201225285 六、發明說明： 【發明所屬之技術頜域】 [0001]相關申請案之交互參照 [0002] 本申請案根據35 s. C. §119主張參照併入稱早於 2010年12月08日在韓國智慧財產局申請且正式案號為 NO. 10-2010 - 0124862的申請案之完整優先權效益。 [0003] 本發明係有關於一種有機發光顯示裝置及其製造方法， 尤其是關於一種具有簡化的製造程序，以及在塾片部位 〇 具有改善的電阻均句性以增進亮度之有機發光顯示裝置 ’以及製造此有機發光顯示裝置之方法。 [先前技術] [0004] 平板顯示裝置，諸如有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置 ，是製造於包括有薄膜電晶體（thin film transistors, TFTs)、電容以及連接薄膜電晶體與電 容之配線的圖樣形成於其上的基板上。-般來說，為了 〇 在有平板赫裝置製造於其上之基板上形成包括薄膜電 的精細圖樣’ ®樣係藉由利Μ形成此精細圖樣的遮 罩而轉移至基板上。 [0005] 程序遮=轉移®樣的料通常使錢雜序。依據微影 圖樣以步驟，光阻係均句地塗佈於形成有 之基板上。藉由使用諸如步進器的曝光設備曝光此 光阻。在正光阻的愔 ”障况下，暴露的光阻係顯影。在此光 而務^之後’使用剩餘的光阻作為遮罩以_圖樣，從 而移除不必要的光阻。 1〇〇14132产單编號删1 第5頁/共42頁 1013032201-0 201225285 [0006] 在藉由遮罩轉移圖樣的程序中，需要其上有必須圖樣的 遮罩。因此，使用遮罩的步驟數目增加，用以製備此遮 罩的製造費用係增加。此外，由於上述複雜的步驟是需 要的，因而複雜化了製造程序、延長了製造時間且增加 了製造費用。 【發明内容】 [0007] 為了解決以上及/或其他問題，本發明提供一種具有簡化 的製造程序與在墊片部位具有改善的電阻均勻性以增進 亮度之有機發光顯示裝置，以及製造此有機發光顯示裝 置之方法。 [0008] 根據本發明之一面向，一種有機發光顯示裝置包含：包 括主動層之薄膜電晶體、包括閘極下電極與閘極上電極 之閘極電極、源極電極及汲極電極；有機發光裝置，其 係電性連接至該薄膜電晶體之其中依序地沈積與該閘極 下電極以相同的材料在同一層中所形成的像素電極、包 含發光層之中間層、以及相反電極；第一墊電極，其係 與閘極下電極以相同的材料在同一層中所形成之；第二 墊電極，其係形成在第一墊電極之至少一部位上，且與 閘極上電極以相同的材料在同一層中所形成；以及第三 墊電極，其係與第二墊電極之至少一部位接觸，且與源 極電極以相同的材料在同一層中所形成。 [0009] 有機發光顯示裝置更包含層間絕緣層插置於第二墊電極 與第三墊電極之間，其中第二墊電極與第三墊電極經由 形成在層間絕緣層中的接觸孔而相互接觸。 [0010] 層間絕緣層可暴露第二墊電極之末端部位，且第三墊電 10014132^^'^^ A〇101 ^ 6 1 / * 42 I 1013032201-0 201225285 極可沿著層間絕緣層形成並可接觸第二墊電極之暴露的 末端部位。 [0011] 第三墊電極之兩末端部位可分別接觸第二墊電極之兩末 端部位。 [0012] 第一墊電極之末端部位可暴露於外部，並可電性連接至 供應電流以驅動有機發光顯示裝置之驅動積體電路 (integrated circuit, IC) ° [0013] 閘極下電極、像素電極、以及第一墊電極可包含銦錫氧 化物（indium tin oxide, ITO)、銦鋅氧化物（indium zinc oxide，IZO)、氧化鋅（ZnO)以及三氧化二钢 (In2〇3)之至少其一。 [0014] 閘極上電極與第二墊電極可包含材料選自由銀、鎂、鋁 、銘、把、金、錄、鈥、银、路、链、妈、銦、鈦、鶴 、鎮化鈿、以及銘/銅所組成之群組之至少其一。 [0015] 閘極上電極與第二墊電極可包含鉬-鋁-鉬（Mo-Al-Mo)的 三層結構。 [0016] 源極電極、汲極電極、以及第三墊電極可包含材料選自 由銀、鎮、銘、#、把、金、錄、敛、銀、絡、鋰、約 、翻、鈦、鶴、鎢化銦、以及銘/銅所組成之群組之至少 其一。 [0017] 源極電極、汲極電極、以及第三墊電極可包含鉬-鋁-鉬 (Mo-Al-Mo)的三層結構。 [0018] 根據本發明之另一面向，一種有機發光顯示裝置包含： 10014132#單編號 A_ 第7頁/共42頁 1013032201-0 201225285 一第一絕緣層，形成於基板上；一薄膜電晶體的一主動 層，其係形成在第一絕緣層上；一第二絕緣層，其係覆 蓋主動層；一像素電極，其係形成在第二絕緣層上；一 閘極下電極，其係在主動層上，藉由與像素電極以預定 距離相隔，而與像素電極以相同之材料在同一層中所形 成；一第一墊電極，其係藉由與閘極下電極以預定距離 相隔，而與閘極下電極以相同的材料在同一層中所形成 ;一閘極上電極，其係形成在閘極下電極上；一第二墊 電極，其係在第一墊電極上與閘極上電極以相同的材料 在同一層上所形成的第二墊電極；一第三絕緣層，其係 覆蓋像素電極、閘極上電極、以及第二墊電極之至少一 部位；一源極電極與一汲極電極，其係形成在第三絕緣 層上並接觸像素電極；以及一第三墊電極，其係與源極 電極及汲極電極以相同的材料在同一層中所形成，並接 觸第二墊電極。 [0019] 第二墊電極與第三墊電極經由形成在第三絕緣層中的接 觸孔可相互接觸。 [0020] 第三絕緣層可暴露第二墊電極之末端部位，而第三墊電 極可沿著第三絕緣層形成，並可接觸第二墊電極之暴露 的末端部位。 [0021] 第三墊電極之兩末端部位可分別接觸第二墊電極之兩末 端部位。 [0022] 根據本發明之另一面向，一種製造有機發光顯示裝置之 方法包含下列步驟：用以在基板上形成薄膜電晶體的主 10014132^^ A〇101 第8頁/共42頁 1013032201-0 201225285 動層的第一遮罩程序操作；用以形成閘極電極、第一墊 電極、第二墊電極以及在主動層上形成像素電極的電極 圖樣的第二遮罩程序操作；用以形成具有暴露主動層之 兩邊、第二墊電極之一部位以及電極圖樣之一部位的開 口的層間絕緣層的第三遮罩程序操作；用以形成接觸主 動層之兩暴露邊的源極電極與汲極電極、接觸第二墊電 極之暴露部位的第三墊電極、以及像素電極的第四遮罩 程序操作；以及用以形成暴露像素電極之至少一部位之 像素定義層的第五遮罩程序操作。 Ο [0023] 第二遮罩程序操作可包含下列步驟：依序地沉積第二絕 緣層、第一導電層及第二導電層於主動層上；形成包含 作為閘極下電極之第一導電層與作為閘極上電極之第二 導電層之閘極電極；以及藉由圖樣化第一導電層與第二 導電層，以同時形成包含作為第一墊電極之第一導電層 與作為第二墊電極之第二導電層的墊電極。 [0024] 第三遮罩程序操作可包含下列步驟：沉積第三絕緣層於 〇 閘極電極、第二墊電極及電極圖樣上，並藉由圖樣化第 三絕緣層，以形成暴露主動層之源極區域與汲極區域之 部位、第二墊電極之部位以及電極圖樣之部位之開口。 [0025] 第四遮罩程序操作可包含下列步驟：沉積第三導電層於 層間絕緣層之上表面上，並藉由圖樣化第三導電層以形 成源極電極與汲極電極以及第三墊電極。 [0026] 第二墊電極與第三墊電極經由形成在層間絕緣層中的接 觸孔可相互接觸。 10014132产單編號A_ 第9頁/共42頁 1013032201-0 201225285 [0027] 層間絕緣層可暴露第二墊電極之末端部位，而第三墊電 極可沿著層間絕緣層形成，並可接觸第二墊電極之暴露 的末端部位。 [0028] 第五遮罩程序操作可包含下列步驟··沈積第四絕緣層於 基板之整個表面上，並藉由圖樣化第四絕緣層以形成像 素定義層。 【實施方式】 [0029] 用以說明本發明之例示性實施例的附圖，係視為是為了 得到對於本發明、本發明之優點以及實施本發明而實現 的各項目標的充分理解。以下，將藉由參照附圖解釋本 發明之例示性實施例而詳細地描述本發明。圖式中相似 的參考符號代表相似元件。 [0030] 第1圖為依據本發明之一實施例，有機發光顯示裝置之平 面示意圖。 [0031] 參照第1圖’根據本實施例，有機發光顯示裝置1包含包 括薄膜電晶體（TFT)與發光像素之第一基板1〇、以及藉由 密封以耦合於第一基板10之第二基板20。 [0032] 薄膜電晶體TFT、有機電致發光（electroluminescent) 裝置EL、以及儲存電容Cst可形成在第一基板10上。此外 ’第一基板10可為低溫多晶矽（LTPS)基板、玻璃基板、 塑膠基板或不銹鋼（SUS)基板。 [0033]第二基板20可為配置在第一基板10之頂部的封裝基板， 以自外部濕氣或空氣遮蔽提供在第一基板1〇上的薄膜電 晶體及發光像素。第二基板2〇係面對第一基板1〇設置， 1013032201-0 10014132#單編號A0101 第1〇頁/共42頁 201225285 且第一與第二基板10與20分別藉由沿著其邊緣配置之密 封構件90彼此相互結合。第二基板2〇可為透明玻璃或塑 膠基板^ [0034] 第一基板1〇包括發光的發光區域DA以及設置在發光區域 DA外部的非發光區域NDA。根據本發明之實施例，當密封 構件90配置在此發光區域Μ外部的非發光區域nj)a内時， 第一與第二基板10與20分別結合在一起。 [0035] 如上所述’有機電致發光裝置EL、驅動有機電致發光裝 Ο 置®^的薄膜電晶體TFT、以及電性連接至構件的佈線係形 成在第一基板10之發光區域DA中。非發光區域NDA可包括 設置有自發光區域DA的佈線延伸的塾電極的墊片區$。 [0036] 第2圖為沿著第1圖之II-II線段截取的剖面圖。 [0(»7]參照第2圖，根據本實施例之有機發光顯示裝置丨包括通 道區域2、儲存區域3、發光區域4、以及塾片區5。 [0038] 根據本實施例之有機發光顯示裝置中，墊片區5特點為包 〇 括第一墊電極514、第二墊電極515、以及第三墊電極 517。具有上述此構造之墊片區5的結構將詳述於下。 / [0039] 薄膜電晶體TFT是提供作為通道區域2中的驅動裝置。薄 膜電晶體TFT分別包括主動層212、閘極電極2〖、源極電 極217a與汲極電極217b。閘極電極21包括閘極下電極 214與閘極上電極215。閘極下電極214可由透明導電性 材料所形成。用以提供閘極電極21與主動層212之間絕緣 的第二絕緣層13係提供於其間。有高濃度雜質注入的源 極區域212a與汲極區域21 2b分別形成在主動層212的兩 1013032201-0 10014132#單編號A〇101 第11頁/共42頁 201225285 邊並各自分別連接至源極電極217a與汲極電極217b。 [0040] [0041] [0042] [0043] 儲存電各Cst分別提供在儲存區域3中。儲存電容c討包括 電各下电極312與電容上電極314。第二絕緣層13係插置 在電容下電極312與電容上電極314之間。此電容下電極 312可由與薄膜電晶體171<的主動層212以相同的材料於 同層中所形成。電容上電極314可與薄膜電晶體TFT之 閑極下電極214、有機電致發光襄置EL的像素電極41 '以 及第一墊電極514以相同的材料在同一層中所形成。 有機電致發光裝置EL係提供在發光區域4中。有機電致發 光裴置EL包括分別連接至薄膜電晶體TFT之源極與汲極電 極217a與21 7b其中之一的像素電極414、面向像素電極 414之相反電極420、以及插置於像素電極414與相反電 極420之間的中間層419。像素電極4丨4可由透明導電材 料所开>成，且可與薄膜電晶體TFT的閘極下電極214及第 塾電極514以相同的材料在同一層中所形成。 墊片區5包括第一墊電極514、第二墊電極515、以及第三 墊電極517。第一墊電極514可與薄骐電晶體TFT之閘極 下電極214、電容上電極314、以及有機電致發光裝置el 的像素電極414以相同的材料在同一層中所形成。此外， 第二墊電極515可與閘極上電極215以相同的材料在同一 層中所形成。第三墊電極517也可分別與源極電極217a與 沒極電極217b以相同的材料在同一層中所形成。 墊片區5將於下文詳細地描述。在傳統的有機發光顯示裝 置中’已致力於形成墊電極，此塾電極具有其中包括鉬- 10014132#單編號 A0101 第12頁/共42頁 1013032201-0 201225285 Ο 鋁-鉬（Μο-ΑΙ-Μο)的第二導電層形成在包括銦錫氧化物 之第一導電層之一邊的上表面上的結構。具有上述結構 的墊電極是藉由執行批次蝕刻於形成閘極上電極之第二 導電層與形成源極與汲極電極之第三導電層而形成。然 而，在批此触刻其間，由於第一導電層的偏移，在層間 絕緣層下會產生金屬底切。據此’因為金屬底切產生對 應偏移的額外阻抗構件。結果’在電流透過驅動積體電 路進入面板前產生了電壓下降’並從而降低亮度。此外 ，第二導電層的偏移可根據第二導電層的厚度而有所變 化。就算在同樣厚度下偏移差異可根據其位置產生，以 至於進入面板的電流量根據墊電極的位置可能有所不同 。據此，降低了墊電極亮度的均勻性’以至於可能產生 遠距離均勻性（LRU)分散。 [0044] Ο 為了解決上述問題，根據本實施例，在有機發光顯示裝 置中’執行接觸孔功能的開口 Η6形成在層間絕緣層416中 ’且第二導電層15(參照第5圖）形成之第二墊電極515與 第三導電層17(參照第9圖）形成之第三墊電極517藉由此 開口Η6連接。同時，第二墊電極515與第三墊電極5Π之 末端部位藉由圖樣化第三墊電極517至第二墊電極515的 此末端部位而彼此相互連接。依照以上結構，在第二與 第二導電層15與17各自的批次蝕刻期間，基本上在層間 絕緣層416下產生的金屬底切是可以避免的 。因此，依照 此•實施例’由於金屬底切，根據墊電極位置造成的額外 壓降與阻抗分散性產生的影響可得到避免。 [0045] 以下將福述製造第2圖之底部發射型有機發光顯示裝置的 顏产單編號删1 第13頁/共42頁 1013032201-0 201225285 程序。 [004e]第3-11圖為製造第2圖之有機發光顯示裝置之程序的剖面 圖。 [0047] 首先’如第3圖所示，第一絕緣層11形成在基板1〇上。詳 細地說’第一基板10可由具有主要成分SiO的透明玻場 材料所形成。但基板10不限於此，且可以使用由諸如透 明塑膝材料或金屬構件之各種材料形成的各種基板。 [_]第一絕緣層11，諸如用於避免雜質離子之擴散、避免濕 氣或外部空氣之擴散及平坦化基板10之表面的障礙層及/ 或緩衝層’可提供至基板1〇的上表面上。第一絕緣層U 可藉由諸如電漿輔助化學氣相沉積法（plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD) ' 大氣壓化學氣相沉積（atmospheric pressure CVD， APCVD)法或低壓化學氣相沉積（i〇wer pressure cvd， LPCVD)法之各種沉積法使用Si0及/4SiN而沈積。 [_]接著，如第4圖所示’此薄膜電晶體TFT的主動層212與儲 存電容Cst的電容下電極312形成在第一絕緣層11的上表 面上。詳細地說’首先非晶矽沉積在第一絕緣層丨丨的上 表面上，並接著結晶化非晶矽以形成多晶矽層（未顯示） 。非晶矽層可藉由多種方式結晶化，諸如快速熱退火法 (rapid thermal annealing, RTA)、固相結晶法 (solid phase crystallization, SPC)、準分子雷 射退火法（excimer laser annealing，ELA)、金屬誘 導結晶法（metal induced crystallization, MIC) 10014132#單'編號 A0101 第14頁/共42頁 1013032201-0 201225285 、金屬誘導橫向結晶法（metal induced latefal crystallization，MILC)或順序橫向固化法 (seqUential lateral s〇Udificati〇n，sls)。利 用第一遮罩（未顯示）經由遮罩程序圖樣化此多晶矽層， 以成為薄膜電晶體TFT的主動層212與儲存電容Cst的電 容下電極312。 |；0050]在本實施例中，主動層212與電容下電極312係彼此分開 地形成，但主動層212與電容下電極312可一體成型的形 成。接著，如第5圖所示，第二絕緣層13、第一導電層14 與第-導電層15依序地沈積在基板1〇其形成有主動層212 與電容下電極312的整個表面上。 闕、絕緣層13可藉由以諸如電漿輔助化學氣相沉積法法、大 氣壓化學氣相沉積法，或低壓化學氣相沉積法沉積無機 絕緣層，諸如SiNx4Si〇x而形成。第二絕緣層13係插置 在主動層212與薄膜電晶體TFT的閘極電極21之間（見以 下討論的第6圖），並作為薄膜電晶趙m的閘極絕緣層的 功能。第二絕緣層13也插置在電容上電極314 (見以下討 論的第6圖）與電容下電極312之間，並作為儲存電容W 的介電層。 剛第-導電層14可包括—或多個材料選自由包括姻錫氧化 物、銦鋅氧化物、氧化鋅或三氧化二銦的透明 成之群組。第-導電層14可後來圖樣化為像素電極414、 閉極下電極214、電容上電極314、以及第—塾電極514 (見以下討論的第6圖）。 第15頁/共42頁 腦4132产單編號麵 1013032201-0 201225285 [0053]第二導電層15可包括一或多個材料選自由包括銀、鎂、 鋁、鉑、鈀、金、鎳、歛、銥、鉻、鋰、鈣、鉬、鈦、 鎢、鎢化鉬、以及鋁/銅所組成之群組◊第二導電層15可 後來圖樣化為鉬-鋁-鉬的三層結構。第二導電層15可後 來圖樣化為閘極上電極215與第二墊電極515 (見以下討 論的第6圖）。 [〇〇54]接著，如第6圖所示，閘極電極21、電極圖樣3〇與4〇、第 一墊電極514、以及第二墊電極515係形成在基板10上。 詳細地說，依序地沈積在基板1〇之整個表面上的第一導 電層12與第二導電層15係藉由利用第二遮罩（未顯示）的 遮罩程序而圖樣化。 [0055] 閘極電極21係形成在通道區域2中之主動層212的上表面 上。閘極電極21包括構成第一導電層14之一部位的閘極 下電極214與構成第二導電層15之一部位的閘極上電極 215。閘極電極21係對應主動層212之中心而形成。源極 區域212a與汲極區域212b藉由利用閘極電極21作為遮罩 ，摻雜η型或p型雜質於主動層212中而分別形成在主動層 212對應於閘極電極21之兩邊的兩邊，且通道區域2係分 別形成於源極區域212a與汲極區域212b之間。 [0056] 用於之後形成電容上電極314的電極圖樣30是形成在儲存 區域3中電容下電極312的上表面上。用於之後形成像素 電極414的電極圖樣40是形成在發光區域4中。作為第一 導電層14之一部位形成的第一塾電極514與作為第二導電 層15之一部位形成的第二墊電極515係形成於墊片區5中 〇 10014132^^^^ A0101 第16頁/共42頁 1013032201-0 201225285 [0057] Ο [0058] ❹ [0059] 接著，如第7圖所示，第三絕緣層16沉積在基板1〇其形成 有閘極電極21的整個表面上。第三絕緣層16藉由諸如旋 轉塗佈一或多個選自於由聚亞醯胺（polyimide)、聚醯 胺（polyamide)、壓克力樹脂（acryl resin)、苯並環 丁烯（benzocyclobutene)、以及苯酚樹脂（phenol res iη)所組成之群組的有機絕緣層材料的方法而形成。 第三絕緣層16形成至足夠的厚度，例如，厚於第二絕緣 層13，並分別作為閘極電極21與薄膜電晶體TFT之源極電 極與汲極電極217a與217b之間的層間絕緣層416的功能 。第三絕緣層16不僅可由上述的有機絕緣材料也可由諸 如第二絕緣層13的無機絕緣材料而形成，或可藉由交替 地配置有機絕緣層材料及無機絕緣材料而形成。 接著，如第8圖所示’具有用於分別暴露部分電極圖樣3〇 與40、第二塾電極515、源極區域21 2a以及没極區域 212b之開口HI、H2 ' H3、H4、H5、H6以及H7的層間絕 緣層416，是藉由圖樣化第三絕緣層16而形成。詳細地說 ，第三絕緣層16是藉由利用第三遮罩（未顯示）的遮罩程 序而圖樣化’從而形成開口 HI、H2、H3、H4 ' H5、H6以 及H7。開口H1與H2分別暴露部分的源極區域212a與沒極 區域212b。開口H3與H4暴露構成電極圖樣40之上部位的 第二導電層15的一部位。開口H5暴露構成電極圖樣3〇之 上部位的第二導電層15的一部位。開口H6以及開口『暴 露第二墊電極515的一部位。 接著’如第9圖所示，第三導電層17沉積在基板1〇的整個 表面上以覆蓋層間絕緣層416。第三導電層Π可分別由與 麵4—單編號A〇101 第17頁/共42頁 1013032201-0 201225285 上述第一或第二導電層14或15相同的導電材料所形成。 然而，本實施例並不侷限於此，且第三導電層17可由一 種選自於各種導電材料的材料所形成。此導電材料沉積 至—厚度以足夠填充上述開口 HI、H2、H3、H4、H5、H6 以及H7之至少一部位。 [0060] [0061] [0062] 接著，如第ίο圖所示，個別的源極電極217a與汲極電極 217b、像素電極414、電容上電極314、以及第三墊電極 517係藉由圖樣化第三導電層（參照第9圖的元件丨了）而形 成。詳細地說，個別的源極與汲極電極2173與2171)及第 二絕緣層517是藉由在利用第四遮罩（未顯示）的遮罩程序 中圖樣化第三導電層（參照第9圖的元件17)而形成。個別 的源極與汲極電極217a與217b之其中之一，亦即，本實 施例中源極電極21 7a是經由在有像素電極414形成之電極 圖樣（參照第9圖的元件40)的上部第二導電層415的邊緣 區域的開口 H3連接至像素電極414。 第二墊電極517的末端部位係沿著開口 H7形成並連接至第 二墊電極515。亦即，第三墊電極517之一末端部位經由 開口 H6連接至第二墊電極515。第三墊電極517的另一末 端部位沿著開口H7形成並連接至第二墊電極515。因此， 第三墊電極51 7的兩末端部位係連接至第二墊電極515。 依照上述結構’在第二導電層15的姓刻期間，基本上可 避免層間絕緣層416下金屬底切的產生。因此，根據塾電 極位置因為金屬纟切所造成的額外慶降與阻抗分散性產 生的影響可得到避免。 第】8頁/共42頁 100】4132产#麟 A0101 1013032201-0 201225285 [0063]在分別形成源極電極2173與汲極電極217b之後，像素電 極414與電容上電極314係藉由額外蝕刻而形成。詳細地 說’像素電極414是藉由移除經由電極圖樣（參照第9圖的 元件40)的開口H4所暴露的第二導電層415而形成。電容 上電極314藉由移除經由電極圖樣（參照第9圖的元件30) 的開口H5所暴露的第二導電層315而形成。第一墊電極 514是藉由移除經由電極圖樣之開口 H6所暴露之第二導電 層1 5而形成。 〇 [0064] 因此’閘極下電極214、電容上電極314、像素電極414 、以及第一墊電極514是由相同材料在同一層中所形成。 電容下電極312可藉由透過開口 H5注入η型或p型雜質而摻 雜。摻雜期間注入的雜質可相同或不同於主動層212摻雜 期間使用的雜質。 [0065]接著，如第11圖所示，像素定義層（pixei define layer，PDL) 418係形成於基板1〇上。詳細地說，第四 絕緣層（未顯示）沉積在基板形成有像素電極414、個別 Ο 的源極與汲·極電極217a與21 7b、電容上電極314、以及 第三墊電極517的整個表面上。第四絕緣層可由一或多個 選自於由聚亞醯胺、聚醯胺、壓克力樹脂、苯並環丁烯 、以及苯酚樹脂所組成之群組的有機絕緣層材料以像是 旋轉塗佈的方法而形成。除了上述有機絕緣材料外，第 四絕緣層也可由選自於由二氧化矽（Si〇)、石夕氮化物 L· (SiNx)、三氧化二銘（Al2〇3)、銅氧化物（Cu〇x)、七氧 化四铽（Tb4〇7)、三氧化二紀（Υ2〇3)、五氧化二魏 (Nb2〇5)、以及三氧化二镨（pj^op所組成之群組的無機 1〇〇14132#^ A〇101 第19頁/共42頁 1013032201-0 201225285 絕緣材料而形成。第四絕緣層可形成為有機絕緣材料與 無機絕緣材料交替配置的一多層結構。 [0066] [0067] [0068] [0069] 藉由在利用第五遮罩（未顯示）的遮罩程序中圖樣化第四 絕緣層而形成用於定義像素的像素定義層418，以形成暴 露像素電極414之中心部位的開口H9，並同時形成暴露第 一墊電極514之中心部位的開口 H8。 接著，如第2圖所示，中間層419 (包括有機發光層EL) 與相反電極420係形成在暴露像素電極414的開口 H9中。 中間層419可形成為單一結構，或包括諸如發射層（EML) { 的至少一個功能層，以及諸如電洞傳輸層（HTL)、電洞注 入層（HIL)、電子傳輸層（ETL)及電子注入層（EIL)的至 少一個其他功能層的組合結構。 中間層419可由低分子有機材料或高分子有機材料所形成 。當中間層419由低分子有機材料所形成時，在中間層 419中，電洞傳輸層與電洞注入層是對應有機發光層朝向 像素電極414的方向沉積，且電子傳輸層與電子注入層是 對應有機發光層朝向相反電極420的方向沉積。此外，必 要的話也可沉積各種層。可使用的有機材料可包括銅酞 菁（。〇??6犷？111;1^1〇(：}^1^116，（：1^(：)、1\^，-二（ 萘-1-基）-N，N’-二苯基-聯苯胺（ N，N -Di(naphthalene-l-yl)-N,Ν’-diphenyl-benzidine, NPB)、或三-8-經基噎琳铭（ tris-8-hydroxyquinoline aluminum,Alq )。 當中間層419由高分子有機材料所形成時，在中間層41 9 10014132#單、編號 A0101 第20頁/共42頁 1013032201-0 201225285 中，電洞傳輸層可只包含於對應有機發光層往像素電極 41 4的方向中。電洞傳輸層可藉由諸如嘴墨印刷，或使用 t - (2，4)-乙稀-二經基嗟吩（ p〇ly~(2,4)-ethylene-dihydroxy thiophene, PEDOT)或聚苯胺（p〇iyaniiine，pah)的方法形成 在像素電極414的上表面上。可用的有機材料可包括聚對 位苯乙稀（pol y-pheny leneviny lene，PPV)為基礎或 聚努（polyfluorene)為基礎的高分子有機材料。彩色圖 Ο [0070] 樣可藉由典型方法，諸如喷墨印刷、旋轉塗佈或利用雷 射的熱轉移法而形成。 相反電極420可藉由沉積在基板1〇的整個表面上而形成為 共用電極。依照本實施例的有機發光顯示裝置中，使用 像素電極414作為陽極，並使用相反電極作為陰極。 電極的極性也可以相反方式應用。 [0071] Ο 在影像是以朝向基板10之方向呈現的底部發射型有機發 光顯不裝置中，像素電極414是透明電極且相反電極42〇 是反射電極。反射電極可藉由薄薄地沉積具有低功函數 的金屬而形成，例如銀、鎮、鋁、鉑、鈀、金、鎳、鈥 銀、鉻、鋰、約、氟化鐘/舞、氟化鐘/麵，或其化合 物。 [0072] 在用於形成上述有機發紐示裝置的每—遮罩程序期間 ，可藉由乾式_或濕絲刻移除沉積層。根據本實施 例’依照此底部發射型有機發光顯示裝置，由於金屬底 切，根據整電極位置造成的額特降與险分散性產生 的影響可得到避免。 單編號麵 第21頁/共42頁 1013032201-0 201225285 [0073] 第1 2圖為顯示傳統墊電極的阻抗量測結果與根據本發明 之墊電極的阻抗量測結果的比較圖表。 [0074] 參照第12圖，線A代表依據本發明之墊電極的阻抗量測結 果，而其他線代表在傳統墊電極結構中的墊電極的阻抗 量測結果。如第12圖所示，可看見在本發明之墊電極結 構中，阻抗和位置分散性相較於傳統墊電極結構是下降 的。 [0075] 表1顯示傳統墊電極相較於根據本發明之墊電極的亮度遠 距離均勻性（long range uniformity, LRU)的量測結 果。如表1所示，可看見當使用本發明之墊電極結構時， 遠距離均勻性（long range uniformity, LRU)相較於 傳統墊電極結構增加超過20%。 [0076] 表 1 有機電致 發光裝置 (EL) Vdd 最大壓降 (V) 有機電致 發光裝置 (EL) Vss 最大壓降 (V) 總電流（A ) 亮度遠距 離均勻性 (LRU) (%) 傳統墊電 0.3058 0.0228 0.97 64. 20 極 本發明之 0.1282 0.0268 1.15 84. 24 墊電極 1 [0078] 在上述實施例中，描述有機發光顯示裝置作為例子。然 10014132#單編號 A〇101 第22頁/共42頁 1013032201-0 201225285 而，本發明並不限於此，且可採用於各種顯示裝置，包 括液晶顯示裝置。此外，雖然依照本發明，說明實施例 的圖式中僅顯示一薄膜電晶體與一電容，但這只是用於 方便解釋，且本發明並不限於此。根據本發明，在不增 加遮罩程序的次數下，可包括複數個薄膜電晶體與複數 個電容。 [0079] 如上所述，使用根據本發明之有機發光顯示裝置，可簡 化製造程序，且完全滿足圖樣特性、電子特性以及墊片 單元（pad unit)的墊片可靠性（pad reliability)。 [0080] 當本發明參照其例示性實施例而被特定的顯示及敘述時 ，將被本領域之技術人士理解的是任何未脫離本發明之 精神與範疇，而對其進行之各種形式及細節的修改，均 應包含於後附之申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 [0081] 藉由結合附圖參照以下詳細說明，本發明更完整的評價 以及隨之而來的許多優點都將顯而易見，且同時變得更 加容易理解，其中相似的參考符號代表相同或相似的構 件，其中： 第1圖係為依據本發明之一實施例，有機發光顯示裝置之 平面示意圖； 第2圖係為沿著第1圖之11 -11線段截取的剖面示意圖； 第3至11圖係為製造第2圖之有機發光顯示裝置之程序的 剖面示意圖；以及 第1 2圖係為顯示傳統墊電極的阻抗量測結果與根據本發 明之墊電極的阻抗量測結果的比較圖表。 10014132# 單編請01 第23頁/共42頁 1013032201-0 201225285 【主要元件符號說明】 [0082] 1 :有機發光顯示裝置 10 :第一基板 20 :第二基板 D A :發光區域 NDA :非發光區域 90 :密封構件 2 :通道區域 3 :儲存區域 4 :發光區域 5 :墊片區 11 :第一絕緣層 13 :第二絕緣層 14 :第一導電層 15 :第二導電層 16 :第三絕緣層 17 :第三導電層 514 :墊電極 515 :第二墊電極 517 :第三墊電極 212 :主動層 21 :閘極電極 214 :閘極下電極 215 :閘極上電極 212a :源極區域 212b :汲極區域 麵413#單編號A0101 第24頁/共42頁 1013032201-0 201225285 217a :源極電極 217b :汲極電極 EL :有機電致發光裝置
Cst :儲存電容 312 :電容下電極 314 :電容上電極 414 :像素電極 315、415 :第二導電層 416 :層間絕緣層 418 :像素定義層 419 :中間層 4 2 0 .相反電極 HI、H2、H3、H4、H5、H6、H7、H8、H9 :開口 30、40 :電極圖樣 TFT :薄膜電晶體
100⑷32^單編號A0101 第25頁/共42頁 1013032201-0