TW201202802A

TW201202802A - Liquid crystal display device and electronic device

Info

Publication number: TW201202802A
Application number: TW100114440A
Authority: TW
Inventors: Shunpei Yamazaki; Jun Koyama
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2010-04-28
Filing date: 2011-04-26
Publication date: 2012-01-16
Also published as: TWI539210B; KR101852750B1; US20160225325A1; JP2015200897A; JP2017120443A; KR20110120228A; JP2011248351A; US9349325B2; JP2016173586A; US10068533B2; US20110267330A1; JP6111363B2

Description

201202802 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明關於一種液晶顯示裝置。本發明特別關於一種透過型液晶顯示裝置。【先前技術】液晶顯示裝置是藉由將取向由施加的電壓控制的液晶材料用於光的調變來進行顯示的裝置。再者，液晶顯示裝置根據用於顯示的光被粗略分類爲兩種。明確而言，液晶顯示裝置根據是利用自然光或屋內用照明等的外光還是利用從設置在液晶顯示裝置自身的光源（背光燈）發射的光而被粗略分類爲兩種。一般而言，將利用前者進行顯示的液晶顯示裝置稱爲反射型液晶顯示裝置，而將利用後者進行顯示的液晶顯示裝置稱爲透過型液晶顯示裝置。另外，因爲反射型液晶顯示裝置的顯示品質根據外部環境（外光）變化，所以透過型液晶顯示裝置的通用性比反射型液晶顯示裝置的通用性高。一般的透過型液晶顯示裝置包括設置有配置爲矩陣狀的多個像素的顯示面板和對該顯示面板發射白色光的背光燈。並且，該像素設置有控制視頻信號的輸入的電晶體、被施加根據視頻信號的電壓的液晶元件和只透過呈現特定顏色（例如，紅色（R)、綠色（G)及藍色（B))的波長的光的濾色片。另外，液晶元件具有一對電極和由該一對電極夾持的液晶材料。並且，藉由按每個像素控制白色光的透過率 -5- 201202802 且利用濾色片只透過呈現特定顏色的波長的光來決定各像素中的顯示。由此，在該液晶顯示裝置所具有的顯示面板中顯示圖像。近年來，由於對地球環境的關心不斷提高，低耗電量型液晶顯示裝置的開發備受矚目。例如，專利文獻1公開了降低液晶顯示裝置中的耗電量的技術。明確而言，專利文獻1公開了一種液晶顯示裝置，其中在使所有掃描線及資料信號線處於非選擇狀態的停止期間中，將所有資料信號線從資料信號驅動器電切斷，而使其處於不定狀態（也稱爲浮置狀態、浮動狀態）。 [專利文獻1]日本專利申請公開第200 1 -3 1 2253號公報在專利文獻1所公開的液晶顯示裝置中，在停止期間中不對像素輸入視頻信號。換言之，在各像素內保持有視頻信號的狀態下控制視頻信號的輸入的電晶體維持截止狀態的期間長期化。因此，該電晶體的截止電流對像素的顯示起到的影響明顯化。明確而言，因被施加到液晶元件的電壓降低而使具有該液晶元件的像素的顯示明顯劣化（變化）。另外，透過型液晶顯示裝置包括顯示面板和接近該顯示面板的背光燈。在該背光燈中，發光時產生發熱。因此，設置在顯示面板中的電晶體的工作溫度隨著該背光燈的發光上升。另外，隨著工作溫度的上升，電晶體的截止電流增加。也就是說，在作爲專利文獻1所公開的液晶顯示裝置使用透過型液晶顯示裝置時，在耗電量和顯示品質之 -6- 201202802 間有強烈的平衡關係。【發明內容】鑒於上述問題，本發明的一個方式的課題之—是在透過型液晶顯示裝置中降低耗電量並抑制顯示品質的降低。本發明的一個方式的要旨是在能夠控制對像素的視頻信號的輸入頻度的透過型液晶顯示裝置中作爲背光燈使用進行面（平面）發光的光源。明確而言，本發明的一個方式是一種液晶顯示裝置’ 該液晶顯示裝置包括：具有以矩陣狀配置有像素的像素部的顯示面板；對所述像素部發射白色光的背光燈；以及控制對所述像素的視頻信號的輸入頻度的控制電路。其中，所述像素具備：控制視頻信號的輸入的電晶體；被施加根據所述視頻信號的電壓的液晶元件；以及透過呈現紅色的波長區域的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片、透過呈現綠色的波長區域的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片或透過呈現藍色的波長區域的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片》其中，背光燈進行面發光。另外，所述進行面發光的光源是以面狀進行發光的光源。例如，作爲該光源，可以舉出利用有機電致發光（有機EL)進行發光的光源等。另外，該光源不是利用光學系統將來自點光源或線光源的發光加工爲面狀來得到的光源。即，該光源不是利用導光板、散射板、棱鏡板等將來自 LED或冷陰極管等的發光加工爲面狀來得到的光源。 201202802 在本發明的一個方式的液晶顯示裝置中，作爲背光燈採用進行面發光的光源。因爲該光源是以面狀進行發光的光源，所以發光面積大。因此，該背光燈能夠高效地進行放熱。換言之，該背光燈是抑制發光時的溫_上升的背光燈。因此，在該液晶顯示裝置中，可以抑制設置在各像素中的電晶體的工作溫度的上升。因此，在該液晶顯示裝置中，可以抑制該電晶體的截止電流値增加》如上所述，在本發明的一個方式的液晶顯示裝置中，作爲背光燈採用放熱性優異的光源。由此，即使長期間不對像素輸入視頻信號，也可以在該像素中保持視頻信號。換言之，可以降低耗電量並抑制顯示品質的降低。【實施方式】下面，參照附圖對本發明的實施方式進行詳細說明。但是，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實，就是本發明在不脫離其宗旨及其範園的條件下，其方式及詳細內容可以被變換爲各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋爲僅限定於以下所示的實施方式的記載內容中。首先，參照圖1A至圖11對透過型液晶顯示裝置的一個例子進行說明。 <液晶顯示裝置的結構例子> 圖1A是示出透過型液晶顯示裝置的結構例子的立體 -8- 201202802 圖。圖1A所示的液晶顯示裝置包括：由偏光板10A和偏光板10B夾持的顯示面板11;接近顯示面板11地設置的背光燈1 2 :以及控制顯示面板1 1和背光燈1 2的控制電路 13。另外，控制電路 13 藉由 FPC(Flexible Printed Circuits :撓性印刷電路）1 4A、1 4B與顯示面板1 1及背光燈1 2電連接。另外，顯示面板11包括以矩陣狀配置有多個像素的像素部110、控制像素部110中的顯示的掃描線驅動電路1 11和信號線驅動電路1 1 2。再者，各像素具有只透過呈現特定顏色的波長的光的濾色片。在此，在橫方向上彼此接近地配置的三個像素分別具有透過呈現紅色（R)的波長區域（600nm以上且短於700nm)的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片1102R、透過呈現綠色（G)的波長區域 (500nm以上且短於570nm)的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片1102G和透過呈現藍色（B)的波長區域（430nm 以上且短於500nm)的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片1 102 B中的任一種，並且該三個像素分別具有與其他兩個像素所具有的濾色片不同的濾色片。 <顯示面板11的結構例子> 圖1B是示出顯示面板11的具體的結構例子的圖。圖 1B所示的顯示面板11包括：像素部11〇;掃描線驅動電路1 1 1 :信號線驅動電路1 1 2 ;分別彼此.平行或大致平行地配置且電位由掃描線驅動電路1 1 1控制的η個（η是2以上的自然數）掃描線1 m ;以及分別彼此平行或大致平行 -9 - 201202802 地配置且電位由信號線驅動電路丨丨2控制的m個（m是2 以上的自然數）信號線1121。並且，像素部11〇包括配置爲矩陣狀（η行m列）的多個像素11〇1。另外，各掃描線 1111與配置爲矩陣（η行m列）的多個像素n〇1中的配置在任一行中的m個像素1101電連接。另外，各信號線 1121與配置爲矩陣（η行m歹!J)的多個像素11〇1中的配置在任一列中的η個像素1 1 〇 1電連接。另外’對掃描線驅動電路111從控制電路13輸入掃描線驅動電路用起始信號 '掃描線驅動電路用時鐘信號及高電源電位、低電源電位等的驅動用電源。另外，對信號線驅動電路1 1 2從控制電路1 3輸入信號線驅動電路用起始信號、信號線驅動電路用時鐘信號、視頻信號等的信號及高電源電位、低電源電位等的驅動用電源。〈像素1 101的結構例子> 圖1C是示出像素1101的電路結構例子的圖。圖1C 所示的像素1 1 0 1包括：閘極電連接到掃描線1 1 1 1，而源極電極和汲極電極中的一方電連接到信號線1 1 2 1的電晶體11011;—方的電極電連接到電晶體11011的源極電極和汲極電極中的另一方，而另一方的電極電連接到供應電容電位的佈線的電容元件11012;以及一方的電極電連接到電晶體11011的源極電極和汲極電極中的另一方及電容元件11012的一方的電極，而另一方的電極電連接到供應反電位（counter potential)的佈線的液晶兀件11013 ° 201202802 <電晶體1 ιοί 1的結構例子> 圖2是示出電晶體11011的結構例子的圖。圖2所示的電晶體11011包括設置在具有絕緣表面的基板220上的閘極層221、設置在閘極層221上的閘極絕緣層222、設置在閘極絕緣層222上的氧化物半導體層223以及設置在氧化物半導體層223上的源極電極層224a及汲極電極層 2 24b。另外，在圖2所示的電晶體11011中形成有覆蓋電晶體1 101 1並接觸於氧化物半導體層223的絕緣層225以及設置在絕緣層225上的保護絕緣層226。如上所述，圖2所示的電晶體11 Ο 1 1作爲半導體層具有氧化物半導體層223。作爲用於氧化物半導體層223的氧化物半導體可以使用：四元金屬氧化物In-Sn-Ga-Zn-0 類；三元金屬氧化物 In-Ga-Ζη-Ο類、In-Sn-Zn-Ο類、 In-Al-Zn-Ο 類、Sn-Ga-Zn-Ο 類、Al-Ga-Ζη-Ο 類、Sn-Al-Zn-0 類；二元金屬氧化物In-Ga-Ο類、Ιη-Ζη-0類、Sn-Zn-0 類、Al-Ζη-Ο 類、Zn-Mg-Ο 類、Sn-Mg-Ο 類、In-Mg-Ο 類 :或一元金屬氧化物In-Ο類、Sn-Ο類、Ζη-0類等。此外，還可以使上述氧化物半導體含有Si02。這裏，例如， In-Ga-Zn-O類氧化物半導體是指至少含有In、Ga、Zn的氧化物，對其組成比沒有特別的限制。另外，也可以含有 In、Ga及Zn之外的元素。另外，氧化物半導體層223可以使用由化學式InMO3(ZnO)m(m>0)表示的薄膜。在此，Μ 表示選自Ga、Α1、Μη及Co中的一種或多種金屬元素。 -11 - 201202802 例如’作爲Μ，可以採用Ga、Ga及A1、Ga及Μη或Ga 及Co等。另外，當作爲氧化物半導體使用In-Zii-O類材料時，將所使用的靶材的組成比設定爲原子數比爲In : Zn = 5〇 :工至1 : 2(換算爲摩爾數比則爲ln2〇3 : Zn〇 = 25 : 1至1 : 4) ，最好爲In : Zn = 20 : 1至1 : 1(換算爲摩爾數比則爲 ln203 : ZnO=l〇 : 1 至 2 : 1)，更佳地爲 In : Zn=15 : 1 至 1.5 : 1(換算爲摩爾數比則爲ln2〇3 : ZnO=15 : 2至3 : 4) 。例如，作爲用於形成Ιη-Ζη-0類氧化物半導體的靶材，當原子數比爲 In : Zn : 0 = X : Y : Z 時，Z> 1 .5X + Y。上述氧化物半導體是藉由意圖性地去除成爲變動要因的氫、水分、羥基或氫化物（也稱爲氫化合物）等的雜質而被高純度化的在電性上I型（本征）化的氧化物半導體。由此，可以抑制使用該氧化物半導體的電晶體的電特性變動〇所以，氧化物半導體中的氫越少越好。另外，被高純度化的氧化物半導體層中的由於氫或氧缺損等產生的載子極少（接近零）且載子密度低於1x1 〇12/cm3，最好爲低於 lx 101 Vcm3。也就是說，將氧化物半導體層中的由於氫或氧缺陷等產生的載子的密度設定爲無限地接近零。因爲在氧化物半導體層中由於氫或氧缺損等產生的載子極少，由此可以降低電晶體處於截止狀態時的截止電流。另外，因爲起因於氫或氧缺損等的雜質能級少，所以可以降低因光照射、溫度變化、偏壓施加等而產生的電特性的變動及劣 -12- 201202802 化。另外，截止電流越小越好。在將上述氧化物半導體用作半導體層的電晶體中，通道寬度（w)l μιη的截止電流値爲lOOzA(zeptoampere)以下，最好爲ΙΟζΑ以下，更佳地爲1 zA以下。並且’由於沒有pn結及熱載子劣化，所以電晶體的電特性不受上述因素的影響。像這樣，將藉由徹底地去除包含於氧化物半導體層中的氫而被高純度化的氧化物半導體用於通道形成區的電晶體可以使其截止電流極小。即，在電晶體的截止狀態下，可以將氧化物半導體層當作絕緣體來進行電路設計。另一方面’可以預料到氧化物半導體層在電晶體的導通狀態下具有比使用非晶矽形成的半導體層高的電流供給能力。另外，作爲基板22 0，例如可以使用鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等的玻璃基板。作爲閘極層221，可以使用選自鋁（A1)、銅（Cu)、鈦 (Ti)、鉬（Ta)、鎢（W)、鉬（Mo)、鉻（Cr)、銨（Nd)、銃（Sc) 中的元素；以上述元素爲成分的合金；或者以上述元素爲成分的氮化物。另外，也可以使用這些材料的疊層結構。另外，作爲閘極絕緣層222，可以使用氧化砂、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉬等的絕緣體。另外，也可以採用這些材料的疊層結構。注意，氧氮化矽指的是如下物質：在組成方面上氧的含量比氮的含量多，並且在濃度範圍上’在包含55原子％至65原子％的氧、1 原子％至2 0原子％的氮、2 5原子％至3 5原子％的矽、〇 . 1 原子％至10原子％的氫的範圍中，以使總和成爲100原子 -13- 201202802 %的方式且以任意濃度包含各元素。另外，氮氧化矽指的是如下物質：在組成方面上氮的含量比氧的含量多，並且在濃度範圍上，在包含15原子％至30原子％的氧、20原子％至35原子％的氮、25原子％至35原子％的矽、15原子％至25原子％的氫的範圍中，以使總和成爲1 〇〇原子％的方式且以任意濃度包含各元素。另外，作爲源極電極層224a、汲極電極層 224b，可以使用選自鋁（A1)、銅（Cu)、鈦（Ti)、鉅（Ta)、鎢（W)、鉬 (Mo)、鉻（C〇 '鈸（Nd)、銃（Sc)中的元素；以上述元素爲成分的合金；或者以上述元素爲成分的氮化物。另外，也可以使用這些材料的疊層結構。另外’可以使用導電金屬氧化物形成成爲源極電極層 224a、汲極電極層224b(還包括使用與源極電極層224a、汲極電極層224b相同層形成的佈線層）的導電膜。作爲導電金屬氧化物可以使用氧化銦（In2〇3)、氧化錫（Sn02)、氧化鋅（ZnO)、氧化銦氧化錫合金（In2〇3_Sn〇2、簡稱爲ITO) 、氧化銦氧化鋅合金（In2〇3-ZnO)或使上述金屬氧化物材料包含氧化砂的材料。作爲絕緣層225，可以使用氧化矽膜、氧氮化矽、氧化鋁或氧氮化鋁等的絕緣體。另外，也可以使用上述材料的疊層結構。另外’作爲保護絕緣層226，可以使用氮化矽、氮化鋁、氮氧化矽或氮氧化鋁等的絕緣體。另外，也可以使用上述材料的疊層結構。

-14- 201202802 另外，爲了減少起因於電晶體的表面凹凸，也可以在保護絕緣層226上形成平坦化絕緣膜。作爲平坦化絕緣膜可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、苯並環丁烯樹脂等的有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料（low-k材料）等。另外，也可以藉由層疊多個利用上述材料形成的絕緣膜來形成平坦化絕緣膜。 <電晶體的截止電流> 下面，對求出的具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體的截止電流的結果進行說明。首先，考慮到具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體的截止電流非常小，準備通道寬度W爲1 m的足夠大的電晶體進行截止電流的測量。圖3示出對通道寬度W 爲lm的電晶體的截止電流進行測量的結果。在圖3中，橫軸示出閘極電壓VG，縱軸示出汲極電極電流ID。當汲極電極電壓VD爲+1V或+10V時，在閘極電壓VG爲-5V 至-20V的範圍內，電晶體的截止電流爲檢測極限ιχι〇·ι2α 以下。另外，可知電晶體的截止電流（這裏，每通道寬度 Ιμιη 的値）爲 laA/>m(lxlO_18A/pm)以下。接著，對進一步準確地求出的具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體的截止電流的結果進行說明。如上所述，已知具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體的截止電流爲測量器的檢測極限1 X 1 〇'12 A以下。在此，形成特性評價用元件並對利用該元件求出的更爲準確的截止電流 -15- 201202802 的値（上述測量中的測量器的檢測極限以下的値）的結果進行說明。首先’參照圖4對在電流測量方法中使用的特性評價用元件進行說明。在圖4所示的特性評價用元件中，三個測量系統1 800 並聯。測量系統1 8 0 0包括電容元件1 8 02、電晶體1 8 04、電晶體1 805、電晶體1 8 06、及電晶體1 808。電晶體1804 及電晶體1 8 08使用具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體。在測量系統1 800中，電晶體1 804的源極電極和汲極電極中的一方、電容元件1802的端子的一方的端子及電晶體1 8 05的源極電極和汲極電極中的一方連接到電源（供應V2的電源）。另外，電晶體1 804的源極電極和汲極電極中的另一方、電晶體1808的源極電極和汲極電極中的 —方及電容元件1 802的另一方的端子與電晶體1 805的閘極電連接。此外，電晶體1 808的源極電極和汲極電極中的另一方、電晶體1806的源極電極和汲極電極中的一方及電晶體1 806的閘極電連接到電源（供應VI的電源）。另外，電晶體1 805的源極電極和汲極電極中的另一方與電晶體1 806的源極電極和汲極電極中的另一方電連接到輸出端子。另外，向電晶體1 804的閘極供應控制電晶體1 804的導通狀態及截止狀態的電位Vext_b2 ’並向電晶體1 808的閘極供應控制電晶體1 8 08的導通狀態及截止狀態的電位 -16- 201202802

Vext_bl。此外，從輸出端子輸出電位Vout » 接著，使用圖5對使用上述特性評價用元件的電流測量方法進行說明。測定經過初期期間和測量期間的兩個期間進行。首先，在初期期間中，將節點Α(換言之，與電晶體 1808的源極電極和汲極電極中的一方、電容元件1802的另一方的端子以及電晶體1 805的閘極電連接的節點）設定爲高電位。爲此，將VI的電位設定爲高電位（VDD)、將 V2的電位設定爲低電位（VSS)。然後，將電位Vext_b2設定爲使電晶體1 804成爲導通狀態的電位（高電位）。由此，節點A的電位成爲V2, 即，成爲低電位（VSS)。注意，不是必須要對節點A提供低電位（VSS)。然後，將電位 Vext_b2設定爲使電晶體 1 804成爲截止狀態的電位（低電位）以使電晶體1 804成爲截止狀態。並且，接著將電位Vext_bl設定爲使電晶體 18〇8成爲導通狀態的電位（高電位）。由此，節點A的電位成爲VI，即，成爲高電位（VDD)。然後，將Vext_bl設定爲使電晶體1 8 08成爲截止狀態的電位。由此，節點A繼續保持高電位而成爲浮動狀態，至此，初期期間結束。

在其後的測量期間中，將電位V1及電位V2設定爲能夠使電荷流入節點A或能夠使電荷從節點A流出的電位。這裏，將電位VI及電位V2都設定爲低電位。但是，在測量輸出電位Vout的時序中，由於需要使輸出電路進行工作，所以暫時將VI設定爲高電位。另外，將VI -17- 201202802 設定爲高電位的期間是不對測量造成影響的短期間。在測量期間中，電荷因電晶體1 8 04及電晶體1 8 08的截止電流而從節點A移動到被施加V 1的佈線或被施加V2 的佈線。換言之，隨時間的推移節點A所保持的電荷量發生變化，由此節點A的電位也發生變化。這意味著電晶體 1 805的閘極的電位發生變化。藉由定期且暫時將Vext_bl的電位設定爲高電位並測量Vout的電位來進行電荷測量。包括電晶體1 805及電晶體1 806的電路是反相器。如果節點A是高電位則Vout成爲低電位，並且如果節點A是低電位則Vout成爲高電位。起初爲高電位的節點A的電位也因電荷的減少而逐漸降低。其結果是，Vout的電位也變動。由於反相器的放大作用節點A的電位變動被放大並被輸出到被施加Vout的佈線》下面，對從獲得的輸出電位Vout算出截止電流的方法進行說明。在算出截止電流之前，先求出節點A的電位VA與輸出電位Vout的關係。由此，可以從輸出電位Vout求出節點A的電位VA。根據上述關係，節點a的電位VA作爲輸出電位Vout的函數而可以使用如下算式表示。 [算式1] VA=F(Vout) 另外’節點A的電荷QA使用節點a的電位VA、與節 -18- S] 201202802 點A連接的電容Ca及常數（const)由下面的算式表示。這裏，與節點A連接的電容CA是電容元件18 02的電容與其他電容的和。 [算式2]

Qa =CAVA+const 由於節點A中的電流IA是流入與節點A連接的電容的電荷（或從與節點A連接的電容流出的電荷）的時空分異 (temporal differentiation)，所以節點A中的電流U可以使用下面的算式表示。 [算式3] I ^ ^Qa _ AF(Vou〇 A At At 如此，可以根據與節點A連接的電容CA和輸出端子的輸出電位Vout求出節點A的電流IA。藉由上述方法，可以測量截止狀態時流過電晶體的源極電極與汲極電極之間的截止電流。這裏，形成具備通道長度Ι^ΙΟμιη、通道寬度 W = 5〇μιη的被高純度化的氧化物半導體層的電晶體1 804及具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體1 808。另外，在並聯的各測量系統1 8 0 0中，將電容元件1 8 0 2的各電容値設定爲 100fF、lpF、3pF。另外，在上述測量中，將VDD設定爲5V並將VSS 設定爲〇V。另外，在測量期間中，原則上將電位V1設定 -19- 201202802 爲VSS，並每隔lOsec至300sec僅在100msec的期間中作爲VDD進行電位Vout的測定。另外，將用來求出元件中流過的電流I的At設定爲3 0000sec。圖6示出上述電流測量所需的經過時間Time與輸出電位Vout的關係。由圖6可以確認出隨著時間的推移的電位的變化情況。圖7示出根據上述電流測量算出的室溫（25°C)下的截止電流。另外，圖7示出電晶體1804或電晶體1808的源極電極-汲極電極電壓V與截止電流I的關係。由圖7可知在源極電極-汲極電極電壓爲4V的條件下，截止電流大約爲40ζΑ/μιη。另外，可知在源極電極-汲極電極電壓爲 3.1V的條件下，截止電流爲10ζΑ/μπι以下。另外，ΙζΑ 表示 1 (Τ21 A。並且，圖8示出根據上述電流測量算出的8 5 °C溫度環境下的截止電流。圖8示出在85 °C的溫度環境下的電晶體 1 804或電晶體1 808的源極電極-汲極電極電壓V與截止電流I的關係。由圖8可知在源極電極-汲極電極電壓爲 3. 1 V的條件下’截止電流爲1 00ζΑ/μιη以下β 根據上述結果可知在具備被高純度化的氧化物半導體層的電晶體中截止電流足’夠小。 <背光燈12的結構例子> 圖9是示出進行面發光的背光燈1 2的結構例子的圖。圖9所示的背光燈12包括基板120、設置在基板120上

-20- 201202802 的電極層121、設置在電極層121上的有機物層122、設置在有機物層122上的中間層123、設置在中間層123上的有機物層124以及設置在有機物層124上的電極層125 。另外，電極層121及電極層125的電位由控制電路13 控制。並且，藉由利用該控制電路1 3對電極層1 2 1及電極層125施加電壓來在背光燈12中進行發光。換言之，圖9所示的背光燈12是將藉由被施加電壓來進行發光的有機物用作發光體的背光燈（利用所謂的有機EL(電致發光 )的背光燈）。另外，圖9所示的背光燈12能夠藉由電壓的施加發射具有圖10所示的發光光譜的光。如圖10所示，圖9所示的背光燈1 2所發射的光的發光光譜具有兩個峰値。明確而言，該發光光譜在藍色（B)的波長區域（400nm以上且短於 480nm)及黃色（Y)的波長區域（560nm以上且短於 5 8 0nm)中具有峰値，並且黃色（γ)的波長區域中的峰値比藍色（B)的波長區域中的峰値高。這些峰値分別起因於不同有機物層的發光。換言之，當有機物層122被施加電壓時發射具有對應於該兩個峰値中的一方的發光光譜的光，並且當有機物層124被施加電壓時發射具有對應於該兩個峰値中的另一方的發光光譜的光。由此，圖9所示的背光燈1 2能夠發射具有圖1 〇所示的發光光譜的光。另外，藍色（B)和黃色（Y)處於補色關係，並且具有圖10所示的發光光譜的光是白色光。另外，有多個用來形成白色光的光的組合。例如，藉 -21 - 201202802 由將呈現藍綠色的光與呈現紅色的光混合或將呈現淡藍色 (skyblue :天藍色）的光與呈現朱紅色的光混合等來可以形成白色光。但是，當將呈現藍色（B)的光與發光強度比該呈現藍色（B)的光高的呈現黃色（Y)的光混合來形成白色光時，可以提高功率效率（即降低耗電量），所以是較佳的。這是因爲如下緣故：人的眼睛對波長爲5 5 5nm的光的可見度最高，並且隨著波長遠離555 nm對光的可見度逐漸降低。換言之，當光子數相同的情況下，人的眼睛將具有 5 5 5nm的波長的光認別爲最強的光。因此，藉由將波長接近5 5 5nm的呈現黃色（Y)的光用於白色光的形成，可以高效地形成可見度高的白色光。另外，在上述液晶顯示裝置中，上述白色光透過只透過呈現紅色（R)的波長區域的光的濾色片、只透過呈現綠色（G)的波長區域的光的濾色片或只透過呈現藍色（B)的波長區域的光的濾色片。因此，該背光燈所發射的光需要爲包含呈現紅色（R)的波長、呈現綠色（G)的波長及呈現藍色 (B)的波長的光的光。在此，圖9所示的背光燈所發射的白色光利用有機EL形成。一般而言，利用有機EL形成的光的發光光譜顯示寬的峰値。因此，利用有機EL形成的呈現黃色（Y)的波長區域的光包含呈現綠色（G)的波長區域的光及呈現紅色（R)的波長區域的光。由此，可以將圖9 所示的背光燈用作上述液晶顯示裝置中的背光燈。以下列舉可以用於圖9所示的背光燈1 2的各構成要素的材料。注意，雖然以下對電極層121是陽極，有機物 -22- S; 201202802 層122是能夠發射呈現黃色（γ)的波長區域的光的有機物 ’有機物層124是能夠發射呈現藍色（Β)的波長區域的光的有機物’且電極層1 25是陰極的情況進行說明，但是這些構成要素可以適當地更換。基板120用作支撐體。作爲基板12〇，例如可以使用玻璃或塑膠等。另外，只要在形成電極層121' 125、有機物層122、125以及中間層123的製程中起到支撐體的作用，就可以使用上述以外的材料。作爲電極層121、125，可以使用各種各樣的金屬、合金、其他導電材料和這些材料的混合物等。例如，可以使用功函數大的材料，即氧化銦-氧化錫（ITO: Indium Tin Oxide)、包含矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅（IZO: Indium Zinc Oxide)、包含氧化鎢及氧化鋅的氧化銦（IWZO)等的具有導電性的金屬氧化物膜。這些金屬氧化物膜可以藉由濺射法形成。或者，這些金屬氧化物膜可以藉由溶膠-凝膠法等形成。例如，可以使用對氧化銦添加有lwt%至20wt%的氧化鋅的靶材並藉由濺射法而形成氧化銦-氧化鋅（IZO)。另外，可以使用使氧化銦含有〇.5wt〇/。至5wt%的氧化鎢以及0」^%至lwt%的氧化鋅的靶材並藉由濺射法來形成含有氧化鎢及氧化鋅的氧化銦（Ιλνζο)。除此之外’還可以使用金（Au)、鉑（Pt)、鎳（Ni)、鎢（W)、鉻 (Cr)、鉬（Mo)、鐵（Fe)、鈷（Co)、銅（Cu)、鈀（Pd)或金屬材料的氮化物（例如，氮化鈦）等。另外，可以使用功函數小且屬於元素週期表第1族或第2族的元素，即：鹼金屬諸 -23- 201202802 如鋰（Li)或鉋（Cs)等；鹼土金屬諸如鎂（Mg)、鈣（Ca)和緦 (Sr)等；或者含有這些元素的合金（鎂和銀的合金、鋁和鋰的合金）。另外’可以使用稀土金屬諸如銪（Eu)和鏡（Yb)等或者含有這些元素的合金等。另外，可以使用鋁（A1)、銀 (Ag)、包含鋁的合金（A1 Si)。另外，包含鹼金屬、鹼土金屬或包含它們的合金的膜可以使用真空蒸鍍法形成。此外 ’包含鹼金屬或鹼土金屬的合金的膜也可以藉由濺射法形成。另外，這些電極不侷限於單層膜，也可以爲疊層膜。另外，當考慮到載子的注入勢壘時，用作陽極的電極層121最好使用功函數大的材料》另外，用作陰極的電極層125最好使用功函數小的材料。有機物層122包含在黃色（Y)的波長區域中具有峰値的發光物質。作爲在黃色（Y)的波長區域中具有峰値的發光物質，可以使用紅熒烯、（2-{2-[4-(二甲基氨基）苯基]乙烯基}-6 -甲基-4H -吡喃-4 -亞基）丙二腈（DCM1)、{2-甲基-6-[2-(2,3,6,7-四氫-1H，5H-苯並[ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈（DCM2)、雙[2-(2-噻吩基）吡啶]乙醯丙酮銥（簡稱：Ir(thp)2(acac))、雙（2-苯基喹啉）乙醯丙酮銥（簡稱：Ir(pq)2(acac))、三（2-苯基喹啉-N,C2·)銥（111)(簡稱：Ir(pq)3)'雙（2-苯基苯並噻唑-N，C2’）銥（III)乙醯丙酮（簡稱：Ir(bt)2(acac))、（乙醯丙酮）雙[2,3-雙（4-氟苯基）-5-甲基吡嗪]銥（ΠΙ)(簡稱：Ir(Fdppr-Me)2(acac))、（乙醯丙酮 )雙{2-(4-甲氧基苯基）-3,5-二甲苯吡嗪}銥（m)(簡稱： 11*((1111111(^?〇2(3〇&(〇)、（乙醯丙酮）雙（3,5-二甲基-2-苯基吡

-24- 201202802 嗪）銥（ΙΠ)(簡稱：Ir(mppr-Me)2(acac))、（乙醯丙酮）雙（5-異丙基-3-甲基-2-)苯基吡嗪）銥（111)(簡稱：Ir(mppr-iPr)2(acac))等。另外，作爲在黃色（Y)的波長區域中具有峰値的發光物質，最好使用如 Ir(thp)2(acac)、Ir(pq)2(acac)、Ir(pq)3、Ir(bt)2(acac) 、Ir(Fdppr-Me)2(acac)、Ir(dmmoppr)2(acac)、Ir(mppr-Me)2(acac) 、Ir(mppr-iPr)2(acac)等的隣光化合物。藉由使用磷光化合物，可以將功率效率提高到使用螢光化合物時的3倍至4倍。另外，使用黃色（Y)的磷光化合物的元件與使用藍色（B)的磷光化合物的元件相比更容易得到長的使用壽命。尤其是如 Ir(Fdppr-Me)2(acac)、Ir(dmmoppr)2(acac) 、Ir(mppr-Me)2(acac)、Ir(mppr-iPr)2(acac)等的以啦曝衍生物爲配體的有機金屬絡合物由於其高效性所以是較佳的。另外，也可以藉由將這些發光物質（客體材料）分散在其他物質（主體材料）中來構成發光層。作爲在此情況下的主體材料，最好使用：4,4’-雙[N-(l-萘基）-N-苯基氨基]聯苯（簡稱：NPB)或4-(9H -咔唑-9-基）-4’-(10 -苯基-9-蒽基）三苯胺（簡稱：YGAPA)等的芳香胺化合物；或2-[4-(9H-咔唑-9 -基）苯基]-3 -苯基喹喔啉（簡稱：CzlPQ)、2-[4-(3,6 -二苯基- 9H -咔唑-9-基）苯基]-3-苯基喹喔啉（簡稱：CzlPQ-III) 、2-[4-(3,6-二苯基-9H-咔唑-9-基）苯基]二苯並[f，h]-喹喔啉（簡稱：2CzPDBq-III)、2-[3-(二苯並噻吩-4-基）苹基]二苯並[f，h]-唾喔啉（簡稱：2mDBTPDBq-II)等的雜環化合物。另外，也可以使用聚（2,5-二烷氧基-1,4-亞苯基亞乙烯基 )等的聚合物。 -25- 201202802 中間層123具有對有機物層122注入電子的功能，並具有對有機物層124注入電洞的功能。因此，中間層123 可以使用至少層疊有具有注入電洞的功能的層和注入電子的功能的層的疊層結構》另外，因爲中間層123是位於有機物層122、124的內部的層，所以從取出光的效率的觀點而言最好使用透光材料》另外，中間層123中的一部分可以使用與用於電極層121、125的材料相同的材料或導電率比電極層1 2 1、1 25低的材料形成。作爲中間層1 23 中的具有注入電子的功能的層，例如可以使用氧化鋰、氟化鋰 '碳酸铯等、或者對電子傳輸性高的物質添加有施體物質的材料。作爲電子傳輸性高的物質，例如可以使用三（8 -羥基唾啉）鋁（111)(簡稱：Alq)、三（4 -甲基-8-羥基喹啉）鋁（111)(簡稱：Almq3)、雙（10-羥基苯並[h]-喹啉）鈹（簡稱：BeBq2)、雙（2-甲基-8-羥基嗤啉）（4-苯基苯酚）鋁（簡稱：BAlq)等的具有喹啉骨架或苯並喹啉骨架的金屬絡合物等。此外，除了這些以外，也可以使用雙[2-(2-羥基苯基）苯並噁唑]鋅（簡稱：Zn(BOX)2)'雙[2-(2-羥基苯基）苯並噻唑]鋅（簡稱： Zn(BTZ)2)等的具有噁唑配位體或噻唑配位元體的金屬絡合物等。另外，除了金屬絡合物以外，也可以使用2-(4-聯苯基）-5-(4-叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑（簡稱：PBD)、 1,3-雙[5-(對叔丁基苯基）-〗，3,4-噁二唑-2-基]苯（簡稱： 0乂0-7)、3-(4-聯苯基）-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基）-1，2,4-三唑（簡稱：TAZ)、紅菲繞咻（簡稱：BPhen)、浴銅靈（簡稱

•26- 201202802 :BCP)等。上述的物質是主要具有l(T6Cm2/VS以上的電子遷移率的物質.。此外，只要是電子傳輸性比電洞傳輸性高的物質，也可以使用上述以外的物質。藉由對電子傳輸性高的物質添加施體物質，可以提高電子注入性。由此，可以降低背光燈的驅動電壓。作爲施體物質，可以使用鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、屬於元素週期表第13族的金屬或者它們的氧化物或碳酸鹽。明確而言，最好使用鋰（Li)、鉋（Cs)、鎂（Mg)、鈣（Ca)、鏡 (Yb)、銦（In)、氧化鋰、碳酸鉋等。另外，也可以將四硫並四苯等的有機化合物用作施體物質。另外，作爲中間層1 23中的具有注入電洞的功能的層，例如可以使用氧化鉬、氧化釩、氧化銶、氧化釕等，或者可以使用對電洞傳輸性高的物質添加有受體物質的材料。另外，也可以使用包含受體物質的層。作爲電洞傳輸性高的物質，例如可以使用4,4’-雙[N-(1-萘基）-N-苯基氨基]聯苯（簡稱：NPB)' N，N’-雙（3-甲基苯基）-N，N'-二苯基聯苯]-4,4·-二胺（簡稱：TPD)、 4,4’，4”-三（Ν,Ν-二苯基氨基）三苯基胺（簡稱：TDATA)、 4,4'，4”-三[>1-(3-甲基苯基）-1^-苯基氨基]三苯基胺（簡稱： MTDATA)、4,4'-雙[Ν-(螺-9,9，-聯芴-2-基）-Ν-苯基氨基]· 1，Γ-聯苯（簡稱：BSPB)等的芳族胺化合物等。上述物質是主要具有l(T6Cm2/Vs以上的電洞遷移率的物質。此外，只要是電洞傳輸性比電子傳輸性高的物質，也可以使用上述以外的物質。另外，也可以使用上述施體材料。 -27- 201202802 藉由對電洞傳輸性高的物質添加受體物質，可以提高電洞注入性。由此，可以降低發光元件的驅動電壓。作爲受體物質，可以使用7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷（簡稱：F4-TCNQ)、氯醌等。另外，可以使用過渡金屬氧化物。另外，可以舉出屬於元素週期表中第4族至第8 族的金屬的氧化物。明確而言，氧化釩、氧化鈮、氧化鉬、氧化鉻、氧化鉬、氧化鎢、氧化錳、氧化銶的電子接受性高，所以是較佳的。尤其是，氧化鉬在大氣中也穩定，吸濕性低，容易處理，所以是較佳的。另外，藉由使用對電洞傳輸性高的物質添加有受主物質的結構和對電子傳輸性高的物質添加有施體物質的結構中的一方或兩者，即使將中間層123形成爲厚，也可以抑制驅動電壓的上升。因此，藉由將中間層1 2 3形成爲厚，可以防止由微小的異物或衝擊等而導致的短路，從而可以得到可靠性高的背光燈。另外，也可以根據需要在中間層的具有注入電洞的功能的層和具有注入電子的功能的層之間設置其他層。例如，也可以設置如ITO等的導電層或電子中繼層β電子中繼層具有降低產生在具有注入電洞的功能的層和具有注入電子的功能的層之間的電壓的損失的功能。明確而言，最好使用LUMO能級大約爲- 5.0eV以上的材料，更佳地使用 LUMO能級爲-5.0eV以上且-3.0eV以下的材料。例如，可以使用3,4,9，10-二萘嵌苯四甲酸二酐（簡稱：1>1[^〇八）、 3,4,9，10-二萘嵌苯四甲酸-雙-苯並咪唑（簡稱：1>(1(：]31)等。 -28- S； 201202802 有機物層124包含在藍色（B)的波長區域中具有峰値的發光物質。作爲在藍色（B)的波長區域中具有峰値的發光物質’可以使用二萘嵌苯、2,5,8,11-四（叔丁基）二萘嵌苯（簡稱：TBP)等。另外’可以使用：苯乙烯亞芳衍生物如4,4·-雙（2,2-二苯基乙烯基）聯苯（簡稱：DPVBi)等；或蒽衍生物如9,10 -二苯基蒽、9,10 -二（2-萘基）蒽（簡稱： DNA)、9，10-雙（2-萘基）-2-叔丁基蒽（簡稱：t-BuDNA)等。另外’也可以使用聚（9,9 -二辛基芴）等的聚合物。另外，可以使用苯乙烯胺衍生物如Ν，Ν·-雙[4-(9H -咔唑-9-基）苯基]->1，>1'-二苯基芪-4,4’-二胺（簡稱：丫〇八28)或1^，1^，-二苯基-N，N' -雙（9 -苯基-9H -咔唑-3-基）芪-4,4，-二胺（簡稱： PCA2S)等。另外’可以使用芘二胺衍生物如n，N'-雙[4-(9-苯基- 9H-芴-9-基）苯基]-N，N'-二苯基芘-1，6-二胺（簡稱 :l，6FLPAPrn)、N，N’-雙[4-(9-苯基-9H-芴-9-基）苯基]-N，N’-雙（4-叔丁基苯基）-芘-1，6-二胺（簡稱·· l，6tBU-FLPAPrn)等。另外，作爲在藍色的波長區域中具有峰値的發光物質，最好使用螢光化合物。藉由作爲藍色（B)的發光物質使用螢光化合物，與作爲藍色（B)的發光物質使用磷光化合物的情況相比，可以得到長使用壽命的發光元件。尤其是如 1，6FLPAPrn、1,6tBu-FLP APrn等的芘二胺衍生物在460nm附近具有峰値，可以得到極高的量子產率而具有長使用壽命，所以是較佳的。另外，也可以藉由將這些發光物質（客體材料）分散在其他物質（施體材料）中來構成發光層。作爲此時的施體材料，最好使用蒽衍生物，最 -29- 201202802 好使用9，10-雙（2-萘基）-2-叔丁基蒽（簡稱：t-BuDNA)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-咔唑（簡稱：CzPA)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基）苯基]-9H-昨唑（簡稱：PCzPA)等。尤其是CzPA、PCzPA在電化學上穩定，所以是較佳的 <控制電路13的結構例子> 圖1 1是示出控制電路1 3的結構例子的圖。圖1 1所示的控制電路13包括信號生成電路130、儲存電路131、比較電路132、選擇電路133以及輸出控制電路134。信號生成電路130是生成用來使顯示面板11工作而在像素部中形成圖像的信號及用來使背光燈1 2進行發光的驅動電壓的電路。注意，前者是指對以矩陣狀配置在像素部中的多個像素輸入的視頻信號（Data)、控制掃描線驅動電路1 1 1或信號線驅動電路1 1 2的工作的信號（例如，起始脈衝信號（SP)、時鐘信號（CK)等）以及作爲驅動電路用電源電壓的高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)等。另外，在圖1 1所示的控制電路1 3中，信號生成電路1 3 0對儲存電路131輸出視頻信號（Data)，而對輸出控制電路134 輸出控制顯示面板11 (掃描線驅動電路111及信號線驅動電路112)的工作的信號以及用來使背光燈12進行發光的驅動電壓。此外，當從信號生成電路130對儲存電路131 輸出的視頻信號（Data)是模擬信號時，藉由A/D轉換器等可以將該視頻信號（Data)轉換爲數位信號。 -30- 201202802 儲存電路131包括多個記憶體1310，該記憶體1310 儲存用來在像素部中形成第一圖像的視頻信號至用來在像素部中形成第η圖像（n是2以上的自然數）的視頻信號。另外’自己憶體 1310 使用 DRAM(Dynamic Random Access Memory :動態隨機存取記憶體）、SRAM(Static Random Access Memory :靜態隨機存取記億體）等的記憶元件構成，即可。另外，記憶體1310只要具有按形成在像素部中的每個圖像儲存視頻信號的結構即可，記億體1 3 1 0的數目不侷限於特定的數目。並且，由比較電路132及選擇電路133選擇性地讀出多個記憶體1310所儲存的視頻信號〇比較電路1 32是選擇性地讀出儲存在儲存電路1 3 1中的用來形成第k圖像（k是1以上且小於η的自然數）的視頻信號及用來形成第（k+ 1)圖像的視頻信號，對該視頻信號進行比較，並檢測差異的電路。另外，第k圖像及第 (k+ 1)圖像是在像素部中連續地顯示的圖像。當藉由比較電路1 32中的視頻信號的比較檢測出差異時，判斷利用該視頻信號形成的兩個圖像是動態圖像。另一方面，當藉由比較電路1 32中的視頻信號的比較沒有檢測出差異時，判斷利用該視頻信號形成的兩個圖像是靜態圖像。換言之，比較電路1 32藉由檢測差異來判斷用來形成連續地顯示的圖像的視頻信號是用來顯示動態圖像的視頻信號還是用來顯示靜態圖像的視頻信號。另外，也可以以該差異超過一定程度時判斷爲檢測出差異的方式設定比較電路1 3 2 » -31 - 201202802 選擇電路133是根據在比較電路132中檢測出的差異選擇對顯示面板11的視頻信號的輸出的電路。明確而言，選擇電路133輸出用來形成在比較電路132中檢測出差異的圖像的視頻信號，而不輸出用來形成沒檢測出差異的圖像的視頻信號。輸出控制電路134控制向顯示面板11 (掃描線驅動電路111及信號線驅動電路112)的起始脈衝信號（SP)、時鐘信號（CK)、高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)等的控制信號的供給。明確而言，當比較電路132將圖像判斷爲動態圖像時（在連續地顯示的圖像中檢測出差異時），將從選擇電路133供給的視頻信號（Data)輸出到信號線驅動電路 1 1 2，並對顯示面板1 1 (掃描線驅動電路1 1 1及信號線驅動電路112)供給控制信號（起始脈衝信號（SP)、時鐘信號 (CK)、高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)等）。另一方面，當比較電路1 3 2將圖像判斷爲靜態圖像時（在連續地顯示的圖像中沒檢測出差異時），不從選擇電路1 33供給視頻信號（Data)，並不對顯示面板11(掃描線驅動電路111 及信號線驅動電路1 1 2)供給控制信號（起始脈衝信號（SP) 、時鐘信號（CK)、高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)等）。換言之，在比較電路1 3 2將圖像判斷爲靜態圖像時（在連續地顯示的圖像中沒檢測出差異時），完全停止顯示面板11(掃描線驅動電路111及信號線驅動電路112)的工作。另外，輸出控制電路134不管是否對顯示面板11供應信號等都對背光燈1 2供應用來使背光燈1 2進行發光的驅 -32-

S 201202802 動電壓。但是，在上述輸出控制電路1 34中，當被判斷爲靜態圖像的期間短時，也可以繼續供給高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)。另外，供給高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)是指某個佈線的電位被固定爲高電源電位（Vdd)或低電源電位（Vss)的狀態。也就是說，處於某個電位狀態的該佈線變成高電源電位（Vdd)或低電源電位（Vss)。該電位的變化導致功率消耗。因此，由於頻繁進行高電源電位 (Vdd)及低電源電位（Vss)的供給的停止及再次供給，其結果耗電量有可能增大。在此情況下，最好繼續供給高電源電位（Vdd)及低電源電位（Vss)。注意，在上述說明中，“ 不供給”信號是指供給該信號的佈線被供給與所定的電位不同的電位的情況或者該佈線成爲浮動狀態的情況》另外，在上述控制電路1 3中，當被判斷爲靜態圖像的期間長時，爲了重寫顯示在像素部中的圖像（進行刷新），也可以對顯示面板11再次供應信號等。也就是說，也可以當在像素部中顯示靜態圖像的期間超過所設定的期間時，再次對顯示面板11供應用來在像素部中顯示該靜態圖像的視頻信號等。 <本說明書所公開的液晶顯示裝置> 本說明書所公開的液晶顯示裝置能夠根據顯示在顯示面板上的圖像控制該顯示面板的工作。明確而言，本說明書所公開的液晶顯示裝置能夠控制對配置在該顯示面板中 -33- 201202802 的像素的視頻信號的輸入等。例如，藉由降低對像素的視頻信號的輸入頻度，可以降低該液晶顯示裝置的耗電量。在此，降低對像素的視頻信號的輸入頻度是指在該像素內繼續保持視頻信號的狀態下控制視頻信號的輸入的電晶體維持截止狀態的期間長期化。因此，在現有的液晶顯示裝置中，該電晶體的截止電流對像素的顯示造成的影響明顯化。明確而言，由於被施加到液晶元件的電壓降低，所以具有該液晶元件的像素的顯示明顯劣化（變化）》另外，隨著電晶體的工作溫度的上升，該電晶體的截止電流增加。因此，在具備發光時產生發熱的背光燈的現有的透過型液晶顯示裝置中，在耗電量和顯示品質之間有強烈的平衡關係。另一方面，在本說明書所公開的液晶顯示裝置中，作爲背光燈採用進行面發光的光源。因爲該光源是以面狀進行發光的光源，所以發光面積大。因此，該背光燈能夠高效地進行放熱。換言之，該背光燈是抑制發光時發生的溫度上升的背光燈。因此，在該液晶顯示裝置中，能夠抑制設置在各像素中的電晶體的工作溫度上升。因此，在該液晶顯示裝置中，可以抑制該電晶體的截止電流增加。再者，在上述液晶顯示裝置中，作爲設置在各像素中的電晶體使用利用氧化物半導體層構成通道形成區的電晶體。藉由使該氧化物半導體層高純度化來使其導電型無限趨近於本征型》由此，該氧化物半導體層能夠抑制起因於熱激發的載子的發生。其結果是，在使用該氧化物半導體 -34-

S 201202802 層構成通道形成區的電晶體中，可以降低工作溫度的上升所導致的截止電流的增加。換言之，該電晶體是工作溫度的上升所導致的截止電流値的增加顯著小的電晶體。因此，在該液晶顯示裝置中，即使隨著背光燈的發光而該電晶體的工作溫度上升，也可以抑制顯示品質的降低。如上所述，本發明的一個方式的液晶顯示裝置作爲背光燈使用放熱性優越的光源。由此，即使長期間不對像素輸入視頻信號，也可以在該像素中保持視頻信號。換言之，可以降低耗電量並抑制顯示品質的降低。 <變形例子> , 顯式晶方液個的 - 處的之明異發相本有是置置裝裝示示顯顯晶晶液液該的與構括結包述還上明有發。具本置且裝並示 <顯示面板的變形例子> 例如，雖然上述液晶顯示裝置示出以矩陣狀配置在顯示面板的像素部中的多個像素的每一個分別設置有只透過呈現特定顔色的波長的光的濾色片的結構（參照圖1A)，但是也可以採用該多個像素的一部分沒有設置濾色片的結構。換言之，雖然上述液晶顯示裝置示出使用紅色（R)、綠色（G)及藍色（B)的三個顔色進行顯示的結構，但是該液晶顯示裝置也可以採用使用紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)及白色（W)的四個顏色進行顯示的結構。在此情況下，因爲當 -35- 201202802 在液晶顯示裝置中進行白色顯示時不產生起因於濾色片的光的衰減’所以可以提高亮度或降低耗電量。另外’雖然上述液晶顯示裝置示出作爲設置在各像素中的電:晶體1 1 0 1 1採用被稱爲通道蝕刻型的底柵結構的電晶體的結構（參照圖2)，但是電晶體的結構不偈限於該結構。例如，還可以採用圖1 2A至圖1 2C所示的電晶體。圖12A所示的電晶體510是被稱爲通道保護型（也稱爲通道停止型）的底柵結構之一。電晶體5 1 0在具有絕緣表面的基板220上包括閘極層 221、閘極絕緣層222、氧化物半導體層223、用作覆蓋氧化物半導體層223的通道形成區的通道保護層的絕緣層 511、源極電極層224a及汲極電極層224b»另外，形成有覆蓋源極電極層224a、汲極電極層224b及絕緣層51 1的保護絕緣層2 26。另外，作爲絕緣層5 1 1，可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉬等的絕緣體。另外，也可以採用這些材料的疊層結構。圖1 2B所示的電晶體520是底閘型的電晶體，該電晶體5 20在具有絕緣表面的基板220上包括閘極層221、閘極絕緣層222、源極電極層224a、汲極電極層224b及氧化物半導體層223»另外，設置有覆蓋源極電極層224a及汲極電極層224b且接觸於氧化物半導體層2W的絕緣層 225。在絕緣層225上還設置有保護絕緣層226» 在電晶體520中’在基板22〇及閘極層221上設置有 -36- 201202802 與其接觸的閘極絕緣層222，並且在閘極絕緣層222上設置有與其接觸的源極電極層224a及汲極電極層224b。並且，在閘極絕緣層222、源極電極層224a及汲極電極層 22 4b上設置有氧化物半導體層223。圖12C所示的電晶體530是頂柵結構的電晶體之一。電晶體530在具有絕緣表面的基板220上包括絕緣層531 、氧化物半導體層223、源極電極層224a、汲極電極層 22A、閘極絕緣層222及閘極層221，並且設置有佈線層 532a、佈線層532b，其分別與源極電極層224a、汲極電極層224b接觸且電連接》另外，作爲絕緣層531，可以使用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧化鉬等的絕緣體。此外 ’也可以使用這些材料的疊層結構❶ 另外’作爲佈線層5 3 2 a、佈線層5 3 2 b，可以使用選自鋁（A1)、銅（Cu)、鈦（Ti)、鉬（Ta)、鎢（W)、鉬（Mo)、鉻 (Cr)、銨（Nd)、钪（Sc)中的元素；以上述元素爲成分的合金；或者以上述元素爲成分的氮化物。另外，也可以使用這些材料的疊層結構。 <背光燈的變形例子> 另外’雖然上述液晶顯示裝置示出作爲背光燈利用能夠發射藍色（B)的有機物及能夠發射黃色（Y)的有機物的結構（參照圖9) ’但是背光燈的結構不侷限於該結構。例如 ’該背光燈也可以採用具有η層（η是3以上的自然數）的 -37- 201202802 有機物層的結構。明確而言，該背光燈可以採用圖1 3所示的結構等。圖13所示的背光燈12包括基板1200、設置在基板1200上的電極層1201、設置在電極層1201上的有機物層1202、設置在有機物層1202上的中間層1203、設置在中間層1203上的有機物層1204、設置在有機物層 1204上的中間層1205、設置在中間層1205上的有機物層 1206以及設置在有機物層1206上的電極層1207。另外，電極層1201及電極層1 207的電位由控制電路13控制。並且，藉由利用該控制電路13對電極層1201及電極層 1 207施加電壓來使各個有機物層1 202、1 204、1 206進行發光，而可以形成白色光。例如，藉由使各個有機物層 1 202、1 204、1 206發射呈現紅色（R)、綠色（G)和藍色（B) 中的任一種且與其他兩層的有機物層不同的顏色的波長區域的光或者藉由使有機物層1202、1204、1206中的任一個發射呈現藍色（B)的波長區域的光並使其他兩層的有機物層發射呈現黃色（Y)的波長區域的光，而可以形成白色光。另外，在上述液晶顯示裝置中，在顯示面板11上配置只透過呈現紅色（R)、綠色（G)和藍色（B)的波長區域的光的濾色片。因此，當背光燈1 2所發射的白色光由紅色（R) 、綠色（G)和藍色（B)的混色形成時，可以提高顯示在顯示面板1 1上的紅色（R)及綠色（G)的顏色純度。換言之，可以提高液晶顯示裝置中的圖像品質。作爲發射呈現紅色（R)的波長區域的光的有機物，可以舉出：N，N，N’，N’-四（4-甲基苯基）並四苯-5,11-二胺（簡稱 201202802 :p-mPhTD)、7，14-二苯基-N，N，N，，N，-四（4-甲基苯基）苊並 [l，2-a]熒蒽-3，10-二胺（簡稱：p-mPhAFD)、2-{2-異丙基-6-[2-(l，l，7,7-四甲基 -2,3,6,7-四氫 -1H，5H-苯並 [ij]喹曉 -9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈（簡稱：DCJTI))、2-{2-叔丁基- 6-[2-(l，l，7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-111，511-苯並 [ij]喹嗪-9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈（簡稱： DCJTB)、2-(2,6-雙{2-[4-(二甲基氨基）苯基]乙烯基卜4H-吡喃-4-亞基）丙二腈（簡稱：BisDCM)、2-{2,6-雙[2-(8-甲氧基-1，1，7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H，5H-苯並[ij]喹嗪- 9-基）乙烯基]-4H-吡喃-4-亞基}丙二腈（簡稱：BisDCJTM)等的螢光化合物；或者雙[2-(2’_苯並[4,5-α]噻吩基）吡啶-N,C3']銥（III)乙醯丙酮（簡稱：Ir(btp)2(acac))、雙（1-苯基異喹啉-N,C2')銥（III)乙醯丙酮（簡稱：Ir(piq)2(acac))、（乙醯丙酮）雙[2,3-雙（4-氟苯基）喹喔啉]銥（111)(簡稱： Ir(Fdpq)2(aCac))、（乙醯丙酮）雙（2,3,5-三苯基吡嗪）銥 (111)(簡稱：lr(tppr)2(acac))、2,3,7,8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉鉑（11)(簡稱：PtOEP)、三（1，3-二苯基-1,3-丙二酮）（單菲咯啉）銪（111)(簡稱：Eu(DBM)3(Phen))、三[1-(2-噻吩甲醯基）-3,3，3-三氟丙酮](單菲咯啉）銪（111)(簡稱： Eu(TTA)3(Phen))等的磷光化合物。作爲發射呈現綠色（G)的波長區域的光的有機物，可以舉出：香豆素30、N-(9，10-二苯基-2-蒽基）-N，9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（簡稱：2PCAPA)、N-[9,10-雙（1，1，-聯苯-2-基）-2-蒽基]-N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺（簡稱：2PCABPhA) -39- 201202802 、N-(9，10-二苯基-2-蒽基）-N，N’，N’-三苯基-1，4-苯二胺（簡稱：2DPAPA)、N-[9，10-雙（1，1，-聯苯-2-基）-2-蒽基]. N，N，，N，-三苯基-1,4-苯二胺（簡稱：2DPABPhA)、9，1〇_ 雙 (1，1·-聯苯-2-基）-N-[4-(9H-咔唑-9-基）苯基]-N-苯基葱_2· 胺（簡稱：2YGABPhA)、N，N，9-三苯基蒽-9-胺（縮寫： DPhAPhA)、香豆素545T、N，N'-二苯基嗤吖啶酮（縮寫： DPQd)等的螢光化合物；或者三（2-苯基吡啶）銥（111)(簡稱 :Ir(ppy)3)、雙（2-苯基吡啶）銥（III)乙醯丙酮（簡稱· Ir(ppyMacac))、三（乙醯丙酮）（單菲咯啉）铽（ιιι)(簡稱： Tb(acac)3(Phen))等的磷光化合物。另外，在上述說明中曾經對發射呈現藍色（B)的波長區域的光的有機物進行了說明，所以在此援用上述說明。另外，基板1 200可以使用與基板120相同的材料，電極層1201、1207可以使用與電極層121、125相同的材料，並且中間層1203、1205可以使用與中間層123相同的材料。 <控制電路13的變形例子> 另外，雖然示出了上述液晶顯示裝置是藉由用控制電路對連續顯示的圖像進行比較來檢測出是否有差異而控制對顯示面板的信號等的供應的結構（參照圖11 )，但是控制電路的結構不侷限於該結構。例如，可以採用根據從外部輸入到控制電路的信號進行多個模式的轉換的結構。明確而言，可以採用藉由利用者操作安裝於該液晶顯 -40- S； 201202802 示裝置的輸入裝置來選擇動態圖像模式或靜態圖像模式的結構等。在此，動態圖像模式是指以第一頻率進行顯示面板中的圖像的重寫的模式，而靜態圖像模式是指以低於第一頻率的第二頻率進行顯示面板中的圖像的重寫的模式。換言之，本說明書所公開的液晶顯示裝置不僅包括液晶顯示裝置本身能夠自動地控制對像素的視頻信號的輸入頻度的液晶顯示裝置，而且還包括利用者可以意圖性地控制對像素的視頻信號的輸入頻度的液晶顯示裝置。另外，也可以採用根據該液晶顯示裝置所顯示的圖像種類選擇動態圖像模式或靜態圖像模式的結構等。例如，可以採用藉由參照作爲視頻信號的基礎的電子資料的檔格式等來選擇動態圖像模式或靜態圖像模式的結構等。 <安裝有液晶顯示裝置的各種電子設備> 下面，參照圖1 4A至圖1 4F對安裝有本說明書所公開的液晶顯示裝置的電子設備的例子進行說明。圖14A示出筆記本型個人電腦，其包括主體220 1、框體2202、顯示部2203和鍵盤2204等。圖MB示出個人數字助理（PDA)，在主體2211中設置有顯示部2213、外部介面2215及操作按鈕2214等。另外 ’作爲操作用附屬部件，有觸屏筆22 1 2。圖14C是作爲電子紙的一個例子示出電子書閱讀器 2220的圖。電子書閱讀器2220包括框體222 1及框體 2223的兩個框體。框體2221及框體2223由軸部2237形 -41 - 201202802 成爲一體，並且可以以該軸部2237爲軸進行開閉動作。藉由這種結構，電子書閱讀器2220可以像紙質書籍—樣使用。框體2221安裝有顯示部2225’並且框體2223安裝有顯示部2227。顯示部2225及顯示部2227既可以採用顯示連屏畫面的結構，又可以採用顯示不同的畫面的結構。藉由採用顯示不同的畫面的結構’例如可以在右邊的顯示部 (圖14C中的顯示部2225)中顯示文章，而在左邊的顯示部 (圖14C中的顯示部2227)中顯示圖像。此外，在圖14C中示出框體222 1具備操作部等的例子。例如，框體222 1具備電源223 1、操作鍵2233以及揚聲器2235等。利用操作鍵2233可以翻頁。另外，還可以採用在與框體的顯示部同一面上設置鍵盤、定位裝置等的結構。另外，也可以採用在框體的背面或側面具備外部連接用端子（耳機端子、USB端子或可以與AC適配器及USB 電纜等的各種電纜連接的端子等）、記錄媒體插入部等的結構。此外，電子書閱讀器2220也可以具有電子詞典的功能。此外，電子書閱讀器2220也可以採用以無線的方式收發資訊的結構。還可以採用以無線的方式從電子書閱讀器伺服器購買所希望的書籍资料等，然後下載的結構。另外，電子紙可以應用於顯示資訊的所有領域的電子設備。例如，除了電子書閱讀器之外還可以將其用於招貼、電車等交通工具的車廂廣告、信用卡等各種卡片中的顯 -42-

S 201202802 示等。圖14D是示出行動電話機的圖。該行動電話機由框體 2 240及框體2241的兩個框體構成。框體2241包括顯示面板2242、揚聲器2243、麥克風2244、定位裝置2246、照相用透鏡2247以及外部連接端子2248等。另外，框體 2240具備對該行動電話機進行充電的太陽能電池單元 22W、外部儲存插槽2250等。另外，天線內置於框體 2241內部。顯示面板2242具有觸摸屏功能，圖14D使用虛線示出被顯示出來的多個操作鍵2245。另外，該行動電話機安裝有用來將太陽能電池單元2249所輸出的電壓上升到各電路所需要的電壓的升壓電路。另外，除了上述結構以外，還可以採用內藏有非接觸1C晶片、小型記錄裝置等的結構。顯示面板2242根據使用方式適當地改變顯示方向。另外，由於在與顯示面板2242同一個面上備有照相用透鏡2247，所以可以進行可視電話。揚聲器2243及麥克風 2 244不侷限於聲音通話，還可以用於可視電話、錄音、再生等的用途。再者，框體2240和框體2241滑動而可以由如圖1 4D所示的展開狀態變爲重合狀態，從而可以實現便於攜帶的小型化。外部連接端子2248可以與AC適配器或USB纜線等各種纜線連接’並能夠進行充電或資料通信。另外’將記錄媒體插入到外部記憶體插槽22 5 0中來可以對應更大容 -43- 201202802 量的資料儲存及移動。另外’除了上述功能之外’還可以具有紅外線通信功能、電視接收功能等。圖14E是示出數位相機的圖。該數位相機包括主體 2261、顯示部A22 67、取景器2263、操作開關2264、顯示部B2265及電池2266等。圖14F是示出電視裝置的圖。在電視裝置2270的框體227 1中安裝有顯示部2273。利用顯示部2273可以顯示映射。此外，在此示出利用支架2275支撐框體227 1的結構。藉由利用框體227 1所具備的操作開關或另外提供的遙控操作機2280來可以進行電視裝置2270的操作。藉由利用遙控操作機2280所具備的操作鍵2279，可以進行頻道及音量的操作，並可以對顯示在顯示部2273上的映射進行操作。此外，也可以採用在遙控操作機2280中設置用來顯示從該遙控操作機2280輸出的資訊的顯示部2277 的結構。另外’電視裝置2270最好設置有接收器或數據機等。藉由接收器，可以接收一般電視廣播。此外，藉由數據機連接到有線或無線的通信網路來可以執行單向（從發送者到接收者）或雙向（在發送者與接收者之間或者在接收者之間）的資訊通信。【圖式簡單說明】在附圖中： -44 - 201202802 圖1A是示出液晶顯示裝置的結構例子的圖；圖1B_ 示出顯示面板的結構例子的圖；圖1c是示出像素的結構例子的圖；圖2是示出電晶體的結構例子的圖；圖3是示出電晶體的特性的圖；圖4是電晶體的特性評價用電路圖；圖5是電晶體的特性評價用時序圖：圖6是示出電晶體的特性的圖；圖7是示出電晶體的特性的圖；圖8是示出電晶體的特性的圖；圖9是示出背光燈的結構例子的圖；圖10是示出背光燈的發光光譜的一個例子的圖；圖11是示出控制電路的結構例子的圖；圖12A至圖12C是示出電晶體的變形例子的圖；圖13是示出背光燈的變形例子的圖；圖14A至圖14F是示出電子設備的一個例子的圖。【主要元件符號說明】 10A :偏光板 10B :偏光板 11 :顯示面板 1 2 :背光燈 1 3 :控制電路 14A: FPC(Flexible Printed Circuits:擦性印刷電路） -45- 201202802 14B: FPC(Flexible Printed Circuits:撓性印刷電路） 1 1 〇 :像素部 1 1 1 :掃描線驅動電路 1 1 2 :信號線驅動電路 1 20 :基板 1 2 1 :電極層 122 :有機物層 1 2 3 :中間層 124 :有機物層 1 2 5 :電極層 130 :信號生成電路 131 :儲存電路 1 3 2 :比較電路 133 :選擇電路 1 3 4 :輸出控制電路 2 2 0 :基板 2 2 1 :閘極層 2 2 2 :閘極絕緣層 223 :氧化物半導體層 224a :源極電極層 224b:汲極電極層 2 2 5 :絕緣層 226 :保護絕緣層 5 1 0 :電晶體

-46 201202802 5 1 1 :絕緣層 5 2 0 :電晶體 5 3 0 :電晶體 5 3 1 :絕緣層 5 3 2 a :佈線層 5 3 2b:佈線層 1 1 0 1 :像素 1 1 02R ：濾色片 1 102G ：濾色片 1 102B ：濾色片 1 1 1 1 :掃描線 1 1 2 1 :信號線 1 200 :基板 1 20 1 :電極層 1 202 :有機物層 1 2 0 3:中間層 1 204 :有機物層 1 2 0 5 :中間層 1 206 :有機物層 1 207 :電極層 1 3 10 :記憶體 1 8 0 0 :測定系統 1 8 0 2 :電容元件 1 8 0 4 :電晶體 201202802 1 8 0 5 :電晶體 1 8 0 6 :電晶體 1 8 0 8 :電晶體 2201 :主體 2202 :框體 2 2 0 3 :顯示部 2204 :鍵盤 22 1 1 :主體 2212 :觸屏筆 2213 :顯示部 2 2 1 4 :操作按鈕 221 5 :外部介面 2220 :電子書閱讀器 222 1 :框體 2 2 2 3 :框體 222 5 :顯示部 2227 :顯示部 223 1 :電源 223 3 :操作鍵 223 5 ：揚聲器 2237 :軸部 2240 :框體 2 2 4 1 :框體 2242 :顯示面板 201202802 2243 :揚聲器 2244 :麥克風 2245 :操作鍵 2246 :定位裝置 2247 :照相用透鏡 2248 :外部連接端子 2249 :太陽能電池單元 2250 :外部儲存插槽 2261 :主體 2263 :取景器 2264 :操作開關 2265 :顯示部（B) 2266 ：電池 2267 :顯示部（A) 2270 :電視裝置 227 1 :框體 2273 :顯示部 2275 :支架 2277 :顯示部 2279 :操作鍵 2280:遙控操作機 1 1 〇 1 1 :電晶體 1 1 0 1 2 :電容元件 11013:液晶兀件 -49

Claims

201202802 七、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示裝置，包括：具有以矩陣狀配置有像素的像素部的顯示面板，該像素分別具有控制視頻信號的輸入的電晶體、被供應根據該視頻信號的電壓的液晶元件、以及透過紅色、綠色或藍色的波長區域的光並吸收其他可見光區域的光的濾色片；對該像素部發射白色光的背光燈；以及控制對該像素的每一個輸入該視頻信號的頻度的控制電路，其中，該背光燈進行面發光。 2. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該電晶體的通道形成區·包括氧化物半導體。 3 ·根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該背光燈利用有機電致發光發射光。 4.根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該背光燈的發光光譜在藍色的波長區域和黃色的波長區域中具有峰値。 5 ·根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該背光燈的發光光譜在紅色的波長區域、綠色的波長區域和黃色的波長區域中具有峰値。 6.根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，包括控制電路，該控制電路包括：儲存用來在該像素部中形成第一至第η圖像（η是 2以上的自然數）的多個視頻信號的儲存電路； 201202802 對用來形成該第k圖像（k是小於η的自然數）的該多個視頻信號中的視頻信號和用來形成該第（k+ I)圖像的該多個視頻信號中的視頻信號進行比較來檢測差異的比較電路；根據該差異選擇向該像素部輸出的用來形成該第 (k+Ι)圖像的該多個視頻信號中的視頻信號的選擇電路；以及當檢測出該差異時向該顯示面板供應控制信號且當沒有檢測出該差異時停止向該顯示面板供應該控制信號的輸出控制電路。 7. 根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中該控制電路根據利用者的輸入裝置的操作而控制對每個該像素輸入該視頻信號的該頻度。 8. 具有根據申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置的電子設備，其中該電子設備選自筆記本型個人電腦、個人數位助理、電子書閱讀器、行動電話機、數位相機、電視裝置中。 9. 一種液晶顯示裝置，包括：具有以矩陣狀配置有像素的像素部的顯示面板，其中該像素的第一像素具有控制第一視頻信號的第一輸入的第一電晶體、被供應根據該第一視頻信號的第一電壓的液晶元件、以及分別透過紅色、綠色或藍色的波長區域的光並吸收其他可見光區域的光的第一、第二及第三濾色片’並且該像素的第二像素具有控制第二視頻信號的第二輸入的第二電晶體、被供應根據該 -51 - 201202802 第二視頻信號的第二電壓的液晶元件，但是不具有分別透過紅色、綠色或藍色的波長區域的光並吸收其他可見光區域的光的第一、第二及第三濾色片；對該像素部發射白色光的背光燈；以及控制對該第一及第二像素輸入該第一及第二視頻信號的頻度的控制電路，其中，該背光燈進行面發光。 10.根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該第一及第二電晶體的每一個的通道形成區包括氧化物半導體。 Π .根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該背光燈利用有機電致發光發射光。 1 2 .根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該背光燈的發光光譜在藍色的波長區域和黃色的波長區域中具有峰値。 1 3 .根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置’其中該背光燈的發光光譜在紅色的波長區域、綠色的波長區域和黃色的波長區域中具有峰値。 14.根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，包括控制電路，該控制電路包括：儲存用來在該像素部中形成第一至第n圖像（n是 2以上的自然數）的視頻信號的儲存電路；對用來形成該第k圖像（k是小於η的自然數）的視頻信號和用來形成該第（k+ 1)圖像的視頻信號進行比較 •52- S 201202802 來檢測差異的比較電路；根據該差異選擇向該像素部輸出的用來形成該第 (k+l)圖像的視頻信號的選擇電路：以及當檢測出該差異時向該顯示面板供應控制信號且當沒有檢測出該差異時停止向該顯示面板供應該控制信號的輸出控制電路。 1 5 .根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置，其中該控制電路根據利用者的輸入裝置的操作而控制對該第一及第二像素輸入該第一及第二視頻信號的該頻度。 16.具有根據申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置的電子設備’其中該電子設備選自筆記本型個人電腦、個人數位助理、電子書閱讀器、行動電話機、數位相機、電視裝置中。 -53-