JPH04223380A - 基板付ｌｅｄチップ及びその製造方法 - Google Patents
基板付ｌｅｄチップ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH04223380A JPH04223380A JP2405874A JP40587490A JPH04223380A JP H04223380 A JPH04223380 A JP H04223380A JP 2405874 A JP2405874 A JP 2405874A JP 40587490 A JP40587490 A JP 40587490A JP H04223380 A JPH04223380 A JP H04223380A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- active layer
- led chip
- gaas substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、特にＧａＡｓ基板付
高輝度ＬＥＤチップ及びその製造方法に関するものであ
る。
高輝度ＬＥＤチップ及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のＤＨ（２重ヘテロ接合）構
造のＬＥＤ（発光ダイオード）チップの概略構成図であ
り、（ａ）は基板付タイプのもの、（ｂ）は基板抜きタ
イプのものをそれぞれ示している。同図において、１，
２は電極、３はＮ（Ｐ）形のＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ
層（クラッド層）、４はＰ（Ｎ）形の活性層（ＧａＡｌ
Ｘ Ａｓ１−ｘ 層）、５はＰ（Ｎ）形のＧａＡｌＸ
Ａｓ１−ｘ 層（クラッド層）、６はＰ（Ｎ）形のＧａ
Ａｓ基板である。
造のＬＥＤ（発光ダイオード）チップの概略構成図であ
り、（ａ）は基板付タイプのもの、（ｂ）は基板抜きタ
イプのものをそれぞれ示している。同図において、１，
２は電極、３はＮ（Ｐ）形のＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ
層（クラッド層）、４はＰ（Ｎ）形の活性層（ＧａＡｌ
Ｘ Ａｓ１−ｘ 層）、５はＰ（Ｎ）形のＧａＡｌＸ
Ａｓ１−ｘ 層（クラッド層）、６はＰ（Ｎ）形のＧａ
Ａｓ基板である。
【０００３】上記のような構成のＬＥＤチップにおいて
、電極１，２間に電流を流すと、活性層４で発光が起き
る。この光は、矢印で示すように、ＧａＡｌＸ Ａｓ１
−ｘ 層３，５を通して外部に取出される。その際、（
ａ）の基板付タイプのチップでは、活性層４からＧａＡ
ｓ基板６側に発光した光の一部は該ＧａＡｓ基板６に吸
収され、外部には取出されない。
、電極１，２間に電流を流すと、活性層４で発光が起き
る。この光は、矢印で示すように、ＧａＡｌＸ Ａｓ１
−ｘ 層３，５を通して外部に取出される。その際、（
ａ）の基板付タイプのチップでは、活性層４からＧａＡ
ｓ基板６側に発光した光の一部は該ＧａＡｓ基板６に吸
収され、外部には取出されない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
な従来のＬＥＤチップにおいて、基板付タイプのＬＥＤ
チップでは、活性層で発光した光の一部が基板内で吸収
されるので、光度が低下するという問題点があり、また
基板抜きタイプのＬＥＤチップでは、基板での吸収がな
いので高い光度が得られるが、チップ厚みが薄く、量産
に向かないという問題点があった。
な従来のＬＥＤチップにおいて、基板付タイプのＬＥＤ
チップでは、活性層で発光した光の一部が基板内で吸収
されるので、光度が低下するという問題点があり、また
基板抜きタイプのＬＥＤチップでは、基板での吸収がな
いので高い光度が得られるが、チップ厚みが薄く、量産
に向かないという問題点があった。
【０００５】この発明は、上記のような問題点に着目し
てなされたもので、高い光度が得られ、且つ量産性のよ
い基板付ＬＥＤチップ及びその製造方法を提供すること
を目的としている。
てなされたもので、高い光度が得られ、且つ量産性のよ
い基板付ＬＥＤチップ及びその製造方法を提供すること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の基板付ＬＥＤ
チップは、２重ヘテロ接合構造の基板付ＬＥＤチップに
おいて、基板の活性層側の周囲部を除去したものである
。
チップは、２重ヘテロ接合構造の基板付ＬＥＤチップに
おいて、基板の活性層側の周囲部を除去したものである
。
【０００７】また、この発明の基板付ＬＥＤチップの製
造方法は、２重ヘテロ接合構造の基板付ＬＥＤチップの
製造方法において、基板の活性層側の周囲部をエッチン
グにより選択的に除去するようにしたものである。
造方法は、２重ヘテロ接合構造の基板付ＬＥＤチップの
製造方法において、基板の活性層側の周囲部をエッチン
グにより選択的に除去するようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明の基板付ＬＥＤチップにおいては、基
板の活性層側の周囲部が除去されているので、基板内に
吸収される光が少なくなる。また、この発明の基板付Ｌ
ＥＤの製造方法においては、基板の活性層側の周囲部を
エッチングにより選択的に除去しているので、簡単に光
量を制御することができる。
板の活性層側の周囲部が除去されているので、基板内に
吸収される光が少なくなる。また、この発明の基板付Ｌ
ＥＤの製造方法においては、基板の活性層側の周囲部を
エッチングにより選択的に除去しているので、簡単に光
量を制御することができる。
【０００９】
【実施例】図１はこの発明の一実施例による基板付ＬＥ
Ｄチップの概略構成図であり、図３と同一符号は同一構
成部分を示している。図において、１，２は電極、３は
Ｎ（Ｐ）形のＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層、４はＰ（Ｎ
）形の活性層、５はＰ（Ｎ）形のＧａＡｌＸ Ａｓ１−
ｘ 層、７は活性層４側の周囲部７ａを除去したＰ（Ｎ
）形のＧａＡｓ基板である。なお、図１でＡは側面図、
Ｂは平面図、ＣはＬＥＤの発光光度分布をそれぞれ示し
ている。
Ｄチップの概略構成図であり、図３と同一符号は同一構
成部分を示している。図において、１，２は電極、３は
Ｎ（Ｐ）形のＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層、４はＰ（Ｎ
）形の活性層、５はＰ（Ｎ）形のＧａＡｌＸ Ａｓ１−
ｘ 層、７は活性層４側の周囲部７ａを除去したＰ（Ｎ
）形のＧａＡｓ基板である。なお、図１でＡは側面図、
Ｂは平面図、ＣはＬＥＤの発光光度分布をそれぞれ示し
ている。
【００１０】上記のように構成されたＬＥＤチップにお
いて、活性層４で発光した光は、矢印で示すようにＧａ
ＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層３，５を通して外部に取出され
る。その際、ＧａＡｓ基板７の活性層４側の周囲部７ａ
は除去され、ＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層５とＧａＡｓ
基板７との間に空隙が形成されているので、ＧａＡｓ基
板７側に発光した光が該ＧａＡｓ基板７で吸収される量
が少なくなり、高い光度が得られる。また、基板付であ
るので、量産性が良く、従来チップと比較して配光が広
がるので、幅広い指向性を得ることができる。
いて、活性層４で発光した光は、矢印で示すようにＧａ
ＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層３，５を通して外部に取出され
る。その際、ＧａＡｓ基板７の活性層４側の周囲部７ａ
は除去され、ＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層５とＧａＡｓ
基板７との間に空隙が形成されているので、ＧａＡｓ基
板７側に発光した光が該ＧａＡｓ基板７で吸収される量
が少なくなり、高い光度が得られる。また、基板付であ
るので、量産性が良く、従来チップと比較して配光が広
がるので、幅広い指向性を得ることができる。
【００１１】次に、上記の基板付ＬＥＤチップの製造方
法について簡単に説明する。
法について簡単に説明する。
【００１２】先ず、図２の（ａ）に示すように、チップ
間をＧａＡｓ基板７層に達するまでダイサーでカットす
る。なお、図２中、８，９はレジストを示す。そして、
図２の（ｂ）に示すように、ダイサーでカットした部分
をメサエッチングにより点線の内側を除去する。次に、
図２の（ｃ）に示すように、Ｈ２ Ｏ２ ，ＮＨ４ Ｏ
Ｈ等のエッチングによりＧａＡｓ基板７の活性層４側の
周囲部７ａを選択的に除去する。そして、図２の（ｄ）
に示すように、矢印方向にダイシングを行って個々のチ
ップを分離し、レジスト８，９を取除く。これにより、
図１の形状のＬＥＤチップが完成する。
間をＧａＡｓ基板７層に達するまでダイサーでカットす
る。なお、図２中、８，９はレジストを示す。そして、
図２の（ｂ）に示すように、ダイサーでカットした部分
をメサエッチングにより点線の内側を除去する。次に、
図２の（ｃ）に示すように、Ｈ２ Ｏ２ ，ＮＨ４ Ｏ
Ｈ等のエッチングによりＧａＡｓ基板７の活性層４側の
周囲部７ａを選択的に除去する。そして、図２の（ｄ）
に示すように、矢印方向にダイシングを行って個々のチ
ップを分離し、レジスト８，９を取除く。これにより、
図１の形状のＬＥＤチップが完成する。
【００１３】ここで、図２の（ｃ）に示すＧａＡｓ基板
７を選択的にエッチングする際、そのエッチング量を制
御することにより簡単に光量を調整することかできる。
７を選択的にエッチングする際、そのエッチング量を制
御することにより簡単に光量を調整することかできる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、高い
光度が得られ、且つ量産性が良く、また配光が広がるの
で幅広く指向性を得ることができるという効果があり、
また、エッチングにより簡単に光量を制御することがで
きるという効果が得られる。
光度が得られ、且つ量産性が良く、また配光が広がるの
で幅広く指向性を得ることができるという効果があり、
また、エッチングにより簡単に光量を制御することがで
きるという効果が得られる。
【図１】 この発明の一実施例の概略構成図
【図２】
図１のＬＥＤチップの製造方法を示す説明図
図１のＬＥＤチップの製造方法を示す説明図
【図３
】 従来例を示す構成図
】 従来例を示す構成図
３ ＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層４ 活性
層 ５ ＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層７ Ｇａ
Ａｓ基板 ７ａ 周囲部
層 ５ ＧａＡｌＸ Ａｓ１−ｘ 層７ Ｇａ
Ａｓ基板 ７ａ 周囲部
Claims (2)
- 【請求項１】 ２重ヘテロ接合構造の基板付ＬＥＤチ
ップにおいて、基板の活性層側の周囲部を除去したこと
を特徴とする基板付ＬＥＤチップ。 - 【請求項２】 ２重ヘテロ接合構造の基板付ＬＥＤチ
ップの製造方法において、基板の活性層側の周囲部をエ
ッチングにより選択的に除去することを特徴とする基板
付ＬＥＤチップの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2405874A JPH04223380A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 基板付ｌｅｄチップ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2405874A JPH04223380A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 基板付ｌｅｄチップ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04223380A true JPH04223380A (ja) | 1992-08-13 |
Family
ID=18515480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2405874A Pending JPH04223380A (ja) | 1990-12-25 | 1990-12-25 | 基板付ｌｅｄチップ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04223380A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1065734A3 (en) * | 1999-06-09 | 2001-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof. |
| WO2003026355A3 (de) * | 2001-08-30 | 2003-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszierender körper |
| JP2006040973A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| US7229848B2 (en) | 1993-12-17 | 2007-06-12 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| JP2008141057A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2011096707A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
1990
- 1990-12-25 JP JP2405874A patent/JPH04223380A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7229848B2 (en) | 1993-12-17 | 2007-06-12 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| EP1065734A3 (en) * | 1999-06-09 | 2001-12-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bonding type semiconductor substrate, semiconductor light emitting element, and preparation process thereof. |
| WO2003026355A3 (de) * | 2001-08-30 | 2003-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektrolumineszierender körper |
| US7135711B2 (en) | 2001-08-30 | 2006-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Electroluminescent body |
| JP2006040973A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| JP4600737B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2010-12-15 | 信越半導体株式会社 | 発光素子 |
| JP2008141057A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2011096707A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6107644A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| KR101282775B1 (ko) | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| US5565694A (en) | Light emitting diode with current blocking layer | |
| US5939735A (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JPH06338632A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JPH04223380A (ja) | 基板付ｌｅｄチップ及びその製造方法 | |
| JPH06334213A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JP2003142727A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| CN111129244A (zh) | 一种银镜大功率倒装芯片及其制备方法 | |
| JPH07263743A (ja) | 発光ダイオード | |
| KR20050093876A (ko) | 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
| JPH10173230A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0531317B2 (ja) | ||
| JPH0327577A (ja) | 発光ダイオ―ドアレイ | |
| JP2874948B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| JP3662832B2 (ja) | 発光素子およびその製造方法 | |
| JPH05243612A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH10117017A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH0697498A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2001085741A (ja) | 半導体素子および発光半導体素子 | |
| JPH02278781A (ja) | 半導体レーザダイオード | |
| JPH08250770A (ja) | 発光デバイスの製造方法 | |
| JPH02174273A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH07169992A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS58207683A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990622 |