TW201205205A - Cleaning method, immersion exposure apparatus, device fabricating method, program, and storage medium - Google Patents

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201205205 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於洗淨方法、液浸曝光裝置、元件製造方 法、程式以及記錄媒體。 本申請案主張2010年7月23曰申請之美國暫時申請 第61/ 367，104號、及201 1年7月15曰申請之美國專利申 請第13 / 1 84,244號之優先權，將其内容援用於此。 【先前技術】 於半導體元件、電子元件等微元件之製程中，有使用 例如下述專利文獻所揭示之透過曝光液體以曝光用光使基 板曝光之液浸曝光裝置。 先行技術文獻 [專利文獻1 ]美國專利申請公開第2 〇 〇 8 / 〇 2 7 3 1 8 1號 [專利文獻2]美國專利申請公開第2〇〇9/〇19576i號 【發明内容】 於液浸曝光裝置，當與曝光液體接觸之構件受到污染 時有可此產生例如曝光不良等，其結果，即有可能導致 不良7C件之產生。因此，要求能將與曝光液體接觸之構件 良好的加以洗淨。 本發明之態樣’其目的在提供一種能良好的洗淨與曝 光：體接觸之構件等的洗淨方法。又，本發明之態樣，其 另一目的再提供一種能抑制曝光不良之產生的液浸曝光裝 4 201205205 卜本發明之態樣’其再一目的在提供一種能抑制不良元 件之產生的7L件製造方法、程式、及記錄媒體。 用以解決課題之手段 本發明帛1態提供一種液浸構件之洗淨方法，此液 浸構件係在透過曝光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝 光裝置内’酉己置在通過光學構件及該％學構件與該基板間 之該曝光液體之曝光用光之光路周圍至少一部分，具有可 回收該曝光液體之帛i回收口，其特徵在於：包含將洗淨 液體供應至從該第1回收口面向之空間經由該帛^回收口 回收之該曝光液體流過之回收流路的動作；以及從該回收 流路回收該洗淨液體之動作；該液浸構件具有用以從該回 收流路排出該曝光液體之第丨排出π，以及該曝光液體之 排出較該第1排出口受到抑制用以排出 之第2排出口；該洗淨液體不會經由該第U收口被= 至δ亥第1回收口面向之該空間。 本發明第2態樣提供一種液浸構件之洗淨方法，此液 浸構件係在透過曝光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝 光裝置内，配置在通過光學構件及該光學構件與該基板間 之該曝光液體之曝光用光之光路周圍至少一部分，具有可 回收該曝光液體之帛！回收口，其特徵在於：包含將洗淨 液體供應至從該第！回收口面向之空間經由該帛i回收口 回收之該曝光液體流過之回收流路的動作；以及從該回收 流路回收該洗淨液體之動作；該液浸構件具有用以將包含 錢光液體、該曝光液體之比率較氣體高之流體從該回收 201205205 流路加以排出之第丨排出口， 伞该辦> ^ $ , 及用以將包含氣體、該曝 率較氣體低之流體從該回收流路加以排出之第 2排出口；該洗淨液體不會 丨回收口面向之該空間第1回收口被供應至該第 ίΠΠ 3態樣提供一種液浸構件之洗淨方法，此液 次構件係在透料光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝 Μ置内’配置在通過Μ構件及該光學構件與該基板間 之該曝光液體之曝光用光之光路周圍至少一部》，且有可 回收該曝纽體之帛1㈣口，其㈣在於：包含將洗淨 液體供應至從該第i回收口面向之空間經由該帛i回收口 回收之該曝光液體流過之回收流路的動作；以及從該回收 流路回收該洗淨液體之動作；該液浸構件具有將該回收流 路之該曝光液體與氣體分離排出之排出部，該排出部具有 用以從該回收流路排出該曝光液體之第丨排出口、與從該 回收流路排出氣體U 2排出σ ;該洗淨液體不會經由該 第1回收口被供應至該第i回收口面向之該空間。 本發明第4態樣提供一種元件製造方法，包含：使用 上述第1至第3態樣中任一態樣之洗淨方法，洗淨液浸構 件之至少一部分的動作；透過曝光液體以曝光用光使基板 曝光的動作；以及使曝光後之基板顯影的動作。 本發明第5態樣提供一種液浸曝光裝置，係透過曝光 液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有該 曝光用光射出之射出面；液浸構件，具有能回收該曝光液 體之第1回收口、從該第1回收口面向之空間經由該第i 201205205 回收口回收之該曝光液體流過之回收流路、用以從該回收 流路排出該曝光液體之第1排出口、以及該曝光液體之排 出較該第1排出口受到抑制用以排出該回收流路之氣體之 第2排出口，配置在通過該光學構件與該基板間之該曝光 液體之曝光用光光路周圍之至少一部分；以及壓力調整裝 置’用以調整該回收流路之壓力與該第1回收口面向之該 空間之壓力之差，以避免供應至該回收流路之洗淨液體被 供應至該第1回收口面向之該空間。 本發明第6態樣提供一種液浸曝光裝置，係透過曝光 液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有該 曝光用光射出之射出面；液浸構件，具有能回收該曝光液 體之第1回收口、從該第1回收口面向之空間經由該第1 回收口回收之該曝光液體流過之回收流路、用以從該回收 流路排出包含該曝光液體而該曝光液體之比率較氣體高之 流體之第1排出口、以及用以從該回收流路排出包含氣體 而該曝光液體之比率較氣體低之流體之第2排出口，配置 在通過該光學構件與該基板間之該曝光液體之曝光用光光 路周圍之至少一部分；以及壓力調整裝置，用以調整該回 收流路之壓力與該第1回收口面向之該空間之壓力之差， 以避免供應至該回收流路之洗淨液體被供應至該第1回收 口面向之該空間。 本發明第7態樣提供一種液浸曝光裝置，係透過曝光 液體以曝光用光使基板曝光，其具備：光學構件，具有該 曝光用光射出之射出面；液浸構件，具有能回收該曝光液 201205205 體之第1回收 從該第1回收口面向之空間經由該第

體與氣體加以分離排出 與該基板間之該曝光液體之曝光用光光路周圍之至少一部 刀以及壓力調整裝置，用以調整該回收流路之壓力與該 第1回收口面向之該空間之壓力之差，以避免供應至該回 收流路之洗淨液體被供應至該第1回收口面向之該空間。 本發明第8態樣提供一種元件製造方法，其包含：使 用使用上述第5至第7態樣中任一態樣之液浸曝光裝置以 先液體之第1排出口及用以從該回 排出口以將該回收流路之該曝光液 之排出部，配置在通過該光學構件 曝光用光使基板曝光之動作；以及使曝光後之基板顯影之 動作。 本發明第9態樣提供一種程式，係使電腦實施透過曝 光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其 係使之實施：以能射出該曝光用光之光學構件與該基板間 之β亥曝光用光之光路被該曝光液體充滿之方式，在液浸構 件與該基板之間以該曝光液體形成液浸空間之動作，該液 浸構件具有可回收該基板上之該曝光液體之至少一部分的 第1回收口、透過該第1回收口回收之該曝光液體流經的 回收流路、用以從該回收流路排出該曝光液體的第1排出 口、及該曝光液體之排出較該第1排出口受到抑制用以排 出該回收流路之氣體的第2排出口；透過該液浸空間之該 曝光液體以該曝光用光使該基板曝光之動作；將該基板上 201205205 之該曝光液體之至少一部分從該液浸構件之第1回收口加 以回收之動作；於非曝光時，對該回收流路供應洗淨液體 之動作；以及調整該回收流路之壓力與該第i回收口面向 之該空間之壓力之差，以避免供應至該回收流路之洗淨液 體被供應至該第1回收口面向之空間之動作。 本發明第10態樣提供一種程式，係使電腦實施透過曝 光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其 係使之實施：以能射出該曝光用光之光學構件與該基板間 之該曝光用光之光路被該曝光液體充滿之方式，在液浸構 件與該基板之間以該曝光液體形成液浸空間之動作，該液 浸構件具有可回收該基板上之該曝光液體之至少一部分的 第1回收口、透過該第丨回收口回收之該曝光液體流經的 回收流路、用以從該回收流路排出包含該曝光液體而該曝 光液體之比率較氣體高之流體的第1排出口、及用以從該 回收流路排出包含氣體而該曝光液體之比率較氣體低之流 體的第2排出口；透過該液浸空間之該曝光液體以該曝光 用光使該基板曝光之動作；將該基板上之該曝光液體之至 少一部分從該液浸構件之第1回收口加以回收之動作；於 非曝光時，對該回收流路供應洗淨液體之動作；以及調整 該回收流路之壓力與該第1回收口面向之該空間之壓力之 差’以避免供應至該回收流路之洗淨液體被供應至該第1 回收口面向之空間之動作。 本發明第11態樣提供一種程式，係使電腦實施透過曝 光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其 201205205 係使之實％:以能射出該曝光用光之光學構件與該基板間 之該曝光用光之光路被該曝光液體充滿之方式，在液浸構 件與該基板之間以該曝光液體形成液浸空間之動作，該液 &構件具有可回收a玄基板上之該曝光液體之至少一部分的 $ i回收口、透過該第i回收口回收之該曝光液體流經的 回收流路、及包含用以從該回收流路排出該曝光液體之第丄 排出口與用以從該回收流路排出氣體之第2排出口以將該 回收流路之該曝光液體與氣體加以分離排出的排出部；透 過該液浸空間之該曝光液體以該曝光用光使該基板曝光之 動作；將該基板上之該曝光液體之至少一部分從該液浸構 件之第1回收口加以回收之動作；於非曝光時，對該回收 々IL路供應洗淨液體之動作’以及調整該回收流路之壓力與 β亥第1回收口面向之該空間之壓力之差，以避免供應至該 回收流路之洗淨液體被供應至該第1回收口面向之空間之 動作β 本發明第1 2態樣提供一種電腦可讀取之記錄媒體，其 記錄有上述第9至第11態樣中任一態樣之程式。 根據本發明之態樣’能良好的洗淨與曝光液體接觸之 構件等。又，根據本發明之態樣，能抑制曝光不良之產生、 及不良元件之產生。 【實施方式】 以下’ 一邊參照圖示一邊說明本發明之實施形態，但 本發明不限定於此。以下之説明中，係設定一 ΧΥΖ正交座 10 201205205 標系，-邊參照此XYZ正交座標系一邊說明各部之位置關 係。没水平面内之既定方向為乂車由方向、於水平面内與χ 軸方向正交之方向為γ軸方向、分別與X軸方向及γ軸方 向正父之方向（亦即錯直方向）為ζ轴方向。此外，並設繞χ 軸、υ軸* ζ軸旋轉(傾斜)方向分別為及… 向〇 . <第1實施形態> 以下’說” i實施形態1 i係顯示第i實施形態 之曝光裝置EX之一例之概略構成圖。本實施形態之曝光裝 置EX係透過液體以曝光用& EL使基板p曝光之液浸曝光 裝置。本實施形態中，形成一曝光用光EL之光路κ之至少 一部分被液體LQ充滿之液浸空間。液浸空間lS係以液 體LQ充滿之部分（空間、區域）^基板p係透過液浸空間Ls 之液體LQ以曝光用光EL加以曝光。本實施形態中，液體 LQ係使用水（純水）。 又’本實施形態之曝光裝置EX，係例如美國專利第 6897963號及歐洲專利申請公開第1713113號等所所揭示之 具備基板載台與測量載台之曝光裝置》 圖1中，曝光裝置EX，具備：能保持光罩μ移動之光 罩載台1、能保持基板Ρ移動之基板載台2Ρ、不保持基板ρ 而可搭載測量曝光用光EL之測量構件C(測量器）並移動之 測量載台2C、以曝光用光EL照明光罩Μ之照明系il、將 經曝光用光EL照明之光罩Μ之圖案之像投影至基板Ρ之 投影光學系PL、將照射於基板Ρ之曝光用光EL之光路κ 11 201205205 以曝光液體LQ加以充滿以在與基板p之間保持曝光液體 LQ來形成液浸空間LS之液浸構件3、配置在液浸構件3 周圍之至少一部分可回收曝光液體LQ之回收構件4〇〇、控 制曝光裝置EX全體之動作之控制裝置4、以及連接於控制 裝置4用以儲存關於曝光之各種資訊之記憶裝置$。記憶裝 置5例如包含RAM等之記憶體、硬碟、cd— R〇M等之記 錄媒體。於記憶裝置5儲存有控制電腦系統之作業系統 (OS)、儲存有用以控制曝光裝置ex之程式。 又’曝光裝置EX具備：形成為至少配置投影光學系 PL、液浸構件3、回收構件4〇〇、基板載台2p及測量載台 2C之内部空間CS的室（charnber)構件ι〇1、調整内部空間 cs之環境（溫度、濕度、壓力及潔淨度）的空調裝置1〇2、以 及包含用以開關形成於室構件1〇1之開口 1〇1K之開關機構 103的室裝置1〇〇。 光罩Μ ’包含形成有待投影至基板ρ之元件圖案之標 線片°光罩Μ，包含例如具有玻璃板等透明板、與在該透 明板上使用鉻等遮光材料形成之圖案之透射型光罩。又， 光罩Μ亦可使用反射型光罩。 基板Ρ係用以製造元件之基板。基板ρ包含例如半導 體晶圓等之基材、與該基材上形成之感光膜。《光膜係以 感光材形成之膜。又，基板ρ亦可在感光膜之外包含其他 膜。例如，基板Ρ可包含例如反射防止膜及保護感光膜之 保護膜（頂塗層膜）。 照明系IL係對既定照明區域ir照射曝光用光el。照 12 201205205 月區域IR包合從照明系IL射出之曝光用光虹可照射之位 置。照明系、IL將配置於照明區域IR之光罩μ之至少一部 刀以均勻照度分布之曝光用光E]L加以照明。從照明系江 射出之曝光用{ EL ’係使用例如從水銀燈射出之輝線 線、h線、i線）及KrF準分子雷射光（波長248nm)等之遠紫 卜光（DUV光）、ArF準分子雷射光（波長193咖）以及雷射 光（波長157nm)等之真空紫外光（光）等。本實施形態 中，曝光用A EL係使用紫外光（真空紫外光）之⑽準分子 雷射光。 光罩載台1可在保持有光罩M之狀態下在包含照明區 域之基座構件6之導引面6G上移動。光罩載台i係藉 由例如包含美國專利第6452292號所揭示之平面馬達之驅 動系統之作動移動。平面馬達具備配置在光罩載台丨之可 動^與配置在基座構件6之固^子。本實施形態中，光罩 載台1可藉由驅動系統之作動’於導引面6(3上移動於X 軸、Y軸、z軸、ΘΧ、ΘΥ及以方向之6個方向。 ^影光學系PL係對既定投影區域PR照射曝光用光 1投影區域PR包含從投影光學系PL射出之曝光用光虹 :::射到之位置。投影光學系PL將光罩以之圖案之像以既 :又景’倍率投影至配置於投影區域pR之基板p之至少一部 分。本實施形態之投影光學系pL係投影倍率為例如1,4、 :/5或1/8等之縮小系統。又，投影光學系pL亦可以是 等倍系統及放大系統之任一種。本實施形態中興 系PL之光軸入乂與2軸平行。此外，投影光學系可: 13 201205205 是不包含反射光學元件之折射系統、不包含折射光學元件 之反射系統、包含反射光學元件與折射光學元件之折反射 系統之任一種。又，投影光學系PL可以形成倒立像與正立 像之任一種。 投影光學系PL具有朝向投影光學系Pl之像面射出曝

光用光EL之射出面7。射出面7係配置在投影光學系pL 之複數個光學元件中、最接近投影光學系PL之像面之終端 光學元件8。投影區域PR包含從射出面7射出之曝光用光 EL可照射之位置。本實施形態中，射出面7朝向—z方向、 與XY平面平行。又，朝向_z方向之射出面7可以是凸面、 亦可以是凹面。終端光學元件8之光軸與z軸平行。本實 施形態中，從射出面7射出之曝光用光E]L係行進於—Z 向0 基板載台2P可在保持基板p之狀態下於包含投影區域 PR之基座構件9之導引面9G上移動。測量载台％可在搭 載測量構件C(測量器)之狀態下於包含投影區域pR之 構件9之導引面9G上移動。基板載台2p及測量載台^ 藉由包含例如美國專利帛6452292號所揭之平面馬達 動系統之作動而移動。平而民、告 十面馬達具有分別配置在基板裁△ 2P及測量載台2C之可動子 '與配置在基座構件9之： 子。本實施形態中，基板載台2p及測量載台2c : 藉由驅動系統之作動，在導引面⑽上移動可 Z轴……及方向之6個方向…：、 2Ρ及測量載台2c移命t + 板栽台 戰口 2C移動之驅動系統可以不是平面馬達。例如 14 201205205 驅動系統可包含線性馬達。 基板載台2P具有將基板p保持成可釋放之基板保持部 10°基板保持部10將基板P保持成基板P之表面朝向+ Z 方向。本實施形態中，保持在基板保持部1〇之基板p之表 面、與配置在該基板p周圍之基板載台2p之上面2PF係配 置在同一平面内（同面高卜上面2pF是平坦的。本實施形態 中，保持在基板保持部10之基板p表面、及基板載台2p 之上面2PF與χγ平面大致平行。 當然’保持在基板保持部1G之基板？表面與基板載台 之上面2PF可不配置在同一平面内、或基板卩之表面及 上面2PF之至少—方不# χγ平面平行皆可。此外，上面 2PF可以不是平坦的。例如，上面2pF可包含曲面。 又，本實施形態中，基板載台2ρ具有例如美國專利申 物…〇〇7/〇177125號、及美國專利申請公開第2008 侧9^等所狀以可釋放之方式㈣覆蓋（⑽⑺構 τ之覆盍構件保持部u。本實施形態中，基板載”ρ = 包含料在覆蓋構件保持部u之覆蓋構口件Τ 又，覆蓋構件Τ亦可^能釋放之方式設[此場合， 二盘構件保持部η可省略。此外，基板栽台之口 亦可=搭_基《台2Ρ之感測器、測量構件等之表面。 測里載台2C具有將測量構件c保持成 件保持部12。本實施㈣中，保持在測^了件^之測量構 I構件C之表面(上面)、與配置在該測量構件C周：： 15 201205205 測量載台2C之上面2CF係配置在同-平面内（同面高卜上 面2CF是平坦的。本實施形態中，保持在測量構件保持部 12之測量構件C之表面（上面）及測量載台2C之上面 與XY平面大致平行。 本實施形態中，搭載於測量載台2C測量構件c可以是 例如美國專利申請公開第2002/0041377號等所揭示之構 成空間像測量系統之一部分之構件、或美國專利第 號等所揭示之構成照度不均測量系統之一部分之構件、或 美國專利帛5493403號等所揭示之基準構件、或美國專利 申請公開帛2002/0061469料所揭示之構成照射量測量 系統之一部分之構件、或歐洲專利第1〇79223號等所揭示 之構成波面像差測量系統之一部分之構件。 '

當然，保持在測量構件保持部12之測量構件C之表面 (上面）與測量載台2C之上面2CF可以不是配置在同—平面 内’或測量構件C之表面及上面2CF之至少一方與打平 面不是平行。又’上面2CF可以不是平坦的。例如上面2CF 可包含曲面。此外’測量構# c亦可以不能釋放之方式設 置。此場合，可省略測量構件保持部〗2。 本實施形態令，測量載台2C具有例如美國專利申铁八 :第號所揭示之可產生超音波振動之二 波產生裝置。超音波產生裝置13包含桿構件、與使: 構件振動之振動子。 于 2Ρ及測量載台 130Β之干涉儀 本實施形態令，光罩載台1、基板載台 2C之位置係以包含雷射干涉儀單元π〇Α、 16 201205205 系統uo加以測量。雷射干涉儀單元13从可使用配置在光 罩載台1之測量鏡（mirr〇r)測量光罩載 板載台2Ρ之位置。又，雷射干涉儀單元η〇Β可使用配置 在測量載台2C之測量鏡測量測量載台2c之位置。實施基 板P之曝光處理時、或實施既定測量處理時，控制裝置4 根據干涉儀系統130之測量結果實施光罩载台i(光罩⑷、 基板載台2P(基板P)及測量載台2C(測量構件c)中至少一者 之位置控制。 本實施形態之曝光裝置Εχ ’係一邊使光罩厘與基板p 同步移動於既定掃描方向、—邊將光罩Μ之圖案之像投影 至基板Ρ之掃描型曝光裝置(所謂之掃描步進機)。本實施形 怨中，係設基板Ρ之掃描方向(同步移動方向)為丫軸方向、 光罩Μ之掃描方向（同步蒋會 ⑴艾移動方向）亦設為Υ軸方向。控制 裝置4使基板P相對投影光學系pL之投影區域pR移動於 Y軸方向’並與該基板P"轴方向之移動时，相對昭 明糸IL之照明區域IR使光罩M … 移動於Y轴方向，與此同 夺，經由投影光學系PL與基板p上之液浸空間LS之曝光 液體LQ對基板P照射曝光用光EL。 =構件3將液浸空間Ls形成為照射於投影區域⑼ 之曝光用光EL之光路尺被睡出V· 係以可射出曝光用⑼ Q充滿。液浸構件3 端光風- 之終端光學元件8、與配置在從終 置出面7射出之曝光用綠可照射到之位 置的物體之間之曝光用光EL之光路κ被曝光液體LQ充滿 17 201205205 之方式’在與物體之間保持曝来访辨 噃九液體LQ以形成液浸空間 LS。 本實施形態中，從射出面η 之位置包含投影區域PR。又， EL可照射之位置包含物體與射 形態中 射出之曝光用*EL可照射 從射出面7射出之曝光用光 出面7對向之位置。本實施 可配置在與射出面 對向位置之物體，換言之、 可配置於投影區域PR之物體 T)、保持在基板載台2P(基板保持部 台2 C (測量構件C、超音波產生裝置 包含基板載台2P(覆蓋構件 丄〇)之基板P及測量載 U)中之至少一方。於 基板P之曝光中’液浸構件3係照射於基板p之曝光用光 EL之光路K被曝光液體LQ充滿之方式，在與基板p之間 保持曝光液體LQ以形成液浸空間Ls。 本實施形態中，液浸構件3係配置在通過终端光學元 件8'及終端光學元件8與配置在投影區域叹之物體之間 之曝光液體LQ的曝光用光EL之光路κ周圍至少一部分。 本實施形態中，液浸構# 3為環狀構件。本實施形態中， 液浸構件3之-部分配置在終端光學元件8之周圍，液读 構件3之-部分係配置在終端光學元件8與物體之間之: 光用光EL之光路Κ周圍。液浸空間Ls係形成為終端光學 元件8與配置在投影區域叹之物體之間之曝光用光乩之 光路K被液體LQ充滿。 又，液浸構件3亦可以不是環狀構件。例如液浸構件： 可配置在終端光學元件8及光路K之周圍之一部分。此外， 液浸構件3亦可以不是配置在終端光學元# 8周圍之至少 18 201205205 一部分。例如，液 之間之光路Κ K 3可以是配置在射出面7與物體 之間之先路Κ周圍之至少— 件8之用III。 〇Ρ刀，而非配置在終端光學元 〇 又’液浸構件3亦可以不是酉己置在射出面7 與物體之間之光路κ周 ^ α曰邮罢y·处 刀。例如液浸構件3可 疋置在終端光學元彳8周圍之至少一部分 在射出面7與物體之門 非配置 初體之間之光路K周圍。 (上面)… 置在投影區域PR之物體表面 (上面）對向之下面14。 ^ , s 液次構件3之下面14能在與物體表 面之間保持曝光液體LQ。太會 ^本實施形態中，液浸空間LS之 曝光液體LQ之—部公在仅+ μ 係保持在終端光學元件8與和該終端 干兀 之射出® 7對向配置之物體之間。又，液浸空 門LS之曝光液體LQ之—部分係保持在液浸構件3與和該 液浸構件3之下面14對向配置之物體之間。藉由在一側之 射出面7及下面14、與另一側之物體表面（上面）之間保持 曝光液體LQ，據以形成將終端光學元件8與物體之間之曝 光用光EL之光路K以曝光液體LQ充滿之液浸空間Ls。 本實施形態中，在曝光用光EL照射於基板？時，以包 含投影區域PR之基板p表面之部分區域被曝光液體lq覆 蓋之方式形成液浸空間LS。曝光液體LQ之界面（彎月面、 邊緣）LG之至少一部係形成在液浸構件3之下面14與基板 P之表面之間。亦即，本實施形態之曝光裝置Εχ係採用局 部液浸方式。液浸空間LS之外側（界面LG之外側）為氣體 空間GS。 圖2係顯示本實施形態之液浸構件3及回收構件4〇〇 19 201205205 之一例的側視剖面圖、圖3 圖2及圖3之以下説明中， 域P R之情形為例加以説明， 基板載台2(覆蓋構件τ)及琪 產生裝置13)。 係圖2之部分放大圖。在使用 雖係以基板P被配置於投影區 但如上所述，亦可以例如配置 量載台2C(測量構件c、超音波 本貫施形態中，液浸構件 包含至少一部分係與射出 面7對向配置之板 一 （P te)。卩31、至少一部分係與終端光 學元件8之側面8 F對向敝罟+ | Α 耵向配置之本體部32、以及流路 件33。本實施形能φ，u Α 凡傅 〜、中板片部3 1與本體部32為一體。 實施形態中，流路形虑播杜1 心或構件33與板片部31及本體部32不 同本實施形態中，流路形成構件33係被支承於本體部U。 又’ 路形成構件33、板片部31及本體部32可形成為— 體。此外’流路形成構件33可與本體部32分離、流路形 成構件3 3是可更換的。 又，側面8F係配置在射出面7之周圍。本實施形態中， 側面8F係於相對光路κ之放射方向、朝外側向上方傾斜。 相對光路κ之放射方向，包含相對投影光學系之光軸 AX之放射方向、含與Z軸垂直之方向。 液浸構件3在面對射出面7之位置具有開口 15。從射 出面7射出之曝光用光肛可通過開σ 15照射於基板p。本 實施形態中，板片部31具有與射出面7之至少—部分對向 之上面16A、與能和基板p之表面對向之下面i6b。開口 15包含形成為將上面UA與下面i6B加以連結之孔。上面 16A配置在開口 15之上端周圍、下面16B則配置在開口 15 201205205 之下端周圍。 、，本實施形態中，上面16A是平坦的。上面i6A與χγ 平面大致平行。又，上面16Α之至少一部分可相對χγ平 面傾斜、亦可包含曲面。本實施形態中，下面16Β是平坦 的。下面16Β#ΧΥ平面大致平行。又，下面湖之〇 -部可㈣ΧΥ平面傾斜、亦可包含曲面。下面16Β在與 基板Ρ之表面之間保持曝光液體。 液浸構件3具備可供應曝光液體LQ之供應口 17、可 回收曝光液體LQ之回收口 18、從回收口 18面向之㈠空 間sp經由回收口 18回收之曝光液體lq流經之回收流路、 以及從回收流路19將曝光'_LQ與氣體〇加以分離排出 之排出部20。 供應口 17可對光路κ供應曝光液體LQ。本實施形態 中，供應口 17係在基板p之曝光之至少一部中，對光路K 仏應曝光液體LQ。供應口 17’在光路κ之近旁配置成面對 該光路κ。本實施形態中，供應口 17將曝光液體供應 射出面7與上面16A之間之空間SR。從供應口 Η供應 二間SR之曝光液體Lq之至少一部分被供應至光路κ， 並經由開口 15被供應至基板P上。又，供應口 17之至少 一個之至少—部分可面對侧面8F。 液浸構件3具備連接於供應口 17之供應流路29。供應 々il路29之至少一部係形成在液浸構件3之内部。本實施形 態中’供應口 17包含形成在供應流路29之一端之開口。 供應流路29之另一端經由供應管34p形成之流路34與液 21 201205205 體供應裝置35連接。 液體供應裝置35可送出潔淨且經溫度調整之曝光液體 LQ。從液體供應裝置35送出之曝光液體LQ經由流路34 及供應流路29供應至供應〇 17。供應口 17將來自供應流 路29之曝光液體LQ供應至光路κ(空間SR)。 回收口 18能回收基板P上（物體上）之曝光液體 至少-部分。回收π 18在基板P之^中，时基板？上 之曝光液體LQ之至少一部分。回收口 18朝向—z方向。 於基板P之曝光之至少-部分中，基板p之表面係面對回 收口 18。 本實施形態中，液浸構件3具備具有回收口 18之第丄 構件28。第1構件28,具有第！面28B、與第i面則朝 向不同方向之第2面28A、及連結第丨面則與第2面28a 之複數個孔28H。本實施形態中，回收口 18包含第t構件 28之孔2心本實施形態中’第i構件以係具有複數個孔 (開口或細孔）28Η之多孔構件。又，第i構件28亦可以是 多數小孔形成為網眼目狀之多孔構件的網眼筛（mesh 仙⑺。’亦即，第i構件28可適用具有可回收曝光液體lq 之孔的各種構件。 回收流路！9之至少一部分係形成在液浸構件3之内 部》本實施形態中，於回收流路19之下端形成有開口 32κ。 開口 32Κ係配置在下面16Β之周圍至少一部分。開口 32κ 形成在本體部32之下端。開口 32〖朝向下方（―ζ方向）。 本實施形態中’第i構件28配置於開口 32Κ。回收流路19 22 201205205 包含本體部32與第1構件28之間之空間。從回收口 1 8回 收之曝光液體L Q流於回收流路19。 ° 第1構件28配置在光路K(下面16B)之周圍至少—部 分。本實施形態中，第i構件28配置在光路κ之周圍。又°， 亦可將環狀之第1構件28配置在光路κ(下面16Β)之周圍、 或者亦可將複數個第i構件28離散的配置在光路Κ(下面 16B)之周圍。 本實施形態中，第i構件28為板片狀構件。第i面2吒 為第1構件28之一面、第2面28A為第i構件28之另一 面。本實施形態中，第i面28B係面向液浸構件3之下側 Z方向側）之空間SP。空間sp，包含例如液浸構件3之下面 14與和液浸構件3之下面14對向之物體（基板p等）表面之 間之空間。在與液浸構件3之下面15對向之物體（基板p 等）上形成有液浸空間Ls之情形時，空間sp包含液浸空間 (液體空間）LS與氣體空間Gs。本實施形態中，第i構件μ 係以第1面28B面向空間sp、第2面28A面向回收流路μ 之方式配置於開口 32K。本實施形態中，第i面28B與第2 面28A大致平行。第i構件28係以第2面28八朝向+ z方 向、第1面28B朝向與第2面28A之相反方向方向） 之方式配置於開口 32κ。&，本實施形態中，帛丄構件以 係以第1面28B及第2面28A與XY平面大致平行 六， 配置於開口 32K。 式 以下之説明中，將第！面28B適當的稱為下面MB、 將第2面28A適當的稱為上面28A。 23 201205205 當然，第1構件28可以不是板片狀。 與上面28Α亦可以不是平行。又下。此外，下面28Β 可相對χγ平面傾斜、亦可包含曲面^^之至少—部分 至少一部分可相對ΧΥ平面傾斜、 ，上面28Α之 J j包含曲面。 孔28H係形成為將下面28b與上面 體(包含氣體G及曝光液體Lq中之至少：炚加以連結。流 構件28之孔28H。本實施形態中 ^流通於第1 側之孔28Η之下端開口。於孔28 之下端周圍配置下面 28Β、於孔28Η之上端周圍配置上 面 。從回收口 18面 向之空間SP經由回收口 18回收之皞尖 叹&曝先液體LQ流於回收

路 1 9。 L 回收流路19連接於第1構件28之孔2sm门… 〜札回收口 18)。 第1構件28從孔28H(回收口 18)回收與下面28B對向之基 板P(物體）上之曝光液體LQ之至少—部分。從第1構件28 之孔2 8 Η回收之曝光液體L Q流於回收流路19。 本實施形態中，液浸構件3之下面14包含下面16Β及 下面28Β。本實施形態中，下面2 8Β配置在下面16Β之周 圍至少一部分。本贯施形態中’係在下面16 β之周圍配置 環狀之下面28Β。當然，亦可將複數個下面28β離散的配 置在下面16Β(光路Κ)之周圍。 本實施形態中，第1構件28包含第1部分281與第2 部分282。本實施形態中’第2部分282係在相對光路κ之 放射方向、配置在第1部分28 1之外側。本實施形態中， 第2部分282之氣體G從空間SP經由孔28Η往回收流路 24 201205205 19之流入，較第1部分281受到抑制。 本實施形態中，第2部分282之氣體g從空間sP經由 孔2 8 Η往回收流路19之流入阻力，較第1部分2 8 1大。 第1部分281及第2部分282分具有複數個孔28Η。例 如’在空間SP形成有液浸空間LS之狀態下，第.丨部分281 之複數個孔28Η中’一部分之孔28Η可能與液浸空間LS 之曝光液體L Q接觸、一部分之孔2 8 Η則有可能不與液浸空 間LS之曝光液體LQ接觸。此外，第2部分282之複數個 孔28Η中，一部分之孔28Η可能與液浸空間Ls之曝光液 體LQ接觸、而一部分之孔28H則有可能不與液浸空間LS 之曝光液體LQ接觸。 本實施形態中，第1部分281可從與空間sp之曝光液 體LQ(基板P上之曝光液體LQ)接觸之孔28H將曝光液體 LQ回收至回收流路19。又，第1部分281從未與曝光液體 LQ接觸之孔28H將氣體G吸入回收流路i 9。 亦即，第1部分2 8 1可從面向液浸空間l S之孔2 8 Η將 液浸空間LS之曝光液體LQ回收至回收流路19、從面向液 浸空間LS外侧之氣體空間GS之孔28Η將氣體G吸入回收 流路1 9。 換言之，第1部分281可從面向液浸空間LS之孔28Η 將液浸空間LS之曝光液體LQ回收至回收流路1 9、從不面 向液浸空間LS之孔28Η將氣體G吸入回收流路1 9。 亦即，在液浸空間LS之曝光液體LQ之界面LG存在 於第1部分281與基板Ρ之間之情形下，第1部分281可 25 201205205 將曝光液體LQ與氣體G 一起回收至回收流路丨9。此外， 亦可於界面LG ’從面向液浸空間LS與氣體空間GS之孔 28H吸入曝光液體Lq與氣體〇之雙方。 第2部分282可從與空間SP之曝光液體Lq(基板p上 之曝光液體LQ)接觸之孔28H將曝光液體LQ回收至回收流 路19。又，於第2部分282,氣體G從未與曝光液體lQ接 觸之扎28H往回收流路！ 9之流入受到抑制。 亦即’於第2部分282，可從面向液浸空間LS之孔28H 將液浸空間LS之曝光液體lq回收至回收流路丨9，而氣體 G從面向液浸空間Ls外側之氣體空間Gs之孔28H往回收 流路1 9之流入受到抑制。 本實施形態中，第2部分282實質上僅將曝光液體lQ 回收至回收流路19 ’氣體g則不回收至回收流路19。 圖4係放大顯示第i構件28之第2部分282之一部分 的剖面圖，係用以說明第2部分282僅回收曝光液體之 一狀態例的示意圖。 圖4中，空間SP(氣體空間GS)之壓力Pa與回收流路 19之壓力Pb間有一差。本實施形態中，回收流路19之壓 力Pb較空間SP之壓力pa低，透過第i構件28回收基板 P(物體）上之曝光液體LQ時，從第2部分282之孔281^將 基板P上之曝光液體LQ回收至回收流路19，氣體G從第 2部分282之孔28Ha往回收流路丨9之流入受到抑制。 圖4中，在第2部分282之下面28B與基板p之表面 間之空間sp，形成有液浸空間（液體空間）LS與氣體空間 26 201205205 GS。圖4中，第2部分282之孔28Ha下端面向之空間為氣 體空間GS，而第2部分282之孔28Hb下端面向之空間則 為液浸空間（液體空間）LS。又，圖4中，於第2部分282 上側’存在回收流路19之曝光液體LQ(液體空間）。 本實施形態中’從與曝光液體LQ接觸之第2部分282 之孔28Hb將基板P上之曝光液體LQ回收至回收流路1 9， 氣體G從不與曝光液體LQ接觸之第2部分282之孔28Ha 往回收流路19之流入受到抑制。 圖4中’將孔28Ha下端面向之氣體空間GS之壓力（下 面28B側之壓力）設為pa、將第1構件28上側之回收流路（液 體空間）19之壓力（上面28A側之壓力）設為pb，將孔28Ha、 28Hb之尺寸（孔徑、直徑）設為d2、曝光液體在第2部 分282之孔28H表面（内面）之接觸角為0 2、曝光液體lQ 之表面張力為r時，滿足下列條件： (4XrxcOS0 2)/d2 g (pb_pa)…⑴ 又，上述（1)式中，為簡化説明，並未考慮第i構件28 上側之曝光液體LQ之靜水壓。 又，本實施形態中，第2部分282之孔28H之尺寸d2, 係指在上面28A與下面2δΒ間之孔28H之尺寸的最小値。 當然’尺寸d2可以不是在上面28A與下面28b間之孔肅 之尺寸的最小値，而例如是平均値、或最大値亦可。 此場合，使曝光液體Lq在第 的接觸角6» 2滿足下列條件較佳。 2部分282之孔28H表面 Θ 2 ^ 90。 27 201205205 當上述條件成立時’即使是在第1構件28之孔28Ha 下側（空間Sp)形成有氣體空間GS之情形時，第1構件28 下側之氣體空間GS之氣體G經由孔28Ha移動至（流入）第 1構件28上側之回收流路（液體空間）19之情形亦會受到抑 制。亦即，第2部分282之孔28H之尺寸（孔徑、直徑）d2、 在第2部分282之孔28H表面之曝光液體LQ之接觸角（親 液性）Θ 2、曝光液體LQ之表面張力7、以及壓力pa、pb 滿足上述條件的話，曝光液體Lq與氣體G之界面即會被維 持在孔28Ha内側’使氣體G經由第2部分282之孔28Ha 從空間SP往回收流路19之流入受到抑制。另一方面，由 於在孔28Hb下側（空間SP侧）形成有液浸空間（液體空 間）LS ’因此經由孔28Hb僅回收曝光液體lq。 本實施形態中，於第2部分282之所有孔28H滿足上 述條件，從第2部分282之孔28H實質上僅回收曝光液體 L Q 〇 以下之説明中，將經由多孔構件之孔僅回收曝光液體 LQ之狀態適當地稱為「液體選擇回收狀態」、將經由多孔 構件之孔僅回收曝光液體LQ之條件稱為「液體選擇回收條 件」。 圖5係放大第1構件28之第丨部分281之一部分的剖 面圖，係用以說明第1部分281正回收曝光液體LQ及氣體 G之一狀態例的示意圖。 圖5中，空間SP(氣體空間Gs)之壓力pa與回收流路 19之壓力Pb間有一差。本實施形態中，回收流路19之壓 28 201205205 力Pb較空間SP之壓力Pa低。經由第1構件28回收基板 P(物體）上之曝光液體LQ時，氣體G從第1部分281之孔 28He被吸入回收流路19。 圖5中’於空間SP形成有液浸空間（液體空間）Ls與氣 體空間GS。圖5中，第1部分281之孔28Hc之下端面向 之空間為氣體空間GS，第1部分281之孔28Hd之下端面 向之空間則為液浸空間（液體空間）LS。又，圖5中，於第】 部分281之上側存在回收流路19之曝光液體LQ(液體空 間）。 本實施形態中，係從與曝光液體LQ接觸之第1部分 28 1之孔28Hd將基板P上之曝光液體LQ回收至回收流路 19，從未與曝光液體LQ接觸之第1部分281之孔28Hc將 氣體G吸入回收流路19。 本實施形態中’第1部分281與第2部分282，在孔 28H之尺寸（孔徑、直徑）、或曝光液體lq在孔28H表面（内 面）之接觸角、或其兩者不同。由於空間SP(氣體空間GS) 之壓力Pa與回收流路19之壓力Pb間之差，從與曝光液體 LQ接觸之第1部分281之孔28Hd將基板P上之曝光液體 LQ回收至回收流路1 9，從未與曝光液體LQ接觸之第丨部 分281之孔28Hc將氣體G吸入回收流路19。 又’本實施形態中，第1部分281之孔28H之尺寸dl， 係指在上面28A與下面28B間之孔28H之尺寸的最小値。 當然’尺寸dl可以不是在上面28A與下面28B間之孔28H 之尺寸的最小値’而例如是平均値、或最大値亦可。 29 201205205 本實施形態中’第2部分282之孔28H表面，較第j 部分28 1之孔28H表面對曝光液體lq具有親液性，亦即， 曝光液體LQ在第2部分282之孔28H表面（内面）之接觸角 Θ 2較曝光液體LQ在第1部分281之孔28H表面（内面）之 接觸角0 1小。據此，從第丨部分281將曝光液體Lq與氣 體G —起回收，從第2部分282則在抑制氣體G往回收流 路19之流入的同時、回收曝光液體Lq。 本實施形態中，曝光液體LQ在第2部分282之孔28h 表面之接觸角Θ2較90度小。例如，曝光液體LQ在第2 部分282之孔28H表面之接觸角0 2可以是5〇度以下的 度以下、30度以下、或2〇度以下。 又，第1部分281之孔28H之尺寸dl及第2部分28: 之孔28H之尺寸d2可以不3。例如，藉由將第2部分28 之孔28H之尺寸d2作成較第丨部分281之孔28h之尺寸 dl小，即可從第1部分281將曝光液體 回收，從第2部分282則在抑制氣體G往回收流路19之^ 入之同時，回收曝光液體LQ。 接著，參照圖2及圖3，說明排出部2〇。排出部2〇直 有面向回收流路19、用以從回收流路19排出曝光液體以 之第1排出口 2卜以及面向回收流路19、用以從回收流路 1 9排出氣體G之第2排出口 22。 本實施形態中，第1排出口 21係配置成在較回收口 ！ 上方(+Z方向)處面向回收流路19。第2排出口 Μ則係画 成在較回收口 18上方(+z方向)處面向回收流路 30 201205205 本實施形態中，第]姑山 ^ 第1排出口 21及第2排出口 至少-方朝向下方卜Z方向）。本實施 中^ 21及第2排出口 22係分別朝向下方。 第1排出口 本實施形態中，第1排出口 21係在相對光 方向配置在第2排出口 22之外側。亦即 ：射 第1排出口 21較第2排出口 本實施形態中’ 徘出口 22離光路κ遠。 本實施形態中’至少—個第，排出口 係與第1構件28之第2部分282之上面28A對/一 °戸刀 形態中’所有第1排出口 21皆與第2部分282二本實施 對向。與第i構件28對向之第丨 面^ 對向。 z 1與回收口 18 本實施形態中’至少一個第2排出 係與第1構件28之第2 A卩八2 至乂 —部分 刀 之上面28A對向。本實浐 :、中’所有弟2排出口 22皆與第2部分 ： 對向。與第丨構件28對向之第2排出 上面Μ 對向。 與回收口 1 8 本實施形態中，第 下方處。 第1排出口 21配置在較第2排出口 22 又本實施形態中，第2排出口 2 配置得離第i構件28之上面28Α遠。第1排出口 21 又，本實施形態中，第2部分282 相對光路…射方向、配置在第丨排出口 2;::分係於 口^之外側。亦即，本實施形態令，第2部分=2排出 分較第1排出° 21及第2排出口 22離光路心^

S 31 201205205 及圖3所示例中，第2部分282之外緣係在相對光路尺之 放射方向、配置在第1排出口 21及第2排出口 22之外側。 又’本實施形態中，第】構件28之第”分如之至 少一部分，係在相對光路K之放射方向、配置在第i排出 口 21及第2排出口 22之内側。亦即，本實施形態中，第1 部分2 8 1之至少一部分較筮〗姑 離#级"^ 帛1排出口 21及第2排出口 22 離先路…圖2及圖3所示例中，大致所有 係在相對光路K之放射方向 ' 。刀加 排出口 22之内側。 置在第1排出口 21及第2 如上所述，第丨構件2 曝光液體LQ與氣體G 281)係從空間SP將 第i構件28間之空間sp之曝^流路19回收。基板P與 1構件28流向回收流路19。如圖^體LQ及氣體G，經由第 路19形成有氣體空間與液體空間2及圖3所示，於回收流 收流路19之曝光液體L B。第1排出口 21排出回 19之氣體G。 Q，第2排出口 U則排出回收流路 本實施形態中，第1排出口 排出口 22受到抑制。第2排出口 21之氣體G之流入較第2 則較第1排出口 21受到抑制之曝光液體LQ之排出 曝光液體LQ之流入較第^排、。之’第2排出口 22之 本實施形態中，笛， 出口 21受到抑制。 曝光液體LQ之比率較氣體t 21將包含曝光液體LQ、 排出。第2排出口 22則將两之流體從回收流路19加以 率較氣體G低之流體從回收心體G、曝光液體LQ之比 & I9加以排出。亦即，本實 32 201205205 施形態中，從第1排出口 2! & ·

^ 1排出之流體中之曝光液體LQ 之比率，較從第2排出口 2) 丨

排出之^體中之曝光液體LQ 之比率咼。本實施形態中 第1排出口 21排出之流體中 之氣體G之比率，較從第？， 排出口 22排出之流體中之氣體 G之比率低。 本實施形態中，第1杻山 — 出口 21貫質上從回收流路19 僅排出曝光液體LQ。第2妯山 _ ， 弟排出口 22則實質上從回收流路 19僅排出氣體G。 本實施形態中，液浸構件3 舟1千3具備具有排出口 21之第2 構件27。第2構件27具有面南π 士、6 t Π回收流路19之第3面27b、 與第3面27B朝向不同方向 义弟4面27A、以及將第3面 27B與第4面27A加以連社之满奴加π 。 逆、、》之複數個孔27H。本實施形態 中，第1排出口 21包含第2構件27之孔 傅1干z /之孔27H。本實施形態 ’第2構件27係具有複數個孔27H之多孔構件。又，第 2構件27亦可Μ多數小孔形成為網眼狀之多孔構件的網 眼筛(mesh fUter)。亦即，.第2構件27卩使用具有可抑制氣 體G之流入之孔的各種構件。 本實施形態中’於流路形成構件33之下端形成有開口 33Κ。開π 33Κ朝向下方卜ζ方向）。本實施形態中，第2 構件27係配置於開口 33Κ。 本實施形態中’第2構件27為板片狀構件。第3面· 為第2構件27之一面、第4面27Α為第2構件π之另— 面。本實施形態中’第2構件27係以第3面27β面向回收 流路19、第4面27Α面向流路形成構件33之流路3〇之方 33 201205205 式配置於開口 33K。本實施形態中，第3面27B與第4面 27A大致平行。第2構件27係以第4面27A朝向+ z方向、 第3面27B朝向第4面27A之相反方向（―z方向）之方式配 置於開口 33K。又，本實施形態中，第2構件27係以第3 面27B及第4面27A與χγ平面大致平行之方式配置於開 口 33Κ。 以下之説明中，將第3面27Β適當的稱為下面27β、 將第4面27Α適當的稱為上面27Α。 當然’第2構件27可以不是板片狀，此外，下面27β 與上面27Α亦可以不是平行。又，下面27Β之至少—部分 可相對χγ平面傾斜、亦可包含曲面。再者，上面27八之 至少一部分可相對χγ平面傾斜、亦可包含曲面。 孔27Η係配置成將下面27Β與上面27Α加以連結。流 體（包含曝光液體LQ及氣體G中之至少一方）可流通於第1 構件27之孔27Η。本實施形態中，第i排出口 21係配置在 下面27B側之孔27H下端。換言之，第i排出口 21係孔 27H下端之開口。於孔27H之下端周圍配置下面27B、於 孔27H之上端周圍配置上面27 A。 流路30連接於第2構件27之孔27H(第1排出口 21)。 第2構件27從孔27H(第i排出口 21)排出回收流路19之曝 光液體LQ之至少一部分。從第2構件27之孔27H排出之 曝光液體L Q流於流路3 〇。 本實施形態中，係調整下自27Β面向之回收流路19與 上面27Α面向之流路（空間）3〇間之壓力差，以使氣體g從 34 201205205 第1排出口 21之排出受到抑制。 本實施形態中，第2 排出至流路30，不將名m 27實質上僅將曝光液體lq 不將氣體G排出至流路3〇。 本貫施形態中，經由第 叫之回收條件（排出條 件27之孔27H之曝光液體 選擇回收條件。亦即，丄:參照圖4等所説明之液體 之尺寸（孔徑、直徑第2構件27之孔27H 27Η表面之接觸角（親 ^在第2構件27之孔 r ' T ® 27B ® Λ 曝光液體LQ之表面張力 流路19之壓力Pb、以及上面27Α 面向之流路30之壓力ρ 面 曝光液體體選擇时條件，如此， 氣體“二 即被維持在孔27H之内侧， 乳體G經由第2構件27之孔27H % l P入《孔27以回收流路19往流路30 =入即又到抑制。據此，帛2構件27(第】排出口 η)可 貫質上僅排出曝光液體LQ。 本實施形態中，係調整回收流路19之壓力”與流路 之查力Pc間之差，以使經由第2構件η之孔㈣之曝 光液體LQ之回收條件（排出條件）成為液體選擇回收條件。

壓力PC較壓力Pb低。亦即’以回收流路19之曝光液體LQ 從第2構件27之孔27H排出至流路3〇，氣體G從第之構 件27之孔27H往流路30之流入受到抑制之方式，決定回 收流路19之壓力Pb與流路30之壓力&間之差。藉由調 整歷力HPc、或其雙方’使得從第2構件27之孔27h 實質上僅將曝光液體LQ排出至流路3〇,氣體㈣不排出 至流路30。 35 201205205 本實施形態中，f 2構件27表面之至少一部分對曝光 液體LQ具有親液性。本實施形態中， ' 王^弟2構件27之

孔27H表面（内面）對曝光液體lq為葙、、存M Y碑親液性。本實施形態 中，對曝光液體LQ之孔27H表面之接觸角小於9〇度。又’ 對曝光液體LQ之孔27H表面之接觸角可以是5〇度=下、 40度以下' 30度以下、或20度以下。 本實施形態中，液浸構件3具備配置在回收流路Η 内、抑制回收流路19之曝光液體Lq接觸第2排出口 22之 抑制部40。抑制部40係以第2排出口 22配置在回收流路 19之氣體空間之方式設在回收流路19。亦即，抑制部 係以回收流路19内、第2排出口 22之周圍空間成為氣體 空間之方式，設在回收流路19。例如，藉由抑制部4〇調整 回收流路19之液體空間之界面（表面），以使曝光液體lq 不接觸第2排出口 22。據此’配置在氣體空間之第2排出 口 22 ’即實質上從回收流路1 9僅排出氣體g。 本實施形態中’抑制部40包含配置在第2排出口 22 周圍至少一部分之突起41。突起41係以第2排出口 22配 置在回收流路19之氣體空間之方式設在回收流路19内。 以突起41調整回收流路19之液體空間之界面，以將第2 排出口 22配置在回收流路19之氣體空間。亦即，突起41 限制回收流路19之液體空間之界面往第2排出口 22接近。 又，本實施形態中’抑制部40包含在回收流路丨9内 配置在第2排出口 22周圍之至少一部分、表面對曝光液體 LQ具有撥液性之撥液部42。撥液部42抑制第2排出口 22 36 201205205 與回收流路1 9之曝光液體LQ之接缽 ^ 觸。撥液部42係以第2 排出口 22可配置在回收流路19之盔μ 體空間之方式，設在 回收流路19内。於回收流路19，以_ 撥夜部42抑制回收流 路19之液體空間之界面往第2排屮„， 22接近，以使第2 排出口 22周圍空間成為氣體空間。 本實施形態中，第2排出口 22佐# 係於相對光路K之放射 方向，配置在突起41之外側。亦g 弟2排出口 22較突 起41離光路K遠。又，撥液部49 之至少一部分係配置在 第2排出口 22與突起41之間。 本實施形態中，突起41於相對φ Τ光路Κ之放射方向，配 置在回收口 18之至少一部分與笸 興第2排出口 22之間。本實 施形態中，突起41係於相對光路 Κ之放射方向，配置在第 1部分281之回收口 18與第2排出口 22之間。 突起4!在第2排出口 22周圍之至少一Β部分，突出於 了方/實施形態中’突起41係以回收流路面之至 >一邛分形成。本實施形態申，突 犬起41之表面包含在第2 排出口 22周圍之至少一部分 匕3在第2 ..., c 下方延伸之側面4 1 S、與從 側面41S之下端部在相對第2 K ^ ^ ,, ^ f出口 22之内側以接近光路 K之方式延伸之下面4〗κ。相丨 ^ ^ έΒ ^ y 側面41S於相對光路K之放射 方向朝向外側。側面41S盥 7 ,, , ,, 、先路K大致平行。側面4IS與 ζ軸大致平行。又，側面41s

is ^ _ 7 , 了不與Z軸平行。下面41K 朝向一Z方向。本實施形態中， —/，工 下面與X Y平面大致平 仃。側面41S及下面4ΪΚ為 ^ ,,. 吹机路19内面之一部分。本 貫施形態令，下面41Κ與側面 形成之角度大致為9〇度。

37 S 201205205 當然，下面41K與側面41S形成之角度可，丨从 鬥仪J小於9〇度、亦可 大於90度。本實施形態中，突起41之前她η ~⑴％(下端）配置在較 第2排出口 22低之位置。 本實施形態，回收流路1 9之内面中、斯丄、〜 τ 形成突起41之 下面41Κ及側面41S，對曝光液體LQ為親液性。本實施形 態中’親液性之下面41Κ及側面41S與撥液部42相鄰接。 撥液部42之至少一部分係配置在親液性之下面4ικ及側面 41S與第2排出口 22之間。 本實施形態中，曝光液體LQ在親液性之回收流路1 9 内面（下面41 Κ及側面41 S)之接觸角小於9〇度。曝光液體 LQ在撥液部42表面之接觸角則為90度以上。本實施形態 中，曝光液體LQ在撥液部42表面之接觸角可以是例如1〇〇 度以上、或110度以上。 本實施形態中’撥液部42係以對曝光液體Lq具有撥 液性之膜Fr形成。形成膜Fr之材料係包含氟之氟系材料。 本實施形態中，膜 Fr 係 PFA(Tetra fluoro ethylene- perfluoro alkylvinyl ether copolymer)之膜。又，膜 ρΓ 亦可以是 PTFE(聚 四 ft 乙稀、Poly tetra fluoro ethylene)、 PEEK(polyetheretherketone)、鐵氟龍（登錄商標）等之膜。此 外，膜Fr亦可以是旭硝子公司製「CYTOP(商標）」、或3Μ 公司製「Novec EGC(商標）」。 本實施形態中，第1排出口 21及第2排出口 22係配 置在光路K周圍之至少一部分。本實施形態中，具有第1 排出口 21之第2構件27，係在光路κ周圍以既定間隔配置 38 201205205 有複數個。本實施形態中，第2 置於四處。第2排出口 22於光路 7在光路K之周圍配 有複數個。又，第！排出σ 2ι K之周圍以既定間隔配置 數量可相同。此外，第i排出口之數量與第2排出口 22之 其雙方可在光路〖之周圍連續：2置或第2排出口 22、或 如圖2所示，第1排出口 23P所形成之流路23連接於第、、&由抓路3G、及管構件 22係經由形成在本體部32内&排：裝置24。第2排出口 所形成之流路25連接於第2二之流路36、及管構件25P 裝置24、26包含例如真* 裝置26。第1、第2排出

及曝光液體LQ中之至少：方、統、可吸引流體(包含氣體G 石）〇 本實施形態，係藉由第 两乐1排出裝置24之作軏^ ^ 第1排出口 21之排出動作。展罝24之作動’貫施從 , , 又，本實施形態，係鋅i筮。 排出裝置26之作冑，實施 令藉由第2 從第2排出口 22之排出叙你 本實施形態中’第i排 出動作。 p出裝置24可調整第2槿杜 之上面27A所面向之流路3 冓件27 川之壓力Pce此外，第 置26可調整第2構件27 乐2排出裝 <下面27B、及第i構件28 面28A所面向之回收流路μ 上 之壓力Pb。又，内部空間Γ

包含空間SP，室裝置1〇〇 二間CS 調整第1構件28之下面

所面向之空間SP之壓力p 面28B 。控制裝置4使用室裝置1〇〇 第2排出裝置26中之至少— 夏ιυο及 —方調整壓力Pa或壓力ph、 其兩方，以由第1構件28之哲 或 之第1部分281將空間sp之膜 光液體LQ與氣體G —起θι]Α_ <曝 巧口吹’並由第2部分282 —邊批制 氣體G之流入.、一邊回收晛 制 4文曝先液體LQ。又，控制叢置4使 39 201205205 用第W出裝置24及第2排出裝置26之至少一方，設定 壓力外、或壓力PC、或其兩方’以由第2構件27 -邊抑 制氣體G之流入、-邊排出回收流路19之曝光液體心 又，第2排出裝置26亦可無法調整壓力。 又’曝光裝置EX亦可具備第1排出裝置24及第2排 出裝置26之至少一方。此外，第1排出裝置24及第2排 出裝置26之至少一方可以是曝光襄置耽之外部裝置。或 者，第W出裝置24及第2排出裝置26之至少一方可以 是設置曝光裝置ΕΧ之工廠的設備。 本實施形態中，帛1排出口 21可對回收流路19供應 液體。亦即，本實施形態中’第1排出口 21亦具有作為可 供應液體之液體供應口的機能。 本實施形態中，可供應液體之供應裝置Μ係經由管 構件231Ρ所形成之流路231冑接於流路23。流路231則經 由例如包含閥機構等之流路切換機構23Β連接於流路〜 供應裝置241可經由流路231及流路23將液體供應至第夏 排出口 2卜第i排出口 21可將來自供應裝置24ι之液體供 應至回收流路19。控制裝置4控制流路切換機構23B ’以 :從^排出口 21排出回收流路19之液體時，使第U ® 口 21透過流路23與第 w , 弟1排出裝置24連接而不與供應裝 置⑷連接。在以流路切換機構23b使第i排出口 η與第 1排出裝置24透過流路 ’ 逑接之狀態下，藉由第1排出裝 另一方動’從第1排出口 21排出回收流路19之流體。 另一方面’控制裝置4控制流路切換機構23Β，以在從第】 40 201205205 排出口 21將液體供應至回收流路19時，使帛丄排出口 2i 經由流路23及流路m與供應裝置⑷料而不與第⑽ 出裝置24連接。在以流路切換機構23B使第i排出口 η 與供應裝置241透過流路23及流路231連接之狀離下，藉 由供應裝置241之作動，從第1排出口 將㈣供應至回 收流路1 9。 本實施形態中，第1排出口 21可供應之液體，包含例 如用以洗淨曝光裝置EX之至少部分構件的洗淨(C—) 液體LC(LC1、LC2)、及用以除去殘留在該構件之洗淨液體 LC的清洗（rinse)液體LH令之至少一方。本實施形態中， 洗淨液體LC包含第i洗淨液體LC1與第2洗淨液體Lc2。 供應裝置24丨可送出洗淨液體lC及清洗液體LHt之至少 一方0 回收構件400配置在液浸構件3周圍之至少一部分。 本實施形態中，回收構件4〇〇為環狀構件。回收構件 係圍繞液浸樽件3配置。此外，複數個回收構件彻亦可 以是在液浸構件3周圍離散的配置。 回收構件400具有可回收基板p(物體）上之至少部分液 體的回收口 401。基板P能與回收口 4〇1對向。回收構件 400具有配置在回收口 4〇1周圍、基板p(物體）可對向之下 面402。回收口 401能回收下面4〇2與和該下面4〇2對向之 基板P(物體）上面之間之空間Sq的液體。此外，回收構件 400具有透過回收口 4〇1被回收之液體流經之回收流 403。 201205205 回收口 401經由回收流路403、及管構件4〇4p所形成 之流路404連接於回收裝置405 ^回收裝置405包含例如真 空系統、可吸引流體（含液體及氣體之至少一方）。 本實施形態，係藉由回收裝，置405之作動，實施從回 收口 401之回收動作。 又’曝光裝置EX可具備回收裝置405。此外，回收裳 置405亦可以曝光裝置EX之外部裝置。再者，回收裝置 405亦可以設置曝光裝置EX之工廠的設備。 又’本實施形態中’供應口 17可供應洗淨液體 LC(LC 1、LC2)«»液體供應裝置35不僅可送出曝光液體lq、 可送出洗淨液體LC。 本實施形態中’液浸構件3之至少部分表面，包含非 晶碳（amorphous carbon)膜之表面。非晶碳膜包含四面體非 晶碳（tetrahedral amorphous carbon)膜。本實施形態中，液 浸構件3之至少部分表面包含四面體非晶碳膜之表面。本 實施形態，於基板P之曝光中與液浸空間LS之曝光液體 LQ接觸之液/X構件3之至少部分表面，包含非晶碳膜（四面 體非晶碳膜）之表面。本實施形態中，板片部3丨及本體部 32之基材包含鈦，非晶碳膜形成在該包含鈦之基材表面。 本實施形態中，第1構件28及第2構件27之基材包含鈦， 非晶石厌膜形成在該包含欽之基材表面。 又，包含板片部31、本體部32、第1構件28及第2 構件27之至少一者之液浸構件3之基材’可包含不鏽鋼、 鋁等金屬、亦可包含陶瓷。 42 201205205 非晶碳膜，或以Ρν: Γ法(化學氣相沉積法)於基材形成 晶碳膜。當卜液4:(物理氣相沉積法)等於基材形成非 碳膜之表面。《3之至少部分表面可不包含非晶 鋼、：等::::液浸構件3之至少一部分包含例如不鏽 與鈦不同之材料。又，液浸構件3之至少一部八 '、可是以含陶瓷之材料形成。 刀 膜之表面口：4〇0之至少部分表面可以是包含非晶碳 400之λ材可：：四面體非晶碳膜之表面。又，回收構件 土材了包含鈦、不鏽鋼、紹蓉 接著，今明且女亦可包含陶竞。 如圖6之流程圖;成之曝光裳置ΕΧ之—動作例^ …理：： 貫施形態，係實施包含基板ρ之 d處理㈣光程序（步驟SP1)與包含液浸構件3之洗爭處 ==rsp2)。又’可在洗淨程序之後實施曝光 反覆進仃曝光程序與洗淨程序。 隔既定時間、及/或當判斷液 亦了母 施洗淨程序。 已辦之情況時，實 說明曝光程序(步驟spl)e控制裝置4為了將曝 入(裝載於)基板載台2P(基板保持部I。)， =載』移動至基板更換位置。基板更換位置係與液 ^構件3(投影區域PR)分離之位置，是可實施基板p之更換 =的位置。基板P之更換處理，包含使用既定之搬送裝 ^圖不）將被保持於基板载台2p(基板保持部⑼之曝光 後之基板p從基板載台2P搬出（卸载）之處理、以及將曝光 43 201205205 前之基板p搬入（裝載於）基 理中的至少一方。押制…2P(基板保持部10)之處 振μ * η 裝置將基板載台2P移動至基板更 換位置，實施基板P之更換處理。 在基板載台2P從液浸構件3離開之至少部分期間中， ^裝置4將測量載台2C配置在與終端光學4 8及液浸 :件3對向之位置’在終端光學元件8及液浸構件3與測 $載口 2C之間保持曝光液體LQ以形成液浸空間Μ。 又，在基板載台2P從液浸構件3分離之至少部分期間 中’亦可視需要實施制測量載台2C之測量處理。實施使 用測量載台2。之測量處理時，控制裝置4使終端光學元件 8及液浸構件3與測量載台2C對向，形成—將終端光學元 件8與測量構件C間之曝光用光EL之光路飞被曝光液，體 LQ充滿之液浸空間LS。控制裝置4透過投影光學系Pl及 曝光液體LQ，對被保持在測量載台2c之測量構件c(測量 器）照射曝光用光EL，實施曝光用光el之測量處理。該測 量處理之結果’可反映於之後實施之基板P之曝光處理。 在曝光前之基板P被裝載於基板載台2P，使用測量載 台2C之測量處理結束後，控制裝置4將基板載台2P移動 至投影區域PR，在終端光學元件8及液浸構件3與基板載 台2P(基板P)之間形成液浸空間LS。 本實施形態中，係與從供應口 17之曝光液體LQ之供 應並行實施從回收口 18之曝光液體LQ之回收，據以在一 側之終端光學元件8及液浸構件3與另一側之基板P(物體） 之間以曝光液體LQ形成液浸空間LS。 201205205 又’本實施形態中，如圖2及圖3所示，係在與終端 光學元件8及液浸構件3對向之物體（基板p)大致靜止之狀 態下’液浸空間LS之曝光液體LQ之界面LG形成在第1 部分2 8 1與物體之間。 此外，亦可在物體大致靜止之狀態下，將液浸空間LS 之曝光液體LQ之界面LG配置在第2部分282與物體之間。 控制裝置4開始基板p之曝光處理。控制裝置4將來 自光罩Μ(使用照明系IL以曝光用光el照明者）之曝光用光 EL·透過投影光學系PL及液浸空間LS之曝光液體LQ照射 於基板P °據此’基板P即被經由液浸空間LS之曝光液體 LQ、來自射出面7之曝光用光EL曝光，光罩μ之圖案像 被投影至基板Ρ。 從回收口 18回收曝光液體lq時，控制裝置4使第2 排出裝置26作動’從第2排出口 22排出回收流路19之氣 體G。據此，回收流路丨9之壓力即降低。本實施形態中， 控制裝置4控制第2排出裝置26，使回收流路19之壓力 Pb低於空間SP之壓力pa。由於壓力pb低於壓力pa，因此 即從第1構件28之第1部分28丨及第2部分282之至少一 方之孔28H，將基板ρ上之曝光液體之至少一部分回收 至回收流路19 ^又，空間sp之氣體G之至少一部分從孔 28H被回收至回收流路丨9。回收流路丨9之曝光液體lq與 氣體G從排出部2〇分離排出。 本實施形態中’係在第2排出口 22周圍之至少一部分 配置包含突起41及撥液部42之抑制部4〇的狀態下，實施 45 201205205 第2排出口 22之排出動作。— 邊在以抑制部40抑制回收 流路19之曝光液體LQ接觸於 P刷口 4 '第2排出口 22 ' —邊從第2 排出口 22排出回收流路19夕 氣體G。又，抑制部40可僅 具有突起41及撥液部42中之—+ —方0 本實施形態中，係在回收攻 收机路19中曝光液體Lq不接 觸第2排出口 22而接觸第！排 徘出口 21之方式，曝光液體 LQ及氣體G流過回收流路19。 丰貫轭形態中，係以從第1 構件28之孔28H回收至回物冶朴，Λ 口收流路丨9之曝光液體U)在不與 第2排出口 22接觸之情形下湳 月成向第1排出口 21之方式， 設定第1排出口 21 '第2排ψ π n 徘出口 22、回收口 18等之各配 置 '回收㈣19内面之形狀、回收流路19内面對曝光液 體LQ之特性（例如接觸角）、面向回收流路19之構件之表 面形狀、及面向回收流路19之構件表面對曝錢體LQ之 特性（例如接觸角）等。 、本實施形態’係從第i構件28之第）部分281將曝光 液體LQ與氣體G 一起回收至回收流路19,而從第2部分 282則在抑制氣體G之流人之同時、將曝光液體回收至 回收流路19。 因回收流路19之壓力Pb低於液浸構件3與基板p間 之二間SP之壓力Pa，故基板p上之曝光液體經由回收 口 第1構件28)流入回收流路19 »亦即，藉由使第1構 件28之上面28A與下面28B之間產生壓力差，據以使基板 P上之曝光液體LQ經由回收口 1 8(第1構件28)流入回收流 路19。 46 201205205 又，控制裝置4控制流路切換 置24與第i排出口 21連接，並為了從第^使第1排出裝 回收流路19之曝光液體LQ而使第！排出裝：口 21排出 第1排出裝置24之作動，流路3〇之· 4動。因 態中，控制裝置4係控制第丨排出褒4低：本實施形 力Pc低於回收流路19之壓力外。 机路30之壓 控制裝置4控制第i排出裝置24以控制流路3。之壓 力P c ’以從苐2構件2 7僅胳溫止、士 料27僅將曝先液體LQ排出至流路3〇。 因流路3〇之壓力P。變成低於回收流路19之壓力Pb， ::收流路19之曝光液體W即經由第！排出口 21(第2

斑）流入流路3〇。亦即，藉由使第2構件27之上面27A 體I Γ Μ之間產生壓力差’據以使回收流路19之曝光液 Q經由第1排出口 21(第2構件27)流入流路3〇。 第1排出口 21於從回收口 18之曝光液體之回收 :持續排出回收流路19之曝光液體LQ。第2排出口 22 ^糸為回收來自回收口 18之曝光液體LQ，持續排出回收 '风路1 9之氣體G 〇 第2排出口 22為了僅排出回收流路19之氣體G，因此 J制回收流路19之壓力pb大幅變動。亦即，藉由在第2 ^裝置26與回收流路19上部之氣體空間之間確保連續 的礼體流路、第2排出口 22持續排出回收流路1 9之氣體 使得回收流路19之壓力Pb大致固定。由於回收流路19 屬力 p b大致固定，因此從基板P上（液浸空間LS)回收口 1 δ 回收之每單位時間之液體回收量之變動受到抑制。 47 201205205 本實把形態中’供應口 i 7為形成液浸空間LS而供應 每單位時間既定量之曝光液體lq。本實施形態中，供應口 17持續供應m量之曝光液體LQ。又，回收口 18則 回收每單位時間既定量之曝光液體LQ。本實施形態中，回 收口 18持續回收大致一定量之曝光液體。因此，液浸 空間LS大小之變動受到抑制。 本實施形態中，從回收口 18回收至回收流路19之曝 光液體LQ -邊與时流路19之至少部分内面接觸、一邊 流向第1排出口 21 (第2 士塞从 構件27)。接觸了至少一個第1排 出口 21(第2構件27)之回妆冷放 W收流路19之曝光液體LQ從該第 1排出口 21排出。例如 從第1部分281之孔28H回收之 曝光液體LQ，於第i構件 傅件28之上面28a上流向第1排出 口 21(第2構件27)。第1姐山 0 』弟1排出口 21為了維持氣體G從回收 流路19往第2排出口 22夕士 λ ζ〈机入’從回收流路19排出曝光 液體LQ。控制裝置4批制银，& , 控制第1排出裝置24及第2排出裝 置26中之至少一方乂 从從第2排出口 22持續排出氣體^、 從第1排出口 21排出曝光液體LQ。 本實施形態中，锈贫 透過第1構件28回收基板p上之曝光 液體LQ時’至少第2 Λβ八 弟2 刀282之上面28Α係被回收流路 19之曝光液體LQ霜芸 V復蓋。如圖2及圖3所示，本實施形態， 於回收流路19中，第】摇彼> 弟1構件28之上面28A大致全部區域 被回收流路19之曝光液體LQ覆蓋。亦即，於回收流路19, 上面28A之大致全部與曝光液體接觸。據此，第2部分 282之孔28H之大部分滿足液體選擇回收條件，而從第2 48 201205205 部分282實質上僅回收曝光液體Lq。 又’本實施形態中，液浸空間LS之曝光液體LQ從空 間SP流出之情形時，回收構件4〇〇之回收口 4〇 1即回收從 空間SP流出之曝光液體lq。據此，曝光液體流出至空 間SQ外側之情形即受到抑制。此外，於基板p(物體）上殘 留曝光液體LQ之情形時，回收口 401即回收該殘留之曝光 液體LQ。又，於基板P之曝光處理中，可不實施從回收口 401之吸引動作。亦即，於基板p之曝光處理可不從回收口 401回收曝光液體LQ。 基板P之曝光處理結束後’控制裝置4使基板載台2p 移動至基板更換位置。測量載台2C被配置成例如與終端光 學元件8及液浸構件3對向。從移動至基板更換位置之基 板載台2P搬出曝光後之基板p，並將曝光前之基板p搬入 基板載台2P。 之後’控制裝置4即反覆進行上述處理，依序使複數 片基板P曝光。 又’本實施形態中’在包含基板p之更換處理、使用 測量載台2C之測量處理、及基板p之曝光處理的曝光程序 之至少部分期間中’從供應口 17對終端光學元件8及液浸 構件3與和該終端光學元件8及液浸構件3對向配置之物 體（基板P、基板載台2P及測量載台2C中之至少一者）之間 供應曝光液體LQ ’並將從供應口 17供應之曝光液體LQ之 至少一部分從回收口 18加以回收。於曝光程序中從回收口 18回收之回收流路19之曝光液體LQ從第1排出口 21排 49 201205205 出’回收流路1 9之氣體G則從第2排出α 2 徘出。 惟，於基板Ρ之曝光申，例如從基板 如感光材等之有機物)有可能混入液浸空間Ls f (例 LQ、或基板P之物質釋出至曝光 』光液體 收ϋV之可能。該物質 質。此外，不僅僅是從基板P產生之物質，存“ 漂洋在空中之異物亦有可能混人液浸 1 ° LQ。 ^之曝光液體 液浸構件3係與曝光液體LQ接觸 第至少在基板p之曝光中盘曝^牛辦此外，由於 觸’因此異物混入曝光液體LQ之情 LQ持續接 附著於第…。例如二二，：:亦有可能 之下面28B。 考在第1構件28 又，由於混有異物之液浸空間Ls之瞧 收口 18被回收而流過回收流路19 =之從回 則表面（内面）及上面28A之 如第1構件28之孔 面之至少-部分' 以及第2構:2;::、回收流路-内 27B及孔27H内面）之至少—部八 （上面27A、下面 … °P分與曝光液體LQ接觸，而 有可此產生異物附著之情形。 若放任異物附著在包含下面14、回收流路 第1構件28表面及第2構件27主 的内面' 表·面之液浸構件3+ 部分表面之狀態不管的話，即右 午3之至v 光中附著於基板p、或從供應° "b產生例如該異物於曝 到污染之情形。又，當下面^供應之曝光液體LQ受 無法良好地形成液浸空間LS。1 έ士卞夺#有可能例如 /、1果，即有可能產生曝光 50 201205205 不良之情形。 因此’本實施形態’係以既定時序實施洗淨液浸構件3 之至少一部分的洗淨程序（步驟sp2卜 以下’說明用以洗淨液浸構件3之—洗淨程序例。 圖7係顯示本實施形態之—洗淨程序例的流程圖、圖8 〜圖U一則係顯示本實施形態之-洗淨程序例的示意圖。 本實施形態之洗淨·栽忠，a a 无竽程序包含：將物體配置在與液浸 牛之回收口 18對向位置的處理(步驟⑹)、對液浸構 之回收机路19供應第i洗淨液體⑽以洗淨液浸構件 之至/ 4刀的處理（步驟SC2)、對回收流路19供應清洗 轉體LH的處理（步驟SC3)、對回收流路b供應第2洗淨液 =LC2以洗淨液浸構件3之至少—部分的處理（步驟S叫、 斜回收流路19供應清洗液體LH的處理（步驟sc5)、以及再 口收流路19供應清洗液體LH的處理（步驟SC6)。 以下之説明中，將使用第！洗淨液體lci之洗淨處理 之f SC2)稱為第1洗淨處理，將使用第2洗淨液體LC2 洗淨處理（步驟SC4)稱為第2洗淨處理。 以下之説明巾，對使用洗淨液體lc(lci、lc2)洗淨過 理、、主構件3等構件供應清洗液體LH的處理稱為清洗處 ^洗處理包含將清洗液體lh供應至構件以洗務該構 理。除去殘留在該構件之洗淨液體lC(Lcm、LC2)的處 處理X下之况明中’將在第1洗淨處理後實施之清洗 题理（步驟SC3)適杏# # & & A a 的稱為第1 h洗處理、將在第2洗淨處 51 201205205 理後實施之清洗處理（步驟SC5)適當的稱為第2清洗處理、 將在第2清洗處理後實施之清洗處理（步驟SC6)適的稱為第 3清洗處理。 作為第1洗淨液體LC1，可使用例如鹼性液體。亦即， 第1洗淨液體LC1可使用含既定物質之鹼性溶液。例如， 第1洗淨液體LC1可包含作為既定物質之氫氧化四甲基銨 (TMAH : tetramethyl ammonium hydroxide)。又，作為第夏 洗淨液體LC 1，可使用鹼性水溶液。 作為第2洗淨液體LC2 ’可使用例如酸性液體。亦即， 第2洗淨液體LC2可使用含既定物質之酸性溶液。例如， 第2洗淨液體LC2可包含作為既定物質之過氧化氫。又， 作為第2洗淨液體LC2，可使用酸性水溶液。 又’第1洗淨液體LC1與清洗液體LH可包含相同種 類之液體。此外’第2洗淨液體LC2與清洗液體LH亦可 包含相同種類之液體。 本實施形態中，第1洗淨液體LC1係使用包含氫氧化 四甲基銨之鹼性水溶液。第2洗淨液體LC2係使用過氧化 氫水溶液。清洗液體LH則係使用曝光液體LQ。亦即，本 貫施形態中’清洗液體L Η係使用水（純水）。本實施形態中， 第1洗淨液體LC 1、第2洗淨液體LC2及清洗液體LH之各 個，作為相同種類之液體，包含水。 本實施形態中，第1洗淨液體LC 1係使用氫氧化四甲 基銨（TMAH : tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液。第 2洗淨液體LC2係使用過氧化氫水溶液（過氧化氫水）。 52 201205205 又’作為第1洗淨液體LC1使用之鹼性溶液，不僅是 氫氧化四甲其_ μ 丞釦，亦可使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等之無機 驗之溶液、$ 。 虱氧化三甲基（2—羥基乙基）銨等之有機鹼之溶 &此外’第1洗淨液體LC 1亦可使用氨水。 .又’第2洗淨液體LC2可包含緩衝氫氟酸溶液。此外， 爭液體LC2可以是包含緩衝氫氟酸及過氧化氫之溶 液緩衝氫氟酸（緩衝氟酸）係氫氟酸與氟化銨之混合物。其 $昆七匕 sgV .. 々 " ，換算為40wt%氟化銨溶液/50wt%氫氟酸之體積 ”以疋5〜2〇〇(^此外，緩衝氫氟酸與過氧化氫之混合 比率’換算為㉟氧化氫/氫氟酸之重量比，可以《0.8〜55。 第洗淨液體LC2可使用包含臭氧之臭氧液體。當然，亦 可以是包含過氧化氳與臭氧之溶液。 又，第1洗淨液體LC1及第2洗淨液體LC2中之至少 方可包含酒精。例如，第1洗淨液體LC1及第2洗淨液 體LC 2中之至少―古_ ^ 方可包含乙醉、異丙醇（IPA)及戊醇中之 至少一種。 又’第1洗淨液體LC1及第2洗淨液體LC2之各個中 所含之同種類的液體，可以是例如酒精。 又’於第1清洗處理、帛2清洗處理及第3清洗處理 之至少一處理中’可使用與清洗液體LH不同之清洗液體。 本實施形惑中，洗淨程序之至少一部分係在液浸構件3 之回收口 18與物體對向之狀態下進行。洗淨程序中，首先， 將物體配置成與液浸構件3之回收口 18對向（步驟幻）。 本實施形態中，配置在與回收口 ！ 8對向位置之物體為被保 53 201205205 持在基板載台2P(基板保持部1〇)之虛擬基板Dp。本實施形 態中，係將保持於基板載台2p之虛擬基板Dp配置成與液 浸構件3對向。虛擬基板Dp係一較基板p不易釋出異物的 基板。虛擬基板DP不用於元件圖案之形成，此外，虛擬基 板DP可具有將異物捕捉至虛擬基板Dp表面的功能。此場 。，虛擬基板DP較佳是不易釋出被捕捉至（附著於）虛擬基 板DP表面之異物。又’本實施形態中，虛擬基板之外 形及大小與基板Ρ之外形及大小大致相同。基板保持部10 可保持虛擬基板DP。當然，虛擬基板Dp之外形及大小亦 可與基板P之外形及大小不同。 控制裴置4在液浸構件3與虛擬基板Dp對向之狀態 下，開始第1洗淨處理（步驟SC2)。第i洗淨處理包含對回 收流路19供應第1洗淨液體lc 1之處理。 本實施形態，係在液浸構件3之回收口 18與虛擬基板 Dp隔著空間SP對向之狀態下，開始對回收流路i 9之第！ 洗淨液體LC1之供應。&，在開始第i洗淨處理之場合， 亦可在回收流路19中殘留有曝光液體LQ之狀態下，開始 第1洗淨液體LC1之供應。 本實施形態中，如圖8所示，第i洗淨液體LC1係從 第1排出口 21供應至回收流路19。如上所述，本實施形態 中，可供應洗淨液體LC(LC1、LC2)及清洗液體LH之供應 裝置241知連接於流路23。又，供應洗淨液體LC(LC卜LC2) 之供應裝置與供應清洗液體LH之供應裝置，可分別設置。 供應第1洗淨液體LC1之供應裝置與供應第2洗淨液體[以 54 201205205 、*裝置亦可分別設置。於第1洗淨處理中，控制裂 置4從供應裝置241送出第1洗淨液體LC1。控制裝置4 進订流路切換機構23B之控制，以使從供應裝置241送出 之第1洗淨液體LC 1被供應至第1排出口 21。據此，從供 應裝置241送出之第1洗淨液體LC1即經由流路231及流 路23被供應至第1排出口 21 »配置成面向回收流路19之 第1排出口 21 ’將來自供應裝置241之第1洗淨液體LC1 供應至回收流路19。 來自供應裴置241之第1洗淨液體LC1與第2構件27 之至少部分表面接觸。亦即，來自供應裝置241之第1洗 淨液體LC1與第2構件27之上面27A、孔27H之内面、及 下面27B之至少—部分接觸。據此，第2構件27即被第1 洗淨液體LC1洗淨。 又’從第1排出口 21供應至回收流路19之第1洗淨 液體LC 1之至少—部分會接觸回收流路19之内面。據此， 回收流路1 9之至少部分内面即被第1洗淨液體lC丨洗淨。 又’從第1排出口 21供應至回收流路19之第1洗淨 液體LC 1之至少一部分，會與第1構件28之至少部分表面 接觸。亦即’來自第i排出口 21之第1洗淨液體LC1與第 1構件28之上面28A、孔28H之内面、及下面28B之至少 一部分接觸。據此’第i構件28即被第1洗淨液體LC 1洗 淨。 本實施形態中，第1洗淨液體LC 1不會經由回收口 18(孔28H)排出至回收口 is面向之空間SP。 55 201205205 本實施形態中，控制裝置4控制回收流路1 9之壓力Pb 與空間SP之壓力Pa之差，以避免回收流路19之第丨洗淨 液體LC1經由回收口 18(孔28H)流出至空間SP。 如上所述，本實施形態中，第2排出裝置26可調整回 收流路19之壓力Pb。此外，室裝置100可調整空間sp之 壓力Pa 〇控制裝置4使用室裝置100及第2排出裝置26中 之至少一方控制回收流路19之壓力Pb與空間SP之壓力Pa 之差’以避免回收流路19之第1洗淨液體LC1經由回收口 1 8被供應至空間SP。 本實施形態申’控制裝.置4係從第2排出口 22排出回 收流路19之氣體G，以控制壓力Pb與壓力pa之差。又， 亦可從第2排出口 22將回收流路_19之第1洗淨液體LC1 與氣體G—起排出。 亦即’本實施形態中，係以第1洗淨液體LC1從第1 排出口 21被供應至回收流路19時，回收流路19之第1洗 淨液體LC1不會經由回收口 1 8被供應至空間sp之方式， 貫施第2排出口 22之流體排出動作。流體包含氣體G及第 1洗淨液體LQ1中之至少一方。 本實施形態中，回收流路19之第i洗淨液體LC1會與 第2構件27、回收流路B内面及帛1構件28分別接觸。 例如可控制壓力Pb與壓力Pa之差，以就第1構件Μ 滿足液體選擇回收條件。 如圖9所示，本實施形態中，控制裝置4在從第1排 出口 21將既定量之第i洗淨液體LC1供應至回收流路η 56 201205205 後即V止從該第1排出口 21之第i洗淨液體LC1之供應。 控制裝置4以例如回收流路i 9之第i洗淨液體1至少與 第2構件27接觸之方式，從第1排出口 21將第i洗淨液 體LC1供應至回收流路19。亦即，係以於回收流路η，第

1洗淨液體LC1之表面(液面)會較第2構件27之下面27B 位於上方之方式，從第丨排出口 2丨對回收流路丨9供應第1 洗淨液體LC1。 本實施形態中，控制裝置4係以第1構件28之上面28a 大致全面被第1洗淨液體LC1覆蓋之方式，從第ι排出口 2 1對回收流路19供應第i洗淨液體LC丨。當然，第^構件 28之上面28A大致全面不被第i洗淨液體LC1覆蓋亦可。 又，回收流路19可被第i洗淨液體LC1充滿、亦可不被充 滿。 本實施形態中，在停止從第i排出口 21之第丨洗淨液 體LC1之供應後的既定時間内，並不實施對回收流路之 第1洗淨液體LC1之供應、及從回收流路19之第ι '先淨液 體LC1之回收（排出）。以將第2構件27等與回收流路19 之第1洗淨液體LC1接觸之狀態維持既定時間。 π §胃既定 時間’包含為了從與第1洗淨液體LC 1接觸之第2構件27 除去異物所需之充分時間。此外，亦可在停止從第 1排出 口 21供應第1洗淨液體LC1之期間之至少一部分中，广止 從第2排出口 22之流體排出動作（吸引動作）。 在停止從第1排出口 21供應第ι洗淨液體LC1之時間 點經既定時間後’控制裝置4將回收流路19之笛ι ι 示1洗淨液 57 201205205 體L C1從回收流路 淨液體LC1與氣體 19排出（回收）。本實施形態中 G —起被排出。 第1洗 如圖10所示，本實施 I施形態中，回收流路丨9 淨液體LC1係經由第丨$ 乐1洗 弟1排出口 21排出（回收）。 藉由將回收流路19之篦 y之第1洗淨液體LC1從第！排山 21排出，第1洗淨處理（步驟SC2)即結束。 口 又，於第1洗淨處理巾，從π n + 处里〒將回收流路1 9之第 體LC 1從回收流路i9妯ψ y排出之情形時，不僅限於第 21 ’亦可從第2排出口 22進行排出。 1洗淨液 1為h出口 者，開始第1清洗處理（步驟SC3)1 i清洗處理包 含對回收流路19供應清洗液體LH之處理。本實施形 清洗液體LH係從第i排出口 21供應至回收流路i9f又， 亦可在回收流路19中殘留有第i洗淨液體L(：i之狀態下， 開始清洗液體LH之供應。 〜 藉由將清洗液體LH供應至回收流路19，例如殘留在 第2構件27表面、回收流路19内面及第i構件28表面之 至少一部分之第1洗淨液體LC 1即被除去。 本實施形態中，清洗液體LH不會經由回收口 18(孔28H) 流出至回收口 18面向之空間SPe控制裝置4控制回收流路 19之壓力Pb與空間SP之壓力Pa之差，以避免回收流路 19之清洗液體LH經由回收口 1 8排出至空間sp。 本實施形態中’第1清洗處理可與第1洗淨處理相同 之程序實施。關於第1清洗處理之詳細説明省略。 第1清洗處理結束後’即開始使用第2洗淨液體LC2 58 201205205 之第2洗淨處理（步驟SC4)。第2洗淨處理包含對回收流路 1 9供應第2洗淨液體LC2之處理。本實施形態中，第2先 淨液體LC2係從第1排出口 21供應至回收流路丨9。 口 入·，亦 可在回收流路19中殘留有清洗液體LH之狀態下’開始第 2洗淨液體LC2之供應。 ° 藉由將第2洗淨液體LC2供應至回收流路19，例如第 2構件27表面、回收流路19内面及第1構件2R主二 π , 衣面之至 少一部分即被洗淨。 本實施形態中，第2洗淨液體LC2不會時i ^ r θ 由回收口 18(孔28Η)流出至回收口 18面向之空間sp。押 t裝置4控 制回收流路19之壓力Pb與空間sp之壓力Pa夕* 々r <1义差，以避 免回收流路19之第2洗淨液體LC2經由回收口 10 Η wu 18排出至 空間SP。 本實施形態中，第2洗淨處 之程序實施》關於第2洗淨處理之詳細説明省略 第2洗淨處理結束後，即開始第2清洗處理(步驟 SC5)。本實施形態中，清洗液體Lil係從第1排出口 ^供 應至回收流路19。又，亦可在回收流路19中殘留有第2洗 淨液體LC2之狀態下，開始清洗液體lh之供應。 第2清洗處理可與第1清洗處理相同之程序實施。關 於第2清洗處理之詳細説明省略。 第2清洗處理結束後，在液浸構件3與虛擬基板相 對向之狀態下，開始第3清洗處理(步驟叫又，亦可在 回收流路19中殘留有清洗液體LH之狀態下，開始第3清 59 201205205 洗處理。 如圖1 1所示，第3清洗處理，包含 3在與液次構件3對 向配置虛擬基板DP之狀態下從液浸 又馎仟3之供應口 1 7供 應清洗液體LH(曝光液體LQ)的動作、以芬血4 ’、 切邛以及與該供應並行從 回收口 1 8回收清洗液體LH的動作。诚化 & . 據此，液浸構件3即 被清洗。 又，可在終端光學元件8及液、，式堪丛3 Λ上

汉履叹構件3與虛擬基板DP 之間形成有清洗液體LH之液浸空間LS之狀態下，控制基 板載台2P以在XY平面内使虛擬基板Dp移動，當然亦可 不使其移動。 此外，亦可控制虛擬基板DP(基板載台2p)相對液浸構 件3之移動範圍，以使清洗液體LH之液浸空間ls僅形成 在虛擬基板DP上，而液浸空間，LS之清洗液體lh不接觸 虛擬基板DP外側之上面2PF，亦可以清洗液體lh接觸基 板載台2P的上面2PF之方式使虛擬基板Dp(基板載台2p) 移動。 又’亦可省略第3清洗處理。 經以上動作，結束洗淨程序。洗淨程序結束後，可例 如開始上述曝光程序。 如以上之説明’根據本實施形態，能良好的洗淨與曝 光液體LQ接觸之液浸構件3。因此，能抑制發生曝光不良、 及不良元件之產生。

此外，根據本實施形態，能良好的洗淨包含液浸構件3 之下面14、第1構件28表面（上面28A、下面28B及孔28H 60 201205205 内面之至少一者）、回收流路19内面、及第2構件27李 面27A、下面27B及孔27H内面之至少一去、沾 V考）的夜浸構件3 表面之至少一部分。 又’本實施形態’雖係在從第1排出口 21將液體（第^ 洗淨液體LC1、第2洗淨液體LC2及清洗液體lH中之至小 一者）供應至回收流路19後，停止從第i排出 ^ FW 21之液體 供應’經既定時間後’從第1排出口 21及第2排出口 2 中之至少一方排出液體，但亦可在第丨洗淨處理、第1主 洗處理、第2洗淨處理及第2清洗處理之至少—處理中β 例如圖12所示，與從第1排出口 21往回收流路19之液體 供應並行，持續既定時間之從第2排出口 22、從回收流路 19之液體排出。此場合，只要在從第1排出口 21之液體供 應與從第2排出口 22之液體排出持續既定時間後，停止從 第1排出口 21之液體供應，使用第i排出口 21及第2排 出口 22之至少一方來排出回收流路丨9之液體即可。 又，於圖12所示之實施形態中，可以從第i排出口 21 供應之液體將回收流路19全部充滿、亦可不充滿。亦即， 在實施從第1排出口 21之液體供應與從第2排出口 22之 液體排出時，可使回收流路19全部成為液體空間，亦可使 回收流路19包含液體空間與氣體空間。 <第2實施形態> 其次，說明第2實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省 略其説明。 61 201205205 上述第1實施形態’係從帛1排出口 21對回收流路19 供應洗淨液體LC(清洗液體LH)、從第1排出口 21回收回 收流路19之洗淨液ltLC(清洗液體叫。第2實施形態中， 則係將與第1排出口 21及第2排出口 22不同之另外的液 體供應π 300設置成面向回收流路19，從該㈣供應口· 對回收流路19供應洗淨液體Lc(清洗液體lh)。 圖13係顯示第2實施形態之液浸構件3b之一例的圖。 圖13中，液浸構件3B具備面向回收流路19之液體供應口 _。本實施形態中，液體供應口_係配置在回收流路Η 内面之至少一部分。本實施形態中，液體供應口 3〇〇朝向 下方。當然，液體供應口 300亦可不是朝向下方。例如， 液體供應口 300可在相對光路κ之放射方向朝向外側、亦 可朝向内側。 實施升y 令，液體供應口 3 〇 〇係於相對光路κ之放 射方向配置在第1排出口 21之内側。又，液體供應口 300 係於相對光路K之放射方向配置在第2排出口 22之内側。 當然’液體供應口 300亦可於相對光路〖之放射方向配置 在第2排出口 22之外側、或配置在第】排出口 21之外側。 此外亦可於相對光路Κ之放射方向，第2排出口 22是配 置在液體供應口 300之内側，而第1排出口 2 1是配置在液 體仏應^ 300之外側。再者，亦可於相對光路κ之放射方 向將第1排出口 21配置在液體供應口 300之内側，將第 2排出口 22配置在液體供應口 300之外側。 在例如實施第1洗淨處理之情形時，第1洗淨液體LC 1 62 201205205 係從面向回收流路19之液體供應口 300供應至回收流路 19。供應至回收济L路19之第i洗淨液體LC1，會與例如第 1構件28表面、回收流路19内面及第2構件27表面之至 少—部分接觸。據此’第1構件28表面、回收流路19内 面及第2構件27表面之至少一部分即被洗淨。 本實施形態中’回收流路19之第1洗淨液體LC1亦不 會經由回收口 18流出至空間sp。本實施形態中，在從液體 仪應口 300將第1洗淨液體LC】供應至回收流路丄9時，實 施第2排出口 22之流體排出動作。調整空間sp之壓力 與回收流路19之壓力pb之差，以避免因第2排出口以之 抓體排出動作，使回收流路丄9之第i洗淨液體，里由回 收口 18排出至空間SP。 本實施形態中， 第1排出口 21排出 LC1係經由第1排出 回收流路19之第1洗淨液體LC 1係從 。亦即’回收流路19之第1洗淨液體 口 21加以回收。 實施形二中，控制裝置4係從第丄排出口 21排出第 洗淨液體LC 1、並從第2排出口 22排出氣體g，以控制 壓力Pb與壓力Pa之差。例如，可控制壓力pb與壓力pa ，差’以就第1構件28滿足液體選擇回收條件。本實施形 態中’係以第1構件28之上面28A大致全面被第1洗淨液 體LCi覆蓋之方式’進行第【洗淨液體如之供應與回收。 田’ f 1構件28之上面28A大致全面不被第】洗淨液體 LC1覆蓋亦可。又，回收流路B可被第i洗淨液體LC1充 滿、亦可不被充滿。 63 201205205 本實施形態中，係一邊從液體供應口 3〇〇供應第丨洗 淨液體LC卜一邊從回收流路19經由第i排出口 21回收第 1洗淨液體LC1 ^亦即，控制裝置4係與從液體供應口 3〇〇 之第1洗淨液體LC1之供應並行，實施從第i排出口 2丨之 第1洗淨液體LC1之回收（排出）動作。 第1洗淨液體LC1之供應與回收持續既定時間後，停 止從液體供應口 300之第！洗淨液體LC1之供應，回收流 路19之第1洗淨液體LC1被從第！排出口 21排出。本實 施形態中，第1洗淨液體LC 1係與氣體G 一起從第j排出 口 21排出。據此，第i洗淨處理即結束。又，亦可於第工 洗淨處理之至少一部分中，從第2排出口 22排出第i洗淨 液體LC1。 又，若能使回收流路19之第！洗淨液體LC1不經由回 收口 18排出至空間SP，則於第丨洗淨處理之至少一部分 中，可不進行從第2排出口 22之流體排出動作（吸引動作）。 第1洗淨處理結束後，實施第1清洗處理。本實施形 態中，第1清洗處理包含從液體供應口 3〇〇供應清洗液體 LH之處理。X ’亦可在第丨洗淨液體LC1殘留在回收流路 19之狀態下，開始清洗液體LH之供應。本實施形態中， 係從液體供應口 300供應清洗液體LH，並與該清洗液體LH 之供應並行，實施從第1排出口 21之回收流路19之清洗 液體LH之回收。據此，殘留在第i構件28表面、回收流 路19内面、及第2構件27表面之帛1洗淨液體LC1之至 少#为即被除去。第1清洗處理中，回收流路19之清洗 64 201205205 液體LH亦不經由回收口 1 8流出至空間sp。 第1清洗處理結束後，實施第2洗淨處理。第2洗淨 處理包含從液體供應口 300供應第2洗淨液體LC2之處理。 第2洗淨處理包含與第丨洗淨處理相同之程序。關於第2 洗淨處理之詳細説明省略。 第2洗淨處理結束後，實施第2清洗處理。第2清洗 處理包含與第i清洗處理相同之程序。關於第2清洗處理 之詳細説明省略。 第2清洗處理結束後’亦可實施第3清洗處理。 如以上之説明，本實施形態中，亦能將與曝光液體 接觸之液浸構件3B之至少一部分良好的加以洗淨。 又’本貫施形態中’若能做成不致因從第1排出口 2工 之流體排出動作（吸引動作），而使回收流路19之液體經由 回收口 18排出至空間SP的話，亦可從第2排出口 22將液 體（第1洗淨液體LC1、第2洗淨液體LC2及清洗液體LH 中之至少一者）供應至回收流路i 9。 <第3實施形態> 其次，說明第3實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省 略其説明。 第3實施形態中，係將與第i排出口 21及第2排出口 22不同之另外的液體回收口 310設置成面向回收流路19， 從該液體回收口 310回收回收流路19之洗淨液體lc(清洗 液體LH)。 65 201205205 圖14係顯示第3實施形態之液浸構件3C之—例的圖β 圖14中’液浸構件3C具備面向回收流路μ之液體回收口 310。本實施形態中，液體回收口 31〇係配置在回收流路 内面之至少一部分。本實施形態中，液體回收口 31〇朝向 下方。當然，液體回收口 310亦可不是朝向下方。例如， 液體回收口 31〇可在相對光路κ之放射方向朝向外側、或 朝向内側。 本實施形態中，液體回收口 31〇係在相對光路κ之激 射方向配置在第i排出σ 21之内側。此外，液體回收口川 係在相對光路Κ之放射方向配置在第2排出口 22之内側。 又，液體回收口 310可在相對光路κ之放射方向配置在第 排出口 22之外側、亦可配置在第〗排出口 21之外側。又， 亦可於相對光路Κ之放射方向，將第 俨㈣π 士 #弟2排出口 22配置在液 體口收口 310之内侧’將第！排 Ή η ^ ,β| ^ ^ Zi配置在液體回收口 ::外側。再者，亦可於相對光路K之放射方向，將第丨 排出口 2丨配置在液體回收口 31〇之内側 配置在液體回收口 3 1〇之外側。 出口 22 例如在實施第丨洗淨處理之 係從第^排出口 供應至回收第1洗淨液體如 19之第丨洗淨液體LCh ^ 9°供應至回收流路 會接觸例如第1構件矣 收流路19内面及第2構 牛28表面、回 傅1千27表面之至少—八 第1構件2 8表面、回收产 刀 此， ε , 饥路19内面及第2構件27矣& 至少一部分即被洗淨。 傅什π表面之 本實施形態中，回收、'今 收4路19之第1洗淨液體LC1亦不 66 201205205 會經由回收口 18排出至空間SP。本實施形態中，在從第i 排出口 21將第1洗淨液體LC1供應至回收流路丨9時，實 施第2排出口 22之流體排出動作。藉由第2排出口 22之 流體排出動作，調整空間SP之壓力pa與回收流路19之壓 力Pb之差，以避免回收流路丨9之第丄洗淨液體丨經由 回收口 18排出至空間SP。 本實施形態中，回收流路19之第i洗淨液體LC1係從 液體回收口 310回收。 本實施形態中，控制裝置4係從液體回收口 310排出 第1洗淨液體⑽’並從第"“，·“… 制£力Pb與壓力Pa之差。例如，可控制壓力pb與壓力h 之差’以就第1構件28滿足液體選擇回收條件。本實施形 態中’控制裝置4係以帛i構件28之上面28A大致全面被 第1洗淨液體LC1覆蓋之方式，進行第u淨液體Lci之 供應與回收…第i構件28之上面28A之大致全面亦可 :被第1洗淨液體LC1覆蓋。又，回收流路】9可被第！洗 淨液體LC1充滿、亦可不被充滿。 本實施形態中，係-邊從第1排出口 21供應第i洗淨 液體LC1、一邊從回收流路19經由液體回收口 3H)回收第 1洗淨液體⑽。亦即，控制裝置4係與從第i排出口 21 第洗淨液體LC1之供應並行，實施從液體回收口则 之第1洗淨液體LC1之回收（排出）動作。 第1洗淨液體L。之供應與回收持續 止從第上排出…仏先淨液體LC1之供應，從液體回 £ Slat 67 201205205 收口 3 10回收回收流路i 9之第i洗淨液體lc i。據此，第 1洗淨處理結束。又，亦可與從液體回收口 3lG之液體回收 並行，實施從第丨排出口 21之第丨洗淨液體LC1之排出 又，亦可於第1洗淨處理之至少一部分中，從第2排 出口 22排出第1洗淨液體LC1。 又，若能使回收流路19之第1洗淨液體LC1不會經由 回收口 18排出至空間sp的話’亦可於第ι洗淨處理之至 )一部分中，不進行從第2排出口 22之流體排出動作（吸引 動作）。 第1洗淨處理結束後，實施第1清洗處理。本實施形 』中第1 ,月洗處it包含從第i排出口 2 i供應清洗液體H 又，亦可在第1洗淨液體LC1殘留於回收流路19，之狀態下， 開始清洗液體LH之供應。本實施形態中，係從第、口 21供應清洗液體LH，並與該清洗液體lh之供應並行，實 施從液體回收σ 31G之回收流路19之清洗液體W之回^ 據此殘留在第1構件28表面' 回收流路丄9内面及第2 構件27表面之第i洗淨液體⑽之至少_部分即被㈣。 於第1清洗處理中，回收流路19的清洗液體⑶不會經由 回收口 1 8被供應至空間s p。 '、可在钐止從第ι排出口 2丨供應清洗液體lH後， 與從液體回收口 3 1 〇夕、.主、土 ％ μ τ ττ 1〇之'月洗液體[Η之回收（排出）並行，造 行從第1排出口 21之清洗液體LH之排出。 第1清洗處理結束後 處理包含從第1排出口 21 實施第2洗淨處理 對回收流路1 9供應 。第2洗淨 第2洗淨液 68 201205205 體LC2 ’從液體回收口 3 10回收回收流路19之第2洗淨液 體LC2之處理。第2洗淨處理包含與第i洗淨處理相同之 程序。關於第2洗淨處理之詳細説明省略。 第2洗淨處理結束後’實施第2清洗處理。第2清洗 處理包含與第1清洗處理相同之程序。關於第2清洗處理 之詳細説明省略。 亦可於第2清洗處理結束後，實施第3清洗處理。 如以上之説明’本實施形態中，亦能將與曝光液體Lq 接觸之液浸構件3C之至少一部分良好的加以洗淨。 又’本實施形態中，若能做成不致因從液體回收口 3 i 〇 之流體排出動作（吸引動作），而使回收流路丨9之液體經由 回收口 18排出至空間SP的話，亦可將來自第2排出口 22 之液體（第1洗淨液體LC1、第2洗淨液體LC2及清洗液體 LH中之至少一者）供應至回收流路1 9。 <第4實施形態> 其次’說明第4實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省 略其説明。 圖15 A係顯示於例如曝光程序中，從供應口丨7供應曝 光液體LQ，並與該曝光液體LQ之供應並行，從回收口 18 回收空間SP之曝光液體LQ之狀態。圖1 5A中，於液浸構 件3B下方之空間sp存在曝光液體Lq。控制裝置4調整空 間SP之壓力pa與回收流路19之壓力pb之差，以避免回 收抓路19之曝光液體經由回收口 1 8供應至空間sp。 69 201205205

貫把洗淨程序時，從供應口 1 7之曝光液體LQ之供應 是停止的。另—方面，從供應口 Π之曝光液體LQ之供應 停止後’亦持續從回收口 18回收空間SP之曝光液體LQ 據此，如圖15B所示，即從液浸構件3B下方之空間SP(包 含回收口 18對向之空間）除去曝光液體 控制裝置4在從空間SP除去曝光液體LQ後，對回收 流路19供應第！洗淨液體LC1。液浸構件3b具備面向回 收流路1 9之液體供應口 300。 如圖16A所示，控制裝置4從液體供應口 3〇〇對回收 /”l路19供應第1洗淨液體lc 1。據此，回收流路19中即存 在曝光液體LQ與第！洗淨液體LC1混合之液體。 回收流路19之液體從第丨排出口 21排出。控制裝置* 從液體供應口 300對回收流路19供應第i洗淨液體Lci， 並與該第1洗淨液體LC1之供應並行，從第i排出口门排 出（回收）回收流路19之液體。控制裝置4為避免回收流路 19之液體經由回收口 18被供應至空 與壓力Pb之差’一邊從液體供應口 應第1洗淨液體LC1，並將回收流路 間SP而調整壓力pa 3〇〇對回收流路19供 19之液體從第1排出 口 21排出（回收）。 被 體 第 據此，如圖16B所示，回收流路19之曝光液體 置換為第1洗淨液體LC 1。因回收流路19被第1洗淨 LC1充滿’例如第i構件28表面、回收流路19内面 2構件2 7表面之至少一部分即被洗命。 使用第丨洗淨液體LC1之第丨洗淨處理結束後，與上 70 201205205 述實施形態同樣的’實施第1清洗處理、第2洗淨處理、 第2清洗處理及第3清洗處理等。 如以上之説明’本實施形態中，亦能將與曝光液體Lq 接觸之液浸構件3 B之至少一部分良好的加以洗淨。 <第5實施形態> 其次，說明第5實施形態。以下之説明中，與上述實 施形態相同或同等之構成部分係賦予相同符號並簡化或省 略其説明。 圖1 7係顯示第5實施形態之曝光裝置EX之一部分的 圖。本實施形態中’設有包含對液體（第i洗淨液體LC1、 第2洗淨液體LC2及清洗液體LH中之至少一者）賦予超音 波之振動子的超音波產生裝置550。如圖17所示，係例如 於流路23(管構件23P)配置包含可產生超音波振動之振動. 子的超音波產生裝置550。從第1排出口 21對回收流路19 供應液體之情形時，控制裝置4使超音波產生裝置55〇作 動。據此’從供應裝置241送出、流於流路23之液體即被 賦予超音波。 又’亦可如圖17所示，例如於回收流路19配置包商 可產生超音波振動之振動子的超音波產生裝置560。超音波 產生裝置560可對供應至回收流路19之液體賦予超音波。 又’上述各實施形態中，可於第1洗淨處理、第1清 洗處理、第2洗淨處理、第2清洗處理及第3清洗處理之 至少一者中’使用超音波產生裝置550及超音波產生裝置 560之雙方、或僅使用其中任一方。 71 201205205 又’圖17中’雖設有超音波產生裝置55〇及超音波產 生裝置560 ’但可僅設置其中任一方。 由於被賦予超音波之液體接觸液浸構件3D之至少一部 分，因此能獲得高洗淨效果及/或清洗效果。 土又，上述第1〜第5實施形態，於第i洗淨處理、第^ 清洗處理、第2洗淨處理及第2清洗處理中，虛擬基板Dp 可不是配置在與液浸構件3(3B、3C'3D)(回收口 i8)對向之 位置。亦即，在液體不流出至空間卯之第U淨處理、第 1清洗處理、帛2洗淨處理及第2清洗處理之至少一部分 _，載台可不配置在液浸構件3之下方。 14、：：上述第1〜第5實施形態中’液浸構件3之下面 第1構件2 8表面、回收汽技t 〇 Λ 9内面、及第2構件27 之表面可不破全部洗淨。例 構件27夕s , -有第1排出口 21之第2 至一部分不被洗淨亦可。 又 上述各貫施形態申，液、*角拔从 元件8 ^心構件3可相對終端光學 為可動。例如’液浸構件3可相 移動於Z軸方向。此外對“光學元件8 件8移動㈣X方向及對終端光學元 浸構件3可傾斜。# # ^ ν 一方向。換言之，液 學元件8移動;^ 亦可以疋相對終端光 移動於X軸方向、丫軸方向及 方向。又，液浸構件3可藉由例如:之至少一 移動。再者，液浸構件3亦可 J達4之致動器來 之彈性構件、或包含伸縮囊_ 破例如包含彈簧等 能移動。 〇WS)等之可繞性構件支承而 72 201205205 下^謝上料實施形態中，於Z轴方向，第1構件Μ之 心構件3之下面14)與回收構件400之下面402 雖大致位於相同位置（高度），但例如亦可將下面術配置在 二面細下方卜Z方向）處、或較上方（+Z方向）處。換 心T7收構件彻之下面4G2(回收σ 4g丨）與物體之上面 :件2 :表面'虛擬基板抑之表面等)的距離，可較第1 在第"冓件…面广或大。此外， 構件28之下面28Β之一部第1 言。 刀較下面402(回收口 401)低、或 上述實施形態中，回收構件彻之下面術（回收 但雖係配置在較終端光學元件8之射出面了下方處， …己置在上方處、或配置在大致同相高度。 於ζ轴方t射出面7配置在較下面28Β上方處之情形時， 換丄向’下面4〇2可配置在射出面7與下面28Β之間。 下^’。下面術可配置在較下面28β上方、且較射出面7 件3^可上述各實施形態令，回收構件彻可相對液浸構 於z轴方^。例如，回收構件400可相對液浸構件3移動 動於此外’回收構件彻亦可相對液浸構件3移 4〇〇可傾斜… 方向。換s之，回收構件 移動於h “、’回收構件彻亦可以是相對液浸構件3 回=方向、γ轴方向及…向中之至少-方向。又， 4〇〇可藉由例如音圈馬達等之致動器來移動。再 73 201205205 者，回收構件400亦可& θ Μ Γ以疋藉由被例如包含彈葚楚^ 構件、或包含伸缩絷rk m 匕3弹簧4之彈性 動。 ，、囊(Μ—等之可撓性構件支承而能移 又，在回收構件4〇〇可相對液浸構件3移動於 向之情形時，可於、、条淫广 ；軸方 28夕丁 #程序之至少一部分中，以第1構件 28之下面28B之至少_ jtrt八午 式（配¥协—7 〇p刀較下面402(回收口 4〇1)低之方 叫則之方式），於Z軸方向移動回收構件彻。 件3)又2述各實施形態中，具有回收口 18的構件（液浸構 ，、具有配置在該回收口 18周圍至少一部分之回收口 4〇1的構件（回收構件4〇〇)雖係不同構件，但亦可是於 件（液浸構件3(3B、3C、3D))配置回收口 18與回收口術。 此外，亦可不設置回收構件4〇〇(回收口 4〇1)。 又，上述各實施形態中，雖設有用以抑制第2排出口 22與曝光液體Lq接觸的抑制部(4〇等），但亦可不設 制部（40等）。 又，上述各實施形態中，雖係實施使用第丨洗淨液體 LC1與第2洗淨液體LC2之洗淨程序，但亦可以是使用— 種洗淨液體之洗淨程序、或實施包含使用三種以上洗淨液 體之洗淨處理的洗淨程序。 又，上述各實施形態中’可省略使用洗淨液體LC之洗 淨處理後的清洗處理。例如可省略第丨清洗處理。 又’上述各實施形態，於第1清洗處理及第2清洗處 理之至少一方中’可從供應口 n供應清洗液體lh(曝光液 體LQ)、並從回收口 18回收清洗液體lh(曝光液體LQ)。 74 201205205 又，上述各實施形態中，可 S：載台2C上實施。 又’上述各實施形態中，第1構件28雖具有設置成氣 體G之流入阻力相異之第1部分281與第2部分282，但第 1構件28亦可不設置氣體G之流入阻力相異之複數個部分 又’上述各實施形態中，第1構件28之上面28A與下 面28B之至少—方可相對水平面（χγ平面）傾斜。 又，上述各實施形態中，第丨排出口 21及第2排出口 22之至少一方可不與第i構件28之上面μα對向。例如， 可將第1排出口 21及第2排屮□ 99令石 及第2排出口 22之至少—方，於相對 K之放射方向配置在較第"冓件28之 側。亦即，可於相對光路〖之放… 卜側^的外 之放射方向，將第1排出口 21 及第2排出口 22之至少一古R ¥ 件28遠。 方配置成相對光路K、較第“鼻 亦*1於上述各實施形態 於相對光路K之放射方向在第2排:：= 第1 ^出口、21可較第2排出口 22接近光路K。方即， ，上述各實施形態中，第1

方向’但亦可朝向與此不同之方 σ 21雖係朝向-Z 可朝向與Υ轴方向平行之方向、或第;；；朝向+Ζ方向、 相對水平面（ΧΥ平面）傾斜。 構件27之第3面27β 又，上述各實施形態中，第2排 方向，但亦可朝向與此不同之方向。:22雖係朝向 亦可朝向與Υ轴方向平行之方“例如’可朝向+ Ζ方向。 75 201205205 又，第1排出口 2i朝向之方向與第2 之方向可不同。 #出口 22朝向 又’上述各實施形態中’所謂「相對光 疋路K之放射方 向」，可視為在投影區域P R近旁之相掛於# ( 又影光學系PL之 光軸AX的放射方向》 又’如前所述，控制裝置4包含了含cp ΰ Ltu等之電腦系 統。此外，控制裝置4包含可進行φ ^彡 、 仃電胳系統與外部裝置間 之通訊的介面。記憶裝置5包含例如RAM裳 牙 < 圮憶體、硬 碟、CD — ROM等之記錄媒體。記憶裝置5 T 15t伟有用以控 制電腦系統之作業系統（OS)、以及用以控制曝光裝置 程式。 、 又，亦可於控制裝置4連接可輸入輸入信號之輸入裝 置。輸入裝置包含鍵盤、滑鼠等之輸入機器、或可輸入來 自外部裝置之資料的通訊裝置等。此外，，亦可裝設:晶顯 示器等之顯示裝置。 包含記錄在記憶裝置5之程式的各種資訊，可由控制 裝置(電腦系統)4加以讀取。於記憶裝置5巾，儲存有使控 制裝置4實施透過曝光液體LQ以曝光用光el使基板ρ曝 光之曝光裝置EX之控制的程式。 。己隐裝置5中儲存之程式，可依據上述實施形態，使 控制裝置4實施：以能射出曝光用光EL之終端光學元件8 與基板P間之曝光用光EL之光路κ被曝光液體充滿之 方式，在液浸構件3與基板Ρ之間以曝光液體LQ形成液浸 二間LS之動作，液浸構件3具有可回收基板ρ上之曝光液 76 201205205 體LQ之至少一部分的 回收口 18、透過回收口 18回收之Α 光液體LQ流經的回#、、& 心喂 机路19、用以從回收流路19排出瞌 光液體LQ的第1排出曝 21、及曝光液體lQ之排出較箆1 排出口 21受到抑制用以站山 巾u排出回收流路19之氣體G的第2 排出口 22，透過液浸办Μ τ 又二間LS之曝光液體LQ以曝光用光 EL使基板P曝光之動 项作，將基板P上之曝光液體LQ之至 少一部分從液浸構件3之笛，^ <第1回收口 21加以回收之動作； 於非曝光時，對回收沭， 收流·路19供應洗淨液體LC之動作；以 及調整回收流路19之Μ六r Λ， I力Pb與苐1回收口 21面向之空間 SP之壓力Pa之差，以德A y u避免供應至回收流路19之洗淨液體 LC被供應至第1回收〇91工_^ ^ w叹口 21面向之空間sp之動作。 又，圯憶裝置5中儲存之程式，可依據上述實施形態， 使控制裝置4實施：以能射出曝光用光LQ之終端光學元件 8與基板P間之曝光用光EL之光路κ被曝光液體充滿 之方式，在液浸構件3與基板ρ之間以曝光液體lq形成液 次空間LS之處理，液浸構件3具有可回收基板〇上之曝光 液體LQ之至少一部分的回收口 18、透過回收口 is回收之 曝光液體LQ流經的回收流路19、用以從回收流路19排出 包含曝光液體LQ而曝光液體LQ之比率較氣體G高之流體 的第1排出口 2卜及用以從回收流路19排出包含氣體G而 曝光液體LQ之比率較氣體G低之流體的第2排出口 22 ; 透過液浸空間LS之曝光液體LQ以曝光用光EL使基板Ρ 曝光之處理；將基板Ρ上之曝光液體LQ之至少一部分從液 浸構件3之第1回收口 21加以回收之處理；於非曝光時， 77 201205205 對回收流路19供應洗淨液體LC之處理；以及調整回收流 路19之壓力Pb與第1回收口 21面向之空間sp之壓力pa 之差，以避免供應至回收流路丨9之洗淨液體LC被供應至 第1回收口 21面向之空間sP之處理。 又’記憶裝置5中儲存之程式，可依據上述實施形態， 使控制裝置4實施：以能射出曝光用光El之終端光學元件 8與基板P間之曝光用光EL之光路κ被曝光液體LQ充滿 之方式’在液浸構件3與基板P之間以曝光液體Lq形成液 浸空間LS之處理’液浸構件3具有可回收基板p上之曝光 液體LQ之至少一部分的回收口 18、透過回收口 18回收之 曝光液體LQ流經的回收流路19、及包含用以從回收流路 19排出曝光液體lq之第」排出口 21與用以從回收流路19 排出氣體G之第2排出口 22以將回收流路19之曝光液體 LQ與氣體.G加以分離排出的排出部2〇 ;透過液浸空間Ls 之曝光液體LQ以曝光用光EL使基板P曝光之處理；將基 板P上之曝光液體Lq之至少一部分從液浸構件3之第^回 收口 21加以回收之處理；於非曝光時，對回收流路1 9供 應洗淨液體LC之處理；以及調整回收流路19之壓力pb與 第1回收口 21面向之空間sp之壓力pa之差，以避免供應 至回收流路19之洗淨液體LC被供應至第1回收口 21面向 之空間SP之處理。 藉由將記憶裝置5中儲存之程式讀取至控制裝置4，基 板載D 2P、液浸構件3、液體供應裝置35、第1排出裝置 24及第2排出裝置％等曝光裝置Εχ之各種裝置即協同動 78 201205205 作’在形成有液浸空間LS之狀態下，實施基板P之液浸曝 光等的各種處理。 又，上述各實施形態中，雖然投影光學系PL之終端光 學元件8之射出側（像面侧）之光路K係被曝光液體lq充 滿，但投影光學系PL亦可以是例如國際公開第2004/ 019128號所揭之終端光學元件8之入射側（物體面側）光路 亦被曝光液體LQ充滿之投影光學系。 又’上述各實施形態中，曝光液體LQ雖係使用水，但 亦可以是水以外之液體。曝光液體LQ ’以對曝光用光EL 具有透射性、對曝光用光EL具有高折射率、對形成投影光 學系統PL或基板p之表面之感光材（光阻劑）等膜安定者較 佳。例如，曝光液體Lq可以是氫氟醚（HFE)、全氟化聚鱗 (PFPE)、氟素潤滑油（fomblin(登錄商標）oil)等之氟系液 體此外’曝光液體L Q亦可是各種流體、例如超臨界流體。 又，作為上述各實施形態中，基板p雖係包含半導體 元件製le用之半導體晶圓，但亦可包含例如顯示元件用之 玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用之 光罩或標線片之原版（合成石英、矽晶圓）等。

又，上述各實施形態中，曝光裝置Ex，雖係使光罩M ㈣板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進 ::方式之掃描型曝光裝置(掃描步進機)，但亦可以是例如 曝氺罩ίέ ’、基板卩在靜止之狀態下，使光罩肘之圖案-次 曝光穿置二基ρ依序步進移動的之步進重複方式的投影 曝先裝置（步進機）。 79 201205205 再者，曝光裝置Ex，於步進重複方式之曝光中，亦可 在使第1圖案與基板P大致靜止之狀態，使用投μ μ pl將第！圖案之縮小像轉印至基板ρ上後，在第2圖案與 基板ρ大致靜止之狀態，使用投影光學系pl將第2圖案之 縮小像與第1圖案局部重疊而一次曝光至基板p上（接合方 式之-次曝光裝置)。又’接合方式之曝光裝置，亦可以是 於基板P上至少將二個圖案局部的重疊轉印，並使基板p 依序移動之步進接合（step & stitch)方式之曝光裝置。 又，曝光裝置EX，亦可以是例如美國專利第66 1丨3 ^ 6 號所揭示之將二個光罩之圖案透過投影光學系在基板p上 加以合成，以一次掃描曝光使基板p上之一個照射區域大 致同時雙重曝光之曝光裝置。此外，曝光裝置Εχ亦可以是 近接方式之曝光裝置、反射鏡投影對準器（mirr〇r pr〇」‘ecti〇p aligner)等。 又，曝光裝置EX亦可不具備測量載台2c。 又，曝光裝置EX亦可以是例如美國專利第6341〇〇7 號、美國專利第6208407號、及美國專利第6262796號等 所揭之具備複數個基板載台之雙載台型的曝光裝置。例 如，曝光裝置EX具備二個基板載台之情形時，可與射出面 7對向配置之物體，包含一基板載台、被保持在該一基板載 台之基板保持部的基板、另一基板載台、及被保持在該另 —基板載台之基板保持部的基板中之至少一個。 又，曝光裝置EX亦可以是具備複數個基板載台與測量 載台之曝光裝置。 80 201205205 曝光裝置EX可以是將半導體元件圖案曝光至基板p之 半導體元件製造用之曝光裝置’亦可以是液晶顯示元件製 造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、 攝影元件（CCD)、微機器、MEMS、DNA晶片、標線片或光 罩等之曝光裝置。 又，上述各實施形態中，雖係使用干涉儀系統13〇來 測量各載台（光罩載台1、測量載台2C、基板載台2p)之位 置資訊’但亦可使用檢測例如設在各載台（光罩載台丨、測 量載台2C、基板載台2P)之標尺（繞射光栅）的編碼器系統、 或併用干涉儀系統1 30與編碼器系統。 又，上述實施形態中，雖係使用在光透射性基板上形 成有既定遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）之光透射型光 罩，但亦可取代此光罩，使用例如美國專利第6778257號 公報所揭示，根據待曝光圖案之電子資料來形成透射圖案 或反射圖案、或形成發光圖案之可變成形光罩（電子光罩、 主動光罩或影像產生器）。又，亦可取代具有非發光型影像 顯不兀件之可變成形光罩，而裝備包含自發光型影像顯示 元件之圖案形成裝置。 上述各實施形態中，曝光裝置Εχ雖具備投影光學系 PL,但亦可於不使用投影光學系pL之曝光裝置及曝光方 法，適用上述各實施形態中説明之構成要素。例如，可將 上述各實施形態中説明之構成要素，適用於在透鏡等之光 學構件與基板p之間形成液浸空間Ls並透過該光學構件對 基板P照射曝光用光EL之曝光裝置及曝光方法。 81 201205205 又，曝光裝置EX，亦可以是例如國際公開第2〇〇丨/ 035168號小冊子之揭示，藉由在基板p上形成干涉條紋， 虞、在基板上曝光線與空間圖案（Hne & Space pattern)的曝 光裝置（微影系統）。 上述實施形態之曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統 (含各構成要素）’以能保持既定之機械精度、電氣精度、光 學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後， 係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對 各種機械系統進行用以達成機械精度之調整 '對各種電氣 系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光 裝置EX之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、 氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置 EX之組裝製程前，有各次系統個別之組裝製程。在各種次 系統組裝至曝光裝置EX之製程結束後，即進行綜合調整， 以確保曝光裝置EX整體之各種精度。此外，曝光裝置Εχ 之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之無塵室進 行。 半導體元件等之微元件，如圖18所示，係經進行微元 件之功能、性能設計之步驟2〇1，根據此設計步驟製作光罩 Μ(標線片）之步驟202,製造元件基材之基板ρ之步驟2〇3, 包含依據上述實施形態進行基板處理（曝光處理包含使用 光罩Μ之圖案以曝光用光EL使基板？曝光之動作以及 使曝光後基板P顯影之動作）的基板処理步驟2〇4，元件組 裝步驟（包含切割步驟、結合步驟、封裝步驟等之加工製 82 201205205 程）205，以及檢査步驟206等而製造。 又，上述各實施形態之要件可適當加以組合。又，亦 有不使用部分構成要素之情形。此外，在法令許可範圍内’ 援用上述各實施形態及變形例所引用之關於曝光裝置EX 等之所有公開公報及美國專利之揭示作為本文記載之一部 分分。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置之一例的概略構 成圖。 圖2係顯示第1實施形態之液浸構件之一例的側視剖 面圖。 圖3係顯示第1實施形態之液浸構件之一部分的側視 剖面圖。 圖4係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例 的不意圖。 圖5係用以說明第1實施形態之液浸構件之一動作例 的不意圖。 圖6係用以說明第1實施形態之曝光裝置之一動作例 的流程圖。 圖7係用以說明第1實施形態之洗淨程序之一例的流 程圖。 圖8係用以說明第1實施形態之洗淨程序之一例的圖。 圖9係用以說明第1實施形態之洗淨程序之一例的流 83 201205205 程圖。 圖10係用以說明第1實施形態之洗淨程序之一例的流 程圖。 圖1 1係用以說明第1實施形態之洗淨程序之一例的流 程圖。 圖12係用以說明第1實施形態之洗淨程序之一例的流 程圖。 圖13係顯示第2實施形態之液浸構件之一部分的側視 剖面圖。 圖14係顯示第3實施形態之液浸構件之一部分的側視 剖面圖。 圖1 5 Α係用以說明第4實施形態之洗淨程序之一例的 流程圖。 圖1 5B係用以說明第4實施形態之洗淨程序之一例的 流程圖。 圖16 A係用以說明第4實施形態之洗淨程序之一例的 流程圖。 圖16B係用以說明第4實施形態之洗淨程序之一例的 流程圖。 圖17係顯示第5實施形態之液浸構件之一部分的側視 剖面圖。 圖18係用以說明微元件之一製程例的流程圖。 圖19係用以說明從第1實施形態之第1排出口排出液 體之一動作例的示意圖。 84 201205205 【主要元件代表符號】 1

2C

2CF

2P

2PF

3、3B〜3D 4 5

6 ' 9 6G、9G 7 8 10 11 12 13 14 15

16A、16B 17 18 光罩載台 測量載台 測量.載台之上面 基板載台 基板載台之上面 液浸構件 控制裝置 記憶裝置 基座構件 導引面 射出面 終端光學素子 基板保持部 覆蓋構件保持部 測量構件保持部 超音波產生裝置 液浸構件之下面 液浸構件之開口 板片部之上面、下面 供應口 回收口 19 回收流路 85 201205205 20 21 22

23 、 30 、 34 、 36 、 23B 24 25P、34P、23 IP、 26 27 排出部 第1排出口 第2排出口 231、404 流路 流路切換機構 第1排出裝置 404P 管構件 第2排出裝置 第2構件 27A 上面 27B 下面 27H 子L 28 第1構件 28A 上面 28B 下面 28H、28Ha〜28Hd 29 供應流路 31 板片部 32 本體部 32K 開口 33 流路形成構件 35 液體供應裝置 40 抑制部 41 突起 86 201205205 41K 突起41之下面 41S 突起41之側面 42 撥液部 101 室構件 101K 開口 102 空調裝置 103 開閉機構 130 干涉儀系統 241 供應裝置 281 第1構件之第1部分 282 第1構件之第2部分 300 液體供應口 310 液體回收口 400 回收構件 401 回收口 402 回收構件400之下面 403 回收流路 405 回收裝置 550 ' 560 超音波產生裝置 ΑΧ 光軸 C 測量構件 CS 内部空間 DP 虛擬基板 EL 曝光用光 87 201205205 EX 曝光裝置 G 氣體 GS 氣體空間 IL 照明系 IR 照明區域 K 光路 LC 洗淨液體 LH 清洗液體 LQ 曝光液體 LS 液浸空間 M 光罩 P 基板 Pa 空間SP之壓力 Pb 回收流路19之壓力 Pc 流路30之壓力 PL 投影光學系 PR 投影區域 SP 空間 T 覆蓋構件 88

Claims (1)

1. 201205205 七、申請專利範圍： 1 · 一種液浸構件之洗淨方法，此液浸構件係在透過曝 光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置内，配置在 通過光學構件及該光學構件與該基板間之該曝光液體之曝 光用光之光路周圍至少一部分，具有可回收該曝光液體之 第1回收口，其特徵在於： 包含將洗淨液體供應至從該第i回收口面向之空間經 由該第1回收口回收之該曝光液體流過之回收流路的動 作；以及 從該回收流路回收該洗淨液體的動作； 該液浸構件具有用以從該回收流路排出該曝光液體之 第1排出口，以及該曝光液體之排出較該第丨排出口查到 抑制用以排出該回收流路之氣體之第2排出口； 該洗淨液體不會經由該第丨回收口被供應至該第丨回 收口面向之該空間。 、2 · —種液浸構件之洗淨方法，此液浸構件係在透過曝 光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置内，配置在 通過光學構件及該光學構件與該基板間之該曝光液體之曝 光用光之光路周圍至少-部A，具有可回收該曝光液體: 第1回收口，其特徵在於： 包含將洗淨液體供應至從該第1回收口面向之空間經 由該第1回收口回收之該曝光液體流過之回收流路的動 作；以及 從該回收流路回收該洗淨液體的動作； 89 201205205 該液浸構件具有用以將包含該曝光液體、該曝光液體 之比率較氣體高之流體從該回收流路加以排出之第丨排出 口，以及用以將包含氣體、該曝光液體之比率較氣體低之 流體從該回收流路加以排出之第2排出口； 該洗淨液體不會經由該第丨回收口被供應至該第1回 收口面向之該空間。 3 · —種液浸構件之洗淨方法，此液浸構件係在透過曝 光液體以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置内，配置在 通過光學構件及該光學構件與該基板間之該曝光液體之曝 光用光之光路周圍至少一部分，具有可回收該曝光液體之 第1回收口，其特徵在於： 包含將洗淨液體供應至從該第丨回收口面向之空間經 由該第1回收口回收之該曝光液體流過之回收流路的動 作；以及 從該回收流路回收該洗淨液體的動作； 該液浸構件具有將該回收流路之該曝光液體與氣體分 離排出之排出部，該排出部具有用以從該回收流路排出該 曝光液體之第1排出口、與從該回收流路排出氣體之第2 排出口； 該洗淨液體不會經由該第1回收口被供應至該第1回 收口面向之該空間。 4 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之洗淨方法， 其包含控制該回收流路之壓力與該空間之壓力之差，以避 免該回收流路之該洗淨液體經由該第1回收口被供應至該 90 201205205 第1回收口面向之該空間的動作。 5·如申請專利範圍第4項之洗淨方法，其包含從該第 2排出口排出該回收流路之氣體，以控制該壓力之差的動 作0 6·如申請專利範圍第4或5項之洗淨方法，其包含從 該回收流路回收該洗淨液體，以控制該壓力之差的動作。 7·如申請專利範圍第6項之洗淨方法。，其中，該回 收流路係被該洗淨液體充滿。 8·如申請專利範圍第丨至7項中任一項之洗淨方法， 其中，該洗淨液體係從該回收流路面向之第2回收口回收。 9.如申請專利範圍第丨至8項中任一項之洗淨方法， 其中’該洗淨液體係經由該該第1排出口加以回收。 10·如申請專利範圍第！至8項中任一項之洗淨方法， 其中，該洗淨液體係從該第丨排出口供應至該回收流路。 1 1 ·如申請專利範圍第10項之洗淨方法，其中，該洗 淨液體係經由該第1排出口加以回收。 12 ·如申請專利範圍第i i項之洗淨方法，其包含：從 該第1排出口供應既定量之該洗淨液體的動作；以及 停止β亥供應後’將該回收流路之該洗淨液體經由該第1 排出口加以回收的動作。 13 ·如申請專利範圍第12項之洗淨方法，其中，該回 收/1路之该洗淨液體係在該供應停止起經既定時間後，經 由該第1排出口加以回收。 14 ·如申請專利範圍第1至13項中任一項之洗淨方 91 201205205 法’其中，該洗淨液體係從該回收流路面向之供應口供應 至該回收流路。 15 ·如申請專利範圍第14項之洗淨方法，其中，係一 邊從該供應口供應該洗淨液體、一邊從該回收流路經由該 第1排出口回收該洗淨液體。 16 ·如申請專利範圍第1至15項中任一項之洗淨方 法’其中’該第1排出口包含多孔構件之孔。 17 ·如申請專利範圍第1至16項中任一項之洗淨方 法’其中，該第1回收口包含多孔構件之孔。 18 ·如申請專利範圍第1至I?項中任一項之洗淨方 法’包含對該洗淨液體賦予超音波的動作。 19 ·如申請專利範圍第18項之洗淨方法，其中.，係將 被賦予該超音波之該洗淨液體供應至該回收流路。 20 ·如申請專利範圍第18或19項之洗淨方法，其中， 係對被供應至該回收流路之該洗淨液體賦予該超音波。 21 ·如申請專利範圍第1至20項中任一項之洗淨方 法’其包含： 從包含與該第1回收口對向之空間之該液浸構件的下 方空間除去該曝光液體的動作；以及 在從5玄下方空間除去該曝光液體後，對該回收流路供 應該洗淨液體。 22 ·如申請專利範圍第2 1項之洗淨方法’其包含將該 回收机路之該曝光液體以該洗淨液體加以置換的動作。 23 ·如申請專利範圍第1至22項中任一項之洗淨方 92 201205205 法’其中’係在該帛i回收口與物體隔著該空間對向之狀 態下，對a亥回收流路供應該洗淨液體。 24 · —種元件製造方法，包含： 使用申請專利範圍第1至23項中任一項之洗淨方法， 洗淨該液浸構件之至少一部分的動作； 透過該曝光液體以曝光用光使該基板曝光的動作；以 及 使曝光後之該基板顯影的動作。 25 · —種液浸曝光裝置，係透過曝光液體以曝光用光 使基板曝光，其具備： 光學構件，具有該曝光用光射出之射出面； 液浸構件，具有能回收該曝光液體之第丨回收口、從 該第1回收π面向之空間經由該第！回收口回收之該曝光 液體流過之回收流路、用以從該回收流路排出該曝光液體 之第1排出口、以及該曝光液體之排出較該第丨排出口受 到抑制用以排出該回收流路之氣體之第2排出口，配置在 通過該光學構件與該基板間之該曝光液體之曝光用光光路 周圍之至少一部分；以及 壓力調整裝置’用以調整該回收流路之壓力與該第1 回收口面向之該空間之壓力之差，以避免供應至該回收流 路之洗淨液體被供應至該第1回收口面向之該空間。 26 · —種液浸曝光裝置’係透過曝光液體以曝光用光 使基板曝光，其具備： 光學構件，具有該曝光用光射出之射出面； 93 201205205 液浸構件，具有能回收該曝光液體之第1回收口、從 該第1回收口面向之空間經由該第1回收口回收之該曝光 液體流過之回收流路、用以從該回收流路排出包含該曝光 液體而該曝光液體之比率較氣體高之流體之第1排出口、 以及用以從該回收流路排出包含氣體而該曝光液體之比率 較氣體低之流體之第2排出口，配置在通過該光學構件與 該基板間之該曝光液體之曝光用光光路周圍之至少一部 分；以及 壓力調整裝置，用以調整該回收流路之壓力與該第1 回收口面向之該空間之壓力之差，以避免供應至該回收流 路之洗淨液體被供應至該第1回收口面向之該空間。 27· —種液浸曝光裝置，係透過曝光液體以曝光用光 使基板曝光，其具備： 光學構件’具有該曝光用光射出之射出面； 液浸構件，具有能回收該曝光液體之第1回收口、從 該第1回收口面向之空間經由該第1回收口回收之該曝光 液體流過之回收流路、以及包含用以從該回收流路排出該 曝光液體之第1排出口及用以從該回收流路排出氣體之第2 排出口以將該回收流路之該曝光液體與氣體加以分離排出 之排出部’配置在通過該光學構件與該基板間之該曝光液 體之曝光用光光路周圍之至少一部分；以及 壓力調整裝置，用以調整該回收流路之壓力與該第1 回收口面向之該空間之壓力之差，以避免供應至該回收流 路之洗淨液體被供應至該第丨回收口面向之該空間。 94 201205205 "28·如巾請專利範圍第25至27項中任—項之液浸曝 光裝置’纟中’ s亥液浸構件具有面向該回收流路、從該回 收流路回收該洗淨液體之第2回收口。 29·如中請專利範圍第25至28項中任—項之液浸曝 光裝置，纟中，該洗淨液體係經由該第i排出口從該回收 流路被回收。 3〇·如申請專利範圍第25至29項中任一項之液浸曝 光裝置，其中，該液浸構株且古备 傅仟具有面向該回收流路、將該洗 淨液體供應至該回收流路之供應口。 •如中請專利範㈣25至3G項中任―項之液浸曝 光裝置’其中’該洗淨液體係、從該第i排出口被供應至該 回收流路。 光裝置 33 光裝置 34 32.如中請專利範圍第25至31項中任—項之液浸曝 其中，該第1排出口包含多孔構件之孔。 如申請專利範圍第25至32項中任—項之液浸曝 其中’該第1回收口包含多孔構件之孔。 如申請專利範圍第25至33項中任—項之液浸曝 光裝置，其進-步具備對該洗淨液體賦予超音波之振動子。 35· —種元件製造方法，其包含： 使用申請專利範圍第25至34項中任一項之液浸曝光 裝置以曝光用光使基板曝光之動作·以及 使曝光後之該基板顯影之動作。 36· 一種程式，係使電腦實施透過曝光液體以曝光用 光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其係使之實施： 95 201205205 以能射出該曝光用光之光學構件與該基板間之該曝光 用光之光路被該曝光液體充滿之方式，在液浸構件與該基 板之間以該曝光液體形成液浸空間之動作，該液浸構件具 有可回收違基板上之該曝光液體之至少—部分的第1回收 口、透過該第1回收口回收之該曝光液體流經的回收流路、 用以從該回收流路排出該曝光液體的第1排出口、及該曝 光液體之排出較該第1排出口受到抑制用以排出該回收流 路之氣體的第2排出口； 透過該液浸空間之該曝光液體以該曝光用光使該基板 曝光之動作； 將該基板上之該曝光液體之至少—部分從該液浸構件 之第1回收口加以回收之動作； 於非曝光時’對該回收流路供應洗淨液體之動作；以 及 調整該回收流路之壓力與該第1回收口面向之該空間 之壓力之差，以避免供應至該回收流路之洗淨液體被供應 至該第1回收口面向之空間之動作。 37 . —種程式，係使電腦實施透過曝光液體以曝光用 光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其係使之實施： 以能射出該曝光用光之光學構件與該基板間之該曝光 用光之光路被該曝光液體充滿之方式，在液浸構件與該基 板之間以該曝光液體形成液浸空間之動作，該液浸構件具 有可回收該基板上之該曝光液體之至少一部分的第1回收 口、透過該第1回收口回收之該曝光液體流經的回收流路、 96 201205205 用以從該回收流路排出包含該曝光液體而該曝光液體之比 率較氣體高之流體的第1排出口、及用以從該回收流路排 出包含氣體而該曝光液體之比率較氣體低之流體的第2排 出π ; 透過該液浸空間之該曝光液體以該曝光用光使該基板 曝光之動作； 將該基板上之該曝光液體之至少一部分從該液浸構件 之第1回收口加以回收之動作； 於非曝光時，對該回收流路供應洗淨液體之動作；以 及 調整該回收流路之壓力與該第1回收口面向之該空間 之壓力之差，以避免供應至該回收流路之洗淨液體被供應 至該第1回收口面向之空間之動作。 38 · —種程式，係使電腦實施透過曝光液體以曝光用 光使基板曝光之液浸曝光裝置之控制，其係使之實施： 以能射出該曝光用光之光學構件與該基板間之該曝光 用光之光路被該曝光液體充滿之方式，在液浸構件與該基 板之間以該曝光液體形成液浸空間之動作，該液浸構件且 有可回收該基板上之該曝光液體之至少—部分的第1回收 口、透過該第i回收口回收之該曝光液體流經的回收流路、 及包含用以從該回收流路排出該曝光液體之第1排出口與 用以從該回收流路排出氣體之第2轴山 排出口以將該回收流路 之該曝光液體與氣體加以分離排出的排出部· 透過該液浸空間之該曝光液體以兮 篮以礒曝光用光使該基板 97 201205205 曝光之動作； 將遠基板上之該曝光液體之s 兀欣趙之至少一部分從該液浸構件 之第1回收口加以回收之動作； 於非曝光時，對該回收流路供應洗淨液體之動作；以 及 調整該回收流路之壓力與該第丨回收口面向之該空間 之壓力之差，以避免供應至該回收流路之洗淨液體被供應 至該第1回收口面向之空間之動作。 39 · —種電腦可讀取之記錄媒體，其記錄有申請專利 範圍第36至38項中任一項之程式。 八、圖式： (如次頁） 98