TW201202721A - Array test apparatus - Google Patents

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201202721 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種陣列檢測裝置。 【先前技術】 由於資訊社會的發展，顯示器的需求也不斷被開發出 來，且呈現多樣化。為滿足這些需求，多種平面顯示器， 例如液晶顯示器（LCD )、電漿顯示器（PDP )、電激發光 顯示器（ELD)、真空螢光顯示器（VFD)等等，已被大量 研究並發展。 ； 拜半導體科技的快速發展，液晶顯示具有超越傳統陰 極射線管（CRT)顯示器的表現，並取代陰極射線管顯示 器。液晶顯示器由於其優越顯示效能：薄型化、輕量化以 及低耗電量等優勢，已廣泛地應用於每個領域。 因此，液晶顯示器不僅應用於小尺寸可攜式裝置，如 手機、個人數位助理（PDA)、可攜多媒體播放器（portable multimedia player，PMP )，更應用於中、大尺寸裝置，例如 用以接收廣播訊號並顯示影像之電視以及電腦之顯視器。 就液晶顯示器之驅動方法而言，其係依據影像資訊而 將資料訊號傳送至矩陣設置之各個液晶單元，以控制液晶 單元之光線穿透率進而顯示影像。 液晶顯示器包含一薄膜電晶體（TFT )基板、一彩色 濾光基板以及一介於兩基板之間之液晶層。薄膜電晶體基 板形成有複數晝素圖案，彩色濾光基板形成有一彩色濾光 201202721 層。藉由施加的電訊號，可控制液晶層之光線穿透率。 在液晶顯不裔之 ~~製造方法中’複數掃描線、貢料 線、晝素電極以及薄膜電晶體係形成於TFT基板上，其中 掃描線與貧料線的設置方向係垂直^晝素電極係分別形成 在由知描線與貧料線父錯而定義的晝素區内。措由抑描線 之訊號可導通電晶體，且貧料線之訊號經由電晶體傳送至 對應的晝素電極。 此外，一黑色矩陣、彩色濾光層及一共同電極係形成 於彩色濾光基板上。黑色矩陣係用以遮擋晝素區之外的穿 透光：彩色濾光層係將三原色光濾出，共同電極係用以顯 示影像。 然後，配向層係分別形成於薄膜電晶體基板及彩色濾 光基板，配向層係藉由摩擦而提供預傾角及配向方向給液 晶層中的液晶分子。 此外，依據一預定圖案在兩基板之至少一基板上塗 膠，以形成框膠，藉以在兩基板之間形成一間距並密封兩 基板以避免液晶Ά漏到基板外。之後^在兩基板之間形成 液晶層，如此就完成了液晶面板的製造方法。 在製造方法的過程中，需要有一檢測程序來檢驗是否 有缺陷存在5例如檢測設置於薄膜電晶體基板之貧料線或 掃描線的電性連接是否良好、或是檢測薄膜電晶體基板上 之電路是否有缺陷。 一種陣列檢測裝置係用以檢測一基板，並包含一測試 模組及其一調變器，以及一探針模組及其複數探針。 201202721 在上述陣列檢測裝置中，探針係與一待測基板上之電 極連接，並藉由施加電訊號給電極而在調變器與基板之間 形成一電場。如此，藉由電場強度便可檢測基板之缺陷。 之後，測試模組需移動至該基板之其他位置並重覆上 述檢測步驟，如此便可完成基板所有區域的檢測。 在檢測過程中，需要精確地設定基板與測試模組之間 距以提升檢測的可靠度。在習知技術中，基板與測試模組 之間距係藉由測試模組之一距離測量元件所設定。 然而，由於習知之距離測量元件係設置於測試模組 中，以致測試模組的架構變得複雜，並專致測試模組難以 . & 在基板上高速的移動也無法達到精確的控制。 【發明内容】 有鑒於上述課題，本發明之一目的在於提供一種陣列 檢測裝置，能夠簡化其測試模組之結構。 為達上述目的，本發明之一種用以檢測一基板之缺陷 之陣列檢測裝置包含一測試模組以及一間距量測單元。測 試模組包含一調變元件，調變元件具有一第一表面，第一 表面係面對基板。間距量測單元包含一主要表面及一距離 量測元件，主要表面係設置於當測試模組移動時，面對第 一表面之一位置，距離量測元件係測量第一表面與主要表 面之一間距。 在一實施例中，陣列檢測裝置可更包含一升降單元以 及一控制單元。升降單元係移動測試模組。控制單元係依 201202721 測單元：測量之第—表面與主要表面之間距之 、動升降單元，以控制第—表面與基板之-間距。 之陳二ί上述目的’本發明之—種用以檢測-基板之缺陷 ^ ^㈣置包含—測試模組以及-間距量測單元。測 ^、、且包含—框架’框架支持—調變元件，並具有一第二 :面第—表面係面對基板。間距量測單元包含一主要表 勤斤離里H主要表面係設置於該測試模組移 ^血面對第二表面之—位置，距離量測元件係測量第二 、面一主要表面之一間距。 -批=實施财，陣列檢縣置可更包含升降單元以及 門：旦:丨：。升降單元係移動測試模組。控制單元係依據 料而作動升料元第表面之間距之資 — 乂匕·制第一表面與基板之一間距。 I Λ%例中’陣列檢測裝置可更包含-測試單元， ::二:,於測試單元上’其中，間距量測單元係設置於 郇》 又測4早凡之一預定位置。 ▲在只把例中，主要表面係與測試單元之-表面等 咼。 【實施方式】 =下將残相_式’說日驗據本發明較佳實施例之 同的參照符號 -種陣列檢測裝置，其中相同的元件將以相、 加以說明。 請參照圖1 $闰《、上 之一種陣 圖5以説明本發明較佳實施例 201202721 列檢測裝置。 -立θ為本發明較佳實施例之一種陣列檢測裝置10的 _ 81 2為陣列檢測農置10之一測試模、组200之一 η _ 〇及凋邊單元220的分解示意圖，圖3為托 叫早與調變單元22〇的組合示意圖，圖4及圖5為 二面不意圖’其顯示與托持單元21G祕之調變單元220 係相對托持單元2Κ)進行±、下的移動。 h陣列檢測裝置10係檢測一基板S是否異有電性缺 例如形成在基板S上之電路之缺陷。 、Η基板S可以是一平面顯示面板中的基板，例如，其可 以疋液晶顯示器之一薄膜電晶體基板。 陣列檢測裝置10包含一承載單元600、一測試單元 貝J»式模組2〇〇、一間距量測單元4〇〇以及〆卸載單元 7〇〇 〇 承載單元600包含至少兩承載板61〇，承載板610係 相距一預定距離而設置’承載板610係支持待測基板S並 可將其傳送至測試單元3〇〇。 測试單元300係鄰設於承載單元6〇〇。基板S之至少 —部分係經由承載板610傳送至測試單元300並由測試單 元300進行電性缺陷之檢測。 為進行基板S之電性缺陷的檢測，基板s上需設置電 極以提供電訊號。於此不並限制基板S上之電極的數量及 位置，其可依據基板S之面板區（panei area)的大小及位 置而設定。 201202721 此外。，陣列檢測裝置10更包含一探針模組·，其可 施加電訊號至基板s電極以檢測在測試單元3⑼上之基板 S是否具有缺陷。探針模組_包含複數探針頭（圖未顯 不）及複數k針（圖未顯示），且探針頭及複數探針的數 目及位置係依據基板s電極之數目及位置而定。 泰式模組200係面對測試單元300以及傳送至測試單 元300上之基板S而設，並用以檢測基板s之缺陷。測試 模組20(H系由-支持條8〇〇所支持，支持條綱係沿一 χ 軸方向延伸’該X軸方向係與基板s之傳送方向垂直。測 試模組200係可4 X軸方向上沿著支持條8〇〇移動，一線 性移動單元，例如線性馬達，可使用㈣測試模組2〇〇沿 著支持條800移動。 在其他實施例中，陣列檢測裝置1〇可包含複數測試 模組200，該等測試模組可沿著支持條_的延伸方 向（X軸方向）㈤隔設置，且各測試模叙可包含一調 變單元220、一乾持單元21〇、一攝像器23〇及一升降單 元 250。 調變單元220係面對基板s設置，並鄰設於基板8。 此外，調變單it 22〇係可移動地耦接於托持單元21〇的下 方’並包含-可移勢元件22卜一調變元件225以及一框 架223 (請參照圖2)。攝像器23()可設置於托持模組別， 以攝像的方式判斷光線是否通過調變模組，更細部的 說’判斷光線是否通過調變元件225 (請炎昭圖 測試模組之升降單元2闕使托持模上、 201202721 下移動。升降單元250可藉由多種元件來實施，例如利用 液壓控制之液晶缸、或是藉由定子與轉子之間的電磁作用 力作動之線性馬達、或是其他可讓托持模組210上、下移 動之元件。 此外，陣列檢測裝置10可更包含一控制單元（圖未 顯示），其係控制升降單元250以調整調變模組220與基 板S的間距。 _ 在本實施例中，陣列檢測裝置可分為兩種態樣，一種 是使用反射光來進行檢測之陣列檢測裝置，另一種是使用 穿透光來進行檢測之陣列檢測裝置。在反射光的態樣中， 一光源係設置於測試模組200，且一反射層係設置於調變 元件225上，因此，在光源發射光線進入調變元件225後， 便可藉由測量由調變元件225之反射層所反射的光量來判 斷基板S是否有缺陷。 在穿透光的態樣中，一光源係設置於測試單元300之 下，藉由測量光源發射之光線穿過調變元件225的光量可 判斷基板S是否有缺陷。 上述反射光及穿透光之技術皆可應用於本發明較佳 實施例之陣列檢測裝置中。 間距量測單元400係鄰設於測試單元300。間距量測 單元400之一距離量測元件500可測量間距量測單元400 與調變單元220之間距。 在本實施例中，藉由測量間距量測單元400與調變單 元220之間距，可設定基板S與調變單元220之間距。如 10 201202721 此一來，由於基板s與調變單元220之接觸或撞擊而產生 在基板s之表面的污染、到傷或損壞便能夠被避免。以下 會進一步說明間距量測單元400與調變單元22〇之間距的 測量方法。 本貫施例係包含複數距離量測元件500，其係設置於 間距量測單元400之預設位置。當距離量測元件5〇〇的數 量增加時，間距量測單元400與調變單元22〇之間距的測 量精度也隨之提升。 測試模組200移動至間距量測單元400的上方，測量 間距量測單元400與調變單元220之間距，然後再依據支 持條800沿著X軸方向往遠離間距量測單元400的方向移 動。之後，間距量測單元400係測量間距量測單元400與 調變單元220之間距，而升降單元250依據該間距的資料 作動，使得位於測試單元300上方之測試模組200能夠調 整基板S與調變單元220之間距。如此，基板S可進行缺 陷的檢測。 卸載單元700係鄰設於測試單元300，已檢測之基板 S係從測試單元300移動至卸載單元700，再藉由卻載單 元700傳送至陣列檢測裝置1〇之外部。卸載單元700可 包含複數卸載板710,卸載板710係以一定距離間隔設置’ 並可支持已檢測之基板S於其上。 較佳者，排氣孔620、720係分別形成於承载單70 600 之承載板610以及卸載單元7〇〇之卸載板71〇 ’並貫穿承 載板010及卸載板710。在此狀況下，異有預定壓力之氣 201202721 體係經由排氣孔620及720並朝向基板S吹出以移動基板 S。排氣孔620及720係與一正壓源連接以提供氣體。此 外，複數吸力元件630可設置於承載單元600及卸載單元 700，並利用吸力來支持基板S之下表面。 當基板S置放於承載單元610上時，氣體係經由排氣 孔620排出以使基板S懸浮。在此狀態下，吸力元件630 向上移動並利用吸力支持基板S之下表面。然後，吸力元 件630係沿著Y轴方向移動以將基板S運送至測試單元 300。吸力元件630設有吸力孔，吸力孔係連接於一負壓 源，言亥負壓源係自吸力孔將氣體吸入。 在基板S傳送至測試單元300上方時，即中止氣體由 承載板610之排氣孔620排出。探針模組900之探針（圖 未顯示）係對準基板S之對應電極，然後測試單元300係 進行基板S之缺陷檢測_。 為進行檢測，托持單元210係藉由升降單元250之作 動而向下移動，以使調變單元220與基板S之間產生一合 適的間距。當調變元件225 (請參照圖2)靠近基板S之 上表面時，電壓訊號係施加在調變元件225之一電極。 這樣，就可在基板S與調變元件225之間形成一電 場，而光源所發出之光線，被調變元件225反射或穿過調 變元件225之光量會隨著電場強度而改變。也就是說，藉 由對攝像器230針對調變元件225所拍攝的影像進行光量 分析，即可測量到基板S與調變元件？25之間所產生之電 場的強度。 12 201202721 由測量到之電場強度即可判斷基板s是否具有缺陷。 進一步說明，假若基板S並無缺陷，則調變元件225與基 板S之間的電場強度會落在一預設範圍内；反過來說，.假 若基板S具有缺陷，則調變元件225與基板S之間便無電 場產生、或產生一彳卜正常的電場。 在基板S之至少一部分進行檢測之後，托持單元210 係藉由升降單元250之作動而向上移動，使得調變單元220 與基板S之間距變得較檢測中之間距為大。然後，位於測 試單元300上方之測試模組200係沿著支持條800在X轴 方向上移動以面向基板S之另一待檢測的部分，或者，基 板S可沿著Y軸方向移動以使基板S另一待檢測部分置放 於測試單元300上方。這樣，基板S另一待檢測部分便可 進行檢測。上述步驟係連續並重覆地進行，直到基板S所 有區域都被檢測過。 在本實施例中，測試模組200可依據支持條800在X 軸方向上移動，並且基板S可藉由承載單元600、測試單 元300以及卸載單元700在Y軸方向上移動。因此，藉由 合適地使測試模組200在X軸方向移動或使基板S在Y 轴方向移動，便可進行基板S之至少一部分的缺陷檢測。 需注意的是，本發明之陣列檢測裝置10不侷限如圖1 所示之態樣。舉例而言，陣列檢測裝置10可設計成當基 板S進行檢測時，棊板S係固定在一不動的支持板上，且 只有測試模組200可沿X轴或Y軸方向移動。另一態樣 是，測試模組200在水平方向上為固定不動狀態，而只有 13 201202721 基板S可沿X軸或Y轴方向移動。 在檢測完成之後，基板S係藉由卸載板710傳送至陣 列檢測裝置10之外。 請參照圖2，如圖1所示之測試模組200係包含托持 單元210及調變單元220。 托持單元210可具有一中空部，以使位於托持單元210 上方之攝像器230能夠對調變單元220進行攝像。 調變單元220係與托持單元210耦接以致可移動，特 別是被舉升。調變單元220包含調變元件225、框架223 及可移動元件221。調變元件225係在其與基板S之間形 成電場’使得基板S之缺陷可依據電場強度而判斷。框架 223環繞並支持調變元件225。可移動元件221係利用真 空吸力來支持框架223。 調變元件225包含一光電材料層以及一電極。光電材 料層之光反射率（在反射光的態樣中）或光穿透率（在穿 透光的態樣中）可隨基板S與調變元件225之間的電場強 度而改變。當電壓訊號施予基板S及調變元件225時，光 電材料層之特定物理特性可藉由電場而改變，因此調變元 件225之光反射率或光穿透率也改變。較佳者，光電材料 層之材質係包含液晶，其中液晶分子會依據電場強度的大 小而倒向不同的方向。 在調變單元220鄰設基板S之後，電壓訊號係供應至 調變單元220之調變元件225之電極以及基板S的對應電 極，使得基板S與調變元件225之間產生電場。 14 201202721 由於基板s之正常部分與缺陷部分所產生的電場強度 不相同，所以藉由電場強度的變化即可判斷基板s之一檢 測部分是否具有缺陷。 另外，調變元件225具有一第一表面225-1，第一表 面225-1係面對基板S、測試單元300或間距量測單元400。 可移動元件221係利用真空吸力支持調變元件225與 框架223，而可移動元件221係藉由耦接元件222與托持 單元210耦接而能上、下移動。 框架223具有一第二表面223-1，其係面對基板S、測 試單元300或間距量測單元400。 請參照圖3所示，該等耦接元件222係與可移動元件 221耦接，且其一部分係分別插設於托持單元210之耦接 凹槽215内。 連結調變單元221與托持單元210之耦接元件222可 具有多種實施態樣，例如，如圖4及圖5所示，耦接元件 222之下端係藉由螺鎖而固定在可移動元件221，耦接元 件222之上端係插設於托持單元210之耦接凹槽215内以 致可上、下移動。 為避免可移動元件221從托持單元210脫落，各耦接 凹槽215係形成有一擋止部211，並且對應的耦接元件222 之上端係彎折以使其能被擋止部211而擋止。 如此，可移動元件221就能避免從托持單元210脫 離。在此狀況下，耦接元件222之上端可在耦接凹槽215 内向上或向下移動，以調整托持單元210與可移動元件221 15 201202721 間距，例如調整為距離K1或距離K2。 耦接凹槽215可至少形成在托持單元210之四個面中 的三面，以使可移動元件221能更可靠地耦接於托持單元 210。並且，耦接元件222係設置於托持單元210之各耦 接凹槽215内。 此外，一空氣軸承（圖未顯示）可設置在托持單元210 與調變單元220之間，以避免當測試模組200移動時，調 變單元220向左或向右移動。 另外，當陣列檢測裝置10在檢測基板之缺陷時，設 定調變單元220與基板S之間距是重要的。 ♦ 當調變單元220與基板S之間距變小時，在調變元件 225之電極與基板S之電極之間所形成之電場強度是足夠 的’使得基板S之缺陷檢測的精確性大幅提升。然而’在 此情況下，基板S及/或調變元件225之表面容易因為基板 S與調變元件225之間的接觸或撞擊而產生污染、刮傷或 損壞的問題。 相反地，當調變單元220與基板S之間距變大時，調 變單元220與基板S之間的接觸或撞擊而導致的問題減少 了，但基板S的缺陷檢測之精確度也下降了。 較佳者，當基板S進行缺陷檢測時，基板S與調變元 件225之間距必須設定在數微米到數十微米的範圍内，以 確保在調變元件225之電極與基板S之電極之間形成足夠 的電場強度，並避免調變單元220與基板S之間的接觸或 撞擊問題產生。 16 201202721 此外，當調變單元220相對基板S而向上、下、左或 右移動以檢測基板S的不同部分時，基板S與調變單元220 之間距需較進行檢測時變得更大。 舉例而言，假若檢測進行時，基板S與調變單元220 之間距設定為20微米到40微米的範圍内，則當調變單元 2 2 0相對基板S向左或向右移動時，該間距係設定為8 0到 100微米的範圍為適當。 此外，調變單元220内可設置一排氣單元（圖未顯 示），其可排出一具有預定壓力之氣體向基板S吹去，以 調整基板S與調變單元220之間距。此外，如圖2所示， 排氣孔224a及排氣通道224b係形成於調變單元220之框 架223，使得排氣單元所排出之氣體可經由排氣孔224a及 排氣通道224b向基板S吹去。 排氣單元可包含低壓排氣單元及高壓排氣單元，其可 分別排出相對低壓及相對高壓的氣體。較佳者為該等低壓 排氣單元及該等高壓排氣單元係交錯設置。 在此狀況下，當調變單元220相對基板S向上、下、 左或右移動時，低壓排氣單元及高壓排氣單元係同時作動 以增加基板S與調變單元220之間距。另一方面，當基板 S在進行缺陷檢測時，低壓排氣單元係作動以減少基板S 一調變單元220之間距。上述排氣單元之作動方式僅為舉 例，並不限於此。 如此一來，由於調變單元220與基板S之間距係由排 出氣體來調整的，所以就需要在事先測量當進行檢測時所 17 201202721 需要的氣壓量以及當調變單元220移動時所需要的氣壓 量° ' 圖6為一剖面示意圖，其係顯示如何測量調變單元2 2 0 與間距量測單元400之間距。 為了設定調變單元220與基板S之間距所對應的氣體 壓力，首先測試模組200係移動至間距量測單元400之上 方，然後托持單元210係藉由測試模組200之升降單元250 之作動而向上或向下移動。同時，藉由距離量測元件500 便可測量出調變單元220與間距量測單元400之改變的間 距。藉此，便能得到對應至一所需間距之氣體壓力。 間距量測單元400包含一主要表面410,主要表面410 係面對調變元件225之第一表面225-1。藉由設置於間距 量測單元400之距離量測元件500，可測量出間距量測單 元400之主要表面410與調變元件225之第一表面225-1 之間距G1。間距值與對應所需間距之氣壓值係被儲存。 當基板S在進行缺陷檢測時，升降單元250係依據間 距量測單元400所測量之間距資料而作動以控制調變元件 225之第一表面225-1與基板S之間距大小。 換言之，為形成檢測進行中所需之間距、或形成調變 單元220移動時所需之間距，氣體之排出量係依據檢測是 否進行中或調變模組220是否移動中而定。藉此，當檢測 進行中或調變單元220移動中所對應之調變單元220與基 板S之間距就能被合適地設定並維持。 於此，距離量測元件500係設置在間距量測單元400 18 201202721 内並且面對調變單元220之調變元件225。較佳者，距離 量測元件500係設置於面對調變元件225周圍之位置。 此外，如圖7所示，為測量調變單元220與基板s之 合適間距所對應之氣體壓力值，設置於間距量測單元4〇〇 内之距離量測元件500係測量間距量測單元400之主要表 面410與框架223之第二表面223-1之間距G2。並且該測 量到之間距與其對摩之氣體壓力值係被儲存。 間距量測單元400之主要表面410係面對框架223之 第二表面223-1。 此外，當基板進行缺陷檢測時，升降單元250係依 據間距罝測早元400所測量到之間距資料而作動，以控制 框架223之第二表面223-1與基板S之間距。 假若距離量測元件500設置於間距量測單元並面對調 變元件225之位置’當測量一間距時，調變元件225之表 面可能會被損傷，因此，距離量測元件5〇〇係設置於間距 量測.單元400並面對調變單元220之框架223之位置。 距離量測元件可有多種實施態樣，其中包含接觸式或 非接觸式的距離量測兀件，例如任何感測器或機械元件， 舉例來說，線性差動變壓器（linear variabk transformer，LVDT)、雷射感測器、荷重元（i〇adcen)或 其他可測量距離之元件。 據此，藉由測量調變單元22〇與間距量測單元楊之 間距，可設定基板s與調變單元22〇之間距。如此一來， 在托持單元210向上或向下移動以測量間距的同時，由於 19 201202721 基板s與调變單元220之接觸或撞擊而產生在基板s之表 面的污染、刮傷或損壞便能夠被避免。 在本實施例之陣列檢測裝置中，距離量測元件5〇〇係 設置於間距量剛單元400内，而不是設置在測試模組2〇〇 上’因此就簡化了測試模M2〇〇之結構及重量，此外，測 試模組200能夠以簡單的結構達到高速上移、下移、左移 或右移的目的。因此，檢測的 圖8為-剖面示意圖，复：度也大幅提升。 /、彳糸顯示間距量測單元4〇〇之 主要表面410與測試單幻〇〇之相對位置。 μ如圖8所示，較佳者係間趣量測單元_鄰設於測試 3〇0，並且間距量測單元物之主要表面410係與測 試皁元300支持基板s表面同高。 承上所述，在本發明之陣；;檢測裝置中 件係設置於間距量測單元内， 因此就簡化了測試模組之結構及^設^測試模組上’ 度也大幅提升。 檢測的可靠 此外，在本發明中，間距量料元與調變單元 板與調變單元之間距再 而設疋。因此，本發明能夠避-果 觸或撞擊而產生在基板之表面的污二::…接 題。 7木丨傷或損壞等問 以上所述僅為舉例性，而作為限制性者。任何 本發明之精神與範嘴，而對其進行之等效修改脫^ 應包含於後附之申請專利範圍中。 又尺，岣 20 201202721 [圖式簡單說明】 圖；圖1為本發明較佳實施例之-種陣列檢測裝置的示意 列“ 4裝置之—测試模組之-托持單元及-凋艾早兀的分解示意圖； ^于早兀及 變單:::圖2所‘;托持=持=接之調 圖6及圖7為剖面示 卜移動， 量測單元之間距之方法^及，』不測量調變單元與間距 圖8為一剖面示意圖，— < 與測試單元之相對位置。’、、、不間距®測單元之主要表面 【主要元件符號說明】 10 :陣列檢測裝置 20(^測試模組 210··托持單元 211 :擋止部 215 :輕接凹槽 22〇 :調變單元 221 :可移動元件 222 :耦接元件 223 :框架 223_1 :第二表面 21 3- 201202721 224a、620、720 :排氣孔 224b :排氣通道 225 :調變元件 225-1 :第一表面 230 :攝像器 250 :升降單元 300 :測試單元 400 :間距量測單元 410 :主要表面 500 :距離量測元件 600 :承載單元 610 :承載板 630 :吸力元件 700 :卸載單元 710 :卸載板 800 :支持條 900 :探針模組

Gl、G2 :間距 ΚΙ、K2 :距離 S :基板 22

Claims (1)

1. 201202721 七、申請專利範圍： 1 種陣列檢測裝置，其係用以檢測一基板之缺陷，並 包含： 一測試模組，包含一調變元件，該調變元件具有一第 表面’該第一表面係面對該基板；以及 間距里測單元，包含一主要表面及一距離量測元 件，該主要表面係設置於當該測試模組移動時，面 對U亥第表面之一位置，該距離量測元件係測量該 苐表面與該主要表面之一間距。 2、=申請專利範圍第i項所述之陣列檢測裝置，更包含： —升降單元’係移動該測試模組；以及 控制單元，係依據該間距量測單元所測量之該第一 面°亥主要表面之該間距之資料而作動該升降單 3 元，以控制該第一表面與該基板之一間距。 、一種陣列檢測裝置，其係用以檢測—基板之 包含： 式模組，包含一框架，該框架支持一調變元件， 二-、有第一表面，該第二表面係面對該基板；以 及 〗巨，娜單70 ’包含_主要表面以及—距離量測元 牛：D亥主要表面係設置於當該測試模組移動時，面 > ^第—表面之一位置，該距離量測元件係測量該 弟二表面與該主要表面之一間距。 4'如申請專·圍第3項所述之陣列檢難置，更包含： S- 23 201202721 升降單tl，係移動該測試模組；以及 5 J單元，係依據該間距量測單元所測量之該第二 表面與该主要表面之該間距之資料而作動該升降單 元以控制該第二表面與該基板之一間距。 如申請專利範圍第1項至第 _ ., .. ± 峭主弟4項任一項所述之陣列檢 ，則裝置，更包含： 复測4單元，該基板係置放於該測試單元上， 中°亥間距I測單元係設置於鄰設該測試單元之一 預定位置。 6‘請專利範圍第5項所述之陣列檢測裝置，其中該 要表面係與該測試單元之一表面等高。 24