JP2005503043A - エレクトロルミネセンス体 - Google Patents

Abstract

簡単な構造で高い外部効率を有するエレクトロルミネセンス体（１）、例えばＬＥＤチップを提供する。エレクトロルミネセンス体（１）は基板（２）と、この基板上に相互に間隔を置いて配置された複数の放射出力素子（４）と、各放射出力素子上に配置されたコンタクト素子（９）とを有しており、放射出力素子は発光ゾーン（８）を含む活性層スタック（７）を有している。本発明によれば、コンタクト素子（９）は放射出力素子（４）の中央に配置され、その幅ｂ’は放射出力素子の幅ｂよりも小さく選定されており、放射出力素子（４）の幅ｂは高さｈが定められているとき発光ゾーン（８）から放出される光（１１）の大部分が直接に放射出力素子の側面（１２）を通って出力されるように小さく選定されている。

Description

【技術分野】
【０００１】
本発明は請求項１の上位概念記載のエレクトロルミネセンス体、例えばＬＥＤチップに関する。本発明は特に、活性層スタックとしてＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎベースの半導体材料を有するＬＥＤチップに関する。ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である。
【０００２】
従来のＬＥＤチップは一般的に、基板の成長面全体にわたって延在する唯一の活性層スタックを有している。こうしたＬＥＤチップは電流印加のためにフロント面にいわゆるボンディングパッドを有しており、リア面には全面にわたってコンタクトメタライゼーション部を有している。ここではＬＥＤチップを通る電流が活性層スタックのラテラル方向にできるだけ広がって流れるように意図されている。
【０００３】
活性層スタックがサンドウィッチ状に２つのコンタクトのあいだに配置されているＬＥＤチップで垂直方向に電流を印加することに代えて、ｐ側のコンタクトもｎ側のコンタクトもチップのフロント面から行うチップ構造を採用する手法も知られている。これはたいてい基板が活性層スタックに対して電気的に絶縁されているケースで行われる。
【０００４】
この種のＬＥＤチップでは、活性層内の光形成プロセスの効率がほぼ１００％ときわめて高いことに比べて、外部効率は相対的に低い。その原因となる問題点は、平面として成長した屈折率の高い活性の半導体層で光が形成され、この光が屈折率の低い成形材料内へ結合されることである。この場合通常は比較的小さい角度で生じた１次光しか外部へは達せず、残りは半導体と成形材料との境界層で全反射されて半導体内へ戻り、その大部分が活性層や基板などで吸収されることにより、基板表面や電気コンタクト素子またはボンディングパッドなどの個所で失われてしまう。
【０００５】
光出力の改善されたエレクトロルミネセンス体は例えば独国出願公開第１９９１１７１７号明細書から公知である。この刊行物に示されているモノリシックなエレクトロルミネセンスコンポーネントは、放射主方向に対して相互に並列に配置された複数の放射出力素子を基板上に有する。有利には円筒状に構成されている放射出力素子は発光ゾーンを備えた活性層の列を有している。発光ゾーンは少なくとも１つのエレクトロルミネセンスを形成するｐｎ接合部を有しており、ここに発光ゾーンを区切る電流開口となるいわゆる電流アパーチャ層とコンタクト層とが後置されている。円筒状の放射出力素子のコンタクト層上に複数の環状のコンタクト素子が設けられており、各コンタクト素子は相互に導電性のスタブを介して接続されている。各環状コンタクトは放射出力素子の表面のそれぞれ所定の領域をカバーしているだけであるが、放射出力素子と周囲の媒体とのあいだの界面での全反射のために放射は全く出力されないか、または僅かしか出力されない。
【０００６】
こうした従来技術に基づいて、本発明の課題は、できる限り簡単な構造で高い出力効率の保証されるエレクトロルミネセンス体を提供することである。
【０００７】
この課題は本発明の請求項１の特徴を有するエレクトロルミネセンス体により解決される。本発明の有利な実施形態および改善形態は従属請求項２〜１５の対象となっている。
【０００８】
本発明のエレクトロルミネセンス体は基板と、この基板上に相互に間隔を置いて配置された複数の放射出力素子と、各放射出力素子上に配置されたコンタクト素子とを有しており、放射出力素子はラテラル方向で区切られた発光ゾーンを備えた発光層から成る活性層スタックである。有利には、コンタクト素子は放射出力素子の中央に配置され、その幅（または径）は放射出力素子の幅（または径）よりも小さく選定されている。また放射出力素子の幅はその高さが定められているとき発光ゾーンの側方へ放出される光の主成分が直接に放射出力素子の側面を通って出力されるように小さく選定されている。
【０００９】
発光ゾーンのラテラル方向の広がりはほぼコンタクト素子のラテラル方向の広がりに相応している。このことから、活性層の電荷担体が発光ゾーンからコンタクト素子のほうへ運動する運動能が小さいとき、有利には電流の伝搬面積が小さくなり光がコンタクト層の下部の狭い領域内でのみ形成される。ここで活性層は例えばｐ型にドープされたＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎから成り、ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である。本発明の放射出力素子の寸法設計によれば活性層スタック内の反射損失がほぼ回避される。なぜなら放射されてくる光の最大成分が直接に放射出力素子の側面を介して出力されるからである。
【００１０】
放射出力素子は有利には上述の幅の条片状の構造を有するか、または上述の径の点状の構造を有する。以下では解りやすくするために、点状の構造を有する放射出力素子における径について云う場合であっても‘放射出力素子の幅’または‘コンタクト素子の幅’と称することにする。
【００１１】
特に有利には活性層スタックの発光ゾーンは半導体表面の直接下方には設けられず、放射出力素子は有利には円錐状に構成されている。ここで円錐状の放射出力素子は基板に向かう側がコンタクト素子に向かう側よりも大きい。
【００１２】
放射出力素子の寸法は０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜２ｃｏｔ（α_Ｔ）の条件を満足する。ここでｂは放射出力素子の幅であり、ｂ’はコンタクト素子の幅であり、ｈは放射出力素子の高さであり、α_Ｔは活性層スタックから周囲の媒体へ入射する光の全反射の限界角である。
【００１３】
活性層スタックの発光ゾーンが放射出力素子の基板に向かう側とコンタクト素子に向かう側とのあいだに位置している場合（つまり基板に向かう表面またはコンタクト面に向かう表面に直接に接していない場合）には、放射出力素子の寸法は０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜ｃｏｔ（α_Ｔ）の条件を満足する。ここでｂは放射出力素子の幅であり、ｂ’はコンタクト素子の幅であり、ｈは放射出力素子の高さであり、α_Ｔは活性層スタックから周囲の媒体へ入射する光の全反射の限界角である。
【００１４】
本発明の他の特徴および利点を以下に種々の実施例に則して図を参照しながら詳細に説明する。図１には本発明のエレクトロルミネセンス体の第１の実施例の断面図が示されている。図２のＡ〜Ｃには図１のエレクトロルミネセンス体で使用される各放射出力素子の断面図が示されている。図３には図１のエレクトロルミネセンス体で使用される各放射出力素子のさらなるバリエーションの断面図が示されている。図４のＡ，Ｂには点状構造の放射出力素子を備えた本発明のエレクトロルミネセンス体の平面図が示されている。図５のＡ〜Ｃには条片状構造の放射出力素子を備えた本発明のエレクトロルミネセンス体の平面図が示されている。
【００１５】
図１の実施例のエレクトロルミネセンス体はＬＥＤチップ１であり、このチップで形成された電磁放射１１の大部分が放射主方向６へ放射される。放射主方向６はＬＥＤチップ１の延在主平面に対してほぼ垂直に配向されている。
【００１６】
ＬＥＤチップ１は例えばＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}ＮベースでＳｉＣまたはサファイアを含む基板２を有している。ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である。基板２にはここでは付加的にブラッグリフレクタ層３が被着されている。この層は後に説明する発光ゾーン８から基板２の方向へ放射される光を反射して戻す。こうしたブラッグリフレクタ層３は当該の技術分野の技術者には周知であるので、ここではこれ以上説明しない。
【００１７】
ブラッグリフレクタ層３上にはそれぞれ所定の間隔を置いて複数の放射出力素子４が被着されている。後に図４、図５に則して詳細に説明するが、これらの放射出力素子は平面で見て点状の構造（例えば円形、楕円形または四角形の横断面を有する点）または条片状の構造（例えば矩形の横断面を有する条片）を有している。放射出力素子４の長手方向の中心軸線５はＬＥＤチップ１の放射主方向６に対して平行に配向されている。
【００１８】
放射出力素子４は付加的に設けられているブラッグリフレクタ層３上に活性層スタック７を有している。この活性層スタックは発光層８ａとラテラル方向で区切られた発光ゾーン８とを有している。発光ゾーンは少なくとも１つのｐｎ接合部を有している。
【００１９】
特に有利な実施例では、活性層スタック７はドープされたおよび／またはドープされていない複数のＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ層から形成される。ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である。ただし本発明の構造体は基本的にはＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}ＰまたはＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓまたは他の適切なＩＩＩ族−ＩＶ族化合物半導体またはＩＩ族−ＶＩ族化合物半導体をベースとした活性層スタックにも適している。ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である。
【００２０】
コンタクト素子９と発光ゾーン８とのあいだの領域は、ｐ導電型を生じさせるためにＭｇおよび／またはＺｎ（特に有利にはＭｇ）ドープされたＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ材料から成っている。ここで０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１である。この層に平行な方向での導電性は充分に小さく、電流がチップを流れるとき、コンタクト素子９と発光ゾーン８とのあいだの領域の電流の伝搬面積が２０μｍよりも小さく、特に有利には０．１μｍ〜１０μｍの範囲となる。これにより発光ゾーン８の横断面積はコンタクト素子９の垂直方向の投影面に対して充分に制限される。
【００２１】
活性層スタック７の発光ゾーン８で形成された放射１１は主として側方の伝搬方向で放射出力素子４の側面１２を通って活性層スタック７から周囲の媒体へ入射する。周囲の媒体とは例えば放射出力素子を包囲する図示しないプラスティックカバーであり、例えばエポキシ樹脂、シリコン樹脂または他の適切な反応性樹脂から形成され、このなかにＬＥＤチップが埋め込まれている。放射出力素子４のあいだの空間には適切な電気絶縁性かつ放射透過性の充填材料が存在していてもよい。
【００２２】
放射出力素子４の表面中央にコンタクト素子９が配置されている。放射出力素子４のコンタクト素子９と活性層スタック７とのあいだ、少なくともコンタクト素子９の下方に付加的に図示しない別のコンタクト層を被着することもできる。図４、図５に示されているように、個々のコンタクト素子９は相互に接続され、また導電性スタブ１４を介してＬＥＤチップ１のフロント面のボンディングパッド１５へ接続されている。放射出力素子４が点状の構造または条片状の構造のどちらを有するかに応じて、コンタクト素子４はコンタクト点または幅の狭いコンタクト条片として構成される。
【００２３】
基板２のうち放射出力素子４とは反対側の例えば全面にわたってコンタクトメタライゼーション部１０が被着される。またこの場合に、相互に分離されそれぞれ放射出力素子４に対応するコンタクト面となるようにコンタクトメタライゼーション部をパターニングしてもよい。
【００２４】
各放射出力素子４のあいだで、基板２上または基板２に設けられたブラッグリフレクタ層３上に有利には反射層１３が被着され、放射出力素子４から出力され下方の基板２へ向かう放射１１が反射される。反射層１３は非吸収性の基板２が用いられるケースでも有利である。なぜなら基板材料への入射時または出射時に発生する反射損失および伝達損失を低減できるからである。
【００２５】
放射出力素子４は、例えば全面にわたってエピタキシャルにブラッグリフレクタ層３および活性層スタック７を基板２上に被着し、続いてフォトリソグラフィ技術やエッチングプロセスを行うことにより形成される。これに代えてまずブラッグリフレクタ層３の上にマスク層を被着し、ここに放射出力素子４の構造に相応する開口をエッチングし、続いて活性層７をエピタキシャル成長させ、その後マスク層を例えばエッチングにより除去してもよい。
【００２６】
次に本発明のエレクトロルミネセンス体の放射出力素子４の構造および機能を図２のＡ〜Ｃに示された実施例に則して詳細に説明する。
【００２７】
図２のＡに示されている実施例では、活性層スタック７の発光ゾーン８はコンタクト素子９の直接下方に設けられている。活性層スタック７の高さが与えられているとき、パターニングされる放射出力素子４の幅ｂは本発明によればできるかぎり小さく選定されている。図２のＡの実施例では、活性層７の幅ｂは有利には０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜２ｃｏｔ（α_Ｔ）の条件を満足する。ここでここでｂは放射出力素子４の幅であり、ｂ’はコンタクト素子９の幅であり、α_Ｔは活性層スタック７から周囲の媒体へ入射する光１１の全反射の限界角である。ＧａＮではα_Ｔは例えば３７゜であり、したがって比（ｂ＋ｂ’）／ｈは２．６５よりも小さくしなければならない。
【００２８】
例えばＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎなどの幾つかの化合物半導体では電荷担体の運動能が小さいために電流の伝搬面積が小さく、そもそも発光ゾーン８のラテラル方向の広がり（幅）がコンタクト素子９のラテラル方向の広がり（幅）より大きくなければ、発光ゾーン８は主としてコンタクト素子９の下方、発光層８ａを垂直方向に投影した領域のみで延在することになる。活性層をこのように寸法設計することにより、発光ゾーン８から側方へ放射される光１１の最大成分は直接に側面１２を通って出力される。側面１２での全反射はほとんど生じない。
【００２９】
また発光ゾーン８から１次光として生じた放射の大部分、すなわちｃｏｓ（α_Ｔ）＝６０％が当該の角度領域へ出射され、この放射は直接に、つまり活性層スタック７の上方および下方の界面での反射プロセスなしで発光層８ａおよび側面１２を介して周囲の媒体へ出力される。このことは反射損失および他の伝搬損失が生じないということを意味する。従来のシステムでは、発光ゾーンで形成された放射は通常、活性層スタックと基板とのあいだまたは活性層スタックの表面と周囲の媒体とのあいだの界面で複数回反射されてから側面へ出力される。本発明によれば表面での再結合による非放射の損失も大幅に回避される。
【００３０】
周知のモジュール、例えば独国出願公開第１９９１１７１７号明細書に記載のＬＥＤチップとは異なり、本発明のエレクトロルミネセンス体では、電流アパーチャ層や酸化物アパーチャ絞りの導入などの付加的なパターニング処置なしで放射出力の外部効率の上昇が達成される。
【００３１】
放射出力素子４の寸法が最適な放射出力のための上述の限界値内に入っていなくても、放射出力素子４の幅ｂをできるかぎり小さく選定することにより、いずれの場合にも従来のシステムよりは有利な効率が達成される。なぜなら本発明では少なくとも放射損失をともなう出力結合前の反射吸収プロセスの回数が低減されるからである。
【００３２】
放射出力素子４の寸法が同じであるなら、図２のＣの実施例にしたがって、発光ゾーン８を基板２または場合により設けられるブラッグリフレクタ層３の直接上方に設けると有利である。つまりこのとき、放射出力素子の幅ｂは、発光ゾーン８で形成された放射の大部分が直接に放射出力素子４の側面１２を介して出力されるように、０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜２ｃｏｔ（α_Ｔ）の領域に定められる。
【００３３】
図２のＢには、発光ゾーン８が活性層スタック７の上縁または下縁に接して設けられるのではなく、活性層スタック７の中央に配置されている放射出力素子４が示されている。図２のＡの構造を有する放射出力素子４のときと同様の考察に基づいて、活性層スタック７の幅ｂはこの場合、前述の場合と同じ効果を得るためにいっそう厳しい条件０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜ｃｏｔ（α_Ｔ）を満足しなければならない。
【００３４】
本発明の基礎とするコンセプトは、活性層スタック７によって定められる高さｈのもとではこのスタックの幅ｎを制限して、発光ゾーン８から側方へ放射される光の大部分が直接に側面１２を介して出力されるようにするということである。このために放射が周囲の媒体への界面に当たるときの入射角が全反射の限界角よりも小さくなるようにする。したがって当該技術分野の技術者には、発光ゾーン８が活性層スタック７の上方界面と下方界面とのあいだの任意の高さに位置しているとき、放射出力素子４の最適な寸法の上限はｃｏｔ（α_Ｔ）から２ｃｏｔ（α_Ｔ）のあいだに来ることが容易に理解されるであろう。
【００３５】
活性層スタック７の発光ゾーン８がコンタクト素子９の直接下方に位置している（図２のＡの実施例）のでない場合、放射出力素子４を円錐状に構成しても有利である。この実施例は図３に示されている。
【００３６】
放射出力素子４の側面１２はこの実施例では斜めのエッジとして構成されている。ここで活性層スタック７の基板２に向かう側はコンタクト素子９に向かう側よりも大きい。放射出力素子４が点状の構造を有するケースではこれは例えば円錐台の構造となる。
【００３７】
活性層スタック７内部での発光ゾーン８の位置を示す高さｈ_１，ｈ_２は通常はエピタキシャル成長された層８により定められる。またこれらを加算することにより放射出力素子４の高さが得られ、すなわちｈ_１＋ｈ_２＝ｈである。構造幅ｂおよび斜めの側面１２の基本角βは側面１２からの最適な光出力を達成するために、角度比が有利には０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜ｃｏｔ（α_Ｔ）を満足するように適合化される。ただしここでは全反射の限界角α_Ｔが発光ゾーン８の中心点と側面１２とを垂直に結んだところに生じることに注意されたい。
【００３８】
図４、図５に則してＬＥＤチップ１の種々の構成を説明する。図４のＡ，Ｂには平面図で点状構造を有する放射出力素子４の実施例が示されており、図５のＡ〜Ｃにはやはり平面図で条片状構造を有する放射出力素子４の実施例が示されている。
【００３９】
円筒状または多面体状に形成された放射出力素子４はその表面中央にそれぞれコンタクト点９を有している。コンタクト点９は導電性スタブ１４を介して例えばＬＥＤチップ１の中央に配置されたボンディングパッド１５に接続されている。放射出力素子４はここでは例えば六角形の構造の頂点に位置しているか（図４のＡ）、または矩形の頂点に位置している（図４のＢ）。図４のＡ，Ｂには白丸でまっすぐな側面または斜めの側面を有する放射出力素子の上部が示されている。
【００４０】
放射出力素子４が条片状構造を有している場合、この素子は例えばＬＥＤチップ１の中央に配置されたボンディングパッド１５からビーム状に規則的なジオメトリで延在する（図５のＡ）。解りやすくするために、図５にはコンタクト素子９および相応の接続スタブ１４のみが示されている。それぞれ電気接続素子９、１４の下方に条片状に延在する放射出力素子４は省略してある。
【００４１】
これに代えて条片状に構成された放射出力素子４を矩形に配置したり（図５のＢ）、六角形状に配置したり（図５のＣ）することもできる。各放射出力素子４をこのように配置すると全ての放射出力素子４への給電の観点から有利である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明のエレクトロルミネセンス体の第１の実施例の断面図である。
【００４３】
【図２】図１のエレクトロルミネセンス体の各放射出力素子の断面図である。
【００４４】
【図３】各放射出力素子の別のバリエーションの断面図である。
【００４５】
【図４】点状構造の放射出力素子を備えた本発明のエレクトロルミネセンス体の平面図である。
【００４６】
【図５】条片状構造の放射出力素子を備えた本発明のエレクトロルミネセンス体の平面図である。

Claims (15)

1. 基板（２）と、該基板上に相互に間隔を置いて配置された幅ｂおよび高さｈの複数の放射出力素子（４）と、各放射出力素子上に配置されたコンタクト素子（９）とを有しており、放射出力素子は発光ゾーン（８）を含む活性層スタック（７）を有する
   エレクトロルミネセンス体（１）において、
   コンタクト素子（９）は対応する放射出力素子（４）の幅ｂよりも小さい幅ｂ’を有しており、
   放射出力素子（４）の幅ｂは高さｈが定められているとき発光ゾーン（８）から側方へ放出される光が放射出力素子の側面（１２）でほとんど全反射せずここを通って直接に出力されるように選定されている
   ことを特徴とするエレクトロルミネセンス体。
2. 放射出力素子（４）は幅ｂの条片状構造を有している、請求項１記載のエレクトロルミネセンス体。
3. 放射出力素子（４）は径が幅ｂに相応する点状構造を有している、請求項１記載のエレクトロルミネセンス体。
4. 放射出力素子（４）は円筒状または多面体状に構成されている、請求項３記載のエレクトロルミネセンス体。
5. コンタクト素子（９）は放射出力素子（４）上で相互に接続され、さらに当該のエレクトロルミネセンス体（１）のフロント面のボンディングパッド（１５）に接続されている、請求項１から４までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
6. 放射出力素子（４）は基板（２）とは反対の方向へ向かって少なくともその高さｈの一部について先細になっており、特に有利にはその部分が円錐状に構成されており、特に有利には放射出力素子の基板（２）に向かう側がコンタクト素子（９）に向かう側よりも大きい、請求項１から５までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
7. 放射出力素子（４）の寸法は
   ０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜２ｃｏｔ（α_Ｔ）
   の条件を満足し、ここでα_Ｔは活性層スタック（７）から周囲の媒体へ入射する光の全反射の限界角である、請求項１から６までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
8. 活性層スタック（７）の発光ゾーン（８）が放射出力素子（４）の基板に向かう側とコンタクト素子に向かう側とのあいだに位置している場合、放射出力素子（４）の寸法は
   ０＜（ｂ＋ｂ’）／ｈ＜ｃｏｔ（α_Ｔ）
   の条件を満足し、ここでα_Ｔは活性層スタック（７）から周囲の媒体へ入射する光の全反射の限界角である、請求項７記載のエレクトロルミネセンス体。
9. 基板（２）上で放射出力素子（４）のあいだに反射層（１３）が設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
10. コンタクト素子（９）と発光ゾーン（８）とのあいだの領域の少なくとも一部が導電性の小さい材料から形成されており、駆動電流が垂直に印加される場合に当該の領域において電流が大きく広がらないかまたは電流の広がりが最大で２０μｍまでに抑えられる、請求項１から９までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
11. 活性層スタック（７）は少なくともコンタクト素子（９）と発光ゾーン（８）とのあいだに
    Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦１
    から成る半導体層を有しており、該半導体層の横方向の導電率は駆動電流が垂直に印加された場合に当該の領域において電流が大きく広がらないかまたは電流の広がりが最大で２０μｍまでに抑えられる程度に小さい、請求項１から１０までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
12. 電流の広がりは最大で０．１μｍ〜１０μｍである、請求項１１記載のエレクトロルミネセンス体。
13. 半導体層は特に有利にはＭｇおよび／またはＺｎによってｐ型にドープされたＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎから成っている、請求項１１または１２記載のエレクトロルミネセンス体。
14. 活性層スタック（７）は全体として
    Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ，０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１
    の半導体層から形成されている、請求項１１から１３までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。
15. 基板（２）はサファイア基板である、請求項１１から１４までのいずれか１項記載のエレクトロルミネセンス体。