201219207 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種積層體、附有支持板之顯示褒置用面 板、顯示裝置用面板及顯示裝置。 【先前技術】 近年來，太陽電池（PV)、液晶顯示器（LCD)、有機£]^顯 示器（OLED)等器件（電子機器）之薄型化、輕量化不斷發 展’且該專器件中所使用之基板不斷薄板化。若因薄板化 而基板之強度不充分，則於器件之製造步驟中，基板之操 作性下降。 因此，自先前以來，廣泛採用在厚於最終厚度之基板上 形成器件用構件（例如薄膜電晶體）後，藉由化學蝕刻處理 使基板薄板化之方法。然而於該方法中，例如於將—片基 板之厚度自0.7 mm薄板化至0.2 mm或(U mm之情形時，需 以蝕刻液削去原來之基板之材料的大半，故而就生產性或 原材料之使用效率之觀點而言不佳。 又，上述利用化學蝕刻而使基板薄板化之方法中，於基 板表面存在微細之劃痕之情形時，存在藉由#刻處理以劃 痕為起點而形成微細之凹部（蝕孔），成為光學缺陷之情 況。 最近’為應對上述課題，提出準備將基板與加強板積層 之積層體’於積層體之基板上形成器件㈣件後，自基板 剝離加強板之方法⑽如參料敎獻1}。加驗係包含玻 璃板、及W於該玻璃板上之樹脂層，樹脂層與基板可剝 159583.doc 201219207 離地密接。加強板自基板剝離後，可與新的基板積層而作 為積層體進行再利用。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1:國際公開第〇7/〇18〇28號 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而，上述先前之構成之積層體中，存在將加強板自基 板剝離時，樹脂層之一部分附著於製品側之基板上的情 況。尤其是於高溫條件下對積層體進行加熱處理後，頻繁 地發生樹脂層之一部分附著於製品側之基板上的情況。認 為其原因在於：於高溫條件下，樹脂層劣化，或者樹脂層 與基板之密接強度上升。 因此，若將上述積層體應用於實施高溫處理之器件製造 中，則有樹脂層之一部分附著於基板上，結果導致良率下 降之虞。 ' 進而，將基板自上述積層體剝離後，污物或灰塵等容易 附著於基板表面，若使用如此之基板製造器件，則有器件 產生故障等之虞。認為上述污物或灰塵之附著係由於剝 帶電而產生。 本發明係鑒於上述課題而成者，其目的在於提供—種即 便是實施高溫加熱處理後，亦可抑制於剝離樹脂層與基板P 時，樹脂層之一部分附著於製品側之基板上，且可抑^剝 離後之基板表面上之剝離帶電的積層體。 ’ I59583.doc 201219207 進而’本發明之目的在於提供一種包含該積層體之附有 支持板之顯示裝置用面板、使用附有支持板之顯示裝置用 面板而形成之顯示裝置用面板及顯示裝置。 解決問題之技術手段 本發明者為解決上述課題而反覆專心研究，從而完成本 發明。 即’為達成上述目的，本發明之第1態樣係一種積層 體’其依序包含：支持板；樹脂層；及附有導電性金屬氧 化物膜之基板’其係於基板之表面上具有含有選自由銦、 錫、鋅、鈦及鎵所組成之群中之至少一種金屬的氧化物之 導電性金屬氧化物膜；上述附有導電性金屬氧化物膜之基 板係以上述導電性金屬氧化物膜與上述樹脂層可剝離地密 接之方式而配置於上述樹脂層上，上述樹脂層與上述支持 板間的剝離強度尚於上述樹脂層與上述附有導電性金屬氧 化物膜之基板間的剝離強度。 於第1態樣中，較佳為上述氧化物中進而含有選自由 鋁鉬銅、釩、鈮、鈕、硼及氟所組成之群中之至少— 種元素。 又，於第1態樣中，齡伟盔 权佳為上述树知層為聚矽氧樹脂 層。 較佳為上述樹脂層包含有機烯基㈣氧烧與有機氫 聚梦氧炫之加成反應型硬化物。 進而，較佳為上述有機氫料氧烧之㈣子上鍵結之氫 原子相對於上述有機稀基㈣氧燒之#基的莫耳比為 159583.doc 201219207 0 · 5 〜2。 本發明之第2態樣係一種附有支持板之顯示裝置用面 板，其包含：如第1態樣之積層體；及顯示裝置用面板之 構成構件’其係設置於上述積層體中之上述附有導電性金 屬氧化物膜之基板的與密接上述樹脂層之表面為相反側之 表面上。 本發明之第3態樣係一種顯示裝置用面板，其係使用如 第2態樣之附有支持板之顯示裝置用面板而形成者。 本發明之第4態樣係一種顯示裝置，其包含如第3態樣之 顯示裝置用面板。 發明之效果 根據本發明，可提供一種即便是實施高溫加熱處理後， 亦可抑制於將樹脂層與基板剝離時樹脂層之一部分附著於 製。。側之基板上，且可抑制剝離後之基板表面上之剝離帶 電的積層體。 進而’根據本發明’可提供一種包含該積層體之附有支 寺板之顯不裂置用面板，使用附有支持板之顯示裝置用面 板而形成之顯示裝置用面板及顯示裝置。 【實施方式】 以下’參照圖式關於用以實施本發明之形態進行說明， ^本發明並不受以下實施形態之限制，可於不脫離本發明 月】H下 對以下實施形態施加各種變形及替換。 ^& ’於本發明中’所謂將樹脂層固定於支持板上，係 Λ ^ 1層與支持板間的剝離強度高於樹脂層與附有導電 159583.doc 201219207 性金屬氧化物膜之基板間的剝離強度之方式而結合。 圖1係本發明之積層體之一例的示意性剖面圖。 如圖1所示，積層體10為於附有導電性金屬氧化物膜之 基板24與支持板31之間存在樹脂層32之積層體。 附有導電性金屬氧化物膜之基板24包含基板20、及設置 於基板20之表面上之導電性金屬氧化物膜22。附有導電性 金屬氧化物膜之基板24係以導電性金屬氧化物膜22與樹脂 層32可剝離地密接之方式配置於樹脂層32上。 又，樹脂層32固定於支持板31上，且與附有導電性金屬 氧化物膜之基板24的導電性金屬氧化物膜22可剝離地密 接。包含支持板3 1及樹脂層3 2之加強板3 0於製造液晶顯示 器等器件（電子機器）之步驟中’對附有導電性金屬氧化物 膜之基板24予以加強。 該積層體10係使用至器件之製造步驟之中途為止。即， 該積層體1 〇係使用至在附有導電性金屬氧化物膜之基板24 的與樹脂層3 2為相反側之表面上形成薄膜電晶體等器件用 構件為止。其後，將加強板3 〇自附有導電性金屬氧化物膜 之基板24上剝離，而不成為構成器件之構件。自附有導電 性金屬氧化物膜之基板24上剝離之加強板3〇可與新的附有 ‘電性金屬氧化物膜之基板24積層，而作為積層體1〇進行 再利用。 於本發明中，發現藉由以導電性金屬氧化物膜22與樹脂 層32接觸之方式，將附有導電性金屬氧化物膜之基板μ設 置於樹脂層3 2上，可獲得所期望之效果。 159583.doc 201219207 以下’對各構成（附有導電性金屬氧化物膜之基板、支 持板、樹脂層）進行詳細說明。 <附有導電性金屬氧化物膜之基板> 首先，對附有導電性金屬氧化物膜之基板24進行說明。 附有導電性金屬氧化物膜之基板24包含基板20、及設置 於基板20之表面上的導電性金屬氧化物膜22。導電性金屬 氧化物膜22係以與後述之樹脂層32可剝離地密接之方式， 配置於附有導電性金屬氧化物膜之基板24中之最表面。 以下對基板20、及導電性金屬氧化物膜22進行詳細說 明。 (基板） 基板20於樹脂層32側之第1主面201上具有導電性金屬氧 化物膜22 ’於與樹脂層32為相反側之第2主面2〇2上形成器 件用構件而構成器件。此處，所謂器件用構件，係指如後 述之顯示裝置用面板之構成構件之類的構成器件之至少一 部分之構件。作為具體例，可列舉：薄膜電晶體、 彩色;慮光片（CF)。作為器件，可例示太陽電池（pv)、液晶 顯示器（LCD)、有機EL顯示器（〇LED)等。 關於基板20之種類，可為普通基板，例如可為矽晶圓、 玻璃基板、樹脂基板、SUS基板或銅基板等金屬基板。於 該等之中，較佳為玻璃基板。係因為玻璃基板之耐化學品 性、财透>,#、性優異’且熱收縮率較低之故。作為熱收縮率 之指標，可使用於JIS R 3102(1995年修正）中規定之線膨 脹係數。 / I59583.doc 201219207 若基板20之線膨腸係數較大，則由於器件之製造步驟伴 有加熱處理之情況較多，故而容易產生各種不良情況。例 如於基板20上形成TFT之情形時，於使在加熱下形成订丁 之基板20冷卻時，有因基板2〇之熱收縮而使tft之位置偏 移過大之虞。 玻璃基板可藉由使玻璃原料炫融，將㈣玻璃成形為板 狀而獲得。此種成形方法可採用通常之方法，例如可採 用：浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。 又’厚度特別薄之玻璃基板可藉由將暫時成形為板狀之玻 璃加熱至可成形溫度，利用延伸等方法進行拉伸而使其變 薄之方法（再突引法）予以成形而獲得。 玻璃基板之玻璃並無特別限定，較佳為無鹼玻璃、硼矽 玻璃、鈉鈣玻璃、高矽玻璃、其他將氧化矽作為主要成分 之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為進行氧化物 換算所得之氧化矽之含量為4〇〜9〇質量％之玻璃。 作為玻璃基板之玻璃，係採用適合器件之種類或其製造 步驟之玻璃。例如，對於液晶顯示器用之玻璃基板，由於 鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故而其係包含實 質上不含鹼金屬成分之玻璃（無鹼玻璃如此，玻璃基板 之玻璃係根據所使用之器件之種類及其製造步驟而適當地 選擇。 玻璃基板之厚度並無特別限定，就玻璃基板之薄型化及/ 或輕量化之觀點而言’通常未達〇8mm，較佳為〇 3麵以 下，進而較佳為0.15 mm以下。於為〇 8 mm以上之情形 159583.doc 201219207 時，無法滿足玻璃基板之薄型化及/或輕量化之要求。於 為0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之可撓 性。於為〇. 15 mm以下之情形時，可將玻璃基板捲取為卷 軸狀。又，就玻璃基板容易製造、玻璃基板容易操作等理 由而s ’玻璃基板之厚度較佳為〇.〇3 mm以上。 樹脂基板之樹脂之種類並無特別限定。具體可例示：聚 對苯二曱酸乙二酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、 氟樹脂、聚醯胺樹脂、芳族聚醯胺樹脂、聚醚砜樹脂、聚 醚酮樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚丙 稀酸系樹脂、各種液晶聚合物樹脂、環烯烴樹脂、聚石夕氧 樹脂等。再者’樹脂基板可為透明，亦可為不透明。又， 樹脂基板亦可為表面形成有保護層等功能層者。 樹月曰基板之厚度並無特別限定，就薄型化及/或輕量化 之觀點而言，較佳狀7 _以下，更佳為G.3mm以下，尤 佳為0·1 mm以下。又，钟描从 就知作性之觀點而言，較佳為1 .〇 μιη以上。 再者基板20可包含兩層以上，於該情形時，形成各 ^材「枓可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於該情 日：’基板20之厚度」係指所有層之合計厚度。 (導電性金屬氧化物膜） 導電性金屬氧化物膜 所組成之群中之至少一種由銦、錫、辞、鈦及 炙至夕種金屬的氧化物。 例如’於基板2〇為盔鹼玻璁 璃基 "，過玻料板之情料，與該無鹼 t表面上所存在之糕、# 之鎂鈣、鋇等鹼土金屬成分 159583.doc 201219207 比，導電性金屬氧化物膜22中所含之上述鹼土金屬成分的 電負度較小。因此，與使無驗玻璃基板與樹脂層32直接接 觸而曝露於高溫條件下之情形相比’即便將本發明之積層 體10曝露於高溫條件下，導電性金屬氧化物膜22與樹脂層 32之間亦不太會因上述鹼土金屬成分脫離而進行化學反 應。其結果，可不產生因重剝離化而引起的樹脂層32向附 有導電性金屬氧化物膜之基板24上之附著地將附有導電性 金屬氧化物膜之基板24剝離。 此處’所δ胃重剝離化’係指導電性金屬氧化物膜2 2血樹 脂層32之密接強度大於支持板31之表面與樹脂層32之密接 強度、及樹脂層32之（主體）強度中之任一者。 進而，該導電性金屬氧化物膜22表現出優異之導電性。 因此，可抑制剝離後之附有導電性金屬氧化物膜之基板24 表面上的剝離帶電。又，若併用靜電消除器（i〇nizer)或喷 霧水，則可進一步抑制剝離帶電。或者，即便減輕靜電消 除器或喷霧水之負荷，亦可獲得與先前相同之剝離帶電抑 制效果。 導電性金屬氧化物膜22含有選自由銦、锡、辞、欽及錄 所組成之群中之至少—種金屬的氧化物1，導電性金屬 氧化物膜22含有包含上述金屬元素與氧元素之金屬氧化 物0 八肢可列舉：氧化鈦（Ti〇2)、氧…％ 加〇2)、氧化鋅（Zn〇)、氧化鎵（Ga2〇3)等 又’ V電性金屬氧化物膜22亦可含有包含2種以上之上 159583.doc 201219207 述列舉之金屬的氧化物。具體可列舉氧化銦錫（ιτ〇)、氧 化銦鋅（ΙΖΟ)、氧化鋅錫（ζτο)、摻鎵氧化辞（(5：2〇)等。 上述氧化物中亦可進而含有選自由鋁、鉬、銅、釩、 鈮、鈕、侧及氟所組成之群中之至少一種元t。該元素發 揮所謂換雜物之作用β 作為含有該元素的上述金屬之氧化物，例如可列舉：摻 鋁氧化鋅（ΑΖΟ)、摻鉬氧化銦（ΙΜ〇)、摻鈮氧化鈦、摻鈕 氧化鈦、摻鈮氧化錫、摻氟氧化錫（FT〇)、摻硼氧化鋅 (BZO)、摻鋁銅氧化鋅、摻鋁釩氧化鋅、摻鈮鈕氧化錫 等。 其中’就附有導電性金屬氧化物膜之基板與樹脂層之剝 離性更優異，2導電性更優異之方面而言，較佳為氧化姻 錫（ιτο)、氧化銦鋅（IZ0)、摻鋁氧化鋅（Az〇)、摻鎵氧化 辞（GZ〇)、耗氧化錫（削）、換銳氧錢，更佳為氧化鋼 錫（ITO)、氧化銦鋅（IZ0)、摻氟氧化錫（FT〇)。 導電性金屬氧化物膜22較佳為含有上述金屬之氧化物作 為主成分，具體而S，上述金屬之氧化物之含量相對於導 電性金屬氧化物膜總量較佳為98質量％以上，更佳為99質 量％以上，尤佳為99.999質量％以上。 導電性金屬氧化物膜22中亦可於不損及本發明之效果之 範圍内含有其他金屬之氧化物…導電性金屬氧化物膜 22中亦可於不損及本發明之效果之範圍内含有金屬之氧化 物以外之成分（例如金屬）。 導電性金屬氧化物膜22之厚度並無特別限制，就進一步 159583.doc 12 201219207 抑制因重剝離化而引起的樹脂層32向附有導電性金屬氧化 物膜之基板24上之附著，且維持耐磨性之觀點而言，較佳 為5〜5000 nm’更佳為1〇〜5〇〇 nm。 含有上述特定金屬之氧化物的導電性金屬氧化物膜以表 現出優異之導電性。更詳細而言，就可進一步抑制剝離後 之基板表面上之剝離帶電的觀點而言，導電性金屬氧化物 膜22之表面電阻值較佳為〇1〜1〇〇〇…□，更佳為丨〜5〇〇 Ω/□再者’測定方法係採用公知之方法(例如於爪尺 1 637(1998年制定）中規定之四探針電阻測定法）。 導電性金屬氧化物膜22之與樹脂層32接觸之表面221上 存在的極性基之密度是否合適，可藉由在密接前測定表面 221之水接觸角而判斷。通常有表面存在之親水性等之極 性基之密度越高’則水接觸角越小之傾^此處，所謂水 接觸角，係指於jis R 3257(1999年制定）中規定之接觸 角。 就進一步抑制因重剝離化而引起的樹脂層32向附有導電 性金屬氧化物膜之基板24上之附著的觀點而言，導電性金 屬氧化物膜22之表面221之密接前的水接觸角較佳為20。以 上，更佳為30〜90。，進而較佳為4〇〜70。。 亦可於導電性金屬氧化物膜22之與樹脂層32接觸之側的 表面221上預先形成微細之凹凸結構。於該情形時，凹凸 結構之程度較佳為在下述範圍内，即不會使導電性金屬氧 化物膜22之表面221與樹脂層32之密接面321因投錨效應而 重剝離化，從而產生樹脂層32向附有導電性金屬氧化物膜 159583.doc 13 201219207 之基板24上之過度附者的範圍内。 再者，導電性金屬氧化物膜22之表面221之表面粗趟度 _較佳為(Μ〜50 nm，更佳為〇5〜5 nmeRa係根據爪Β 0601(2001年修正）而進行測定。 對於導電性金屬氧化物膜22 ’考慮到將附有導電性金屬 氧化物膜之基板24用於器件用途之方面，導電性金屬氧化 物膜22較佳為透明。具體而言，較佳為於波長彻〜⑽ 下之透射率、即附有導電性金屬氧化物膜之基板24之可見 光透射率為70%以上，更佳為8〇%以上。 導電性金屬氧化物膜22於圖i中係記載為單層，但亦可 為兩層以上之積層。例如’⑥導電性金屬氧化物膜為兩層 之情形時，係設置與基板2G接觸之導電性金屬氧化物 膜、及設於第1導電性金屬氧化物膜上之第2導電性金屬氧 化物層。於為兩層之情形時，第#電性金屬氧化物膜與 第2導電性金屬氧化物膜之成分亦可不同。 導電性金屬氧化物膜22亦可於不損及本發明之效果之範 圍内，δ又置於基板2〇表面上之一部分。例如，導電性金屬 氧化物膜22亦可於基板2()表面上設置為島狀或條紋狀。 更°羊細而5，關於導電性金屬氧化物膜22於基板20表面 上之被覆率，就進一步抑制因重剝離化而引起的樹脂層32 :附有導電性金屬氧化物膜之基板24上之附著的觀點而 5，較佳為50〜1〇〇%，更佳為75〜1〇〇%。 (V電性金屬氧化物膜之製造方法） 導電性金屬氧化物膜22之製造方法並無特別限制，可採 159583.doc 201219207 用公知之方法。例如可列舉藉由蒸鍍法或濺鍍法，於基板 20上設置特定之金屬氧化物的方法。 製造條件係根據所使用之金屬之氧化物而適宜地選擇最 適合之條件。 附有導電性金屬氧化物膜之基板24係包含上述基板⑼與 導電性金屬氧化物膜22，但亦可於不損及本發明之效果之 範圍内，於基板20與導電性金屬氧化物膜22間包含其他構 件。 作為其他構件，例如可列舉：防止鹼離子自基板2〇向導 電性金屬氧化物膜22中擴散之阻鹼層，使導電性金屬氧化 物膜2 2之表面平坦化之平坦化層等。 <支持板> 支持板3 1與树脂層3 2協作而支持並加強附有導電性金屬 氧化物膜之基板24，於器件之製造步驟中防止附有導電性 金屬氧化物膜之基板24產生變形、損傷、破損等。又，於 使用厚度較先前薄之附有導電性金屬氧化物膜之基板24之 情形時’藉由製成厚度與先前之基板相同之積層體1〇，而 使得於器件之製造步驟中可使用適合先前之厚度之基板的 製造技術或製造設備亦係使用支持板31之目的之一。 作為支持板3 1，例如可使用玻璃板、樹脂板、SUS板等 金屬板等。於器件之製造步驟伴有熱處理之情形時，支持 板3 1較佳為利用與基板20之線膨脹係數之差較小的材料而 形成’更佳為利用與基板2〇相同之材料而形成。於基板20 為玻璃基板之情形時，支持板31較佳為玻璃板。尤佳為支 159583.doc 15 201219207 持板31為由與基板20之玻璃基板相同之玻璃材料所形成的 玻璃板。 支持板31之厚度可厚於亦可薄於基板2〇。較佳為根據附 有導電性金屬氧化物膜之基板24之厚度、樹脂層32之厚度 及積層體10之厚度而選擇支持板31之厚度。例如，現行之 器件之製造步驟係設計成處理厚度〇·5 mm之基板，於附有 導電性金屬氧化物膜之基板24之厚度與樹脂層32之厚度之 和為0.1 mm之情形時，將支持板31之厚度設為〇 4 mm。於 通常之情形時，支持板3 1之厚度較佳為〇.2〜5.〇 mm。 於支持板3 1為玻璃板之情形時’就容易操作、不易破裂 等理由而言’玻璃板之厚度較佳為〇 〇8 以上。又，就 形成器件用構件後進行剝離時，期待可不破裂地適度弯曲 之剛性的理由而言，玻璃板之厚度較佳為丨〇 mm以下。 基板20與支持板3 1於25〜30CTC下之平均線膨脹係數（以 下簡稱為「平均線膨脹係數」）之差較佳為5〇〇χ1〇·7/β(：以 下，更佳為30〇x l〇-7/°c以下，進而較佳為2〇〇x i〇-7/°c以 下。若差過大，則存在於器件之製造步驟中進行加熱、冷 卻時，積層體10劇烈地翹曲，或者附有導電性金屬氧化物 膜之基板24與加強板30剝離之可能性。於基板2〇之材料與 支持板31之材料相同之情形時，可抑制該等問題產生。 <樹脂層> 樹脂層32係固定於支持板3 1上，並且可剝離地密接於附 有導電性金屬氧化物膜之基板24上。樹脂層32可於至進行 剝離操作為止，防止附有導電性金屬氧化物膜之基板24之 159583.doc •16· 201219207 位置偏移，且可藉由剝離操作而容易地自附有導電性金屬 氧化物膜之基板24上剝離，可防止附有導電性金屬氧化物 膜之基板24等由於剝離操作而破損。 樹脂層32之大小並無特別限定。樹脂層32之大小可大於 亦可小於基板20或支持板3 1。 樹脂層32之與導電性金屬氧化物膜22接觸之表面321 (以 下亦稱作「密接面32丨」）較佳為並非藉由如通常之黏著劑 所具有之黏著力，而係藉由因固體分子間之凡得瓦力所產 生之力而黏貼於導電性金屬氧化物膜22之表面221上。其 原因在於如此則可容易地剝離附有導電性金屬氧化物膜之 基板24。於本發明中，將該樹脂層表面之可容易地剝離之 性質稱作剝離性。 另一方面，樹脂層32對支持板31之表面的結合力相對地 高於樹脂層32對附有導電性金屬氧化物膜之基板24之表面 (相當於導電性金屬氧化物膜22之表面221)的結合力。因 此，樹脂層32與支持板31間的剝離強度高於樹脂層32與附 有導電性金屬氧化物膜之基板24間的剝離強度。於本發明 將樹脂層表面對基板表面之結合稱作密接，將樹脂層 表面對支持板表面之結合稱作固^。樹脂層32與支持板^ 間較佳為以黏著力或接著力結合。然而並非限定於此，只 要相對地高於樹脂層32對附有導電性金屬氧化物膜之基板 ⑽結合力’則樹脂層32與支持板31間亦可利用上述二凡 得瓦力而產生之力黏貼。 樹脂層32之厚度並無特別限^，較佳為㈠⑼叫，更佳 I59583.doc •17· 201219207 為5〜3 0 μηι，進而較佳為7〜2〇 μιη。其原因在於若樹脂層32 之厚度在上述範圍内，則樹脂層32與附有導電性金屬氧化 物膜之基板24之密接變得充分。並且，即便樹脂層32與附 有導電性金屬氧化物膜之基板24間介入有氣泡或雜質，亦 可抑制附有導電性金屬氧化物膜之基板24產生應變缺陷。 又，右树脂層32之厚度過厚，則形成樹脂層32需要耗費時 間及材料，故而不經濟。 再者，樹脂層32亦可包含兩層以上。於該情形時，「樹 脂層32之厚度」係指所有層之合計厚度。 又，於樹脂層32包含兩層以上之情形時，形成各層之樹 脂之種類亦可不同。 樹脂層32較佳為由玻璃轉移點低於室溫（25<Sc左右），或 不具有玻璃轉移點之材料所形成。其原因在於藉此可成為 非黏著性之樹脂層，可更容易地與附有導電性金屬氧化物 膜之基板24剝離，同時與附有導電性金屬氧化物膜之基板 24之密接亦變得充分。 又，由於器件之製造步驟中進行加熱處理之情況較多， 故而樹脂層32較佳為具有耐熱性。 又，若樹脂層32之彈性模數過高，則存在與附有導電性 金屬氧化物膜之基板24之密接性變低之傾向。 力—方面， 若樹脂層32之彈性模數過低，則剝離性變低。 形成樹脂層32之樹脂之種類並無特別限定。例如可列 舉：丙稀酸系樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酉旨樹脂或聚 矽氧樹脂。亦可混合若干種類之樹脂使用。其中較佳為聚 159583.doc •18- 201219207 石夕氧樹脂。係由於聚矽氣 乳樹知之耐熱性或剝離性優異之 故。並且，當支持板31為破 一 、之 ^ ^ ^ 螭板時，錯由與玻璃板表面之 樹月之、、合反應而容易固定於玻璃板上。就於聚石夕氧 曰層介設於支持板31與附有導電性金屬氧化物膜之基板 24間的狀態下，例如即便 Μ更於大瑕_中、2〇〇t左右處理丨小時 左右’剝離性亦幾乎不劣化 b之硯點而s，聚矽氧樹脂層亦 較佳。 ί脂層32較佳為包含聚石夕氧樹脂中用於剝離紙用途之聚 石夕氧樹脂(硬化物)。使成為剝離紙用聚石夕氧樹脂之硬化性 樹脂組合物在支持板31之表面硬化而形成的樹脂㈣具有 優㈣離性’故而較佳…由於柔軟性較高，故而即 便氣泡或灰塵等異物混入於樹脂層32與附有導電性金屬氧 化物膜之基板24之間，亦可抑制附有導電性金屬氧化物膜 之基板24產生應變缺陷。 上述成為剝離紙用聚石夕氧樹脂之硬化性聚石夕氧根據其硬 化機制而分類為縮合反應型聚矽氧、加成反應型聚矽氧、 紫外線硬化型聚矽氧及電子束硬化型聚矽氧，任一種均可 使用。於該等之中，較佳為加成反應型聚矽氧。係由於容 易進行硬化反應，形成樹脂層32時剝離性之程度良好，且 耐熱性亦較高之故。 加成反應型聚矽氧為含有主劑及交聯劑，於鉑系觸媒等 觸媒之存在下硬化之硬化性組合物^加成反應型聚矽氧之 硬化可藉由加熱處理而促進。加成反應型聚矽氧之主劑較 佳為具有鍵結於矽原子上之烯基（乙烯基等）的有機聚矽氧 159583.doc -19- 201219207 烷（即有機烯基聚矽氧烷。再者，較佳為直鏈狀），烯基等 成為交聯點。加成反應型聚矽氧之交聯劑較佳為具有鍵結 於矽原子上之氫原子(氫矽烷基)的有機聚矽氧烷(即有錢 聚矽氧烷。再者，較佳為直鏈狀），氫矽烷基等成為交聯 點。 加成反應型聚⑪氧係、藉由主劑與交聯劑之交聯點進行加 成反應而硬化。 成為剝離紙用聚石夕氧樹脂之硬化性聚石夕氧於形態上 存在溶劑型、乳液型及無溶劑型，任一種類型均可使=。 於該等之中’較佳為無溶劑型。其原因在於無溶劑型於生 產性、安全性、環境特性之方面較優異。並且，於形成樹 脂層32時之硬化時，即加熱硬化、紫外線硬化或電子束硬 化夺Φ於不含產生發泡之溶劑，故而樹月旨層Μ中不易 留氣泡。 又’作為成為剝離紙用聚矽氧樹脂之硬化性聚矽氧，具 體而。作為市售之商品名或型號，可列舉：、 KS 847(均為 Shln_Etsu SiHc_s & 司製造），丁叹67〇〇 (mentive Performance Matedals &扣有限責任公司製 乙烯聚石夕氧「85〇〇」（荒川化學工業公司製造）與甲基 氫聚石夕氧院「12G31」（荒川化學卫業公司製造）之組合、乙 ，聚^氧「11364」（荒川化學工業公司製造）與甲基氮聚砂 :「 〇3 1」（巟川化學工業公司製造）之組合、乙烯聚矽 氧11365」（定川化學工業公司製造）與甲基氮聚石夕氧院 12031」（巟川化學工業公司製造）之組合等。 159583.doc •20· 201219207 再者，KNS-320A、KS-847及TPR67〇〇為預先含有主劑 與交聯劑之硬化性聚矽氧。 又，形成樹脂層32之聚⑪氧樹脂較佳為具有聚碎氧樹脂 層中之低分子量之聚石夕氧等成分不易轉移至附有導電性金 屬氧化物膜之基板24中的性質，即低聚矽氧轉移性。又， 就源自交聯結構之耐熱性之觀點而言，較佳為有機氯聚石夕 氧院之石夕原子上鍵結之氫原子相對於有機稀基聚石夕氧烧之 烯基的莫耳比為0.5〜2。 (樹脂層之製造方法） 將樹脂層32固定於支持板31上之方法並無特別限定，例 如可列舉將膜狀之樹脂固定於支持板31之表面之方法。具 體可列舉：為對支持板31之表面，賦予對於膜之表面的較 高之固定力（較高之剝離強度）’而於支持板31之表面進行 表面改質處理（底塗處理），然後固定於支持板31上之方 法。例如可例示：石夕炫偶合劑等以化學方式提昇固定力的 化學方法（底塗處理）’·如電漿照射或火焰（flame)處理等增 加SKDH基、Sl〇基等表面活性基的物理方法；如喷砂處理 等藉由增加表面之粗縫度而增加抓牢力的機械處理方法 等。 又例如亦可利用於支持板3 1表面上形成成為樹脂層3 2 之硬化1·生樹月曰組合物之層’繼而使該硬化性樹脂組合物硬 化而形成樹脂層32的方法’而形成固定於支持㈣上之樹 脂層32。作為於支持板31表面上形成硬化性樹脂組合物之 層之方法’例如可列舉將硬化性樹脂組合物塗佈於支持板 I59583.doc -21· 201219207 31上之方法。作為塗佈之方法，可列舉：喷塗法、模塗 法、紅塗法、浸塗法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹 版印刷塗佈法等。可根據樹脂組合物之種類而自該等方法 之中適當地選擇。 又，於將成為樹脂層32之硬化性樹脂組合物塗佈於支持 板3 1上之情形時，其塗佈量較佳為1〜吕/⑺2，更佳 5〜20 g/m2。 例如，於由加成反應型聚矽氧之硬化性樹脂組合物形成 樹脂層32之情形時，係將包含有機稀基聚梦氧烧、有機氣 ^夕氧院及觸媒之混合物的硬化性樹脂組合物，藉由上述 之喷塗法等公知之方法塗佈於支持板”上，其後進行加熱 硬化。加熱硬化條件亦根據觸媒之調配量而不g㈣ 相=於有機烯基聚石夕氧烧與有機氫㈣氧炫之合計量1〇〇 重量份’調配叙系、觸媒2重量份之情形時，係於大氣中、 50C〜25(TC下’較佳為1〇(rc〜2〇〇t：下使其反應。又"亥 情形時之反應時間係設為5〜6Q分鐘，較佳為設為ι〇〜⑽ 鐘。 藉由對硬化性樹脂組合物進行加熱硬化，硬化反應時聚 石夕氧樹脂與支持板31以化學方式結合。另夕卜，聚％氧樹脂 層藉由投财應而與支持板31結合。藉由該等作用，聚石; 氧樹脂層牢固地固定於支持板31上。再者，於由硬化性樹 月旨組合物形成含有聚梦氧樹脂以外之樹脂的樹脂層之情形 4 ’亦可利用與上述相同之方法而形成固定於支持板上之 159583.doc •22· 201219207 〈積層體及其製造方法> 如上述般，本發明之積層體1〇係包含附有導電 化物膜之基板24、支持板31且於其等間存在樹脂層 層體。 傾 本發明之積層體之製造方法並無特別限制，通常係藉由 上述方法，製作表面上固定有樹脂層32之支持板^，发後 將附有導電性金屬氧化物膜之基板24，以導電性金屬氧化 物膜22與樹脂層32可剝離地密接觸之方式配置於樹脂㈣ 上。 使樹腊層32可㈣地密接於时導電性金屬氧化物膜之 基板24上之方法並無特別限制，可為公知之方法。例如可 列舉下述方法：於常壓環境下，於樹脂層32之剝離性表面 重疊附有導電性金屬氧化物膜之基板24後，使用輕或壓機 壓接樹脂層32與附有導電性金屬氧化物膜之基板24。藉由 利用輥或麼機進行壓接，樹脂層32與附有導電性金屬氧化 物膜之基板24進一步密接，故而較佳。又，藉由利用親或 壓機進行壓接，相對容易去除混入於樹脂層3 2與附有導電 性金屬氧化物膜之基板24間的氣泡，故而較佳。 若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可更佳地 抑制氣泡混入或確保良好之密接，故而更佳。藉由在真空 下進行壓接，亦存在下述優點：即便殘留有微小之氣泡 時’亦不會因加熱而氣泡成長’不易導致附有導電性金屬 氧化物膜之基板24產生應變缺陷。 使樹脂層32可剝離地密接於附有導電性金屬氧化物膜之 159583.doc -23- 201219207 基板24上時，較佳為將樹脂層32及附有導電性金屬氧化物 膜之基板24的相互接觸之側之面充分地洗淨，於潔淨度較 咼之環境下進行積層。即便於樹脂層32與附有導電性金屬 氧化物膜之基板24間混入異物，由於樹脂層32產生變形’ 故而亦不會對附有導電性金屬氧化物膜之基板以之表面之 平坦性造成影響，但潔淨度越高則其平坦性越良好，故而 較佳。 - 再者，將樹脂層32固定於支持板31上之步驟、使樹脂層 32可剝離地密接於附有導電性金屬氧化物膜之基板24上之 步驟的順序並無限制，例如亦可為大致同時。 本發明之積層體可使用於各種用途’例如可列舉製造後 述之顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電 路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途 中，積層體曝露於高溫條件（例如，32(rc以上）下（例如，i 小時以上）之情況較多。 此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、〇LED、電子 紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、 MEMS(Micro Electr〇 Mechanical ，微機電系統）快 門面板等。 <附有支持板之顯示裝置用面板及其製造方法> 於本發明中，使用上述積層體而製造附有支持板之顯示 裝置用面板。 圖2係本發明之附有支持板之顯示裝置用面板的一例之 示意性剖面圖。 159583.doc •24· 201219207 -附有支持板之顯示裝置用面板40包含上述積層體10、顯 示裝置用面板之構成構件50。 (顯示裝置用面板之構成構件） 所謂顯示裝置用面板之構成構件5G，例如於使用玻璃基 板之LCD、0LED等顯示裝置中，係指形成於玻璃基板上 之構件或其-部分。例如於LCD、〇LED#顯示裝置令， 於基板之表面形成有TFT陣列（以下簡稱為「陣列」卜保 護層、彩色滤光片、液晶、包含IT〇之透明電極等、各種 電路圖案等構件、或組合有該等者。又，例如於包含 OLED之顯示裝置中，可列舉於基板上形成之透明電極、 電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等。 上述附有支持板之顯示裝置用面板4〇之製造方法並益特 別限制，可根據顯示裝置用面板之構成構件之種類，利用 先前公知之方法，於積層體1〇的附有導電性金屬氧化物膜 之基板24之表面上形成顯示裝置用面板之構成構件％。 例如’以製造OLED之情形為例，為於積層體ι〇之附有 導電性金屬氧化物膜之基板24的與密接樹脂層32之表面為 相反側的表面上（相當於基板之第2主面2〇2)形成有機❹ 構體’而實施以下等各種之層形成或處理··形成透” 極；進而於形成透明電極之面上蒸鑛電洞注人層、電 輸層、發光層、電子傳輸層等；形成背面電極；使用密封 板進行密封。作為該等層形成或處理，具體可列舉例 膜處理、蒸鐘處理、密封板之接著處理等。該等構成構件 之形成亦可為顯示裝置用面板所需之全部構成構件之形成 I59583.doc •25· 201219207 的一部分。於該情形時，將該形成有一部分構成構件的附 有導電性金屬氧化物膜之基板24自樹脂層32上剝離後，於 附有導電性金屬氧化物膜之基板24上形成剩餘之構成構 件’製造顯示裝置用面板。 〈顯示裝置用面板及其製造方法> 如圖2所示，本發明之顯示裝置用面板60包含附有導電 性金屬氧化物膜之基板24與顯示裝置用面板之構成構件 50 ° 顯不裝置用面板60可藉由自附有支持板之顯示裝置用面 板40中’剝離附有導電性金屬氧化物膜之基板24與固定於 支持板3 1上之樹脂層32而獲得。 再者’於剝離時之附有導電性金屬氧化物膜之基板24上 的構成構件為顯示裝置用面板所需之全部構成構件之形成 的一部分時，其後於附有導電性金屬氧化物膜之基板24上 形成剩餘之構成構件而製造顯示裝置用面板。 將導電性金屬氧化物膜22與樹脂層32之剝離性表面剝離 的方法並無特別限定。具體而言，例如可將銳利之刀具狀 物插入於導電性金屬氧化物膜22與樹脂層32之界面而形成 剝離之起點，然後吹附水與壓縮空氣之混合流體而進行剝 離。 再者，亦可在將顯示裝置用面板60自附有支持板之顯示 裝置用面板40中剝離後’根據需要，於顯示裝置用面板6〇 中之附有導電性金屬氧化物膜之基板24的導電性金屬氧化 物膜22上，另外設置顯示裝置用面板之構成構件。 159583.doc -26- 201219207 <顯示裝置> 又，可利用此種顯示裝置用面板6〇獲得顯示裝置。作為 顯示裝置’可列舉LCD、OLED。作為LCD，可列舉 TN(TwiSted Nematic，扭曲向列）型、STN(Super Twisted
Nematic，超扭曲向列）型、FE(Fiel(i Emissi〇n，場發射） 型、TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體）型、MIM (Metal-Insulator-Meta卜金屬·絕緣體-金屬）型。 此處’獲得顯示裝置之操作並無特別限制，例如可利用 先前公知之方法製造顯示裝置。 實施例 以下’藉由貫施例等具體地說明本發明，但本發明並非 限定於該等之例者。 再者，於下述實施例及比較例中，水接觸角係使用接觸 角計（Kmss公司製造，液滴形狀分析系統DSA 1〇Mk2)而進 行測定。又，表面粗糙度Ra係使用原子力顯微鏡（Seik〇
Instruments公司製造，SPA300/SPI3800)而進行測定。 關於薄板玻璃積層體之加熱後之剝離性，係於下述特定 條件下進行加熱處理後，將薄板玻璃基板與樹脂層剝離， 於薄板玻璃基板之與樹脂層接觸之面上目視觀察而進行評 價。不存在樹脂層之殘渣者評價為良好，存在樹脂層之殘 渣者評價為不佳。 進而，於剝離後之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面 上’使用常壓遙距電漿裝置（積水化學公司製造）實施電聚 照射’然後黏貼偏光膜（日東電工公司製造，丙烯酸系黏 159583.doc •27· 201219207 著劑）’評價有無剝離之產生。不產生剝離者表示不存在 樹脂層之殘渣。產生剝離者表示存在樹脂層之殘渣。 <實施例1> 首先，對長720 mm、寬600 mm、板厚〇.4 mm，線膨脹 係數38x10 /C之支持玻璃基板（無驗玻璃，旭硝子股份有 限公司製造之AN 100)進行純水洗淨後，進而進行uv洗淨 而加以清潔。 繼而’於支持玻璃基板之第1主面上，利用網版印刷 機’將無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧（Shin_Etsu Silicones公司製造，KNS-32〇A，黏度：〇 4〇 pa s，溶解度 參數（SP值）：7.3)100重量份與鉑系觸媒（Shin_Etsu Silicones公司製造，CAT_PL_56)2重量份之混合液塗敷成 長705 mm、寬595 mm之大小的長方形（塗敷量3〇 g/m2)。 繼而，於大氣中、18(TC下對其進行30分鐘加熱硬化， 從而於支持玻璃基板之第1主面形成厚度2〇 μηι之聚石夕氧樹 脂層。 再者，上述無溶劑加成反應型剝離紙用聚矽氧係包含具 有鍵結於矽原子上之乙烯基及曱基的直鏈狀有機烯基聚矽 氧烧（主劑）、與具有鍵結於石夕原子上之氫原子及曱基的直 鏈狀有機氫聚矽氧烷（交聯劑）者。 繼而’對長720 mm、寬600 mm、板厚〇_3 mm，線膨脹 係數38x10_7/。(：之薄板玻璃基板（旭硝子股份有限公司製造 之AN 1 〇〇)的與聚石夕氧樹脂接觸之側之面進行純水洗淨，其 後進行UV洗淨而加以清潔。進而，於經清潔之面上，藉 159583.doc -28 · 201219207 由磁控濺鍍法（加熱溫度3〇〇°C，成膜壓力5 mTorr，功率密 度0.5 W/cm2) ’形成厚度1〇 nm之ITO(表面電阻300 Ω/id)， 獲得薄板玻璃基板（附有導電性金屬氧化物膜之薄板玻璃 基板）。導電性金屬氧化物膜表面之水接觸角為45。。又， 導電性金屬氧化物膜之表面粗糙度!^為〇 7 nm。 其後，於室溫下’利用真空壓機將薄板玻璃基板之IT〇 成膜面、與支持玻璃基板之聚矽氧樹脂層面貼合，獲得薄 板玻璃積層體A1。 於所獲得之薄板玻璃積層體幻中，兩玻璃基板不產生氣 泡地與聚矽氧樹脂層密接，無應變狀缺陷，且平滑性亦良 好0 (加熱後之剝離性評價） 對薄板玻璃積層體A1，於大氣氧為〇1%以下之氮環境 中’於320 C下實施1小時加熱處理。 繼而，進行剝離試驗。具體而言’首先，將薄板玻璃積 層體Ai中之薄板玻璃之第2主面固定於固定台上。另一方 面，利用吸附墊吸附支持玻璃基板之第2主面'繼而，於 薄板玻璃積層體〜所具有之相角部中之⑽處㈣板玻^ 基板與樹脂層之界面，插人厚度Q4 _之刀片將薄板玻璃 基板稱猶剝離，形成剝離之起點。繼而，使吸附塾向離開 固定台之方向移動，從而將薄板破璃基板與具有樹脂層之 支持玻璃基板剝離。 之面上（導電性 ，剝離後剝離 剝離後之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸 金屬氧化物膜上）不存在樹脂層之殘洁。又 I59583.doc -29- 201219207 之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面上(導電性金屬氧化 物膜上）之帶電電位藉由靜電測定器測定為+i 2 kv。於剝 離後之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬 氧化物膜上），使用常壓遙距電漿裝置（積水化學公司製造） 實施電漿照射，並黏貼偏光膜（日東電工公司製造，丙烯 酸系黏著劑），結果未產生剥離。 〈實施例2> 與實施例1同樣地，於室溫下，利用真空壓機將薄板玻 璃基板之ITO成膜面、與支持玻璃基板之聚矽氧樹脂層面 貼合，獲得薄板玻璃積層體A卜繼而，不實施加熱處理， 與實施例1同樣地進行剝離試驗。剝離後之薄板玻璃基板 的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）不存在樹 脂層之殘渣。又，剝離後剝離之薄板玻璃基板的與樹脂層 接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）之帶電電位藉由靜電 測定器測定為+1.3 kV。於剝離後之薄板玻璃基板的與樹 脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上），使用常壓遙距 電聚裝置（積水化學公司製造）實施電漿照射，並黏貼偏光 膜（曰東電工公司製造’丙烯酸系黏著劑），結果未產生剝 離。 <實施例3> 與實施例1同樣地’於室溫下，利用真空壓機將薄板玻 璃基板之ITO成膜面、與支持玻璃基板之聚石夕氧樹脂層面 貼合’獲得溥板玻璃積層體A1。其後，與實施例1同樣地 對薄板玻璃積層體A1進行加熱處理。繼而，進行剝離試 159583.doc -30- 201219207 驗。具體而言，首先，將薄板玻璃積層體A1中之薄板玻璃 基板之第2主面固定於固定台上。另一方面，利用吸附墊 吸附支持玻璃基板之第2主面。繼而，於薄板玻璃積層體 A1所具有之4個角部中之丨個處的薄板玻璃基板與樹脂層之 界面，插入厚度〇.4 mm之刀片將薄板玻璃基板稍稍剝離， 形成剝離之起點。此處，係一面自靜電消除器（keyence公 司製造）吹附除靜電性流體至該界面，一面插入刀片。 、’塵而，一面繼續自靜電消除器朝所形成之空隙中吹附除 靜電性流體，一面使吸附墊向離開固定台之方向移動，從 而將薄板玻璃基板與具有樹脂層之支持玻璃基板剝離。 剝離後之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面上（導電性 金屬氧化物膜上）不存在樹脂層之殘渣。又，剝離後剝離 之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化 物膜上）之帶電電位藉由靜電測定器測定為+〇1 kv。於剝 離後之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬 氧化物膜上），使用常壓遙距電漿裝置（積水化學公司製造） 實施電漿照射，並黏貼偏光膜（日東電工公司製造，丙烯 酸系黏著劑），結果未產生剝離。 <實施例4> 首先，對長760 mm、寬640 mm、板厚〇_3 mm，線膨脹 係數3 8 X 10 / C之薄板玻璃基板（無驗玻璃，旭；g肖子股份有 限公司製造之AN 100)進行純水洗淨後，進而進行uv洗淨 而加以清潔。進而，於經清潔之第1主面上，藉由磁控濺 鐘法（加熱溫度300C ’成膜屋力5 mTorr，功率密度〇.5 159583.doc 31 201219207 W/cm2)形成厚度i〇 nm之ITO(表面電阻300 Ω/口），獲得薄 板玻璃基板（附有導電性金屬氧化物膜之薄板玻璃基板）》 導電性金屬氧化物膜表面之水接觸角為45。。又，導電性 金屬氧化物膜之表面粗縫度Ra為〇. 7 nm。繼而，於薄板玻 璃基板之第1主面之導電性金屬氧化物膜面上，與實施例i 同樣地’利用網版印刷機，將兩末端具有乙烯基之直鏈狀 有機烯基聚矽氧烷（乙烯聚矽氧，荒川化學工業公司製 造’ 8500)、分子内具有氫矽烷基之曱基氫聚矽氧烷（荒川 化學工業公司製造，1203 1 )、鉑系觸媒（荒川化學工業公司 製造’ CAT12070)之混合液塗敷成長750 mrn、寬630爪爪之 大小的長方形，形成含有未硬化之硬化性聚矽氧之層（塗 敷量 35 g/m2)。 繼而，對長720 mm、寬600 mm、板厚〇.4 mm之支持玻 璃基板的與聚矽氧樹脂接觸侧之面（第丨主面）進行純水洗 淨/、後進行uv洗淨而加以清潔。其後，於室溫下，利 用真二壓機將載體基板之第1主面、與含有未硬化之硬化 性聚矽氧之層貼合，於30 Pa下靜置5分鐘，對含有未硬化 之硬化性聚矽氧之層進行消泡處理，獲得硬化前積層體 A0。此時，係以於含有未硬化之硬化性聚矽氧之層上留出 不與載體基板接觸之周緣區域的方式，將載體基㈣層於 含有未硬化之硬化性聚石夕氧之層上。再者，自載體基板之 外周緣至未硬化之硬化性樹脂組合物層之外周緣為止之長 度約為15 mm以上。 繼而，於大氣中、25(TC下對其進行3〇分鐘加熱硬化， I59583.doc -32- 201219207 獲得厚度10 μηι之包含經硬化之聚矽氧樹脂層的硬化後積 層體Α0。 繼而’將硬化後積層體Α0之支持玻璃基板固定於安裝有 定位夾具之壓盤上，利用鑽石砂輪刀，自壓盤之上面，以 與支持玻璃基板之外周緣中之一邊重疊的方式，於薄板玻 璃基板之第2主面上刻出切線後’利用夾持失具夾住薄板 玻璃之切線之外側並割斷。以相同之方式對薄板玻璃基板 的與支持玻璃基板之外周緣之剩餘3邊重疊之外側亦進行 割斷後’利用具有曲面之紙石研磨薄板玻璃基板之割斷面 且實施倒角，獲得切斷後積層體A1。 繼而，與實施例3同樣地進行剝離試驗。剝離成薄板玻 璃基板與具有樹脂層之支持玻璃基板，於剝離後之薄板玻 璃基板的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）不 存在樹脂層之殘渣。又，剝離後剝離之薄板玻璃基板的與 树知層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）之帶電電位藉 由靜電測定器測定為+〇.：[ kv。於剝離後之薄板玻璃基板 的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上），使用常 壓遙距電«置（積水化學公司製造）實施電毁照射，並黏 貼偏光膜(日東電工公司製造’丙烯酸系黏著劑），結果未 產生剝離。 〈實施例5 > 除使用包含鈉㉝玻璃之玻璃板作為薄板玻璃基板及支持 玻璃基板之外，藉由與實施例3相同之方法獲得薄板玻璃 積層體B1。 159583.doc -33- 201219207 繼而’與實施例3同樣地進行剝離試驗。剝離成薄板玻 璃基板與具有樹脂層之支持玻璃基板，於剝離後之薄板玻 璃基板的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）不 存在樹脂層之殘渣。又，剝離後剝離之薄板玻璃基板的與 樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）之帶電電位藉 由靜電測定器測定為+〇. 1 kv。於剝離後之薄板玻璃基板 的與樹脂層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上），使用常 壓遙距電漿裝置（積水化學公司製造）實施電漿照射，並黏 貼偏光膜（日東電工公司製造，丙烯酸系黏著劑），結果未 產生剝離。 <實施例6> 除使用經化學強化之玻璃板作為薄板玻璃基板及支持玻 璃基板之外，藉由與實施例3相同之方法獲得薄板玻璃積 層體C1。 繼而，與實施例3同樣地進行剝離試驗。剝離成薄板玻 璃基板與具有樹脂層之支持玻璃基板，於剝離後之薄板玻
由靜電測定器測定為+〇」 kV。於剝離後
產生剝離。 於剝離後之薄板玻璃基板 膜上），使用常 製造）貫施電漿照射，並黏 丙烯酸系黏著劑），結果未 159583.doc •34· 201219207 再者，上述實施例1〜6中所使用之薄板玻璃積層體八丨於 上述剝離試驗中，並不於聚矽氧樹脂層與支持玻璃基板之 間，而係於聚矽氧樹脂層與薄板玻璃基板（附有導電性金 屬氧化物膜之薄板玻璃基板）之間產生剝離。據此，可確 認聚矽氧樹脂層與支持玻璃基板間的密接力大於聚矽氧樹 脂層與薄板玻璃基板間的密接力，換言之，聚矽氧樹脂層 與支持玻璃基板間的剝離強度高於聚矽氧樹脂層與薄板玻 璃基板間的剥離強度。 <比較例1 > 代替實施例1所使用之附有導電性金屬氧化物膜之薄板 玻璃基板，而使用長720 mm、寬600 mm、板厚〇·3 mm , 線膨脹係數38xl(T7/t：之薄板玻璃基板（旭硝子股份有限公 司製造之AN100)，除此以外藉由與實施例丨相同之工序獲 得薄板玻璃積層體ci。於薄板玻璃積層體C1中不含導電 性金屬氧化物膜。 再者，對薄板玻璃基板的與聚矽氧樹脂接觸之側之面進 行純水洗淨’其後進行UV洗淨而加以清潔。經清潔之薄 板玻璃基板表面之水接觸角為8。。又，經清潔之薄板玻璃 基板之表面粗糖度Ra為0.4 nm。 繼而，藉由與實施例1相同之工序進行加熱處理後，將 薄板玻璃積層體C1中之薄板玻璃基板與具有樹脂層之支持 玻璃基板剝離。 剝離後之薄板玻璃基板的與樹脂層接觸之面上附著有樹 脂層之一部分，且於支持玻璃基板上的相當於樹脂層之部 159583.doc -35- 201219207 /7 — ^ 破# Q對附著有樹脂層之薄板玻璃基板使用常塵 ，距電濃裝置（積水化學公司製造）照射電漿，但所附著之 I θ .…法去除而殘^。剝離後剝離之薄板玻璃基板的與樹 脂層接觸之面上之帶電電位為_1()5 kv。其後，將偏光膜 (日東電工么司製造，丙烯酸系黏著劑)黏貼於薄板玻璃基 板之經實施電漿照射之面上，結果產生剝離。 〈比較例2> 對長720 mm、寬600 mm、板厚〇 3 mm，線膨脹係數 38xl0_Vt之薄板玻璃基板（旭硝子股份有限公司製造之 AN 1 00)的與聚矽氧樹脂接觸之側之面進行純水洗淨，其後 進行UV洗淨而加以清潔。進而，於經清潔之面上，藉由 磁控濺鍍法（不加熱，成膜壓力5 mTorr，功率密度5 W/cm2)依序形成厚度50 nm之氧化鉻膜、及厚度1〇〇 之 金屬鉻膜，獲得薄板玻璃基板（附有金屬鉻膜之薄板玻璃 基板）。金屬鉻膜表面之水接觸角為25。。又，金屬鉻膜之 表面粗糖度Ra為2.5 nm。 與實施例1同樣地’按照其工序於室溫下利用真空壓 機’將薄板玻璃基板之金屬鉻膜面、與支持玻璃基板之聚 矽氧樹脂層面貼合，而獲得薄板玻璃積層體B1。 繼而’按照與實施例1相同之工序進行加熱處理後，將 薄板玻璃積層體B1中之薄板玻璃基板與具有樹脂層之支持 玻璃基板剝離。 與比較例1同樣地’於剝離後之薄板玻璃基板的與樹脂 層接觸之面上（金屬鉻膜上）附著有樹脂層之一部分，且於 159583.doc -36- 201219207 支持玻填基板上的相當於樹脂層之部分確認到破損。 <比較例3> 與實施例1同樣地，於支持玻璃基板之第1主面形成厚度 2〇 ^瓜之t石夕氧樹脂層。繼而，除使用長720 mm、寬6〇〇 mm、板厚0.3 mm，線膨脹係數38χ1〇-7/<)(：2薄板玻璃基板 (旭硝子股份有限公司製造之AN100)之外，藉由與實施例j 相同之工序獲得薄板玻璃積層體C2。再者，對薄板玻璃基 板的與聚矽氧樹脂接觸之側之面進行純水洗淨而.加以清 潔。經清潔之薄板玻璃基板表面之水接觸角為30。。又， 經清潔之薄板玻璃基板之表面粗糙度5^為〇.4 ηηι。再者， 該比較例中，與比較例丨不同，未對薄板玻璃基板進行uv 洗淨。 其後，按照與實施例1相同之工序進行加熱處理後，將 薄板玻璃積層體C2中之薄板玻璃基板與具有樹脂層之支持 玻璃基板剝離。 與比較例1同樣地，於剝離後之薄板玻璃基板的與樹脂 層接觸之面上（導電性金屬氧化物膜上）附著有樹脂層之一 , 冑分’於支持玻璃基板上的相當於樹脂層之部分確認到破 損。 以上詳細地且參照特定之實施態樣對本發明進行了說 明，但業者明瞭可於不脫離本發明之範圍及精神之情況下 追加各種修正或變更。 本申請案係基於測年叩5日提出中請之日本專利申 請案2010-248294者，其内容作為參照而併入本文中。 I59583.doc -37- 201219207 【圖式簡單說明】 圖1係本發明之積層體之一實施形態的示意性剖面圖。 圖2係本發明之附有支持板之顯示裝置用面板之一實施 形態的示意性剖面圖。 【主要元件符號說明】 10 積層體 20 基板 22 導電性金屬氧化物膜 24 附有導電性金屬氧化物膜之基板 30 加強板 31 支持板 32 樹脂層 40 附有支持板之顯示裝置用面板 50 顯禾裝置用面板之構成構件 60 顯示裝置用面板 201 基板之第1主面 202 基板之第2主面 221 導電性金屬氧化物膜之表面 321 樹脂層之密接面 159583.doc