TW201209998A - Integrated circuit with finFETs and MIM fin capacitor - Google Patents

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Description

201209998 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體結構及其製造方法，尤其係關於 具有鰭式場效電晶體(finFET)及金屬-絕緣-金屬（MIM)鳍 式電容的積體電路及其製造方法。 【先前技術】 隨著積體電路持續縮小尺寸，finFET (鰭式場效電晶 體)成為供吸引較小節點使用的引人注目裝置，例如22 nm (含)以上的節點。在finFET内，由半導體鰭片形成通道， 並且閘極電極位於該鰭片的至少兩邊上。由於finFET内 完全空乏的有利特徵，其上閘極電極控制該finFET的通 道之側邊數量增加’相較於板式（planar)金氧半導體場 效電晶體（metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET)，finFET提高通道控制能力。改善 的通道控制容許具有較短通道效應的較小裝置尺寸，以及 能夠以高速切換的較大電流。fi n F E T裝置一般具有較快的 切換時間、相等或較高的電流密度，且比運用類似關鍵尺 寸的板式互補金屬氧化物半導體（C〇mplementary metal-oxide-semiconductor ’ CMOS)技術更佳之短通道控 f'J ° — · 針對可實行的finFET技術，必須要建構具有不同操 作電壓與臨界電壓的裝置。例如：電路設計可能需要製造 於相同晶片上，以第一電壓運作的I/O裝置以及以第二不 •同電壓運作的高效能邏輯裝置。此外，晶片可包括具有不 201209998 ^臨界電壓(Vt)的裝置，以便符合設計的許多效能及/或功 率需求。 再者，晶片上（〇n-chip )電容常用來當成解耦合電容， 卬制電源雜訊。板式金屬-絕緣_金屬（MIM)電容受到每 2低靜電容量的困擾，式金屬氧化物半導體(flnMOS) I容展現出比板式MIM電容還要好的單位面積靜電容 :，不過傳統鰭式MOS電容則由於窄半導體韓片的高阻 柷而效能不彰。 因此，本技術存在對於克服上述缺陷與限制之需求。 【發明内容】 - 在本發明的第-態制’說明—難造半導體結構的 一法4方法包括形成包括一第一介電質與一第一導體的 :第-韓式場效電晶體；形成包括—第二介電質與一第二 ί體的Γ第二韓式場效電晶體；以及形成包括該第一導 體、該第二介電質與該第二導體的一鰭式電容。 、在本發明的另―態樣内，說明—種製造半導體結構的 方法I該方法包含：在"'基板上形成半導體材料的一第 =二ΐ 一ί第三鰭片；在該第鳍片上形成包括-第-介 電u -導體的—第—鰭式場效電晶體；在該第一籍 :上形成包括—第二介電質與一第二導體的一第二縛式 ，效電’以及在該第三鰭片上形成包括該第一導體、 。亥第-；丨電質與㈣二導體的—鰭式電容。該第—加· 201209998 具有一第一臨界電壓，並且該第二finFET具有與該第一 臨界電壓不同的一第二臨界電壓。 在本發明的又另一態樣内，說明一種製造半導體結構 ，方法。該方法包含：在-第―鰭片、—第二_片和二第 三鰭=上形成一第一介電層；在該第一鰭片、該第二鰭片 和該第二鰭片之上的該第一介電層上形成一第一導體 層，以及從該第三鰭片之上移除該第一介電質與該第一導 體。该方法也包括：在該第一鰭片、該第二鰭片和該第三 鯖片亡形成-第二介電層；在該第—則、該第二鰭片^ 該第三鰭片上形成一第二導體層；以及從該第一鰭片之上 移除該第二介電質與該第二導體。 〜 根據本發明的另一態樣，其中一半導體結構包括：一 第- finFET’其包括-第—介電層的—部分以及 體層的-部分；一第二finFET，其包括一第二介電層的一 部分以及:第二導體層的—部分；以及—鰭式電容，其 括該第-導體層的另-部分、該第二介電層的另一部分以 及該第二導體層的另一部分。 【實施方式】_ 本發明侧解導魏構及錢造方法 具有韓式場效電晶體(fmFET)及腦韓式電容的^ = = 發明的態樣，提供一種在相同積 體電路曰曰片上形成具有不同臨界電壓（Vt)的多個 以及-或多個金屬·絕緣·金屬(ΜΪΜ)縛式電容之方法。在 201209998 具體實施例内’使用finFET處理（製造)流程同時形 MIM縛式電容，導致該等職鳍式電容大體上 = 費額外的製程步驟成本。 要化 根據本發明的另一態樣，在鰭片上形成該等 式電容，導致與傳統板式MIM電容相較之下單位面^ 靜電容量增加。此外，由於與鰭式M〇s電容内使用的^ 導體鰭片比較起來具有較低的金屬層阻抗，因此本發 體實施例的該等MIM鰭式電容比起鰭式M〇s電容星由、 在具體實施例内，晶片上同時形成至少兩個finFET 以及至少一個MIM鰭式電容。根據本發明的態樣，第— finFET包括位於一第一鰭片上的一第一介電質與一第一 導體、第二finFET包括位於一第二鰭片上的一第二介電 質與一第二導體；以及MIM鰭式電容包括形成於一第三 鰭片上的該第一導體、該第二介電質與該第二導體。 圖1-7、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖1〇、圖ha 和圖11B顯示關於根據本發明態樣形成半導體裝置的製 私步驟與結構。如圖丨.所描述，在基板2Q上面的絕緣層 15上幵/成至少二個歸片1 〇a_c。鰭片1 可包括例如使 用傳統半導體製程技術在絕緣層15上形成之矽塊體或任 何其他合適的半導體材料。在具體實施例内，絕緣層15 包括以任何所要傳統方式形成於基板20上面的埋入氧化 物(buried oxide，BOX)層。在具體實施例内，每一铸片1〇a c 201209998 =有大約30mn的長度以及大約15聰的寬度；不過， ^發明並不限跋這些值，並且可在本發明祕内使用且 ^何合適尺寸再者，可使_過三鋪片來形 成超過本說明書所述任何所要的裝置數量。 如圖2内所描述’在鰭片1加_(；與絕緣層15所露出的 上表面之上形成第一介電層25。在具體實施例内，第一介 電質25包括高k值介電質，像是使用化學氣相沉積 (chemical vapor deposition，CVD)形成的氧化铪。不過， 本發明並不限定於使用氧化給，並且第一介電質25可由 包括但不限定於下列的其他材料所構成：氧化矽、氮化 矽、氮氧化矽、高k係數材料或這些材料的任意組合。高 k係數材料的範例包括但不限定於金屬氧化物，像是氧化 給（IV)(hafnium oxide)、铪矽氧化物（hafnium silic〇n oxide)、給石夕氮氧化物(hafnium silicon oxynitride)、氧化鑭 (III)(lanthanum oxide)、鑭鋁氧化物（ianthammi aluminum oxide)、氧化結（IV)(zirconium oxide)、結石夕氧化物 (zirconium silicon oxide)、結碎氮氧化物(zirconium silicon oxynitride)、氧化钽（tantalum oxide)、氧化鈦（titanium oxide)、鎖錄欽氣化物（barium strontium titanium oxide)、 ..鋇鉞氧化物(bariup titanium oxide)、錄銖氧化物(strontium titanium oxide)、氧化釔（III)(yttrium oxide)、氧化鋁 (aluminum oxide)、錯筑钽氧化物(leaid scandium tantalum oxide)、銳酸錯鋅(lead zinc niobate)。該高k係數材料可另 包括摻雜物，像是鑭、鋁等。 201209998 此外，雖然描述使用CVD形成第一介電質25 ’不過 也可用任何合適的製程形成第一介電質25 ’例如：熱氧 化、化學氧化、熱氮化、原子層沉積（atomic layer deposition ’ ALD)、分子層沉積(molecular layer deposition， MLD)、化學氣相沉積（CVD)、低壓化學氣相沉積 (low-pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、電聚輔 助化學氣相沉積（plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、高密度電聚也學氣相沉積（high density plasma chemical vapor deposition，HDPCVD)、次 大氣化學氣相沉積（sub-atmospheric chemical vapor deposition，SACVD)、快速熱化學氣相沉積(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、臨場激化輔助沉積 (in-situ radical assisted deposition)、高溫氧化沉積（high temperature oxide deposition，HTO)、低溫氧化沉積（low temperature oxide deposition，LTO)、臭氧/TEOS 沉積、有 限的反應處理 CVD (limited reaction processing CVD， LRPCVD)、超南真空化學氣相沉積（ultrahigh vacuum chemical vapor deposition，UHVCVD)、有機金屬化學氣相 沉積(metalorganic chemical vapor deposition，MOCVD)、 分子束磊晶術(molecular beam epitaxy，MBE)、物理氣相 沉積、濺錢、電鑛、蒸鑛、旋轉塗佈、離子束沉積、電子 束沉積、雷射輔助沉積、化學溶液沉積或上述任何組合。 根據本發明的態樣’第一介電質25當成第一 finFET 的閘極介電質。如此，第一介電質25的厚度與材料成份 會影響第一 finFET的操作特性(例如臨界電壓等）。在具體 201209998 實施例内，第一介電質25具有大約ι〇埃至大約5〇埃的 厚度；不過，本發明並不限定於這些值，並且在本發明範 疇内可使用任何合適的厚度。 如圖3所描述，在第一介電質25上形成第一導體層 30。在具體實施例内，第一導體3〇包括利用CVD沉積二 氮化鈦(TiN)。不過，本發明並不限定於使用氮化鈦，並且 第-導體3G可由包括但不限定於下列的其他材料所構 成：多晶矽或非晶矽、鍺、矽鍺、金屬（如鎢、鈦、钽、 釕、錯、銘、銅、銘、斜、翻、錫、銀、金）、導電金屬 複合材料（例如氮化钽(III)、氤化鈦(111)、矽化鎢、氮化 鎢、氧化釕、矽化鈷、矽化鎳）、碳納米管、傳導性碳 這些材料的任意合_組合。該導電材料可另包括沉積期 間或沉積之後併入之摻雜物。再者，第—導體3G 限 體：形成，而是可用上述任何合適的製程來形 根據本發明的態樣’第-導體30當成第—finFE 閘極導體。在具體實施例内’第一導體3〇具有大 至大約議埃的厚度；不過，本發明並不限定於這些值、 並且在本發明範_内可使用任何合適的厚度。 如圖4内所描述，在對應至該第一 finFET的 如鰭片10a)以及對應至該電容的韓片（例如 ^ 的第-導體30上形成遮罩35。遮罩35 = 罩，像是❹傳統半導體製造技術所形成與 阻材枓或硬遮罩(例如氧化物、氮化物等）。根據本發明態 201209998 樣，遮罩35經.過圖案製作，如此不會覆蓋對應至第二 fmFET的鰭片（例如鰭片i〇c)。根據本發明的另一態樣， 遮罩35經過圖案製作，如此在該第一 finFET的鰭片1〇& 與該電容的鰭片i〇b之間不連續，藉此在該第一 finFET 與該電容之間露出一部分第一導體3〇。 + W …"、不―守脰川興第一介電質25的 ，蔽部分，之後移除該遮罩。根據本發明的態樣，此移 =致第-導體3G與第-介電f 25從該第二祕町的 -、曰片l〇c移除，並且也導致在該第一 間的第-導體30與第—介電曾”二„谷之 體實施例内，使用不同心H内形成不連續性。在具 一介電皙25沾去λ 〇的蝕刻製程移除第一導體3〇與第 鈦時，使用含過例如：第一導體30包括氮化 鈦。再者，第一介電皙^虱的濕式蝕刻溶液來移除氮化 結合濕式钱刻來 ^包括氧化給時，使用離子撞擊 指定材料去除製’、虱化铪。不過本發明並不限定於這些 第—介電質25可使用任何合適的方法。例; ，谷液來移除氧化矽。矽時，使用含氫氟酸的濕式蝕刻 如圖ό内所妗 ^形成第二介電^ m半導體結構_露出上表面之 -導體層45。在 ，在第二介電質4G之上形成 法沉積的換雜鑭的氧體例内，第二介電質⑼由以CVD ^沉積的氮化敎構成’。構成’並且第二導體45由用 趣冗積製程，而是可用：,：本發明並不限定於這些 用像疋上述任何合適的材料愈製 201209998 ΐ來ί成第二介電f 4Q和第二導體45 °在具體實施例 内’第一介電質40當成該第二finFET的閘極介電質，並 且第二導體45當成該第二fhlFET的閘極導體。因此在本 發明的實施當中，第二介電質40與第二導體牦中至少一 者的厚度及/或材料可_選擇，續錢第二μετ内 添加所要的裝置特性(例如臨界電壓等）。 如圖7所描述，在第 iintET的鰭片與電容的 韓片l〇b之上形成遮罩5〇。遮罩5〇可用與上述遮罩％ 相似的方式形成。形成遮罩5〇,如此不會覆蓋與該電容相 關聯的整個第-導體3〇。如此，可在後續步驟内露出該電 容的第-導體3G-部分，本說明書内有更詳細描述。 如，8A所描述’移除第二導體45與第二介電質4〇 的未遮㈣分’之後移除鮮5〇。在具體實闕内，使用 個別餘刻製程’用類似於上述有關移除第—導體3〇虚第 -介電質25#未遮蔽部分之方式，移除第二導體衫與第 二介電質40的未遮蔽部分。在具體實施例内，從第一 finFET 60a完全移除第二導體45和第二介電質4〇。另外， 從電容65移除第二導體45和第二介電質4〇的一部分。 圖8B為對應於圖8A的由上而下視圖，描述第一導 體30與第一導體45個別覆蓋含韓片i〇a的第一 finFET 60a之Εΐ域、含韓片l〇c的第__ finFET 60b之區域以及含 鰭片10b的電容65之區域。如圖8B以及上面所描述，從 該電容移除第二導體45與第二介電質4〇的一部分，以露 201209998 出部分第—導體3G。這導致該電容具有已暴露第-導體 30的第-接觸區5〇a以及已暴露第二導體45的第二接觸 區 50b。 如圖9A和圖9B内所描述，第一和第二finFET術 60b、、！過處理，分別形成這些裝置的間極與接點。圖 H於圖9A的由上而下視圖。在具體實施例内，在第 f ^二fhlFET上形成多晶石夕層55，之後在每一個別 m 上製作多晶矽55、第一導體30、第二導體45、第 二，質25和第一介電質4〇的圖案，以在每一跡灯 ：，極％。在第一和第二finFET上可同時形成閘極 4外，利用在鰭片1〇3和l〇c内執行離子植入，可在 一和第二fmFET内形成源極與汲極區57。再者，在第 二和第二finFET的所要位置(例如用於接觸的位置)上可 ^成石夕化物區58。使祕統半導體製程技術可形成閘極 、源極與汲極區57以及矽化物區58。 所造成的結構包括：一第一 finFET60a，其中第一介 電質25為一閘極介電質以及第一導體3〇為—閘極^ 列^。閘極金屬）；一第二finFET60b，其中第二介電質4〇 ς :閘極介電質以及第二導體4 5為一閘極導體(例如閘極 第f 及一 ΜΙΜ鰭式電容65，其中第一導體3〇為一 省:電容導體、第二介電質40為該電容介電質以及第二 ，為該第二電容導體。如此，本發明的實施提供^ ;同時在晶片上形成至少兩個finFET以及至少—個μ、ιμ '兒各’其中s亥]VIIM縛式電容包括與每一個別ηηρΕτ 12 201209998 共同的材料。 如圖8A、圖8B、圖9A和圖9B内所示，第一 finFET 60a、第二finFET 60b以及電容65全都彼此隔離。例如所 示’由裝置之間的隔離間隙69所隔離。隔離間隙69代 個別層（例如25、30、40和45)之間的不連續，如此該 裝置不會透過這些層而彼此電連接。 如圖10内所描述，整個結構上都可形成介電層％ ί且在該介電層内可形成導電接點75,以便提供電^仏 f - fmFET 60a、第二finFET 6〇b和電容65的個別部接二 ==導體製簡術可軸介電層7()和接點75。刀接 ‘，、β為任何合適的材料，包括但不限定於銅、鶴等。 樣，使和f 11Β⑽示’並^根據本發明的另一態 為對應於圖MIM 容° ®11Β 多層沉積通料多則以H圖。除了形成電容65的許 該等處理步驟iitii上片1Gb、1Gd和10e， 所描逑的知η ，、上这圖1Α和圖1Β至圖1〇Α和10Β ❹具體實施_，在肖_ Hf Μ 咖和1〇^可:增加靜電容量。雖然顯示三個則鳩、 反之，可用本明並不限定於任何特^則數量，
•鳍式電容65。内任何所要則數量來形成 MIM 過電容65的雜二餘個別裝置之間呈現隔離間隙69 ;不 的讀個鰭片之間並無這種間隙。 201209998 根據本發明的態樣，利用適 -導體、第二介電質和第二導體的第第 ϋ Z特在具體實施_，該第 -導體由盘；第"一質不同的材料所構成，及/或該第 導體由與該第—導體不同的材 介電質可由氧化銓構成，而M W如1弟 於认^ 7驭而忒第—介電質可由摻雜鑭的氧 :如同的閘極介電質材料，所以該等 A 一 m T具有不.同閘極堆疊，因此具有不同的 如界電壓。因此在本發明的實施當中，可在相同晶片上形 成具有不同裝置特性的兩個finFET。 根據本發明的另一態樣，該第-介電質與該第二介電 質的個別厚度可經過選擇，以便在該電容内產生特定特 性。在特定具體實施例内，該第一介電質厚度大約是該第 二介電質厚度的大約1.5至2.0倍，導致高密度 MIM鰭式 電容。在另一具體實施例内，該第二介電質厚度大約是該 第一介電質厚度的大約1.5至2.0倍，導致低功率MIM鰭 式電容。因此在本發明的實施當中，利用選擇性形成不同 厚度的該第一和第二介電質，來構造該MIM鰭式電容的 操作特性。 圖12為半導體設計、製造及/或測試當中所使用的設 計處理流程圖。圖12顯示例如在半導體積體電路 (integrated circuit ’ 1C)邏輯設計、模擬、測試、佈署以及 製造中所使用的示範設計流程900之方塊圖。設計流程 900包括用於處理設計結構或裝置，來產生上述以及圖 14 201209998 1-7、圖 8A、圖 8B、圖 9A、闻 11B内所示設計結構及/或心 圖1〇、圖11A和圖 表之處理 '機器及/或機制。他功能等同代 生的=結構可用機器可讀取及= 路、裝置衫_賴上、結構上 2 = :=及/或指令。機器包括但不限二= rur可機15 ’像是設計、製造或模擬電路、部件、 I置3系、、先。例如機器可包括：微影蝕刻機器、產生遮罩 的機器及/或設備(例如電子束直寫機(ebeam writer))、模 擬設計結_電腦或設備、祕製造或職處理的任何裝 置，或用於將設計結構的等功能代表程式編輯進入任何媒 體之任何機器（例如用於程式編輯可程式閘道陣列的 器）。 設計流程900可根據所設計的代表類型而變，例如： 建立特殊應用積體電路(application specific 1C，ASIC)的設 計流程900與設計標準部件的設計流程poo不同，或與將 設計實現成可程式編輯陣列，例如Altera® Inc.或Xilinx® Inc.供應的可程式編輯閘陣列(programmable gate array ? PGA)或場可程式編輯閘陣列（fiyd programmable gate array ’ FPGA)的設計流程900不同。 圖12例示多種這樣的設計結構，包括較佳由設計處 理910處理的輸入設計結構920。設計結構920可為由設 計處理910所產生並處理的邏輯模擬設計結構，來產生硬 15 201209998 體裝置的邏輯同功能代表。設計結構920也可或另外包括 由設計處理910處理時，產生硬體裝置實體結構的功能代 表之資料及/或程式指令。雖然代表功能及/或結構設計特 徵’不過利用核心程式設計師所實施的電子電腦輔助設計 (electronic computer-aided design，ECAD)可產生設計結構 920。設計結構920在機器可讀取資料傳輸、閘陣列或儲 存媒體上編碼後’可由設計處理910内一或多個硬體及/ 或軟體模組存取與處理，來模擬或功能代表電子部件、電 路、電子或邏輯模組、設備、裝置或系統，像是圖1-7、 圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖10、圖11A和圖11B 内所示。如此，設計結構920可包含檔案或其他資料結構， 其包含由設計或模擬資料處理系統處理時之人及/或機器 可讀取原始碼、編譯過的結構與鼋腦可執行程式碼結構， 功能模擬或代表電路或者其他硬體邏輯設計位準。這種資 料結構可包括硬體福述語言（hardware-descripti〇n language ’ HDL)設計實體或符合及/或相容於像是Veril〇g 和VHDL這類低階HDL設計語言，及/或像是c或〇Η· 這類高階設計語言的其他資料結構。
設計處理910較佳運用以及合併用於合成、轉譯或處 _理圖1-7、.圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖1〇、圖UA 和圖11B内所示部件、電路、裝置或邏輯結構的設計增 擬等功能之硬體及/或軟職組，以產生时像纽計結構 920這類設計口結構的網路& _。網路表_可包括例如 代表配線清單、分散部件、邏輯閘、控制電路、1/〇裝置、 型式等，說明在積體電路設計中對其他元件與電路的連接 16 201209998 之已編譯或已處理的資料結構。 路表980根據裝置的設計規袼與參數網 反覆處理來合成。如此處所述 口成或夕-人之 表_可記錄在機器可讀取資结構類型，網路 :入可程，編輯閘陣列内。該媒體;為夂二= 可透過網際網路或其他=適方 括網體可二處二許多4,構類型(包 , 、釈體杈組。這種資料結構類型可仞 ί 庫元件93G内並且包括—組常用元件、電路和 " '用於已知製造技術(例如不同技術節點、32nm、 4 nm、90 nm等）的型式、設計與符號表示。資料結 =可包括設計規格940、特徵資料950、確認資料960、 C規^Φ970▲以及測試資料檔985，該檔可包括輸入測試 二、輸出測试結果以及其他測試資訊。設計處理则另 例如標準機械設計處理，像是應力分析、執分析、 =3擬4:操作處理模擬.’像是鑄填.、模造以及沖壓 ί 通機械設計技術的人士可瞭解，設計處理 發明械設計工具和應用的可能範圍並不偏離本 路設計處理’像是時機分析、確認、設計規則檢 與路徑操作等的模組。 地點 17 201209998 剂—處理91G運用並且合併像是HDL編譯ϋ與槿盤 里式建立工具賴賴與實體設計I具，將妹:: 和某^或全部描述的支援資料結外。了 計或資料(若適用)一起處理，以產生第二設 設計結構990以用於機械裝置與結構的 料格式(例如儲存在IGES、腳、pa聊町τ、 或其他適合用來儲存或呈現這種機械設計結構的任何合 適的格式）’位於儲存媒體或可程式編輯閘陣列内。設二 ^冓990類似於設計結構，較佳包括一或多個楷 $料結構或位於傳輸或資料儲存媒體内的其他電腦編碼 貢料或指令’在由ECAD系統處理過後，產生圖1-7、圖 8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖1〇、圖11A和圖UB内所 示一或多個本發明具體實施例之邏輯或功能等同樣式。在 一個具體貫施例内，設計結構990可包括功能上模擬圖 1-7、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖1〇、圖nA和圖 11B内所示裝置的已編譯、可執行之hdl模擬型式。 設計結構990也可運用用於積體電路設計資料交換的 資料格式及/或符號資料格式（例如以GDSII (GDS2)、 GL1、OASIS、地圖檔或其他適合用來儲存這種設計資料 結構的任何格式儲存的資訊）。設計結構990可包括一些 資訊’像是例如符號資料、地圖檔、測試資料檔、設計内 谷槽、製造資料、配置參數、線路、金屬位準、穿孔、形 狀、通過製造線的路徑資料以及製造商或其他程式設計師 18 201209998 生產上述以及圖1-7、圖8A、圖8B、圖9A、圖9B、圖 10、圖11A和圖11B内所示裝置或結構所需之任何其他資 料。然後設計結構990前往階段995 ’在此階段，例如設 計結構990試產(tape-out)、開始製造、送至外殼工廠、送 至其他設計中心、送回給客戶等。 如上述之該方法用於積體電路晶片的製造。結果積體 電路晶片可由製造廠以原始晶圓形式（也就是具有多個来 封裝晶片的单一晶圓）、當成裸晶粒或已封裝形式來散 佈。在後者案例中，晶片固定在單晶片封褒内（像是勉膠 載體’具有導線黏貼至主機板或其他更高層載體)或^定 在多晶片封裝内（像是一或兩表面都具有表面互連或内嵌 互連的陶瓷載體）。然後在任何案例中，晶片與其他晶片·；、 離散電路元件以及/或其他信號處理裝置整合成為(a)中間 產品，像是主機板，或(b)末端產品的一部分。末端產品可 為包括積體電路晶片的任何產品，範圍從玩且 = 應用到具有顯示器、鍵盤或其它輸入裝置以二中； 此處所使用的術語僅為說明特定具體實施例之用，並 非.用於限制本發明。如此處所像用，除非該上下 才曰示，否則該等單數形式「一」（a，an)和^ , 含 icomn * 瞭解 ’說明書中使用的(術;吾「包 二」ic〇mPnses及/或議__指明所陳述 、整 操作、元件及/或部件的存在，值是不排除還有 疋件、部件及/ 19 201209998 或其群組的存在或添加 項，作以及所有裝置或步驟的同等 含用來執糊，都包 結構、铋粗+ 4仏 〗主張的其他主張元件之任何 目的而呈現\ |/本發明的描述已經為了例示與描述的 ’但非要將本發料無義地 1 二 來最_本發=== 者瞭解例讓其他本技術之一般技術 攻二體貫施例都適合所考量之特定用 屮此，雖然本發明已藉由真體實施例做過說明，精通 ^的人士難了解到，在不,轉申請專利範圍的精 與乾疇下可對本發明進行修改。 【圖式簡單說明】 利用本發㈣祕體實施例的非限㈣例，參考提及 、複數個ϋ式，從上面詳細描述當中描述本發明。 圖U7、圖8Α、圖8Β、圖9Α、圖9Β、圖10、圖11Α 和圖11B !頁示關於本發明態樣的製程步驟與結構；以及 圖12為半導體設計、製造及/或測試當中所使用的設 計處理流程圖。 【主要元件符號說明】 10a-e鰭片 20 201209998 15 絕緣層 20 基板 25 .第一介電質 30 第一導體 35 遮罩 40 第二介電質 45 -第二導體 50 遮罩 50a 第一接觸區 50b 第二接觸區 55 多晶矽 56 •閘極 57 源極與沒極區 58 矽化物區 60a 第一 finFET 60b 第二 finFET 65 電容 69 隔離間隙 70 介電層 75 導電接點 900 設計流程 910 設計處理 920 輸入設計結構 930 程式庫元件 21 201209998 940 設計規格 950 特徵資料 960 確認資料 970 設計規則 980 網路表 985 測試資料檔 990 第二設計結構 995 階段

Claims (1)

  1. 201209998 七、申請專利範圍： 1. 一種製造一半導體結構之方法，包括： 形成包括一第一介電質與一第一導體的一第一鰭式場效 電晶體； 形成包括一第二介電質與一第二導體的一第二鰭式場效 電晶體；以及 形成包括該第一導體、該第二介電質與該第二導體的一鰭 式電容。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該形成一鰭式電容包 括： 使用該第一導體形成一第一電容導體； _ 使用該第二導體形成一第二電容導體；以及 使用該第二介電質形成一電容介電質，以及在該第一電容 導體與該第二電容導體之間形成該電容介電質。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，另包括： 同時在該第一 finFET和該鰭式電容内形成該第一導體；以 及 同時在該第二finFET和該鰭式電容内形成該第二導體。 - -- ·- -. - 4. 如申請專利範圍第1項之方法，另包括形成材料與該第二 介電質不同的該第一介電質，或形成具有一第一厚度的該第一 介電質與具有和該第一厚度不同的一第二厚度之該第二介電 質，並且其中該第一厚度比該第二厚度厚大約1.5至大約2倍， 23 201209998 或該第二厚度比該第一厚度厚大約1.5至大約2倍。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，另包括形成材料與該第二 導體不同的該第一導體。 6. 一種製造一半導體結構之方法，包括： 在一基板上形成半導體材料的一第一、第二和第三鰭片； 在該第一鰭片上形成包括一第一介電質與一第一導體的 一第一鰭式場效電晶體； 在該第一鰭片上形成包括一第二介電質與一第二導體的 一第二轉式場效電晶體，以及 在該第三鰭片上形成包括該第一導體、該第二介電質與該 第二導體的一鰭式電容， 其中該第一 finFET具有一第一臨界電壓，並且該第二 finFET具有與該第一臨界電壓不同的一第二臨界電壓。 7. 一種製造一半導體結構之方法，包括： 在一第一鰭片、一第二鰭片和一第三鰭片上形成一第一介 電層； 在該第一鰭片、該第二鰭片和該第三鰭片之上的該第一介 電層上形成一第一導體層； .從該第三鰭片之上移除該第一介電質與該第一導體； 在該第一鰭片、該第二鰭片和該第三鰭片上形成一第二介 電層； 在該第一鰭片、該第二鰭片和該第三鰭片上形成一第二導 24 201209998 體層；以及 從該第一鰭片之上移除該第二介電質與該第二導體。 8. 如申請專利範圍第7項之方法，另包括： 在該第一鰭片之上的該第一導體上以及在該第三鰭片的 該第二導體上形成多晶珍； 製作該多晶矽、該第一導體和該第一介電質的圖案，以在 該第一鰭片上形成一第一閘極； 製作該多晶矽、該第二導體和該第二介電質的圖案，以在 該第三鰭片上形成一第二閘極； 在該第一閘極與該第二閘極上形成閘極接點； -在該第一鰭片與該第三鰭片上形成源極/汲極接點； 在與該第二鰭片相鄰的該第一導體上形成至少一第一電 容接點；以及 在與該第二鰭片相鄰的該第二導體上形成至少一第二電 容接點。 9. 如申請專利範圍第7項之方法，另包括： 用一第一材料與一第一厚度形成該第一介電質； 用與該第一材料不同的一第二材料以及與該第一厚度不 同的一第二厚度形成該第二介電質； 用一第三材料形成該第一導體；以及 用與該第二材料不同的·一第四材料形成該第二導體。 10. 如申請專利範圍第7項之方法， 25 201209998 其中該從該第三鰭片之上移除該第一介電質與該第一導 體包括： 遮蔽該第一鰭片與該第二鰭片；以及 蝕刻該第三鰭片四周的一未遮蔽區；以及 其中從該第一鰭片之上移除該第二介電質與該第二導體 包括： 遮蔽該第二鰭片與該第三鰭片；以及 名虫刻該第一縛片四周的一未遮蔽區。 11.如申請專利範圍第7項之方法，另包括利用移除該第二導 體一部分與和該第二鰭片相鄰的該第二介電質一部分，露出與 該第二鰭片相鄰的該第一導體一部分，其中同時執行該移除該 第二導體一部分與和該第二鰭片相鄰的該第二介電質一部 分，以及該從該第一鰭片之上移除該第二介電質和該第二導 艘。 12. —種半導體結構，包括： 一第一 finFET，其包括一第一介電層的一部分以及一第一 導體層的一部分； 一第二flnFET，其包括一第二介電層的一部分以及一第二 導體層的一部分；以及 一鰭式電容，其包括該第一導體層的另一部分、該第二介 電層的另一部分以及該第二導體層的另一部分。 13. 如申請專利範圍第12項之結構，其中： 26 201209998 該第一介電質具有一第一厚度； 且該第二介電質具有一第二厚度；以及 下列其中之一：該第—厚度比該第二厚度厚大約1.5 i大 約2倍’或料二厚度比該第-厚度厚大約1.5至大約2倍。 14.如申請專利範圍第口項之結構，其中： 在-第-半導體轉片上形成該第一㈣et ; 在一第二半導體鰭片上形成該電容； 在一第二半導體鰭片上形成該第二finFET ; 該第-導體層的個別部分為該電容的—第—電容導體以 及該第-fmFET的—閘極導體； 及^第二導體層的個別部分為該電容的—第二電容導體以 及該第二fmFET的—閘極導體；以及 兮哲第〃電層的個別部分為該電容的-電容介電質以及 該第二fmFET的一閘極介電質。 !;莖如1請專概圍第12項之結構，其中該第-導體層由與 —哲體層不1料所構成’並且其+該第-fmFET具有 二—臨界電壓並且該第二finFET具有與該第—臨界電壓不 冋的一第二臨界電壓。 27
TW100117383A 2010-05-27 2011-05-18 具有鰭式場效電晶體（ｆｉｎｆｅｔ）及金屬－絕緣－金屬鰭式電容的積體電路 TWI538164B (zh)

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