之紅外線反射材料揭示有使用 導電性有機高分子材料（參照專利文獻1及2 )。 於專利文獻1中記載有使用聚苯胺作為遮熱層之導電 201235405 性聚合物的透明遮熱膜，但對於紅外線反射率未作具體揭 示。於實施例中，遮熱層之膜厚於2〜15//m之範圍，形成 較厚之膜。又，揭示有可見光透過率相對較低’最大為68%。 於專利文獻2中記載有使用聚噻吩作為導電性聚合物 之透明光學功能層於近紅外線區域顯示良好之反射特性。 然而，關於實施例1之由原位聚噻吩構成之層，記載有玻 璃基材上之透明度僅為50%，關於實施例2之由聚噻吩/ 聚苯乙烯磺酸構成之層，並未記載聚合物本身之導電率， 僅記載有層之導電率僅為〇.1S/cme又，於該實施例中， 波長20〇〇nm時之紅外線反射率為相對較低，為16 2%。於 實施例6及7中形成有！ # m左右之層，推定為透明度極低 者。.

[專利文獻1]日本特開2005 — 288867號公報 [專利文獻2]日本特表2007— 529094號公報 【發明内容】 於專利文獻1及.2記載之發明中，尚未實現於較薄之 膜厚同時具有較高透明性與優異紅外線反射性能的紅外線 反射膜6 ' '* …· ·- - 本發明係鑒於上述現狀而提供：可藉由塗佈於基材表 面而簡易地形成紅外線反射膜’用以形成以較薄之膜厚顯 不較高之光線透過性能並且顯示優異之紅外線反射性能之 膜的塗佈劑；使用其形成之紅外線反射膜；及含有該膜之 紅外線反射基體。 本發明人等進行潛心研究，結果發現，藉由選擇顯示 201235405 較高導電率之聚（3,4 一雙取代噻吩）與聚陰離子之複合體 作為導電性聚合物’並較薄地塗佈該複合體，可解決上述 問題，從而完成本發明。 即’本發明係關於一種含有π共軛系導電性聚合物之 紅外線反射膜形成用塗佈劑，且亦關於一種使用上述塗佈 劑形成之紅外線反射膜《上述紅外線反射膜形成用塗佈劑 較佳為進而含有黏合劑及/或抗氧化劑。 進而，本發明係關於一種紅外線反射基體，其含有透 明基材、及對上述透明基材塗佈含聚（3,4_雙取代嗟吩） 與聚陰離子之複合體之塗佈劑而形成的紅外線反射層，且 顯示60%以上之總透光率。 上述複合體較佳為顯示0.15 (S/zcm)以上之導電率， 又’上述紅外線反射層較佳為膜厚在〇 5〇 # m以下。 紅外線反射基體所顯示之總透光率較佳為7〇%以上， 更佳為80%以上。 關於紅外線反射基體所顯示之紅外線反射率，利用5。 正反射以蒸鍍有鋁之平面鏡作為參考而測得之反射率之值 於波長3_nm日寺較佳為15%以上，更佳為2〇%以上，進而 較佳為26%以上，最佳為3〇%以上。 上述塗佈劑較佳為進一步含有黏合劑及/或抗氧化 L發明之效果] 根據本發明，可提供—種可藉由塗佈於基材表面而簡 易地製造’透明性極高’且具有優異之紅外線反射性能之 201235405 紅外線反射基體。並且，本發明之紅外線反射基體於紅外 線反射層對透明基材之密接性方面亦優異。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。 本發明之紅外線反射膜形成用塗佈劑含有7Γ共輕系導 電性聚合物作為必需成分。 本發明中所使用之π共軛系導電性聚合物為具有π共 輥系結構且顯示導電性之高分子材料。具體而言可列舉： 聚噻吩 '聚苯胺、聚吡咯、聚對亞苯基（p〇lyparaphenylene )、 聚對亞苯基乙烯基（p〇lyparaphenylene vinylene)、該等之 衍生物等。 其中，就高紅外線反射特性與化學穩定性之觀點而 言，可較佳地使用由聚噻吩與摻雜劑之複合體構成之聚噻 吩系導電性聚合物。更詳細而言，聚嗟吩系導電性聚合物 為由聚（3,4一雙取代噻吩）與摻雜劑構成之複合體。 聚（3,4—雙取代噻吩）較佳為由以下之式（i R1〇、 OR2 ⑴ 表示之重複結構單元構成的陽離子形態之聚嗟吩。咳 陽離子形態之聚嘆吩，係指為了成為與作為摻雜劑之心 離子之複合體，而藉由自聚嗜吩之—部分奪走電子，使一 部分成為陽離子形態之聚噻吩。 201235405 式（υ中，尺丨及R2相互獨立，表示氫原子或cv4之 烷基，或表示Rl與R2鍵結而形成環狀結構的經取代或未經 取代之C^4之伸烷基。上述Cl— 4之烷基例如可列舉：甲基、 土丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級 丁基等。：R1與R2鍵結而形成環狀結構的經取代或未經取代 之- *之伸烷基，例如可列舉：亞甲基、}，2 —伸乙基、1J —伸丙基、M-伸丁基、卜甲基-1，2-伸乙基、卜乙基 一 ^一伸乙基、1一甲基—1，3—伸丙基、2—甲基一1，3—伸 ，基等。可具有Cl_4之伸烷基之取代基可列舉鹵基或苯基 等。較佳之c,-4之伸炫基可列舉亞甲基、i，2—伸乙基、u -伸丙基’尤佳為伸乙基。具有上述伸烷基之聚噻吩， 尤佳為聚（3,4 —伸乙基二氧噻吩）（p〇iy ( 3,4 — ethylenedi〇xythi〇phene))。 構成4噻吩系導電性聚合物之摻雜劑較佳為可藉由與 上述聚嘆吩成為離子對而形成複合體，使聚嗟吩穩定地分 散於水中之陰離子形態之聚合物，即聚陰離子。此種捧雜 劑例如可列舉.羧酸聚合物类員（例如，聚丙烯酸、聚順丁 烯一酸、聚甲基丙烯酸等）、磺酸聚合物類（例如，聚苯乙 稀續酸1乙烯項酸等）等。該等羧酸聚合物類及續酸聚 合物類亦可為乙烯羧酸類及乙烯磺酸類與其他可聚合之單 體類（例如’丙烯酸自旨類、|乙烯等）之共聚物。其中， 尤佳為聚笨乙稀績酸。 上述聚苯乙烯磺酸較佳為重量平均分子量大於2〇〇〇〇 為〇〇〇〇〇以下。更佳為40000〜200000。若使用分子量 201235405 為此範圍外之聚苯己、说 乙婦續i，則存在聚噻吩系導電性聚入 物對於水之分散穩定性降极夕降 % ^^^ 舌旦巾、 降低之情況。再者，上述聚合物之 重里平均为子量係利用 』用凝膠滲透層析法（GPC)測定之傕。 測定係使用Waters公司製 值 J 氣 k 之 ultrahydrogel 500column。 聚噻吩系導電性聚人私j , 口物可藉由使用氧化劑之水中 化聚合而獲得。於該氧 ϋβ中使用2種氧化劑（第—氧 化劑及弟二氧化劑）。較佳 第 氧化劑例如可列舉：過轰 二硫酸、過氧二硫酸鈉、過羞_ , 迺氧一硫&鉀、過氧二硫酸録、 過氧化氫、過鏟酸鉀、會枚納加 室鉻齩鉀、過硼酸鹼鹽、銅鹽等。 於該等第一氧化劑中，悬枯或、a容 為過氧一硫酸鋼、過氧二硫酸 鉀、過氧二硫酸銨、及過氧_ 軋—爪馱。上述第一氧化劑之使 用篁相對於所使用之噻吩翻i M >从从 、 丞％頰早體較佳為1.5〜3.0mol當量， 進而較佳為2.0〜2.6mol當量。 較佳之第·一氧化劑，較伟I、；細Θ 叫衩佳為以觸媒量添加金屬離子（例 如’鐵、録、錄、鉬、鈒之齙；、。甘士 4離子）。其中，鐵離子最有效。 金屬離子之添加量相對於所傕用空 叮便用之噻吩類單體較佳為0.005 〜O.lmol當量，進而較佳為〇 〇1〜〇 〇5m〇i當量。 '於本氧化聚合中使用水竹Α β.庙 阳不作為反應溶劑。.際水以外，-亦 可添加曱醇、乙醇、2 —丙醇、i—雨酸楚 好I丙醇等醇，或丙酮、乙 腈等水溶性溶劑。藉由以上之氡化铲人 乳化V合’可獲得導電性聚 合物之水分散體。 為了使所形成之薄膜發揮優異之紅外線反射特性，本 發明中所使用之π共軛系導電性聚合物與通常之導電膜用 途中所使用之導電性聚合物相比，必需顯示較高之導電 8 201235405 性。具體而言’必需使用顯示〇·丨5 ( S/ cm )以上之導電率 之π共軛系導電性聚合物。若導電率未達0.15 ( S/cm)， 則無法形成顯示優異之紅外線反射特性之薄膜。較佳為〇 2 〇 (S/ cm )以上，更佳為0.25 ( S/ cm )以上，進而較佳為 〇·3〇 ( S/Cm)以上。 導電率為0，15 ( S/ cm)以上之π共軛系導電性聚合物 例如可藉由適當選擇聚合條件或分子量而容易地製作。例 如’藉由使分子量增大，可獲得如上所述般顯示較高導電 性的π共軛系導電性聚合物。又，尤其是於π共軛系導電 性聚合物由聚（3,4一雙取代噻吩）與聚陰離子之複合體構 成之情形時，藉由使製造時之聚合系所顯示之pH值最佳 化，可獲得顯示較高導電性之π共軛系導電性聚合物。又， 顯示較高導電性之π共軛系導電性聚合物有市售，於本發 明中亦可使用市售品。 再者，本發明中之所謂導電性聚合物之導電率係於基 材上形成由該導電性聚合物構成之導電層後，測定該導電 層所顯示之膜厚與表面電阻率，根據下述式算出。 導電率（S/cm) =1/{表面電阻率⑶/口）χ膜厚 (cm) } 本發明之塗佈劑較佳為除π共，系導電性聚合物以外 亦進而含有溶劑及/或分散介質。藉此，電塗佈劑之 黏度而變得容易塗佈於基材。溶劑或分散介質，只要為可 使兀餘系導電性聚合物及其他任意成分溶解或分 則無特別限定。 201235405 於塗佈劑為水系 外，亦可併用混和=形、!，溶劑可僅為水，但除水以 特別限制，例如可列舉：t劑。混和於水中之溶劑並無 等醇類；乙二醇單？舳 醇' 乙醇、2-丙醇、1-丙醇 早乙醚乙酸酯、二-0 二乙二醇單丁醚乙 —一早乙醚乙酸酯、 丙二醇、三丙二醇乙二醇趟乙酸賴類；丙二醇、二 乙趟、二丙二醇單W、 0甲鱗、丙二醇單 二丙二醇二甲醚、丙—醇早乙醚、丙二醇二甲醚、 醇驗類；丙二醇單甲:乙_、二丙二醇二乙峻等丙二 开早甲醚乙酸酯、_ 。 丙二醇單甲趟乙酸醋、—早乙喊乙酸醋、二 乙_;二甲基乙醯 广…丙-醇趟 於泠此A丨 鋼、乙腈及該等之混和物等。 於塗佈劑為有機溶劑车 和t溶#1 I 、障形時’除上述作為與水混 和之冷劑而列舉之溶劑以. 乙酸乙醋、乙酸丁 m乙其使用甲本、二甲苯、苯、 ^ 子基乙基酮、甲基異丁基酮、二乙 趟、一異丙峻、甲其r：纽·T~*i, v ^基―級丁醚、己烷、庚烷等。於上述溶 劑或分散介質令，尤佳為甲醇、乙醇、2-丙醇。再者，將 塗佈劑之各成分完全溶解之情形稱為「溶劑」，將某些成分 未溶解而分散之情形稱為「分散介質」。..... 八要為均勻之溶液或分散液，則塗佈劑之固形物成分 濃度並無特別限定，但於塗佈時較佳為約0.01〜50重量％ 左右。更佳為1〜20重量％。若於此範圍内，則可較容易地 實施塗佈。然而，於塗佈劑之銷售或搬運時亦可為更高濃 度，於此情形時，只要於使用時添加溶劑及/或分散介質 而適當稀釋即可。 10 201235405 於本發明之塗佈劑中可進而視需要適當添加黏合劑、 導電性提高劑、界面活性劑（表面調整劑）、調平劑、消泡 劑、流變控制劑、密接性賦予劑、抗氧化劑、中和劑等。 上述黏合劑較佳為尤其是於使用樹脂膜作為基材之情 形時，用以提高薄膜與基材之密接性且形成均質之薄膜。 可用於本發明之黏合劑並無特別限 前於將導電性聚合物塗敷於基材上時所使用之==

體而言可列舉：絲基残類、3—環氧丙氧基丙基三^氧 基石夕燒、聚越改質聚二甲基石夕氧烧、聚M 烷偶合劑；作為樹脂黏合劑的聚對笨二甲酸乙二酯、聚對 苯二甲酸丙二g旨（Polytrimethylene ⑷聚對苯 二甲酸丁二醋、聚萘二甲酸乙二醋、聚萘二甲酸丁二醋等 聚醋樹脂’聚丙烯酸醋、聚甲基丙烯酸酷、聚胺醋 (㈣咖bane)、聚乙酸乙職、聚偏二氯乙稀、聚酿胺、 :醯亞胺#;使苯乙烯、偏二氣乙烯、氯乙埽、丙稀酸烧 基醋、甲基丙晞酸炫基醋等單體共聚合而獲得之共聚物 等。該等黏合劑可單獨使用，亦可…種以上。於基材 為PET膜之情形時，較佳為使用聚㈣脂作為|έ合劑。 於摻合上述黏合劑之情形時，其推合量相對於上述冗 、桃系導電性聚合⑯100質量份為（Μ質量份〜質量 重量份。若未達2。質量份，則無法達 200二:，5之目的，即與基材之充分之密接性。若超過 之紅外Γ反射n生合劑之比例變得過高，因此無法達成優異 201235405 上述導電性提高劑係以提高薄膜之紅外線反射特性為 目的而添加’胃溥膜係塗佈本發明之塗佈劑而形成。導電 I1生提冋劑並無特別限定，例如可列舉以下化合物： 異佛酮、碳酸丙烯酯、γ — 丁内酯、β — 丁内酯、l，3 — 二甲基一2—啼唾啉酮等具有酮基之化合物； 一乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、 2 本乳基乙醇、一 1%烧、嗎琳、4一丙稀酿氧基嗎嚇^、Ν — 曱基嗎淋一Ν—氧化物、4一乙基嗎啉、氧雜環丁烷、THF、 ΤΗΡ專具有喊基之化合物； 二甲基亞砜等具有亞砜基之化合物； Ν，Ν—二曱基乙醯胺、ν—甲基甲醯胺、ν，Ν-二曱基 曱醯胺、乙醯胺、Ν —乙基乙醯胺、Ν-苯基一Ν—丙基乙 醯胺、苯曱醯胺等具有醯胺基之化合物； 丙烯酸、甲基丙烯酸、甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊 酸 '己酸、辛酸、癸酸、十二烷酸、笨甲酸、對甲苯甲酸、 對曱苯甲酸、對氯苯曱酸、對硝基苯甲酸、1 一萘曱酸、2 ~萘甲酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、草酸、丙二酸、琥 珀酸、‘己二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸等具有羧基之化 合物； 乙二醇、二乙二醇、丙二醇、1，3—丙二醇、β_硫代雙 乙醇、三乙二醇、三丙二醇、1，4 — 丁二醇、l，5 —戊二醇、 1，3 — 丁二醇、1，6 —己二醇、新戊二醇、兒茶酚、環己二醇、 環己烷二甲醇、甘油、Inmatouru、丁四醇、甘油、乳糖醇、 麥芽糖醇、甘露醇、山梨糖醇、木糖醇、蔗糖等具有2個 12 201235405 以上备基之化合物； N ’基D比嗜·咬剩,, 胺、卜内酿胺H ""η0、卜内酿 等具有内酿胺基之化合:胺、，己内酿胺、十二内酿胺 作為，之塗佈財之導電性提高劑之摻合量，相 ;K共軛系導電性聚人旦 質晋^八, 。物100質置伤，較佳為5〜2000 質里份，更佳為10〜15〇〇 » 法遠志益山、 〇質1伤。右未達5質量份，則無 盖敎要— 美1^劑而獲得之紅外線反射特性改 〇效果。右超過2〇〇〇暫β八. ， 犋 ^伤，則塗佈劑中之導電性成分變 稀缚、I、於形成薄臈時無法獲得充分之紅外線反射特性。 上述界面活性劑或調平劑只要為可提高平坦性可獲得 句勻之塗佈臈者，則盔括 + …· j限疋。此種界面活性劑或調平 劑例如可列舉：聚驗改質聚二甲基石夕氧炫、聚鱗改質石夕氧 燒 '聚㈣改質含經基之聚二甲基石夕氧燒、聚喊改質含丙 稀醯基之聚二甲基石夕氧燒、聚酿改質含丙烯醯基之聚二甲 基石夕氧燒、全氟聚二曱基石夕氧院、全敦聚越改質聚二甲基 矽氧烷、全氟聚酯改質聚二甲基矽氧烷等矽氧烷化合物； 全氟烧基錢、全氟烧基聚氧乙烯乙料含氟有機化合 物；聚氧乙烯烷基苯醚、環氧丙烷聚合物、環氧乙烷聚合 物等聚醚系化合物；椰子油脂肪酸胺鹽、松脂膠等羧酸； 藥麻油硫酸酿類、磷酸醋、烷基醚硫酸鹽、山梨糖醇酐脂 肪酸酯、磺酸酯、磷酸酯、琥珀酸酯等酯系化合物；烷^ 芳基磺酸胺鹽、磺基琥珀酸二辛基鈉等磺酸鹽化合物；^ 二烷基磷酸鈉等磷酸鹽化合物；椰子油脂肪酸乙醇醢胺等

13 S 201235405 醯胺化合物；谁而$ 拓夫么u 平性方w 共聚物等。於該等之中，就調 =面而S，較佳為石夕氧炫系化合物及含氣化合物，尤 佳為聚醚改質聚二甲其办备 一 土夕氧烷。作為本發明之塗佈劑中之 界面活性劑或調平劑之捩人 合物⑽質量份，較佳二015對…㈣導電性聚 〜⑽質量份。1佳為G._〜_質量份，更佳為0.01 取上述消泡劑例如可列舉聚醋改質f基烧基聚石夕氧炫、 聚醚改質聚甲基烷基石夕氧 氧烷方烷基改質聚f基烷基矽氧 、=具有石夕氧燒骨架之化合物。作為本發明之塗佈劑中之 /劑之摻合量’相對於π共輕系導電性聚合物⑽質量 佳為〇·001〜500質量份’更佳為〇.〇!〜100質量份。 上述流變控制劑例如可列舉：纖維素系及其衍生物、 粉、ί播赂蛋白等蛋白f系之衍生物；海藻酸、遠脂、澱 ^平類、乙稀系化合物、亞乙稀基化合物、聚醋化合 物、聚醚化合物、肀7 _ 聚環氧烧化人物、 物、聚乙婦醇系化合物、 佈判由。物、聚丙烯酸系化合物等。作為本發明之塗 = :〇：:ΓΓ摻合量，相對於兀共《導電性聚 〜―哲 為〇·001〜500質量份，更佳為0·01 100質量份。 等於本發明之塗佈劑中，亦可視需要使用密接性賦予劑 對二作為本發明之塗佈劑中之密接性賦予劑之摻合量，相 二共輛系導電性聚合物⑽質量份，較佳為〇 〇〇1〜5〇〇 篁伤，更佳為0.01〜丨〇〇質量份。 了提咼黏度，亦可添加增黏劑。此種增黏劑可列舉： 201235405 精胺酸何生物、三仙膠衍生物、角又菜膠或纖維素等糖類 化合物等水溶性高分子等。作為本發明之塗佈劑中之增黏 d之摻合里，相對於π共軛系導電性聚合物丨〇〇質量份， 較佳為0.001〜500質量份，更佳為〇〇1〜1〇〇質量份。 上述抗氧化劑並無特別限定，可列舉還原性或非還原 性之水溶性抗氧化劑。具有還原性之水溶性抗氧化劑例如 可列舉：L-抗壞也酸、L—抗壞血酸納、卜抗壞血酸卸、 異抗壞血酸、異抗壞血酸納、異抗壞灰酸卸等具有經2個 經基取代之内醋環之化合物；麥芽糖、乳糖、纖維雙糖、 木糖、阿拉伯糖、葡萄糖、果糖、半乳糖、甘露糖等單糖 類及二糖類；兒茶素、芸香苦、揚梅黃嗣、樹皮素、堪非 黃酮醇（Kaempfer〇1)等類黃酮；薑黃素、迷迭香酸、漂木 酸、韓酸、對苯二龄、3 4 S « .. 附3’4,5—二經基苯甲酸等具有2個以 上盼性經基之化合物；半胱胺酸、麵胱甘肽、新戊四醇四 (3-疏基丁酸醋）等具有硫醇基之化合物等。非還原性水 溶性抗氧化劑例如可列舉：苯咪料酸、苯基三㈣酸、2 -經基t定、水楊酸苯8旨、2_經基—4—甲氧基二苯基綱 -卜續酸納等吸收成為氧化劣化原因之紫外線的化合 物。於本發明之組成物十，尤佳為使用具有經2個_某取 代之内酯環之化合物、單糖類及二糖類、類黃_系化合土物、 或具有2個以上紛性經基之化合物。該等可單獨使用 可，用2種以上。作為本發明之塗佈劑中之抗氧化劑之摻 合量’相對於兀共輛系導電性聚合物1〇〇質量份，較佳為 0.001 500質I份，更佳為1〇〜8〇質量份。於抗氧化劑未 15 201235405 達1·0重量份之情形時， 80重量份之情形 …、去維持耐光性。於抗氧化劑多於 達成優異之紅外7反劑之比例變得過高，因此無法 於塗佈劑顯示酸性之掉^ * 摻合上述中和齊卜口盈/形時，以争和塗佈劑為目的而 限定，但較佳為葬由、力Γ示驗性之化合物，則並無特別 基胺等。中=蒸散者’例如可列舉氨水、甲 之ΡΗ值而適當確定入據塗佈劑表終所顯示之所需 (塗佈劑之製造方法） 製造本發明之塗佈劑之方法並無特別限制，只要利用 賴授拌器或磁力授拌器等攪拌機將上述各成分一面授拌 一面混合且㈣混合肖1〜60分鐘左右即可。 (紅外線反射基體） 本發明之塗佈劑可藉由塗佈於被塗佈基材之後進行乾 燥而形成紅外線反射膜。塗佈塗佈劑之被塗佈基材可為透 明基材，亦可為不透明基材i成基材之材料並無特別限 定，例如可列[聚乙烯、聚丙冑、乙烯—乙酸乙烯西旨共 聚物、乙烯一丙烯酸酯共聚物、離子聚合物共聚物、環烯 烴系樹脂等聚烯烴樹脂，聚對酞酸乙二酯、聚對苯二甲酸 丁二酯、聚碳酸酯、聚氧乙烯、改質聚苯、聚苯硫醚等聚 醋樹脂，尼龍6、尼龍6,6、尼龍9、半芳香族聚醯胺6T6、 半芳香族聚醯胺6T06、半芳香族聚醯胺9T等聚醯胺樹脂， 丙烯酸樹脂、聚苯乙烯、丙烯腈苯乙烯、丙烯腈丁二烯苯 乙烯、氯乙烯樹脂等有機材料；玻璃等無機材料。 16 201235405 ㈣：佈劑之塗佈法並無特別限制，彳自公知之方法中適 田l例如可列舉：旋塗法、凹版印刷塗佈法、棒塗法、 浸塗法、簾塗法、模塗法、噴發沐莖^女 货塗法等。又，亦可使用網版 噴霧印刷、喷墨印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版 印刷等印刷法。 。由上述塗佈劑構成之塗膜之乾燥係使用通常之通風乾 燥機熱風乾燥機、紅外線乾燥機等乾燥機等。若使用該 等:之一有加熱手段之乾燥機（熱風乾燥機、紅外線乾燥 機等），則可同時進行乾燥及加熱。加熱手段除上述乾燥機 以外：亦可使用具備加熱功能之加熱/加壓輥、加壓機等。 塗膜之乾燥條件並無特別限定，例如於25艺〜2〇〇艽進 行私2小時左右，較佳為於8 0 °C〜15 0 °C下進行1〜3 〇 分鐘左右。 一由本發明之塗佈劑形成之塗膜之乾燥膜厚可視需要適 當選擇’通常A Inm〜5//m。然而’就較高之透明度及降 低成本之觀點而言，較佳為膜厚較薄。就此觀點而言，較 佳為〇.5〇em以下，更佳為〇4〇ym以下，進而較佳為 0.30 " m以下。本發明係使用顯示較高導電率之導電性聚合 物，因此即便如上述般為極薄之薄膜，亦可達成高度之2 外線反射特性。 藉由將本發明之塗佈劑塗佈於透明基體表面並乾燥， 可製造含有形成於透明基體表面之紅外線反射層的本發明 之紅外線反射基體。由於本發明之塗佈劑含有聚（3 4〜餡 取代噻吩）與聚陰離子之複合體作為導電性聚合物，所形

17 S 201235405 成之薄膜較薄，透明性極冥，始& 士 方性極间&而本發明之紅外線反射基 體可顯示60%以上之總透光率。較佳為可顯示鳩以上之 總透光率，更佳為可顯示8〇%以上之總透光率。 如此具有較高透明度並且具有高度之紅外線反射特性 的使用有機材料之紅外線反射基體先前不為人知。關於本 發明之紅外線反射基體㈣示之紅外線反射率，㈣$、。正 反射以蒸鐘有紹之平面鏡作為參考而測得之反射率之值於 波長觸nm時可達成15%以上。更佳為可達成㈣以上， 進而較佳為可達成26%以上，最佳為可達成30%以上。又， 本發明之紅外線反射基體對近紅外線（約則〜3G()〇nm)、 中紅外線（約3_〜3_nm)、遠紅外線（約3〇〇〇〇〜 OOnm ) #任一種紅外線均可顯示優異之反射特性。 本發明之紅外線反射基體為可用於各種用途者，例如 亦可為於PET膜等樹脂膜塗佈本發明之塗佈劑而成者。藉 此獲得之紅外線反射透明膜除窗玻璃（單層玻璃或多層玻 璃）以外，亦可黏附於建築物或交通工具之壁、或冷藏庫 或冷凍庫之壁的表面而使用。本發明之紅外線反射基體為 透明性極高者’因此於應用於窗玻璃之情形時、可於不妨 =窗玻璃透明性之情況下發揮優異之紅外線反射特性。其 、-、。果，可予叉較高透明性並且期待不使室内之熱散失至外 邛之效果、或不使外部之熱傳遞至室内之效果。 ^又，本發明之塗層材亦可藉由直接塗佈於窗玻璃、建 築物或交通工具之壁、或冷藏庫或冷凍庫之壁的表面而使 用八要基材為透明，則此種直接塗佈之形態亦包含於本 18 201235405 發明之紅外線反射基體之範疇内 [實施例] 以下 列舉實施例而 並不限定於該等實施例。以；、:田「地、說明本發明，但本發明 說明，則分別表示「重量佟 伤」<「％」只要無特別 物」或「重詈％ 。 <導電性聚合物之導電率之測定> 」 =之實施例及比較例中所示之導電性聚 率係按照以下順序進行測 等罨 使用線棒N 〇. 8 (渴膜厚声 18//m)藉由棒塗法將含有 “膜知度 於其# 導電性聚合物之水分散體塗佈 於基材上，於13〇°c下乾焯、 ^ ^ 〇 5 V刀鐘，藉此於基材上形成薄

針對所形叙觸針式料敎㈣定膜厚。 其後，利用三菱化學股份有限公司製造之L。她-GP(MCP — T6〇〇)敎薄膜之表面電阻率。將所測定之膜厚與表面 電阻率之值代人下述式而求出導電性聚合物之導電率。 導電率（S/Cm) =1/(表面電I5且率（Ω/口）X膜厚 (cm )) (實施例1 )板玻璃使用例 將聚（3,4—伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯磺酸之複合 體之的分散體（Heraeus股份有限公司製造：clevi〇sp，導 電率0.09S/cm，固形物成分！ 3%) 5〇.〇g、界面活性劑（固 形物成分10%) 〇.5g、調平劑（固形物成分100%) 〇.〇5g、 水2g、及乙醇gg混合並攪拌分鐘。利用4〇〇網眼之sus 製篩網對所獲得之混合物進行過濾，藉此製備塗佈劑。 使用線棒No. 8 (濕膜厚度1 8 /z m )藉由棒塗法將所獲 201235405 得之塗佈劑塗佈於厚度0.7mm之青板玻璃（Advanced Materials Technology 股份有限公司製造：AMT- 8292 )上， 於l〇〇°C乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例2 )板玻璃使用例 使用同樣作為聚（3,4 一伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯 磺酸之複合體之水分散體的Clevios P HC V4 ( Heraeus股份 有限公司製造：導電率〇.23S/cm，固形物成分1.2%)代 替實施例1之CleviosP，除此以外，利用與實施例1相同之 方法獲得基體。 (實施例3)板玻璃使用例 使用同樣作為聚（3,4 —伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯 磺酸之複合體之水分散體的Clevios PH1000 ( Heraeus股份 有限公司製造：導電率〇.46S/cm，固形物成分1.1%)代 替實施例1之CleviosP，除此以外，利用與實施例1相同之 方法獲得基體。 (實施例4 ) PET膜使用例

將聚（3,4—伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯磺酸之複合 體的水分散體（Heraeus股份有限公-司製造：''Clevios PH1000’導電率〇.46S/cm、固形物成分1_1質量％) 50.0g、 聚酯樹脂水分散體（長瀨化成股份有限公司製造：Gabusen ES—210，固形物成分25.0質量％) 0.53g、二曱基亞職（東 京化成工業股份有限公司製造：純度> 99.0%) 2.28g、界面 活性劑（固形物成分1 〇% ) 1 .〇g、調平劑（固形物成分100〇/〇 ) 0.05g、及水l.25g混合並攪拌30分鐘。利用400網眼之SUS 20 201235405 製筛網對所獲得之混合物進行過濾而製備塗佈劑。 使用線棒No.8 (濕膜厚度18 μ m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188Ain之PET膜（Toray製造： LumirrorT60)上，於i〇(TC乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例5 ) PET膜使用例 使用線棒No _ 16 (濕膜厚度3 6 /z m )代替實施例4之線 棒N 〇. 8 (濕' 膜厚度1 8 # m )’除此以外，利用與實施例3相 同之方法獲得基體。 (實施例6 ) PET膜使用例 將聚（3,4—伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯磺酸之複合 體的水分散體（Heraeus股份有限公司製造：Clevios PH1000，導電率〇.46S/cm，固形物成分l.i質量％ ) 50_0g、 聚酯樹脂水分散體（長瀨化成股份有限公司製造：Gabusen ES—210’固形物成分25〇質量％) 〇53g、兒茶素（東京 化成工業股份有限公司：純度> 95.0°/。）0.1 lg、界面活性劑 (固形物成分l〇%)l.〇g、調平劑（固形物成分l〇〇〇/o )0 05g、 及水l，25g混合並攪拌30分鐘。利用400網眼之SUS製篩 網對所獲得之混合物進行過攄而製備塗佈劑。 使用線棒No.16 (濕膜厚度36// m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188/zm之PET膜（Toray製造： Lumirr〇rT60)上，於1〇〇。(：乾燥i分鐘，藉此獲得基體。 (實施例7 ) PET膜使用例 將聚（3，4 —伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯磺酸之複合 體的水分散體（Heraeus股份有限公司製造：Clevios

S 21 一 201235405 ?則000’導電率〇.468/(：111，固形物成分11質量％)50.0呂、 聚酯樹脂水分散體（長瀨化成股份有限公司製造：Gabusen ES - 210，固形物成分25.0質量％) 〇 53g、d—（ + ) —纖 維雙糖（東京化成工業股份有限公司）〇.丨丨g、界面活性劑 (固形物成分10%)1.0g、調平劑（固形物成分l〇0%)〇.〇5g、 及水1.25g混合並攪拌30分鐘。利用400網眼之SUS製篩 網對所獲得之混合物進行過濾而製備塗佈劑。 使用線棒No· 16 (濕膜厚度m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188/ζιη之PET膜（Toray製造： Lumirr〇rT60)上，於l〇〇°C乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例8 ) PET膜使用例 將聚（3,4—伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯磺酸之複合 體的水分散體（Heraeus股份有限公司製造：Clevios PH1000’導電率〇‘46S/cm，固形物成分1·1質量％) 50.0g、 聚醋樹脂水分散體（長瀨化成股份有限公司製造：Gabusen ES — 210，固形物成分25.0質量％) 〇 53g、L—抗壞血酸（和 光純藥工業股份有限公司）〇.丨lg、界面活性劑（固形物成 分10%) l.Og、調平劑（固形物成分100%)0 〇5g、及水1 25g 混合並擾拌30分鐘。利用400網眼之SUS製篩網對所獲得 之混合物進行過濾而製備塗佈劑。 使用線棒Νο.16(濕膜厚度36/zm)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度l88#m之PET膜（Toray製造： LumirrorT60)上’於i〇〇t：乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例9 ) PET臈使用例 22 201235405 將聚（3,4 一伸乙基二氧噻吩）與聚苯乙烯磺酸之複合 體之水分散體（Heraeus股份有限公司製造：Clevios PH1000 ’導電率0 46S/ cm、固形物成分1」質量。/〇) 5〇 〇g、 聚S旨樹脂水分散體（長瀨化成股份有限公司製造 :Gabusen ES_ 210 ’固形物成分25.0質量。/〇 ) 〇.53g、對苯二酚（東 京化成工業股份有限公司）〇. 11 g、界面活性劑（固形物成 分10%) l.Og、調平劑（固形物成分1〇〇0/〇)〇 〇5g、及水1 25g 混合並攪拌30分鐘。利用400網眼之SUS製篩網對所獲得 之混合物進行過濾而製備塗佈劑。 使用線棒No. 16 (濕膜厚度3 6 a m )藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度l88/zm之PET膜（T〇ray製造： Lumirror T60)上，於100°C乾燥}分鐘，藉此獲得基體。 (實施例10) PET膜使用例 使用聚酯樹脂水分散體（長瀨化成股份有限公司製 造：Gabusen ES—210，固形物成分25.0質量％) 〇.44g，除 此以外’以與實施例4相同之方式製備塗佈劑。 使用線棒No. 1 6 (濕膜厚度3 6 β m )藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188//m之PET膜（Toray製造： LumirrorT60)上，於i〇〇°c乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例11 ) PET膜使用例 使用聚酯樹脂水分散體（長瀬化成股份有限公司製 造：Gabusen ES-210、固形物成分25.0質量％) 4_4g，除 此以外’以與實施例4相同之方式製備塗佈劑。 使用線棒No.8 (濕膜厚度I8#m)藉由棒塗法將所獲 23 201235405 得之塗佈劑塗佈於厚度188/zm之PET膜（T〇ray製造：

Lumirr〇rT60)上，於1〇(rc乾燥i分鐘’藉此獲得基體。 (實施例12) pet膜使用例 使用L—抗壞血酸（和光純藥工業股份有限公司） 0.0070g，除此以外，以與實施例8相同之方式製備塗佈劑。 使用線棒No. 16 (濕膜厚度3 6 /z m )藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度之PET臈（T〇ray製造： LUmirr〇rT60)上，於1〇(rc乾燥！分鐘，藉此獲得基體。 (實施例13) PET膜使用例 使用L —抗壞血酸（和光純藥工業股份有限公司） 0_44g，除此以外，以與實施例8相同之方式製備塗佈劑。 使用線棒No，U (濕膜厚度36从m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188//m之pET膜（T〇ray製造：

LumirrorT60)上’於l〇〇t：乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例14) PET膜使用例 使用丙烯酸樹脂系水分散體（Nipp〇n Carbide股份有限 公司製造：Nikasol RX—7018，固形物成分35 5質量％) 0.373g代替聚醋樹脂水分散體，除此以外，以與實施例4 相同之方式製備塗佈劑。 使用線棒Νο·8 (濕膜厚度丨8 # m )藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188jWm之pET膜（T〇ray製造： Luminror T60)上，於1〇(rc下乾燥i分鐘，藉此獲得基體。 (實施例15) PET膜使用例 使用胺酯樹脂系水分散體（Die股份有限公司： 24 201235405 HYDRAN WLS—213，固形物成分35·0質量％) 〇 379g代替 聚醋樹脂水分散體，除此以外，以與實施例4相同之方式 製備塗佈劑。 使用線棒No.8 (濕膜厚度l8// m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188# m之PET膜（T〇ray製造： Lumirror T60)上，於100。(：乾燥i分鐘，藉此獲得基體。 (實施例16) PET膜使用例 使用PEG400二丙烯酸酯（Daicel-Cytec股份有限公 司.EBECRYL11，固形物成分1〇〇質量％ ) 〇 代替聚 酯樹脂水分散體，除此以外，以與實施例4相同之方式製 備_塗佈劑。 使用線棒No.8 (濕膜厚度i8/z m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度188 μ m之PET膜（Toray製造： LumirrorT60)上，於1〇〇。〇乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (實施例17 ) PET膜使用例 使用胺甲酸乙酯丙烯酸酯（新中村化學股份有限公 司：U—4HA，固形物成分1〇〇質量0/〇) 〇.133g代替聚酯樹 脂水分散體’除此以外，以與實施例4相同之方式製備塗 佈劑。 使用線棒No.8 (濕膜厚度18jC/m)藉由棒塗法將所獲 得之塗佈劑塗佈於厚度l88#m之ΡΕτ膜（Toray製造： Lumirror T60)上，於1〇〇〇c乾燥i分鐘，藉此獲得基體。 (比較例1 ) 將尽度〇.7mm之青板玻璃（Advanced Materials s 25 一 201235405

Technology股份有限公司製造：AMT— 8292 )直捿作為基 體而供給於測定。 (比較例2) 使用氧化錫塗佈劑（稀產金屬股份有限公司製造：氧 化錫溶膠）’使用線棒No.8 (濕膜厚度12从m)藉由棒塗法 將其塗佈於厚度0.7mm之青板玻璃（Advanced Materials Technology股份有限公司製造·· AMT— 8292 )上，於100°c 乾燥1分鐘，藉此獲得基體。 (比較例3) 使用光觸媒用氧化鈦塗佈劑（石原產業股份有限公司 製造：STS — 0 1 )代替比較例2之氧化錫塗佈劑，除此以外， 利用與比較例2相同之方法獲得基體。 (比較例4) 將3,4 —伸乙基二氧噻吩（Heraeus股份有限公司製造： CleviosM) l.〇g、對甲苯磺酸之4〇%丁醇溶液股 份有限公司製造：CleviosCB4〇) 2〇g、及二甲基亞砜i 25g 混合並攪拌3 0分鐘。 使用線棒No · 1 6 (濕膜厚度μ β m )藉由棒塗法將所獲 付之塗佈劑塗佈於厚度〇7mm之青板玻璃（Advanced

Matenals Technology股份有限公司製造：ΑΜτ— Μ%)上， 於10 0 C乾無10分鐘。利用某銳士料私從/βw 〜用療傑水對所獲仟之薄膜進行充 分沖洗而將鐵鹽去除，藉此獲得基體。 (比較例5 ) 將厚度 188//m 之 pet 胺 γ τ *,1 λ. τ 、r以膜（Toray 製造：Lumirror T60 ) 26 201235405 直接作為基體而供給於測定。 依據以下方法對以上實施例及比較例之基體進行各種 評價。 (1 )總透光率及濁度 各種基體所顯示之總透光率及濁度係依據JIS K7150， 使用 Haze Computer HGM-2B (Suga Test lnstruments 股份 有限公司製造）進行測定β (2)膜厚 形成於基體表面之薄膜的臈厚係使用觸針式表面形狀 測定裝置Dektak6M( ULVAC股份有限公司製造）進行測定。 (3 )紅外線反射率光譜 紅外線反射率光譜係使用日立分光光度計u— 4丨〇〇及 5。正反射附帶裝置（相對）（日立製作所股份有限公司製 造），以蒸鍍有鋁之平面鏡作為參考，於包含紅外線波長區 域之波長300〜3300nm之範圍進行測定。表i及各圖所示 之各比率表示藉由測定基體之薄膜表面所獲得之反射光的 強度相對於藉由蒸鍍有鋁之平面鏡所獲得之反射光的強度 之比率，越接近1 00%，反射特性越優異。 (4)於波長30,000〜300,000nm時之反射率 藉由測定基體之薄膜表面所獲得之波長區域3〇,〇〇〇〜 300,000nm之遠紅外線的反射率係使用〇 _ s ’aerd (devices & SERVICESC0MPANY)進行測定。 (5 )密接性 薄膜對基材之密接性係依據m5彻，使透明膠帶接著

27 S 201235405 於形成於基體表面之薄膜’放置1分鐘後將其剝離，其後 以目視確認剝離部分之薄膜剝落，藉此依據下述基準進行 評價。 〇：8〜10分 X : 0〜6分 (6 )紫外線照射後之反射率的變化量 藉由UNI CURE SYSTEM ( Ushio電機公司製造之金屬 鹵素燈，功率1.5kW )對形成於基體之塗佈層照射紫外線 4500mJ/ cm2，使用 D and s AERD ( devices & SERVICES COMPANY )測定紫外線照射前後之波長區域 30,000〜300,000nm之遠紅外線之反射率。測定反射率，根 據式1)而算出變化量。 (试驗後之反射率）—（試驗前之反射率） i) 根據式1 )而算出紫外線照射後之反射率之變化量。 於表1中表示各基體中之總透光率、濁度、膜厚、及 波長3〇〇〇nm時之紅外線反射率、波長區域3〇,〇⑽〜 300，_m之紅外線反射率、密接性試驗、及耐光性試驗之 結果。於圖1—10中表示實施例！〜5及比較例卜5之各 基體之波長300〜3300nm之範圍的紅外線反射率光譜。 28 201235405 紫外線照射後之反射率之變化量 (%) iTi o o o o to o o o o Ο ο ο 密接性 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 〇 X X X X I 波長30,000—300,OOOnm時之反射率 (%) On 00 00 Os VO <N CO VO cs QS CS 波長3,000nm時之反射率 (%) 25.3 37.3 41.7 30.3 45.6 44.3 43.5 44.1 44.5 50.3 40.4 31.0 44.2 41.0 40.5 42.3 44.4 寸 〇\ Η 25.0 ο 膜厚 ! ( //m) 0.18 1 0.20 0.19 0.15 i 〇_36 ! 0.34 0.37 1 0.35 | | 0.38 1 | 0.16 | | 0.15 1 | 0.16 I 1 0.15 I | 0.15 | | 0.15 I | 0.15 I | 0.15 I 1 1 0.50 ;5.99 1 0.68 1 濁度 (%) 1—H ο O) o <N rn v〇 o 〇 00 d 寸 o r- o o ON o oo o 00 d 00 d o ON o 00 o o ΓΛ Ο 182 318 Ό CN 總透光率 (%) 1 79.3 78.9 80.2 81.2 74.5 73.5 | 74.6 ! 73.6 72.9 75.5 86.5 82.0 84.3 81.0 82.0 83.5 81.5 91.7 89.2 81.2 1 42/7 87.7 實施例1 實施例2 |實施例3 1 實施例4 |實施例5 I |實施例6 實施例7 |實施例8 |實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 |實施例13 | 實施例14 |實施例15 | |實施例16 1 實施例17 比較例1 1比較例2 比較例3 1比較例4 1比較例5 201235405 根據表1及各圖之社里 之、，〇果，可知於實施例1〜17中，腺 厚較薄’總透光率維持較高之水準，並且紅外線反射特性 亦優異。尤其是於使用作為聚（3,4-雙取代斜）與聚^ 離子之複合體的導電率較高者之實㈣2〜17 +，紅外: 反射㈣更優異°進而’可知實施例1〜17於薄膜對基材 之在接性方面亦優異。又，可知於含有抗氧化劑之實施例6 〜9、12及13中，亦可獲得充分之耐光性。 另一方面，於比較例丨〜3及5中，未顯示充分之紅外 線反射特性。於比較例4中，雖發揮某種程度之紅外線反 射特性，但由於未使用聚（3,4—雙取代噻吩）與聚陰離子 之複合體作為導電性聚合物，故而總透光率變得極低。又， 比較例2〜4於密接性之方面亦不充分。 【圖式簡單說明】 圖1係實施例1之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖2係實施例2之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖3係實施例3之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖4係實施例4之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖5係實施例5之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖6係比較例1之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖7係比較例2之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖8係比較例3之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖9係比較例4之基體所顯示之紅外線反射率光譜。 圖1 〇係比較例5之基體所顯示之红外線反射率光譜。 【主要元件符號說明】 30

Claims (1)

1. 201235405 七'申請專利範圍： 1. 一種紅外線反射膜形成用塗佈劑，其含有π共軛系導 電性聚合物。 2. —種紅外線反射膜形成用塗佈劑，其進一步含有黏合 劑及/或抗氧化劑。 3 · —種紅外線反射膜，係使用申請專利範圍第1或2項 之塗佈劑而形成。 4·一種紅外線反射基體，其含有： 透明基材、及 對該透明基材塗佈含聚（3，4一雙取代嘆吩）與聚陰離 子之複合體的塗佈劑而形成之紅外線反射層；且 顯示60%以上之總透光率。 5.如申請專利範圍第4項之紅外線反射基體，其中，該 聚陰離子為聚苯乙烯磺酸（polystyrene sulf〇nie aci(〇。 中

   6.如申請專利範圍第4或5項之紅外線反射基體，其 °亥複合體顯示〇.l5(S / cm)以上之導電率。 7·如申請專利範圍第4至6項中任一項之紅外線反射基 其中，該紅外線反射層之膜厚為〇 5〇" m以下。 8.如申請專利範圍第4至7項中任一項之紅外.線反射基 其顯示7〇%以上之總透光率。 9.如巾請專利範圍第4至8項中任—項之紅外線反射基 其中’利用5。正反射以蒸錢有銘之平面鏡作為參考對 該紅外線反射基體測得之反射率之值於波長 15%以上。 町兩 32 201235405 基體 1 0.如申請專利範圍第4至9項中任一項之紅外線反射 ，其中，該塗佈劑進一步含有黏合劑及/或抗氧化劑。 33