TW201220545A - Radiation emitting component and method for producing a radiation emitting components - Google Patents

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201220545 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種輻射發射組件及輻射發射組件之製 造方法。 本專利申請案主張德國專利申請拳10 2010 〇32 04 1.2之優先權，其已揭示的整個内容车此一併作為參 考。 【先則技術】 例如，就顯示裝置，例如液晶顯示褰（LCDs)，之背 '7、照明或光導之麵合輸入而言，當由韓射發射組件所發 出之輕射在側向中（即’平行於該組件之安裝面）發出時 是有利的。於是，通常使用較複雜之外部光學系統，其 適當地由輻射發射組件轉變而成。 【發明内容】 本發明的目的是提供一種輻射發射緝件，其在側向 中發出輻射且緊密地構成。又，本發明幾供一種方法， 藉此可使輻射發射組件簡易地且可靠地製成。 上述目的藉由具有申請專利範圍獨立項特徵之物件 來達成。本發明其它之佈置和適用性 圍各附屬項中。 H月專利靶 依脉一貫她形式，輻射發射組件具有半導體㊂ 其包括：第一主面、與第一主面相面對的第二主: 及用來產生ϋ射之活性區。此輕射發射故件 = 體，其上自第二主面而固定著該半 載 體“之弟一主面上配置著射出層。此射出層形成一在 -4- 201220545 橫向中與半 組件中射出 片而變細之 出之輻射轉 於是， 向中。本申 片之活性區 橫向中 該凹口 件中，該凹 半導體 主輻射發出 50%較佳是 一主面所發 地轉向至橫 越多。已顯 活性區之主 可在橫向中 在一較 域方式較佳 該反射層， 成份可廣泛 反射層上反 又，該 性短路的危 導體晶片相隔開之側面射出層，其用來由該 輪射，在該射出層中形成—朝向該半導體晶 凹口，其在該組件之操作時使由第—主面發 向至側面射出層之方向中。 藉由該射出層中之凹口，該輻射將轉向至橫 請案中所謂橫向是指—種平行於該半導體晶 之主延伸面而延伸之方向。 邊射出層適當地以侧面射出耷為邊界。 較佳是與該射出面相隔開。在該輻射發射組 口較佳是與半導體晶片重疊著。 晶片之第一主面較佳是形成諄半導體晶片之 面。即，半導體晶片中所產生之輻射之至少 經由第一主面而由該半導體聶片發出。由第 出之輕射成份越多，則可藉由該凹口而適當 向中且隨後由側面之射出面發出之輻射成份 不的事實是：主要是在垂直方向（即，垂直於 延伸面而延伸的方向）中發射的半導體晶片 使發射簡化且能可靠地受到控制。 佳的佈置中’半導體晶片在橫向中至少以區 是沿著整個周圍而由反射層所包圍著。拜由 則該輕射之由半導體晶片之第一主面發=之 地提高。又，在射出層中傳送之輻射可在該 射且隨後由該組件之射出面中發出。 反射層較佳是對電性絕緣。半導體B片之 險性因此可大大地下降。特別是反射層至少 201220545 以區域方式或廣泛地沿著整個周圍而直接鄰接於該半導 體晶片，特別是鄰接於活性區。 在另-較佳的佈置中’在該射出層之遠離該反射層 之-側上配置另-反射層。該射出層在此種情況下因此 是配置在二個反射層之間。I!由該些反射層可防止：入 射至該射出層中的輻射在垂直方向(即，華直於橫向而延 伸之方向）中由該組件發出。 該反射層及/或該另一反射層例如可包含塑料，該塑 料形成為具有反射性。該塑料較佳是設查有粒子以使反 射㈣高。例如，石夕樹脂適合用作塑料，“粒子(例如， 一氧化欽粒子）來填充。 或是，該反射層亦可含右_括曰+ Λ 3有 種具有佘屬特性之層。 所謂金屬特性大致上是指：嗜 ώ 及盾具有金屬或金屬合金且 亦具有一種與該輻射之射 率 町月廣乏地無關之高的反射 人，孩反射層 , 1卞又Ί玉疋王；>' 以區域方 式（特別是在該凹口之外邱的 Ρ的&域中）互相1平行地延伸。 於疋’可簡易地將韓射引導至側面之射出層中。 "冓在I/佳的佈置中’在該射出層上形成第-接觸 '、、口構 其由第一主面經由兮射+ a & 晶片幵;；忐帝 曰中的凹口而與半導體 部之電性接自接觸帛—接觸結構用來使該組件達成外 第= :Γ:。第一接觸結構亦能以多層方式來形成。 -反射層之面向4 +導體晶片之層特別是形成該另 在遠離該半導體晶片之此側上’第一接觸結構較佳 201220545 是具 例如 種之 對該 載體 入至 晶片 二接 成為 地旋 片之 向中 圍之 為該 可簡 視圖 曲成 一種-之中： 件能s 有一種層’可簡易地對此 ，金、鎳或錫之類的金屬 金屬合金適合用於該層中 又適當的方式是，該組 半導體晶片形成電性接觸 可由不同側經由第一接觸 活性區中且在該處重組而 第一接觸結構特別是用來 形成電性接觸。在此種情 觸結構較佳是在垂直方向 在一較佳的佈置中，該凹 漏斗形。該凹口特別是能 轉對稱的形式來形成。又 中央。此處，所謂，’中央” 延伸之軸經由半導體晶片 一區域的内部延伸，該區 半導體晶片之最大橫向範 易地使該組件在橫向中具 另一較佳之形式中，側 中至少以區域方式而彎曲 形。該射出面特別是可 該組件之俯視圖中成漏 的凹口而言’圓形的射 成橫向的均勻發射。 組件亦可具有多於一個i 層而形成一種焊接連接。 或具有這些材料之至少一 〇 件可具有第二接觸結構以 。在該組件操作時，電荷 結構和第A接觸結構而注 發出輻射 自第二主争而與該半導體 況下’第—接觸結構和第 中封閉該Μ件。 口在該組件的俯視圖中形 以疑轉對轉或至少以廣泛 :該凹口醉置在半導體晶 疋指：該凹口之在垂直方 之重心或骂少在該重心周 域所具有的半徑之最大值 圍的10 %。以此方式，則 句勻之空間發射特性。 面之射出面在該組件之俯 I佳是由外部觀看時彎 形成 、 战為橢圓:形或圓形。就 斗开〉且配置在半導體晶片 出 1¾ 特別適合用來使該組 '半導體晶‘片。在此種情 201220545 況下’較佳是至少一凹 凹口在各別的半導體晶又’多個具有至少 組件配置。 α配置於每 片之方向中 —個丰導體晶片 逐漸變細。 ，該 種上述特徵之^件可形成一種 神罝形式，至少 弟 組件和 在垂直方向中上下配置著 在第一形式中，箆 ,..^ 層之遠離該半導體曰片組件和第二組件在各別的射出 且在該組件之= 此侧上分別具有第-接觸結構 觸結構，其=㈣目對的㈣上具有第二接 二組件之第二接觸一接觸結構輟佳是另外與第 第二組件因此可在電性上互相串連。： 件和 在另一形式Φ ，# 接觸結構和第二接觸组件和第二組件分別具有第-方向、、主入$、去 。構，其用來將電荷載體由相反之 万向主入至活性區中， 拉雄从 構在垂直力& & v 觸結辑和第二接觸結 向中为別經由載體和該射出層^而延伸。 第一接觸結構及/或笛_ 方向中完全經由各別特別是可在垂直 分別在該組件之伸。各接觸結構因此可 觸。藉由上達成一種外部之電性接 件可问易= 的接觸結構’則上下配置的多個組 仵1簡易地在電性上互相並聯。 依據另一佈置形式，至少一組 鄰地配置在椹A 和第一組件相 宜配置a向中。此種組件配置較佳是具有接觸執， :電且件之相對的各側上且各級件的至少-部份 你电性上互相並聯。 201220545 在一 佳是至少 半透過。 經由 至少一個 板因此形 在另 料，其至： 可使輻射 高。 在另 面。半導 成鏡面的 在製 式，多個 多個半導 此射出層 體晶片且 多個組件 導體晶片 本方 匕的佈置 可行的。 藉由 部份可成 較佳的佈置中，各組件配 一個板可使各組件中所產 置在二個板之間，較 生的輻射透過或至少 各組件之各別的射 板中，且隨後以大 成平面式輻射器。 出面而發出夂輻射 面積方式由核板中 可入射到 發出。各 一較佳之佈置中，在各板之 >以區域方式圍繞著各組件 之由各組件所發出且入射 間靶置一種填充材 。精i由该填充材料， 至各板中的成份提 -較佳之佈置中，各板之至少—個側面形成t 體晶片在㈣時所產生的輻判此在各板之二 側面上發生反射且經由其它的側面發出。少 造多個輻射發射組件之方法中，依據一實施形 半導體晶片配置在一載體上。—反射層施加= 體晶片之間的中間區中。形成一射出層其中 具有多個凹口，各凹口中分別裸露著一個半導 各凹口朝向半導體晶片而變細小。為了劃分戍 ，須分割該射出層且每一組件具有至少一個半 和一個位於該射出層中的凹口。 法較佳是以上述列舉之順序來進行。然而，其 亦可行，這些佈置中各製造步驟之不同順序是 該反射層，則具有半導體晶片之载體之至少〜 平面狀。該射出層因此至少廣泛地在一平面中 201220545 延伸。 在一佈置中，各凹口藉由相參之輻射來形成。特別 適合使用雷射幸畐射。或是，亦可使用ί虫刻方法。 在另一佈置中，施加該射出層，使其具有多個凹口。 這例如可藉由一與凹口對應而形成的澆抹模來達成。該 澆注模例如可藉由澆注方法、濺鍍澆注方法或濺鍍壓製 方法來填充。 凹口較佳是形成一個側面，其可使該組件中所產生 之輻射發生反射。該側面之傾斜角相對於橫向平面而言 較佳是介於30度（含）和60度（含）之間。 上述方法特別適合用來製造上述其它組件。與組件 或組件配置相結合而描述的特徵因此亦寸考慮用於方法 中或反之亦然。 本發明之其它特徵、佈置和適用性將參考各圖式而 描述在以下各實施例中。 【實施方式】 各圖式中相同-、相同形式或作用相同的各元件分別 設有相同的參考符號。 各圖式和各圖式中所示的各元件和各元件之間的大 小比例未必依比例繪出。反之，為了清楚及/或易於理 解，一些元件，特別是層厚度，已予放大地顯示出。 圖1 A (沿著線A A ’之切面圖）和圖1 B所顯示之輻射 發射組件1之第一實施例具有半導體晶片2，其配置在 載體5上。 半導體晶片2藉由一安裝層52而固定在載體5之一 -10- 201220545 安裝面5 1上。焊劑層或黏合層特別適合用作該安裝層。 半導體晶片2具有一第一主面25和‘一與第一主面相 對之第二主面26。在第一主面25和第二卜主面26之間形 成一用來產生輻射之活性區2 3。 橫向是指一種沿著活性區23之主延伸面而延伸之 方向，半導體晶片2在橫向中完全由一反射層31所包圍 著。該反射層31直接與半導體晶片2相鄭接且在製造時 形成在半導體晶片2上。 藉由該反射層3 1，則可使活性區2 3中在操作時所 產生的輕射反射回到半導體晶片2中且障後由半導體晶 片之第一主面25發出，此處，該輻射在横向中輻射出且 在橫向中由半導體晶片2發出。因此，藉由該反射層3卜 可使由半導體晶片之第一主面25所發出之總輪射功率 提高。 須形成該反射層3 1之厚度（即，該風射層在垂直方 向中之範圍）’使該反射層3 1至少覆蓋該活性區23 ^然 而’該反射層3 1在垂直方向中未必與半導體晶片2之第 —主面2 5齊平。 該反射層3 1較佳是形成為電性絕緣^該反射層特別 是可包含塑料，其設有填充粒子以使反射率提高。例如， 該反射層3丨可以是石夕樹脂層，其以二氧化鈦粒子來填 充。此種反射層在可見光譜區中具有85 %:或更大之反射 率，例如，95%。 在半導體晶片2之第一主面25上形成一射出層4。 該射出層4在橫向中超越半導體晶片2而延伸且亦覆蓋 -11 - 201220545 該反射層3 1。 該射出層在橫向中 出面40用來使活性區 發出。又，側面之射出 實施例中在垂直方向中 面之射出面亦可在橫向 以側面之射出面40為邊界，各射 23中所產生之輻丨射由該組件1中 面在橫向中鄰接於該組件1，本 元全鄰接於該組彳牛1。然而，側 中只以區域方式而鄰接於該組件 例如’該栽體5在橫向中可由側面之射出面突出。 在/射出層4中形成一凹口 45’其夺垂直方向中經 由该射出層而延伸。該凹口 45具有側面45〇，對相對於 k向平面成傾斜狀。在此側面上可使活性區23中所產生 之由半導體晶片2之第一主面25所發出冬輻射轉向至側 面之射出面40之方向中。該側面45〇鄰接於半導體晶 片。由半導體晶片2所發出之輻射因此直接入射至該射 出層4中且在該處入射時轉向至凹口 45 〇 側面450對第一主面25較佳是形成―種介於30度 (含）和60度（含）之間的角度，此角度較佳是介於35度（含） 和5 5度（含）之間。 在該射出層4之遠離該半導體晶片2之此側上配置 另一反射層32。該另一反射層32至少覆莫該凹口 45之 側面4 5 0且用來使輻射較佳地轉向至該侧面之射出面4 0 之方向中。在一與該射出面40相鄰的區域|中，該反射層 3 1和該另一反射層32互相平行而延伸。 本貫施例中’ s亥另一反射層3 2在該四口 4 5之區域 中鄰接於半導體晶片2。在該另一反射層32之遠離該半 導體晶片2之此側上配置一第一接觸結構‘6 1，其形成該 -12- 201220545

組件1用之外A 之此側上形成j電性接觸區。在與該第一接觸結構相對 作時，電荷''第二接觸結構62。在該輕射發射組件操 62而由不同體可經由第一接觸結構61和第二接觸結構 且在該處重：：面注入至半導體晶片2之活性區23中 里、，且而發出輻射。 成。：：：例中，該另-反射層32以可導電的方式來形 或金屬C佳是具有金屬特性在包含-種金屬 呈高反射率之：：有至少一種對該活性區所產生的輻射 姥⑽)L : 可見的光譜區中’例如紹、銀、 光譜區。 有南反射率。例如，余適用於紅外線 觸結構6…須分別形 來董…側上，以便可簡易地由外部 、k、，·旦件達成電性接觸， 達忐。牮 、則如措由-種焊接連接來 一接觸結構和第二接觸結構較倖是含有一種金 ，例如，銀、鋁、鈀、鎳、鉑、金 ^ 金屬中之至少一種的金屬合金。…：、或具有上述 本實施例中，半導體晶片之由第二 電性接觸是經由載體5來達成。載體，：b來達成的 導電率且亦具有高的導熱率。載體特別：,:具有南的 屬（例如，銅）或由一種金屬構成。裁^可含有一種金 片⑽如，銅片)製成。載體可完全未：二例如可由金屬 別簡易地且成本有利地製成。 化且因此可特 與上述之實施例不同’載體5亦可用 外部接觸，使載體5本身可形成第二 /達成直接的 钱觸結構。在此種 -13- 201220545 情況下，用來形成第二接觸結構之 — 在該組件1之俯視圖中，凹口 二已不扁要。 中該漏斗以旋轉對稱的形式而形；成為漏斗形，其 半導體晶片2之中央。因此，輕射可在凹口 45配置在 由側面之射出面40而發出。此種發’、L均勻地經 .又出疋在橫向之平面中 在母一方向（即，圍繞該半導體晶 < 3|60度）中逸4千。 然而，依據該組件之預設的發射特 體晶片2之位置及/或凹口 45之心相對於半導 亦是適當的。 ^轉對稱不同之佈置 、上述組件1由於側面之發射性和緊f之造型而特別 適合用來對顯不裝置（例如，液晶顯| _ . . τ 丁盗(LiquidCrystal

Dlsplay:LCDS))進行直接的背景昭 对厅、‘、、'明或用來耦合至光導 τ 〇 圖2是半導體晶片2之實施 ^ L + 貰她例之切筇圖，其特別適 用於上述和後述之組件。 半導體晶片2具有半導體本髀？ β 卞守肚本體20，兴包括半導體層 序列。+導體層序列形成半導體本體心.包括第一半導 體區2"。第二半導體區22，適當方式是此二個半導體 區具有互相不同的導電型。在第—半導體丨區和第二半導 體區之間形成一活性區23以用來產生輻卑。 半導體本體20配置在基板27上。基板是與半導體 本體2〇之半導體層序列所需之生長基板不同。基板27 特別是用來使半導體本冑2〇彡成機械上的穩定。半導體 層序列用之生長基板因此已不需要。半導體晶片2因此 未具備該生長基板。基板例如可包含半導體材料（例如， -14- 201220545 矽、鍺、或砷化鎵）或由半導體材料構成。 半導體晶片中該生長基板已去除着亦稱為薄膜_半 導體晶片。 本申清案之範圍中，薄膜-半導體晶片（大致上是薄 膜-發光二極體晶片）可另外具有以下特徵之一： -在半導體本體之面向載體元件（例如，基板27)之第 一主面上施加一種鏡面層，該半導體本雔包括：一具有 活性區之半導體層序列（特別是磊晶層序列），或在該半 導體層序列中進行積體化而形成的布拉格（Bragg)鏡 面，其使半導體層序列中所產生的電磁輻射之至少一部 份反射回到半導體層序列中； -此半導體層序列具有一種20微米或更小之範圍的 厚度’特別是1 0微米之範圍；及/或 -此半導體層序列包含至少一種半導體層，其至少一 面有一混合結構。在理想狀況下，此混令結構可使半導 肢層序列中的光達成一種近似遍歷（erg〇dic)之分佈， 即’該光具有一種儘可能遍歷之隨機雜散特性。 薄膜-發光二極體晶片之基本原理例如已描述在文 件 I. Schnitzer et al.，Appl. Phys. Letlt 63(16)，18

October 1 993, page 2174·2176中，其已揭!示的内容藉由 參考而併入此處。 在基板27和半導體本體20之間配置一連接層28， 藉此使半導體本體固定在基板27上。又，在半導體本體 2〇和基板27之間形成一種具有較佳是金屬特性之鏡面 層29,其用來使活性區23中所產生之在棊板27之方向 -15- 201220545 中發出之輪射轉向至第一主面 薄膜-半導體晶片之特徵特別是：主要的輻射成份， 即，所發出之輻射之至少5〇%，由第一车面發出。 然而’與上述實施例不同，例如，亦可使用一種半 導體曰a片纟中半導體本體之半導體層序列所需之生長 基板形成該基板。基板27和半導體本體2〇之間的連接 層在此種情況下已不需要。 半導體晶片2具有第—終 形成半導體晶片之第一主面。 此側上，第二終端24b配置在 上。因此，可由相對的侧面來 性接觸。 端24a以違成電性接觸且 在與第一绛端2 4 a相對的 半導體晶片之第二主面26 與半導體晶片形成外部電 …半導體晶Μ 2(特別是活性區23)較隹是含有ιπ ν_ 半導體材料。III_V_半導f 干导體材枓特別適合用來在紫外線 (AlxInyGaux-yN)中經由可 g Λ s ^ Λ ± 見先（AlJnyGar-x-yN，特別是藍 色至綠色輻射，或Α1 Τη ία 、 & s xInyGai-x-yP，特別是黃色至紅色輻 射）直至紅外線（A1丨〇 , ^ y h-yAs)的光譜：區域中產生輻 射。此處，ο$χ$1〇^ # β /4_、 — y== 1 且 1，特別是 #1，y声 1， X邱及/或y#〇。藉由π ^ L1 ^ ^ ^ 導體材料，特別是由上述 材料糸統構成者，則在幸5 θ ν 七 #田射產生時另外可達成高的内部 量子效率。 幸虽射發射組件之望-杳 ^ 咕一 矛—貫知例之俯視圖顯示在圖3 中。第一貫施例基本上對庙·#Λ isi 對應於圖1Α和圖1Β所示之第一 貫施例。不同之處在於 n向 、側面之射出面40在俯視圖中形 成為圓形。以此方式，則 J ^向中反射至凹φ 45上之輻射 -16- 201220545 可在正個周圍都以垂直方式入射 因此能以高的效率而由組件i中^面之射出® 40且 在上述圓形之側面之射出面4 佳是具有-種與側面之射出面不同的之:1:下’載體5較 俯視圖中該載體5是規則的六角"'，本貫施例的 則各組件1在製造時雖然存在彎：之：式。以此方式’ 亦具有—鑲邊’其具有直線形的 射出面40但 線形的部份區段，則各組件在製造。由於此種直 這例如藉由機械方式(大致上是切銀可广也被分割’ 成。 绳 I開或斷開）來達 為了在橫向中使發射特性之均 導體晶片之第—主…俯視：=續提高，則半 =稱性，…中所產生之輕射=有 遗度或基本上至少以旋轉對稱的輪射密；轉對稱的輻射 出層4中。 在每而入射至該射 C二=第三實施例之切面圖顯示… 實施:二：=上對應於圖1A和圖1b所示之第- 不冋之處在於，第一接觸結構6|1 品域中直接鄰接於半導體晶# 2 凹口 45之 電性桩艇丁 3/丄 此，+導體晶片之 接觸不疋經由另一反射層32來達成。, &亦能以電性絕緣方式來形成，該另;"反^另―反射層 是能以與反㈣31才目同的形式來形固曰32 :別 发：一個側面上至少以區域方式而鄰接於一個反射層， 製：：簡易的方式，例如’藉由分配器或洗注方法，來 -17- 201220545 圖5A和圖5B所示之組件！ 應於圖1 A和® 1B所示 貫施例基本上對 嚷^ 之第—貫施例。不同之處在於， 第-接觸結構61在該載體5之遠 上形成第一接觸面01〇。_由筮.‘曰日片2之此側 觸面610和第二接觸面62〇 * 側來與該輕射發射組件接觸。第、]:二二個接觸區而在下 按觸第一接觸結:構61和第_接 觸結構62分別經由載體 #矛第-接 體曰K7夕筮^ ^ 之凹口 53而延伸且自半導 體…之第-主面25或第二主 導體晶片之終端。 ^成種至+ 本實施例中’載體5亦能以蛩从a V此U電性缚緣的方式來形 成。例如，載體可含有陶爷 ^ Μ ^ 是（大致上疋氮化鋁或氮化硼） 或塑枓或由该些材料構成。藉 猎由陶是可製成載體，其具 有同的導熱率，使操作時產 晶片2排卜 Μ生的廢熱可f效地由半導體 ，该組件不是用來在整個周圍都發出輻射而是例 :只具有三個側面之射出面4〇。在另_側面41之方向 中發出之輻射藉由側面反射Β 321而轉向至側面之射出 面4〇之方向中。 、本實施例中，側面反射器321藉由另一反射層32之 穿過該射出層4之區域而形成。 藉由側面反射器3 21之形式，則可對該組件i之發 射特性進行調整。例如，側面反射器3 21在俯視圖中可 形成為U形’使該輻射發射組件之發射功,能基本上只經 由一側面之射出面4〇來達成。 又’與第一實施例不同之處是，射出層4中之凹口 -18- 201220545 45由半導體晶片2之重心觀看時朝向不是用來發射之另 側面41之方向中偏移。因此，更可促戒一種由另一側 面發出之已對準的發射。 圖6顯示組件配置之第—實施例，其具有多個輻射 心射組件1，纟分別是圖1 A和圖1B所示者。此組件配 置1 0例如具有三個輻射發射組件1，其在垂直方向中上 下配置著。於此，第一組件！ A之第一接觸結構6丨是與 第一組件1 B之第二接觸結構6 2形成可導電之連接這 例如藉由一連接層（大致上是焊劑）或可導電之黏合劑（未 顯示）來達成。上下配置之組件1A，1B南此不需導線連 接即可在電性上互相串聯。箭頭7指出橫向丨〇中由組件 配置10所發出之總輻射。 圖7顯示組件配置之第二實施例之切面圖。此組件 配置10具有多個組件1，其就像第一實碡例一樣以上下 方式配置在垂直方向中。各組件丨基本上對應於第四實 施例中之組件，其是與圖5A和圖5B相結合而描述。 與此處所述不同’各組件1之第二接觸結構62分別 具有一穿通接觸孔625。該穿通接觸孔625分別經由該 射出層4而延伸。每一組件1因此可使用：第一接觸結構 6 1和第二接觸結構6 2 ’其在垂直方向中完丨全經由該組件 1而延伸。依序配置之各組件1之第一接觸結構6 1和第 二接觸結構62分別可導電地互相連接著，使該組件配置 1 0之各組件1在電性上互相並聯。藉由各接觸結構6 i、 62之上述佈置方式’則垂直方向中以上下方式配置的各 組件1在電性上玎互相並聯，此時額外之外部連接用電 -19- 201220545 線已不需要。 橫向（箭頭7)中發出之總輻射功率因此可藉由橫向 中特別是相同之輻射發射組件或至少以|目同形式構成之 輻射發射組件來提高。 圖8顯示組件配置1 〇之第三實施例，其中各組件1 基本上是以圖1 A和圖1B所示之第一實施例的方式來構 成。 組件配置10具有多個組件1，其在婧向中相鄰地配 置著。 輻射發射組件1配置在二個板8之間。藉由多條接 觸軌8 1，則各組件丨在電性上可互相並癖。各接觸軌8】 例如可/刀別形成為一般之整面透明-或墓少半透明之接 觸層。例如，接觸轨可包含透明導電氧化物（Transparent C〇nductlve 0xide:TC〇)。或是，在板8上可設有金屬之 接觸軌’其可較薄，使其由一預定距離礴不再能被人類 眼目月所查覺。例如，各接觸執可含有銅或由銅構成。 各組件1之間配置一種填充材料82，其用來將各組 件1所發出之轄射輕合至板8 t。該填充材料82所具有 的折射率較佳是在該板折 | <对射率之乾圍中。在該組件配 置 1 〇才呆作時，由各έ丑杜 1 π I , + a ，、且件1所產生的輻射經由板8而發 出’以便能以簡易的方式來實現一種具有大面積之發射 面的組件配置。 圖9中所不之組件配置的第四實施形式基本上對應 於圖8所不之第三實施例。不同之處在於，組件配置】〇 具有一鏡面83,其阻止一種經由該組件配置之一側面之 -20- 201220545 發射。組 便使經由 率提高。： 適合用於 與上 區，其中 出之輻射 製造 圖所示之 了使圖式 組件。此 而顯示出 泛界限中 具有一個 如圖 致上是銅 在載 體5之此 這例如藉 體晶片2 一反射層 晶片2之 載體5之 離載體5 反射 件配置1 0之多個側面亦可具有一鏡面83，以 面之面而由組件配置10發出之總輻射功 持幻疋與反射層3卜3 2相關而描述之材料之一 該鏡面中。 述之實施例不同，至少一板亦可具有多個凹入 置著半導體晶片。由半導體為片之側面所發 因此可經由各凹入區之側自而人射至板中。 ^述轄射發射組件4方法之-實施例依據透視 t間步驟而顯示在圖l〇A至圖！10F中，其中 簡化而只顯示—部份由 I忉 由此可在製造時制占一 製造步驟以具有四個半導體晶片2之級、 。然而，每一組件之半導體晶片之數目且，為例 自由選取。輻射發射組件1特别是亦可I在廣 半導體晶片2。 只恰巧 10A所示’製備一載體5，其例，如 片）之形式。 主屬片（大 體5上配置半導體晶片2(圖1〇m。 , J。在面向·^番 側上’半導體晶片2導電性地與载體$ Π及載 由焊劑層或黏合層（未顯示）來違成。/目連接’

之間的中間區55藉由一種型材來填充 半V 31(圖10C)。藉由該型材，則能使具有其形成 載體5成平面狀。然而，反射屏 半導體 此側上之半導體晶片2齊平。车 -、m離 干導體晶只 ^ 之第一主面特別是亦能以反射層來覆^ θ之运 層3 1之沈積例如可藉由分配七 來進行。或是: -21 - 201220545 亦可使用另_ 壓製法。 方法，例如 澆注法、濺鍍澆注法或濺鍍 例如，α $ 筮G & —虱化鈦 '粒子來填充之矽樹脂層適合作為 弟一反射層31 反射層之反射率可::隨著逐漸增大'的填充度，則該 佳是95%或更大 使該反射率為幾或更大，較 、南去：I/如W 1〇D所示’施加一射出肩4。此射出層4 至+ "、3有種可使半導體晶片中所產生之輻射透過或 乂半透過之材料。在該射出層中亦可趣置著電致發光 轉換材剩 $爐4 »1 »,1 次擴散材料，以控制光譜-及/或空間之發射特 在埋置著的電致發光轉換材料之情洱下，在操作時 材料中所產生之熱損耗可有效地經由第一接觸結構6 1 且情況需要時經由另一反射層32而排出。 特別是聚合物材料（例如’矽樹脂）、環氧化物、或 矽樹脂和環氧化物構成的混合物適合用作射出層4。該 射出層4中形成多個凹口 45，其中各凹〇 45分別經由 该射出層4而延伸至半導體晶片2。須形成各凹口，使 其朝向半導體晶片2而變細《這例如可藉由相參的輪射 (大致上是雷射輻射）來達成❶或是，亦可使用—種化學 方法’其大致上是濕式蝕刻方法。 與上述不同’可施加該射出層4，使其具有多個凹 口 45。於是，可使用一種澆注模，其對應於各凹口而形 成’使該澆注模在各凹口之區域中鄰接於半導體晶片2。 該澆注模之填充例如可藉由澆注、濺:錢澆注或賤梦 -22- 201220545 壓製來進行。 如圖10F所示，在該射出居4 61，這例如藉由蒸鐘錢鐘來‘成广成第-接觸結構 在施加第—接觸結構61之 1 — 射使丰導_ _ s {如可糟由相丧> ίΛ ± 射使丰導體晶片之裸露的表面相參的輕 觸。 w達成可靠的接 第一接觸結構6丨由遠離該 a y jl, ^ 體5之此側來盘车道 片達“性接觸。第一接觸結構 ：：導體 式，JL Φ而& 』心成為多；S形 ' ° ”射出層4之—側可形成為另-反I ^ 例如’鈦/鎳/鈀/入—、处/相/人 ' 反射層。 螺/鈀/金或鈦/鎳/金之類的層序 需要時，第一接觸处谨6 ] 週用於此處。 層可藉由電鍍沈積法來強化。 牛W…之 杜工造時，相鄰地製成多個輕射發射組件1。各6 件之为離例如可藉由機械方 、·且 開)及/或化學方h“…/ 疋切鋸、切割或斷 可用於組件之分離過程中。 的^射亦 在刀離時，特別是須分割該射出層$， 面可形成該組件1之側面之射出面40。…、刀割 發射m方法，能以簡易且可靠的方式來製成輕射 ^ 其在操作時在橫向中發出輻射。該射出面之 二之範圍在製造時可藉由該射出層4之層厚度之適當 ，'擇來°周整。因此，各輻射發射組件1能以簡易的方 士依據一預設之光導來形成。用來將輻射發射組 丫十_ 】 i | , 所發出之輻射予以轉向之各別的光學裝置可省 略。 -23- 201220545 本發明當然不限於依據各實施例中所作的猫述。反 之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合， 特別疋包含各申請專利範圍-或不同實施例之各別特徵 之母種組合’當相關的特徵或相關的組合本身未明顯 地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發 明。 【圖式簡單說明】 圖1A和圖1 B是輻射發射組件之第—實施例之俯視 圖（圖1B)及所屬之切面圖（圖ιΑ)。 圖2是輻射發射組件所用之半導體蓽片之實施例。 圖3是輻射發射組件之第二實施例4俯視圖。 圖4是輻射發射組件之第三實施例冬切面圖。 圖5 A和圖5B是輻射發射組件之第昀實施例之俯視 θ(圖5B)及所屬之切面圖（圖5a)。 Ώ 6疋組件配置之第一實施例之切面：圖。 圖7是組件配置之第二實施例之切面圖。 圖8是組件配置之第三實施例之切面:圖。 圖9疋組件配置之第四實施例之切面圖。 製生圖1 0Α至圖1 op是依據俯視圖中所示之中間步驟來 〜輻射發射組件之方法的實施例。 王要元件符號說明】 1 韓射發射組件 1 A 第一組件 1 B 第二組件 1 〇 組件配置 -24- 201220545 2 半 導 體 晶 片 20 半 導 體 本 體 21 第 一 半 導 體 區 22 第 二 半 導 體 區 23 活 性 區 24a 第 一 終 端 24b 第 二 終 端 25 第 一 主 面 26 第 二 主 面 27 基 板 28 連 接 層 29 鏡 面 層 31 反 射 層 32 另 一 反 射 層 321 側 面 反 射 器 4 射 出 層 40 側 面 之 射 出 面 41 另 一 側 面 45 凹 口 450 側 面 5 載 體 51 安 裝 面 52 安 裝 層 53 凹 σ 55 中 間 區 -25 201220545 61 第 一 接 觸 結 構 610 第 一 接 觸 面 62 第 二 接 觸 結 構 620 第 二 接 觸 面 e 625 穿 通 接 觸 孔 7 箭 頭 8 板 81 接 觸 軌 82 填 充 材 料 1 83 鏡 面 AA? 線 -26

Claims (1)

1. 201220545 七、申請專利範圍： 1 · 一種輻射發射組件（1 )，包括： -半導體晶片（2)，其具有第一主面（20)、與該第一 面（25)相面對的第二主面（26)、以及!用來產生輻射 活性區（23); -一載體（5)，其上由該第二主面（26)而固定著該半 體晶片（2); -一射出層（4)，其配置在該半導體晶片（2)之該第一 面（25)上且形成一在橫向中與該半導體晶片（2)相 開之側面射出面（40)，在該射出層（4:)中形成一朝 該半導體晶片而變細之凹口（45)，其每該組件之操 時使由該第一主面（25)發出之輻射轉向至該側面 出面（40)之方向中。 2. 如申請專利範圍第1項之輻射發射組件，其中該半 體晶片在橫向中至少以區域方式而由反射層（3 1)所 圍著。 3. 如申請專利範圍第2項之輻射發射組件，其中該反 層是電性絕緣者且至少以區域方式而直接與該半 體晶片相鄰。 4. 如申請專利範圍第2或3項之輻射發射組件，其中 射出層之遠離該反射層之一側上配置著另一反射 (32)。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之輻射發射 件，其中在該射出層上形成第一接觸結構（6 1 )，其 由該射出層中之該凹口以自該第一主角來與該半 主 之 導 主 隔 向 作 射 導 包 射 導 該 層 組 經 導 -27- 201220545 體晶片達成電性接觸。 6 ·如申請專利範圍笛】e 已圍弟1至5項中任一項之輻射發射 件，直中該阳 丄 ^ '' Ά 八 口在該組件之俯視圖中形成為漏斗狀且 配置在該半導體晶片之中央。 狀且 7 ·如申請專利範圖笛 , 圍第1至6項中任一項之輻射發射組 ^ /、 °亥侧面射出面在該組件之俯視圖中至少以 域方式而彎曲。 °° 8 · —種組件配置，1 ι , 士 & $ a μ 有多個如申凊專利|巳圍第1至7 項中任項之輻射發射組件，其中至少一第一組件 (1Α)和一第二組件（1Β)在垂直方向中上下配置著。 9.如申5月專利範圍第8項之組件配置，某中該第一和第 二組件分別在各別之射出層（4)之遠離該半導體晶片 (2)之此側上具有第一接觸結構（6 1)且在各別之組件 之與該第一接觸結構相對之此侧上具有第二接觸結 構（62) ’其中該第一組件之該第一接觸結構是與該第 二組件之該第二接觸結構形成可導電的連接。 10·如申請專利範圍第8項之組件配置，其丨中該第一和第 二組件分別具有第一接觸結構（6 1)和第二接觸結構 (62)，其用來將電荷載體由相反方向注入至該活性區 (2 3)中，其中該第一接觸結構和該第二接觸結構在垂 直方向中分別經由該載體（5)和該射出層（4)而延伸。 11. 一種組件配置，其具有多個如申請專利範圍第1至7 項中任一項之輻射發射組件，其中至少一第一組件 (1Α)和一第二組件（1Β)在橫向中相鄰地配置著，其中 s玄組件配置具有多條接觸轨（8 1 )，其配置在該些纟且件 -28- 201220545 之相對的側面上且該些組件在電性上互相並聯。 12.種’’且件配置，其具有多個如申請專利範目第1至： 頁中彳項之賴射發射組件，其中該丨些組件配置在二 個板（8)之間’其中至少一個板可使該:組件所產生之輕 射透過或至少半透過。 包括以下各步 13.—種製造多個輻射發射組件（1)之方法 驟： ’ 載韙（5)上； 導錄晶片之間的中 a) 將多個半導體晶片（2)配置在一 b) 將一反射層（3 1)施加在多個半 間區（5 5)中； 此射出層（4):具有多個凹口 c)形成一射出層（4) (25)，各凹口中分別裸露菩__ 丫刀乃J怵路者個+ f體晶片且各 口朝向此半導體晶片而變細小；以及 d) t 了劃分成多個組件，須分割該射出層且每…且 件具有至少一個半導體晶片和 中的… 冑位於該射出層 其中該些凹口藉由 14.如申請專利範圍第13項之方法 相參之輪射來形成。 1至7項中任一項所述之輻射發务 15.如申請專利範圍第 如申請專利範圍第 組件。 -29-