TW201205615A - Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing solid electrolytic capacitor - Google Patents

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TW201205615A TW100104372A TW100104372A TW201205615A TW 201205615 A TW201205615 A TW 201205615A TW 100104372 A TW100104372 A TW 100104372A TW 100104372 A TW100104372 A TW 100104372A TW 201205615 A TW201205615 A TW 201205615A
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electrolytic capacitor
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Masahiro Ueda
Ayao Moriyama
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Sanyo Electric Co
Koei Chemical Co
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Description

201205615 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種固態電解電容器及固態電解電容器 之製造方法,尤有關於一種具有離子液體之固態電解電容 器及固態電解電容器之製造方法。 【先前技術】 自以往以來,作為適於小型化之電容器,已有一種固 態電解電容器廣為所知。固態電解電容器係具有在表面形 成有電介質被膜之陽極體,再者,在陽極體與陰極層之間 具有固態電解質。 在陽極體中係有將閥金屬之金屬板或金屬箔予以蝕刻 者、及將閥金屬之粉末之成形體予以燒結者,藉由將此種 陽極體表面予以電解氧化,即可形成電介質被膜。以此方 式形成之電介質被膜係極為緻密,其耐久性高而且非常地 薄。因此,固態電解電容器相較於其他電容器,例如紙電 容器或薄膜電容器,可在不使靜電電容降低下予以小型化。 以固惡電解質之材料而言,已知有二氧化猛、導電性 高分子等。尤其由聚。比p各(polypyrrole)、聚苯胺 (polyaniline)、聚β塞吩(polythiophene)等導電性高分子 所構成之固態電解質之導電性較高,可降低固態電解電容 器之等效串聯電阻(以下稱「ESR」)。 然而,導電性高分子層雖可將固態電解電容器之ESR 降低,但另一方面由於導電性高分子層本身不具有離子傳 導性,因此無法具有修復已受損之電介質被膜的性能,亦 3 322753 201205615 即不具有陽極氧化功能。因此,具有導電性高分子層之固 態電解電容器’會有耐電壓性能較其他固態電解電容器低 之問題。 因此期待一種利用離子液體之技術作為解決上述問題 之技術。所謂離子液體係指在常溫環境下溶融並保持液體 狀態的鹽’具有非揮發性、高離子傳導性的特性。因此, 一般認為藉由使離子液體存在於導電性高分子層中,可修 復電介質被膜之損傷部分,而可提高固態電解電容器之耐 電壓性能。以此種使用離子液體之技術而言,在日本特開 2008-283136號公報中,已揭示關於一種具有含有離子液 體之導電性高分子層之固態電解電容器的技術。 然而,目前對於高性能固態電解電容器仍有極高需 求,而要求更進一步的技術開發。 【發明内容】 因此,有鑑於上述問題’本發明之目的係在提供一種 耐電壓性能高之高性能固態電解電容器及固態電解電容器 之製造方法。 本發明人為了提高固態電解電容器之财電壓性能,係 著眼於使用離子液體來修復電介質被膜。再者,著眼於利 用離子液體作為修復電介質被膜用之氧的供給源,經過不 斷的檢討,發現藉由使用具有2個以上醚(ether)鍵之離子 液體可使耐電壓性能顯著提升。 亦即’本發明之第1態樣係一種固態電解電容器,係 具備電容器元件’該電容器元件係具有在表面形成有電介 322753 4 .201205615 t 質被膜之陽極體、及形成於陽極體上之導電性高分子層, 在導電性高分子層中,係存在由陰離子(anion)成分及陽離 子(cation)成分所構成之離子液體,陽離子成分係為具有 2個以上醚鍵之陽離子。 此外,本發明之第2態樣係一種固態電解電容器之製 造方法,係包括:在陽極體表面形成電介質被膜之步驟; 及使構成導電性高分子層之單體、及包含具有2個以上醚 鍵之陽離子成分之的離子液體附著於電介質被膜上,且使 單體聚合,藉此在電介質被膜上形成保持離子液體之導電 性高分子層之步驟。 此外,本發明之第3態樣係一種固態電解電容器之製 造方法,係包括:在陽極體表面形成電介質被膜之步驟; 使構成導電性高分子層之單體附著於電介質被膜上,且使 單體聚合,藉此在電介質被膜上形成導電性高分子層之步 驟;及使包含具有2個以上醚鍵之陽離子成分之離子液體 含浸於形成有導電性高分子層之陽極體之步驟。 依據本發明,可提供一種耐電壓性能高之高性能的固 態電解電容器及固態電解電容器之製造方法。 以上所述及本發明之其他目的、特徵、形態及功效均 可配合圖式而由本發明之以下詳細内容更為明瞭。 【實施方式】 以下根據圖式說明本發明之實施形態。對於以下圖式 中相同或相等部分係賦予相同參照符號,其說明從略。另 外,圖式中之長度、大小、寬度等之尺寸關係為了圖式清 5 322753 201205615 晰化與簡化而作適當變更,並未顯示實際尺寸。 <實施形態1> 以下使用第1圖說明實施形態1之固態電解電容器之 較佳例。在此使用具有由燒結體所構成之陽極體之固態電 解電容器來說明。 在第1圖中,固態電解電容器100係具備電容器元件 1〇 ’該電容器元件10係具有:在表面形成有電介質被膜 12之陽極體11、形成於電介質被膜π上之導電性高分子 層13、依序形成於導電性高分子層13上之作為陰極拉出 層之碳層14及銀膠(silver paste)層15。 陽極體11係由閥作用金屬之燒結體所構成。在陽極體 11中雖立設有陽極導線(lead)16,惟此例如可藉由在將由 金屬所構成之棒狀陽極導線16之一端埋設於閥作用金屬 之粉末之狀態下成形,且將此成形體予以燒結來構成。以 閥作用金屬而言,係可使用鈕、鈮、鈦、紹等。此外,陽 極導線16之材料只要是金屬則無特別限定’惟較佳為可使 用閥作用金屬。 覆蓋陽極體11表面之電介質被膜12係可藉由將陽極 體11進行化成處理來形成。以化成處理之方法而言,係有 將陽極體11浸潰於磷酸水溶液或硝酸水溶液等之化成溶 液中再施加電壓之方法。例如’使用钽(Ta)作為閥作用金 屬時之電介質被膜12的組合係成為Ta2〇5 ’而使用銘(A1) 作為閥作用金屬時之電介質被膜12之組成則成為Ah〇3。 被覆電介質被膜12表面的導電性高分子層13,係包 322753 6 201205615 含脂肪族系化合物、芳香族系化 有雜原子之化合物中的至少i種°古^雜核系化合物及含 及其衍生物、聚吼略及其衍生物例如:由聚嘆吩 及聚吱喃及其衍生物所構成。 及其何生物、以 為佳。本發明中,在該導電性高、;洛及其衍生物 子液體。有關Μ + 子層13中,係存在著離 遐W關離子液體之詳細内容將後述。 覆蓋導電性高分子層13表面 層14只要具有導電性 〜極拉出層之石反 此外,碳層U及覆蓋靜u f例如石墨(graphite)。 極層。 θ U表面之銀膠層15,係構成陰 此外,固態電解電容器1〇 層18、陰極端子19、及外裝樹;;備|極端子17、黏接 成其-部份與陽極導線16接觸。:外陽二端子17係配置 置成透過由導電性㈣朗構 ^極端子19係配 器元件1。之最外層之銀膠二=’與屬於電容 極端子π之-部份及陰極端子係以陽 露出之方式將電容器元件10密封。㈣從外裝樹腊20 陽極端子17及陰極端子19只要是 例如鋼。黏接層18只要具有導電性f 可使用 例如包含銀作A殖術f."、,、黏接性即可,可使用 W銀作為频(flUer)之銀黏接劑。在 令,係可使用公知之樹脂,可使用例如環氧樹脂:’曰 在具有上述構成之固態電解電容器1〇〇 / 由陰離子成分及陽離子成分構成之 離子液體。另外’於導電性高分子層13中存在離子液趙之 322753 7 201205615 狀態,係包含在導電性高分子層13中浸潰有離子液體之狀 態、及在電介質被膜12與導電性高分子層13之界面保持 有離子液體之狀態之任何狀態。 <離子液體〉 在離子液體所含之陰離子成分,只要為離子液體中所 使用之陰離子就可以,而無特別限定,例如有:雙(三氟曱 烷硫醯)亞胺離子((邙3^2)2^、三氟甲烷硫酸根離子 (CFsSO3 )、二氟曱院硫醢離子(cF3S〇2')、硝酸根離子 (N〇3 )、乙酸根離子(cjj3C(V)、四氟棚酸根離子(β{τ4-)、六 氟磷酸根離子(ΡΚ)、三氟甲烷羧酸根離子(CF3C〇2-)等。其 中,以雙(二氟曱烷硫醯)亞胺離子、三氟甲烷硫酸根離子 為佳,尤其,以雙(三氟曱烷硫醯)亞胺離子為合適。 在離子液體所含之陽離子成分,係有具有2個以上之 醚鍵的陽離子。具體上,有銨離子、咪唑鏽離子、吡咯啶 鏽離子、鱗離子、及毓離子中之任一骨架之離子,且為含 有2個以上之醚鍵之陽離子。其中,以有甲氧基乙氧基乙 基之銨離子、具有曱氧基乙氧基乙基之咪唑鑌離子、有甲 氧基乙氧基乙基之吼咯啶鏽離子、有曱氧基乙氧基乙基之 鱗離子、及有曱氧基乙氧基乙基之锍離子為佳。 尤其,銨離子由於電位窗大,化學性安定,故以有曱 氧基乙氧基乙基之録離子較佳。最適合之録離子,係至少 1個氫基被曱氧基乙氧基乙基取代,且其他之氫基被各種 烷基所取代之銨離子。陽離子成分有甲氧基乙氧基乙基 時,醚鍵是在1個碳鏈上連續存在。 322753 8 201205615 導電性高分子層13中是否存在有上述離子液體,例 如’可利用核磁共振分光法得知。具體上’在導電性南分 子層13藉由適當之溶劑作用,由導電性高分子層13萃取 離子液體到溶劑中。然後,將此溶劑供應到核磁共振分光 裝置中,藉由檢測構成離子液體之分子特有的光譜,可以 確認導電性高分子層13中是否存在離子液體。 陰離子成分為雙(三氟曱磺醯)亞胺離子時,例如藉由 檢測源自於氟之光譜,就可以知道導電性高分子層13中有 無離子液體及離子液體之分布。又,陽離子成分為具有曱 氧基乙氧基乙基之銨離子時,例如藉由檢測源自於曱氧基 乙氧基乙基之光譜,可以確認此陽離子成分的存在。 依據本實施形態1之固態電解電容器,在導電性高分 子層中存在包含具有2個以上醚鍵之陽離子成分之離子液 體,藉此,即成為耐電壓性能高之高性能的固態電解電容 器。 本發明之固態電解電容器並不限定於上述實施形態1 之固態電解電容器,亦可應用於公知之形狀。以公知之形 狀而言,具體而言有捲繞型固態電解電容器、使用閥金屬 之板之疊層型固態電解電容器等。然而,由於燒結體具有 保持離子液體之優異能力,因此本發明更適用於具有由燒 結體所構成之陽極體之固態電解電容器。 <實施形態2> 以下使用第1圖及第2圖說明本實施形態2之固態電 解電容器之製造方法之較佳例。在此,說明具有由燒結體 9 322753 201205615 所構成之陽極體之固態電解電容器之製造方法。 1、陽極體之形成 ’在第2圖之步驟S201中形成陽極體u。 具體而§ ’係準備_用金屬粉末,在將棒狀體之陽 極導線16之長度方向之一端側埋入於金屬粉末之狀態 :,將該粉末成形為所希望的形狀。再者,藉由將該成形 進仃燒結,形成埋設有陽極導線16之一端之多孔質構造 之陽極體U。關作驗屬而言,係可使餘、銳、欽、 叫=此外’陽極導線16雖由金屬構成,惟較佳為可使用 閥作用金屬。 2、 電介質被膜之形成 接著,在第2圖之步驟S202中,於陽極體11之表面 形成電介質被膜12。 電”質被獏12係可藉由將由閥作用金屬所構成之陽 極體11進行化成處理而形成於陽極體11之表面。以化成 處理之方法而言,係有將陽極體11浸潰於磷酸水溶液或硝 酸水溶料化缝財再施加電壓之方法。 3、 形成保持離子液體之導電性高分子層 接著’在第2圖之步驟S203中,使構成導電性高分子 0 13之單體、與包含具有2個以上之醚鍵之陽離子成分之 =子液體附著於電介質被膜12 _L,且將單體予以氧化聚 口 μ藉此形成保持離子液體之導電性高分子層13。在此’ =保持離子液體之導電性高分子層13,係包含在導電性 冋刀子層13中含浸有離子液體之狀態之導電性高分子層 10 322753 201205615 13、及在電介質被膜12與導電性高分子層13之界面保持 有離子液體之狀態之導電性高分子層13。 在形成上述保持離子液體之導電性高分子層13時,可 利用公知之化學聚合及電解聚合。以下說明利^化學聚合 之方法及利用電解聚合之方法之一例。 (1)利用化學聚合之方法 以利用化學聚合之方法而言’例如有在使離子液體附 著於電介質被膜12之後,進一步使單體附著於電介質被膜 12上’再將單體予以化學聚合之方法。以使離子液體附著 於電介質被膜12之方法而言,係有將形成有電介質被膜 12之陽極體11浸潰於離子液體之方法、及將離子液體塗 佈於電介質被膜12之方法等。以進一步使單體附著於離子 液體所附著之電介質被膜12上之方法而言,係有將離子液 體所附著之電介質被膜12,浸潰於包含單體之聚合液之方 法,及將包含單體之聚合液予以塗佈之方法等。 以包含單體之聚合液而言,可使用例如包含單體、摻 雜劑(dopant)及氧化劑之1種的聚合液。此外,關於單體、 摻雜劑及氧化劑之各成分,亦可使用分別包含各丨種成分 的3種聚合液。此外,當然,亦可使用2種聚合液,亦即 包含2種成分之聚合液、及包含剩餘之1種成分之聚合液。 將陽極體11浸潰於各聚合液之順序或將各聚合液塗布於 陽極體11之順序並無特別限制。 以利用化學聚合之另一古、+ ^ Α_ η 方法而言,係有在使早體與離 子液體混合之狀態下附著於·番人# ,, 笮於電介質被膜12之方法。例如, 322753 201205615 將離子液體加入於包含單體、摻雜劑及氧化劑之3種成分 之聚合液來調配混合溶液,且將陽極體u浸潰於該混合溶 液,藉此即可在使單體及離子液體混合之狀態下附著於電 介質被膜12上。另外,亦可塗布混合溶液以取代浸潰。 此外 仗用分別a含各1種成分之3種聚合液, 以取代包含3種成分之聚合液。此外,當然,亦可使用 種聚合液,亦即包含2種成分之聚合液、及包含剩餘之 種成分之聚合液。此時,亦可使離子液體混合於任一種聚 合液。將陽極體11浸潰於各聚合液之順序或將各聚合液塗 布於陽極體11之順序並無特別㈣,只要是可在單體及離 子液體混合之狀態下附著於電介質被膜12上即可。 以上所述之各方法,雖係為利用化學聚合中之液 ^之方法’惟亦可利用氣相聚合。例如,在使離子液 著於電介質被膜12上之後,再使台人 # 及掺雜劑分別附著於電介f被膜12上,即可==化劑 液體之導電性高分子層13,卜:單 體附著於電介質被膜12上 ^ 4體之軋 _。各成分之附著順序:::二體要, 體:=;:r氣r,被=二單 述可分別使用氧化劑及摻雜劑情形,均如上所 劑兼具摻雜劑材料,作為具 成y,亦可使用氧化 雜劑之功能之兩種功能之!、種成分魏劑之功能與作為摻 (2)利用電解聚合之方法 322753 12 201205615 以利用電解聚合之方法而言,例如,有在使離子液體 附著於電介質被膜12之後,進一步使單體附著於電介質被 膜12上,再藉由將單體予以電解聚合來形成保持離子液體 之導電性高分子層13之方法。以使離子液體附著於電介質 被膜12上之方法而言,係與利用化學聚合之情形相同。以 進一步使單體附著於離子液體所附著之電介質被膜12上 之方法而言,係有將離子液體所附著之電介質被膜12,浸 潰於包含單體及摻雜劑之電解液之方法。再者,藉由將電 流流通於該電解液,即可使保持離子液體之導電性高分子 層13形成於電介質被膜12上。 此外,以利用電解聚合之另一方法而言,係有在使單 體與離子液體混合之狀態下附著於電介質被膜12上,再形 成保持離子液體之導電性高分子層13之方法。例如,可在 包含單體、摻雜劑之電解液加入離子液體,且將陽極體11 浸潰於該電解液,藉此在使單體及離子液體混合之狀態下 附著於電介質被膜12上。 藉由以上述(1)及(2 )之任一種方法來形成導電性高分 子層13,可形成保持離子液體之導電性高分子層13。此 外,亦可將(1)及(2)之方法予以組合來形成導電性高分子 層13。尤其亦可藉由化學聚合來形成第1導電性高分子 層,並進一步藉由電解聚合來形成第2導電性高分子層於 第1導電性高分子層上。此時,可使離子液體保持於由化 學聚合所形成之第1導電性高分子層中,亦可使離子液體 保持於第2導電性高分子層中,當然亦可使離子液體保持 13 322753 201205615 於兩導電性高分子層中。 作為構成導電性高分子層13之單體者,可以使用脂肪 族系化合物、芳香族系化合物、雜環系化合物及含有雜原 子之化合物中的至少1種,例如:可使用°塞吩及其衍生物、 °比ρ各及其衍生物、苯胺及其衍生物、以及α夫喃及其衍生物。 其中,以吡咯及其衍生物為佳。 作為有2個以上之醚鍵之陽離子成分者,可以使用: 有曱氧基乙氧基乙基之銨離子、有甲氧基乙氧基乙基之咪 唑鏽離子、有曱氧基乙氧基乙基之吡咯啶鑌離子、有曱氧 基乙氧基乙基之鱗離子、以及有曱氧基乙氧基乙基之毓離 子。尤其以有曱氧基乙氧基乙基之銨離子為佳,至少1個 氫基被甲氧基乙氧基乙基取代,且其他之氫基以各種烧基 取代之銨離子可以適用。 又,離子液體雖是由陽離子成分及陰離子成分所構 成,但作為陰離子成分者並無特別限定,只要能與上述陽 離子成分構成離子液體之陰離子就可以。例如可以使用: 雙(三氟甲磺醯)亞胺基離子((CF3S〇2)2i〇、三氟曱烷硫酸根 離子(CF3S0〇、三氟甲烷硫醯離子(CF3S〇2_)、硝酸根離子 (n〇3_)、乙酸根離子(CH3C0〇、四氟硼酸根離子(BF4_)、六 氟磷酸根離子(PFO、三氟曱烷羧酸根離子(CF3C0O等。 摻雜劑(dopant)是可以使用習知之摻雜劑,例如可以 使用:烷基磺酸、芳香族磺酸、多環芳香族磺酸等磺酸化 合物的酸或是鹽、硫酸、硝酸等。作為氧化劑者,可以利 用習知之氧化劑,例如可以使用:過氧化氫、高猛酸、次 14 322753 201205615 氣酸、鉻酸等。又,可以使用習知的氧化劑兼摻雜劑材來 取代氧化劑及摻雜劑。 又,離子液體的替代品,也可以使用含離子液體之溶 液。例如可以使用:水、甘醇系溶劑(即,乙二醇系溶劑)、 二醇謎系溶劑、趟系溶劑、醇系溶劑、甘油三酸g旨系溶劑、 酮系溶劑、酯系溶劑、醢胺系溶劑、腈系溶劑、亞颯系溶 劑、硪系溶劑。 其中,作為甘醇系溶劑者,可以列舉如:乙二醇、丙 二醇、丁二醇、三乙二醇、己二醇、聚乙二醇、乙氧基二 甘醇、二丙二醇。作為二醇醚系溶劑者,可以列舉如:甲 基二醇醚、乙基二醇醚、及異丙基二醇醚。作為醚系溶劑 者,可以列舉如:二乙醚、及四氫呋喃。作為醇系溶劑者, 可以列舉如:曱醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、及丁醇。作 為酯系溶劑者,可以列舉如:乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸 二乙二醇醚、乙酸曱氧基丙酯、及碳酸伸丙酯。作為醯胺 系溶劑者,可以列舉如:二曱基甲醯胺、二甲基乙醯胺、 二曱基辛醯胺、二曱基癸醯胺、及N-烷基吡咯烷酮。作為 腈系溶劑者,可以列舉如:乙腈、丙腈、丁腈、及苯甲腈。 作為亞砜系溶劑及颯系溶劑者,分別可以列舉如:二甲基 亞砜、及環丁砜。尤其,可以適合使用:乙二醇、異丙醇、 碳酸伸丙酯。 4、陰極層之形成 接著,在第2圖之步驟S204中,在導電性高分子層 13上形成陰極層。陰極層係由碳層14及銀膠層15所構成, 15 322753 201205615 藉由本步驟來劁 14只要星有 11容器元件10。作為陰極拉出層之碳層 碳層Η及銀膠可’例如可使用石墨來構成。另外, 成。 s 15之形成,可分別使用公知之技術來形 八子亦可在步驟S2Q3形成保持離子液體之導電性高 I人I之後,於步驟%04形成陰極層之前,藉由化學 電解合來形成導電性高分子層。此時,構成固體 :質:導電性高分子層,即具有在步驟s2〇3中所形成之 |±同刀子層13、及藉由化學聚合或電解聚合 導電性高分子屉夕9錄# , 取Ί 專雷,古 層2種。尤其由於藉由電解聚合所形成之 t分子層之構造緻密,因此於步驟湖之後藉由電 進—步形成導電性高分子層時,可更有效地提升固 態電解電容ϋ之性能。 5、電容器元件之密封 電容第2圖之步謂5中,使用外裝樹脂20將 c〇密封。具體而言’依照公知技術,將陽極端 將此莖 18、陰極端子19配置於電容器元件10,且 將此4如第1圖所示以外裝樹脂2〇 且 裝樹脂2。外部之陽極端子17及陰= 卜=脂2〇之方式予以折f之後進㈣化(ag ^成固態電解電容器⑽。另外,陽極端子17及陰極端 9係可㈣如誠銅合㈣金屬來構成,以 20之素材而言,係例如可使用環氧樹浐 樹月曰 依據以上詳述之實施形態2之固^解電容器之製造 322753 16 201205615 方法,可製造具有保持離子液體之導電性高分子層13,該 離子液體係包含具有2個以上醚鍵之陽離子成分。因此, 依據實施形態2之固態電解電容器之製造方法,可製造耐 電壓性能高之高性能固態電解電容器。 <實施形態3> 以下使用第1圖及第3圖說明本實施形態3之固態電 解電容器之製造方法。 1、 陽極體之形成 首先,在第3圖之步驟S301中形成陽極體11。由於 本步驟之具體内容係與實施形態2之步驟S201相同,因此 其說明從略。藉由本步驟,可形成立設有陽極導線16之陽 極體11。 2、 電介質被膜之形成 接著在第3圖之步驟S302中,將電介質被膜12形成 於陽極體11之表面。由於本步驟之具體内容係與實施形態 2之步驟S202相同,故其說明從略。 3、 導電性高分子層之形成 接著,在第3圖之步驟S303中,使構成導電性高分子 層13之單體附著於電介質被膜12上,且將單體予以氧化 聚合,藉此將導電性高分子層13形成於電介質被膜12上。 以使上述單體附著於電介質被膜12上再使單體氧化 聚合之方法而言,係有利用公知之化學聚合及電解聚合之 方法。在化學聚合中雖有液相聚合與氣相聚合,惟可使用 任一種方法。此外,亦可將化學聚合與電解聚合組合來形 17 322753 201205615 成導電性高分子層13。另外,—構成導電性高 之早體、氧化劑及_劑之材料,係與實_態曰 之化合物相同,故其說明從略。 斤列舉 4、離子液體之含浸 接著,在第3圖之步驟S304中,使包人&女 醚鍵之陽料齡之料液料浸_極^、有^個以上 離子液體含浸於導電性高分子層13。 藉此,使 以使離子液體含浸於導電性高分子層Η 而言,係例如有將形成有導電性高分之具體方法 浸潰於離子液體之方法。此時之浸 之陽極體11 體可到達陽極體u之細孔内深處之八0’只要是離子液 電性高分子層13的時間即可,較佳;1八=膜12上的導 從製造效率的觀點來看,係以6G分鐘/分鐘以上。此外, 黏度高,難以滲透製陽極體u之二:以:為佳。離子液體 由在減壓環境下進行本㈣,而使離,可藉 孔深處。 丁欣體易於含浸於細 由於本步驟中所可使用之且 成分、及構顏子㈣之_;成分,;^^之陽離子 3所列舉之化合物相同,因此其說明^與實施形態2之 用包含離子液叙溶㈣取_子㈣/外,亦可使 用之溶劑係與實施形態2所_ 纟’此時所可使 從略。 劑相同’因此其說明 5、陰極層之形成 電 接著’在第3圖之步驟咖5巾,將陰極層形成於導 322753 201205615 性高分子層13上。陰極層係由碳層14及銀膠層15所構 成,藉由本步驟來製作電容器元件10。由於各層之材料、 及各層之形成方法係與實施形態2之步驟S204相同,故其 說明從略。 6、電容器元件之密封 最後,在第3圖之步驟S306中,將電容器元件10密 封而完成固態電解電容器100。由於本步驟係與實施形態2 之步驟S205相同,故其說明從略。 依據以上詳述之實施形態3之固態電解電容器之製造 方法,可製造具有保持離子液體之導電性高分子層13之固 態電解電容器,該離子液體係包含具有2個以上醚鍵之陽 離子成分。因此,依據實施形態3之固態電解電容器之製 造方法,可製造耐電壓性能高之高性能固態電解電容器。 此外,本發明中所製造之固態電解電容器,並不限定 於上述實施形態2及3中所製造之固態電解電容器,亦可 應用於公知形狀。以公知形狀而言,具體有捲繞型固態電 解電容器、及使用閥金屬板之疊層型固態電解電容器等。 然而,由於燒結體具有保持離子液體之優異能力,因此在 製造具有由燒結體所構成之陽極體之固態電解電容器時, 本發明可更為適用。 (實施例) 以下列舉實施例進一步詳細說明本發明,惟本發明並 不限定於此等實施例。另外,在各實施例及各比較例中, 係將固態電解電容器各製造100個。 19 322753 201205615 <實施例l> 首先’使用公知之方法,準備钽粉末,在將線狀陽極 導線之一端側埋入於钽粉末之狀態下,將鈕粉末成形為長 方體。然後將此予以燒結,藉此形成埋入有陽極導線之一 端之陽極體。在陽極導線中係使用由鈕所構成之線。此時 之陽極體之尺寸係為縱X寬X高為4. 5mmx3. 5mmx2. 5mm。 接著,將陽極體浸潰於磷酸溶液再施加30V之電壓, 藉此在陽極體表面形成由Ta2〇5所構成之電介質被膜。 接著’藉由氣相聚合在電介質被膜上形成導電性高分 子層。以氣相聚合之具體操作而言,首先,將形成有電介 質被膜之陽極體浸潰於包含過氧化氫及硫酸之25艺之水溶 液中5刀|里。再者,將陽極體從該水溶液拉起後,使陽極 體曝露於料加_)氣體。藉此,在電介質被膜上形成 導電性尚分子層。 其次,使陽極體中含浸離子液體,並使導電性高分子 層中含浸離子液體。具體上,係將形成有導電性高分子層 之陽極體’在離子溶液中浸潰5分鐘後,使導電性高分子 層中含浸離子㈣。在料㈣中是使用,作為陽離子成 分之含有下述化學式(丨)之N_乙基_N,N_二甲基_N_曱氧基 乙氧基乙基銨離子,作為陰子成分之含有下述化學式(2) 之雙(三氟曱磺醯)亞胺離子之離子液體。藉由此,而形成 保持離子液體之導電性高分子層。 (化學式1) 322753 20 201205615 CH2CH2 ch3 0—ch2ch2 〇—ch2ch2 -n+-ch3 CH, (化學式2) 0 0 s—cf3 l it 〇 o 接著’藉由使用第4圖之電解聚合用裝置400之電解 聚合’形成藉由電解聚合所形成之導電性高分子層於保持 離子液體之導電性高分子層上。在第4圖中,電解聚合用 裝置400係具有電解槽41、及直流電源42。在直流電源 42之陽極侧係連接有陽極電極片43,在直流電源42之陰 極侧係連接有屬於陽極電極片43之對電極之陰極電極片 44。 使用上述電解聚合用裝置400,首先,準備包含°比咯 及烧基萘續酸(Alkyl Naphthalene Sulfonate Acid)之水 溶液’且將該水溶液充滿於電解槽41内。接著,在第4圖 中’雖顯示形成有保持離子液體之導電性高分子層的陽極 體為構造體40,惟將此構造體40浸潰於水溶液。再者, 使陽極電極片43接觸於構造體40,再對構造體4〇供電, 藉此形成藉由電解聚合所形成之導電性高分子層於保持離 子液體之導電性高分子層上。 在上述操作結束後,從水溶液拉起陽極體,且將其放 322753 21 201205615 置於室溫環境下使之乾燥。然後,在乾燥後之陽極體 佈石墨粒子懸浮液且在大氣中使之乾燥來形成碳層 -步依照公知之技術形成轉層來製作電容器元^。 再者,在電容器元件中,將由銅陽^ 於陽極導線,且蔣钮射拉如a‘ 知極~子炫接 且使由銅所構成之〜碰h 成勘接層, 陰極子端黏接於黏接層。再者, 件以外裝樹月子之一部份露出之方式,將電容器元 沿著外裝“予將露出之陽極端子及陰極端子 器之額定電壓係為雨,額定 縱><寬><咼為 7. 3mmx4. 3mmx3. 8mm。 <實施例2> 乍為離子液體是使用:作為陽離子成分之含有下 基乙基錢離子,作:t 甲氧基乙基+甲氧基乙氧 (三氣甲㈣亞胺:Γ成分之含有上述化學式⑵之雙 例1同樣之& =之離子液體之外,其餘藉由與實施 (而製造固態電解電容器。 CH, OCH, 3 CH2cH2 〇—CH2CH2 ~n+-ch2ch2 <比較例1> ch2ch2—och3 除了沒進仃離子液體含浸步驟之外,其餘藉由與實施 22 322753 201205615 例1同樣之方法’而製造固態電解電容器。 <比較例2> 除了作為離子液體是使用:作為陽離子成分之含有下 述化學式⑷之N’NUt辛基基_子,作為险 子成分之含有上述化學式(2)之雙(三氟甲磺醯)亞胺離= 之離子液體之外,其餘藉由與實施例丨同樣之方法, 造固態電解電容器。 (化學式4) (CH2) 7 ch3 H3C— N+-~(CH2)7CH3 (ch2) 7 ch3 <比較例3> 除了作為離子液體是使用:作為陽 :離;=述:學式⑵之雙(三氟甲侧亞胺離; 器其餘措_施例1同樣之方法,而製 (化學式5) (CH2) 3CH3 CH, M3C (CHz) 3 s N+. (CH2) 3CH3 <性能評估> < esr之測量〉 322753 23 201205615 從各實施例1、2及各比較例1至3之固態電解電容器 中分別各隨機抽出20個。關於各實施例1、2及各比較例 1至3之固態電解電容器’係使用4端子測量用之LCR計 量器(meter)來測量頻率l〇0kHz中之各固態電解電容器之 ESR(mQ ),以計算各實施例1、2及各比較例1至3之平均 值。將其結果顯示於第1表之「ESR(ran)」。 <耐電壓實驗> 從各實施例1、2及各比較例1至3之固態電解電容器 中分別各隨機抽出20個。關於各實施例1、2及各比較例 1至3之固態電解電容器,係以IV/秒之速度使施加之直 流電壓上升以進行耐電壓實驗。以洩漏電流為lmA以上時 之電壓為耐電壓,算出各實施例1、2及各比較例1至3之 固態電解電容器之平均值。將其結果顯示於第1表之「耐 電壓(V)」。 <突波(surge)耐壓實驗> 從各實施例1、2及各比較例1至3之固態電解電容器 中分別各隨機抽出20個。關於各實施例1、2及各比較例 1至3之固態電解電容器,係在最高使用溫度之i〇5°C環境 下進行突波耐壓實驗。具體而言,在將lkQ之放電用電阻 連接於各固態電解電容器之後,針對固態電解電容器重複 進行1000次5分鐘30秒放電後進行30秒充電之總計6分 鐘的循環。在此實驗結束後,測量各固態電解電容器中之 洩漏電流’且於'/¾漏電流為1 mA時判斷為故障並調查其數 量。將其結果顯示於第1表之「故障(個數)」。 322753 24 201205615 第1表 — 一 ESR(raQ) 耐電壓(V) 故障數(個) 實施例1 — 21 25.5 0 實施例2 20 24. 8 0 比較例1 ,, 25 20.5 4 比較例? 25 21. 2 2 比較例3 ——^u 26 20.8 4 參照第1表,關於實施例1,耐電壓係較比較例i大。 此外,在比較例1之固態電解電容器中,於突波耐壓實驗 後,20個中有4個故障,相對於此,實施例1之固態電解 電谷器中則未見故p早。從此結果可得知,藉由使離子液體 含浸於導電性高分子層中,可提高固態電解電容器之性能。 此外,比較實施例1、2及比較例2、3可得知,使用 包含具有2個以上醚鍵之陽離子成分之離子液體的實施例 卜2之情形,相較於比較例2、3之情形,其耐電壓較大, 此外,對於突波耐壓實驗之耐性亦較高。此理由雖未明確, 惟推測係由於崎之氧在修復電介f被膜時發揮作為氧供 給源功能之故。 柄从再者’ Γ施例1、2相較於比較例1至3,其ESR為較 學式i _9惟推_ ά於化學式(1)及化 電性高分子層之親和性較佳,因此離子液體與導 以上所述之實二:高’結果請降低。 及實施例在各方面都為例示,並 322753 25 201205615 非用以限定本發明。本發明之實質技術内容係廣義地定義 於下述之申請專利範圍中,任何他人所完成之技術實體或 方法,若是與下述之申請專利範圍所定義者相同,或是為 同一等效之變更,均將被視為涵蓋於此專利範圍之中。 【圖式簡單說明】 第1圖係為顯示實施形態1之固態電解電容器之構造 之較佳一例之剖面示意圖。 第2圖係為顯示實施形態2之固態電解電容器之製造 方法之流程圖。 第3圖係為顯示實施形態3之固態電解電容器之製造 方法之流程圖。 第4圖係為顯示電解聚合用裝置之構成之一例之示意 圖。 【主要元件符號說明】 10 電容器元件 11 陽極體 12 電介質被膜 13 導電性高分子層 14 破層 15 銀膠層 16 陽極導線 17 陽極端子 18 黏接層 19 陰極端子 20 外裝樹脂 40 構造體 41 電解槽 42 直流電源 43 陽極電極片 44 陰極電極片 100 固態電解電容器 400 電解聚合用裝置 26 322753

Claims (1)

  1. 201205615 七、申請專利範圍: 1. 一種固態電解電容器,係具備電容器元件,該電容器元 件係具有在表面形成有電介質被膜之陽極體、及形成於 前述陽極體上之導電性高分子層, 在前述導電性高分子層中,係存在由陰離子(anion) 成分及陽離子(cation)成分所構成之離子液體, 前述陽離子成分係為具有2個以上醚鍵之陽離子。 2. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容器,其中, 前述陽離子成分係具有甲氧基乙氧基乙基之陽離子。 3. 如申請專利範圍第1項所述之固態電解電容器,其中, 前述陽離子成分係為銨(a匪onium)離子。 4. 一種固態電解電容器之製造方法,係包括: 在陽極體表面形成電介質被膜之步驟;及 使構成導電性高分子層之單體、及包含具有2個以 上醚鍵之陽離子成分的離子液體附著於前述電介質被 膜上,且使前述單體聚合,藉此在前述電介質被膜上形 成保持離子液體之前述導電性高分子層之步驟。 5. 如申請專利範圍第4項所述之固態電解電容器之製造 方法,其中,在使前述離子液體附著於前述電介質被膜 之後,使前述單體附著於前述電介質被膜。 6. 如申請專利範圍第4項所述之固態電解電容器之製造 方法,其中,在使前述單體與前述離子液體混合之狀態 下附著於前述電介質被膜。 7. 如申請專利範圍第4項所述之固態電解電容器之製造 1 322753 201205615 =法’其中’前述陽離子成分係為具有甲氧基乙氧基乙 基之陽離子。 .如申π專利|&圍第4項所述之固態電解電容器之製造 方法其中,刖述陽離子成分係為錄離子。 9. -種固態電解電容器之製造方法,係包括: 在陽極體表面形成電介質被膜之步驟; 、使構成導電性高分子層之單體附著於前述電介質 被膜上’且使則述單體聚合,藉此在前述電介質被膜上 形成前述導電性高分子層之步驟;及 使包含具有2個以上醚鍵之陽離子成分之離子液 體含浸於形成有前料電性高分子層之陽極體之步驟。 申4專利範圍第9項所述之固態電解電容器之製造 法其中,則述陽離子成分係為具有甲氧基乙氧基乙 基之陽離子。 .如申凊專·圍第9賴述之u態電解電容ϋ之製造 方法,其中,前述陽離子成分係為銨離子。 2 322753
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