TW201137392A - Method of manufacturing optical filter, analytical instrument, and optical apparatus - Google Patents

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201137392 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種濾光器之製造方法、分析機器及光機 器。 【先前技術】 目前提出有一種方法，該方法係不拘泥於基體之材質， 不使用接著劑或固體接合，而將2個基體以高尺寸精度牢 固地且於低溫下效率良好地接合（專利文獻丨）。藉由該方 法’可利用活化能將分別設置於2個基體上之接合膜活 化’而使接合膜彼此接合。 該接合方法可用於多種用途，其用途之一係可使透射波 長改變之干涉濾光器（專利文獻2)。如專利文獻2之圖1所 示’其具備：相互保持平行之一對基板、以及於該一對之 基板上以相互對向且具有固定間隔之間隙之方式形成的一 對反射膜。入射至一對反射膜間的光基於與法布立·培若 干涉儀（Fabry-Perot interferometer)相同之原理被多重反 射’藉由干涉消除特定波長頻帶以外之光，僅透射特定波 長頻帶之光。藉由可使一對反射膜間之間隙改變，該干涉 滤光器可作為窄波通據光器（bandpass filter)而發揮功能 被稱為標準具（etalon)。 該一對反射膜可由例如專利文獻2所示之介電質多層 膜、或確保高反射率之金屬膜而形成。 關於專利文獻2、3之干涉濾光器之製造，可期待使用專 利文獻1之技術將一對基板接合。 153760.doc 201137392 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]曰本專利第4337935號公報 [專利文獻2]曰本專利特開平π·ΐ42752號公報 [專利文獻3]曰本專利特開2009-1 34028號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 另一方面，專利文獻1之接合方法可利用臭氧或紫外線 將接合膜活化而進行接合。對於該接合膜之活化步驟，已 判明有如下擔憂：由金屬或介電質多層膜所形成之—對反 射膜受損而發生變質或劣化，導致反射率降低。 因此，本發明之若干態樣係提供一種滤光器之製造方 法、分析機器及光機器，該製造方法可於對接合膜施加活 化能時，抑制接合膜以外之膜體因臭氧或紫外線而發生變 質或劣化。 [解決問題之技術手段] (1)本發明之一態樣之濾光器之製造方法，其特徵在於 包括如下步驟：準備具有第丨反射膜、與上述第丨反射膜之 周圍之第1接合區域的第1基板的步驟；於上述第丨反射膜 形成第1障壁膜，於上述第1接合區域形成第丨接合膜的 步驟；準備具有第2反射膜、與上述第2反射膜之周圍之第 2接合區域的第2基板的步驟；於上述第2反射膜形成第禆 壁膜，於上述第2接合區域形成第2接合膜的步驟；經由第 一構件，對上述第1接合膜照射臭氧或紫外線的第^照 153760.doc 201137392 射步驟；經由第2光罩構件，對上述第2接合膜照射臭氧或 ’、外線的第2照射步驟；以及將上述第1接合膜與上述第2 接合膜接合，而使上述第丨基板與上述第2基板貼合的步 驟；並且於上述第1照射步驟中，第丨光罩構件於上述第t 接合區域之上方具有第1開口部，且上述第丨光罩構件之— 部分位於上述第1反射膜之上方。 根據本發明之一態樣，於第i照射步驟中，第丨光罩構件 於第1接合區域之上方具有第丨開口部，且上述第丨光罩構 件之-部分位於第i反射膜之上方…第i反射膜上形成 有第1障壁膜。 藉此，可抑制臭氧或紫外線對第丨反射膜之照射。因 此，可抑制第1反射膜之變質或劣化。 進而’藉由第1光罩構件，亦可抑制臭氧或紫外線對第i 障壁膜之照射°藉此’可抑制W障壁膜之活化。其結果 為’於將第！基板與第2基板貼合之步驟中，可抑制第碑 壁膜與第2障壁膜之貼合。 ⑺本發明之一態樣之特徵在於：於上述第2照射步驟 中’上述第2光罩構件於上述第冰合區域之上方具有第2 開口部’且上述第2光罩構件之-部位於上述第2反射膜之 上方。 藉此，可抑制臭氧或势 -%外線對第2反射膜之照射。因 此’可抑制第2反射膜之變質或劣化。 進而，藉由第2光罩構件， ^ ^ _ 亦可抑制臭氧或紫外線對第2 障壁膜之照射。藉此，可 矛 T抑制第2障壁膜之活化。其結果 153760.doc 201137392 = 基板貼合之步驟ι可抑制第2障 ㈠本發月《態樣之特徵在於：上述第1障壁膜與上述 第1接合膜係於同—步驟中形成，上述第2障壁膜與上述第 2接合膜係於同一步驟中形成。 藉此’由於係以同-步驟進行用於形成第1障壁膜之步 7 〇第膜之成膜步驟’故而無需增設用於形成第1 章』膜之步驟。又’由於係以同-步驟進行用於形成第2 障J膜之步驟、與第2接合膜之成膜步驟，故而無需增設 用於形成第2障膜之步驟。因&，可效率良好地製造減 光器。 ^ ()本發月之態樣之特徵在於：上述障壁膜之材料 與上述第1接合膜之材料不同，上述第2障壁膜之材料與上 述第2接合膜之材料不同。 (5) 本發明之-態樣之特徵在於··於上述第1照射步驟 中，上述第1光罩構件與第1障壁膜相隔，於上述第2照射 步驟中’上述第2光罩構件與上述第2障壁膜相隔。藉此， 可防止第1光罩構件與第1障壁膜之接觸，因此可防止由該 接觸引起之第1障壁膜之損傷。又，可防止第2光罩構件與 第2障壁膜之接觸，因此可防止由該接觸引起之第2障壁膜 之損傷。 (6) 本發明之一態樣之特徵在於：於形成上述第丨接合膜 之步驟中，上述第1接合膜含有具有矽氧烷鍵之Si骨架、 與鍵結於上述Si骨架上之脫離基，於形成上述第2接合膜 153760.doc 201137392 之步驟中，上述第2接合膜含有具有矽氧烷鍵之Si骨架、 與鍵結於上述Si骨架上之脫離基，藉由上述第丨照射步 驟，使上述脫離基自上述第1接合膜之上述Si骨架脫離而 形成懸鍵（dangling bond)，藉由上述第2照射步驟，使上述 脫離基自上述第2接合膜之上述Si骨架脫離而形成懸鍵， 於將上述第1基板與上述第2基板貼合之步驟中，藉由使上 述第1接合膜之上述懸鍵與上述第2接合膜之上述懸鍵鍵 結’而使上述第1接合膜與上述第2接合膜接合。 藉此，使懸鍵彼此鍵結’可將第1基板、第2基板牢固地 接合。 (7) 本發明之一態樣之特徵在於： 於準備上述第1基板之步驟中’於上述第1基板上，於上 述第1反射膜與上述第丨接合區域之間的區域形成第1電 極， 於準備上述第2基板之步驟中，於上述第2基板上，於上 述第2反射膜與上述第2接合區域之間的區域形成第2電 極0 (8) 本發明之一態樣之分析機器，其特徵在於：包含藉 由上述濾光器之製造方法而製造之濾光器。 (9) 本發明之一態樣之光機器，其特徵在於：包含藉由 上述濾光器之製造方法而製造之濾光器。 【實施方式】 以下，對本發明之適宜實施形態進行詳細說明。再者， 以下所說明之本實施形態並非不合理地限定申請專利範圍 I53760.doc 201137392 所記載之本發明之内容者’本實施形態所說明之構成之全 部内容並非本發明之解決手段所必須者。 1·接合體及其製造方法 圖1(A)〜圖1(D)係表示接合體i之製造方法。接合體1如 圖1(D)所示，至少具有如下部分：第1基體2A、與第1基體 2A對向之第2基體2B、設置於第丄基體2A上之第丄接合膜 3A、設置於第2基體2B上之第2接合膜3B、設置於第i基體 2A上之第1膜體4A、以及覆蓋第丨膜體4A之表面的第丨障壁 膜5A。於圖1(D)中，設置有形成於第2基體2B上之第2膜體 4B、與覆蓋第2膜體4B之表面的第2障壁膜5B。第1基體、 第2基體2A、2B係藉由使第i接合膜、第2接合膜3A、犯彼 此接合而貼合。藉由使第丨接合膜、第2接合膜3a、3B彼 此接合，而形成接合膜3。

再者，第2膜體4B及第2障壁膜5B並非必須。又，於設 置第2膜體4B及第2障壁膜5B之情形時，該等與第i膜體4A 及第1障壁膜5A之位置關係亦可不為圖1(D)所示之對向關 係，並無限定。 第1接合膜3A與第1膜體4A之位置關係亦無限定。尤其 是，於下述活化能賦予步驟中之活化能之供給方向為全方 位之情形等時’第1接合膜3A與第1膜體4A亦可形成於第1 基體2A之同一面侧。因此，第1接合膜3A並限定為如圖 1(D)所示形成於高度與形成有第i膜體4A之第i基體2A之 接合面不同的面上，亦可形成於與接合面同一面、或與接 合面對向之背面。第2接合膜3B與第2膜體4B之關係亦相 153760.doc 201137392 同。 首先’如圖1(A)所示，分別製造形成有第1接合膜3ai、 第1膜體4A及第1障壁膜5A的第1基體2A，與形成有第2接 合膜3B1、第2膜體4B及第2障壁膜5B的第2基體2B。此 處，第1接合膜3A1及第2接合膜3B1係表示圖1(B)之活化能 賦予步驟之前之非活性之膜狀態。活化前之第i接合膜3A1 與第1障壁膜5A可使用同一材料同時形成。同樣地，活化 前之第2接合膜3B1與第2障壁膜5B可使用同一材料同時形 成。活化前之第1接合膜3A1與第！障壁膜5A亦可使用不同 材料。同樣地，活化前之第2接合膜3B1與第2障壁膜化亦 可使用不同材料。 其次，如圖1(B)所示，關於活化前之第j接合膜、第2接 合膜3A1、3B1，係藉由臭氧或紫外線對其俯視不之至少 一部分區域、即俯視下之第i接合膜，第2接合膜3ai、 3B1之整個面或一部分區域分別賦予活化能。藉此，使第又 接合膜、第2接合膜3A1、3B1活化，而形成表現出相互之 接著性的活化後之第！接合膜、第2接合臈3A2、3B2。此 時和用第1光罩構件6 Α來抑制臭氧或紫外線對第丨障壁臈 5A之表面的入射，而將約障壁膜5A維持在非活性狀態。 第1光罩構件6A具有開口 6A1，因此對第】接合膜3ai賦予 活化能。 同樣地，利用第2光罩構件6B來抑制臭氧或紫外線對第2 障壁膜5B之表面的入射’而將第2障壁膜5b維持在非活性 狀態。第2光罩構件印具有開口 6m ’因此對第2接合膜 153760.doc 201137392 3B1賦予活化能。 其次，如圖1(C)所示，使活化後之第1基體、第2基體 2A2、2B2相對向，至少施加"，而將藉由活化而呈現 出接著性之第1接合膜、第2接合膜3A2、3B2彼此接合。 藉此，可製造如圖1(D)所示之接合體1。 此處，第1基體2A只要具有可支持第丨接合膜3A'第1臈 體4A及第1障壁膜5A之程度之剛性，則可由任何材料構 成。第2基體2B亦相同。 具體而έ ’作為第1基體、第2基體2A、2B之構成材 料，可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、乙烯_ 乙酸乙烯酯共聚物（EVA)等聚稀烴，環狀聚稀烴、改性聚 烯烴、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚醯胺、聚 醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚碳酸酯、聚_(4_曱基戊烯一）、 離子聚合物、丙烯酸系樹脂、聚曱基丙烯酸甲酯、丙烯 腈-丁二烯-苯乙烯共聚物（ABS樹脂）、丙烯腈-苯乙烯共聚 物（AS樹脂）、丁二烯_苯乙烯共聚物、聚甲醛、聚乙烯醇 (PVA)、乙烯-乙烯醇共聚物（EV〇H)、聚對苯二曱酸乙二 酯（PET)、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二嗤 (PBT)、聚環己烷對苯二甲酸酯（PCT)等聚酯，聚醚，聚麵 酮（PEK)，聚醚醚酮（PEEK)，聚醚醯亞胺，聚缩駿 (POM)，聚苯醚、改性聚苯醚、聚砜、聚醚颯、聚笨硬 醚、聚芳酯、芳香族聚酯（液晶聚合物）、聚四氟乙烯、聚 偏二氟乙烯、其他氟系樹脂，苯乙烯系、聚烯烴系、聚氣 乙烯系、聚胺基甲酸酯系、聚酯系、聚醯胺系、聚丁二歸 153760.doc -11· 201137392 系、反式聚異丁烯系、氟橡膠系、氣化聚乙烯系等之各種 熱塑性彈性體，環氧樹脂、酚醛樹脂、脲樹脂、三聚氰胺 樹脂、芳香族聚醯胺系樹脂、不飽和聚酯、矽樹脂、聚胺 基甲酸酯等、或以該等為主之共聚物、摻合物、聚合物摻 合物等樹脂系材料；Fe、Ni、Co、Cr·、Mn、Zn、Pt、

Au、Ag、Cu、Pd、A1、W ' Ti、V、Mo、Nb、Zr、Pr、

Nd、Sm之類的金屬、或含有該等金屬之合金、碳鋼、不 鏽鋼、氧化銦錫（ITO)、砷化鎵之類的金屬系材料；單晶 矽、多晶矽、非晶矽之類的矽系材料；矽酸玻璃（石英玻 璃）、鹼矽酸鹽玻璃、鈉石灰玻璃、鉀石灰玻璃、鉛（鹼）玻 璃、鋇玻璃、硼矽酸玻璃之類的玻璃系材料；氧化鋁、氧 化鍅、鐵氧體、氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氮化鈦、碳化 矽、碳化硼、碳化鈦' 碳化鎢之類的陶瓷系材料；石墨之 類的碳系材料；或將該等各材料之〖種或2種以上組合而成 之複合材料等。 又，對於第1基板、第2基板2A、2B，亦可對其表面實 施鍍Ni之類的鍍敷處理、鉻酸鹽處理之類的鈍化處理 '或 氮化處理等。又，第i基體、第2基體2A、2B之形狀並不 限定為板狀。即，第i基體、第2基體2A、2B之形狀亦可 為例如塊狀（block)、棒狀等。 再者，本實施形態中，若第1基體、第2基體2A、2B* 之至少一者例如第2基體2A為板狀，則第2基體2B變得易 彎曲，成為可沿著第丨基體2A之形狀充分地變形者，因而 該等之密接性會進一步提高。又，第1基體2Λ與第1接合膜 153760.doc •12· 201137392 3A之密接性提高，並且第2基體2B彎曲，藉此可在某程度 上緩和接合界面所產生之應力。 於該情形時，第1基體2A之平均厚度並無特別限定，較 佳為〇·01〜1GmmA右’為了確保彎曲性，更佳為0.1〜3 mm 左右。再者，第2基體2B之平均厚度亦較佳為在與第丨基體 2A之平均厚度相同 之範圍内。 圖1(D)所示之活化前之第i接合膜、第2接合膜3a、3B 如例如圖2所不，可具有含有矽氧烷（8丨_〇_8丨〇)鍵3〇2之“ 月架301與鍵結於该Si骨架301上之脫離基3 〇3。圖 UB)(C)所示之活化後之第i接合膜、第2接合膜3八2、3β2 如圖3所示，鍵結於Si骨架3〇1上之脫離基3〇3脫離而形成 活性鍵304 »再者，活性鍵3〇4包括：Si骨架3〇1上之未被 封端之鍵（以下亦稱為「懸鍵」）、與該懸鍵被經基（〇h*) 封細而成者。藉由使第！接合膜3 A2之活性鍵中之懸 鍵、與第2接合膜3B2之活性鍵3〇4中之懸鍵鍵結，可使第1 接合膜、第2接合膜3A2、3B2彼此接合。 又，對於第}基體2A之欲形成至少第1接合膜3B1之區 域，較佳為根據第1基體2A之構成材料，於形成第i接合膜 3A1之前，預先實施提高第丨基體2A與第丨接合膜之密 接性的表面處理。 作為所述表面處理，例如可列舉：濺鍍處理、喷射處理 之類的物理表面處理’使用氧電漿、氮電漿等電漿處理， 電暈放電處理、钱刻處理、電子束照 處理、臭氧暴露處理之類的化學表面處理，或合 153760.doc 201137392 之處理等。藉由實施此類處理，可淨化第〗基體2A之欲形 成第1接合膜3A的區域，並且使該區域活化。藉此，可提 高第1基體2A與第1接合膜3A1之接合強度。第2基體23與 第2接合膜3B1之接合強度亦可藉由相同之方式提高。 第1膜體、第2膜體4A、4B係會因臭氧或紫外線而發生 變質或劣化之材質的膜。作為第！膜體、第2膜體4a、 之變質或劣化之作用，可列舉氧化、硫化、氮化等。 此種膜之代表例為金屬膜。氧氣於臭氧環境中，或藉由 紫外線會轉化為臭氧，而該金屬膜有時會被臭氧所氧化。 又，環境中之氣體或第1膜體、第2膜體4A、化本身有時 會因紫外線而活化，第1膜體、第2膜體4A、仙有時會被 環境中之硫化氫Hj等所硫化，或者被環境中之氮氧化物 NOx所氮化。進而，金屬膜若被紫外線照射，則金屬原子 會因光電效應而離子化，從而變得易氧化、硫化或氮化。 於第1膜體、第2膜體4A、4B為金屬氧化物之情形時， 原本不易與氧反應，但存在受到物理損傷，或者被過度氧 化而導致膜質發生變化之虞。 第1膜體、第2膜體4A、4B並不限定為該等，為可藉由 臭氧或紫外線而發生變質或劣化之材質之膜即可。 第1障壁膜、第2障壁膜5A、5B係由臭氧或紫外線之透 射率低於第1膜體、第2膜體4A、4B之材料所構成。第i障 壁膜、第2障壁膜5A、5B可由與第1接合膜、第2接合膜 3A1、3B1相同之材料同時形成。於該情形時，第工障壁 膜、第2障壁膜5A、5B如圖2所示，可具有含有矽氧烷（Si· 153760.doc 201137392 O-SiO)鍵302之Si骨架301、與鍵結於該Si骨架301上之脫離 基3〇3。由於第1障壁膜、第2障壁膜5α、π未活化，故而 脫離基3 03未脫離而殘留。 使第1障壁膜、第2障壁膜5A、5B不發生活化之第丨光罩 構件、第2光罩構件6A、6B係由臭氧或紫外線之透射率較

低之材料所形成。該第1光罩構件、第2光罩構件6A、6B

雖然可藉由成膜而密接形成於第i膜體、第2膜體4a、4B 上’但根據第1膜體、第2膜體3A、3B之功能，需要在之 後除去第1光罩構件、第2光罩構件6A、6B。於活化能賦

予步驟後，若難以在不將第丨障壁膜、第2障壁膜5a、5B 活化之情況下除去第i光罩構件、第2光罩構件6A、6B(例 如姓刻專）’則第1光罩構件、第2光罩構件6A、6B不宜藉 由成膜而密接形成於第1膜體、第2膜體4A、4B上。於此 種情形時，第1光罩構件、第2光罩構件6A、6B較佳為藉 由接著以外之方法以可裝卸之方式安裝在第〗基體第2基 體2A、2B上。 2·於濾光器之應用 2.1.濾光器之構造之概要 圖4係本發明之接合體之實施形態之濾光器1〇之整體的 縱剖面圖，圖5係將濾光器1〇之一部分切斷之概略立體 圖。圖4及圖5所示之濾光器1〇包含第丨基板（廣義上為第i 基體）20、以及與第丨基板1〇相對向之第2基板（廣義上為第2 基體）30。本實施形態中，係將第j基板2〇設為固定基板或 底部基板，將第2基板30設為可動基板或隔離基板，但只 153760.doc •15· 201137392 要其中一者或兩者可動即可。 第1基板、第2基板2 0、3 0係分別由例如納玻璃、結晶性 玻璃、石英玻璃、船玻璃、卸玻璃、删碎酸玻璃、無驗玻 璃等各種玻璃、或水晶等所形成。本實施形態中，各基板 20、30之構成材料為合成石英玻璃。第1基板、第2基板 20、30分別形成為邊上例如為1〇 mm之正方形，圓形之發 揮隔板功能之部分的最大直徑例如為5 mm。 第1基板20具有與第2基板30相對向之對向面20A，第2基 板30具有與第1基板20相對向之對向面3〇a ^本實施形態 中’對向面20 A上形成有例如高度各自不同之第丨〜第4對向 面20A1〜20A4 ’對向面30A係形成為平坦面。 第1基板20之第1對向面20A1上形成有第1反射膜（廣義上 為第1膜體）40’第2對向面20A2上形成有第1電極6〇，第3 對向面20A3上形成有第1接合膜1〇〇，第4對向面2〇a4上形 成有第1配線層62。第2基板30之對向面30A上分別形成有 與第1反射膜40相對向之第2反射膜（廣義上為第2膜體）5〇、 與第1電極60相對向之第2電極70、與第1接合膜100相對向 之第2對向膜11 〇、以及與中間配線層6 2 B相對向之第2配線 層72。又，第1反射膜1〇〇之表面形成有第}障壁膜12〇，第 2反射膜110之表面形成有第2障壁膜130 ^再者，第丨障壁 膜120亦可形成於第1反射膜40以外之膜上。同樣地，第2 障壁膜130亦可形成於第2反射膜50以外之膜上。 再者’如圖4所示’第1基板、第2基板20、30之外周部 形成有用於將第1電極60與外部連接之第1電極取出部M、 153760.doc -16- 201137392 與用於將第2電極70與外部連接之第2電極取出部74。於第 1電極取出部64中，與第！電極6〇導通之以配線層62係與 第1引線68連接。於第2電極取出部74中，形成於第2基板 3〇上之第2配線層72經由焊錫等導電材料66與第丨基板2〇側 ' 之轉接配線層62B導通，於轉接配線層62B上連接有第2引 - 線 7 6。 作為底部基板之第1基板2〇係對厚度形成為例如5〇() 之玻璃基材進行蝕刻而形成第丨〜第4對向面2〇αι〜2〇α4。 第1基板20於與第2基板30相對向之對向面2〇Α中之中央之 第1對向面20Α1上形成有例如圓形之第i反射膜4〇。第2基 板30係對厚度形成為例如2〇〇 μϊη之玻璃基材進行蝕刻，而 如圖5所不形成薄壁之例如環狀之隔部32，其中心位置形 成有厚壁之反射膜支持部34。第2基板30係於與第1基板2〇 相對向之對向面30Α上，於反射膜支持部34之位置形成有 與第1反射膜40相對向之例如圓形之第2反射膜5〇。 第1反射膜、第2反射膜40、50係形成為例如直徑約為3 mm之圓形狀。該第1反射膜、第2反射膜4〇、5〇係由相同 材料形成為相同厚度。第1反射膜、第2反射膜40、50使用 滅鍵法或蒸鍍法將例如Ag、A卜Si02、Ti02、Ta205等材 料製成單層膜或積層膜’以最外表面為Ag、Al等之金屬膜 之方式形成。第1反射膜、第2反射膜40、50可製成金屬層 之單層’亦可製成例如將Ti〇2與Si〇2交替積層而成之介電 質多層膜。 進而’第1基板、第2基板20、30之各對向面20A1、 153760.doc 17- 201137392 20A2、30A可於相反側之面上，於與第1反射膜、第2反射 膜40、50對應之位置形成未圖示之抗反射膜（AR)。該抗反 射膜係藉由將低折射率膜及高折射率膜交替積層而形成， 使第1基板、第2基板20、30之界面的可見光之反射率降 低，而使透射率增大。 於表面形成有第1障壁膜、第2障壁膜12〇、13〇的第！反 射膜、第2反射膜40、50係經由圖4所示之第1間隙G1而對 向配置。再者，本實施形態中，係將第i反射膜4〇設為固 疋鏡，且將第2反射膜50設為可動鏡，但可根據上述第 板、第2基板20、30之態樣，而將第】反射膜、第2反射膜 40、50之任一者或兩者設為可動。 於俯視下位於第1反射膜4〇之周圍，且位於第}基板2〇之 第1對向面20A1之周圍的第2對向面2〇A2上形成有第1電極 60。同樣地，於第2基板30之對向面3〇a上，與第1電極6〇 對向設置有第2電極70。第1電極6〇與第2電極7〇如圖5所 述，係形成例如環狀，經由圖4所示之第2間隙而對向配 置。再者，第i電極、第2電極6〇、7〇之表面可由絕緣膜包 覆。 本實施形態中，第i基板20之對向面2〇A上具有形成有第 1反射膜40之第1對向面20A1、與於俯視下配置於第丨對向 面20A1之周圍且形成有第i電極6〇的第2對向面2〇A2。第工 對向面20A1與第2對向面2〇A2可為同一面，但於本實施形 態中’第1對向面20A1與第2對向面20A2之間存在高低 差’第2對向面2GA2係'設定在較第！對向面2謝更接近第2 153760.doc -18- 201137392 隙G2之關 基板30的位置。藉此，實現第1間隙01>第2間 係。此外，亦可設為第1間隙〇1<第2間隙G2〇 第1電極、第2電極60、70係由相同材料形成為相同厚 度。於本實施形態中，第i電極、第2電極6〇、7〇係使用換 雜有氧化錫作為雜質之透明ITO(Indium Tin 〇xide:氧化 銦錫）藉由濺錢法形成為例如0.1 μΓη左右之厚度。因此， 致動器部之間隙取決於凹部之深度、電極之厚度、接合膜 之厚度。此處，電極部之材料並不限定於ΙΤ〇，亦可使用 金等金屬作為材料，本實施形態中，基於如下原因而使用 ΙΤΟ .由於電極部之材料為透明，故而易確認是否放電 等0 此處，一對第1電極、第2電極6〇、7〇係作為可改變第i 反射膜、第2反射膜40、50間之第1間隙G1之大小的間隙可 變驅動部80而發揮功能。本實施形態之間隙可變驅動部8〇 為靜電致動器。靜電致動器8〇係對一對第i電極、第2電極 60、70賦予電位差，藉由由此產生之靜電引力使一對第1 電極、第2電極60、70間之第2間隙G2之大小變得可變，而 使第2基板3 0相對於第1基板2〇相對移動，藉此使第1反射 膜、第2反射膜40、50間之第1間隙g 1之大小變得可變。再 者，間隙可變驅動部80並不限定為靜電致動器，可由壓電 元件等代替。 2.2.接合膜與障壁膜 於俯視下位於第1電極60之周圍，且位於第1基板20之第 2對向面20A2之周圍的第3對向面20A3上形成有第1接合膜 153760.doc -19- 201137392 100。同樣地’第2基板30之對向面3〇A上，與第i接合膜 100對向設置有第2接合膜11〇。 第1障壁膜120係覆蓋第丨反射膜4〇之表面而形成，且係 由臭氧或紫外線之透射率低於第丨反射膜4〇之材料所形 成。同樣地，第2障壁膜13〇係覆蓋第2反射膜5〇之表面而 形成且係由臭氧或紫外線之透射率低於第2反射膜5〇之 材料所形成。 此處’第1接合膜、第2接合膜1〇〇、ιι〇可於藉由照射臭 氧或紫外線而賦予活化能後進行接合。並且，帛【障壁膜 120可於對至少第!接合膜1〇〇賦予活化能之前形成，第2障 』膜130可於對至少第2接合膜UG賦予活化能之前形成。 若如此，則於藉由照射臭氧或紫外線對第丨接合膜1〇〇或第 2接合膜m賦予活化能時，可抑制臭氧或紫外線對第】反 射膜40或第2反射膜50之入射。如此，第i反射膜、第2反 射膜40 50可抑制藉由暴露於臭氧或紫外線中而發生變質 或劣化’而抑制反射率之降低。 關於第1反射膜、第2反射膜4〇、5〇，尤其是高反射膜有 時使用金屬膜例如Ag、A1等。該等金屬膜之耐環境性較 差’例如藉由暴露於氧電漿之臭氧、或者由紫外線照射所 產生之臭氧中，金屬氧化膜有時會發生變質。進而，若對 金屬膜照射外線’則金屬原子會因光電效應而離子化， 從而變得易於氧化或硫化。另_方面，即便使用介電質多 層膜作為第1反射膜、第2反射膜4〇、5G，雖然介電質多層 膜係由金屬氧化膜等所形成，原本不易與氧反應，但存在 153760.doc •20· 201137392 受到物理損傷’或者過度氧化而導致膜質發生變化之虞。 本實施形態中，係利用第1障壁膜、第2障壁膜120、130來 抑制第1反射膜、第2反射膜40、50之變質或劣化。 再者，第1障壁臈、第2障壁膜120、130之形成時期並不 限定於活化能賦予步驟前。其原因在於：於將濾光器1〇組 入使用紫外線之機器中時，亦可保護第丨反射膜、第2反射 膜不爻臭氧或紫外線影響。如此，就考慮到濾光器丨〇之實 際使用、長期保護第i反射膜、第2反射膜4〇、5〇的觀點而 吕，第1障壁膜、第2障壁膜12〇、130較佳為除耐臭氧或紫 外線以外，耐環境性亦較強之膜質。尤其是，第丨障壁 膜、第2障壁膜120、no較佳為與第i反射膜、第2反射膜 4〇、50相比具備如下特性：與硫化氫（Η』）等之反應性（硫 化性）較低、與函素系之反應性（函素性）較低、就作為商品 之可罪性方面而言耐濕性較高等。 此處，第1接合膜、第2接合膜1〇〇、110可藉由電漿聚合 法而形成電漿聚合膜。此時，第丨障壁膜、第2障壁膜 120、130可與第1接合膜、第2接合膜1〇〇、11〇同一步驟而 形成電漿聚合膜。若如此，則將第丨障壁膜、第2障壁膜 120、130之成膜步驟兼用作第i接合膜、第2接合膜1〇〇、 110之成膜步驟，無需追加製造製程，因此可維持濾光器 10之低成本化。又，第丨障壁膜120亦可由與第丨接合膜1〇〇 不同之材料所形成》同樣地，第2障壁膜13〇亦可由與第2 接合膜110不同之材料所形成。第丨接合膜、第2接合膜 100、110及第1障壁膜、第2障壁膜12〇、13〇各自於電漿聚 153760.doc •21· 201137392 合時可含有具有矽氧烷（Si_〇_Si)鍵之Si骨架、與鍵結於以 骨架上之脫離基。 圖2係模式性地表示此種電漿聚合膜之構造。尤其是， 圖2係表不由電漿聚合膜所形成之第丨障壁膜、第2障壁膜 120、130之構造，且與由電漿聚合膜所形成之第i接合 膜、第2接合膜1〇〇、11〇之賦予活化能前之構造相同。因 此，對於圖2而言，以下雖然係說明第丨障壁膜、第2障壁 膜120、130,但其說明亦適用於第丨接合膜、第2接合膜 1〇〇、11〇之賦予活化能前之第j接合膜、第2接合膜i〇〇a、 110A(參照下述圖7(C)及圖9(D))。 又，圖3係表示藉由活化能將具有圖2所示之構造的賦予 活化能前之第1接合膜、第2接合膜1〇〇A、11〇A活化後之 第1接合膜、第2接合膜100B、110B(參照下述圖1〇)之構 造。 第1障壁膜、第2障壁膜120、130如上述圖2所示，活化 後之第1接合膜、第2接合膜loos、110B如上述圖2所示， 分別具有含有矽氧烷（Si-〇_Si)鍵302且具有例如無規之原 子構造的Si骨架301。圖2所示之第1障壁膜、第2障壁膜 120、130第1接合膜、第2接合膜1〇〇、ι1〇具有鍵結於以骨 架301上之脫離基303。另一方面，圖3所示之活化後之第j 接合膜、第2接合膜100B、110B自Si骨架301脫去脫離基 303而具有活性鍵3〇4。 第1障壁膜、第2障壁膜120、130及活化後之第1接合 膜、第2接合膜100B、110B受到含有石夕氧院鍵302且具有無 153760.doc -22- 201137392 規之原子構造的Si骨架301之影響，成為不易變形之牢固 的膜。認為其原因在於：Si骨架301之結晶性降低，不易 產生晶粒界之錯位或偏移等缺陷。因此，膜本身成為接合 強度、耐化學品性及尺寸精度較高者，最終獲得之第^接 合膜、第2接合臈1〇〇、no及第丨障壁臈、第2障壁膜12〇、 130亦具有較商之对化學品性及尺寸精度，第1障壁膜、第 2障壁膜120、130具有較高之接合強度。 上述第1障壁膜、第2障壁膜120、130之特性可基於具有 含有矽氧烷（Si-0-Si)鍵302之Si骨架301、與鍵結於Si骨架 301上之脫離基303的構造來說明。即，氣體之通過路徑被 石夕氧院（Si-0-Si)鍵302阻斷’可具有較高之阻氣性。又， 第1障壁膜、第2障壁膜120、130由於不具有圖3所示之懸 鍵304，故而反應性較低’而具有不易氧化或硫化之性 質進而’石夕氧院（Si-〇-Si)鍵302會如Si02般吸收包括紫 外線之波長頻帶的200 ηιη以下之波長。第1障壁膜、第2障 壁膜120、130雖然會吸收紫外線，獲得激發而使能態提 尚’但碎氧燒（Si-〇-Si)鍵3〇2之鍵能高於紫外線之激發能 量’因而無狀態變化。 若對具有圖2之構造的賦予活化能前之第1接合膜、第2 接合膜100A、110A賦予活化能，則脫離基3〇3會自Si骨架 301脫離’如圖3所示，經活化之第1接合膜、第2接合膜 100B、110B之表面及内部產生活性鍵（懸鍵）3〇4。藉此， 活化後之第1接合膜、第2接合膜1〇〇B、110B之表面表現出 接著性’第1接合膜、第2接合膜1〇〇B、hob之活性鍵304 153760.doc •23· 201137392 中之懸鍵彼此鍵結’藉此形成圖4所示之經接合之第1接合 膜、第2接合膜1〇〇、110。具備經活化之第丨接合膜1〇〇6的 第1基板20可以高尺寸精度牢固且效率良好地與具備經活 化之第2接合膜ii〇B的第2基板3〇接合。 第1障壁膜、第2障壁膜120、130及活化後之第！接合 膜、第2接合膜100B、丨丨⑽係不具有流動性之固體狀者。 因此，與先前之具有流動性之液狀或黏液狀之接著劑相 比，膜之厚度或形狀幾乎無變化。藉此，膜之尺寸精度顯 著高於先前。進而，由於不再需要接著劑之硬化所需之時 間’故而可以短時間實現牢固之接合。 關於第1障壁膜、第2障壁膜12〇、130及第！接合膜、第2 接合膜100、110，尤其是自構成膜之全部原子中除去Η原 子的原子中Si原子之含有率與〇原子之含有率之合計較佳 為10〜90原子％左右’更佳為20〜80原子％左右。若以含有 該範圍之含有率含有Si原子與〇原子，則接合膜31中“原 子與〇原子形成牢固之網狀物，第1障壁膜、第2障壁膜 120、130及第i接合膜、第2接合膜1〇〇、11〇本身成為牢固 之膜。又，第1接合膜、第2接合膜100、11〇變得可以高接 合強度來接合第1基板、第2基板2〇、30。 ° 又，第1障壁膜、第2障壁膜120、130及第丨接合膜、第2 接合膜100、110中之Si原子與〇原子之存在比較佳為 3.7〜7.3左右，更佳為4:6〜6:4左右。藉由將以原子與〇原子 之存在比設定在該範圍内’可使膜之穩定性提高。藉此， 第1接合膜、第2接合膜⑽、11()亦變得可以高接合強度來 153760.doc •24· 201137392 接合第1基板 '第2基板20、30。 再者’第1障壁膜、第2障壁膜120、130及第1接合膜、 第2接合膜1〇〇、110中之Si骨架3〇1之結晶化度較佳為45% 以下，更佳為40%以下。藉此，Si骨架301成為充分含有無 規之原子構造者《因此’上述Si骨架301之特性變得明 顯。 又’第1障壁膜、第2障壁膜120、130及第1接合膜、第2 接合膜100、110較佳為於其構造中含有8丨_11鍵。該3丨#鍵 係藉由電漿聚合法使矽烧進行聚合反應時於聚合物中所生 成者’此時’ Si-H鍵會阻礙規則地生成石夕氧烧鍵。因此， 藉由以避開Si-H鍵之方式形成;ε夕氧烧鍵，會使si骨架3〇1 之原子構造之規則性降低。如此，藉由電漿聚合法，可效 率良好地形成結晶化度較低之Si骨架30 1。 另一方面，並非第1障壁膜、第2障壁膜120、130及第1 接合膜、第2接合膜100、110中之Si-H鍵之含有率越高， 結晶化度越降低。具體而言，於紅外光吸收光譜中，於將 屬於矽氧烷鍵之波峰的強度設為1時，屬於Si_H鍵之波峰 的強度較佳為0.001〜0.2左右，更佳為0.002〜〇.〇5左右，更 佳為0.005〜0.02左右。藉由使Si-H鍵相對於石夕氧烧鍵的比 例在該範圍内，原子構造會成為相對最無規者。因此，於 Si-H鍵之波峰強度相對於矽氧烷鍵之波峰強度的比例在該 庫ϋ圍内之情形時’第1障壁膜、第2障壁膜120、130及第1 接合膜、第2接合膜100、110於耐化學品性及尺寸精度方 面尤其優異’第1接合膜、第2接合膜1〇〇、no於接合強度 153760.doc -25- 201137392 方面亦優異。 又，鍵結於si骨架301上之脫離基303如上述所述，係發 揮藉由自Si骨架301脫離，而使接合臈3丨生成活性鍵之作 用者。因此，脫離基303需具有如下性質：藉由賦予能 量，會相對簡單且均勻地脫離，但未賦予能量時，不會脫 離而切實地鍵結於Si骨架301上。 就所述觀點而言，脫離基303較佳為使用如下者：由選 自由Η原子、B原子、c原子、N原子、〇原子、p原子、s 原子及鹵素系原子、或含有該等各原子且該等各原子鍵結 配置於Si骨架301上之原子團所組成群中之至少丨種所構成 者。所述脫離基303於由賦予能量引起之鍵結/脫離之選擇 性方面相對優異。因此，此種脫離基3〇3可充分滿足上述 之必要性，可進一步提高第丨接合膜、第2接合膜1〇〇、u〇 之接著性。 再者，作為如上述之各原子鍵結配置於si骨架3〇1上之 原子團（基），例如可列舉：甲基、乙基之類的烷基，乙烯 基、烯丙基之類的烷浠基’醛基、酮基、羧基、胺基、醯 胺基、硝基、齒化烷基、巯基、磺酸基、氰基、異氰酸酯 基等。 該等各基中，脫離基303尤佳為烷基。烷基由於化學穩 定性較高’故而含有烷基之第1障壁膜、第2障壁膜12〇、 13 0於耐候性及耐化學品性等阻隔性方面優異。 此處’於脫離基303為甲基（-CH3)之情形時，較佳含有 率係根據紅外光吸收光譜之波峰強度以如下方式規定。 153760.doc -26- 201137392 即於紅外光吸收光譜中，於將屬於矽氧烷鍵之波峰的強 度設為1時，屬於尹基之波峰的強度較佳為0.05〜0.45左 右’更佳為0.1〜0.4左右，更佳為〇 2〜〇 3左右。藉由使甲 基之波峰強度相對於碎氧炫鍵之波峰強度的比例在該範圍 内’ T基會防止對石夕氧烧鍵之生成的過度阻礙，並且使活 化後之第1接合膜、第2接合膜1〇〇B、n〇B中生成必要且充 分之數量的活性鍵304，因此活化後之第〗接合膜、第2接 合膜100B、Π0Β會產生充分之接著性。 作為具有此種特徵之第！障壁膜、第2障壁膜12〇、13〇及 第1接合膜、第2接合膜1〇〇、11〇之構成材料，例如可列舉 聚有機梦氧烧之類的含有石夕氧烧鍵之聚合物等。由聚有機 石夕氧院構成之膜’其本身具有優異之機械特性。又，對多 種材料表現出尤其優異之接著性。因&，由聚有機石夕氧烧 構成之第1接合膜、第2接合膜100、11〇表現出尤其強力之 被接著力’結果可牢固地接合第！基板、第2基板2〇、3〇。 又，聚有機矽氧烷通常表現出撥水性（非接著性），但藉 由賦予活化能，可容易地脫去有機基，而變化驗水性，曰 具有雖然表現出接著性，但可容易且切實地控制該非接著 性與接著性的優點。 再者，該撥水性（非接著性）主要由聚有機矽氧烷中所含 之烷基發揮作用。因此，由聚有機矽氧烷構成之活 第1接合膜、第2接合膜100A、110A具有如下優點 化前之 :藉由 賦予活化能’可使表面表現出接著性，並且於表面以外之 部分，獲得上述烷基之作用、效果。因此’ 第1障壁膜、 153760.doc -27- 201137392 第2接合膜1〇〇、1】〇於 第2障壁膜120、i3〇及第！接合膜 耐候性及耐化學品性方面優異。 取有機矽氧烷 八甲基三矽氧烷之聚合 物作為主成分者。以八甲基三石夕氧貌之聚合物作為主成分 之第1接合膜、第2接合膜⑽、11〇於接著性方面尤其優 異’因此尤其適宜。又，以八甲基三矽氧烷作為主成分之 原料於常溫下為液狀，具有適度之黏度，因此亦具有操作 容易之優點。 又，第U章壁膜、第2障壁膜120、13〇及第】接合膜、第2 接合膜ΐθθ、ll0之平均厚度較佳為卜⑺⑼nm左右，更佳 為2〜800 nm左右。藉由使第丨接合膜、第2接合膜1〇〇、11〇 之平均厚度在該範圍内，可防止尺寸精度顯著降低，並且 可更加牢固地接合第i基板、第2基板2〇、3〇。即於平均 厚度低於下限值之情形時，存在未獲得充分之接合強度之 虞另方面’於平均厚度超過上限值之情形時，存在尺 寸精度明顯降低之虞。 進而’若平均厚度在上述範圍内，則可確保某程度之形 狀追隨性。因此，例如於第！基板、第2基板2〇、3〇之接合 面上存在凹凸之情形時，雖然亦取決於此凹凸之高度，但 可以追隨凹凸之形狀之方式接著第1接合膜、第2接合膜 110。結果第1接合膜、第2接合膜1〇〇、11〇可吸收凹 凸’而緩和其表面所產生之凹凸之高度，從而可提高相互 之密接性。 此種第1障壁膜、第2障壁膜120、130及第1接合膜、第2 153760.doc •28· 201137392 接合膜100、110可藉由任何方法製作，可藉由電漿聚合 法、CVD法、PVD法之類的各種氣相成膜*、或各種液相 成膜法等來製作，該等中較佳為藉由電聚聚合法進行製 作。若藉纟電漿聚合法，則可效率良好地製作敏密且均質 之膜。藉此，藉由電漿聚合法制作之第丨接合膜、第2接合 膜1〇〇、no可尤其牢固地接合第丨基板、第2基板2〇、3〇。 進而，藉由電漿聚合法制作之第丨接合膜、第2接合膜 100、110被賦予活化能後，可相對長時間地維持活化狀 態。因此，可謀求濾光器10之製造過程之簡化、效率化。 3.濾光器之製造方法 3.1·第1基板20之製造步驟 圖6(A)〜圖6(c)及圖7(A)〜圖7(c)係表示第i基板20之製造 步驟。首先，如圖6(A)所示，對合成石英玻璃基板之兩面 進行鏡面研磨，而製作厚度為5〇〇 μΓη之第}基板2〇。 其次’於第1基板20之兩面20A、20B，形成包含厚度例 如為50 nm之Cr膜及其上之厚度為50〇 nmiAu膜的光罩層 (圖6(B)中已省略’與圖8(B)之光罩層14〇、141相同），於 單面20A側之光罩層上塗佈抗蝕劑（未圖示），且於單面2〇A 上形成用以形成凹部22之抗蝕劑圖案，該凹部22係用於形 成第1對向面20A1。其後，利用碘與碘化鉀之混合液蝕刻 抗姓劑開口部之Au膜，利用硝酸鈽銨水溶液蝕刻(^膜，利 用例如氫氟酸水溶液將凹部22濕式蝕刻至例如約1 ·5 μηΐ2 深度（參照圖6(B))。其後’自第！基板2〇剝離抗蝕劑及光罩 層。 153760.doc -29- 201137392 其次，於第1基板20之兩面2〇A、20B形成光罩層，於單 面20A之光罩層上塗佈抗蝕劑（未圖示），於形成有凹部22 之面20A上進而形成第2對向面、第4對向面2〇A2、2〇八4的 抗蝕劑圖案。其後，蝕刻抗蝕劑開口部2Au臈與&膜，利 用例如氫氟酸水溶液將單面20A濕式蝕刻至例如約i pm之 深度（參照圖6(C))。藉此，於第】基板2〇之對向面2〇a上同 時形成第2對向面、第4對向面20A2、20A4，同時未經蝕 刻之對向面20A成為第3對向面2〇Α3β其後，自第i基板2〇 剝離抗蝕劑及光罩層。 其次，使用濺鍍法，於第1基板2〇之經蝕刻之整個面上 形成例如厚度為0.1 μιη之之ITO膜。於此IT0膜上塗佈抗姓 劑，形成抗钱劑圖案，利用例如硕酸與鹽酸之混合液姓刻 ΙΤΟ膜，並將抗蝕劑剝離。藉此，於第！基板2〇之第2對向 面20Α2上形成第1電極60，於第1基板2〇之第4對向面2〇Α4 上形成第1配線層62及中間配線層62Β(參照圖7(A))。 其次’形成僅於第1基板20上之第1反射膜4〇之形成區域 開口之抗蝕劑圖案’藉由濺鍍法或蒸鍍法將反射膜材料成 膜。第1反射膜材料係自第2基板2 0側起，依序積層例如厚 度為50 nm之Si02、厚度為50 nm之Ti02、厚度為50 nm2 A g。.其後’藉由剝離抗餘劑，將第1反射膜材料剝離（η行 off) ’使第1反射膜材料僅於抗蝕劑具有開口之區域有殘 留’而形成第1反射膜40(參照圖7(B))。 其次，形成僅於欲形成第1接合膜100A及第1障壁膜12〇 之區域開口的抗蝕劑圖案，藉由電漿CVD法形成例如厚度 I53760.doc • 30· 201137392 為30 nm之兼具接合膜及障壁膜之電漿聚合獏。本實施例 中，第1接合膜100A及第1障壁膜12〇係於同—步驟中形 成°電装聚合膜藉由石夕氧院（Si_〇_Si)鍵而阻斷氣體之通過 路徑，可具有較高之阻氣性，且具有反應性較低，不易氧 化或硫化之性質。進而，矽氧烷（su〇_si)鍵會如si〇2般吸 收包括紫外線之波長頻帶的2〇〇 nm以下之波長。第^障壁 膜120雖然會吸收紫外線，獲得激發而使能態提高，但矽 氧烷（Si-0-Si)鍵之鍵能高於紫外線之激發能量，因而無狀 態變化。f«合膜之主材料較佳為上述聚有機石夕氧炫。 關於電漿聚合，一對電極間所施加之高頻電力之頻率為 1〜100 kHz、較佳為1〇〜6〇 kHz，腔室内力為ΐχΐ〇·5〜⑺ Torr、較佳為 ΐχΐο-4〜！ τ〇ΓΓ(133 3χ1〇.4〜133 3 pa)、原料氣 體流量為0.5〜200 sccm、較佳為卜1〇〇 sccm，載氣流量為 5〜750 seem、較佳為10〜5〇〇 sccm，處理時間為卜丨❹分 鐘、較佳為4〜7分鐘。 其後，藉由剝離抗蝕劑，將電漿聚合膜剝離，而形成第 1接合膜100A及第1障壁膜12〇(參照圖。藉此，製成 第1基板20。 3.2.第2基板30之製造步驟 圖8(A)〜圖8(D)及圖9(A)〜圖9(D)係表示第2基板30之製造 步驟。首先，對成石英玻璃基板之兩面進行鏡面研磨，而 製作厚度為200 μιη之第2基板3〇(參照圖8(A))。 其次，於第2基板30之兩面30A、30B形成包含厚度例如 為50 nmiCr膜及其上之厚度為500 nm之Au膜的光罩層 153760.doc -31- 201137392 140、142(參照圖 8(B))。 其认’於第2基板30之光罩層140上塗佈抗钮劑（未圖 示）’於單面30B上形成用於形成隔部32(圖3參照）的抗蝕劑 圖案。繼而’利用碘與碘化鉀之混合液蝕刻光罩層14〇之 Au膜’利用硝酸鈽銨水溶液蝕刻光罩層14〇之（^膜，而形 成經圖案化之光罩層141 (參照圖8(C))。 其次’將第2基板30浸入氫氟酸水溶液中，將隔部32蝕 刻例如約150 μιη(參照圖8(D))。隔部32之厚度例如約為50 μηι，包含反射膜支持部34之厚壁區域殘留2〇〇 μηι之厚 度。 其次，分別剝離第2基板30之兩面30Α、30Β所附著之抗 蝕劑、或光罩層141、142(參照圖9(A))。 其次，於與第2基板30之蝕刻面30Β相對之面30Α上，使 用濺鑛法形成例如厚度為0.1 μη!之ΙΤΟ膜。於此ΙΤΟ膜上塗 佈抗蝕劑，形成用於形成第2電極70、第2配線層72之抗蝕 劑圖案’利用硝酸與鹽酸之混合液蝕刻ΙΤ〇膜。其後，自 第2基板3 0除去抗蝕劑（參照圖9(B))。 其次’於第2基板30上之形成有第2電極70之單面30Α 上，形成僅於第2反射膜50之形成區域開口之抗蝕劑圖 案’藉由濺鍍法或蒸鍍法將第2反射膜材料成膜。作為成 膜例，係自第2基板30側起，依序積層厚度為5〇 nm之 Sl〇2、厚度為50 nm之Ti02、厚度為5〇 nm之Ag。其後，藉 由剝離抗蝕劑，將第2反射膜材料剝離，而形成第2反射膜 5〇(參照圖9(C))。 153760.doc -32· 201137392 其次’形成僅於欲形成第2接合膜iiOA及第2障壁膜i3〇 之區域開口的抗蝕劑圖案’藉由電漿CVD法形成例如厚度 為30 nm之兼具接合膜及障壁膜之電漿聚合膜。本實施例 中’第2接合膜11〇A及第2障壁膜π〇係同時形成。電漿聚 合膜藉由矽氧烷（Si_〇_si)鍵而阻斷氣體之通過路徑，可具 有較高之阻氣性，且具有反應性較低，不易氧化或硫化之 性質。進而，矽氧烷（Si-〇-Si)鍵會如Si02般吸收包括紫外 線之波長頻帶的2〇〇 nm以下之波長。第2障壁膜13〇雖然會 吸收1外線，獲得激發而使能態提高，但矽氧烷 鍵之鍵能高於紫外線之激發能量，因而無狀態變化。電漿 聚σ膜之主材料較佳為上述聚有機石夕氧烧。其後，藉由剝 抗蝕劑將電漿聚合膜剝離，而形成第2接合膜iiOA及 第2障壁膜13〇(參照圖9_。藉此，製成第2基板30。 3 · 3.活化能賦予步驟 ,圖1〇係表示對約基板20之第i接合膜100Α賦予活化能而 形成經活化之第1接合膜1GGB的步驟。圖11係表示對第2基 板30之第2接合膜110八賦予活化能而形成經活化之第2接合 膜U〇B的步驟。對第1接合膜、第2接合膜職、110A賦 予活化能之方法有多種，本文舉2個例子進行說明。 由臭氧之活化，例如可列舉〇2電幾處理。於採 用〇2電桌處理之情形時旦 了你於U2抓里例如為20〜40 CC/分 鐘’壓力例如為2〇〜35 p RF A f a RF功率例如為150〜250 W之條 件下，於電漿處理容器 處理例如丨〇〜40秒鐘。 ⑴基板、第2基板2〇、 153760.doc -33- 201137392 另一例為藉由紫外線（uv)照射者，例如使用發光波長為 150〜300 nm、較佳為16〇〜2〇〇 ηπι者作為UV光源，以 3〜3 000 nm、較佳為1〇〜1〇〇〇 nm之間距對活化前之第丨接合 膜、第2接合膜ι〇ΟΑ、110A照射例如丨〜⑺分鐘之紫外線。 如圖10及圖11所示，亦可分別對第丄基板、第2基板2〇、 30進行處理，尤其是採用紫外線照射之情形時，亦可將第 1基板、第2基板20、30積層，透射例如石英玻璃制之第1 基板20及/或第2基板3〇而照射紫外線。 該活化能賦予步驟中，如上所述，係自活化前之第1接 合膜、第2接合膜100A、110A之Si骨架301上脫去脫離基 303 ’使賦予活化能後之第}接合膜、第2接合膜i〇〇b、 110B生成活性鍵3〇4而被活化。又，活化能賦予步驟中’ 如上所述，第1障壁膜、第2障壁膜12〇、n〇可保護第1反 射膜、第2反射膜40、50不受臭氧或紫外線影響。 尤其疋本貫施形態中’如圖1 0及圖1 1所示，係利用第1 光罩構件、第2光罩構件140、150抑制臭氧或紫外線對第丄 障壁膜、第2障壁膜120、130之表面的入射’而將第1障壁 膜、第2障壁膜120、130維持在圖2所示之非活性狀態。第 1光罩構件140於與第1接合膜10〇a相對向之位置具有第1開 口 142 ’而僅對第1接合膜1〇〇A賦予活化能。同樣地，第2 光罩構件150於與第2接合膜110A相對向之位置具有第1開 口 152，而僅對第2接合膜110A賦予活化能》 第1光罩構件、第2光罩構件14〇、15〇係以可裝卸之方式 安裝於第1基板、第2基板20、30上。實際上，第1基板、 153760.doc -34· 201137392 第2基板20、3 0上同時形成有多個濾光器丨〇，貼合後各個 濾光器10被分隔，於此情形時，可將具有複數個開口 142、152之第1光罩構件、第2光罩構件140、150逐個安裝 至第1基板、第2基板20、30上。 第1光罩構件、第2光罩構件140、150可密接於第1基 板、第2基板20、30之最外層，但為了防止劃傷最外層， 亦可不與最外層接觸。 3.4.第1基板、第2基板之接合步驟 於賦予活化能後，進行第1基板、第2基板20、30之對 準’如圖12所示將第1基板、第2基板20、30重疊，並施加 負重。此時’如上所述’賦予活化能後之第1接合膜、第2 接合膜100Β、110Β之活性鍵（懸鍵）3〇4彼此鍵結，而使第1 接合膜、第2接合膜1〇〇、11〇牢固地接合。藉此，完成第1 基板、第2基板20、30彼此之接合。其後，形成圖1所示之 第1電極取出部64、與用於將第2電極70與外部連接之第2 電極取出部74，而製成濾光器10。 4.分析機器 圖13係表示使用有本發明之接合體即濾光器的分析機器 之一例的測色儀之概略構成的方塊圖。 於圖13中，測色儀200具備光源裝置202、分光測定裝置 203、以及測色控制裝置204。該測色儀200係自光源裝置 202對檢查對象Α射出例如白色光，並使由檢查對象a反射 之光即檢查對象光入射至分光測定裝置2〇3。繼而，利用 分光測定裝置203將檢查對象光分光，實施測定經分光之 153760.doc •35· 201137392 各波長之光之光量的分光特性測定。換言之，係使由檢查 對象A反射之光即檢查對象光入射至濾光器（標準具）1()， 並實施測定自標準具10透射之透射光之光量的分光特性測 定。繼而’利用測色控制裝置204，基於所獲得之分光特 性，進行檢查對象A之測色處理、即分析何種波長之色之 含量如何。 光源裝置202具備光源210、複數個透鏡212(圖13中僅記 載有1個），對檢查對象A射出白色光。又，複數個透鏡212 包含準直透鏡’光源裝置202利用準直透鏡使自光源21〇射 出之白色光成為平行光，自未圖示之投射透鏡將該平行光 射出至對檢查對象A。 分光測定裝置203如圖13所示，具備標準具1〇、作為光 接收部之光接收部220、驅動電路230、以及控制電路部 240。又’分光測定裝置203於與標準具1〇相對向之位置具 備將自檢查對象A反射之反射光（測定對象光）導入至内部 之未圖示之入射光學透鏡。 光接收部220係由複數個光電交換元件構成，會產生與 光接收量對應之電氣訊號。並且，光接收部220與控制電 路部240相連接’將所產生之電氣訊號作為光接收訊號輸 出至控制電路部240。 驅動電路230與標準具1〇之第1電極6〇、第2電極7〇、及 控制電路部240相連接。該驅動電路230基於自控制電路部 240輸入之驅動控制訊號’對第1電極6〇及第2電極7〇間施 加驅動電壓’而使第2基板30移動至預定位移位置。作為 153760.doc •36· 201137392 驅動電壓，只要以可於第丄 ^ , 电泣⑽與第2電極70之間產生所 =差之方式施加即可，例如亦可對第!電極6。施加預 ::壓1第2電極7〇作為接地電極。作為驅動電壓，較 佳為使用直流電壓。 :制電路部240係控制分光測定裝置2〇3之整體動作。該 電路部240如圖13所示，係由例如CPU 250、儲存部 等所構成，CPU 25〇基於儲存部％㈣儲存之各 種程式、各種資料而實施分光測^處理。錯存部26〇係具 備例如記憶體或硬碟等記錄媒體而構成，以可讀取之方式 適且儲存各種程式、各種資料等。 处儲存°卩260中，作為程式，儲存有電壓調整部 %!、間隙測定部262、光量識別部263、及測定部264。再 者間隙測定部262如上所述亦可省略。 又，儲存部260中儲存有與為了調整第！間隙⑺之間隔而 施加至靜電致動器川之電壓值、及此電壓值之施加時間相 關的電壓表資料265。 測色控制裝置204與分光測定裝置203及光源裝置2〇2相 連接，係實施光源裝置202之控制、基於由分光測定裝置 203取得之分光特性的測色處理。作為該測色控制裝置 204，可使用例如通用個人電腦、或個人數位助理、其他 測色專用電腦等。 並且，測色控制裝置2〇4如圖13所示，係具備光源控制 部272、分光特性取得部27〇、及測色處理部271等而構 成0 153760.doc •37· 201137392 光源控制部272與光源裝置202相連接。並且，光源控制 部272基於例如用戶之設定輸入，對光源裝置2〇2輸出預定 之控制訊號’自光源裝置202射出預定亮度之白色光。 分光特性取得部270與分光測定裝置203相連接，係取得 自分光測定裝置203輸入之分光特性。 測色處理部271係基於分光特性，而實施測定檢查對象A 之色度的測色處理。例如’測色處理部27丨係實施如下處 理·將自分光測定裝置2〇3獲得之分光特性圖表化，並輸 出至未圖示之印表機或顯示器等輸出裝置等處理。 圖14係表示分光測定裝置2〇3之分光測定動作的流程 圖首先，控制電路部240之CPU 250啟動電壓調整部 26 1、光量識別部263、及測定部264。又，CPU 250係將測 疋人數變量η初始化（設定為11=〇)作為初始狀態（步驟§1)。 再者’測定次數變量η係取〇以上之整數之值。 其後，測定部264於初始狀態、即未對靜電致動器8〇施 加電壓之狀態下，測定透射標準具1〇之光的光量（步驟 S2)。再者，該初始狀態下之第！間隙⑴之大小於例如分光 測定裝置之製造時亦可預先測定，並儲存於儲存部26〇。 繼而，將此處所獲得之初始狀態之透射光之光量、及第i 間隙G1之大小輸出至測色控制裝置2〇4。 其次，電壓調整部26!係讀取儲存於儲存部26〇中之電壓 表資料265(步驟S3)。又’電壓調整部261係將測定次數變 量η加「1」（步驟S4)。 153760.doc -38- 201137392 其後’電壓調整部261自電壓表資料265取得與測定次數 變量n相對應之第1電極、第2電極60、70之電壓資料及電 壓施加期間資料（步驟S5)。繼而，電壓調整部261向驅動 電路230輸出驅動控制訊號，依據電壓表資料265之資料來 實施對靜電致動器80進行驅動之處理（步驟S6)。 又，測定部264係根據施加時間經過時序實施分光測定 處理（步驟S7)。即，測定部264利用光量識別部263測定透 射光之光量。又，測定部264係控制與所測定之透射光之 光里及透射光之波長相關的分光測定結果對測色控制裝置 2〇4之輸出。再者，光量之測定亦可先將複數次或總次數 之光量資料儲存至儲存部260中，每當取得複數次光量資 料或全部光量資料後，一併測定各自之光量。 其後，CPU 25 0判斷測定次數變量η是否達到最大值ν(步 驟S8) ’若判斷測定次數變量η為ν，則結束一系列分光測 定動作。另一方面’於步驟S8中，於測定次數變量η未達Ν 之情形時，則返回步驟S4，實施將測定次數變量η加「1」 之處理’再重複步驟S5〜步驟S8之處理。 5.光機器 圖15係表示使用有本發明之接合體即濾光器的光機器之 一例之波分多工通訊系統之傳送機之概略構成的方塊圖。 波分多工（WDM : Wavelength .Division Multiplexing)通訊 藉由利用波長不同之訊號不會相互干擾之特性，將波長不 同之複數個光訊號於一根光纖内多工地使用，可不增設光 纖線路而提高資料之傳輸量。 153760.doc •39. 201137392 於圖15中，波分多工傳送機300具有來自光源310之光所 入射之濾光器10，自濾光器10透射複數個波長λ0、λ1、 λ2、…之光。每個波長設置有傳送器3 11、3 12、3 13。利 用波分多工裝置321，將來自傳送器311、312、313之複數 個通道之光脈衝訊號合而為一，傳出至一根光纖傳輸路 331 中。 本發明同樣可應用於光分碼多工（OCDM : Optical Code

Division Multiplexing)傳送機。其原因在於：〇cdm雖然 係藉由經編碼之光脈衝訊號之圖形比對（pattern matching) 識別通道’但構成光脈衝訊號之光脈衝含有波長不同之光 成分。 以上，對若干實施形態進行 理解在實質上不脫離本發明之新穎事項及效果的範圍内可 進行多種變形。因此，此種變形例全部包括在本發明之範 圍内。例如，說明書或圖式中，至少一次與更廣義或同義 之不同用語一併記載之用語，在說明書或圖式之任何位置 均可替換為與其不同之用語。 【圖式簡單說明】 圖1(A)〜圖1(D)係表示本發明之實施形態之接合體之 造方法的圖。 圖2係模式性地表示賦予活化能前之電浆聚合膜⑷膜 體、第^膜體、第〗障壁膜、第2障壁膜）之構造的模式圖。' 的f圖模式性地表示賦予活化能後m合膜之構造 153760.doc 201137392 驟 的圖 圖7(A)〜圖7(C)係分別表示第1基板之第4〜 的圖 圖4係本發明之-實施形態之滤光器整體之縱剖面圖。 圖5係將圖4所述之濾、光器之—部分切斷之概略立體圖° 圖6(A)〜圖6(C)係分別表示第工基板之第丨〜第3製止 第6製造步驟 驟 驟 圖8(A)〜圖8(D)係分別表示第2基板之第丨〜第4製造步 的圖。 圖9(A)〜圖9(D)係分別表示第2基板之第5〜第8製造步 的圖。 圖10係表示對活化前之第丨接合膜賦予活化能之步驟的 圖 圖11係表示對活化前之第2接合膜賦予活化能之步驟的 圖 圖12係表示第1基板 '第2基板之接合步驟的圖。 圖13係使用濾光器之分析裝置之方塊圖。 圖14係表示利用圖13所示之裝置進行分光測定動作的流 程圖。 圖1 5係使用有濾光器之光機器的方塊圖。 【主要元件符號說明】 1 2A 2B 3 接合體 第1基體 第2基體 接合膜 153760.doc •41- 201137392 3A 第1接合膜 3A1 .活化前之第1接合膜 3A2 活化後之第1接合膜 3B 第2接合膜 3B1 活化前之第2接合膜 3B2 活化後之第2接合膜 4A 第1膜體 4B 第2膜體 5A 第1障壁膜 5B 第2障壁膜 6A 第1光罩構件 6A1 開口 6B 第2光罩構件 6B1 開口 10 渡光器 20 第1基板 20A、20B 基板20的兩面 20A1 第1對向面 20A2 第2對向面 20A3 第3對向面 20A4 第4對向面 22 凹部 30 第2基板 30A、30B 基板3 0的兩面 153760.doc -42- 201137392 32 隔部 34 反射膜支持部 40 第1反射膜 50 第2反射膜 60 第1電極 62 第1配線層 62B 中間配線層 64 第1電極取出部 66 導電材料 68 第1引線 70 第2電極 72 第2配線層 74 第2電極取出部 76 第2引線 80 間隙可變驅動部（靜電致動器） 100 、 110 第1接合膜、第2接合膜 100A、110A 活化前之第1接合膜、第2接合膜 100B 、 110B 活化後之第1接合膜、第2接合膜 120 第1障壁膜 130 第2障壁膜 140 第1光罩構件 141 光罩層 142 第1開口 150 第2光罩構件 153760.doc -43- 201137392 152 第2開口 200 分析機器（測色儀） 202 光源裝置 203 分光分析裝置 204 測色控制裝置 210 光源 212 透鏡 220 光接收部 230 驅動電路 240 控制電路部 250 CPU 260 儲存部 261 電壓調整部 262 間隙測定部 263 光量識別部 264 測定部 265 電壓表資料 270 分光特性取得部 271 測色處理部 272 光源控制部 300 光機器 301 Si骨架 302 矽氧烷鍵 303 脫離基 153760.doc .44- 201137392 304 活性鍵（懸鍵） 310 光源 311 、 312 、 313 傳送器 321 波分多工裝置 331 光纖 A 檢測對象 G1 第1間隙 G2 第2間隙 I53760.doc -45-

Claims (1)

1. 201137392 七、申請專利範圍： 1· 一種滤光器之製k方法’其包括如下步驟： 準備具有第丨反射膜、與上述第i反射膜之周圍之第丄 接合區域的第1基板的步驟， • 於上述第1反射膜上形成第1障壁膜，於上述第i接合 區域形成第1接合膜的步驟， 準備具有第2反射膜、與上述第2反射膜之周圍之第2 接合區域的第2基板的步驟， 於上述第2反射膜上形成第2障壁膜，於上述第2接合 區域形成第2接合膜的步驟， 經由第1光罩構件，對上述第丨接合膜照射臭氧或紫外 線的第1照射步驟， 經由第2光罩構件，對上述第2接合膜照射臭氧或紫外 線的第2照射步驟， 將上述第1接合膜與上述第2接合膜接合，而使上述第 1基板與上述第2基板貼合的步驟； 於上述第1照射步驟中，第丨光罩構件於上述第i接合 區域之上方具有第1開口部，上述第丨光罩構件之一部分 * 位於上述第1反射膜之上方。 - 2·如請求項1之濾光器之製造方法，其中 於上述第2照射步驟中，上述第2光罩構件於上述第2 接合區域之上方具有第2開口部，上述第2光罩構件之一 部分位於上述第2反射膜之上方。 3.如請求項1或2之濾光器之製造方法，其中 153760.doc 201137392 上述第!障壁膜與上述第旧合膜係於同—步驟形成， 上述第2障壁膜與上述第2接合膜係於同—步驟形成。 4. 如請求項1或2之濾光器之製造方法，其中 上述第1障壁膜之材料與上述第丨接合膜之材料不同， 上述第2障壁膜之材料與上述第2接合膜之材料不同。 5. 如請求項1至任一項之濾光器之製造方法，其中 於上述第1照射步驟中，上述第1光罩構件與上述第！ 障壁膜相隔， 於上述第2照射步驟中，上述第2光罩構件與上述第2 障壁膜相隔。 6. 如請求項1至5中任一項之濾光器之製造方法其中 於形成上述第1接合膜之步驟中，上述第1接合膜含有 具有矽氧烷鍵之Si骨架、與鍵結於上述“骨架上之脫離 基， 於形成上述第2接合膜之步驟中，上述第2接合膜含有 具有矽氧烷鍵之Si骨架、與鍵結於上述以骨架上之脫離 基’ 藉由上述第1照射步驟，使上述脫離基自上述第丨接合 膜之上述Si骨架脫離而形成懸鍵， 藉由上述第2照射步驟’使上述脫離基自上述第2接合 膜之上述Si骨架脫離而形成懸鍵， 於將上述第1基板與上述第2基板貼合之步驟中，藉由 使上述第1接合膜之上述懸鍵與上述第2接合膜之上述懸 鍵鍵結’而使上述第1接合膜與上述第2接合膜接合。 153760.doc 201137392 如請求項1至6中任一項之濾光器之製造方法，其中 於準備上述第1基板之步驟中，上述第1基板於上述第 1反射膜與上述第1接合區域之間的區域形成有第1電 極， 於準備上述第2基板之步驟中，上述第2基板於上述第 2反射獏與上述第2接合區域之間的區域形成有 極。 8. —種分析機器 光器之製造方 ’其包含藉由如請求項1至7中任 法所製造之濾光器。 一項之濾 9· 一種光機器 器之製造方 ’其包含藉由如請求項 法所製造之濾光器。 至7中任一項之濾光 153760.doc