JP2017010059A - フォトマスク、フォトマスクの製造方法及びパターンの転写方法 - Google Patents
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 72
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims abstract description 107
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 148
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 46
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 37
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 29
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- -1 silicide compound Chemical class 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006249 ZrSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】透明基板上に、少なくとも露光光の一部を遮光する遮光部と、前記透明基板が露出した透光部とを含む転写用パターンが形成されたフォトマスクであって、前記遮光部が、前記遮光部の外周に沿って所定幅に形成されたエッジ領域と、前記遮光部において前記エッジ領域以外の部分に形成された中央領域とを有し、前記中央領域は、前記透光部を透過する前記露光光に含まれる代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有するように形成され、前記エッジ領域は、前記代表波長の光に対する位相シフト量が、前記中央領域より小さくなるように形成され、かつ、前記エッジ領域には、前記代表波長の光に対して50%以下の透過率を有する光学膜が形成されることを特徴とするフォトマスクである。
【選択図】図3
Description
本発明は、透明基板上に、少なくとも露光光の一部を遮光する遮光部と、前記透明基板が露出した透光部とを含む転写用パターンが形成されたフォトマスクであって、前記遮光部が、前記遮光部の外周に沿って所定幅に形成されたエッジ領域と、前記遮光部において前記エッジ領域以外の部分に形成された中央領域とを有し、前記中央領域は、前記透光部を透過する前記露光光に含まれる代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有するように形成され、前記エッジ領域は、前記代表波長の光に対する位相シフト量が、前記中央領域より小さくなるように形成され、かつ、前記エッジ領域には、前記代表波長の光に対して50%以下の透過率を有する光学膜が形成されることを特徴とするフォトマスクである。
本発明のフォトマスクでは、前記中央領域にも光学膜が形成され、前記中央領域の光学膜が、前記代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有する位相シフト膜であることを特徴とすることができる。
本発明のフォトマスクでは、前記エッジ領域の光学膜が、前記代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有する位相シフト膜と、前記代表波長の光に対して80%以下の透過率を有する透過調整膜とが積層された光学膜であることを特徴とすることができる。
本発明のフォトマスクでは、前記透過調整膜の前記代表波長の光に対する透過率が、0.1%以上であり、かつ、前記代表波長の光に対して90〜270度の位相シフト量をもつことができる。
本発明のフォトマスクでは、前記透過調整膜の前記代表波長の光に対する透過率が0.1%未満であることができる。
本発明のフォトマスクでは、前記位相シフト膜の前記代表波長の光に対する透過率が、20%以上であることを特徴とすることができる。
本発明のフォトマスクでは、前記遮光部又は前記透光部の幅が、3μm以下であることを特徴とすることができる。
本発明のフォトマスクでは、前記転写用パターンが、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とすることができる。
本発明は、上記構成1〜8のいずれか1つに記載のフォトマスクを用い、露光装置を用いて前記転写用パターンを被転写体上に転写することを特徴とする、パターン転写方法である。
本発明は、本発明は、構成9に記載の転写方法を用いることを特徴とする、フラットパネルディスプレイの製造方法である。
本発明は、フラットパネルディスプレイの製造に用いるフォトマスクとなすための、フォトマスクブランクであって、透明基板上に、前記フォトマスクを露光する際の露光光に含まれる代表波長の光に対して、20%以上の透過率及び略180度の位相シフト量を有する位相シフト膜と、前記代表波長の光に対して、80%以下の透過率及び90〜270度の位相シフト量を有する透過調整膜とが積層されていることを特徴とする、フォトマスクブランクである。
(構成12)
本発明は、フラットパネルディスプレイの製造に用いるフォトマスクとなすための、フォトマスクブランクであって、透明基板上に、位相シフト膜と、透過調整膜とが積層された積層膜を有し、前記位相シフト膜は、前記フォトマスクを露光する際の露光光に含まれる代表波長の光に対して、20%以上の透過率及び略180度の位相シフト量を有し、前記積層膜は、前記代表波長の光に対して、50%以下の透過率及び±90度以内の位相シフト量を有することを特徴とする、フォトマスクブランクである。
(2n+2/3)π〜(2n+4/3)π (n:整数)
である。より好ましくは、180±30度((2n+5/6)π〜(2n+7/6)π) (n:整数)である。
(2n+1/2)π〜(2n+3/2)π (n:整数)
である。より好ましくは、120〜240度((2n+2/3)π〜(2n+4/3)π) (n:整数)である。
上記積層による位相シフト量は、上記代表波長に対して±90度、より好ましくは、±60度以内、更に好ましくは±45度の範囲であることが好ましい。
(1)透明基板10上に位相シフト膜20と透過調整膜30がこの順に形成され、更にフォトレジスト膜40が形成されたフォトマスクブランクを用意する。(図7(a))
(2)描画機を用い、エッジ領域14形成用パターンを描画する。
(3)現像し、形成されたレジストパターン41をマスクにして、透過調整膜30をエッチングする。(図7(b))
(4)レジストを剥離し、再度、全面にレジスト膜40を形成したのち、遮光部12形成用パターンを描画する。(図7(c)及び(d))
(5)現像し、形成されたレジストパターン51をマスクにして、位相シフト膜20をエッチングする。(図7(e))
(6)レジストを剥離する。(図7(f))
ピッチ幅 4.0μm(1:1のラインアンドスペースパターン)
開口数NA 0.083
コヒレンス σ 0.8
各波長の強度比 g:h:i=1:1:1
位相シフト膜20の位相シフト量 180度(ここではg=h=iとして設定)
標準サンプルとしてのバイナリマスク(OD3以上の遮光膜で転写用パターン(ラインアンドスペースパターン)を形成した。ピッチ幅P=4μm(ライン幅ML=スペース幅MS=2μm)
透過率4%、位相シフト量45度である半透光膜をパターニングすることにより、上記サンプルAと同様の転写用パターンを作成した。
位相シフト膜20をパターニングすることによってピッチ幅P=4μm(ライン幅ML=スペース幅MS=2μm)のラインアンドスペースパターンを形成し、更に、そのラインパターン(遮光部12)の両エッジに沿って、それぞれ0.5μm幅の透過調整膜30を積層した。従って、中央に1μmの幅で、位相シフト膜20のみの部分がある。位相シフト膜20は、位相シフト量が180度、透過率が70%とし、透過調整膜30は、位相シフト量が180度、透過率57%のものを用いた。
遮光膜をパターニングすることによって、ピッチ幅4μm(ライン幅ML=1μm、スペース幅MS=3μm)のラインアンドスペースパターンを形成し、更に、同ピッチ幅(ライン幅ML=2μm、スペース幅MS=2μm)の位相シフト膜(透過率5%、位相シフト量180度)によるパターンを積層して形成した。2μm幅のラインパターンの中央部のみが、遮光膜パターンと位相シフト膜パターンの積層構造になっている。
11 透光部
12 遮光部
14 エッジ領域
16 中央領域
20 位相シフト膜
21 位相シフト膜パターン
30 透過調整膜
31 透過調整膜パターン
40、50 レジスト膜
41、51 レジストパターン
Claims (12)
- 透明基板上に、少なくとも露光光の一部を遮光する遮光部と、前記透明基板が露出した透光部とを含む転写用パターンが形成されたフォトマスクであって、
前記遮光部が、前記遮光部の外周に沿って所定幅に形成されたエッジ領域と、前記遮光部において前記エッジ領域以外の部分に形成された中央領域とを有し、
前記中央領域は、前記透光部を透過する前記露光光に含まれる代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有するように形成され、
前記エッジ領域は、前記代表波長の光に対する位相シフト量が、前記中央領域より小さくなるように形成され、かつ、前記エッジ領域には、前記代表波長の光に対して50%以下の透過率を有する光学膜が形成されることを特徴とするフォトマスク。 - 前記中央領域にも光学膜が形成され、前記中央領域の光学膜が、前記代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有する位相シフト膜であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記エッジ領域の光学膜が、前記代表波長の光に対して略180度の位相シフト量を有する位相シフト膜と、前記代表波長の光に対して80%以下の透過率を有する透過調整膜とが積層された光学膜であることを特徴とする、請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記透過調整膜の前記代表波長の光に対する透過率が、0.1%以上であり、かつ、前記代表波長の光に対して90〜270度の位相シフト量をもつ、請求項3に記載のフォトマスク。
- 前記透過調整膜の前記代表波長の光に対する透過率が0.1%未満である、請求項3に記載のフォトマスク。
- 前記位相シフト膜の前記代表波長の光に対する透過率が、20%以上であることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記遮光部又は前記透光部の幅が、3μm以下であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 前記転写用パターンが、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載のフォトマスク。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載のフォトマスクを用い、露光装置を用いて前記転写用パターンを被転写体上に転写することを特徴とする、パターン転写方法。
- 請求項9に記載の転写方法を用いることを特徴とする、フラットパネルディスプレイの製造方法。
- フラットパネルディスプレイの製造に用いるフォトマスクとなすための、フォトマスクブランクであって、
透明基板上に、前記フォトマスクを露光する際の露光光に含まれる代表波長の光に対して、20%以上の透過率及び略180度の位相シフト量を有する位相シフト膜と、
前記代表波長の光に対して、80%以下の透過率及び90〜270度の位相シフト量を有する透過調整膜とが積層されていることを特徴とする、
フォトマスクブランク。 - フラットパネルディスプレイの製造に用いるフォトマスクとなすための、フォトマスクブランクであって、
透明基板上に、位相シフト膜と、透過調整膜とが積層された積層膜を有し、
前記位相シフト膜は、前記フォトマスクを露光する際の露光光に含まれる代表波長の光に対して、20%以上の透過率及び90〜270度の位相シフト量を有し、
前記積層膜は、前記代表波長の光に対して、50%以下の透過率及び±90度以内の位相シフト量を有することを特徴とする、フォトマスクブランク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016196977A JP6322250B2 (ja) | 2016-10-05 | 2016-10-05 | フォトマスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016196977A JP6322250B2 (ja) | 2016-10-05 | 2016-10-05 | フォトマスクブランク |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012126114A Division JP6093117B2 (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法及びパターンの転写方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017010059A true JP2017010059A (ja) | 2017-01-12 |
JP6322250B2 JP6322250B2 (ja) | 2018-05-09 |
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ID=57763459
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2016196977A Active JP6322250B2 (ja) | 2016-10-05 | 2016-10-05 | フォトマスクブランク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6322250B2 (ja) |
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JP6322250B2 (ja) | 2018-05-09 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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