TW201202839A - Photomask and method of manufacturing the same - Google Patents

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Koichiro Yoshida
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Description

201202839 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種於光微影步驟中所使用之光罩及該光 罩之製造方法。 【先前技術】 現在,作為液晶顯示裝置中所採用之方式,有从 (Vertical Alignment,垂直排列)方式、lps(in朽咖⑽也叫, 共平面切換)方式。一般認為藉由應用該等方式,可提供 液晶之響應較快、提供充分之視角的優異之活動圖像。另 外,藉由於應用該等方式之液晶顯示裝置之像素電極部使 用透明導電膜之線與間隙之圖案(線與間隙圖案),而可實 現響應速度、視角之改善。 近年來’為了進一步提高液晶之響應速度及視角,而存 在使上述導電膜之線與間隙圖案之線寬度cd(c出id Dnnension,臨界尺寸)等微細化之方向(參照專利文獻工· 日本專利特開2007-206346號公報)。 通常於形成液晶顯示裝置之像素部等之圖案時,利用光 微影步驟。光微影步驟係:對形成於進行钱刻之被加工體 上之光阻膜使用光罩轉印特定圖案,使該光阻膜顯影而形 成光阻圖案,其後’將該光阻圖案作為遮罩而進行被加工 體之蝕刻。例如作為使像素電極形成為簽型狀(於透明導 電膜上形成線與間隙圖案)之光罩,可使用所謂的二元光 罩一元光罩係藉由將形成於透明基板上之遮光膜圖案化 而包括使光遮蔽之遮光部(黑)與使光透射之透光部(白)的2 154950.doc 201202839 色調之光罩。例如,於使用二元光罩及正型光阻而形成線 與間隙圖案之情形時,可由遮光部形成在透明基板上所形 成之線圖案,並由透光部形成間隙圖案。 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而’若圖案形狀(例如線與間隙圖案之線寬度)變小, 則由於經由光罩之透光部而照射至形成於被加工體上之光 阻膜之透射光的強度下降,對比度下降,故無法獲得充分 之解析度。其結果產生被加工體之触刻加工變困難之問 題。例如’若線與間隙圖案之間距寬度(1條線與i條間隙 之線寬度之合計)小於7 μηι ’則被加工體之蝕刻加工條件 變得苛刻,而難以圖案化。 作為提咼解析度、進行更加微細之圖案化之方法,一般 #忍為有:作為先前LSI(Large Scale Integrated Circuit,大 規模積體電路)製造用之技術而開發出來之曝光機光學系 統之數值孔徑擴大、短波長曝光、相位偏移遮罩之使用 等。.但於使用該等技術之情形時,需要莫大之投資與技術 開發’無法取得與市場所提供之液晶顯示裝置之價格之整 合性。進而,由於與[幻製造不同,並且被加工體之尺寸 較大(例如一邊為1000 mm以上之方形),故較為有利的是 並非為LSI製造中所使用之乾式蝕刻而是使用濕式蝕刻。 因此,期望於液晶顯示裝置之製造中,例如以曝光之光使 用i線〜g線之範圍之波長的條件,使用濕式蝕刻並且另一 方面可轉印更加微細之圖案。 154950.doc
S 201202839 另外,對於如上述之轉印時之對比度下降,一般認為藉 由增加光微影步驟中之曝光量而確保需要之曝光量。但要 增加曝光量則需要提高曝光機之光源之功率或增加曝光時 間而導致裝置改造專之追加投資或生產效率之下降。因 此,期望一種幾乎無須追加投資且對生產效率不造成不良 影響地進行微細之圖案化之方法。 因此本發明者為了解決此問題而揭示一種由透光部與 半透光部(由半透光部形成線與間隙圖案之線圖案,由透 光部形成間隙圖案)形成轉印圖案之方法。 然而,於在透明基板上形成半透光膜後將該半透光膜圖 案化而形成具有透光部與半透光部之轉印圖案時,遮罩操 作用之標記圖案(以下稱作標記圖案)亦藉由上述半透光膜 之圖案化而形成。即,由於由具有特定透射率之半透光膜 形成轉印圖案,因此於形成該圖案之同時所形成之標記圖 案亦同樣》 作為標記圖案,除光罩用戶設置曝光機時所使用之對準 標記(由於使用複數個光罩,於相同之被加工體上形成圖 案,製造液晶顯示裝置等圖像裝置,故定位精度非常重 要t之外,有用以確定光罩製品之條碼等,對光罩之識別 或&理起到重要作用。$等操作用標記圖案並非轉印圖 案因此,a又置於曝光時之轉印區域之外側(多為光罩之 外周周邊)。而且’於讀取該標記圖案之情形時,藉由讀 取裝置之光源與檢測機而使用反射光或透射光。但該等裝 置之多數係、以最廣泛地使用之二元光罩為基準而痛定規 154950.doc 201202839 光部(多為 之對比度 格’藉由作為光罩之透射區域的透光部(QZ)與遮 以Cr為主成分之遮光膜)之各透射率或各反射率 而進行讀取。 因此,本發明者進一步進行研究之結果可知,於具有藉 由半透光膜之圖案化之標記圖案的光罩中,需要留竞讀^ 之條件,換言之,藉由根據曝光機等現有裝置之讀取條 件’存在產生讀取錯誤之可能性。 本發明係鑒於此方面而成者,本發明之目的之一係提供 -種於使用由半透光部與透光部所形成之轉印圖案於被加 工體上形成微細的圖案形狀之情形時,可抑制對準標記或 條碼等標!己圖案之讀取錯誤之光罩&其製造方法。 解決問題之技術手段 本發明之光罩之特徵在於:其係具備用以轉印至形成於 進㈣刻加工之被加工體上之光阻膜上的轉印圖案之液晶 .打裝置之光罩,且於光罩之轉印區域具有藉由將 形成於透明基板上之半透光膜圖案化而獲得之包 部與半透光部而形成之線與間隙圖案的轉印圖帛,於光罩 之轉印區域外具有將形成於透明基板上之遮光膜圖案化而 獲得之標記圖案。 ;本發月之光罩中’較佳為轉印®案係用於藉由渴式敍 刻形成透明電極。 於本發明之井篁击
中’較佳為光罩係藉由蝕刻加工而於被 者且光形成線寬度LP與間隙寬度SP相等之線與間隙圖案 ’罩之轉印圖案係包含線寬度LM大於間隙寬度SM 154950.doc
S 201202839 之線與間隙圖案者。 於本發明之光罩中’較佳為線與間隙圖案係線與間隙之 線寬度之合計即間距寬度為2_以上且未達7叫。 於本發明之光罩中’較佳為標記圖案包含透明基板露出 之透光部與遮光膜露出之遮光部。 於本發明之光罩中’較佳為於使透光部之透射率為 10 0 %時半透光部之透射率為1 %以上且3 G %以下。 本發明之光罩之製造方法之特徵在於:其係用於製造於 轉印區域具有包含線與間隙圖案之轉印圖案、於轉印區域 外具有標記圖案之光罩者’且包括:於透明基板上形成遮 光膜之步驟;將遮光膜圖案化而去除上述轉印區域内之上 述遮光膜’並^於上述轉印區域以外形成標記圖案之步 驟,以於才示i己圖案上設置有遮罩之狀態,於透明基板上形 成半透光膜之步驟,及將半透光膜圖案化而形成由透光部 與半透光部所形成之上述轉印圖案之步驟。 本發明之光罩之製造方法之特徵在於:其係用於製造於 轉印區域具有包含線與間隙圖案之轉印圖案、於轉印區域 外具有標記圖案之光罩者,且包括:於透明基板上形成半 透光膜之步驟;於半透光膜上形成遮光膜之步驟;藉由於 形成於遮光膜上之光阻膜上刻晝轉印圖案及標記圖案曰,並 進行顯影而形成第】光阻圖案,藉由使用第】光阻圖案將遮 光膜及半透光膜圖案化而形成遮光膜及半透光膜之積層圖 案的步驟,·去除第ί光阻圖案後,以位於轉印區域之遮光 膜及半透光臈之積層圖案露出之方式形成第2光阻圖案的 I54950.doc 201202839 步驟;及藉由使用第2光阻圖案去除形成於半透光骐上之 遮光膜,而形成由透光部與半透光部所形成之轉印圖案及 由透光部與露出之遮光膜圖案所形成之標記圖案之步驟。 本發明之光罩之製造方法之特徵在於:其係用於製造於 轉印區域具有包含線與間隙圖案之轉印圖案、於轉印區域 外具有標記圖案之光罩者,且包括:以於透明基板上之轉 印區域外設置有遮罩之狀態形成半透光膜之步驟;於半透 光膜上及露出之透明基板上形成遮光膜之步驟;藉由於形 成於遮光膜上之光阻膜上刻畫轉印圖案及標記圖案並進行 顯影,而形成第1光阻圖案,藉由使用第丨光阻圖案將遮$ 膜及半透光膜圖案化,而於轉印區域形成遮光膜及半透光 膜之積層圖案,於轉印區域外形成遮光膜圖案之步驟;去 除第1光阻圖案後,以轉印區域之積層圖案露出之方式形 成第2光阻圖案之步驟;及藉由使用第2光阻圖案去除形成 於半透光膜上之遮光膜,而形成由透光部與半透光部所形 成之轉印圖案及由透光部與遮光膜圖案所形成之標 之步驟。 本發明之圖案轉印方法之特徵在於:使用上述光罩,藉 由具有i線〜g線之範圍之曝光光源的曝光機對被加工體上 之光阻膜進行曝光,制所獲得之光阻圖案進行濕式钱 刻,藉此對線與間隙之寬度相等之圖案進行加工。 發明之效果 根據本發明之一形態,由半透光部與透光部形成光罩之 轉I7圖案部’由遮光膜設置形成對準標記或條碼等標記圖 154950.doc 201202839 案之部分,藉此可於被加工體上形成微細之圖案形狀,同 時抑制對準標記或條碼等標記圖案之讀取錯誤,而提高製 造效率。 【實施方式】 "如上述般,本發明者對隨著圖案之微細化,抑制形成於 光罩之轉印圖案之解像劣化,而能實現精緻之轉印之光罩 進行了銳意研九。而且,已經提出一種具有由透光部與半 透光部(由半透光部形成線與間隙圖案之線圖案,由透光 部形成間隙圖案)所形成之轉印圖案的光罩。 述般於在透明基板上形成半透光膜後,將該半透 光膜圖案化,於光罩之轉印區域内形成具有透光部與半透 光。p之轉印圖案之情形時’形成於轉印區域以外之標記圖 案形成於與先前不同之膜(半透光膜)上。 不*1 处所0月轉印區域,係包含欲轉印至被加工體上之光 阻膜上之轉印圖案的區域,係照射曝光之光之區域。例 如’於圖1(A)中’可設為轉印圖案部1〇2之區域。 本發明者進一步進行研究之結果發現,於在透明基板上 之半透光膜上形成標記圖案之情形時,根據半透光膜之透 射率或反射率等條件,存在因透射光或半透光膜表面之反 ^光之干涉等而於曝光機中產生標記圖案之讀取錯誤之可 此陡S此’本發明者進行銳意研究後獲得如下知識見 j於藉由透光部與半透光部而形成轉印圖案之光罩中, 猎由使用其他遮光膜而形成用以形成對準標記或條碼之標 °己圖案形成部’可抑制對準標記或條碼之讀取錯誤。 154950.doc 201202839 此處’所§胃遮光膜’較佳為使用對曝光之光(i線〜g線)且 有光學密度(OD ’ Optical Density)3以上者,進行遮光至被 加工體上之光阻膜實質上不感光之程度。 以下參照圖1對本發明之光罩之一例進行說明。再者, 於圖1中,圖1(A)表示光罩之上表面’圖1(8)〜(D)表示圖 l(A)a-b中之剖面。 <光罩> 光罩1〇0包括形成於透明基板101上之轉印圖案部1〇2與 標記圖案形成部103。轉印圖案部102係由半透光部1〇2&與 透光部102b所形成,可藉由於在透明基板1〇1上形成半透 光膜後將該半透光膜圖案化而獲得。標記圖案形成部1〇3 係形成遮光膜,將該遮光膜圖案化而形成對準標記或條碼 等標記圖案。 標記圖案形成部103只要設置於至少形成對準標記1〇5或 條碼106等標記圖案之區域即可。通常較佳為:由於標記 圖案於透明基板101表面形成於端部側,因此位於轉印圖 案部102之區域以外’且於該轉印圖案部1〇2之周邊部設置 標記圖案形成部1G3。於此情形時’亦可沿著透明基板ι〇ι 表面之周圍區域設置遮光膜,以此形成之遮光臈之圖案成 為環狀之方式而設置(參照圖小亦可於形成標記圖案之區 域選擇性地設置遮光膜。 :外’標記圖案最佳為由透明基板露出之透光部與遮光 :出之遮光部而形成者。於為在遮光膜上積層半透光膜 之遮光部之情形時’於藉由反射光而讀取標記圖案時 154950.doc 201202839 存在檢測會變得不穩定之可能性。另外,於標記圖案為藉 由遮光膜露出之遮光部與於透明基板上形成半透光膜之半 透光部而形成者之情形時,於藉由透射光之讀取時,透射 光因半透光部而衰減,存在讀取精度不充分之可能性。 轉印圖案部102可由藉由將成膜於透明基板1〇1上之半透 光膜圖案化而形成之透光部與半透光部而形成。於由線與 間隙圖案形成轉印圖案部1〇2之情形時,只要由半透光部 l〇2a形成線圖案,由透光部1〇2b形成間隙圖案即可。 如此,即使為由半透光部與透光部形成轉印圖案部之光 罩,亦可藉由以遮光膜設置形成標記圖案之部分,而抑制 標記圖案之讀取不良。藉由使用如此之光罩,可於被加工 體上形成微細之圖案形狀,並且抑制標記圖案之讀取錯誤 而提高製造製程之生產性。 以卜使用圖5對光罩及使 例進行說明。再者,圖5表示如下之情形:於形成於進行 敍刻加工之被加工體5〇3上之光阻棋5〇4上,轉印包含形成 於光罩500上之線與間隙圖案之特定轉印圖案,將顯影後 之光阻圖案5 0 5作為姓刻加工之光罩。 光罩5 0 0係具有包含線盘間隙阁安^ ^ 木間丨永圖案之特定轉印圖案,並 將3亥包含線與間隙圖案之特定錄岛国本μ 行疋轉印圖案轉印至形成於被加 工體503上的光阻膜5〇4上者。 有元罩5〇〇之轉印圖案可由藉 由將成膜於透明基板510上之半 亍逐光膜圖案化所形成之透 光部與半透光部而形成。另外, 先罩5〇〇之線與間隙圖案 之線圖案係由半透光部5〇1而設 罝間隙圖案係由透光部 154950.doc 201202839 502而設置。 如先前般’於由遮光部與透光部形成光罩之線與間隙圖 案之It形時’隨著線與間隙圖案之間距寬度變小(接近曝 光機之解析極限),經由透光部而照射至光阻膜之透射光 之強度下降,對應於遮光部與透光部之透射光之對比度下 降’因此於顯影後經由透光部而曝光之部分之光阻膜殘 留^、纟。果,產生被加工體無法圖案化之問題。為了解決 此問題’認為需要:使曝光機之解析極限變小(提高解析 度)’增加應用曝光量,藉由縮短曝光之光的波長或使用 相位偏移遮罩而使透射光之強度增加。 另方面,如圖5所示般,藉由不由遮光部而由半透光 部501形成光罩500之線圖案,即使於光罩5〇〇之線與間隙 圖案之間距寬度變小之情形時,亦可抑制經由透光部 502(間隙圖案)而照射至光阻膜5〇4之透射光之強度下降, 例如於使用正型光阻之情形時,可於顯影後去除經由透光 部502而曝光之光阻膜5〇4。其廣因在於,藉由以半透光部 501形成線圖案,可獲得與使光微影步驟中之曝光量增加 相同之效果。藉此,可藉由於先前光微影步驟中可應用之 曝光量(不改變曝光量,或以更少之曝光量)形成所期望之 微細圖案。 另外,較佳為光罩500之線與間隙圖案之間距寬度設為 2.0 μιτι以上且未達7·〇 μηιβ由間距寬度未達7〇 之微細 圖案所形成之像素電極部係於製造液晶顯示裝置時所形成 之電場密集,於液晶之響應速度、亮度方面優異,但存在 I54950.doc • ΪΖ -
S 201202839 如上述鈸於光微影步驟中所產生之課題無法避免之問題。 另方面,根據本發明之方法,於接近曝光機之解析極限 之上述之微細圖案中,可解決上述課題,可獲得特別顯著 之效果。另外’若間距寬度為2 μηι以上,則藉由選擇半透 光膜之膜透射率,而可獲得充分之光強度,因此可充分獲 得解析度提南效果。 於經由半透光部501之透射光與經由透光部5〇2之透射光 之間所產生的相位差並無特別限定。原因在於,作為液晶 顯不裝置製造用之線與間隙圖案,不依存於曝光之光之相 位之變化或反轉’便可獲得優異之解析度提高效果。再 者,於半透光膜之選擇中,相對於丨線〜§線之範圍内中之 代表波長,於與透光部之相位差為3〇度以上且18〇度以下 時谷易以適當之膜厚獲得適當之透射率。更佳為3〇度以 上且90度以下。尤佳為相對於i線〜g線之全部波長,形成 於半透光部之半透光膜的相位差為30度以上且90度以下。 於使用如圖5所示之光罩500之情形時,不僅經由透光部 5〇2(間隙圖案)而且經由半透光部5〇1(線圖案)將光阻膜5〇4 曝光,故顯影後之光阻圖案5〇5之膜厚ti小於光阻膜5〇4之 初始膜厚值t0。若光阻圖案505之膜厚u過小,則於蝕刻加 工時出現故障(例如光阻圖案5〇5消失而發揮不出作為遮罩 之功能),故較佳為考慮透光部5〇2的透射光之強度及光阻 圖案505之膜厚而設定半透光部5〇1對於曝光之光的透射 率。例如,於將光罩5〇〇之透光部對於曝光之光的透射率 設為100%時,可將半透光部5〇1對於曝光之光的透射率設 154950.doc 13 201202839 為較佳為1 °/〇以上且30%以下,更佳為1 %以上且20%以下, 尤佳為3%以上且20%以下,特佳為3%以上且15%以下。若 為此範圍’則即使於光罩500之線與間隙圖案之間距寬度 變小之情形時’亦可抑制透光部502之透射光之強度下 降’並且可使光阻圖案505之膜厚tl僅殘留蝕刻加工所需 要之量。再者’所謂光罩500之透光部之透射率為1〇〇%, 係指於光罩500中將充分寬廣之透光部(2〇 μιη見方以上透 光部)中之透射率設為1〇〇〇/0之情形。 繼而’對使用上述光罩500之圖案轉印方法進行說明。 首先,於被加工體503上形成正型光阻膜5〇4後,於該光 阻膜504上經由上述光罩5〇〇而照射曝光之光(參照圖 5(A))。於此情形時,經由透光部5〇2及半透光部5〇1,曝 光之光照射至光阻膜504上。其次,將光阻膜5〇4進行顯 影,形成光阻圖案505後(圖5(Β)),將該光阻圖案5〇5作為 遮罩而對形成於基板上507之被加工體5〇3進行蝕刻藉此 可使被加工體503之至少一部分形成為線與間隙圖案(參照 圖 5(C)、(D))。 曰於圖5中所說明之圖案轉印方法中,並非使用遮光部而 疋使用半透光部501形成光罩500之線圖案,故顯影後之光 阻圖案505之膜厚tl小於光阻膜5〇4之初始膜厚值t〇。因 此,較佳為使用濕式蝕刻進行被加工體5〇3之蝕刻加工。 原因為於’使用乾式㈣之情形時,亦會㈣光阻圖案 奶’故於光阻圖案505之膜厚較小之情形日夺,有於钱刻加 工時成為遮罩之光阻圖案5〇5消失之虞。 154950.doc
S -14· 201202839 另一方面,歧用濕式㈣之情形時,藉由提高被加工 體503與用於光阻膜504之光阻材料之餘刻選擇比,即使於 先阻圖案505之膜厚較小之情形時,亦可抑制於敍刻加工 時光阻圖案505消失。為了有效地抑制於钱刻加工時光阻 圖案5〇5消失,作為光阻膜504,只要使用相對於被加工體 5〇3之濕絲刻之㈣劑的敍刻選擇比為ι〇倍⑴⑼以上, 較佳為50倍(1:50)以上之光阻材料而形成即可。 另外,即使於光阻圖案505之膜厚u較小之情形時,被 加工體503之蝕刻加工時間越短越可抑制於蝕刻加工時光 阻圖案505消失。例如,於被加工體503之膜厚較小之情形 時,可縮短蝕刻加工時間。被加工體5〇3之膜厚係考慮蝕 刻條件等而決定,作為-例,藉由將被加工體5〇3形成為 4〇 nm以上且150 nmw下左右,可縮短蝕刻加工時間。如 此,以本實施之形態表示之圖案轉印方法對於膜厚較小之 被加工體的圖案化特別有效。另外,於被加工體之膜 厚較小之情形時,可較高地設定光罩5〇〇之半透光部5〇1之 透射率。藉此,可降低光微影步驟中之曝光之光之曝光 量0 另外’於應用濕式蝕刻作為被加工體503之姓刻加工之 情形時’與乾式蝕相比,可各向同性蝕刻被加工體5〇3。 即’於触刻時,與光阻圖案505重疊之被轉印部5〇8之側面 亦被钱刻(側面蝕刻)(參照圖5(c))。因此,於將光罩5〇〇之 線與間隙圖案之線寬度(半透光部501之寬度)設為lm,將 間隙寬度(透光部502之寬度)設為SM時,於蝕刻加工後形 154950.doc 15 201202839 成於被加工體503上之線與間隙圖案之線寬度LP小於lM, 間隙寬度SP大於SM。 因此’於將形成於被加工體503之線與間隙圖案之線寬 度LP與間隙寬度SP設為等寬度(LPi:;sp)之情形時,較佳為 預先將光罩500之線寬度LM設置為大於間隙寬度SM (LM>SM)。例如’於光罩500之線圖案(半透光部501)之兩 側可没置考慮了於姓刻加工時側面银刻被加工體5〇3之部 分之範圍的偏壓部506a、506b。偏壓部506a、506b係可以 與形成線圖案之半透光膜相同之材料而設置。再者,偏壓 部506a、506b之寬度(偏壓值)只要依據被加工體5〇3之蝕刻 條件而設定即可,例如,於將光罩5〇〇之線寬度LM與間隙 寬度SM之差之1/2設為偏壓值時,可將偏壓值設為〇 2 μηι~1.0 μηι。 再者,上述圖案轉印方法可應用於液晶顯示裝置等各種 電子裝置之製造方法。例如,於在液晶顯示裝置中將像素 電極之形狀形成為帶狀(簽型狀)之情形時,可使用具有線 與間隙圖案之光罩500,而將圖案轉印至IT〇(Indium 丁匕 Oxide,氧化銦錫)等透明導電膜上。於此情形時,汀〇等 透明導電膜相當於上述被加工體5〇3。因此,本發明之光 罩對於具有間距寬度未達7·〇且2 〇以上範圍之線與間隙圖 案之ΙΤΟ導電膜圖案的轉印較佳。 光罩500之包含線與間隙圖案之特定轉印圖案可藉由將 成膜於透明基板510上之半透光膜圖案化而形成。此時, 只要光罩500之線與間隙圖案之成為線圖案之部分使成膜 154950.doc 201202839 於透明基板5H)上的半透光膜殘留而作為半透光部5〇ι,成 為間隙圖案之部分去除半透光膜而作為透光部M2即可。 另外,成為線圖案之半透光部5〇1於將光罩5〇〇之透光部 502之透射率設為時,可使料射率較佳為ι%以上且 3〇%以下,更佳為1%以上錄%以下,尤佳為3%以上且 廳以下,特佳為胸上且15%以下之半透光膜而形成。 所謂光罩500之透光部502之透射率為1〇〇%,係指將於光 罩500中充分寬廣之透光部(2〇 μιη見方以上之透光部)之透 射率設為100%的情形。 另外,光罩500之線與間隙圖案之半透光部5〇1之寬度 (線寬度LM)與透光部502之寬度(間隙寬度SM),可依據形 成於被加工體5 0 3上之線與間隙圖案之線寬度L p與間隙寬 度sp而決定。例如,於將形成於被加工體5〇3上之線與間 隙圖案之線寬度L P與間隙寬度S P設為相等寬度之情形時, 較佳為使光罩500之線寬度LM大於間隙寬度 SM(LM>SM)。其原因為,於如上述般將光阻圖案5〇5作為 遮罩而進行蝕刻加工時,對被加工體5〇3進行側面蝕刻, 貫際上形成於被加工體503上之線與間隙圖案之線寬度Lp 小於光罩500之線寬度LM。 使光罩500之線寬度LM大於間隙寬度sm之比例係只要 考慮於蝕刻時側面蝕刻被轉印部508之部分之範圍,僅兮 寬度之部分於光罩500之線圖案(半透光部5〇1)之兩側追加 偏壓部即可。如上述般,於將光罩500之線寬度^^與間隙 寬度SM之差的1/2設為偏壓值之時,可使偏壓值為 154950.doc 17 201202839 μηι〜1.0 μιη。例如,於將偏壓值設為〇 $ μηι、將間距寬度 為5 μπι(線寬度LM及間隙寬度SM分別為2·5 μιη)之線與間 隙圖案形成於被加工體503上之情形時,可使光罩5〇〇之線 寬度LM為3.0 μηι ’使間隙寬度SM為2.0 μιη。 另外,於光罩500之製造中,可設為以下構成:預先把 握曝光條件、光阻膜之特性、被加工體之特性、被加工體 的加工條件等相關關係而製作資料庫,並依據被加工體 503之加工條件使用模擬進行光罩5〇〇之設計。作為曝光條 件,只要考慮曝光之光之波長、成像系統之ΝΑ(數值孔 徑,Numerical Aperture)、σ(相干性)等即可。作為光阻膜 之特性,只要考慮光阻膜之顯影條件、對蝕刻劑之耐性等 即可。作為被加工體5〇3之特性’只要考慮被加工體之蝕 刻條件(蝕刻劑之種類、溫度)等即可。作為被加工體5〇3之 加工條件,只要考慮形成於被加工體之線與間隙圖案之形 狀(線寬度LP與間隙寬度SP)即可。 預先使該等相關關係資料庫化,並依據欲製作之被加工 體503之加工條件進行模擬,藉此求出設計條件(用於半透 光部之半透光膜的透射率、半透光部5()ι之寬度(線寬 度LM)、透光部502之寬度(間隙寬度SM))而製造光罩5〇〇, 藉此可大幅度地縮短光罩5〇〇之製作時間。 以下藉由模擬對使用由半透光部設置線與間隙圖案之線 圖案、由透光部設置間隙圖案之光罩將光阻膜曝光之情形 進行驗證,並對結果加以說明。 首先,對模擬所用之條件進行說明。 154950.doc 201202839 曝光條件:NA=0.08、σ=0·8、曝光波長(強度比:g線/h 光線/i 線=1.0/1 〇/1 〇) 光阻膜:正型紛酿清漆型 光阻獏之初始膜厚:1.5 μηι 再者’作為模擬軟體,係使用Synopsys(新思科技)公司 製 ie 之軟體(Sentaurus LithographyTM)而進行。 繼而’對光罩進行說明。 <參考例1 > 偏壓部:+〇 5 μιη 線與間隙圖案之間距寬度·· 6.0 μιη(線寬度:3.5 μιη,間 隙寬度:2.5 μηι)、5.0 μπι(線寬度:3.0 μπι,間隙寬度: 2.0 μιη)、4.4 μιη(線寬度:2.7 μηι,間隙寬度:1.7 μηι) 線圖案之透射率:3%~20% <參考例2> 偏壓部:+0.8 μηι 線與間隙圖案之間距寬度:7.0 μηι(線寬度:4.3 μηι,間 隙寬度:2,7 μιη)、6.0 |im(線寬度:3·8 μπι,間隙寬度: 2·2 μηι)、5.0 gm(線寬度:3.3 μηι,間隙寬度:1.7 μηι) 線圖案之透射率:3。/〇〜20% <參考比較例1 > 偏壓部:+0.5 μπι 線與間隙圖案之間距寬度:8_0 μιη(線寬度:4.5 μηι,間 隙寬度:3.5 μηι)、7.0 μπι(線寬度:4.0 μιη,間隙寬度: 3·0 μηι)、6.0 μηι(線寬度:3.5 μηι,間隙寬度:2.5 μηι)、 154950.doc -19- 201202839 5·〇 μιη(線寬度:3 〇 μιη,間隙寬度:2.〇 μιη)、4 4 _(線 寬度:2.7 μπι,間隙寬度:1>7 μιη) 線圖案之透射率:〇% 〈參考比較例2> 偏壓部:+0.8 μηι 線與間隙圖案之間距寬度:8.0 μιη(線寬度:4.8 μιη,間 隙寬度:3.2 μιη)、7 〇 μιη(線寬度:4 3 μιη,間隙寬度: 2·7 μηι)、6.0 Rm(線寬度:3 8 μιη,間隙寬度:2 2 、 5.0 μπι(線寬度:3 3㈣,間隙寬度:1 7 μιη)、4 4 _(線 寬度:3.0 μπι,間隙寬度:】4 μιη) 線圖案之透射率:〇% 首先,對形成有線與間隙圖案之光罩照射曝光之光時之 光罩的位置與透射光之有效透射率之關係進行說明。於本 發明中,所謂實效透射率,係指除膜固有之透射率外,還 包括圖案之形狀(尺寸或線寬度CD(CriUcal Dimensi〇n》或 曝光機之光學條件(光學波長、數值孔徑、σ值等)之因素 的透射率’可指反映實際曝光環境之透射率(決定透過光 罩而照射之光量之實效透射率)。例如,於本說明書中, 稱作「半透光部之透射率」之情形之透射率係指上述實效 透射率穿舆作「半透光部之半透光膜之透射率」或簡稱作 半透光膜之透射率」之情形的透射率係指半透光膜固有 之透射率。 圖6表示使用由透射率為0之遮光膜形成線圖案之光罩 (二兀光罩)之情形的透射光之實效透射率。於圖6中,圖 154950.doc 201202839 6(A)表示設置於遮光膜之偏壓部為〇 $ μπι之情形(參考比較 例1),圖6(B)表示設置於遮光膜之偏壓部為〇·8 μιη之情形 (參考比較例2),圖6(C)係表示用於模擬之線與間隙圖案之 示意圖。偏壓部係使用與形成線圖案之膜相同之材料而形 成。另外,於圖6(A)、(Β)中,橫軸表示形成於光罩之線 與間隙圖案之位置,縱軸表示透射光之實效透射率。 根據圖6可確認,隨著線與間隙圖案之間距寬度變小, 光罩之透光部之透射光之實效透射率顯著減小。 圖7、8表不使用由半透光膜形成線圖案之光罩之情形之 透射光的實效透㈣。W7表示設置料透光膜之偏壓部 為0.5 μιΏ之情形(參考例丨),圖8表示設置於半透光膜之偏 壓部為0.8 μη!之情形(參考例2)。另外,於圖7中圖 7(A)〜(C)分別表示線與間隙圖案之間距寬度為6 〇之情 形(圖7(A))、間距寬度為μ μιη之情形(圖7⑻卜間距寬度 為4.4 _之情形(圖7(C)),於圖8中,圖8(A)〜(c)分別表= 線與間隙圖案之間距寬度為7·〜之情形(圖8㈧)、間距 寬度為6.0叫之情形(圖8(B))、間距寬度為5()叫之情形 (圖 8(C))。 、根據圖7、圖8可知,隨著半透光部之半透射膜之透射率 增加,透光部之實效透射率增加。 繼而’對使用具有線與間隙圖案之光罩將光阻膜曝光並 進行顯影之情形之綠圖案㈣面形狀進行說明。 圖Π)表示使用由透射率為〇之遮光膜形成線圖案之 罩(二疋光罩)之情形的顯影後之光阻圖案之剖面。再 154950.doc -21· 201202839 者,圖9表示設置於遮光膜之偏壓部為0.5 μπι之情形(參考 比較例1),圖10表示設置於遮光膜之偏壓部為〇·8 μιη之情 形(參考比較例2)。另外,圖9(Α)~(Ε)、圖1〇(Α)〜(D)分別 表示線與間隙圖案之間距寬度為8.0 μιη之情形(圖9(A)、圖 10(A))、間距寬度為7.0 μπι之情形(圖9(B)、圖10(B))、間 距寬度為6.0 μιη之情形(圖9(C)、圖10(C))、間距寬度為5.〇 μπι之情形(圖9(D)、圖10(D))、間距寬度為4.4 μιη之情形 (圖 9(E))。 再者’於圖9、圖10中表示將曝光之光之強度(即曝光 量)設為固定(1 〇〇 mJ)(mJ係mj/cm2,下同)之情形的顯影後 之光阻圖案之剖面形狀。 於圖9中’於線與間隙圖案之間距寬度相對較大(8 〇 μπι、7.0 μιη)之情形時,可確認能去除藉由1〇〇 mJ之曝光 之光經由透光部而照射之部分之光阻膜,但若線與間隙圖 案之間距寬度為6·0 μιη以下,則確認光阻膜殘留。為了完 全地去除光阻膜’而求出需要之曝光之光之強度,結果係 於線與間隙圖案之間距寬度為6 〇 μιη之情形時需要照射 106.7 mJ之曝光之光,於間距寬度為5 〇 μηι之情形時需要 照射125.0 mJ之曝光之光,於間距寬度為4 4 ^瓜之情形時 需要照射148.2 mj之曝光之光。 於圖10中,於線與間隙圖案之間距寬度為8.0 μπι之情形 時,可確認旎去除藉由丨〇() mJ之曝光之光經由透光部而照 射之部分的光阻膜’但若線與間隙圖案之間距寬度為7.0 μιη 乂下則破5忍光阻膜殘留。為了完全地去除光阻膜, J54950.doc
S •22- 201202839 而求出需要之曝光之光之強度,結果係於線與間隙圖案之 間距寬度為7.0 μπι之情形時需要照射1〇4 6 mJ之曝光之 光,於間距寬度為6.0 μιη之情形時需要照射丨17 4 mJ之曝 光之光,於間距寬度為5·〇 μηι之情形時需要照射148 2 mJ 之曝光之光。 圖11〜圖16表示使用由半透光膜形成線圖案之光罩之情 形之顯影後的光阻圖案之剖面。再者,圖!〖〜圖丨3表示設 置於半透光膜之偏壓部為〇5 μιη之情形(參考例1),圖14〜 圖16表不設置於半透光膜之偏壓部為〇8 之情形(參考例 2)。另外,圖11、圖15表示線與間隙圖案之間距寬度為6 〇 μιη之情形,圖12、圖16表示間距寬度為5〇 μιη之情形,圖 13表示間距寬度為4.4 μιη之情形,圖14表示間距寬度為7.0 μηι之情形。 再者,於圖11〜圖16中,表示改變形成線圖案之半透光 部之半透光膜之透射率時的顯影後之光阻圖案之剖面。但 於圖11〜圖16中,表示為了去除光阻膜而照射需要之曝光 之光之情形的剖面。另外,對於各間距寬度,將曝光之光 之強度(為了去除光阻膜而需要之曝光之光的強度)相對於 半透光部之半透光膜之透射率的關係示於表〗、表表1 表示偏壓部為0.5 μηι之情形(參考例丨),表2表示偏壓部為 0.8 μιη之情形(參考例2)。 154950.doc -23· 201202839 [表i]
間距寬度6.0 μιη 間距寬度5.0 μηι 間距寬度4.4 μηι 0% 106.7 mJ 125.0 mJ 148.2 mJ 3% 91.7 mJ 102.5 mJ - 5% 87.4 mJ 96.9 mJ 108.7 mJ 8% 82.9 mJ 90.7 mJ 100.7 mJ 10% 80.5 mJ 87.4 mJ 96.2 mJ 15% 75.5 mJ 80.9 mJ 87.5 mJ 20% 71.4 mJ 75.7 mJ 80.8 mJ
[表2]
間距寬度7.0 μτη 間距宽度6.0 μιη 間距寬度5.0 μιη 0% 104.6 mJ 117.4 mJ 148.2 mJ 3% 90.5 mJ 98.2 mJ - 5% 86.7 mJ 83.2 mJ 109.4 mJ 8% 81.8 mJ 87.6 mJ 101.0 mJ 10% 79.5 mJ 84.7 mJ 96.4 mJ 15% 74.8 mJ 78.7 mJ 87.8 mJ 20% 70.9 mJ 74.0 mJ 81.0 mJ 根據圖11〜圖16、表1、表2可確認,隨著使半透光膜之 透射率增加,可去除曝光部之光阻膜,並減小獲得需要之 線寬度所需要之曝光之光的強度。另外可確認,隨著線與 間隙圖案之間距寬度變小,為了形成光阻圖案而需要之曝 光之光之強度增加,但與由遮光膜形成線圖案之情形相 比,可大幅度地降低光微影步驟中之曝光之光的強度。 如上述般,藉由不由遮光膜而由半透光膜形成轉印圖案 -24· 154950.doc
S 201202839 〇 之線圖案,而光罩1 0 0之線與間隙圖案之間距寬度變 小之情形時,亦可抑制經由透光部102b(間隙圖案)而照射 至光阻膜之透射光之強度下降’可於顯影後去除經由透光 部102b而曝光之光阻膜。其原因在於,藉由半透光部1〇以 形成線圖案,可獲得與增加光微影步驟中之透光部之曝光 里相同之效果,結果可提高轉印之解析度。若於藉由濕式 蝕亥丨而加工被加工體之前提下於光罩上形成包含線與間隙 之轉印圖案,則與線相比,間隙之寬度較間距之1/2更加 微細且加工之難度增加,但於光罩之製造中,亦可良好地 形成圖案。藉此,可以先前光微影步驟中可應用之曝光量 (不改變曝光量或以更小之曝光量)形成所期望之微細圖 案。 以下參照圖式對圖1所示之光罩之製造方法進行說明。 再者,於本實施形態中作為光罩之製造方法而對3種方法 進行說明。 <光罩之製造方法1> 首先’於透明基板101上形成遮光膜202後,於該遮光膜 202上形成第1光阻膜2〇4(參照圖。 作為遮光膜202,可較佳地使用鉻(Cr)或鉻化合物 (CrO、CrN、CrC等),可使用濺鍍法而形成。亦較佳為於 將該等鉻作為主成分之膜上積層Cr〇、CrN、CrC等而使其 具有抗反射功能。 繼而,藉由刻畫機於第1光阻膜204上刻畫欲形成於光罩 周圍(參照圖1(A))之遮光圖案。此時’同時刻畫形成為7 154950.doc -25- 201202839 遮光圖案之標記圖案。其後進行顯影,製成第丨光阻圖案 206後(參照圖2(B)) ’將該第1光阻圖案2〇6作為遮罩並藉由 濕式蝕刻而將遮光膜202圖案化(參照圖2(c))。藉此,於透 明基板101上形成有遮光膜圖案2〇8與標記圖案。於此態樣 中’為了將標記圖案形成於透明基板1 〇丨之端部,而如圖2 所示般將遮光膜圖案208形成於透明基板i〇i之周圍區域且 轉印圖案區域之外。 繼而’去除第1光阻圖案206後,以於遮光膜圖案208上 及標記圖案上設置遮罩210之狀態,於透明基板ιοί上形成 半透光膜212(參照圖2(D))。 作為半透光膜2 12 ’可使用濺鍍法等形成cr化合物 (CrO、CrN、CrC 等)或金屬矽化合物(MoSix、MoSiN、 MoSiO、MoSiON、MoSiCO等)等。於此態樣中,對於半 透光膜與遮光膜之蝕刻選擇性並無特別制約。 另外’於形成半透光膜212時’以遮光膜圖案208之端部 露出之方式設置遮罩210,藉此可以半透光膜212覆蓋遮光 膜圖案208之端部之方式而形成(參照圖2(D))。如此,藉由 以覆蓋遮光膜圖案208之端部之方式形成半透光膜212,而 發揮確保成膜階段中之圖案間之位置對準範圍,於光罩上 不產生不期望之透光區域的效果。 繼而,去除遮罩210後’於半透光膜212及遮光膜圖案 208上形成第2光阻膜214(參照圖2(E)),其後,於刻畫第2 光阻膜214後進行顯影而形成第2光阻圖案216(參照圖 2(F)) 〇 -26- 154950.doc
S 201202839 光^圖案216之形狀相當於光罩中之轉印圖案部之形 狀。因此,於以線與間隙圖案設置光罩之轉印圓案部之情 开/時要以成為線與間隙圖案之方式形成第 21 6即可。 系 ,繼而’將第2光阻圖案216作為遮罩並藉由濕式钮刻而將 半透光膜212圖案化(參照圖2⑹),藉此可形成由半透光部 1 〇2a與透光部!〇2b所形成之轉印圖案部i叫參照圖卿)。 另外’、於圖2中表示於轉印圖案部1()2之周邊形成有標記圖 案形成。P103之情形。標記圖案係如上述般,較佳為於第1 光阻圖案形成時進行刻畫,但亦可於第2光阻圖案形成時 進行刻畫。例如’將遮光膜與半透光膜均設為㈣膜之情 形時較佳。 θ 藉由以上步驟,可製造轉印圖案部由半透光部與透光部 所形成、標記圖案形成部由遮光膜所形成之二元光罩。如 圖2所不般,即使於形成遮光膜後形成半透光膜之情形 時,藉由於標記圖案形成部中設為不於遮光膜上形成半透 光膜之結構(使遮光膜露出),亦可抑制由於半透光膜之干 涉等而引起之讀取錯誤。另外,藉由使用如上述圖2所示 之製ie方法,若採用此製造方法,則轉印圖案部之半透光 膜之成膜在步驟上順序靠後’故預先進行遮光圖案(標記 圖案形成完成)形成後之光罩基底之生產,於決定半透光 膜之透射率等製品規格後進行其餘之步驟,藉此可縮短實 質的光罩製造產距(tact time,產距時間)。 〈光罩之製造方法2> 154950.doc 201202839 繼而’參照圖3對與上述製造步驟1不同之製造方法進行 說明。 首先’於透明基板101上形成半透光膜3〇2(參照圖 3(A))。 其次’於半透光膜302上形成遮光膜304後,於該遮光膜 3〇4上形成第1光阻膜306(參照圖3(B))。半透光膜3〇2與遮 光膜304之材料可使用上述者,但較佳為使用具有蝕刻選 擇性(於一方之蝕刻環境下’他方具有耐性)者。例如,遮 光膜為Cr系’半透光膜為金屬石夕化物系等。 繼而,於第1光阻膜306上使用刻畫機刻畫轉印圖案,並 且刻晝標記圖案。其後進行顯影,製成第j光阻圖案3〇8後 (參照圖3(C)),將該第丄光阻圖案3〇8作為遮罩並將遮光膜 304及半透光膜302圊案化(參照圖3(D))。藉此,形成經圖 案化之遮光膜與半透光膜之積層圖案31〇(參照圖3(E))。 遮光膜與半透光膜之積層圖案31〇相當於光罩中之轉印 圖案及標記圖案之圖案形狀。 繼而,去除第1光阻圖案3〇8後(參照圖3(E)),以覆蓋遮 光膜及半透光膜之方式形成第2光阻膜312(參照圖3(F))。 而且,於該第2光阻膜312上刻晝欲形成於轉印圖案部以外 之光罩周圍之遮光圖案後進行顯影而形成第2光阻圖案 314(參照圖 3(G))。 ' 第2光阻圖案314係以覆蓋已經形成之標記圖案區域,並 且使成為光罩之轉印圖案部之區域(此處為遮光膜及半透 光膜之積層圖案310)露出之方式而形成。 154950.doc •28· 201202839 繼而,藉由使用第2光阻圖案3!4蝕刻去除形成於半透光 膜上之遮光膜(參照圖3(H)),而可形成由半透光部1〇23與 透光部102b所形成之轉印圖案部1〇2及標記圖案ι〇3(參照 圖 3(1)” 藉由以上步驟,可製造轉印圖案部由半透光部與透光部 所形成、標記圆案形成部由透光部與遮光膜露出之遮光部 所形成之二兀光罩。藉由使用如上述圖3所示之製造方 法,由於在第1〜第2之圖案化之間不插入成膜步驟,因此 可縮短圖案化開始後之製造產距。 〈光罩之製造方法3> 繼而,參照圖4對與上述製造步驟丨、2不同之製造方法 進行說明。 首先以於透明基板101上設置遮罩404之狀態而形成半 透光膜402(參照圖4(A))。遮罩404只要至少設置於形成標 記圖案形成部之區域即可。 其次,去除遮罩404後,於半透光膜4〇2上及露出之透明 基板101上形成遮光膜4〇6(參照圖4(B)),其後,於遮光膜 406上形成第1光阻膜4〇8(參照圖4(c))<)再者,半透光膜與 遮光膜之材料可與製造方法2中使用者相同。 繼而’對第1光阻膜408刻晝用以形成轉印圖案及標記圖 案之圖案育料後,進行顯影,製成第阻圖案41〇後(參 照圖4(D)) ’將該第1光阻圖案41〇作為遮罩而將遮光膜4〇6 及半透光膜402圖案化(參照圖4(E))。藉此,可形成經圖案 化之遮光膜與半透光膜之積層圖案412(參照圖4(F))。 154950.doc -29- 201202839 遮光膜與半透光膜之積層圖案412相當於光罩中之轉印 圖案部之圖案形狀及標記圖案。 繼而,去除第!光阻圖案41〇後(參照圖4(F)),以覆蓋遮 光膜及半透光膜之方式形成第2光阻膜4U(參照圖4(G))e 繼而畫^第2光阻膜414後進行顯影而形成第2光阻圖 案416(參照圖4(H))。 第2光阻圖案416係以覆蓋成為標記圖案形成部之區域, 並且使成為光罩之轉印圖案部之區域(此處為遮光膜及半 透光膜之積層圖案412)露出之方式形成。 繼而,藉由使用第2光阻圖案416去除形成於半透光膜上 之遮光膜(參照圖4(1)),而可形成由半透光部1〇2a與透光 102b所形成之轉印圖案部1 〇2(參照圖^(j))。 藉由以上步驟,可製造轉印圖案部由半透光部與透光部 所形成、標記圖案形成部由遮光膜所形成之二元光罩。藉 由使用上述圖4所示之製造方法,由於在第卜第2之圖案: 之間不插入成膜步驟,故可縮短圖案化開始後之製造產 距。另外,由於標記圖案形成部之膜積層結構與二元光罩 70全相同,構成遮光部之膜僅為遮光膜(於製造方法2中於 遮光膜與基板之間殘留有半透光膜),因此於例如自光罩 之玻璃面(圖案形成部之背面)讀取對準標記之情形時,亦 不會產生錯誤。 再者,本發明並不限定於上述實施形態,可適當變更而 加以實施。例如,上述實施形態中之材質、圖案構成、構 件之個數、尺寸、處理順序等為一例,可於發揮本發明之 •30· 154950.doc
S 201202839 效果之範圍内進行各種變更而加以實施。另外,只要不脫 離本發明之目的之範圍’可適當進行變更而加以實施。 根據本發明,即使是使用i線〜g線之寬波段之曝光條 件,且存在以濕式蝕刻進行蝕刻加工之制約,亦可解決線 寬度精度較高地製造微細之線與間隙圖案之課題者。於線 與間隙中,尤其是儘管間隙線寬度變得非常小,亦可精緻 地進行加工。此種情況於如下方面具有重大意義:根據與 採用短波長化或單一波長之相位偏移效果等之LSI製造之 領域不同之視點而達成微細化,且進行與於液晶裝置製造 領域中所使用之已有的二元光罩相同之處理(於對準作業 或光罩管理中)。可對液晶顯示裝置之低價格化作出較大 貢獻。 【圖式簡單說明】 圖i(a)-(d)係表示光罩之構成之一例之圖。 圖2(A)-(H)係表示光罩之製造方法之一例之圖。 圖3(Α)·(Ι)係表示光罩之製造方法之—例之圖。 圖4(ΑΗΙ)係表示光罩之製造方法之_例之圖。 圖5(A) (D)係說明光罩及使用該光罩之光微影步驟之 圖。 圖6(A)-(C)係表示由遮光部設置線圖案之情形之光罩之 透射率的圖。 圖7(AHC)係表示由半透光部設置線圖案之情形之光罩 之透射率的圖。 圖8(A) (C)係表不由半透光部設置線圖案之情形之光罩 154950.doc •31 - 201202839 之透射率的圓。 圖9(A)-(E)係表示使用由遮光部設置線圖案之光罩進行 曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖10(A)-(D)係表示使用由遮光部設置線圖案之光罩進行 曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖11(A)-(G)係表示使用由半透光部設置線圖案之光罩進 行曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖12(A)-(G)係表示使用由半透光部設置線圖案之光罩進 行曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖13(A)-(F)係表示使用由半透光部設置線圖案之光罩進 行曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖14(A)-(G)係表示使用由半透光部設置線圖案之光罩進 行曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖15(A)-(G)係表示使用由半透光部設置線圖案之光罩進 行曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 圖16(A)-(F)係表示使用由半透光部設置線圖案之光罩進 行曝光之光阻膜之顯影後的剖面形狀之圖。 【主要元件符號說明】 100 ' 500 101 ' 510 102 102a 、 501 102b ' 502 103 光罩 透明基板 轉印圖案部 半透光部 透光部 標記圖案形成部 154950.doc 32
S 201202839 105 對準標記 106 條碼 202 > 304 ' 406 遮光膜 204 、 306 、 408 第1光阻膜 206 ' 308、 410 第1光阻圖案 208 遮光膜圖案 210 ' 404 遮罩 212 ' 302 、 402 半透光膜 214 ' 312 ' 414 第2光阻膜 216 、 314 、 416 第2光阻圖案 310 、 412 遮光膜與半透光膜之積層圖案 503 被加工體 504 光阻膜 505 光阻圖案 506a ' 506b 偏壓部 507 基板 508 被轉印部 LM、LP 線寬度 SM、SP 間隙寬度 to 初始膜厚值 tl 膜厚 154950.doc ·33·

Claims (1)

  1. 201202839 七、申請專利範圍: 1. 一種光罩’其特徵在於:其係具備用以轉印至形成於進 仃蝕刻加工之被加工體上之光阻膜上的轉印圖案之液晶 顯示裝置製造用光罩,且 於上述光罩之轉印區域具有藉由將形成於透明基板上 之半透光膜圖案化而獲得之包含由透光部與半透光部而 形成之線與間隙圖案的轉印圖案; 於上述光罩之轉印區域以外具有將形成於上述透明基 板上之遮光膜圖案化而獲得之標記圖案。 2·如凊求項1之光罩,其中上述轉印圖案係用於藉由濕式 钱刻形成透明電極。 3·如4求項!或2之光罩’其中上述光罩係藉由钮刻加工而 於上述被加工體上形成線寬度Lp與間隙寬度”相等之線 與間隙圓案者,且上述光罩之轉印圖案係含有線寬度LM 大於間隙寬度SM之線與間隙圖案者。 、月求項1或2之光罩,其中上述線與間隙圖案係線與間 隙之淚寬度之合計即間距為2 以上且未達7 。 册μ求項1或2之光罩’其中上述標記圖案包括透明基板 路出之透光部與遽光膜露出之遮光部。 月长項1或2之光罩,其申於將上述透光部之透射率設 為0%時,上述半ϋ光部之透射率》1%以上且3〇 下。 £ =光罩之製造方法,其特徵在於:其係用於製造於轉 印區域具有包含線與間隙圖案之轉印圖案,於轉印區域 154950.doc 201202839 且其包括:
    將上述半透光膜圖案化而形成由透光部與半透光部所 外具有標記圖案之光罩者,且 於透明基板上形成遮光膜之 將上述遮光臈圖案化而去除 形成之上述轉印圖案之步驟。
    區域以外具有標記圖案之光罩者,且其包括: 於透明基板上形成半透光膜之步驟; 於上述半透光膜上形成遮光膜之步驟; 藉由於形成於上述遮光膜上之光阻膜上刻畫上述轉印 圖案及上述標記圖案並進行顯影而形成第丨光阻圖案, 藉由使用上述第1光阻圖案將上述遮光膜及上述半透光 膜圖案化,而形成上述遮光膜及上述半透光膜之積層圖 案之步驟; 去除上述第1光阻圖案後,以位於轉印區域之上述遮 光膜及上述半透光膜之積層圖案露出之方式形成第2光 阻圖案之步驟;及 藉由使用上述第2光阻圖案將形成於上述半透光膜上 之上述遮光膜去除’而形成由透光部與半透光部所形成 之轉印圖案及由透光部與露出之遮光膜圖案所形成之標 154950.doc S 201202839 記圖案的步驟。 9·種光罩之製造方法,其特徵在於:其係用於製造於轉 P區域具有包含線與間隙圖案之轉印圖案,於上述轉印 區域以外具有標記圖案之光罩者,且其包括: 、於透明基板上之轉印區域外設置遮罩之狀態形成半 透光膜之步驟; 於上述半透光膜上及露出之上述透明基板上形成遮光 膜之步驟; 藉由於形成於上述遮光膜上之光阻膜上刻晝上述轉印 圖案及上述標記圖案並進行顯影而形成第t光阻圖案, 藉由使用上述第1光阻圖案將上述遮光膜及上述半透光 膜圖案化’而於上述轉印區域形成上述遮光膜及上述半 透光膜之積層圖案,於上述轉印區域以外形成遮光膜圖 案之步驟; 去除上述第1光阻圖案後,以上述轉印區域之積層圖 案露出之方式形成第2光阻圖案之步驟;及 藉由使用上述第2光阻圖案去除形成於上述半透光膜 上之上述遮光膜,而形成由透光部與半透光部所形成之 轉印圖案及由透光部與遮光膜圖案所形成之標記圖案之 步驟。 ” 爪一種圖案轉印方法’其特徵在於··使用請求項⑷之光 罩,藉由具有i線〜g線之範圍之曝光光源的曝光機對被加 工體上之光阻膜進行曝光,使用所獲得之光阻圖案進行 濕式㈣’藉此對線與間隙之寬度相等之圖案進行加 I54950.doc 201202839 工 11. 一種圖案轉印方法,其特徵在於:使用藉由請求項7至9 中任一項之製造方法而製造之光罩,藉由具有i線〜g線之 範圍的曝光光源之曝光機對被加工體上之光阻膜進行曝 光,使用所獲得之光阻圖牵推斿、、E + ^ 固茶進仃濕式蝕刻,藉此對線盥 間隙的寬度相等之圖案進行加工。 ,、 154950.doc S
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