TW201226606A - Gas-barrier laminate film - Google Patents

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201226606 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於主要使用為食品、醫藥品等的包裝材料、戈 電子裝置等的封裝㈣、或電子紙張、太陽電池用的材料^ 之阻氣性積層薄膜及其製造方法，更詳言之，係關於具有阻 氣性優異之氧化矽膜的阻氣性積層薄膜及其製造方法。 【先前技術】 阻氣薄膜主要係為了防止使内容物品質產生變化之原因 的氧、水蒸氣等的影響，而使用為食品、醫藥品等的包裝材 料，或為了避免使在液晶顯示面板、EL顯示面板、電子紙 張、太陽電池等之中所形成的元件接觸到氧、水蒸氣並出現 性能劣化，而使用為電子裝置等的封裝材料、或電子紙張、 太陽電池的材料。又’近年基於使習知使用玻料的部分能 具有可撓性、義擊性等理由，亦有使用阻氣薄膜的情^ 此種阻氣薄膜一般係將塑膠薄膜當作基材，並採取在其單 面或雙面上形成阻氣層的構成。且，該阻氣薄膜係藉由化學 蒸鍍法(CVD)、物理蒸鍍法(PVD)#各種方法形成，但不管 使用任何方法，習知的阻氣薄膜僅具有2CC/m2/day左右的^ 穿透率(OTR)、2g/m2/day左右的水蒸氣穿透率(wvtr)，當 使用於需要更高阻氣性的用途時仍有所不足。 作為如上述的阻氣薄膜，專利文獻丨揭示有：分別利用真 空蒸鍍、频、離子蒸料PVD &、或錢活化反應蒸鑛 100140294 201226606 法’依序形成r t 乳化矽單獨構成的第1層、與由含碳5〜40at% 構成的第2層，而形成積層構成的透明阻氣材。 用-彳文獻2係揭示有：在基材的單面或雙面上，設有利 .-CVD法形成之氧化矽膜的阻氣薄膜，其中，上述氧

夕膜係相對於Si原子數1GG，由Ο原子數17G〜200及C 1 子 3 0、 以下的成分比例所構成。又，專利文獻3係揭示 有·具有塑膠薄膜、以及形成於該塑膠薄膜之至少其中一面 且由以氧化物為主成分之組成物所構成的薄膜之阻氣薄 膜’其中，該薄膜中含有碳（U〜40莫耳％。又，專利文獻4 係揭示有：在_基材的單面或雙面上積層有當作阻障層用 之氧化矽膜(SiOx)的阻障薄膜，其中，上述阻障層係至少由 2層以上的氧化矽膜所構成；上述氧化矽膜每丨層的膜厚係 10nm以上且50nm以下；上述由2層以上的羞儿 . 巩化矽膜所構

成之阻障層的膜厚係20nm以上且200nm以下.L ，上述阻障層 中的碳原子比例係10at%以下。 [先行技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1:曰本專利第3319164號公報 專利文獻2:日本專利特開2006-96046號公報 專利文獻3:曰本專利特開平6-210790號公報 專利文獻4 :曰本專利特開2〇〇9-101548號公# 【發明内容】 100140294 4 201226606 (發明所欲解決之問題） 上述專利文獻丨所 # 5〜40at·%之氧化石夕 /阻讀’實際上若將由含碳 阻障層柔軟性的好的第2層厚度’增厚至能充分發揮 含碳之氧切所構成的^者色過大的問題。又’此種由 接性差，若非增厚至某錄。曰’因為表面能量較低，因而密 β。另一方而 、私度，便會有發生層間剝離的疑 慮另方面，在形成由含妒夕与y 較佳係使用電浆CVD法，二5销構成的第2層時， 製膜速率較低於真空蒸錢法，=&而5 ’電製CVD法的 得不降低製膜速度，導二丨而為能形成此種厚膜，便不 再者，專散獻心 法所形叙含有碳料切膜’ 用錢㈣ 為使實際能發揮充分阻障性，、^身主要係負責阻障性，因而 會有著色與生產性的問題。 $某種私度的膜厚，導致 再者，專利文獻3所記载的阻 碳之氧化物為主成分的組成物所_^同^為:乂含 障性，因而為使實際能發揮充分 、主要係負貝阻 膜厚，導致會有著色與生產性的問^。’便需要某種程度的 再者’專利文獻4所記载的阻氣 ㈣法所形成關_彼此間進彳^/轉由使利用電裝 低的阻障層，但若相較於真空 而形成碳含量較 低，且為使實際能發揮充分阻障^法’則製膜速率大幅偏 100140294 讀，將需要某種程度的膜 201226606 厚，因而會有生產性的問題。 /本毛月所紙解决的問題係解決以上的習知技術問題，特別 係提t、生產ι±良好、透明性高、呈高阻氣性，且具有構成層 間之優異密接強度， 八不會發生捲曲的阻氣積層薄膜、及該薄 膜之製造方法。 (解決問題之手段) 本發明係關於： ⑴一種阻氣性積層薄膜，係在基材薄膜之至少其中-6 依序°又有.利用真空蒸鑛法（以下有時稱「PVD」）形/ 的無機薄膜層、利用几姐& 用化予蒸鍍法（以下有時稱「CVD」）形天 的無機薄膜層、及刹田* … J用真二瘵鍍法(pVD)形成的無機薄！ b ’且上述利用真空蒸鑛法(pVD)形成的無機薄膜層之膜/ 係‘以上㈣Gnm以下；上述利用化學蒸㈣(cve 形成的無機薄膜層之碳含量係心％以上且未滿舰％ 且膜厚未滿20nm ;以及 (2)-種阻氣性積層薄社製造方法，係上 阻氣性積層薄膜之製造方法，上述真空蒸鍵法(卿)進 行的無機薄膜層之形成係在1〇-4Pa以上且1〇_2Pa以下的減 麗下施行’上述利肢學麵法(CVD)進行的無機薄膜層之 形成係在l〇-2Pa以上且10Pa以下的減壓下施行，且基材薄 膜的搬送速度係l〇〇m/分以上。 (發明效果） 100140294 6 201226606 ^明倾财紐良好、购性高、呈高喊性，且具 f ”層間之優異讀強度，不會發生择曲的積層薄媒、及 製造该缚膜之方法。 【實施方式】 以下，針對本發明進行詳細說明。 <阻氣性積層薄膜> 本發明的阻氣性積層薄膜係在基材薄膜之至少其中一面 依序4有.湘pVD形成的無機薄膜層（以下有時稱 PVD無機薄膜層⑴」） ’引用CVD形成的無機薄獏層（以 下有時稱「C VD無機簿腺展、 …、 、θ」）、及利用PVD形成的血機 薄膜層（以下有時稱「PVD無機薄膜層（2)」）。 ’、、、 [基材薄膜] 本發明阻氣性積層薄膜的基材薄膜較佳係、透明高分子薄 膜’就此點而言，更佳係由熱可贿高分子薄賴構成。作 為其原料’只要是通常的包農材料、或電子紙張、太陽電池 的材料可使狀樹脂，並無特別限制，均可使用。具體而言， 係可舉例如：乙烯、_、丁烯等均聚物或共聚物等等聚稀 烴；環狀聚烯烴等非晶質聚烯烴；聚對苯二甲酸乙二醋、聚 乙稀-2,6-萘二曱酸醋等聚醋；尼龍6、尼龍66、尼龍ι2、 共聚尼龍等聚Si胺；聚乙稀醇、乙稀醋酸乙烯g旨共聚物部 分水解物(EVOH)、聚醯亞月安、聚醚醯亞胺、聚砜、聚醚颯、 聚芳酯、氟樹脂、丙 聚醚醚_、聚破酸酯' 聚乙婦基丁酸 100140294 7 201226606 狀s曰氣、生物分解⑽脂等。該 成本等觀點，料絲自旨、聚膜強度、 脂。 爪烯蛵、生物分解性樹 再者’上述基材薄難可含有公知 ./ 劑、光線阻斷劑、、、σ蜊，例如：抗靜電 备、外線吸收劑、可塑劍 當作上述基材薄膜料熱 =几4化 原料進行成形而成，當制絲材時^^^使用1 經延伸者。又’亦可與其他塑膠基材進行積声，其亦可歧 以炫：L 製造’例如將原料樹脂利用擠出機予 可實=用環狀模頭或Τϊ!模頭進行擠出，經急冷便 了 lie貫貝無定形且未經配向的未延 利用單糾伸、拉幅式逐步雙軸㈣延伸薄膜 伸、親筒式同步雙軸延伸等公知方法 ^同步雙軸延 軸)方向或與薄膜流動方向垂直的(料2由朝薄膜流動(縱 朝至少-軸方向延伸的薄膜。〃方向延伸，便可製造 基材薄膜的厚度就從當作本發日植⑼積㈣媒之基材 用的機械強度、可撓性、透明性等翻 土 丄 配合其用途，诵當 在5〜500μηι、較佳係1〇〜200μιη範圍内選擇亦包^ 大的片狀物。又，針對薄膜的寬夜與長度=度較 適當配合親而選擇。 L制’可 [利甩真空蒸鍍法(PVD)形成的無機薄膜声] 8 100140294 201226606 本發明的阻氣性積層薄膜係在上述基材薄膜之至少其中 -面上，依序設有：PVD無機薄膜層⑴、CVD無機薄 及PVD無機薄膜層⑺。.構成在CVD無機薄膜層的上^層 所設置之削無機薄膜層各者之無機物f，係可舉例^ 石夕、紹、鎂、鋅、錫、鎳、鈦、碳等、或該等的氧化物、礙 化物、氮化物、或該料混合物，就從阻紐的觀點，較佳 係氧化石夕、氧化銘、碳(例如類鑽碳等以碳為主體的物幻。 特別係就從能安定地維持高阻氣性觀點，較佳係氧化矽、氧 化铭。上述無機物質係可單獨使用1種、亦可組合使用^ 種以上。 在形成上述基材薄膜上的PVD無機薄膜層⑴與⑺各者 時，就從能獲得高阻氣性均㈣朗觀點，較㈣使用真空 蒸鍍法。 /工 刚無機薄膜層⑴與⑺各者之厚度，τ限值一般係 〇.1細、較佳係〇.5nm、更佳係lnm、特佳係1〇細且上限 值一般係500nm、較佳係、100nm、更佳係5〇nm。刚無機 薄膜層的厚度就從阻氣性、薄膜生產性的㈣，較佳係q i 以上且500nm以下、爯伟在！ r、，， r丹佳係l〇nm以上且500nm以下、再 佳係lOrnn以上且100nm以下、特佳係1〇細以上且％細 以下。PVD無機薄膜層的厚度係可使用誉光χ射線進行測 定，具體而言，係可依照後述方法實施。 上述剛無機薄膜層⑴與⑺各者的形成，為能形成緻密 100140294 9 201226606 的薄膜，係在減壓下，較佳 PVD無機薄膜層⑴與⑺各者::薄: ::二:觀4 佳二 上::二圍'再佳係Ixl0—4*2pa範圍。若在 二Γ獲得充分"氣性，ipvD無機薄膜層亦 不會發生龜裂與剝離，透明性亦優異。 [利用化學蒸鍍法(CVD)形成的無機薄靜] 本發明係在上述PVD無機薄臈層⑴上形成㈣無機薄

膜層。可料错由CVD無機薄膜層，便可執行在上述pvD 無機薄膜層上所產生之缺陷等的填封，提升阻氣性與層間密 接性。 化學蒸鍍法就從提高製膜速度俾實現高生產性、與必須避 免對薄膜基材造錢熱損傷之觀點，較佳係電毁⑽法， 利用電漿CVD法形成__可舉例如由從將有機物施行 電毁分解而獲得的金屬、金屬氧化物、金屬氮化物等之中選 擇之至少一種所構成的薄膜。 本發明中，CVD無機薄膜層利用χ射線光電子能譜分析 法（XPS法）所測定的碳含量係未滿20at.%、較佳係未滿 l〇at.%、更佳係未滿5at.%。藉由將碳含量設為此種數值， 便可增大該無機溝膜層的表面能量’不會妨礙無機薄膜層彼 此間之密接性。因而，可提升阻障薄膜的耐彎折性、耐剝離 性。 100140294 10 201226606 再者，CVD無機薄膜層的碳含量較佳係〇切。以上、更 佳係以上、再佳係2at.m。藉由★間層僅些微含 有碳’便可使應力緩和的效率良好，並減低阻障薄臈的捲曲。 就從以上的觀點，上述CVD無機薄膜層的碳含量較佳係 0.5at·%以上且未滿_ %的範園、更佳係心％以上且未 滿腕的範圍、更佳係〇.5at %以上且未滿加％的範圍、 更佳係Ut·%以上且未滿5at.%的範圍、再佳係加％以上且 未滿5at.%的範圍。此處所謂「此％」係表示原子組成百分 率（atomic%)。 達成本發明上述利用X射線光電子能譜分析法(XPS法） 所測定之碳含量的方法並無_限制，可舉例如：藉由選擇 CVD，原料而達成之方法；藉由原料、反應氣體(氧、氮等） 的抓里與比率而進行調整之方法；藉由製膜時的壓力與投入 電力而進行調整之方法等。 利用X射線光電子能譜分析法(XPS法)所施行之碳含量 的具體測定方法係如後述。 作為 C VD jfe. 4di η+Λ …'機涛膜’係可使用含有從金屬、金屬氧化物 及金屬氣化物中選擇之至少一種的薄膜，就從阻氣性、密接 性的觀點，較佳係 节了舉例如：矽、鈦、類鑽碳(Diamond Like Carbon，以下稂「 金屬，又，作為金屬 或該等2種以上的合金等等 屬氣化物或金屬氮化物’就從阻氣性、密 接性的觀點，較伟在_ 係可舉例如上述金屬的氧化物、氮化物、 100140294 11 201226606 及該等的混合物。本發明令 x . L ^ 作為CVD無機薄膜，钛怂μ 述親點，更佳係由從氧切、氮切、氮氧切、/仗上 及DLC t選擇之至少 *化鈦、 爾構成者’又’㈣係將有機化 合物施行電漿分解而獲得者。 作為用於形成氧化石夕膜等CVD無機薄膜的原料，只要是 矽化合物等化合物’於常溫常壓下呈氣體、液體、固體任一 狀態均可使用。氣體的情況，可直接導人放電空間中，而液 體、固體的情況’係利用加熱、發泡、減壓、超音波照射等 手段進打氣化而使用。又，亦可經溶劑稀釋而使用，溶劑係 可使用：曱醇、乙醇、正己烧等有機溶劑、及該等的混合溶 劑。 作為上述矽化合物，係可舉例如：矽烧、四曱氧基矽烧、 四乙氧基矽烷、四正丙氧基矽烷、四異丙氧基矽烷、四正丁 氧基矽烷、四第三丁氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、二曱 基二乙氧基矽烷、二乙基二曱氧基矽烷、二苯基二曱氧基矽 烷、曱基三乙氧基矽烷、乙基三曱氧基矽烷、苯基三乙氧基 矽烷、（3,3,3-三氟丙基）三曱氧基矽烷、六曱基二矽氧烷、 雙(二甲基胺基）二甲基矽烷、雙(二甲基胺基）甲基乙烯基矽 烷、雙（乙基胺基）二曱基矽烷、N，0-雙（三曱基矽烷基）乙醯 胺、雙(三曱基矽烷基)碳二亞胺、二乙胺基三曱基矽烷、二 曱基胺基二曱基矽烷、六曱基二矽氮烷、六甲基環三矽氮 烷、七曱基二矽氮烷、九甲基三矽氮烷、八曱基環四矽氮烷、 100140294 12 201226606 四（一曱基胺基)石夕烧、四異氣酸賴石夕烧、四甲基二石夕氮烧、 參（二甲基胺基)石夕院、三乙氧基H石夕烧、烯丙基二甲基石夕 烧稀丙基一曱基石夕燒、节基三甲基石夕烧、雙(三甲基石夕烧 基）乙快、M-雙(三曱基魏基)·1，3-丁二炔、二第三丁基石夕 烧1，3 —石夕丁烧、雙(三甲基石夕燒基）甲烧、環戍二燦三甲 基夕燒苯基—曱基石夕烧、苯基三甲基石夕烧、快丙基三甲基 石夕烧、四甲基石夕烧、三甲基石夕烧基乙炔十(三甲基石夕烧基)小 丙炔、參(二甲基石夕燒基）曱燒、參(三甲基石夕烧基)石夕烧、乙 烯基三甲基魏、六曱基二魏、Μ基環时氧烧、四甲 基ϊ衣四石夕氧烧Ή二魏烧、六曱基環四碎氧烧、Μ石夕 酸鹽51等。 再者’作為用於形成氧化鈦膜之原料的鈦化合物 ’係為欽 無機化合物或鈦有機化合物。作為鈦無機化合物，係有氧化 鈦、氣化鈦等。作為鈦有機化合物，係可舉例如··四丁醇欽、 =正丁基鈦酸§旨、丁基鈥動旨二聚體、四(2•乙基己基)欽酸 酉曰、四曱基鈦_等烧氧化鈦類；丙醇酸鈦、乙編购太、 四乙醯丙酮酸鈦、聚乙醯丙酮酸鈦 酸鈦、三乙醇較等鈦S合類㈣。辛—祕6基乙酿醋 上述CVD無機_料能確實翻對刚城 填封效果，較伟你A - BL ·寻膜層的 成。係由-層以上所構成、更佳係由W層所構 上述CVD無機薄膜層的厚度為利

用截面TEM 100140294 法所測定 13 201226606 的值未滿I。藉由設在上述範圍内，使PVD無機薄膜層 彼此間的分刊作用力錢地仙，㈣加提升密接性。 又’同時可將利用化學聽法進行的生產速度提高至與真空 蒸鍍法同。等程度’ Μ可提升生纽率，且製造設備亦可小 里化簡單化’所以#製造廉價的轉薄膜。就從上述觀點， CVD無機薄膜層的厚度較㈣未滿_、更佳係未滿 5nm、再佳係未滿3nm。 再者關於CVD無機薄膜層的厚度下限值，作為用以顯 見對PVD無機薄膜層的填封效果之最低極限膜厚，較佳係 0.〇lnm、更佳係G.lnm、再佳係G 5nm q厚度在上述範圍 内則在接性、阻氣性等均良好，故而較佳。就從上述觀點， ㈣無機薄膜層的厚度較佳係、0 01nm以上且未滿20nm、 更佳係O.lnm以上且未滿2Gnm、更佳係〇 lnm以上且未滿 lOnm、再佳係〇.lnm以上且未滿5nm、再更佳係〇以 上且未滿3nm。 再者，本發明中，就相鄰的CVD無機薄膜層與pvD無機 薄膜層而言’其厚度比(CVD無機薄麟厚度/pvD無機薄 膜層厚度)較佳係〇·_1〜0.2、更佳係〇._5〜(U、特佳係 o.ool〜〇.1。若相較於PVD無機薄膜層厚度，CVD無機薄犋 層厚度㈣於上述’則CVD無機薄麟對整體無機薄 膜層的比觸得料，幾近呈現財pvD錢薄膜層時的 特性而沒有變化，會有幾乎無法獲得利用CVD無機薄臈層 100140294 14 201226606 造成的填封效果、應力緩和等效果之疑慮。又，若相較於 PVD無機薄膜層厚度，㈣無機薄膜層厚度較厚於上述範 、 法的製膜速率極低於PVD法，為能利用滾壓 (Roll to Roll)製程連續製造pvD無機薄膜層與⑽無機薄 膜k 土材;|膜的搬送速度必須配合製膜速率較低的 無機薄膜層而大幅降低，導致會有生產性降低的疑慮。 PVD無機薄膜層的表面粗糙度(利用AFM進行測定)大約 -又在5mn以下，因為能使蒸鍍粒子緻密沉積，而顯現出阻 p早性’故而較佳。此時，藉由將CVD無機薄膜層的厚度設 為未滿^述值，在魏粒子_谷間部分所存在之開放空孔 會被埋藏，但蒸鑛粒子的山頂部分則僅被極薄地被覆（或者 部分性呈裸露），故可更加提高pvD無機薄膜層間的密接 性。又，藉由將CVD無機薄膜層的厚度設為O.lnm以上， 絲現出上述下層PVD無機薄膜相開放空孔填封效果之 同時’亦使表面呈平滑，在蒸社層pvD無機薄膜層時， 蒸鐘粒子的表面擴散呈良好，粒子彼此間能更緻密地堆積， 故能更加提升阻障性。 上述㈣無機薄闕厚度截面TEM法進行測定 時，係使用穿透式電子顯微鏡(TEM)實施，具體而言，係可 利用後述方法實施。 本發明中，CVD無機薄膜層的形成較佳係在聰以下的 減壓環境下，且基材薄膜的搬送速度達獅m/分以上進行。 100140294 15 201226606 即，利用化學蒸鍍法(CVD)形成薄膜時的壓力，為能形成 緻猎的薄膜，較佳係在減壓下實施，就從成膜速度與阻障性 的觀點，較佳係l〇Pa以下、更佳係lxl〇-2〜1〇Pa範圍、再 佳係ΙχΙΟ·1〜IPa。對該CVD無機薄膜層，為能提高耐水性 與耐久性，亦可利用電子束照射施行交聯處理。 再者，基材薄膜的搬送速、度就從生產性提升的觀點，較佳 係100m/分以上、更佳係2〇〇m/分以上。針對上述搬送速度， 上限並無特別限定，但就從薄膜搬送安定性的觀點，較佳係 1000m/分以下。 作為形成上述CVD無機薄膜層的方法，係使上述原料化 合物蒸發而形成原料氣體並導入真空裝置中，再利用直流 (DC)電漿、低頻電漿、高頻(RF)電漿、脈衝波電漿、3極構 k電漿、彳政波電漿、順流式電聚(d〇wnstream plasma)、柱狀 電漿（columnar plasma)、電漿辅助磊晶（Piasma_assisted

Epitaxy)等低溫電漿產生裝置施行電漿化便可實施。就從電 漿安定性的觀點’更佳係高頻(RF)電漿裝置。

再者，除電漿CVD法以外’尚可採用熱cvd法、Cat-CVD 法(觸媒化學氣相沉積）、光CVD法、MOCVD法等公知方 法。其中就從量產性與製膜品質優異的觀點，較佳係熱CVD 法、Cat-CVD 法。 本發明的阻氣性積層薄膜係如後述般，藉由依照pvD無 機薄膜層（1)、CVD無機薄膜層、及pvD無機薄膜層的 100140294 16 201226606 順序形層構造，雖CVD錢_層本身靠氣性幾乎 沒有直接錄’但對於PVD錢薄_，對下層係發揮填 封效果’且對上層則發揮錯固效果，因而相較於僅增厚 無機薄膜層而進行製膜的情況、或者將PVD無機薄膜層彼 此間或C VD無機薄膜層彼此間進行積層的情況，可大幅提 升阻氣性。 [製膜方法] 本發明中，就從阻氣性、生產性的觀點，上述pvD無機 溥膜層（1)、CVD無機薄膜層、及PVD無機薄膜層（2)的形 成’較佳係在減壓下連續實施。又，就從同樣的觀點，本發 明中，上述薄膜的形成較佳係全部在同一真空槽内，一邊搬 送薄膜(特別係形成CVD無機薄膜層時，將基材薄膜的搬送 速度又為l〇〇m/分以上）一邊實施。即，本發明中較佳係 在各薄臈的形成結束後，並非使真空槽内的壓力返回大氣壓 附近後，再度形成真空才執行後續步驟，而是維持真空狀態 連續施行成膜。 本么明中，藉由各層的形成（即PVD無機薄膜層的形成、 及CVD無機薄膜的形成)係在同一真空槽内實施，便可顯現 出極良好的阻氣性。原理雖尚未明確，但可認為藉由在與 PVD無機溥膜層形成相同的真空槽内進行CVD無機薄膜層 的形成，便可均勻地填封住PVD無機薄膜層（1)所產生的微 小缺陷’可更加提高PVD無機薄膜層（2)的阻氣性。 100140294 17 201226606

本發明中，係在形成PVD無機薄膜層（1)後’執行CVD 無機薄膜層與PVD無機薄膜層（2)的形成，而該CVD無機 薄膜層與PVD無機薄膜層的形成係可進一步重複施行1次 以上。即，本發明中，就從品質安定性的觀點，較佳係在 PVD無機薄膜層（1)、CVD無機薄膜層、及PVD無機薄膜 層（2)上’進一步設有1或複數個由CVD無機薄膜層與PVD 無機薄膜層所構成的構成單位，更佳係設有1〜3個單位，再 佳係設有1或2個單位。 另外，重複施行上述各無機薄膜層的形成時，較佳亦在同 一裝置内於減壓下連續實施。 即，本發明中，藉由PVD無機薄膜層（1)，可獲得高阻氣 性的均勻薄膜。又，藉由施行CVD無機薄膜層與pvD無機 薄膜層(2)的形成’便可提升無機薄膜多層膜中的各層之密 接性。 曰 [錨塗層] 本發明中’為提升上述基材薄膜與pvD無機薄膜層⑴間 之密接性，較佳係、在基材薄膜與PVD無機_層⑴之間塗 佈錨塗劑而設置錨塗層。錨塗劑就從生產性的觀點，可使用 例如：聚I系樹脂、胺基甲酸㈣樹脂、丙_系樹脂、石肖 化纖維素系樹脂、㈣樹脂、乙歸醇系樹脂、聚乙稀醇系樹 脂、乙烯-乙烯醇系樹脂、乙烯系改質樹脂、含異氰酸酯其 之樹脂、碳二亞㈣樹脂、含垸氧基之樹脂、環氧系樹脂土、 100140294 18 201226606 含十坐啉基之樹脂、改質笨乙烯系樹脂、改質矽系樹脂、烷 基鈦酸s旨純腊、料料樹脂等，該等係可單獨使用、或 組合使用2種以上。 在基材4膜上所設置之錨塗層的厚度，通常係 0.1〜5000nm、較佳係uooonm、更佳係丨〜丨⑻此爪。若在 上述範圍内，則滑性呈良好，幾乎不會有因錨塗層本身的内 部應力而從基材薄膜上剝離的情形，且可保持均勻厚度， 又，層間的密接性亦優異。 再者，為改良錨塗劑對基材薄膜的塗佈性、接著性，亦可 在錨塗劑塗佈前便對基材薄膜施行通常的化學處理、放電處 理專表面處理。 [保護層] 再者，本發明的阻氣性積層薄膜較佳係在形成有上述各薄 膜之侧的最上層設有保護層。作為形成該保護層的樹脂，係 可任意使用溶劑性與水性樹脂，具體而言，係可使用：聚酯 系樹脂、胺基曱酸酿系樹脂系、丙烯酸系樹脂、聚乙稀醇系 樹脂、乙烯-不飽和羧酸共聚合樹脂、乙烯_乙烯醇系樹脂、 乙烯系改質樹脂、硝化纖維素系樹脂、矽系樹脂、異氰酸酯 系樹脂、環氧系樹脂、含嗤琳基之樹脂、改質苯乙稀系樹 脂、改質矽系樹脂、烷基鈦酸酯等，該等係可單獨使用、或 組合使用2種以上。又，作為保護層，為能提升阻障性、磨 損性、及滑性，較佳係使用從二氧化石夕溶膠、氧化紹溶膠、 100140294 201226606 粒子狀無機填充劑及層狀無機填充劑中選擇之丨種以上無 機粒子，混合於上述丨種以上樹脂中而成之層，或者由在該 無機粒子存在下，使上述樹脂的原料進行聚合而形成之含有 無機粒子的樹脂所構成之層。 作為形成㈣層的難，就從提升無機_層阻氣性的觀 點:較佳係上述水性樹脂。又，水性樹脂較佳係聚乙烯醇系 Μ月曰乙：)#乙烯醇系樹脂、或乙稀_不飽和竣酸共聚物樹脂。 本發明中’上述保護層係可由上述樹脂中之i種所構成， 亦可組合使用2種以上。 再者，為提升阻障性與密接性，亦可在上述保護層中添加 無機粒子。 本發明所使用的無機粒子並無特別限制，可使用例如：無 機填充劑、無機層狀化合物、金屬氧化物溶膠等公知物之任 一者。 針對保。蒦層的厚度，就從印刷性、力口工性的觀點，較佳係 0.05〜ΙΟμιη、更佳係〇。作為其形成方法係可適當 採用公知塗佈方法。可任意使用例如：反向輥式塗佈機、凹 版塗佈機、棒塗機、氣動式到刀塗佈機、使㈣霧器或刷毛 的k佈方法等方法。又’亦可將蒸鍍薄膜浸潰於保護層用樹 月曰液中而貫;。經塗佈後，使用8〇〜·。c左右溫度的熱風 乾燥、熱1¾乾料加熱賴、或紅外線乾料公知乾燥方 法’便可使水分蒸發。藉此，便可獲得具有均勻塗佈層的積 100140294 20 201226606 層薄膜。 [阻氣性積層薄膜之構成] 作為本發明的阻氣性積層薄膜，就從阻氣性、密接性的觀 點’可較佳地採用如下述態樣： (1) 基材薄膜/AC/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/pvD無機 薄膜 ’ (2) 基材薄膜/AC/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/pvD無機 薄膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄膜 (3) 基材薄膜/AC/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/pVD無機 專膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄膜/cvd無機薄膜/pVD無 機薄膜 (4) 基材薄膜/AC/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜無機 薄膜/保護層 一（5)基材薄膜/AC/PVd無機薄膜/CVD無機薄膜/pyD無機 薄膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄膜/保護層 基材薄膜/AC/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/pvD無機 —' CVD無機薄膜/pvd無機薄膜/cvd無機薄膜/pvD無 機薄膜/保護層 ..... ()基材/專膜/PVD #機薄膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄膜 (8)基材薄膜/PVD無機薄膜/CVD.無機薄膜/pvD無機薄膜 /CVD無機薄膜/Pvd無機薄膜 ()基材薄膜/p VD無機薄膜/C VD無機薄膜/pVD無機薄膜 100140294 201226606 /CVD無機薄膜/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/pvD無機薄 膜 (10) 基材薄膜/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄 膜/保護層 (11) 基材薄膜/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄 膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄膜/保護層 * (12)基材薄膜/PVD無機薄獏/CVD無機薄膜射D無機薄 膜/CVD無機薄膜/PVD無機薄膜/CVD無機薄膜/PVD無機 薄膜/保護層 (另外，上述態樣中’AC係指銷塗層。） 本發明中，配合用途可使用在上述構成層中，視需要進一 步積層有追加的構成層之各種阻氣性積層薄膜。 腔j® 的具&悲樣’係在各種用途中使用於上述無機薄 」曰層上δ又有塑膠薄媒的阻氣性積層薄膜。上述塑膠 溥膜的厚度，就從當作積芦 m θ構1^體的基材用時之機械強度、 可撓性、透明性等觀點， 、吊係在5〜500μηι、較佳係 Γ並ΓΠ範㈣’配合用途而選擇。又，薄膜的寬度與長 膜f造工Γ 配合用途而選擇，就從使用阻障薄 胰衣k工業製品時，能製 可製造多數製品等生產性2狀製品，且藉由—次製程便 成本優越性的觀點，薄膜的寬 度、長度係越長越佳。薄 ns 1V L 犋寬度較佳係0.6m以上、更佳係 〇.8m以上、再佳係1〇m以 ^ 上’潯膜的長度較佳係l〇〇〇m以 100140294 22 201226606 上、.更佳係3000m以上、再佳係5000m以上。又，例如藉 由使用能在無機薄膜層或保護層的面上施行熱封的樹脂，便 可進行熱封，可使用為各種容器。作為能進行熱封的樹脂， 係可例示：聚乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、乙烯-醋酸乙烯酯共 聚物、離子聚合物樹脂、丙烯酸系樹脂、生物分解性樹脂等 公知樹脂。 再者，作為另一阻氣性積層薄膜的實施態樣，係可舉例 如：在無機薄膜層或保護層的塗佈面上形成印刷層，再於其 上積層熱封層。作為形成印刷層的印刷油墨，係可使用水性 及溶劑系含樹脂之印刷油墨。此處，作為印刷油墨中所使用 的樹脂，係可例示：丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、聚 酯系樹脂、氯化乙烯系樹脂、醋酸乙烯酯共聚合樹脂、或該 等的混合物。再者，可在印刷油墨中添加抗靜電劑、光線阻 斷劑、紫外線吸收劑、可塑劑、滑劑、填充劑、著色劑、安 定劑、潤滑劑、消泡劑、交聯劑、抗結塊劑、抗氧化劑等公 知添加劑。 作為用於設置印刷層的印刷方法，並無特別限定，可使用 平版印刷法、凹版印刷法、網版印刷法等公知印刷方法。經 印刷後的溶劑乾燥，係可使用熱風乾燥、熱報乾燥、紅外線 乾燥等公知乾燥方法。 再者，在印刷層與熱封層之間可至少積層1層紙或塑膠薄 膜。作為塑膠薄膜，係可使用與作為本發明阻氣性積層薄膜 100140294 23 201226606 所使用之基材薄膜的熱可塑性高分子薄膜相同者。其中，就 從獲得充分積層體剛性與強度的觀點，較佳係紙、聚酯樹 脂、聚酿胺樹脂、或生物分解性樹脂。 <阻氣性積層薄膜之製造方法> 本發明的阻氣性積層薄膜之製造方法，較佳係前述阻氣性 積層薄膜的製造方法，上述利用真空蒸鍍法進行的無機薄膜 層之形成係在l〇_4Pa以上且lCT2Pa以下的減壓下實施，上 述利用化學蒸鍍法（CVD)進行的無機薄膜層之形成係在 l(T2Pa以上且10Pa以下的減壓下施行，且基材薄膜的搬送 速度係100m/分以上。 關於阻氣性積層薄膜、上述壓力、搬送速度，係如前述。 <用詞說明> 本說明書中，表示為「X〜Y」（X、Y係任意數字）時，在 無特別聲明的前提下，係指「X以上且Y以下」。 [實施例] 以下，針對本發明，係利用實施例進行具體說明，惟本發 明並不僅侷限於以下的例子。另外，以下實施例中的薄膜之 評估方法係如下述。 <水蒸氣穿透率> 根據JIS Z0222「防濕包裝容器之透濕度試驗方法」、JIS Z0208「防濕包裝材量之透濕度試驗方法（杯法）」等諸項條 件，依照下述手法進行評估。 100140294 24 201226606 使用2片透濕面積10.Ocmx 10.0cm見方的各阻氣性積層薄 膜，裝入當作吸濕劑用的無水氯化鈣約20g，並製成四邊經 密封的袋，將該袋放入溫度40°C、相對濕度90%的恆溫恆 濕裝置中，以48小時以上的間隔，重量增加大致呈一定為 指標，測定至第14天的質量（O.lmg單位），並從下式計算水 蒸氣穿透率。 水蒸氣穿透率(g/m2/day)=(m/s)/t m :試驗期間最後2次枰量間隔的增加質量（g) s :透濕面積(m2) t :試驗期間最後2次秤量間隔的時間（h)/24(h) <利用真空蒸鍍法(PVD)形成的無機薄膜層之膜厚> 無機薄膜層的膜厚測定係使用螢光X射線實施。該方法 係利用若對原子照射X射線，便放射出該原子特有螢光X 射線的現象之方法，藉由測定所放射的螢光X射線強度， 便可獲知原子的數（量）。具體而言，在薄膜上形成已知的2 種厚度的薄膜，測定各自所放射出的特定螢光X射線強度， 再利用該資訊製成檢量線。針對測定試料，亦同樣測定螢光 X射線強度，再從檢量線測定其膜厚。 〈利用化學蒸鍍法(CVD)形成的無機薄膜層之膜厚〉 利用環氧樹脂包埋超薄切片法調整試料，並使用日本電子 (股）公司製的截面TEM裝置(JEM-1200EXII)，在加速電壓 120KV的條件進行測定。另外，針對10nm以下的CVD無 100140294 25 201226606 機薄膜層之厚度，因為即便利用截面TEM法進行測定仍難 以獲得正確值，因而針對依照同樣的製膜條件所製得之 2〇nm以上的較厚CVD無機薄膜層，利用截面ΤΕΜ法進行 測疋’並s十算出每單位行走速度的製膜速率，再計算出依實 施例所記载之行走速度製膜時的厚度，將該值視為層厚度。 <CVD無機膜層之碳含量> 使用Thermo Fisher Scientific股份有限公司製的xps分析 裝置K-Alpha ’依照XPS(X射線光電子能譜分析法）測定鍵 能’藉由從Si2P、CIS、N1S、01S等所對應的尖峰面積進 行換算’便計算出元素組成(at.〇/〇)。另外，CVD無機薄膜層 的碳含量係藉由讀取XPS圖表的CVD無機薄膜層部分之值 而進行評估。 [實施例1] 作為基材薄膜，係使用寬1.2m、長12麵m、厚Ι2μιη的 雙軸延伸聚蔡一甲酸乙二S旨薄膜（帝人杜邦製，r qs 1 c 12」）， 在其電暈處理面上，塗佈將異氰酸酯化合物（Nipp〇n

Polyurethane Industry 製「CORONATE L」）、與飽和聚酯（東 洋紡績製「Vylon 300」、數量平均分子量23〇〇〇)依】：i質 量比進行調配而成的混合物’經乾燥，便形成厚度1〇〇nm 的錫塗層。 接著，使用真空蒸鍍裝置，在2xl〇-3pa真空下，利用高 頻加熱方式使si〇蒸發，便細塗層均成厚度4〇nm的 100140294 26 201226606

SiOx真空蒸鐘膜(P VD膜）。接著’在同一真空蒸鑛褒置中， 於未使壓力返回大氣壓的情況下，將HMDSN(六甲基二石夕 氮烷）、氮及Ar氣體依莫耳比1 : 7 : 7的比率導入，於〇 4pa 的真空下形成電漿，便在無機薄膜層面上形成CVD無機薄 膜層（SiOCN(氮碳氧化矽))(厚度inm)。CVD無機薄膜層形 成時的基材薄膜搬送速度係250m/分。 其次，在同一真空蒸鍍裝置中，在未使壓力返回大氣壓的 情況下’於2x10 Pa真空下，依高頻加熱方式使蒸發， 便在CVD無機薄膜層上形成厚度4〇nm的無機薄膜芦 (SiOx)。進一步在所獲得之薄膜的無機薄臈面側，塗佈胺基 曱酸酯系接著劑（Toyo-Morton公司製「ad9〇〇 與 「CAT-RT85」，依1〇 :丨.5之比例調配），經乾燥，便形成厚 度約3μηι的接著樹脂層，再於該接著樹脂層上積層厚度 60μιη的未延伸聚丙烯薄膜（東洋紡績(股）製「pYLEN薄^ -CTP1146」）’便獲得積層薄膜。針對所獲得之積層薄膜施 行上述的評估。結果示於表1。 、 [實施例2] 时實施例丨巾，CVD無機薄膜層與真空蒸軸層（則 無機薄膜層）係依照與實施例丨相同的條件依序進一， 再形成1層之外，其餘均同樣地製作積層薄膜。針對^自曰 之積層薄膜施行上述的評估。結果示於表1。 [實施例3] 100140294 27 201226606 除在實施例1中，CVD無機薄膜層的形成係依照與實施 例1相同的條件重複2次，而使CVD無機薄膜層形成雙層 構成之外，其餘均同樣地製作積層薄膜。針對所獲得之積層 薄膜施行上述的評估。結果示於表1。 [實施例4]

除在實施例1中，將製膜速度設為1〇〇111/分，且將CVD 無機薄膜層的厚度設為4ixm之外，其餘均同樣地製作積層 薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結果示於表 1 ° [實施例5] 除在實施例4中，將製膜時的投入電力加倍，且將cvd 無機薄膜層的厚度設為8nm之外，其餘均同樣地製作積層 薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結果示於: 1 ° [實施例6] 除在實施例5中，將HMDSN(六曱基二矽氮烷）、氮及Ar 氣體依莫耳比1 : 1 : 1的比率導入，且將製膜壓力設為 〇.9Pa ’並將CVD無機薄膜層的厚度設為17nm之外，其餘 均同樣地製作積層薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的 評估。結果示於表1。 [實施例7] 除在貫施例1中，降低製膜時的投入電力，並將Gyp無 100140294 28 201226606 機薄膜層的厚度設為G.lnm之外，其料⑽地製作積層薄 膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結果示於表 [實施例8] 除在實施例1中，降低真空蒸鍍法與CVD製膜時的投入

電力，並將PVD無機薄膜層的厚度設為25nm，且將cVD 無機薄膜層的厚度設為〇.lnm之外，其餘均同樣地製作積層 薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結果示於表 1 ° [比較例1] 除在實施例1中，沒有形成CVD無機薄膜層，而是在真 二蒸鍍膜層上直接形成真空蒸鍵膜之外，其餘均同樣地製作 積層薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結果示 於表1。 [比較例2] 除在實施例6中，將HMDSN(六曱基二矽氮烷）、氮及Ar 氣體依莫耳比2. 1 : 1的比率導入，且將製膜壓力設為 2.0Pa ’並將CVD無機薄膜層的厚度設為i5nm之外，其餘 均同樣地製作積層薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的 評估。結果示於表1。 [比較例3] 除在比較例2中’將製膜速度設為5〇m/分，且將CVD無 機薄膜層的厚度設為28nm之外，其餘均同樣地製作積層薄 100140294 29 201226606 膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結果示於表1。 [比較例4] 除在實施例1中，於未形成真空蒸鍍膜層(PVD無機薄膜 層）的情況下’於錨塗層上將HMDSN(六甲基二矽氮烧）、 氮、氧、及Ar氣體依莫耳比1 : 7 : 14 : 1的比率導入，並 將製膜壓力設為3.OPa ’且將製膜速度設為50m/分，藉由重 複3次施行電毅CVD處理’而依合計厚度i〇nm形成由3 層所構成的CVD無機薄膜層（SiOCN)之外，其餘均同樣地 製作積層薄膜。針對所獲得之積層薄膜施行上述的評估。結 果示於表1。 [表1] 層構成 膜層1度 _ (nm、 CVD無機薄 骐層碳含量 (at 0/〇) PVD無機薄 膜層厚度 水蒸氣穿 實施例] PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOCN(CVD) /SiOx(PVD)//CPP 2 inm； 40 Cfi/m "day] 0.008 實施例2 PEN/AC/biUx(rVD)/oiUCN(CVD) /SiOx(PVD)/SiOCN 7 (CVD)/SiOx(PVD)//CPP 1 2 40 0.005 實施例3 PEN/AL/aiUx(r νυ)/ί>ιυυΝ(0 V D) /SiOCN(CVD)/SiOx (PVDV/CPP 2 3 40 0.007 實施例4 PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOCN(CVD) /SiOx(PVD)//CPP 4 4 40 0.010 實施例5 PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOCN(CVD) /SiOx(PVD)//CPP 8 9 40 0.012 實施例6 PEN/AC/SiOx(PVD)/S iOCN(CVD) /SiOx(PVD)//CPP 17 — 15 40 0.015 實施例7 PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOCN(CVD) /SiOx(PVD)//CPP 0.1 2 40 0.005 實施例8 PEN/AC/SiOx(OVD)/SiOCN(CVD) /SiOx(PVD)//CPP 0.1 2 25 0.005 比較例1 PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOx(PVD))//CPP . 0.0 40 〇 non 比較例2 PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOCN(CVD)/ SiOx(PVD)//CPP 15 25 40 0.026 比較例3 PEN/AC/SiOx(PVD)/SiOCN(CVD)/ SiOxfPVDV/CPP 28 30 40 0.030 比較例4 PEN/AC/SiOCN(CVD)/SiOCN(CVD)/ SiOCN(CVD)//CPP --—--- 10 10 40 4.6 30 100140294 201226606 (產業上之可利用性） 本發明的阻氣性積層薄膜係適用為需要阻隔水蒸氣、氧等 各種氣體的物品包裝，例如食品、醫藥品等的包裝材料、或 太陽電池、電子紙張等的材料、或電子裝置等的封裝材料。 又，本發明的阻氣性積層薄膜係生產性良好，可進行工業性 生產。 100140294 31

Claims (1)

1. 201226606 七、申請專利範圍： 1. 一種阻氣性積層薄膜，係在基材薄膜之至少其中一面 上，依序設有：利用真空蒸鍍法形成的無機薄膜層、利用化 學蒸鍍法形成的無機薄膜層、及利用真空蒸鍍法形成的無機 薄膜層；且上述利用真空蒸鍍法形成的無機薄膜層之膜厚係 O.lnm以上且500nm以下；上述利用化學蒸鑛法形成的無機 薄膜層之碳含量係〇.5at.%以上且未滿20at·%，且膜厚未滿 20nm ° 2. 如申請專利範圍第1項之阻氣性積層薄膜，其中，上述 化學蒸鍍法係電漿CVD法。 3. 如申請專利範圍第1或2項之阻氣性積層薄膜，其中， 上述利用化學蒸鍍法形成的無機薄膜層之膜厚係未滿 10nm ° 4. 如申請專利範圍第1或2項之阻氣性積層薄膜，其中， 上述利用化學蒸鍵法形成的無機薄膜層之膜厚係未滿5nm。 5. 如申請專利範圍第1或2項之阻氣性積層薄膜，其中， 上述利用化學蒸鑛法形成的無機薄膜層之膜厚係未滿3nm。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用真空蒸鍍法形成的無機薄膜層之膜厚係 10nm以上且500nm以下。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用真空蒸鐘法形成的無機薄膜層之膜厚係 100140294 32 201226606 10nm以上且100nm以下。 8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，相鄰接的利用化學蒸鍍法形成之無機薄膜層、與 利用真空蒸鍍法形成之無機薄膜層，其厚度比（利用化學蒸 鍍法形成的無機薄膜層厚度/利用真空蒸鍍法形成的無機薄 膜層厚度)係0.0001〜0.2。 9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用化學蒸鍍法形成的無機薄膜層之碳含量 係0.5at.%以上且未滿10at.%。 10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用化學蒸鑛法形成的無機薄膜詹之碳含量 係0.5at.%以上且未滿10at.% ;且上述利用化學蒸鍍法形成 的無機薄膜層之膜厚係未滿1 〇nm。 11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用化學蒸鏡法形成的無機薄膜層之碳含量 係0.5at.%以上且未滿5at.%。 12. 如申請專利範圍第1至11項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用化學蒸鍍法形成的無機薄膜層之碳含量 係0.5at.%以上且未滿5at.%;且上述利用化學蒸鍍法形成的 無機薄膜層之膜厚係未滿5nm。 13. 如申請專利範圍第1至12項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，上述利用化學蒸鍍法形成的無機薄膜層係由二層 100140294 33 201226606 以上所構成。 14. 如申請專利範圍第1至13項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，利用真空蒸鍍法形成的無機薄膜層之至少1層係 包含>5夕氧化物。 15. 如申請專利範圍第1至14項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，在基材薄膜之至少其中一面上形成底塗層（anchor coat layer) ° 16. 如申請專利範圍第1至15項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，在上述利用化學蒸鑛法形成的無機薄膜層上之利 用真空蒸鍍法形成的無機薄膜層上，進一步設有依序具有利 用化學蒸鍍法形成的無機薄膜層、及利用真空蒸鍍法形成的 無機薄膜層之構成單位1單位以上。 17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之阻氣性積層薄 膜，其中，基材薄膜係透明高分子薄膜。 18. —種電子紙張，係由申請專利範圍第1至17項中任一 項之阻氣性積層薄膜所構成。 19. 一種太陽電池用保護薄膜，係由申請專利範圍第1至 17項中任一項之阻氣性積層薄膜所構成。 20. —種阻氣性積層薄膜之製造方法，該阻氣性積層薄膜 係在基材薄膜之至少其中一面上，依序利用真空蒸鍍法形成 無機薄膜層、利用化學蒸鍍法形成無機薄膜層、及利用真空 蒸鍍法形成無機薄膜層，上述利用真空蒸鍍法形成的無機薄 100140294 34 201226606 膜層之膜厚係l〇nm以上且500nm以下，上述利用化學蒸鍍 法形成的無機薄膜層之碳含量係〇.5at.%以上且未滿 20at.%，且上述利用化學蒸鍍法形成的無機薄膜層之膜厚係 未滿20nm ;於該阻氣性積層薄膜之製造方法中，上述利用 真空蒸鍍法進行的無機薄膜層之形成係在l〇_4Pa以上且 l(T2Pa以下的減壓下施行，上述利用化學蒸鍍法進行的無機 薄膜層之形成係在l(T2Pa以上且l〇pa以下的減壓下施行， 且基材薄膜的搬送速度係l〇〇m/分以上。 21. 如申請專利範圍第20項之阻氣性積層薄膜之製造方 法，其中，係在同一真空槽内連續實施利用真空蒸鍍法進行 的無機薄膜層之形成、與利用化學蒸鑛法進行的無機薄膜之 形成。 22. 如申請專利範圍第20或21項之阻氣性積層薄膜之製 造方法，其中，上述阻氣性積層薄膜係申請專利範圍第1 至17項中任一項之阻氣性積層薄膜。 100140294 35 201226606 四、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 無 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 益 100140294