TW201218198A - Optical recording medium - Google Patents

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201218198 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於光碟等之光記錄媒體，尤其是有關於 具有2層以上的記錄層，可以高記錄密度來記錄的光記錄 媒體。 【先前技術】 近年來，一種稱爲藍光碟片（Blu-ray Disc (註冊商 標；BD )的大容量光碟，已經商品化。 此大容量光碟，係將記錄再生用光波長設成405nm左 右、記錄再生用光學系的聚光透鏡的開口數N A設成0.85左 右，而實現約25GB的記錄容量。 在此大容量光碟中，爲了實現追記型光碟，探討了各 種可進行追記的記錄層材料。 作爲先前的追記型光碟的記錄層材料，有機色素材料 係爲人所熟知。 然而，若使用有機色素材料，則無法獲得充分的生產 性，或是會有記錄訊號的長期穩定保存性之問題。 又還有，目前尙未找到可使用於波長4〇5nm左右之記 錄再生用光的適切之有機色素的問題。 於是’目前探討將無機材料使用於追記型記錄層材料 〇 例如有人提出了光記錄媒體，其所具有之記錄層是含 有會因爲升溫而筒速結晶化而產生化學變化的Te_〇等（叙 201218198 照專利文獻1 )。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕 〔專利文獻1〕日本特開2008-112556號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 可是，上述的大容量光碟型之追記型光記錄 爲了謀求更加大容量化，而正朝向把記錄層做β 的多層化邁進。 在如此多層化的情況下，適切設定各個記錄 率與穿透率，是很重要的。 而且，例如’相鄰於記錄層而設置介電體層 定該介電體層之厚度，就可抑制反射率。 然而，若各記錄層維持相同之構成，來設定 的反射率與穿透率’則有時候各記錄層的記錄特 生差異。因此，在一部分的記錄層中，有可能無 好的記錄特性。 爲了解決上述問題，本發明中係提供一種光 ，除了可控制各記錄層的反射率與穿透率，還可 層中獲得良好的記錄特性。 〔用以解決課題之手段〕 媒體中， Ε 2層以上 層之反射 ，藉由選 各記錄層 性上會產 法獲得良 記錄媒體 於各記錄 -6 - 201218198 本發明的光記錄媒體係具有基板、和2層以上之記錄 層。然後，該2層以上之記錄層，係含有Pd、0、M(M係 211、八1、111、311之中的1或複數種元素），且所被含有的〇 係比使Μ完全氧化時（ZnO、Al2〇3、ln203、Sn〇2)的化 學當量組成還多。 然後，記錄層係爲，從記錄用光入射側的相反側起算 ，第η個（η係爲2以上的自然數）記錄層的情況下，其Pd 含有量是小於第n-1個記錄層中的Pd含有量。 若依據上述本發明的光記錄媒體之構成，則記錄用光 入射側的相反側起算第η個記錄層的Pd含有量，是小於第 n-1個記錄層中的Pd含有量。如此，第η個記錄層是比第η-1個記錄層的Pd含有量還小（少），藉此就可減少光的吸 收，可提高穿透率。藉此，雖然Pd含有量較小（少）的層 的記錄感度會減少，但這部分換來的是，入射側之相反側 的記錄層的記錄感度增大。 因此，藉由反射率的一致，就可補償一部分記錄層（ 尤其是靠近於光入射側之相反側的記錄層）的記錄感度的 降低部分。 又，藉由改變記錄層的Pd含有量，就可改變記錄層的 穿透率。 〔發明效果〕 若依據上述本發明，則可改變各記錄層的？(1含有量， 來改變各記錄層的穿透率或記錄感度° 201218198 藉此，除了可控制各記錄層的穿透率、記錄感度 可實現良好的記錄特性。 因此，藉由本發明，就可實現記錄特性良好的由 記錄層所成之光記錄媒體。 【實施方式】 以下，說明用以實施發明的最佳形態（以下稱作 形態）。 此外，說明是按照以下順序進行。 1. 第1實施形態 2. 第2實施形態 3. 第3實施形態 4. 實驗例 < 1·第1實施形態> 本發明之光記錄媒體的第1實施形態的槪略構成 剖面圖），示於圖1。 該光記錄媒體10，係在基板11上’形成有3層記 121 ( L0 ) 、122(L1) ' 123 ( L2 )。此外，在多層 媒體中，通常將最靠近基板的記錄層稱作L0,接著爲 L2.....因此爲了方便起見，一起標示之。 又，各記錄層1 2 1、1 22、1 23之間’係形成有由 性材料所成的中間層1 4 1、1 42。 然後，在最上層的記錄層1 23之上’形成有由透 ，還 多層 實施 圖（ 錄層 記錄 L1、 透光 光性 -8 - 201218198 材料所成的保護層13。 將本實施形態的光記錄媒體10，設計成上述的大容量 光碟（BD，註冊商標）之構成的情況下，是採用了厚度約 1.1mm，外徑約120mm的圓盤狀之基板11 »而且在其一面 側，例如在作爲搖擺凹軌的凹凸所被形成的面上，記錄層 121、122、123是介隔著由透光性材料所成之中間層141、 142而被形成。然後，在記錄層123之上，形成有由透光性 材料所成的保護層13，整體是被構成爲厚度1.2 mm。 在設計成上述的大容暈光碟之構成的情況下，記錄用 光的入射側，係爲保護層1 3側。 此外，本發明係不限定於上述的大容量光碟之構成， 光記錄媒體的形狀或寸法（大小、厚度等）、基板或保護 層的厚度等，係可隨著用途而適宜選定。 作爲基板11的材料，可以使用例如聚碳酸酯樹脂等。 基板1 1，係例如藉由射出成形等，從母片原盤轉印了 循軌用的搖擺凹軌之凹凸形狀，就可形成之。 此外，於本發明之光記錄媒體中，凹軌形狀並非必須 ，只要可循軌，且可適切抑制記錄軌間串音的構造即可。 又，記錄軌係從光入Λ側來看可爲凹軌上或是凸面上 ，記錄方式沒有限定。 記錄層121、122、123係爲，含有Pd、0、Μ(Μ係Ζη 、A1、In、Sn之中的1或複數種元素），且所被含有的0係 比使Μ完全氧化時（ΖηΟ、Α12〇3、In2〇3、Sn02 )的化學 當量組成還多之構成。 -9- 201218198 亦即，這些記錄層121、122、123中，除了含有ZnO或 Al2〇3這類穩定的氧化物，還含有PdO或Pd02。 而且，當照射了例如中心波長405nm附近之雷射等之 光線時，PdO係會分解成Pd與02，Pd02係會分解成PdO與 〇2，因爲〇2之產生而導致結構上發生膨脹。藉此，就會形 成反射率與周圍不同的記錄標記。 中間層1 4 1、1 42之材料，係可使用例如紫外線硬化樹 脂等之光硬化性、或熱硬化性之樹脂等。此情況下，藉由 旋轉塗佈等進行塗佈後，藉由加熱或照光，就可形成中間 層。 中間層141、142,係只要不影響記錄特性具有充分透 光性即可，其厚度係只要是能將層間串音抑制在所定値以 下的範圍即可。 在保護層1 3係可利用熱硬化性或光硬化性的樹脂材料 。將這些材料以旋轉塗佈法等進行塗佈而成膜後，藉由加 熱或照光、例如藉由紫外線照射，就可使其硬化而形成保 護層13。或者，亦可使用紫外線硬化樹脂等與聚碳酸酯等 之樹脂薄片、接著劑與聚碳酸酯等之樹脂薄片，來形成保 護層13。 此外，雖然未圖示，但在保護層13的表面（雷射照射 面），亦可設置例如保護對抗機械性衝擊、損傷、或免於 利用者使用時的塵埃或指紋之附著等，用來保護資訊訊號 之記錄再生品質的硬包覆層。 在該硬包覆層係可採用爲了提升機械性強度而混入矽 -10- 201218198 膠微粉末者，或用溶劑類型、無溶劑類型 脂。 爲了具有機械性強度 '，且具有疏水性 包覆層之厚度設成l/zm至數左右，較;ί 又然後，圖1之光記錄媒體10之要部 係示於圖2。 在本實施形態中，記錄層1 2 1、1 22、 層係分別形成有，由具有保護膜之機能的 度數nm〜數十nm左右的透光性之介電體| 、162、 153、 163 〇 作爲該介電體層151、161、152、162 料，係可舉例如 Ιη-0 ' Ζη-0、A1-0、Sn-0 Ti-0、V-0、Cr-0、Nb-0、Zr-0、Hf-0、 化物。又，亦可利用SiN、AIN等之氮化衫 物。藉由使用這些材料，就可提高記錄層 的耐久性。 介電體層 151、161、152、162、153、 的氧化物或氮化物、碳化物用於靶材材料 就可進行成膜。 各個介電體層151、161、152、162、 或厚度，係可因應必要之特性，而適宜選 3層記錄層121、122、123之各者，下層及 之材料或厚度也是可以和其他記錄層不同 此外，在如此設置介電體層的情況下 之紫外線硬化樹 或疏油性，將硬 萄理想。 的放大剖面圖， 123的下層及上 材料所成的、厚 1151' 161、 152 、153 、 163之材 、Ga-O、Si_〇、 Ta-0、Bi-Ο 等氧 3、SiC等之碳化 f 121 、 122 、 123 163，係將上述 ，藉由濺鏟法等 153、163的材料 定。此外，關於 上層的介電體層 〇 ，藉由改變介電 -11 - 201218198 體層的材料或組成、或成膜條件之至少一者，就可改變包 含介電體層之記錄層的穿透率。作爲成膜條件，可舉例如 成膜時的成膜功率（濺鍍法的情況下係爲濺鍍器的電力） 或成膜氛圍亦即氧分壓。此處所謂的氧分壓，係例如惰性 氣體是使用Ar氣的情況下，則是包含Ar氣與氧氣之全部氣 體中的氧氣之分壓。 例如，作爲藉由材料之選定來改變穿透率的例子，舉 例 In_Sn-0 與 In-Si-Zr-O，此時，相較於 In-Sn-O，In-Si-Zr- 〇的穿透率係較高。又，作爲改變組成來改變穿透率的例 子，舉例In-Ga-Zn-Ο，相較於將組成比設成In : Ga : Zn = 88 ： 6: 6，當設成 In: Ga: Zn = 34: 33: 33 時，穿透率 係較高。又，作爲成膜條件而例如使氧分壓改變的情況下 ，氧分壓較大時，係比氧分壓較小時的穿透率還高。甚至 ，藉由成膜時的功率來改變穿透率的情況下，則功率較大 時，會比功率較小時的穿透率還高。 又，尤其是記錄層121、122、123之下層（基板11側 )的介電體層151、152、〗53，係主要會對記錄功率的範 圍會有幫助。因此，藉由下層的介電體層151、152、153 之材料或厚度，可以控制記錄功率之範圍等特性。 又，尤其是記錄層121、122、123之上層（記錄光入 射側、保護層1 3側）的介電體層1 6 1、1 62、1 63，係主要 對記錄層的反射率會有幫助。因此，藉由上層的介電體層 1 6 1、1 62、1 63之材料或厚度，可以控制各記錄層的反射 率。例如，在上層的介電體屑161、162、163之材料中採 -12 - 201218198 用In-O，藉由改變上層的介電體層161、162、163之厚度 ，就可改變各記錄層的反射率，上層介電體層的膜厚越厚 ，則記錄層的反射率越低。 從光入射側觀看的各個記錄層1 2 1、1 22、1 23的反射 率，係如以下。 L0層121 : L0層之反射率x(Ll層之穿透率）2x(L2層之 穿透率）2 L1層122: L1層之反射率X(L2層之穿透率）2 L2層123 : L2層之反射率 因此，若以使得這些反射率皆成爲相同値的方式，來 設計各層的反射率與穿透率，就可使得從光入射側觀看的 3層記錄層的反射率一致。 於本實施形態中，尤其是記錄層121、122、123係爲 ，從基板1 1側朝記錄用光入射側，Pd含有量是越來越小。 亦即係爲，L1之記錄層122的Pd含有量係小於L0之記 錄層121的Pd含有量、L2之記錄層123的Pd含有量係小於L1 之記錄層122的Pd含有量之構成。 藉由如此改變Pd含有量，就可大幅改變穿透率。此時 ，反射率係不會大幅改變，就可大幅改變吸收。 亦即，若Pd含有量增加，則穿透率會降低，吸收會增 大。若減少Pd含有量，則穿透率會上升，吸收就會減少。 一般而言，記錄感度係和此吸收有關，吸收越高則記錄感 度越佳。 如前述，在選定各記錄層之上層介電體層的膜厚，來 -13- 201218198 使從光入射側觀看之3層記錄層121、122、123的反射率一 致的情況下，3層記錄層之構成（組成及膜厚）爲相同時 ，各記錄層的最佳記錄功率會產生差異。例如，若將記錄 層的上層之介電體層161、162、163的膜厚，設計成從基 板1 1側往光入射側越來越厚而爲1 6 1 < 1 6 2 < 1 6 3，則可使 從光入射側觀看的3層記錄層121、122、123的反射率呈一 致。此時，基板1 1側的L0之記錄層1 2 1的記錄感度係變低 〇 相對於此，若增加該L0之記錄層121的Pd含有量，則 可提高吸收，記錄感度也可被改善。又，若提高L2之記錄 層123的穿透率，則該記錄層123的記錄感度會下降，但由 於對下層的記錄層121、122係有較多的光進入，因此可認 爲對於這些下層之記錄層121、122的記錄感度改善，也是 有效果的。 藉此，就可彌補各記錄層1 2 1、1 22、1 23的最佳記錄 功率的差異，將各記錄層121、122、123的最佳記錄功率 ，設成相近的値。 若依據上述本實施形態的光記錄媒體1 〇之構成，則記 錄層1 2 1、1 22、1 23係被構成爲，從基板1 1側越往記錄用 光入射側，Pd含有量會越少。 藉此，由於從基板Π側越往記錄用光入射側，Pd含有 量會越少，因此光的吸收會減少，穿透率會變高。藉此’ 雖然Pd含有量較小（少）的層的記錄感度會減少，但這部 分換來的是，入射側之相反側的記錄層的記錄感度增大° -14- 201218198 因此，藉由反射率的一致，就可補償一部分記錄層（ 尤其是靠近於光入射側之相反側的L0之記錄層1 2 1 )的記 錄感度的降低部分。 又，藉由改變記錄層的Pd含有量，就可改變記錄層的 穿透率。 若依據本實施形態的光記錄媒體1 〇之構成，則可如此 改變各記錄層121、122、123的Pd含有量，以改變各記錄 層121、122、123的穿透率或記錄感度。藉此，除了可控 制各記錄層121、122、123的穿透率、記錄感度’還可實 現良好的記錄特性。 因此，就可實現記錄特性良好的由3層記錄層所成之 光記錄媒體1 0。 <2.第2實施形態> 本發明之光記錄媒體的第2實施形態的槪略構成圖（ 剖面圖），示於圖3。 該光記錄媒體20，係在基板21上’形成有3層記錄層 221 ( L0 ) 、222 (L1) 、223 (L2) 、224 ( L3)。 又，各記錄層221、222、223、224之間’係形成有由 透光性材料所成的中間層241、242、2U。 然後，在最上層的記錄層224之上’形成有由透光性 材料所成的保護層23。 將本實施形態的光記錄媒體20，設計成上述的大容量 光碟（BD，註冊商標）之構成的情況下’是採用了厚度約 -15- 201218198 1.1 mm，外徑約120 mm的圓盤狀之基板21。而且在其一面 側，例如在作爲搖擺凹軌的凹凸所被形成的面上，記錄層 221、222、223、224是介隔著由透光性材料所成之中間層 241、242、243而被形成。然後，在記錄層224之上，形成 有由透光性材料所成的保護層23，整體是被構成爲厚度 1.2mm。 在設計成上述的大容量光碟之構成的情況下，記錄用 光的入射側，係爲保護層23側。 光記錄媒體20之各層的材料或形成方法，係可和第1 實施形態的光記錄媒體1 〇相同。 亦即，作爲基板2 1的材料，可以使用例如聚碳酸酯樹 脂等。 言己錄層221、222、223、224係爲，含有Pd、0、Μ (M 係Ζη、A1、In、Sn之中的1或複數種元素），且所被含有 的〇係比使Μ完全氧化時的化學當量組成還多之構成。 中間層241、242、243之材料，係可使用例如紫外線 硬化樹脂等之光硬化性 '或熱硬化性之樹脂等。 在保護層23係可利用熱硬化性或光硬化性的樹脂材料 〇 又，雖然未圖示，但在保護層23的表面，亦可設置硬 包覆層。在該硬包覆層係可採用爲了提升機械性強度而混 入矽膠微粉末者’或用溶劑類型、無溶劑類型之紫外線硬 化樹脂。 又’雖然未圖示’但可和第l tf施形態的圖2所示同樣 -16- 201218198 地，在各記錄層221、222、223、224的下層及上層，設置 介電體層。 作爲該介電體層的材料，係可舉例如Ιη-0、Ζη-0、 Al-0、Sn-0、Ga-O、S i - Ο、T i - Ο、V - O、Cr-0、Nb-O、 Zr-0、Hf-0、Ta-0、Bi-0等氧化物。又，亦可利用SiN、 A IN等之氮化物、SiC等之碳化物。 然後，藉由記錄層221、222、223、224之下層的介電 體層的材料或厚度，可以控制記錄功率之範圍等特性。 又’藉由記錄層221、222、223、224之上層的介電體 層的材料或厚度，可以控制各記錄層的反射率。例如，在 上層的介電體層之材料中採用In-O，藉由改變上層的介電 體層之膜厚，就可改變各記錄層的反射率，上層介電體層 的膜厚越厚，則記錄層的反射率越低。 於本實施形態中，尤其是記錄層221、222、223、224 係爲，從基板2 1側朝記錄用光入射側，p d含有量是越來越 小0 、 亦即是構成爲，記錄層222的Pd含有量係小於記錄層 221的Pd含有量’記錄層223的Pd含有量係小於記錄層222 的Pd含有量’記錄層224的Pd含有量係小於記錄層223的Pd 含有量。 藉由如此改變Pd含有量，就可和第1實施形態的光記 錄媒體10同樣地大幅改變穿透率，而反射率係沒有這麼大 幅地改變，吸收係可大幅改變。 如前述，在選定各記錄層之上層介電體層的膜厚，來 -17- 201218198 使從光入射側觀看之4層記錄層221、222、223、224的反 射率一致的情況下，4層記錄層之構成（組成及膜厚）爲 相同時，各記錄層的最佳記錄功率會產生差異。例如，若 將記錄層的上層之介電體層的膜厚，設計成從基板21側往 光入射側越來越厚，則可使從光入射側觀看的4層記錄層 22 1、222、223、224的反射率呈一致。此時，基板21側的 L0之記錄層221的記錄感度係變低。 相對於此，若增加該L0之記錄層221的Pd含有量，則 可提高吸收，記錄感度也可被改善。又，若提高L3之記錄 層224的穿透率，則該記錄層224的記錄感度會下降，但由 於對下層的記錄層221、222、223係有較多的光進入，因 此可認爲對於這些下層之記錄層221、222、2 23的記錄感 度改善，也是有效果的。 藉此，就可彌補各記錄層221、222、223、2 24的最佳 記錄功率的差異’將各記錄層221、222、223、224的最佳 記錄功率，設成相近的値。 若依據上述本實施形態的光記錄媒體20之構成，則記 錄層221、222、223、224係被構成爲，從基板21側越往記 錄用光入射側，Pd含有量會越少。 藉此，由於從基板2 1側越往記錄用光入射側，Pd含有 量會越少，因此光的吸收會減少，穿透率會變高。藉此， 雖然P d含有量較小（少）的層的記錄感度會減少’但這部 分換來的是，入射側之相反側的記錄層的記錄感度增大° 因此，藉由反射率的一致，就可補償一部分記錄層（ -18- 201218198 尤其是靠近於光入射側之相反側的L0之記錄層221)的記 錄感度的降低部分。 又，藉由改變記錄層的Pd含有量，就可改變記錄層的 穿透率。 若依據本實施形態的光記錄媒體2〇之構成’則可如此 改變各記錄層221、222、223、224的Pd含有量’以改變各 記錄層221、222、223、224的穿透率或記錄感度。藉此’ 除了可控制各記錄層221、222、223、224的穿透率、記錄 感度，還可實現良好的記錄特性。 因此，就可實現記錄特性良好的由4層記錄層所成之 光記錄媒體20。 < 3 .第3實施形態> 本發明之光記錄媒體的第3實施形態的槪略構成圖（ 剖面圖），示於圖4。 該光記錄媒體30，係圖示了將記錄層設計成n層（η係 爲5以上的任意自然數）時的光記錄媒體3 0之構成。 本實施形態的光記錄媒體30中，在基板31上，和第1 實施形態及第2實施形態同樣地，形成有作爲搖擺凹軌的 凹凸。然後’在該凹凸形成面之上，從基板3 1側依序有記 錄層 321(L0) ' 322 ( LI ) 、323 (L2) 、324 (L3)、 • ..、3211([11)，是介隔著中間層341、342、343、. ♦ ·、34η而被形成。最上層的記錄層32n ( Ln )之上，形 成有保護層33。 -19- 201218198 此情況下也是，若設計成前述之大容量光碟之構成， 則將基板31之厚度或外徑、保護層33之厚度，設成和圖1 所示的第1實施形態相同之構成。 於本實施形態中，構成光記錄媒體30的各層之材料， 係可和前述的第1實施形態及第2實施形態的光記錄媒體1 0 、2 0相同。 於本實施形態中，尤其是記錄層321、322、323、324 .....32η係爲，從基板31側朝記錄用光入射側，Pd 含有量是越來越大。亦即，從記錄用光入射側的相反側起 算，第k個（k係爲2以上且η以下的自然數）記錄層的Pd含 有量，係小於第k-Ι個記錄層中的Pd含有量之構成。 藉由如此改變Pd含有量，就可和第1實施形態的光記 錄媒體1 〇同樣地大幅改變穿透率，而反射率係沒有這麼大 幅地改變，吸收係可大幅改變。 如前述，在選定各記錄層之上層介電體層的膜厚，來 使從光入射側觀看之η層記錄層（321〜32η)的反射率一 致的情況下，η層記錄層之構成（組成及膜厚）爲相同時 ，各記錄層的最佳記錄功率會產生差異。 例如，第k個（k係爲2以上之自然數）記錄層中所被 設置的上層之介電體層的厚度，是比被設在第k-Ι個記錄 層的上層之介電體層的厚度還厚，將記錄層的上層之介電 體層的膜厚，設計成從基板3 1側往光入射側越來越厚。若 爲如此構成，則可使從光入射側觀看的η層記錄層（3 2 1〜 3 2η )的反射率呈一致。此時’靠近基板3 1側的記錄層（ -20- 201218198 L0之記錄層321等）的記錄感度係變低。 相對於此，若增加該靠近基板31側的記錄層之Pd含有 量，則可提高吸收，記錄感度也可被改善。又’若提高光 入射側之記錄層（Ln之記錄層32η等）的穿透率’則該記 錄層的記錄感度會下降，但由於對下層的記錄層係有較多 的光進入，因此可認爲對於這些下層之記錄層的記錄感度 改善，也是有效果的。 藉此，就可彌補各記錄層（321〜32η )的最佳記錄功 率的差異，將各記錄層（321〜32η)的最佳記錄功率，設 成相近的値。 若依據上述本實施形態的光記錄媒體3 0之構成，則記 錄層321〜32η係被構成爲，從基板31側越往記錄用光入射 側，Pd含有量會越少。亦即，從記錄用光入射側之相反側 的基板31側起算，第k個（k係爲2以上且η以下的自然數） 記錄層的Pd含有量，係小於第k-Ι個記錄層中的Pd含有量 之構成。 藉此，由於從基板31側越往記錄用光入射側，Pd含有 量會越少，因此光的吸收會減少，穿透率會變高。藉此， 雖然Pd含有量較小（少）的層的記錄感度會減少，但這部 分換來的是，入射側之相反側的記錄層的記錄感度增大。 因此，藉由反射率的一致，就可補償一部分記錄層（ 尤其是靠近於光入射側之相反側的L0之記錄層3 2 1等）的 記錄感度的降低部分。 又，藉由改變記錄層的Pd含有量，就可改變記錄層的 -21 - 201218198 穿透率。 若依據本實施形態的光記錄媒體3 0之構成，則可如此 改變各記錄層321〜32η的Pd含有量，以改變各記錄層321 〜32η的穿透率或記錄感度。藉此，除了可控制各記錄層 32 1〜32η的穿透率、記錄感度，還可實現良好的記錄特性 〇 因此，就可實現記錄特性良好的由η層記錄層所成之 光記錄媒體3 0。 在上述個實施形態中，雖然分別展示了將記錄層設計 成3層（η = 3 ) 、4層（η = 4 ) 、η層（η 2 5 )的情形，但本 發明係當記錄層設計成2層（η = 2 )時，也可同樣地適用。 又，在上述各實施形態中，是和前述的大容量光碟之 構成同樣地，構成爲從與基板相反的一側，入射記錄用的 光。本發明係也包含從基板側入射記錄用光之構成。在該 構成的情況下，作爲讓記錄用光充分穿透過基板的構成， 各記錄層的Pd含有量之大小，係和上述實施形態相反，是 將基板側的記錄層的Pd含有量設的較小。 又，相對於記錄層而設在下層或上層的介電體層，係 設在記錄層的下層及上層較爲理想，但在本發明中，亦可 爲在記錄層的下層或上層之任一方設置介電體層之構成， 或不對記錄層設置介電體層之構成。 又，在上述個K施形態中，是將所有的記錄層，都設 計成含有Pd、Ο、Μ的記錄層之構成。 在本發明中亦包含，還具有其他構成之記錄層的光記 -22- 201218198 錄媒體。 例如，亦可還設置有，不含Pd的其他材料所成之記錄 層、僅凹凸與反射膜所構成的再生專用之記錄層等。其他 構成之記錄層的設置場所，係沒有特別限定，但若配置在 比含Pd的複數層之記錄層還要靠近基板側，則較容易設計 光記錄媒體的各記錄層之穿透率或反射率。 < 4.實驗例> 此處，實際製作第1賣施形態的光記錄媒體1 〇 '與記 錄層之構成有所不同的比較例之光記錄媒體，來測定記錄 層的穿透率或反射率、記錄功率感度。 (比較例） 作爲比較例，製作了記錄層之構成與第1實施形態的 光記錄媒體10不同，各記錄層121、122、123爲相同構成 的光記錄媒體。 作爲基板1 1是使用了外徑120mm、厚度1.1mm的原盤 形狀的聚碳酸酯樹脂。 將3層記錄層121、122、123，設計成膜厚40nm的Zn-Ιη-Ο-Pd膜（Zn : In = 5 : 5、（ Zn+ In) : Pd = 8 : 2)。 又，將記錄層的下層之介電體層151、152' 153，形 成爲膜厚l〇nm的Iri2〇3膜。 又，將記錄層的上層之介電體層161、162、163’以 Ιη203膜而形成之，並使各個膜厚x(nm)不同。具體而言 -23- 201218198 ，將L0之記錄層121的上層之介電體層161的膜厚設成5 nm ，將L1之記錄層122的上層之介電體層162的膜厚設成20nm ，將L2之記錄層123的上層之介電體層163的膜厚設成35 nm 〇 作爲中間層1 4 1、1 42 ’係使用了聚丙烯酸系的紫外線 硬化性樹脂。 在最上層的記錄層123之上，藉由聚丙烯酸系的紫外 線硬化性樹脂，形成了保護層1 3。 各記錄層及其上下的介電體層，係以濺鍍法來形成。 又，中間層及保護層，係以旋轉塗佈法來形成。 其他係和第1實施形態的光記錄媒體1 〇同樣地，製作 比較例的光記錄媒體。 接著，測定該比較例的光記錄媒體的各記錄層1 2 1、 122、123的穿透率及反射率。 各記錄層121、122、123的穿透率，係不因上層之介 電體層161、162、163的厚度而有所不同，係大致爲55 %而 爲一定。 又，反射率係爲，L0之記錄層121是10% ' L1之記錄 層122是5.5%、L2之記錄層123是3%，從光入射側觀看的 總體之反射率，係3層記錄層121、122、123都成功地調整 一致成爲3 %。 接著，測定比較例的光記錄媒體的各記錄層的記錄功 率感度，發現如下記有產生很大的差異。

L〇之記錄層121 :最佳記錄功率 20.1mW -24- 201218198

L1之記錄層122 :最佳記錄功率 10.9mW L2之記錄層123 :最佳記錄功率 6.0mW 如此’雖然在各記錄層成功地獲得反射率的平衡，但 記錄功率感度的平衡卻變差了。 (實施例） 作爲實施例，製作了如圖1及圖2所示的第1實施形態 之光記錄媒體1 〇。 作爲基板11是使用了厚度1.1mm的原盤形狀的聚碳酸 酯樹脂。 將3層記錄層121、122、123，設計成膜厚40nm的Zn-Ιη-Ο-Pd膜，3層記錄層121、122、123之組成係特別使Pd 含有量不同。具體而言係爲以下之組成。 L0之記錄層 121 Zn : In = 5 : 5、（ Zn+ In) ： Pd = 5 ： 5 L1 之記錄層 122 Zn ： In = 5 ： 5 ' ( Zn + In ) · Pd = 8 ： 2 L2之言己錄層 123 Zn ： In = 5 ： 5 ' ( Zn+ In ) ： Pd = 9 ： 1 又，將記錄層的下層之介電體層151、152、153，形 成爲膜厚10nm的Ιη203膜》 又，將記錄層的上層之介電體層161、162、163’以 Ιη203膜而形成之，並使各個膜厚x(nm)不同。具體而言 ，將L0之記錄層121的上層之介電體層161的膜厚設成5 nm ，將L1之記錄層122的上層之介電體層162的膜厚設成20nm ，將L2之記錄層123的上層之介電體層163的膜厚設成35 nm -25- 201218198 作爲中間層141、142，係使用了聚丙烯酸系的紫外線 硬化性樹脂。 在最上層的記錄層123之上，藉由聚丙烯酸系的紫外 線硬化性樹脂，形成了保護層1 3。 各記錄層及其上下的介電體層，係以濺鑛法來形成。 又，中間層及保護層，係以旋轉塗佈法來形成。 如此一來，就製作了實施例的光記錄媒體10。 接著，測定該實施例的光記錄媒體10的各記錄層121 、122、123的穿透率及反射率、和最佳記錄功率。測定結 果係如以下。

L0之記錄層121 :穿透率32%、反射率3%、最佳記錄 功率1 0.9 m W

L1之記錄層122:穿透率55%、反射率3%、最佳記錄 功率8.0mW

L2之記錄層123 :穿透率75%、反射率3%、最佳記錄 功率9.0 m W 如此，各記錄層的反射率之平衡與記錄感度之平衡， 接可獲得良好的結果。 因此，作爲本發明的光記錄媒體之構成，可知藉由控 制多層光記錄媒體的各記錄層的Pd含有量，以控制反射率 及記錄感度之雙方，就可使各記錄層的平衡達到最佳化。 本發明的光記錄媒體，雖然可爲一般的光記錄媒體所 採用的碟片形狀，但亦可設計成卡片形狀等其他形狀。 本發明係不限定於上述的W施形態，在不脫離本發明 -26- 201218198 之宗旨的範圍內，可以採取其他各式各樣的構成。 【圖式簡單說明】 〔圖1〕本發明之光記錄媒體的第1實施形態的槪略構 成圖（剖面圖）。 〔圖2〕圖1之光記錄媒體之要部的放大剖面圖。 〔圖3〕本發明之光記錄媒體的第2實施形態的槪略構 成圖（剖面圖）。 〔圖4〕本發明之光記錄媒體的第3實施形態的槪略構 成圖（剖面圖）。 【主要元件符號說明】 10、20、30 ’·光記錄媒體 1 1、21、3 1 :基板 121 、 122 、 123 、 221 、 222 、 223 、 224 、 321 、 322 、 323、324、32η :記錄層 13、23、33 :保護層 141、 142、 241、 242、 243、 341、 342、 343 ：中間層 151、152、153 :(下層）介電體層 161、162、163 :(上層）介電體層 -27-

Claims (1)

1. 201218198 七、申請專利範圍： 1. 一種光記錄媒體，其特徵爲， 具有： 基板；和 2層以上之記錄層，其係含有Pd、Ο、Μ ( Μ係Zn、A1 、In、Sn之中的1或複數種元素），且所被含有的0係比使 Μ完全氧化時（ΖηΟ、ΑΙ2Ο3、In2〇3、Sn02)的化學當量 組成還多； 2層以上之前記記錄層當中，從記錄用光入射側的相 反側起算，第！!個（n係爲2以上的自然數）記錄層的Pd含 有量，係小於第n.l個記錄層中的Pd含有量。 2 ·如請求項1所記載之光記錄媒體，其中，相鄰於前 記記錄層而設置有，由In、Zn、Al、Sn、Ga、Si、Ti、V 、（:r、Nb、Zr ' Hf、Ta、Bi之至少一者的氧化物、或SiN 、AIN、SiC之至少一種材料所成的介電體層。 3.如請求項2所記載之光記錄媒體，其中，前記介電 體層係被設在前記記錄層的至少前記記錄用光之入射側， 被設在前記記錄層的前記記錄用光之入射側的介電體層係 爲，被設在前記第η個記錄層的介電體層之厚度，是比被 設在前記第η·1個記錄層的介電體層之厚度還厚。 4 ·如請求項1所記載之光記錄媒體，其中，前記記錄 用光之入射側，係與前記基板爲相反側。 -28-