CN102609242B - 电子装置及其内存控制方法以及相关计算机可读取储存媒体 - Google Patents

电子装置及其内存控制方法以及相关计算机可读取储存媒体 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种电子装置,包含一与非门闪存、一辅助内存及一控制器。该与非门闪存具有一读取命令序。该辅助内存中储存有用以检测该读取命令序的程序代码。于该电子装置的一启动程序中,该控制器自该辅助内存读取并执行该程序代码,藉此取得该读取命令序,并根据该读取命令序存取该与非门闪存的储存内容。

Description

电子装置及其内存控制方法以及相关计算机可读取储存媒体
技术领域
本发明涉及与非门闪存(NAND flash memory),并且尤其涉及与自动检测与非门闪存的读取命令序的方法。
背景技术
与非门闪存具有容量大、成本低、存取速度快等优点,因此被广泛应用在多种消费性电子产品中。除了储存使用者数据外,与非门闪存亦常被用以存放操作系统等占用海量存储器空间的软件数据与程序。然而,受限于与非门闪存以相同脚位做为地址传输端口和数据传输端口的特性,利用与非门闪存储存软件数据与程序的电子装置被开机或重置时,电子装置中的控制器无法直接自与非门闪存取得软件数据与程序。更明确地说,只有在正确地发送读取命令序后,控制器才能自与非门闪存取得数据;问题在于,控制器在刚被启动的情况下并不能得知该读取命令序为何。
依容量大小,不同的与非门闪存有不同的读取命令序。就一种现行的与非门闪存而言,读取命令序分为四种:第一种是在命令00后加上三个字节的地址,第二种是在命令00后加上四个字节的地址,第三种是在命令00后依序加上四个字节的地址及命令30,第四种是在命令00后依序加上五个字节的地址及命令30。上述命令00和命令30皆为以十六进制制表示的命令,长度不等的地址则为控制器希望读取的数据存放的地址。
针对从与非门闪存开机时,控制器无法得知其读取命令序为何的问题,目前有几种替代方案,分述如下。
第一种解决方案为使用或非门(NOR)闪存开机。电子装置被开机或重置后,其中的控制器被设定为首先自或非门闪存读取第一段软件程序,藉此初始化硬件系统(例如设定动态随机存取内存控制器),并自与非门闪存取得后续软件数据与程序。或非门闪存的内容可被重复修改,因此与非门闪存适用的读取命令序可被写入上述第一段软件程序中,使控制器能正确地存取与非门闪存。这种方案的缺点有二。其一,或非门闪存的价格较高,采用或非门闪存会增加电子装置的成本。其二,一旦电子装置制造商因为库存或备料等因素选用不同容量的与非门闪存,或非门闪存中的软件程序必须相对应地更新,因此造成人力和时间的浪费,甚至可能延迟供货进度。
另一种现行方案为使用OneNandTM闪存开机。此种内存是将与非门闪存芯片、静态随机存取内存芯片和逻辑芯片整合成单一芯片,并采用或非门闪存接口。电子装置被开机或重置后,OneNandTM闪存检测到电压升缘,随即进入冷重置模式(coldreset mode),将与非门闪存芯片中最前端一千位的数据搬移至静态随机存取内存,让控制器经由或非门闪存接口存取此数据。上述一千位的数据即为初始化硬件系统的第一段软件程序,可协助控制器自与非门闪存取得后续软件数据与程序,继续开机流程。这种方案的缺点有二。其一,OneNandTM闪存价格较高,会增加电子装置的成本。其二,一旦采用OneNandTM闪存之后,若电子装置制造商决定改采其它种类的内存,即须重新设计、制作电路板系统;调整硬件的弹性因此受到极大限制。
尚有另一种替代方案为使用eMMC内存开机。eMMC内存是将与非门闪存芯片和控制芯片包裹在一起,并利用多媒体记忆卡(MultiMediaCard)接口与外部处理器沟通。第4.3版之后的eMMC内存具有一开机模式,可让外部处理器从eMMC内存读取软件数据与程序,以进行开机流程。这种方案同样存在成本过高且硬件调整弹性低的缺点。此外,目前不同厂牌的eMMC内存被启动后的反应时间有差异,增加了控制器设计上的复杂度和误判风险。
发明内容
为解决上述问题,本发明提出一种新的内存控制方案,藉由自动检测程序,找出电子装置中的与非门闪存所适用的读取命令序。经过适当的设计,本方案可适用于所有种类的与非门闪存;即使电子装置制造商因为库存或备料等因素选用不同容量的与非门闪存,该自动检测程序同样可找出相对应的读取命令序,不须人力介入。除了可省去以人力修改设定所耗费的时间和金钱,本方案亦提供电子装置制造商选用硬件的弹性空间。
根据本发明的一具体实施例为一电子装置,其中包含一与非门闪存、一辅助内存及一控制器。该与非门闪存具有一读取命令序。该辅助内存中储存有用以检测该读取命令序的程序代码。于该电子装置的一启动程序中,该控制器自该辅助内存读取并执行该程序代码,藉此取得该读取命令序,并能根据该读取命令序存取该与非门闪存的一储存内容。
根据本发明的另一具体实施例为应用于一电子装置的启动程序中的内存控制方法。该电子装置包含一与非门闪存及一辅助内存。该方法包含首先执行读取储存于该辅助内存中的一程序代码的步骤;该程序代码用以检测该与非门闪存的读取命令序。后续的步骤为执行该程序代码以取得该读取命令序以及根据该读取命令序存取该与非门闪存的一储存内容。
根据本发明的另一具体实施例为一计算机可读取储存媒体,其中储存有可由一控制器读取并执行的程序代码。于一电子装置的启动程序中,该程序代码用以检测一与非门闪存之一读取命令序。该程序代码包含:用以对该与非门闪存发送一候选读取命令序的第一子程序码、用以检测该与非门闪存是否产生一响应信号的第二子程序码,以及用以重复执行第二子程序码,直到该与非门闪存产生该响应信号的第三子程序码。若第二子程序码中的检测结果为否,该第二子程序码包含对该与非门闪存发送另一候选读取命令序。
除了读取命令序之外,根据本发明的自动检测程序亦可用以判断与非门闪存的数据总线宽度。该自动检测程序的程序代码可以被存放在价格较低、不可重复修改的只读存储器中,藉此降低电子装置的硬件成本。上述以程序代码实现的自动检测程序方便而快速。相较于先前技术,根据本发明的内存控制方案具有成本低且弹性高等优点。关于本发明的优点与精神可以藉由以下发明详述及附图得到进一步的了解。
附图说明
本发明得藉由下列附图及说明,得一更深入的了解:
图1为根据本发明的一具体实施例中的电子装置方块图。
图2为根据本发明的程序代码所对应的一读取命令序检测程序范例。
图3为用以检测与非门闪存的响应信号的检测电路范例。
图4为根据本发明的程序代码所对应的一数据总线宽度检测程序范例。
图5为根据本发明的一具体实施例中的内存控制方法的流程图。
图6及图7为根据本发明的程序代码所对应的读取命令序检测程序的流程范例。
主要组件符号说明
附图中所包含的各组件列示如下:
10:电子装置                12:与非门闪存
14:辅助内存                16:控制器
S21-S26:流程步骤           32:反相器
34、36:正反器              38:与门
S41-S46:流程步骤           S51-S53:流程步骤
S61-S69:流程步骤           S71-S76:流程步骤
具体实施方式
图1所示的电子装置为根据本发明的第一具体实施例。电子装置10包含一与非门(NAND)闪存12、一辅助内存14及一控制器16。举例而言,电子装置10可为数字摄影机、行动通讯装置、携带型计算机、桌上型计算机或是外接式储存装置等各种采用与非门闪存12的装置,但不以此为限。
与非门闪存12具有一适用的读取命令序。辅助内存14中储存有用以检测该读取命令序的一程序代码。如图1所示,控制器16分别连接至与非门闪存12与辅助内存14。电子装置10被启动(例如开机或重置)后,控制器16即自辅助内存14读取该程序代码并执行该程序代码,藉此取得与非门闪存12的读取命令序。以下将说明控制器16取得该读取命令序的详细实施方式。
如先前所述,就现行的与非门闪存而言,读取命令序分为四种:第一种是在命令00后加上三个字节的地址,第二种是在命令00后加上四个字节的地址,第三种是在命令00后依序加上四个字节的地址及命令30,第四种是在命令00后依序加上五个字节的地址及命令30。以下说明以与非门闪存12适用的读取命令序属于N种读取命令序的一的情况为例,N为一正整数。
图2为辅助内存14中储存的程序代码所对应的一检测程序范例。首先,该程序代码令控制器16执行步骤S21,对与非门闪存12发送一重置信号及N种读取命令序中的第一种候选读取命令序。以该第一种候选读取命令序为命令00加上三个字节的地址的情况为例,其中三个字节代表的地址可以是与非门闪存12中第一个区块的第一数据列的地址,但不以此为限。该重置信号用以令与非门闪存12重新进入接收外部指令的初始状态。
接着,在步骤S22中,控制器16开始等待并检测与非门闪存12是否产生一响应信号。实务上,各类与非门闪存皆具有一就绪/忙碌(ready/busy)输出脚位(简称R/B脚位),其电压通常被预设为高电位,表示该与非门闪存处于不忙碌而可接受读取命令序的状态。当R/B脚位的电压为低电位,表示该与非门闪存已接受外部传来适用的读取命令序,并且正在将该读取命令序指定的地址所对应的数据加载该与非门闪存内部的暂存存储区,准备供外部电路读取。在数据加载暂存存储区的动作完成后,R/B脚位的电压又重新回到高电位。于此实施例中,控制器16即藉由检测与非门闪存12的R/B脚位的电压来判断与非门闪存12是否产生一响应信号。更明确地说,若R/B脚位的电压出现由高转低再转高的变化可做为与非门闪存12产生一响应信号的表示。
若与非门闪存12所适用的读取命令序为上述第一种候选读取命令序,在步骤S21后,与非门闪存12的R/B脚位的电压会出现上述由高转低再转高的变化。相对地,若与非门闪存12所适用的读取命令序并非第一种候选读取命令序,与非门闪存12的R/B脚位的电压就会维持在高电位,不发生变化。
实务上,控制器16可利用如图3所示的正反器电路来检测R/B脚位的电压变化。正反器34及36的输出端Q原本都被重置信号Reset设定为0,并且都是接受频率端clk的正缘变化触发。正反器34的频率端clk接收经过反相器32反相的R/B脚位信号,正反器36的频率端clk则是直接接收R/B脚位信号。R/B脚位的电压出现由高至低的转换时,正反器34的输出端Q将由0变为1。接着,R/B脚位的电压出现由低至高的转换时,正反器36的输出端Q也变为1。与门38的输出信号Out会因此由0变换为1,指出与非门闪存12已提供响应信号。
承上所述,若步骤S22的判断结果为是,控制器16即于步骤S23中判定与非门闪存12所适用的读取命令序为第一种候选读取命令序。相对地,若步骤S22的判断结果为否,控制器16将继续执行步骤S24,判断是否N种候选读取命令序都曾被发送至与非门闪存12进行测试。若步骤S24的判断结果为否,步骤S25将被执行,对与非门闪存12发送重置信号及该N种候选读取命令序中未经测试的另一种候选读取命令序。接着,控制器16会重新执行步骤S22,等待并检测与非门闪存12是否产生一响应信号。若步骤S24的判断结果为是,表示与非门闪存12适用的读取命令序并非该N种候选读取命令序之一,控制器16将执行步骤S26,停止开机程序。
举例而言,该程序代码可被设计为令控制器16逐一尝试先前所述的第一种到第四种读取命令序,直到检测到与非门闪存12产生一响应信号,或直到各种读取命令序皆不能令与非门闪存12产生响应为止。在确认与非门闪存12的读取命令序后,控制器16即可根据此读取命令序存取与非门闪存12中的储存内容,继续进行开机程序或其它后续运作。举例而言,控制器16由与非门闪存12中所取得者可能是动态随机存取内存控制器的参数。控制器16可据此初始化动态随机存取内存控制器,接着再将自与非门闪存12取得的后续软件程序加载动态随机存取内存中执行。上述程序代码可被设计为在与门38的输出信号Out由0变换为1之后,随即通知控制器16开始自与非门闪存12读取数据,藉此提升电子装置10的开机速度。
由以上说明可知,无论电子装置10中选用的与非门闪存12是哪一种,控制器16皆可利用同一程序代码检测并得知其读取命令序。换句话说,该程序代码的内容不需要随着与非门闪存12的种类变动而调整。因此,于实际应用中,用以储存该程序代码的辅助内存14可为不容许重复修改的只读存储器,例如屏蔽式只读存储器(Mask ROM)。相较于先前技术中所采用的或非门闪存、OneNandTM闪存或eMMC内存,只读存储器的价格低廉许多。藉此,电子装置10整体的硬件成本可较未采用上述方案时大幅降低。
此外,若将各种读取命令序的可能性皆纳入该程序代码中,上述方案即可适用于所有种类的与非门闪存。即使电子装置制造商因库存或备料等因素选用不同容量的与非门闪存,该自动检测程序同样可找出相对应的读取命令序。除了可省去以人力修改软件程序所耗费的时间和金钱、提升出货效率,上述方案亦保留调整硬件的弹性空间。
另一方面,辅助内存14中所储存者亦可进一步包含协助控制器16检测与非门闪存12的数据总线(Data Bus)宽度的第二程序代码,令控制器16在步骤S23后继续执行图4所示的流程。举例而言,与非门闪存12的数据总线(端口)宽度可能为8位或16位。于此范例中,步骤S41预设与非门闪存12的数据总线(端口)宽度为8位,并且对与非门闪存12发送一读取命令。在步骤S42中,控制器16读取与非门闪存12响应于该读取命令所提供的储存内容。一般而言,数据被写入与非门闪存12时都会经过错误校正程序,此程序产生的数据校正码也会被一并储存。控制器16读取到的储存内容也同样会包含该数据校正码。
在步骤S43中,控制器16针对该储存内容进行适用于数据总线(端口)宽度为8位的错误校正程序,产生另一数据校正码,与该储存内容中所包含的数据校正码比对。若两者的差异在可容许的范围内,控制器16即判定该储存内容通过错误校正检查。如图4所示,若步骤S44的判断结果为是,控制器16将执行步骤S45,判定与非门闪存12的数据总线宽度为预设的数据总线(端口)宽度(即8位)。相对地,若步骤S44的判断结果为否,控制器16将执行步骤S46,判定与非门闪存12的数据总线(端口)宽度为另一种数据总线(端口)宽度(即16位)。须说明的是,上述程序代码亦可被调整以配合具有其它数据总线(端口)宽度的与非门闪存12,不以8位和16位为限。
根据本发明的另一具体实施例为一种应用于一电子装置10的启动程序(例如开机或重置)中的内存控制方法。该电子装置10包含一与非门闪存12及一辅助内存14。实务上,该辅助内存14可为一只读存储器。图5为该方法的流程图。首先,读取储存于该辅助内存14中的一程序代码的步骤S51被执行;该程序代码用以检测该与非门闪存12的读取命令序。接着,步骤S52为执行该程序代码以取得该读取命令序。步骤S53则是根据该读取命令序存取该与非门闪存12中的储存内容。图2即为上述程序代码可对应的一检测程序的流程范例。图6绘示上述程序代码可对应的另一检测程序的流程范例。此检测程序的概念亦为尝试对与非门闪存12发送各种可能的读取命令序组合。本范例与前两个范例的主要差异在于,本范例中的程序根据由与非门闪存12的暂存存储区读取的数据是否通过错误校正检查来判断目前尝试的读取命令序是否正确。举例而言,所谓各种可能的读取命令序组合可包含以下几个条件的变换组合:该读取命令序的结尾是否包含命令30、该读取命令序的地址部份包含几个字节,以及该地址部份对应于与非门闪存12中的哪一个数据列。
如图6所示,步骤S61为对与非门闪存12发送第一种候选读取命令序。于此范例中,该第一种候选读取命令序的地址部份包含三个字节、结尾不包含命令30,且地址部份对应于与非门闪存12中第一个区块的第一数据列。如果该与非门闪存12所适用的读取命令序即为目前尝试的候选读取命令序,其R/B脚位的电压会转换为低电位,并且于第一个区块的第一数据列中的数据已加载暂存存储区后回到高电位,指出数据已就绪。步骤S62等待一段时间,确认与非门闪存12的R/B脚位的电压为高电位。接着,步骤S63为读取与非门闪存12的暂存存储区。步骤S64则是针对由暂存存储区读取的数据进行错误校正程序。
步骤S65根据步骤S64的结果判断上述由暂存存储区读取的数据是否通过错误校正检查。若步骤S65的判断结果为是,表示该与非门闪存12所适用的读取命令序即为目前尝试的候选读取命令序。因此,步骤S66为根据目前尝试的读取命令序开始自与非门闪存12读取后续数据。相对地,若该与非门闪存12所适用的读取命令序并非目前尝试的读取命令序,与非门闪存12不会将其第一个区块的第一数据列中的数据加载暂存存储区。因此,步骤S63中由暂存存储区读取的数据(读取结果可能是各位皆为0)便无法通过错误校正检查。如图7所示,若步骤S65的判断结果为否,步骤S67将被执行,以判断是否各种候选读取命令序皆已被尝试。
若步骤S67的判断结果为否,步骤S68将被执行,对与非门闪存12发送重置信号及一未尝试过的候选读取命令序。若步骤S67的判断结果为是,表示各种候选读取命令序组合皆已尝试完毕,步骤S69将被执行,以停止该电子装置10的开机程序。于实际应用中,步骤S67的判断结果为是的情况可能会发生在与非门闪存12存在异常问题时。
图7为尝试候选读取命令序的一详细流程范例。于此范例中,图6中的步骤S67和步骤S68以步骤S71~S76实现。首先,在步骤S61之前的步骤S72、S74和S76分别为设定后选读取命令序中是否包含命令30、设定地址的位数,以及设定地址部份所对应的数据列。举例而言,透过步骤S72、S74和S76,第一种候选读取命令序可被设定为“地址字节数为3、结尾不包含命令30,且地址部份对应于第一个区块的第一数据列”。若步骤S65的判断结果为否,步骤S71首先被执行,以判断是否“地址字节数为3、结尾包含/不含命令30,且地址部份对应于第一个区块的第一数据列”的两种组合皆已尝试。若步骤S71的判断结果为否,步骤S72将被执行,将下一个将被发送的候选读取命令序修改为“地址字节数为3、结尾包含命令30,且地址部份对应于第一个区块的第一数据列”。
若步骤S71的判断结果为是,表示“地址字节数为3、结尾包含/不含命令30,且地址部份对应于第一个区块的第一数据列”的两种组合皆已尝试,步骤S73将被执行,以判断是否先前已尝试至最后一种地址字节数,例如是否地址字节数为3、4、5的情况皆已尝试。若步骤S73的判断结果为否,步骤S74将被执行,将下一个将被发送的候选读取命令序的地址字节数设定为未经尝试者。相对地,若步骤S73的判断结果为是,表示“地址字节数为3/4/5、结尾包含/不含命令30”的六种组合皆已尝试,步骤S75将被执行,以判断是否先前已尝试至最后一种数据列地址,例如是否已尝试至与非门闪存中最后一个区块的第一数据列。若步骤S75的判断结果为否,步骤S76将被执行,将下一个将被发送的候选读取命令序的数据列地址修改为对应于下个区块的第一数据列。若步骤S75的判断结果为是,步骤S69将被执行,以停止该电子装置10的开机程序。
实务上,在图5的流程之后,图4所示的关于与非门闪存12的数据总线宽度的检测程序可接续着被执行。易言之,于根据本发明的实施例中,储存于该辅助内存14中的程序代码可负责依序检测与非门闪存12的读取命令序及数据总线宽度。如先前所述,用以储存该程序代码的辅助内存14可为只读存储器,藉此降低电子装置10的硬件成本。须说明的是,图5~图7所示的流程都可应用于图1所示的电子装置10中,亦即由图1的控制器16执行。
根据本发明的另一具体实施例为一种计算机可读取储存媒体,其中储存有可由一控制器16读取并执行的一第一程序代码,用以检测一与非门闪存12的读取命令序。举例而言,该计算机可读取储存媒体可为图1所示的辅助内存14,亦可为一光学储存媒体、一软盘片或一硬盘,但不以此为限。该第一程序代码包含:用以对该与非门闪存12发送一候选读取命令序的第一子程序码、用以检测该与非门闪存12是否产生一响应信号的第二子程序码,以及用以重复执行第二子程序码,直到该与非门闪存12产生该响应信号的第三子程序码。若第二子程序码中的检测结果为否,该第二子程序码包含对该与非门闪存12发送另一候选读取命令序。
实务上,上述计算机可读取储存媒体可进一步储存一第二程序代码,用以检测与非门闪存12的数据总线宽度。该第二程序代码包含:用以对该与非门闪存12发送一读取命令的第四子程序码、用以读取该与非门闪存12所提供的储存内容的第五子程序码,以及用以判断该储存内容是否通过一错误校正检查的第六子程序码。第六子程序码亦包含:若该储存内容通过错误校正检查,判定该与非门闪存12的该数据总线宽度为一预设数据总线宽度。
如上所述,本发明提出一种新的内存控制方案,令控制器执行一自动检测程序,找出电子装置中的与非门闪存12采用何种读取命令序。经过适当的设计,本方案可适用于所有种类的与非门闪存12;即使电子装置制造商因为库存或备料等因素选用不同容量的与非门闪存12,该自动检测程序同样可找出相对应的读取命令序。除了可省去以人力修改软件程序所耗费的时间和金钱,本方案亦保留调整硬件的弹性空间。此外,该自动检测程序的程序代码可以被存放在价格较低、不可重复修改的只读存储器中,藉此降低电子装置10的硬件成本。上述以程序代码实现的自动检测程序方便而快速。相较于先前技术,根据本发明的内存控制方案具有成本低且弹性高等优点。
藉由以上较佳具体实施例的详述,希望能更加清楚描述本发明的特征与精神,而并非以上述所揭示的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地,其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。

Claims (7)

1.一种电子装置,包含:
一与非门闪存,具有一适用的读取命令序,其为多种候选读取命令序的一种;
一辅助内存,储存有用以通过一第二检测程序检测该适用的读取命令序的一第一程序代码;以及
一控制器,分别连接至该与非门闪存与该辅助内存,于该电子装置的一启动程序中,该控制器自该辅助内存读取并执行该第一程序代码,以取得该适用的读取命令序,并根据该适用的读取命令序存取该与非门闪存的一储存内容;
该第二检测程序包含下列步骤:
(b1)对该与非门闪存发送多种候选读取命令序中的一候选读取命令序;
(b2)读取该与非门闪存的一暂存存储区中的数据,并判断该数据是否通过一错误校正检查;
(b3)若步骤(b2)的判断结果为否,判断该多种候选读取命令序是否皆已尝试;以及
(b4)若步骤(b3)的判断结果为否,对该与非门闪存发送另一候选读取命令序,并重复执行步骤(b2)~(b3),
其中,该多种候选读取命令序为多个条件的变换组合,包含:该候选读取命令序的结尾是否包含命令30、该候选读取命令序的一地址部份之字节数量,以及该地址部份对应于与非门闪存中的哪一个数据列。
2.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该辅助内存为一只读存储器。
3.如权利要求1所述的电子装置,其特征在于,该辅助内存亦储存有一第二程序代码,用以检测该与非门闪存的一数据总线宽度。
4.一种应用于一电子装置的一启动程序中的内存控制方法,该电子装置包含一与非门闪存及一辅助内存,该与非门闪存具有一适用的读取命令序,其为多种候选读取命令序的一种,该方法包含下列步骤:
读取储存于该辅助内存中的一第一程序代码;
执行该第一程序代码,以通过第二检测程序检测该与非门闪存的该适用的读取命令序;以及
根据该适用的读取命令序存取该与非门闪存的一储存内容,
该第二检测程序包含下列步骤:
(b1)对该与非门闪存发送多种候选读取命令序中的一候选读取命令序;
(b2)读取该与非门闪存的一暂存存储区中的数据,并判断该数据是否通过一错误校正检查;
(b3)若步骤(b2)的判断结果为否,判断该多种候选读取命令序是否皆已尝试;以及
(b4)若步骤(b3)的判断结果为否,对该与非门闪存发送另一候选读取命令序,并重复执行步骤(b2)~(b3),
其中,该多种候选读取命令序为多个条件的变换组合,包含:该候选读取命令序的结尾是否包含命令30、该候选读取命令序的一地址部份之字节数量,以及该地址部份对应于与非门闪存中的哪一个数据列。
5.如权利要求4所述的内存控制方法,其特征在于,该辅助内存为一只读存储器。
6.一种应用于一电子装置的一启动程序中的内存控制方法,该电子装置包含一与非门闪存及一辅助内存,该与非门闪存具有一适用的读取命令序,其为多种候选读取命令序的一种,该方法包含下列步骤:
读取储存于该辅助内存中的一第一程序代码;
执行该第一程序代码,以通过第二检测程序检测该与非门闪存的该适用的读取命令序;
读取储存于该辅助内存中的一第二程序代码,该第二程序代码用以检测该与非门闪存的一数据总线宽度;
执行该第二程序代码,以取得该数据总线宽度;以及
根据该适用的读取命令序存取该与非门闪存的一储存内容,
其中该第二检测程序包含下列步骤:
(b1)对该与非门闪存发送多种候选读取命令序中的一候选读取命令序;
(b2)读取该与非门闪存的一暂存存储区中的数据,并判断该数据是否通过一错误校正检查;
(b3)若步骤(b2)的判断结果为否,判断该多种候选读取命令序是否皆已尝试;以及
(b4)若步骤(b3)的判断结果为否,对该与非门闪存发送另一候选读取命令序,并重复执行步骤(b2)~(b3),
其中,该多种候选读取命令序为多个条件的变换组合,包含:该候选读取命令序的结尾是否包含命令30、该候选读取命令序的一地址部份之字节数量,以及该地址部份对应于与非门闪存中的哪一个数据列。
7.如权利要求6所述的内存控制方法,其特征在于,该第二程序代码对应于一第三检测程序,该第三检测程序包含下列步骤:
对该与非门闪存发送一读取命令;
读取该与非门闪存所提供的该储存内容;以及
判断该储存内容是否通过一错误校正检查,若是,判定该与非门闪存的该数据总线宽度为一预设数据总线宽度。
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