TW201226065A - Method and device for the depollution of a pelliculated reticle - Google Patents

Description

201226065 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關用於消除位於’光罩或遮罩之薄膜下方的分 子污染之方法及有關用於施行此方法之裝置。 【先前技術】 光罩係等同於攝影術中之負片：其有效表面含有一段 待印刷在載體上之資訊。其被使用於曝曬之透射率及印刷 在半導體基板上。入射光束係聚焦在該光罩之有效表面上 ，且該有效表面中所含有之圖案接著被複製在該基板上。 該光罩的污染在該基板上所印刷之影像上具有一直接效應 ，而具有缺陷之印刷。該半導體工業正尋求減少所記錄影 像之尺寸，以獲得日益較小、可集成化及低成本之電子零 組件。當該光罩之尺寸變得較小時，在污染方面之要求變 得曰益嚴格。光罩因此爲一極重要、昂貴及複雜之元件， 其被尋求保持清潔及可作用的。 在其製造之末端，該光罩被清潔及檢查。如果該光罩 係清潔及完美無瑕的，一薄膜被施加至其上，以便保護其 有效表面。極可能變得沈積在該光罩的有效表面上之污染 物將如此變得沈積在該薄膜上。該薄膜係因此針對使該使 用者遍及其使用壽命保護該光罩。被有薄膜包括光學薄膜 (包括平行之多層表面）的沈積，該薄膜在通過該薄膜之 光束上具有高透射率及有限之衝擊。此薄膜最常見的是接 合至該光罩之有效表面的邊緣及藉由一空間與該光罩分開

-5- 201226065 。該薄膜下方之大氣係接著與被使用於 的大氣隔絕。爲防止該薄膜變得變形， 器的孔洞被設計在該薄膜之側面上。這 洩漏角色’平衡局限在該薄膜下方的大 之壓力。 其業已被感受到污染物可仍然存在 之密集使用可造成該光罩的有效面上之 自存在於該基板及該薄膜間之氣體的反 長之現象、尤其是硫酸銨晶體（NH4 ) 2 聚焦區域中發展於該光罩的有效面及該 以技術中之尺寸縮減所放大的現象直接 驟（具有缺陷之印刷）。 其在該薄膜下方之位置造成難以清 膜的光罩之清潔係一冗長、複雜及昂貴 膜通常需要被移除供清潔與接著被重新 作必需被該光罩製造廠及不被該等使·用 間之損失及管理有關縮短使用壽命之光 外成本。因此，其有義務爲光罩之密集 下方之環境係無任何分子污染。 爲確保光罩之有效率防止分子污染 膜，一方法已被提出，其包括用於泵出 、受限制之環境的內部大氣且接著恢復 開該受限制之環境的操作，以便防止極 形式的污染之任何操作。該等氣體經過 運送該光罩之機殼 具有低傳導性過濾 些孔洞實現天然之 氣及該外部大氣間 該薄膜下方。光罩 缺陷。這些缺陷源 應。譬如，晶體成 S〇4之成長能在該 薄膜之間。這些被 地影響微影術之步 潔。業已設有其薄 之過程，因爲該薄 放置。此精細之操 者所施行，導致時 罩的庫存之主要額 使用者確定該薄膜 ，而無需移除該薄 .或排出此一未密封 大氣壓力而沒有打 可能造成譬如特別 天然之洩漏點由該 • 6 -

S 201226065 未密封環境內通過至該外部及反之亦然。於光罩之案例中 ，該氣體之通過係藉由具有設在該薄膜的側面上之低傳導 性過濾器的孔洞所做成。 然而，其係接著需要提供機構，以防止該未密封、受 限制之環境的壁面之任何惡化，因爲這些壁面未能夠耐受 住顯著之差壓而不會惡化。於光罩之案例中，一旦施加至 其上之應力造成超出其彈性限制之變形，該薄膜遭受損壞 。此限制視而定薄膜之型式，該等光罩之薄膜未完全相同 。薄膜通常未能耐受住大於約IPa之差壓，因爲以凹度或 凸度之觀點，該薄膜之變形不能超過二毫米而沒有損壞。 爲防止此損壞，壓力中之下降能被調整，以致該未密 封、受限制之環境的內側及外面間之壓力差異係隨時比將 促使機械變形的壓力中之差異較小，該機械變形具有損壞 該壁面之風險。用於光罩，於這些狀態中，由1 000毫巴 至10毫巴的壓力中之下降、隨後上昇至大氣壓力費時超 過五小時。其能被了解其係不可能顯著地加速此方法而沒 有損壞該光罩。然而，此時期係遠較漫長以致不能滿足工 業需求。實際上，用於措失之時間不應超過30分鐘，特 別是在製造電子晶片之工廠中。 【發明內容】 本發明係亦針對提出在一比以先前技藝方法所獲得之 時期較短的時期、即一將爲短到足以與生產限制相容之時 期內，用於未密封、受限制環境之有效率防止分子污染的 201226065 裝置及方法。 本發明係亦針對提出用於防止未密封、受限制環境之 分子污染的裝置及方法，而不需要此環境應被打開及不會 損壞對壓力差異具有低阻抗之壁面。 本發明之又另一目標係提出用於有效消除污染物化合 物之裝置及方法，該污染物化合物可爲位在該有效表面及 該光罩的薄膜之間，而不會移除該薄膜與需要一比用先前 技藝方法較小之時期。 本發明之目的係一用於防止未密封、受限制環境污染 的裝置，該環境具有天然之洩漏處及包含藉由壁面所定界 限的內部空間，該裝置包括： -防止污染封入件，能夠包含該未密封、受限制之環 境， -機構，用於將氣體泵出該防止污染封入件， -機構，用於將氣體導入該防止污染封入件。 該防止污染封入件具有藉由密封、分開壁面所分開之 至少二室，該壁面能夠耐受住該二室間之壓力中的差異： -第一室藉由該封入件位於與該未密封、受限制環境 的壁面接觸、並與用於泵出氣體之第一機構及用於 導入氣體的第一機構合作之部份所構成， -第二室藉由該封入件位於與來自該未密封、受限制 之環境的自然洩漏接觸、並與用於泵出氣體之第二 機構及用於導入氣體的第二機構合作之部份所構成 β 201226065 用於泵出氣體之第一及第二機構，其具有能獨立地變 化動之泵送能力’與用於導入氣體的第一及第二機構，其 具有能獨立地變化動之氣體注入流率，且用於防止污染的 裝置包括控制該未密封、受限制之環境的內部空間中之壓 力及該第一室中的壓力間之差異的機構。 爲顯著地加速防止未密封、受限制之環境的分子污染 ，該壓力必需被維持在該未密封、受限制之環境的內部空 間內，以致於該第一室中，遍及該防止污染操作，其係爲 盡可能接近外邊之普及壓力。藉著此裝置及該相關方法， 其係可能視待達成之壓力及該方法的最佳化而定，達成幾 分鐘（譬如1 〇至3 0分鐘）至數小時（譬如1至5小時） 之防止污染時間。 有利地是，該第一室具有比等第二室之體積較小的體 積。實際上，該第一室之體積必需保有一盡可能接近普及 於該未密封、受限制環境的內部空間中之壓力的壓力，以 便防止其壁面之變形。爲改善該壓力的調整中之反應性， 該第一室之體積必需盡可能爲小的。 根據本發明之第一實施例，該第一室對光爲透明的窗 □。 根據一較佳態樣，該裝置具有用於測量該未密封、受 制之環境的壁面之變形的機構。 用於測量該壁面之變形的機構包含將光束放射朝向該 未密封、受限制之環境的壁面之雷射，及接收藉由該未密 封、受限制之環境的壁面所反射之光束的光接收器。

-9- 201226065 根據一特別之執行形式’用於控制該未密封、受限制 之環境的內部空間中之壓力及該第一室中的壓力間之差異 的機構’係用於測量該未密封、受限制之環境的壁面之變 形的機構。 根據另一實施例’該裝置另包括用於啓動之機構，以 獨立地修改該等室的每一者中之栗送速率。爲獲得泵送用 機構的泵送能力中之變動’其係可能譬如控制該幫浦單元 之馬達的轉速及/或可變傳導閥之開口。 根據又另一實施例，該裝置另包括用於啓動之機構， 以獨立地修改注入該等室的每一者中之氣體的流率。爲獲 得氣體注入該防止污染封入件的流率中之變動，其係可能 替如藉著質量流量計及/或藉由打開一可變傳導閥控制該 進來之氣體流量。 本發明之又另一目的係一用於藉著先前所述裝置防止 未密封受限制之環境被污染的方法，該環境具有自然洩漏 及包括藉由壁面定界限的內部空間，該方法包括以下步驟 -將該未密封、受限制之環境放在防止污染封入件中 ，該封入件包括藉由密封、分開壁面所分開之二室 » -設立該未密封、受限制之環境上之分開壁面的密封 -藉由獨立地調整該等室的每一者中之壓力的下降， 同時栗出該第一室中所含有之氣體與該第二室中所 -10- 參 201226065 含有之氣體，並以此一使得該未密封、受限 境的內部空間中之壓力及該第一室中的壓力 異係隨時比易於促使機械變形的壓力差異較 式，而該機械變形能夠損壞該未密封、受限 境的壁面， -當該未密封、受限制之環境的內部空間中之 得該預期之低壓力値p〇時，停止該泵出， -藉由獨立地調整該等室的每一者中之壓力的 同時將氣體導入該第一室及導入該第二室， 一使得該未密封、受限制之環境的內部空間 力及該第一室中的壓力間之差異係隨時比能 機械變形的壓力差異較小的方式，而該機械 於損壞該未密封、受限制之環境的壁面， -當大氣壓力被獲得時，由該防止污染封入件 未密封、受限制之環境。 根據第一實施例，一旦該預期之低壓力値P0 ，則該未密封、受限制之環境在實現壓力的上昇之 許休止在低壓力。 休止在低壓力之期間可爲數分鐘，且較佳地係 分鐘，以便獲得完全之防止污染。如果其係預期施 淨化操作，此期間可爲遠較短、或甚至等於零。 根據第二實施例，一旦該預期之低壓力値P0 ，壓力中之上昇係馬上開始。 制之環 間之差 小的方 制之環 壓力獲 上昇， 並以此 中之壓 夠促使 變形易 取出該 被獲得 前被允 至少1 5 行單一 被獲得

-11 - 201226065 【實施方式】 該光罩1被圖示地顯示於圖1中。該圖案係譬如藉著 雷射光束或電子束複製在基板2上’該基板係譬如由與鉻 層4對齊之石英3所製成，該等圖案被蝕刻在該鉻層4上 。譬如，該基板爲152毫米乘以〗52毫米之方形工件、 6.35毫米厚。一旦被蝕刻，該光罩1被浸入清潔’以便消 除該腐蝕反應之副產物。如果需要，所獲得之光罩1接著 遭受清潔、控制及修補之數個連續操作。該基板2被約2-6毫米厚之框架5所圍繞。該框架5係譬如金屬框架、譬 如由陽極化處理的鋁所製成。在最後的清潔之後’保護薄 膜7係施加至該基板2及固定至該框架5的上表面8，以 便分開被包含於該基板2及該薄膜7之間的內部空間9與 該外部環境。其目標係保護該光罩1的有效表面免於若有 的特別污染，而同時被定位在該聚焦區之外。該框架5可 具有數個不同的幾何形狀（長方形、彎曲形、八邊形等） 〇 該框架5之橫側面10具有孔洞6,該等孔洞設有約i 毫米之直徑，而能夠在該薄膜下方維持與外部壓力相同等 級之壓力。這些孔洞6具有實現該天然之洩漏功能的低傳 導性過濾器。這些孔洞6之數目係譬如一至四個。此天然 之洩漏必定具有低傳導性，以保護藉由該光罩1之有效表 面及該薄膜7定界限的內部空間9之內部大氣。其可因此 被了解該密封之防止污染封入件的過快泵送導致很迅速地 降低環繞該光罩1之氣體壓力的風險。該內部空間9中所 -12- 201226065 含有之氣體不具有藉由該等孔洞6散逸的時間。該內部空 間9的內部大氣係接著在一高於該封入件中的外部大氣之 壓力，使該薄膜7在由該內部至該外部之方向中遭受差壓 。過度差壓亦可顯現之風險在用於升高該壓力的步驟期間 亦存在。被導入該封入件之氣體接著迅速地升高該氣體壓 力，反之它們更緩慢地貫穿該光罩1之天然洩漏點6。差 壓接著顯現在由該外部至該內部之方向中。過度之差壓施 加一可損壞該薄膜7的機械應力。 於圖2所示本發明之實施例中，未密封、受限制之環 境已被了圖示地顯示。於此案例中，其係於防止污染封入 件11中之光罩1。該防止污染封入件11具有藉由耐受住 該壓力差異的密封壁面14所分開之二防止污染室12及13 。該第一密封室12佔有該封入件位於與該光罩1的薄膜7 接觸之部份。在此於該室12及該等孔洞6之間未連通， 以便完全地局限該薄膜上方的環境。該第二密封室13佔 有該封入件11係與該光罩1的孔洞6連結之部份，如此 包圍該室1 2外側的環境。 該等室12,13之每一者能接著彼此獨立地被抽空（箭 頭15)或充塡氣體（箭頭16)。因此’該第一室12中之 壓力P1可爲與在該第二室13中普及之壓力P2不同。該 第一室12中之壓力P1被連續地調整至該薄膜7下方的內 部空間9中普及之壓力P3，並以此一使得藉由該薄膜7 所遭受之壓力差異保持低、較佳地係低於1 Pa的方式。因 此，於該第二室13中’壓力中之下降可爲快速的’以便

-13- 201226065 由該內部空間9經過該等低傳導性過濾器6取出該被污染 之氣體（箭頭17)。 該二室1 2及1 3間之不漏密封的重要性能被了解。在 設有過濾器6之孔洞上方，該光罩1上之分開壁面14的 密封能在該框架5的上面8上或在該橫側面1 0上被獲得 。在本案例中，該光罩1上之分開壁面14的密封係譬如 藉著該框架5的側面10上之密封件1 8所獲得。該等室 12, 13較佳地係具有金屬壁面，其對壓力之高阻抗於該第 一室12中之壓力P1及於該第二室〗3中之P2的驅動中獨 立地提供大自由度。 吾人現在參考圖3，其說明包括根據本發明之防止污 染封入件1 3的裝置之有利實施例。 具有內部體積VI之第一密封室31佔有該封入件30 位於與該光罩1的薄膜7接觸之部份，並與其所特有的用 於泵送之第一機構32及用於導入該氣體的第一機構33合 作。能夠泵送氣體離開該第一室31之泵送用機構32包括 藉由導管被連接至該第一室31之幫浦單元34’該導管包 括可變流量閥35。能夠將氣流導入該第一室31之導入氣 體用機構33係藉由導管36連接至該第一室31，該導管 3 6包括流量控制器3 7、諸如質量流量計或可變流量閥。 該第一室31係亦配備有壓力計3 8。用於控制該光罩1之 薄膜7下方的內部空間9中之壓力P3及該第一室31中的 壓力P1間之差異的機構（未示出），被使用來根據該方 法之步驟作動該閥3 5或該流量控制器3 7。 -14- 201226065 較佳地係，對光爲透明的二窗口 39a及39b被插入該 第一室31面向該光罩1的薄膜7之壁面。該第一室31可 另包括用於測量該薄膜7之變形的機構40。 具有內部體積V2之第二密封室41佔有該封入件位於 與該光罩1之框架5的孔洞6接觸並與其所特有的用於泵 送之第二機構42及用於導入氣體的第二機構43合作之部 份。能夠泵送氣體離開該室41之泵送用機構42包括藉由 導管被連接至該第二室41之幫浦單元44，該導管包含可 變流量閥45。能夠將氣流導入該室41之導入氣體用機構 43係藉由導管46連接至該室41，該導管46包括流量控 制器47、諸如質量流量計或可變流量閥。該第二室4 1係 亦配備有壓力計48。該室41係藉由密封壁面49與該第一 室3 1分開。 在該室41內側，該光罩1係藉由定位機構50所維持 ，包括譬如作動器。這些定位機構50特別被使用來調整 該光罩1之高度，以便在該光罩1的框架5及藉著該等密 封件5 1所接觸的分開壁面49之間提供有效密封。 剛才已敘述之用於防止污染的裝置被使用於施行藉由 圖4所說明之防止污染的方法。 爲了施行該光罩1之防止污染，其相對於該分開壁面 49之定位係藉由該定位機構50所調整，以便在該二室3 1 及41之間提供完全的密封。該氣體接著分別藉由用於泵 送之機構32及42被泵入該等室31及41(曲線60)(步 驟A)。用於泵送之機構32及42具有可變之栗送能力。 -15- 201226065 每一室31,4 1中之壓力係藉著放置於該入口流動中之可變 傳導閥35,45所調節，該傳導閥具有可調整之開口。該等 閥3 5,45之打開至較大或較小範圍能夠在較高或較低速率 下以完全獨立之方式分別泵出進入該等室31，41之每一者 。存在於該內部空間9中之氣體係如此藉由設有低傳導性 過濾器之孔洞6取出，而不會移除該薄膜。 用於啓動之機構（未示出）被提供來修改每一幫浦單 元32及42之泵送能力。這些用於啓動的機構係藉著用於 在控制該光罩1之薄膜7下方的內部空間9中之壓力P3 及該第一室31中的壓力P1間之差異的機構所驅動。用於 控制該內部空間9及該第一室3 1間之壓力差異的機構較 佳地係用於測量該薄膜7之變形的機構40，其表示該第一 室31的內部體積VI中之壓力P1及該內部空間9的體積 V3中之壓力P3間之壓力差異ΔΡ，而與該第二室41的內 部體積V2連通，壓力P2在該內部體積V2中普及。該驅 動被做成，以致該壓力差異AP之測量値P3-P1係隨時比 該壓力差異之閾値較小，該閩値係將有造成能夠損壞該薄 膜7之機械變形的風險之値。該氣體係由該內部空間9經 過具有低傳導性過濾器之孔洞6取出，該孔洞被製成於支 撐該光罩1的薄膜7之框架5中，而不需移除該薄膜7。 由於該等孔洞6之傳導，該內部空間9中之壓力P3 係比該第二室41中之壓力P2較大。當泵送進入該第二室 41時，其係可能考慮此壓力差異，並因此調節該壓力P1 ，以致其總是稍微比該第一室3 1中之壓力P 1較小。因此 -16- 201226065 ，該內部空間9中之壓力P3可隨時被維持在與該第一室 3 1中之壓力P1相同等級的値。因此，該薄膜7之機械變 形保.持足夠低，而不會造成任何損壞。以該等過濾器6之 習知傳導性，其係可能產生其所造成之壓力差異P 3-P2的 正確計算，以便調節該第二室41之泵送用機構42的泵送 能力，如該第一室31中之壓力P1的函數。 能夠在圖3中看出之用於測量變形的機構40可被使 用於經過雷射52及光接收器53之使用來控制該薄膜7之 變形，該光接收器包括一群組之光接收器單元1。該雷射 52放射數毫米寬之直線光束54，並在數度之角度相對一 垂直於該薄膜7之表面的方向被送向該薄膜7(較佳地係 朝向其中心）。該入射光束54越過該窗口 39a及變得在 該薄膜7之表面上反射。該反射光束55越過該窗口 3 9b 及抵達該光接收器53。既然該雷射52及該光接收器53係 於固定位置中，該薄膜7之變形直接導致藉由該光接收器 5 3所接收之反射光束5 5的移位。 因此，其係可能使用測量該薄膜之變形用的機構40, 以便確定該內部空間9中之壓力P3與該第一室31中之壓 力P 1具有很小的差異。用於測量該薄膜7之變形的機構 40可如此被使用於調整該等室31及41的任一者中之泵送 速率，如該薄膜7之所觀察變形的函數。 —旦在該內部空間9中已獲得壓力P3，並在等於被 設定的充分低壓力P0之程度，其係可能分開地設定一休 止時間（步驟B)，以便達成該等污染物種類之脫附（曲 -17- 201226065 線6 1 )。爲由防止污染之觀點獲得一顯著的結果，其較佳 地係該休止時間應爲至少1 5分鐘。天然地，如果該污染 係極小的，其可爲較佳的是施行單一淨化操作，該操作需 要較短之休止時間，或甚至全然無休止時間。於該後—案 例中，壓力中之上昇能緊接在該泵送被停止之後發生（曲 線 62 )。 替如在一段閒置時間之後，其係可能於該封入件30 中藉由同時將氣體或氣體之混合物注射進入該室31及41 (步驟C)而增強至大氣壓力Patm (曲線63)。該氣體 係藉由設有低傳導性過濾器之孔洞6導入該內部空間9， 而不會移除該薄膜。諸如流量控制器之用於啓動的機構（ 未示出）被設計用於藉由導入用機構33及43之每一者獨 立地修改注射氣體之流量。該注射流量之多變地大或小量 値能夠使大氣壓力更快或較慢地上昇。這些用於啓動的機 構係藉著用於控制該光罩1的薄膜7下方之內部空間9中 的壓力及該第一室31中的壓力間之差異的機構（未示出 )所驅動。用於控制該內部空間9中之壓力及該第一室31 中的壓力間之差異的機構，較佳地係用於測量該薄膜7之 變形的機構40，如該第一室31及與該第二室41連通的內 部空間9間之壓力差異ΔΡ的函數。該氣體係由該內部空 間9經過具有低傳導性過濾器之孔洞6導入，該孔洞被製 成於支撐該光罩1的薄膜7之框架5中，而不需移除該薄 膜7。一旦該大氣壓力已在該等室31及41及於該內部空 間9中被恢復，該光罩能被與該定位機構5 0隔開地設定

S -18- 201226065 ’且最後由該防止污染封入件移除。 自然地，本發明不受限於所敘述之實施例，但能爲對 於那些熟諳該技藝者可以理解的極多另一選擇實施例之物 件’而未與本發明之精神脫離。特別地是，其係可能未與 本發明之架構脫離地修改該等防止污染室之形狀及體積， 使用任何習知機構來控制及/或比較該等防止污染室及該 未密封、受限制之環境的內部空間中之壓力。 【圖式簡單說明】 本發明之其他特色及優點將由較佳實施例之以下敘述 及由其所附圖面的閱讀顯現，該實施例當然被給與當作非 詳盡之說明： -圖1係設有其薄膜之光罩的槪要剖視圖； -圖2係根據本發明之一實施例的防止污染封入件中 之光罩的剖視圖； -圖3係根據本發明之一實施例的防止污染用裝置之 槪要說明圖，該裝置被使用於防止污染具有薄膜之光罩； -圖4係於該方法之不同步驟的定序期間，該薄膜下 方的內部空間中之壓力的進展之槪要說明圖，該未密封、 受限制之環境的內部空間中之壓力P3被指示在該y軸上 ，且該方法於該時間τ期間之進展被指示在該X軸上。 於這些圖面中，各種完全相同之元件帶有相同之參考 數字。 201226065 【主要元件符號說明】 1 :光罩 2 :基板 3 :石英 4 :鉻層 5 :框架 6 :孔洞 7 :薄膜 8 :上表面 9 :內部空間 1 〇 :橫側面 1 1 :封入件 1 2 :防止污染室 1 3 :防止污染室 1 4 :密封壁面 1 5 :箭頭 16 :箭頭 1 7 :箭頭 1 8 :密封件 3 0 :封入件 3 1 :密封室 3 2 :用於泵送之機構 3 3 :第一機構 34 :幫浦單元

S -20- 201226065 3 5 :可變流量閥 36 :導管 3 7 :流量控制器 3 8 :壓力計 39a :窗口 39b :窗口 40 :機構 4 1 :密封室 42 :用於泵送之機構 43:導入氣體用機構 44 :幫浦單元 45 :可變流量閥 46 :導管 4 7 :流量控制器 4 8 :壓力計 49 :密封壁面 5 〇 :定位機構 5 1 :密封件 5 2 :雷射 5 3 :光接收器 54 :光束 5 5 :反射光束 60 :曲線 6 1 :曲線 -21 - 201226065 62 :曲線 63 :曲線

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Claims (1)

1. 201226065 七、申請專利範圍： 1. 一種用於防止未密封、受限制之環境（1 )被污染 的裝置，該環境具有自然洩漏（6)及包含藉由壁面（7) 定界限的內部空間（9)，該裝置包括： -防止污染封入件（1 1，3 0 )，能夠包含該未密封、 受限制之環境（1 )， -機構（3 2,42 )，用於將氣體泵出該防止污染封入 件（11 )， -機構（3 3,43 )，用於將氣體導入該防止污染封入件 (11 )， 其特徵爲該防止污染封入件（11，30)具有藉由密封 、分開壁面（14,49)所分開之至少二室（12，13 ; 31，41 ) ，該壁面能夠耐受住該二室（12，13 ; 31，41 )間之壓力中 的差異： -第一室（12,31 )藉由該封入件位於與該未密封、 受限制環境（1)的壁面（7)接觸、並與用於泵出氣體之 第一機構（32)及用於導入氣體的第一機構（33)合作之 部份所構成， -第二室（13,41)藉由該封入件位於與來自該未密 封、受限制之環境（1)的自然洩漏（6)接觸、並與用於 泵出氣體之第二機構（42)及用於導入氣體的第二機構（ 43 )合作之部份所構成， 用於泵出氣體之第一及第二機構（32)及（42)，其 具有能獨立地變化之泵送能力，與用於導入氣體的第一及 -23- 201226065 第二機構（33 )及（43 )，其具有能獨立地變化之氣體注 入流率， 且其中用於防止污染的裝置包括控制該未密封、受限 制之環境（1)的內部空間（9)中之壓力P3及該第一室 (12,31)中的壓力P1間之差異的機構。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中該第一室（ 12,31)具有比該第二室（13,41)之體積V2較小的體積 VI。 3. 如申請專利範圍第1及2項其中之一項的裝置，其 中該第一室（12，31)具有對光爲透明的窗口（39a，39b) ο 4 .如申請專利範圍第3項之裝置，包括測量該未密封 、受限制之環境（1 )的壁面（7 )之變形的機構（40 )。 5 .如申請專利範圍第4項之裝置，其中用於測量該壁 面（7 )之變形的機構（40 )包括將光束放射朝向該未密 封、受限制之環境（1)的壁面（7)之雷射（52) ’及接 收藉由該未密封、受限制之環境（1 )的壁面（7 )所反射 之光束的光接收器（53)。 6. 如申請專利範圍第4及5項其中之一項的裝置’其 中用於控制該未密封、受限制之環境（1 )的內部空間（9 )中之壓力P3及該第一室（12,31 )中的壓力P1間之差 異的機構，係用於測量該未密封、受限制之環境的壁面之 變形的機構。 7. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，另包括用於啓 -24- S 201226065 動之機構，以獨立地修改該等室（1 2，1 3 ; 3 1 ,4 1 )的每一 者中之泵送速率。 8·如申請專利軔圍第1或2項之裝置，另包括用於啓 動之機構，以獨立地修改注入該等室（12，13 ; 31，41 )的 每一者中之氣體的流率。 9. 如申請專利範圍第1或2項之裝置，另包括機構（ 50 )，以將該未密封、受限制之環境（1 )定位在該防止 污染封入件（11，30)內。 10. —種用於藉著如申請專利範圍第1或2項之裝置 防止未密封受限制之環境（1)被污染的方法，該環境具 有自然洩漏（6)及包括藉由壁面（7)定界限的內部空間 (9 )，該方法包括以下步驟： -將該未密封、受限制之環境（1 )放在防止污染封 入件（1 1，3 0 )中，該封入件包括藉由密封、分開壁面（ 1 4，4 9 )所分開之二室（1 2，1 3 ; 3 1，4 1 )， -設立該未密封、受限制之環境（1 )上之分開壁面 (14,49 )的密封， -藉由獨立地調整該等室（12,13; 31，41)的每一者 中之壓力的下降，同時泵出該第一室（12,31)中所含有 之氣體與該第二室（31，4 1)中所含有之氣體，並以此一 使得該未密封、受限制之環境（1 )的內部空間（9 )中之 壓力P3及該第一室（12,31)中的壓力P1間之差異係隨 時比易於促使機械變形的壓力差異較小的方式，而該機械 變形能夠損壞該未密封、受限制之環境（1 )的壁面（7 ) -25- 201226065 -當該未密封、受限制之環境（1 )的內部空間（9 ) 中之壓力P3獲得該預期之低壓力値p〇時，停止該泵出， -藉由獨立地調整該等室（！2,13; 31,41)的每一者 中之壓力的上昇，同時將氣體導入該第—室（12,31)及 導入該第二室（13,41)，並以此一使得該未密封、受限 制之環境（1)的內部空間（9)中之壓力及該第一室（ 12,31)中的壓力間之差異Δρ係隨時比能夠促使機械變形 的壓力差異較小的方式，而該機械變形易於損壞該未密封 、受限制之環境（1 )的壁面（7 )， -當大氣壓力Patm被獲得時，由該防止污染封入件 (1 1 ,3 0 )取出該未密封、受限制之環境（1 )。 11 .如申請專利範圍第1 0項之防止污染的方法，其中 一旦該預期之低壓力値P0被獲得，則該未密封、受限制 之環境（1)在實現壓力的上昇之前被允許休止在低壓力 〇 12.如申請專利範圍第1 1項之防止污染的方法，其中 休止在低壓力之期間係至少1 5分鐘。 3 -26-