TW201232555A - Sense amplifier with selectively powered inverter - Google Patents
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Description
201232555 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上係關於一種感測放大器。 【先前技術】 . 感測放大器可用以讀取儲存於諸如靜態隨機存取記憶體 - (SRAM)器件之半導體§己憶體器件中的資料。兩類感測放 大器包括電流鎖存感測放大器及電壓鎖存感測放大器。與 電流鎖存感測放大器相比’電壓鎖存感測放大器可使用較 小的輸入信號’表現出更快的操作且使用較少的電力。藉 由一感測放大器可增強半導體記憶體器件之效能,該感測 放大器在自選疋或啟用狀態设定為未選定或停用狀,熊時提 供經改良之切換速度及減少之洩漏。 【發明内容】 一種感測放大器可包括一鎖存器及兩個反相器。該感測 放大器可經由一位元線對接收資料信號且可接收一感測啟 用信號。該等反相器可產生該感測放大器之一輸出且可由 該感測啟用信號來供電。用該感測啟用信號給該等反相器 供電可在該感測啟用信號指示該感測放大器處於停用狀態 時制止來自該感測放大器之一非所要輸出。 . 在一特定實施例中,一感測放大器包括一第一反相器, 該第一反相器對一鎖存器之一第一輸出作出回應。該第一 反相器由一感測啟用信號來供電。該感測放大器亦包括一 第二反相器,該第二反相器對該鎖存器之一第二輸出作出 回應。該第二反相器亦由該感測啟用信號來供電。 159258.doc 201232555 在一特定實施例中’ 一種方法包括藉由給一感測放大器 之一第一反相器及一第二反相器提供一感測啟用信號來選 擇性地給該第一反相器及該第二反相器供電。該方法可包 括將該感測啟用k號發送至一搞接至一位元線之隔離器件 以在該感測啟用信號給該第一反相器及該第二反相器供電 時將該第一反相器與該位元線隔離。該方法亦可包括在該 感測啟用信號不給該第一反相器及該第二反相器供電時制 止來自該第一反相器之輸出。 在一特定實施例中’ 一種裝置包括一第一感測放大器, 該第一感測放大器包括一第一反相器及一第二反相器。基 於在S亥第一感測放大器處接收到之一第一感測啟用信號來 選擇性地給該第一反相器及該第二反相器供電。該裝置亦 包括一第二感測放大器’該第二感測放大器包括一第三反 相器及一第四反相器。基於在該第二感測放大器處接收到 之一第二感測啟用信號來選擇性地給該第三反相器及該第 四反相器供電。 由所揭示實施例中之至少一者所提供之一特定優點係與 使用諸如邏輯閘之器件來控制至輸出反相器的輸入之電路 相比’基於感測啟用信號來選擇性地給反相器供電可使用 具有較少器件及較快切換速度之電路來防止非啟用感測放 大器輸出錯誤信號。本發明之其他態樣、優點及特徵將在 審閱包括以下部分之整個申請案之後變得顯而易見:[圖 式簡單說明]、[貫施方式]及[申請專利範圍]。 【實施方式】 159258.doc • 4 - 201232555 圖1展示具有經選擇性地供電的反相器之感測放大器100 的實施例。感測放大器1 〇〇可為一電壓鎖存感測放大器。 作為一說明性實例,可將感測放大器1〇〇實施於28奈米靜 態隨機存取記憶體(SRAM)設計中》感測放大器100可接收 ' 一位元線對112、114及感測啟用信號116作為輸入。位元 - 線對U2、114可自記憶胞之核心陣列輸出。感測啟用信號 11 6可指示啟用狀態或停用狀態。在處於啟用狀態中時, 感測啟用信號116可具有高電壓或邏輯「1」值,且在處於 停用狀態中時,感測啟用信號116可具有低電壓或邏輯 「0」值。 感測放大器100可包括鎖存器118、第一反相器120及第 二反相器122。鎖存器118可接收位元線對112、114及感測 啟用信號116。當鎖存器118由感測啟用信號116啟動時, 鎖存器118可對在位元線112處的資料信號(d)與在位元線 114處的補充資料信號(db)之間的差分電壓作出回應。鎖存 器118可回應於該差分電壓(諸如)藉由設定内部節點處之電 >1而轉變至一内部狀態,該内部狀態對應於經由位元線對 112、114接收到之差分電壓。當鎖存器U8由感測啟用信 號116啟動時’第一反相器12〇之反相器輪入124接收鎖存 - 器118之一第一鎖存器輸出126。在鎖存器118由感測啟用 信號116啟動時,該鎖存器亦可將一第二鎖存器輸出128發 送至第二反相器122之反相器輸入13〇。 第一反相器120由在第一反相器120的供應輸入132處接 收到之感測啟用信號116來供電。當感測啟用信號丨16處於 159258.doc 201232555 啟用狀態中時,第一輸出134為第一鎖存器輸出126之邏輯 補充。當感測啟用信號116處於停用狀態中時,感測啟用 信號116不啟動第一反相器120或鎖存器118。甚至在足以 啟動第一反相器120的電流自位元線112流向第一反相器 12 0時’當感測啟用信號116處於停用狀態中時,第一反相 器120未由感測啟用信號116啟動,且第一反相器12〇產生 獨立於在第一鎖存器輸出126處的電壓之輸出(例如,產生 一邏輯低輸出電壓)。結果,在感測啟用信號Π 6處於停用 狀態中時,制止第一反相器120產生錯誤信號。 第二反相器122由在第二反相器122的供應輸入136處接 收到之感測啟用信號116來供電。當感測啟用信號116處於 啟用狀態中時,第二輸出138為第二鎖存器輸出128之邏輯 補充。當感測啟用信號116處於停用狀態中時,感測啟用 信號11 6不啟動第二反相器122或鎖存器11 8 ^在停用狀態 中,甚至在足以啟動第二反相器122的電流自位元線114流 向第二反相器1 22時,因為第二反相器122未由感測啟用信 號11 6啟動’所以在第二輸出138處提供獨立於在第二鎖存 器輸出128處的電壓之輸出(例如,邏輯低輸出電壓)。當感 測啟用信號116處於停用狀態中時,制止第二反相器122產 生錯誤信號。 基於感測啟用信號116來選擇性地給第一反相器120及第 二反相器122供電以防止第一反相器120及第二反相器122 在感測放大器1 00停用時驅動第一輸出134及第二輸出 138。藉由在感測放大器1〇〇停用時給第一反相器120及第 159258.doc 201232555 · 二反相器122斷電,可在不引入爭用 肀用的情況下使用第一輸 出134及第二輸出138來作為多工器輸出之部分。 當感測放大器100由感測啟用信號116啟動時,感測放大 器1〇〇經由第-反相器12〇提供第—輸出134且經由第二反 相器122提供第二輸出138。可將第—輪出!34及第二輸出 138發送至諸如n型電晶體(例如’ n型金屬氧化物半導體 (魏)電晶體)之輸出器件。第一輸出134可與其他感測 放大器之第-輸出耦接來作為一第一多工器輸出線。如關 於圖2所描述,第二輸出138可與其他感測放大器之第二輸 出輕接來作為一第二多工器輸出線。 在操作期間,當感測啟用信號116處於停用狀態中時, 對鎖存器118撤銷啟動,給第一反相器12〇斷電,且給第二 反相器122斷電。第一輸出134及第二輸出138具有邏輯低 電壓。當感測啟用信號116處於啟用狀態中時,鎖存器118 啟動且將第一鎖存器輸出126提供至第一反相器120且將第 一鎖存器輸出128提供至第二反相器122,其中鎖存器輸出 126、128係基於位元線112、114之資料值。第一反相器 120輸出第一輸出134且第二反相器ι22輸出第二輸出138。 藉由用感測啟用信號116來給第一反相器12〇及第二反相 器122供電,感測放大器ι〇〇能夠為小型、快速且可靠的。 舉例而言,用感測啟用信號116給第一反相器12〇及第二反 相器122供電可避免需要使用額外器件(例如,NOR閘)來制 止感測放大器1〇〇輸出錯誤信號。對於感測放大器1〇〇而 言’在輸出路徑中使用較少器件可導致較佳效能、較少耦 159258.doc 201232555 合雜訊、較佳失配及較小的面積。 圖2展示第一感測放大器(SA) 100及第二感測放大器 (SA)200之說明性實施例’ SA 100及SA 200之輸出耦接至 具有第一多工器(MUX)輸出線204及第二MUX輸出線206之 輸出級202。輸出級202可包括一第一多工器208,第一多 工器208包括來自第一感測放大器1〇〇之第一輸出器件21〇 及來自第二感測放大器200之第一輸出器件212。輸出級 202亦可包括一第二多工器214,第二多工器214包括來自 第一感測放大器100之第二輸出器件216及來自第二感測放 大器200之第一輸出器件218。第一多工器208及第二多工 器214可回應於第一感測放大器1〇〇接收到一初始感測啟用 k號2 2 0及第一感測放大器2 0 0接收到一初始感測啟用信號 222來將輸出發送至多工器輸出線2〇4、206。輸出級202可 接收來自至 > 一額外感測放大之輸出。如在圖3中所描 繪’額外感測放大器可耦接至MUX輸出線204、206。因為 藉由給未選定感測放大器之反相器(諸如反相器12〇、122) 選擇性地斷電來控制輸出級202,所以可在不使用為減少 來自提供k號給共同輸出的多個感測放大器之爭用而引入 延遲的或非(NOR)電路或其他邏輯閘的情況下,提供增強 的速度及無爭用的操作。 第一感測放大器100及第二感測放大器200可為電壓鎖存 感測放大器。第一感測放大器1 〇〇可包括鎖存器丨丨8、第一 反相器120、第一反相器122及輸入信號反相器224。基於 第一感測啟用信號116來選擇性地給第一反相器ι2〇及第二 159258.doc 201232555 反相器122供電。為便於說明,在第一感測啟用信號116指 示停用狀態時,不將電力供應至第一反相器120或第二反 相器122。當第一感測啟用信號1丨6指示啟用狀態時,將電 力供應至第一感測放大器100之第一反相器120及第一感測 放大器100之第二反相器122。相似地,第二感測放大器 200可包括鎖存器226、第三反相器228、第四反相器230及 輸入信號反相器232。基於第二感測啟用信號234來選擇性 地給第三反相器228及第四反相器230供電。 鎖存器118可包括一對交叉耦合反相器23 6及一下拉器件 238。第一感測放大器1〇〇之下拉器件238可由感測啟用信 號116來控制。相似地,鎖存器226可包括一對交叉耦合反 相器及一下拉器件。第二感測放大器2〇〇之下拉器件可由 感測啟用信號234來控制。 反相器12〇、122、及230中之每一者可包括在供應輸 入與接地之間串聯耦接的一p型電晶體及一 η型電晶體。舉 例而έ,第一反相器120包括在第一供應輸入132與接地 244之間串聯搞接的ρ型電晶體240及η型電晶體242。對於
LVT器件。 LVT器件《在特定感測放大器的特定反相器中之器件 可表現出比非LVT器件快的切換但在對應感測放大器^於 器處於 待用模式中時(例如,在該感測玫大器接收 態的感測啟用信號時)可更易遭受電麗浪漏。 一具有停用狀 。因為在該感 159258.doc 201232555 測啟用信號處於停用狀態中時未將任何電力施加給該特定 反相器,所以將S亥特定反相器設定為接地。結果,甚至在 於該特定感測放大器之一位元線對(例如,第一感測放大 器100之位兀線對112,114或第二感測放大器200之位元線 對246,248)處接收到一相對大的差分電壓時,將接收來 自該特定反相器(例如,反相器12〇、122、228或23〇中之 一者)的輸出之輸出器件(例如,輸出器件21〇、212、216或 2 1 8中之一者)保持在高阻抗狀態中。 第一感測放大器1 〇〇可接收初始感測啟用信號220及位元 線對112 ’ 114來作為輸入。可將初始感測啟用信號220提 供至輸入信號反相器224以產生感測啟用信號116。在其他 實施例中,第一感測放大器100可不包括輸入信號反相器 224且初始感測啟用信號220為感測啟用信號11 6。感測啟 用信號116可耦合至下拉器件238之控制端子,耦合至第一 反相器120之供應輸入132,及耦合至第二反相器122之供 應輸入136。第一感測放大器1 〇〇可經組態以回應於接收到 感測啟用信號116而將第一反相器120之輸出134提供至多 工器208及將第二反相器122之輸出138提供至多工器214。 感測啟用信號116亦可用以控制一第一隔離器件250及一第 二隔離器件252。 第一隔離器件250及第二隔離器件252將在位元線112、 114處之信號與鎖存器118、第一反相器120及第二反相器 122隔離。第一隔離器件250及第二隔離器件252可為由感 測啟用信號11 6控制之p型電晶體(例如’ p型金屬氧化物半 159258.doc •10- 201232555 · 導體(PM0S)電晶體)。在反相器120、122由感測啟用信號 11 6供電時隔離器件250、252將反相器120、122與位元線 112、114隔離以防止在位元線112、1丨4處之信號干擾鎖存 器輸出126、128。可將第一隔離器件250及第二隔離器件 252之輸出提供至鎖存器118。 當感測啟用信號116經由下拉器件238啟動鎖存器118 時,鎖存器118可對由位元線112、114提供之差分偏壓作 出回應以進入一狀態以使得第一鎖存器輸出12 6之值對應 於位元線112之值且第二鎖存器輸出128之值對應於位元線 114之值。來自鎖存器118之鎖存器輸出126、1Z8傳遞至第 一反相器120及第二反相器122以經由第一輸出器件21〇及 第二輸出器件216來控制至MUX輸出線204、206之輸出。 當感測啟用信號116處於啟用狀態中時,感測啟用信號 116給第一反相器12〇及第二反相器122供電。來自第一反 相器120之第一輸出134驅動第一輸出器件21〇以將一接地 信號或一高阻抗輸出提供至MUX輸出線204。來自第二反 相器122之第二輸出138驅動第二輸出器件216以將一接地 信號或一高阻抗輸出提供至MUX輸出線206。舉例而言, 可將MUX輸出線204、206預先充電至邏輯「1」值且可藉 由高阻抗輸出而維持在邏輯「1」值或放電至接地以產生 一邏輯「0」值。 第二感測放大器200可接收初始感測啟用信號222及位元 線對246、248來作為輸入。可將初始感測啟用信號222提 供至輸入信號反相器232以產生感測啟用信號234。感測啟 159258.doc 201232555 用信號234可具有與感測啟用信號116相反之狀態,從而使 得MUX輸出線204、206對一單一感測放大器(例如,第一 感測放大器100抑或第二感測放大器200)作出回應。 當感測啟用信號116處於啟用狀態中時,感測啟用信號 234處於停用狀態中。MUX輸出線204自與第一感測放大器 100相關聯之第一輸出器件210接收一信號(例如,接地信 號或高阻抗(高Z)信號)且MUX輸出線206自與第一感測放 大器100相關聯之第二輸出器件216接收一信號(例如,高Z 信號或接地信號)^ MUX輸出線204、206與第二感測放大 器200隔離’此係因為與第二感測放大器200相關聯之輸出 器件212、218保持在高Z狀態中。特定言之,給第二感測 放大器200之反相器228、230斷電導致第二感測放大器200 之輸出器件212、2 18接收一邏輯低電壓且維持一高z狀 態。 當感測啟用信號116處於停用狀態中時,感測啟用信號 234處於啟用狀態中。MUX輸出線204自與第二感測放大器 200相關聯之第一輸出器件212接收一信號且MUX輸出線 206自與第二感測放大器200相關聯之第二輸出器件218接 收一信號。MUX輸出線204、206不接收來自與第一感測放 大器100相關聯之第一輸出器件210及第二輸出器件216的 輸入,此係因為與第一感測放大器100相關聯之輸出器件 210、216回應於第一感測放大器100之反相器120、122斷 電而保持在高Z狀態。 使用感測啟用信號116來選擇性地給第一感測放大器1〇〇 159258.doc -12- 201232555 之反相器120、122供電且使用感測啟用信號234來選擇性 地給第二感測放大器200之反相器228、230供電,如此供 電可允許一選定感測放大器(例如,感測放大器i〇〇或2〇〇) 對在輸入位元線對(例如,112-114或246-248)之間的電壓 差作出快速且可靠的回應且不允許自未選定或停用之感測 放大器輸出錯誤信號(亦即,防止在選定感測放大器為感 測放大器200時來自感測放大器1 〇〇之錯誤信號且防止在選 定放大器為感測放大器100時來自感測放大器2〇〇之錯誤信 號)。 圖3描繪以16對1多工方案實施(諸如在靜態隨機存取記 憶體(SRAM)設計中)之感測放大器i00及感測放大器2〇〇之 實施例。字線及位元線可耦接至核心陣列302-308。每一 核心陣列302-308可包括四行記憶胞。位元線可自核心陣 列302-3 08直通至多工器310-3 16。進入多工器310-3 16之控 制線可確定對應於待發送至感測放大器1 〇〇、200、3 1 8及 320中之一者的記憶胞行之一特定位元線對。感測啟用信 號 SEN0 116、SEN1 234、SEN2 322 及 SEN3 324 可確定將 哪一感測放大器輸出發送至MUX輸出線204、206。 舉例而言,經由字線、位元線、控制線提供之控制信號 及感測啟用信號116、234、322及324可確定將對應於核心 陣列304的第二行記憶胞之資料自多工器3 12經由位元線對 246、248發送至感測放大器200。感測啟用信號234可處於 啟用狀態中且其他啟用信號116、322及324可處於停用狀 態中。位元線對246、248可將對應於核心陣列304的第二 159258.doc • 13- 201232555 行之資料發送至感測放大器200。感測放大器200之反相器 (例如,圖2中的感測放大器200之反相器228、230)可由感 測啟用信號234來供電從而使得MUX輸出線204、206接收 對應於位元線對246、248的資料之輸出。 其他感測啟用信號116、322及324可各自處於停用狀態 中以使得不給接收其他感測啟用信號116、322及324的感 測放大器100、3 18及320之反相器供電。因此,感測放大 器100、3 18及320與MUX輸出線204、206隔離。結果,可 達成MUX輸出線204、206之無爭用操作。 圖4描繪使用感測放大器的方法之特定實施例之流程 圖。在402處,藉由給一感測放大器之一第一反相器及該 感測放大器之一第二反相器提供一感測啟用信號來選擇性 地給該第一反相器及該第二反相器供電。該感測啟用信號 可處於啟用狀態中或停用狀態中。當該感測啟用信號處於 啟用狀態中時,該感測啟用信號給該第一反相器及該第二 反相器供電。當該感測啟用信號處於停用狀態中時,該感 測啟用信號不給該第一反相器及該第二反相器供電。舉例 而言,該感測放大器可為圖1中的感測放大器100。 在404處,將該感測啟用信號發送至一耦接至一第一位 元線之隔離器件以在該感測啟用信號給該第一反相器及該 第二反相器供電時(亦即,當該感測啟用信號處於啟用狀 態中時)將該第一反相器與該第一位元線隔離。亦可將該 感測啟用信號發送至一麵接至一第二位元線之第二隔離器 件以在該感測啟用信號給該第一反相器及該第二反相器供 159258.doc •14· 201232555 電時將該第二反相器與該第二位元線隔離。舉例而言,該 等隔離器件可為圖2中的隔離器件250、252。 在4〇6處,在該感測啟用信號不給該第一反相器及該第 二反相器供電時(亦即,當該感測啟用信號處於停用狀態 中時)制止來自該第一反相器之輸出。在該感測啟用信號 不給該第一反相器及該第二反相器供電時亦可制止來自該 第二反相器之輸出。舉例而言,該第一反相器及該第二反 相器可在該感測啟用信號具有一邏輯高值時產生補充輸出 值但可回應於該感測啟用信號具有一邏輯低值而兩者均輸 出邏輯低值。 使用感測放大器之感測啟用信號來給該感測放大器之第 一反相器及第二反相器供電可使得該感測放大器能夠相對 小型、快速且可靠。舉例而言,與使用或非(N〇R)電路來 阻檔由該感測放大器輸出錯誤信號之感測放大器相比,可 使用較少器件、較小面積、較少耦合雜訊、較少洩漏及/ 或較佳失配特性來實施該感測放大器。舉例而言,使用感 測啟用信號來給感測放大器之第一反相器及第二反相器供 電之感測放大器可包括比使用!^〇尺電路的感測放大器少四 個之器件。此外,可在該感測放大器的反相器中使用低電 壓臨限電晶體而不會引入洩漏效應。另外,未添加任何額 外組件’該等額外組件可使自_存器之切換路徑延遲, 從而與習知電路相比增強切換速度。 圖4中的方法可由場可程式化閘陣列(FpGA)器件、特殊 應用積體電路(ASIC)、諸如中央處理單元(cpu)2處理單 159258.doc 15 201232555 兀、數位信號處理器⑽p)、控制器、另__硬體器件1 體15件或其任何組合來實施。作為-實例,圖4之方法可 由如關於圖5描述之具有執行指令的處理器之記憶 器來執行。 利 參看圖5 ’ “績具有含有經選擇性地供電的反相器之感 測放大器552的電子器件之特定說明性實施例之方塊圖且 大體將該電子器件指定為5〇〇。器件5〇〇包括一耦接至記憶 體532之處理器,諸如數位信號處理器(Dsp)5i〇 ^記憶體 532包括具有經選擇性地供電的反相器之感測放大器552。 在-說明性實施例中’具有經選擇性地供電的反相器之感 測放大器552可對應於圓的感測放大器1〇〇及/或可根據 圖4之方法來操作。 s己憶體532亦包括控制器554,控制器554包括儲存於非 暫時性電腦可讀媒體處之電腦可執行指令556,作為說明 性、非限制性實例,該非暫時性電腦可讀媒體諸如在控制 器554處或可由控制器554存取之SRAM或唯讀記憶體 (ROM)。舉例而言,可執行指令556可由電腦(諸如控制器 554之處理器558)執行以使得該電腦(例如,處理器558)藉 由給感測放大器552之一第一反相器及給感測放大器552之 一第二反相器提供感測啟用信號來選擇性地給該第一反相 器及該第二反相器供電。然而,在其他實施例中,該感測 啟用信號可並非回應於電腦可執行指令而提供而是代替地 藉由一或多個狀態機、專用電路,或經組態以產生感測啟 用信號來選擇性地給感測放大器5 5 2之一或多個反相器供 159258.doc -16 - 201232555 電之其他硬體的操作來提供。儘管將感測放大器552說明 為處於記憶體532内,但在其他實施例中,可將感測放大 器552實施於一或多個其他組件中,諸如在處理器51〇中或 器件500之一或多個其他控制器或記憶體器件中。 圖5亦展示一耦接至處理器51〇且耦接至顯示器528之顯 示控制器526。編碼器/解碼器(c〇dec)534亦可耦接至處 理器510。揚聲器536及麥克風538可麵接至CODEC 534。 圖5亦指示無線控制器54〇可耦接至處理器51〇且耦接至 無線天線542。在一特定實施例中,處理器5丨〇、顯示控制 器526、記憶體532、C0DEC 534及無線控制器54〇包括於 系統級封裝器件或系統單晶片器件522中。在一特定實施 例中’輸人器件53G及電源供應器544㈣至系統單晶片器 件522。另外,在一特定實施例中,如在圖5中所說明,顯 示器528、輸入器件53〇、揚聲器536、麥克風538、無線天 線542及電源供應器544位於系統單晶片器件m外部。然 而’顯示器528、輸入器件53()、揚聲器说、麥克風別、 無線天線542及電源供應器544中之每—者可純至系統單 晶片器件522中之-組件,諸如介面或控制器。 結合所描述之實施例,揭示一種裝置,該裝置包括:用 於^鎖存器之一第一輸出反相之構件,其中用於使該第 反相之該構件由-感測啟用信號來供電;及用於使 =存器之-第二輸出反相之構件,其中用於使該第二輸 :::該構件由該感測啟用信號來供電。舉例而言,用 “吏该第-輪出反相之該構件可包括轉接至圖β的第一 159258.doc 201232555 鎖存器輸出126之反相器12〇、圖2中的卩型電晶體24〇、圖2 :的η型電晶體242、_或多個LVT器件、經組態以使該第 -輸出反相之一或多個其他緩衝器或電路器件,或其任何 組合。用於使該第:輸出反相之該構件可包⑼接至圖i 中的第二鎖存器輸出128之反相器122、p型電晶體、n型電 晶體、-或多個LVT器件、經組態以使該第二輸出反相之 一或多個其他緩衝器或電路器件,或其任何組合。 该裝置可另外包括用於使該鎖存器之該第一輸出與一第 -位元線選擇性地隔離之構件’其中用於選擇性地隔離該 第一輸出之該構件係由該感測啟用信號控制。為便於說 明,用於選擇性地使該鎖存器之該第一輸出與該第一位元 線隔離之該構件可包括圖2中的隔離器件25〇(諸如p型電晶 體或任何其他類型的電晶體)、開關、緩衝器或經組態以 選擇性地使該鎖存器之該第一輸出與該第一位元線隔離之 電路器件,或其任何組合。該裝置可整合於至少一半導體 晶粒中及/或可另外包括一選自由以下各者組成的群組之 器件.機上益、音樂播放器、視訊播放器、娱樂單元、導 航器件、通信器件、個人數位助理(PDA)、固定位置資料 單元及電腦,用於使該第一輸出反相之該構件及用於使該 第二輸入反相之該構件整合於該器件中,如關於圖6所描 述0 可將上文所揭示之器件及功能性設計及組態成儲存於電 胸可s賣媒體上之電腦播案(例如,RTL、GDSII、GJERBJBR 等)。可將一些或所有此等檔案提供至製作處置者,製作 159258.doc -18- 201232555 處置者基於此等檔案來製作器件。所得產品包括半導體晶 圓,半導體晶圓接著被切割成半導體晶粒且封裝至半導體 晶片中。接著將該等晶片用於上文所描述之器件中。圖6 描綠電子器件製造程序6⑽之特定說明性實施例。 —在製造程序6GG處(諸如在研究電腦_處)接收實體器件 資訊602。實體器件資訊6〇2可包括表示諸如感測放大器 ⑽的半導體器件之至少—實體性f的設計資訊。舉例而 。實體器件資汛6〇2可包括經由耦接至研究電腦_的使 用者介面604鍵人之實體參數、材料特性及結構資訊。研 究:腦606包括耦接至電腦可讀媒體(諸如記憶體61〇)之處 理器608(諸如-或多個處理核心)。記憶體㈣可儲存電腦 可瀆私7該等電腦可讀指令可執行以使得處理器608轉 換實體β件資tfl 602以遵循-權案格式及使得處理器_產 生程式庫檔案612。 在一特定實施例中,程式庫檔案612包括至少一資料檔 案,5亥至少一資料檔案包括經轉換之設計資訊。舉例而 言,程式庫檔案612可包括一半導體器件程式庫,該半導 體器件庫包括一器件’該器件包括經提供以供結合電子設 计自動化(EDA)工具620 —起使用之圖!中的感測放大器 】00。 可在设叶電腦614處結合EDA工具620來使用程式庫播案 612,設計電腦614包括耦接至記憶體618的處理器616(諸 如或夕個處理核心)。可將EDA工具620作為處理器可執 行指令儲存於記憶體618處以使得設計電腦614之使用者設 I59258.doc •19· 201232555 計包括程式庫標案612之圖1中的感測放大器loo之電路。 舉例而言,設計電腦614之使用者可經由搞接至設計電腦 614之使用者介面624鍵入電路設計資訊622。電路設計資 sfl 622可包括表示半導體器件(諸如感測放大器丨〇〇)的至少 一實體性質之设計資訊。為便於說明,該電路設計性質可 包括在電路設計中的特定電路之識別及與其他元件之關 係、疋位資訊、特徵大小資訊、互連資訊,或表示半導體 器件的實體性質之其他資訊。 設計電腦614可經組態以轉換設計資訊(包括電路設計資 訊622)以遵循一檔案格式。為便於說明,該檔案形式可包 括以階層格式表示平面幾何形狀、文字標籤及關於電路佈 局之其他資訊的資料庫二進位檔案格式(諸如,圖形資料 系統(GDSII)檔案格式),除了其他電路或資訊之外,設計 電腦614亦可經組態以產生包括經轉換的設計資訊之資料 檔案(諸如包括描述感測放大器1〇〇的資訊之GDSII檔案 626)。為便於說明,該資料檔案可包括對應於一系統單晶 片(SOC)之資訊,該資訊包括感測放大器1〇〇且亦包括該 SOC内之額外電子電路及組件。 可在製作程序628處接收GDSII檔案626以根據在〇]〇811 檔案626中的經轉換資訊來製作感測放大器丨〇〇。舉例而 言,器件製造程序可包括將GDSII檔案626提供給遮罩製造 商630以產生經說明為代表性遮罩632之一或多個遮罩,諸 如待在光微職理巾使用之料。可在該製作程序期間使 用遮罩632以產生一或多個晶圓634,可測試該一或多個晶 159258.doc -20. 201232555 圓634且將其分離成諸如代表性晶粒636之晶粒。晶粒636 包括一電路,該電路包括一包括感測放大器1〇〇之器件。 可將晶粒636提供至封裝程序638 ’在封裝程序638中將 晶粒636併入於代表性封裝640中。舉例而言,封裝640可 包括單一晶粒636或多個晶粒,諸如系統級封裝(Sip)配 置。封裝640可經組態以遵照一或多種標準或規範,諸如 電子器件工程設計聯合協會(JEDEC, Joint Electron Device Engineering Council)標準。 可將有關封裝640的資訊散佈至各種產品設計者(諸如經 由儲存於電腦646處的組件庫)。電腦646可包括耦接至記 憶體650的處理器648(諸如一或多個處理核心)β可將印刷 電路板(PCB)工具作為處理器可執行指令儲存於記憶體65〇 處以處理自電腦646的使用者經由使用者介面644接收到之 PCB設計資訊642 » PCB設計資訊642可包括在電路板上的 經封裝半導體器件之實體定位資訊,該經封裝半導體器件 對應於包括感測放大器1〇〇之封裝640。 電腦646可經組態以轉換PCB設計資訊642以產生一資料 檔案(諸如GERBER檔案652),該資料檔案具有包括在電路 板上的經封裝半導體器件之實體定位資訊以及電連接(諸 如跡線及通孔)的佈局之資料,其中該經封裝半導體器件 對應於包括感測放大器100之封裝64〇。在其他實施例中, 由s亥經轉換的PCB設計資訊所產生之資料檔案可具有除 GERBER格式以外的其他格式。 可在板組裝程序654處接收GERBER檔案652且使用 159258.doc -21 - 201232555 GERBER棺案652來產生根據在GERBER檔案652内所儲存 的設計資訊所製造的PCB(諸如代表性PCB 656)。舉例而 言’可將GERBER檔案652上載至一或多個機器以執行PCB 生產程序中的各種步驟。PCB 656可填入有包括封裝640之 電子組件以形成代表性印刷電路總成(PCa)658。 可在產品製造程序660處接收PCA 658且將PCA 658整合 於一或多個電子器件(諸如一第一代表性電子器件662及一 第二代表性電子器件664)中。作為說明性、非限制性實 例,第一代表性電子器件662、第二代表性電子器件664或 兩者可選自由以下各者組成的群組:機上盒'音樂播放 器、視訊播放器、娛樂單元、導航器件、通信器件、個人 數位助理(PDA)、固定位置資料單元及電腦,感測放大器 1 〇〇整合於該|§件令^作為另一說明性、非限制性實例, 電子器件662及電子器件664中之—或多者可為遠端單元, 諸如行動電話、手持型個人通信系統(pcs)單元、攜帶型 資料單元(諸如個人資料助理)、具帛全球定位系統(㈣功 能之器件、導航器件、固定位置資料單元(諸如儀錶讀取 設備)’或儲存或擷取資料或電腦指令之任何其他器件, 或其任意組合。儘管圖6說明根據本發明之教示的遠端單 :,但本發明並不限於此等例示性所說明單元。本發明之 貫施例可適用於包括主動穡體雷 檟體電路(包括記憶體及晶載電 路)之任何器件中。 造包括感測放大器 於電子器件中。關 可如說明性程序600中所描述般來製 1 〇〇之器件、對其進行處理且將其併入 159258.doc •22· 201232555 於圖1至圖5所揭示之實施例的一或多個態樣可包括於各種 處理階段處’諸如包括於程式庫檔案612、GDSII檔案626 及GERBER檔案652内,以及儲存於研究電腦6〇6之記憶體 610處、設計電腦614之記憶體618處、電腦646之記憶體 650處、在各種階段處(諸如在板組裝程序654處)使用之一 或多個其他電腦或處理器(未圖示)的記憶體處,且亦可併 入於一或多個其他實體實施例(諸如遮罩632、晶粒636、 封裝640、PC A 658、諸如原型電路或器件(未圖示)之其他 產品,或其任意組合)中。儘管描繪了自實體器件設計至 最終產品之各種代表性生產階段,但在其他實施例中,可 使用較少階段或可包括額外階段。相似地,可藉由單一實 體或藉由執行程序600之各種階段的一或多個實體來執行 程序600。 熟習此項技術者應進一步瞭解,可將結合本文中所揭示 之實施例所描述之各種說明性邏輯區塊、組態、模組、電 路及演算法步驟實施為電子硬體、由處理器所執行之電腦 軟體,或兩者之組合。上文大體在功能性方面描述了各種 說明性組件、區塊、組態、模組、電路及步驟。此功能性 是實施為硬體抑或處理器可執行指令視特定應用及強加於 整個系統之设計約束而定。熟習此項技術者可針對每一特 定應用以變化之方式實施所描述之功能性,但不應將此等 實施決策解釋為導致偏離本發明之範_。 結合本文中所揭示之實施例而描述之方法或演算法的步 驟可直接以硬體、由處理器執行之軟體模組,或兩者之組 159258.doc -23· 201232555 合來體現。軟體模組可駐存於隨機存取記憶體(編)、快 閃。己憶體、唯讀記憶體(R〇M)、可程式化唯讀記憶體 (PROM)、可抹除式可程式化唯讀記憶體⑽、電可 抹除式可程式化唯讀記憶體(EEPR〇M)、暫存器、硬碟、 抽取式磁碟、緊密光碟唯讀記憶體(CD-R0M),或此項技 術中已知之任何其他形式的非暫時性儲存媒體中。例示性 儲存媒體耦接至處理器,以使得該處理器可自該儲存媒體 讀取資訊及將資訊寫入至該儲存媒體。在替代例中,該儲 存媒體可整合至該處理器。該處理器及該儲存媒體可駐存 於特殊應用積體電路(ASIC)中。該ASIC可駐存於計算器件 或使用者終端機中。在替代例中,處理器及儲存媒體可作 為離散組件駐存於計算器件或使用者終端機中。 提供所揭示之實施例的前述描述以使得熟習此項技術者 能夠製作或使用所揭示之實施例。對於熟習此項技術者而 言,此等實施例之各種修改將易於顯而易見,且在不偏離 本發明之範疇的情況下,可將本文中所界定之原理應用於 其他實施例。因而,本發明並非意欲限於本文中所展示之 實施例’而應符合與如以下申請專利範圍所界定之原理及 新穎特徵相一致之可能的最廣泛範疇。 【圖式簡單說明】 圖1為具有經選擇性供電的反相器之感測放大器之實施 例之圖式; 圖2為經耦接以給多工器提供輸出的具有經選擇性供電 的反相器之一對感測放大器之實施例之示意圖; 159258.doc -24- 201232555 圖3為在靜態隨機存取記憶體(Sram)設計中以^對!# 工方案實施的圖1中之感測放大器的實施例之示意圖; 圖4為使用感測放大器的方法之特定實施例之流程圖; 圖5為包括具有經選擇性供電的反相器之感測放大器之 通信器件的特定實施例之方塊圖;及 圖6為用以製造包括具有經選擇性供電的反相器之感測 放大器之器件的程序之特定實施例之流程圖。 【主要元件符號說明】 100 第一感測放大器 112 位元線 114 位元線 116 第一感測啟用信號 118 鎖存器 120 第一反相器 122 第二反相器 124 反相is輸入 126 第一鎖存器輸出 128 第一鎖存Is輸出 130 反相器輸入 132 第一供應輸入 134 第一輸出 136 第一供應輸入 138 第二輸出 200 第二感測放大器 159258.doc 201232555 202 輸出級 204 第一多工器(MUX) 206 第二多工器(MUX) 208 第一多工器(MUX) 210 第一輸出器件 212 第一輸出器件 214 第二多工器(MUX) 216 第二輸出器件 218 第二輸出器件 220 初始感測啟用信號 222 初始感測啟用信號 224 輸入信號反相器 226 鎖存器 228 第三反相器 230 第四反相器 232 輸入信號反相器 234 第二感測啟用信號 236 交叉耦合反相器 238 下拉器件 240 p型電晶體 242 η型電晶體 244 接地 246 位元線 248 位元線 • 26- 159258.doc 201232555 250 第一隔離器件 252 第二隔離器件 302 核心陣列 304 核心陣列 306 核心陣列 308 核心陣列 310 多工器(MUX) 312 多工器(MUX) 314 多工器(MUX) 316 多工器(MUX) 318 感測放大器 320 感測放大器 322 感測啟用信號 324 感測啟用信號 402 步驟 404 步驟 406 步驟 500 電子器件 510 數位信號處理器(DSP) 522 系統級封裝器件或系統單晶片器件 526 顯示控制器 528 顯示器 530 輸入器件 532 記憶體 159258.doc -27- 201232555 534 編碼器/解碼器(CODEC) 536 揚聲器 538 麥克風 540 無線控制器 542 無線天線 544 電源供應器 552 感測放大器 554 控制器 556 電腦可執行指令 558 處理器 600 電子器件製造程序 602 實體器件資訊 604 使用者介面 606 研究電腦 608 處理器 610 記憶體 612 程式庫檔案 616 處理器 618 記憶體 620 電子設計自動化(EDA)工具 622 電路設計資訊 624 使用者介面 626 GDSII檔案 628 製作程序 159258.doc -28- 201232555 630 遮罩製造商 632 遮罩 634 晶圓 636 晶粒 638 封裝程序 640 封裝 642 P C B設計資訊 644 使用者介面 646 電腦 648 處理器 650 記憶體 652 GERBER檔案 654 板組裝程序 656 印刷電路板(PCB) 658 印刷電路總成(PCA) 660 產品製造程序 662 第一代表性電子器件 664 第二代表性電子器件 d 資料信號 dl 資料信號 db 補充資料信號 dbl 補充資料信號 SENO 感測啟用信號 SEN1 感測啟用信號 159258.doc -29- 201232555 SEN2 SEN3 感測啟用信號 感測啟用信號 159258.doc •30·
Claims (1)
- 201232555 七、申請專利範圍: 1. 一種感測放大器,其包含: 一第一反相器,其對一鎖存器之一第一輸出作出回 應’其中該第一反相器由一感測啟用信號來供電;及 一第二反相器,其對該鎖存器之一第二輸出作出回 應,其中該第二反相器由該感測啟用信號來供電。 2_如請求項1之感測放大器’其中該第一反相器包含: 一供應輸入,其接收該感測啟用信號;及 一反相器輸入’其接收該鎖存器之該第一輸出。 3.如請求項2之感測放大器,其中該第一反相器包含在該 供應輸入與一接地之間串聯耦接的一 p型電晶體及—η蜇 電晶體。 4·如請求項1之感測放大器,其中該鎖存器包含一對交叉 搞合反相器。 5.如請求項1之感測放大器,其中該第一反相器包含複數 個低臨限電壓器件。 汝明求項1之感測放大器,其中該第一反相器之一輸出 耦合至—輸出級。 7.如請求項6之感測放大器,其中該輸出級包含一多工器 (MUX),且其中該感測放大器經組態以回應於接收到該 感測啟用信號而將該第一反相器之該輸出提供至該 MUX。 月求項6之感測放大器,其中在不使用一或非(n〇r)電 路之情況下控制該輸出級。 I59258.doc 201232555 9. 士 μ求項8之感測放大器,其中該感測啟用信號控制一 柄接至一第一位元線之隔離器件。 10. 如請求項9之感測放大器,其中在該第一反相器由該感 測啟用信號供電時該隔離器件將該第一反相器與該第一 位元線隔離。 11. 如請求項6之感測放大器,其中該輸出級接收來自至少 一額外感測放大器之一輸出。 12·如請求項6之感測放大器’其中該輸出級包含一第二多 工器(MUX) ’且其中該感測放大器經組態以回應於接收 到該感測啟用信號而將該第二反相器之該輸出提供至該 第二 MUX 〇 13.如請求項丨之感測放大器’其中該感測放大器為一電壓 鎖存感測放大器。 14 ·如請求項1之感測放大器,其整合於至少一半導體晶粒 中。 15. 如請求項丨之感測放大器,其進一步包含一選自由以下 各者組成的群組之器件:一機上盒、一音樂播放器、一 視訊播放器、一娛樂單元、一導航器件、一通信器件、 一個人數位助理(PDA)、一固定位置資料單元及一電 腦’該感測放大器整合於該器件中。 16. —種方法,其包含: 藉由給一感測放大器之一第一反相器及該感測放大器 之一第二反相器提供一感測啟用信號來選擇性地給該第 一反相器及該第二反相器供電。 159258.doc -2- 201232555 17·如印求項16之方法’其進一步包含將該感測啟用信號發 送至一搞接至一 4立元線之隔㉟器件以在該感㈣啟用信號 給-亥第-反相器及該第二反相器供電時將該第一反相器 與該位元線隔離。 18. 如清求項π之方法,其進一步包含將該感測啟用信號發 送至一耗接至一第二位元線之第二隔離器件以在該感測 啟用信號給該第一反相器及該第二反相器供電時將該第 一反相器與該第二位元線隔離。 19. 如請求項16之方法,其進一步包含在該感測啟用信號不 給該第一反相器及該第二反相器供電時制止來自該第一 反相器之輸出。 20. 如請求項16之方法,其中藉由提供該感測啟用信號來選 擇性地給該第一反相器及該第二反相器供電係在一整合 於一電子器件中的處理器處執行。 21· —種裝置,其包含: 一第一感測放大器,其包含一第一反相器及一第二反 相器,其中基於在該第一感測放大器處接收到之一第一 感測啟用信號來選擇性地給該第一反相器及該第二反相 器供電;及 一第二感測放大器,其包含一第三反相器及一第四反 相器,其中基於在該第二感測放大器處接收到之一第二 感測啟用信號來選擇性地給該第三反相器及該第四反相 器供電。 22.如請求項21之裝置,其中該第一感測放大器耦接至一對 159258.doc 201232555 位元線。 23. 如請求項21之裝置’其中該第一感測放大器包含一用以 產生該第一感測啟用信號之反相器。 24. 如請求項21之裝置,其中該第一感測放大器包含一電壓 鎖存感測放大器。 25. 如請求項21之裝置,其中該第一反相器包含複數個低臨 限電壓器件。 26. 如請求項21之裝置,其中在該第一感測啟用信號指示一 停用狀態時不將電力供應至該第一反相器及該第二反相 器。 27. 如請求項2 1之裝置’其中在該第一感測啟用信號指示一 啟用狀態時將電力供應至該第一反相器及該第二反相 器。 28. 如請求項21之裝置,其整合於至少一半導體晶粒中。 29·如請求項21之裝置,其進一步包含一選自由以下各者組 成的群組之器件:一機上盒、一音樂播放器、一視訊播 放器、一娛樂單元、一導航器件、一通信器件、一個人 數位助理(PDA)、一固定位置資料單元及一電腦,該第 一感測放大器及該第二感測放大器整合於該器件中。 30. —種裝置,其包含: 用於使一鎖存器之-第—輸出反相之構件,其中用於 使該第-輸出反相之該構件由一感測啟用信號來供電及 用於使該鎖存器之一.第二輸出反相之構件,其中用於 使該第二輸出反相之該構件由該感測啟用信號來供電。、 159258.doc 201232555 31·如請求項30之裝置,其中用於使該鎖存器之該第一輪出 反相之該構件包含複數個低臨限電壓器件。 32. 如請求項30之裝置,其進一步包含用於將該鎖存器之該 第一輸出與一第一位元線選擇性地隔離之構件,其中用 於選擇性地隔離該第一輸出之該構件係由該感測啟用信 * 號控制。 33. 如請求項30之裝置,其整合於至少一半導體晶粒中。 34·如請求項30之裝置,其進一步包含一選自由以下各者組 成的群組之器件:一機上盒、一音樂播放器、一視訊播 放器、一娛樂單元、一導航器件、一通信器件、一個人 數位助理(PDA)、一固定位置資料單元及一電腦,用於 使該第一輸出反相之該構件及用於使該第二輸出反相之 該構件整合於該器件中。 35· —種方法,其包含: 用於藉由給一感測放大器之一第一反相器及該感測放 大器之一第二反相器提供一感測啟用信號來選擇性地給 該第一反相器及該第二反相器供電之一步驟;及 用於在該感測啟用信號不給該第一反相器及該第二反 ' 相器供電時制止來自該第一反相器之輸出之一步驟。 . 36.如請求項35之方法,其進一步包含: 用於將該感測啟用信號發送至一耦接至一位元線之隔 離器件以在該感測啟用信號給該第一反相器及該第二反 相器供電時將該第一反相器與該位元線隔離之一步驟;及 用於將該感測啟用信號發送至一耦接至一第二位元線 I59258.doc 201232555 之第一隔離器件以在該感測啟用信號給該第—反相器及 該第二反相器供電時將該第二反相器與該第二位元線隔 離之一步驟。 37. 如請求項35之方法’其中用於選擇性地給該第一反相器 供電之該步驟及用於選擇性地給該第二反相器供電之該 步驟係在一整合於一電子器件中的處理器處執行。 38. —非暫時性電腦可讀媒體,其儲存可由一電腦執行之若 干指令,該等指令包含: 可由該電腦執行以藉由給一感測放大器之一第一反相 器及該感測放大器之一第二反相器提供一感測啟用信號 來選擇性地給該第一反相器及該第二反相器供電之若干 指令。 39. 如請求項38之電腦可讀媒體’其中將該感測啟用信號提 供至一麵接至一位元線之隔離器件以在該感測啟用信號 給該第一反相器及該第二反相器供電時將該第一反相器 與該位元線隔離。 40. 如請求項38之電腦可讀媒體,其中將該感測啟用信號提 供至一搞接至一第二位元線之第二隔離器件以在該感測 啟用信號給該第一反相器及該第二反相器供電時將該第 二反相器與該第二位元線隔離。 41. 如請求項38之電腦可讀媒體,其中該等指令可由一整合 於一器件中之處理器執行,該器件選自由以下各者組成 之群組:一機上盒、一音樂播放器、一視訊播放器、一 娱樂單元、一導航器件、一通信器件、一個人數位助理 159258.doc • 6 - 201232555 (PDA)、一固定位置資料單元,及一電腦。 42· —種方法,其包含: 接收表示一半導體器件之至少一實體性質的役5二 訊’該半導體器件包含: —第一反相器,其對一鎖存器之一第一輪出作出回 應,其中該第一反相器由一感測啟用信號來供電;及 —第二反相器’其對該鎖存器之一第二輸出作出回 應,其中該第二反相器由該感測啟用信號來供電; 轉換該設計資訊以遵循一檔案格式;及 產生一包括該經轉換之設計資訊的資料檔案。 43·如請求項42之方法,其中該資料檔案包括一 GDSH格 式。 44.如請求項42之方法,其中該資料檔案包括一 GERBER格 式。 159258.doc
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Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4843264A (en) * | 1987-11-25 | 1989-06-27 | Visic, Inc. | Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM |
JPH0727717B2 (ja) * | 1988-07-13 | 1995-03-29 | 株式会社東芝 | センス回路 |
US5017815A (en) | 1989-12-20 | 1991-05-21 | At&T Bell Laboratories | Sense amplifier with selective pull up |
US5304874A (en) | 1991-05-31 | 1994-04-19 | Thunderbird Technologies, Inc. | Differential latching inverter and random access memory using same |
JPH0574175A (ja) | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
JPH0574172A (ja) | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Seiko Epson Corp | 半導体記憶装置 |
JPH087573A (ja) | 1994-06-14 | 1996-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置と、そのデータの読出および書込方法 |
JPH10255480A (ja) | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | センスアンプ |
US6031776A (en) * | 1999-08-17 | 2000-02-29 | United Microelectronics Corp. | Sense amplifier circuit for a semiconductor memory device |
US6971160B1 (en) * | 2002-01-03 | 2005-12-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hybrid electrical circuit method with mated substrate carrier method |
JP2004213829A (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US7061793B2 (en) | 2004-03-19 | 2006-06-13 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for small signal sensing in an SRAM cell utilizing PFET access devices |
US8411490B2 (en) | 2004-07-10 | 2013-04-02 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Sense amplifier for static random access memories |
US7616513B1 (en) | 2004-10-29 | 2009-11-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory device, current sense amplifier, and method of operating the same |
US7590017B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-09-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | DRAM bitline precharge scheme |
US7505341B2 (en) | 2006-05-17 | 2009-03-17 | Micron Technology, Inc. | Low voltage sense amplifier and sensing method |
JP4987896B2 (ja) | 2009-03-18 | 2012-07-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
FR2948809B1 (fr) * | 2009-07-31 | 2012-08-17 | St Microelectronics Rousset | Amplificateur de lecture faible puissance auto-minute |
FR2951575B1 (fr) * | 2009-10-20 | 2011-12-16 | St Microelectronics Rousset | Amplificateur de lecture ayant des moyens de precharge de bitline rapides |
US8279659B2 (en) * | 2009-11-12 | 2012-10-02 | Qualcomm Incorporated | System and method of operating a memory device |
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