TW201230043A - Electronic device, method for controlling memory thereof and associated computer-readable storage medium - Google Patents
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Description
201230043 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係與反及閘快閃記憶體(NAND flash memory) 相關,並且尤其與自動偵測反及閘快閃記憶體之讀取命令 序的方法相關。 【先前技術】 反及閘快閃§己憶體具有容量大、成本低、存取速度快 荨優點,因此被廣泛應用在多種消費性電子產品中。除了 儲存使用者資料外,反及閘快閃記憶體亦常被用以存放作 業系統專佔用大量記憶體空間的軟體資料與程式。然而, 受限於反及閘快閃s己憶體以相同腳位做為位址傳輸埠和資 料傳輸埠的特性,利用反及閘快閃記憶體儲存軟體資料與 程式的電子裝置被開機或重置時,電子裝置中的控制器無 法直接自反及閘快閃記憶體取得軟體資料與程式。更明確 地說,只有在正確地發送讀取命令序後,控制器才能自反 及閘快閃記憶體取得資料;問題在於,控制器在剛被啟動 的情況下並不能得知該讀取命令序為何。 一依容量大小,不同的反及閘快閃記憶體有不同的讀取 命令序。就一種現行的反及閘快閃記憶體而言,讀取命令 序分為四種:第-種是在命令〇〇後加上三個位元組的位 址,第二種是在命令00後加上四個位元組的位址,第三種 是在命令00後依序加上四個位元組的位址及命令3〇,第 201230043 四種是在命令〇〇後依序力 30。上述命令00和命令3〇比^五個位元組的位址及命令 且洛丁欲 自為以十六進位制表示的命令’ 長度===制器希望讀取之資料存放的位址。 續取==體開機時,控制器無法得知其 ;錢㈣代轉,料如下。 /、八為使用反或閘(NOR)快閃記憶體開 機。電子裝置被開機或重置接 心 先自反或閘制記#’其中的控制11被設定為首
石糸絲m、 〇 °貝第—段軟體程式,藉此初始化 動態隨機存取記憶體控_,並自反 =閃記憶體取得後續軟體資料與程式。反或問快閃記 =體=内容可被4複修改,因此反及閘快閃記憶體適用的 項序可被寫人上述第—段軟體程式中,使控制器能 正確地存取反及閘快閃記憶體。這種方案的缺點有二。其 一 ’反或閘㈣記龍的價格較高,採駭或縣閃記憶 體會增加電子|置的成本。其二…旦電子裝置製造商因 為庫存或備料等因素選用不同容量的反及閘糾記憶體, 反或閘快閃記憶體中的軟體程式必須相對應地更新,因此 造成人力和時間的浪費,甚至可能延遲供貨進度。 另一種現行方案為使用〇neNandTM快閃記憶體開機。 此種記憶體是將反及閘快閃記憶體晶片、靜態隨機存取記 憶體晶片和邏輯晶片整合成單一晶片,並採用反或閘快閃 記憶體介面。電子裝置被開機或重置後,〇neNandTM快閃 記憶體偵測到電壓升緣,隨即進入冷重置模式(cold reset m o d e) ’將反及閘快閃記憶體晶片中最前端一千位元的資料 搬移至靜態隨機存取記憶體,讓控制器經由反或閘快閃記 201230043 憶體介面存取此資料。上述一千位元的資料即為初始化硬 體系統的第一段軟體程式,可協助控制器自反及閘快閃記 憶體取得後續軟體資料與程式,繼續開機流程。這種方案 的缺點有二。其一,〇neNandTM快閃記憶體價格較高,會 增加電子裝置的成本。其二,一旦採用0neNandTM快閃記 憶體之後,若電子裝置製造商決定改採其他種類的記憶 體,即須重新設計、製作電路板系統;調整硬體的彈性因 此受到極大限制。 尚有另一種替代方案為使用eMMC記憶體開機。 eMMC記憶體是將反及閘快閃記憶體晶片和控制晶片包裹 在一起,並利用多媒體記憶卡(MultiMediaCard)介面與外部 處理器溝通。第4.3版之後的eMMC記憶體具有一開機模 式,可讓外部處理器從eMMC記憶體讀取軟體資料與程 式,以進行開機流程。這種方案同樣存在成本過高且硬體 調整彈低的缺點。此外,目前不同廠牌的記憶體 被啟動後之反應時間有差異’增加了控制器設計上的複雜 度和誤判風險。 【發明内容】 為解決上述問題’本發明提出一種新的記憶體控制方 案’藉由自動偵測程序,找出電子裝置中之反及閘快閃記 隐體所適用的讀取命令序。經過適當賴計,本方案可適 用於所有種類的反及閘快閃記憶體;即使電子裝置製造商 因為庫存或備料等因素翻不同容量的反及閘快閃記憶 201230043 體,該自動偵測程序同樣可 須人力介入。除了可省去 4目對應的讀取命令序,不 金錢,材t倾供好⑽㈣的時間和 -反及間快閃記憶體、 胃子褒f其令包含 閘快閃記憶體具有一讀取今人,憶體及一控制器。該反及 用以偵測該讀取命令序之^石序。該辅助記憶體中儲存有 程序中’該控制器自該輔::二:該電子震置之-啟動 藉此取得該讀取命令序,並^體5賣取並執行該程式碼, 及間快閃記憶體之-儲存^根據該讀取命令序存取該反 根據本發明之另一且 啟動程序中的記憶體控制方^例為應用於-電子裝置之 快閃記憶體及一輔助記憶體。;裝置包含-反及問 存於該辅助記憶體中之一程μ万法包含首先執行讀取儲 偵測該反及閘快閃記憶體之驟,該程式碼係用以 行該程式碼以取得該讀取命人、卩7序。後續的步驟為執 取該反及閘快閃記憶體之以及根據該讀取命令序存 爾存内容。 根據本發明之另_具綠管 ^ 7、 體,其中儲存有可由1電腦可讀取儲存媒 電子裝置之啟動程序中,該^並執行之程式碼。於一 閃記憶體之-讀取命令序^〔媽係用以價測-反及問快 間快閃記憶體發送一候選讀二土::::用以對該反及 以偵測該反及間快閃記憶體 ^之第—子程式碼、用 程式碼,以及用以重複執行第—生回應訊號之第二子 快閃記憶體產生該回應訊‘之;Τ程式碼,直到該反及間 ^ 子程式碼。若第二子裎 201230043 ί竭中之果為否,料二子程式碼包含對該反及門 快閃記憶體發送另—候選讀取命令序。 /反及閘 除了讀取命令序之外,根據本發明之自動憤測程序亦 :用以摘反及閘快閃記憶體之資料匯流排寬度。該自動 =測程序的程柄可以被存放在價格較低、不 f唯讀記龍中,藉崎低電子裝㈣賴成本。 程式碼實_自動制轉转而快速。相較於先 t ’根據本發私記舰㈣方案具有成錢且彈性高等 優點。本發_舰與精神可 所附圖式得到進-步_解。 W述及 實施方式】 彻。f—所示之電子裝置為根據本發明之第—具體實施 击。電子裝置10包含-反及閘(NAND)快閃記憶體12、一 f助記憶體Μ及-控制器16。舉例而言,電子裝置料 ^位攝影機、行動通訊裝置、攜帶型電腦、桌上型電腦 ^外接式儲存裝置等各種_反及職閃記憶體12的 展置’但不以此為限。 ^反及閘快閃記憶體12具有一適用的讀取命令序。輔助 。己憶體Μ令儲存有用以偵測該讀取命令序之一程式碼。如 ,一所τ ’控制器16分別連接至反及閉快閃記憶體U與 助把憶體14。電子裝置10被啟動(例如開機或重置)後, 控制器16即自輔助記髓14f賣取該程式石馬並執行該程式 碼,藉此取得反及閘快閃記憶體12之讀取命令序。以下將 201230043 4明控制器16取彳于该讀取命令序的詳細實施方式。 如先前所述,就現行的反及閘快閃記憶體而言,讀取 印7序分為四種.第一種是在命令〇〇後加上三個位元組的 位址,第二種是在命令00後加上四個位元組的位址,第三 種疋在命令00後依序加上四個位元組的位址及命令3〇, 第四種是在命令00後依序加上五個位元組的位址及命令 3〇。以下說明以反及閘快閃記憶體12適用之讀取命令序屬 於N種讀取命令序之一的情況為例,N為一正整數。 # 圖二為輔助記憶體14中儲存的程式碼所對應之一偵 測程序範例。首先,該程式碼令控制器16執行步驟S2卜 對反及閘快閃記憶體12發送一重置信號及N種讀取命令 序中的第-種候選讀取命令序。以該第一種候選讀取命令 序為命令00加上三個位元組之位址的情況為例,其中三個 位兀組代表的位址可以是反及閘快閃記憶體12中第一個 區塊之第一資料列的位土止,但不以此為限。該重置信號係 用以令反及閘快閃記憶體12重新進入接收外部指令的初 鲁 始狀態。 接著,在步驟S22中,控制器16開始等待並偵測反及 問快閃δ己憶體12是否產生一回應訊號。實務上,各類反及 閘决閃η己憶體皆具有一就緒/忙碌(ready/busy)輸出腳位(簡 稱R/B腳位),其電壓通常被預設為高準位,表示該反及問 快閃記憶H處料忙麵可接受讀取命令序的狀態。當 R/B腳位的電壓為低準位,表示該反及縣閃記憶體已接 受外部傳來適用之讀取命令序,並且正在將該讀取命令序 紋之位址所對應的資料載人該反及閘快閃記憶體内部的 201230043 暫存記憶區,準備供外部電路讀取。在資料載入暫存“ ‘ 區的動作完成後,R/B腳位的電壓又重新回到高準己隐 此實施例中,控制器16即藉由偵測反及閘快二己憶立體= 的R/B腳位之電壓來判斷反及閘快閃記憶體12是否 一回應訊號。更明確地說,若R/B腳位之電壓出 低再轉高的變化可做為反及職閃記憶體丨 π轉 訊號的表示。 生—回應 右夂及閉快閃記憶體12所適用之讀取命令 第-種候選讀取命令序,在步驟S21後,反及間快閃Μ 體12的R/B腳位之電壓會出現上述由高轉 ^ 對地’若反及閑快閃記憶體12所適用之讀取 並非第-種候選讀取命令序,反及職閃記憶體 = 腳位之電壓就會維持在高準位,不發生變化= 實務上,控制器16可利用如圖三所示之正 :測R/B腳位的電壓變化。正反器34 出:= 為。’並且都是接受時= 反相正反^ %瞻端他倾收經過反相 器32反相之R/B腳位信號,正反器 直接接收R/B腳位信號。R/ 脈知呲則是 轉換時,正反巧34 =山 的電遷出現由高至低的 、子正反器34的輸出端q將由
=«出現由低至_換時,正反:= 以為1。及閘38的輸出信號〇ut會 :^ Q 指出反及·閃記憶體12已提供回應訊號。…’ 承上所述,若步驟S22的判斷姓 即於步驟奶t取反及恥閃記賴丨2所^=^ 201230043 令序為塗__ 斷結果為選讀取命令序。相對地,若步驟S22的判 種候選讀取人16將繼續執行步驟S24,判斷是否N 行測試。^都曾被發送至反及閘快閃記憶體12進 對反及間快 體的,步驟S25將被執行, 命令序中去/ 號及該N種候選讀取 器16會^㈣觸料怜接著,控I 重新執行步驟S22 ’等待並摘、、則及e pH 12是否產>^πΕίε ㈣_觀及_閃記憶體 示反及則^喊。若倾似的靖絲為是,表 選讀取命=憶體二適用之讀取命令序並㈣種候 程序。序之―’控制器16將執行步驟S26,停止開機 先前^而5,该程式碼可被設計為令控制器16逐一嘗試 •述之第一種到第四種讀取命令 # 閘快閃記愔鞅太丄 1到偵測到反及 皆不能令反嫌喻回體=或直到各種讀取命令序 讀取命人成卢兩“ ㈣卿器16即可根據此 進彳細記龍12巾_細容,Μ 進仃開機程序或其他後續運作。舉例而言制 ^ 及閉快閃記憶體u中所取得者可能是動離 16 j控i ’接者再將自反及職閃記憶體i2取得 人動態隨機存取記憶财執行。上述程式碼ΐ 皮叹计為在及閘38的輸出信號⑽由G變換為〗 料知控制器16開始自反及閘㈣記憶體 ^ 错此提升電子裝置10的開機速度。 貝卞十 201230043 由以上說明可知,無論電子裝置⑴巾選 閃記憶體12是哪-種,控制 幻汉及㈣ 測並得知其讀取命令序。換= ==:=變_整。二 ==r,例如遮罩式唯讀記二 ROM)。T於“技術中所制的反或職_ OneNand 賴記憶_ eMMe ^ 格低廉許多。藉此,電子w 卞只"己隱體的價 用上述方料大叫Γ _的⑽成本可較未採 中,=方ί:ΐ:讀取命令序的可能性皆納入程式碼 即使f裝置製造商因庫存或㈣_素_^^ =:ΓΓ,該自動偵測程序同樣可找出相對應的 間和金錢、提升出貨效ί 式所耗費的時 性空間。 羊上述方案亦保留調整硬體的彈 另方面,輔助記憶體14中所儲存者亦可進包含 1Μ貞測反及閉快閃記憶體12之資料匯流排 繼nus度的第二程式碼,令控制器16在步驟S23後 所不之流程。舉例而言,反及閘快閃記憶體 •/、由:淮流排(琿)寬度可能為8位元或16位元。於 設反及間快閃記憶體12的資料匯 藤…一镇&人為 兀,並且對反及閘快閃記憶體12 τ令。在步驟S42中,控制器16讀取反及閘快 201230043 閃記憶體12回應於該讀取命令所提供之儲存内容 言’資料被寫入反及閘快閃記憶體u時 二又而 程序,此程序產生的資料校巧也會被;二 I6讀取到的儲存内容也同樣會包含該資料校正竭1。
在步驟S43中,控制器16針對該儲存進行 資料匯流排⑷寬度為8位元之錯:仃:於 -資料校正碼,與該儲存内容中所包含的二^ 對二若兩者的差異在可容許的範圍内,控制器】匕 儲存内容通過錯純正檢查。如圖四所示 卩心该 判斷結果為是,控制11 16將執行步驟s45,判定反:^ 閃記憶體丨2之資料®流排寬度 及_ 寬度("位元)。相對地,若步驟 ㈣器16將執行步驟祕,判定反及閘快閃記之 ㈣匯流排⑷寬度為.另_種資料_ 16位元)。須說明的是,上述 )寬度(即 有其他資料匯流排(淳)寬度的反 =:整:: 以8位元和16位元為限。 己匕體12’不 根據本發明之另-具體實施例為一 置1。之啟動程序(例如開機或重 二:::子裝 該電子裝置10包含-反及_ ㈣體控制方法。 體14。實務上,該輔助記憶^ —輔助記憶 五為該方法的流程圖。首先,讀唯讀魏體。圖 中之一程式碼的步驟S51被執行;辅助記憶體Μ 反及閘快閃記憶體12之讀取命1式竭係用以债測該 行該程式碼以取得該讀取命令序7 ’步驟⑻為執 ν驟S53則是根據該讀 201230043 取命令序存取該反及閘快閃記憶體12中的儲存内容。圖二 即為上述程式碼可對應之—制程序的流程範例。 〃圖六係緣示上述程式碼可對應之另一偵測程序的流程 1巳例此偵襄序的概念亦為嘗試對反及閘快閃記憶體 發送各種可能的讀取命令序組合。本範例與前兩個範例的 主要差異在於’本範例中的程序係根據由反及閑快閃記憶 體12 ^暫存„己憶區項取的資料是否通過錯誤校正檢絲 判斷=前嘗試的讀取命令序是否正確。舉例而言,所謂各 # 、专 1 言 y*· 幾個條件的變換组 =輯取命令相魏衫包含命令30、闕取命令序 ==:幾個位元組,以及該位址部份係對應於反 及閘快閃魏體12中的哪一個資料列。 卜㈣記髓丨2發送 命令序的位址部二’該第_種㈣讀取 I忉匕3 一個位兀組、結尾不包 應於反及_,記憶體12中第一個區塊 命反及閘快閃記憶體12所適用的讀取 壓會轉換為低準位序’其腳位的電 資料已載入暫存記憶區後回崎:塊資料列中的 3 s62係等待-段時間,確認反及二==之 快閃記憶體!2之暫存1/驟_為_反及間 憶區讀取的資料==r4則是針對由暫存記 步驟邮係根據步驟S64的結果判斷上述由暫存記憶 201230043 區讀取的資料是否通過錯誤校正檢杳 結果為是,表示該反及開快閃記〜°右步驟S65的判斷 序即為目前嘗試的候選讀取命令 2所適用的讀取命令 據目前嘗試的讀取命令序開如自 因此,步驟S66為根 取後續資料。相對地,若該反及反及閉快閃記憶體I2讀
讀取命令序並非目前嘗試的讀取記憶體12所適用的 體12不會將其第—個區塊之第二:序,反及閘快閃記憶 存記憶區。因此,步驟S63中由:貝料列中的資料載入暫 =結果可能是各位元皆為·無法;的資料(讀 圖七所示’若步驟S65的判 。曰W父正檢查。如 行,以判斷是否各種將被執 若步驟S67的判斷結果A 已被嘗试。 反及閘快閃記憶體12發重’步驟S68將被執行’對 讀取命令序。若、矾號及一未嘗試過的候選 讀取命丄:::二的:斷結果為是,
止該電子敕置!。的開機;序執:亍’以停 之匈斷結果為是的情a實際應用中,步驟S67 12存在異常_時。 會發生在反及閘快閃記憶體 範例候選讀取命令序之-詳細流程範例。於此 實現n'、的步驟S67和步驟S68係以步驟S71〜S76 別為—%纟步驟S61之前的步驟S72、S74和S76分 二:讀!Γ令序中是否包含命令-、設定位址之 透過步物:言’ 定為「 第一種候選讀取命令序可被設 立疋組數為3、結尾不包含命令3G,且位址部 201230043 份對應於第-個區塊之第—資料列」。若步驟附的判斷結 果為否,步驟S71首先被執行,以判斷是$「位址位元^ 數為3、結尾包含含命令3().,且位址部份對應於第一個 區塊之第_貝料列」的兩種組合皆已嘗試。若步驟幻 判斷結果為否,步驟S72將被執行,將下一個將被發的 候選項取"P令序修改為「位址位元組數為3、結尾包含^ 令30,且位址部份對應於第-個區塊之第-資料列」。p 若步驟S71的判斷結果為是,表示「位址位元植 令30,且位址部份對應於第-個區塊 以判斷是料前已t試至最彳卜齡祕核數,^丁曰’ 否位址位元組數為3、4、5的情況皆已嘗試。若步驟^ 結果為否,步驟S74將被執行,將下 =選,序之位址位元組數設定為未經嘗試者: 為3Μ/Γ=奶的判斷結果為是,表示「位址位元組數 " 、’σ尾包含/不含命令30」的六種組合皆已嘗試, 步驟S75將被執行,4斷3 ° 料列位址,疋錢别已嘗試至最後—種資 個區塊之第最後一 S76將、由L 若步驟仍的判斷結果為否,步驟 料列彳1仃,將下—個將被發送的候選讀取命令序之資 S75的立Γ修改為對應於下個區塊之第一資料列。若步驟 結果為是’步請將被執 蝴: 裝置10的開機程序。 °茨电于 快閃::之12在圖;的流程之;,圖四所示之關於反及閘 之=貝料匯流排寬度的偵測程序可接續著被 16 201230043 纪怜體之實施例中,財子於該輔助 ^讀取命令序及資料匯流排寬度。如先前所述= 存該程式碼的輔助記憶體14可為唯 用乂儲 子裝置in ―胁μ 藉此降低電 =置H)的硬體成本。須說明的是,圖五〜圖 呈阿應用於圖一所示之電子裝置 二 制器16執行。 』P由圖一的控 根據本發明之另一具體實施例為 =其用中儲存有可由-控制器16讀取並執 :而:偵測一反及問快閃記憶體12之讀取命令序。舉 =7電腦可讀取儲存媒體可為圖一所示之輔助纪: =Γ為一光學儲存媒體、-軟碟片或-硬碟;Ϊ U此為限。該篦一招彳饭Α人 又呀但不 體12私、、’ ^對該反及閘快閃記情 體12發运-候選讀取命令序之 :己隐 反及閘快閃記憶體12是否產* 式碼肖以偵測該 碼,以及用以重複執行; 竭中之偵測結果為否,該第二^子程式碼。若第二子程式 閃記憶體12發送另—簡讀取命H碼包含對該反及間快 度。該第二程式碼包含12之資料匯流排寬 發送-讀取命令之第四子 h亥反及閘快閃記憶體12 記憶體12所提供之儲存内:、用以讀取該反及間快閃 斷該儲存内容是否通過一的第五子程式碼,以及用以判 艰迫錯遏奴正檢查的第六子程式碼。 201230043 ^二子&式喝亦包含:若該儲存内容通過錯誤校正檢查, 反及間快閃記憶體12之該資料匯流排寬度為一預 设資料匯流排寬度。 如上所述,本發明提出一種新的記憶體控制方案,令 ^器執4丁一自動債測程序,找出電子裝置中之反及閑快 二體12係採用何種讀取命令序。經過適當的設計,本 ^案可適用於所有種類的反及閘快閃記憶體12;即使電子 二商因為庫存或備料等因素選料同容量的反及閘 令人皮"體12 ’該自動價測程序同樣可找出相對應的讀取 II 士除了可省去以人力修改軟體程式所耗費的時間和 .^ t案亦保留調整硬體的彈性空間。此外,該自動 的可以被存放在價格較低、不可重複修改 以程^㈣藉此降低電子裝置1G的硬體成本。上述 备式馬實現的自動制程序方便而快速。 =根縣㈣之記㈣轉具錢林謂 藉由以上較佳具體實施例之詳述 描述本發明之特徵與精神,而 更加/月楚 體實施例來對本發明之射加《卩
==;,嫌的安排於她所‘ 【圖式簡單說明J 之了解: 本案得藉由7>例式及㈣,俾得—更深入 201230043 圖一為根據本發明之一具體實施例中 圖二為根據本發明之程式碼所對 電子裝置方塊圖。 序範例。 〜之一讀取命令序偵測程 圖二為用以偵測反及閘快閃記憔 範例。 、回應訊號的偵測電路 圖四為根據本發明之程式碼所對應一· 測程序範例。 “ 一資料匯流排寬度偵
圖五為根據本發明之一具體實施例中之 流程圖。 圮憶體控制方法的 所對應之讀取命令序偵 圖/、及圖七為根據本發明之程式石馬 測程序的流程範例。 【主要元件符號說明】
本案圖式巾所包含之各元㈣示如下: 12 :反及閘快閃記憶 10 :電子裝置 14 :輔助記憶體 S21〜S26 :流程步驟 34、36 :正反器 S41〜S46 :流程步驟 S61〜S69 :流程步驟 16 :控制器 32 .反相器 38 :及閘 S51〜S53 :流程步驟 S71〜S76 :流程步驟
Claims (1)
- 201230043 七、申請專利範圍: 1. 一種電子裝置,包含: 一反及閘快閃記憶體,具有一讀取命令序; 一輔助記憶體,儲存有用以偵測該讀取命令序之一第 一程式碼;以及 一控制器,分別連接至該反及閘快閃記憶體與該輔助 記憶體,於該電子裝置之一啟動程序中,該控制器自該辅 助δ己憶體讀取並執行該第一程式碼,以取得該讀取命令 序,並根據該讀取命令序存取該反及閘快閃記憶體之一儲 存内容。 2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置,其中該辅助記 憶體為一唯讀記憶體。 3. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置,其中該辅助記 憶體亦儲存有一第二程式碼,用以偵測該反及閘快閃記憶 體之一資料匯流排寬度。 4·、一種應用於一電子裝置之一啟動程序中的記憶體控制 方法,該電子裝置包含一反及閘快閃記憶體及一輔助記憶 體,該方法包含下列步驟: 讀取儲存於該辅助記憶體中之一第一程式碼; ±執行該第一程式碼,以偵測該反及閘快閃記憶體之一 讀取命令序;以及 根據该讀取命令序存取該反及閘快閃記憶體之一 内容。 碩什 如申凊專利範圍第4項所述之記憶體控制方法,其中古亥 201230043 輔助記憶體為一唯讀記憶體。 6. 如申請專利範圍第4項所述之記憶體控制方法,其中該 第一程式碼係對應於一第一偵測程序,該第一偵測程序包 含下列步驟: (a 1)對該反及閘快閃記憶體發送一候選讀取命令序; (a 2)偵測該反及閘快閃記憶體是否產生一回應訊號,若 否,對該反及閘快閃記憶體發送另一候選讀取命令序;以 及 • (a3)重複執行步驟(a2),直到該反及閘快閃記憶體產生 該回應訊號。 7. 如申請專利範圍第6項所述之記憶體控制方法,其中該 回應訊號係於一就緒/忙碌(R/B)輸出腳位之一電壓發生由 高轉低並且再由低轉高之變化時產生。 8. 如申請專利範圍第4項所述之記憶體控制方法,其中該 第一程式碼係對應於一第二偵測程序,該第二偵測程序包 含下列步驟: • (b 1)對該反及閘快閃記憶體發送複數種候選讀取命令 序中之一候選讀取命令序; (b2)讀取該反及閘快閃記憶體之一暫存記憶區中之資 料,並判斷該資料是否通過一錯誤校正檢查; (b3)若步驟(b2)之判斷結果為否,判斷該複數種候選讀 取命令序是否皆已嘗試;以及 (b4)若步驟(b3)之判斷結果為否,對該反及閘快閃記憶 體發送另一候選讀取命令序,並重複執行步驟(b2)〜(b3)。 9. 如申請專利範圍第4項所述之記憶體控制方法,更包含 21 201230043 下列步驟: 讀取儲存於該輔助記憶體中之一第二程式碼,該第二 程式碼係用以偵測該反及閘快閃記憶體之一資料匯流排寬 度;以及 執行該第二程式碼,以取得該資料匯流排寬度。 10. 如申請專利範圍第9項所述之記憶體控制方法,其中 該第二程式碼係對應於一第三偵測程序,該第三偵測程序 包含下列步驟: 對該反及閘快閃記憶體發送一讀取命令; · 讀取該反及閘快閃記憶體所提供之該儲存内容;以及 判斷該儲存内容是否通過一錯誤校正檢查,若是,判 定該反及閘快閃記憶體之該資料匯流排寬度為一預設資料 匯流排寬度。 11. 一種電腦可讀取儲存媒體,其儲存有能由一控制器讀 取並執行之一第一程式碼,於一電子裝置之一啟動程序 中,該第一程式碼係用以偵測一反及閘快閃記憶體之一讀 取命令序,該第一程式碼包含: · 一第一子程式碼,用以對該反及閘快閃記憶體發送一 候選讀取命令序; 一第二子程式碼,用以偵測該反及閘快閃記憶體是否 產生一回應訊號,若否,對該反及閘快閃記憶體發送一另 一候選讀取命令序;以及 一第三子程式碼,用以重複執行第二子程式碼,直到 該反及閘快閃記憶體產生該回應訊號。 12. 如申請專利範圍第11項所述之電腦可讀取儲存媒體, · 22 201230043 其中更儲存有一第二程式碼,用以偵測該反及閘快閃記憶 體之一資料匯流排寬度,該第二程式碼包含: 一第四子程式碼,用以對該反及閘快閃記憶體發送一 讀取命令; 一第五子程式碼,用以讀取該反及閘快閃記憶體所提 供之一儲存内容;以及 一第六子程式碼,用以判斷該儲存内容是否通過一錯 誤校正檢查,若是,判定該反及閘快閃記憶體之該資料匯 • 流排寬度為一預設資料匯流排寬度。 13. 如申請專利範圍第11項所述之電腦可讀取儲存媒體, 其中該反及閘快閃記憶體包含一就緒/忙碌輸出腳位,該回 應訊號係於一就緒/忙碌(R/B)輸出腳位之一電壓發生由高 轉低並且再由低轉高之變化時產生。 14. 如申請專利範圍第13項所述之電腦可讀取儲存媒體, 其中該控制器包含一正反器電路,連接於該就緒/忙碌輸出 腳位,該正反器電路具有一輸出端,依據該就緒/忙碌輸出 • 腳位之該電壓以提供該回應訊號。 23
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100101524A TWI467579B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 電子裝置及其記憶體控制方法以及相關電腦可讀取儲存媒體 |
US13/167,797 US8656089B2 (en) | 2011-01-14 | 2011-06-24 | Electronic device, memory controlling method thereof and associated computer-readable storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW100101524A TWI467579B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 電子裝置及其記憶體控制方法以及相關電腦可讀取儲存媒體 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201230043A true TW201230043A (en) | 2012-07-16 |
TWI467579B TWI467579B (zh) | 2015-01-01 |
Family
ID=46491633
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW100101524A TWI467579B (zh) | 2011-01-14 | 2011-01-14 | 電子裝置及其記憶體控制方法以及相關電腦可讀取儲存媒體 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8656089B2 (zh) |
TW (1) | TWI467579B (zh) |
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Publication number | Publication date |
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US20120185639A1 (en) | 2012-07-19 |
US8656089B2 (en) | 2014-02-18 |
TWI467579B (zh) | 2015-01-01 |
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