TW201142490A - A pellicle for lithography - Google Patents

Description

201142490 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發”關於-種微·防塵_組件，特別是 LSI(large_scale integrati〇n，大型積體電路 時，作為防塵罩使用的微影用防塵薄膜組件^ W科導體裝置 【先前技術】 以f，LSI、超LSI等之半導體裝置或液晶顯示板等的製造， =i ift i 則因此異物粒子吸收光線、反 2先線’祕轉印之圖賴形、邊緣不平整，尺寸、 之=，致使半導體裝置或液晶顯示板等之性能和製造良率低下 喊0 因此，雖此等作紐常於絲室巾進行，但即便於此益塵室 ^亦:恆常地使曝光原版保持正f，故為使曝光原板 行貼附對曝光用之光線有良好透光性之防塵薄膜組件的方 法0 情況’因異物粒子並非直接附著於曝光原版之表面，而 3附=防塵麵組件，故若微影時將焦點對準曝光原版上之圖 ，、、’有防塵細組件上之異物粒子不會對轉印造成影響之優點。 防塵薄膜組件係由下列步驟製成：使用由透光良好之頌 ϊΐ制纖維素等形成之透明防塵薄膜，於铭、不鏽鋼、聚乙 甘4衣成之防塵溥膜組件框架上部塗佈防塵薄膜之良好溶劑，使 黏接（參考專利文獻η，或以丙烯樹脂、環氧樹脂等之黏 接(參考專利文獻2、專利文獻3、專利文獻4 );而防塵薄 ^件框架下部，條接峰了馳脂、聚醋酸乙職脂、丙稀

Jt、'魏義祕成之__及保讎狀絲層（隔 離膜）而構成。 近年微影技術之解析度逐漸提高，為實現此解析度，逐漸 汗。使用皮長的光作為光源。具體而言，正轉為使用紫外光^ 201142490 線(436nm)、I 線(365nm)、KrF 準分子雷射(248mn)] . 始使用ArF準分子雷射(193腕）。 迎千則匕開 隨著曝光光源變為短波長’產生因曝麵、版（光之 扭曲而致使微影圖像變形之影響的問題。 / 組件的相度，被列舉為曝光原版之變形扭 =的巧因之-。本案發明人先前曾提議·提升_薄敝件的 f黏者劑層之平坦度’並將其_至轉_ 抑制光罩之㈣(參照專敝獻5)。 ^Tb罩猎以 專利文獻5愤議，為錢佈额塵_ 黏接劑表面為平坦面，將防塵薄膜組件框 於呈平坦面之平坦板的狀態，來製造平坦面。㈣之宣里按[ ，依此發明，雖確保光罩之平坦度顯著提高， ，光線進行曝光時，時而可見在圖像上產生 例 片 ，可得知，原本被認知未有太大影響，防塵薄膜=== 接劑塗佈側端面之平坦度有微妙影響。 、、牛C木之黏 时亦，，於光罩貼附防塵薄膜組件時，雖以|1方塵薄膜 益之加敵加壓框架之雜義，此時 ^ '凸^ ==更著劑之表面(==二工 為+i一之情況，因防塵翻組件框架整 框架本身於黏接劑層凸出處亦能抑制大的^大 蓄積壓縮應力。面糾㈣起_，或於該部分 加壓結束後加壓板脫離防塵薄膜组丰 接劑層有回復為原來形狀的傾=二=7;放之黏 接觸，此-結果造成之光罩的 光罩加壓域，附讀薄敵_=應力之部分使 [習知技術文獻]. @ [專利文獻] 專利文獻1 .日本特開昭58-219023號公報 201142490 專利文獻2 :美國專利第4861402號說明書 專利文獻3 :日本特公昭63-27707號公報^ 專利文獻4 :曰本特開平7_168345號公報 專利文獻5 :日本特開2009-25560號公報 【發明内容】 [發明之概要] [發明欲解決之問題] 情況’本發明之課題在於提供—種微影用防塵薄膜 組件^即便貼附於光罩上所造成光罩之扭 ㈣膜 [解決問題之方式] 防塵ϋϊί基本為，與f知麟味，輪鑛之平坦度高的 細杜本發明之微綱防塵薄敝件的特徵為：於防塵薄膜 面的平坦度為U)_以下 有黏者_，則層之表 [發明之效果] 本發明之微影用防塵薄膜組件，因黏接 =====砰乇 【實施方式】 以下’參照添_附之附圖對本發明加以詳細說明。 圖，咖咖驗件1的說明示意 膜，但f示=^_層5 °黏著劑層5通常雖貼附有隔離 201142490 在此，將防塵薄膜組件框架2之兩端(圖中為上下），可能 凹凸’圖7F為折彎狀。然而，並不意味於兩端面之對應位置 相反向的凹凸。 黏著劑層5 ’依據專利文獻5所記載之發明，將其面之平坦产 成形為15μπι以下。而貼附防塵薄膜3之黏接劑層4的平坦度了g 樣為15μπι以下，更宜使其為i〇gm以下。 ,於將防㈣齡接於雜繼之步驟巾，若預先使防塵薄膜 形成基板之平坦度為高，則於黏接防塵薄膜之狀態下，' 面之平坦度控制於上述之範圍。 ^ 、形成有黏著鑛之防㈣膜組件框架的相反端面，以通 方法塗佈黏接劑。塗佈後，使黏接劑接觸高平坦面並硬化 後將框架自高平坦面脱離。之後於高平坦化 例，黏接防塵薄膜。 .I'# 如此而成形的本發明之微影用防塵薄膜組件丨，如干， 將微影用防塵薄膜組件1點著於光罩6之情況，即使以防塵 貼模機之加驗7加壓，無論是減防㈣膜3 ㈣或 =劑層5 ,其絲之平坦度料，故於光罩6與微影^塵‘ ^件1*之間’因按壓力之分布沒有產生斑點，未產生變形與内部 應力之蓄積，故光罩幾乎未產生扭曲。 ^ [實施例] 將銘合金製之防塵薄膜組件框架(外形尺寸149mmxll3咖、 厚ΐίτ 著劑•黏接劑側之平坦度皆為15㈣ 信學工業股份☆司製之石夕酮黏 者XI3122A)，在室溫下放置i小時。將離 石ίΐ璃f上之後，將塗佈黏著劑之防塵薄膜組 英玻璃板加熱至6°°c使黏著劑硬化。黏著㊁ 硬化後，自石央玻璃板剝離隔離膜。 之後，將旭硝子(股）公司製之氟素樹脂（商品名：cytop Χ-S)於住友3M(股)公司製之敗素溶液(商品名：n〇vec7_

S 201142490 Λ ί 液(濃度6%)塗佈於框架之反面，並後以 化’形成黏接劑層。之後使平坦度為_之 將石英玻璃板以靴加熱ω分鐘。使SSi i 接‘部至室溫後’藉由去除石英玻璃板，可獲得平 * 镇胺之ί ’將較上驗塵薄驗件框架更大之雜所防塵 劑ί，’將件框架之黏接劑側，藉由加熱黏接 更外側的部分，完並絲較防塵薄膜組件框架 此防塵薄膜組件之平坦度係以具有χγ Α =。麟接麵之作麟-，鮮 罩之ίίΐΞί if组件’貼附於平坦度為α25阳之光_，光 ί。千—又為卿。變化量為。.°1卿，可抑制為非常小之 [比較例] 麵細_(外形尺寸149_出麵、 以ί水洗淨後為咖) 框破璃板上後，將塗佈黏著劑之防塵薄膜組件 4 ϊ後將，二吏；著劑與隔離膜接觸，使黏著劑形成平 之後將車又上述防塵薄膜組件框架更大之銘框所取得的防塵 201142490 ，貼赚上述_軸組件框架之雜麵，藉*加孰黏接' ，，將防塵，固胁黏接劑層，去除較防塵薄膜組件^^ 外側的部分，元成防塵薄膜組件。 /、 此-防塵薄膜組件之平坦度係以具有χγ平台之雷射位 定。膜黏接劑側之平坦度為15μιη，黏著劑表面之平坦度“ 將此一防塵薄膜組件，貼附於平坦度為〇.25μπι之光罩後，光 罩之平坦度變化為〇.3〇μΛ1。 九 【圖式簡單說明】 圖1顯示本發明之微影用防塵薄膜組件的說明示意圖。 圖2_顯不將本發明之微影用防塵薄膜組件貼附於光罩之狀 悲的說明示意圖。 【主要元件符號說明】 1微影用防塵薄膜組件 2防塵薄膜組件框架 3防塵薄膜 4黏接劑(層） 5黏著劑(層） 6光罩 7 (防塵薄臈組件安裝器之)加壓板

Claims (1)

1. 201142490 七、 申請專利範圍： 1、一種微影用防塵薄膜組件，其特徵為： 防塵薄膜組件框架之一端面設有膜黏接劑，藉此一黏接劑將 防塵薄膜張設連接於框架；另一方之框架端面設有黏著劑層；該 黏接劑層之表面的平坦度為ΙΟμιη以下。 八、 圖式： 9