TW201135847A - Device for the heat treatment of substrates - Google Patents

Description

201135847 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於熱處理一基材的熱處理内室， 其係根據如描述於例如定義同屬類型之美國 6,703,589 B1中描述的巾請專利範圍第1項之預特性化子 句。本發明另外關於一種具有一熱處理内室之處理室，玆 熱處理内室係配置於一外室之内部且係適合用於根據申： 專利範圍S 19項之預特性化子句熱處理—基材。 " 【先前技術】 為了基材之表面熱處理（例如藉由在一高真空中使用 金屬蒸氧之凝結來塗佈或藉由濺鍍製程），通常需要其中 基材（及可能施加至基材上之塗層）係經受熱前處理及/或 =理之製程步驟。為此㈣，基材通常借助於一熱源而 加熱至所需溫度且維持在此溫度處達到一預定時間。 、德國專利DE 103 04 774 B3揭示―種用於加熱卫件之 方其中該工件係容納於一封閉容器中且基材係借助於 -氣體之對流加熱。該氣體被饋送於一熱本體之上，且後 續圍繞待加熱之工件流動。該方法容許將熱非常均勻地轉 移至工件’但需要一加熱流之存在。此外，在較大的二維 工件之情況下，具有一高表面功率密度（大於1〇w/cm2)之 快速加熱（大於PC/S)僅能相當困難地達到。 歐洲專利EP 662 247 B1描述一種二階段方法，其係用 於產生一薄膜太陽能電池，在其過程中會實行一熱處理。 201135847 為了在一基材上產生二硒化銅銦（CIS)半導體層，該半導 體之構成成分銅、銦及硒係首先依元素形式施加於具有— 鉬電極之基材上；此層結構係後續一起加熱至大約4〇'〇t之 一製程溫度，因此係形成CIS半導體層。該層結構之熱處 理經實行使得構成成分之一所需部分壓力係在加熱製程期 間維持。為了確保此，具有該層結構之基材被圍封在—封 閉谷益内（例如石墨盒且藉由使用加熱機才冓（例如鹵 素燈）於此容器内加熱。封閉容器確保沒有成分可能在加 熱製程期間逸出，使得-具有該等成分之所需化學計量比 的黃銅礦係在該基材上產生。石墨具有—高放射率及—高 導.、’、率’且可因此快速地且有效率地吸收藉由鹵素燈放射 之輕射且將其傳遞至包含於石墨盒中之層結構。至於一替 代，已提出借助於光學機構同時將該層結構圍封於一由一 透月材料（例如石英）製成之一容器中來將其加熱。 夕若歐洲專利EP 662 247 B1中描述之容器是用於大表面 =多層本體之熱處理，則存在（尤其在快速加熱之情況下） 止種將不均勻熱輸入至多層本體之個別層的危機，其可能 ^層之破裂或破壞。為了避免此問題，德國專利DE i 99 36 081 δ 1 I® j-vs 知議提供用於加熱之複數個能源，借助於其該多 :::之個別層可個別地加熱。為此目的，-透明本體被 -己^介於待被加熱之該層及其相關能源之間，其傳輸與吸 璃陶：人針對經關注之該層調適。加熱本體可例如由一玻 璃陶瓷組成，其吸收及傳輸熱輻射之一大部分。依此方式， 熱處理期P卩U L , 乃間發生之機械應力係意欲減至最小。特定言之， 201135847 該多層本體可配置在一封閉容器中，其面向能源之壁是藉 由透明本體形成。 美國專利US 6,703,589 B1 (其定義同屬類型）描述_ 種處理室，其係用於在一有毒及/或腐蝕性氣體環境中之工 件：熱處理。該處理包含一外室，其中配置一封閉熱處理 内至’待加熱之X件被引進人後者。處理室另外包含加熱 機構，熱處理内室及包含於其内之工件借助於加熱機構： 熱。 用於基材熱處理之各種方法與裝置係因此可自前亦文 獻中得知。熱處理内室之壁典型是由—吸收及傳輸熱輕射 之材料（例如石墨或一玻璃陶竞）組成。此結果係被 入熱處理内室之功率的—大部分將此室之壁加熱，其可炉 導致當循環時間短時使此等壁過熱。此外，功率之 係藉由熱處理内室之壁向外輻射。此尤其當熱處理内二 藉由另-1(例如一真空室）圍繞時會有問題， 者

將會經歷可對於真空容器及包含於其内之靈敏構件J 壞。 谓 【發明内容】 一本發明之目的在於提供一種用於基材熱處理 内至，其尤其當使用硒時可於一非常短之 能源有效率㈣入一基材内，而不導致熱處理二：熱 室壁）之過熱。其另外-目的在於提供—種處理室， 許在保遵性氣體環境及/或一真空中之基材熱處理。4 201135847 該專目的係藉由申请專利範圍獨立項之特徵達到。申 請專利範圍附屬項係關於有利之組態。 因此，用於處理一基材之熱處理内室具有壁，其圍封 熱處理内至之一内部空間；具有一安裝設備，其係用於在 熱處理期間安裝該基材；及具有—能源，其係用於將能量 引進入至熱處理内室之内部空間，熱處理内室之内部的至 少一部分係形成以反射藉由該能源引進入之功率， 其特徵在於該熱處理内室之内部的至少一部分係由一 至少對於紅外輻射係高度反射之材料組成。 由反射至少紅外線輻射之一材料製造該等壁的内部相 較於先前技術係有利地達成簡化及更經濟地製造。 在下文中，间度反射之術語指具有一反射比係大於6〇 % ，較佳係大於80% ，特別較佳係大於9〇%之一材料。反 射比之此等值較佳係在介於25〇奈米與3000奈米之間，尤 其較佳係在介於_奈米與2刚奈米之間的波長範圍中提 供。該材料經熱穩定至高達200t：，較佳係高達5〇(rc，特 別較佳係900°C 〇該材料較佳係相對於用於熱處理之基材 (例如硒）為惰性。 —在另一實施財’纟熱處理期容納基材之熱處理内 室具有一冷卻裝置，熱處理内室之壁可用其冷卻。借助於 該冷卻裝置’熱處理内冑（在其内高溫會在熱處理期間借 助於一能源產生）Τ與周圍熱隔離。該冷卻裝置進一步移 除經引進人室壁之熱能’且因此防止熱處理内室之過執。 該冷卻裝置較佳係形成為_種用於具有一高比熱能力 201135847 之液體或氣體冷卻劑（尤其是、 x_ )之冷卻回路，冷卻劑据 %通過熱處理内室之壁。為此目 丨循 詈於且古么，、 、，…、處理内室之壁係設 置於具有冷部通道之至少區 、本 ^ ，冷卻劑通過冷卻通道镇 送。有利的是熱處理内室之所有 暹饋 付藉由熱處理内室在外室之方 之 ^ ρρ .,,, 门中的熱輻射可在所有側上 文Ρ艮或減少。冷卻通道可為I + …山 在熱處理内室之壁上依-曲折型 狀伸；在此情況下，冷卻通道較佳係依冷的冷卻劑被引 進入至-壁區域内之此一方式配置，肖區域在熱處理期間 受最密集之加熱’自該區域冷卻劑被饋送至較無熱應力之 壁區域。 若意欲在熱處理Θ室之内部空間内產生非常高的溫度 (大於500t且高達2000。(：或以上）時，則熱處理内室及其 内包含之構件係經受高熱與腐蝕應力；經選擇用於其之材 料因此必須具有高熱穩定性，且尤其相對於硒係抗腐蝕。 適合用於熱處理内室之壁的材料尤其係耐火鋼，雖然此等 材料大體上具有一相對較低之導熱率。沃斯田鐵不鏽鋼 AISI 316L係較佳。為了確保循環通過熱處理内室之壁中的 冷卻通道之冷卻劑可有效率地移除熱且不形成大的溫度梯 度’有利的係用一矩形截面組態冷卻通道。相鄰冷卻通道 係藉由腹板分開’其寬度較佳係介於冷卻通道之寬度的2〇 %與80%之間。藉由相對較小腹板達到之效應係其内輕射 之熱功率通過具有一相對較大截面之短路徑被帶至冷卻 劑’而可同時達到足夠高的機械穩定性。腹板之高度經設 定以便驅動足夠冷卻劑通過冷卻通道，以致維持冷卻劑内 201135847 之溫度差係充分小 度的20%與8〇%之 '腹板之高度較佳係介於冷卻通道 間。 之寬 :於加熱熱處理内室中之基材的能量較佳係借助於一 加熱機構來供應，其放射 ' 配置在敎“— 範圍内之電磁輻射且被 …處理内至之内。加熱機構可例如藉由一或多個可 加熱石英棒形成，其突出 ^ ，、大出進入至熱處理内室之内。較佳係 、，石央棒’其係相互平行地配置且平行於基材表 面。為了達到基材之下與上側的均勻加熱，石英棒可配置 於基材表面之上與之下兩者。作為一種替代，加熱能量可 在外線可見光或紫外線光譜範圍内之雷射輻射產 生’輻射通過適當之窗被引進入熱處理内室。 —有利的疋，熱處理内室係一可封閉容器以致熱處理内 室之内部空間在基材熱處理期間係藉由壁完全圍封，且加 ‘、·、機構僅將其熱能輻射進入至熱處理内室，而未進入至置 ::處理内至之外側的區域内。$ 了使離開熱處理内室之 能量通量中之局部不均勻減至最少，用於加熱機構之能量 供應的饋通件（電纜等）可被熱絕緣。 為了達到熱處理内室之内部空間的加熱係盡可能快速 y有效且為了使傳輸進入至室壁之加熱功率的比例減至 最少，可將反射器配置於熱處理内室之内部空間中。 較佳係，至少熱處理内室之面向内部區域的壁表面較 佳係由一具有在自可見光至在2000奈米或3000奈米處之 ^紅外線的波長範圍内之一高反射比的材料組成。若能量 是借助於紅外線輻射器（例如石英棒）供應，則高反射較佳係 10 201135847 提供至少在該紅外線輻射器之波長範圍内。例如，不鏽鋼、 钥、金、諸如氮化鈦或氮化矽之氮化物，或一擴散地高度 反射之熱塑性塑膠（例如經壓製之PTFE，其具有自25〇奈 米至2500奈米之一有效光譜範圍及介於490奈米與15〇〇 奈米之間的99%之反射比，且介於250奈米與2500奈米之 間的多於95%的反射比，熱穩定性高達4〇〇。〇之一溫度，其 已知為來自Labsphere之Spectralon)可用作表面材料或壁 材料。 ^該熱處理内室之内壁有利的是設置反射器，其遮蔽此 等壁對抗經傳遞進入至内部空間中之熱功率。 有利的是提供中間&射器[其係、由至少對於紅外線 輻射係高度反射之一材料製《，或具有由此一材料組成且 =向内部區域之中間反射器壁表面，其係配置於熱處理内 室之面向内部區域的壁表面之前且較佳係以其後側與熱處 理内室之面向内部區域的壁表面分開。若使用中間反射器 壁’配置於其後之熱處理内室的壁可具有一低反射比，例 如介於40%與60%之間。 可形成另外之反射器’且配置於熱處理内室内，依此 -方式其將加熱基材之電磁轄射（例如紅外線輕射）聚焦 於基材上。此外，可提供（額外 ） Μ Γ旳），舌動（例如可傾斜） 反射器板’其局部地影響輻射進入 芏基材之功率。借助於 此等反射器板’尤其可能達到在某 私产认一 材之邊緣區域中的溫度 輪廓的均勻化。 為了較佳地達到轄射至基材上之能量的進一步均句 11 201135847 如由玻璃陶瓷製成） 之間。 配置 化’可將半透明中間反射器（例 介於基材與熱處理内室之冷卻壁 為了將基材引進入熱處理肉— ^ 爽理内室且將其自熱處理内室移 除，有利的是提供可封閉開口，* 1 j 其截面經調適至基材之形 狀；在用於處理平基材之系絲 糸統中’開口係以狹縫之形狀形 用於在熱處理内室之㈣持與運輸基材的傳送器設 :可另外設置於熱處理内室之内部空間中。有利的是基 y … 期間破安裝於其上之安裝設備 係形成為一傳送器設備。 若熱處理構成兩其他處理步驟之間的—中間步驟（盆 f要一真^或使用不同製程氣體），則通常就製程技術而 。有和的疋在-真空容器内部實行熱處理，以致在轨處理 :前或之後沒有額外花費用於抽空。適合用於此一製程之 -處理室包含一具有冷卻壁之熱處理内室，冷卻壁係配置 於外室（尤其係一真空室）之内部。由於該等冷卻壁， 熱處理内室之熱内部空間係與真空室熱隔離。此確保真空 室之構件（其—般係高度溫度敏感）即使在實行高溫熱處 理（尤其在大於50〇°C )時亦不遭受任何損壞。 配置於外室内部之熱處理内室借助於間隔件被支撐在 外至之壁上，間隔件由一具有一低導熱率之材料組成。若 一冷卻劑回路係用於冷卻該熱處理内室（如以上所述）， 則有利的是使用延伸至間隔件内部之導管，用於供應冷卻 劑進入至熱處理内室之壁内且用於將冷卻劑自其排放。 本發明之處理室結構容許有效率的基材熱處理，其中 12 201135847 高能量輸入可在一短時間被引進入基材内而不會導致圍封 該熱室之壁的外室（真空室）之過熱。即使當大於丨5 W/cm2 之大表面功率密度被輻射至基材上，熱處理内室之内部空 間仍與外室有效地熱隔離。 【實施方式】 本發明將借助於圖式中表示之一範例性實施例而更詳 細地解釋於下文中。 在圖式中，彼此對應之元件係藉由相同的參考數字指 不。圖式表示一示意性範例性實施例且不反映本發明之特 疋參數。此外’圖式僅用以解釋本發明之一有利實施例且 不應依其窄化本發明之保護性範疇的此一方式解說。 第1圖與第2圖顯示用於基材20熱處理的一處理室之 透視截面圖。本文中，術語「基材」係意欲指任何待處理、 待塗佈及/或已塗佈之物件，即一（視需要預先處理）載體 材料本身及一具有單一或多塗層之載體材料兩者。在第^ 圖與第2圖之範例性實施例中，基材係二維工件，其面積 可處於數平方公分與數平方公尺之間。 >基材亦可置於一基材盒内，其較佳係對於熱輻射為 半透月’較佳係具有由玻璃陶瓷製成之壁且用於支撐壁的 一石墨框架。 術語「熱處理」係意欲指涉及將基材加熱之任何製程 或製程步驟。 處理室1包含一可抽真空室（外室）2，在其内部空間 13 201135847 22内係配置一执虚理肉—， …、恩理内至3。熱處理内室3係組態成為一 具有壁10之可封閉容考 丁闭办盗23，壁10較佳係在所有側上圍封 熱處理内室3之内部办門 玉間24。然而，熱處理内室3不一定 需要可依氣密之方戎锊„. 方式封閉，反而是熱處理内室3之内部空 間24可被注入灰括介， , 例如借助於外室2。壁10之内部較 佳係由至少對於紅外線韓射係高度反射之金屬材料經 成二此外較佳係對於壁10 (尤其是壁之内部）由一具有熱 穩定性且尤其是使其相對於晒係抗㈣之材料組成。特定 言之’例如沃斯田鐵不鏽鋼AIS"16L之对火鋼係適用為用 於熱處理内室3之壁1〇的材料。 處理至1係用於多階段生產製程之過程中的基材2〇的 熱處理。因此，外室2具有人口與出口4，可將基材2〇通 過其自-上游製程階段（圖式中未顯示）引進入至處理室工 且自處理室1運輸至另-下游處理階段（圖式中未顯示）。 為了將基材20引進入至熱處理内室3且將基材2〇自其移 除，可封閉狹縫形狀之開口（未顯示）係設置於熱處理内 室3之兩個彼此相對末端側上。為了安裝及運輸基材2〇， 熱處理内室3係設置有滾輪8，其可依一受控或規則方式旋 轉且係安裝於熱處理内室3之壁1〇的圓形開口 9中。 為了加熱基材20,熱處理内室3具有一具有加熱機構 11’之能源11 ’其在第丨圖與第2圖之範例性實施例中係藉 由可加熱之石英棒12形成，石英棒12饋通熱處理内室: 之壁10中的凹部13而進入至内部空間24。為了清楚之 的，僅一單一石英棒i 2係各別地在第i圖與第2圖中表八 201135847 ，：然而顯示於基材平面之上及下方上的壁ι〇内之多個凹 才曰示係七供多個平行於基材平面對準之石英棒，件 助，其基材20可自下與上方加熱。作為一替代或額外的‘ 熱能可例如被引進入熱處理内室3内成為通過窗之（脈衝 式）電磁輻射。 為了使外室2之熱應力最小，熱處理内室3係設置有 V卻裝置14，藉由其由能源11傳遞至室壁之熱量可 (至少—大部分）被移除。冷卻裝置14因此將熱處理内室3 之熱内部空間與外室2熱隔離。冷卻裝置14包含用於一液 體=卻劑（例如油）之一冷卻回路15，其循環通過熱處理 内至3之壁10内的冷卻通道16。冷卻裝置14另外包含— 泵（圖式中未顯示）以及一熱交換器，藉由其自冷卻通道 W離開回流之經加熱冷卻劑可在冷卻劑被饋送回到熱處理 内至3之冷卻通道16之前被冷卻。 冷卻通道16依一曲折型式延伸於壁1〇内部。為了能 夠耐受大於50(TC之溫度，熱處理内室之壁1〇係由耐火鋼 製成。此一鋼具有一低導熱率，因此須採用特殊方法以達 到壁之一均勻熱輪廓：冷卻通道16具有一大約矩形截面輪 廓。相鄰冷卻通道16係藉由腹板18分開，其寬度19係少 於冷卻通道16之寬度17 ;腹板寬度19典型係介於通道寬 度17之20%與80%之間。小腹板寬度19有效地防止置於 冷卻通道16之間的腹板區域18中之壁的局部加熱。此外， 腹板咼度18a係在介於通道寬度17的20%與80%之間的一 範圍中選擇。 15 201135847 熱處理内至3之壁1 〇係借助於間隔件％緊固至外室 2較佳係依各壁10借助於至少一間隔件26緊固至外室2 之此-方式。較佳係’壁1〇之至少一者包含藉由僅一間隔 件26個別地緊固。間隔# %由具有一低導熱率之一金屬 組成且係内部中空；在間隔件之内部區域中，係提供饋送 /、排放（圖式中未顯示）以供應冷卻流體於冷卻通道16。 為了達到熱處理内室3之内部空間24的盡可能快速與 有效之加熱，且為了使傳輸進入至室壁1〇之加熱功率的比 例減至最少，可將中間反射器壁28配置於熱處理内室3之 内部空間24中且較佳係與壁1〇分開。 在第1圖與第2圖之範例性實施例中，壁丨〇之内部29 係塗佈一材料，其具有在加熱機構11，之波長範圍（在本文 中’係其中石英棒12轄射之紅外線範圍）中的高反射能力 (反射比）且因此同樣作為一反射器。該塗層由例如 Spectralon (—擴散高度反射熱塑性塑膠）組成。此外，如 藉由第1圖中之實例指出，另外之反射器3〇可設置於内部 空間24的選定區域中（例如在角落中），其導致遮蔽此等 區域防止加熱機構11 ’之輻射及/或將加熱紅外線輻射聚焦 至基材2〇上。在熱處理内室3之壁10與基材20之間可能 k供半透明中間反射器（例如由石英陶究），其具有一高熱 穩定性且導致加熱之空間均勻化。 在第1圖與第2圖之範例性實施例中，熱主要係藉由 熱輻射自加熱機構丨丨（石英棒12 )轉移至基材2〇上。作 為一替代，一保護性氣體（尤其是一惰性氣體）可透過饋 201135847 送被引進入熱處理内室3且排放（圖式中未顯示）以借助 於對流增加熱轉移。 用於溫度測量之機構（圖式中未顯示）可被設置於熱 處理内室3令，例如高溫溫度計係被導向基材2〇且偵測藉 由基材20放射之熱輻射。此外，借助於冷卻劑自壁1〇移 走之能量可藉由冷卻劑回路15之供應與返回路徑中的溫度 測量來決；t ’且與輻射進人之能量比較；此容許連續監= 熱處理内室3之熱平衡，以偵測或防止過熱。 。襞置係尤其適合用以生產薄膜太陽能電池或薄膜太 陽能模組’其具有一由一玻璃或石英製成之載體層，在其 ' &力^^電極之鉬層及二硒化銅銦（CIS)半導體 或硫碼化銅銦鎵（CIGSSe)半導體之—功能層。 【圖式簡單說明】 埶：1圖顯示在橫向中之-透視截面圖中具有一外室與 熱處理内室用於基材熱處理之-處理室。 與 x據第1圖之摘錄顯示熱處理内室之壁的詳圖。 【主要元件符號說明】 1 處理室 2 外室（真空室） 3 熱處理室 8 滾筒 9 熱處理+ , 至之壁中的開口 17 201135847 ίο 熱處理室之壁 11 能源 12 可加熱石英棒 13 壁中之凹部（用於石英棒） 14 冷卻裝置 15 冷卻回路 16 冷卻通道 17 冷卻通道之寬度 18 腹板 1 8 a腹板尚度 19 腹板寬度 20 基材 22 外室之内部空間 23 容器-熱處理室 24 熱處理内室之内部空間 26 間隔件 28 中間反射器 29 壁之内部 30 邊緣區域反射器 18

Claims (1)

1. 201135847 七、申請專利範圍： 1.一種用於熱處理-基材（2G)之熱處理内室（3)，該 理内室（3) 具有壁（10)，其圍封該熱處理内室（3)之— (24) ； °丨工間 八有女裝°又備（8) ’其係用於在該熱處理期間安裝該 基材⑽；及具有―能源⑴），其係用於將能量引進入至該 熱處理内室（3)之内部空間（24)中， 該等壁（10)之該等内部的至少一部分係形成以反射藉 由該能源（11)引入之功率， 其特徵在於 該等壁（10)之該等内部的至少一部分由一至少對於紅 外線輻射係高度反射之材料組成。 ， 2·如中請專利範圍第丨項之用於熱處理—基材⑽之熱 處理内室（3)，該熱處理内室（3) 具有壁(1〇)，其圍封該熱處理内室(3)之一内部空間 (24); ”有女裝6又備（8) ’其係用於在該熱處理期間安裝該 暴材（20);及 a具有-能源（11)，其係用於將能量引進人至該熱處理内 至（3)之内部空間（24)， 其特徵在於 、、卻裝置（14)係設置用於冷卻該等壁（〗〇)之至少一部 201135847 3·如申請專利範圍第1項或第2項之熱處理内室（3)， 其特徵在於該等壁（10)在數個側上圍封該熱處理内室（3)之 内部空間（24)，較佳係在所有側±圍封該熱處理内室⑺之内 部空間（24)。 4.如申請專利範圍第2項或第3項之熱處理内室（3), 其特徵在於該冷卻裝置（14)包含用於一液體冷卻劑之一回 路（1 5)，該冷卻劑尤其係油。 5·如申4專利ίε·圍帛4項之熱處理内室（3)，其特徵在 於該熱處理内室（3)之至少_壁⑽係、設置有冷卻通道（16)。 6·如申請專利範圍帛5項之熱處理内室（3)，其特徵在 於該熱處理内室（3)之該壁表面的至少肌及/或所有該等壁 (10)係設置有冷卻通道（16)。 7·如申明專利範圍第5項或第6項之熱處理内室(3)， 其特徵在於該等冷卻通道（16)依_曲折型式在該熱處理内 室（3)之該壁（10)中延伸。 8. 如申請專利範圍第5項至第7項中之—項的熱處理内 室（3)，其特徵在於該等冷卻通道⑽具有—大約矩形截面。 9. 如申請專利範圍第5項至第8項中之—項的熱處理内 室（3)’其特徵在於相鄰冷卻通道〇6)係藉由腹板（18)分開， 其寬度（19)及/或高度（i8a)係介於該等冷卻通道（μ)之寬度 (17)的20%與80%之間。 10. 如申請專利範圍第2項至第9項中之一項的熱處理 内室（3)，，其特徵在於該能源⑴）包含用於放射熱能之一加熱 機構（11，），其係配置於該熱處理内室（3)内。 201135847 11. 如申請專利範圍第ίο項之熱處理内室（3)，其特徵 在於該加熱機構（11 ’）係藉由多個石英棒（1 2)形成，其較佳係 平行於該基材表面（20)延伸。 12. 如申請專利範圍第11項之熱處理内室（3)，其特徵 在於該等石英棒（12)係配置於該基材表面（2〇)之兩側上。 13. 如申請專利範圍第2項至第12項中之一項的熱處理 内室（3)，其特徵在於用以將藉由該能源（11)輻射進入之該功 率反射的一中間反射器壁（28)及/或一邊緣反射器（30)係設 置於該熱處理内室（3)中。 14. 如申請專利範圍第13項之熱處理内室（3)，其特徵 在於該熱處理内室（3)之至少一壁（1〇)及/或至少該等内部 (29)由一耐火及/或防硒材料及/或至少對於紅外線輻射係高 度反射之一材料的至少區段組成，該等材料較佳係不鏽 鋼 '鉬 '金、氮化物、鈦氮化物、矽氮化物或一擴散地高 度反射之熱塑性塑膠，或包含此一材料。 15. 如申清專利範圍第13項之熱處理内室（3)，其特徵 在於該中間反射器壁（28)及/或該邊緣反射器（30)係依其將 藉由該能源（11)輻射之功率聚焦至該基材（2〇)上的方式成 形。 16. 如申請專利範圍第13項中之熱處理内室（3)，其特 徵在於用於溫度均勻化之至少一中間反射器（2〇，，）係配置介 於該熱處理内室（3)之該冷卻壁（1〇)與該基材（2〇)之間。 17. 如申請專利範圍第2項至第16項中之一項的熱處理 内室（3)，其特徵在於該熱處理内室（3)包含用於引入及移除 21 201135847 該基材（20)之可封閉開口（6)。 18. 如申請專利範圍第2項至第17項中之一項的熱處理 内室（3)’其特徵在於該熱處理内室（3)係連接至用於運輸該 基材（20)的一傳送器設備（8)及/或在於該基材（2〇)係置放於 一基材盒内。 19. 一種用於熱處理一基材（2〇)之處理室（1)，該處理室 (1) 具有一外室（2)，其係用於將該基材（2〇)與周圍隔離； 具有一熱處理内室（3)，其係配置於該外室（2)内用於在 該熱處理期間容納該基材（2〇); 具有一能源（11)，其係用於將能量引進入至該熱處理内 室（3)之一内部空間（24); 其特徵在於該處理室（1)包含一冷卻裝置（14)，其係用於 冷卻該熱處理内室（3)的該等壁（1〇)之至少一部分及/或在於 該熱處理内室（3)包含諸壁（10)，其中該等壁（1〇)之該等内部 的至少一部分係由至少對於紅外線輻射係高度反射之一材 料組成，以便反射藉由該能源（11)引入之功率。 2〇.如申請專利範圍第19項之處理室（1)，其特徵在於 該熱處理内室（3)係借助於間隔件（26)緊固至該外室（2)。 21.如申請專利範圍第20項之處理室（1)，其特徵在於 該冷卻裝置（14 )包含用於尤其係油之—液體冷卻劑的一 回路（15 )，及 在於該等間隔件（26)具有用於供應且排放冷卻劑之空 穴（27)。 22 201135847 22.如申請專利範圍第19項至第21項中之一項的處理 室（1)，其特徵在於該外室（2)係一真空室。 八、圖式： (如次頁） 23